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Introduction
Les multicouches sont des nanostructures artificielles fabriquées par des
techniques de dépôt sous ultravide afin d'obtenir des propriétés nouvelles.
L'élaboration de multicouches a commencée avec les semi-conducteurs et
ce n'est que depuis le début des années 1980 que l'on sait correctement
réaliser des multicouches métalliques.
Les propriétés physiques mesurées de ces multicouches dépendent
fortement de leurs structures et de leurs modes de formation, ainsi un
grand effort est apporté pour la détermination de ces structures,
notamment au niveau des interfaces. La morphologie des différentes
couches d'empilement ainsi que leurs structures cristallographiques
dépendent du substrat utilisé et de la méthode de dépôt. Un même
matériau peut avoir ainsi des propriétés différentes suivant sa méthode
d'élaboration.
La modélisation de formation des croissances est fondamentale
puisqu’elle permet d’une part de confirmer les expériences effectuées par
jet atomique, d’autre part d’analyse les phénomènes microscopiques
responsable de l’appariation d’un mode de croissance particulier. Enfin
elle possède un caractère prédictif. Le but de ce travail est de faire une
description des modèles utilisés pour étudier la formation des croissances
et des propriétés magnétiques des multicouches par des méthodes de
simulation. La 1ère partie de ce chapitre représente une description de
deux modèles : le modèle de formation et de croissances par la méthode
dynamique moléculaire et par la méthode Monte Carlo cinétique(KMC).
Cette dernière consiste à prendre en compte tous les processus
microscopiques cinétiques susceptibles d’intervenir sur la surface (dépôt,
diffusion, agrégation) la dernière partie du travail représente une
description du modèle de simulation numérique par la méthode Monte
Carlo choisie pour l’étude des propriétés magnétiques à l’équilibre des
multicouches, permettant d’accéder aux principales grandeurs physiques
telles que l’énergie magnétique, l’aimantation, l’aimantation par plan, la
chaleur spécifique ou la susceptibilité magnétique.
• I, J: précise la nature chimique des atomes sur les sites (i,j) I,J ∈
{A,B}.
• ξIJ (Intégrale de saut effectives) et qIJ: paramètres de terme de
bande.
• AIJ et pIJ paramètres du terme répulsif.
• rII0 Correspond à la distance d’équilibre entre premiers voisins dans
le métal pur I.
rIJ0 =rII0+rJJ0 2
• rij est la distance entre les sites i et j.
• rc est le rayon de coupure des interactions que l’on prend égal à la
distance des seconds voisins.
II.1.3.1 Éléments purs (A-A, B-B)
Echo= E (r0)
B=r029∂2E∂r2|r0
Les paramètres croisé (ξIJ , AIJ , pIJ, qIJ pour I≠J) caractérisent les
interactions mixtes A-B. Il y a plusieurs méthodes pour les ajuster.
• les paramètres A-B sont ajusté sur l’énergie de dissolution d’une
impureté A dans une matrice (B) et de B dans (A) et ont vérifie
qu’on se rapproche du paramètre de réseau expérimental.
• Notre approche consiste à ajuster les paramètres A-B afin de
reproduire raisonnablement les propriétés (énergie de formation
et distance interatomique) de l’alliage equiatomique AB.
Hypothèse 1 : θ ≤ 0,3 ML
rk = ϑk exp (-EkKBT)
Ou ϑk est le facteur préexponentiel Ek la barrière de potentiel à franchir
pour le processus K et (KBT) l’énergie thermique que possède l’adatome.
Dans le cas des systèmes métalliques les puits de potentiel (de l’ordre de
quelque eV) ainsi que les barrières à franchir (supérieures à 100 meV)
sont beaucoup plus grands que l’énergie thermique (KBT) de l’adatome,
l’approximation d’une diffusion par sauts activée thermiquement vers des
sites plus proche voisins.
Cette hypothèse de travail est beaucoup moins évidente et certainement
incorrecte dans le cas du Xénon de diffusion, c’est – à –dire inférieure à la
l’énergie thermique.
Néanmoins, la majeure partie des situations dans le cas Ek>>KBT et la loi
exponentielle est alors totalement justifiée, le préfacteur ϑk prend des
expressions complexes et différentes suivant la valeur de la force de
friction ressentie par l’adatome. En présence de défauts de surface la
friction peut très bien être fortement modifiée pour rester totalement
rigoureux.
L’ensemble des taux de saut est dominé par la forme exponentielle des
barrières Ek par rapporte à l’énergie thermique KBT, il semble correcte
d’utiliser pour tous les déplacements sur la surface un seul préfacteur.
Toutes les valeurs ϑk = 2KBTh choisies correspondent à la fréquence
d’un oscillateur harmonique à l’équilibre dans un puis quadratique.
Il faut noter que la procédure conduisant à choisir pour le préfacteur la
même fréquence de saut pour tous les déplacements est basée sur
l’unique hypothèse que les sauts atomiques sont les processus de
diffusion dominants plutôt que les mécanismes d’échange.
Puisque le préfacteur est identique partout sur la surface par l’hypothèse,
donc la barrière de potentiel à franchir et la température vont guider la
diffusion, bien entendu, plus T est grand, plus la diffusion sera active de
plus la réorganisation interne des clusters par détachements et
attachement successifs des atomes sera efficace [6].
II.2.3 Algorithme
La surface où sont déposés les atomes est définie en terme de conditions
aux limites périodique pour chacune de directions et quelque soit le
nombre de défauts introduits. La simulation KMC est basée sur la
discussion précédente. Idéalement, un nombre aléatoire est tiré pour
préciser si on choisit de déposer ou de faire diffuser une particule, ensuite,
il faudrait retenir une particule susceptible d’effectuer le processus choisi
(l’application De Metropolis et voire si la particule est capable d’effectuer
son mouvement). Ce type d’algorithme pourrait engendrer une perte de
temps très important, car à chaque pas du programme, il se peut
qu’aucun processus ne soit réalisé, par exemple, lorsque la couche a
atteint un taux de recouvrement important, c’est normalement le dépôt et
la diffusion des particules appartenant à un agrégat. Or dans ce cas,
puisque le choix du processus est totalement aléatoire, la probabilité de
prendre un processus est hautement défavorable, comme le déplacement
d’un adatome piégé dans un îlot est grand, puisque la majorité des
adatomes est dans cette configuration aux taux de recouvrement élevés.
Pour aboutir au tirage d’un processus possible, un nombre de pas de
calculs inimaginable sera nécessaire.
La simulation KCM construit est basée sur un déplacement à lieu à chaque
étape de simulation selon sa probabilité d’appariation. Pour cela, une liste
N processus possibles est crée regroupant le dépôt et tous les
mouvements d’adsorbats possible. A chaque configuration (C), et pour
chaque processus de diffusion k (k=2, …., N k=1 étant réservé pour le
dépôt), ont calcul les Nk( c) adatome qui sont susceptibles d’effectuer ce
processus (N1 est donné quant à lui par le nombre d’atomes qu’il reste à
déposer en théorie). La procédure est ensuite simple et se rapproche de
l’algorithme de Metropolis. En posant r1 =F et rk donnée par l’équation (1)
tous les taux cumulés dont l’expression est écrite ci-dessous sont calculés.
Rjc=k=1jNk(c)rk (2)
Le taux total est alors obtenu pour j=N, ce qui permet de normaliser le
taux et de raisonner en termes de probabilités :
Début
≤Pk de recouvrement
Tirage d’un nombre aléatoire m et choisi du processus k tel que Pk-1<mTaux
souhaité
K=1
Dépôt Diffusi
on
Oui Non
On dépose
On effectue de diffusion
I n’a pas de voisin
Non
Oui Mise à jour des processus K
et de la liste des voisins de
qui ont changé de
Mise à jour uniquement du configuration
processus de dépôt et du
processus dans lequel se trouve
l’adatome déposé
Fin
(1)
(2)
Il en résulte que :
– si ΔE ≤0 , la transition qui correspond à une diminution de l’énergie a
toujours lieu ;
– si ΔE >0 la transition qui correspond à une augmentation de l’énergie
peut se produire
avec une probabilité exp(− ΔE/kBT) < 1 afin de tenir compte de l’agitation
thermique
[3] Z. Zhang, Y.-T. Lu et H. Metiu, Pathways for dimer string growth during Si deposition
on
[4] Christina Hester Claassens, these , Kinetic Monte Carlo Simulation of the Growth
[9] M. BREEMAN, Goerge, M.H. langelaar and D.O. Boerma, Thin Solid Film 272, 1995
[10] A.B Bortz, M.H. Kalos and J.L lebowitz, journal of. Comp. phys ,17, 10 (1975)
[12] W. Heisenberg, ‘Zur Theorie des Ferromagnetismus., Z. Physik, 49, (1928), 619.
[13] M. Hoare, ‘Structure and dynamics of simple microclusters.’ Adv. Chem. Phys., 40,
(1979), 49