Fundamentos de Electronica

FUNDAMENTO DE ELECTRNICA
TEORA DE SEMICONDUCTORES

REPBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA
MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA
EDUCACIN SUPERIOR
INSTITUTO UNIVERSITARIO EXPERIMENTAL DE
TECNOLOGA DE LA VICTORIA
LA VICTORIA EDO. ARAGUA

Elaborado por:
Ing. Lisseth Lpez

Octubre, 2007


DEDICATORIA

El siguiente Texto est especialmente dedicado a:

Todos mis alumnos y a todos aquellos que no lo fueron
quienes de una forma u otra me han enseado a descubrir mi
vocacin de educadora y han contribuido notablemente con mi
mejoramiento profesional, haciendo ms sencilla y amena la
noble misin de educar y a la que he dedicado parte de mi
vida.



NDICE GENERAL

CONTENIDO PAG.

Preliminares
Portada i
Dedicatoria ii
ndice General iii
ndice de Figuras vii

CAPTULO I. TEORA DE SEMICONDUCTORES

1. Semiconductor 2
2. Banda de Energa y Conductividad Elctrica del Cristal 4
3. Tipos de Semiconductores 6
3.1. Semiconductores Intrnseco 6
3.2. Semiconductores Extrnseco 7
3.2.1. Semiconductores Extrnseco Tipo N 8
3.2.2. Semiconductores Extrnseco Tipo P 9
4. Ley de Accin de Masas 10
5. Ley de Neutralidad de Carga 11
6. Movilidad y Conductividad 11
6.1 Corriente de Arrastre 11
6.2 Corriente de Difusin 14
7.- Relacin de Einstein 15

CAPTULO II. TEORA DE DIODOS

1. El Diodo 17
2. Polarizacin en Sentido Directo 19
3. Polarizacin en Sentido Inverso 21


4. Caractersticas De Un Diodo En Unin PN 22
5. Representacin Simblica del Diodo 25
6. Resistencias del Diodos 26
6.1. Resistencia Esttica 26
6.2. Resistencia Dinmica 26
7. Influencia De La Temperatura Sobre Las Propiedades De La Unin 28
7.1. Influencia de la temperatura sobre la corriente de Saturacin I
S
28
7.2.

Influencia de la temperatura sobre la tensin directa a los bornes
de la unin 29
8. Esquema Equivalente del Diodo en Rgimen Alterno 30
8.1 Capacidad de Agotamiento o de Transicin 30
8.2. Capacidad de Difusin 33
9. Modelos o Aproximaciones del Diodo 33
9.1 Modelo Ideal 34
9.2 Modelo de Cada de Tensin Constante 34
9.3. Modelo Lineal por Tramos 35
10. Parmetros y Especificaciones Elctricas De Los Diodo 36
11.- Verificacin del Estado de un Diodo 39

CAPTULO III. TIPOS DE DIODOS

1. Diodo Zener 42
1.1. Construccin de un Diodo zener 44
1.2. Cdigo de Identificacin del Zener 46
1.3. Aplicacin 47
1.4. Especificaciones del Fabricante 48
2. Diodo Led y Fotodiodo 48
2.1 Diodo Led 48
2.2. Fotodiodo 50
3. Diodo de Barrera o Schottky 52
4. Diodo PIN 54
5. Diodo Varactor o Varicap 56


6. Diodo Tnel 58
7. Diodo de Contacto Puntual 60

CAPTULO IV.- APLICACIONES DE LOS DIODOS
1. Rectificador 62
1.1 Rectificador de Media Onda 62
1.2. Rectificador de Onda Completa 64
2. Factor de forma (F
f
) e ndice de Ondulacin (F
r
) 68
2.1. Factor de Forma (F
f
) 68
2.2. ndice de Ondulacin (F
r
) 68
3. Comparacin entre los diferentes Rectificadores 68
4. Filtraje 69
4.1. Filtraje con Condensador 69
5. Doblador de Tensin 74
6. Limitador de Tensin 75
6.1. Limitador Serie Positivo 76
6.2. Limitador Serie Negativo 76
6.3. Limitador Paralelo 78
6.4. Limitador Parcial o Polarizado de Un Nivel 79
6.5. Limitador Polarizado de dos Niveles 83
7. El Diodo Zener como Regulador de Tensin 86
8. Circuito Sujetador de Nivel 96

CAPTULO V. TEORA DEL TRANSISTOR BJT

1. Estructura de un Transistor Bipolar 100
2. Modos de Operacin 101
3. Configuraciones Del Transistor 103
3.1. Configuracin Base Comn 103


3.2. Configuracin Emisor Comn 105
3.3. Configuracin Colector Comn 106
4. Curva Caracterstica 107
5. Relacin de Corrientes 109
6. Polarizacin del Transistor 110
6.1. Polarizacin Fija 110
6.2. Polarizacin Con Resistencia en el Emisor 113
6.3. Polarizacin Independiente de 116
6.4. Polarizacin con realimentacin de Tensin de Colector 122
7. Anlisis Grfica de la Polarizacin en DC 123
8. El Transistor Como Interruptor 126
BIBLIOGRAFA 128
EJERCICIOS PROPUESTOS 129



NDICE DE FIGURAS

FIGURA PAG.

CAPTULO I. TEORA DE SEMICONDUCTORES

Fig. 1a.- Red Cristalina de Silicio (Si) 3
Fig. 1b.- Red Cristalina de Arseniuro de Galio (AsGa) 3
Fig. 2a.- Cristal de Silicio (Si) antes del aumento de la temperatura 4
Fig. 2b.- Cristal de Silicio (Si) despus del aumento de la temperatura 4
Fig. 3 Estructura de las bandas de energa de un Aislante, un Semiconductor
y un Conductor 5
Fig. 4.- Cristal de Silicio contaminado con tomos de Fsforo
8
Fig. 5. Nivel donador o dador introducido por los tomos pentavalentes
9
Fig. 6.- Nivel aceptador o aceptor introducido por los tomos trivalentes
10
Fig. 7.-Movimiento de los huecos debido al movimiento de los electrones 13

CAPTULO II. TEORA DE DIODOS

Fig. 8. Unin PN 17
Fig. 9. Formacin de la regin de vaciamiento. 18
Fig. 10 Unin PN en equilibrio 19
Fig. 11 Polarizacin en Directo de la Unin PN 20
Fig. 12 Circulacin de Corriente en la Unin PN 20
Fig. 13.- Polarizacin en Inverso de la Unin PN 21


Fig. 14.- Aumento de la Regin Carga Espacial 22
Fig. 15.- Curva Caracterstica del Diodo 23
Fig. 16.- Curva Caracterstica real del Diodo 24
Fig. 17.- Representacin Simblica y Fsica del Diodo 25
Fig. 18.- Representacin del punto Q sobre la curva caracterstica de Diodo 26
Fig. 19 Resistencia dinmica y Variacin del punto Q 28
Fig. 20 Influencia de la temperatura sobre la tensin del diodo 30
Fig. 21Curva Caracterstica de la Capacidad de agotamiento 30
Fig. 22 Variaciones de C
T
en funcin de V
R
para dos diodos Tpicos 32
Fig. 23 Curva V vs I de un Diodo Ideal 34
Fig. 24 Modelo de cada de voltaje constante de la caracterstica directa del
diodo y la Representacin de su circuito equivalente 35
Fig. 25 Modelo lineal por tramos de la caracterstica directa del diodo y
su circuito equivalente 35
Fig.26 Hoja de Especificaciones del Fabricante BAY73 37
Fig.27 Curvas Elctricas Tpicas del Diodo BAY73 38
Fig. 28 Verificacin del estado de un diodo con un ohmetro 40
Fig. 29 puntas del multimetro 40

CAPTULO III. TIPOS DE DIODOS

Fig. 30 Curva Caracterstica del Diodo Zener 43
Fig. 31 Aspecto Fsico y Simbologa del Diodo Zener 45
Fig. 32 Curva Caracterstica del diodo zener para la primera aproximacin 46
Fig. 33 Curva Caracterstica del diodo zener para la segunda aproximacin 46
Fig. 34 Smbolo y Aspecto fsico del Diodo LED 49
Fig. 35 Simbologa y Aspectos fsicos de un Fotodiodo 51
Fig. 36 Curva caracterstica I/ V de un fotodiodo para diferentes intensidades
luminosas 51
Fig. 37 Simbologa y Curva Caracterstica del Diodo Schottky 53
Fig.38 Circuito equivalente del diodo PIN en la regin Directa e Inversa 56
Fig. 39 Simbologa del Diodo PIN 56


Fig.40 Simbologa del Diodo Varicap y Circuito equivalente 57
Fig. 41 Curva de Variacin de la Capacitancia vs. Tensin Inversa aplicada 58
Fig. 42 Curva Caracterstica del Diodo tnel 59
Fig. 43 Circuito equivalente y simbologa del Diodo Tnel 60

CAPTULO IV.- APLICACIONES DE LOS DIODOS
Fig. 44 Circuito Rectificador de Media Onda 63
Fig. 45 Seal de Salida de un Circuito Rectificador de Media Onda 63
Fig. 46 Circuito Rectificador Doble Onda con Transformador de Toma Central 64
Fig. 47 Seal de Entrada al Circuito Rectificador Doble Onda con
Transformador de Toma Central 65
Fig. 48 Seal de Salida del Circuito Rectificador Doble Onda con
Transformador de Toma Central 65
Fig. 49 Seal presente en los Diodos D1 y D2 65
Fig. 50 Circuito Rectificador Onda Completa Tipo Puente 66
Fig. 51 Circuito Rectificador Onda Completa Tipo Puente 67
Fig. 52 Circuito Rectificador de Media Onda con Filtro Capacitivo 70
Fig. 53 Seal de Salida de tensin (V
O
) y Corriente i
d
Circuito
Rectificador Media Onda con Filtro Capacitivo. 70
Fig. 54 Circuito Rectificador Onda Completa con Filtro Capacitivo 71
Fig. 55 Seal de Salida Circuito Rectificador Onda Completa con
Filtro Capacitivo 72
Fig. 56 Mtodo Grfico para estimar el factor de rizado 72
Fig. 57 Filtro en t con resistencia 74
Fig. 58 Circuito Doblador de Tensin 75
Fig. 59 Circuito Limitador Serie 76
Fig. 60 Seal de Entrada y Salida de un Circuito Limitador Serie Positivo 76
Fig. 61 Circuito Limitador Serie Negativo 77
Fig. 62 Seal de Entrada y Salida de un Circuito Limitador Serie Negativo 77
Fig. 63 Circuito Limitador Paralelo (a) Positivo (b) Negativo 78
Fig. 64 Seales de Salida de los Circuito Limitador Paralelo 78


Fig. 65 Circuito Limitador Polarizado de un nivel 79
Fig. 66 Seal de Salida de un Circuito Limitador Polarizado de un Nivel 80
Fig. 71Circuito Limitador Polarizado de un Nivel 82
Fig. 73 Circuito Limitador Polarizado de dos Niveles 83
Fig. 74 Seal de Salida de un Circuito Limitador Polarizado de Dos Niveles 84
Fig. 75 Circuito Limitador Polarizado de dos Niveles Con Diodos Zener 85
Fig. 76 Seal de Salida de un Circuito Limitador Polarizado de Dos Niveles
con diodos Zener 86
Fig. 77 Circuito Regulador de Tensin 86
Fig. 78 Curva Caracterstica del Diodo Zener 87
Fig. 79 Anlisis Grfico de Rs 90
Fig. 80 Circuito Sujetador de Nivel 96
Fig. 81 Seal de Entrada y Salida de un Circuito Sujetador de Nivel 97

CAPTULO V. TEORA DEL TRANSISTOR BJT

Fig. 82 Estructura de los transistores BJT 101
Fig. 83 Polarizacin de los transistores BJT 103
Fig. 84 Configuracin Base Comn 104
Fig. 85 Caracterstica de Entrada y Salida de la Configuracin
Base Comn NPN 104
Fig. 86 Transistor NPN con el Emisor Abierto 105
Fig. 87 Configuracin Emisor Comn 106
Fig. 88 Caracterstica de Entrada y Salida de la Configuracin
Emisor Comn NPN 106
Fig. 89 Configuracin Colector Comn o Emisor Seguidor 107


Fig. 90 Circuito Con polarizacin Fija 110
Fig. 91 Circuito De Entrada 111
Fig. 92 Circuito De Salida 111
Fig. 93 Ejemplo de un Circuito Con polarizacin Fija 112
Fig. 94 Circuito Con polarizacin con resistencia en el emisor 113
Fig. 95 Circuito de entrada polarizacin con resistencia en el emisor 114
Fig. 96 Circuito de entrada polarizacin con resistencia en el emisor 114
Fig. 97 Ejemplo Circuito de entrada polarizacin con resistencia en el emisor 115
Fig. 98 Circuito de polarizacin por divisor de Tensin 116
Fig. 99 Circuito de Polarizacin por Divisor de Tensin malla de Entrada 117
Fig. 100 Circuito de Polarizacin por Divisor de Tensin Simplificado 118
Fig. 101 Circuito de Polarizacin por Divisor de Tensin Malla de Salida 119
Fig. 102 Circuito de Polarizacin con Realimentacin de Tensin 122
Fig. 103 Circuito Autopolarizado 123
Fig. 104 Recta de Carga en Continua 124
Fig. 105 Recta de Carga en Continua para las Variaciones de R
C
y R
E
125
Fig. 106 Recta de Carga en Continua para las Variaciones V
CC
125
Fig. 107 Recta de Carga en Continua sobre la caracterstica de Salida
del Transistor 126
Fig. 108 El Transistor NPN como Interruptor 127
Fig. 109 Circuito para el accionamiento de un rel 127





CAP TULO I TEOR A DE
SEMI CONDUCTORES
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA


2
CAPTULO I
1.- Semiconductor
Entre los materiales conductores, que permiten una circulacin generosa de corriente
por presentar una resistencia relativamente baja, y los materiales aislantes, que no
permiten la circulacin de corriente, nos encontramos una gama de materiales con
propiedades propias que denominamos semiconductores ellos tienen una
conductividad que vara con la temperatura, pudiendo comportarse como conductores
o como aislantes.
Todos semiconductores se caracterizan porque en su ltima capa de electrones de su
estructura atmica poseen cuatro (4) electrones (son tetravalentes) llamados
electrones de valencia.
El elemento semiconductor ms usado es el Silicio (Si), pero hay otros
semiconductores como el Germanio (Ge) que tambin son usados en la fabricacin
de circuitos. El silicio est presente de manera natural en la arena por lo que se
encuentra con abundancia en la naturaleza. Adems, el Si presenta propiedades
mecnicas y elctricas buenas. Su purificacin es relativamente sencilla (llegndose a
Si puro del 99,99999%) y el Si se presta fcilmente a ser oxidado, formndose SiO
2
y
constituyendo un aislante que se utiliza en todos los transistores de la tecnologa
CMOS. Aunque idntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos
de los grupos II y III con los de los grupos VI y V respectivamente (AsGa, PIn,
AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd) de la tabla peridica. De un tiempo a esta parte se ha
comenzado a emplear tambin el azufre.
En la tabla # 1 se muestra algunos elementos pertenecientes a los grupos II, III, IV, V,
VI de la tabla peridica.
Estos elementos tienen una estructura ms estable si comparten electrones, formando
enlaces covalentes, de forma que al compartir estos electrones con tomos vecinos
todos ellos tengan en la ltima capa ocho electrones, situacin que es muy estable.


3

Elemento Grupo
Electrones en
la ltima capa
Cd II A 2 e
-

Al, Ga, B, In III A 3 e
-

Si, Ge IV A 4 e
-

P, As, Sb V A 5 e
-

Se, Te, (S) VI A 6 e
-

Tabla #1

Esto hace que se forme una malla de tomos que se denomina red cristalina. El
diamante es un ejemplo de este tipo de estructura cristalina formada por tomos de
carbono. El silicio, el germanio y el arseniuro de galio forman redes similares ver
Figuras 1a y 1b.
Un cristal est formado por un conjunto de tomos muy prximos entre s dispuestos
espacialmente de forma ordenada de acuerdo con un determinado patrn geomtrico.
La gran proximidad entre los tomos del cristal hace que los electrones de su ltima
capa sufran la interaccin de los tomos vecinos.

Fig. 1a.- Red Cristalina de Silicio (Si) Fig. 1b.- Red Cristalina de Arseniuro de Galio (AsGa)
Fuente: www.ele.uva.es

En estas condiciones todos los electrones tienen su lugar en la red, as que estos
materiales no permiten la movilidad de electrones y por lo tanto son aislantes.
Un aumento en la temperatura hace que los tomos en un cristal por ejemplo de
silicio vibren dentro de l, a mayor temperatura mayor ser la vibracin. Con lo que


4
un electrn se puede liberar de su rbita, lo que deja un hueco, que a su vez atraer
otro electrn, y as sucesivamente. En la figura 2a se puede observar un cristal de
silicio antes del aumento de la temperatura y en la figura 2b el cristal de silicio
despus de un aumento de temperatura donde se produce la creacin de el hueco y del
electrn libre por el rompimiento de los enlaces covalentes del cristal. A 0 K, todos
los electrones son ligados. A 300 K o ms, aparecen electrones libres.

(a) (b)
Fig. 2a.- Cristal de Silicio (Si) antes del aumento de la temperatura. Fig. 2b.- Cristal de Silicio (Si)
despus del aumento de la temperatura.
Fuente: www.rincondelvago.com

La unin de un electrn libre y un hueco se llama "recombinacin", y el tiempo entre
la creacin y desaparicin de un electrn libre se denomina "tiempo de vida".

2.- Banda de Energa y Conductividad Elctrica del Cristal
El nivel energtico de cada electrones puede estar situado en la "banda de valencia" o
en la "banda de conduccin" del cristal. Un electrn que ocupe un nivel dentro de la
banda de valencia est ligado a un tomo del cristal y no puede moverse libremente a
travs de l, mientras que si el nivel ocupado pertenece a la banda de conduccin, el
electrn puede moverse libremente por todo el cristal, pudiendo formar parte de una
corriente elctrica.
Entre la banda de valencia y la de conduccin existe una "banda prohibida", cuyos
niveles no pueden ser ocupados por ningn electrn del Cristal. La magnitud de ese


5
banda prohibida son permite definir otra diferencia entre los semiconductores,
aislante y conductores.
En la figura 3 se puede observar la estructura de los niveles o bandas de energa
segn el tipo del material. La magnitud de la banda prohibida (Eg) de algunos
semiconductores son: para el Silicio (Si) es aproximadamente de 1,11 eV, Germanio
(Ge) de 0,67 eV, Arseniuro de Galio (AsGa) de 1,43 eV, Telurio de 0,33 eV, Galena
(SPb) de 0,37 eV, Antimoniuro de Indio (SbIn) de 0,23 eV.

Fig. 3 Estructura de las bandas de energa de un Aislante, un Semiconductor y un Conductor
Fuente: El Autor
Para que la conduccin de la electricidad sea posible es necesario que haya electrones
en la capa de conduccin, as podemos considerar tres situaciones:
Los conductores, en los que ambas bandas de energa se superponen.
Los aislantes, en los que la diferencia existente entre las bandas de energa,
del orden de 6 eV impide, en condiciones normales el salto de los electrones.
Los semiconductores, en los que el salto de energa es pequeo, del orden de
1 eV, por lo que suministrando energa pueden conducir la electricidad; pero
adems, su conductividad puede regularse, puesto que bastar disminuir la
energa aportada para que sea menor el nmero de electrones que salte a la
Semiconductor Aislante Conductor
Banda de
Conduccin
Banda de
Valencia
Banda de
Prohibida
Eg = 6eV
Eg~ 1eV
Solapamiento de la Banda de Valencia y
la Banda de conduccin


6
banda de conduccin; cosa que no puede hacerse con los metales, cuya
conductividad es constante, o ms propiamente, poco variable con la
temperatura.
Es importante notar que la conductividad elctrica de los semiconductores es
directamente proporcional a la temperatura, y por ello se afirma que su coeficiente
trmico de conductividad es positivo, a diferencia de los metales cuyo coeficiente
trmico de conductividad es negativo.
Estos coeficientes son positivos, al aumentar la temperatura la resistividad de los
metales aumenta o, en forma equivalente, su conductividad disminuye.
Por lo contrario, a temperaturas normales (aprox. 25C), la conductividad de los
semiconductores aumenta en un 5% por cada grado de incremento en la temperatura.
NOTA: No debe confundirse la resistividad del material con la resistencia del mismo.
La resistividad es una propiedad caracterstica de cada material, mientras que la
resistencia depende de la forma geomtrica.
La corriente en los conductores se debe al movimiento de los electrones libres
mientras que en los semiconductores se debe al movimiento de los electrones libre y
los huecos.
3.- Tipos de Semiconductores
3.1 Semiconductores Intrnseco
Son los cristales semiconductores puros. A temperatura ambiente se comporta como
un aislante porque solo tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a la
energa trmica. En ellos, el nmero de huecos es igual al nmero de electrones y es
funcin de la temperatura del cristal.


7
La conductividad en ellos a una temperatura ambiente no suele ser muy alta, y la
cantidad de electrones libres es igual a la cantidad de huecos presente en el cristal
debido al fenmeno de recombinacin. Sucede que, a una determinada temperatura,
las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que
la concentracin global de electrones y huecos permanece invariable. Siendo n la
concentracin de electrones (cargas negativas) y p la concentracin de huecos (cargas
positivas), se cumple que:
p n n
i
= =
(1)
Siendo n
i
la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la
temperatura. Si se somete el cristal a una diferencia de tensin, se producen dos
corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de
la banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en
la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos, originando una
corriente de huecos en la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y
magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin.
|
|
.
|
\
|
=
T k
E
i
g
e T B n
* * 2
2 / 3
* *
(2)
Donde:
B: Constante del material semiconductor especifico
E
g
: Es la magnitud del nivel de energa entre banda
T: Temperatura en grado Kelvin (K)
k : Constante de Boltzmann 86*10
-6
eV/ K


8
La constante del material para el Silicio (Si) es 5,23*10
15
cm
-3
K
-3/2
, para el Arseniuro
de Galio (GaAs) es 2,10*10
14
cm
-3
K
-3/2
y para el Germanio (Ge) es de 1,66 cm
-3
K
-3/2
.
3.2.- Semiconductores Extrnseco
Para aumentar la conductividad en un semiconductor intrnseco se somete al
semiconductor a un proceso de dopado, el cual consiste en agregar de una forma
controlada tomos o impurezas para cambiar sus caractersticas elctricas y as
convertirlo en extrnseco y dependiendo del tipo de impurezas o tomos aadidos
podemos tener dos tipos de semiconductores extrnsecos.
3.2.1.- Semiconductores Extrnseco Tipo N
Es el semiconductor intrnseco que en el proceso de dopado se le han aadido tomos
o impurezas pentavalentes (5 electrones de valencia), entre las podemos que
mencionar Fsforo (P), arsnico (As), Antimonio (Sb), las cuales son llamadas
tambin impurezas donadoras las cuales aaden un electrn libre a al cristal a
temperatura ambiente ya que los cuatros restantes formaron enlace covalente con los
tomos vecinos del semiconductor. Ellas introducen un nivel donador entre la banda
de valencia y la banda de conduccin pero mas cercano a esta ltima.
En ellos a una temperatura cualquiera existirn ms electrones que huecos, los cuales
sern llamados portadores mayoritarios a los electrones y portadores minoritarios a
los huecos en este caso. En la figura 4 se puede ver un cristal de silicio al cual se le a
aadido un tomo de fsforo (P) el cual genera un electrn libre.


9

Fig. 4.- Cristal de Silicio contaminado con tomos de Fsforo (Liberacin de un electrn) y tomos de
Boro (Absorcin de un electrn). Fuente: www.acapomil.cl
En la figura 5 se muestra el nuevo nivel de energa de un semiconductor con tomos
donadores (por ejemplo P en Si), el nivel dador se encuentra justo por debajo de la
banda de conduccin. Los electrones () son promocionados fcilmente a la banda de
conduccin. El semiconductor es de tipo-n.

Fig. 5. Nivel donador o dador introducido por los tomos pentavalentes


10
Fuente: www.cpi.uc.edu.ve

3.2.2.- Semiconductores Extrnseco Tipo P
Es el semiconductor intrnseco que en el proceso de dopado se le han aadido tomos
o impurezas trivalentes (3 electrones de valencia), entre las podemos que mencionar
Boro (B), Indio (In), Aluminio (Al), Galio (Ga) las cuales son llamadas tambin
impurezas aceptadoras las cuales generan un hueco en el cristal a temperatura
ambiente ya que tres de sus electrones de valencia forman enlace covalente con los
tomos vecinos del semiconductor y queda un vaco en un de los enlaces covalentes o
simplemente no se llega a formar el enlace. Ellas introducen un nivel aceptador entre
la banda de valencia y la banda de conduccin pero ms cercano a la primera. En
ellos a una temperatura cualquiera existirn ms huecos que electrones, los cuales
sern llamados portadores mayoritarios a los huecos y portadores minoritarios a los
electrones en este caso, contrario a los semiconductores extrnsecos tipo N. En la
figura 4 se puede ver un cristal de silicio al cual se le ha aadido un tomo de boro
(B) el cual genera un hueco. En la figura 6 se muestra el nuevo nivel de energa
aadido en un semiconductor con tomos aceptores (por ejemplo B en Si), el nivel
aceptor se encuentra justo por encima de la banda de valencia. Los electrones son
promovidos fcilmente al nivel aceptor dejando agujeros positivos () en la banda de
valencia. El semiconductor es de tipo-p.


11

Fig. 6.- Nivel aceptador o aceptor introducido por los tomos trivalentes
Fuente: www.cpi.uc.edu.ve

4.- Ley de Accin de Masas
Esta ahora hemos observado que, al aadir impurezas de tipo n, disminuye el nmero
de huecos. De forma similar ocurre al dopar con impurezas tipo p, disminuye la
concentracin de electrones libres a un valor inferior a la del semiconductor
intrnseco, en condiciones de equilibrio trmico, el producto de la concentracin de
las cargas positivas y negativas libres es una constante independiente de la cantidad
de tomo donador o aceptador. Esta ecuacin se denomina Ley de Accin de Masas y
viene dada por:
2
*
i
n p n =
(3)
5.- Ley de Neutralidad de Carga
En todo material semiconductor en circuito abierto se debe cumplir que la suma de
las cargas positivas debe ser igual a la suma de las cargas negativas. As la
concentracin de cargas positivas esta constituida por la suma de los iones positivos
N
D
y los huecos p, N
D
+ p. De la misma manera la concentracin de cargas negativas
esta constituida por la suma de los iones negativos N
A
y los electrones n, N
A
+ n


12
n N p N
A D
+ = + (4)
Cuando tenemos un material tipo n, que tenga N
A
= 0. El nmero de electrones ser
mucho mayor que el nmero de huecos por lo tanto se puede aproximar la ecuacin
anterior a:
D
N n ~

D n
N n ~
(5)
Por lo tanto, lo portadores minoritarios, los huecos se calculan utilizando la ley de
accin de masa:
D
i
n
N
n
p
2
=
(6)
De igual manera, en un semiconductor del tipo p:
2
*
i p p
n p n =

A p
N p ~

A
i
p
N
n
n
2
=
(7)
6.- Movilidad y Conductividad
En los semiconductores la corriente elctrica es el resultado del movimiento de ambas
cargas, es decir, de los electrones libre y los huecos, esto esta asociado a dos
fenmenos fsicos.
Corriente de Arrastre o Desplazamiento (fuga)
Corriente de Difusin.
6.1 Corriente de Arrastre
Este primer fenmeno se origina por el movimiento de las cargas cuando se aplica un
campo elctrico al material semiconductor. Cuando las cargas son aceleradas por el
campo elctrico se producen que aumentan la energa trmica la cual va a fomentar el
movimiento de las cargas en forma no aleatoria. Y los portadores e carga se ven
afectado e la siguiente manera:
Electrones libres: La fuerza que el campo elctrico ejerce sobre los electrones
provocar el movimiento de estos, en sentido opuesto al del campo elctrico aplicado.
De este modo se originar una corriente elctrica. La densidad de la corriente


13
elctrica (nmero de cargas que atraviesan la unidad de superficie en la unidad de
tiempo) depender de la fuerza que acta (q*E), del nmero de portadores existentes
y de la movilidad con que estos se mueven por la red, es decir:
E q n J
n n
* * * =
(8)
Donde:
n
J : Densidad de corriente de los electrones
n
: Movilidad de los electrones en el material
n : Concentracin de los electrones
q : Carga elctrica (1,6 * 10
-19
C)
E : Campo elctrico aplicado.
La movilidad
n
es caracterstica del material, y est relacionada con la capacidad de
movimiento del electrn a travs de la red cristalina.
Huecos: El campo elctrico aplicado ejerce tambin una fuerza sobre los electrones
asociados a los enlaces covalentes. Esa fuerza puede provocar que un electrn
perteneciente a un enlace cercano a la posicin del hueco salte a ese espacio. As, el
hueco se desplaza una posicin en el sentido del campo elctrico. Si este fenmeno se
repite, el hueco continuar desplazndose. Aunque este movimiento se produce por
los saltos de electrones, podemos suponer que es el hueco el que se est moviendo
por los enlaces.

Fig. 7.-Movimiento de los huecos debido al movimiento de los electrones


14
Fuente: www.info-ab.uclm.es

La carga neta del hueco vacante es positiva y por lo tanto, se puede pensar en el
hueco como una carga positiva movindose en la direccin del campo elctrico.
Obsrvese en la figura 7 que los electrones individuales de enlace que se involucran
en el llenado de los espacios vacantes por la propagacin del hueco, no muestran
movimiento continuo a gran escala. Cada uno de estos electrones se mueve
nicamente una vez durante el proceso migratorio. En contraste, un electrn libre se
mueve de forma continua en la direccin opuesta al campo elctrico.
Anlogamente al caso de los electrones libres, la densidad de corriente de huecos
viene dada por:
E q p J
p p
* * * =
(9)
Donde:
p
J : Densidad de corriente de los huecos
p
: Movilidad de los huecos en el material
p : Concentracin de huecos
-19
C)
E : Campo elctrico aplicado.
La movilidad
p
es caracterstica del material, y est relacionada con la capacidad de
movimiento del hueco a travs de los enlaces de la red cristalina. La "facilidad" de
desplazamiento de los huecos es inferior a la de los electrones.
Considerando ahora el caso de un semiconductor que disponga de huecos y
electrones, al que sometemos a la accin de un campo elctrico. Hemos visto cmo
los electrones se mueven en el sentido opuesto a la del campo elctrico, mientras que
los huecos lo harn segn el campo. El resultado es un flujo neto de cargas positivas
en el sentido indicado por el campo, o bien un flujo neto de cargas negativas en
sentido contrario. En definitiva, la densidad de corriente total es la suma de las
densidades de corriente de electrones y de huecos:


15
p n Total Arrastre
J J J + =
(10)
6.2 Corriente de difusin
En segundo lugar tenemos el fenmeno de difusin; por regla las cargas electrones y
huecos, se mueven en sentido del gradiente de concentracin, van de regiones de
mayor concentracin a regiones de menor concentracin para favorecer el equilibrio
de las cargas; este movimiento genera una corriente proporcional al gradiente de
concentracin.
La difusin no depende del valor absoluto de la concentracin de portadores, sino
solamente de su derivada espacial, es decir, de su gradiente la cual obedece Ley Fick
es la relacin de proporcionalidad entre la densidad de corriente y el gradiente de
concentracin de portadores de carga debido al fenmeno de la difusin.
n q D J V =
* * (11)
Donde J es la densidad de corriente (en A/m
2
), D es la difusividad (en m
2
/s), q la
carga de los portadores (en C) y n V (o p V ) el gradiente de concentracin de
electrones (o huecos) (en electrones o huecos /m
4
).
En los metales, la difusin no es un proceso de importancia, porque no existe un
mecanismo mediante el cual se pueda generar un gradiente de densidad. Dado que en
un metal nicamente hay portadores negativos de carga, cualquier gradiente de
portadores que se pudiera formar desequilibrara la neutralidad de la carga. El campo
elctrico resultante creara una corriente de arrastre, que de manera instantnea
anulara el gradiente antes de que pudiera darse la difusin. Por el contrario, en un
semiconductor hay portadores positivos y negativos de carga, por lo que es posible la
existencia de un gradiente de densidad de huecos y de electrones, mientras se
mantiene la neutralidad de la carga.
En un semiconductor, los componentes de la densidad de corriente de difusin
pueden expresarse de forma unidimensional mediante la ecuacin:


16
dx
dp
D q
dx
dn
D q J
p n Total Difusin
* * * *
_
= (12)
El segundo trmino de la expresin tiene signo negativo porque la pendiente negativa
de los huecos da lugar a una corriente negativa de los huecos.
Donde:
Difusin
J : Densidad de Difusin total
p
D : Difusividad de los huecos
n
D : Difusividad de los electrones
n : Concentracin de electrones
p : Concentracin de huecos
-19
C)

7.- Relacin de Einstein

Establece la relacin entre la constante de difusin (difusividad) y la movilidad de
cada portador ya que ambas son fenmenos estadsticos termodinmicas y no son
independientes. Esta relacin viene dada por la ecuacin de Einstein
T
p
p
n
n
V
D
D
= =

(12)
Donde
T
V es el Potencial equivalente de Temperatura, definido por:
q
T k
V
T
*
=
(13)
k : Constante de Boltzmann (1,38*10
-23
J/ K); T: Temperatura en Kelvin; q: Carga
del electrn (1,6*10
-19
C)

TEORA DE DIODOS

CAP TULO I I
TEOR A DE DI ODOS

TEORA DE DIODOS 18
CAPTULO II
TEORA DE DIODOS
1.- El Diodo
Un diodo no es ms que la unin de un semiconductor tipo P con un semiconductor
tipo N a la que se le han aadido 2 terminales uno en la parte p y otro en la parte n,
para poder acoplarse a un circuito. En la figura 8 se puede observar una
representacin idealizada de la unin PN.

Fig. 8.- Unin PN
Fuente: El autor

Es decir que el semiconductor de la regin P tiene impurezas de tipo aceptadora y de
concentracin N
A
y la regin N tiene impurezas de tipo donadora N
D
. A la
temperatura ordinaria esas impurezas son ionizadas. Una impureza aceptadora N
A
da
un hueco libre mvil y una impureza donadora N
D
da un electrn libre mvil.
Despus esas impurezas forman iones cargados, fijos en la red, iones negativos en la
regin P e iones positivos en la regin N respecto a la caracterstica de la neutralidad
de los semiconductores antes del movimiento de los portadores.
Cuando los trozos de semiconductores entran en contacto, comienza a actuar los
mecanismos de difusin tanto en los electrones del semiconductor N como en los

Hueco
Electrn
Unin
Ion Aceptador Ion Donador
Tipo p Tipo n

TEORA DE DIODOS 19
huecos del semiconductor P. El mecanismo de difusin acta de modo similar al
comportamiento de un gas.
Por Ejemplo, los huecos del semiconductor P, cuando se ven unidos a un trozo de
semiconductor en el que la presencia de huecos es casi nula (Semiconductor N),
comienzan a desplazarse hacia el semiconductor tipo N.
Ahora bien, tal como lo hara un gas, los huecos que se encuentran en la frontera con
el semiconductor N comienzan a desplazarse hacia la zona del semiconductor tipo n,
con el propsito de equilibrar la concentracin de huecos a lo largo de toda la unin
pn.
Ocurre exactamente lo mismo con los electrones del semiconductor N que se
encuentran en la frontera con semiconductor tipo P donde apenas hay unos cuantos
electrones, comienzan a desplazarse hacia la zona del semiconductor tipo P.
Que ocurrira si los huecos de la zona P se dirigen a la zona N y los electrones de la
zona N se dirigen a la zona P?
Como los electrones se dirigen a un sitio con muchos huecos, se recombinan con los
huecos, y como los huecos se dirigen a un sitio con muchos electrones, tambin se
recombinan con los electrones, esto conlleva que en la zona prxima a la unin se
produzca un vaciamiento de portadores libres (electrones y huecos), quedando por lo
tanto en presencia de los iones de los semiconductores, cargada positivamente en el
semiconductor N y negativamente en el P. Ahora bien, conform se va formando esa
regin de carga espacial o tambin conocida como regin de agotamiento, entorno a
la unin, se va creando un campo elctrico
E en dicha regin de carga, y dirigido de

la parte positiva a la negativa como se puede observar en la figura 9.

Tipo
p
Tipo
n
Hueco
Hueco
Neutro
Electrn
Electrn
Neutro
E

Ion Positivo
Ion Negativo

TEORA DE DIODOS 20
Fig. 9.- Formacin de la regin de vaciamiento. Fuente: El Autor
En principio, los electrones y los huecos seguirn difundindose, pero en el momento
en que forma el campo elctrico este se opone al movimiento de electrones de la zona
N a la P y se opone al movimiento de huecos de la zona P a la N. Por lo tanto hay,
una doble tendencia que intenta mover a los electrones y a los huecos: la difusin y el
campo elctrico que se generan en la regin de carga espacial.
Al principio, la difusin es suficiente para vencer al campo elctrico, pero, al ir
creciendo la regin de carga espacial, el campo tambin crece, y cada vez se opone
con ms fuerza a la difusin. Pero llegar el momento en que el campo elctrico sea
lo suficientemente grande como para detener el flujo de los electrones y huecos
debido a la difusin. Entonces se habr llegado a una situacin de equilibrio, y habr
cesado el flujo de carga.

Fig. 10.- Unin PN en equilibrio. Fuente El Autor

Como se ha dicho anteriormente la unin PN conforma un diodo. Ahora queda
aadirle 2 terminales externos para ver como se comporta la unin PN cuando se le
aplica una determinada tensin entre la parte p y su parte n.

2.- Polarizacin en Sentido Directo.
Tipo p
Tipo n
Neutro
Neutro
E
Regin de Carga Espacial

TEORA DE DIODOS 21
Supongamos que le aplicamos una tensin positiva V
D
entre la parte p y n como
muestra la figura 11.
Fig. 11.- Polarizacin en Directo de la unin PN
Fuente: El Autor
El hecho de aplicar esa tensin V
D
hace que se forme un campo elctrico
D
E que
atraviesa toda la unin pn, y cuyo sentido es de la zona p a la zona n, ese campo se
superpone en sentido opuesto al campo elctrico que haba en la regin de carga
espacial el cual disminuir, provocando que se reanude la difusin y se generara una
corriente elctrica en el sentido de p a n, debida al flujo de huecos hacia la zona n y el
flujo de electrones hacia la zona p. En tal situacin la regin de carga espacial habr
disminuido. Ver figura 12.

Tipo p
Tipo n
V
D
D
E
E
Tipo
p
Tipo
n
V
D
D
E

E

I
I
Hueco
Electrn

TEORA DE DIODOS 22

Fig. 12.- Circulacin de Corriente en la Unin PN
Fuente: El Autor
La corriente es debida en su mayor parte al movimiento de los portadores
mayoritarios tanto de los huecos como de los electrones.

3.- Polarizacin en Sentido Inverso
Supongamos que le aplicamos una tensin positiva V
D
entre la parte n y p como
muestra la figura 13.

Fig. 13.- Polarizacin en Inverso de la Unin PN
Fuente: El Autor

Al aplicar ms tensin a la parte N que a la parte P se genera un campo elctrico
D
E dirigido de la zona N a la zona P, que se superpondr al campo de la regin de
carga espacial, y, al ser del mismo sentido, dar como resultado que el campo
elctrico
E de la regin de carga aumente; al ser el campo el elemento que se opone

a la difusin, entonces, al aumentar imposibilitara aun ms la difusin. El resultado
es que, al igual que en el equilibrio, no circulara corriente a travs de la unin, pero
Tipo p
Tipo n
V
D
D
E
E

TEORA DE DIODOS 23
esta vez habr aumentado la regin de carga espacial. Como se puede observar en la
figura 14.

Fig. 14.- Aumento de la Regin Carga Espacial
Fuente: El Autor

En la polarizacin Inversa se dice que no hay circulacin de corriente significativa a
travs de la unin pero en realidad existe una pequesima corriente elctrica que es
debida a los portadores minoritarios y fluye de la zona N a la zona P la cual recibe el
nombre de corriente inversa de saturacin.

4.- Caractersticas De Un Diodo En Unin PN
Matemticamente, la relacin existente entre la tensin directa V
D
que soporta la
unin y la corriente I que fluye de la zona P a la zona N viene dada por la siguiente
expresin:
E
V
D
D
E
Tipo
p
Tipo
n

TEORA DE DIODOS 24
) 1 ( I = I
T
D
V
V
S
e
(14)
Esta es la expresin I (V
D
) de una unin ideal. En una unin real, es similar pero no
del todo idntica.
Donde:
I: Es la intensidad de corriente que atraviesa el diodo.
V
D
: Es diferencia de tensin en los extremo del diodo
I
S
: Es la intensidad de corriente de saturacin (Es decir valores negativos de V
D
)
V
T
: Es una Constante que varia con la temperatura conocido como Voltaje
Trmico o Potencial equivalente de Temperatura y que para una temperatura de
300K tiene un valor de:
mV V V
T
9 , 25 0259 , 0 = =
La grfica de esta relacin tensin corriente es evidente:

Fig. 15.- Curva Caracterstica del Diodo
Fuente: El Autor.


TEORA DE DIODOS 25
Si a la unin PN se le aplica una tensin inversa muy grande, entonces por ella
circular una corriente inversa considerable, debida a dos mecanismos.
Avalancha (Diodos Poco Dopados):
Si la tensin inversa es muy grande, entonces el campo elctrico que soporta la
unin tambin lo es.
Como ese campo atraviesa toda la unin, es capaz de captar tanto electrones
minoritarios de la zona P como huecos de la zona N, y acelerarlos mucho, de tal
modo que, tan grande es su energa cintica, que al colisionar con los enlaces de
la red cristalina, se llevan por delante a otros tantos electrones ( es decir, rompen
los enlaces, liberndose electrones), que, por el mismo mecanismo, pueden seguir
rompiendo mas enlaces y en consecuencia generan al final una gran cantidad de
electrones en movimientos que dan lugar a la corriente elctrica.
Efecto Zener ( Diodos muy Dopados):
El efecto zener se basa en la aplicacin de tensiones inversas que originan fuertes
campos elctricos que producen la rotura de los enlaces covalentes dejando as
electrones libres capaces de establecer la conduccin y no requiere la aceleracin
de un portador de carga (huecos o electrones) debida al campo. El efecto zener es
reversible y as no es destructible cuando se limita la corriente a un valor no
demasiado elevado para que no se funda la unin.

De ese modo, la grafica real de la corriente que circula por la unin en sentido de
P hacia N en funcin de la
tensin directa ser:


TEORA DE DIODOS 26

Fig. 16.- Curva Caracterstica real del Diodo
Fuente: El Autor.
Donde:

V
: Tensin umbral.
La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa
coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado.
I
max
: Corriente mxima.
Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el
efecto Joule.
I
s
: Corriente Inversa de Saturacin
Es la pequea intensidad de corriente que se establece al polarizar inversamente el
diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose
que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura.
V
r
: Tensin de ruptura.
Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto
avalancha.

5.- Representacin Simblica del Diodo.
Como se dijo anteriormente un diodo no es ms que una unin PN a la que se le
aaden 2 terminales externos para conectarse a un circuito, en la figura 17 se puede
observar la representacin simblica y la fsica de un diodo normal (De Propsito
General o Rectificador) con son 2 terminales nodo (Positivo) y Ctodo (Negativo).

TEORA DE DIODOS 27

Fig. 17.- Representacin Simblica y Fsica del Diodo
6.- Resistencias del Diodos
Cuando el punto de operacin de un diodo se mueve desde una regin a otra, la
resistencia del diodo tambin cambia debido a la forma no lineal de la curva
caracterstica, si se analiza un diodo trabajando en rgimen de continua o si est
trabajando en pequea seal, lo cual significa que se aplica una seal alterna montada
sobre un nivel de continua. Se puede hablar de 2 tipos de resistencia a saber:
Resistencia Esttica.
Resistencia Dinmica.
6.1.- Resistencia Esttica.
Se obtiene al aplicar voltaje directo, el punto de operacin no cambia con el tiempo,
es decir la resistencia esttica de un diodo es independiente de la caracterstica en la
regin entorne al punto de inters solo depende del Voltaje y la corriente en el punto
de polarizacin (Q). Este punto corresponde a una tensin de polarizacin que por un
valor determinado da una corriente constante en rgimen continuo.

d
d
D
I
V
R =

TEORA DE DIODOS 28

Fig. 18.- Representacin del punto Q sobre la curva caracterstica de Diodo
6.2.- Resistencia Dinmica
La resistencia del diodo cambia con la corriente que le atraviese, por lo tanto se
define una resistencia en cada punto de la caracterstica por la expresin:

D
r Se llama resistencia o dinmica de la unin, que corresponde a la resistencia
interna del diodo.
Grficamente la resistencia dinmica
D
r es un punto de la caracterstica y se mide por
la pendiente de la recta tangente en ese punto.
Tericamente de la ecuacin
) 1 ( I = I
T
D
V
V
S
e

T
D
T
S
D
V
V
e
V
I
dV
dI
r
1 1
= =

Pero en la polarizacin directa
T
V
V
S
V
I
dV
dI
e
T
D
= I ~ I

I
V
r
T
D
=

La relacin anterior de la expresin de la resistencia de unin correspondiente a la
corriente I que la atraviesa es decir, que fija el punto sobre la curva caracterstica I(V)
dI
dV
r
D
=

TEORA DE DIODOS 29
llamado punto de polarizacin. La resistencia diferencial
D
r cambia el punto de
polarizacin sobre la curva caracterstica.
A la temperatura ambiente:
D
r = 25,9 cuando I = 1mA
D
r = 2,59 cuando I = 10mA
D
r = 2,59K cuando I = 10A
La resistencia diferencial o dinmica
dI
dV
r
D
= se puede determinar grficamente por
la medicin de la pendiente de la tangente a la curva caracterstica en el punto de
polarizacin. Esa pendiente da
D
r
1
.
Experimentalmente se puede tambin notar la resistencia dinmica del diodo
D
r
como la razn de una pequea variacin de voltaje AV y de la variacin
correspondiente de la intensidad AI.

I
V
r
D
A
A
=

Prcticamente se toma una pequea variacin de la AI alrededor del punto de
polarizacin I y se nota la variacin correspondiente del AV. Esas variaciones deben
ser pequeas porque la caracterstica se aproxima a una recta y eso es exacto sobre un
pequeo intervalo AI alrededor de I.


TEORA DE DIODOS 30

Fig. 19 Resistencia dinmica y Variacin del punto Q

7.- Influencia De La Temperatura Sobre Las Propiedades De La Unin
Los semiconductores dependen mucho del efecto de la temperatura. En el caso de los
diodos la temperatura cambia:
A la corriente I directa constante, el valor de la tensin a los bornes del diodo.
A la tensin inversa constante, el valor de la corriente inversa de saturacin I
S

Esos efectos se denominan Derivas Trmicas.

7.1.- Influencia de la temperatura sobre la corriente de Saturacin I
S
La corriente inversa de la unin viene del flujo de los portadores minoritarios en la
unin. Es decir que la variacin de I
S
en funcin de la temperatura sigue la ley de
variacin de la generacin de los portadores en funcin de la temperatura.

TEORA DE DIODOS 31
|
|
.
|
\
|
=
T k
E
S
g
e T B I
* 3
* *

El trmino
KT
E
g
e
de la ecuacin anterior, cambia mucho ms que T

3
alrededor de la
temperatura ambiente (300 K).
) (
0 1
0 1
) ( ) (
T T K
S S
i
e T I T I

=

Donde k
i
= 0,072/C= 7,2%/C, resulta
10 / ) (
0 1
0 1
2 ) ( ) (
T T
S S
T I T I

=
,
(e
0,72
~ 2)
I
S
se duplica aproximadamente cada 10 C de aumento de T
La corriente inversa de los diodos de Si es menor que la corriente inversa para los
diodos Ge. Esta corriente aumenta rpidamente cuando aumenta la temperatura.

7.2.- Influencia de la temperatura sobre la tensin directa a los bornes de la
unin.

De manera general la tensin a los bornes de un diodo de unin PN de Si o Ge
polarizada a corriente constante, disminuye cuando ambiente aumenta de 1C.
) ( ) ( ) (
1 2 1 2
T T k T V T V
v D D
=

T k V
v D
A = A

T
1
, T
2
Temperatura
K
v
coeficiente de temperatura V/C (usado en termmetros)
-2,5 mV/C Germanio
-2,0 mV/C Silicio
-1,5 mV/C Schottky


TEORA DE DIODOS 32

Fig. 20 Influencia de la temperatura sobre la tensin del diodo.

8.- Esquema Equivalente del Diodo en Rgimen Alterno.
Capacidad de agotamiento o Transicin.
Capacidad de Difusin.
8.1.- Capacidad de Agotamiento o de Transicin
Del comportamiento de la unin PN en la regin inversa observamos la analoga entre
la capa de agotamiento (o deplexin) y un condensador. A medida que cambia el
voltaje en paralelo con la unin PN, la carga almacenada en la capa de agotamiento
cambia de conformidad. En la figura 21 se muestra una curva caracterstica tpica de
carga versus el voltaje externo aplicado de una unin PN.

Fig. 21Curva Caracterstica de la Capacidad de agotamiento
Cuando el dispositivo se polariza en inverso y la variacin de la seal alrededor del
punto de polarizacin es pequea como se ilustra se puede usar una aproximacin de
capacitancia lineal. Desde esta aproximacin a pequea seal, la capacidad de
agotamiento o transicin es simplemente la pendiente de la curva q
J
versus V
R
en el
punto Q de polarizacin.


TEORA DE DIODOS 33
Fcilmente derivando se puede hallar una expresin para C
j
. Si tratamos la capa de
agotamiento como un condensador de placas planas paralelas obtenemos una
expresin idntica para C
j
.

La expresin resultante para C
j
se puede escribir en una forma conveniente

Siendo C
jo
el valor de C
j
obtenido para voltaje aplicado cero V
R
= V
Q
= 0

El anlisis precedente y la expresin para C
j
se aplican para uniones en las que la
concentracin de portadores se hace cambiar abruptamente en la frontera de la unin.
Una frmula ms general para C
j
es

Donde m es una constante cuyo valor depende de la manera en que cambia la
concentracin del lado P al lado N de la unin. Se denomina coeficiente de
distribucin, y su valor es de a . Tambin se conoce C
j
= C
T
.
Para resumir, a medida que un voltaje de polarizacin inversa se aplica a una unin
PN, ocurre un transitorio durante el que la capacitancia de agotamiento se carga al
nuevo voltaje de polarizacin. Una vez que gradualmente desaparezca el transitorio,
la corriente inversa de estado estable es simplemente I
S
. En realidad, corrientes de

TEORA DE DIODOS 34
hasta unos pocos nanoamperes (10
-9
A) circulan en direccin inversa, en dispositivos
para los que I
S
es del orden 10
-15
A. Esta gran diferencia se debe a fuga y otros efectos.
Adems, la corriente inversa depende en cierta medida de la magnitud del voltaje
inverso, contrario al modelo terico, que expresa que I I
S
independiente del valor
del voltaje inverso aplicado. No obstante lo anterior, debido a que intervienen
corrientes muy bajas, por lo general no nos interesamos en los detalles de la curva
caracterstica i-v del diodo en la direccin inversa.
En la Figura 22 se observa la variacin de C
T
en funcin de V
R
para dos diodos
tpicos.

Fig. 22 Variaciones de C
T
en funcin de V
R
para dos diodos Tpicos

Se observa de la figura 22 que cuanto mayor sea la tensin inversa, mayor es el ancho
W
agot
de la regin de agotamiento o de carga espacial, y como consecuencia, menor la
capacidad C
j
.

TEORA DE DIODOS 35
De manera anloga, si aumenta la tensin directa, W
agot
disminuye y C
j
aumenta. En
ciertos circuitos se utiliza este efecto de la variacin de la capacidad con la tensin de
una unin PN polarizada inversamente.

8.2.-Capacidad de Difusin
De la descripcin de la operacin de la unin PN en la regin de sentido directo
observamos que, en estado estable, cierta cantidad de exceso de carga de portadores
minoritarios se almacena en la mayor parte de cada una de las regiones P y N con
carga neutra. Si cambia la tensin entre terminales, este cambio finalizar antes que
se alcance un nuevo estado estable. Este fenmeno de carga y almacenamiento da
lugar a otro efecto capacitivo, muy diferente del que se debe al almacenamiento de
carga en la regin de agotamiento.
Para pequeas variaciones de carga situadas alrededor de un punto de polarizacin,
podemos definir la capacitancia de difusin a pequea seal C
d
como:

Y podemos demostrar que

Donde I es la corriente del diodo en el punto de polarizacin. Ntese que C
d
es
directamente proporcional a la corriente I del diodo y es, por lo tanto, tan pequea
que es despreciable cuando el diodo se polariza inversamente. Ntese tambin que
para mantener una C
d
pequea, el tiempo de trnsito t
T
debe hacerse pequeo, lo cual
es un requisito importante para diodos destinados para operacin a alta velocidad o
alta frecuencia.

9.- Modelos o Aproximaciones del Diodo.

TEORA DE DIODOS 36
Modelo Ideal
Modelo de cada de voltaje constante
Modelo Lineal por tramos
9.1.- Modelo Ideal
Un modelo til para una gran variedad de instancias de anlisis es el ideal, que
describe al diodo como una vlvula unidireccional, esto es, como un conductor
perfecto cuando es polarizado directamente (positivo en el nodo, negativo en el
ctodo), y como un aislador perfecto cuando es polarizado negativamente.
La figura 23 muestra la grafica el modelo ideal.

Fig. 23 Curva V vs I de un Diodo Ideal
Si I
D
es positiva, V
D
es cero, y se dice que el diodo est en estado On (encendido).
Si V
D
es negativo, I
D
es cero, y se dice que el diodo est en estado Off (apagado).
El modelo ideal se puede utilizar si el contexto del circuito se puede presumir que los
voltajes sern de magnitud suficiente para asegurar uno u otro estado de operacin de
los diodos, y si, frente a esos niveles de voltaje y corriente, los voltajes de conduccin
y las corrientes inversas resultan despreciables. Tambin resulta muy til el modelo
ideal si lo que se requiere es la comprensin del funcionamiento de un circuito
(cualitativo) ms que un anlisis exacto (cuantitativo).

TEORA DE DIODOS 37
En este modelo se sustituyen o se reemplazan en el circuito el smbolo de diodo por
cortocircuitos (los supuestos en estado On) y por circuitos abiertos (los supuestos en
estado Off).
9.2.- Modelo de Cada de Tensin Constante
En este modelo no solo se sustituyen o se reemplazan en el circuito el smbolo de
diodo por cortocircuitos los que estn en estado On y por circuitos abiertos los que
estn en estado Off, sino que se lo agrega una fuente de tensin en serie al diodo al
diodo ideal, el valor de la fuente es la tensin umbral del diodo. En la figura 24 se
puede observar la curva caracterstica V vs I de diodo bajo usando esta aproximacin
o modelo.

Fig. 24 Modelo de cada de voltaje constante de la caracterstica directa del diodo y la
Representacin de su circuito equivalente.

9.3.- Modelo Lineal por Tramos
Algunas aplicaciones cuyas solucin requiere de mayor precisin obligan a mejorar el
modelo anterior, haciendo consideracin tanto del voltaje de umbral (V
D0
) (diferente
de 0[V]) como del carcter finito de la pendiente de la curva V-I.


TEORA DE DIODOS 38

Fig. 25 Modelo lineal por tramos de la caracterstica directa del diodo y su circuito equivalente.

r
D
= 20 ; I
D
= 0, V
D
V
D0
; I
D
= (V
D
V
D0
)/r
D
; Para V
D
V
D0

r
D
: Resistencia interna del diodo vlida tanto para condiciones estticas como
dinmicas

10.- Parmetros y Especificaciones Elctricas De Los Diodo
La construccin de un diodo determina la cantidad de corriente que es capaz de
manejar, la cantidad de potencia que puede disipar y la tensin inversa pico que puede
soportar sin daarse. A continuacin se lista los parmetros principales que se
encuentran en la hoja de especificaciones del fabricante de un diodo rectificador:
1. Tipo de dispositivo con el nmero genrico de los nmeros del fabricante.
2. Tensin de pico Inverso (PIV). Este valor es igual al mximo valor que el
diodo puede tolerar cuando se polariza en inversa.
3. Mxima corriente inversa en PIV (I
R
) (a temperatura y corriente
especificadas)
4. Mxima corriente de cd en directo (I
f
). Este valor es igual a la mxima
corriente que puede circular por el diodo sin daarlo cuando ste se encuentra
en el estado de conduccin.
5. Corriente promedio de media onda rectificada en directo (I
o
).

TEORA DE DIODOS 39
6. Mxima temperatura de la unin.
7. Capacitancia mxima (c).
8. Disipacin de Potencia.
9. Curvas de degradacin de corriente.
10. Curvas caractersticas para cambio en temperatura de tal forma que el
dispositivo se pueda estimar para altas temperaturas.

TEORA DE DIODOS 40

Fig.26 Hoja de Especificaciones del Fabricante BAY73


TEORA DE DIODOS 41

Fig.27 Curvas Elctricas Tpicas del Diodo BAY73


TEORA DE DIODOS 42
11.- Verificacin del Estado de un Diodo
Debemos recordar que los diodos son componentes que conducen la corriente en un
solo sentido, teniendo en cuenta esto, se pueden probar con un multmetro en la
posicin de "hmetro" ya que para hacer la prueba de resistores, por l circula una
pequea corriente que suministra el propio instrumento. En otras palabras, el
multmetro como hmetro no es ms que un microampermetro en serie con una
batera y una resistencia limitadora.
Cuando el terminal positivo de la batera del multmetro se conecta en serie con el
nodo del diodo bajo ensayo y el otro terminal del instrumento se conecta al ctodo,
la indicacin debe mostrar una baja resistencia, mayor deflexin se conseguir cuanto
ms grande sea el rango, segn se indica en la figura 28a.
En inversa el instrumento causar alta resistencia. En teora la resistencia inversa
debera ser infinita, con lo cual la aguja del multmetro no se debera mover, como lo
sugiere la figura 28b, pero en algunos diodos, especialmente los de germanio, cuando
se los mide en rangos superiores a R x 100 en sentido inverso, provocan una
deflexin notable llegando hasta un tercio de la escala, lo cual podra desorientar a los
principiantes creyendo que el diodo est defectuoso cuando en realidad est en
buenas condiciones. Por lo tanto, para evitar confusiones la prueba de diodos debe
realizarse en el rango ms bajo del hmetro tal que al estar polarizado en directa la
aguja deflexione indicando baja resistencia y cuando se lo polariza en inversa la aguja
del instrumento casi no se mueva, lo que indicar resistencia muy elevada. Si se dan
estas dos condiciones, entonces el diodo est en buen estado.
Si la resistencia es baja en ambas mediciones, significa que el diodo est en
cortocircuito, en cambio si ambas lecturas indican muy alta resistencia, es indicio de
que el diodo est abierto. En ambos casos se debe desechar el componente.
La prueba es vlida para la mayora de los multmetros analgicos en los cuales el
negativo del "multmetro" corresponde al terminal positivo de la batera interna,
cuando el multmetro funciona como hmetro, esto se ejemplifica en la figura 29

TEORA DE DIODOS 43
El mtodo aplicado es igualmente vlido para todos los diodos sin incluir los
rectificadores de alta tensin empleados en televisores transistorizados, como por
ejemplo diodos de potencia para fuentes de alimentacin, diodos de seal, diodos
varicap, diodos zener, etc., ya sean de germanio o de silicio.
Hay que observar que cuando se utiliza un multmetro digital que tiene una posicin
para el diodo, puede llevarse a cabo una prueba dinmica de este dispositivo
semiconductor. Con un diodo en buenas condiciones, el voltaje de polarizacin
directa que despliega el mutmetro debe ser, aproximadamente, de 0,7 V. El
procedimiento anterior es la mejor prueba para verificar el estado de un diodo

a b

Fig. 28 Verificacin del estado de un diodo con un ohmetro.
a.- Cuando el diodo est polarizado en sentido directo, la lectura del ohmetro es baja
b. Si el diodo se polariza en sentido inverso, la lectura del ohmetro indica una
resistencia muy alta (infinita).


TEORA DE DIODOS 44

Fig. 29
Nota: En los multimetros analgicos, la punta roja corresponde al negativo de la
batera interna.


TIPOS DE DIODOS

Rectificador
Zener
Tunel
Varicap
o
Varactor
Led
FotoDiodo
CAP TULO I II
TI POS DE DI ODOS

TEORA DE DIODOS 46


TIPOS DE DIODOS

47

CAPTULO III
TIPOS DE DIODOS

Segn su construccin, se podra decir que existen dos tipos de diodos: de Contacto
por punta y de unin.
Los de contacto por punta estn formados por un cristal semiconductor montado
sobre una base de metal y por un alambre terminado en punta, la cual hace contacto a
presin con el semiconductor. Un Terminal de conexin exterior va soldado al
extremo libre del alambre y el otro a la base del metal. El alambre suele ser de
aleacin de platino, tungsteno, bronce fosforoso, etc. El cristal semiconductor, de
silicio tipo P o germanio tipo N. En realidad, no existe unin PN en este tipo de
diodo.
Los diodos de unin estn formado por la unin de dos cristales de diferentes clases
uno tipo N y otro tipo P. Los terminales de conexin exteriores van unidos a las
superficies extremas de los cristales. Este tipo de diodo trabaja con potencias ms
elevadas que los de contacto por punta.
Algunos diodos dentro de los dos tipos planteados son:

1. Diodo Zener
El diodo zener corresponde a una unin PN particular polarizada en sentido inverso
es decir que el ctodo (K) se conecta a un potencial ms elevado que el nodo (A), se
caracteriza porque conduce en la zona inversa a partir de una tensin negativa V
Z
.
Tiene tres zonas de funcionamiento, la zona de polarizacin en sentido directo tiene
las mismas caractersticas que el diodo rectificador o de propsito general, mientras
que en polarizacin en sentido inverso se diferencian dos zonas, una en la que el
diodo no conduce y en la que si conduce o permite la circulacin de corriente, y la
tensin tiene un valor menor o igual a la tensin Zener o de ruptura (V
Z
), Esta tensin

TIPOS DE DIODOS

48
de ruptura depende de las caractersticas de construccin del diodo, se fabrican desde
2 a 200 voltios.

Fig. 30 Curva Caracterstica del Diodo Zener
Las caractersticas que diferencian a los diversos diodos Zener entre si son:
Tensiones de polarizacin inversa, conocida como Tensin Zener.- Es la
tensin que el zener va a mantener constante.
Corriente mnima de funcionamiento.- Si la corriente a travs del zener es
menor, no hay seguridad en que el Zener mantenga constante la tensin en sus
bornes
Potencia mxima de disipacin. Puesto que la tensin es constante, nos
indica el mximo valor de la corriente que puede soportar el Zener.
La mxima corriente que puede conducir un diodo Zener viene dada por la siguiente
ecuacin:
Z
ZMAX
Max
V
P
I =


TIPOS DE DIODOS

49
Por tanto el Zener es un diodo que al polarizarlo inversamente mantiene constante la
tensin en sus bornes a un valor llamado tensin de Zener, pudiendo variar la
corriente que lo atraviesa entre el margen de valores comprendidos entre el valor
mnimo de funcionamiento y el correspondiente a la potencia de zener mxima que
puede disipar. Si superamos el valor de esta corriente el zener se destruye.
1.1.-Construccin de un diodo Zener
Los diodos Zener se fabrican por procesos de aleacin o proceso de difusin segn
sean las caractersticas que se deseen obtener. De modo general, podemos decir que
los diodos con tensiones de rupturas inferiores a 9V, presentan mejores caractersticas
cuando se fabrican por aleacin, mientras que cuando las tensiones de rupturas son
superiores a los 12V se fabrican por difusin, pero para las tensiones entre 9V y 12V
el proceso de fabricacin depende de otros factores.
Proceso de Fabricacin por Aleacin.
Este mtodo consiste en calentar a una temperatura de 650C aproximadamente, una
pequea pastilla de cristal de silicio tipo N, a la que se le coloca encima una
minscula cantidad de material tipo P. Al calentarlos se produce la aleacin entre
ambos materiales en una zona de forma circular.
Proceso de Fabricacin por Difusin
Este tipo de diodos se obtienen depositando en una delgada lamina de cristal de
silicio, boro por una cara (para la formacin del materia tipo P) y por la otra vapor de
fsforo (para la formacin del materia tipo N) el conjunto se introduce en un horno a
una temperatura superior a 1200C el calor provocara que en el cristal de silicio
penetre el fsforo por un lado y el boro por el otro, difundindose ambos materiales
en el cristal de silicio.

TIPOS DE DIODOS

50
El tipo de encapsulado es igual que el de los diodos rectificadores. Aunque no se
comportan como ellos, es por eso que en simbologa electrnica la forma de
representarlos es tambin diferente. Ver figura 31

Los modelos del diodo Zener se forman a partir de cualquiera de los modelos del
diodo de propsito general aadiendo una zona de operacin, la de conduccin
inversa. La expresin en polarizacin directa permanece sin cambios, pero en le zona
inversa hay que introducir una modificacin en la conduccin, que queda de la
siguiente forma:

Fig. 31 Aspecto Fsico y Simbologa del Diodo Zener
Modelo Ideal: V
Z
V
D
0 No hay circulacin de corriente
Los otros Modelos: V
Z
V
D
V
No hay circulacin de corriente

1
ER
Aproximacin

TIPOS DE DIODOS

51
Bajo esta aproximacin el diodo se sustituye por una batera o fuente de tensin de
valor igual a tensin zener V
Z
. Esto solo es vlido entre I
Zmn
y I
Zmx
. Ver Figura 32

2
DO
Aproximacin
En esta segunda aproximacin se sustituye al diodo por una batera de valor igual a la
tensin zener en serie con una resistencia, siendo est el inverso de la pendiente de la
curva caracterstica en sentido inverso. Igualmente esto solo es vlido entre I
Zmn
y
I
Zmx
,
Z
Z
Z
D
V V
R
V V
I s
= . Ver figura 33.

Fig. 32 Curva Caracterstica del diodo zener para la primera aproximacin

Fig. 33 Curva Caracterstica del diodo zener para la segunda aproximacin


TIPOS DE DIODOS

52
El modelo ms utilizado del diodo zener es el que supone que las resistencias del
diodo tanto en directo como en inverso son muy pequeas y se desprecia dicho valor,
quedando:
Z D
D Z
D
V V I
I V V V
V V I
= s
= s s
= >
0
0
0

1.2.- Cdigo De Identificacin Del Zener
Existen tres tipos de identificacin de los diodos zener. El ms moderno consiste en
tres letras seguidas de un nmero de serie y el valor que hace referencia a la tensin
zener.
1. Es un B, indicativa de que se trata de un elemento semiconductor de silicio
2. Es una Z, indica que se trata de un diodo zener
3. Es una X o Z indica que se trata de aplicaciones profesionales
Despus ira el nmero de serie indicado por el fabricante y la tensin zener,
utilizando la V como coma decimal. Por ejemplo:
BZX-79-5V1
En ocasiones se le aade una letra ms que nos indicara la tolerancia de la tensin
zener, segn el siguiente cdigo:
A---- 1%
B---- 2%
C---- 5%
D----10%

TIPOS DE DIODOS

53
E----15%
Otro cdigo es el que utiliza Tambin tres letras y el nmero de serie del fabricante,
siendo:
1. Es un O, indicativa de que se trata de un elemento semiconductor.
2. Es AZ, indica que se trata de un diodo zener
3. El numero de serie del fabricante.
Y por ultimo el cdigo americano, que al igual que los diodos rectificadores seria:
1N seguido por un nmero de serie.
1.3.- Aplicaciones
Regulador de tensin.
Tensin de referencia.
Circuito Limitador.

1.4.- Especificaciones del fabricante
En el caso de los diodos zener por lo general aparecen los siguientes parmetros en
las hojas de especificaciones.
Tipo de dispositivo con el nmero genrico o con los nmeros del fabricante.
Tensin zener nominal (tensin de temperatura por avalancha).
Tolerancia de tensin.
Mxima disipacin de potencia (a 25C).
Corriente de prueba, Izt.
Impedancia dinmica a Izt.
Corriente de vrtice.
Mxima temperatura en la unin.
Coeficiente de temperatura.

TIPOS DE DIODOS

54
Curvas de degradacin para altas temperaturas.
2. Diodo Led Y Fotodiodo
2.1 Diodo LED
Ciertos tipos de diodos son capaces de cambiar la fuente de energa elctrica en
fuente de energa lumnica. El diodo emisor de luz (LED, Light emitting diode)
transforma la corriente elctrica en luz. Es til para diversas formas de despliegues, y
a veces se puede utilizar como fuente de luz para aplicaciones de comunicaciones por
fibra ptica.
Los diodos emisores de luz, se fabrican con materiales semiconductores de
formulacin especial [Arseniuro de Galio (GaAs), Fosfato de Galio (GaP)] que
emiten fotones de luz visible o infrarroja cuando conducen en polarizacin directa. En
polarizacin inversa se comportan como un diodo de propsito general, aunque se
diferencian en que su tensin umbral de conduccin es de 1,5V a 2,2V
aproximadamente y la gama de corrientes que debe circular por l est entre los 10 y
20 miliamperios (mA) en los diodos de color rojo y de entre los 20 y 40 miliamperios
(mA) para los otros LEDs.
Pero como resulta difcil distinguir, por pura inspeccin visual, el modelo del LED as
como el fabricante: los valores mximos de tensin y corriente que puede soportar y
que suministra el fabricante sern por lo general desconocidos. Por esto, cuando se
utilice un diodo LED en un circuito, se recomienda que la intensidad que lo atraviese
no supere los 20 mA, precaucin de carcter general que resulta muy vlida.
Los LED, se pueden obtener en el mercado en diferentes colores: Rojo, Verde,
Naranja, Amarillo, Infrarrojo, Bicolor etc. Y ala intensidad de la luz tiene
dependencia lineal con la corriente de excitacin. Estos dispositivos emisores de luz,
vienen constituidos para diferentes corrientes de excitacin, corrientes muy altas

TIPOS DE DIODOS

55
disminuirn la vida til de LED, por ello, es importante colocar en serie con el diodo
una resistencia de proteccin para que limite la corriente que circula por el LED.
Dependiendo del material de que est hecho el LED, ser la emisin de la longitud de
onda y por ende el color.

Fig. 34 Smbolo y Aspecto fsico del Diodo LED
Para identificar los terminales del diodo LED observaremos como el ctodo ser el
terminal ms corto, siendo el ms largo el nodo. Adems en el encapsulado,
normalmente de plstico, se observa un chafln en el lado en el que se encuentra el
ctodo.
Se utiliza ampliamente en aplicaciones visuales, como indicadoras de cierta situacin
especfica de funcionamiento.
Ejemplos
- Se utilizan para desplegar contadores.
- Para indicar la polaridad de una fuente de alimentacin de corriente directa.
- Para indicar la actividad de una fuente de alimentacin de corriente alterna.
- En dispositivos de alarma.

TIPOS DE DIODOS

56
Sus desventajas son que su potencia de iluminacin es tan baja, que su luz es invisible
bajo una fuente de luz brillante y que su ngulo de visibilidad est entre los 30 y 60.
Este ltimo problema se corrige con cubiertas difusores de luz.
2.2.- Fotodiodo
Un fotodiodo realiza la funcin inversa al LED. Esto es, transforma la fuente de
energa lumnica en corriente elctrica. Cuando el fotodiodo es polarizado en sentido
directo, ofrece un comportamiento similar al de un diodo de propsito general pero
cuando se ilumina una unin PN polarizada inversamente se produce un aumento de
la corriente inversa que es proporcional a la intensidad de luz aplicada. Este
fenmeno se da porque los fotones de luz generan nuevos pares electrn-hueco en las
dos zonas, de forma que los portadores minoritarios puedan atravesar la unin por la
accin del potencial inverso, contribuyendo aun aumento apreciable de la corriente
inversa, a ese flujo de corriente, se denomina " fotocorriente " en el circuito externo,
que es proporcional a la intensidad de luz efectiva en el dispositivo. Este se comporta
como generador de corriente constante mientras la tensin no exceda la tensin de
avalancha.
El fotodiodo exhibe un pico de respuesta en una longitud de onda radiante
determinada. Para esta longitud de onda, se produce la mxima cantidad de pares
huecos-electrn en la proximidad de la unin.
El mximo de la curva de respuesta espectral de un fotodiodo tpico se halla en 850
nm, aproximadamente.
La totalidad de los detectores de luz comunes consisten en una unin a fotodiodo y un
amplificador. En la mayora de dispositivos comerciales, la corriente del fotodiodo se
halla en el margen comprendido entre el submicroamperio y las decenas de
microamperios, pudiendo aadirse a la pastilla un amplificador por un coste mnimo.


TIPOS DE DIODOS

57

Fig. 35 Simbologa y Aspectos fsicos de un Fotodiodo

Fig. 36 Curva caracterstica I/ V de un fotodiodo para diferentes intensidades luminosas
Composicin
El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un factor crtico para
definir sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible
(longitud de onda de hasta 1m); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta
aprox. 1,8 m ); o de cualquier otro material semiconductor.
Tambin es posible la fabricacin de fotodiodos para su uso en el campo de los
infrarrojos medios (longitud de onda entre 5 y 20 m), pero estos requieren
refrigeracin por nitrgeno lquido.

TIPOS DE DIODOS

58
Antiguamente se fabricaban exposmetros con un fotodiodo de selenio de una
superficie amplia.

Tabla de los semiconductores y su longitud de onda

3. DIODO DE BARRERA O SCHOTTKY

El diodo Schottky llamado as en honor del fsico alemn Walter H. Schottky,
tambin denominado diodo pnpn o diodo de barrera, ya que se forma una barrera a
travs de la unin debido al movimiento de los electrones del semiconductor a la
interfaz metlica, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones
muy rpidas entre los estados de conduccin directa e inversa (menos de 1ns en
dispositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas tensiones umbral. Su
caracterstica de tensin corriente es muy similar a la del diodo de unin PN de silicio
excepto porque la tensin en directo, V
, es 0.3 V en vez de 0.7 V, la capacitancia

asociada con el diodo es pequea. A frecuencias bajas un diodo normal puede
conmutar fcilmente cuando la polarizacin cambia de directa a inversa, pero a
medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutacin puede llegar a ser muy
alto, poniendo en peligro el dispositivo.
El diodo Schottky est constituido por una unin metal-semiconductor (barrera
Schottky), ligeramente dopada con un metal como el aluminio o platino, en lugar de
la unin convencional semiconductor-semiconductor utilizada por los diodos
normales. Es por ello que se dice que el diodo Schottky es un dispositivo
semiconductor "portador mayoritario". Esto significa que, si el cuerpo semiconductor
est dopado con impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones

TIPOS DE DIODOS

59
mviles) jugaran un papel significativo en la operacin del diodo y no se realizar la
recombinacin aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los diodos
rectificadores normales, con lo que la operacin del dispositivo ser mucho ms
rpida.
La alta velocidad de conmutacin permite rectificar seales de muy altas frecuencias
y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad.
La limitacin ms evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir
resistencias inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes
inversos pero el diodo Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en
circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes velocidades
de conmutacin y mediante su poca cada de voltaje en directo permite poco gasto de
energa, otra utilizacin del diodo Schottky es en variadores de alta gama para que la
corriente que vuelve desde el motor al variador no pase por el transistor del freno y
este no pierda sus facultades.

Fig. 37 Simbologa y Curva Caracterstica del Diodo Schottky

4. Diodo Pin

El fotodiodo PIN es el detector ms importante utilizado en los sistemas de
comunicacin ptica. Es relativamente fcil de fabricar, altamente fiable, tiene bajo

TIPOS DE DIODOS

60
ruido y es compatible con circuitos amplificadores de baja tensin. Adems, es
sensible a un gran ancho de banda debido a que no tiene mecanismo de ganancia. Es
un diodo que presenta una regin P y una regin N tambin fuertemente dopada,
separadas por una regin de material que es casi intrnseco. Este tipo de diodos se
utiliza en frecuencias de microondas, es decir, frecuencias que exceden de 1 GHz,
puesto que incluso en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia muy alta
cuando est inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido
directo. Adems, las tensiones de ruptura estn comprendidas en el margen de 100 a
1000 V.
En virtud de las caractersticas del diodo PIN se le puede utilizar como interruptor o
como modulador de amplitud en frecuencias de microondas ya que para todos los
propsitos se le puede presentar como un cortocircuito en sentido directo y como un
circuito abierto en sentido inverso. Tambin se le puede utilizar para conmutar
corrientes muy intensas y/o tensiones muy grandes.
Los diodos Pin hacen bsicamente cambiar su resistencia en RF en funcin de las
condiciones de polarizacin. Por ello, pueden actuar:
1. Como conmutador de RF
2. Como resistencia variable
3. Como protector de sobretensiones
4. Como fotodetector
El diodo se forma partiendo de silicio tipo P de alta resistividad. La capa P de baja
resistividad representada, est esta formada por difusin de tomos de boro en un
bloque de silicio tipo P y la capa N muy delgada est formada difundiendo grandes
cantidades de fsforo. La regin intrnseca I es realmente una regin P de alta
resistividad y se suele denominar regin p. Cuando el circuito est abierto, los
electrones fluyen desde la regin I(p) hasta la regin P para recombinarse con los
huecos en exceso, y los huecos fluyen desde la regin I para recombinarse con los
electrones de la regin N. Si el material I (p) fuese verdaderamente intrnseco, la

TIPOS DE DIODOS

61
cada de tensin en la regin I sera nula, puesto que la emigracin de huecos sera
igual a la emigracin de electrones. Si embargo, como el material es en verdad p (P
de alta resistividad), hay mas huecos disponibles que electrones.
Cuando se aplica una polarizacin inversa al diodo los electrones y los huecos del
material p son barridos (swept free). Un posterior aumento de la tensin inversa
simplemente incrementa las distribuciones de tensiones P-I e I-N. En el diodo PIN la
longitud de la regin de transicin L es aproximadamente igual a la regin I y
aproximadamente independiente de la tensin inversa. Por lo tanto, a diferencia de los
diodos PN o Schottky, el diodo PIN tiene una capacidad inversa que es
aproximadamente constante, independiente de la polarizacin. Una variacin tpica de
la capacidad podra ser desde 0,15 hasta 0,14 pF en una variacin de la polarizacin
inversa de, por ejemplo, 100 V. En virtud de que es igual a la longitud de la regin I,
la longitud de la regin de transicin es aproximadamente constante y
considerablemente mayor que la de otros diodos y, por lo tanto, la capacidad CR, que
es proporcional a 1/L es significativamente menor que la de otros diodos, por lo que
el diodo PIN es apropiado para aplicaciones de microondas. Los valores normales de
CR varan desde 0,1 pF hasta 4 pF en los diodos PIN, comercialmente asequibles.
Cuando el diodo est polarizado en sentido directo, los huecos del material P se
difunden el la regin p, creando una capa P de baja resistividad. La corriente es
debida al flujo de los electrones y de los huecos cuyas concentraciones son
aproximadamente iguales en la regin I. En la condicin de polarizacin directa la
cada de tensin en la regin I es muy pequea. Adems, al igual que el diodo PN,
cuando aumenta la corriente, tambin disminuye la resistencia. En consecuencia el
diodo PIN es un dispositivo con su resistencia o conductancia modulada. En una
primera aproximacin, la resistencia r
d
en pequea seal es inversamente
proporcional a la corriente I
DQ
con polarizacin directa, lo mismo que en el diodo PN.
En frecuencias de microondas se representa de maneras ms sencillas por una
capacidad CR en serie con la resistencia directa rd. Con tensiones directas, CR es

TIPOS DE DIODOS

62
aproximadamente infinita, mientras que en polarizacin inversa, rd es
aproximadamente nula. La capacidad CT es la capacidad parsita paralelo que se
produce soldando el diodo a la cpsula y L es la inductancia serie debida a los hilos
de conexin desde el diodo hasta la cpsula.

Fig.38 Circuito equivalente del diodo PIN en la regin Directa e Inversa

Fig. 39 Simbologa del Diodo PIN

5. Diodo Varactor O Varicap


TIPOS DE DIODOS

63
Los diodos varactores [llamados tambin varicap (diodo con capacitancia-voltaje
variable) o sintonizadores] son semiconductores dependientes del voltaje, capacitores
variables. Su modo de operacin depende de la capacitancia que existe en la unin P-
N cuando el elemento est polarizado inversamente. En condiciones de polarizacin
inversa, se estableci que hay una regin sin carga en cualquiera de los lados de la
unin que en conjunto forman la regin de agotamiento y definen su ancho W
d
. La
capacitancia de transicin (C
T
) establecida por la regin sin carga se determina
mediante:
C
T
= E (A/W
d
)
Donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores, A es el rea de la
unin P-N y W
d
el ancho de la regin de agotamiento.
Conforme aumenta el potencial de polarizacin inversa, se incrementa el ancho de la
regin de agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transicin. El pico
inicial declina en C
T
con el aumento de la polarizacin inversa. El intervalo normal
de V
R
para diodos varicap se limita aproximadamente 20V. En trminos de la
polarizacin inversa aplicada, la capacitancia de transicin se determina en forma
aproximada mediante:
C
T
= K / (V
T
+ V
R
)n
donde:
K = constante determinada por el material semiconductor y la tcnica de
construccin.
V
T
= potencial en la curva segn se defini en la seccin
V
R
= magnitud del potencial de polarizacin inversa aplicado
n = 1/2 para uniones de aleacin y 1/3 para uniones de difusin

TIPOS DE DIODOS

64

Fig.40 Simbologa del Diodo Varicap y Circuito equivalente

Fig. 41 Curva de Variacin de la capacitancia vs Tensin Inversa aplicada

Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500 pF. La tensin inversa mnima
tiene que ser de 1 V.
La aplicacin de estos diodos se encuentra, sobre todo, en la sintona de TV,
modulacin de frecuencia en transmisiones de FM y radio.
Ventajas y desventajas
El varicap tiene, entre otras, las siguientes ventajas:
Menor tamao que los capacitores variables mecnicos.
Posibilidad de sintona remota.
La principal desventaja del varicap es la dependencia de algunos de sus parmetros de
la temperatura y por lo tanto requiere esquemas de compensacin.

TIPOS DE DIODOS

65

6. Diodo Tunel

El fsico japons Esaki, descubri que los diodos semiconductores obtenidos con un
grado de contaminacin del material bsico mucho ms elevado que lo habitual
exhiben una caracterstica tensin-corriente muy particular. La corriente comienza
por aumentar de modo casi proporcional a la tensin aplicada hasta alcanzar un valor
mximo, denominado corriente de cresta. A partir de este punto, si se sigue
aumentando la tensin aplicada, la corriente comienza a disminuir y lo siga haciendo
hasta alcanzar un mnimo, llamado corriente de valle, desde el cual de nuevo
aumenta. El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento, pero luego se
hace cada vez ms rpido hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna
manera. Este comportamiento particular de los diodos muy contaminados se debe a lo
que los fsicos denominan efecto tnel, para las aplicaciones prcticas del diodo tnel,
la parte mas interesante de su curva caracterstica (ver figura 42) es la comprendida
entre la cresta y el valle. En esta parte de la curva a un aumento de la tensin aplicada
corresponde una disminucin de la corriente; en otros trminos, la relacin entre un
incremento de la tensin y el incremento resultante de la corriente es negativa y se
dice entonces que esta parte de la curva representa una "resistencia incremental
negativa". Una resistencia negativa puede compensar total o parcialmente una
resistencia positiva. As, por ejemplo, las prdidas que se producen en un circuito
resonante a causa de la presencia siempre inevitable de cierta resistencia en el, se
compensa asociando al circuito una resistencia negativa de valor numrico
conveniente y realizada por ejemplo, mediante un diodo tnel. En tal caso el circuito
oscilante se transforma en un oscilador.

TIPOS DE DIODOS

66

Fig. 42 Curva Caracterstica del Diodo tnel
Cuando el voltaje de polarizacin directa se encuentra entre 0,1V y 0,5V, la corriente
empieza a reducirse con el aumento del voltaje, llevando a una caracterstica de
corriente- voltaje en forma de S, la regin central de esta curva se llama la regin de
resistencia negativa, el voltaje mnimo a la derecha de esta regin se denomina
tensin de valle (V
V
); la corriente en este punto se llama corriente de valle (I
V
), y la
corriente mxima que fluye a bajos voltajes se llama corriente de pico (I
P
) y la tensin
en ese punto es el voltaje de pico (V
P
).
El diodo tnel es til en aplicaciones de alta velocidad. Conforme aumenta la
polarizacin directa, la corriente aumenta con rapidez hasta que se produce la ruptura,
entonces la corriente cae rpidamente. Este a su vez es muy til debido a esta cesin
de resistencia negativa la cual se desarrolla de manera caracterstica en el intervalo de
50mV a 250mv.

TIPOS DE DIODOS

67

Fig. 43 Circuito equivalente y simbologa del Diodo Tnel

7. Diodo De Contacto Puntual.

El rectificador de contacto puntual consiste en un semiconductor sobre el que
descansa la punta de un alambre delgado.
La curva de corriente versus voltaje es cualitativamente similar a la del diodo de
unin. Sin embargo, para un voltaje positivo dado, el diodo de contacto puntual
conduce algo ms de corriente. Ms an, conforme el voltaje negativo aumenta, la
corriente inversa tiende a aumentar ms bien que permanecer aproximadamente
constante. La marca inflexin en la curva del diodo de unin en -V
no ocurre en los
diodos de contacto puntual, dado que el calentamiento de tal punto ocurre a voltajes
mucho mas bajos y produce un aumento gradual de la conductancia en la direccin
negativa.


APLIACIONES DE LOS DIODOS

CAP TULO IV
APLI CACI ONES DE LOS
DI ODOS

APLICACIONES DEL DIODOS

69

CAPTULO IV
APLICACIONES DE LOS DIODOS

El diodo es un elemento semiconductor formado por la unin de dos pastillas
semiconductoras, una de tipo P (nodo) y otra de tipo N (ctodo).
Cuando la tensin en el nodo es ms positiva (o menos negativa) que la del ctodo,
superndola en al menos 0,6 voltios en diodos de silicio y de 0,3 voltios en los de
germanio, el diodo se encuentra polarizado directamente. En esta disposicin
conducir el diodo y se comportar prcticamente como un cortocircuito (en su
modelo ideal). Si la tensin en el nodo es menor que la correspondiente al ctodo, el
diodo estar polarizado inversamente y no conducir, siendo equivalente a un
circuito abierto (en su modelo ideal).

1.- Rectificador

Concepto
Los rectificadores se usan para transformar una seal alterna en una seal continua.
Se usan por lo tanto en todos los circuitos electrnicos, salvo los que van alimentados
por bateras. Cualquier dispositivo que permita circular la corriente en un solo sentido
podemos decir que es un rectificador. Y ste es el caso de los diodos, pues
nicamente cuando el nodo est a una tensin ms positiva que el ctodo dejar
pasar la corriente a travs de l, con el sentido convencional de nodo a ctodo.

1.1.- Rectificador de Media onda
Un circuito rectificador de media onda slo rectifica la mitad de la tensin alterna
presente en su entrada; es decir, cuando el nodo tenga una tensin sea mas positivo


70
respecto a la tensin en el ctodo. Puede considerarse como un circuito en el que la
unidad rectificadora est en serie con la tensin de entrada y la carga. Ver figura 44.

T1
D1
RL
+
-
Vo
+
-
Vi

Fig. 44 Circuito Rectificador de Media Onda

En el circuito de la figura 44, cuando llega el semiciclo positivo de seal presente en
el secundario del transformador al nodo del diodo, ste queda polarizado
directamente y consecuentemente conducir; la tensin en la salida V
o
vista en los
terminales de la resistencia ser V
o
= V
m
-0,7 V, siendo V
m
la amplitud de la seal de
entrada.
Cuando llegue el semiciclo negativo del secundario al nodo del diodo, ste quedar
polarizado inversamente y no conducir, siendo V
o
muy prxima a cero ya que
siempre circular una pequesima corriente inversa.
SEAL DE SALIDA
-2
0
2
4
6
8
10
12
Tiempo (S)
T
e
n
s
i
n

d
e

S
a
l
i
d
a

V
o

(
V
)

Fig. 45 Seal de Salida de un Circuito Rectificador de Media Onda
SEAL DE ENTRADA
-15
-10
-5
0
5
10
15
Tiempo (S)
T
e
n
s
i
n

d
e

E
n
t
r
a
d
a

V
i

(
V
)


71

Las tensiones caractersticas vendrn dadas por las siguientes ecuaciones:
Valor Eficaz de la tensin de Salida RMS
2
7 , 0 V V
V
m
o

=
Valor Medio o Tensin de corriente contina
t
V
V
omed
7 , 0 V

m

=
Aplicaciones. Se emplean como alimentacin de muchos sistemas de baja tensin y
de aparatos universales, as como para proporcionar alta tensin a los osciloscopios.

1.2.- Rectificador de Onda Completa o Doble onda
El rectificador de doble onda, tambin denominado onda completa, est formado por
dos rectificadores de media onda que funciona durante alternancias opuestas de la
tensin de entrada.
Tipos:
Con Transformador de Toma Central
Puente

Con Transformador de Toma Central
El secundario del transformador tiene en su punto intermedio una toma conectada a
tierra, obtenindose as dos tensiones iguales y desfasadas 180 grados que se aplican
alternativamente a los nodos de cada diodo.
Cuando llega el semiciclo positivo a un diodo, al otro le llega el semiciclo negativo,
con lo cual uno conduce y el otro no, y viceversa. Consecuentemente siempre habr
un diodo conduciendo, obtenindose en la salida nicamente semiciclos positivos.
En este circuito tenemos:



72

Fig. 46 Circuito Rectificador Doble Onda con Transformador de Toma Central

Fig. 47 Seal de Entrada al Circuito Rectificador Doble Onda con Transformador de Toma Central

Fig. 48 Seal de Salida del Circuito Rectificador Doble Onda con Transformador de Toma Central

Vo
(V
m
-
0,7V)


73

Fig. 49 Seal presente en los Diodos D1 y D2
2
7 , 0 V V
V
m
o

=
Valor Medio o Tensin de corriente Continua
t
) 7 , 0 2(V

m
V
V
omed

=
Aplicaciones. Se usan en sistemas de todos los equipos de comunicacin, teniendo
un gran rendimiento y posibilidad de proporcionar una gran gama de tensiones con
corrientes moderadas. Se utilizan mucho para la carga de bateras porque as se evita
el peligro de la saturacin del ncleo del transformador.

Tipo Puente
Son cuatro rectificadores de media onda conectados en la forma indicada en el
circuito.

Fig. 50 Circuito Rectificador Onda Completa Tipo Puente


74
La tensin alterna se aplica entre las uniones de un nodo y un ctodo de dos diodos,
obtenindose la salida en el punto de unin de dos ctodos (polo positivo) y de dos
nodos (polo negativo).
Durante el semiciclo positivo de la seal de entrada conducen dos diodos, cerrndose
el circuito de circulacin de la corriente por la resistencia de carga; durante el
semiciclo negativo conducirn los otros dos diodos, cerrndose el circuito tambin
por la resistencia de carga. As se obtiene en la salida nicamente semiciclos
positivos tal como ocurra en el circuito rectificador de doble onda anterior.

Fig. 51 Circuito Rectificador Onda Completa Tipo Puente
En este rectificador las frmulas y el tipo de aplicaciones son las mismas que en el
anterior, aunque debemos tener en cuenta que la tensin de salida ser 0,7 voltios


75
inferior pues al haber dos diodos conduciendo la cada de tensin ser ahora de
0,7+0,7=1,4. Sin embargo, la ventaja que presenta es que el transformador no
necesita toma intermedia y que la tensin inversa se reparte entre dos diodos en cada
semiciclo, no sobre uno slo como en el circuito anterior.
2
4 , 1 V V
V
m
o

=
Valor Medio o Tensin de corriente contina
t
V
V
oDC
) 4 , 1 2(V

m

=

2.- Factor de Forma F y ndice de Ondulacin (Factor de Rizo)
2.1.- Factor de Forma F
f
El factor de forma de una rectificacin es la relacin que existe entre el valor eficaz
total de la magnitud ondulada y su valor medio
Senwtdt V
T
wtdt Sen V
T
V
V
F
m
T
T
m
oDC
rms
f
}
}
= =
0
0
2 2
1
1

Cuanto mas se acerca a la unidad el factor de forma, mejor ser la rectificacin
obtenida.

2.2.- ndice de Ondulacin o Factor de Rizo F
r
El ndice de modulacin es igual al cociente entre el valor eficaz de la ondulacin
exclusivamente y su valor medio.
1
2
=
f r
F F



76
3.-Comparacin Entre los Diferentes Rectificadores
El rectificador de media onda tiene un ndice de ondulacin igual a 1,21. Este
resultado indica que la tensin eficaz de ondulacin es mayor que la tensin promedio
de salida y este tipo de rectificador es un circuito relativamente malo para convertir
corriente alterna en continua.
El rendimiento que se obtiene con este tipo de rectificador era realmente bajo, ya que
medio perodo de la corriente quedaba completamente intil.
El otro tipo de rectificador doble onda, no presenta este problema. Sin embargo este
rectificador plantea otro problema, ahora en los diodos. La tensin inversa que debe
soportar los diodos es el doble de la tensin rectificada.
Debemos tambin tener para este tipo de rectificador un transformador con toma
central en el secundario.
El rectificador tipo puente soluciona estos problemas.
Las desventajas del rectificador tipo puente son las siguientes:
Necesidad de utilizar dos diodos por fase (el doble de diodos que el
rectificador con toma central) y necesidad que estos diodos posean una
resistencia directa pequea.
Las Ventajas son:
La tensin inversa que debe soportar cada diodo es la mitad que en el caso con
transformador con toma central.
El transformador no necesita toma central.
En conclusin se utiliza siempre un rectificador de onda Completa que tiene un ndice
de ondulacin ms interesante que el media onda.
El rectificador tipo puente es el que se utiliza con ms frecuencia.
La corriente rectificada en cada tipo tiene una componente alterna muy importante.
Debemos separar esta componente de la corriente, es decir filtrarla.


77
4.-Filtraje.
La salida de cualquiera de los rectificadores anteriormente expuestos debe ser
modificada para que se aproxime lo ms posible a una tensin continua pura. Para
ello se utiliza un filtro (tipo paso bajo) para as aplanar los impulsos rectificados.
4.1.- Filtraje con condensador
Con frecuencia el filtraje se efecta colocando un condensador en paralelo con la
carga. El funcionamiento de este sistema se basa en que el condensador almacena
energa durante el perodo de conduccin y entrega esta energa a la carga durante el
perodo inverso, o de no conduccin. De esta forma, se prolonga el tiempo durante el
cual circula corriente por la carga, y se disminuye notablemente el rizado.
Rectificador de media onda con filtro capacitivo

El condensador en los filtros paso bajo va en paralelo con el rectificador y la carga.
Su capacidad debe ser grande para que la reactancia que presente sea mucho menor
que la resistencia de la carga.

Fig. 52 Circuito Rectificador de Media Onda con Filtro Capacitivo
En el semiciclo positivo de la seal de entrada el diodo conduce, cerrndose as el
circuito y haciendo que el condensador se cargue a una tensin muy prxima a la
tensin de pico de salida del secundario del transformador. Debe elegirse con gran
cuidado el diodo y el condensador para evitar que cuando el condensador se


78
encuentre totalmente descargado, el primer pico de corriente sea excesivamente
grande y dae al diodo.

Durante el semiciclo negativo de la seal de entrada (V
s
) el diodo no conduce,
comportndose prcticamente como un circuito abierto. El condensador se descargar
sobre la resistencia hasta que empiece un nuevo semiciclo positivo en el secundario
del transformador, volviendo a cargarse el condensador en cuanto la tensin de
entrada supere a la que conserva entre sus extremos el condensador.

Fig. 53 Seal de Salida
de tensin (V
O
) y
Corriente i
d
Circuito
Rectificador Media Onda
con Filtro Capacitivo.
En ese momento el
condensador volver a recuperar la carga perdida hasta alcanzar el valor de pico de la
tensin de entrada, y as sucesivamente se vuelve a repetir el suceso.

La magnitud del segundo pico de corriente, y los sucesivos, son bastante inferiores al
primero y dependern de la carga que aun conserve el condensador y tambin de la
capacidad del mismo.

Podemos observar en el osciloscopio que ya no existe vaco en la seal entregada por
el rectificador sin filtro, resultando as la seal ms plana. Aumentando la capacidad
del condensador, la inclinacin de la descarga sera menor y con ello disminuira el


79
factor de rizado; sin embargo, tal capacidad no puede aumentarse en exceso porque el
impulso de corriente que se producira en el instante de inicio de la carga alcanzara
una intensidad capaz de daar al diodo.
La constante de tiempo del condensador y la resistencia de carga debe ser grande
comparada con el perodo de la seal de entrada: R
L
C>>>T.

Filtro a condensador en el rectificador de doble onda

En este caso, el efecto producido por el condensador es el mismo, pero el tiempo de
descarga se reduce a la mitad y consecuentemente la magnitud de los impulsos de
corriente disminuye.

Fig. 54 Circuito Rectificador Onda Completa con Filtro Capacitivo

La tensin de salida del circuito y la corriente sern idnticas a las obtenidas en el
rectificador de media onda; ahora bien, al ser el doble la frecuencia de los semiciclos
que llegan al condensador, la tensin de rizado ser menor y se obtendr una tensin
ms constante.


80

Fig. 55 Seal de Salida Circuito Rectificador Onda Completa con Filtro Capacitivo

En la figura 55 podemos ver las distintas tensiones y tiempos que se emplearn en el
anlisis del calculo del factor de rizado. Hay que tener en cuenta que, como se supone
un rizado bajo, la seal que se considera de salida es una onda en diente de sierra si la
constante de tiempo R
L
C es grande frente al perodo de la seal, o sea R
L
C>>>T
como la siguiente:

Fig. 56 Mtodo Grfico para estimar el factor de rizado
A partir de esta seal, deducimos que la tensin de continua a la salida viene dada
como:
2
r
m dc
V
V V = , donde V
m
es la tensin de pico de la seal rectificada. Se
observa de dicha tensin de continua es la tensin de pico menos el valor medio del
rizado, el cual en este caso sencillo coincide con V
r
/2.


81
El condensador se descarga linealmente durante T/2, luego la carga perdida se puede
expresar como:
2
T
I
dc
y nos queda que la tensin de rizado y de continua vienen dadas
por las ecuaciones:
fC
I
C
T I
C
Q
V
dc dc
r
2 2
= = =
fC
I
V
V
V V
dc
m
r
m dc
4 2
= =
El rizado se puede definir como:
dc
rms
V
V
r =

V
rms
: Valor eficaz de la componente alterna
V
dc
: Componente contina

Obtenemos el valor eficaz de la componente alterna aplicando la definicin, y nos
queda:
3 2
2 3 4
1
2
1
0
2
2
3
0
2
r
r
r r
rms
V
V d
V V
V =
(
+ =
(
=
}
t
t
t
o
t
o o
t
o o
t t

Ahora substituimos el valor V
rms
obtenido en la frmula del rizado:

L dc
dc
dc
r
fCR fCV
I
V
V
r
3 4
1
3 4 * 3 2
= = =

De nuevo se deduce que r disminuye con f, C y RL.
Filtro en PI con resistencia
La particularidad de este filtro es que lleva dos condensadores de filtro, unidos por
una resistencia que tambin podra ser una bobina.



82
T1
R1
47ohm
RL
330ohm
C1
470uF
C2
470uF
D1
1N4001GP
D2
1N4001GP

Fig. 57 Filtro en t con resistencia

La carga y descarga del primer condensador produce un efecto como en el
rectificador de media o doble onda con filtro a condensador. La resistencia entre
ambos condensadores hace que se aplane aun ms la seal, llegndole al segundo
condensador una corriente relativamente constante. Por ltimo, la carga y descarga de
este ltimo condensador, debido a la componente alterna, aplana todava ms las
fluctuaciones y a la carga llegar una corriente continua relativamente pura.

Estos filtros no son buenos porque, debido a la cada de tensin en la resistencia,
disminuir la tensin en la salida del circuito y es muy posible que sta sea
insuficiente. Se emplean nicamente cuando la corriente demandada sea pequea
(consecuentemente la cada de tensin ser despreciable en la resistencia entre
condensadores). Tal es el caso dado, por ejemplo, en la alimentacin de alta tensin
en los tubos de rayos catdicos en los que se necesita una alta tensin con una baja
corriente.

5- Doblador de Tensin
Un circuito multiplicador de tensin est formado por diversos rectificadores de
media onda y condensadores dispuestos especialmente para entregar una tensin
mltiplo de la recibida en su entrada.



83
En el caso de un doblador, la tensin en la salida ser, en principio, el doble de la
tensin mxima de la seal de entrada.

Fig. 58 Circuito Doblador de Tensin

Cuando el interruptor est abierto, el circuito es similar al rectificador de onda
completa, con una salida de aproximadamente V
m
cuando los condensadores son
grandes. Cuando el interruptor est cerrado, el circuito opera como un doblador de
tensin. C1 se carga hasta V
m
a travs de D1 cuando la seal del generador es positiva
y C2 se carga hasta V
m
a travs de D4 cuando la seal del generador es negativa. La
tensin de salida ser 2Vm. En este modo, los diodos D2 y D3 estn polarizados en
inversa. El circuito doblador de tensin es til cuando se precisa utilizar el equipo en
sistemas de diferentes estndares de tensin. Por ejemplo, se podra disear un
circuito para que operase correctamente tanto en Venezuela, donde la tensin de la
red es de 120 V, como en otros lugares donde la tensin de la red es de 240 V.
Si seguimos disponiendo diodos y condensadores iremos haciendo que la tensin de
salida sea el triple, cudruplo, etc. de la seal alterna de entrada.
6.- Limitador De Tensin
Estos circuitos se emplean cuando se quiere seleccionar parte de una onda a unos
valores predeterminados. Su funcin se basa en el hecho de que un diodo no conduce
hasta que no esta polarizado directamente. Podemos distinguir dos tipos
Limitador Serie


84
Limitador Paralelo
o Limitador Positivo
o Limitador negativo
o Limitador Parcial o Polarizado de un nivel
o Limitador Parcial Doble o Polarizado de dos niveles

6.1.- Limitador Serie Positivo
En el la seal de salida se obtiene en serie con el diodo, son un caso particular de los
rectificadores de media onda.

Fig. 59 Circuito Limitador Serie


85

Fig. 60 Seal de Entrada y Salida de un Circuito Limitador Serie Positivo

El la figura 60 se puede apreciar la seal de entrada y salida del circuito anterior se
observa que tiene la misma forma de onda que un circuito rectificador de media onda.
6.2.- Limitador Serie Negativo
En este el diodo entra en conduccin para los valores del semiciclo negativo de la
seal de entrada, y no conduce para los valores positivos de la seal de entrada.

Fig. 61 Circuito Limitador Serie Negativo



86

Fig. 62 Seal de Entrada y Salida de un Circuito Limitador Serie Negativo
6.3.- Limitador Paralelo
En ellos la seal de salida se obtiene paralelo con el diodo, pueden ser positivos o
nega
tivo
depe
nde
de la
posi
cin
del diodo.



87

Fig. 63 Circuito Limitador Paralelo (a) Positivo (b) Negativo

Fig. 64 Seales de Salida de los Circuito Limitador Paralelo (a) Positivo (b) Negativo
6.4.- Limitador Parcial o Polarizado de un nivel
En ellos la seal de salida se observa la unin del diodo en serie con una fuente de
tensin que puede ser positiva o negativa respecto a tierra.
Ejemplo a


88

Fig. 65 Circuito Limitador Polarizado de un nivel.

>>>Semiciclo positivo de la tensin de entrada:

Cuando la tensin de entrada es menor que la tensin de la fuente continua, el diodo
queda polarizado inversamente (circuito abierto), con lo cual la tensin de salida es
igual a la tensin de entrada (V
O
=V
S
).
Cuando la tensin de entrada es mayor que la tensin de la fuente continua, el diodo
queda polarizado directamente (cortocircuito), siendo ahora la tensin de salida igual
al valor de la fuente mas la tensin del diodo (V
O
=V
DC
+ V
D
= 5,7V).

>>>Semiciclo negativo de la tensin de entrada:

Como la tensin de entrada es menor que la tensin de la fuente continua, el diodo se
encontrar polarizado inversamente (circuito abierto) y la tensin en la salida ser
igual a la de la entrada (V
O
= V
S
).


89
Fig. 66 Seal de Salida de un Circuito Limitador Polarizado de un Nivel

Ejemplo b



Cuando la tensin de entrada es menor que la tensin de la fuente continua, el diodo
se polariza directamente (cortocircuito) y consecuentemente la tensin de salida es
igual a la tensin de la fuente continua mas la tensin del diodo (V
O
=V
DC
+V
D
=
5,7V).


90
Si la tensin de entrada es mayor que la de la tensin de la fuente continua, el diodo
queda polarizado inversamente (circuito abierto) y consecuentemente la tensin en la
salida ser igual a la de la entrada (V
O
=V
S
).


Como la tensin de entrada es menor que la tensin de la fuente de continua, el diodo
queda polarizado directamente y la tensin en la salida ser igual a la tensin de la
fuente continua mas la tensin del diodo (V
O
=V
DC
+V
D
= 5,7V).

Ejemplo c




91

Como la tensin de entrada es mayor que la tensin de la fuente continua, el diodo
queda polarizado inversamente y la tensin en la salida ser la misma que la de la
entrada (V
O
= V
S
).

Si la tensin en la entrada es menor que la tensin de fuente continua, el diodo se
polariza inversamente y la tensin de salida ser igual a la de la entrada (V
O
= V
S
).
Si la tensin de entrada es mayor que la tensin de fuente continua, el diodo queda
polarizado directamente y en la salida tendremos una tensin igual a la tensin de la
fuente continua mas la tensin del diodo (V
O
= -V
DC
-V
D
= - 5,7V).



92
Ejemplo d

Fig. 71Circuito Limitador Polarizado de un Nivel
Como la tensin de entrada es mayor que la tensin de la fuente continua, el diodo
queda polarizado directamente y la tensin en la salida ser igual a la tensin de la
fuente continua menos la tensin del diodo (V
O
= -V
DC
+V
D
= - 4,3V).
Si la tensin de entrada es menor que la tensin de la fuente continua, el diodo queda
polarizado directamente y la tensin en la salida ser igual a la tensin de la fuente
continua menos la tensin del diodo (V
O
= -V
DC
+V
D
= - 4,3V).
Cuando la tensin de entrada sea mayor que la tensin de la fuente, el diodo ser
polarizado de forma inversa y en la salida tendremos la tensin de la entrada
(V
O
=V
S
).


93

6.5.- Limitador Polarizado de Dos Niveles
Ejemplo e

Fig. 73 Circuito Limitador Polarizado de dos Niveles

Mientras que la tensin de entrada sea menor que la tensin de las fuentes de tensin
continuas, los diodos quedan polarizados inversamente y la tensin de salida es igual
a la tensin de entrada (V
O
= V
S
).
Cuando la tensin de entrada sea mayor que la tensin de la fuente continua 2, el
diodo 1 continua polarizado inversamente y el diodo 2 se polariza en forma directa
generando una tensin en la salida igual a la suma del valor de la fuente continua 2
mas la tensin del diodo (V
O
=V
DC2
+ V
D2
= 5,7V).


94


Al igual que en el semiciclo positivo mientras que la tensin de entrada sea menor
que la tensin de las fuentes de tensin continuas, los diodos quedan polarizados
inversamente y la tensin de salida es igual a la tensin de entrada (V
O
= V
S
)
En el momento en que la tensin de entrada sea mayor que la tensin de la fuente
continua 1, el diodo 1 queda polarizado directamente y el diodo 2 inversamente;
obtenindose a la salida una la tensin igual a igual a la suma del valor de la fuente
continua 1 mas la tensin del diodo (V
O
= -V
DC1
- V
D1
= -5,7V).

Fig. 74 Seal de Salida de un Circuito Limitador Polarizado de Dos Niveles



95
Ejemplo f

Fig. 75 Circuito Limitador Polarizado de dos Niveles Con Diodos Zener


Mientras que la tensin de entrada esa menor que la tensin en inverso del Zener este
no conducir y se comporta como un circuito abierto, y la tensin en la salida ser la
misma de la entrada (V
O
=V
S
).

Cuando la tensin de entrada es mayor que la tensin en inverso del zener 2, este
queda polarizado en inverso y el Zener 1 en Directo obtenindose a la salida V
O
una
tensin igual a la tensin de zener en inverso del diodo 2 mas la tensin en directo del
Diodo 1 (V
O
= V
Z2
+ V
D1
= 5,8V).


En este semiciclo ocurre algo similar que en el semiciclo positivo pero el diodo 1
queda polarizado en inverso y el diodo 2 en directo cuando la tensin entrada es
mayor que la tensin en inverso del diodo Zener 1, generando una tensin de salida
igual a igual a la tensin de zener en inverso del diodo 1 ms la tensin en directo del
Diodo 2 (V
O
= -V
Z1
- V
D2
= - 5,8V).


96

Fig. 76 Seal de Salida de un Circuito Limitador Polarizado de Dos Niveles con diodos Zener
7.- Diodo zener como Regulador de Tensin
Corriente mxima y corriente mnima
Sea el siguiente montaje, donde el diodo zener es utilizado como regulador de
voltaje.

Fig. 77 Circuito Regulador de Tensin

La tensin de entrada vara entre E
mnima
= E
m
y E
mxima
= E
M
o E
m
< E < E
M.

La corriente mxima corresponde al estado de utilizacin en circuito abierto (I
L
=I
S
=0)
y con E
M
, es decir,
S
Z M
M
R
V E
I

=



97
La corriente en el zener no debe ser menor que I
Zmn
(Corriente mnima para la cual la
tensin del diodo es todava igual a V
Z
).
En el caso de la salida abierta (I
S
= I
L
=0) la corriente mnima que atraviesa el zener es:
S
Z m
m
R
V E
I

=
Como I
m
> I
Zmn

Para el buen funcionamiento del regulador, la corriente I de entrada que vara entre I
m

e I
M
debe estar comprendida en el intervalo I
Zmn
e I
Zmx
del diodo zener.
Si los valores lmites E
m
y E
M
de la tensin de entrada se conocen, y tambin las
caractersticas del diodo zener, se puede calcular la resistencia R
S
.

Clculo de R
S
(valor mnimo y valor mximo).

Fig. 78 Curva Caracterstica del Diodo Zener



98
La pendiente de la curva caracterstica, nos permite calcular la resistencia del diodo
zener.
min
min
Z Z
Z Z
d
I I
V V
r
=

Esta relacin puede escribirse:
min) min
(
Z Z d Z Z
I I r V V + =

Y la parte lineal de la curva puede como V
Z
= V
ZO
+ r
d
*I
Z
donde V
Z
, I
Z
es un punto
sobre la curva, esta ecuacin es vlida si I
Z
- I
Zmn
> 0; no existe regulacin si I
Zmn
>I
Z
.

Por otro parte, no se debe sobrepasar los lmites de I
Zmx
y V
Zmx
, en caso contrario se
quema el diodo, P
Zmx
= V
ZMx
* I
Zmx
.
La resistencia R
S
deber ser calculada de tal manera que:
max min Z Z Z
I I I < <
y
max min Z Z Z
V V V < <
, siempre que E y R
L
varen
entre ciertos valores conocidos.
Considerando Dos Casos:
1
ER
Caso
R
S
no deber ser mayor que R
SMx
para lo cual I
Z
= I
Zmn
y V
Z
= V
Zmn
y se supone el
caso desfavorable, es decir E = E
m
y R
L
= R
Lmn
.
min L
ZMin
LMax L
R
V
I I = =

Aplicando la ley de Kirchhoff al circuito de regulacin
( )
min Z LMax ZMax SMax m
V I I R E + + =

min
min
min
min
max min
min
max
L
Z
Z
Z m
L Z
Z m
S
R
V
I
V E
I I
V E
R
+
=
+
=

2
do
Caso


99
R
S
no deber ser menor que R
Smn
para I
Z
= I
Zmx
y V
Z
= V
Zmx
y se supone el caso
ms desfavorable, es decir, E = E
M
y R
L
= R
Lmx
.
En este caso
max
min
L
ZMax
L L
R
V
I I = =

Aplicando la ley de Kirchhoff al circuito de regulacin
( )
max min min Z L ZMax S M
V I I R E + + =

max
max
max
max
min max
max
min
L
Z
Z
Z M
L Z
Z M
S
R
V
I
V E
I I
V E
R
+
=
+
=

El problema tendra una solucin si
max min S S S
R R R < <
, es decir, los lmites
impuestos a E y a R
L
son compatibles con los lmites de funcionamiento I
Zmn
e I
Zmx

del diodo.
En la prctica se puede tomar
2
max min s s
S
R R
R

=
.
Resolucin Grfica
Sabemos que
Z L Z
V I + + I = ) ( R E
S
e
L
Z
R
V
IL = ;
Z L S Z S
V I R I R E + + = luego
L
S
Z Z Z S
R
R
V V I R E + + =
|
|
.
|
\
|
+ + =
L
S
Z Z S
R
R
V I R E 1 despejando I
Z

S
L
S
Z
S
Z
R
R
R
V
R
E
I
|
|
.
|
\
|
+
=
1

Que representa la ecuacin de una recta, que se llama recta de carga.
Consideraremos dos casos:


100
1
ER
Caso Para E = E
m
y R
L
= R
Lmn

Si tomamos la ecuacin de recta de carga y hacemos I
Z
= 0 tenemos:
min
1
L
S
m
Z
R
R
E
V
+
=
Ahora hacemos V
Z
= 0 obtener
S
m
Z
R
E
I = , el punto de funcionamiento es el punto A
en la figura 79.
2
do
Caso Para E = E
M
y R
L
= R
Lmx

Tomando la ecuacin de la recta de carga y haciendo I
Z
= 0 tenemos:
max
1
L
S
M
Z
R
R
E
V
+
=
Ahora hacemos V
Z
= 0 obtener
S
M
Z
R
E
I = , el punto de funcionamiento es el punto B
en la figura 79.


101

Fig. 79 Anlisis Grfico de Rs
Existen otros casos: que toman los valores de V
Z
comprendidos entre
max min Z Z Z
V V V < < y los valores de R
L
comprendido entre
max min L L L
R R R < < .

Ejemplo
A.- Se quiere construir un circuito regulador de tensin que entregue a la salida una
tensin de 5,1 V, sabiendo que la carga consume una I
Lmx
= 100 mA, siendo I
Lmn
=
0 y que dispone de una alimentacin que vara entre 9 V y 10 V. Los diodos zener
de que se dispone son los que se muestran en la siguiente tabla escoger el que
corresponda para el diseo del circuito.


102

Solucin:

Si se elige Z
1
:

Si se abre la carga por el zener iran 105 mA y como I
Zmx
= 78 mA no podra
funcionar, se quemara y se daara no la resistira.
Si probamos con Z
2
:


103

Veamos si es suficiente esa corriente, el peor de los casos es suponer que I
Lmx
= 100
mA.

Si abrimos la carga los 150 mA van por el zener y como este soporta hasta 294 mA si
servira, el Z
2
es el adecuado. Ahora elegiremos la resistencia (R).
Tenemos dos puntos importantes para analizarlos:

Peligro de que el zener se quede sin corriente
Suposiciones crticas para ese punto:



104

O =
+
=
+
= 26
100 50
1 , 5 9
max min
min
mA mA I I
v v
R
L Z
Z i

Peligro de que el zener se queme

O =
+
=
+
= 26 , 13
0 294
1 , 5 9
min max
max
mA mA I I
v v
R
L Z
Z i

Entonces la resistencia esta entre estos dos valores:
O < < O 26 26 , 13 R

Cualquier valor entre estos dos valores valdra, tomamos por ejemplo: R = 22
Vemos que ocurre en los 2 casos extremos:


105

Ahora que sabemos en que zona trabaja el zener tenemos que calcular de qu
potencia elegimos esa resistencia.

Peor caso: I
Z
= 222 mA P = (10-5,1)*222 10
-3
= 1,08 W
Se escoge un valor normalizado de 2 W.

Ahora vamos a ver el rango de valores por el que mueve la resistencia de carga (R
L
):`
) ( 0
min
vacio R mA I
L L
= = O = = = 51
100
1 , 5
100
max
mA
V
R mA I
L L

Calculo de la Recta de carga: Tomaremos el convenio de la figura con lo que nos
saldrn la intensidad y la tensin negativas (en el tercer cuadrante).


106

Punto A

Punto B

Finalmente la representacin grfica de esas ecuaciones queda de la siguiente
manera:


107

Las dos rectas de carga son paralelas. Los dems puntos estn entre esas dos rectas
paralelas.

8.- Circuito Sujetador de Nivel (CLAMP CIRCUITS)

En ciertas aplicaciones se requiere que la seal, sin perder su forma de onda original,
se mantenga confinada sobre o bajo un voltaje especificado de umbral; para el
propsito se agrega a la seal un nivel continuo tal que impida que sus PICOS
excedan el umbral especificado. La funcin es normalmente realizada en base a
diodos.

Fig. 80 Circuito Sujetador de Nivel


108

El circuito de la figura 80 enclava los picos positivos de la seal de entrada en -5V
(tensin de la fuente continua).
Considerando el diodo como ideal y el condensador muy grande, las excursiones
positivas de V
S
(t) cargan el condensador al valor pico, a travs de la conduccin del
diodo. Al disminuir la tensin de entrada el diodo asume estado apagado (circuito
abierto) y la salida estar dada por:
V
o
(t)= V
S
(t ) - V
C

Fig. 81 Seal de Entrada y Salida de un Circuito Sujetador de Nivel

Suponiendo un valor de V
S
(t)= 10sen(wt) para el ejemplo anterior.


109
Es posible naturalmente producir el enclavamiento en diferentes combinaciones de
pico enclavado (positivo o negativo) y el voltaje al cual se enclava (positivo o
negativo), por medio de diferentes polaridad de la batera y orientacin (sentido) del
diodo.
Como criterio de diseo inicial se elige el producto RC (constante de tiempo) en un
orden de magnitud mayor que el perodo de la seal de entrada (T = 2t/w).



110

CAP TULO V
TEOR A DE LOS
TRANSI STORES BJ T


111

CAPTULO V
TEORA DEL TRANSISTOR BJT

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales que generalmente
acta como amplificador de corriente.
Existen cuatro modelos fabricados con diferente tecnologa, y con caractersticas y
propiedades fsicas bastantes diferentes, ellos son:
- Transistor Bipolar: Son de doble unin de tres terminales, y es controlado por
corriente.
- Transistor FET: Son de efecto de campo, unipolar que opera como un
dispositivo controlado por voltaje.
- Transistor MOSFET: Es un FET de metal oxido semiconductor.
- Transistor UJT: Monounin, usado esencialmente como interruptor de
enganche.
Este captulo se basar en los aspectos relacionados con los transistores bipolares

1.- Estructura De Un Transistor Bipolar
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas
de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo
n. al primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp.
Para la polarizacin las terminales que se muestran en la figura 82 las terminales se
indican mediante las literales E para el emisor, C para el colector y B para la base. La
abreviatura BJT, de transistor bipolar de unin (del ingles, Bipolar Junction
Transistor), suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. El trmino bipolar
refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de


112
inyeccin hacia el material polarizado de forma opuesta. Si slo se utiliza un portador
(electrn o hueco), entonces se considera un dispositivo unipolar.
La representacin grfica de la estructura fsica y su smbolo es como se muestra en
la figura 82.

Fig. 82 Estructura de los transistores BJT

El Emisor el cual esta fuertemente dopado, la Base esta ligeramente dopada y es ms
angosta. Y el Colector esta dopado en forma intermedia.
Los transistores bipolares vienen empacados en:
- Cpsulas metlicas: Los que disipan mayor potencia, > 5 w
- Cpsulas plsticas: Los de baja potencia

2.- Modos De Operacin
Estos transistores por presentar dos uniones pueden tener en cada una de ellas dos
tipos de polarizacin directa e inversa. Dependiendo de cmo estn polarizadas las


113
uniones se tendrn los modos de operacin como se puede observar en la siguiente
tabla.

Se describir la operacin bsica del transistor utilizando el transistor pnp de la figura
82 la operacin del transistor npn es exactamente la misma que si intercambiaran la
funciones que cumplen el electrn y el hueco. Se realizar el estudio en el modo
activo para trabajar al transistor como amplificador, y para ello se muestra las
polarizaciones, tanto para un NPN como para un PNP. El espesor de la regin de
agotamiento se redujo debido a al polarizacin aplicada, lo que da por resultado un
flujo muy considerable de portadores mayoritarios desde el material tipo p hacia el
tipo n, mientras que la regin de agotamiento de la otra unin aumenta debido a la
polarizacin en inverso.
Al tener estas uniones polarizada de la manera indicada habr una gran difusin de
portadores mayoritarios a travs de la unin p-n con polarizacin directa hacia el
material tipo n. As, la pregunta sera si acaso estos portadores contribuirn de forma
directa a la corriente de base I
B
o si pasarn directamente al material tipo p. Debido a
que el material tipo n del centro es muy delgado y tiene baja conductividad, un
nmero muy pequeo de estos portadores tomar esta trayectoria de alta resistencia
hacia la terminal de la base.
La magnitud de la corriente de base casi siempre se encuentra en el orden de los
microamperes (A), comparando con miliamperes (mA) para las corrientes del


114
emisor y del colector. La mayor cantidad de estos portadores mayoritarios se
difundir a travs de la unin con polarizacin inversa, hacia el material tipo p
conectado a la terminal del colector. La razn de esta relativa facilidad con la cual los
portadores mayoritarios pueden atravesar la unin con polarizacin inversa se
comprender con facilidad si se considera que para el diodo con polarizacin inversa,
los portadores mayoritarios inyectados aparecern como portadores con polarizacin
inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecern como portadores
minoritarios en el material tipo n.
En otras palabras, tuvo lugar una inyeccin de portadores minoritarios al material de
la regin de la base tipo n. A la combinacin de esto con el hecho de que todos los
portadores minoritarios en la regin de agotamiento atravesarn la unin con
polarizacin inversa de un diodo puede atribursele el flujo.
A lo largo de este captulo todas las direcciones de corriente harn referencia al flujo
convencional (huecos) en lugar de hacerlo respecto al flujo de electrones. Para el
transistor la flecha en el smbolo grfico define la direccin de la corriente del emisor
(flujo convencional) a travs del dispositivo. Ver Figura 82


115

Fig. 83 Polarizacin de los transistores BJT

3.- Configuracines Del Transistor
3.1-Configuracin Base Comn (B-COM).
Para la configuracin de base comn con transistores PNP y NPN. La terminologa de
la base comn se deriva del hecho de que la base es comn tanto a la entrada como a
la salida de la configuracin. A su vez, por lo regular la base es la terminal ms
cercana a, o que se encuentra en, el potencial de tierra.

Fig. 84 Configuracin Base Comn
Para el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, como los amplificadores
de base comn se requiere de dos conjuntos de caractersticas, una para los
parmetros de entrada y la otra para los parmetros de la salida. El conjunto de


116
entrada para el amplificador de base comn relacionar la corriente de entrada (I
E
)
con la tensin de entrada (V
BE
) en funcin de la tensin de salida (V
CB
). El conjunto
de caractersticas de la salida relaciona la corriente de salida (I
C
) con la tensin de
salida (V
CB
) en funcin de la corriente de entrada (I
E
). All encontramos las tres
regiones bsicas de operacin.

Fig. 85 Caracterstica de Entrada y Salida de la Configuracin Base Comn NPN
En el extremo ms bajo de la regin activa, la corriente del emisor (I
E
) es cero; esa no
es la verdadera corriente del colector, y se debe a la corriente de saturacin inversa
I
CO
.
La corriente I
CO
real es tan pequea (microamperes) en magnitud si se compara con la
escala vertical de I
C
= 0. Las condiciones del circuito que existen cuando I
E
= 0 para
la configuracin de base comn se muestra en la figura 86. La notacin que con ms
frecuencia se utiliza para I
CO
en los datos y las hojas de especificaciones es, I
CBO
.

Fig. 86 Transistor NPN con el Emisor Abierto


117
Debido a las mejoras en las tcnicas de fabricacin, el nivel de I
CBO
para los
transistores de propsito general (en especial los de silicio) en los rangos de potencia
baja y mediana, por lo regular es tan bajo que puede ignorarse su efecto. Sin
embargo, para las unidades de mayor potencia I
CBO
, as como I
S
, para el diodo (ambas
corrientes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura. A mayores temperaturas,
el efecto de I
CBO
puede convertirse en un factor importante debido a que aumenta
muy rpidamente con la temperatura.
3.2-Configuracin Emisor Comn (E-COM)
Se le denomina configuracin de emisor comn debido a que el emisor es comn o
hace referencia a las terminales tanto de entrada como de salida (en este caso, es
comn tanto a la terminal de base como a la de colector). Una vez ms, se necesitan
dos conjuntos de caractersticas para describir por completo el comportamiento de la
configuracin de emisor comn: uno para el circuito de entrada o base-emisor que
relacionar la corriente de entrada (I
B
) con la tensin de entrada (V
BE
) en funcin de
la tensin de salida (V
CE
). El conjunto de caractersticas de la salida relaciona la
corriente de salida (I
C
) con la tensin de salida (V
CE
) en funcin de la corriente de
entrada (I
B
).

Fig. 87 Configuracin Emisor Comn



118

Fig. 88 Caracterstica de Entrada y Salida de la Configuracin Emisor Comn NPN

3.3.-Configuracin Colector Comn (C-COM) o Configuracin Emisor
Seguidor.
La configuracin de colector comn se utiliza sobre todo para propsitos de
acoplamiento de impedancia, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una
baja impedancia de salida, contrariamente a las de las configuraciones de base comn
y de un emisor comn.
La figura 89 muestra una configuracin de circuito de colector comn con la
resistencia de carga conectada del emisor a la tierra. Obsrvese que el colector se
encuentra conectado a la tierra aunque el transistor est conectado de manera similar
a la configuracin del emisor comn. Desde un punto de vista de diseo, no se
requiere de un conjunto de caractersticas de colector comn para elegir los
parmetros del circuito. Puede disearse utilizando las caractersticas de salida para la
configuracin de colector comn son la mismas que para la configuracin de emisor
comn.


119

Fig. 89 Configuracin Colector Comn o Emisor Seguidor

No importa la configuracin, si al transistor se quiere trabajar en un modo en
particular, se deben realizar las polarizaciones correspondientes.

4.- Curva Caractersticas
Los transistores, se estudian y analizan a travs de sus curvas caractersticas; con
ellas se puede conocer el comportamiento o funcionamiento elctrico del elemento,
expresndose las relaciones grficas de las corrientes I
B,
I
E
e I
C
en funcin de las
tensiones exteriores aplicadas y para cualquiera de las configuraciones en que puede
ser empleado el transistor E-COM, B-COM C-COM.
Las curvas no son universales, cada tipo concreto de transistor, tiene las suyas,
normalmente diferentes de los dems, aunque semejante en forma.
Las curvas dadas por el fabricante representa la caractersticas media de una serie de
fabricacin con un elevado nmero de unidades.
Existen dos (2) familias de curvas de especial importancia y son, la de entrada y la de
salida.

1. Las curvas de entrada: Expresan grficamente la relacin entre la corriente de
base (I
B
) y la tensin Base-Emisor (V
BE
) para una tensin colector-Emisor
constante. Con ellas se puede calcular la corriente que circula por la base


120
cuando se aplica una tensin externa entre est y el emisor. Ellas se
corresponde con las curvas del diodo de unin con polarizacin directa.

2. Las curvas de salida: Expresan la relacin entre la corriente de colector (I
c
)
para una tensin colector- Emisor (V
CE
), cuando I
B
se mantiene constante.

En estas curvas se pueden identificar tres regiones de operacin del transistor las
cuales son:
a.- Regin Activa o Lineal: Est ubicada por encima de la tensin C-E en 0,7V,
donde las curvas caractersticas son casi constantes, es decir, I
C
aumenta ligeramente
a medida que V
CE
aumenta, en esta zona I
C
depende de I
B
. En esta regin el transistor
trabaja como amplificador.


121
b.- Regin de Saturacin: Esta ubicada por debajo de V
CE
= 0.7V, donde las curvas
se unen; en esta regin se tiene que I
C
aumenta rpidamente para pequeas
variaciones de V
CE
, Cuando V
CE
cae por debajo de V
BE
, se tendr que V
CB
es negativa
( V
CB
= V
CE
V
BE
) y polariza directamente a la unin C-B, entrando el transistor a
saturacin.
c.- Regin de Corte: Se ubica para una corriente I
B
= 0 para este caso la corriente de
colector I
C
es muy pequea, igual a la corriente de fuga I
CEO
.

5.- Relacin De Corrientes
Por definicin I
E
= I
B
+ I
C

I
C
= o I
E
+ I
CBO

o: Es una constante de proporcionalidad, es decir, una proporcin de la corriente de
emisor en el colector, Tambin conocida como GANANCIA DE CORRIENTE
BAJO LA CONFGIGURACIN DE BASE COMN. La cual siempre tiene un
valor < 1.
I
E
= f (I
B
) I
e
= I
B
+ o I
E
+ I
CBO

Si I
CBO
~ 0 I
E
= I
B
+ o I
E
o
=
1
B
E
I
I

) (
B C
I f I =

CBO E C
I I I + =o

Si I
CBO
~ 0

E C
I I o =
E
C
I
I
= o

Como
o
=
1
B
E
I
I

B C
I I
o
o
=
1
DONDE
|
o
o
=
=
1
B
C
I
I

|
: Factor de amplificacin de corriente, conocido comnmente como GANANCIA
DE CORRIENTE BAJO LA CONFIGURACIN EMISOR COMN.


122
|
Se puede conseguir a travs de las curvas caractersticas del fabricante
normalmente su valor oscila entre 50 y 400.

o
o
|
=
1
Y
|
|
o
+
=
1

6.- Polarizacin Del Transistor
6.1.- POLARIZACIN FIJA.

R
B
= Resistencia de la Base

R
C
= Resistencia del Colector

V
CC
= Tensin de alimentacin

I
B
= Corriente de base

I
C
= Corriente de Colector

Fig. 90 Circuito Con polarizacin Fija

El anlisis del circuito de polarizacin se realiza en forma separada, es decir, se
considerar primero el circuito de entrada (Base Emisor) y luego el circuito de
salida (Colector Emisor).

Circuito De Entrada.
En la figura 91 se muestra el circuito base-emisor, del cual se obtiene la siguiente
ecuacin:



123
0 * =
BE B B CC
V R I V

Donde:
B
BE CC
B
R
V V
I

=

Fig. 91 Circuito De Entrada

Como los valores del voltaje de V
CC
y V
BE
son fijos, la seleccin de un resistor de
polarizacin de base fija el valor de la corriente de la base I
B
.

Circuito De Salida.
En la figura se muestra el circuito de colector emisor, del cual se obtiene la siguiente
ecuacin:
0 * =
CE C C CC
V R I V

Fig. 92 Circuito De Salida



124
En la regin activa la corriente de colector se relaciona con la corriente de base a
travs de la ganancia de corriente del transistor | o h
FE
y se expresa da la siguiente
forma:
B C
I I * | =

Donde la corriente de base se ha calculado a travs del circuito de entrada; se puede
observar que la corriente de colector (I
C
), solo depende de la corriente de base y no de
la resistencia R
C
en el circuito de salida.
Conociendo a I
C
por I
B
, entonces se puede calcular a V
CE
como sigue:
C C CC CE
R I V V * =

El calculo de I
C
, V
CE
e I
B
representan el punto de trabajo (Q) del transistor en
corriente continua (DC).
Ejemplo.
Calcular los voltajes y corrientes de polarizacin en CD para el circuito mostrado
sabiendo que | = 50

Fig. 93 Ejemplo de un Circuito Con polarizacin Fija

SATURACIN DEL TRANSISTOR:
Siempre y cuando el transistor este trabajando en su regin activa o lineal se cumple
B C
I I * | = , pero si el transistor se encuentra en la regin de Saturacin ya esta


125
ecuacin no se valida. Se debe recordar que, si el transistor trabaja en la regin activa,
la unin base- emisor debe estar polarizada en directa y la unin colector base en
inverso, esto es cierto slo si el voltaje V
CE
> V
BE
. Como V
CE
= V
CC
I
C
* R
C
que
V
CC
> I
C
*R
C
para que el transistor este activo, es decir,
C
CC
C
R
V
I < . Si I
C
se hace
mayor o igual a
C
CC
R
V
, el transistor est operando en la regin de saturacin. En este
caso el valor de
C
CESAT CC
C
R
V V
I

~ , siendo V
CESAT
= 0V 0.3V y
B
BE CC
B
R
V V
I

= .
Si el circuito se necesita como amplificador, no se debe esperar que el transistor este
en la zona de saturacin.
CORTE DEL TRANSISTOR:
Cuando el transistor est trabajando en la regin de corte, la corriente I
B
= 0 I
C
= 0
y V
CE
= V
CC
. Regin no deseada para el transistor cuando se quiere trabajar como
amplificador.
6.2.- POLARIZACIN CON RESISTENCIA EN EL EMISOR
Este circuito brinda una mejor estabilidad de polarizacin que el circuito de
polarizacin fija, ya que en ste
B C
I I * | = y | vara hasta para el mismo tipo de
transistor, es decir, si se cambia el transistor por uno del mismo tipo la corriente I
C

variar an con I
B
constante.

R
C
=Resistencia de colector
R
E
=Resistencia de emisor
R
B
=Resistencia de base
I
E
= Corriente de emisor
I
C
= Corriente de colector


126
I
B
= Corriente de base

Fig. 94 Circuito Con polarizacin con resistencia en el emisor
Circuito De Entrada:
Se tiene que 0 * * =
E E BE B B CC
R I V R I V por definicin
C B E
I I I + = e
B C
I I * | =
, por lo tanto
B B B E
I I I I * ) 1 ( * | | + = + = entonces sustituyendo
tenemos:
0 * * ) 1 ( * = +
B E BE B B CC
I R V R I V |
Donde
E B
BE CC
B
R R
V V
I
* ) 1 ( + +

=
|
e
B C
I I * | = .

Fig. 95 Circuito de entrada polarizacin con resistencia en el emisor

Circuito De Salida:

Se tiene que
0 * * =
E E CE C C CC
R I V R I V como
E C
I I * o = tenemos


127
) (
o
E
C C CC CE
R
R I V V + = al igual que en el caso anterior el punto de trabajo (Q)
viene dado por los valores de I
C
, V
CE
e I
B
.

Fig. 96 Circuito de entrada polarizacin con resistencia en el emisor
Ejemplo.
Calcular los valores de I
c
, I
B
y V
CE
sabiendo que | = 50

Fig. 97 Ejemplo Circuito de entrada polarizacin con resistencia en el emisor

Resultados:


128
I
B
= 40,12A; I
C
= 2.01mA; V
CE
= 13.94V
COMPARACIN
Como se mencion anteriormente, al agregar la resistencia de emisor a la
polarizacin de CD mejorar la estabilidad de est, es decir, las corriente y voltajes de
polarizacin de CD se mantienen ms cercanos a los puntos donde fueron fijados por
el circuito, an cuando cambie el valor de | del transistor.
Para el ejemplo anterior si | se cambia a 100 tendremos los siguientes resultados:
I
B
= 36.27A; I
C
= 3.62mA; V
CE
= 9.08 V

| I
B
(A) I
C
(mA) V
CE
(V)
50 40.12 2.01 13.94
100 36.27 3.62 9.08

I
C
cambia casi un 50% para un cambio de
|
al 100%. El decremento de I
B
ayuda a
mantener I
C
o al menos reducir al cambio total de I
C
con
|
.
6.3.- CIRCUITO DE POLARIZCAIN DC INDEPENDIENTE DE |.
En los circuitos de polarizacin de CD analizados anteriormente, se tena que los
valores de corriente y voltajes de polarizacin del colector dependan de |. Debido a
este problema se hizo necesario un circuito de polarizacin independiente de |,
recordando de que | es sensible a la temperatura (sobre todo si el transistor es de
Silicio Si) y adems su valor nominal no esta bien definido. El circuito que se
muestra en la figura 98, cumple con la condicin de que su polarizacin es
independiente de |, Tambin conocido como Circuito de Polarizacin por Divisor
de Tensin.
Para el anlisis del circuito se sigue el procedimiento descrito en los circuitos
anteriores; Primero se trabaja con el circuito o malla de entrada y luego con el de
salida.


129

Fig. 98 Circuito de polarizacin por divisor de Tensin

Circuito O Malla De Entrada
Si la resistencia que se observa desde la base (R
B
) es mayor que la resistencia R
1
,
entonces el voltaje de la base se ajusta mediante el divisor de voltaje de R
1
y R
2
; si
esto es cierto, la corriente que circula a travs de R
2
pasa casi por completo por R
1
y
las dos resistencias pueden considerarse efectivamente en serie.


130

Fig. 99 Circuito de Polarizacin por Divisor de Tensin malla de Entrada

Si R
B
>> R
1

I
1
~ I
2

Entonces el voltaje en la unin de las resistencias, que es tambin el voltaje de la base
del transistor, se determina simplemente por un divisor de voltaje de R
1
y R
2
, y el
voltaje de alimentacin; por lo tanto obtendremos que:

2 1
1
*
R R
V R
V
cc
BB
+
=
Y
2 1
// R R R
B
=

Dando como resultado el siguiente circuito:


131

Fig. 100 Circuito de Polarizacin por Divisor de Tensin Simplificado

Recorriendo la malla de entrada tenemos:
0 * * =
E E BE B B BB
R I V R I V
Como
B B B C B E
I I I I I I * ) 1 ( * | | + = + = + =

Entonces:
E B
BE BB
B
E B B BE BB
R R
V V
I
R R I V V
) 1 (
] ) 1 ( [
|
|
+ +

=
+ + =

Para que las corrientes no dependan de |, por lo general se considera que (1+|)R
E

>> R
B
, entonces:
E
BE BB
B
R
V V
I
) 1 ( | +
= como I
c
= |I
B
y como (1+|) ~ | entonces:

E
BE BB
E
BE BB
C
R
V V
R
V V
I

~
=
|
| ) (
.


132

Circuito De Salida.

Fig. 101 Circuito de Polarizacin por Divisor de Tensin Malla de Salida

La ecuacin de salida es:
0 * * =
E E CE C C CC
R I V R I V

|
.
|
\
|
+ =
o
E
c C CC CE
R
R I V V

CONDICION DE SATURACIN
V
CESAT
= 0 0.3V
E C
CSESAT CC
CSAT
R R
V V
I
+
= e
|
CSAT
BSAT
I
I =
CONDICIN DE CORTE
I
B
= 0, I
C
= 0 Y V
CE
= V
CC

EJEMPLO
Hallar el punto de operacin del siguiente circuito sabiendo que V
BE
= 0,7V y
considerando un |= 70 y 140.



133
K
K K
K K
R
B
55 . 3
39 9 . 3
39 * 9 . 3
=
+
= V
K K
V K
V
BB
2
39 9 . 3
22 * 9 . 3
=
+
=

Transformando el circuito de entrada tenemos:
Circuito de entrada:



134
E B
BE BB
B
E B B BE BB
R R
V V
I
R R I V V
) 1 (
] ) 1 ( [
|
|
+ +

=
+ + =

Para |=70
A
K K
V V
I
B
81 . 11
5 . 1 * 71 55 . 3
7 . 0 2
=
+
=
mA A I I
B C
8268 . 0 81 . 11 * 70 * = = = |

Para |= 140
A
K K
V V
I
B
045 . 6
5 . 1 * 141 55 . 3
7 . 0 2
=
+
=
mA A I I
B C
846 . 0 045 . 6 * 140 * = = = |
Circuito de salida.

Para | =70
|
.
|
\
|
+ =
o
E
c C CC CE
R
R I V V
; 9859 . 0
71
70
= = o
V
K
K mA V V
CE
47 . 12
9859 . 0
5 . 1
10 8268 . 0 22 =
|
.
|
\
|
+ =

Para |=140
9929 . 0
141
140
= = o
V
K
K mA V V
CE
26 . 12
9929 . 0
5 . 1
10 846 . 0 22 =
|
.
|
\
|
+ =

| I
B
(A) I
C
(mA) V
CE
(V)


135
70 11.81 0.8268 12.47
140 6.045 0.846 12.26

6.4.- CIRCUITO DE POLARIZACIN EN CD CON REALIMENTACIN DE
TENSIN DE COLECTOR.
Adems de la resistencia de emisor para mejorar la estabilidad del punto de
operacin (Q), una retroalimentacin de voltaje se le suma a esta mejora. El circuito
de la figura 102 muestra este tipo de polarizacin.

Fig. 102 Circuito de Polarizacin con Realimentacin de Tensin

Circuito o malla de entrada:
0 * * * =
E E BE B B C CC
R I V R I R I V

B E B C
I I I I I I * ) 1 ( | + = = + =

0 * ) ( * * ) 1 ( = + +
BE B B E C B CC
V R I R R I V |



136
) )( 1 (
E C B
BE CC
B
R R R
V V
I
+ + +

=
|

B C
I I * | =
Circuito de salida:
0 * * =
E E CE C CC
R I V R I V

E
I I =
) ( *
E C E CC CE
R R I V V + =

7.- ANLISIS GRFICO DE POLARIZACIN EN CD
Existe una tcnica grfica para mostrar la ubicacin del punto de trabajo de un
circuito con transistor, sta tcnica se basa en dibujar una recta llamada recta de carga
de CD, la cual se consigue con la ecuacin de salida del circuito; esta ecuacin se va
a representar sobre los ejes de las curvas de salida, que relacionan la corriente de
colector (I
C
) con la tensin Colector-Emisor (V
CE
) si se trata de una Configuracin
Emisor Comn.

PASOS A SEGUIR PARA LA GRAFICACIN.
Circuito Autopolarizado.


137

Fig. 103 Circuito Autopolarizado
Se busca la ecuacin de salida del circuito:
|
.
|
\
|
+ =
o
E
C C CC CE
R
R I V V

Se dibuja la ecuacin de salida sobre la curva caracterstica de salida del
transistor de la siguiente forma:
1. Se hace I
C
= 0 para conseguir el punto de corte en V
CE
quedando que
V
CE
= V
CC.

2. Se hace V
CE
= 0 para conseguir el punto de corte en I
C
quedando que
o
E
C
CC
c
R
R
V
I
+
= si se considera que I
C
~ I
E

E C
CC
c
R R
V
I
+
=
3. Uniendo los dos puntos se consigue la recta de carga de CD.



138

Fig. 104 Recta de Carga en Continua

Se puede observar que la recta de carga en CD solo depende de V
CC
, R
C
y R
E
; la
pendiente depende de R
C
y R
E
y es el inverso de la resistencia de salida en CD.
Si los valores de R
C
y R
E
varan, la pendiente de la recta de carga tambin variar. En
la figura 105 se puede observar como vara la pendiente de la recta para las
variaciones de (R
C
+ R
E
).

Fig. 105 Recta de Carga en Continua para las Variaciones de R
C
y R
E



139
Tambin el cambio de voltaje V
CC
mover la recta de carga de CD en forma paralela,
pero manteniendo la pendiente, tal como se muestra en la figura 106.

Fig. 106 Recta de Carga en Continua para las Variaciones V
CC

Debido que la operacin del circuito depende tanto de las caractersticas del
transistor, como de los elementos del circuito, la graficacin de ambas curvas (las
caractersticas del transistor y la recta de carga de CD) sobre una grfica permite la
determinacin del punto de operacin (Q) del circuito. La recta de carga de CD
describe todos los valores posibles de voltaje y corriente en la seccin de colector-
emisor del circuito.



140

Fig. 107 Recta de Carga en Continua sobre la caracterstica de Salida del Transistor

8.- EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR
Un transistor funciona como un interruptor para el circuito conectado al colector (R
C
)
si se hace pasar rpidamente de corte a saturacin y viceversa. En corte es un
interruptor abierto y en saturacin es un interruptor cerrado. Los datos para calcular
un circuito de transistor como interruptor son: el voltaje del circuito que se va a
encender y la corriente que requiere con ese voltaje. El voltaje V
CC
se hace igual al
voltaje nominal del circuito, y la corriente corresponde a la corriente I
CSAT
. Se calcula
la corriente de saturacin mnima, luego la resistencia de base mnima:
|
CSAT
BSAT
I
I =
min

min
max
BSAT
ON
B
I
V
R =
Donde V
on
es el voltaje en la resistencia de base para encender el circuito, el circuito
debe usar una R
B
por lo menos 4 veces menor que R
Bmax.



141
Adicionalmente se debe asegurar un voltaje en R
B
de apagado V
OFF
que haga que el
circuito entre en corte.
La principal aplicacin de transistor como interruptor es en los circuitos e integrados
lgicos, all se mantienen trabajando los transistores entre corte o en saturacin, en
otro campo se aplican para activar y desactivar rels, en este caso como la carga es
inductiva (bobina del rel) al pasar el transistor de saturacin a corte se presenta la
"patada inductiva" que al ser repetitiva quema el transistor se debe hacer una
proteccin con un diodo en una aplicacin llamada diodo volante.

Fig. 108 El Transistor NPN como Interruptor (a) Circuito Apagado (b) Circuito Encendido

Fig. 109 Circuito para el accionamiento de un rel


142

BIBLIOGRAFA

- Pal M. Chirlian Anlisis y Diseo de Circuitos Electrnicos. McGraw-Hill.
2
da
edicin. 1970
- Adel S. Sedra y Kenneth C. Smith Microelectronic Circuits. Oxford. 1998.
- Adel S. Sedra y Kenneth C. Smith. Dispositivos Electrnicos y
Amplificacin de Seales. McGraw-Hill. 1989.
- Robert Boylestad. Electrnica. Prentice Hall
- Donald Neamen. Anlisis y Diseo de Circuitos Electrnicos. McGraw-
Hill. 2001



143
Ejercicios Propuestos
Ejercicio 1
En el circuito regulador de tensin de la figura se tienen: VCC= 6.3 V, Rs=12O,
VZ=4.8V, rz=0. La corriente por el diodo Zener debe limitarse al rango: 5 mA s Iz s
100 mA.
a) Determinar el intervalo de corrientes de carga y resistencias de carga posibles
b) Calcular la potencia nominal requerida para el diodo.

Ejercicio 2
Determinar los valores de RL de modo que el Zener trabaje en la regin de ruptura.
Suponer I
zmn
= 0.1 I
zmx
. Vz=10 V, P
zmx
= 400 mW, rz = 0

Ejercicio 3
El diodo Zener de la figura regula una tensin fija entre sus terminales siempre que Iz
se mantenga entre 200 mA y 2 A. (rz = 0 O)
a) Calcular el valor de Rs de modo que la tensin de salida Vo se mantenga en 18V
mientras la tensin de entrada Vcc pueda variar entre 22 V hasta 28V.
b) Cul ser la mxima potencia disipada por el diodo?

Iz IL


144

Ejercicio 4
El circuito regulador Zener mostrado utiliza un diodo de 9 V (rz = 0 O). La tensin
de entrada vara entre 16 V y 25 V y la corriente por la carga vara entre 100 mA y
800 mA.
a) Calcular el valor de Rs
b) Determinar el margen de potencia por el Zener
c) Cul ser la variacin pico a pico en la salida si rz =5 O?

Ejercicio 5
Analizar el funcionamiento del circuito y dibujar la tensin de salida Vo(et).

Ejercicio 6
Para el circuito de la figura considerando que el diodo puede representarse por un
modelo lineal con V = 0 V y Rd =25 O, determinar:
a) la corriente media por la carga RL y por el diodo
b) la tensin media sobre la carga y sobre el diodo



145
c) la corriente y tensin eficaz sobre la carga
d) el factor de rizado
e) la tensin inversa de pico que soporta el diodo
f) el rendimiento de rectificacin q%
g) Es un buen circuito rectificador? Justificar

Ejercicio 7
El rectificador mostrado se utiliza como cargador de bateras. La capacidad de
la batera es de 100 Watts hora y su tensin es 24 V. La corriente de carga
promedio es Icc = 5 A. La tensin de entrada es de 60 Vef. a 60 Hz. Calcular el
ngulo de conduccin del diodo, la resistencia R de limitacin de corriente, la
potencia disipada por R, el tiempo de carga h en horas, la eficiencia de
rectificacin q y la tensin inversa que debe soportar el diodo

Ejercicio 8
Para los circuitos mostrados (rectificador de onda completa con punto medio y
rectificador de onda completa tipo puente) los diodos se pueden representar por un
modelo lineal con V = 0 V y Rd= 25 O. Determinar:
a) la corriente media por la carga RL y por el diodo
b) la tensin media sobre la carga y sobre el diodo
c) la corriente y tensin eficaz sobre la carga
d) el factor de rizado
e) la tensin inversa de pico que soporta el diodo
f) el rendimiento de rectificacin q%
.



146
g) Comparar las caractersticas de cada circuito.

Ejercicio 8
Analizar en el siguiente circuito las variaciones de vo(et) y de la corriente por los
diodos al variar C. Considerar C= 1 F, C= 10 F, C= 100 F.
Cmo conviene que sea C? Qu inconveniente presenta hacer C muy grande?

Ejercicio 9
El circuito anterior se modifica agregando un regulador Zener. Analizar el
funcionamiento del circuito. Dibujar las tensiones Vi, vs y Vo.


147

Ejercicio 10

Determinar el rango de valores de Vcc que mantendr la tensin sobre la carga Vo= 8
V sin exceder el valor mximo de potencia del diodo Zener. (rz = 0O)

Ejercicio 11

Se debe disear un regulador de tensin de modo de mantener una tensin de salida
de 20 V para una carga de 1 KO. Se sabe que la tensin de entrada tendr una
variacin entre 30 V y 50 V. Determinar el valor de Rs y la corriente por el Zener.
Suponer rz=0 O.

Ejercicio 12

Analizar el funcionamiento del circuito, dibujar vo(t). Podra usarse el circuito como
rectificador? Justificar. Calcular la tensin continua disponible.

Vi = 12 V sen wt,
f=60Hz



148
100V
-100V

Ejercicio 13

A un circuito rectificador de media onda se le aplican 10V eficaces y se lo carga con
RL. Suponiendo para el diodo un modelo lineal por tramos representado en directa
por V = 0 V y Rd= 20 O, y en inversa con Is= 0.075 A constante:
a) Obtener la expresin del valor medio de la tensin sobre la carga en funcin
de RL.
b) Calcular para RL= 1 KO, 50 KO, 1 MO. Comparar resultados.
c) Repetir considerando que V = 0.6V en lugar de V = 0V. Analizar resultados.
Ejercicio 14

Analizar el funcionamiento del siguiente circuito rectificador de salida
complementaria, considerando vi1= vi2 = 12 V sen wt (f=50 Hz). Dibujar las formas
vi


149
de onda de vo1 y vo2. Cunto vale la tensin inversa de pico sobre cada diodo?

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E en dicha regin de carga, y dirigido de

E de la regin de carga aumente; al ser el campo el elemento que se opone

de la ecuacin anterior, cambia mucho ms que T

No hay circulacin de corriente

= . Ver figura 33.

, es 0.3 V en vez de 0.7 V, la capacitancia

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