EL3004 Apuntes

1
Circuitos Electr onicos Anal ogicos

M. D
IAZ & F. P. MENA

Departamento de Ingeniera El ectrica
Universidad de Chile
c 2008 por Marcos Diaz & F. Patricio Mena.
Todos los derechos reservados. Se da permiso para imprimir libremente este documento y circular copias de el mientras no sea modicado y no sea
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Fecha de Producci on: 25 de noviembre de 2013.
Indice general
1. Introducci on 1
1.1. Motivaci on e Historia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
2. Fsica de Semiconductores 4
2.1. Desarrollo Hist orico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.1.1. Radiaci on de cuerpo negro . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.1.2. El efecto fotoel ectrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
2.1.3. El atomo de Bohr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.1.4. La hip otesis de Louis de Broglie. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.2. Dualidad Onda Partcula . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.3. Paquetes de onda: velocidades de fase y grupo de las partculas . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.4. La ecuaci on de onda de Schr odinger . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.5. Interpretaci on de la funci on de onda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.6. El principio de incertidumbre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
INDICE GENERAL II
2.7. Estructura electronica de los atomos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2.7.1. Partcula en un pozo potencial unidimensional . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2.7.2. El atomo de hidrogeno . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.7.3. Spin y el principio de exclusi on . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.8. Electrones en solidos: Teora de bandas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.8.1. Descripci on cualitativa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
2.8.2. Teorema de Bloch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
2.8.3. Modelo de Kronig-Penney . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
2.9. Semiconductores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3. Juntura pn: Diodo 54
3.1. Diodos de Juntura . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
3.1.1. Juntura pn en equilibrio sin voltaje aplicado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
3.1.2. Corriente en una juntura pn con polarizaci on inversa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
3.2. BJT: Estructura y operaci on b asica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
3.2.1. Caractersticas de colector del BJT NPN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
3.2.2. Regi on activa y Base com un . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
3.2.3. Flujos de Huecos y Electrones en la regi on activa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
3.2.4. Caractersticas I V en la regi on activa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
3.3. FET de Juntura (JFET) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
3.4. Metal-Oxide-Semiconductor FET (MOSFET) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
3.4.1. Descripci on . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
4. Operaci on Circuital de los Semiconductores y su Polarizaci on 85
4.1. Diodos: Modelos circuitales y operaci on . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
4.2. Aplicaciones del Diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
4.2.1. Circuitos Limitadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
4.2.2. Circuitos Recticadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
4.3. El diodo como Modulador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
4.4. Polarizaci on de los circuitos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
4.4.1. Circuitos pasivos y activos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
4.4.2. Denici on de una se nal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
INDICE GENERAL III

4.4.3. Se nal incremental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
4.5. Conceptos b asicos de polarizaci on . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
4.5.1. T ecnicas de polarizaci on para un BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
4.5.2. Concepto de Polarizaci on Estable en BJTs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
4.5.3. T ecnicas de polarizaci on para MOSFETs y JFETs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 119
4.5.4. Concepto de Polarizaci on Estable en FETs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
5. Tratamiento de se nal peque na y respuesta en frecuencia 126
5.1. Modelos de se nal peque na de circuitos anal ogicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 126
5.1.1. Modelo de se nal peque na del BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127
5.1.2. Modelo de se nal peque na del FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 133
5.2. Respuesta en frecuencia de los dispositivos semiconductores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 139
5.3. Fuentes de Capacitancia e Inductancia en Circuitos Electr onicos. . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
5.3.1. Capacitancia par asita entre conductores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
5.3.2. Inductancia par asita entre conductores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141
5.3.3. Capacitancia de la juntura pn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142
5.3.4. Capacitancia en el transistor BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
5.3.5. Capacitancias en un MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145
5.3.6. Capacitancias en un J-FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148
5.4. Respuesta de circuitos que contienen condensadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148
5.4.1. Capacitores de alta y baja frecuencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148
5.5. Superposici on de Polos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
5.5.1. Concepto de Polo Dominante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
5.5.2. Limite de alta frecuencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 153
5.5.3. Limite de baja frecuencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 154
5.5.4. M etodo de Polos Dominante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155
5.6. Efecto de C
(o C
gd
) en la respuesta del amplicador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159
5.6.1. Teorema de Miller y Multiplicaci on de Miller . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 161
5.7. Polos de alta frecuencia con resistencia de realimentaci on . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162
5.8. Respuesta en frecuencia con el capacitor de desvo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 163
INDICE GENERAL IV
6. Aplicador Diferencial 165
6.1. Topologa b asica del amplicador diferencial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 165
6.2. Se nales de modo diferencial y com un . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166
6.3. Amplicador Diferencial usando BJTs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 169
6.4. Amplicador Diferencial BJT con dos entradas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 172
6.4.1. Respuesta al modo diferencial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 172
6.4.2. Respuesta al modo com un . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175
6.4.3. Raz on de rechazo del modo com un . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177
6.4.4. Resistencias de entrada y salida del AD con BJTs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 178
6.4.5. Explicaci on Alternativa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180
6.4.6. Implementaci on de la fuente de corriente con BJTs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 182
6.5. Amplicador Diferencial con MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 186
6.5.1. Topologa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 186
6.5.2. Comportamiento DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 186
6.5.3. Comportamiento de se nal peque na . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 187
6.6. Comportamiento del AD a se nales grande . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 191
6.6.1. Amplicador Diferencial con BJTs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 191
6.6.2. Amplicador Diferencial con MOSFETs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 194
7. Multietapas y Amplicadores de potencia 196
7.1. Introducci on . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 196
7.2. Carga de entrada y salida . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 197
7.3. Amplicador de dos etapas en cascada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 198
7.4. Polarizaci on de amplicadores multietapa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200
7.5. Cambio del nivel DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 203
7.5.1. Cambios de nivel en circuitos con BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 203
7.5.2. Cambios de nivel en circuitos con MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 205
7.6. Amplicador diferencial en cascada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 206
Indice de guras
1.1. (a) Bardeen, Shockley, y Brattain en los laboratorios Bell. Brattain y Bardeen inventaron el
BJT en 1947. (b) El primer BJT de germanio. En nuestros das la electr onica es responsable
(aprox.) del 10 % del PIB del mundo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2. (a) Tubos de vacio, (b) Transistores discretos, (c) Cicuitos integrados de peque na (SSI) y me-
diana escala (MSI) y (d) Cicuitos integrados de gran escala (VLSI). . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.3. Curva de crecimiento del m aximo n umero posible de transistores integrados por a no. . . . . 3
1.4. Vista VLSI del micropocesador Intel Pentium IV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
2.1. Cavidad resonante que simula ser un radiador de cuerpo negro. . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.2. Radiaci on de cuerpo negro. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.3. Curvas experimentales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.4. Tomada de http://www.solarobserving.com/halpha.htm. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.5. Experimento de Thomson, Davisson y Germer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.6. Diagrama de complementariedad. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.7. Pozo de potencial innito en una dimensi on . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.8. Niveles de energa y funciones de onda en el pozo de potencial innito. . . . . . . . . . . . . 25
3.1. Vista esquem atica de un BJT ideal. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
3.2. Implementaci on cl asica de un BJT en los 80. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
3.3. Implementaci on actual de un BJT (vista lateral). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
3.4. Implementaci on actual de un BJT (vista superior). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
3.5. Circuito de prueba para obtener caractersticas del colector. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
INDICE DE FIGURAS VI
3.6. Curvas caractersticas I
C
V
CE
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
3.7. Interacci on de los portadores minoritarios y mayoritarios. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
3.8. Regiones de operaci on para un BJT de base com un. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
3.9. Operaci on del BJT ante polarizaci on de sus terminales. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
3.10. Comportamiento de los portadores en equilibrio termal. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
3.11. Comportamiento de las bandas en equilibrio termal. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
3.12. Comportamiento de los portadores en la regi on activa. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
3.13. Comportamiento de las bandas en la regi on activa. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
3.14. Corrientes dominantes en el BJT polarizado en la regi on activa. . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
3.15. Corrientes en un BJT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
3.16. Distribuci on de portadores en un BJT no polarizado. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
3.17. Distribuci on de portadores en un BJT polarizado en la regi on activa. . . . . . . . . . . . . . . 75
3.18. Corriente de colector, enfocado a la difusi on de electrones en la base. . . . . . . . . . . . . . . 76
3.19. Corriente de base, enfocada en la inyecci on de huecos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
4.1. Traslado o conversi on hacia bajas frecuencias. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
4.2. Diagrama de bloques de un amplicador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
4.3. BJT con se nal incremental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112
4.4. Ejemplo 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
4.5. (a)Circuito inversor BJT sin componente DC; (b)Relaci on entre las se nales de entrada y salida
determinada por la caracterstica inversa de transferencia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
4.6. (a) Inversor BJT con componente DC; (b) Relaci on entre se nal de entrada y salida . . . . . . . 116
4.7. Mosfet tipo mejorado de canal n polarizado con V
GG
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
4.8. Lnea de carga gracada sobre las curvas caractersticas v-i . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 121
4.9. MOSFET mejorado con realimentaci on . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
5.1. Caracterstica voltaje-corriente de la juntura base-emisor del BJT. . . . . . . . . . . . . . . . . 127
5.2. Caracterstica ideal v-i del puerto de salida del BJT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127
5.3. Modelo se nal peque na BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
5.4. Representaci on de ambas fuentes dependientes superpuestas . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129
5.5. BJT polarizado por V
BB
en su regi on activa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129
5.6. Sustituci on por el modelo de se nal peque na . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
INDICE DE FIGURAS VII

5.7. Representaci on en se nal peque na sin fuentes DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
5.8. Representaci on en se nal peque na sin fuentes DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132
5.9. Circuito con BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132
5.10. Modelo se nal peque na con fuente dependiente modelada por g
m
. . . . . . . . . . . . . . . . 133
5.11. Modelo de se nal peque na de un FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134
5.12. Curva de transconductancia del FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136
5.13. Ejercicio 6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136
5.14. Modelo de se nal peque na del ejercicio 6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 138
5.15. Aplicando una fuente en los terminales de salida para encontrar el equivalente de Th evenin 139
5.16. Equivalente de Th evenin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
5.17. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141
5.18. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141
5.19. Zona de agotamiento: cargas jas no compensadas aparecen alrededor de la juntura. Por
conservaci on de carga se debe cumplir que Q
+
= Q
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142
5.20. Cargas m oviles acumuladas fuera de la zona de agotamiento. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
5.21. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
5.22. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144
5.23. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145
5.24. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146
5.25. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
5.26. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
5.27. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148
5.28. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 149
5.29. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
5.30. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
5.31. Ejemplo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151
5.32. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151
5.33. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
5.34. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
5.35. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 154
5.36. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155
INDICE DE FIGURAS VIII

5.37. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156
5.38. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156
5.39. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 157
5.40. Ejemplo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 157
5.41. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 158
5.42. Polo 1: Th evenin con C
2
en corto,
b1
= (R
ThC1
C
1
)
1
. Polo 2: Th evenin con C
1
en corto,
b2
= (R
ThC2
C
2
)
1
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 158
5.43. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 158
5.44. Polo 1: Th evenin con C
L
en abierto,
a1
= (R
ThCgs
C
gs
)
1
. Polo 2: Th evenin con C
gs
en
abierto,
a2
= (R
ThCL
C
L
)
1
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 158
5.45. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159
5.46. Ejemplo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160
5.47. Ejemplo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160
5.48. Ejemplo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160
5.49. Ejemplo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 161
5.50. Ejemplo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 161
5.51. Ejemplo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 161
5.52. Ejemplo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162
5.53. Ejemplo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162
6.1. Topologa de amplicaci on con transistor unico (a) BJT y (b) MOSFET. . . . . . . . . . . . . . 166
6.2. Topologa de amplicador diferencial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
6.3. Modos diferencial y com un en un amplicador diferencial. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
6.4. Amplicador diferencial con BJT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 169
6.5. Transistor Q
2
separado del resto del amplicador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170
6.6. Circuito con Q
2
sustituido por su resistencia equivalente. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 171
6.7. AD con dos entradas simult aneas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 172
6.8. Circuito equivalente de un AD con dos entradas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173
6.9. Circuito equivaletente del AD. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175
6.10. Fuente de prueba para calcular resistencia de salida diferencial. . . . . . . . . . . . . . . . . . 179
6.11. Circuito equivalente de un amplicador diferencial. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180
6.12. Circuito para determinar la resistencia equivalente r
n
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 186
INDICE DE FIGURAS IX
6.13. Circuito equivalente del MOSFET tomando en cuenta el efecto de cuerpo. . . . . . . . . . . . 188
6.14. Circuito del AD con los transistores de cambio de nivel reemplazados por sus resistencias
equivalentes. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 189
7.1. Modelo lineal de un amplicador de una etapa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 197
7.2. Amplicador de dos etapas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 198
7.3. Amplicador de tres etapas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200
7.4. Tabla ejercicio 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200
7.5. Implementaci on de un amplicador de dos etapas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 201
7.6. Amplicador de dos etapas con polarizaci on va dispositivos activos . . . . . . . . . . . . . . 201
7.7. Cascada multietapa que muestra par ametros de polarizaci on . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 204
7.8. Cambio de nivel DC por medio del zener D
2
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 204
7.9. Cambios de nivel en un amplicador NMOS de dos etapas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 205
7.10. Circuito alternativo sin dispositivos con cadas de tensi on jas, utilizando cambio de roles de
los CMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 206
7.11. Amplicador diferencial de dos etapas con BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 207
7.12. Evaluaci on del amplicador diferencial de la gura 7.11 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 208
7.13. Conexiones para evaluar el modo com un . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 208
Captulo 1
Introducci on
1.1. Motivaci on e Historia
Resumen del impacto de la electronica
(a) (b)
Figura 1.1: (a) Bardeen, Shockley, y Brattain en los laboratorios Bell. Brattain y Bardeen inventaron el BJT en 1947. (b) El primer BJT de germanio. En
nuestros das la electr onica es responsable (aprox.) del 10 % del PIB del mundo.
Fuente: Presentaci on de Gordon Moore en la Conferencia International de Circuitos de Estado S olido
del a no 2003.
1.1 Motivaci on e Historia 2
Cuadro 1.1: Hitos de la electr onica
1874 Braun inventa el recticador de estado
solido
1963 Se forma la IEEE de IRE y AIEE.
1906 DeForest inventa el tubo de triodo de
vacio.
1968 Primer OpAmp comercial.
1907-1927 Primer circuito de radio desarrollado
de diodos y triodos.
1970 Dennard inventa la celula de tran-
sistor DRAM en IBM.
1925 Lilienfeld patenta el dispositivo de
efecto de campo.
1971 Aparece el microprocesador Intel
4004.
1947 Bardeen y Brattain inventan el transis-
tor bipolar en los laboratorios Bell.
1974 Aparece el microprocesador 8080.
1952 En Texas Instruments comienza la pro-
ducci on comercial de BJTs
1978 Primera memoria comercial de 1-
kilobit.
1956 Bardeen, Brattain y Shockley reciben el
Premio Nobel.
1984 Aparece el chip de memoria de Me-
gabit.
1958 El circuito integrado (IC) es desarrolla-
do por Kilby y Noyce.
2000 Alferov, Kilby, y Kromer comparten
el premio Nobel.
1961 Aparece el primer IC comercial (Fair-
child semiconductor).
(a) (b)
(c) (d)
Figura 1.2: (a) Tubos de vacio, (b) Transistores discretos, (c) Cicuitos integrados de peque na (SSI) y mediana escala (MSI) y (d) Cicuitos integrados
de gran escala (VLSI).
1.1 Motivaci on e Historia 3
Figura 1.3: Curva de crecimiento del m aximo n umero posible de transistores integrados por a no.
Figura 1.4: Vista VLSI del micropocesador Intel Pentium IV
Captulo 2
Fsica de Semiconductores
En este captulo se presentar an de forma resumida los postulados b asicos de la mec anica cu antica y la
relaci on que estos postulados tienen con los semiconductores y su funcionalidad sist emica. Esta funciona-
lidad ser a vista en captulos posteriores.
2.1. Desarrollo Hist orico
A pesar de que la mec anica cl asica se caracteriza por su generalidad y gran utilidad, a comienzos del
siglo XX mostr o ser incapaz de explicar apropiadamente el comportamiento de las partculas at omicas (e.g.
electrones) y su interacci on con otras partculas u ondas. As la mec anica cl asica debi o ser extendida a una
teora m as general que sea capaz de explicar los fen omenos en micro escalas. Esta teora es la llamada
mec anica cu antica.
Los modelos de mec anica cl asica, presentado por Newton en su famosa segunda ley
F =
dp
dt
, (2.1)
y por las leyes de electromagnetismo, resumido en las ecuaciones de Maxwell
2.1 Desarrollo Hist orico 5
c(r, t) =
B(r, t)
t
T(r, t) = (r, t)
1(r, t) = (r, t) +
T(r, t)
t
B(r, t) = 0, (2.2)
probaron ser adecuados para explicar la mayora de los experimentos desarrollados antes del siglo XX. De
hecho, mucha de la ingeniera de gran escala (tama nos superiores a los at omicos) pueden ser explicada
hoy por hoy con la mec anica cl asica. Adem as, su simplicidad comparada con la mec anica cu antica resulta
ser ventajosa para modelar fen omenos, donde los efectos de las micropartculas pueden ser despreciados.
Sin embargo, algunos experimentos llevados a cabo a comienzos del siglo pasado dejaron en evidencia las
limitaciones que la mec anica cl asica tiene para predecir eventos que toman lugar en una escala microsc opi-
ca. En las siguentes subsecciones presentaremos algunos de los experimentos que dejaron al descubierto
las falencias de la mec anica cl asica. Al explicar estos experimentos se presentan, adem as, las bases de la
mec anica cu antica.
2.1.1. Radiaci on de cuerpo negro
Uno de los primeros experimentos que puso en evidencia los problemas de la mec anica cl asica para
explicar ciertos fen omenos fue el de cuerpo negro, donde el modelo cl asico falla en explicar el espectro de
radiaci on de un radiador incandescente o cuerpo negro (e.g. el sol). En este experimento, la intensidad
de radiaci on emitida por un cuerpo es medida como funci on de la frecuencia o longitud de onda para
una temperatura ja. Tanto el experimento de laboratorio como su descripci on te orica se basan en una
cavidad cerrada con s olo un peque no agujero, cuyas paredes se mantienen a una temperatura constante
T. La energa emitida por las paredes, que se encuentran en equilibrio termodin amico, llenar a la cavidad.
Una porci on despreciable de la radiaci on escapa al exterior por el agujero. La radiaci on emitida por este
agujero se denomina radiaci on del cuerpo negro. Experimentalmente se encuentra que el espectro emitido
por el agujero s olo depende de la temperatura T y no del material de la que est a hecha la caja. El resultado
espectral tipico es mostrado en la Figura 2.2.
Para encontrar la densidad de energa u() radiada a una cierta frecuencia angular , hay que multipli-
Figura 2.1: Cavidad resonante que simula ser un radiador de cuerpo negro.
Figura 2.2: Radiaci on de cuerpo negro.
car la densidad de modos n() de las ondas electromagn eticas
1
por la energa promedio

E
que posee un
modo a esa frecuencia,
u() =

2
V
2
c
3
. .
n()
,
donde c es la velocidad de la luz y V el volumen de la caja.
Las primeras teoras que intentaron explicar esta evidencia experimental, se basaron en ideas de la
mec anica cl asica incorporadas en la teora termodin amica.
Seg un la teora estadstica cl asica, la probabilidad de que un oscilador tenga energa entre E y E + dE,
si la temperatura es T, viene dada por la distribuci on de Boltzmann
f(E) = exp(E/k
B
T).
Usando este resultado podemos evaluar el valor promedio de la energa

E
=
_
0
Eexp(E/k
B
T)dE
_
0
exp(E
/k
B
T)dE
=
d
d
_
log
_

0
e
d
_
=
d
d
log
1
=
1
,
donde (k
B
T)
1
y k
B
es la constante de Boltzmann. Con este resultado la densidad de energa es
u() =

2
V k
B
T
2
c
3
, (2.3)
conocida como la f ormula de Rayleigh-Jeans. Por otro lado, la energa interna total, U, de la radiaci on de la
caja se obtiene integrando la densidad u() sobre todas las frecuencias
U =
V k
B
T
2
c
3
_

0
2
d = ,
resultado obviamente absurdo.
Actualmente se sabe que el error cometido en estos modelos fue el supuesto de que los osciladores
at omicos son capaces de absorber o emitir energa en cantidades continuas. No fue hasta 1901 cuando
Max Planck corrigi o este concepto, prediciendo con su modelo la intensidad de la radiaci on para todas las
longitudes de ondas. El nuevo concepto presentado por Planck propone que la energa poda ser solamente
absorbida o emitida por el cuerpo negro en cantidades discretas.

El asumi o que la energa de la onda de
1
Este resultado es un ejercicio cl asico de una cavidad resonante. Para lo que nos ata ne, lo importante est a en la energa, por esto
este resultado se deja al lector.
luz, por ejemplo, es transportada en paquetes llamados fotones o quanta.

El supuso que la energa de un
fot on esta dada por:
E = nhf, donde f = frecuencia, h = constante y n = n umero cu antico N
.
Entonces, para calcular

E
hay que usar sumatorias, en lugar de integrales
n=0
nhfe
nhf
k
B
T
n=0
e
nhf
k
B
T
= hf
d
d
_
log
n=0
e
n
_
=
hf
k
B
T
=
hf
e
hf
k
B
T
1
=
_
_
k
B
T si
hf
k
B
T
1, Rayleigh-Jeans
hf e
hf
k
B
T
si
hf
k
B
T
1, Ley emprica de Wien.
(2.4)
Esta es la distribuci on de Plank. Usando la ecuaci on 2.4 se obtiene
u() =

2
V
2
c
3
_
hf
e
hf
k
B
T
1
_
,
lo que est a en completo acuerdo con los resultados experimentales, considerando que h toma el valor
de 6,626 10
34
[J s].
2.1.2. El efecto fotoel ectrico
Si se hace incidir luz con longitud de onda sucientemente corta (o alta frecuencia) sobre una super-
cie de metal, entonces, es posible que los electrones de este escapen, este es el llamo efecto fotoel ectrico.
Este fen omeno por s solo es f acil de explicar, la luz que incide sobre la placa transporta una cierta energa
que la traspasa a los electrones. Algunos electrones adquieren suciente energa como para sobrepasar la
barrera de potencial que los mantiene dentro del metal. Un estudio m as cuantitativo de este efecto trajo,
sin embargo, algunos resultados completamente inesperados. Lenard encontr o que la energa de los elec-
trones emitidos, no depende de la intensidad de la luz incidente. Al disminuir la intensidad de la luz,
s olo disminuye el n umero de electrones. Por otro lado, la energa de los electrones emitidos s olo depende
de la frecuencia de la luz y del metal considerado. Otro hecho experimental interesante es que aparecen
electrones tan pronto como se hace incidir luz sobre la placa met alica.
La teora electromagn etica cl asica es completamente incapaz de explicar estos resultados. Seg un esta,
la intensidad de la luz es proporcional al cuadrado del campo electromagn etico. Adem as, cl asicamente,
la energa irradiada por una carga oscilante es proporcional a la energa del oscilador y viceversa. Por
lo tanto, la energa absorbida por una carga es proporcional a la intensidad del campo electromagn etico
a la que est a expuesta. Luego, se espera que la energa de los electrones emitidos sea proporcional a la
intensidad de la luz. Tambi en el modelo cl asico (el cual asume una distribuci on de la energia de la onda
de manera uniforme sobre el metal) predice que el tiempo que requieren los electrones para absorber la
energa observada es 1 min. Esto est a en contradicci on con los hechos experimentales, pues los electrones
aparecen inmediatamente. Pareciera ser que la energa de la luz no se distribuye homog eneamente sobre
toda la placa (como lo requiere la teora electromagn etica cl asica), sino que la onda colapsa, concentrando
toda la energa entreg andosela a un electr on.
Planck supus o que un oscilador de frecuencia s olo puede tener energas E
n
= n con n N
. Por lo
tanto, al absorber energa de un campo electromagn etico, esta s olo puede cambiar en un m ultiplo entero de
. Estas consideraciones hicieron postular a Einstein (lo que le vali o el premio Nobel) la siguiente hip otesis
para resolver el problema planteado por el efecto fotoel ectrico. Una onda electromagn etica de frecuencia
y energa n colapsa en (est a compuesta de) n partculas (llamadas fotones) con energa . De esta
hip otesis se deduce inmediatamente que la cantidad de partculas que aparecen por el colapso de la onda es
proporcional a la intensidad de onda electromagn etica. Note que la energa de las partculas, sin embargo,
depende s olo de la frecuencia. Si es la funci on de trabajo del metal (es decir, la energa necesaria para
remover un electr on de la supercie del metal) entonces la energa del electr on emitido viene dada por
E
e
= .
Este comportamiento lineal de E
e
con (ver Fig. 2.3) predicho por Einstein, fue m as tarde vericado
experimentalmente por Millikan. La teora de Einstein explica completamente todos los hechos experimen-
tales del efecto fotoel ectrico.
2.1.3. El atomo de Bohr
Si a un elemento en su estado gaseoso se le entrega energa (por ejemplo calent andolo), emite radia-
ci on electromagn etica. Si se analizan las frecuencias (o longitudes de onda) contenidas en esta radiaci on, se
encuentra que aparecen solamente cierto conjunto de frecuencias, llamadas lneas espectrales, caractersti-
cas del elemento que se est e analizando. Igualmente, si luz blanca atraviesa el gas, se encuentra que las
mismas frecuencias fueron absorbidas. Para el hidr ogeno, los resultados experimentales se muestran en
Figura 2.3: Curvas experimentales
la Figura 2.4. Nuevamente, estos resultados no se pueden entender desde un punto de vista puramente
cl asico.
Consideremos un atomo de hidr ogeno, es decir, un electr on orbitando alrededor del n ucleo compuesto
a su vez por un prot on. La fuerza de atracci on entre ambos est a dada por la ley de Coloumb. Entonces, por
la 2da. ley de Newton tenemos
F =
q
2
4
0
r
2
=
m
e
v
2
r
La energa del electr on, E, es la suma de su energa potencial, U, y su energa cinetica, K. Por lo tanto,
U =
q
2
4
0
r
K =
1
2
m
e
v
2
=
q
2
8
0
r
E =
q
2
8
0
r
(2.5)
Figura 2.4: Tomada de http://www.solarobserving.com/halpha.htm.
Y su frecuencia de rotaci on, f, est a dada por
f =
v
2r
=
q
4
0
m
e
r
2
Sin embargo, la teora cl asica predice que una partcula cargada al moverse, emite una onda electro-
magn etica. En este proceso, la energa de la partcula se convierte en energa electromagn etica por lo que
eventualmente, el electr on colapsara contra su n ucleo. Los atomos no podran existir!
E
1
E
2
= hf
12
(2.6)
Asumiendo que el momento angular est a cuantizado,
L = m
e
vr = n donde n = 1, 2, 3 . . . (2.7)
v
2
=
2q
2
8m
e
0
r
=
n
2
m
2
e
r
2
(2.8)
r
n
=
4n
2
0
q
2
m
e
=
n
2
h
0
q
2
m
e
0, 05n
2
nm (2.9)
Usando el radio y la Ec. (2.5) se obtiene,
E
n
=
q
2
8
0
q
2
m
e
n
2
h
2
0
=
m
e
q
4
8
2
0
n
2
h
2

13, 6
n
2
eV (2.10)
2.1.4. La hip otesis de Louis de Broglie.
Los experimentos y efectos descritos en las secciones anteriores demuestran que la luz tiene un compor-
tamiento ondulatorio o corpuscular seg un la situaci on en que se observa. Por otro lado, se puede asociar
una cantidad de movimiento a la luz. De hecho, en las condiciones adecuadas, se puede observar expe-
rimentalmente que un haz de luz puede mover objetos materiales. Entonces, se pueden establecer las
siguientes relaciones
La hip otesis de Louis de Broglie.
E = (Postulado de Einstein) E = pc
luego
p =

c
= k =
hf
c
=
h
, (2.11)
donde k = /c es el vector de onda, f = /(2) la frecuencia, = c/f la longitud de onda y h = 2.
En 1924 Louis de Broglie aventura la hip otesis de que una partcula material cualquiera (electr on, prot on, o cualquier otra) se
comporta tambi en como onda conociendo su longitud de onda por la expresi on
=
h
p
(2.12)
en concordancia con la Ec. (2.11) para fotones. Tal hip otesis no era m as que una especulaci on, pero en 1925 Davisson y Germer
descubrieron accidentalmente que al hacer incidir electrones de 40 eV sobre un monocristal de nquel se observa, efectos de difracci on.
Figura 2.5: Experimento de Thomson, Davisson y Germer
Hay interferencia constructiva si
2d cos = n conn N.
Casi al mismo tiempo que Davisson y Germer hacen su descubrimiento, Thomson hace incidir electrones de alta energa (
10000 eV) sobre l aminas muy delgadas de oro, observando las mismas im agenes que aquellas obtenidas por rayos-X. Por ultimo,
Rupp mide la longitud de onda de un electr on mediante una red de difracci on, conrmando la Ec. (2.12). !Y sin embargo el electr on
muestra masa y carga denida, como cualquier partcula!
Johnson observa propiedades ondulatorias de atomos de hidr ogeno, y m as adelante, Stern y Frish (1937) observan difracci on de
atomos de He sobre cristales de oruro de litio. Tambi en se ha observado la tpica difracci on de Fresnel en neutrones lentos por un
borde bien determinado (ver Am. J. Phys. 295, (1977)).
Estos experimentos conrman la idea de que las partculas poseen tambi en propiedades ondulatorias (difracci on). Por otra parte,
el efecto fotoel ectrico y el efecto Compton muestran que las ondas electromagn eticas maniestan adicionalmente propiedades de
2.2 Dualidad Onda Partcula 15
partcula. De esta manera es como se lleg o a la formulaci on del principio de complementaridad.
2.2. Dualidad Onda Partcula
c = f (2.13)
p =
E
c
(2.14)
Explicaci on: Fuerza sobre un fot on
dE = Fdx (2.15)
F =
dp
dt
(2.16)
dE =
dpdx
dt
=
dx
dt
dp = c dp (2.17)
p =
E
c
(2.18)
p =
E
c
=
E
f
=
hf
f
=
h
(2.19)
Manzana
Si m = 0, 2 kg y v = 10 m.s
1
p = mv = 0, 2 10 = 2 kg.m.s
1
(2.20)
=
h
p
=
6, 6 10
34
2
10
34
m (2.21)
Electron
1
2
mv
2
= qV (2.22)
2.3 Paquetes de onda: velocidades de fase y grupo de las partculas 16
v =
_
2qV
m
(2.23)
p = mv =
_
2qV m (2.24)
=
h
p
=
h
2qV m
=
1,225
V
nm (2.25)
Si V = 50 V, = 1,7 10
7
mm.
2.3. Paquetes de onda: velocidades de fase y grupo de las partculas
Consideremos una superposici on de ondas que dieren muy poco en su frecuencia angular (por un valor
) y en su n umero de onda (por un valor ). Entonces,
n
q=0
cos[( +q)t + ( +q)x] (2.26)
200 100 0 100 200
10
5
0
5
10
x
n0, 0.01, 0.01
Un paquete de ondas se forma cuando y son peque nos (o n ). Un paquete de ondas engloba
los conceptos de onda y localizaci on.
Velocidad de fase
v
f
=

(2.27)
Velocidad de grupo
v
g
=

(2.28)
200 100 0 100 200
10
5
0
5
10
x
n9, 0.01, 0.01
v
g
v
f
200 100 0 100 200
4
2
0
2
4
x
n1, 0.050, 0.050
De acuerdo a la hip otesis de De Broglie y la relaci on de Planck, a una partcula libre le podemos asociar
una longitud y una frecuencia angular
p = mv =
h
K =
1
2
mv
2
= hf (2.29)
=
2
=
2p
h
=
p
= 2f =
2K
h
=
K
(2.30)
Por lo que a la partcula le podemos asociar una funci on de onda, en analoga con una onda electromagn eti-
ca monocrom atica, de la siguiente manera
= A
0
e
j(Ktpx)/
(2.31)
Con esta funci on de onda est an relacionadas las siguientes velocidades
v
f
=

=
K
p
=
1
2
mv
2
mv
=
v
2
vg =

= v (2.32)
v-velocidad de la partcula
Princicpio de Complementariedad (Dualidad onda Partcula)
La materia posee naturaleza de partcula y de onda. Cu al de ellas se maniesta en un experimento
partcular depende de qu e propiedad es medida por el aparato. El siguiente diagrama representa al prin-
cipio de complementariedad
Principio de Correspondencia
En la optica fsica, al considerar ondas electromagn eticas de longitud de onda mucho menor que
las dimensiones tpicas de los elementos con que interact ua se obtiene lo que es conocido como optica
geom etrica. En la optica geom etrica la naturaleza ondulatoria no entra en juego, y perfectamente se puede
Figura 2.6: Diagrama de complementariedad.
2.4 La ecuaci on de onda de Schr odinger 20
considerar a la luz de naturaleza corpuscular. De la misma forma se puede pensar que la mec anica cl asica
de Newton es el lmite de longitudes de onda corta de la mec anica cu antica.
optica fsica
0
optica geom etrica
mec anica ondulatoria
0
mec anica cl asica.
Recordando la relaci on de de Broglie ( = h/p) se obtiene que si h 0 entonces 0.
2.4. La ecuaci on de onda de Schr odinger
En la teora cl asica se sabe que las ondas electromagn eticas est an descritas por una ecuaci on, conocida
como ecuaci on de onda. Si uno conoce las condiciones de frontera en una situaci on fsica determinada, las
ondas electromagn eticas pueden ser encontradas a partir de esta relaci on. Para una onda monocrom atica
en un medio sin p erdidas tenemos
2
H
x
2
=
2
H
t
2
(2.33)
H = H
0
e
j(tx)
(2.34)
Este hecho llev o a Erwin Schr odinger a preguntarse si exista una ecuaci on similar que describiese el
comportamiento de las funciones de onda. Para encontrarla, postul o una funci on de onda para una partcu-
la libre (ver Sec. 2.2) y us o analogas con la mec anica cl asica.
La energa y funci on de onda para una partcula libre son
E = = K + U (2.35)
= A
0
e
j(Etpx)/
(2.36)
Derivando la funci on de onda una vez respecto a t y dos veces respecto a x, tenemos
t
=
j
E =
j
U +
1
2
mv
2
(2.37)
2.4 La ecuaci on de onda de Schr odinger 21
x
2
=
p
2
2
=
m
2
v
2
2
(2.38)
1
2
mv
2
= j
t
+ U (2.39)
1
2
mv
2
=
1
2m
x
2
(2.40)
Ecuaci on de Schordinger en 1D
x
2

2m
2
U + j
2m
t
= 0 (2.41)
Ecuaci on Schordinger en 3D
x
2
+

2
y
2
+

2
z
2

2m
2
U + j
2m
t
= 0 (2.42)
Si el potencial U depende solamente de la posici on, la E.S. puede simplicarse. En este caso, supondre-
mos que la funci on de onda puede escribirse como el producto de una parte dependiente solo del tiempo y
otra que depende solamente de la posici on. Entonces,
= (x)(t) (2.43)
Al reemplazarla en la E.S. se obtiene que
2
2m
1
d
2
dx
2
U = j
d
dt
(2.44)
Entonces
d
dt
= j
C
(2.45)
(t) = e
jCt/
Al compararla con Ec. 2.36 tenemos que
(t) = e
jEt/
= (x)e
jEt/
que reemplazada nuevamente en Ec. 2.44 da
Ecuaci on de Schrodinger (ES) unidimensional e independiente del tiempo
2.5 Interpretaci on de la funci on de onda 22
d
2
dx
2
+
2m
2
(E U) = 0 (2.46)
2.5. Interpretaci on de la funci on de onda
[[
2
es proporcional a la probabilidad de una partcula de estar dentro de una unidad de volumen,
centrada en el punto donde es evaluada, en el tiempo t.
Probabilidad de encontrar una partcula en el rango x x+dx, y y+dy y z z+dz es proporcional
a:
[(x, y, z)[
2
dxdydz =
dxdydz. (2.47)
Es conveniente tomar la constante de proporcionalidad tal que la integraci on sobre todo el espacio
sea igual a 1.
_ _ _

[(x, y, z)[
2
dxdydz = 1 (2.48)
y
deben ser funciones continuas y uni-evaluadas.

2.6. El principio de incertidumbre
Una consecuencia importante de la mec anica cu antica es la existencia de pares de cantidades que no
pueden ser medidas exactamente al mismo tiempo. Esta no es una limitaci on experimental sino mas bien
una fundamental. No importa que tan precisos o libres de errores sean los aparatos que se miden, estos
pares de cantidades no se pueden medir simult aneamente con precisi on arbitraria. Ejemplos de estos pares
son la posici on y la cantidad de movimiento, y la energa y el tiempo. Heisenberg estim o los errores al hacer
una medici on simult anea de energa y tiempo est an relacionadas por
2
Et h (2.49)
x = vt (2.50)
2
http://plato.stanford.edu/entries/qt-uncertainty/
2.7 Estructura electronica de los atomos 23
x
x
x
E = hf = mvv = vp
px

2
(2.51)
Ecuaci on exacta.
2.7. Estructura electronica de los atomos
2.7.1. Partcula en un pozo potencial unidimensional
Un atomo de hidrogeno, el cual est a formado por un prot on, un neutr on (ambos en el n ucleo) y un
electr on (orbitando el n ucleo) puede modelarse, en primera aproximaci on, como un pozo de potencial,
donde U = 0 para 0 x y U = para x > d y x < 0 (ver gura 2.7). Usando esta aproximaci on y la
ecuaci on de Sch oridenger (ES) se desea calcular los posibles estados energ eticos del electr on y sus funciones
de onda.
Usando la ES unidimensional e independiente del tiempo, Ec. (2.41), dentro del pozo donde U = 0
(0 x d), se tiene
d
dx
2
+
2m
2
(E U
..
0
) = 0
d
dx
2
+
2m
2
E = 0
= Ae
jx
+Be
jx
con =
_
2m
2
E
Modelo simple: Pozo Potencial Infinito
Cules son las f.o. y sus energas?
V V
0 x d x
0

x E x x V
x
x
m

2
2 2
d
d
2

0
2
d
d
2 2
2

x E
m
x
x
b
2
x j B x j A x exp exp
1. Ecuacin de Schrdinger:
0 V
Figura 2.7: Pozo de potencial innito en una dimensi on
Dado que el potencial es innito fuera del pozo, el electr on no puede estar fuera del pozo lo que implica
que Psi = 0 fuera de este.
Como = 0 en x = 0, B = A. Como = 0 en x = d, A(e
jd
e
jd
) = 0 sin(d) = 0.
d =
_
2mE
_
d = n donde n = 1, 2, 3, . . .
= C sin
_
nx
d
_
_
d
0
dx = 1
_
d
0
C
2
sin
2
_
nx
d
_
dx = 1
n
=
_
2
d
sin
_
nx
d
_
n = 1, 2, 3 . . .
E =

2
n
2
2
2m
e
d
2
=
n
2
h
2
8m
e
d
2
n = 1, 2, 3 . . .
= V
0 = V
= V
0 = x
d x =
( )
|
.
|
\
|
= + x
d
n
d
x
n
t
sin
2
2
2 2 2
2md
n
E
n
t
=
+
1
+
2
0 = x
d x =
+
3
( ) x
n
+
E
1
E
2
E
3
= V
0 = V
= V
0 = x
d x =
( )
|
.
|
\
|
= + x
d
n
d
x
n
t
sin
2
2
2 2 2
2md
n
E
n
t
=
+
1
+
2
0 = x
d x =
+
3
( ) x
n
+
E
1
E
2
E
3
Figura 2.8: Niveles de energa y funciones de onda en el pozo de potencial innito.
2.7.2. El atomo de hidrogeno
+
0

Un potencial m as realista para el atomo de hidr ogeno viene dado por la atracci on electrost atica, dada
por la ley de Coulomb, que ejerce el n ucleo (de carga +e) sobre el electr on (de carga e).
La energa potencial es, entonces
U =
q
2
4
0
r
(2.52)
Resolviendo la E.S. en coordenadas esf ericas se tiene
1
r
2
r
2
+
1
r
2
sin
sin
+
1
sin
2
2
+
2m
E +
q
2
4
0
r
= 0 (2.53)
Una soluci on particular,
1
, se puede obtener asumiendo simetra en y
d
2
1
dr
2
+
2
r
d
1
dr
+
2m
2
_
E +
q
2
4
0
r
_
1
= 0 (2.54)
La forma de la soluci on de esta ecuaci on es:
1
= Ae
r/r0
(2.55)
Recordando que la probabilidad de encontrar el electr on en todo el espacio es igual a 1, es decir, norma-
lizando, tenemos
_

0
4r
2
dr = 4A
2
_

0
r
2
e
2r/r0
dr = 1 (2.56)
A =
1/2
r
3/2
0
Entonces,
1
=
1/2
r
3/2
0
e
r/r0
(2.57)
Insertando Eq. 2.57 en Eq. 2.54:
1
r
0
2
rr
0
+
2m
2
_
E +
q
2
4
0
r
_
= 0 (2.58)
Resolviendo para r
0
:
2
rr
0
=
2mq
2
4
2
0
r
r
0
=
4
2
0
mq
2
(2.59)
E
1
=

2
2m
e
r
2
0
=
m
e
q
4
8h
2
2
0
(2.60)
El supuesto de simetria simplica demasiado y solo encontramos una aproximaci on de la energa del pri-
mer nivel. La energa puede ser obtenida apropiadamente obviando el supuesto de simetra y resulta ser
E
n
=
E
1
n
2
=
1
n
2
m
e
q
4
8h
2
2
0
(2.61)
La probabilidad de encontrar al e
en una cascara de espesor dr es

dP
r
= [
1
[
2
4r
2
dr =
_
4r
2
r
3
0
_
e
2r/r0
dr (2.62)
dP
r
dr
=
_
4r
2
r
3
0
_
e
2r/r0
(2.63)
Probabilidad ms
alta de encontrar el
electrn est en r = a
(r, , ) = R(r) ()()
. .
Y (,)
(2.64)
Con algo de algebra y una elecci on conveniente de constantes se tiene
2.8 Electrones en solidos: Teora de bandas 28
1
R
d
dr
_
r
2
dR
dr
_
2mr
2
2
[V (r) E] = l(l + 1)
1
_
sin
d
d
_
sin
d
d
__
+l(l + 1)sin
2
= m
2
1
d
2
d
2
= m
2
(2.65)
nlm
=
_
_
2
na
_
3
(n l 1)!
2n[(n +l)!)]
3
e
r/na
_
2r
na
_
l
L
2l+1
nl1
_
2r
na
_
Y
m
l
(, ). (2.66)
2.7.3. Spin y el principio de exclusi on
Existe otro n umero cu antico, ademas de n, l y m, que describe un electr on de un atomo. Este n umero
cu antico es el Spin, s. Este n umero reperesenta la rotaci on del electr on sobre su propio eje. Se obtiene
resolviendo la ecuaci on de Schrodinger reletivista.
Por lo tanto, un electr on en un atomo est a completamente denido por 4 n umeros cu anticos,
(n, l, m, s).
El principio de exclusi on dice que no hay 2 electr ones con valores cu anticos iguales.
2.8. Electrones en solidos: Teora de bandas
En esta secci on veremos como los niveles de energa (i.e. descritos por valores discretos) que aparecie-
ron en atomos individuales se convierten en bandas de energa (i.e. descritos por rangos contnuos) cuando
juntamos muchos de ellos en un s olido y estos interactuan ente s. Empezaremos por una descripci on cua-
litativa de como se origina este proceso, y luego expondremos el modelo m as simple, el de Kronig-Penney,
que da cuenta del aparecimiento de estas bandas de energa.
n l m
1
2
0
0
1
1
-1
0
0
0
1s
2s
2p
He H
Li Be
B
C
N
O
F
Ne
2.8.1. Descripci on cualitativa
Consideremos dos atomos separados una distancia r modelados por pozos potenciales. Si r es sucien-
temente grande la funci on de onda de cada atomo permanece inalterada.
F.O. negativa
tambin es solucin
r
d d
Y
2
2 2
8md
h n
E
n

1
=
2
8
2

E
n
=

2
n
2
2
2m
e
d
2
=
n
2
h
8m
e
d
2
E
1
=
h
2
8m
e
2
(2.67)
Ahora los atomos son acercados.
r < d
r = d
r > d
d d
d d
r+d
r
E
1,sim
=
h
2
8m
e
(2)
2
=
1
4
h
2
8m
e
2
r < d
r = d
r > d
d d
d d
r+d
r
E
1,anti
=
2
2
h
2
8m
e
(2)
2
=
h
2
8m
e
2
pozo con n = 2
E
1,sim
=
h
2
8me(r+)
2
E
1,anti
=
2
2
h
2
8me(r+)
2
M as atomos son puestos adyacentemente
Ejemplo: Carbono
r < d
r = d
r > d
d d
d d
r+d
r
2
2
8 4
1
d m
h
2
2
8 d m
h
degeneracin separacin
antisimtrica
simtrica
E
d
r
1
2 3
d d d
2
2
8 9
4
d m
h
2
2
8 d m
h
d
r
E
2
2
8 9
1
d m
h
1
2
3
2.8.2. Teorema de Bloch
Consideremos una cadena de N atomos espaciados a intervalos de perodo a.
La energa potencial tiene la misma periodicidad:
U(x) = U(x +a) = U(x + 2a) = . . .
La funci on de onda (F.O.) debe tener la misma periodicidad:
(x +a) = C(x)
Se considera que la cadena forma un anillo:
(x +Na) = (x) = C
N
(x) C
N
= 1 C = e
j2s/N
; s = 0, 1, 2, 3, . . . , N 1.
Acercamos ms tomos
Ejemplo:
Carbn.
se forman
bandas
contnuas
niveles
atmicos
discretos
Distancia entre tomos Constante de red cristalina

Gap
Acercamos ms tomos
Ejemplo:
Carbn.
se forman
bandas
contnuas
niveles
atmicos
discretos
Distancia entre tomos Constante de red cristalina

Gap
a a
a a
0 a 2a -a
I II
a-b 2a-b -b -a- b
V
0
III
Para satisfacer las relaciones anteriores, la F.O. tiene que ser de la forma:
(x) e
jkx
u
k
(x) (2.68)
con = 2s/Na y u
k
(x) peri odica en a. Esto corresponde a una onda plana modulada en espacio.
2.8.3. Modelo de Kronig-Penney
Consideremos una cadena de N atomos espaciados a intervalos de periodo a.
a a
a a
0 a 2a -a
I II
a-b 2a-b -b -a- b
V
0
III
1
x
2
+
2
1
= 0 (2.69)
2
=
2m
e
E
2
(2.70)
d
2
u
1
dx
2
+ 2jk
du
1
dx
+ (
2
k
2
)u
1
= 0 (2.71)
2
x
2

2
2
= 0 (2.72)
2
=
2m
e
(V
0
E)
2
(2.73)
d
2
u
2
dx
2
+ 2jk
du
2
dx
+ (
2
+k
2
)u
2
= 0 (2.74)
Donde se asumi o que
m
(x) = e
jkx
u
m
(x) (Bloch) con m = 1, 2 y u
m
(x) tiene la periodicidad del arreglo.
Las soluciones de estas ecuaciones son:
u
1
= Ae
j(k)x
+Be
j(k+)x
0 < x < a (2.75)
u
2
= Ce
(jk)x
+De
(jk+)x
b < x < 0. (2.76)
Por continuidad, u
1
(0) = u
2
(0), u
1
(ab) = u
2
(b), du
1
(0)/dx = du
2
(0)/dx y du
1
(ab)/dx = du
2
(b)/dx
A+B C D = 0 (2.77)
Ae
j(k)a
+Be
j(k+)a
Ce
(jk)b
De
(jk+)b
= 0 (2.78)
j(k )Aj(k +)B + (jk )C + (jk +)D = 0 (2.79)
j(k )Ae
j(k)a
j(k +)Be
j(k+)a
+ (jk )Ce
(jk)b
+ (jk +)De
(jk+)b
= 0 (2.80)
Matricialmente
Mv =
_
_
1 1 1 1
e
j(k)a
e
j(k+)a
e
(jk)b
e
(jk+)b
j(k ) j(k +) jk jk +
j(k )e
j(k)a
j(k +)e
j(k+)a
(jk )e
(jk)b
(jk +)e
(jk+)b
_
_
_
_
A
B
C
D
_
_
= 0
El sistema de ecuaciones formado por las Ec. 2.77 a la Ec. 2.80 tiene soluci on no trivial (A ,= 0, B ,= 0,
C ,= 0 y D ,= 0) cuando el determinante de la matriz Mes cero. Por lo tanto,
2
2
sinh(b)sin([a b]) +cosh(b)cos([a b]) = cos(ka) (2.81)
Ya que y son funciones de la energa permitida, E, y k es conocido (Ec. 2.68), de la Ec. 2.81 se
pueden obtener E.
Sea F(E) el lado izquierdo de la Ec. 2.81. Una representaci on gr aca es
Si bV
0
0, entonces k. Es equivalente al modelo de electr on libre.
a = 3 nm;
b = 0.05 nm;
V
0
= 90 eV
Bandas permitidas
Bandas prohibidas
+1
1
f(E) =

2
2
2
sinh(b)sin([a b]) +cosh(b)cos([a b]) = cos(ka)
Las energas permitidas dependen de k.
Las soluciones tienen periodo de cos(ka).
a = 3 nm;
b = 0.05 nm;
V
0
= 90 eV
2
2
2
k
m
E

f(E) =

2
2
2
sinh(b)sin([a b]) +cosh(b)cos([a b]) = cos(ka)
Las energas permitidas dependen de k.
Las soluciones tienen periodo de cos(ka).
E
E E E
Conductor Aislante Semiconductor
Banda de
Valencia
Banda de
Conduccin
E
g
2.9 Semiconductores 39
2.9. Semiconductores
Enlaces de gases inertes (Fuerzas de Van der Waals)
Enlaces Ionicos (interacci on electrost atica)
Enlaces covalentes (comparten electr on)
Metales (interacci on del centro i onico del atomo con los e
s de conducci on)
Se da entre atomos que tienen capas no llenas
Un ejemplo es la mol ecula de Hidr ogeno
El enlace es fuerte y extremadamente direccional
Estos materiales son duros y quebradizos
Electrones tienden a
estar entre los ncleos
Conducci on por electr ones
Conducci on por huecos
GaAs InSb
Elementos
Compuestos Intermetlicos III-V
Si
GaAs InSb
Elementos
Compuestos Intermetlicos III-V
Si
T = 0
enlace
covalente
T > 0
hueco
hueco
electrn
libre
electrn
libre
electrn
libre
E
0
E
g
n
p
E
F
E
0
E
g
T = 0
E
0
E
g
n
p
T > 0
Banda de
Valencia
Banda de
Conduccin
Se puede calcular que:
E
0
E
g
n
p
E
F
E
0
E
g
T = 0
E
0
E
g
n
p
T > 0
Banda de
Valencia
Banda de
Conduccin
E
0
E
g
n
p
E
F
E
0
E
g
T = 0
E
0
E
g
n
p
T > 0
Banda de
Valencia
Banda de
Conduccin
n = 2
_
2m
e
k
b
T
h
2
_
3/2
e
(EgE
F
)
k
b
T
(2.82)
p = 2
_
2m
h
k
b
T
h
2
_
3/2
e
E
F
k
b
T
(2.83)
Pero en un semiconductor intrnseco se tiene que n = p = n
i
, entonces se tiene que
n
i
= (np)
1/2
= 2
_
2k
b
T
h
2
_
3/2
(m
e
m
h
)
3/4
e
Eg
2k
b
T
(2.84)
y
E
F
=
1
2
E
g
3
4
k
b
T ln
_
m
e
m
h
_
(2.85)
4 electrones
en enlace
1 electrn libre
n = N
C
e
(EgE
F
)
k
b
T
p = N
V
e
E
F
k
b
T
Al igual que en el caso intrnseco, se cumple que n
i
= (np)
1/2
.
Sin embargo, n, p y E
F
se calculan imponiendo la neutralidad del semiconductor,
p +N
+
D
= N
A
+n (2.86)
A altas temperaturas se tiene que N
+
D
= N
D
y N
A
= N
A
.
E
0
E
D
E
b
T = 0
E
0
E
D
T > 0
D
N
D
N
E
0
E
D
E
b
T = 0
E
0
E
D
T > 0
D
N
D
N
El enlace incompleto
puede ser llenado
creando un hueco en la
banda de valencia.
Todos los 3
electrones
participan
en el enlace
E
0
E
A
T = 0
a
N
E
0
E
A
T > 0
a
N
puede ser llenado
banda de valencia.
Todos los 3
electrones
participan
en el enlace
E
0
E
A
T = 0
A
N
E
0
E
A
T > 0
A
N
puede ser llenado
banda de valencia.
Todos los 3
electrones
participan
en el enlace
E
0
E
A
T = 0
A
N
E
0
E
A
T > 0
A
N
La velocidad de conducci on depende de la aplicaci on de un campo el ectrico. Para un portador cualquie-
ra se tiene
v = E
donde es la movilidad del portador.
La corriente, en cambio, est a dada por
i =
n umero total de cargas en el volumen Adx
tiempo total requerido para mover los portadores a lo largo de dx
= qnEA
Entonces,
J
cond
=
i
A
= qnE (2.87)
Pero ya que en un semiconductor tenemos electr ones y huecos,
J
cond
= J
econd
+J
hcond
= qn
e
E +qp
h
E (2.88)
T = 0
E
0
E
A
E
g
E
D
E
F
A
N
D
N
T > 0
E
0
E
A
E
g
E
D
E
F
D
N
A
N
n
p
T = 0
E
0
E
A
E
g
E
D
E
F
A
N
D
N
T > 0
E
0
E
A
E
g
E
D
E
F
D
N
A
N
n
p
La corriente de difusi on depende del gradiente de la densidad de las partculas.
J
dif
= J
edif
+J
hdif
= qD
e
dn
dx
qD
h
dp
dx
(2.89)
Entonces, la corriente total (conducci on y difusi on) es
J
e
= qn
e
E +qD
e
dn
dx
(2.90)
J
h
= qp
h
E qD
h
dp
dx
(2.91)
Existe una relaci on importante entre D y , la relaci on de Einstein:
D
e
e
=
D
h
h
=
k
B
T
q
V
T
Captulo 3
Juntura pn: Diodo
3.1. Diodos de Juntura
3.1.1. Juntura pn en equilibrio sin voltaje aplicado
x
=
D
h
h
1
p
d (p)
dx
(3.1)
x
=
k
B
T
q
1
p
d (p)
dx
(3.2)
e
_
d2
d1
x
dx = k
B
T
_
pn
pp
d (p)
p
(3.3)
J
h
= qp
h
E qD
h
dp
dx
= 0 (3.4)
E =
D
h
h
1
p
dp
dx
=
k
B
T
q
1
p
dp
dx
(3.5)
Recordando que E = dV (x)/dx
D
h
h
1
p
dp
dx
=
k
B
T
q
1
p
dp
dx
=
dV (x)
dx
(3.6)
3.1 Diodos de Juntura 55
p n
N
d

c
o
n
c
e
n
t
r
a
c
i
n

d
e

i
m
p
u
r
e
z
a
s

N
a

c
o
n
c
e
n
t
r
a
c
i
n

d
e

p
o
r
t
a
d
o
r
e
s

n
p

p
p

n
n

p
n

p n
V
o
l
t
a
j
e

c
o
n
c
e
n
t
r
a
c
i
n

d
e

p
o
r
t
a
d
o
r
e
s

n
p

p
p

n
n

p
n

+ + +
+ + +
+ + +
+ + +

E
V
0
Tipo n
Juntura

Tipo p
Equilibrio

q(V
d1
V
d2
) = qV
0
= k
B
T ln
_
p
n
p
p
_
(3.7)
p
p
= p
n
e
qV
0
k
B
T
(3.8)
n
n
= n
p
e
qV
0
k
B
T
(3.9)
Juntura np -Videos (http://jas.eng.buffalo.edu/)
Tipo n
Juntura

Tipo p
Equilibrio

Tipo n
Juntura

Tipo p
Equilibrio

p n

0

Polarizacin
Indirecta

0
Polarizacin
Directa
+
0

0
0

= 0
p n

0

Polarizacin
Indirecta

0
Polarizacin
Directa
+
0

0
0

= 0
p n

0

Polarizacin
Indirecta

0
Polarizacin
Directa
+
0

0
0

= 0
p n

0

Polarizacin
Indirecta

0
Polarizacin
Directa
+
0

0
0

= 0
Juntura np -Videos (http://jas.eng.buffalo.edu/)
V = 0
n
p

p
p

n
n

p
n

c
o
n
c
e
n
t
r
a
c
i
n

d
e

p
o
r
t
a
d
o
r
e
s

p n
V (estado estacionario)
n
p

p
p

n
n

p
n

c
o
n
c
e
n
t
r
a
c
i
n

d
e

p
o
r
t
a
d
o
r
e
s

n
p0

p
n0

x x
0

0

0

0

J
hp0
= J
hn0
J
ep0
= J
en0
V = 0
n
p

p
p

n
n

p
n

c
o
n
c
e
n
t
r
a
c
i
n

d
e

p
o
r
t
a
d
o
r
e
s

p n
V (estado estacionario)
n
p

p
p

n
n

p
n

c
o
n
c
e
n
t
r
a
c
i
n

d
e

p
o
r
t
a
d
o
r
e
s

n
p0

p
n0

x x
0

0

0

0

J
hn
J
hn0
J
ep
J
ep0
Similar a la Ec. 3.8, cuando existe un voltaje V , se tiene:
p
p
= p
n0
e
q(V
0
V )
k
B
T
(3.10)
donde p
n0
representa el exceso de concentraci on de huecos en el material n justo a la salida de la juntura
pn. Luego, utilizando Ec. 3.8, se tiene que
p
n0
= p
p
e
q(V V
0
)
k
B
T
= p
p
e
qV
0
k
B
T
. .
pn Ec. (3.8)
e
qV
k
B
T
(3.11)
De donde se obtiene que
p
n0
= p
n
e
qV
k
B
T
(3.12)
De forma similar, para los electrones se obtiene
n
p0
= n
p
e
qV
k
B
T
(3.13)
Las corrientes en el diodo son proporcionales a la concentraci on de portadores que provocan la difusi on.
Entonces, para los huecos se tiene
J
hp
p
n0
; J
hn
p
n
. (3.14)
Por lo que usando Ec. 3.12 se tiene
J
hp
= J
hn
e
qV
k
B
T
(3.15)
Entonces, el ujo total de huecos es
J
h
= J
hp
J
hn
= J
hn
_
e
qV
k
B
T
1
_
(3.16)
Las mismas consideraciones se pueden hacer para los electrones, por lo que la densidad de corriente
total es:
J
tot
= J
0
_
e
qV
k
B
T
1
_
(3.17)
d
2
(p)
dx
2
=
p
Lh
D
h
=
p
L
2
h
(3.18)
Donde denimos
kT eV I exp
0
0
I
1 exp
0
kT eV I I
L
h
=
_
Lh
D
h
(3.19)
p = C
1
e
x
L
h
+C
2
e
x
L
h
(3.20)
p (x) = C
1
e
x
L
h
+p
n
(3.21)
p (x) = (p
n0
p
n
) e
x
L
h
+p
n
(3.22)
J
h
= eD
h
[
1
L
h
(p
n0
p
n
) e
x
L
h
] (3.23)
J
h
[
d2
=
eD
h
L
h
(p
n0
p
n
) (3.24)
J
h
[
d2
=
eD
h
p
n
L
h
[e
eV
kT
1] (3.25)
3.2 BJT: Estructura y operaci on b asica 63
J
e
[
d1
=
eD
e
n
p
L
e
[e
eV
kT
1] (3.26)
J = J
h
+J
e
= e
_
D
h
p
n
L
h
+
D
e
n
p
L
e
_
[e
eV
kT
1] (3.27)
J
0
= e
_
D
h
p
n
L
h
+
D
e
n
p
L
e
_
(3.28)
p
p
n
p
= n
2
i
= p
n
n
n
(3.29)
3.1.2. Corriente en una juntura pn con polarizaci on inversa
J J
0
e
eV
k
b
T
(3.30)
J = J
0
[e
eV
kT
1] = J
0
[1 e
eV
k
b
T
] (3.31)
J J
0
(3.32)
n
p0
= n
p
e
eV
kT
(3.33)
p
n0
= p
n
e
eV
kT
(3.34)
p (x) = p
n
[e
eV
kT
1]e
x
L
h
+ 1 (3.35)
3.2. BJT: Estructura y operaci on b asica
Estructura BJTs
Bipolar Junction Transistor
El BJT es excelente en aplicaciones de comunicaci on anal ogica. La gura 3.1 muestra un modelo simplicado unidimensional de
un BJT del tipo npn. Consiste en dos junturas que comparten una zona llamada base.
p n n
Emisor
Base
Colector
Figura 3.1: Vista esquem atica de un BJT ideal.
Estructura BJTs
Estructura BJTs
3.2.1. Caractersticas de colector del BJT NPN
Caractersticas de colector del BJT
Para obtener las curvas caractersticas del colector se utiliza un circuito donde I
B
es una variable controlada, la cual esta relacio-
nada con el voltaje V
BE
. En la gura 3.5 se muestra el circuito de prueba y en la gura 3.6 las curvas caractersticas I
C
V
CE
.
p n n
Emisor
Base
Colector
Figura 3.2: Implementaci on cl asica de un BJT en los 80.
Figura 3.3: Implementaci on actual de un BJT (vista lateral).
Figura 3.4: Implementaci on actual de un BJT (vista superior).
Figura 3.5: Circuito de prueba para obtener caractersticas del colector.
Caractersticas de colector del BJT
Figura 3.6: Curvas caractersticas I
C
V
CE
.
3.2.2. Regi on activa y Base com un
Regi on activa y Base com un
Las consideraciones fundamentales de construcci on de un transistor BJT son:
Junturas sucientemente cercanas para asegurar la interacci on de los portadores minoritarios tipo p se difunden r apida-
mente a trav es de la base.
Junturas sucientemente apartadas para que sus zonas de agotamiento no interact uen previene el traslape.
En la gura 3.8 se muestran las regiones de operaci on para un BJT de base com un.
En la gura 3.9 se muestra el modo de operar del BJT ante la acci on de polarizaci on de sus terminales, donde se aprecia que:
V
BE
> 0 inyecci on de electrones desde el Emisor a la Base. Inyecci on de huecos desde la Base al Emisor.
V
BC
< 0 extracci on de electrones desde la Base al Colector. Extracci on de huecos desde el Colector a la Base.
En las guras 3.10 y 3.11 se muestra el comportamiento de los portadores en equilibrio termal.
Figura 3.7: Interacci on de los portadores minoritarios y mayoritarios.
Figura 3.8: Regiones de operaci on para un BJT de base com un.
Figura 3.9: Operaci on del BJT ante polarizaci on de sus terminales.
Figura 3.10: Comportamiento de los portadores en equilibrio termal.
En las guras 3.12 y 3.13 se muestra el comportamiento de los portadores en la regi on activa.
En la gura 3.16 se muestran las corrientes dominantes que se producen en el BJT ante la acci on de la polarizaci on y posterior
movimiento de los portadores. Las corrientes se producen de las siguientes maneras:
I
C
: inyecci on de electrones desde el Emisor a la Base y acumulaci on por el Colector.
I
B
: inyecci on de huecos desde la Base al Emisor.
I
E
: I
E
= (I
C
+ I
B
).
3.2.3. Flujos de Huecos y Electrones en la regi on activa
Flujos de Huecos y Electrones en la regi on activa
A continuaci on se da una lista de los fen omenos que ocurren en el proceso de difusi on al interior de un BJT npn:
El ujo de electrones es mayor que el ujo de los huecos.
Los electrones son suministrados por el contacto del emisor, inyectando a trav es de la juntura base-emisor y difundiendo por
la base.
Campo El ectrico en la juntura base-colector extrae electrones hacia el interior del colector.
Huecos son suministrados por el contacto de la base y difundidos a trav es del emisor.
Los huecos se recombinan en el contacto ohmico del emisor.
n p n
E
F
Emitter Base
Collector
E
g
eV
0
E

B

C

eV
0
Figura 3.11: Comportamiento de las bandas en equilibrio termal.
Figura 3.12: Comportamiento de los portadores en la regi on activa.
3.2.4. Caractersticas I V en la regi on activa
Corriente de colector
Caractersticas I V en la regi on activa
Distribuci on de portadores a trav es de un BJT
La corriente en la juntura base-colector, I
C
, se origina en electrones cruzando la base, siendo inyectados en el colector. Por tanto,
se puede calcular si conocemos n
pB
(x). Si la base es lo sucientemente peque na, podemos aproximarla por una recta (gura 3.18).
Las condiciones de borde para la distribuci on de electrones en la base son
n
pB
(0) = n
pB
0
e
V
BE
V
T , n
pB
(W
B
) = 0 (3.36)
Dadas estas condiciones y aproximando la distribuci on de portadores a una recta, tenemos
n
pB
(x) = n
pB
(0)
1
x
W
B
(3.37)
Entonces, la densidad de corriente de electrones est a dada por
n p n
Emitter Base
Collector
E

C

+
B

e(V
0
+V
CB
)

e(V
0
V
BE
)

+
Figura 3.13: Comportamiento de las bandas en la regi on activa.
Figura 3.14: Corrientes dominantes en el BJT polarizado en la regi on activa.
n p n
Emitter Base
Collector
J
en
J
ep
J
hp
J
hn
I
E
I
C
I
B
Figura 3.15: Corrientes en un BJT.
D
e
n
s
i
d
a
d

p
o
r
t
a
d
o
r
e
s

n
nC
p
pB
p
nE
p
nC
n
pB
n
nE

Figura 3.16: Distribuci on de portadores en un BJT no polarizado.
J
hp
J
hn
J
en
J
ep
D
e
n
s
i
d
a
d

p
o
r
t
a
d
o
r
e
s

n
nE
n
nC
p
pB
p
nE
(x)

n
pB
(x)

p
nC
(x)

Figura 3.17: Distribuci on de portadores en un BJT polarizado en la regi on activa.
Figura 3.18: Corriente de colector, enfocado a la difusi on de electrones en la base.
J
nB
= qDn
dn
pB
dx
= qDn
n
pB
(0)
W
B
(3.38)
Finalmente, la corriente de colector es proporcional al area de la juntura base-emisor, A
E
,
I
C
= J
nB
A
E
= qA
E
Dn
W
B
n
pB
0
e
V
BE
V
T
I
S
e
V
BE
V
T
(3.39)
Corriente de base
Corriente de base
La corriente en la base, I
B
, se origina en la inyecci on de huecos desde la base al emisor y como estos disminuyen al cruzar el
emisor. Para calcularla, entonces, se necesita conocer p
nE
(x). En un emisor peque no, esta se puede aproximar a una recta (gura
3.19).
Corriente de base
Las condiciones de borde en este caso son
p
nE
(x
BE
) = p
nE
0
e
V
BE
V
T
, p
nE
(W
E
x
BE
) = p
nE
0
. (3.40)
Por lo que la distribuci on de huecos en el emisor es
p
nE
(x) = [p
nE
(x
BE
) p
nE
0
]
1 +
x + x
BE
W
E
+ p
nE
0
. (3.41)
De donde se obtiene la densidad de corriente de huecos,
Figura 3.19: Corriente de base, enfocada en la inyecci on de huecos.
J
pE
= qDp
dp
nE
dx
= qDp
p
nE
(x
BE
) p
nE
0
W
E
(3.42)
Conocida el area transversal del BJT, A
E
, se tiene entonces
I
B
= J
pE
A
E
= qA
E
Dp
W
E
p
nE
0
V
BE
V
T
qA
E
Dp
W
E
p
nE
0
e
V
BE
V
T
(3.43)
Corriente de emisor y ganacias de corriente
Corriente de emisor y ganancias de corriente en la regi on activa
La corriente de emisor se obtiene de la relaci on I
E
= I
B
+ I
C
(ver Figura 3.17). Entonces
I
E
=
qA
E
Dp
W
E
p
nE
0
qA
E
Dn
W
B
n
pB
0
V
BE
V
th
(3.44)
Conocidas las corrientes, se dene las siguientes ganancias de corriente
F

I
C
|I
E
|
;
F

I
C
I
B
(3.45)
F acilmente se puede demostrar que ambas ganancias est an relacionadas por
F
=

F
1
F
(3.46)
Usando las ecuaciones 3.39 y 3.43,
F
puede escribirse en t erminos de las caractersticas fsicas del transistor,
F
=
I
C
I
B
=
N
dE
DnW
E
N
aB
DpW
B
(3.47)
3.3 FET de Juntura (JFET) 78
Ganancias de corriente en la regi on activa
Uno de los objetivo principales en un transistor es controlar corrientes grandes (I
E
e I
C
) por medio de una corriente peque na (I
B
).
Esto implica maximizar
F
o, equivalentemente, tratar de que
F
1 (tpicamente se alcanzan valores de 0.99). Segun la Ec. 3.47,
esto es posible si
N
AE
>> N
AB
W
E
>> W
B
Se utilizan BJTs del tipo npn, por sobre pnp (Dn >> Dp)
3.3. FET de Juntura (JFET)
En general tiene cuatro terminales.
La regi on n se dopa ligeramente, mientras que la p altamente (zona de agotamiento mayoritariamente
en el semiconductor del tipo n).
Usualmente las dos compuertas (gates) se conectan al mismo potencial.
Se establece una corriente en el semiconductor n, I
D
, cuando se aplica una diferencia de potencial
entre fuente (source) y drenaje (drain).
La corriente I
D
se puede controlar mediante el voltaje aplicado a las compuertas. Es m axima cuando
el voltaje en las compuertas es cero.
A V
D
peque nos, la zona de agotamiento es uniforme.
A medida que se aumenta V
G
, el area de conducci on (2b w) decrece con lo que I
D
= GV
D
decrece
(la densidad de portadores permanece constante).
Source
Drain
Gate 1
Gate 2
G
2
G
1
S

D

3.3 FET de Juntura (JFET) 79
A un voltage V
G
= V
P
, las zonas de agotamiento se estrangulan (pinch off).
Ya que G = 2bw/l y que = N
D
e
se puede demostrar que:
I
D
=
2eN
D
e
wa
l
_
1
_
V
0
+V
G
V
0
+V
P
_
1/2
_
V
D
(3.48)
A V
D
grandes, el voltaje a lo largo JFET no es constante. El voltaje en un punto x a lo largo del JFET
es V
G
+V
x
donde V
x
vara desde 0 hasta V
D
.
Como consecuencia, la zona de agotamiento no es uniforme.
La corriente dada por la Ecuaci on 3.48 en un intervalo dx se escribe entonces
I
D
=
2eN
D
e
wa
dx
_
1
_
V
0
+V
G
+V
x
V
0
+V
P
+V
x
_
1/2
_
dV (3.49)
Integrando se obtiene,
I
D
=
2eN
D
e
wa
l
_
V
DG
_
1
2
3
_
V
DG
V
0P
_
1/2
_
V
0G
_
1
2
3
_
V
0G
V
0P
_
1/2
__
(3.50)
donde V
DG
= V
0
+V
G
+V
D
, V
0G
= V
0
+V
G
, y V
0P
= V
0
+V
P
.
Esta ecuaci on es v alida para voltajes tal que V
DG
V
P
. Al sobrepasarse este voltaje, la corriente se
satura.
Las caractersticas de drenaje del JFET son

+

n

+

S D
G
2
G
1
0
p

p

2 2

3.4 Metal-Oxide-Semiconductor FET (MOSFET) 80
3.4. Metal-Oxide-Semiconductor FET (MOSFET)
3.4.1. Descripci on
Su estructura principal es del tipo metal- oxido-semiconductor.
Tiene cuatro terminales.
Usualmente el sustrato (body) se conecta a la fuente (source).
Si el sustrato es de tipo p, el MOSFET ser a de canal n y vice-versa.
Existen de tipo mejoramiento (como el de la gura) y agotamiento (donde se ha dopado el semicon-
ductor bajo la capa aislante).
Los contactos n se dopan fuertemente (por eso la notaci on n
+
).
Nota: Existen en la literatura diversos smbolos para representar los dispositivos MOSFET indicados.
A V
G
= 0 no hay conducci on independientemente del valor de V
D
.
Se forman zonas de agotamiento en las junturas pn
+
.
Hasta un valor de V
G
V
T
no hay conducci on.
Se forma una zona de agotamiento bajo la capa de oxido.
As se equilibran las cargas positivas acumuladas en la compuerta.
Carga inducida:
(x) =
0
r
E(x) =
0
r
V
G
V (x)
t
0
=
C
G
lw
[V
G
V (x)] (3.51)
> 0

+

n

+

S D
G
2
G
1
p

p

2

A valores V
G
> V
T
empieza a haber conducci on.
Cargas negativas jas no son sucientes para neutralizar las cargas positivas.
Cargas negativas m oviles aparecen bajo la capa de oxido.
Carga m ovil inducida:
qn(x) =
C
G
lw
[V
G
V (x) V
T
] (3.52)
Conductancia del canal inducido,
G(x) =
(x)w
dx
=
qn(x)
e
w
dx
(3.53)
La corriente es entonces,
I
D
= G(x)dV =
C
G
e
l
[V
G
V (x) V
T
]
dV
dx
(3.54)
Integrando se obtiene
I
D
=
C
G
e
l
2
_
V
G
V
T

1
2
V
D
_
V
D
(3.55)
Las caractersticas de drenaje para este FET son
D
I
D
V
0

aumenta
= 0

p-type
D
+V
D
S
G
V
G
n
+
n
+
n
0
V
G
= 0

V
G4

V
G3

D
I
D
V
V
G1

V
G2

p-type
D
+V
D
S
G
V
G
n
+
n
+
n
0
V
G
= 0

V
G4

V
G3

D
I
D
V
V
G1

V
G2

En este se a nade una capa de tipo n debajo del oxido.
A voltajes V
G
> 0 aparece un canal de conducci on bajo el oxido.
A voltajes V
G
< 0 funciona como un JFET de canal n.
p-type
n
+
n
+

Source Gate Drain
Body
Oxide
Semiconductor
Metal
p-type
S
G
D
+V
g
=0

+V
d
n
+
n
+

Zona de agotamiento
Cargas fijas
S
G
D
+V
g
+V
d
n
+
n
+

t
0
e
r
x
l
Zona de agotamiento
Cargas mviles
Cargas fijas
S
G
D
+V
g
+V
d
n
+
n
+

Zona de agotamiento
Capa de inversin
t
0
e
r
x
l
D
I
D
V
0
V
G3

V
G2

V
G1

V
G
aumenta
I
Ds

T G D
V V V
Captulo 4
Operaci on Circuital de los
Semiconductores y su Polarizaci on
4.1. Diodos: Modelos circuitales y operaci on
La gura presenta la curva IV de un diodo hecho a partir de silicio con concentraciones de dopamiento
de N
A
= 10
22
m
3
y N
D
= 10
24
m
3
.
La curva IV depende fuertemente de la temperatura.
En polarizaci on inversa la corriente est a limitada por ujo de portadores minoritarios. Sin embargo, si
se excede un valor de ruptura, V
BR
, se produce un efecto de avalancha.
V
BR

N
A
+N
D
N
A
N
D
Al igual que con el voltaje de barrera, el voltaje de ruptura tambi en depende de la temperatura.
4.2. Aplicaciones del Diodo
4.2.1. Circuitos Limitadores
Un circuito limitador es aquel cuya salida es proporcional a la entrada (lineal) en un cierto rango de
voltajes, y que entrega un valor jo cuando la tensi on de entrada (magnitud) excede un cierto umbral.
La caracterstica de transferencia tpica de este tipo de circuitos es:
4.2 Aplicaciones del Diodo 86
0.0 0.5 1.0 1.5
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V @VD
I
@
A
D
I
0
= 2.36679 10
-7
mA; V
0
= 0.80382 V
=
~0.7 V
= 295 K
0.0 0.5 1.0 1.5
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V V
I
A
I
0
2.36679 10
7
A; V
0
0.708451 V
295 K
=
0

1
260 K
V
O

+
-
V
i

+
-
Se tiene lo siguiente:
v
0
=
_
_
L
+
v
i

L
+
K
Kv
l
L
K
v
i

L
+
K
L
v
i
<
L
K
Circuitos Limitadores - Ejemplo
Si aplicamos una entrada sinusoidal a un circuito limitador veremos que este recorta la salida cuando
V
p
< L
o V
p
> L
+
.
La implementaci on m as elemental de un limitador de voltaje con un diodo ideal se muestra en la Figu-
ra ??
Para determinar la funci on de respuesta, usemos el circuito equivalente
D
1

D
1

+ -
V
V
O
= V
i
-
+
V
i

-
+

V
O
V
i

-
+
V
O
= 0
+
-
V
i

+
-
V
O
V
i

+
-

V
i

V
O

D
1

D
1

+ -
V
V
O
= V
i
-
+
V
i

-
+

V
O
V
i

-
+
V
O
= 0
+
-
V
i

+
-
V
O
V
i

+
-

V
i

V
O

D
1

D
1

+ -
V
V
O
= V
i
-
+
V
i

-
+

V
O
V
i

-
+
V
O
= 0
+
-
V
i

+
-
V
O
V
i

+
-

V
i

V
O

Con un diodo hecho de silicio hay que te-
ner en cuenta que la conducci on empieza
con 0.7 V. Por tanto
V
s
(t)
R
L

V
s
(t)
R
L

-
+
+
-
Limitador Doble
El limitador doble se puede obtener tam-
bi en intercambiando dos diodos, de la si-
guiente forma
Z ener de Doble anodo
4.2.2. Circuitos Recticadores
Recticador de Media Onda
El sistema est a compuesto por 4 bloques:
(I) Transformador de poder.
(II) Recticador.
(III) Filtro.
(IV) Regulador de voltaje.
Primera parte del ciclo, alimentaci on positiva.
V
s
(t)
R
L

V
s
(t)
R
L

-
+
+
-
V
s
(t)
R
L

V
s
(t)
R
L

-
+
+
-
Segunda parte del ciclo, alimentaci on negativa.
Salida nal.
Recticador de Onda Completa
Al implementarlo con derivaci on central, se tiene la siguiente conguraci on:
El funcionamiento consta de 2 partes:
(I) Ciclo positivo: v
in
> 0 D
1
conduce y D
2
est a polarizado de forma inversa.
(II) Ciclo negativo: v
in
< 0 D
2
conduce y D
1
est a polarizado de forma inversa.
Recticador de Onda Completa
Sirve como un recticador de onda completa. Su circuito es el siguiente:
Recticador con Filtro de Capacitancia
Primera parte del ciclo, alimentaci on positiva y carga del capacitor.
Segunda parte del ciclo, descarga del capacitor.
Tercera parte del ciclo, carga del capacitor.
V
s
(t) R
L
C
V
s
(t) R
L
C
V
s
(t) R
L
C
V
s
(t) R
L
C
V
s
(t) R
L
C
V
s
(t) R
L
C
Se dene factor de rizado como
r =
V
r(pp)
V
CD
(4.1)
Vamos a demostrar que
V
r(pp)

_
1
f R
L
C
_
V
p(rect.)
(4.2)
V
s
(t) R
L
C
V
s
(t) R
L
C
V
s
(t) R
L
C
V
CD

_
1
1
2 f R
L
C
_
V
p(rect.)
(4.3)
donde f es la frecuencia.
Cuando el capacitor de ltro se descarga a trav es de R
L
la ecuaci on circuital que rige este proceso es
I
C
=
V
R
L
R
L
..
V
C
=V
R
L
C
dV
C
dt
=
V
C
R
L
=
dV
C
dt

1
R
L
C
V
C
= 0. (4.4)
El voltaje que satisface esta ecuaci on es
V
C
= V
p(rect)
e
t/R
L
C
(4.5)
Como el tiempo de descarga del capacitor es desde un m aximo hasta aproximadamente el siguiente,
t
descarga
T cuando V
C
alcanza su valor mnimo,
V
C(min)
= V
p(rect)
e
T/R
L
C
. (4.6)
Como RC T, T/R
L
C llega a ser mucho menor que 1 (lo que en general sucede). Entonces
e
T/R
L
C
1 T/R
L
C (4.7)
Consecuentemente,
V
C(min)
V
p(rect)
_
1
T
R
L
C
_
(4.8)
Asi el voltaje de rizo pico a pico es
4.3 El diodo como Modulador 99

Figura 4.1: Traslado o conversi on hacia bajas frecuencias.
V
r(pp)
= V
p(rect)
V
C(min)
= V
p(rect)
V
p(rect)
+
TV
p(rect)
R
L
C
=
TV
p(rect)
R
L
C
(4.9)
V
r(pp)
=
1
f R
L
C
V
p(rect)
(4.10)
Para obtener el valor de CD, la mitad del rizo pico se resta del valor pico,
V
CD
= V
p(rect)
V
r(pp)
2
= V
p(rect)
1
2f R
L
C
V
p(rect)
.
Entonces
V
CD
=
_
1
1
2f R
L
C
_
V
p(rect)
(4.11)
4.3. El diodo como Modulador
Un modulador realiza un operaci on no lineal para trasladar una se nal, s
RF
, en frecuencia. Este tipo de
operaci on requiere de una se nal de referencia llamada de oscilador local, s
LO
. La ventaja de esta operaci on
es que la se nal resultante conserva las caractarsticas de la frecuencia original (amplitud y fase) pero en
una nueva frecuencia. El caso de una traslaci on a frecuencias menores (down conversion) se ilustra en la
Figura 4.1.
Una forma com un de implementar la operaci on de un modulador es primero sumar las dos se nales, s
RF
y s
LO
, y elevar al cuadrado la suma. Para se nales monocrom aticas se tiene
s
RF
(t) = Acos(2f
RF
t) (4.12)
s
LO
(t) = Bcos(2f
LO
t) (4.13)
Al tomar la suma de las dos se nales y elevarlas al cuadrado se obtiene
(s
RF
+s
LO
)
2
= A
2
cos
2
(
RF
t) + 2ABcos(
RF
t) cos(
LO
t) +B
2
cos
2
(
LO
t)
(4.14)
Para simplicar esta expresi on recordemos que
cos
2
(t) =
1 + cos(2t)
2
,
cos(
RF
t) cos(
LO
t) =
1
4
_
cos((
RF
+
LO
)t) + cos((
RF

LO
)t)
+cos((
LO
RF
)t) + cos((
LO
+
RF
)t)
_
, (4.15)
Entonces, la ecuaci on 4.14 se puede escribir
(s
RF
+s
LO
)
2
=
A
2
2
+
B
2
2
+
A
2
2
cos(2
RF
t) +
B
2
2
cos(2
LO
t)
+
AB
2
_
cos((
RF
+
LO
)t) + cos((
RF

LO
)t)
+cos((
LO
RF
)t) + cos((
LO
+
RF
)t)
_
(4.16)
Si ahora hacemos (s
RF
+s
LO
)
2
(s
RF
s
LO
)
2
obtenemos

1
1
2

1
4

1
2

1
2

1
2

1
4

1
4

1
4

(s
RF
+s
LO
)
2
(s
RF
s
LO
)
2
= s
2
RF
+ 2s
RF
s
LO
+s
2
LO
s
2
RF
+ 2s
RF
s
LO
s
2
LO
= 4s
RF
s
LO
= 4ABcos(
RF
t) cos(
LO
t)
= AB
_
cos((
RF
+
LO
)t) + cos((
RF

LO
)t)
+cos((
LO
RF
)t) + cos((
LO
+
RF
)t)
_
(4.17)

1 1 1 1
Recordemos la curva real del diodo,
I = I
0
_
e
V/V
th
1
_
, (4.18)
donde V
th
= kT/q.
Esta ecuaci on puede ser aproximada usando un desarrollo de Taylor. Para la exponencial en torno a un
punto x
0
se tiene
e
x
= e
x0
i=0
(x x
0
)
i
i!
Entonces la corriente que circula por un diodo puede ser aproximada como
I = I
0
_
e
V/V
th
1
_
= I
0
_

i=1
(V/V
th
)
i
i!
+ 1 1
_
= I
0
_

i=1
(V/V
th
)
i
i!
_
= I
0
_
V
V
th
+
1
2
_
V
V
th
_
2
+
1
6
_
V
V
th
_
3
+. . .
_
(4.19)
Si el voltaje aplicado al diodo es una superposici on V = s
RF
+s
LO
, entonces tenemos
I = I
0
_
s
RF
+s
LO
V
th
+
1
2
_
s
RF
+s
LO
V
th
_
2
+
1
6
_
s
RF
+s
LO
V
th
_
3
+. . .
_
(4.20)
Las frecuencias presentes en el espectro son nf
RF
, nf
LO
, n(f
RF
f
LO
), n(f
RF
+ f
LO
) y 0, donde n =
1, 2, 3 . . ..

1
1
2

1
4

1
2

1
2

1
2

1
4

1
4

1
4

Si hacemos una conguraci on back to back de dos diodos
I =
__
e
V/V
th
1
_
+
_
e
V/V
th
1
__
= I
0
_

i=1
(V/V
th
)
i
i!
+
i=1
(V/V
th
)
i
i!
_
(4.21)
I = I
0
i=1
2(V/V
th
)
2i
(2i)!
= I
0
_
2 +
_
s
RF
+s
LO
V
th
_
2
+
1
12
_
s
RF
+s
LO
V
th
_
4
+. . .
_
(4.22)
Esto signica que nf
RF
, nf
LO
, n(f
RF
f
LO
), n(f
RF
+ f
LO
) y 0, donde n = 2, 4, 6 . . .. La ventaja de este
procedimiento es que los terminos impares fueron removidos del espectro haciendo el procedimiento m as
similar a (s
RF
+s
LO
)
2
.
C
R
S
LO
(t)
S
RF
(t)
S
LO
(t)
S
RF
(t)
R
C
V
0
(t)
V
0
(t)
C
R
S
LO
(t)
S
RF
(t)
S
LO
(t)
S
RF
(t)
R
C
V
0
(t)
V
0
(t)
4.4 Polarizaci on de los circuitos 104
Un modulador es usado habitualmente como detector, especialemente en Astronoma. Se detectan se nales
a altas fecuencias pero para su procesamiento se trasladan a frequencias bajas. La detecci on usando usando
el esquema anterior, sin embargo, traslada se nales arriba y abajo del LO al mismo rango de frecuencias.

Banda lateral
inferior (LSB)
Banda lateral
superior (USB)
Receptor para Banda 9 de ALMA (600720 GHz).
Para evitar que las dos bandas laterales se trasladen a la misma freceuncia intermedia, se puede colocar
un ltro para para eliminar una de las bandas laterales.
Receptor para Banda 1 de ALMA (3045 GHz).
Con la ayuda de elementos adicionales, se puede lograr que cada banda lateral se trasladada a puertos
diferentes.
Receptor para 600720 GHz.
4.4. Polarizaci on de los circuitos
En este secci on veremos cricuitos capaces de producir amplicaci on de se nales de manera anal ogica. En
un circuito anal ogico, voltajes y corrientes son libres de variar en un rango continuo de posibles valores, e
incluso ante el menor cambio de voltaje o corriente son capaces de transmitir la informac on de la se nal (an-
LO
110 K
300 K
15 K
4 K
OU
RF LOU
9
9
IF
IF
W
F

Banda lateral
inferior (LSB)
Banda lateral
superior (USB)
35 dB 35 dB
OMT
IF Pol 1
4-12 GHz
LO unit
27-33 GHz
13dBm
30 GHz
30 dB 30 dB
IF Pol 2
4-12 GHz
20K
293K
Ref 1
27-33 GHz
Ref 2
20-45 MHz

Banda lateral
inferior (LSB)
Banda lateral
superior (USB)
,

mezclador
RF
LSB+USB
LO
IF
LSB
IF
USB
mezclador
divisor
RF
hbrido
IF
hbrido
U
+
L
(
U
+
L
)
j(
U
+
L
)
(
U
+
L
)
j(
U

L
)
U

polarizacin
DC e imn
salida IF
(cable coaxial)
antena RF
(gua de onda)
antena LO
(gua de onda)
circuito de
polarizacin
filtro IF
(gua de onda)
RF
LO
hbrido RF &
mezcla LO-RF
(gua de onda)
filtro IF
(gua de onda)
RF
hbrido RF &
mezcla LO-RF
(gua de onda)
1 mm
imn
Absorbente
hbrido
RF
mezcla
LO-RF
divisor LO
RF
LO
te perturbaciones). Un circuito que act ua como amplicador produce cambios a la se nal alterna de entrada
que se ven reejados en la se nal alterna de salida. El cambio m as radical que se tiene es la amplicaci on
de la amplitud de la se nal de entrada, estos circuito amplicadores pueden ser pasivos o activos seg un
los componentes que conforman el circuito amplicador. Una caracterstica que tienen los amplicadores
activos es que permite el dise no de circuitos realimentados.
Para entender los circuitos anal ogicos activos es necesario dar algunas deniciones tales como: diferen-
cia entre activo y pasivo, se nal de entrada, se nal de salida y se nal de alimentaci on.
4.4.1. Circuitos pasivos y activos
Como se sabe un circuito anal ogico es aquel que acepta un voltaje o corriente como se nal de entrada y
produce un voltaje o corriente anal ogico en la salida. Muchos circuitos que hacen esta funci on no son clasi-
cados como amplicadores, ya que son circuitos pasivos que no contienen componentes de tres terminales
en su composici on. En un circuito pasivo, la potencia de salida entregada a una carga es siempre menor, o
en el mejor de los casos, igual a la potencia de entrada suministrada por la fuente. El resto de la potencia se
pierde en los componentes pasivos que constituyen el circuito.
Por el contrario un circuito activo es aquel en el cual se obtiene m as potencia en la salida, en compara-
ci on con lo que se podra sacar de la se nal de entrada. Esta amplicaci on puede ser lineal o no lineal. Si se
trata de un amplicador lineal, la se nal de salida ser a una r eplica amplicada de las se nal de entrada. En
cambio si la amplicaci on es no lineal, la se nal de salida no ser a una replica exacta de la de entrada, puede
haber variaciones en a frecuencia o fase por ejemplo, pero a un as la amplitud estar a amplicado con respec-
to a la se nal de entrada. En un circuito activo, la ganancia de potencia generalmente es mayor que la unidad.
Un ejemplo donde la amplicaci on es importante, es en el sistema micr ofono - altoparlante, en donde
el micr ofono funciona como una fuente de bajo voltaje de entrada, esta se nal alimenta la alta resistencia
(impedancia) de entrada del amplicador. La corriente que circula por esta gran resistencia es mnima, por
lo tanto la potencia de entrada al amplicador es peque na. El amplicador usa esta se nal de entrada para
convertir la potencia que suministra la fuente de alimentaci on local del amplicador (local power supply)
en un gran voltaje de salida que alimenta la carga que representa el altoparlante. Adem as la corriente que
alimenta esta carga tambi en es considerable, por lo tanto se tiene una potencia de salida grande con respecto
a la de entrada. Todo lo anterior se logra gracias al amplicador, ya que sin el se tendra la misma se nal de
entrada en la salida. Lo anterior descrito queda representado en la gura 4.2.
Amplificador Carga
Fuente de
seal
Voltaje alto

Corriente alta
Voltaje bajo

Corriente baja
Altavoz Micrfono
Fuente de
alimentacin
local
Alto flujo de
potencia
Bajo flujo de
potencia
Figura 4.2: Diagrama de bloques de un amplicador
4.4.2. Denici on de una se nal
Un circuito anal ogico se dene como uno que acepta voltajes o corrientes anal ogicas como se nales de
entrada y siendo la se nal de salida tambi en una se nal anal ogica. Si la salida es un el reejo de la de entrada,
siendo proporcional a esta, se dice que el circuito es lineal. Como se ha visto en dispositivos activos, estos
en algunos casos es necesario alimentarlos a trav es de una fuente continua de alimentaci on. Cabe destacar
que esta alimentaci on no constituye ning un tipo de informaci on que vaya a ser amplicada por el circuito
amplicador. El t ermino se nal es usado para denotar la informaci on, generalmente sinusoidal (componente
AC), que pasa a trav es del circuito en forma de voltaje o corriente y a su vez cualquier nivel jo DC de la
se nal se llama componente BIAS (componente continua de polarizaci on). El dise no o an alisis de un circuito
anal ogico que este operando requiere que el valor total del voltaje o corriente sea considerado.
Tanto la componente AC como la parte DC de un voltaje o corriente en particular, tienen notaciones
especiales. La componente continua DC (BIAS) de un voltaje o de una corriente se denota con la letra de la
variable en may uscula y con el subndice tambi en en may uscula. En cambio la se nal o componente AC del
voltaje o corriente se denota con la letra en min uscula de la variable y el subndice tambi en en min uscula.
La se nal total, o sea la suma de la parte DC con AC, de voltaje o corriente se denota con la letra de la variable
en min uscula y con el subndice en may uscula. Por ejemplo un voltaje que contiene tanto la componente
DC como la AC, quedara expresado de la siguiente manera:
v
IN
= V
BB
..
ComponenteDC
+ v
s
..
ComponenteAC
(4.23)
Existen casos de variables o constantes, tales como el voltaje de encendido y la corriente de polarizaci on
de un diodo, los cuales son denotados por la letra de la variable en may uscula y el subndice en min uscula.
V
f
, I
s
(4.24)
En muchos ejemplos de este captulo la componente AC de la se nal de entrada ser a representada por
una sinusoidal en funci on del tiempo, de la forma sen(t) o cos(t). Cabe destacar que esta representaci on
puede ser muy general, esto debido a que cualquier variable en el tiempo, de voltaje o corriente, puede ser
representada por la suma de sinusoides de diferentes frecuencias.
Cuando se aplica una se nal de voltaje a la entrada del amplicador, la corriente uir a desde la fuente de
alimentaci on a la impedancia presente en los terminales de entrada del amplicador. En caso contrario, si se
alimentase con una fuente de corriente, se formar a un voltaje en la impedancia de entrada del amplicador.
Cuando se tiene un voltaje a la salida del amplicador, se producir a una corriente s olo si se tiene una carga
en los terminales de salida del amplicador. Si no es as, se dice que est a en circuito abierto o en vaco. En
cambio si se obtiene una corriente en la salida del amplicador, se obtendr a un voltaje siempre y cuando se
tenga un carga distinta de cero. Caso contrario, se dice que est a en cortocircuito.
En todos los casos anteriores se calcula una potencia promedio en el tiempo como el producto del voltaje
y corriente AC. Se habla de una potencia promedio en el tiempo porque estas se nales de voltajes o corrientes
son sinusoidales o dependen del tiempo, por ende cambian en el tiempo y es necesario obtener un promedio
de la potencia. La ganancia de potencia (en algunos casos se habla de ganancia de voltaje), se dene como
la relaci on entre la potencia obtenida en la salida con la potencia entregada por la fuente de alimentaci on.
4.4.3. Se nal incremental
Implicito dentro de la noci on de dispositivo de se nal peque na o modelo circuital se tiene el concepto
de se nal incremental. Por denici on, una se nal incremental es cualquier variaci on de voltaje o corriente de
tipo transiente, peri odica o AC. Esto a diferencia de los voltajes y corrientes DC (de polarizaci on), los cuales
son constantes y no tienen variaci on en el tiempo. Adem as, una se nal incremental es peque na en magnitud
comparado con los voltajes o corrientes DC de un circuito. Debido a que una se nal incremental es funci on
del tiempo, estas llevan la informaci on de la se nal procesada por el circuito.
Una se nal incremental es:
Cualquier variaci on de voltaje o corriente de tipo transiente, peri odica o AC.
Peque na en magnitud comparado con los voltajes o corrientes de polarizaci on.
Llevan la informaci on de la se nal procesada por el circuito.
Un ejemplo del concepto de se nal incremental es el circuito inversor BJT de la gura 4.3. En este cir-
cuito, la se nal de voltaje v
s
(t) a sido a nadida sobre la fuente de voltaje V
BB
, la cual es el responsable de
la polarizaci on del transistor para que opere en la regi on activa. En ausencia de v
s
(t), se elije un valor
apropiado de V
BB
para que v
CE
se encuentre en alg un lugar entre los lmites de corte (v
CE
= V
CC
) y sa-
turaci on (v
CE
= V
sat
0). Similarmente, V
BB
causar a que la corriente i
C
se encuentre tambi en en alg un
lugar entre los lmites de corte (i
C
= 0) y saturaci on (i
C
V
CC
/R
C
). El voltaje v
s
(t), el cual representa a la
componente incremental del total de la se nal de entrada v
IN
, es responsable por las variaciones de v
CE
e i
C
.
La expresi on para el voltaje de salida de este circuito se encuentra a partir de:
v
OUT
= V
CC
i
C
R
C
= V
CC

F
i
B
R
C
= V
CC

F
(v
IN
V
f
)
R
B
R
C
(4.25)
R
C

R
B

V
BB
v
s
(t)
Q
1

i
B
i
C
V
CC

v
OUT

v
IN

+

+
v
CE

Figura 4.3: BJT con se nal incremental
4.5 Conceptos b asicos de polarizaci on 113
Esta expresi on es v alida para el rango entre corte y saturaci on. Sustituyendo el voltaje de entrada total
v
IN
= V
BB
+v
s
(t) y separando las partes DC y AC se obtiene:
v
OUT
= V
CC

F
(V
BB
+v
s
(t) V
f
)R
C
R
B
=
_
V
CC

F
(V
BB
V
f
)R
C
R
B
_
. .
DC
F
R
C
v
s
(t)
R
B
. .
AC
(4.26)
El primer t ermino de la ecuaci on ?? entre corchetes representa la componente DC del voltaje de salida
v
OUT
. Este t ermino est a relacionado s olo con V
BB
y otros par ametros del circuito, pero no con v
s
(t). Por
otro lado, el segundo t ermino de la ecuaci on corresponde a la componente AC de las se nal de salida, que
depende s olo de v
s
(t) y no de V
BB
.
El factor multiplicativo de v
s
(t) es llamado incremento o ganacia de voltaje de se nal peque na a
v
del
amplicador. Esta describe la cantidad en que la parte AC de la se nal de entrada es amplicada despu es de
pasar por el amplicador.
a
v
=

F
R
C
R
B
(4.27)
La parte AC de la se nal de salida es tambi en llamada v
o
. Es la unica que vara en el tiempo, adem as es
el t ermino que lleva la informaci on, y a menudo es la componente de inter es.
Ejercicio 1: Un amplicador lineal puede ser modelado por el circuito de la gura 4.4, en el cual una
fuente dependiente de voltaje produce una se nal de salida la cual es proporcional al producto del voltaje
de entrada v
in
por una constante A. Se tiene una resistencia de entrada r
in
= 10[k], adem as el amplica-
dor se conecta a un voltaje de alimentaci on de V
CC
= +15[V ]. La se nal de salida es entregada a un carga
R
L
= 100[]. La se nal tiene una componente DC o BIAS de V
BIAS
= 5[V ].
Se pide encontrar la potencia total y la potencia disipada por la carga, si v
in
= 1,0sen(t) y A = 10.
C ual es la ganancia de potencia del amplicador?
4.5. Conceptos b asicos de polarizaci on
El concepto de polarizaci on merece ser tratado cuidadosamente y en detalle en un primer curso de
electr onica. El concepto de polarizaci on pued ser aplicado tanto a circuitos lineales como no lineales,
com unmente se utiliza m as en circuito no lineales en donde se tienen diodos o transistores. Cuando la
polarizaci on es implementada de manera correcta, causa que elementos no lineales se comporten de mane-
Figura 4.4: Ejemplo 1
ra lineal bajo ciertas restricciones, esto ayuda a rescatar las mejores cualidades de estos elementos. En este
captulo el concepto de polarizaci on se discute primero para circuitos discretos y luego para integrados.
Los circuitos discretos son aquellos formados a partir de varios elementos que son cableados entre si para
conformar el circuito deseado. En cambio los integrados son aquellos que en una s ola pastilla semiconduc-
tora est a todo el circuito, es un chip que contiene todos los elementos. En nuestros tiempos los circuitos
discretos han sido desplazados por los integrados, a un as cabe destacar que ambos circuitos se basan en
los mismos m etodos de polarizaci on.
Aunque la caracterstica v i de un gran n umero de elementos semiconductores es no lineal, se tiene un
comportamiento lineal entre ciertos rangos de operaci on. La caracterstica vi de un diodo de juntura pn es
fuertemente no lineal, pero puede ser modelada por dos rectas, una horizontal y otra vertical, intersectadas
en el punto i
D
= 0, v
D
= V
f
. Similarmente, la caracterstica vi de un BJT puede ser descrita por la ecuaci on
lineal i
C
=
F
i
B
, sobre la regi on activa del BJT, donde la corriente de colector es proporcional a la corriente
de base, independiente del voltaje v
CE
. Tambi en en la ecuaci on de segundo orden del MOSFET, se tiene
una relaci on casi lineal entre v
GS
y v
DS
. En general, si el punto de operaci on de un dispositivo no lineal
es connado a una regi on donde su comportamiento es lineal (localmente), o aproxim adamente, entonces
el dispositivo puede ser utilizado en un circuito anal ogico que provee amplicaci on lineal. La t ecnica de
polarizaci on es usada por el dise nador del circuito, para connar que el punto de operaci on del dispositivo
opere en la regi on donde su comportamiento es lineal (o al menos aproxim adamente), y eliminando o no
haciendo uso de la parte no lineal de la caracterstica v i del dispositivo.
4.5.1. T ecnicas de polarizaci on para un BJT
En esta secci on el concepto de polarizaci on es aplicado al inversor BJT, seguidor de voltaje y seguidor de
corriente. Considerando el circuito de la gura ?? (a), el cual es usado para amplicar el voltaje de entrada
que es funci on del tiempo v
s
(t). En la regi on activa del BJT, donde i
C
=
F
i
B
, la ganancia ser a igual a
F
R
C
/R
B
. Si v
IN
no tiene componente DC, el BJT no siempre estar a en la regi on activa, pero quedar a en
corte con i
B
= 0 y i
C
= 0, a menos que v
s
(t) exceda el voltaje de encendido del BJT V
f
. Valores positivos de
v
IN
mayores que V
f
causar an que el transistor entre en su zona activa, pero valores negativos de v
IN
y sin
tener componente continua, causan que el BJT entre en su zona de corte. En la gura ?? (b) se puede ver la
caracterstica de la amplicaci on que produce el circuito.
Figura 4.5: (a)Circuito inversor BJT sin componente DC; (b)Relaci on entre las se nales de entrada y salida determinada por la caracterstica inversa
de transferencia.
Si se conectara una fuente de voltaje DC de polarizaci on V
BB
en serie con v
s
, como lo muestra la gura
4.6 (a), causara que las corrientes i
B
, i
C
y v
CE
fueran mayores que en el caso que V
BB
no existiera. Adem as
esta fuente es independiente de v
s
y existir a incluso si v
s
= 0. Est a el caso si V
BB
es suciente para que i
B
sea alta, entonces para excursiones negativas de v
s
, el transitor se mantendr a en su regi on activa, o sea esta
fuente DC de polarizaci on V
BB
ayudar a a mantener y controlar que el BJT se mantenga en su regi on activa.
Ejercicio 2: Se tiene el circuito de la gura ?? (a), con V
CC
= 10[V ], R
C
= 2,2[k] y R
B
= 22[k]. Siendo
v
s
(t) sim etrico, encuentre el valor del voltaje DC V
BB
tal que el transistor no entre en su zona de corte o
saturaci on para las variaiones m as grandes posibles de v
s
. Con
F
= 100, V
f
= 0,7[V ] y V
sat
= 0,2[V ].
Tambi en encuentre la mayor magnitud de v
s
que puede ser amplicada cuando se je V
BB
.
Figura 4.6: (a) Inversor BJT con componente DC; (b) Relaci on entre se nal de entrada y salida
4.5.2. Concepto de Polarizaci on Estable en BJTs
Polarizaci on
Voltajes y corrientes dc existentes en el circuito incluso en ausencia de se nal de entrada
Dene punto de operaci on para se nales peque nas que varan en torno a estos voltajes y co-
rrientes: M axima excursi on de se nal
Referencia Estable
Ante variaciones de Temperatura, cambio en par ametros de los dispositivos, efecto Early, etc.
T ecnicas de compensaci on (Feedback) y estabilizaci on
Esquemas de polarizaci on
Fija: Poco estable (Temperatura,, etc.)
Auto-polarizaci on: Estable (Debido a la Retroalimentaci on Corriente-serie)
Cualquiera de las dos conguraciones se puede reducir usando el teorema de Th` evenin.
En este circuito se tiene
V
BB
= I
B
R
B
+V
BE
+ (I
B
+I
C
)R
E
y
I
C
=
F
I
B
Entonces
I
C
=

F
(V
BB
V
BE
)
R
B
+ (
F
+ 1)R
E
(4.28)
Si R
B
<< (
F
+ 1)R
E
se tiene que
I
C

V
BB
V
BE
R
E
(4.29)
Es decir, I
C
no depende de
F
. Adicionalmente, escogiendo adecuadamente las resistencias, se puede
hacer que V
BB
>> V
BE
.
Transistor con caracteristica:
R
E

R
B
Q
1

I
B
I
C
V
CC

+
V
CE

V
BB

R
C

+
V
CE

0
aumenta
Regin de corriente
constante o saturacin
Regin de
triodo
3
Mosfet.pdf
Id-Vd.pdf

i
B
=
1 0,7
10k
30[A]
4.5.3. T ecnicas de polarizaci on para MOSFETs y JFETs
El t ermino de polarizaci on en esta secci on tiene el mismo sentido que para la polarizaci on de BJTs. Antes
de analizar las formas de polarizar un MOSFET, recordemos sus caractarsticas generales. Para uno de canal
n y mejoramiento se tiene. En la regi on de triodo se tiene:
0
aumenta
Regin de corriente
Regin de
triodo
3
Mosfet.pdf
Id-Vd.pdf

I
D
= K [2(V
GS
V
TR
) V
DS
] V
DS
Que para valores peque nos de V
DS
se reduce a
I
D
= 2K [V
GS
V
TR
] V
DS
Mientras que el valor de saturaci on es
I
D
= K [V
GS
V
TR
]
2
Considere el MOSFET mejorado de canal n inversor de la gura 4.7. El MOSFET tiene par ametros
K = 0,5[mA/V
2
] y V
TR
= 2[V ]. El dispositivo puede ser polarizado en su regi on de saturaci on (corriente
continua) teniendo un valor V
GG
apropiado. En este caso los lmites de operaci on del dispositivo son la
regi on de corte (i
D
= 0) y la regi on de trodo. El valor de V
GG
puede ser elegido tal que la se nal de salida
se maximice.
Figura 4.7: Mosfet tipo mejorado de canal n polarizado con V
GG
Figura 4.8: Lnea de carga gracada sobre las curvas caractersticas v-i
El lmite de la regi on de corte est a dado cuando v
GS
= V
TR
, o sea en este caso:
v
GS
= V
TR
= 2[V ] (4.30)
Cuando v
GS
alcanza este valor se tiene lo siguiente:
i
D
= 0 (4.31)
v
OUT
= V
DD
i
D
R
D
= 10[V ] (4.32)
Encontrar los valores de v
GS
e i
D
que marcan la entrada del MOSFET a la regi on de trodo requieren
de cierto c alculo analtico, por esta raz on estos valores se encuentran de manera aproximada intersectando
la curva de carga V
DD
y R
D
con las distintas curvas caractersticas v i del MOSFET, como lo muestra la
gura 4.8. De esa gura podemos ver que el MOSFET entra en la regi on de trodo cuando i
D
1,6[mA],
v
GS
3,8[V ] y v
OUT
1,8[V ]. Este punto de operaci on es alcanzado cuando la suma de v
s
(t) con V
GG
es
igual al valor crtico v
GS
= 3,8[V ].
Si queremos operar en el medio de la regi on de saturaci on, entonces el valor de v
OUT
debe encontrarse
entre los valores crticos de la regi on de trodo y de corte, la componente continua V
OUT
ser a:
V
OUT

lmite regi on de corte
..
10V +
entra en la regi on de trodo
..
1,8V
2
= 5,9[V ] (4.33)
El valor de la componente DC de v
OUT
requiere que exista una corriente de drenaje igual a:
I
D
=
V
DD
V
OUT
R
D
=
10V 5,9V
5k
= 0,82[mA] (4.34)
Que consecuentemente requiere de que la componente continua de v
GS
sea:
V
GS
= V
GG
=
_
I
D
K
+V
TR
=
0,82mA
0,5mA/V
2
+ 2V = 3,28[V ] (4.35)
Los lmites de v
GS
para entrar en la regi on de corte depende del valor que toma v
s
. Cuando v
s
es
sucientemente negativo y la regi on de corte ha sido alcanzada:
v
GS
= v
s
+V
GG
= V
TR
= 2V (4.36)
De lo anterior se desprende que el valor de v
s
en el lmite de la regi on de corte es:
v
s
= v
GS
V
GG
= 2V 3,28V = 1,28V (4.37)
Similarmente, para cuando v
s
es sucientemente positivo para alcanzar la regi on de triodo:
v
GS
= v
s
+V
GG
= 3,8V (4.38)
As el valor de v
s
ser a:
v
s
= v
GS
V
GG
= 3,8V 3,28V = 0,52V (4.39)
Estos valores asim etricos de v
s
se explican por la naturaleza no lineal del MOSFET.
Tambi en es posible jar el valor de V
GG
haciendo un divisor de voltaje a partir de V
DD
, esta t ecnica es
bastante usada tanto para MOSFETs y FETs. Este divisor lo podemos ver en la gura ??, y la relaci on es:
V
G
= V
DD
R
B
R
A
+R
B
(4.40)
4.5.4. Concepto de Polarizaci on Estable en FETs
Figura 4.9: MOSFET mejorado con realimentaci on
Tanto MOSFETs como FETs pueden utilizar la t ecnica de polarizaci on va realimentaci on DC por medio
de un divisor de voltaje de V
DD
como se muestra en la gura 4.9. Ya que I
G
= 0, el valor de V
G
queda como:
V
G
= V
DD
R
B
R
A
+R
B
(4.41)
El voltaje V
GS
puede ser expresado en t erminos de V
G
como:
V
GS
= V
G
I
D
R
S
(4.42)
Analizando la ecuaci on anterior podemos ver que ante cambios de I
D
la cada de voltaje I
D
R
S
har a que
el valor de V
GS
cambie. Este mecanismo de polarizaci on va realimentaci on, reduce en gran medida cual-
quier tendencia de que I
D
vare jando su valor DC.
Una expresi on para el valor de I
D
en la conguraci on va realimentaci on, puede ser encontrada a partir
de la caracterstica v i del MOSFET. En la regi on de saturaci on se tiene
I
D
= K(V
GS
V
TR
)
2
. (4.43)
Ahora reemplazando la ecuaci on 4.42 en la anterior, nos queda:
I
D
= K(V
G
I
D
R
S
V
TR
)
2
. (4.44)
La correspondiente expresi on para la regi on de triodo, se obtiene combinando la ecuaci on 4.42 con la
caracterstica v i de la regi on de triodo, obteniendo:
I
D
= K(2[V
G
I
D
R
S
V
TR
] V
DS
)V
DS
(4.45)
En cualquier caso el valor de V
DS
est a sujeto a los lmites del circuito.
V
DS
= V
DD
I
D
(R
S
+R
D
) (4.46)
Tambi en existe una soluci on para un FET operando en la regi on de triodo, haciendo una conversi on
algebraica que puede ser engorrosa. Afortunadamente, la operaci on en la regi on de saturaci on es la meta
de la mayora de los dise nos de circuitos que contienen FETs. As, en la regi on de saturaci on, la expresi on
para el valor de I
D
puede ser encontrado a partir de la Ec. 4.44 arregl andola como una ecuaci on cuadr atica.
I
2
D
R
2
S
I
D
[
1
K
+ 2R
S
(V
G
V
TR
)] + (V
G
V
TR
)
2
= 0 (4.47)
La ecuaci on 4.47 puede ser resuelta en funci on de los valores R
S
, K, V
G
y V
TR
; sin embargo, dos casos
lmites son evidentes. Si R
S
= 0, la ecuaci on 4.47 se reduce a:
I
D
= K(V
G
V
TR
)
2
(4.48)
Ahora en el lmite cuando R
S
es grande, se tiene que:
R
S
(V
G
V
TR
)
1
K
(4.49)
As la ecuaci on 4.47 se reduce a:
I
2
D
R
2
S
I
D
2R
S
(V
G
V
TR
) + (V
G
V
TR
)
2
= 0 (4.50)
Cuyas soluciones son:
[(I
D
R
S
) (V
G
V
TR
)]
2
= 0 (4.51)
I
D
=
V
G
V
TR
R
S
(4.52)
Para valores grandes de la resistencia de realimentaci on R
S
, la corriente I
D
llega a ser independiente
del par ametro K del FET y depende s olo de V
G
y V
TR
.
Captulo 5
Tratamiento de se nal peque na y
respuesta en frecuencia
5.1. Modelos de se nal peque na de circuitos anal ogicos
La conguraci on de la polarizaci on de un transistor que es utilizado en amplicaci on, determina el pun-
to de operaci on que puede estar en alg un lugar entre los lmites de corte y saturaci on para BJTs o que podra
entrar dentro de la regi on de trodo para FETs. En un amplicador bien dise nado, el punto de operaci on
es capaz de moverse entre varios valores DC para distintas se nales de entrada. Estos cambios en el punto
de operaci on permiten al circuito que contiene el transistor amplicar la se nal de entrada. El concepto de
modelos de se nal peque na es uno de los m as poderosos que se tiene para el an alisis de circuitos no linea-
les. Nos permite rapidamente determinar el comportamiento de una apropiada polarizaci on de un circuito
anal ogico, cuando se aplica una se nal de entrada. Dentro del an alisis de se nal peque na se representan las
dependencias de algunos dispositivos por fuentes dependientes de corriente o voltaje, esto nos ayuda a
simplicar el circuito y por ende hace que el an alisis del mismo sea de menor dicultad. Bajo ciertas con-
diciones, dispositivos no lineales pueden ser representados por otros que sean lineales. Un circuito en el
cual sus dispositivos no lineales pueden ser modelados por pedazos lineales o modelos de se nal peque na
pueden ser analizados usando los principios de la teora de circuitos lineales, incluyendo los equivalentes
de Th evenin y Norton, y el principio de superposici on.
5.1 Modelos de se nal peque na de circuitos anal ogicos 127
5.1.1. Modelo de se nal peque na del BJT
La formaci on del modelo de se nal peque na del BJT parte primero por representar la juntura base-emisor
por dispositivos lineales, que consisten en una fuente DC de voltaje de valor V
f
en serie con una resistencia
peque na r
be
. El valor de r
BE
se dene como:
r
BE

_
i
B
v
BE
_
1
V
BE
I
B
=
V
T
I
B
(5.1)
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V V
I
A
I
0
2.89469 10
10
A; V
0
1.03817 V
=
0

1

0
bjt-senal-pequena1
Figura 5.1: Caracterstica voltaje-corriente de la juntura base-emisor del BJT.
Lo obtenido en la ecuaci on ?? representa la pendiente de la lnea tangente de la curva i
B
v
BE
en el
punto V
BE
, I
B
. A veces la resistencia r
be
tambi en es llamada r
, m as adelante se usar a esta resistencia en

cierta rama del modelo llamado hibrido-pi. En algunos data sheets, se reeren a r
be
como la impedancia de
entrada de se nal peque na h
ie
.
Ahora el segundo paso es enfocarnos en el terminal de salida del BJT. Asumimos que las curvas v i del
BJT en la regi on de corriente constante o m as conocida como activa, con pendiente nula. De la caracterstica
v i del terminal de salida en la regi on activa gura 5.2 se traza una lnea horizontal, la cual depender a de
condiciones del terminal de entrada, este punto tiene la expresi on i
C
=
F
i
B
.

Figura 5.2: Caracterstica ideal v-i del puerto de salida del BJT.
Debemos representar el valor de i
C
en el circuito de se nal peque na. Esto se hace por medio de una fuente
de corriente dependiente de valor
F
i
B
. La representaci on total del BJT en circuitos lineales, que incluye
tanto el terminal de entrada como el de salida, se muestra en la gura 5.3. Esta representaci on es v alida solo
cuando el BJT est a polarizado en la regi on activa o de corriente continua.
C
E
B
E
sen-peq-bjt
Figura 5.3: Modelo se nal peque na BJT
Cuando el circuito se conecta se pueden producir uctuaciones en i
C
que se pueden representar por
i
C
=
i
C
i
B
I
C
V
CE
i
B
. (5.2)
A la derivada, que es evaluada en el punto DC I
C
-V
CE
, se la suele llamar ganacia incremental de co-
rriente,
0
=
i
C
i
B
I
C
V
CE
. (5.3)
El factor
0
expresa el cambio incremental en i
C
que resulta cuando i
B
se desva de su valor DC, I
B
.
La expresi on incremental es a menudo representada en t erminos de las componentes AC en funci on del
tiempo,
i
c
(t) =
0
i
b
(t) (5.4)
Si I
C
contiene ambas componentes DC y AC, estas pueden ser representadas por dos dispositivos li-
neales, o sea dos fuentes de corriente dependendientes por medio de la superposici on de ambas como lo
muestra la gura 5.4. En este modelo donde I
C
representa la componente DC de i
C
, es relacionada con I
B
por medio de
F
. La fuente dependiente i
c
, que representa a la componente dependiente del tiempo de i
C
,
es relacionada con i
b
a trav es de
0
. Notar que estas fuentes de corrientes son superpuestas, conectando
ambas en paralelo. El terminal de entrada del BJT es representado por V
f
y r
be
, que forman una parte del
modelo lineal similar a una juntara pn de un diodo.
C
E
B
E
superposicion
Figura 5.4: Representaci on de ambas fuentes dependientes superpuestas
Como utilizar el modelo de se nal peque na en un circuito
El an alisis de un circuito represntado por su modelo de se nal peque na predice la manera en que el
circuito procesa la se nal de entrada. La respuesta de esta es generalmente independiente de los niveles DC,
aunque como hemos visto los valores del modelo de se nal peque na dependen de los valores DC de voltaje
y corriente del circuito.
Analizaremos el circuito de la gura 5.5 reemplazando el modelo de se nal peque na del BJT, e intentare-
mos encontrar el valor de la ganancia del amplicador.
= 2.2 k
= 10 V
= 22 k
= 1.19 V
C
B
E
ejemplo-sen-peq
=
0
= 100
= 0.7 V
= 1
Figura 5.5: BJT polarizado por V
BB
en su regi on activa
Lo primero es reemplazar el modelo de se nal peque na encontrado en la secci on anterior, quedando
nuestro circuito de la siguiente manera como lo muestra la gura 5.6:
Los valores DC para i
B
, i
C
y v
CE
para el caso en que
F
= 100 y V
f
= 0,7V ser an I
B
= 22A, I
C
=
2,2mA y V
CE
= 5,1V . Con el valor de I
C
mayor que cero y con V
CE
mayor que V
sat
, se conrma que el BJT
est a operando en la regi on activa. Ahora para el valor dado de I
B
, podemos encontrar el valor de r
be
por la
ecuaci on :
r
be
=
V
T
I
B
=
1 0,025V
22A
1,14k (5.5)
= 2.2 k
= 10 V
= 22 k
= 1.19 V
C
B
E
bjt-reemplazado-sen-peq
Figura 5.6: Sustituci on por el modelo de se nal peque na
Ahora analizaremos el modo en que el circuito procesa la se nal de entrada v
s
. Dado el circuito equi-
valente esto es equivalente tener solamente la componente AC de la se nal de entrada. Es decir, debemos
eliminar todas las fuentes DC del circuito, ya sea cortocircuitando a tierra o dejando en circuito abierto. El
circuito de la gura 5.7 nos muestra como quedara el circuito cuando se eliminan las fuentes DC.
= 2.2 k
= 0
= 22 k
C
B
E
= 0

= 0
modelo-sin-dc
Figura 5.7: Representaci on en se nal peque na sin fuentes DC
La componente AC de la se nal de salida se obtiene del circuito modicado de la gura 5.7. De esa gura
se obtiene que i
b
es
i
b
=
v
s
R
B
+r
be
. (5.6)
Similarmente, el valor de la componente AC del voltaje v
OUT
est a dado por:
v
o
=
o
i
b
R
C
. (5.7)
Combinando las ecuaciones anteriores tenemos que el valor de v
o
es:
v
o
=

o
R
C
R
B
+r
be
v
s
=
100(2,2k)
22k + 1,14k
v
s
9,5v
s
(5.8)
El factor
o
R
C
/(R
B
+ r
be
) se llama ganancia de voltaje de se nal peque na del circuito. El signo negativo
resulta porque la corriente de la fuente de corriente
o
i
b
viene desde tierra pasando a trav es de R
C
.
El voltaje total de salida v
OUT
se obtiene por la superposici on de las componentes DC y AC,
v
OUT
= V
CE
+v
o
(t) = 5,1V 9,5v
s
(t) (5.9)
Representaci on alternativa del BJT
Una manera alternativa de representaci on del BJT por medio de su equivalente de se nal peque na es ha-
ciendo uso del par ametro llamado transconductancia, g
m
. La representaci on del circuito por componentes
lineales no cambia, sino solamente la representaci on de la fuente de corriente.
Esto se hace trav es del siguiente an alisis. Sabemos que en la regi on activa del BJT tenemos las siguiente
relaciones:
1. I
C
= I
S
exp
_
V
BE
V
T
_
2. I
E
=
I
C
3. I
B
=
I
C
Deniendo v
BE
(t) = V
BE
+v
be
(t) tenemos,
i
C
(t) = I
S
exp
_
V
BE
V
T
_
exp
_
v
be
(t)
V
T
_
Entonces,
i
C
(t) = I
C
exp
_
v
be
V
T
_
.
Si asumimos que
|v
be
(t)|
V
T
<< 1, podemos aproximar exp(x) 1 + x + o(x
2
) en torno a x = 0. Entonces
tenemos,
i
C
(t) I
C
+
I
C
V
T
v
be
(t). (5.10)
Por lo tanto la variaci on de peque na se nal es:
i
c
(t) =
I
C
V
T
v
be
(t) (5.11)
De donde denimos la transconductancia g
m

I
C
V
T
, la cual es ja para un punto de operaci on. Adem as,
en esta representaci on, se suele denir r
r
be
. Finalmente, comparando con la reprsentaci on anterior, es
evidente que
g
m
v
be
=
0
i
b
El an alisis realizado es bastante intuitivo lo cual ayuda a comprendender mejor como encontrar estos
valores, el circuito queda exactamente igual al de la gura 5.4, s olo que ahora podemos representar el valor
de i
C
por medio de la transconductancia.
C
E
B
E
modelo-alterna
Figura 5.8: Representaci on en se nal peque na sin fuentes DC
A modo de ejemplo se pide encontrar el modelo de se nal peque na del circuito de la gura 5.9, pero en
este caso se reemplazar a la fuente dependiente de corriente por su equivalente con la transconductancia.
circ-con-trans
C
B
E
Figura 5.9: Circuito con BJT
El circuito de la gura 5.9 puede ser representado por el circuito de la gura 5.10.
C
B
E
cir-con-trans-p
Figura 5.10: Modelo se nal peque na con fuente dependiente modelada por gm
La se nal de entrada v
s
causa un voltaje v
:
v
=
r
+R
B
v
s
(5.12)
Este voltaje v
se obtiene por el divisor de voltaje visto en r
.
La corriente representada por la fuente dependiente viene desde la tierra de se nal peque na, y por lo
tanto el voltaje de salida viene dado por:
v
out
= g
m
r
+R
B
R
C
v
s
(5.13)
La ganancia de se nal peque na del amplicador viene dada por el valor g
m
R
C
, cuando R
B
es cercana
a cero.
5.1.2. Modelo de se nal peque na del FET
El modelo de se nal peque na del MOSFET o JFET ser an tratados a la vez, debido a que sus modelos son
los mismos. Por ahora asumimos que las curvas v i son horizontales en la regi on de corriente constate o
tambi en llamada de saturaci on, o sea sin pendiente.
El terminal de entrada de un MOSFET o un JFET que ha sido polarizado apropiadamente, aparecer a en
el modelo de se nal peque na como un circuito abierto, esto debido a que la corriente de compuerta es muy
peque na y generalmente se asume como si fuera de valor cero, por lo tanto la representaci on de este sector
del JFET consiste un simple circuito abierto. Si el dispositivo ha sido polarizado en la regi on de saturaci on,
el terminal de salida puede ser modelado por la combinaci on en paralelo de la fuente de corriente DC I
D
y
la fuente de corriente que depende del tiempo i
d
. La fuente formada representa la componente DC de i
D
y
depende s olo de la componente DC de v
GS
. La otra fuente representa la componente que vara en el tiempo
(AC) de i
D
y depende s olo de la componente AC de v
GS
.
La expresi on de la corriente i
D
para un MOSFET que se encuentra operando en la regi on de saturaci on
es:
i
D
= K(v
GS
V
TR
)
2
(5.14)
Peque nos cambios de i
D
causados por desviaciones de v
GS
en torno al punto V
GS
, I
D
se dene con la
siguiente expresi on:
i
D
=
i
D
v
GS
V
GS
,I
D
v
GS
(5.15)
El par ametro transconductancia de un MOSFET evaluada en el punto V
GS
, I
D
se dene como:
g
m
=
i
D
v
GS
V
GS
,I
D
(5.16)
Si i
D
y v
GS
son expresados por componentes de se nal peque na i
d
y v
gs
, la ecuaci on 5.15 queda:
i
d
= g
m
v
gs
(5.17)
As el modelo de se nal peque na del MOSFET queda representado por el circuito de la gura 5.11.
= 0
D
S
G
S
mod-sen-peq-fet
Figura 5.11: Modelo de se nal peque na de un FET
El valor de g
m
en la regi on de corriente constante o de saturaci on se encuentra evaluando la derivada
de la ecuaci on 5.15 en torno al punto DC del MOSFET,
g
m
=
i
D
v
GS
V
GS
,I
D
=

v
GS
_
K(v
GS
V
TR
)
2
V
GS
,I
D
= 2K(V
GS
V
TR
), (5.18)
que volviendo a usar la ecuaci on 5.14 se reduce a
g
m
= 2
_
KI
D
(5.19)
Notar que el valor de v
DS
no aparece en la expresi on de g
m
porque i
D
no es funci on de v
DS
en la regi on
de saturaci on cuando las curvas v i son horizontales. Esta limitaci on ser a modicada en una secci on
posterior cuando se tengan curvas v i con pendiente distinta de cero, las cuales son tpicas en muchos de
los transistores FET.
Un JFET puede ser representado de manera alternativa a partir de I
DSS
, la corriente de saturaci on
cuando V
GS
= 0. Puede demostrarse entonces que
i
D
= I
DSS
_
1
v
GS
V
p
_
2
(5.20)
g
m
=
2I
DSS
V
p
_
1
V
GS
V
p
_
(5.21)
La ecuaci on 5.20 puede ser resuelta para la cantidad DC (1 V
GS
/V
p
) e insertada en la ecuaci on 5.21,
entonces la expresi on para g
m
ser a:
g
m
=
2
I
DSS
I
D
V
p
(5.22)
Las ecuaciones 5.22 y 5.19 son equivalentes usando
K =
I
DSS
V
2
p
. (5.23)
La transconductancia de se nal peque na g
m
de un FET es funci on de la raz cuadrada de I
D
. Esta de-
pendencia es una manifestaci on del comportamiento ley-cuadrada del FET en su terminal de salida de la
caracterstica v i. La curva de la transconductancia en la regi on de saturaci on se muestra en la gura 5.12
.
Ejercicio 6: Encuentre la componente AC de v
OUT
del MOSFET inversor de la gura 5.13 si la entra-
da v
IN
tiene una componente AC de valor v
s
= 0,1sen(wt). El FET opera en la regi on de saturaci on con
par ametros K = 0,2mA/V
2
y V
TR
= 3V . Encuentre tambi en el equivalente de Th evenin de se nal peque na
visto entre el terminal de v
OUT
y tierra.
|
Q
Q
curva-trans-fet
Figura 5.12: Curva de transconductancia del FET
Figura 5.13: Ejercicio 6
El procedimiento para formar el modelo de se nal peque na del MOSFET pueden ser resumidos como
sigue:
1. Con la fuente AC v
s
puesta en cero, encuentre el punto de operci on DC del dispositivo y el valor de
se nal peque na de g
m
2. Reemplace el MOSFET con su modelo lineal
3. Poner en cero todas las fuentes DC, incluyendo la fuente I
D
.
4. Resolver el circuito por medio de los m etodos conocidos de teora de circuitos
Encontrando el punto de operaci on del MOSFET
Tenemos lo siguiente:
V
GS
= I
D
R
E
I
D
= K(V
GS
V
TR
)
2
(5.24)
De las dos ecuaciones anteriores es posible encontrar el valor de I
D
y V
GS
.
I
D
= 1,17mAV
GS
= 0,58V (5.25)
El valor de V
DS
sabemos si el dispositivo efectivamente se encuentra en la regi on de saturaci on:
V
DS
= V
DD
I
D
(R
D
+R
E
) = 20V (1,17mA)(10k + 0,5k) 7,7V (5.26)
Como V
DS
> (V
GS
V
TR
= 2,4V ), se conrma que el dispositivo se encuentra trabajando en la regi on
de saturaci on. El valor de DC de v
OUT
ser a:
V
OUT
= V
DD
I
D
R
D
= 20V (1,17mA)(10k) 8,3V (5.27)
Encontrando el valor del par ametro g
m
de se nal peque na
g
m
= 2
_
KI
D
= 2[(0,2mA/V
2
)(1,17mA)]
1/2
0,97mA/V (5.28)
Reemplazar el MOSFET por su modelo de se nal peque na y estableciendo las fuentes DC en cero
En la gura 5.14 podemos ver como queda representado el circuito por su modelo de se nal peque na, se
puede notar que las fuentes DC han sido llevadas a cero incluyendo la fuente dependiente I
D
= K(V
GS

V
TR
)
2
que depende s olo de la cantidad DC V
GS
.
Soluci on de la se nal de salida
Para obtener el valor de la se nal de salida se requiere primero encontrar el valor de v
gs
en t erminos de
la se nal de entrada v
in
= v
s
. El valor de v
gs
aplicando KVL en el lazo de entrada.
Figura 5.14: Modelo de se nal peque na del ejercicio 6
v
gs
= v
in
i
d
R
E
= v
in
(g
m
v
gs
)R
E
v
gs
=
v
in
1 +g
m
R
E
(5.29)
Ahora el voltaje de salida v
out
est a dado por:
v
out
= i
d
R
D
= g
m
v
gs
R
D
(5.30)
Sustituyendo:
v
out
=
g
m
R
D
1 +g
m
R
E
v
in
(5.31)
As la ganancia de voltaje es:
a
v
=
v
out
v
in
=
g
m
R
D
1 +g
m
R
E
=
(0,97mA/V
2
)(10k)
1 + (0,97mA/V
2
)(500)
6,5 (5.32)
Si v
in
es igual a v
s
= 0,1sen(wt), la componente AC de la se nal de salida es:
v
out
= 0,65sen(wt) (5.33)
As el valor total del voltaje de salida es:
v
OUT
= V
OUT
+v
out
= 8,3 0,65sen(wt) (5.34)
5.2 Respuesta en frecuencia de los dispositivos semiconductores 139
Equivalente de Th evenin del modelo de se nal peque na del circuito
El voltaje v
out
es calculado sin carga conectada en el terminal v
out
, por lo tanto las ecuaciones (66) y
(68) representan el voltaje de Th evenin en circuito abierto del modelo de se nal peque na. La resistencia de
Th evenin de se nal peque na r
th
puede ser encontrada llevando a cero la fuente v
s
y aplicando una fuente
v
test
en los terminales de salida, como se muestra en la gura 5.15 . La compuerta del FET es llevada a
tierra en la gura 5.15 , por lo tanto v
gs
llega a ser la parte negativa del voltaje sobre R
E
. De aqu es posible
obtener un corriente i
test
cuando v
gs
es igual a cero.
i
test
=
v
test
R
D
(5.35)
r
th
=
v
test
i
test
= R
D
= 10k (5.36)
Figura 5.15: Aplicando una fuente en los terminales de salida para encontrar el equivalente de Th evenin
As el equivalente de Th evenin es el de la gura 5.16.
5.2. Respuesta en frecuencia de los dispositivos semiconductores
En este capitulo se introduce el concepto de dependencia temporal y de frecuencia de la respuesta en
los circuitos electricos. Se estudiar an las limitaciones de frecuencia de los circuitos y los retrasos propios de
los distintos elementos, estos debidos a la inevitable precencia de elementos de almacenamiento de energa,
como condensadores e inductancias. Algunos condensadores son ubicados intencionalmente en los circui-
5.3 Fuentes de Capacitancia e Inductancia en Circuitos Electr onicos. 140
Figura 5.16: Equivalente de Th evenin
tos para adecuar la respuesta en frecuencia o aislar voltajes de polarizaci on, pero la capacitancia tambi en
est a naturalmente presente en la estructura b asica de los elementos semiconductores y en los mismos circui-
tos impresos o integrados. Finalmente cabe destacar que las capacitancias e inductancias par asitas pueden
ser de suma importancia para el dise no de circuitos de alta o muy alta frecuencia, por lo que pasa a ser
relevante la forma y distribuci on de los circuitos impresos en estas aplicaciones.
5.3. Fuentes de Capacitancia e Inductancia en Circuitos Electr onicos.
Como se mencion o anteriormente, la capacitancia afecta fuertemente la respuesta en frecuencia de los
circuitos modernos. Igualmente es posible encontrar inductancias en forma distribuida y par asita. Comun-
mente se estudia el efecto de la capacitancia sobre la respuesta en frecuencia y se omiten los efectos in-
ductivos, ya que generalmente son despreciables, sin embargo en aplicaciones de transformadores, con
utilizaci on de inductancias, de potencia o de radiofrecuencias entre otras, pasa a ser necesario el estudio de
los efectos inductivos en el circuito.
5.3.1. Capacitancia par asita entre conductores
Todos los elementos discretos presentan alg un grado de capacitancia entre sus conexiones externas,
debido a que las distancias entre los distintos conectores suelen ser sucientemente peque nos para poder
generar una capacitancias que pueda resultar importante para el funcionamiento del circuito. Generalmente
estas capacitancias estan conectadas a tierra gracias al dise no tipico de circuitos con planos de tierra.
Estas capacitancias suelen ser peque nas, normalmente del orden de picofaradios, por lo que estas deben
ser incluidas en el estudio de la respuesta en frecuencia de los circuitos.
Figura 5.17
Figura 5.18
5.3.2. Inductancia par asita entre conductores
Cuando los elementos estan interconectados por cables o pistas, la inductancia aparece en los circuitos.
Esta inductancia par asita aparece como un embobinado de una vuelta, y la inductancia depende del area
encerrada por el circuito.
Esta inductancia se puede incluir en el circuito como una inductancia en serie en cada pista, y el valor
de esta se puede estimar a travez de la geometra y distribuci on de los elementos del circuito.
En los dise nos de circuitos anal ogicos se ha vuelto particularmente importante el efecto de estas induc-
tancias debido a las muy alta frecuencias en las que se trabaja. Adem as, es posible que las inductancias
se comporten como acopladas, entreg andose ujo magn etico mutuamente e inyectando ruido a trav es de
circuitos completamente desconectados.
w
p
w
n

d
e
n
s
i
d
a
d

d
e

c
a
r
g
a

e
s
p
a
c
i
a
l

p N
A
n N
D
x
+ +
+ +
+ +

r
p

r
n

I
II
Figura 5.19: Zona de agotamiento: cargas jas no compensadas aparecen alrededor de la juntura. Por conservaci on de carga se debe cumplir que
Q+ = Q.
5.3.3. Capacitancia de la juntura pn
Para las junturas pn, particularmente en polarizaci on inversa, es posible reconocer un comportamiento
similar al de un condensador. Debido a la concentraci on de cargas entorno a la zona de agotamiento, se
observan dos zonas paralelas y aisladas electricamente, con cargas opuestas.
Asumiendo una distribuci on uniforme de estas cargas se tiene que
Q
+
= +qN
D
W
N
A (5.37)
Q
= qN
A
W
P
A (5.38)
Por otro lado, w
n
y w
p
se pueden calcular usando la ecuaci on de Poisson. De esta manera se puede demos-
trar que
Q =
_
2q (v
0
v
D
) N
A
N
D
N
A
+N
D
_
1/2
, (5.39)
de donde la capacitancia del sistema es
dQ
dv
D
C
j
= A
_
q
2
N
A
N
D
N
A
+N
D
_
1/2
(v
0
v
D
)
1/2
(5.40)
Adem as, existe otra capacitancia intrnseca en una juntura pn. Esta aparece solamente en polarizaci on
directa y est a asociada a la acumulaci on de cargas m oviles fuera de la zona de agotamiento como ilustra la
n
p

p
p

n
n

p
n

c
o
n
c
e
n
t
r
a
c
i
n

d
e

p
o
r
t
a
d
o
r
e
s

p n
= 0 Polarizacin Directa
n
p

p
p

n
n

p
n

c
o
n
c
e
n
t
r
a
c
i
n

d
e

p
o
r
t
a
d
o
r
e
s

Figura 5.20: Cargas m oviles acumuladas fuera de la zona de agotamiento.
fig04.pdf
1
c
e
b
e
Figura 5.21
gura.
En este caso se puede demostrar que
C
d
=
Q
v
D
= k
d
I
S
e
v
D
/V
T
k
d
i
D
(5.41)
5.3.4. Capacitancia en el transistor BJT
i
b
= i
+i
1
+i
2
(5.42)
g
m
v
= g
m
(r
) =
0
i
,=
0
i
b
(5.43)
I
b
= I
+I
1
+I
2
(5.44)
Donde:
c
e
b
e

fig05.pdf
1
Circuito
colector
Circuito
de entrada
Figura 5.22
I
=
V
(5.45)
I
1
= V
(jC
) (5.46)
I
2
= (V
V
ce
) (jC
) (5.47)
Combinando estas ecuaciones se tiene que
i
b
=
v
+v
(jC
) + (v
V
ce
) (jC
) , (5.48)
de donde,
v
=
i
b
r
+ (jC
) r
v
ce
1 +jr
(C
+C
)
(5.49)
Es posible considerar que la corriente a trav es del condensador C
es mucho menor que la corriente de

base, lo que permite obtener una aproximaci on para la respuesta de la ganancia en funci on de la frecuencia,
sin embargo esta aproximaci on es completamente valida solamente cuando el emisor esta cortocircuitado
con el colector.
[jC
[ I
b
(5.50)
V

I
b
r
1 +jr
(C
+C
)
(5.51)
Multiplicando por g
m
, podemos denir una ganancia para el transistor () como
Figura 5.23
g
m
V

I
b
r
g
m
1 +jr
(C
+C
)
() I
b
, (5.52)
de dnde,
() =
r
g
m
1 +jr
(C
+C
)
=

0
1 +jr
(C
+C
)
(5.53)
Se puede observar que existe un polo determinado por las capacitancias y resistencias internas, por lo
que se puede estimar que para frecuencias menores que la frecuencia de corte de este polo, la ganancia del
BJT es
0
, pero que al aumentar dicha frecuencia esta ganancia disminuye.
Una particularidad de la conguraci on cortocircuitada del emisor con el colector es que existe una fre-
cuencia alta,
T
, tal que la ganancia de corriente es unitaria. Esto permite medir experimentalmente la
capacitancia C
.
[(
T
)[ = 1 =
..
1
2
T
(C+C)
2
C
=
g
m
T
C
(5.54)
5.3.5. Capacitancias en un MOSFET
La estructura de un MOSFET se asimila a la de un condensador simple, es decir a dos placas paralelas
separadas por un elemento aislante. La capacitancia de un condensador simple se calcula como se muestra
en la ecuaci on (5.55), y depende del ancho del material aislante t
ox
y de su permisividad diel ectrica
ox
.
Cabe destacar que la capacitancia que se puede modelar de esta manera es la capacitancia Gate-Source, y
p-type
n
+
n
+

S G D
+V
GB

+V
DS
Oxide
Semiconductor
Metal
Cargas mviles
Cargas fijas
Figura 5.24
se aplica cuando el voltaje Gate-Source es mucho mayor que el voltaje Drain-Source.
C
gs
=

ox
A
t
ox
(5.55)
Cuando el voltaje Drain-Source es copmarable con el voltaje Gate-Source entonces las cargas no se dis-
tribuyen uniformemente en el material aislante, entonces se puede correjir este valor a trav es de la ecuaci on
(5.56).
C
gs
=
2
3
ox
A
t
ox
(5.56)
El resto de las capacitancias par asitas son muy peque nas gracias a la conguraci on plana de este tran-
sistor, y s olo se consideran las capacitancias entre los conductores.
Figura 5.25
d
s
g
s
fig09.pdf
Figura 5.26
5.4 Respuesta de circuitos que contienen condensadores 148
[rad/s]
[dB]

Banda media
3 dB 3 dB
Lmite de alta
frecuencia
Lmite de baja
frecuencia
Figura 5.27
5.3.6. Capacitancias en un J-FET
Para el un voltaje Drain-Source peque no se puede considerar que la juntura Gate-Source se comporta
como un diodo en polarizaci on inversa, por lo que su capacitancia se calcula de igual manera.
C
gs
= A
_
q
2
N
A
N
D
N
A
+N
D
_
1/2
(v
0
v
GS
)
1/2
(5.57)
En caso de voltajes mayores de Drain-Source, la juntura ya no es equipotencial, y el c alculo de estas
capacitancias resulta en un problema muy complejo y lleno de supuestos. Esta capacitancia toma valores
en el rango de 1 a 3 pF para la mayoria de los transistores discretos.
El modelo de un JFET queda igual que el de un MOSFET, ver gura 5.26.
5.4. Respuesta de circuitos que contienen condensadores
Dependiendo de la conguraci on en la que se utiliza un condensador en un circuito se obtienen distintas
funcionalidades. Para el estudio de esto se debe considerar tanto el valor de cada condensador como su
disposici on dentro del circuito, ya que estos se pueden modelar como cortocircuito, capacitancias o circuitos
abiertos para distintas zonas de frecuencias.
5.4.1. Capacitores de alta y baja frecuencia
El efecto de un determinado condensador dentro de un circuito afecta comunmente fuera de la banda
media del circuito. La banda media representa el rango de frecuencias en el que la salida no se ve mayor-
mente afectada por los efectos capacitivos. Desde un punto de vista del dominio de frecuencia es com un
separar a las capacitancias como de alta frecuencia o de baja frecuencia, dependiendo de si su comporta-
5.4 Respuesta de circuitos que contienen condensadores 149
Figura 5.28
miento afecta a la se nal antes o despu es de la banda media.
Como regla general, una capacitancia ser a de baja frecuencia si se conecta en serie con la entrada o con la salida
del circuito, y una capacitancia ser a de alta frecuencia si esta conectada entre la entrada o salida y tierra.
Seg un esta clasicaci on, todas las capacitancias internas y par asitas resultan ser de alta frecuencia, mientras que
los condensadores externos se comportan como de baja frecuencia. Una excepci on com un a esta regla es el condensador
de bypass, que se estudiar a m as adelante en este capitulo.
Para ilustrar el concepto del tipo de capacitancia, se puede observar la gura 5.28.
Se observa que los condensadores C
S
y C
C
, son condensadores de acoplamiento y C
E
es un condensa-
dor de bypass, y son capacitancias de baja frecuencia, es decir que su funci on es eliminar las frecuencias
bajas en las se nales de entrada y de salida del circuito, y en particular la componente constante de ellas. El
condensador C
L
de la carga y las capacitancias internas de ambos transistores se comportan como capaci-
tancias de alta frecuencia, y su funci on en el circuito es atenuar las frecuencias altas.
Esta categorizaci on de las capacitancias permite una alta simplicaci on en el dise no y an alisis de ampli-
cadores lineales, ya que las capacitancias afectan unicamente a un extremo del espectro de frecuencias, el
alto o el bajo.
Especicamente, a frecuencias por debajo del lmite superior de la banda media, todas las capacitancias
altas son consideradas circuitos abiertos, siendo entonces eliminadas del an alisis en este rango de frecuen-
cias. Similarmente, a frecuencias superiores al lmite inferior de la banda media, todas las capacitancias de
baja frecuencia se consideran cortocircuitos, siendo entonces eliminadas del an alisis del sistema. Destaca
que para este an alisis debe existir una clara banda media plana que separe a ambos grupos de capacitan-
5.5 Superposici on de Polos 150

Altas frecuencias
Capacitancias de baja
frecuencia: cortocircuito
Bajas frecuencias
Capacitancias de alta
frecuencia: circuito abierto
Figura 5.29
fig25.jpg
[rad/s]
[
d
B
]
Banda media
Polo dominate
Polo dominate
Polos
Polos o ceros
Figura 5.30
cias. El modelo de se nal peque na de un circuito donde no se observan capacitancias es conocido como
modelo de banda media.
5.5. Superposici on de Polos
5.5.1. Concepto de Polo Dominante
Para el correcto an alisis de un circuito es necesario determinar adecuadamente los polos que dan inicio
y termino a la banda media. Estos polos son llamados polos dominantes, y a las capacitancias que les dan
origen se les llama capacitancias dominantes. En caso de haber diversas capacitancias de alta frecuencia o
de baja frecuencia, el c alculo de estos polos puede resultar complicado.
1 k
10 f
= +12 V
1 M 5.1 k
14 pf 1 M
fig20.pdf
10 f
Figura 5.31: Ejemplo.

fig20a.pdf
+12 V
1 M 5.1 k
c
e
b
e
fig20c.pdf
Figura 5.32
Ejemplo de M etodo Exacto con BJT
Con:
r
x
= 10[]
f
T
= 450[MHz]
= 100
V
f
= 0, 7[V]
r
0
=
1. C alculo de los puntos de operaci on (polarizaci on) de los transistores .
I
B
= (V
CC
V
BE
)/R
B
= 11,3 [A],
I
C
= I
B
= 1,13 [mA],
V
CE
= V
CC
R
C
I
C
6,2 [V]
2. C alculo de los parametros de se nal peque na en torno al punto de polarizaci on.
r
= V
T
/I
B
2,2 [k],
g
m
= I
C
/V
T
45 [mA/V],
C
= (g
m
/
T
) C
16 [pF]
3. Reemplazo del transistor por su circuito equivalente de se nal peque na (capacitores de alta frecuencia
en abierto).
c b
e
1 k

10 f
1 M
1 M
10 f
5.1 k
c b
e
1 k

10 f
1 M
14 pf 1 M
10 f
5.1 k
fig21.pdf
Figura 5.33
c b
e
1 k

1 M
14 pf 1 M
5.1 k
fig22.pdf
Figura 5.34
V
out
V
in
= g
m
R
C
r
+R
S
R
L
R
C
+R
L
jC
S
(r
+R
S
)
1 +jC
S
(r
+R
S
)
jC
C
(R
C
+R
L
)
1 +jC
C
(R
C
+R
L
)
(5.58)
f
L1

1
2(R
S
+r
)C
S
5 [Hz] (5.59)
f
L2

1
2(R
C
+R
L
)C
C
0,016 [Hz] (5.60)
3. Reemplazo del transistor por su circuito equivalente de se nal peque na (capacitores de baja frecuencia
en corto).
V
out
V
in
= g
m
(R
C
[[R
L
)
r
+R
S
1
1 +jR
P
C
1
1 +j(R
C
[[R
L
)C
L
(5.61)
f
H1

1
2R
P
C
14,5 [MHz] (5.62)

f
H2

1
2(R
C
[[R
L
)C
L
2,24 [MHz] (5.63)
4. Se calcula ganancia a partir de la expresi on para baja o alta frecuencia (en este caso, Ecuaci on 5.58 o
5.61).
a
V
= g
m
R
C
r
+R
S
R
L
R
C
+R
L
157 = 44 dB (5.64)
Otra forma de obtener a
V
es suponer que en la banda media las capacitancias de frecuencia baja son
corto circuitos y las de alta, abiertos.
H(j) = A
0
H
L
H
H
= A
0
_
(j/
a
)
(1 +j/
a
)
(j/
b
)
(1 +j/
b
)

(j/
m
)
(1 +j/
m
)
_
. .
H
L
_
1
(1 +j/
1
)(1 +j/
2
) (1 +j/
n
)
_
. .
H
H
(5.65)
5.5.2. Limite de alta frecuencia
H(j) A
0
H
H
= A
0
_
1
(1 +j/
1
)(1 +j/
2
) (1 +j/
n
)
_
(5.66)
n
i=1
(1 +j/
i
) = 1 +
_
n
i=1
j
i
_
+
_
_
i=k
(j)
2
k
_
_
+
_
_

i=k=g
(j)
3
g
_
_
+ +
(j)
n
2

n
(5.67)
H(j)
A
0
1 +j
_
n
i=1
1
i
_ (5.68)
H
=
_
n
i=1
1
i
_
1
(5.69)
H(j) =
1
1 +j/
k
(5.70)
1 5 10 50 100 500 1000
20
15
10
5
0
Hz
H
H
d
B
Figura 5.35
5.5.3. Limite de baja frecuencia
H(j) A
0
H
L
= A
0
_
(j/
a
)
(1 +j/
a
)
(j/
b
)
(1 +j/
b
)

(j/
m
)
(1 +j/
m
)
_
(5.71)
= A
0
_
1
(
a
/j + 1)(
b
/j + 1) (
m
/j + 1)
_
(5.72)
m
i=a
(
i
/j + 1) = 1 +
1
j
m
i=a
i
+
1
(j)
2
i=k
k
+
1
(j)
3
i=k=g
g
+ +
1
(j)
m
(
a
b

m
) (5.73)
H(j) A
0
1
1 + (1/j)(
a
+
b
+ +
m
)
= A
0
j/(
a
+
b
+ +
m
)
1 + [j/(
a
+
b
+ +
m
)]
(5.74)
L

a
+
b
+ +
m
(5.75)
1 5 10 50 100 500 1000
40
30
20
10
0
Hz
H
L
d
B
Figura 5.36
H(j) =
j/
k
1 +j/
k
(5.76)
5.5.4. M etodo de Polos Dominante
El m etodo de la resistencia de Th evenin consiste en considerar todas las capacitancias de alta frecuencia
como circuitos abiertos y todas las capacitancias de baja frecuencia como cortocircuitos, excepto por una
capacitancia en particular a la cual se le esta aplicando el m etodo. Hecho esto se reduce el circuito a una
fuente de entrada en serie con una resistencia equivalente del circuito y con la capacitancia en estudio. Este
circuito RC genera una frecuencia de corte que se calcula como se muestra en la ecuaci on 5.77.
=
1
r
th
C
(5.77)
Este procedimiento se efectua con todas las capacitancias del circuito. Se considera como capacitan-
cia dominante de baja frecuencia a aquella capacitancia de baja frecuencia que genere el polo de mayor
frecuencia. Por otro lado, la capacitancia de alta frecuencia que genere el polo de menor frecuencia se con-
sidera como capacitancia dominante de alta frecuencia. Destaca que este m etodo debe arrojar frecuencias
dominantes correctamente ordenadas, ya que en caso de no ser as las aproximaciones utilizadas no son
Banda
Media
0.001 0.1 10 1000 10
5
10
7
10
9
40
20
0
20
40
Hz
v
i
n
v
o
u
t
d
B
Figura 5.37
()
Capacitancia
bajo estudio
fig26.pdf
Figura 5.38
10 k
10 f
= +10 V
1 M 5 k
1 pf 10 k
10 f
1 M
2
fig27.pdf
Figura 5.39
R
S

R
2
r
o
R
1

g
s
d
v
out

R
L
R
D

C
1
C
2
R
S

v
in
R
2
r
o
R
1

g
C
L
s
d
g
m
v

v
out

R
L
R
D

C
1
C
gs
C
2
R
S

v
in
R
2
r
o
R
1

g
s
d
g
m
v

v
out

R
L
R
D

C
1
C
2
validas.
Ejemplo de M etodo de Polos Dominantes con MOSFET
Con:
C
gs
= 8 pF.
C
gd
y C
ds
despreciables.
r
0
= 100 k.
K = 1 mA/V
2
.
V
TR
= 4 V.
1. C alculo de punto de operaci on: I
D
= 1 mA. 2. C alculo de par ametros de circuito equivalente: g
m
=
2
KI
D
= 2mA/V . 3. Circuito equivalente.
4. C aculo de ganancia en banda media: a
v
= 6,7.
5. Frecuencia baja.
5. C alculo (independiente) de polos por m etodo de Th evenin.
6. Frecuencia alta.
6. C alculo (independiente) de polos por m etodo de Th evenin.
R
S

R
2
r
o
R
1

g
s
d
v
out

R
L
R
D

C
1
C
2
R
S

v
in
R
2
r
o
R
1

g
C
L
s
d
g
m
v

v
out

R
L
R
D

C
1
C
gs
C
2
R
S

v
in
R
2
r
o
R
1

g
s
d
g
m
v

v
out

R
L
R
D

C
1
C
2
Figura 5.41
R
S
v
in
R
2
r
o
R
1
g
C
L
s
d
g
m
v
v
out
R
L
R
D
C
1
C
gs
C
2
R
S
R
2
r
o
R
1
g
s
d
g
m
v
v
out
R
L
R
D
C
1
C
2
R
S
v
in
R
2
r
o
R
1
g
s
d
g
m
v
v
out
R
L
R
D
C
1
C
2
eq3.pdf
Figura 5.42: Polo 1: Th evenin con C2 en corto,
b1
= (R
ThC1
C1)
1
. Polo 2: Th evenin con C1 en corto,
b2
= (R
ThC2
C2)
1
.
R
S

R
2
r
o
R
1

g
C
L
s
d
v
out

R
L
R
D
C
gs
R
S

v
in
R
2
r
o
R
1

g
C
L
s
d
g
m
v

v
out

R
L
R
D

C
1
C
gs
C
2
R
S

v
in
R
2
r
o
R
1

g
C
L
s
d
g
m
v

v
out

R
L
R
D
C
gs
Figura 5.43
R
S
v
in
R
2
r
o
R
1
g
C
L
s
d
g
m
v
v
out
R
L
R
D
C
1
C
gs
C
2
R
S
R
2
r
o
R
1
g
C
L
s
d
g
m
v
v
out
R
L
R
D
C
gs
R
S
v
in
R
2
r
o
R
1
g
C
L
s
d
g
m
v
v
out
R
L
R
D
C
gs
Figura 5.44: Polo 1: Th evenin con C
L
en abierto, a1 = (R
ThCgs
Cgs)
1
. Polo 2: Th evenin con Cgs en abierto, a2 = (R
ThCL
C
L
)
1
.
5.6 Efecto de C
(o C
gd
) en la respuesta del amplicador 159
5.6. Efecto de C
(o C
gd
) en la respuesta del amplicador
Red de
salida
Red de
entrada
RF01.png
M etodo resistencia de Th evenin (voltaje o corriente de prueba)

Uso del teorema de Miller
Soluci on exacta de H(j)
Con:
R
S
= 1 k
C
S
= 2,2 F
R
1
= 20 k
R
2
= 10 k
R
C
= 5 k
R
E
= 3,3 k
C
E
= 100 F
r
x
= 10
f
T
= 450 MHz
R
S
C
S
v
in

R
1

R
2
C
E
v
out

6 V
+6 V
R
C

R
E

b
c
e
Figura 5.45
5.6 Efecto de C
(o C
gd
R
S
C
S
v
in

R
1

R
2
C
E
v
out

6 V
+6 V
R
C

R
E

b
c
e
R
S

v
in
R
2
R
C
R
1

b
C

r
x
C

r

e
c
g
m
v

v
out

C
S
R
E
C
E
R
S
v
in
R
2
R
C
R
1
b
r
x
r
e
c
g
m
v
v
out
C
S
R
E
C
E
figCu-eq1.pdf Figura 5.47: Ejemplo.
= 100
V
f
= 0, 7 V
r
0
=
C
= 2 pF
1. C alculo de los puntos de operaci on: I
C
= 1 mA.
2. C alculo de los par ametros del circuito equivalente: g
m
= 40 mA/V, r
= 2,5 k, C
= 12,1 pF.
3. Circuito equivalente:
4. C alculo de ganacia en banda media.
5. Frecuencias bajas: C
y C
en circuito abierto.
6. Frecuencias altas: C
S
y C
E
en corto.
3. Efecto de C
solamente,
= (R
Th
C
)
1
.
3. Efecto de C
solamente,
= (R
Th
C
)
1
.
R
C
r
Th
e
c
g
m
v
v
out
R
S
v
in
R
2
R
C
R
1
b
C
r
x
C
e
c
g
m
v
v
out
v
Th
R
C
r
Th
e
c
g
m
v
v
out
C
v
test
i
test
figCu-eq2.pdf
5.6 Efecto de C
(o C
gd
R
C
r
Th
e
c
g
m
v
v
out
R
C
r
Th
c
g
m
v
v
out
R
C
r
Th
e
c
g
m
v
v
out
e
R
C
r
Th
e
c
g
m
v
v
out
v
Th
v
Th
v
test
i
test
v
test
i
test

figCu-eq2.pdf
figCu-eq3.pdf
R
C
r
Th
e
c
g
m
v
v
out
R
C
r
Th
c
g
m
v
v
out
R
C
r
Th
e
c
g
m
v
v
out
e
R
C
r
Th
e
c
g
m
v
v
out
v
Th
v
Th
v
test
i
test
v
test
i
test

figCu-eq2.pdf
figCu-eq3.pdf
5.6.1. Teorema de Miller y Multiplicaci on de Miller
Una impedancia transversal se puede modelar por una impedancia paralela equivalente.
Para el elemento transversal,
I
a
=
V
a
V
b
Z
(5.78)
Para el equivalente paralelo,
I
a
=
V
a
Z
A
(5.79)
Entonces,
Z
A
= Z
V
a
V
a
V
b
=
Z
1 V
b
/V
a
(5.80)
Para un BJT donde C
no es despreciable, entonces
C
A
= C
_
1
V
b
V
a
_
(5.81)
V
b
Z
A
V
a

Z

V
a

5.7 Polos de alta frecuencia con resistencia de realimentaci on 162
Red de
entrada
RF02.png
Red de
salida
v
Th
R
C
r
Th
e
c
g
m
v
v
out
C
figCu-eq4a.pdf
v
Th
R
C
r
Th
e
c
g
m
v
v
out
C
C
A
V
b
/V
a
esta relacionado a la ganancia V
in
/V
out
.
Si no existe resistencia o elemento de realimentaci on, el teorema de Miller es recomendado.
Si existe elemento de realimentaci on, el metodo de resistencia de Th evenin (voltaje/corriente de prue-
ba) es el recomendado.
3. Efecto de C
y C
A
, = (R
Th
(C
+C
A
))
1
.
3. Resolver el sistema completo.
5.7. Polos de alta frecuencia con resistencia de realimentaci on
Si R
E
(R
S
) es grande puede reducir las resistencias de Th evenin vistas por los condensadores de alta
C
y C
, pero esto reduce la ganancia de banda media.

Usando LCK en el nodo C se obtiene i
c
como funci on de i
test
y v
. Haciendo LCK en el nodo x se obtiene

i
s
como funci on de i
test
y v
. Por otro lado v

test
= v
x
v
c
= i
s
(R
S
+r
x
) +i
c
R
C
es funci on tambi en de i
test
y v
. Finalmente usando LVK en el lazo A obtenemos v
como funci on de i
test
, as v
test
queda solo como
funci on de i
test
determinando la resistencia de Th evenin:
v
Th
R
C
r
Th
e
c
g
m
v
v
out
C
figCu-eq4a.pdf
v
Th
R
C
r
Th
e
c
g
m
v
v
out
Z
C
Z
C
5.8 Respuesta en frecuencia con el capacitor de desvo 163
RF03.png
Red de
salida
Red de
entrada
Red de
entrada
Red de
salida
RF04.png
RF03.png
Red de
salida
Red de
entrada
Red de
entrada
Red de
salida
RF04.png
R
th
=
V
test
I
test
= (R
S
+r
x
) +R
C
+
(R
S
+r
x
) [(R
S
+r
x
) +g
m
r
R
C
]
r
+ (1 +g
m
r
)R
E
+ (R
S
+r
x
)
(5.82)
5.8. Respuesta en frecuencia con el capacitor de desvo
Usando ley de corriente en el emisor:
I
test
= V
test
_
1
R
E
+

0
+ 1
R
S
+r
x
+r
_
(5.83)
R
thE
=
V
test
I
test
= R
E
|
R
S
+r
x
+r
0
+ 1
(5.84)
e
c

RF04a.png
Lazo A
5.8 Respuesta en frecuencia con el capacitor de desvo 164
RF05.png
Red de
salida
Red de
entrada
Red de
entrada
Red de
salida
+

RF06.png
RF05.png
Red de
salida
Red de
entrada
Red de
entrada
Red de
salida
+

RF06.png
1. C alculo de los puntos de operaci on de los transistores (c alculo DC).
2. Con los puntos de operaci on es posible encontrar los parametros de se nal peque na en torno a esos
puntos (r
, g
m
, r
0
, C
etc.).
3. Se reemplazan los transistores por sus modelos de se nal peque na.
4. Para calcular la ganancia de banda media se cortocircuitean los condensadores de baja y se abren los
de alta (tratamiento AC).
5. Para calcular el rango de frecuencia de operaci on se puede usar:
M etodo exacto por medio de H(j).
M etodo aproximado de polo dominante.
M etodo aproximado de polo dominante, pero renado por medio del m etodo de superposici on
de polos.
e
c

RF05a.png
Captulo 6
Aplicador Diferencial
En este captulo, se introduce y discute en detalle una topologa especial para amplicaci on. Est a com-
puesta por dos transistores y se llama Amplicador Diferencial (AD). Esta topologa se encuentra en muchos
circuitos electr onicos, incluyendo amplicadores de baja y alta frecuencia, moduladores an alogos y puertas
l ogicas digitales. Alguna forma de amplicador diferencial es casi siempre usado como la etapa de entrada
en un amplicador operacional (Op-Amp) integrado. Esta etapa de entrada provee al Op-Amp con una
resistencia de entrada grande y la habilidad de amplicaci on diferencial. Adem as de su uso como etapa de
entrada en los Op-Amp, el AD resuelve el problema de compromiso que se tiene con los amplicadores
de un solo transistor, estudiados anteriormente. En algunos ejemplos se vio la dicultad que representa
para un amplicador de un solo transistor el tener una alta ganancia de amplicaci on junto con una bue-
na estabilidad (independiente de los par ametros fsico de los dispositivos). La resitencia de realimentaci on
que ayuda a independizar la polarizaci on del transistor a variaciones de los par ametros del dispositivo
(estabilidad), tambi en reduce, desafortunadamente, la capacidad de amplicaci on de se nales alternas del
circuito. Como ser a demostrado m as adelante, la topologa AD permite ofrecer un circuito que tiene ambas
habilidades, una polarizaci on estable y alta ganancia de amplicaci on.
6.1. Topologa b asica del amplicador diferencial
La polarizaci on estable en amplicadores de un transistor requiere de una resistencia de realimentac on
o que un elemento de alta impedancia sea insertado en el nodo com un del dispositivo activo y el bus de la
6.2 Se nales de modo diferencial y com un 166
fuente de poder negativa, como es ilustrado en la Figura 6.1
1
. Desafortunadamente, este esquema de pola-
rizaci on tambi en opera reduciendo la ganancia del inversor. El compromiso que aparece en amplicadores
de un transistor entre la estabilidad y la ganancia puede ser aliviado conectando el nodo com un a tierra por
medio de un condensador de bypass. Dado que el condensador act ua como un circuito abierto para se nales
DC, este condensador no altera la polarizaci on del amplicador, pero conecta el nodo com un a tierra a altas
frecuencias. Sin embargo, esta soluci on no es optima dado que la impedancia del condensador varia con la
frecuencia y, m as importante, el area ocupada por un condensador es extremadamente grande como para
ubicarlos dentro de los circuitos integrados.
v
in

v
out

V
SS
V
DD
R
D

R
S
v
in

v
out

V
EE
V
CC
R
C

R
E

Elemento de
retroalimentacin
Figura 6.1: Topologa de amplicaci on con transistor unico (a) BJT y (b) MOSFET.
Un mejor m etodo de bypass es el mostrado en la Figura 6.2. Esta conguraci on usa un dispositivo activo
adicional a la conguraci on de inversor. El segundo dispositivo comparte el nodo com un del inversor y
es polarizado en paralelo con la misma fuente de corriente DC. Es este dispositivo el que da el camino
alternativo a tierra de baja impedancia que es necesario para una gran ganancia. El circuito formado por
el segundo dispositivo puede tener un elemento de carga pull-up haciendo sim etrico el circuito total. La
funci on de desvio o bypass para peque na se nal no se ve afectada por este nuevo elemento. La simetra del
circuito con la nueva carga da la ventaja de poder usar el circuito con dos se nales de entrada, una conectada
al dispositivo 1 y otra al dispositivo 2.
Un AD puede hacerse de pares de varios dispositivos activos cuya conducta es controlada por corriente
o voltaje: BJTs, FETs o incluso fototransistores.
6.2. Se nales de modo diferencial y com un
En el circuito sim etrico de la gura 6.2, el dispositivo 1 funciona como el inversor mientras que el 2 fun-
ciona como el bypass. Con un simple reordenamiento de los terminales de entrada y salida, el dispositivo 2
1
El nodo com un de un dispositivo es el punto que comparten los circuitos cerrados o lazos de la entrada y la salida en el modelo de
se nal peque na
Z
pu1

v
o1

D2 D1
Z
pu2

By-pass Inversor
Corriente de
polarizacin
Camino
del by-pass
v
in1

V
NEG
V
POS
Figura 6.2: Topologa de amplicador diferencial
v
in2
v
o2
Z
pu1
v
in1
v
o1
D2 D1
Z
pu2
Corriente de
entrada diferencial
Corriente de
entrada comn
Corriente de
entrada comn
V
NEG
V
POS
AD2.pdf
Figura 6.3: Modos diferencial y com un en un amplicador diferencial.
puede funcionar como el inversor y el 1 como el bypass. De manera general, las se nales de entrada pueden
ser simulataneamente aplicadas para ambos dispositivos, como se muestra en la Figura 6.3. La respuesta
del amplicador en este ultimo caso depende de una manera especial de la relaci on entre las dos se nales de
entrada. Especicamente, un AD dise nado apropiadamente amplicar a la diferencia entre las dos se nales
de entrada por un factor de ganancia grande mientras que para el promedio entre las dos se nales de entrada
el factor de amplicaci on ser a mucho menor, como ser a demostrado m as adelante.
Se llama modo diferencial de entrada a la diferencia entre las se nales de entrada v
1
y v
2
,
v
idm
= v
1
v
2
(6.1)
De manera similar el valor promedio, o modo com un, de las se nales de entrada se dene como
v
icm
=
v
1
+v
2
2
(6.2)
Estas deniciones permiten expresar a las se nales v
1
y v
2
como combinaci on lineal de sus modos diferencial
y com un, esto es,
v
1
= v
icm
+
v
idm
2
=
v
1
+v
2
2
+
v
1
v
2
2
v
1
y (6.3)
v
2
= v
icm
v
idm
2
=
v
1
+v
2
2

v
1
v
2
2
v
2
(6.4)
Las deniciones de modo diferencial y modo com un pueden ser aplicadas a cualquier par de se nales de
entrada al amplicador. Si v
02
es el voltaje de la segunda salida en la Figura 6.3, por ejemplo, los compo-
nentes de los modos diferencial y com un de las se nales de salida ser an
v
0dm
= v
01
v
02
y (6.5)
v
0cm
=
v
01
+v
02
2
(6.6)
donde
v
01
= v
0cm
+
v
0dm
2
y (6.7)
v
02
= v
ocm
v
0dm
2
(6.8)
Si la conducta de se nal peque na del amplicador es lineal, su respuesta a dos entradas simultaneas
puede ser encontrada usando superposici on. Especicamente, la respuesta total de salida consisitir a en la
suma de la componente del modo diferencial de las se nales de entrada multiplicada por la ganancia del
modo diferencial y la componente del modo com un de las se nales de entrada multiplicada por la ganancia
del modo com un. Si el amplicador no es lineal, las deniciones de modo diferencial y com un de todas
formas dan una manera util de caracterizar la conducta del amplicador.
6.3 Amplicador Diferencial usando BJTs 169
v
in2

v
o2

V
NEG
V
POS
Z
pu1

v
in1

v
o1

D2 D1
Z
pu2

V
EE
V
CC
R
C

v
01

v
1

Q
2

R
C

r
n

I
0

Q
1

Figura 6.4: Amplicador diferencial con BJT.
v
o1
= A
dmse1
(v
1
v
2
) +A
cmse1
(v
1
+v
2
)
2
v
o2
= A
dmse2
(v
1
v
2
) +A
cmse2
(v
1
+v
2
)
2
(v
o1
v
o2
) = A
dmdiff
(v
1
v
2
) +A
cmdiff
(v
1
+v
2
)
2
(6.9)
6.3. Amplicador Diferencial usando BJTs
El circuito de la Figura 6.4 tiene una sola se nal de entrada, v
1
.
R
C

B
r

E
C
0
i
b2

v
out

R
C

B
2
r
2
E
2

C
2

0
i
b2

v
test

i
test

Q
2

Figura 6.5: Transistor Q2 separado del resto del amplicador
La fuente v
1
provee una conexi on dc entre la base de Q
1
y tierra, produciendo que los valores de pola-
rizaci on dc V
BE1
y V
BE2
sean identicos. Esto hace que I
0
se divida equitativamente entre Q
1
y Q
2
si estos
dispositivos son de iguales propiedades fsicas. Como g
m
= I
C
/V
T
, donde I
C
I
0
/2 en cada caso, los
dispositivos tendr an tambi en los mismo valores de g
m
y r
=
0
/g
m
.
La funcionalidad de amplicaci on es realizada por Q
1
, el cual es conectado como inversor. Su emisor es
incrementalmente desviado a tierra en alguna medida por r
n
, pero principalmente por la resitencia Th eve-
nin de se nal peque na que se tiene mirando hacia el emisor de Q
2
. El valor de esta resistencia puede ser
obtenido usando el m etodo de fuente de prueba. En este m etodo se usa una fuente de voltaje hipot etica,
v
test
, para medir la corriente que pasa por el emisor de Q
2
cuando Q
1
e I
0
son temporalmente desconecta-
dos del circuito, como se muestra en la Figura 6.5.
La corriente i
test
se encuentra aplicando KCL al nodo E E
2
.
i
test
= (
0
i
b2
+i
b2
) = (
0
+ 1)i
b2
(6.10)
La corriente i
b2
fue denida positiva cuando uye hacia abajo de r
2
, entonces
i
b2
=
v
2
r
2
=
v
test
r
2
(6.11)
donde v
2
= v
test
. Combinando las ecuaciones 6.12 y 6.11 queda
i
test
= +(
0
+ 1)
v
test
r
2
(6.12)
Por lo tanto
r
th2
=
v
test
i
test
=
r
2
0
+ 1

1
g
m2
(6.13)
R
C

B
1

r
1
E
1
C
1

0
i
b1

v
out

v
1

r
n
r
Th2
Q
2

Q
1

Figura 6.6: Circuito con Q2 sustituido por su resistencia equivalente.
Si g
m2
es grande, el valor de r
th2
ser a peque no y efectivamente cortocircitar a el nodo E a tierra.
Con Q
2
modelado como una resitencia de se nal peque na, el analisis del comportamiento de Q
1
es direc-
to. El circuito de la Figura 6.6 muestra el amplicador visto desde el punto de vista de Q
1
.
Se puede asumir que r
th2
r
n
, ya que r
n
es una resistencia Norton grande (com un en fuentes de
corrientes). Teniendo que r
n
| r
th2
r
th2
, i
b1
puede ser obtenida
i
b1

v
in
r
1
+ (
0
+ 1)r
th2
=
v
in
r
1
+ (
0
+ 1)[r
2
/(
0
+ 1)]
=
v
in
2r
1
(6.14)
donde r
1
= r
2
y v
in
= v
1
.
El voltaje de salida queda, entonces
v
out
= i
c1
R
C
=
0
i
b1
R
C
=
0
v
in
2r
1
R
C
=
g
m
R
C
2
v
in
(6.15)
donde g
m
=
0
/r
1
.
La ganancia de se nal peque na del circuito puede escribirse como
a
v
=
v
out
v
in
=
g
m
R
C
2
. (6.16)
Aunque la ganancia es la mitad de la ganancia obtenida con un amplicador con un solo BJT (g
m
R
C
),
la ganancia del AD no se degrada a bajas frecuencias como sucede con la topologia de un solo BJT. Adem as,
la conguraci on de polarizaci on del AD es tan (o m as) estable que la conguraci on de realimentaci on del
amplicador con un solo BJT. En aplicaciones que requieren gran ganancia, polarizaci on estable y uso mi-
nimo de condensadores, La topologa de AD es una opci on apropiada.
Nota: Las corrientes de se nal peque na por el emisor de Q
1
y Q
2
tienen sentido negativo. Esto no viola el hecho de que la corriente totaluye en sentido positivo, dado que estas corrientes estan superpuesta
a una corriente de polarizaci on dc.
6.4 Amplicador Diferencial BJT con dos entradas 172
V
EE
V
CC
R
C

v
01

v
1

Q
2

R
C

r
n

I
0

Q
1

v
o2

v
2

Figura 6.7: AD con dos entradas simult aneas.
6.4. Amplicador Diferencial BJT con dos entradas
En la secci on anterior fueron denidos los modos com un y diferencial. En esta secci on se usar an estas
deniciones para examinar la respuesta del AD BJT de la Figura 6.7 con dos se nales de entrada aplicadas
simultaneamentes.
6.4.1. Respuesta al modo diferencial
El AD responder a de manera diferente a los diferentes modos (com un o diferencial) de la se nales de
entrada. Esto se ilustra mejor aplicando se nales de voltaje de entrada con contenido de modo puramente
diferencial o puramente com un. Consideremos entradas del tipo
v
1
= v
a
(t) y v
2
= v
a
(t) (6.17)
que forman una entrada puramente diferencial,
v
icm
=
v
a
+ (va)
2
= 0, (6.18)
v
idm
= v
a
(va) = 2v
a
(t). (6.19)
Si v
a
es peque na, la respuesta de peque na se nal del AD a una entrada con puro modo diferencial puede
ser encontrada sustituyendo los modelos de peque na se nal de los transistores Q
1
y Q
2
, como se muestra
en la Figura 6.8. Por claridad, la resistencia de se nal peque na de la salida de los BJTs, r
0
, es omitida en este
procedimiento. Si R
C
r
01
, r
02
el incluir r
0
no tendra mayor efecto en la respuesta obtenida aqu.
R
C

B
2

r
2
E
2
C
2

02
i
b2

v
o2

Q
2

R
C

B
1

r
1
E
1
C
1

01
i
b1

v
o1

v
2

r
n

Q
1

i
b2
i
b1

v
2
= v
a

v
1

v
1
= v
a

Figura 6.8: Circuito equivalente de un AD con dos entradas.
Del circuito presentado en la Figura 6.8 se tiene que
v
a
[v
a
(t)] = v
1
v
2
= i
b1
r
1
i
b2
r
2
(6.20)
Pero si
01
=
02

0
y r
1
= r
2
r
el circuito de se nal peque na es sim etrico implicando que

i
b2
= i
b1
(6.21)
Entonces, usando 6.20 y 6.21,
i
b1
=
2v
a
(t)
2r
=
v
a
(t)
r
, (6.22)
i
b2
=
v
a
(t)
r
(6.23)
Los voltajes de colector se obtienen usando la Ecuaciones 6.22 y 6.23
v
01
= i
c1
R
C
=
0
i
b1
R
C
=

0
r
v
a
(t)R
C
, (6.24)
v
02
= i
c2
R
C
=
0
i
b2
R
C
=
+
0
r
v
a
(t)R
C
, (6.25)
El circuito de la Figura 6.8, es sim etrico respecto a su linea central. La corriente de ambas bases y de
ambas fuentes de corriente dependientes son en todo momento iguales pero opuestas. Por lo tanto no
hay corriente circulando por r
n
. Entonces, el voltaje del punto E es cero (punto de tierra virtual de se nal
peque na).
Las respuestas gen ericas del amplicador al modo diferencial puro, medido en las salidas individuales
del inversor, quedan establecidas con las Ecuaciones 6.24 y 6.25. La evaluaci on de la ganancia del modo di-
ferencial debe incluir una descripci on de como se mide la salida. Una salida de cualquiera de los inversores
medida con respecto a tierra es llamada salida-individual (single-ended). En este caso
A
dmse1
=
v
01
v
idm
(modo diferencial de entrada, salida individual 1)
=

0
v
a
R
C
/r
2v
a
=

0
R
C
2r
g
m
R
C
2
(6.26)
A
dmse2
=
v
02
v
idm
(modo diferencial de entrada, salida individual 2)
=
+
0
v
a
R
C
/r
2v
a
=
+
0
R
C
2r
+g
m
R
C
2
(6.27)
donde v
idm
= v
1
v
2
= 2v
a
.
Si la salida es medida diferencialmente entre ambas salidas de los inversores (i.e. entre los terminales de
los colectores de Q
1
y Q
2
), la salida es llamada diferencial. Entonces, la ganancia del circuito para la salida
en modo diferencial, A
dmdiff
(modo diferencial de entrada, modo diferencial de salida), es
A
dmdiff
=
v
01
v
02
v
idm
(modo diferencial de entrada, modo diferencial de salida)
=

0
v
a
R
C
/r
0
v
a
R
C
/r
2v
a
=
2
0
R
C
2r
g
m
R
C
(6.28)
Note que las ganancias de salidas individuales Eqs. 6.39 y 6.27 estan relacionadas a la ganancia de salida
diferencial Eq. 6.28 por
A
dmdiff
= A
dmse1
A
dmse2
(6.29)
Estas tres expresiones de ganancias describen completamente la respuesta del circuito amplicador para el
modo diferencial.
R
C

B
2

r
2
E
2
C
2

02
i
b2

v
o2

Q
2

R
C

B
1

r
1
E
1
C
1

01
i
b1

v
o1

v
2

r
n

Q
1

i
b2
i
b1

v
1

v
2
= v
b
v
1
= v
b

Figura 6.9: Circuito equivaletente del AD.
6.4.2. Respuesta al modo com un
La respuesta del modo com un del AD de la gura 6.7 puede ser encontrado usando se nales de entrada
que solo contengan un modo com un y no un modo diferencial. Para eso tomamos
v
1
= v
b
(t) (6.30)
v
2
= v
b
(t) (6.31)
El modo com un de estas se nales es
v
icm
=
v
1
+v
2
2
=
v
b
(t) +v
b
(t)
2
= v
b
(t), (6.32)
mientras que su modo diferencial esta dado por
v
idm
= v
1
v
2
= 0. (6.33)
La simetra del circuito, de igual forma que para el modo diferencial, hacen que i
b1
e i
b2
sean iguales y
que ambas pasen por la resistencia Norton de se nal peque na r
n
de la fuente de corriente de polarizaci on.
Sumadas a estas corrienes estan las de las fuentes dependientes, as la corriente total uyendo por r
n
es
i
n
= (i
b1
+
01
i
b1
) + (i
b2
+
02
i
b2
)
= 2(
0
+ 1)i
b1
= 2(
0
+ 1)i
b2
(6.34)
Se puede encontrar una relaci on entre la se nal de entrada v
b
y la se nal de entrada de corriente i
b
anali-
zando cualesquiera de los lazos mostrados en la gura 6.9:
i
b
= i
b1
= i
b2
=
v
b
r
+ 2(
0
+ 1)r
n
(6.35)
Las correspondientes corrientes de colector son
0
i
b
, y por lo tanto:
v
01
=
0
i
b1
R
C
=

0
R
C
r
+ 2(
0
+ 1)r
n
v
b

g
m
R
C
1 + 2g
m
r
n
v
b
, (6.36)
v
02
=
0
i
b2
R
C
=

0
R
C
r
+ 2(
0
+ 1)r
n
v
b

g
m
R
C
1 + 2g
m
r
n
v
b
. (6.37)
donde se asumi o que (
0
+ 1)/r

0
/r
= g
m
.
Las ganancias de salida individuales para el modo com un de entrada pueden escribirse como
A
cmse1
=
v
01
v
icm
(modo com un de entrada, salida individual 1)
=
v
01
v
b
=

0
R
C
r
+ 2(
0
+ 1)r
n
g
m
R
C
1 + 2g
m
r
n
, (6.38)
A
cmse2
=
v
02
v
icm
(modo com un de entrada, salida individual 1)
=
v
02
v
b
=

0
R
C
r
+ 2(
0
+ 1)r
n
g
m
R
C
1 + 2g
m
r
n
, (6.39)
donde v
idm
= (v
1
+ v
2
)/2 = v
b
. En el lmite cuando
0
es grande (o 2(
0
+ 1)r
n
r
o equivalentemente
2g
m
r
n
1), estas expresiones se reducen a
A
cmse1
= A
cmse2

R
C
2r
n
(6.40)
Estas ganancias tienden a cero cuando r
n
tiende a innito.
La ganancia del circuito para entrada de modo com un, pero de salida en modo diferencial es,
A
cmdiff
=
v
01
v
02
v
icm
(modo com un de entrada, modo diferencial de salida)
=

0
R
C
+
0
R
C
r
+ 2(
0
+ 1)r
n
= 0. (6.41)
Este modo es igual a cero ya que v
01
y v
02
son id enticos. Si el amplicador no esta perfectamente balanceado
o los parametros fsicos de los transistores no son id enticos entonces esta ganancia no ser a cero. De cualquier
forma las ganancias de modo com un cumple que
A
cmdiff
= A
cmse1
A
cmse2
(6.42)
6.4.3. Raz on de rechazo del modo com un
Frecuentemente lo que se desea es amplicar por una gran ganancia es la componente del modo diferen-
cial de dos se nales de entrada mientras se minimiza la amplicaci on para la componente del modo com un
del mismo par de se nales de entradas. Se puede describir el grado en que el modo com un es rechazado por
una gura de merito denominada raz on de rechazo de modo com un, la cu al se dene como
CMRR
[A
dm
[
[A
cm
[
(6.43)
o en decibeles
CMRR 20 log
10
_
A
dm
A
cm
_
. (6.44)
Aplicando este concepto a cualquiera de las salidas individuales tenemos,
CMRR
[A
dm
[
[A
cm
[
=
[
0
R
C
/2r
[
[
0
R
C
/[r
+ 2(
0
+ 1)r
n
][
=
r
+ 2(
0
+ 1)r
n
2r
. (6.45)
En lmite cuando
0
es grande (o (
0
+ 1)r
n
r
), esta expresi on se reduce a

CMRR
(
0
+ 1)r
n
r

0
r
n
r
= g
m
r
n
=
I
C
r
n
V
T
=
I
0
r
n
2V
T
(6.46)
donde se asumi o que I
C
I
E
= I
0
/2. Note que CMRR tiende a innito cuando r
n
.
Para las ganacias diferenciales de salida se tiene
CMRR
[A
dmdiff
[
[A
cmdiff
[
=
[
0
R
C
/r
[
0
= . (6.47)
Para un AD perfectamente balanceado el CMRR diferencial es innito independiente de r
n
.
6.4.4. Resistencias de entrada y salida del AD con BJTs
El AD BJT responde a los modos diferencial y com un de se nales de entrada con diferente valores de
resistencia incremental de entrada. Las resistencias de entrada vistas por el modo diferencial se dene
como
r
indm
=
v
1
v
2
i
1
v
1
v
2
i
2
(6.48)
Para el circuito de la gura 6.8 las corrientes i
1
e i
2
quedan denidas por
i
1
i
b1
=
v
a
r
(6.49)
i
2
i
b2
=
v
a
r
(6.50)
Usando v
1
= v
a
y v
2
= v
a
y la Ecuaci on 6.48 se obtiene
r
indm
=
v
a
(v
a
)
v
a
/r
= 2r
(6.51)
La impedancia de entrada vista por el modo com un queda denido por
r
incm
=
(v
1
+v
2
)/2
i
1
(v
1
+v
2
)/2
i
2
(6.52)
Esta expresi on puede ser evaluada para el circuito de la gura 6.9 notando que
i
1
= i
2
=
v
b
r
+ 2(
0
+ 1)r
n
(6.53)
v
1
+v
2
2
= v
b
(6.54)
Por lo tanto la ecuaci on 6.52 queda
r
incm
= r
+ 2(
0
+ 1)r
n
(6.55)
Comparada a la resistencia de entrada del modo diferencial, la resistencia de entrada del modo com un es
bastante grande y tiende a innito cuando r
n
tiende a innito.
La resistencia de salida de peque na se nal del AD de la gura 6.9 tiene diferente valor para las salidas in-
dividuales y la salida diferencial. Las dos resistencias de las salidas individules son id enticas a la resistencia
de salida de los inversores r
outse1
= R
C
y r
outse2
= R
C
.
Cuando la salida es tomada diferencialmente, el m etodo de fuente de prueba revela la resistencia de
salida. Incluso con la aplicaci on de v
test
, i
b1
e i
b2
son iguales a cero.
R
C

B
2

r
2
E
2
C
2

02
i
b2

v
o2

Q
2

R
C

B
1

r
1
E
1
C
1

01
i
b1

v
o1

r
n

Q
1

i
test

v
test
i
b2
i
b1

Figura 6.10: Fuente de prueba para calcular resistencia de salida diferencial.
Esto puede ser vericado usando LVK en los lazos de entrada,
i
b1
r
1
+ 2(
0
+ 1)i
b1
r
n
= 0. (6.56)
Se us o el hecho de que i
b1
= i
b2
. Esta ecuaci on tiene como resultado i
b1
= 0. Con i
b1
= i
b2
= 0 las fuentes
dependientes pasan a ser circuitos abiertos e i
test
queda dado por
i
test
=
v
test
R
C
+R
C
=
v
test
2R
C
. (6.57)
R
C

B
2

r
2
E
2
C
2

02
i
b2

v
o2

Q
2

R
C

B
1

r
1
E
1
C
1

01
i
b1

v
o1

v
2

r
n

Q
1

i
b2
i
b1

v
1

v
2
v
1

Lazo B Lazo A
Figura 6.11: Circuito equivalente de un amplicador diferencial.
As el valor de r
outdiff
queda
r
outdiff
=
v
test
i
test
= 2R
C
(6.58)
Note que r
outdiff
= r
outse1
+ r
outse2
, como se podra esperar del modelo de circuito de se nal peque na
de la gura 6.10.
6.4.5. Explicaci on Alternativa
En esta secci on trabajaremos en una explicaci on alternativa de las ganancias de los modos diferencial y
com un. Para esto se calcular an los voltajes de se nal peque na de salida (v
o1
y v
o2
) del amplicador diferencial
con BJTs con respecto a dos voltajes de entrada (v
1
y v
2
) arbitrarios, como se muestra en la Figura:
Haciendo LVK en los lazos A y B obtenemos:
v
1
= i
1
r
+ [( + 1)i
1
+ ( + 1)i
2
]r
n
= [r
+ ( + 1)r
n
]i
1
+ ( + 1)r
n
i
2
(6.59)
v
2
= i
2
r
+ [( + 1)i
1
+ ( + 1)i
2
]r
n
= ( + 1)r
n
i
1
+ [r
+ ( + 1)r
n
]i
2
. (6.60)
Deniendo los modos diferencial (v
1
v
2
) y com un ([v
1
+v
2
]/2) podemos obtener el sistema de ecuaciones
para estos modos en t erminos de las corrientes:
v
1
v
2
= r
i
1
r
i
2
(6.61)
v
1
+v
2
2
=
[r
+ 2( + 1)r
n
]
2
i
1
+
[r
+ 2( + 1)r
n
]
2
i
2
. (6.62)
Despejando i
1
en la Ec. (6.61) da
i
1
=
(v
1
v
2
) +r
i
2
r
. (6.63)
Reemplazando i
1
en la Ec. (6.62) da
v
1
+v
2
2
=
[r
+ 2( + 1)r
n
]
2
_
(v
1
v
2
) +r
i
2
r
_
+
[r
+ 2( + 1)r
n
]
2
i
2
. (6.64)
Reordenando t erminos se obtiene
v
1
+v
2
2
=
[r
+ 2( + 1)r
n
]
2r
(v
1
v
2
) + [r
+ 2( + 1)r
n
]i
2
, (6.65)
de donde es posible obtener i
2
en t erminos de cada uno de los modos de las entradas del amplicador
diferencial,
i
2
=
1
2r
(v
1
v
2
) +
1
[r
+ 2( + 1)r
n
]
(v
1
+v
2
)
2
. (6.66)
Reemplazando esta ecuaci on en la Ec. (6.63) obtenemos i
1
i
1
=
1
2r
(v
1
v
2
) +
1
[r
+ 2( + 1)r
n
]
(v
1
+v
2
)
2
. (6.67)
Los voltajes en las salidas del Amplicador diferencial pueden ser calculados a partir de las corrientes
i
1
e i
2
,
v
o1
= i
1
R
c
=
R
C
2r
(v
1
v
2
)
R
C
[r
+ 2( + 1)r
n
]
(v
1
+v
2
)
2
=
g
m
R
C
2
(v
1
v
2
)
g
m
R
C
[1 + 2g
m
r
n
]
(v
1
+v
2
)
2
, (6.68)
y
v
o2
= i
2
R
c
= +
R
C
2r
(v
1
v
2
)
R
C
[r
+ 2( + 1)r
n
]
(v
1
+v
2
)
2
= +
g
m
R
C
2
(v
1
v
2
)
g
m
R
C
[1 + 2g
m
r
n
]
(v
1
+v
2
)
2
. (6.69)
V
EE
V
CC
R
C

v
o1

v
1

Q
2

R
C

R
E

Q
1

v
o2

v
2

I
0

E
B
C
Notando que los voltajes de cada salida estan compuesto por un voltaje de modo diferencial y uno de
modo com un es posible denir las ganancias de modo diferencial y modo com un:
v
o1
= v
o1dm
+v
o1cm
=
v
o1dm
v
1
v
2
(v
1
v
2
) +
2v
o1cm
v
1
+v
2
(v
1
+v
2
)
2
v
o2
= v
o2dm
+v
o2cm
=
v
o2dm
v
1
v
2
(v
1
v
2
) +
2v
o2cm
v
1
+v
2
(v
1
+v
2
)
2
.
donde v
o1dm

v
odm
2
, v
o1cm
v
ocm
, v
o2dm

v
odm
2
y v
o2cm
v
ocm
. Entonces,
A
dmse1
=
v
o1dm
v
1
v
2
=
g
m
R
C
2
A
cmse1
=
2v
o1cm
v
1
+v
2
=
g
m
R
C
[1 + 2g
m
r
n
]
A
dmse2
=
v
o2dm
v
1
v
2
= +
g
m
R
C
2
A
cmse2
=
2v
o2cm
v
1
+v
2
=
g
m
R
C
[1 + 2g
m
r
n
]
6.4.6. Implementaci on de la fuente de corriente con BJTs
Polarizaci on con resitencia
Recordemos que el rechazo en un amplicador diferencial est a dado por Ecuaci on 6.46,
CMRR
I
0
r
n
2V
T
V
EE
V
CC
R
C

v
o1

v
1

Q
2

R
C

R
E

Q
1

v
o2

v
2

r
n

R
B

R
A

Q
3

E
I
0

V
EE
R
E

I
0
r
n

R
B

R
A

I
A

Q
3

E
I
E3

I
B3

Sin embargo, R
E
= r
n
no se puede escoger indefenidamente grande.
Polarizaci on con Transistor
Asumiendo que I
B3
0 en Q
3
se tiene que el voltaje en el nodo B
3
es
V
B3

R
A
R
A
+R
B
V
EE
. (6.70)
Esto permite calcular I
0
,
I
0
I
E3
=
V
RE
R
E
=
V
B3
V
BE3
V
EE
R
E
(6.71)
Utilizando el m etodo de la fuente de prueba se puede demostrar que
r
n
= [R
E
| (r
3
+R
A
| R
B
)] +r
03
_
1 +

03
R
E
R
E
+r
3
+R
A
| R
B
_
(6.72)
D2 pareado
(polarizacin)
D1 pareado
(referencia)
Circuito a polarizar
Red de
polarizacin para
D1
V
NEG
V
POS
I
REF I
2
Entrada 2 Entrada 1
AD13.pdf
D3 pareado
(polarizacin)
D1 pareado
(referencia)
Red de
polarizacin para
D1
V
NEG
V
POS
I
REF

I
3

D4 pareado
(polarizacin)
I
4

D2 pareado
(polarizacin)
I
2

Polarizaci on con Espejo de corriente
La ventaja es que se puede alimentar m as de una secci on. La desventaja es que solo pueden ser multiplos
enteros superiores de I
ref
.
I
ref
I
A
=
V
CC
V
EE
V
BE1
R
A
(6.73)
Note adem as que el colector y la base de Q
1
est an conectados. As se garantiza que Q
1
est e siempre en
Circuito a
polarizar
V
EE
V
CC
I
REF

I
0
r
n

R
A

C
2
B
E
2
E
1
C
1
Polarizacin
Red de
polarizacin
para D1
Referencia
Circuito a
polarizar
V
EE
V
CC
I
REF

I
0
r
n

R
E

R
A

C
2
B
E
2
E
1
C
1
la regi on de corriente constante.
Polarizaci on con Fuente de corriente Widlar
I
ref
I
A
=
V
CC
V
EE
V
BE1
R
A
(6.74)
Aunque Q
1
y Q
2
son iguales, no tienen el mismo V
BE
. Haciendo KV alrededor del lazo base-emisor,
V
BE1
= V
BE2
+I
E2
R
2
(6.75)
Por otro lado, de la ecuaci on fsica de las corrientes se puede obtener
V
BE
V
T
ln
I
E
I
E0
. (6.76)
Ahora, usando esta ecuaci on en la ec. 6.75 se obtiene
I
0
=
V
T
R
2
ln
I
ref
I
0
, (6.77)
donde se us o I
E1
I
ref
y I
E2
I
0
. Para encontrar I
0
esta ecuaci on se resuelve de manera iterativa.
Afortunadamente para dise no (es decir determinar I
ref
para I
0
conocida), la ec. 6.77 da una soluci on exacta,
I
ref
= I
0
exp
_
I
0
R
2
V
T
_
. (6.78)
Para el c alculo de r
n
es m as f acil dividir el bloque en dos como indica la gura 6.12. Primero se calcula
la resistencia equivalente R
P
y luego r
n
. Se puede demostrar que
6.5 Amplicador Diferencial con MOSFET 186
r
n

R
E

R
A

C
2
B
E
2
E
1
C
1
R
P

Figura 6.12: Circuito para determinar la resistencia equivalente rn.
V
SS
v
o1

v
1

Q
4

v
o2

v
2

r
n

Q
7

E
I
0

V
DD
Q
2
Q
6

Q
3

Q
5

Q
1

Inversores
Referencia
Cambio
de nivel
Q
REF

I
REF

r
n
= r
o2
_
1 + ln
I
ref
I
0
_
. (6.79)
6.5. Amplicador Diferencial con MOSFET
6.5.1. Topologa
6.5.2. Comportamiento DC
En los transistores Q
6
, Q
7
y Q
ref
se tiene V
DSi
= V
GSi
. Esto hace operar los transistores en la zona de
corriente continua con los siguientes valores
V
GS6
= V
GS7
= V
GSref
=
V
DD
V
SS
3
, (6.80)
I
ref
= I
D6
= I
D7
= K
ref
(V
GSref
V
TR
)
2
= K
ref
_
V
DD
V
SS
3
V
TR
_
2
. (6.81)
Por otro lado, si Q
1
y Q
2
son iguales, implica que
I
D1
= I
D2
= I
D3
= I
D4
= I
0
/2
I
ref
2
I
D3
=
I
ref
2
= K
3
(V
GS3
V
TR
)
2
. (6.82)
Usando las Ec. (6.81) y (6.82), y recordando que V
GS3
= V
DS3
tenemos que
K
3
(V
DS3
V
TR
)
2
=
K
ref
2
_
V
DD
V
SS
3
V
TR
_
2
, (6.83)
V
DS3
=
_
K
ref
2K
3
V
DD
V
SS
3
+
_
1
_
K
ref
2K
3
_
V
TR
(6.84)
Si Q
3
se fabrica tal que K
3
= K
ref
/2, la Ec. (6.84) se puede escribir como
V
DS3
=
V
DD
V
SS
3
V
OUT1
= V
DD
V
DS3
=
2V
DD
3
+
V
SS
3
. (6.85)
Si, adem as, Q
4
se elige tal que sea igual a Q
3
, entonces V
OUT2
tiene la misma expresi on que V
OUT1
.
Para elegir K
3
= K
4
= K
ref
/2 recordemos la denici on de K,
K =

e
ox
2t
ox
W
L
. (6.86)
Esto indica que la elecci on adecuada se puede hacer solamente escogiendo la geometra adecuada de los
transistores.
Generalizando
V
OUT1
= V
DD
V
DS3
=
n 1
n
V
DD
+
V
SS
n
(6.87)
6.5.3. Comportamiento de se nal peque na
Cuando el cuerpo del MOSFET no est a conectado a tierra, aparece una corriente adicional circulando
por la compuerta de drenaje (ver gura 6.13). Note que este efecto fue ignorado en el an alisis de comporta-
miento DC debido esta corriente altera mnimamente los voltajes del transistor.
g
mb
= g
m
, (6.88)
V
SS
r
n

Q
9

I
0

V
DD
Q
8

Q
5

Referencia
Q
REF

I
REF

Circuito a
polarizar
Q
7

Q
6

r
0

G
S

D
v
out

v
1

g
m
v
gs
g
mb
v
bs

v
bs
v
gs

Figura 6.13: Circuito equivalente del MOSFET tomando en cuenta el efecto de cuerpo.
= 2(2
F
V
BS
)
1/2
, (6.89)
donde
F
es el potencial de Fermi del oxido y V
BS
es el voltaje de polarizaci on entre cuerpo (B) y fuente
(S).
Con las corrientes I
D
en Q
1
, Q
2
, Q
3
y Q
4
podemos encontrar el modelo de se nal peque na del AD.
r
0

G
1

S
1
D
1

v
1

g
m
v
gs
g
mb
v
bs

v
bs
v
gs

v
out1
v
out2

r
0

G
2

S
2
D
2

v
2

g
m
v
gs
g
mb
v
bs

v
bs
v
gs

r
0

G
3
S
3
D
3

g
m
v
gs
g
mb
v
bs

v
bs
v
gs
r
0

G
4

S
4

D
4

g
m
v
gs
g
mb
v
bs

v
bs
v
gs

Q
1

Q
3
Q
4

Q
2

Q
5

r
n
r
05
r
0

G
3
S
3
D
3

g
m
v
gs
g
mb
v
bs

v
bs
v
gs

v
test

i
test

r
0

G
1

S
1
D
1

v
1

g
m
v
gs
g
mb
v
bs

v
bs
v
gs

v
out1
v
out2

r
0

G
2

S
2
D
2

v
2

g
m
v
gs
g
mb
v
bs

v
bs
v
gs

Q
1

Q
2

Q
5

r
n
r
05
Q
4
Q
3

r
th4
r
th3
Figura 6.14: Circuito del AD con los transistores de cambio de nivel reemplazados por sus resistencias equivalentes.
Versi on simplicada del AD NMOS
v
gs
= v
bs
= v
test
y i
test
= g
m
v
gs
g
mb
v
bs
+
v
test
r
0
= (g
m
+g
mb
+ 1/r
0
)v
test
r
th
=
v
test
i
test
=
1
g
m
+g
mb
+ 1/r
0
=
1
g
m
(1 +)
| r
0
,
donde g
mb
= g
m
y = 2(2
F
V
BS
)
1/2
Respuesta al Modo Diferencial
El punto S
1
S
2
del circuito simplicado es una tierra virtual cuando el modo puramente diferencial
es aplicado a la entrada del AD (v
1
= v
2
). Por tanto
v
out1
= (g
m1
v
gs1
)(r
th3
| r
01
) =
g
m1
2
_
1
g
m3
(1 +
3
)
| r
03
| r
01
_
v
idm
v
out2
= (g
m2
v
gs2
)(r
th4
| r
02
) = +
g
m2
2
_
1
g
m4
(1 +
4
)
| r
04
| r
02
_
v
idm
.
De estas expresiones se obtiene
A
dmse1
=
v
out1
v
idm

1
2
g
m1
g
m3
(1 +
3
)
y A
dmse2
=
v
out2
v
idm
+
1
2
g
m2
g
m4
(1 +
4
)
Usando las expresiones anteriores obtenemos
A
dmdiff
=
v
out1
v
out2
v
idm
=
1
2
_
g
m1
g
m3
(1 +
3
)
+
g
m2
g
m4
(1 +
4
)
_
..
Q1=Q2 y Q3=Q4
A
dmdiff

g
m1
g
m3
(1 +
3
)
Recordando que g
m
= 2
KI
D
, se obtiene
A
dmse1

1
2
_
K
1
K
3
1
1 +
3
, A
dmse2
+
1
2
_
K
2
K
4
1
1 +
4
y A
dmdiff

_
K
1
K
3
1
1 +
3
Respuesta al Modo Com un
Sea v
s
v
s1
= v
s2
y consideremos que r
o1
= ro2 = . Adem as teniendo en cuenta que v
s
= v
bs2
=
v
bs1
tenemos
v
1
= v
gs1
+v
s
= v
gs1
+r
05
(g
m1
v
gs1
+g
m2
v
gs2
g
mb1
v
s
g
mb2
v
s
)
Para transistores Q
1
y Q
2
pareados y modo com un (v
1
= v
2
) se tiene
v
icm
= v
gs1
+ 2r
05
g
m1
v
gs1
2r
05
g
mb1
(v
icm
v
gs1
)
Despejado se tiene
v
gs1
= v
icm
1 + 2r
05
g
mb1
1 + 2r
05
(g
m1
+g
mb1
)
= v
icm
1 + 2r
05
1
g
m1
1 + 2r
05
g
m1
(1 +
1
)
v
bs1
= v
s
= v
gs1
v
icm
= v
icm
_
1 + 2r
05
1
g
m1
1 + 2r
05
g
m1
(1 +
1
)
1
_
= v
icm
1 + 2r
05
g
m1
1 + 2r
05
g
m1
(1 +
1
)
v
out1
= (g
m1
v
gs1
+g
mb1
v
bs1
)r
th3
g
m1
(v
gs1
+
1
v
bs1
)r
th3
Entonces,
6.6 Comportamiento del AD a se nales grande 191
V
EE
V
CC
R
C2

v
O1

v
1

Q
2

R
C1

Q
1

v
O2

v
2

I
0

E
v
BE2
v
BE1

i
E1
i
E2

i
C1
i
C2

A
cmse1
=
v
out1
v
icm
=
[g
m1
(1 + 2r
05
1
g
m1
)
1
g
m1
(2r
05
g
m1
)]
1 + 2r
05
g
m1
(1 +
1
)
r
th3
=
g
m1
r
th3
1 + 2r
05
g
m1
(1 +
1
)

..
r05
r
th3
2r
05
(1 +
1
)

1
2r
05
g
m3
(1 +
1
)(1 +
3
)
que es peque na al igual que A
cmse2
.
Resistencias de se nal peque na
Suponiendo que r
o1
= ro2 = se puede demostrar que
r
indiff
= (6.90)
r
outse1
= r
th3
=
1
g
m3
(1 +
3
)
(6.91)
r
outse2
= r
th4
=
1
g
m4
(1 +
4
)
(6.92)
r
outdiff
= r
th3
+r
th4
=
1
g
m3
(1 +
3
)
+
1
g
m4
(1 +
4
)
=
2
g
m3
(1 +
3
)
(6.93)
6.6. Comportamiento del AD a se nales grande
6.6.1. Amplicador Diferencial con BJTs
Deniendo el modo diferencial para dos entradas arbitrarias,
v
BE1
v
BE2
= v
1
v
2
= v
IDM
Utilizando el hecho de que base-emisor forman un diodo,
i
E1
= I
E0
_
e
v
BE1
/V
T
1
_
I
E0
e
v
BE1
/V
T
e i
E2
= I
E0
_
e
v
BE2
/V
T
1
_
I
E0
e
v
BE2
/V
T
Usando la denici on de v
IDM
,
i
E1
= I
E0
e
(v
BE2
+v
IDM
)/V
T
i
E2
e
v
IDM
/V
T
e i
E2
= I
E0
e
(v
BE1
v
IDM
)/V
T
i
E1
e
v
IDM
/V
T
Tomando la corriente en el nodo E
I
0
= i
E1
+i
E2
= i
E1
(1 +e
v
IDM
/V
T
) o I
0
= i
E1
+i
E2
= i
E2
(1 +e
+v
IDM
/V
T
)
Despejando
i
E1
=
I
0
1 +e
v
IDM
/V
T
y i
E2
=
I
0
1 +e
+v
IDM
/V
T
De donde se pueden obtener los voltajes de salida suponiendo que I
C
I
E
,
v
out1
= V
CC
i
C1
R
C1
= V
CC

R
C1
I
0
1 +e
v
IDM
/V
T
v
out2
= V
CC
i
C2
R
C2
= V
CC

R
C2
I
0
1 +e
+v
IDM
/V
T
dv
out1
dv
IDM
v
IDM
=0
= A
dmse1
y
dv
out2
dv
IDM
v
IDM
=0
= A
dmse2
4 2 0 2 4
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
v
IDM
V
T
v
O
U
T
V
C
C
I
0
R
C
1
R
C2
2R
C1
v
OUT2
v
OUT1
4 2 0 2 4
0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
v
IDM
V
T
d
v
O
U
T
d
v
I
D
M
I
0
R
C
1
R
C2
2R
C1
v
OUT2
v
OUT1
V
SS
V
DD
R
C2

v
O1

v
1

Q
2

R
C1

Q
1

v
O2

v
2

I
0

E
v
GS2
v
GS1

i
D1
i
D2

D
I
DS
V
0
V
G3

V
G2

V
G1

V
G
aumenta
Regin de corriente
Q
1

I
G
I
D

+
V
GS

+
V
DS

Regin
de triodo

1.0 0.5 0.0 0.5 1.0
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
v
IDM
I
0
K
v
O
U
T
V
D
D
I
0
R
D
1
R
C2
2R
C1
v
OUT2
v
OUT1
6.6.2. Amplicador Diferencial con MOSFETs
En la regi on de triodo se tiene:
I
D
= K [2(V
GS
V
T
) V
DS
] V
DS
Mientras que el valor de saturaci on es
I
D
= K [V
GS
V
T
]
2
De donde se puede obtener
V
GS
=
_
I
D
K
_
1/2
+V
T
EJERCICIO: Demostrar que en el circuito de la p agina 194
i
D1
=
I
0
2
_
_
_
1 +s
_
1
_
1
v
2
IDM
I
0
/K
_
2
_
1/2
_
_
_
donde s = +1 si v
IDM
< 0 y s = 1 si v
IDM
> 0.
Resumen Clase #16
Amplicador Diferencial con MOSFET
Topologa
Comportamiento DC
Comportamiento de se nal peque na
Versi on simplicada del AD NMOS
Respuesta al Modo Diferencial
Respuesta al Modo Com un
Resistencias de se nal peque na
Comportamiento del AD a se nales grande
Amplicador Diferencial con BJTs
Amplicador Diferencial con MOSFETs
Captulo 7
Multietapas y Amplicadores de
potencia
7.1. Introducci on
Los circuitos amplicadores hasta ahora vistos cuentan s olo con uno o dos dispositivos activos. Debido
a esto, los circuitos tienen ganancia limitada, resistencia de entrada, resistencia de salida y no pueden ser
utilizados para cumplir cada necesidad de amplicaci on. Afortunadamente, las limitaciones de la ampli-
caci on de una sola etapa pueden ser superados con el uso de la amplicaci on multietapa. En este documen-
to, se muestra el uso de multiples etapas en cascada en la amplicaci on que produce circuitos con una gran
ganancia total, gran resistencia de entrada y una peque na resistencia de salida. La implementaci on de tales
circuitos requiere de t ecnicas de dise no y an alisis que se extienden m as all a de los principios de los dise nos
de una sola etapa.
Las t ecnicas de dise no de multietapa discutidas en este documento est an orientadas primeramente hacia
los circuitos integrados. En un ambiente de circuito integrado, los par ametros que dependen de variaciones
en los procesos de fabricaci on pueden ser controlados s olo dentro de un rango de valores especicados,
aunque todos los dispositivos en un circuito integrado se fabrican en procesos similares. El controlar estos
par ametros motiva la mayora de las t ecnicas de dise no que se ver an en este documento.
Este documento tambi en contine material acerca de las etapas de la amplicaci on de potencia y dispo-
sitivos de potencia. Esto porque la ultima etapa de un amplicador multietapa en cascada es a menudo la
7.2 Carga de entrada y salida 197
potencia que habilita al circuito de entregar grandes cantidades de corriente a un carga.
7.2. Carga de entrada y salida
En esta secci on, las limitaciones de la amplicaci on de un sola etapa se pueden ver por la representaci on
de un circuito amplicador por medio de un inversor y un seguidor de voltaje simplicado por un circuito
de dos puertas. El inversor tpico tiene una ganancia moderada y sus resistencias de entrada y salida son
del orden de los kiloohms. El seguidor de voltaje tiene una mayor resistencia de entrada y una menor
resistencia de salida, pero s olo tiene ganancia unitaria. Un amplicador debe tener requerimientos que son
la combinaci on de las caractersticas de ambos, el inversor y el seguidor de voltaje: gran resistencia de
entrada, peque na resistencia de salida y gran ganancia de voltaje.
Como ejemplo de tales requerimientos, consideremos una se nal de micr ofono. En este ejemplo una fuen-
te de voltaje sinusoidal, v
m
, de 10 mV
pp
] con una resistencia interna, R
m
, de 1 k es amplicada linealmente
por un factor de 100. La salida del amplicador alimenta un altavoz que se representa por una carga de 8 .
El amplicador es un BJT con las siguientes especicaciones:
r
in
= 5 k r
out
= 1 k a
v
= 100
Las conexiones entre la fuente AC y la carga, con el amplicador representado por el circuito lineal de dos
puertas se muestran en la gura 7.1.
= 5 k
= 10 mV
= 1 k
= 1 k
= 8
microfono.pdf
Figura 7.1: Modelo lineal de un amplicador de una etapa.
La respuesta de voltaje a la entrada del inversor es v
in
que tiene un valor igual a
v
in
= v
m
r
in
r
in
+R
m
=
5 k
5 k + 1 k
v
m
= 0, 83v
m
(7.1)
La carga de entrada reduce la fuente de voltaje de 10 mV a 8.3 mV. Cuando se tiene que R
m
>> r
in
, la
carga de entrada tiene un efecto a un mayor.
7.3 Amplicador de dos etapas en cascada 198
= 1 k
= 8
1
1
= 5 k

1
2
= 1 k
+
microfono.pdf
= 5 k
= 10 mV
= 1 k
= 1 k
= 8
2
3
= 100 k

2
4
= 5
+
amplificado_2_etapas
Seguidor Inversor
Figura 7.2: Amplicador de dos etapas
El voltaje de salida del circuito de la gura 7.1, que se entrega a la carga representada por R
L
est a dado
por
v
out
= a
v
v
in
R
L
R
L
+r
out
= a
v
v
in
8
8 + 1k
0, 008a
v
v
in
(7.2)
A partir de las ecuaciones 7.1 y 7.2 encontramos la relaci on para la amplicaci on total del voltaje v
m
de
la fuente cuando pasa a trav es del amplicador, esta viene dada por la relaci on 7.3:
v
out
v
m
= a
v
r
in
r
in
+R
m
R
L
R
L
+r
out
= 100(0, 83)(0, 008) 0, 66 (7.3)
Como conclusi on podemos ver que la ganancia neta no est a ni siquiera cerca de los 100, y en realidad
es menor que la unidad (-0,66). En este caso, el sistema de amplicaci on en realidad no amplica, sino que
aten ua la se nal de entrada.
7.3. Amplicador de dos etapas en cascada
El impacto de las resistencias de entrada y salida pueden ser minimizado creando un amplicador de
dos etapas conectadas en cascada, como se puede ver en la gura 7.2. La primera etapa consiste en un
inversor con gran ganancia, y la segunda etapa consiste en un seguidor de voltaje o buffer con una gran
resistencia de entrada y baja resistencia de salida. Las ganancias y voltajes de la primera y segunda etapa
han sido representadas por a
1
, a
2
, v
1
y v
2
, respectivamente, y las resistencias de se nal peque na de entrada
y salida se representan por r
1
y r
4
, respectivamente.
Con esta conguraci on para el amplicador, se tiene que el voltaje de salida v
out
queda dado por la
ecuaci on (5):
7.3 Amplicador de dos etapas en cascada 199
v
out
= (v
2
a
2
)
R
L
R
L
+r
4
=
_
v2
..
(v
1
a
1
)
r
3
r
3
+r
2
a
2
_
R
L
R
L
+r
4
=
_
v1
..
v
m
r
1
r
1
+R
m
a
1
_
r
3
r
3
+r
2
a
2
R
L
R
L
+r
4
(7.4)
Un an alisis de se nal peque na de la conguraci on del seguidor, revela que r
in
y r
out
de la etapa del
seguidor de voltaje dependen de r
in
y r
out
de las etapas sucesoras y predecedoras respectivamente. Es-
te problema ser a visto en una secci on posterior. Por ahora podemos ver como el seguidor amortigua el
problema de la carga asumiendo los siguientes valores tpicos para un seguidor:
r
in
= r
3
= 100[k] r
out
= r
4
= 5[] a
v
= a
2
= 1
Evaluando la ecuaci on 7.4 con los valores dados, obtenemos que la ganancia total ser a:
v
out
v
m
=
_
5k
5k + 1k
_
(100)
_
100k
100k + 1k
_
(1)
_
8
8 + 5
_
= (0, 83)
. .
Carga de entrada
(100)
. .
Ganancia a
1
(0, 99)
. .
Carga entre etapas
(1)
..
Ganancia a
2
(0, 62)
. .
Carga de salida
51 (7.5)
A partir del resultado obtenido en la ecuaci on (7), podemos ver que la ganancia del amplicador de dos
etapas (-51) alcanza a ser la mitad de la ganancia total del transistor (-100), este resultado es m as cercano
que el obtenido con el amplicador inversor de una etapa (-0,66). Se puede ver que la t ecnica de utilizar
dos etapas de amplicaci on, enseguida nos da resultados positivos en cuanto a la amplicaci on de la se nal
de entrada y nos da una visi on de que teniendo m as etapas se podra lograr una mejor amplicaci on a un.
La t ecnica de multietapa en cascada es a menudo usada para crear amplicadores con gran resistencia
de entrada y baja resistencia de salida, as la ganancia obtenida es mucho mayor que la obtenida en un
amplicador de una sola etapa.
Ejercicio 1: El circuito de la gura 7.3 tiene tres etapas amplicadoras en cascada formada por los tran-
7.4 Polarizaci on de amplicadores multietapa 200
Figura 7.3: Amplicador de tres etapas
Figura 7.4: Tabla ejercicio 1
sistores BJT. Estimar la ganancia aproximada de se nal peque na usando el modelo de dos puertas para los
BJT, y conectando estas en cascada.
Una tabla con las aproximaciones utilizadas se muestra en la gura 7.4:
7.4. Polarizaci on de amplicadores multietapa
Es posible crear un amplicador multietapa, conectadas en cascada, en el cual cada una de las etapas
puede ser polarizada por separado y acoplar las etapas adyacentes por medio de un condensador de blo-
queo DC. En la gura 7.5, se puede ver una implementaci on de un amplicador de dos etapas en cascada,
la primera un inversor seguida de un seguidor de voltaje. Los capacitores C
1
y C
2
aislan la componente DC
del sistema, actuando como circuito abierto para corrientes DC. Estos capacitores permiten que se nales de
alta frecuencia pasen a trav es de la cascada, actuando como cortocircuitos para corrientes AC. Similarmente
Seguidor Inversor
3
dos_etapas_2.jpg
Figura 7.5: Implementaci on de un amplicador de dos etapas
1
= 4.7 k
1
= 4.7 k

= 10 k
dos_etapas_2.jpg
1

3
Figura 7.6: Amplicador de dos etapas con polarizaci on va dispositivos activos
el capacitor C
3
permite tener una ganacia grande en la etapa del inversor para se nal peque na y aten ua las
componentes DC del circuito, este capacitor es llamado de bypass. La conguraci on de este amplicador
tiene varias deciencias que limita su utilidad como un dise no pr actico. Primero que todo, la impedancia
de los capacitores de acoplado y de bypass llega a ser grande a bajas frecuencias, lo que implica que re-
ducen la ganancia total del amplicador. Segundo, los capacitores discretos utilizan un gran esapcio del
area del integrado (chip). En resumen el circuito de la gura 7.5 tiene varios e importantes principios de la
amplicaci on multietapa, pero no representa un buen dise no pr actico. Es un ejemplo ilustrativo solamente.
Una versi on mejorada del acoplamiento DC del amplicador de dos etapas que usa capacitores no
discretos se muestra en la gura 7.6. En este circuito el capacitor C
3
de la gura 7.5 , ha sido reemplazado
por un dispositivo activo Q
3
. Esta conguraci on tambi en elimina la necesidad de utilizar los capacitores C
1
y C
2
, porque Q
1
es dise nado para tener su base a tierra, esto implica que la etapa 1 provee la polarizaci on a
la etapa 2.
Calcular los voltajes y corrientes de polarizaci on de esta conguraci on (7.6) es bastante engorroso, por-
que interact uan muchos voltajes y corrientes para el c alculo, y adem as los principios lineales que se utilizan
en la cascada no se pueden aplicar en este circuito para encontrar la polarizaci on. No obstante lo anterior, se
puede utilizar la aproximaci on de voltaje-constante para un an alisis r apido de la polarizaci on del circuito
multietapa en cascada de la gura 7.6. En la aproximaci on de voltaje-constante, las corrientes de base del
BJT se asume que son ligeramente menor, casi despreciable, comparadas con las corrientes de colector. Asu-
mir esto, permite que los nodos donde las bases est an conectadas, se puedan tomar como si estuvieran en
operaci on de circuito abierto. La aproximaci on de voltaje-constante es exactamente igual para FETs, donde
se cumple que I
G
= 0.
Para el circuito de la gura 7.6, encontraremos por medio de la aproximaci on de voltaje-constante los
voltajes y corrientes de polarizaci on del circuito.
Par ametros de polarizaci on de Q
1
Si la corriente de base a trav es de R
g
es despreciada, el voltaje DC de polarizaci on de la base de Q
1
se
vuelve cero, entonces:
V
E1
= V
BE1
= V
f
(7.6)
Notar que el voltaje de polarizaci on es evaluado poniendo v
g
a cero. El voltaje a trav es de R
1
llega a ser:
V
R1
= V
E1
V
EE
= (0, 6V ) (10V ) = 9, 4V (7.7)
Donde el valor de V
f
0, 6V ha sido asumido. La corriente resultante I
0
es:
I
0
=
V
R1
R
1
=
9, 4V
4, 7k
= 2mA (7.8)
La corriente I
0
se divide en dos partes iguales donde I
C1
= I
C3
I
0
/2 = 1mA, entonces el voltaje de
colector de Q
1
est a dado por:
V
C1
= V
CC
I
C1
R
C1
= 10V (1mA)(4, 7k) = 5, 3V (7.9)
Par ametros de polarizaci on para Q
2
El voltaje V
C1
es alimentado directamente desde la base de Q
2
, eliminando la necesidad de polarizar la
base por resistencias en la segunda etapa. El voltaje a trav es de la resistencia R
E
del seguidor se vuelve:
V
RE
= V
C1
V
BE2
V
EE
= 5, 3V 0, 6V (10V ) = 14, 7V (7.10)
Similarmente, el valor de polarizaci on de v
OUT
se encuentre con:
7.5 Cambio del nivel DC 203
V
OUT
= V
C1
V
BE1
= 4, 7V (7.11)
Finalmente, los par ametros de polarizaci on de Q
2
son:
V
CE2
= V
CC
V
OUT
= 10V 4, 7V = 5, 3V (7.12)
I
C2
=
V
RE
R
E
=
14, 7V
10k
= 1, 47mA (7.13)
Notar que si V
BE2
= V
f
se asume constate, el valor de V
OUT
no cambiar a de manera apreciable si una
resistencia es conectada entre la salida del seguidor y tierra.
7.5. Cambio del nivel DC
En un circuito multietapa en cascada con acoplado DC, los niveles de los par ametros de polarizaci on se
pasan de la salida de una etapa a la entrada de la proxima. En un BJT npn polarizado apropiadamente, los
rangos de oscilaci on deben tener el drenaje m as positivo que la compuerta. Un problema que surge al tener
grandes cascadas, es que el voltaje de polarizaci on cuando pasa de etapa en etapa se vuelve cada vez m as
positivo. Este aumento en el voltaje puede afectar la polarizaci on de etapas posteriores, llevando al BJT a
operar en otra zona, sac andolo de su zona activa.
7.5.1. Cambios de nivel en circuitos con BJT
El problema de los cambios de nivel se ilustra de mejor manera en el circuito de la gura 7.7. En la
gura 7.7, se muestran varios voltajes y corrientes de polarizaci on del circuito. La base del dispositivo
npn Q
1
es polarizado va el voltaje v
g
. El colector de Q
1
es polarizado con un voltaje m as positivo igual a
V
C1
= +1, 3V . El voltaje V
C1
se pasa a la base de Q
2
, donde su colector es polarizado con un voltaje a un
mayor V
C2
= +7, 6V . Este ultimo voltaje se pasa a la base de Q
3
. La juntura base-emisor de Q
3
contribuye
s olo con una peque na cada de V
f
, antes de pasar el voltaje de polarizaci on a v
OUT
el cual queda en 7, 0V .
El resultado del valor del voltaje de polarizaci on de v
OUT
ilustra el problema de la acumulaci on de voltaje
a trav es de las etapas. Aunque se elijan los valores exactos de polarizaci on de las etapas 1 y 2, v
OUT
de este
amplicador simpre ser a polarizado con un voltaje positivo si la base de Q
1
es polarizada con un potencial
a tierra. Tal situaci on limita el rango de oscilaci on de v
OUT
, que idealmente debera ser polarizado en un
2

5
1

2

3
1
nivel_prob.jpg
Figura 7.7: Cascada multietapa que muestra par ametros de polarizaci on
2

5
1

2

3
1
cambio_nivel_zener.jpg
Figura 7.8: Cambio de nivel DC por medio del zener D2

valor entre V
CC
y V
EE
. En el caso extremo de muchas etapas en cascada, el voltaje de polarizaci on de v
OUT
puede ser aproximado a V
CC
.
Este problema de acumulaci on de voltaje a trav es de las etapas puede ser amortiguado por el uso de
cambios de nivel DC. Los cambios de nivel alteran la distribuci on de los valores de polarizaci on, pero no la
ganancia del amplicador en cascada. Un m etodo simple de cambio de nivel DC implica la inserci on de un
dispositivo pasivo con un voltaje DC constante entre etapas adyacentes de la cascada. El circuito de la gura
7.8, se parece al circuito de la gura 7.7, pero tiene un diodo zener entre la primera y la segunda etapa. La
cada de tensi on del zener D
2
cambia el voltaje de polarizaci on que se pasa a la base de Q
2
disminuy endolo
en 7, 9V , de 1, 3V a 6, 6V . Este ultimo voltaje es cercano al voltaje del colector del transistor Q
1
. El cambio
de nivel provisto por el zener D
2
a la larga permite polarizar v
OUT
en 0V , valor entre V
CC
y V
EE
. El zener
puede ser modelado como una fuente de voltaje DC y como un cortocircuito de se nal peque na, es por esto
que la ganancia y el comportamiento de se nal peque na del amplicador pr acticamente no se ve afectada
por la presencia del zener.
2

4
mos1.jpg
1

2
Figura 7.9: Cambios de nivel en un amplicador NMOS de dos etapas
7.5.2. Cambios de nivel en circuitos con MOSFET
Si un MOSFET es polarizado con un rango adecuado de oscilaci on, su borne de drenaje debe ser pola-
rizado con un voltaje mayor que su compuerta. Una cascada multietapa de inversores MOSFET tambi en
experimentan la acumulaci on de voltaje a trav es de las etapas, problema descrito en la secci on anterior. La
t ecnica del cambio de nivel puede ser usada tambi en en circuitos MOSFET de manera similar a los circuitos
con BJT. Especcamente, con dispositivos con cada de tensi on ja pueden ser insertados entre etapas ada-
yecentes, esto elimina el problema de la acumulaci on de voltaje. En un principio uno puede conectar una
serie de zener como elementos de voltaje constante, como se hizo con el zener D
2
en el circuito del BJT de la
gura 7.8. Este m etodo es aceptable para circuitos BiCMOS, pero no es deseable para circuitos integrados
NMOS o CMOS, porque un conjunto de dispositivos que fueron fabricados por procesos distintos podran
requerir crear el zener para esas condiciones. Un esquema alternativo que s olo tiene MOSFETs de canal n se
muestra en la gura 7.9. En este circuito, los MOSFETs Q
A
y Q
B
son polarizados con un nivel de corriente
constante por las fuentes de corriente I
1
e I
2
. En un circuito integrado real, estas fuentes pueden ser imple-
mentadas usando espejos de corriente con MOSFET. Con una corriente de drenaje ja I
D
, los dispositivos
Q
A
y Q
B
mantienen constante el voltaje de compuerta-fuente V
GS
. Esta cada de tensi on es sustrada de
V
D1
, reduciendo el voltaje de polarizaci on de la compuerta de Q
3
al valor V
D1
V
GSA
V
GSB
. La ganancia
total de se nal peque na de la cascada no se ve afectada por la presencia de Q
A
y Q
B
, porque las ganancias
de estos seguidores se aproxima a la unidad cuando I
1
e I
2
tienen grandes resistenciasd de Norton. En la
pr actica, se pueden insertar en la cascada los dispositivos de cambio de nivel que sean necesarios.
En un amplicador CMOS an alogo, los cambios de nivel se logran f acilmente sin la necesidad de dispo-
sitivos de cada de tensi on constante. Una sola necesidad es alternar los roles de los dispositivos de canal n
y p como una cascada progresiva. El concepto b asico, aplicable a la mayora de los circuitos CMOS, se ilus-
tra en el amplicador simplicado de la gura 7.10. En la etapa 1, el dispositivo de canal n Q
1
es manejado
7.6 Amplicador diferencial en cascada 206
2

3
mos2.jpg
Figura 7.10: Circuito alternativo sin dispositivos con cadas de tensi on jas, utilizando cambio de roles de los CMOS
con v
IN
, y el de canal p Q
2
es usado como carga de subida. En la etapa 2, los roles son invertidos, MOSFET
de canal p Q
3
es manejado con la salida de la primera etapa, y el de canal n Q
4
es utilizado como una carga
de subida. Con la compuerta de Q
1
polarizada a tierra (representado por V
SS
), el voltaje de polarizaci on
V
D1
de Q
1
requiere que sea polarizado por encima de tierra. El arreglo de la gura 7.10 causa que V
D1
sea
jado por el voltaje de compuerta-drenaje V
GD3
de Q
3
antes de pasar a V
OUT
. En este caso V
GD3
debe ser
positivo porque el drenaje del dispositivo de canal p Q
4
deber ser polarizado m as negativamente que su
compuerta.
Notar que el arreglo del circuito de la gura 7.10 puede tambi en ser usado en circuitos BJT alternando
los dispositivos npn y pnp en etapas sucesivas.
7.6. Amplicador diferencial en cascada
Los principios de multietapa en cascada y del cambio de nivel DCson f acilmente aplicados a los circuitos
de amplicadores diferenciales. Cuando dos amplicadores diferenciales est an en cascada, la ganancia total
de la cascada est a sujeta a los factores de carga de entrada, salida y entre las etapas. Estos factores de carga
pueden no ser el mismo para diferencial y se nales de modo com un.
El circuito de la gura 7.11 ilustra el tpico amplicador diferencial de dos etapas en cascada con BJTs.
La primera etapa est a formada por el emparejamiento de dispositivos npn y la segunda formada por el
emparejamiento de dispositivos pnp. Como se dijo en la secci on 5.2, el uso de transistores complementarios
en etapas sucesivas proporciona el control del cambio de nivel DC, sin la necesidad de tener dispositivos
pasivos para el control de nivel. Los transistores Q
A
y Q
E
forman un par de espejos de corriente comple-
mentarios que permiten jar las corrientes de polarizaci on de Q
1
y Q
4
en el mismo valor. La corriente de
referencia I
ref2
del espejo de corriente pnp se deriva de Q
C
, el cual replica la corriente I
ref1
del espejo de
corriente npn. Porque g
m
= I
C
/V
T
de ambos dispositivos npn y pnp, transistores Q
1
y Q
4
tienen el mismo
1

2
1

2
difere1.pdf
1

1
Figura 7.11: Amplicador diferencial de dos etapas con BJT

valor de g
m
. Notar que aunque estos transistores tengan el mismo g
m
, los par ametros
0NPN
y
0PNP
rara vez son iguales, entonces
0NPN
/g
m
,=
0PNP
/g
m
, y r
N
,= r
P
.
Las dos etapas de la cascada tienen el mismo modelo de se nal peque na, con los par ametros del ampli-
cador dados por:
A
dmse
=
g
m
R
C
2
(7.14)
A
cmse
=

0
R
C
r
+ 2(
0
+ 1)r
0
R
C
2r
0
(7.15)
r
indm
= 2r
(7.16)
r
incm
= r
+ 2(
0
+ 1)r
0
2
0
r
0
(7.17)
r
outse
= R
C
, (7.18)
con dm la abreviaci on de modo diferencial y cm la de modo com un.
En las expresiones anteriores r
0
se reere a la resistencia de salida de se nal peque na de los espejos de
corriente de los transistores Q
B
y Q
E
.
Una conguraci on adecuada para evaluar el rendimiento del amplicador diferencial se muestra en
2
=
2
+
11
+
11
12
12
+
21
21
1
+

22
22

2
difere2.pdf
1
=

2
Figura 7.12: Evaluaci on del amplicador diferencial de la gura 7.11
+
22
12
1
+
22
22
2
difere3.pdf
2
=
11
11
1
+
21
21
1
=
3
Figura 7.13: Conexiones para evaluar el modo com un
la gura 7.12. Fuentes diferenciales de valor v
d
/2 son conectadas a las entradas v
1
y v
2
, o sea v
idm1
=
v
1
v
2
= v
d
. Las salidas v
out1
y v
out2
son medidas bajo condiciones de circuito abierto.
Aplicando principios de cascada y cargas al circuito se obtiene que las ganancias de modo diferencial
son:
A
dmse1
=
v
out1
v
idm1
=
g
m2
R
C2
2
(g
m1
R
C1
)
2r
P
2r
P
+ 2R
C1
(7.19)
A
dmse2
=
v
out2
v
idm1
=
+g
m2
R
C2
2
(g
m1
R
C1
)
2r
P
2r
P
+ 2R
C1
(7.20)
El rendimiento de modo com un puede ser evaluado conectando entradas de modo com un v
1
y v
2
como
lo muestra la gura 7.13.
De la misma manera se obtienen las siguientes ganancias de modo com un,
A
cmse1
= A
cmse2
=
v
outse
v
icm
=
R
C2
2r
0E
R
C1
2r
0B
2
0P
r
0E
2
0P
r
0E
+R
C1
. (7.21)
La relaci on de rechazo de modo com un (CMRR) de la cascada est a dada por:
CMRR =
[v
outse
/v
idm
[
[v
outse
/v
icm
[
=
(g
m2
R
C2
)(g
m1
R
C1
)/2
(R
C2
/2r
0E
)(R
C1
/2r
0B
)
r
P
r
P
+R
C1
2
0P
r
0E
+R
C1
2
0P
r
0E
CMRR =
g
m2
g
m1
r
0P
r
P
(2
0P
r
0E
+R
C1
)
r
P
+R
C1
=
g
m1
r
0B
(2
0P
r
0E
+R
C1
)
r
P
+R
C1
(7.22)
Donde g
m2
r
P
=
0P
. Porque r
0E
>> R
C1
y r
P
R
C1
, la ultima expresi on 7.22 se puede simplicar y
queda:
CMRR
g
m1
r
0B
(2
0P
r
0E
)
r
P
+R
C1
g
m1
g
m2
r
0B
r
0E
(7.23)
La ecuaci on 7.23 nos indica que el CMRR de la cascada es del orden (g
m
r
0
)
2
. Este valor debe ser com-
parado con el CMRR del amplicador diferencial BJT de una sola etapa, la cual es del orden de g
m
r
0
:
CMRR =
r
+ 2(
0
+ 1)r
0
2r

0
r
0
r
= g
m
r
0
(7.24)
La cascada del amplicador diferencial tiene una gran ganancia diferencial y una muy grande relaci on
de rechazo de modo com un.

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1

Circuitos Electr onicos Anal ogicos

IAZ & F. P. MENA

INDICE GENERAL III

INDICE DE FIGURAS VII

INDICE DE FIGURAS VIII

hay que usar sumatorias, en lugar de integrales

deben ser funciones continuas y uni-evaluadas.

en una cascara de espesor dr es

, m as adelante se usar a esta resistencia en

se obtiene por el divisor de voltaje visto en r

es mucho menor que la corriente de

Figura 5.31: Ejemplo.

14,5 [MHz] (5.62)

M etodo resistencia de Th evenin (voltaje o corriente de prueba)

, pero esto reduce la ganancia de banda media.

. Haciendo LCK en el nodo x se obtiene

. Por otro lado v

. Finalmente usando LVK en el lazo A obtenemos v

el circuito de se nal peque na es sim etrico implicando que

), esta expresi on se reduce a

Figura 7.8: Cambio de nivel DC por medio del zener D2

Figura 7.11: Amplicador diferencial de dos etapas con BJT

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