Tiristores de control de fase o de conmutacin rpida (SCR).

El miembro ms importante de la familia de los tiristores es el tiristor de tres terminales, conocido tambin como el rectificador controlado de silicio o SCR. Este dispositivo lo desarroll la General Electric en 1958 y lo denomin SCR. El nombre de tiristor lo adopt posteriormente la Comisin Electrotcnica Internacional (CEI). En la figura siguiente se muestra el smbolo de un tiristor de tres terminales o SCR. Tal como su nombre lo sugiere, el SCR es un rectificador controlado o diodo. Su caracterstica voltaje-corriente, con la compuerta de entrada en circuito abierto, es la misma que la del diodo PNPN. Lo que hace al SCR especialmente til para el control de motores en sus aplicaciones es que el voltaje de ruptura o de encendido puede ajustarse por medio de una corriente que fluye hacia su compuerta de entrada. Cuanto mayor sea la corriente de la compuerta, tanto menor se vuelve VBO. Si se escoge un SCR de tal manera que su voltaje de ruptura, sin seal de compuerta, sea mayor que el mayor voltaje en el circuito, entonces, solamente puede activarse mediante la aplicacin de una corriente a la compuerta. Una vez activado, el dispositivo permanece as hasta que su corriente caiga por debajo de IH. Adems, una vez que se dispare el SCR, su corriente de compuerta puede retirarse, sin que afecte su estado activo. En este estado, la cada de voltaje directo a travs del SCR es cerca de 1.2 a 1.5 veces mayor que la cada de voltaje a travs de un diodo directo-oblicuo comn.

Figura 3. Smbolo del SCR. Los tiristores de tres terminales o SCR son, sin lugar a dudas, los dispositivos de uso ms comn en los circuitos de control de potencia. Se utilizan ampliamente para cambiar o rectificar aplicaciones y actualmente se encuentran en clasificaciones que van desde unos pocos amperios hasta un mximo de 3,000 A.

Un SCR. 1. Se activa cuando el voltaje VD que lo alimenta excede VBO 2. Tiene un voltaje de ruptura VBO, cuyo nivel se controla por la cantidad de corriente iG, presente en el SCR 3. Se desactiva cuando la corriente iD que fluye por l cae por debajo de IH 4. Detiene todo flujo de corriente en direccin inversa, hasta que se supere el voltaje mximo inverso.
1. DEFINICIN.

El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, Figura 1), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposicin pnpn (Figura 2). Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta. La conduccin entre nodo y ctodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es nico), conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.

Figura 1: Smbolo del SCR.

2.

ESTRUCTURA.

Figura 2 : Estructura bsica del SCR.

3.

CURVA CARACTERSTICA Y FUNCIONAMIENTO.

La curva caracterstica del SCR es la representada en el siguiente Applet:

En el Applet se muestra la curva caracterstica tpica de un tiristor SCR, representndose la corriente de nodo (Ia) en funcin de la tensin aplicada entre nodo y ctodo (Vak). Cuando la tensin Vak es nula, tambin lo es la intensidad de corriente Ia. Al aumentar dicha tensin en sentido directo, con corriente de puerta nula, si se supera la tensin Vb0, la transicin de estado OFF a ON deja de ser controlada. Si se desea que el paso al estado "ON" se realice para tensiones Vak inferiores a Vb0, ser necesario dotar al dispositivo de la corriente de puerta (Ig) adecuada para que dicha transicin se realice cuando la intensidad de nodo supere la intensidad de enganche (IL ). Por el contrario, si el dispositivo esta en conduccin, la transicin al estado "OFF" se produce cuando la corriente de nodo caiga por debajo de la intensidad de corriente de mantenimiento (Ih). Tanto para el estado de bloqueo directo, como para el estado de polarizacin inversa, existen unas pequeas corrientes de fugas. Cuando se polariza inversamente se observa una dbil corriente inversa (de fuga) hasta que alcanza el punto de tensin inversa mxima que provoca la destruccin del mismo. El SCR es, por tanto, un dispositivo conductor solo en el primer cuadrante, en el cual el disparo se provoca por: - tensin suficientemente elevada aplicada entre nodo y ctodo, - intensidad en la puerta. Se puede controlar as la tensin necesaria entre nodo y ctodo para la transicin OFF ON, usando la corriente de puerta adecuada.

4.

CARACTERSTICAS GENERALES.

Interruptor casi ideal. Soporta tensiones altas. Amplificador eficaz. Es capaz de controlar grandes potencias. Fcil controlabilidad. Relativa rapidez. Caractersticas en funcin de situaciones pasadas (memoria).

4.1

CARACTERSTICAS ESTTICAS.

Las caractersticas estticas corresponden a la regin nodo - ctodo y son los valores mximos que colocan al elemento en lmite de sus posibilidades: - Tensin inversa de pico de trabajo .............................................: VRWM - Tensin directa de pico repetitiva ...............................................: VDRM - Tensin directa ...........................................................................: VT - Corriente directa media ...............................................................: ITAV - Corriente directa eficaz ................................................................: ITRMS - Corriente directa de fugas ............................................................: IDRM - Corriente inversa de fugas ............................................................: IRRM - Corriente de mantenimiento ..........................................................: IH

Las caractersticas trmicas a tener en cuenta al trabajar con tiristores son: - Temperatura de la unin ................................................................: Tj - Temperatura de almacenamiento ...................................................: Tstg - Resistencia trmica contenedor-disipador ......................................: Rc-d - Resistencia trmica unin-contenedor ............................................: Rj-c - Resistencia trmica unin-ambiente.................................................: Rj-a - Impedancia trmica unin-contenedor.............................................: Zj-c 4.2 CARACTERSTICAS DE CONTROL.

Corresponden a la regin puerta-ctodo y determinan las propiedades del circuito de mando que responde mejor a las condiciones de disparo. Los fabricantes definen las siguientes caractersticas: -Tensin directa mx. ....................................................................: VGFM - Tensin inversa mx. ...................................................................: VGRM - Corriente mxima..........................................................................: IGM - Potencia mxima ..........................................................................: PGM - Potencia media .............................................................................: PGAV - Tensin puerta-ctodo para el encendido......................................: VGT - Tensin residual mxima que no enciende ningn elemento.............: VGNT - Corriente de puerta para el encendido ...........................................: IGT - Corriente residual mxima que no enciende ningn elemento............: IGNT Entre los anteriores destacan: - VGT e IGT , que determinan las condiciones de encendido del dispositivo semiconductor. - VGNT e IGNT, que dan los valores mximos de corriente y de tensin, para los cuales en condiciones normales de temperatura, los tiristores no corren el riesgo de dispararse de modo indeseado. 4.2.1 rea de disparo seguro.

En esta rea (Figura 3) se obtienen las condiciones de disparo del SCR. Las tensiones y corrientes admisibles para el disparo se encuentran en el interior de la zona formada por las curvas: Curva A y B: lmite superior e inferior de la tensin puerta-ctodo en funcin de la corriente positiva de puerta, para una corriente nula de nodo. Curva C: tensin directa de pico admisible VGF. Curva D: hiprbola de la potencia media mxima PGAV que no debemos sobrepasar.

Figura 3. Curva caractersticas de puerta del tiristor. El diodo puerta (G) - ctodo (K) difiere de un diodo de rectificacin en los siguientes puntos: Una cada de tensin en sentido directo ms elevada. Mayor dispersin para un mismo tipo de tiristor. 4.3 4.3.1 Caractersticas CARACTERSTICAS DINMICAS. dinmicas.

Tensiones transitorias: - Valores de la tensin superpuestos a la seal de la fuente de alimentacin. Son breves y de gran amplitud. - La tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM) debe estar dentro de esos valores. Impulsos de corriente: - Para cada tiristor se publican curvas que dan la cantidad de ciclos durante los cuales puede tolerarse una corriente de pico dada (Figura 4). - A mayor valor del impuso de corriente, menor es la cantidad de ciclos. - El tiempo mximo de cada impulso est limitado por la temperatura media de la unin.

Figura 4. Curva de limitacin de impulsos de corriente. ngulos de conduccin: - La corriente y tensin media de un SCR dependen del ngulo de conduccin. - A mayor ngulo de conduccin, se obtiene a la salida mayor potencia. - Un mayor ngulo de bloqueo o disparo se corresponde con un menor ngulo de conduccin (Figura 5): ngulo de conduccin = 180 - ngulo de disparo - Conociendo la variacin de la potencia disipada en funcin de los diferentes ngulos de conduccin podremos calcular las protecciones necesarias.

Figura 5. ngulo de bloqueo y conduccin de un tiristor. 4.3.2 Caractersticas de conmutacin. Los tiristores no son interruptores perfectos, necesitan un tiempo para pasar de corte a conduccin y viceversa. Vamos a analizar este hecho.

(
4.3.2.1 Tiempo de encendido

on

Es el tiempo que tarda el tiristor en pasar de corte a conduccin. Se divide en dos partes (Figura 6): Tiempo de retardo (td): tiempo que transcurre desde que la corriente de puerta alcanza el 50 % de su valor final hasta que la corriente de nodo alcanza el 10 % de su valor mximo. Depende de la corriente de mando, de la tensin nodo - ctodo y de la temperatura (td disminuye si estas magnitudes aumentan). Tiempo de subida (tr): tiempo necesario para que la corriente de nodo pase del 10 % al 90 % de su valor mximo, o, el paso de la cada de tensin en el tiristor del 90 % al 10 % de su valor inicial.

Ton = td + tr

Figura 6. Tiempo de encendido.

(
4.3.2.2 Tiempo de apagado

off

Es el tiempo que tarda el tiristor en pasar de conduccin a corte. Se divide en dos partes (Figura 7): Tiempo de recuperacin inversa (trr): tiempo en el que las cargas acumuladas en la conduccin del SCR, por polarizacin inversa de este, se eliminan parcialmente. Tiempo de recuperacin de puerta (tgr): tiempo en el que, en un nmero suficiente bajo,

las restantes cargas acumuladas se recombinan por difusin, permitiendo que la puerta recupere su capacidad de gobierno.

Toff = trr + tgr

Figura 7. Tiempo de apagado.

La extincin del tiristor se producir por dos motivos: reduccin de la corriente de nodo por debajo de la corriente de mantenimiento y por anulacin de la corriente de nodo.

4.4

CARACTERSTICAS TRMICAS.

Dependiendo de las condiciones de trabajo de un tiristor, ste disipa una cantidad de energa que produce un aumento de la temperatura en las uniones del semiconductor. Este aumento de la temperatura provoca un aumento de la corriente de fugas, que a su vez provoca un aumento de la temperatura, creando un fenmeno de acumulacin de calor que debe ser evitado. Para ello se colocan disipadores de calor.

5.

MTODOS DE DISPARO.

Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unin nodo - ctodo debe estar polarizada en directo y la seal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente larga como para permitir que el tiristor alcance un valor de corriente de nodo mayor que IL, corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir. Para que, una vez disparado, se mantenga en la zona de conduccin deber circular una corriente mnima de valor IH, marcando el paso del estado de conduccin al estado de bloqueo directo. Los distintos mtodos de disparo de los tiristores son: - Por puerta. - Por mdulo de tensin. - Por gradiente de tensin (dV/dt) - Disparo por radiacin. - Disparo por temperatura. El modo usado normalmente es el disparo por puerta. Los disparos por mdulo y gradiente de tensin son modos no deseados.

5.1

DISPARO POR PUERTA.

Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste en la aplicacin en la puerta de un impulso positivo de intensidad, entre los terminales de puerta y ctodo a la vez que mantenemos una tensin positiva entre nodo y ctodo.

Figura 8. Circuito de control por puerta de un SCR. - El valor requerido de VT necesario para disparar el SCR es: VT = VG + IG R - R viene dada por la pendiente de la recta tangente a la curva de mxima disipacin de potencia para obtener la mxima seguridad en el disparo (Figura 9). R = VFG / IFG

Figura 9. Recta tangente a la curva de mxima disipacin de potencia.

5.2

DISPARO POR MDULO DE TENSIN.

Es el debido al mecanismo de multiplicacin por avalancha. Esta forma de disparo no se emplea para disparar al tiristor de manera intencionada; sin embargo ocurre de forma fortuita provocada por sobre tensiones anormales en los equipos electrnicos.

5.3

DISPARO POR GRADIENTE DE TENSIN.

Una subida brusca del potencial de nodo en el sentido directo de conduccin provoca el disparo. Este caso ms que un mtodo, se considera un inconveniente.

Figura 10. Zona de disparo por gradiente de tensin.

5.4

DISPARO POR RADIACIN.

Est asociado a la creacin de pares electrn-hueco por la absorcin de la luz del elemento semiconductor. El SCR activado por luz se llama LASCR.

5.5 DISPARO POR TEMPERATURA. El disparo por temperatura est asociado al aumento de pares electrn - hueco generados en las uniones del semiconductor. As, la suma (1+2) tiende rpidamente a la unidad al aumentar la temperatura. La tensin de ruptura permanece constante hasta un cierto valor de la temperatura y disminuye al aumentar sta.

6.

CONDICIONES NECESARIAS PARA EL CONTROL DE UN SCR.

Para el control en el disparo: - nodo positivo respecto al ctodo. - La puerta debe recibir un pulso positivo con respecto al ctodo. - En el momento del disparo Iak > IL. Para el control en el corte: - Anulamos la tensin Vak. - Incrementamos RL hasta que Iak< IH.

7.

LIMITACIONES DEL TIRISTOR.

7.1

LIMITACIONES DE LA FRECUENCIA DE FUNCIONAMIENTO.

- La frecuencia de trabajo en los SCR no puede superar ciertos valores. - El lmite es atribuible a la duracin del proceso de apertura y cierre del dispositivo. - La frecuencia rara vez supera los 10 Khz.

7.2

LIMITACIONES DE LA PENDIENTE DE TENSIN dV/dt.

"dV/dt" es el valor mnimo de la pendiente de tensin por debajo del cual no se producen picos transitorios de tensin de corta duracin, gran amplitud y elevada velocidad de crecimiento. a) Causas: - La alimentacin principal produce transitorios difciles de prever en aparicin, duracin (inversamente proporcional a su amplitud) y amplitud. - Los contactores entre la alimentacin de tensin y el equipo: cuya apertura y cierre pueden producir transitorios de elevada relacin dV/dt (hasta 1.000 V/s) produciendo el basculamiento del dispositivo. - La conmutacin de otros tiristores cercanos que introducen en la red picos de tensin. b) Efectos: - Puede provocar el cebado del tiristor, perdiendo el control del dispositivo. - La dV/dt admisible varia con la temperatura.

7.3

LIMITACIONES DE LA PENDIENTE DE INTENSIDAD dI/dt.

"dI/dt" es el valor mnimo de la pendiente de la intensidad por debajo de la cual no se producen puntos calientes. a) Causas: - Durante el cebado, la zona de conduccin se reduce a una parte del ctodo cerca de la puerta, si el circuito exterior impone un crecimiento rpido de la intensidad, en esta zona la densidad de corriente puede alcanzar un gran valor. - Como el cristal no es homogneo, existen zonas donde la densidad de Intensidad es mayor (puntos calientes).

b) Efectos: - En la conmutacin de bloqueo a conduccin la potencia instantnea puede alcanzar valores muy altos. - La energa disipada producir un calentamiento que, de alcanzar el lmite trmico crtico, podra destruir el dispositivo.

7.4

PROTECCIONES CONTRA dV/dt Y dI/dt.

Solucin: colocar una red RC en paralelo con el SCR y una L en serie. Calculo: mtodo de la constante de tiempo y mtodo de la resonancia.

Figura 11. Circuito de proteccin contra dV/dt y dI/dt. 7.4.1 Mtodo de la constante de tiempo.

Clculo de R y C: 1. Se calcula el valor mnimo de la constante de tiempo de la dV/dt del dispositivo y el valor de R y C: = ( 0,63 VDRM ) / ( dV/dt )mn C = / RL Rs = VA(mx) / ( ITSM - IL ) donde: VDRM = tensin de pico repetitiva de bloqueo directo. IL = corriente en la carga. RL = resistencia de carga. ITSM = corriente directa de pico no repetitiva. VA(mx) = tensin de nodo mxima. = coeficiente de seguridad (de 0,4 a 0,1). 2. Hallamos el valor de Rmn que asegura la no superacin de la dI/dt mxima especificada (a partir de la ecuacin de descarga de C):

R mn = ( VA(mx) / ( dI /dt ) C ) Clculo de L: L = VA(mx) / ( dI / dt) 7.4.2 Mtodo de la resonancia.

- Elegimos R, L y C para entrar en resonancia. El valor de la frecuencia es: f = (dV / dt ) / 2 VA (mx) En resonancia: f = 1 / 2 (LC) C = 1 / ( 2f L El valor de L es el que ms nos interese, normalmente: L= 50 H. El valor de R ser:
Rs = (L / C)

7.5

LIMITACIONES DE LA TEMPERATURA.

En los semiconductores de potencia, se producen prdidas durante el funcionamiento que se traducen en un calentamiento del dispositivo. Si los perodos de bloqueo y de conduccin en un tiristor son repetitivos, la potencia media disipada en un tiristor ser:

La potencia disipada en los tiristores durante la conduccin, es mucho mayor que la disipada durante el bloqueo y que la potencia disipada en la unin puerta - ctodo. Podemos decir que las prdidas con una tensin de alimentacin dada y una carga fija, aumentan con el ngulo de conduccin (). Si la conduccin se inicia en t1 y termina en t2, la potencia media de perdidas ser:

Si representamos la VAK en funcin de la IA, tendremos la siguiente relacin: VAK = V0 + IA R V0 y R son valores aproximadamente constantes para una determinada familia de tiristores y para una determinada temperatura de la unin. En ste caso nos encontraremos dentro de la zona directa de la curva caracterstica (Figura 12).

Figura 12. Operando con las ecuaciones anteriores: PAV = V0 IA(AV) + R ( IA(RMS))2

Esta ecuacin se encuentra representada mediante curvas para distintas formas de onda (sinusoidal, rectangular,...) y para distintos ngulos de conduccin en la figura siguiente. La potencia que se disipa, depende del valor medio de la corriente y del valor eficaz, entonces depender del factor de forma:

a=f = IA(RMS) / IA(AV)

Figura 13.

Una vez elegido el tiristor y teniendo en cuenta los parmetros ms importantes como son la potencia total disipada y temperatura, y calculada tambin la potencia media que disipa el elemento en el caso ms desfavorable, procederemos a calcular el disipador o radiador ms apropiado para poder evacuar el calor generado por el elemento semiconductor al medio ambiente.

8. EXTINCIN DEL TIRISTOR. TIPOS DE CONMUTACIN. Entenderemos por extincin, el proceso mediante el cual, obligaremos al tiristor que estaba en conduccin a pasar a corte. En el momento en que un tiristor empieza a conducir, perdemos completamente el control sobre el mismo. El tiristor debe presentar en el tiempo ciertas condiciones para pasar de nuevo a corte. Este estado implica simultneamente dos cosas: 1. La corriente que circula por el dispositivo debe quedar completamente bloqueada. 2. La aplicacin de una tensin positiva entre nodo y ctodo no debe provocar un disparo indeseado del tiristor. Existen diversas formas de conmutar un tiristor, sin embargo podemos agruparlos en dos grandes grupos: 8.1 CONMUTACIN NATURAL.

a) Libre. b) Asistida. 8.2 CONMUTACIN FORZADA.

a) Por contacto mecnico. b) Por circuito resonante. -Serie -Paralelo c) Por carga de condensador. d) Por tiristor auxiliar.

9. APLICACIONES DEL SCR. Las aplicaciones de los tiristores se extienden desde la rectificacin de corrientes alternas, en lugar de los diodos convencionales hasta la realizacin de determinadas conmutaciones de baja potencia en circuitos electrnicos, pasando por los onduladores o inversores que transforman la corriente continua en alterna. La principal ventaja que presentan frente a los diodos cuando se les utiliza como rectificadores es que su entrada en conduccin estar controlada por la seal de puerta. De esta forma se podr variar la tensin continua de salida si se hace variar el momento del disparo ya que se obtendrn diferentes ngulos de conduccin del ciclo de la tensin o corriente alterna de entrada. Adems el tiristor se bloquear automticamente al cambiar la alternancia de positiva a negativa ya que en este momento empezar a recibir tensin

inversa. Por lo anteriormente sealado el SCR tiene una gran variedad de aplicaciones, entre ellas estn las siguientes: Controles de relevador. Circuitos de retardo de tiempo. Fuentes de alimentacin reguladas. Interruptores estticos. Controles de motores. Recortadores. Inversores. Ciclo conversores. Cargadores de bateras. Circuitos de proteccin. Controles de calefaccin. Controles de fase.