PROPRIETES ELECTRIQUES DES CONDUCTEURS ET DES SEMI-CONDUCTEURS

RAPPELS THEORIQUES l - Conducteurs - Isolants - Semi-conducteurs On distingue plusieurs types de matriaux en fonction de leur rsistivit : a) Les conducteurs <10-6 m

Une partie des lectrons possdent une nergie suffisante pour se librer presque totalement des forces d'interaction avec le rseau. Ces lectrons libres sont les lectrons de conduction des mtaux. Leur niveau d'nergie est situ dans la bande de conduction. b) Les isolants >1010 m

Tous les lectrons sont fortement lis aux atomes du cristal. L'nergie ncessaire pour les librer est trs leve en particulier devant l'nergie thermique ou lectrostatique qu'on peut fournir en levant la temprature ou en appliquant un champ lectrique. Leur mobilit est nulle. c) Les semi-conducteurs Ils ont une rsistivit intermdiaire entre les conducteurs et les isolants et sont isolants au zro absolu. La rsistivit d'un mtal peut tre de l'ordre de 10-12 m 1K (Kelvin) sans parler de la supraconductivit o la rsistivit est rigoureusement nulle. La rsistivit d'un bon isolant peut atteindre 1020 m. On a donc un rapport de 1032 entre un trs bon conducteur et un trs bon isolant. 2 - Niveaux d'nergie d'un solide - Thorie des bandes 2-1) Ondes et particules La thorie quantique associe chaque lectron une onde ayant pour vitesse de groupe la vitesse de cette particule et ayant une longueur d'onde relie la quantit de mouvement p de la particule par la relation de DE BROGLIE: =h/p o h est la constante de Planck.

Chaque systme quantique est caractris par une fonction d'onde, solution de l'quation de Schrdinger. Etudier un systme quantique quelconque se ramne rsoudre l'quation 2m + h [ E - V(x,y,z) ] (x,y,z) = 0 Dans le cas d'un atome isol, les solutions de l'quation de Schrdinger n'existent que pour une srie discrte d'nergies E1, E2,...En. 2-2) Structure de bandes Un atome d'un lment donn prsente donc des niveaux d'nergie bien dfinis auxquels on peut associer des fonctions d'onde bien dfinies. I1 en est de mme dans un solide cristallin o les atomes sont arrangs selon un rseau triplement priodique. Les lectrons occupent alors des niveaux d'nergie bien dfinis correspondant des modes de propagation galement bien dfinis. Ces niveaux sont extrmement proches les uns des autres et sont regroups en bandes appeles bandes d'nergie permise. Le nombre de niveaux par bande est proportionnel au nombre d'atomes dans le cristal : environ 1022 atomes/cm3 pour un cristal de
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silicium. Les bandes d'nergie permise sont spares par des zones appeles bandes interdites o il n'y a pas de niveau d'nergie permise.

Variation des niveaux d'nergie en fonction de la priode du rseau pour une range d'atomes d'hydrogne; on notera la formation de bandes permises et de bandes interdites. A mesure que les atomes se rapprochent, le couplage entre eux augmente et les niveaux d'nergie se dcomposent. Le problme est analogue celui du couplage d'une srie d'oscillateurs lectriques ou mcaniques .

Energie Bandes permises Etat quantique 2s

Bande interdite

Etat quantique 1s Bandes permises Priode du rseau

2-3) Conducteurs et isolants 0 K Dans un solide 0 K, toutes les bandes d'nergie les plus basses sont remplies, sauf la dernire qui peut tre partiellement remplie ou compltement remplie. Lorsque cette bande est partiellement remplie, on a affaire un conducteur car si on applique un champ lectrique, les lectrons qui ont l'nergie la plus leve peuvent acqurir une nergie supplmentaire en occupant des niveaux d'nergie trs voisins disponibles. Lorsque cette bande est remplie, on a affaire un isolant 0 K car l'application d'un champ lectrique ne peut fournir assez d'nergie pour lui faire franchir la bande interdite afin d'atteindre les premiers niveaux disponibles : les lectrons ne peuvent acqurir un mouvement collectif correspondant au passage du courant. Dans ce cas, la dernire bande permise occupe est appele bande de valence.
Bande de conduction Eg Bande interdite Bande de valence Conducteur Isolant

Structure de bande dun conducteur et dun isolant 0K 3 - Effet de la temprature - Statistique de Fermi-Dirac 3-1) Isolants et semiconducteurs Considrons un cristal ayant une bande de valence pleine et une bande de conduction vide 0 K. Elevons ce cristal la temprature ambiante (300 K). Soit Eg l'cart d'nergie entre la bande de valence et la bande de conduction : a) Si Eg >> kT, le cristal est isolant, pratiquement aucun lectron ne peut migrer sous l'effet de l'agitation thermique de la bande de valence la bande de conduction.

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b) Si Eg est du mme ordre de grandeur que kT, le cristal est un semiconducteur intrinsque. Sous l'action de l'agitation thermique, des lectrons migrent dans la bande de conduction et il se forme des trous dans la bande de valence. Reprsentation schmatique dun cristal semi-conducteur intrinsque a) 0K b) la temprature ambiante Sous l'action d'un champ lectrique, les lectrons situs dans le bas de la bande de conduction et les trous situs dans le haut de la bande de valence peuvent acqurir un mouvement collectif : le solide devient conducteur. 3-2) Statistique de Fermi-Dirac Le nombre d'tats occups dans l'inervalle {E, E + dE} est dn = f(E).g(E).dE o g(E) est la densit d'tats disponibles et f(E) est la fonction de F ermi-Dirac qui rgit la probabilit d'occupation des niveaux f(E) = 1 1 + e( E - Ef)/kT

Ef est appel niveau de Fermi et dpend de la nature et de la temprature du solide et ventuellement des impurets de dopage.

Structure de bande dun semi-conducteur intrinsque

4 - Conduction par lectrons et par trous Dans les semi-conducteurs, il existe deux types de conduction: la conduction par lectrons et la conduction par trous. Dans un cristal semi-conducteur intrinsque, certaines liaisons entre atomes se cassent. L'lectron est alors libre de se dplacer dans le cristal. Sur l'emplacement de la liaison rompue on dit qu'il y a un trou. Pour chaque liaison rompue, il y a formation d'une paire lectron-trou. Sous l'effet du champ lectrique les lectrons (charge -e) se dplacent dans le sens inverse du champ, les trous (charge +e) se dplacent dans le sens du champ. 5 - Diffrents types de semiconducteurs 5-1) Semiconducteurs intrinsques
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Ce sont des semi-conducteurs trs purs et trs bien cristalliss (prsentant un rseau cristallin parfaitement priodique) et ayant un taux d'impurets trs faible ( moins de 1 atome d'impuret pour 1013 atomes de l'lment semi-conducteur). Ils se comportent comme des isolants trs basse temprature et leur conductivit augmente avec la temprature. 5-2) Semiconducteurs extrinsques Lorsqu'on dope un semi-conducteur avec des atomes d'impurets convenablement choisies, on modifie de faon remarquable les proprits de conductivit. Si par exemple on ajoute dans un cristal de silicium 1 atome de bore pour 105 atomes de silicium, on multiplie sa conductivit par 1000. type n Les atomes de silicium ou de germanium cristallisent dans une structure o chaque atome est reli 4 atomes voisins par des liaisons covalentes impliquant 2 lectrons pour chaque liaison. Si on introduit un atome ayant 5 lectrons de valence (phosphore, arsenic ou antimoine), cet atome prend la place d'un atome du cristal : 4 des lectrons de l'impuret participeront aux 4 liaisons avec les 4 atomes voisins du cristal, le 5me lectron restera clibataire. A cet atome d'impuret est associ un niveau d'nergie appel niveau donneur qui se situe juste en dessous de la bande de conduction. L'cart entre ce niveau et la bande de conduction tant faible, un lectron d'un niveau donneur peut facilement passer dans la bande de conduction sous l'action de l'agitation thermique et augmenter la conductivit lectrique. A temprature ambiante, presque toutes les impurets sont ionises et la conductivit devient une conductivit de type n lorsqu'on augmente le dopage. type p Si on introduit un atome d'impuret trivalent (bore, aluminium ou gallium), cet atome en se plaant dans le rseau ne peut saturer que 3 liaisons sur 4. Il manque donc une liaison par atome d'impuret auquel correspond un niveau d'nergie situ juste au dessus de la bande de valence. Ce niveau est appel niveau accepteur. Au zro absolu, ces niveaux accepteurs sont vides ; lorsqu'on augmente la temprature, ils peuvent tre occups par des lectrons provenant de la bande de valence. Les niveaux libres de cette dernire engendrent des trous et la conductivit devient de type p lorsqu'on augmente le dopage.
Bande de conduction Ed

niveau donneur

Eg Bande de valence

niveau accepteur

Ea

t ype n silicium dop au phosphore

t ype p silicium dop au galium

Situation des 2 types de semi-conducteurs au zro absolu 6 - Interaction entre lumire et semiconducteur Les proprits optiques des semi-conducteurs font intervenir non seulement la rpartition des tats d'nergie (niveaux discrets ou bandes) permis pour les lectrons, mais galement les divers processus par lesquels les lectrons peuvent changer de niveaux d'nergie. On distingue des transitions radiatives dans lesquels l'nergie gagne (ou perdue) par un lectron est amene (ou emporte) sous forme de rayonnement donnant lieu a une absorption (ou mission) de photon, et des transitions non radiatives dans lesquels l'nergie est change avec le rseau cristallin sous forme de phonons (quantum de vibration du rseau), ou avec d'autres porteurs libres. La cration d'une paire lectron-trou dans un semi-conducteur peut tre obtenue en clairant le matriau avec une lumire de longueur d'onde suffisamment courte. L'nergie des photons doit tre h > Eg

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hC D'o < E g Les semi-conducteurs utiliss pour l'lectronique des circuits sont le germanium et le silicium dont les bandes interdites ont pour largeur respective 0,7 et 1,1 eV. Ils sont trs utiliss pour faire des dtecteurs mais on ne sait pas en faire des metteurs bon rendement (qui de toute manire mettent dans l'infrarouge). L'adjonction d'aluminium ou de phosphore dans les drivs de l'arsniure de galium ( AsGa), permet d'augmenter la largeur de la bande interdite et de faire des metteurs dans le visible. On appelle lectroluminescence les procds qui permettent d'obtenir l'excitation du semi-conducteur directement partir d'un signal lectrique, par exemple en injectant directement des porteurs minoritaires au moyen d'une jonction PN polarise dans le sens direct. Les photo-dtecteurs semi-conducteurs sont principalement les photoconducteurs qui exploitent l'augmentation de conductivit lectrique sous clairement et les photodiodes jonction PN fonctionnant soit en photopile sans adjonction de polarisation externe, soit en photodiode polarise en inverse, la mesure du courant de saturation permettant une mesure de l'clairement. Les capteurs thermiques, quant eux, sont bass sur la transformation du rayonnement reu en chaleur dans un corps absorbant, cette chaleur tant transfre un dispositif dou de proprits thermolectriques (thermopiles par exemple). La sensibilit d'un p hoto-dtecteur s'exprime en diverses units selon le phnomne utilis. Pour une photodiode polarise en inverse, la sensibilit s'exprime en ampres par unit d'entre ; pour les dtecteurs photovoltaques ou les photopiles, elle est exprime en volt par unit d'entre. L'unit d'entre peut tre une unit d'nergie ou une unit de flux (W, W.m-2, lx). La sensibilit des photo-dtecteurs dpend gnralement de la longueur d'onde, sauf pour les capteurs thermiques qui ont une courbe de rponse relativement plate. Comme l'mission des sources utilises pour clairer les photo-dtecteurs dpend aussi de la longueur d'onde, la mesure de la sensibilit implique la plupart du temps une double srie de mesures. Un paramtre de transfert intressant est le rendement quantique qui a l'avantage de ne pas dpendre en gnral de la gomtrie d'un dtecteur. Il s'exprime en lectrons traversant le circuit de mesure par photon incident sur la surface sensible.

Bibliographie
Kittel Lyon-Caen Goudet-Reuleau Vapaille Kirev Guillein Introduction la physique du solide Diodes et transistors en commutation Les semi-conducteurs Les semi-conducteurs Les semi-conducteurs Electronique tome 2

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