SEP

SNEST

DGEST

INSTITUTO TECNOLGICO DE TOLUCA

Electrnica Analgica

TRIAC, SCR, SBS, GTO, DIODO SCHOTTKY

PRESENTA: HUGO UVIQUEL AYALA GONZALEZ

ESPECIALIDAD: INGENIERIA EN MECATRONICA

N DE CONTROL: 10280632

TRIAC: El Triac es un semiconductor, de la familia de los transistores. La diferencia con el tiristor convencional es que ste es unidireccional, es decir, funciona con corriente alterna en el sentido de polarizacin con medio semiciclo, y el Triac es bidireccional, funciona en los semiciclos positivos y negativos. Entonces un tiristor o SCR, dar solo la mitad de voltaje a la carga, mientras que el Triac ser todo el voltaje. De forma coloquial podra decirse que el Triac es un switch que conmutar la corriente alterna a la carga. Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposicin que formaran dos SCR en antiparalelo. Cuando el Triac conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy baja resistencia de una terminal a la otra, dependiendo la direccin de flujo de la polaridad del voltaje externo aplicado. Cuando el voltaje es mas positivo en MT2, la corriente fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de MT1 a MT2. En ambos casos el Triac se comporta como un interruptor cerrado. Cuando el Triac deja de conducir no puede fluir corriente entre las terminales principales sin importar la polaridad del voltaje externo aplicado por tanto acta como un interruptor abierto. Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variacin de tensin importante al Triac (dv/dt) an sin conduccin previa, el Triac puede entrar en conduccin directa. SMBOLO esquemtico y terminales Triac del

Estructura 6 capas

La estructura contiene seis capas como se indica en la FIG. Aunque funciona siempre como un tiristor de cuatro capas. En sentido MT2-MT1 conduce a travs de P1N1P2N2 y en sentido MT1-MT2 a travs de P2N1P1N4. La capa N3 facilita el disparo con intensidad de puerta negativa. La complicacin de su estructura lo hace mas delicado que un tiristor en cuanto a di/dt y dv/dt y capacidad para soportar sobre intensidades. Se fabrican para intensidades de algunos amperios hasta unos 200 A eficaces y desde 400 a 1000 V de tensin de pico repetitivo. Los Triac son fabricados para funcionar a frecuencias bajas, los fabricados para trabajar a frecuencias medias son denominados alternistores En la FIG. se muestra el smbolo esquemtico e identificacin de las terminales de un Triac, la nomenclatura nodo 2 (A2) y nodo 1 (A1) pueden ser reemplazados por Terminal Principal 2 (MT2) y Terminal Principal 1 (MT1) respectivamente. CARACTERISTICA TENSION CORRIENTE

FIG. 4 La FIG. 4 describe la caracterstica tensin corriente del Triac. Muestra la corriente a travs del Triac como una funcin de la tensin entre los nodos MT2 y MT1. El punto VBD ( tensin de ruptura) es el punto por el cual el dispositivo pasa de una resistencia alta a una resistencia baja y la corriente, a travs del Triac, crece con un pequeo cambio en la tensin entre los nodos. El Triac permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por debajo de la corriente de mantenimiento I H. Esto se realiza por medio de la disminucin de la tensin de la fuente. Una vez que el Triac entra en conduccin, la compuerta no controla mas la conduccin, por esta razn se acostumbra dar un pulso de corriente corto y de esta manera se impide la disipacin de energa sobrante en la compuerta. El mismo proceso ocurre con respecto al tercer cuadrante, cuando la tensin en el nodo MT2 es negativa con respecto al nodo MT1 y obtenemos la caracterstica invertida. Por esto es un componente simtrico en cuanto a

conduccin y estado de bloqueo se refiere, pues la caracterstica en el cuadrante I de la curva es igual a la del III METODOS DE DISPARO Como hemos dicho, el Triac posee dos nodos denominados ( MT1 y MT2) y una compuerta G. La polaridad de la compuerta G y la polaridad del nodo 2, se miden con respecto al nodo 1. El Triac puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicacin entre los terminales de compuerta G y MT1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. Veamos cules son los fenmenos internos que tienen lugar en los cuatro modos posibles de disparo. 1 El primer modo del primer cuadrante designado por I (+), es aquel en que la tensin del nodo MT2 y la tensin de la compuerta son positivas con respecto al nodo MT1 y este es el modo mas comn (Intensidad de compuerta entrante). La corriente de compuerta circula internamente hasta MT1, en parte por la unin P2N2 y en parte a travs de la zona P2. Se produce la natural inyeccin de electrones de N2 a P2, que es favorecida en el rea prxima a la compuerta por la cada de tensin que produce en P2 la circulacin lateral de corriente de compuerta. Esta cada de tensin se simboliza en la figura por signos + y - . Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusin la unin P2N1 que bloquea el potencial exterior y son acelerados por ella inicindose la conduccin. 2 El Segundo modo, del tercer cuadrante, y designado por III(-) es aquel en que la tensin del nodo MT2 y la tensin de la compuerta son negativos con respecto al nodo MT1 (Intensidad de compuerta saliente). Se dispara por el procedimiento de puerta remota, conduciendo las capas P2N1P1N4. La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1. La tensin positiva de T1 polariza el rea prxima de la unin P2N1 ms positivamente que la prxima a la puerta. Esta polarizacin inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unin N1P1 y la hacen pasar a conduccin. 3 El tercer modo del cuarto cuadrante, y designado por I(-) es aquel en que la tensin del nodo MT2 es positiva con respecto al nodo MT1 y la tensin de disparo de la compuerta es negativa con respecto al nodo MT1( Intensidad de compuerta saliente). El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2.

El disparo de la primera se produce como en un tiristor normal actuando T1 de puerta y P de ctodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y polariza fuertemente la unin P2N2 que inyecta electrones hacia el rea de potencial positivo. La unin P2N1 de la estructura principal, que soporta la tensin exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar, entrando en conduccin. 4 El cuarto modo del Segundo cuadrante y designado por III(+) es aquel en que la tensin del nodo T2 es negativa con respecto al nodo MT1, y la tensin de disparo de la compuerta es positiva con respecto al nodo MT1(Intensidad de compuerta entrante). El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conduccin la estructura P2N1P1N4. La inyeccin de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I(+). Los que alcanzan por difusin la unin P2N1 son absorbido por su potencial de unin, hacindose ms conductora. El potencial positivo de puerta polariza ms positivamente el rea de unin P2N1 prxima a ella que la prxima a T1, provocndose una inyeccin de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unin N1P1 encargada de bloquear la tensin exterior y se produce la entrada en conduccin. El estado I(+), seguido de III(-) es aquel en que la corriente de compuerta necesaria para el disparo es mnima. En el resto de los estados es necesaria una corriente de disparo mayor. El modo III(+) es el de disparo ms difcil y debe evitarse su empleo en lo posible. En general, la corriente de encendido de la compuerta, dada por el fabricante, asegura el disparo en todos los estados.

FORMAS DE ONDA DE LOS TRIACS La relacin en el circuito entre la fuente de voltaje, el Triac y la carga se representa en la FIG.7. La corriente promedio entregada a la carga puede variarse alterando la cantidad de tiempo por ciclo que el Triac permanece en el estado encendido. Si permanece una parte pequea del tiempo en el estado encendido, el flujo de corriente promedio a travs de muchos ciclos ser pequeo, en cambio si permanece durante una parte grande del ciclo de tiempo encendido, la corriente promedio ser alta.

FIG. 7 Un Triac no esta limitado a 180 de conduccin por ciclo. Con un arreglo adecuado del disparador, puede conducir durante el total de los 360 del ciclo. Por tanto proporciona control de corriente de onda completa, en lugar del control de media onda que se logra con un SCR.

Las formas de onda de los triacs son muy parecidas a las formas de onda de los SCR, a excepcin de que pueden dispararse durante el semiciclo negativo. En la FIG.8 se muestran las formas de onda tanto para el voltaje de carga como para el voltaje del Triac ( a travs de los terminales principales) para dos condiciones diferentes. En la FIG.8 (a), las formas de onda muestran apagado el Triac durante los primeros 30 de cada semiciclo, durante estos 30 el Triac se comporta como un interruptor abierto, durante este tiempo el voltaje completo de lnea se cae a travs de las terminales principales del Triac, sin aplicar ningn voltaje a la carga. Por tanto no hay flujo de corriente a travs del Triac y la carga. La parte del semiciclo durante la cual existe seta situacin se llama ngulo de retardo de disparo. Despus de transcurrido los 30 , el Triac dispara y se vuelve como un interruptor cerrado y comienza a conducir corriente a la carga, esto lo realiza durante el resto del semiciclo. La parte del semiciclo durante la cual el Triac esta encendido se llama ngulo de conduccin. La FIG.8 (b) muestran las mismas formas de ondas pero con ngulo de retardo de disparo mayor.

FIG.8

CIRCUITO PRACTICO PARA DISPARO

FIG.5 En la FIG. 5 se muestra un circuito practico de disparo de un Triac utilizando un UJT. El resistor RF es un resistor variable que se modifica a medida que las condiciones de carga cambian. El transformador T1 es un transformador de aislamiento, y su propsito es aislar elctricamente el circuito secundario y el primario, para este caso asla el circuito de potencia ca del circuito de disparo. La onda senoidal de ca del secundario de T1 es aplicada a un rectificador en puente y la salida de este a una combinacin de resistor y diodo zener que suministran una forma de onda de 24 v sincronizada con la lnea de ca. Esta forma de onda es mostrada en la FIG. 6 (a). Cuando la alimentacin de 24 v se establece, C1 comienza a cargarse hasta la Vp del UJT, el cual se dispara y crea un pulso de corriente en el devanado primario del transformador T2. Este se acopla al devanado secundario, y el pulso del secundario es entregado a la compuerta del triac, encendindolo durante el resto del semiciclo. Las formas de onda del capacitor( Vc1), corriente del secundario de T2 ( Isec) y voltaje de carga (VLD), se muestran en la FIG. 6 (b), (c),(d). La razn de carga de C1 es determinada por la razn de R F a R1, que forman un divisor de voltaje, entre ellos se dividen la fuente de cd de 24 v que alimenta al circuito de disparo. Si RF es pequeo en relacin a R1, entonces R1 recibir una gran parte de la fuente de 24 v , esto origina que el transistor pnp Q1 conduzca, con una circulacin grande de corriente por el colector pues el voltaje de R1 es aplicado al circuito de base, por lo tanto C 1 se carga con rapidez. Bajo estas condiciones el UJT se dispara pronto y la corriente de carga promedio es alta. Por otra parte se RF es grande en relacin a R1, entonces el voltaje a travs de R1 ser menor que en el caso anterior, esto provoca la aparicin de un voltaje menor a travs del circuito base-emisor de Q1 con la cual disminuye su corriente de colector y por consiguiente la razn de carga de C 1 se reduce, por lo que le lleva mayor tiempo acumular el Vp del UJT. Por lo tanto el UJT y el Triac se disparan despus en el semiciclo y la corriente de carga promedio es menor que antes.

RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR) Es un dispositivo semiconductor del tipo Tiristor, es decir, se constituye por tres terminales: nodo (A), ctodo (K) y compuerta (G).

Smbolo del SCR y Aspecto Fsico de Encapsulado

El SCR es utilizado para el control de potencia elctrica, de conduccin unidireccional(en un solo sentido); que al igual que un diodo rectificador puede conducir una corriente de nodo a Ctodo (IAK) en polarizacin directa y se comporta virtualmente como un circuito abierto en polarizacin inversa (VKA) debido a la alta resistencia que presenta en inverso.

A diferencia del diodo rectificador, el SCR cuenta con una condicin adicional para conducir. Esta es que en la tercera terminal, llamada compuerta (Gate) de control o de disparo, en la cual se necesita una seal capaz de producir la conduccin del SCR. Esta compuerta permite controlar el instante, dentro del posible semiciclo de conduccin, en que la conduccin de corriente se inicia; lo cual significa que podr circular corriente en una magnitud promedio o RMS que depender del instante en que el SCR sea disparado, pudiendose as controlar la potencia de la carga. FUNCIONAMIENTO DEL SCR EN CORRIENTE CONTINUA Si no existe corriente en la compuerta el tristor no conduce. Lo que sucede despus de ser activado el SCR, es que se queda conduciendo (activado) y se mantiene as. Si se desea que el tristor deje de conducir (desactivado), el voltaje +V debe ser reducido a 0 Voltios. Si se disminuye lentamente el voltaje (tensin), el tristor seguir conduciendo hasta que por el pase una cantidad de corriente menor a la llamada "corriente de mantenimiento o de retencin", lo que causar que el SCR deje de conducir aunque la tensin VG (voltaje de la compuerta con respecto a tierra no sea cero. Como se puede ver el SCR , tiene dos estados: 1- Estado de conduccin, en donde la resistencia entre nodo y ctodo es muy baja 2- Estado de corte, donde la resistencia es muy elevada

FUNCIONAMIENTO DEL SCR EN CORRIENTE ALTERNA Se usa principalmente para controlar la potencia que se entrega a una carga elctrica. (Bombillo, Motor, etc.). La fuente de voltaje puede ser de 110V c.a., 120V c.a., 240V c.a. , etc. El circuito RC produce un corrimiento de la fase entre la tensin de entrada y la tensin en el condensador que es la que suministra la corriente a la compuerta del SCR. Puede verse que el voltaje en el condensador (en azul) est atrasado con respecto al voltaje de alimentacin (en rojo) causando que el tiristor conduzca un poco despus de que el tiristor tenga la alimentacin necesaria para conducir. Durante el ciclo negativo el tiristor se abre dejando de conducir. Si se modifica el valor de la resistencia, por ejemplo si utilizamos un potencimetro, se modifica el desfase que hay entre las dos tensiones antes mencionadas ocasionando que el SCR se active en diferentes momentos antes de que se desactive por le ciclo negativo de la seal. y deje de conducir.

Anlisis grfico del Disparo y Voltaje de salida del SCR

SBS Un SBS o Interruptor Bilateral de Silicio, por sus siglas en ingls (Silicon Bilateral Switch) es un tiristor del tipo bidireccional, que est compuesto por dos tiristoresunidireccionales o SUS conectados en antiparalelo. Al igual que los tiristores UJT, PUT y SUS, el SBS es utilizado en circuitos osciladores de relajacin para el control de disparo de dispositivos que entregan potencia elctrica a una carga, como los SCR y los TRIAC; la diferencia consiste en que pueden dispararse tanto en el semiciclo positivo como en el negativo de una fuente de voltaje de corriente alterna, debido a que pueden polarizarse directa e inversamente.

Construccin Como casi todos los familiares de los tiristores, el SBS cuenta con tres conexiones: la compuerta (G), el nodo o terminal 1 (A1 o T1) y el nodo o terminal 2 (A2 o T2). Una caracterstica muy especial de este dispositivo es que no es una versin modificada de un diodo con sus capas NPNP, sino ms bien est compuesto internamente por transistores, diodos Zener y resistenciasinternas, y que adems vienen fabricados como circuitos integrados.

Curva Caracterstica de Voltaje-Corriente Un SBS puede dispararse con la compuerta conectada o desconectada; esta terminal solamente proporciona mayor flexibilidad en el disparo y por tanto altera sus caractersticas de voltaje-corriente. Si se comparara esta curva caracterstica con la de un DIAC, se podra observar que son muy similares; sin embargo, la curva del SBS tiene una regin de resistencia negativa ms pronunciada, lo que significa que su cada de voltaje es mucho ms drstica despus de llegar a su estado de conduccin. Usualmente, el voltaje de ruptura de un SBS se encuentra entre los 7 y 9 voltios, cuyo voltaje es mucho menor que el de un DIAC.

Uso de la compuerta del SBS para modificar la curva caracterstica de un SBS La compuerta de un SBS es usada para alterar el comportamiento mostrado en la curva caracterstica Voltaje-Corriente; por ejemplo, si se desea tener ngulos de disparo diferentes en los semiciclos positivos y negativos, se puede conectar un diodo Zener entre la compuerta G y la terminal T1, con la finalidad de que el voltaje de ruptura directo llegue hasta el valor de voltaje deldiodo Zener, mientras que el voltaje de ruptura inverso no se modifica. Con esto, se logra modificar el voltaje de ruptura original a uno determinado por el "usuario" para una aplicacin cualquiera, aunque no es comn tener diferentes ngulos de ruptura.

Ventajas Adems de su cada de voltaje ms drstica debido a su regin de resistencia negativa, lo cual permite una conmutacin ms rpida, el SBS es mucho ms estable trmicamente y ms simtrico que su familiar cercano, el DIAC. Estabilidad trmica: Esto significa que ante incrementos de temperatura, el SBS mantiene un voltaje muy estable; de acuerdo con la hoja de especificaciones de la compaa POWEREX,1el modelo BS08D-T112 cuenta con un coeficiente de temperatura de 0.01%/C. En otras palabras, por cada grado centgrado que vare la temperatura del dispositivo, su voltaje de ruptura cambiar en un 0.01%, convirtindolo en un dispositivo muy estable trmicamente hablando. Simetra: Cuando se menciona que el SBS es simtrico, es porque los voltajes de ruptura en los semiciclos positivos y negativos son iguales o casi iguales. Esto se puede verificar en la seal de salida de un SBS: sus ngulos de disparo en los dos semiciclos son prcticamente iguales.

Circuitos de Disparo Los siguientes circuitos son utilizados para el control del disparo de un SBS. En el primero, con la seleccin adecuada de dos resistencias se puede regular la corriente que circula por la compuerta del SBS y por lo tanto permite ajustar su ngulo de disparo y la potencia entregada a una carga cualquiera. Ntese que los ngulos de disparo en los dos semiciclos son iguales. En el segundo y tercer circuito se controla indirectamente la potencia entregada a la carga, al controlar directamente el disparo de un SCR y TRIAC, respectivamente. Dependiendo de los valores deresistencias y capacitancias seleccionados, as mismo ser el tiempo de carga y descarga del condensador (constante RC); al cargarse el condensador hasta un voltaje determinado, el SBS se disparar y le entregar pulsos de voltaje al SCR o TRIAC para que se disparen y le entreguen la potencia a la carga. El segundo circuito es comnmente utilizado para el control de motores DC, mientras que el tercero es frecuentemente usado para control de iluminacin (luces) y calentadores elctricos.

GTO (Gate Turn-Off Thyristor) A pesar de que el GTO fue inventado en el inicio de la dcada de los aos 60, ha sido poco empleado debido a sus reducidas prestaciones. Con el avance de la tecnologa en el desarrollo de dispositivos semiconductores, se han encontrado nuevas soluciones para mejorar tales componentes que hacen que hoy ocupen una franja significa dentro de la electrnica de potencia, especialmente en aquellas aplicaciones de elevada potencia, con dispositivos que alcanzan los 5000 V y los 4000 A. Como se ha visto en los apartados anteriores, uno de los inconvenientes de los tiristores tipo SCR o TRIAC es que no tenemos control externo por parte del usuario del paso de conduccin a bloqueo. Para aquellas aplicaciones en las que nos interese poder bloquear un interruptor de potencia en cualquier instante es necesario utilizar otro tipo de semiconductores diferentes a los SCRs o TRIACs

El GTO es un tiristor con capacidad externa de bloqueo. La puerta permite controlar las dos transiciones: paso de bloqueo a conduccin y viceversa. El smbolo utilizado para el GTO se muestra en la siguiente figura (Fig. 2.12), as como su estructura interna en dos dimensiones.

Principio de funcionamiento El GTO tiene una estructura de 4 capas, tpica de los componentes de la familia de los tiristores. Su caracterstica principal es su capacidad de entrar en conduccin y bloquearse a travs de seales adecuadas en el terminal de puerta G. El mecanismo de disparo es parecido al del SCR: suponiendo que est directamente polarizado, cuando se le inyecta corriente a la puerta, circula corriente entre puerta y ctodo. Como la capa de la puerta es suficientemente fina, gran parte de los portadores se mueven hasta la capa N adyacente, atravesando la barrera de potencial y siendo atrados por el potencial del nodo, dando inicio a la corriente andica. Si sta corriente se mantiene por encima de la corriente de mantenimiento, el dispositivo no necesita de la seal de puerta para mantenerse en conduccin

El funcionamiento como GTO depende, por ejemplo, de factores como: Facilidad de extraccin de portadore s por el terminal de puerta esto es posible debido al uso de impurezas con alta movilidad. Rpida desaparicin de portadores en las capas centrales uso de impurezas con bajo tiempo de recombinacin. Esto indica que un GTO tiene una mayor cada de tensin en conduccin, comparado a un SCR de dimensiones iguales. Soportar tensin inversa en la unin puerta -ctodo, sin entrar en avalancha menor dopado en la regin del ctodo. Absorcin de portadores de toda la superficie conductora regin de puertactodo con gran rea de contacto. Al contrario del SCR, un GTO puede no tener la capacidad de bloquear tensiones inversas.

DIODO SCHOTTKY O DE BARRERA Son dispositivos que tienen una cada de voltaje directa (VF) muy pequea, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y se utilizan en fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben tambin el nombre de diodos de recuperacin rpida (Fast recovery) o de portadores calientes. FUNCIONAMIENTO Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metlica y un material semiconductor, el contacto tiene, tpicamente, un comportamiento hmico cualquiera, la resistencia del contacto gobierna la secuencia de la corriente. Cuando este contacto se hace entre un metal y una regin semiconductora con la densidad del dopante relativamente baja, las hojas dominantes del efecto debe ser el resistivo, comenzando tambin a tener un efecto de rectificacin. Un diodo Schottky, se forma colocando una pelcula metlica en contacto directo con un semiconductor, segn lo indicado en la figura N2. El metal se deposita generalmente en un tipo de material N, debido a la movilidad ms grande de los portadores en este tipo de material. La parte metlica ser el nodo y el semiconductor, el ctodo.

Figura 1. Encapsulado comercial de un diodo

En una deposicin de aluminio Al (3 electrones en la capa de valencia), los electrones del semiconductor tipo N migran haca el metal, creando una regin de transicin en la ensambladura.

Figura 2. Construccin y smbolo de un diodo

Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de ambos materiales) estn en trnsito. Su conmutacin es mucho ms rpida que la de los diodos bipolares, una vez que no existan cargas en la regin tipo N, siendo necesaria rehacer la barrera de potencial (tpicamente de 0,3V). La Regin N tiene un dopaje relativamente alto, a fin de reducir la prdida de conduccin, por esto, la tensin mxima soportable para este tipo de diodo est alrededor de los 100V.

Figura 3. Curva caracterstica. En los anexos podremos ver algunas caractersticas y curvas especficas de funcionamiento del diodo Schottky ante diferentes parmetros tales como temperatura, capacitancia, etc. APLICACIONES - En fuentes de baja tensin en la cuales las cadas en los rectificadores son significativas. - Circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes velocidades de conmutacin y mediante su poca cada de voltaje en directo permite poco gasto de energa. - Variadores de alta gama para que la corriente que vuelve desde el motor al variador no pase por el transistor del freno y este no pierda sus facultades. - El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de lgica TTL. Por ejemplo los tipos ALS y AS permiten que los tiempos de conmutacin entre los transistores sean mucho menores puesto que son ms superficiales y de menor tamao por lo que se da una mejora en la relacin velocidad/potencia. El tipo ALS permite mayor potencia y menor velocidad que la LS, mientras que las AL presentan el doble de velocidad que las Schottky TTL con la misma potencia. - TTL-S (schottky) : Serie rpida (usa diodos Schottky) - TTL-AS (advanced schottky) : Versin mejorada de la serie anterior - TTL-LS (low power schottky) :

Combinacin de las tecnologas L y S (es la familia ms extendida) - TTL-ALS (advanced low power schottky) : Versin mejorada de la serie AS - TTL-F (FAST : fairchild advanced schottky) - TTL-AF (advanced FAST) : Versin mejorada de la serie F DESVENTAJAS Las dos principales desventajas del diodo Schottky son: - El diodo Schottky tiene poca capacidad de conduccin de corriente en directo (en sentido de la flecha). Esta caracterstica no permite que sea utilizado como diodo rectificador. Hay procesos de rectificacin (por ejemplo fuentes de alimentacin) en que la cantidad de corriente que tiene que conducir en sentido directo es bastante grande.