CAPTULO 4 MEMORY SYSTEMS

Localizacin Interna (registros, memoria principal, cache) Externa (discos pticos, discos magnticos, cintas)

Capacidad Palabra o word, es la unidad natural de organizacin, mide 2 bytes Numero de palabras o bytes

Unidad de transferencia Interna: depende del tamao del bus Externa: un bloque que es mas grande que un Word Addressable unit: unidad mnima que se necesita para dar una instruccin

Mtodos de acceso Secuencial: debe leer la informacin en orden, el tiempo de acceso depende de la localizacin de los datos. Ej: casette Directo: bloques individuales tienen acceso nico, se salta entre sectores y ya que esta dentro de un sector, es secuencial. Ej: discos. Aleatorio: puede obtener la informacin de manera rpida al ingresar las coordenadas del dato. La tubera se prende y jala datos. Ej: RAM. Asociativa: se compara lo que se tiene almacenado en la cache con lo que se necesita, si existe, se saca la informacin pero si no, se jala de otra locacin. Ej: memoria cache.

Caractersticas de la memoria Capacidad Performance

Performance Access time (latencia): el tiempo que tardan los datos desde que una direccin se le presenta a la memoria, hasta que se almacena o se hace disponible para uso.

Tiempo de ciclo de memoria: en la RAM, cunto tiempo despus se puede dar otra instruccin? Es el tiempo de acceso + tiempo adicional requerido antes de que un segundo acceso comience. Tasa de transferencia: cantidad de bits que se pueden mandar por unidad de tiempo. En la RAM, es igual a (1/cycle time) en otras se calcula con el promedio de Access time y time to read.

Jerarqua de memoria Tiempo de acceso ms rpido, mayor costo por bit. Mayor capacidad, menor costo por bit. Mayor capacidad, tiempo de acceso ms lento. Mientras se va bajando en la jerarqua, pasa lo siguiente: o Disminuye el precio por bit o Incrementa la capacidad o Incrementa el tiempo de acceso o Decrece la frecuencia de acceso de la memoria por el procesador Registros Memoria principal o interna (incluye uno o ms niveles de cache, RAM) Memoria externa (Respaldo)

Las memorias ms rpidas, pequeas y caras se complementan con las memorias ms baratas, grandes y lentas.

Tipos fsicos Semiconductora: RAM Magntica: discos duros, cintas. Optica: cd & dvd & bd

Caractersticas fsicas Decaimiento: cunto dura la informacin sin borrarse, depende del material Volatilidad: si es voltil, al quitarle la energa se pierde la informacin (RAM, disco no) Borrabilidad Consumo de energa

Lista de jerarqua 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. Registros L1 Cache L2 Cache L3 Cache Memoria principal Disk Cache Disco duro Optica Cinta

Cache A diferencia del registro puede estar dentro o fuera del CPU. El CPU pide informacin, si se encuentra en cache, se la da en palabras. Si no, busca el bloque en la memoria y se carga a la cache. Cada lnea de la cache representa un bloque de la RAM. Se toma un pedazo de informacin representativa de ese bloque, para obtener la cantidad de lneas que puede tener la cache, se multiplica por 1024 (pasarlo a bytes) y se divide entre la cantidad de bytes por lnea (64 bytes c/u). Ejemplo: Una memoria cache L2 de 512 KB tiene 8,192 lneas ya que 512 kb= 512 x 1024 = 524288 bytes 524288 bytes/ 64 bytes = 8,192 lneas.

Para mapear de cache a RAM: Mapeo directo: Dividir la RAM entre la cantidad de lneas para saber cuantos bytes debe representar por lnea. Entonces se cargan los primeros 64 bytes de cada bloque y su necesitas bytes diferentes se sobre escriben en los 64 bytes. Fully associative: solo va cargando mientras se van pidiendo datos mientras haya espacio. Si no hay espacio se sobre escribe el primero, es la configuracin ms eficiente. El problema es que requiere mucho circuito para saber qu est dnde. N-way set associative: la cache se ordena en en grupos de n cantidad de lneas, dividiendo la RAM en menos lneas (en el nmero de bloques), cuando se dice 4-way set cada grupo de la cache contendr 4 lneas.

Incrementar el tamao de la cache puede ser bueno y puede incrementar la velocidad, pero depende que parte de la cache se est utilizando o no.

Memoria semiconductora Elemento bsico: celdas (0 1), estas exhiben dos estado estables (o semiestables). Pueden ser ledos o escritos.

Select: permite seleccionar la celda de acuerdo a direccin Control: Lectura o escritura? Data in: si es para escritura Sense: si es para lectura

Al escribir, si el modo protegido est deshabilitado, sobreescribe.

Tipos de Memoria semiconductora RAM: reescribible, voltil, se escribe y borra elctricamente a nivel byte. ROM: no puede borrarse, solo se escribe una vez, se escribe por medio de mscaras(como imprenta, un molde se pone sobre material fotosensible q se quema). Es no voltil Programable ROM: Solo lectura, es para mquinas simples como calculadoras o videojuegos simples. Es barato, no puede borrarse, se escribe elctricamente y es no voltil. Erasable PROM: Parecida a la PROM pero se puede borrar con rayos UV. Se escribe elctricamente y es no voltil. Electrically EPROM: es como la EPROM pero su mtodo de borrado es elctrico al gual que el de escritura (a nivel byte), es no volatil. Flash memory: su forma de escritura es elctrico al igual que el borrado solo que este es a nivel bloque, es no voltil.

RAM Esttica: flip-flops, digital, cara y rpida. Cache, sin fugas. Dinmica: capacitores que almacenan bits, hay fugas de carga,no tan cara, ms lenta y necesita circuito de refrescado. Analgico

Estructura de la RAM dinmica

El address line habilita el transistor (cierra el circuito) y permite leer o escribir Fallas en la RAM Hard failure: defecto permanente Soft error: prdida de informacin sin dao fsico

Correccin de errores Para detectar los errores podemos utilizar el cdigo de Hamming, despus de correr los datos por un algoritmo y obtener el sndrome (son 4 bits obtenidos al aplicar XOR a los 8 bits obtenidos de utilizar el algoritmo dos veces). Mientras mayor cantidad de bits de informacin se tengan, habr mayor nmero de check bits pero el incremento ser menor.

Cmo se obtiene? Suponiendo que la palabra de 8 bits es 00111001, el sndrome se calcula de la siguiente manera: Establecemos a cada bit su posicin 0 D8 0 D7 1 D6 1 D5 1 D4 0 D3 0 D2 1 D1

Despus utilizando la siguiente frmula, obtenemos los primeros check bits

Por lo que obtendremos: 0111 que estn en orden C8-C4-C2-C1 Pero si hiciramos una modificacin y cambiramos el D3 de 0 a 1, cuando recalculamos los check bits obtenemos: 0001 igual en orden ascendente (C8-C4-C2-C1) Al comparar los nuevos check bits con los viejos, obtenemos el sndrome:

El resultado es 0110, lo que indica (segn la siguiente tabla) que es el bit en la posicin 6, el que contiene el data bit 3 (D3) el que tiene un error. En caso de que ocurra esto solo se cambia 1 por 0 viceversa.

Para Mayor velocidad DRAM Enhanced DRAM: parte de la RAM es esttica para ser ms rpida Cache DRAM: contiene un componente ms grande de SRAM. Synchronous DRAM (SDRAM): se ejecuta cada ciclo de reloj Double data rate RAM: enva datos dos veces por cada ciclo de reloj, cada vez que cambia (DD3, DDR2, DDR).

Memoria Virtual Copia un programa de la RAM que no se est utilizando al disco duro para liberar espacio y cargar nuevas aplicaciones. Como esto ocurre automticamente ni siquiera se percibe. El rea del dio que almacena la RAM se llama page file. Memoria Externa Disco magntico: RAID, extrable. ptica: CD-ROM, CD-ROM, CD-R/W, DVD, BR Cinta magntica

Disco Magntico Cubierta de material magnetizable, se puede cambiar fcilmente, vidrio o plstico. Antes sola ser de aluminio pero ahora que es de vidrio, aumenta su confiabilidad y se reducen los defectos en la superficie. Mecanismos de lectura/escritura Una cabeza graba y lee datos (o puede haber dos separadas)

Escritura: la corriente pasa a travs de una bobina y produce un campo magntico, se mandan pulsos a la cabeza y genera que se mueva. Lectura (tradicional): es la misma bobina para lectura y escritura Lectura (contempornea): se tienen dos cabezas, una para lectura y otra para escritura, con alta frecuencia de operacin. Tiene un sensor MR (magneto resistor).

Organizacin de informacin y formateo Se tienen aros concntricos o tracks, hay gaps entre los tracks, mismo nmero de bits por track, velocidad angular constante. Los tracks se dividen en sectores, un sector es el tamao mnimo de un bloque. Se debe tener ms de un sector por bloque.

Velocidad de disco Puede ser constante o no, para la velocidad que es constante se desperdicia ms espacio, el bit siempre debe tardarse lo mismo en leer, es por esto que el bit tiene que medir ms en tracks ms externos. Cuando no es constante ocupa ms circuitera pero no desperdicia espacio

Al formatear, establece en cada track, los bytes que sern gaps y cuales sern datos por lo que se ocupa mucho espacio. Carctersticas

Floppy disk 8, 5.25, 3.5. Tenan poca capacidad, 1.44 Mbyte, eran lentos, universales y baratos.

Winchester Hard Disk Fue desarrollado por IBM en EUA, tena uno o ms discos, las cabezas volaban y eran robustos. Adems eran universales, baratos, y con el almacenamiento externo ms rpido, ahora los de 1 terabyte son fciles de conseguir.

RAID Redundant array of independent disks or Redundant array of inexpensive disks. 6 niveles en uso comun No hay jerarqua Los 6 discos la computadora los reconoce como uno solo.

Un controlador de disk array es un dispositivo que maneja los dispositivos y los presenta a la computadora como unidades lgicas

RAID 0 Sin redundancia, los datos se distribuyen equitativamente en todos los discos.

RAID 1 Es caro, por cada disco habr otro con exactamente la misma informacin. Sin tiempos de cadas

RAID 2 Reparte la informacin bit por bit y almacena en discos separados los sindromes de Hamming de los datos. Si hay problemas el servicio debe caer para reconstruir la informacin.

RAID 3 Paridad a nivel bit. Divide de bit a bit, ejecuta una operacin y almacena el resultado; sin embargo para poder reconstruir la informacin debe haber vestigios de la informacin, a diferencia de Hamming, si se pierde todo ya no puede recuperarlo. Tiene un disco extra para guardar la paridad.

RAID 4 Similar que el RAID 3 solo que la paridad es a nivel bloque, ms rpido y confiable. Tiene un disco extra para guardar la paridad.

RAID 5 Distribuye la paridad entre diversos discos, se usa comnmente en servidores.

RAID 6 Redundancia doble en la paridad, igual se pone en diversos discos. Necesita N+2 discos para guardar la doble redundancia.

Almacenamiento ptico CD-ROM Originalmente para audio, 750 MB o 70 min La lectura era por medio de un laser que se refleja en una capa de aluminio. Depresin (0) y montaa (1). Igual que el disco duro, se gira y mueve la cabeza para leer datos

CD-Recordable (CD-R) CD-RW DVD Digital video disk o digital versatile disk Multicapa, 4.7 GB por capa, max 4 capas Las marcas que tiene para lectura son ms pequeas que en un cd Para el disco reescribible se usa plstico que el laser puede fcilmente alisar y arrugar.

Discos pticos de alta definicin 25 GB por capa, ya que el laser tiene menor longitud de onda hace marcas ms chicas y se ve azul. Existen: BD-ROM, BD-R (recordable once) Y BD-RE (recordable).

Cintas magnticas Lento y barato Usada para back-ups Dividido en tracks que zigzaguean, como VHS LTO, estndar en el formato de cintas