EL BJ T

TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR

TIPOS DE
TRANSISTORES
BJ T
NPN PNP
Construccin
Dispositivo semiconductor de tres capas: dos de material tipo n y una tipo p,
llamado transistor npn; o dos de material tipo p y una de tipo n, llamado
transistor pnp.
Las capas exteriores se denominan colector y emisor, la capa intermedia se
denomina base.
La capa del emisor est muy dopada, la base ligeramente dopada y el
colector est un poco dopado.
Los grosores de las capas son como se muestran en las figuras:
Construccin
La relacin entre el grosor total y la capa central es de 0.150/0.001 =
150:1
El dopado de la capa emparedada es considerablemente menor que
el de las capas externas (10:1 o menor)
Esto reduce la conductividad al limitar el nmero de portadores libres.
El trmino bipolar refleja el hecho de que huecos y electrones
participan en el proceso de inyeccin hacia el material opuestamente
polarizado.
Se analizar el funcionamiento de un transistor pnp.
La unin p-n de un transistor se polariza en inversa, mientras que la
otra se polariza en directa:
Operacin del BJ T.
Unin polarizada de directa Unin polarizada de inversa
Como el material de la base es muy delgado y su conductividad baja,
unos pocos portadores se irn en esa direccin. I
B
normalmente es
del orden de microamperes.
La mayora de los portadores mayoritarios se difundir a travs de la
unin polarizada en inversa hacia el material tipo p.
En polarizacin inversa, los portadores mayoritarios inyectados
aparecern como portadores minoritarios en el material tipo n.
Todos los portadores minoritarios de la regin de empobrecimiento
atravesarn la unin polarizada en inversa.
Operacin del BJ T.
Aplicando la ley de corrientes de Kichhoff:
Adems, la corriente del colector consta de 2 componentes:
Operacin del BJ T.
B C E
I I I + =
oritarios CO ios Cmayoritar C
I I I
min
+ =
CONFIGURACIN EN
BASE COMN
La base es comn tanto para la entrada como para la salida de la
configuracin.
La flecha en el smbolo grfico define la direccin de la corriente del
emisor (flujo convencional) a travs del dispositivo.
Base Comn
Para describir en su totalidad el comportamiento de un transistor
conectado en base comn se necesitan dos conjuntos de
caractersticas: los parmetros de entrada y los parmetros de salida.
En la figura se muestran los parmetros de entrada para el
amplificador en base comn, que relaciona la corriente de entrada
I
E
con la tensin de entrada V
BE
para varios niveles de la tensin de
salida V
CB
.
Base Comn
El conjunto de parmetros de salida relacionan la corriente de salida
I
C
con la tensin de salida V
CB
para varios niveles de la corriente de
entrada I
E
, tal y como se muestra en la figura.
Base Comn
En la figura se muestran 3 regiones de operacin: activa, de
corte y saturacin.
Regin activa.
La unin base-emisor se polariza en directa y la unin colector-base se
polariza en inversa.
A medida que la corriente del emisor se incrementa la corriente del
colector aumenta en una magnitud igual.
La primera aproximacin de la relacin entre I
E
e I
C
en la regin activa es:
Base Comn
E C
I I ~
Regin de corte.
Las uniones base-emisor y colector-base se polarizan en inversa.
La corriente del colector, as como la del emisor, es 0A.
Regin de saturacin.
Es la regin de las caractersticas a la izquierda de cuando V
CB
=0.
Al incrementarse V
CB
hacia 0V hay un incremento exponencial en la
corriente del colector.
Las uniones base-emisor y colectar-base se polarizan en directa.
Base Comn
En los parmetros de entrada, para valores fijos de voltaje en
el colector V
CB
, a medida que se incrementa el V
BE
la corriente
del emisor incrementa de forma muy parecida a las
caractersticas del diodo.
Como una aproximacin, el cambio producido por V
CB
puede
ser ignorado.
Por lo tanto podemos asumir que una vez que el transistor se
enciende supondremos el voltaje base-emisor como 0.7V.
Base Comn
Base Comn
Ejemplo
A partir de las grficas de los parmetros de salida:
a) Determine la corriente del colector si I
E
=3mA y V
CB
=10V.
b) Determine la corriente del colector si I
E
permanece en 3mA y V
CB
se reduce a 2V.
c) Con las caratersticas de los parmetros de entrada y de salida
determine V
BE
si I
C
=4mA y V
CB
=20V.
d) Repita c) utilizando las caractersticas de los parmetros de
salida y el modelo simplificado.
Alfa ()
En modo de cd de operacin los niveles de I
C
e I
E
originados por los
portadores mayoritarios estn relacionados por una cantidad llamada
alfa:
De manera prctica alfa va de 0.9 a 0.998.
Como la definicin de alfa es vlida para los portadores mayoritarios,
podemos escribir la ecuacin de I
C
como:
El alfa de ca se define como factor de amplificacin en cortocircuito
en base comn, y se define como sigue:
E
C
cd
I
I
=
CBO E C
I I I + =
te cons V
I
I
CB
E
C
ca
tan =
A
A
=
CONFIGURACIN EN
EMISOR COMN
Emisor Comn
Los dos conjuntos de caractersticas (de entrada o de base-emisor y
de salida o de colector-emisor) para describir plenamente el
comportamiento de la configuracin de emisor comn se muestran a
continuacin:
Emisor Comn
Emisor Comn
Aun cuando la configuracin cambia, las relaciones previamente obtenidas
se conservan, es decir:
Caractersticas de la configuracinen emisor comn:
1. IB est en micro-amperes en comparacincon los mili-amperes de IC.
2. Las curvas de IB para la grfica VCE-IC no son tan horizontales, lo que
indica que VCE tambininfluye en la magnitudde IC.
3. En la regin activa, la unin base-emisor se polariza en directa, en
tanto que la unin colector-base est en inversa.
4. IC no es igual a cero cuando IB =0. la razn de esta diferencia se muestra
a continuacin:
Emisor Comn
C B E
I I I + =
CBO E C
I I I + =
CBO B C
I I I + + = ) (
CBO E C
I I I + =

=
1 1
CBO B
C
I I
I
Para futuras referencias, a la IC definida por la condicin IB =0, se le asignar
la notacinindicada por la siguiente ecuacin:
Emisor Comn

= =
=
1
0
CBO
CEO
A I
C
I
I I
B
Por lo tanto, IC = ICEO define la regin de
corte para la configuracin de emisor
comn.
El voltaje VBE al estar polarizado en directa,
de la misma manera que para el transistor
en base comn, se deduce que su valor es
aproximado VBE =0.7V, para cualquier nivel
de corriente de base.
Ejemplo
Empleando las caractersticas de la configuracin de
emisor comn
a) Determine I
C
en I
B
=30A y V
CE
=10V.
b) Determine I
C
en V
BE
=0.7V y V
CE
=15V.
En el modo de cd los niveles de corriente IC e IB estn relacionados por una
cantidadllamada beta(), definida por la siguienteecuacin:
Donde ambas corrientes se determinan en un punto de operacin particular
en las caractersticas.
Para dispositivos prcticos, el nivel de por lo general vara entre 50 y 400,
aunque puede valer ms.
En hojas de especificaciones casi siempre se incluye cd como hFE.
Beta ()
B
C
cd
I
I
=
Considerando las relaciones presentadas hasta ahora:
Escribiendo la ecuacinque relaciona las tres corrientes:
Sustituyendo y dividiendo por I
C
:
Multiplicando por :
Relacin entre Beta () y Alfa ()

C
B
B
C
I
I
I
I
= =

C
E
E
C
I
I
I
I
= =
C B E
I I I + =
C
C C
I
I I
+ =

1
1 1
+ =

+ = ) 1 ( + =
) 1 (

+
=
Llevando a cabo el despeje pero ahora para :
Otra relacinde inters se puede obtener recordando que:
Y, utilizando la siguiente equivalencia:
Relacin entre Beta () y Alfa ()
+ = =
= ) 1 (
) 1 (

=

=
1
CBO
CEO
I
I
) 1 (
1
1
) 1 (
1
) 1 (
1

= + =
+
=
|
|
.
|

\
|
+

=
Finalmente sustituyendo:
Como se observa, beta es un parmetro particularmente importante porque
crea un vnculo directo entre los parmetros del circuito para una
configuracin de emisor comn, es decir:
Y como ya se ha definido:
Relacin entre Beta () y Alfa ()
CBO CEO
I I ) 1 ( + =
B C
I I =
) 1 ( + = + = + =
B E B B E B C E
I I I I I I I I
CONFIGURACIN EN
COLECTOR COMN
Colector Comn
Se utiliza principalmente para acoplamiento de impedancias, ya que
tiene una alta impedancia de entrada y una baja de salida, lo
contrario de las configuraciones anteriores.
Colector Comn
La figura muestra una configuracin de circuito de colector comn.
Se pueden disear utilizando las caractersticas de emisor comn.
Para fines prcticos, las caractersticas de salida son las mismas que
para la configuracin de emisor comn.
Las caractersticas de salida se grafican como I
E
en funcin de V
CE
para un rango de valores de I
B
(la corriente de entrada por tanto ser
la misma).
El eje horizontal se obtiene cambiando el signo del voltaje del
colector al emisor.
El cambio de la escala vertical al reemplazar I
C
por I
E
ser casi
imperceptible ya que 1.
Lmites de operacin
Lmites de operacin
El nivel mximo de disipacin se define como:
En cualquier punto sobre la grfica el producto de VCE por IC debe
ser 300mW.
Si se selecciona que IC tenga un valor mximo de 50mA y se
sustituye en la relacin anterior se obtiene que
Si ahora se selecciona que VCE tenga un valor mximo de 30V, el
valor de IC queda como
C CE C
I V P =
max
V
mA
mW
V
CE
6
50
300
= =
mA
V
mW
I
C
15
20
300
= =
Lmites de operacin
Si ahora se elige un nivel de I
C
medio, tal como 25mA, resolviendo
para V
CE
resulta
Si no se cuenta con las curvas caractersticas, slo hay que
asegurarse que I
C
, V
CE
y su producto caigan dentro del siguiente
rango.
Para las caractersticas de base comn la curva de potencia mxima
se define por:
V
mA
mW
V
CE
12
25
300
= =
max
max
max
C C CE
CE CE CEsat
C C CEO
P I V
V V V
I I I
s
s s
s s
C CB C
I V P =
max
Ejercicios configuracin base comn
1. Utilizando las caractersticas de los parmetros de entrada determine V
BE
con I
E
=5mA y V
CB
=1, 10, 20V. es razonable suponer que V
CB
tiene slo
un efecto leve en la relacin entre V
BE
e I
E
?
2. Con las caractersticas de los parmetros de salida determine la corriente
en el colector si I
E
=4.5mA y V
CB
=4V.
3. Repita el anterior pero con I
E
=4.5mA y V
CB
=16V.
4. Cmo han afectado los cambios en V
CB
el nivel resultante de I
C
?
5. En base a los resultados anteriores, cmo se relacionan I
E
e I
C
?
6. Utilizando las caractersticas de entrada y salida, determine I
C
si V
CB
=10V
y V
BE
=800mV.
7. Determine V
BE
si I
C
=5mA y V
CB
=10V.
8. Repita el inciso anterior utilizando las caractersticas de los modelos
aproximados para la unin base-emisor.
9. Compare las soluciones de los 2 incisos anteriores, se puede ignorar la
diferencia si se presentan niveles de voltaje de ms de algunos volts?
Ejercicios configuracin emisor comn
10. Dada
cd
de 0.998, determine I
C
si I
E
=4mA.
11. Determine
cd
si I
E
=28mA e I
B
=20A.
12. Encuentre I
E
si I
B
=40A y
cd
=0.98.
13. Defina I
CBO
e I
CEO
. En qu son diferentes, cmo estn relacionadas, son
de magnitud parecida?
Utilizando las caractersticas de los parmetros de entrada y salida:
1. Determine el valor de I
C
correspondiente a V
BE
=750mV y V
CE
=5V.
2. Determine el valor de V
CE
y V
BE
correspondiente a I
C
=3mA e I
B
=30A.
3. Determine la beta de cd en un punto de operacin de V
CE
=8V e I
C
=2mA.
4. Determine el valor de correspondiente a ese punto de operacin.
5. En V
CE
=8V determine el valor correspondiente de I
CEO
.
6. Calcule el valor aproximado de I
CBO
con el valor de del punto anterior.
7. Utilizando las caractersticas de salida determine I
CBO
en V
CE
=10V.
8. Determine en I
B
=10A y V
CE
=10V. Con este valor calcule I
CBO
.
Ejercicios configuracin emisor comn
Con base en las caractersticas de los parmetros de salida:
9. Determine con I
B
=80A y V
CE
=5V.
10. Determine con I
B
=5A y V
CE
=15V.
11. Determine con I
B
=30A y V
CE
=10V.
12. Cambia el valor de de punto a punto sobre la curva de las
caractersticas? dnde se encontraron los valores ms altos? A qu
conclusin se puede llegar?
13. Determine en I
B
=25A y V
CE
=10V. Luego calcule el nivel de
cd
y el
nivel resultante de I
E
. (Use el nivel de I
C
determinado por I
C
=
cd
I
B
.)
POLARIZACIN DE CD
Conceptos bsicos
Polarizacin. Comprende todo lo relacionado a la aplicacin de
voltajes de cd para establecer un nivel fijo de corriente y voltaje.
Punto de operacin. La corriente de dc y el voltaje resultantes
establecen un punto de operacin sobre las caractersticas que
define la regin que ser empleada para la amplificacin de la seal
aplicada. Dado que este es un punto fijo, tambin se le llama punto
de reposo o punto Q (quiescent point).
Regin activa. Zona de operacin donde el transistor se comporta
como un amplificador. Unin base-emisor en polarizacin directa,
unin base-colector en polarizacin inversa.
Regin de corte. Definida por I
B
0A. Unin base-emisor en
polarizacin inversa, unin base-colector en polarizacin inversa.
Regin de saturacin. Definida por V
CE
V
CEsat
. Unin base-emisor
en polarizacin directa, unin base-colector en polarizacin directa.
P
Cmax
. Mxima potencia que puede disipar el transistor.
Esta es la polarizacinen cd ms simple, vlida para npn y pnp.
0 =
BE B B CC
V R I V
Unin base-emisor:
B
BE CC
B
R
V V
I

=
Unin colector-emisor:
B C
I I =
0 =
CE C C CC
V R I V
C C CC CE
R I V V =
Configuracin de polarizacin fija
Ejemplo
Determine: I
BQ
e I
CQ
, V
CEQ
, V
B
, V
C
, V
BC
.
Esta polarizacin contiene un resistor emisor para mejorar la estabilidad del
nivel en relacinconla de la configuracinde polarizacinfija.
0 =
E E BE B B CC
R I V R I V
Unin base-emisor:
E B
BE CC
B
R R
V V
I
) 1 ( + +

=

Unin colector-emisor:
C E
I I ~
0 = + +
CC E E CE C C
V R I V R I
) (
E C C CC CE
R R I V V + =
B E
I I ) 1 ( + =
Configuracin de polarizacin de emisor
Ejemplo
Determine I
B
, I
C
, V
CE
, V
C
, V
E
, V
B
, V
BC
.
Este circuito de polarizacin es independiente de la del transistor, dado que
este valor puede ser alterado por la temperatura.
Unin base-emisor:
2 1
2
R R
V R
V
CC
Th
+
=
2 1
|| R R R
Th
=
Configuracin de polarizacin por divisor
de voltaje
Unin colector-emisor:
C E
I I ~
0 = + +
CC E E CE C C
V R I V R I
) (
E C C CC CE
R R I V V + =
Configuracin de polarizacin por divisor
de voltaje
0 =
E E BE Th B Th
R I V R I V
B E
I I ) 1 ( + =
E Th
BE Th
B
R R
V V
I
) 1 ( + +

=

Determinar VCE e IC para la siguiente red:

Ejemplo
La sensibilidad del circuito ante cambios de la del transistor o a variaciones
de temperatura es menor que la de los circuitos de polarizacin anteriores.
Unin base-emisor:
Configuracin de polarizacin con
retroalimentacin de voltaje
0 ' =
E E BE B B C C CC
R I V R I R I V
) (
E C B
BE CC
B
R R R
V V
I
+ +

=

B C
I I =
E C C
I I I ~ ~ '
Unin colector-emisor:
C E
I I ~
0 = + +
CC E E CE C C
V R I V R I
) (
E C C CC CE
R R I V V + =
Determinar VCE e IC para la siguiente red:
Ejemplo
En esta configuracin la salida se toma de la terminal del emisor como se
muestra en la figura siguiente.
0 = +
EE E E BE B B
V R I V R I
Unin base-emisor:
E B
BE EE
B
R R
V V
I
) 1 ( + +

=

Unin colector-emisor:
0 = +
EE E E CE
V R I V
E E EE CE
R I V V =
B E
I I ) 1 ( + =
Configuracin en emisor-seguidor
Ejemplo: Determinar VCE e IE para la siguiente red:
Configuracin en emisor-seguidor
En esta configuracin se utilizan dos fuentes y la base es la terminal comn
entre la terminal del emisor de entrada y la terminal de colector de salida.
0 = +
BE EE E E
V V R I
Unin base-emisor:
Unin base-colector:
0 = + +
CB C C CC
V R I V
C E CC CB
R I V V =
E
BE EE
E
R
V V
I

=
E C
I I ~
Configuracin en base comn
Aplicando la ley de voltajes a todo el permetro de la red se tiene:
0 = + + +
E E CE C C CC EE
R I V R I V V
E C
I I ~
E E C C CC EE CE
R I R I V V V + =
) (
E C E CC EE CE
R R I V V V + + =
Configuracin en base comn
Ejemplo: Determinar IB e IE y los voltajes VCE y VCB para la siguiente red:
Configuracin en base comn
Ejemplo: Determinar IB e IC y los voltajes VCE, VB, VC, VE y VBC para la siguiente
red.
Otras configuraciones
Ejemplo: Determinar IB e IC y los voltajes VCE, VB, VC, VE y VBC para la siguiente
red.
Otras configuraciones
Ejemplo: Determinar IB e IC y los voltajes VCE, VB, VC, VE y VBC para la siguiente
red.
Otras configuraciones
Saturacin se aplica a cualquier sistema donde los niveles alcanzan los
valores mximos.
Para el transistor que opera en la regin de saturacin la corriente es el nivel
mximo para el diseo particular (Si se cambia el diseo, el nivel de
saturacinpuede cambiar tambin).
C
CC
Csat C
R
V
I I = =
Segn las grficas la regin de
saturacinse define para VCE=0V.
Saturacin en polarizacin fija
O = = = 0
0
Csat C
CE
CE
I I
V
R
Resumen
Emisor o colector comn:
Obtener una expresin para la corriente de base (corriente de
entrada).
Obtener la corriente de colector o emisor (corriente de salida) a partir
de la corriente de base.
Obtener voltaje de salida: colector-emisor.
Base comn:
Obtener una expresin para la corriente del emisor (corriente de
entrada).
Obtener la corriente del colector (corriente de salida).
Obtener voltaje de colector-emisor y el de base-colector.
Resumen
Emisor o colector comn:
Obtener una expresin para la corriente de base (corriente de
entrada).
Obtener la corriente de colector o emisor (corriente de salida) a partir
de la corriente de base.
Obtener voltaje de salida: colector-emisor.
Base comn:
Obtener una expresin para la corriente del emisor (corriente de
entrada).
Obtener la corriente del colector (corriente de salida).
Obtener voltaje de colector-emisor y el de base-colector.
Resumen
Emisor o colector comn:
Obtener una expresin para la corriente de base (corriente de
entrada).
Obtener la corriente de colector o emisor (corriente de salida) a partir
de la corriente de base.
Obtener voltaje de salida: colector-emisor.
Base comn:
Obtener una expresin para la corriente del emisor (corriente de
entrada).
Obtener la corriente del colector (corriente de salida).
Obtener voltaje de colector-emisor y el de base-colector.
ANLISIS EN EL
DOMINIO DE CA
Introduccin
El transistor es un dispositivo amplificador (la seal de salida es
mayor que la de entrada).
El factor que permite que la potencia de salida de ca sea mayor que
la potencia de entrada de ca es la potencia de cd aplicada, la cual
contribuye a la potencia de salida total an cuando una parte de esta
se disipe en el dispositivo y en las resistencias.
La eficiencia de conversin se define como:
Donde
P
o(ca)
es la potencia de ca suministrada a la carga
P
i(cd)
es la potencia de cd suministrada.
) (
) (
cd i
ca o
P
P
=
Introduccin
El teorema de superposicin es aplicable al anlisis y diseo de los
componentes de cd y ca de una red BJ T, lo que permite separar el
anlisis de las respuestas de cd y ca.
Se puede realizar un anlisis completo de cd y a partir de ste
realizar el anlisis completo de ca.
El anlisis de cd determinar uno de los componentes del anlisis de
ca.
Modelo del BJ T
Modelo: combinacin de elementos de un circuito, apropiadamente
seleccionados, que simulan de forma aproximada el comportamiento
real de un dispositivo semiconductor en condiciones especficas de
operacin.
Una vez determinado el circuito equivalente de ca, el smbolo
esquemtico del dispositivo puede ser reemplazado por este circuito
equivalente y los mtodos bsicos de anlisis de circuitos aplicados
para determinar las cantidades deseadas de la red.
Como slo interesa la respuesta de ca, las fuentes de cd pueden ser
reemplazadas por un equivalente de 0V (los niveles de cd fueron
importantes para determinar el punto Q de operacin correcta).
Los capacitores de acoplamiento se eligieron con una baja reactancia
por lo que pueden ser reemplazados por una ruta de baja resistencia
o un cortocircuito.
Circuito caracterstico de
un transistor
Circuito despus de la eliminacin de
la fuente de cd y la insercin del
equivalente de cortocircuito para los
capacitores
Modelo del BJ T
Modelo del BJ T
Es importante definir el equivalente ca para que los parmetros de
inters como Zi, Zo, Ii e Io.
Las cantidades encontradas en la red reducida deben ser las mismas
definidas por la red original.
En ambas redes la impedancia de entrada se define de base a tierra,
la corriente de entrada como la corriente de base del transistor, el
voltaje de salida como el voltaje del colector a tierra, y la corriente de
salida como la corriente que fluye a travs del resistor de carga R
C
.
Circuito vuelto a dibujar para el anlisis de ca
V0
-
Modelo del BJ T
i
i
i
I
V
Z =
o
o
o
I
V
Z =
i
o
v
V
V
A =
i
o
i
I
I
A =
Configuracin de emisor comn
Determinacin del circuito equivalente de
entrada de un transistor BJ T.
Modelo r
e
del BJ T
Configuracin de emisor comn
V
i
= V
be
, I
i
= I
b
La corriente a travs de la unin polarizada en directa es I
E
Circuito equivalente del lado de la entrada
de un transistor BJ T
Modelo r
e
del BJ T
Configuracin de emisor comn
Las caractersticas del colector para una constante puede
reemplazarse por una fuente controlada.
Circuito equivalente de un transistor BJ T
Modelo r
e
del BJ T
Configuracin de emisor comn
Se sustituye al diodo por su resistencia equivalente.
Reemplazo del diodo por su resistencia
equivalente determinada por el nivel de IE
(Circuito equivalente mejorado)
D D T D
I mV I V r / 26 / = =
E e
I mV r / 26 =
b
be
b
i
i
I
V
I
V
Z = =
e b e b b e b c e e be
r I r I I r I I r I V ) 1 ( ) ( ) ( + = + = + = =
e e
b
e b
b
be
i
r r
I
r I
I
V
Z

~ + =
+
= = ) 1 (
) 1 (
Modelo r
e
del BJ T
Configuracin de emisor comn
Reemplazo del diodo por su resistencia
equivalente determinada por el nivel de IE
(Circuito equivalente mejorado)
D D T D
I mV I V r / 26 / = =
E e
I mV r / 26 =
Modelo r
e
del BJ T
Configuracin de emisor comn
La pendiente de cada curva definir una resistencia en ese punto
como sigue:
Representacin de la impedancia
de salida del transistor BJ T.
Modelo re de la configuracin de
transistor en emisor comn
incluido el efecto de re.
C CE o
I V r A A = /
Modelo r
e
del BJ T
Configuracin de emisor comn
Los valores comunes de van de 50 a 200.
Los valores de tpicos de Z
i
definidos por r
e
van de unos cientos de
ohms a un mximo de 6k a 7k.
La resistencia de salida r
o
, que define a Z
o
, en general est en el
intervalo de 40k a 50k.
Modelo r
e
del BJ T
Configuracin de base comn
Al diodo lo puede reemplazar su resistencia de ca equivalente,
determinada por:
Modelo r
e
del BJ T
Circuito equivalente de un transistor BJ T
E e
I mV r / 26 =
Configuracin de base comn
Las lneas casi horizontales indican que la resistencia de salida r
o
ser bastante alta.
Representacin de la impedancia
de salida del transistor BJ T.
Modelo re de la configuracin de
transistor en base comn incluido
el efecto de re.
Modelo r
e
del BJ T
C CE o
I V r A A = /
Configuracin de base comn
Los valores de la impedancia de entrada son bajos ya que son
nicamente el valor de r
e
, que van de unos cuantos ohms hasta 50.
La resistencia de salida r
o
en general est en el intervalo de los
megaohms.
Modelo r
e
del BJ T
POLARIZACIN FIJ A
EN CA
Polarizacin fija en ca
e B
r R
e i
e B i
r Z
r R Z

10
||
>
~
=
C o
R r
C o
o C o
R Z
r R Z
10
||
>
~
=
e
i
b
r
V
I

=
) || )( (
o C b o
r R I V =
) || (
o C
e
i
o
r R
r
V
V
|
|
.
|

\
|
=

C o
R r
e
C
V
e
o C
i
o
V
r
R
A
r
r R
V
V
A
10
) || (
>
=
= =
Polarizacin fija en ca
Z
o
se define para V
i
=0
Polarizacin fija en ca
Relacin de fase. El signo negativo de A
v
en la ecuacin resultante
revela un desfasamiento de 180 entre las seales de entrada y
salida.
Es el resultado de que I
b
establezca una corriente a travs de R
C
la
cual producir un voltaje a travs de R
C
, lo opuesto al definido por V
o
.
Para la siguiente red, determinar:
Calcule Z
o
y A
v
para r
o
=50kohms.
) ( ), ( , , O = O =
o V o o i e
r A r Z Z r
Polarizacin fija en ca
POLARIZACIN POR
DIVISOR DE VOLTAJ E
PARA CA
e
r R
e i
e i
r Z
r R Z

10 '
|| '
>
~
=
C o
R r
C o
o C o
R Z
r R Z
10
||
>
~
=
e
i
b
r
V
I

=
) || )( (
o C b o
r R I V =
) || (
o C
e
i
o
r R
r
V
V
|
|
.
|

\
|
=

C o
R r
e
C
V
e
o C
i
o
V
r
R
A
r
r R
V
V
A
10
) || (
>
=
= =
Polarizacin por divisor de voltaje para ca
Para la siguiente red, determinar:
Calcule Z
i
, Z
o
y A
v
para r
o
=50kohms.
) ( ), ( , , O = O =
o V o o i e
r A r Z Z r
Polarizacin por divisor de voltaje para ca
POLARIZACIN EN
EMISOR COMN PARA
CA
Se omite el efecto de r
o
.
Polarizacin en emisor comn para ca
E b b e i
R I I r V ) 1 ( + + =
e E
r R
E E e b
E e
b
i
b
R R r Z
R r
I
V
Z
>>
~ + ~
+ + = =


) (
) 1 (
b B i
Z R Z || =
C o
R Z =
C
b
i
o
R
Z
V
V
|
|
.
|

\
|
=
C b C o o
R I R I V = =
E
C
V
E e
C
b
C
i
o
V
R
R
A
R r
R
Z
R
V
V
A
~
+
~ = =

Polarizacin en emisor comn para ca
Desfasamiento de 180 entre las seales de
entrada y salida.
Para la siguiente red, sin C
E
, determinar:
Repita el anlisis conC
E
conectado.
V o i e
A Z Z r , , ,
Polarizacin en emisor comn para ca
POLARIZACIN EN
EMISOR SEGUIDOR
PARA CA

El voltaje del emisor est en fase con el

voltaje de entrada V
i
(de ah el nombre de
seguidor).
Como el colector se conecta a tierra para
el anlisis de ca, en realidad es una
configuracin de colector comn.
Se utiliza para propsitos de igualacin
de frecuencia.
Alta impedancia de entrada y baja
impedancia de salida.
Efecto resultante similar al obtenido con
un transformador (la carga se iguala a la
impedancia de la fuente para una mxima
transferencia de potencia a travs del
sistema).
Polarizacin en emisor seguidor para ca
1 ~
V
A
Se omite el efecto de r
o
.
Polarizacin en emisor seguidor para ca
E b b e i
R I I r V ) 1 ( + + =
E e
b
i
b
R r
I
V
Z ) 1 ( + + = =
b B i
Z R Z || =
e E
r R
E E e b
R R r Z
>>
~ + ~ ) (
Polarizacin en emisor seguidor para ca
b
i
b e
Z
V
I I ) 1 ( ) 1 ( + = + =
E e
i
e
R r
V
I
) 1 (
) 1 (
+ +
+
=


e e E o
r r R Z ~ = ||
E e
i
e
R r
V
I
+
=
E e
i E
o
R r
V R
V
+
=
1 ~
+
= =
E e
E
i
o
V
R r
R
V
V
A
Para la siguiente red determinar:
V o i e
A Z Z r , , ,
Polarizacin en emisor seguidor para ca
POLARIZACIN EN
BASE COMN PARA CA

Impedancia de entrada baja e impedancia de salida y ganancia de

corriente menor a 1.
La ganancia de voltaje resultante puede ser bastante grande.
Se omite el efecto de r
o
.
Polarizacin en base comn para ca
1 <
i
A
Polarizacin en base comn para ca
C e C o o
R I R I V = =
e E i
r R Z || =
C o
R Z =
e
i
e
r
V
I =
C
e
i
o
R
r
V
V =
e
C
e
C
i
o
V
r
R
r
R
V
V
A ~ = =

i e o
i e
I I I
I I
= =
=
1 ~ = =
i
o
i
I
I
A
Para la siguiente red determinar:
i v o i e
A A Z Z r , , , ,
Polarizacin en base comn para ca
OTRAS
CONFIGURACIONES
Otras configuraciones
GANANCIA DE
CORRIENTE
Ganancia de corriente
Para cada configuracin de transistor, la ganancia de corriente se
puede determinar directamente a partir de la ganancia de voltaje, la
carga definida y la impedancia de entrada.
i
i
i
Z
V
I =
L
i
i
o
i
i
L
o
i
o
i
R
Z
V
V
Z
V
R
V
I
I
A =

= =
L
o
o
R
V
I =
L
i
v i
R
Z
A A
L
=
AMPLIFICADORES BJ T SIN CARGA
AMPLIFICADORES BJ T SIN CARGA
EFECTO DE R
L
Y R
S
Efecto de R
L
y R
S
Ganancia sin carga Ganancia con carga Ganancia del sistema
Efecto de R
L
y R
S
e B i
r R Z || =
o C o
r R Z || =
e
i
b
r
V
I

=
) || ( '
L C b L b o
R R I R I V = =
) || (
L C
e
i
o
R R
r
V
V
|
|
.
|

\
|
=

e
L C
i
o
V
r
R R
V
V
A
L
) || (
= =
L C L C o L
R R R R r R || || || ' ~ =
Efecto de R
L
y R
S
s i
s i
i
R Z
V Z
V
+
=
e
L C
i
o
V
r
R R
V
V
A
L
) || (
= =
s i
i
s
i
R Z
Z
V
V
+
=
L s
s
v
s i
i
v
s
i
i
o
s
o
v
A
R Z
Z
A
V
V
V
V
V
V
A
+
=
= =
Efecto de R
L
y R
S
Si al circuito se le conecta una carga de 4.7kohms y se considera una
resistencia de la fuente de 0.3kohms determine
s L
V V o i
A A Z Z , , ,
Efecto de R
L
y R
S
Polarizacin por medio
del divisor de voltaje con
R
s
y R
L
e
L C
i
o
V
r
R R
V
V
A
L
) || (
= =
e i
r R R Z || ||
2 1
=
o C o
r R Z || =
Efecto de R
L
y R
S
Configuracin en emisor
seguidor con R
s
y R
L
e L E
L E
i
o
V
r R R
R R
V
V
A
L
+
= =
||
||
b B i
Z R Z || =
e o
r Z =
) || (
L E b
R R Z ~
Efecto de R
L
y R
S
La ganancia de voltaje con carga de un amplificador siempre es
menor que la ganancia sin carga.
La ganancia obtenida con una resistencia de la fuente en el lugar
siempre ser menor que la obtenida con carga o sin carga.
Para la misma configuracin A
vNL
>A
vL
>A
vs
.
Para un diseo particular, cuanto mayor sea el nivel de R
L
, mayor
ser el nivel de la ganancia de ca.
Para un amplificador particular, cuanto menor sea la resistencia
interna de la fuente de seal, mayor ser la ganancia total.
AMPLIFICADORES BJ T CON EL EFECTO DE R
S
Y R
L
AMPLIFICADORES BJ T CON EL EFECTO DE R
S
Y R
L
AMPLIFICADORES BJ T CON EL EFECTO DE R
S
Y R
L
EFECTO DE LOS
CAPACITORES
Capacitor de acoplo
A mayor frecuencia, menor reactancia.
A frecuencias muy altas, la reactancia es aproximadamente 0 ->corto
circuito.
A frecuencias muy bajas la reactancia tiene valores muy grandes ->
circuito abierto.
Un capacitor de acoplamiento busca no alterar la seal de alterna y
no dejar pasar las componentes de corriente directa.
La capacitancia de acoplamiento para un circuito de ca depende de
la resistencia de carga.
fC
X
C
2
1
=
L C
R X 1 . 0 <
Capacitor de acoplo
Ejemplo.
Calcular el valor de acoplamiento para un amplificador de audio
(frecuencias de 20Hz a 20KHz) con una resistencia de carga de
2kohms.
F
Hz fX
C
fC
X
C
C

78 . 39
) 200 )( 20 ( 2
1
2
1
2
1
=
O
= =
=
O = O = 200 ) 2000 ( 1 . 0
C
X
Capacitor de desacoplo
Elimina los efectos de una seal de alterna porque la aterriza a tierra.
Para calcular su valor se ocupa la misma relacin:
L C
R X 1 . 0 <