Unidad 1

Electrnica General y Aplicada 2006 Unidad 1b-c- Pgina 1
Unidad 1
bTeora de semiconductores. Juntura P-N
Estructura cristalina
El carbono, el silicio y el germanio, elementos del grupo IVa de la tabla peridica, pueden formar estructuras cristalinas en las que los tomos comparten los 4 electrones de valencia con 4 tomos vecinos. A travs de estos enlaces covalentes cada tomo completa los 8 electrones de su ltimo nivel. Estos cristales son aislantes perfectos a 0K, pues todos los electrones estn fuertemente atrapados en los enlaces covalentes de la estructura. El silicio cristaliza en fase cbica, con los tomos dispuestos en las caras, aunque es posible identificar un patrn tetradrico ms pequeo. Por simplicidad se suele utilizar una representacin plana de la estructura.
Figura 1: Estructura cristalina de C, Si, Ge,
Electrones y huecos. Generacin y recombinacin

A temperatura ambiente algunos electrones adquieren suficiente energa para liberarse de los enlaces. Cuando esto ocurre queda un electrn libre que puede moverse por la red cristalina, y un hueco (electrn ausente en el enlace covalente) que tambin se desplaza. El movimiento del hueco es en realidad el paso de electrones de enlaces covalentes adyacentes, pero se interpreta como el movimiento de una partcula ficticia de carga elctrica positiva. El movimiento de ambos tipos de partculas ser aleatorio a travs de la estructura cristalina.
eh+
Figura 2: Movimiento de electrones y huecos en el semiconductor
Cuando un electrn libre y un hueco coinciden en un tomo, se produce la recombinacin: el electrn libre vuelve al enlace, desapareciendo ambos portadores (electrn libre y hueco). La velocidad con que se generan pares electrn-hueco crece con la temperatura, pues a mayor energa media aumenta la probabilidad de que se rompa un enlace. Haciendo una aproximacin lineal podemos escribir Eduardo Iriarte Facultad de Ingeniera Universidad Nacional de Cuyo

Generacin trmica G=KG. T con KG constante de proporcionalidad T temperatura en K [1] [portadores/(K.segundo)]
La velocidad de recombinacin es a su vez proporcional a la concentracin de electrones ni y a la concentracin de huecos pi, pues a mayor concentracin de uno u otro tipo aumenta la probabilidad de que se encuentren. El subndice i hace referencia a que estamos analizando el Silicio ntrnseco, que equivale a decir Silicio puro, en contraposicin al impurificado que veremos ms adelante. Recombinacin R = KR.ni.pi con KR constante de proporcionalidad [2] [portadores/(K.segundo)]
A cierta temperatura, se producirn KG. T y desaparecern KR.ni.pi electrones y huecos por segundo. Las concentraciones ni y pi crecern hasta que generacin y recombinacin se equilibren es decir: En el equilibrio G = R KG.T=KR.ni.pi [3]
A temperatura ambiente la concentracin relativa de huecos y de electrones en el Silicio es del orden de 10-12 (10-9 en el Germanio) y aproximadamente se duplica cada 10C. ni = pi=10-9 [4]
As a temperatura ambiente el silicio intrnseco conduce dbilmente, debido a estos portadores libres.
Bandas de Energa
Algunos textos abordan el estudio de los semiconductores desde el enfoque de Bandas de Energa, aplicando conclusiones de la Fsica Cuntica. Brevemente repasaremos este concepto pero intentaremos relacionarlo con la visualizacin ms intuitiva que estamos realizando. En un tomo suelto de un elemento del grupo IV los ltimos niveles de energa se completan como s2 p2, esto significa el orbital s completo y el orbital p con 4 vacantes. [C s2-p2 ] [Si 2s2-2p2 ] [Ge 3s2-3p2]
[5]
A medida que dos o ms tomos se aproximan sus electrones interaccionan, y por el Principio de Exclusin de Pauli - que impide que dos electrones posean el mismo estado cuntico- estos niveles se desdoblan. En un cristal, por la proximidad de los tomos, se producen mltiples desdoblamientos de niveles que se transforman en bandas, y que resultan prcticamente continuas por la gran cantidad de niveles que las constituyen.
d
0/4
b
2/6
a
p
4/4
4/8
2/2
-E
Figura 3: Desdoblamiento de los niveles de energa permitidos (izquierda), y cortes a distintas distancias interatmicas de formacin del slido (derecha). El color amarillo ilustra el grado de ocupacin de las bandas. El rayado indica bandas no permitidas
En la figura 3 se observa que segn sea la distancia entre los tomos ser el comportamiento del material. En a (tomo suelto) las distancias interatmicas son grandes y no hay interaccin, los niveles no Eduardo Iriarte Facultad de Ingeniera Universidad Nacional de Cuyo

estn desdoblados, los electrones del nivel s slo pueden pasar al p si adquieren la energa correspondiente a la diferencia entre ambos niveles. Por ejemplo absorbiendo un fotn de la longitud de onda exacta. En b hay desdoblamiento y aparecen bandas, la banda p est semi-poblada (2 de 6) y por tanto los electrones all pueden moverse con cierta libertad entre niveles muy prximos de energa. En c el desdoblamiento provoca que se mezclen los niveles en una nica banda semipoblada (4 de 8). La gran amplitud de la banda significa un muy amplio rango de energas absorbibles, que resulta en una gran movilidad de los electrones. Aqu el material sera un buen conductor, con un comportamiento semejante al de un metal. Finalmente en d , a la distancia interatmica que corresponde a los cristales de los semiconductores, aparecen nuevamente dos bandas, cada una con 4 estados permitidos por tomo, pero la inferior completamente ocupada (4 de 4) y la superior completamente vaca (0 de 4). Cmo se relaciona movilidad con niveles de energa permitidos?Por qu una banda continua de energa, no completa, permite movilidad por la red cristalina, y una banda completa no? Suponga que describimos de manera clsica la Energa Total ET de un electrn como la suma de una Energa Cintica EC, relacionada con la velocidad, ms una Energa Potencial EP, esta ltima relacionada con la distancia al ncleo del tomo. La energa potencia EP es mxima a medio camino entre dos tomos vecinos, y es tambin la ET mnima que deber tener un electrn para transitar de un tomo a otro. Un electrn con mucha energa ET , al alejarse del ncleo (aumenta EP) pierde velocidad (disminuye EC), pero alcanza a escapar y entrar en la rbita del tomo vecino. Este proceso puede repetirse permitiendo un desplazamiento por la estructura cristalina. Un electrn con ET insuficiente perder toda su EC antes de escapar. En una banda continua de niveles de energa permitidos (posicin c del diagrama anterior) , este electrn puede absorber fotones de cualquier frecuencia, incrementando gradualmente su ET hasta que pueda entrar en la zona de influencia de un tomo vecino. En una banda completamente ocupada como la banda de valencia de un semiconductor a 0K (posicin d) no es posible que un electrn adquiera energa gradualmente, puesto que todos los niveles de energa permitidos dentro de esa banda estn ocupados. Es importante relacionar estos diagramas de energa con el proceso fsico de generacin y recombinacin de electrones y huecos. El diagrama d de la derecha corresponde al semiconductor a 0K. La distancia entre bandas se denomina banda prohibida, y es el valor mnimo de energa que debe adquirir un electrn atrapado en el enlace covalente para liberarse. Una vez liberado el electrn ser un portador de carga. Por este motivo la banda inferior se denomina Banda de Valencia y la superior Banda de Conduccin. La banda prohibida es de 5,5 eV (electrn-voltios) para el Carbono, 1,1 eV para el Silicio y 0,7 eV para el Germanio.
El semiconductor tipo N
Hasta aqu hemos descripto el comportamiento de semiconductores puros o intrnsecos. Para que el Silicio tenga utilidad en electrnica se lo debe dopar con impurezas de tomos de grupos adyacentes en la tabla peridica, es decir del grupo III o V. Suponga que en la estructura cristalina se reemplaza un tomo de Silicio por un tomo del grupo V, por ejemplo Arsnico. El tomo dador forma 4 enlaces covalentes con los tomos de Silicio adyacentes. El electrn sobrante queda ligado muy dbilmente y es fcilmente liberado por un poco de energa. Dada una concentracin relativa de impurezas de 10-6, es decir 1 tomo de As por cada 1.000.000 de tomos de Si, a temperatura ambiente prcticamente todos los electrones sobrantes estarn libres y los tomos dadores estarn ionizados (+). El cristal es macroscpicamente neutro.
Figura 4: El agregado de tomos dadores (en amarillo) aporta electrones (en celeste) que sern portadores negativos libres a temperatura ambiente, formando as un semiconductor tipo N. Los tomos dadores estarn ionizados (+), y el cristal es macroscpicamente neutro.
Eduardo Iriarte Facultad de Ingeniera Universidad Nacional de Cuyo

La mayor concentracin de electrones libres implica una mayor probabilidad de recombinacin, por lo que la concentracin de huecos bajar hasta reestablecer el equilibrio dinmico generacinrecombinacin. De acuerdo a la [4], para el Silicio. KG.T/ KR = n.p =ni.pi=10-24 si n = 10-6 ser p = 10-18 [6]
Es decir, los electrones son aqu portadores mayoritarios, mientras que los huecos son portadores minoritarios, en mucha menor concentracin que en el material intrnseco a igual temperatura. Este material conduce ms que el silicio intrnseco. y se denomina Silicio tipo N (de portadores mayoritarios negativos).
El semiconductor tipo P
Reemplazando tomos de Silicio por tomos del grupo III, por ejemplo Indio, el tomo aceptor forma 3 enlaces covalentes, quedando un enlace incompleto (hueco) que se propagar entre tomos adyacentes, Los tomos aceptores quedarn ionizados (-) pero el cristal es macroscpicamente neutro.
Figura 5: El agregado de tomos aceptores (en celeste) aporta huecos (en amarillo) que sern portadores positivos libres a temperatura ambiente, formando as un semiconductor tipo P. Los tomos aceptores estarn ionizados (-), y el cristal es macroscpicamente neutro.
Ahora la mayor concentracin de huecos implica una mayor probabilidad de recombinacin, por lo que la concentracin de electrones libres bajar hasta reestablecer el equilibrio dinmico generacinrecombinacin. Los huecos son aqu portadores mayoritarios, mientras que los electrones son portadores minoritarios, en mucha menor concentracin que en el material intrnseco a igual temperatura. Este material conduce ms que el silicio intrnseco y se denomina Silicio tipo P (de portadores mayoritarios positivos). Cmo sera la concentracin de electrones libres en este caso?
Electrnica General y Aplicada 2006 Unidad 1b-c- Pgina 5 Juntura didica

Qu sucede si una regin N y una P son puestas en contacto ?. A la superficie lmite se la denomina unin o juntura P-N. En realidad no es la unin de dos cristales, porque debe haber una continuidad de la estructura cristalina. La juntura se logra con un mismo cristal impurificado por etapas con tomos aceptores y dadores de modo que queda con una regin P y una N.
Distribucin de electrones y huecos Carga espacial resultante positiva y negativa
N
T=T0
T1>T0
T2>T1
Barreras de potencial para electrones y huecos
Campo elctrico resultante de la carga espacial
T=T0
T1>T0
T2>T1
Figura 6: Formacin de la barrera de potencial en la juntura P-N
Suponiendo un instante T0 de la formacin de dicha unin, los portadores libres huecos y electrones se comportarn como si fueran dos gases distintos separados por un tabique y levantramos dicho tabique. Se producir la difusin hacia ambos lados. En gases elctricamente neutros la difusin continuara hasta igualar las concentraciones. Pero aqu los gases de electrones y huecos tienen carga elctrica: qu ocurrir? Los electrones de la regin N prxima a la unin se difunden a la regin P, dejando en la regin N tomos dadores ionizados (+) (en amarillo) , y contribuyendo en la regin P con una carga (-). Adems existe muy alta probabilidad de que estos electrones que han pasado a la zona P se recombinen por la alta concentracin de huecos en dicha zona. Los huecos de la regin P prxima a la unin se difunden a la regin N, dejando en la regin P tomos aceptores ionizados (-) (en azul), y contribuyendo en la regin N con una carga (+). Existe muy alta probabilidad de que estos huecos se recombinen por la alta concentracin de electrones de la zona N. Es decir en la vecindad del lmite desaparecern los portadores libres y crecer la zona de cargas inicas inmviles, llamada zona de deplexin. A medida que se produce esta difusin-recombinacin, va creciendo la concentracin masiva de de cargas de igual signo (-) y (+) a cada lado de la unin, por ello un campo elctrico.

La concentracin de portadores alcanza un equilibrio dinmico cuando la fuerza del campo elctrico equilibra a la difusin. El campo elctrico produce as una barrera de potencial presente en toda la zona de transicin o zona de deplexin , en la vecindad a ambos lados de la unin.
Ie IE IH Ih Ih IE Ie IH
Figura 7: Corrientes en la juntura P-N en equilibrio. Abajo se grafican las barreras de potencial para electrones (en verde) y para huecos (en rojo)
En esta unin habr an paso de electrones y huecos hacia ambos lados: 1) Electrones minoritarios de la zona P, generados trmicamente en la vecindad o dentro de la zona de deplexin, son impulsados hacia la zona N, candidatos a transitar libremente por la zona N. A nivel macroscpico forman una corriente Ie 2) Electrones mayoritarios de la zona N con suficiente energa para remontar el campo elctrico adverso y llegar a la zona P, se recombinarn con uno de los tantos huecos que hay en la regin P ms all de la desrtica zona de deplexin. A nivel macroscpico forman una corriente IE 3) Huecos minoritarios de la zona N, generados trmicamente en la vecindad o dentro de la zona de deplexin son atrados hacia la zona P, candidatos a transitar libremente por la zona P. A nivel macroscpico forman una corriente Ih 4) Huecos mayoritarios de la zona P con suficiente energa para remontar el campo elctrico adverso y llegar a la zona N, se recombinarn con uno de los tantos electrones que hay en la regin N ms all de la zona de deplexin. A nivel macroscpico constituyen una corriente IH Observamos que tanto Ie como Ih son corrientes de portadores minoritarios generados trmicamente en la zona de deplexin. Como son portadores de cargas opuestas y que se desplazan en sentidos opuestos, ambas corrientes se suman resultando en una corriente llamada corriente de saturacin (inversa), muy dependiente de la temperatura, y que en sentido convencional circula de la zona N a la zona P. I e + Ih = IS [7]
Por otra parte tanto IE como IH son corrientes de portadores mayoritarios que superan la barrera de potencial y se difunden a la otra zona opuesta donde por ser minoritarios se recombinan rpidamente. Ambas corrientes constituyen la llamada corriente de recombinacin (directa) con sentido convencional de la zona P a la zona N. IE + IH = IR [8]
En ausencia de estmulo externo existir un equilibrio dinmico de ambas corrientes, pues si IS>IR la zona de deplexin y la barrera de potencial se reducen, aumentando as la IR, y lo contrario si IS<IR. Es decir la corriente directa de recombinacin en ausencia de estmulo externo que denominaremos IRo se mantiene igual a la corriente de saturacin inversa y de sentido contrario. Es decir |IR0| = |IS| y la corriente resultante ser I = IR0 IS = 0 [9] [10]
c-
El Diodo. Rectificadores monofsicos
Si a la juntura P-N se le conectan electrodos en cada regin, se obtiene un dispositivo llamado diodo PN. Al terminal P o positivo se lo denomina nodo (A) , y al negativo Ctodo (K). Smbolo
Figura 8: Esquema fsico y smbolo elctrico del diodo semiconductor
Qu pasa si a travs de estos electrodos se somete al diodo a un voltaje externo, en uno u otro sentido?.
El diodo con polarizacin directa

Si se aplica un voltaje positivo entre nodo y ctodo, se contrarresta el campo elctrico adverso de la zona de deplexin, disminuye la barrera de potencial y se permite que la difusin de ambos tipos de portadores contine. En la grfica se ilustra el fenmeno para los electrones de la regin N, que pueden continuar difundindose hacia la zona P aumentando as la corriente IE, mientras que la Ie se mantiene aproximadamente igual. Para los huecos la grfica sera similar, con un incremento de IH) .
Ie
+
IE V
Figura 9: El diodo con polarizacin directa (ilustrado para los electrones)
Al mismo tiempo en el ctodo se inyectan electrones y en el nodo se extraen (se inyectan huecos). As se establece una corriente importante, denominada corriente directa. Debido a la forma exponencial de la distribucin de energa de los portadores, IR crece exponencialmente con el voltaje aplicado. A esta forma de excitar al diodo se la llama polarizar en directo.
El diodo con polarizacin inversa

Si en cambio se aplica voltaje negativo entre nodo y ctodo, se aumenta el campo elctrico adverso, aumenta la barrera de potencial y la zona de deplexin. Se tendr prcticamente slo la corriente debida a portadores minoritarios, es decir la corriente de saturacin inversa IS = Ie + Ih. A esta forma de excitar al diodo se la llama polarizar en inverso.
Ie
+
IE V
Figura 10: El diodo con polarizacin inversa (ilustrado para los electrones)

Tambin ahora, debido a la forma exponencial de la distribucin de energa de los portadores, IR decrece exponencialmente con el voltaje aplicado en sentido inverso. Es decir el voltaje slo aumenta o disminuye la barrera de potencial, y con ello aumenta o disminuye exponencialmente el valor de IR. Un anlisis considerando la influencia de la temperatura conduce a la siguiente ecuacin: IR = IR0 . eq.V/K.T [11]
con q carga del electrn, V voltaje aplicado, K cte de Boltzmann, T temperatura absoluta, siendo IR0 el valor de IR sin voltaje aplicado. La corriente total del diodo es entonces: I = IR IS = IR0 . eq.V/K.T IS = IS . (eq.V/K.T 1) [12]
Donde se ha reemplazado IR0 por IS pues numricamente son iguales (segn ec. [9]) La ecuacin [12] nos permite describir el funcionamiento del diodo. La siguiente grfica ha sido obtenida utilizando en Matlab aplicando la ecuacin [12] con corriente inversa de saturacin, que se duplica cada 10C Is = 10-8 y 2.10-8[A] carga elemental q = 1.602 .1019[C] constante de Boltzmann K= 1.38 .10-23[J/K] T=300 y 310 [K ] temperatura ambiente La curva en azul corresponde a T=300 y en rojo a T=310
I [A]
40 35 30 25 20 15 10 5 0 -3 -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 0
V [V]
0.5
Figura 11: Corriente del diodo en funcin de la tensin aplicada, con T=300K (azul) y T=310K (rojo)
Modelos para el anlisis de circuitos con diodos

Se observa que el diodo polarizado en inverso prcticamente bloquea la corriente, es decir se comporta como un interruptor abierto, mientras que polarizado en directo conduce cuando se supera un valor de tensin del orden de 0,5 a 0,6 volts. A este voltaje se lo denomina tensin umbral o tensin de arranque del diodo (VON) y es de unos 0,5 a 0,7 volts en el Silicio, y de unos 0,2 volts en el Germanio. Es un dato a tener en cuenta en el anlisis de circuitos. Cuando un diodo se utiliza en circuitos en los que los voltajes son de unos 10 volts o ms, puede simplificarse el anlisis despreciando la cada de tensin de 0,6 volts que se produce entre nodo y ctodo del diodo en directo, es decir considerando que en directo se comporta como una llave cerrada. Este es el modelo ms simple del diodo, que llamaremos primera aproximacin, que se observa en la figura 12(a). En (b) se ilustra la segunda aproximacin, considerando la cada en directo. En (c) se considera adems la resistencia hmica del diodo en directo (tercera aproximacin).

A (a) A K A K (b) A K K A (c) A K K
Figura 12: Modelos aproximados del diodo. (a) Primera aproximacin, (b) Segunda aproximacin (considerando VON), (c) Tercera aproximacin (considerando VON y RON)
Tensin de ruptura. Efecto Zener y efecto avalancha

Volviendo al diodo con polarizacin inversa, si el voltaje aplicado se aumenta lo suficiente puede aparecer uno de los siguientes fenmenos: 1) Efecto Avalancha: Los portadores minoritarios que caen por la barrera de potencial, es decir que son acelerados a travs de la zona de deplexin, alcanzan a adquirir gran cantidad de energa cintica, de manera que al impactar eventualmente en tomos de la red cristalina de dicha zona rompen enlaces covalentes, generando a su vez nuevos portadores. Si el factor de multiplicacin es mayor que 1, se desencadena un efecto avalancha. Este efecto se da en junturas normales recin a partir de voltajes mayores a 6 volts, y con adecuados perfiles de impurificacin de la juntura puede disearse diodos con tensiones de ruptura por efecto avalancha del orden de decenas o cientos de volts. La tensin de ruptura por efecto avalancha crece con la temperatura: una mayor agitacin trmica de la estructura cristalina disminuye el recorrido medio entre colisiones de los portadores, impidiendo que adquieran suficiente energa cintica para romper enlaces. 2) Efecto Zener: En junturas fuertemente dopadas, la zona de carga espacial es ms densa, es decir la zona de deplexin es ms estrecha, y por ello el campo elctrico es ms intenso. Esto provoca que aplicado una tensin inversa el campo elctrico se haga suficientemente intenso como para romper los enlaces covalentes, creando abruptamente una gran cantidad de pares electrn-hueco. Es decir los electrones son arrancados directamente de sus enlaces, aqu no hay efecto avalancha. Desde el enfoque cuntico, se trata de un caso particular del efecto tnel. La ruptura por efecto zener se da a voltajes muy bajos, entre 4 y 6 volts, y disminuye ligeramente con la temperatura, pues los enlaces estn ms flojos por la agitacin trmica. I
Vruptura V
Figura 13: Curva del diodo considerando la ruptura por efecto zener o por efecto avalancha

Los diodos comunes no estn preparados para trabajar en la zona de ruptura. En estos la ruptura provoca la destruccin del dispositivo. Comercialmente los diodos presentan tensiones de ruptura desde decenas hasta miles de volts. Hay diodos especiales denominados genricamente diodos Zener, diseados para trabajar en la zona de ruptura. Se los utiliza como referencias de tensin, limitadores (protecciones) etc. Se los consigue comercialmente en valores estndar desde 2.0 volts hasta cientos de volts, damos algunos: 2,0 2 ,2 2 ,4 2 ,7 3 ,0 3 ,3 3,6 3,9 4,3 4,7 5,1 5,6 .... 27 30 33 ... 200.
Resumen
El silicio puro en estado cristalino es un conductor muy pobre a temperatura ambiente, aunque la conductividad aumenta con la temperatura por generacin trmica de portadores (electrones y huecos). Mediante silicio dopado con elementos del grupo III y V se obtienen semiconductores tipo P y N, en los que prevalece la conduccin por huecos o electrones respectivamente. La unin monocristalina de una zona P y una zona N da lugar a una difusin cruzada de portadores mayoritarios y a la aparicin de una barrera de potencial para huecos y electrones. Agregando electrodos a esta juntura P-N se obtiene el diodo semiconductor, que conduce de manera distinta cuando se lo polariza en directo o en inverso. El comportamiento del diodo se puede describir mediante modelos con distintos grados de aproximacin. Existe un fenmeno de ruptura en un diodo polarizado en inverso, por efecto Zener o por efecto avalancha. Los diodos comunes se destruyen en la ruptura, otros estn preparados para trabajar en esa zona.
Rectificadores monofsicos
Una de las aplicaciones ms comunes e importantes de un diodo es la de rectificador. Los rectificadores son circuitos que permiten transformar voltajes alternos (que alternan de positivo a negativo) en voltajes siempre positivos o siempre negativos. Con el agregado de filtros capacitivos es posible obtener tensiones prcticamente continuas. Vamos a estudiar los denominados rectificadores monofsicos, aunque existen tambin rectificadores para tres o ms fases. En particular ejemplificaremos circuitos que rectifican la alterna proveniente de transformadores conectados a la red de distribucin elctrica, de 50 Hz y 12 volts eficaces de salida (aproximadamente 17 volts de valor pico).
Rectificador de media onda

Consiste en un diodo en serie con la carga. Aqu la resistencia RL representa la carga, es decir el equipo al que hay que entregarle la energa de la fuente. Puede ser una batera que hay que recargar, un motor de corriente continua, un equipo de audio etc. Segn el sentido en que se coloque el diodo, se dejarn pasar los hemiciclos positivos o negativos.
-17/17V
A
D1
B
50 Hz
RL 1k
A: v1_1 B: rl_2
20.00 V
15.00 V
10.00 V
5.000 V
0.000 V
-5.000 V
-10.00 V
-15.00 V
-20.00 V 0.000ms
10.00ms
20.00ms
30.00ms
40.00ms
50.00ms
60.00ms
70.00ms
80.00ms
90.00ms
100.0ms
Figura 14: Rectificador de media onda

Se puede apreciar en la figura 14 que los hemiciclos positivos de salida son ligeramente ms bajos que los de entrada, debido a la cada de aproximadamente 0,6 volts que se produce en el diodo en directo. Esta salida tiene un valor medio de Vpico/, es decir en este caso unos 5,5 volts. Adems tiene una fuerte componente alterna, por lo que no se puede utilizar para alimentar un equipos electrnicos que requieren de tensin continua. Para aproximarse a una tensin continua se le agregan filtros, comnmente capacitivos, y en algunos casos L-C.
Agregado de capacitor
Mediante un capacitor en paralelo con la carga, de valor adecuado, es posible disminuir la componente de alterna de la salida. Al mismo tiempo el valor medio se ha acercado al valor pico. Se observa que en el primer hemiciclo positivo de alterna el capacitor se carga hasta el valor pico (menos la cada del diodo), y luego se descarga a travs de R mientras el diodo permanece bloqueado. Recin cuando la tensin de entrada supera la de salida (ms la cada en el diodo), el capacitor vuelve a cargarse.
-17/17V A 50 Hz C1 100uF RL 1k D1 B
0.000ms A: v1_1 B: c1_2
10.00ms
20.00ms
30.00ms
40.00ms
50.00ms
60.00ms
70.00ms
80.00ms
90.00ms
100.0ms 20.00 V
Vrizado
C: d1[id]
-20.00 V 700.0mA
-100.0mA
Figura 15: Rectificador de media onda con capacitor de filtrado. Voltajes de entrada y salida (arriba) y corriente en el diodo (abajo)
La descarga del capacitor ocurre con una constante de tiempo = RL.C [13]
A valor pico a pico de la tensin de salida se lo denomina rizado o ripple. Para una cierta demanda de corriente (dada por RL), con capacitores ms grandes se obtienen tensiones de salida con menor ripple. Obsrvese que la recuperacin de la carga se produce durante un lapso muy breve, lo que da lugar a picos de corrientes para cargar el capacitor. Mientras mayor sea la capacidad en parelelo, ms angostos y altos sern estos picos. Compare los valores pico de la corriente de la figura 15 (unos 300 mA) con los de la figura 14 (17/1kohm=17mA), es decir con el agregado de este capacitor la corriente pico es prcticamente 20 veces ms grande. El diodo a utilizar debe estar preparado para soportar la corriente pico repetitiva que le exige la aplicacin. Obsrvese adems que el pico de corriente del primer ciclo es an ms alto y largo, y se debe a que inicialmente el capacitor est totalmente descargado. El diodo a utilizar debe soportar esta corriente pico no repetitiva. Eduardo Iriarte Facultad de Ingeniera Universidad Nacional de Cuyo
Electrnica General y Aplicada 2006 Unidad 1b-c- Pgina 12 Rectificador de onda completa tipo puente
El propsito del rectificador de onda completa es aprovechar los dos hemiciclos de la alterna de entrada. El tipo puente consiste en 4 diodos en configuracin puente. De acuerdo al esquema de la figura 16, La carga RL se conecta entre las dos ramas del puente, con el terminal positivo a los ctodos de D1 y D4, y el negativo a los nodos de D2 y D3. En el hemiciclo positivo conducen D1 y D3, mientras que en el negativo conducen D2 y D4. La corriente en la carga RL circula siempre en el mismo sentido. (a)
-17/17V D2 RL 1k 50 Hz D3 C D4
D1
(b)
0.000ms A: d4_k 10.00ms 20.00ms 30.00ms 40.00ms 50.00ms 60.00ms 70.00ms 80.00ms 90.00ms 100.0ms 17.50 V
B: d1[id] C: d4[id]
-2.500 V 17.50mA
-2 500mA
Figura 16: (a) Esquema de rectificador de onda completa tipo puente. (b) voltaje de salida (punto A) y corriente en los diodos D1-D3 (verde) y D2-D4 (violeta)
Al agregar un capacitor del mismo valor que en el circuito anterior, el ripple es menor, aproximadamente la mitad. Adems las corrientes en los diodos son menores que en el de media onda de la figura 15.
C1 100uF RL 50 Hz D3 1k B D4
-17/17V
D2
C D1 A
0.000ms A: d1_k
10.00ms
20.00ms
30.00ms
40.00ms
50.00ms
60.00ms
70.00ms
80.00ms
90.00ms
100.0ms 17.50 V
B: d4[id] C: d1[id]
-2.500 V 700.0mA
100 0 A
Figura 17: Rectificador de onda completa tipo puente con capacitor.
Electrnica General y Aplicada 2006 Unidad 1b-c- Pgina 13 Rectificador de onda completa con transformador de punto medio
En este caso se utiliza un transformador cuyo secundario tiene una derivacin central o punto medio. El transformador debe ser del doble de tensin total. Se puede interpretar como dos transformadores de los utilizados en el circuito puente, conectados en serie. De acuerdo al esquema de la figura 18, La carga RL se conecta con el terminal positivo a los ctodos de D1 y D2, y el negativo al punto medio. En el hemiciclo positivo conduce D1 y en el negativo conduce D2. La corriente en la carga RL circula siempre en el mismo sentido. Se muestran dos formas de esquematizarlo, la de la derecha es ms usual.
D1
D1
-17/17V
-17/17V
50 Hz
R1 1k
A
50 Hz
D2
R2 1k
D2
50 Hz -17/17V
0.000ms
50 Hz -17/17V
30.00ms
10.00ms
20.00ms
40.00ms
50.00ms
60.00ms
70.00ms
80.00ms
90.00ms
A: d1_k
100.0ms 17.50 V
B: d1[id] C: d2[id]
-2.500 V 17.50mA
-2.500mA
Figura 18: (a) Esquema de rectificador de onda completa con transformador de punto medio. (b) voltaje de salida (punto A) y corriente en los diodos D1 (verde) y D2 (violeta)
Con el agregado del capacitor el comportamiento es prcticamente el mismo que en el tipo puente
D1
-17/17V
50 Hz
A
D2
R1 1k
C1 100uF
50 Hz -17/17V
0.000ms
C
10.00ms
20.00ms
30.00ms
40.00ms
50.00ms
60.00ms
70.00ms
80.00ms
90.00ms
A: r1_2
100.0ms 17.50 V
B: d1[id] C: d2[id]
-2.500 V 700.0mA
-100.0mA
Figura 17: Rectificador de onda completa tipo puente con capacitor.
Electrnica General y Aplicada 2006 Unidad 1b-c- Pgina 14 Consideraciones prcticas Eleccin de un tipo de rectificador
El rectificador de media onda prcticamente no se utiliza para construir fuentes de alimentacin de continua, dado que para obtener una respuesta semejante a la de uno de onda completa debera duplicarse el valor de la capacidad, y el capacitor suele ser ms caro que el diodo, el cual adems debera soportar una corriente pico muy alta. Dado que el comportamiento del tipo puente y del tipo transformador con punto medio son similares, cabe preguntarse cul tipo conviene ms desde el punto de vista econmico. Los transformadores son semejantes en costo, el disponer de una derivacin no encarece especialmente el transformador. En el tipo punto medio la tensin de salida debe ser el doble, pero dado que sus secundarios entregan corriente alternativamente en los hemiciclos (mientras que en el tipo puente el secundario lo hace en ambos hemiciclos), la corriente de salida es la mitad. Es decir ambos transformadores son semejantes en potencia y por ello en tamao y en costo. Por el lado de los diodos, en un circuito deben utilizarse 4 diodos y en el otro 2. Sin embargo estos 2 diodos estn ms exigidos porque cuando estn bloqueados deben soportar el doble de tensin inversa. En bajas tensiones y bajas corrientes no hay grandes diferencias, los diodos son el componente ms econmico de la fuente, pero en altas tensiones y/o altas corrientes deber evaluarse con las hojas de datos y la lista de precios en mano, un diodo de 2000 volts de tensin pico inversa repetitiva puede costar ms que dos diodos de 1000 volts.
Diodos lentos y diodos rpidos

Hemos visto aplicaciones del diodo como rectificador de seales alternas de lnea, es decir de frecuencias de 50 a 60 Hz. Estas frecuencias son sumamente bajas comparadas con las velocidades de los procesos electrnicos. En frecuencias mayores que 1 kHz, empieza a notarse un efecto en los diodos comunes, que es la capacitancia de la juntura P-N. Existen dos fenmenos de almacenamiento de cargas, uno es el crecimiento de la zona de deplexin o transicion al aplicar polarizacin inversa, el otro es la difusin de cargas al aplicar polarizacin directa. Ambos efectos, denominados Capacidad de Transicin y Capacidad de Difusin respectivamente, producen un efecto indeseable: el bloqueo del diodo no es instantneo, sino que primero debe terminar de descargarse la capacidad de difusin y cargarse la de transicin. En un diodo lento (ej 1N5402) la capacidad de juntura del diodo es del orden de 50 pf, en un diodo rpido (ej 1N4148) del orden de 4pf. Los fabricantes la especifican en sus hojas de datos.
Diodos de potencia y diodos de seal

En el caso de fuentes de alimentacin los diodos deben ser capaces de manejar tensiones y corrientes importantes. Estas son aplicaciones de potencia. El diodo 1N5402 es un ejemplo de diodo de potencia, con 3 A de corriente media y 200 A de corriente pico no repetitiva . Existen otras aplicaciones del diodo en los que el propsito no es rectificar una onda de alta potencia, sino una seal, por ejemplo en receptores econmicos de AM. Un diodo de este tipo es el 1N4148, que soporta 300 mA de corriente media y 1 A de corriente pico no repetitiva. Hay una relacin directa entre corriente soportada y capacitancia de la juntura, ya que la mayor corriente se consigue aumentando la superficie de la juntura. Hay otro tipo de diodos rpidos muy utilizados que utilizan una juntura metal-semiconductor en vez de semiconductor-semiconductor (normalmente se reemplaza la zona P por un metal) denominados diodos Schotttky. Estos tienen adems la ventaja de menor tensin umbral (cada en directo).
d-
Transistor bipolar
Introduccin a los componentes activos

Una de las aplicaciones en la que la Electrnica es prcticamente insustituible es en amplificacin de seales. Amplificar una seal consiste bsicamente en realizar una rplica aumentada en voltaje, en corriente o ambas cosas simultneamente. Por ejemplo para que la voz captada por un micrfono pueda llegar a mover un altoparlante de unos 100 vatios, en necesario aumentar el voltaje de unos 0,1 volts hasta unos 30 volts (300 veces), y la corriente de unos 5 mA hasta unos 3 amperes (600 veces), es decir debe realizarse una rplica de la seal original, pero con una potencia 180000 veces mayor. Para comprender el concepto de amplificacin considere la (figura 18a) una analoga con una llave de paso: una seal de poca potencia la necesaria para mover la llave controla su grado de apertura, regulando el paso de una potencia mayor (en este caso la que desarrolla la cada de agua). En Electrnica (figura 18b), la seal a amplificar, esto es un voltaje o una corriente pequea que vara, controla mediante un amplificador la cantidad de potencia que una fuente (de energa elctrica) entrega a una carga. Como resultado de esto, la carga recibe una seal con la misma forma que la seal original, pero con mayor potencia (puede ser mayor corriente, mayor tensin o ambas cosas).
(a)
Fuente
Seal de control
compuerta
(b) Fuente
CARGA
Seal a amplificar
amplificador
CARGA Figura 18: De manera anloga a una llave de paso (a) , amplificar es controlar el paso de potencia de una fuente a una carga, siguiendo la forma de la seal a amplificar (b).
Pero amplificar no es slo para seales de audio. Es indispensable en comunicaciones de todo tipo (seales de radio y de cable), en medicina (seales biolgicas), en la industria (seales de sensores para medir, seales para controlar procesos), en navegacin etc. Otro muy vasto campo de aplicacin de la Electrnica es el de los sistemas digitales, que son sistemas electrnicos que realizan procesamiento de datos haciendo uso de nmeros binarios y lgica proposicional, con la que usted puede estar familiarizado a travs de la llamada lgica de llaves. Para procesar en binario se realiza la apertura y cierre de llaves electrnicas. A diferencia del caso anterior, aqu las llaves se abren o cierran totalmente. El diodo es un dispositivo que tiene un comportamiento como llave abierta o cerrada, pero no es posible controlar este comportamiento, ya que slo depende del sentido en que se lo polarice, es decir no cuenta con una entrada de control. Por todo esto, abordamos el estudio del dispositivo fundamental de la Electrnica para las aplicaciones antes mencionadas: el Transistor. Comenzamos con el estudio del Transistor Bipolar, que aunque no fue el primero en concebirse es el que primero pudo construirse con xito.
Dos junturas P-N

Tome un semiconductor y cree en l no una sino 2 junturas P-N, tal como se muestra en la figura. Hay dos posibilidades, realizar un P-N-P o un N-P-N. Supongamos esta ltima. En ambas junturas tendrn lugar los mismos procesos de formacin que en el diodo de la figura 6.
Distribucin de electrones y huecos
Carga espacial resultante positiva y negativa
Campo elctrico debido a la carga espacial
Barrera de potencial para electrones y huecos Para los electrones de las zonas N la barrera es una especie de loma o compuerta de paso.
Regulando la altura de esta compuerta se lograra comunicar ambas zonas N, y los electrones pasaran hacia uno y otro lado.
Figura 19: Formacin de las barreras de potencial en un semiconductor N-P-N
Se observa que se forman dos barreras de potencial para los electrones de las zonas N y dos barreras de potencial para los huecos de la zona P. En un transistor P-N-P las barreras estaran invertidas. Para los electrones de las zonas N la barrera de potencial aparece como una compuerta. Si se puede controlar la altura de esta barrera es posible comunicar gradualmente ambas zonas N. Para que exista una circulacin de corriente neta de una zona N a la otra debera crearse un desnivel entre ambas. Aplicando voltajes entre las zonas es posible crear estos desniveles. Para ello se colocan terminales a cada regin. El dispositivo construido se denomina transistor bipolar. Los terminales reciben los nombres de Emisor, Base y Colector. Para optimizar su funcionamiento se lo construye con una geometra particular y nieveles de dopado distintos para emisor y colector (ms dopado el emisor). En la figura 20b se muestra un dispositivo ms prximo a uno real.
(a) (b)
Emisor Base
N
Emisor
P N
Colector
Base
Colector
(c)
C B E
Q2 NPN
B E
Q1 NPN
B E
Q3 PNP
B E
Q4 PNP
Figura 20: Transistor bipolar. (a) modelo terico de estudio (b) un dispositivo ms realista (c) Smbolos del transistor NPN y PNP
Electrnica General y Aplicada 2006 Unidad 1b-c- Pgina 17 Polarizacin del transistor
N
E
N
C
VBE
VCE
C
VB
VCE
Figura 21: Polarizacin del transistor. Para el funcionamiento del transistor, la juntura base-emisor debe polarizarse en directo y la colector-base en inverso.
Si se aplica un voltaje entre emisor y colector, VCE conseguimos el desnivel necesario para que la corriente circule. En el transistor N-P-N se aplica potencial positivo al colector y negativo al emisor. En estas condiciones los electrones del emisor que superen la barrera de potencial de la juntura base-emisor, y que no se recombinen en la base (donde son portadores minoritarios) caern al colector. Mediante un voltaje entre los terminales de base y emisor, VBE se podr controlar la altura de la barrera de potencial, y por lo tanto la circulacin de electrones de emisor a colector. El voltaje VBE funciona de manera similar al voltaje en el diodo, de hecho se est aplicando al diodo base-emisor. Es decir, mientras ms se polarice en directo a dicho diodo, ms disminuye la altura de la barrera de potencial y los electrones del emisor se difundirn en mayor cantidad hacia la base. Dado que la base es muy angosta, prcticamente todos los electrones difundidos logran atravesarla y llegar al colector, formando la denominada corriente de colector Ic. Un porcentaje muy pequeo se recombinar con los huecos de la base, formando la corriente de base Ib. La suma de ambas corrientes es el total de electrones que parten del emisor, o corriente de emisor Ie. Es decir: IE=IC+IB [14]
A la relacin entre IC e IB , se la denomina ganancia de corriente en Emisor Comn = IC/IB [15]
Al (beta) tambin se lo encuentra como hFE, nomenclatura que proviene de un modelo lineal del transistor.

El beta puede ser del orden de 100 a 500 en transistores de seal, en los que la base es muy angosta, y de tan slo 5 a 10 en transistores de alta tensin en los que la base debe ser muy ancha. Por ejemplo en un transistor con un =100, para controlar una corriente del orden de de 1 A es necesario que la fuente VBE pueda suministrar 0,01 A, es decir 10 mA. Debe notarse que, si bien hay que aplicar una VCE para desnivelar E y C y que as circule una corriente entre emisor y colector, una vez que VCE es suficiente, por ms que se incremente su valor no se podr aumentar significativamente la corriente, pues el control del paso de electrones se ejerce variando la altura de la barrera de potencial, es decir, el valor de IC es controlado por VBE
Curvas del transistor

Se puede graficar el comportamiento de Ic en funcin de VBE y de VCE. A la grfica de IC vs VBE se la denomina curva de transferencia, y a la IC vs VCE, se la denomina curva de salida. Dado que es IC es tan dependiente de VBE, se grafica la familia de curvas de salida, con VBE como parmetro. Otra alternativa (la ms usual) es graficar con IB (en vez de VBE) como parmetro, dada la relacin ms lineal entre IC e IB , es decir el es un parmetro relativamente constante. IC IC saturacin
f Zona activa e ruptura
VBE
d
c b a corte
abcdef
VBE
VCE aplicado
Curvas de salida con VBE como parmetro
VCE
Curva de transferencia (con VCE aplicado)
Figura 22. Curvas del transistor. Se han marcado adems las zonas activa, de corte, de saturacin y de ruptura. Esta ltima se debe al fenmeno de avalancha en la juntura colector-base.
La curva de transferencia es tipo exponencial, similar a la curva de un diodo, pues al disminuir la barrera de potencial mediante VBE, los electrones del emisor, cuya concentracin sigue una ley exponencial, se difunden a la base. Pero a diferencia del diodo, estos electrones en su gran mayora atraviesan la base y llegan al colector, creando la corriente IC. Slo una pequea cantidad se recombina en la base, formando la corriente IB. Como ya se explic, para que circule una corriente IC es necesario mantener un voltaje VCE, pero su valor no es determinante. Esto se aprecia en las curvas de salida. La lnea punteada vertical corresponde al valor de VCE aplicado para permitir que se establezca la IC. Dado un valor de polarizacin VBE ( por ejemplo tome la curva d ), si se aumenta o disminuye VCE , la corriente IC prcticamente no vara. Por eso las curvas son en esta zona prcticamente horizontales 1. Slo cuando VCE se acerca a 0, lo que equivale a desnivel 0 entre emisor y colector, la corriente IC disminuye hasta 0. Es lgico pues no se tendr un gradiente de concentraciones entre Emisor y Colector, luego no podr haber un flujo en un sentido aunque se baje la barrera de potencial mediante VBE. Se dice que el transistor est saturado, por lo a esta parte de las curvas se la llama zona de saturacin. A la zona en la que la IC es independiente de VCE se la denomina zona activa, y finalmente a la zona en la que IC todava no se establece porque VBE es demasiado pequea se la denomina zona de corte. La zona de ruptura por avalancha implica la destruccin del dispositivo.
1
Esto da lugar a una muy importante aplicacin del transistor como Fuente de Corriente. A diferencia de una Fuente de Tensin, que entrega menos corriente a medida que la Resistencia de Carga aumenta, la Fuente de Corriente entrega la misma corriente desde el cortocircuito hasta valores de resistencia de carga grandes. El lmite de funcionamiento est dado por la saturacin si la cada en la resistencia de carga se acerca a la Vcc, pero puede aumentarse dicho lmite con una mayor Vcc.
e- El transistor en Rgimen Lineal. Amplificacin

Se ha visto cmo es posible establecer la corriente Ic aplicando una VCE suficiente y variando su intensidad con VBE. Se estudiar ahora cmo utilizar este control de corriente para amplificar una seal. Recuerde el esquema de la figura 18 y los conceptos introductorios, por qu es necesario amplificar. Haremos algunas modificaciones sobre el circuito bsico de la figura 21. Reemplazamos la fuente variable VBE por una fuente VBB ajustada a un valor fijo, en serie con la seal que se quiere amplificar, representada por VS. Ahora VBE ser la suma VBB+VS . La VBB se denomina tensin de polarizacin. Reemplazamos la fuente variable VCE por una fuente VCC de un valor fijo, y entre sta y el colector conectamos una resistencia de carga RC. Esta resistencia puede representar el modelo de una carga real, o puede ser una resistencia puesta con el propsito de transformar variaciones de corriente en variaciones de tensin. Vamos a suponer esto ltimo, y veremos cmo cambiando su valor es posible elegir cunto amplificar una seal. En la figura 23 (a) se muestra el conexionado, y en (b) el esquema elctrico equivalente, empleando el smbolo del transistor NPN y una disposicin ms habitual, que es con los potenciales ms positivos arriba.
IE
E B C
IC IC
Rc
VBB
VS
IB
Vs
RC
+
IB
Vbb +
+ Vcc
VCC
IE
Figura 23: El transistor como amplificador de tensin
Qu es lo que ocurre al agregar la seal Vs y la carga Rc a este circuito? La barrera de potencial disminuye cuando Vs aumenta, y aumenta cuando Vs disminuye. Luego Ic aumenta cuando Vs aumenta, y disminuye si Vs disminuye. Es decir, IC est en fase con VS. Dado que el voltaje en RC es IC.RC, dicho voltaje tambin est en fase con VS.
Qu ocurre con VCE?. Observe que VCE = VCC IC.RC [16]
Esto significa que VCE disminuye cuando aumenta IC, luego VCE est en contrafase con VS. En sntesis, con RC se ha logrado lo siguiente: una pequea variacin de tensin (la seal VS) provoca una gran variacin de tensin en la RC (IC.RC) en fase con VS y con una forma similar, es decir se ha conseguido amplificar VS. Observe cul es el objeto de poner el voltaje VBB, llamado tensin de polarizacin. Si no se pusiera VBB, la corriente IC slo podra circular durante los ciclos positivos de VS. O ms correctamente, slo podra circular cuando VS supere la tensin umbral de unos 0,6 volts. Luego IC slo podra seguir la forma de la parte positiva de VS, y la parte negativa se perdera o recortara, lo cual significa que la seal amplificada est distorsionada por estar muy cerca de la zona de corte. Por este motivo se coloca VBB con un valor de tensin suficiente (algo mayor que 0,6 volts) como para establecer un valor de IC intermedio, ICQ, a partir del cual pueda variar hacia arriba y abajo copiando la forma de VS. Por supuesto debe cuidarse que ICQ no sea tan grande, pues de acuerdo a la [16] disminuira tanto VCE que se perdera el desnivel entre emisor y colector impidiendo que IC crezca ms all de un valor algo menor queVCC/RC. La seal amplificada estar distorsionada o recortada" por estar muy cerca de la zona de saturacin.
Electrnica General y Aplicada 2006 Unidad 1b-c- Pgina 20 Recta de carga

Para apreciar mejor los conceptos anteriores, retomamos las curvas de salida del transistor y graficamos sobre ellas la recta que se obtiene graficando la ecuacin 16. En el plano VCE vs IC es una recta que puede obtenerse haciendo: IC = 0 VCE = VCC VCE = 0 IC = VCC/RC IC IC VCC RC punto sobre eje VCE punto sobre eje IC [17]
abcdef
VBE
VCC
VCE
Figura 22. Sobre las curvas de salida se ha trazado la recta de carga para los valores dados de VCC y RC.
Esta recta se denomina Recta de Carga, porque para obtenerla slo es necesario conocer los valores de RC y VCC, no se requiere conocer el transistor que se est utilizando. Sin embargo impone una restriccin a los posibles valores de VCE e IC. Cuando el transistor tiene conectada la RC, su VCE disminuir a medida que aumente IC , es decir los posibles valores simultneos de IC y VCE son los que se encuentran sobre la recta de carga.
Amplificacin de tensin
Si sobre estas curvas graficamos la seal VS, la polarizacin VBB y proyectamos su efecto sobre IC y luego sobre VCE, es posible comprender el efecto de amplificacin de tensin, la necesidad de polarizar con VBB y el problema de que VBB (y por ello IC) sea demasiado grande. IC IC VCC RC
IC
ICQ
abcdef
VBE
VCEQ
VCC
VCE
VS
Figura 23. La seal VS provoca variaciones de IC, y sta a su vez produce variaciones de VCE. La onda inclinada representa la evolucin del punto (VCE , IC) sobre la recta de carga
tiempo
tiempo
VBB
VCEQ

Se puede ver que mediante la polarizacin VBE = VBB se establece un valor de IC = ICQ, y por la cada en RC se obtiene un valor de VCE = VCEQ Al aplicar la seal VS, IC vara en fase con VS, y VCE vara en contrafase con VS. En VCE se obtiene una onda que es la suma de VCEQ ms la variacin que tiene la misma forma que VS pero en contrafase y de valor mucho mayor que VS. Esta variacin de VCE es la seal de salida. En la grfica de la figura 23 las escalas de VBE y VCE no son iguales, VBE puede ser del orden de 0,6 a 0,8 volts, mientras que VCE puede estar en una escala de decenas o cientos de volts, por ejemplo puede ser VCC = 12 volts. Es entonces evidente que la seal de salida est muy amplificada respecto a la seal de entrada VS. Un parmetro importante de un amplificador es el factor de amplificacin, denominado amplificacin de tensin o ganancia de tensin, y que se calcula como: AV=Vsalida/Ventrada = VCE/VS [18]
Por ejemplo si VCE es de unos 6 volts, y VS es de unos 200 milivolts pico a pico, la amplificacin de tensin es de 6/0,2 = 30 Piense sobre las siguientes cuestiones con la ayuda de la grfica de la figura 23: Qu pasara si VBB fuera menor, por ejemplo que estuviera en el punto a? Qu pasara si VBB fuera mayor, por ejemplo que estuviera en el punto e o f ? Qu pasara si RC fuera de la mitad del valor que la utilizada? Y si fuera el doble? Cmo se puede aumentar AV al doble?. Cmo evitara aqu que se recorte la seal?
Un circuito prctico de amplificador Acoplamiento entre etapas

La seal de salida es solamente la parte variable de VCE. La parte constante VCEQ, as como la ICQ, son un mal necesario para que el transistor pueda trabajar como amplificador, recuerde que se debi establecer una corriente media ICQ para poder seguir la forma de VS tanto de las partes positivas como negativas, as como la VCEQ es necesaria para mantener el desnivel que permita la circulacin de IC. Para entregar la seal a la salida debe filtrarse la VCEQ. Esto se logra agregando un capacitor en la salida, llamado capacitor de acoplamiento, porque permite acoplar la seal alterna a la etapa siguiente, mientras que bloquea la componente de continua. Por otra parte, no es prctico tener que utilizar dos fuentes de alimentacin para polarizar el transistor. Lo que se hace es extraer de la VCC, mediante un divisor de tensin, una fraccin de tensin para polarizar la base. Es posible calcular los valores de las resistencias para lograr el voltaje VBB deseado, aplicando el Teorema de Thevenin.
R1 + V1 R2 R1//R2 A + V1.R2/(R1+R2) A
Figura 24. Mediante el Teorema de Thevenin aplicado a un divisor de tensin, se obtiene un modelo simplificado de una batera en serie con una resistencia.
Finalmente para conectar la seal VS, en vez de intercalarla en serie con la VBB, se acopla a la base a travs de un capacitor. As se obtiene el circuito de la figura 25(a), en el que C1 es el capacitor de acoplamiento de entrada, C2 el de salida, y R1-R2 son las resistencias de polarizacin. En la figura 25(b) se muestra un amplificador de 2 etapas. La amplificacin de tensin de un circuito de este tipo es el producto de las amplificaciones de tensin individuales. Por ejemplo si la primera etapa amplifica por 50 y la segunda por 20, la amplificacin total es de 1000. Observe adems que si la seal sufre un nmero par inversiones (eomo en este caso), en la salida estar en nuevamente en fase con la entrada. En la primera etapa, donde se trabaja con una seal muy pequea, se utiliza un transistor de seal , con corrientes IC de unos 10 a 100 mA. El desafo en estas etapas es minimizar el ruido.

La ltima etapa puede trabajar con seales grandes, por lo que se utilizara un transistor de potencia, con corrientes de hasta decenas de amperes. En esta etapa cobra importancia la disipacin del transistor dada principalmente por el producto VCE.IC.
Vcc
Vcc
Vcc
(a)
Rc R1 C1 Q1 NPN R2 Vs Vsalida C2
(b)
Vsalida Vs
Figura 25. (a) Amplificador de tensin acoplado en alterna (b) Amplificador de 2 etapas
Algunas consideraciones sobre Respuesta en Frecuencia

Dado que la reactancia capacitiva Xc a una frecuencia f de un capacitor de capacitancia C es Xc=1/(2..f.C) [18]
El capacitor presenta reactancia infnita a la componente de continua (f=0) evitando que se pierda la polarizacin lograda con R1 y R2. Pero tambin presenta una reactancia importante a bajas frecuencias. El capacitor debe elegirse de un valor de C suficientemente grande para que las componentes de baja frecuencia de la seal (por ejemplo los graves de una seal de audio) no sean atenuadas apreciablemente. El amplificador visto es un amplificador de alterna, no puede amplificar componentes de continua o de muy baja frecuencia, como pueden ser las seales de un sensor que mide variables fsicas que cambian muy lentamente, (por ejemplo temperatura). Para esto hay otros esquemas de amplificadores a transistores acoplados en continua que se estudiarn en la unidad 5. La figura 26 muestra cmo es la respuesta en frecuencia del amplificador de alterna. Es una grfica de Amplificacin de tensin Av en funcin de la frecuencia f. Se hace siempre en escala doble logartmica. Av puede estar expresada en unidades [Volt/Volt], o en decibeles [dB], que se obtiene haciendo 20.log10(Av) . Una amplificacin de 10 es 20dB, 100 es 40dB 1000 es 60 dB etc. Banda de paso
A[dB]
ABP
-3dB 70%
40 20 0 Atenuacin
100 101
Ganancia
Ancho de banda o BW
-20
103 104
f1
102
f2
Figura 26: Respuesta en frecuencia de un amplificador acoplado en alterna. El amplificador tiene una frecuencia de corte inferior f1=30 Hz una frecuencia de corte superior f2=10kHz un ancho de banda BW=f2-f1=10.000-30=9970 Hz (aprox 10kHz), una amplificacin de 40 dB (100 volt/volt) en la banda de paso.

A bajas frecuencias, debido a los capacitores de acoplamiento, presenta un efecto pasa-alto, que es como se denomina a los filtros que dejan pasar las componentes de alta frecuencia y atenan las de baja frecuencia. A altas frecuencias, debido a los efectos capacitivos de las junturas Colector-Base y EmisorBase (recuerde las consideraciones sobre diodos lentos y diodos rpidos), y debido al tiempo de trnsito de los portadores por la base, el control de corriente en el transistor comienza a ser deficiente, disminuyendo la amplificacin. Se presenta aqu un efecto pasa-bajo, es decir las altas frecuencias se atenan. En las hojas de datos de los transistores se especifica un parmetro denominado frecuencia de transicin, que es la frecuencia a la que la ganancia de corriente cae a 1 ( =1). Preste atencin a los conceptos definidos en la grfica. Se denominan frecuencias de corte o frecuencias cuadrantales a las frecuencias a las que la amplificacin cae 3dB (o al 70%) en relacin con la amplificacin en la Banda de Paso. La frecuencia de corte inferior f1 es debida al efecto pasa-alto, y la superior f2 al efecto pasabajo. El ancho de banda BW se calcula como la diferencia entre ambas frecuencias. BW = f2 f1 [19]
El concepto de ancho de banda BW es fundamental para caracterizar multiplicidad de dispositivos y equipos electrnicos, lneas de transmisin, seales etc.
d-2 Las tres configuraciones bsicas. EC. BC . CC

Para que el transistor trabaje como amplificador hay que mantener el desnivel de potencial entre emisor y colector, controlar la altura de la barrera de potencial entre la base y el emisor, y aplicar la corriente generada a una carga.
Emisor Comn (EC)

En la configuracin que hemos visto, denominada Emisor Comn, la seal de entrada Vs vara el potencial en la base mientras que el potencial de emisor se mantiene constante. El voltaje de salida se toma entre colector y emisor. Vs tiene que suminitrar una corriente muy pequea, correspondiente a las variaciones de IB, de acuerdo a las variaciones de IC producidas en la carga. Se dice que la configuracin Emisor Comn amplifica tensin y amplifica corriente.
Vcc
(a)
Rc
(b)
+ Vcc
(c)
R1 Cb + Vs Rc + Vs R2 Rc C2 Vsalida
+ Vs + Vbb
Figura 27: Amplificador en emisor comn. (a) Esquema terico (b) Circuito equivalente para seal (c) Montaje real. La seal se acopla a la base y la carga al colector.
Base Comn (BC)

Otra posibilidad es mantener el potencial de base constante y variar el potencial de emisor. Esta configuracin se denomina Base Comn. De manera similar a la configuracin EC, con pequeas variaciones de la tensin de base se lograrn grandes variaciones en la tensin de salida, es decir se tiene amplificacin de tensin. Sin embargo la fuente de seal Vs debe suministrar tanta corriente como solicite la carga, (en rigor, la carga solicita IC y la fuente debe entregar IE = IC+IB ). Luego, la configuracin Base Comn amplifica tensin pero no amplifica corriente. Esta configuracin tiene importantes ventajas en aplicaciones de alta frecuencia. se puede demostrar que dado un cierto transistor, en CC se consiguen frecuencias de corte superior veces ms altas que en EC. Por ejemplo suponga que la grfica de la figura 26 corresponde a un amplificador EC con un transistor que tiene un =100, si con el mismo transistor realiza un amplificador BC, la frecuencia de corte superior ser 10kHz . 100 = 1MHz. Adems la seal de salida est en fase con la seal de entrada. Eduardo Iriarte Facultad de Ingeniera Universidad Nacional de Cuyo

Vcc
(a)
Rc Vcc
(b)
+
(c)
Rc R1
+
+ Vbb + Vs Re
C2
Vs -
Rc
Cb R2 C1
Vsalida
+ Vs -
Figura 28: Amplificador en base comn. (a) Esquema terico. (b) Circuito equivalente para seal (c) Montaje real. Observe que es similar al de EC, pero la base se acopla a masa para la seal, y Vs se acopla al emisor mediante C1 y Re.
Colector Comn (CC)

En esta configuracin la entrada Vs se aplica como en la de EC, es decir en la base. La modificacin es que la carga, en vez de ponerse del lado del Colector, se conecta del lado del Emisor. En este circuito ocurre lo siguiente: cuando Vs aumenta, aumenta VB. Suponiendo que VE se mantiene constante, aumenta la polarizacin directa VBE, luego IE crece. Pero si IE crece aumentar la cada de tensin en RE, y por tanto aumentar VE, lo que disminuye la polarizacin directa!. Es decir el efecto final (aumento de VE) se opone a la causa que lo produce (aumento VBE). Este fenmeno de compensacin en el que la salida influye sobre la entrada se denomina realimentacin negativa. Si cuando aumenta VS aumenta VE prcticamente en igual cantidad, significa que la tensin de la seal de salida es igual que la tensin de la seal de entrada. En apariencia este circuito no tiene utilidad porque no amplifica tensin. Sin embargo tiene una importante caracterstica: muy alta impedancia de entrada. Qu significa esto y para qu sirve?. Al igual que en fuentes de tensin continua, una seal real puede ser representada como una fuente de tensin en serie con una resistencia, o mejor dicho, impedancia interna. A sta se la denomina impedancia de salida. Si la impedancia de salida es alta significa que cuando se intenta medir el potencial de la seal, si el voltmetro utilizado no es ideal (impedancia infinita) habr una cada de tensin significativa en dicha impedancia. Hay seales que presentan muy alta impedancia de salida, por ejemplo las seales biolgicas son potenciales que slo pueden ser captados por instrumentos con muy alta impedancia de entrada. El amplificador de Colector Comn presenta una impedancia de entrada que es prcticamente la resistencia de Emisor multiplicada por (+1). Por ejemplo si RE=10kohm y =400, la impedancia de entrada es de 10kohm.400 = 4Mohm. Hay aplicaciones de potencia en las que la carga tiene muy baja impedancia y tambin se utiliza esta configuracin. Dicho de otra manera, la configuracin Colector Comn amplifica corriente pero no amplifica tensin. Por otra parte, debido al efecto de realimentacin negativa, tiene la misma ventaja en aplicaciones de alta frecuencia - respecto al de EC- que el BC. Hay un circuito muy utilizado en alta frecuencia llamado amplificador Cascode, que acopla una etapa de Colector Comn con una de Base Comn, consiguiendo as amplificacin de Tensin y de Corriente y gran ancho de banda.
Vcc
(a)
+ Vcc
(b)
(c)
R1 Cb
+
+ Vs + Vbb Re Vsalida
Re
+ Vs R2 Re
Vsalida C1
Vs -
Figura 29: Amplificador en Colector Comn. (a) Esquema terico (b) Circuito equivalente para seal. Montaje real. Vs se acopla a la base mediante Cb, como en el EC, pero la carga se conecta en el emisor.
Electrnica General y Aplicada 2006 Unidad 1b-c- Pgina 25 Resumen de las tres configuraciones
En la tabla se resumen las principales caractersticas de las tres configuraciones bsicas.
Emisor Comn Ganancia de >>1 (proporcional a Rc) tensin Ganancia de >>1 (aproximadamente ) corriente Media Impedancia de entrada Respuesta en Limitada por transistor a fT/ frecuencia General Aplicacin
Base Comn >>1

(proporcional a Rc)
Colector Comn o Seguidor de Emisor =1 >>1

(aproximadamente ) Alta Muy buena fT (frecuencia de transicin)
<1 ( = IC/IE)
Baja Muy buena fT (frecuencia de transicin) Alta frecuencia
Alta frecuencia y adaptacin de impedancias Tabla 1. Resumen de las configuraciones bsicas del amplificadores a transistor
f- El transistor como llave. Rgimen de conmutacin

Hemos visto cmo haciendo trabajar al transistor en la zona activa es posible amplificar seales. Sin embargo las aplicaciones que ms han crecido en los ltimos aos utilizan al transistor en rgimen de conmutacin. Adems de ser parte fundamental de los sistemas digitales (recuerde lo dicho sobre lgica de llaves), tambin se utiliza el rgimen de conmutacin en las fuentes de las PC, en amplificadores de muy alta eficiencia para reproductores porttiles (por el bajo consumo necesario), en amplificadores de muy alta potencia, y lo que ms interesa en nuestra especialidad: el control de potencia en la industria. La potencia total que disipa por efecto Joule un elemento de dos terminales, como una resistencia, se calcula como P = V.I siendo I la corriente que conduce y V la tensin entre terminales. En el transistor, siendo un dispositivo de tres terminales, deben sumarse las disipaciones VCE.IC y VBE.IB, que prcticamente es VCE.IC (VBE e IB son comparativamente muy pequeas). En la figura 30 se muestran tres puntos de funcionamiento del transistor. En el punto A, en mitad de la zona activa, el transistor disipa la mxima potencia, representada por el rea del rectngulo. Numricamente en este punto P = IC.VCE = VCC/(2.RC).VCC/2=VCC2/(4.RC). En el punto de corte C disipa una potencia P= VCC.Icorte ~ VCC.0 = 0, se comporta como una llave abierta.
VCC RC
IC S
VBE = VBES
ISAT
VCC 2.Rc
C VCEsat VCC 2 VCC VCE
VBE = VBEC = 0
Figura 30: Potencia disipada por el transistor en los puntos de saturacin (S), Corte (C) y de mxima disipacin (A), representada por las reas de los rectngulos respectivos.
En el punto S (saturacin) P = VCEsat.ISAT ~ 0. VCC/RC = 0, se comporta como una llave cerrada. Es decir en los puntos S y C la disipacin es mnima. Para que el transistor trabaje slo como llave abierta o cerrada la VBE debe pasar de VBES a VBEC en un tiempo muy breve. Para esto la seal VS , debe ser una onda rectangular o cuadrada de amplitud suficiente. En estas aplicaciones, salvo algunos casos especiales, no se utiliza polarizacin. Por eso tampoco se requiere capacitor de acoplamiento, por lo que la seal se conecta directamente a la entrada. Eduardo Iriarte Facultad de Ingeniera Universidad Nacional de Cuyo
Vcc
Vcc
Rc Rb + Vs + Vs
Rc
Figura 31: El transistor en conmutacin trabaja como una llave que abre y cierra
En aplicaciones de potencia la resistencia Rc es la carga a la que se suministra la energa, por ejemplo un motor, la bobina de un rel, un primario de transformador elevador, etc. En aplicaciones digitales Rc es una resistencia que se coloca para que el circuito trabaje como inversor lgico, transformando los unos (niveles altos) en ceros (niveles bajos) y viceversa. Esta aplicacin se ver en la unidad 3.
Asegurando la conmutacin
El punto de corte se consigue fcilmente haciendo Vs=0. Conseguir que el transistor llegue a saturacin es relativamente sencillo colocando una RB ms bien baja, pero si se quiere un diseo ms preciso debe realizarse el siguiente clculo: Calcular la IC de saturacin, dada aproximadamente por ICsat ~ VCC/RC De la hoja de datos del transistor tomar el hFE (el mnimo garantizado) y calcular IBsat=ICsat/ El valor del nivel alto de VS, o el valor de RB (o ambas cosas) se obtiene de IB = (VS-0,6)/RB IB > IBsat [20]
Ejemplo: Se quiere alimentar un motor de 12 volts y 4 Amperes con un transistor 2N3055. La seal a aplicar VS es de 5 volts. ICsat ~ 4 amperes El 2N3055 tiene garantizado un hFE mnimo de 20 (aunque tpico de 70), luego ser IBsat = ICsat/hFE = 4/20 =0,2 A (5 - 0,6)/RB > 0,2 A RB < (5-0,6)/0,2 A = 22 ohms Notas: Vs debe poder entregar los 0,2 A. Si no es as puede intercalarse otro transistor como seguidor de tensin en la entrada, formando un circuito conocido como Darlington. El diodo en paralelo con el motor evita la sobretensin que se produce al conmutar una carga inductiva, que podra provocar la ruptura del transistor.
Rb + Vs M 12
Caractersticas dinmicas del transistor en conmutacin

Un transistor ideal debera excitado con onda cuadrada debera pasar de corte a saturacin de manera instantnea. En la prctica el transistor presenta efectos capacitivos en las junturas Colector-Base y Emisor-Base adems de un tiempo de trnsito de portadores por la base, lo que se traduce en retardos en la conmutacin. Adems del inconveniente referido a la prdida de velocidad que esto supone, est el problema de que mientras el transistor pasa del corte a la saturacin y de la saturacin al corte, transita por la

zona activa disipando potencia. A mayor frecuencia de conmutacin, ms cantidad de veces pasa por la zona activa y mayor disipacin de potencia sufrir. Si la excitacin es de mayor amplitud que la estrictamente necesaria para pasar a la saturacin, o la RB se hace ms chica, el paso de corte a saturacin ser ms rpido, pero se alarga el tiempo para pasar de saturacin a corte. Esto se debe a que la sobresaturacin implica ms portadores transitando por la base, que demorarn ms en terminar de difundirse al colector. Lo que se suele hacer es colocar un capacitor en paralelo con la RB, lo que provoca una corriente inicial mayor pero que se reduce a un valor menor antes de que se quiera pasar nuevamente al corte.
V2 +10V
0.000us
A: v1_1
5.000us
10.00us
15.00us
20.00us
25.00us
30.00us
35.00us
40.00us
45.00us
50.00us 5.000 V
0.000 V 12.00 V
0.000 V 11.00mA
-1.000mA 35.00mW
-5.000mW
V1 0/5V
A
Rb
100k
1k B C D BC547C
R1
B: q1_3
C: q1[ic]
100kHz
D: q1[p]
+ V2 10V
0.000us
A: v1_1
5.000us
10.00us
15.00us
20.00us
25.00us
30.00us
35.00us
40.00us
45.00us
50.00us 5.000 V
0.000 V 12.50 V
-2.500 V 12.50mA
-2.500mA 90.00mW
-30.00mW
C1 10pf V1 0/5V Rb
A B C
R1 1k
B: q1_3
C: q1[ic]
220k
DBC547C
D: q1[p]
100kHz
Figura 32: Disipacin en el transistor en rgimen de conmutacin. El agregado de un capacitor en paralelo con la resistencia de base acelera los tiempos de carga y descarga de las capacidades parsitas del transistor.
Resumen
En Electrnica hay 2 modos bsicos de funcionamiento: rgimen lineal y rgimen de conmutacin. El primero se utiliza en sistemas analgicos de baja y media potencia, mientras que el segundo se utiliza en sistemas digitales y en sistemas de media y alta potencia. En ambos casos se utiliza el transistor, trabajando de manera diferente: En rgimen lineal trabaja como una fuente de corriente controlada. Debe polarizarse la juntura Base-Emisor, para colocar el punto de trabajo en una zona conveniente que permita reproducir la forma de la seal a amplificar y evitar las distorsiones por saturacin o corte. Se ha visto cmo realizar la polarizacin con una nica fuente Vcc y resistencias formando un divisor de tensin, aplicando el teorema de Thevenin. Para acoplar seal y carga se han utilizado capacitores, que producen un efecto pasa-alto en bajas frecuencias. Si se precisa amplificar seales muy lentas debe recurrirse a otro tipo de montajes que se vern en la unidad 5. En la zona de alta frecuencia las capacidades propias del transistor producen un efecto pasa-bajo. Las otras configuraciones vistas adems de la de Emisor Comn, esto es las de Base Comn y Colector Comn, aunque no parecen ventajosas desde el punto de vista de la ganancia de corriente o tensin, tienen mejor respuesta en alta frecuencia, y utilizadas en conjunto pueden reemplazar con ventaja a una nica etapa de Emisor Comn. Para rgimen de conmutacin no se polariza, y la seal es tipo rectangular. El transistor trabaja como llave abierta o cerrada y la disipacin es menor, pero por los retardos propios del transistor puede producirse una disipacin importante durante la conmutacin. Para mejorar esto puede utilizarse un capacitor de bajo valor en paralelo con la resistencia de base. El transistor en conmutacin se utiliza en circuitos digitales que se vern en la unidad 3 y en circuitos de potencia que se vern en la unidad 2. Entonces conoceremos una tcnica denominada Modulacin de Ancho de Pulso, que permite un control gradual de la potencia, pero con transistores trabajando en conmutacin.
Electrnica General y Aplicada 2006 Unidad 1 Anexo-Hojas de datos 1/9
1N/FDLL 914/A/B / 916/A/B / 4148 / 4448
Discrete POWER & Signal Technologies
1N/FDLL 914/A/B / 916/A/B / 4148 / 4448

COLOR BAND MARKING DEVICE FDLL914 FDLL914A FDLL914B FDLL916 FDLL916A FDLL916B FDLL4148 FDLL4448 1ST BAND 2ND BAND BLACK BLACK BROWN BLACK BLACK BROWN BLACK BROWN BROWN GRAY BLACK RED WHITE BROWN BROWN BLACK
LL-34 DO-35
THE PLACEMENT OF THE EXPANSION GAP HAS NO RELATIONSHIP TO THE LOCATION OF THE CATHODE TERMINAL
High Conductance Fast Diode

Sourced from Process D3.
Absolute Maximum Ratings*

Symbol
W IV IO IF if if(surge) Working Inverse Voltage Average Rectified Current DC Forward Current Recurrent Peak Forward Current
TA = 25C unless otherwise noted
Parameter
Value
75 200 300 400 1.0 4.0 -65 to +200 175
Units
V mA mA mA A A C C
Tstg TJ
Peak Forward Surge Current Pulse width = 1.0 second Pulse width = 1.0 microsecond Storage Temperature Range Operating Junction Temperature
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES: 1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C. 2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
PD RJA
Characteristic
Total Device Dissipation Derate above 25C Thermal Resistance, Junction to Ambient
Max
1N/FDLL 914/A/B / 4148 / 4448 500 3.33 300
Units
mW mW/C C/W
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
1N/FDLL 914/A/B / 916/A/B / 4148 / 4448

(continued)
Electrical Characteristics
Symbol
BV IR
Parameter
Breakdown Voltage Reverse Current
Test Conditions
IR = 100 A IR = 5.0 A VR = 20 V VR = 20 V, TA = 150C VR = 75 V IF = 5.0 mA IF = 5.0 mA IF = 10 mA IF = 20 mA IF = 30 mA IF = 100 mA VR = 0, f = 1.0 MHz VR = 0, f = 1.0 MHz IF = 10 mA, VR = 6.0 V (60 mA), Irr = 1.0 mA, RL = 100
Min
100 75
Max
Units
V V nA A A mV mV V V V V pF pF nS
VF
CO
TRR
1N914B / 4448 1N916B 1N914 / 916 / 4148 1N914A / 916A 1N916B 1N914B / 4448 Diode Capacitance 1N916/A/B / 4448 1N914/A/B / 4148 Reverse Recovery Time
Forward Voltage
620 630
25 50 5.0 720 730 1.0 1.0 1.0 1.0 2.0 4.0 4.0
Typical Characteristics
REVERSE VOLTAGE vs REVERSE CURRENT BV - 1.0 to 100 uA

V R - REVERSE VOLTAGE (V) V R
REVERSE CURRENT vs REVERSE VOLTAGE IR - 10 to 100 V

IR - REVERSE CURRENT (nA) 120
Ta= 25C
160 150 140 130 120 110
Ta= 25C
100 80 60 40 20 0 10 20 30 50 VR - REVERSE VOLTAGE (V) 70 100
5 10 20 30 50 I R - REVERSE CURRENT (uA)
100
GENERAL RULE: The Reverse Current of a diode will approximately double for every ten (10) Degree C increase in Temperature
FORWARD VOLTAGE vs FORWARD CURRENT VF - 1 to 100 uA

V F - FORWARD VOLTAGE (mV) 550 500 450 400 350 300 250 1 2 3 5 10 20 30 50 IF - FORWARD CURRENT (uA) 100
Ta= 25C
FORWARD VOLTAGE vs FORWARD CURRENT VF - 0.1 to 100 mA

V F - FORWARD VOLTAGE (mV) 750 700 650 600 550 500 450 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 I F - FORWARD CURRENT (mA) 10
Ta= 25C
1N/FDLL 914/A/B / 916/A/B / 4148 / 4448

(continued)
(continued)
FORWARD VOLTAGE vs FORWARD CURRENT VF - 10 to 800 mA

V V F F - FORWARD VOLTAGE (mV)
VF - 0.01 - 20 mA (-40 to +65 Deg C) FORWARD VOLTAGE vs AMBIENT TEMPERATURE

900 800 700 600 500 400 300 0.01 0.03 0.1 0.3 1 3 I F - FORWARD CURRENT (mA) 10
Ta= +65C
Typical
V F - FORWARD VOLTAGE (V)
1.6 1.4 1.2 1 0.8
Ta= 25C
Ta= -40C Ta= +25C
0.6 10
20
30 50 100 200 300 I F - FORWARD CURRENT (mA)
500
CAPACITANCE vs REVERSE VOLTAGE VR = 0.0 to 15 V

Ta= 25C
REVERSE RECOVERY TIME vs REVERSE CURRENT

REVERSE RECOVERY (nS) 4 3.5 3 2.5 2 1.5 1 10 20 30 40 50 REVERSE CURRENT (mA) 60
Ta= 25C
0.9 CAPACITANCE (pF)
0.85
0.8
0.75
4 6 8 10 REVERSE VOLTAGE (V)
12
14
IF = 10 mA - IRR = 1.0 mA - Rloop = 100 Ohms
P P D D - POWER DISSIPATION (mW)
Average Rectified Current (Io) & Forward Current (I F) versus Ambient Temperature (TA)
500 I - CURRENT (mA) 400 300 200 100 0
IR -F OR WA RD
POWER DERATING CURVE

500
DO-35
400
Io - A ST VER AT AGE EREC TIFIE mA D CU RRE NT mA
CU RR EN TS TE AD Y
300
SOT-23
200
100
50 100 150 o TA - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
50 100 150 IO - AVERAGE TEMPERATURE ( oC)
200
1N4001-1N4007
1N4001 - 1N4007
Features
Low forward voltage drop. High surge current capability.
DO-41
COLOR BAND DENOTES CATHODE
General Purpose Rectifiers

Absolute Maximum Ratings*
Symbol
VRRM IF(AV) IFSM
Parameter
4001
Peak Repetitive Reverse Voltage Average Rectified Forward Current, .375 " lead length @ TA = 75C Non-repetitive Peak Forward Surge Current 8.3 ms Single Half-Sine-Wave Storage Temperature Range Operating Junction Temperature 50
Value
4002
100
Units
4005
600
4003
200
4004
400 1.0 30
4006 4007
800 1000 V A A C C
Tstg TJ
-55 to +175 -55 to +175
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Thermal Characteristics
Symbol
PD RJA
Parameter
Power Dissipation Thermal Resistance, Junction to Ambient
Value
3.0 50
Units
W C/W
Electrical Characteristics
Symbol
VF Irr IR CT
Parameter
4001
Forward Voltage @ 1.0 A Maximum Full Load Reverse Current, Full Cycle TA = 75C Reverse Current @ rated VR TA = 25C TA = 100C Total Capacitance VR = 4.0 V, f = 1.0 MHz
Device
4002 4003 4004
1.1 30 5.0 500 15
Units
4005 4006 4007
V A A A pF
1N4001-1N4007, Rev. C1
1N4001-1N4007
General Purpose Rectifiers

(continued)
Forward Current Derating Curve

1.6 FORWARD CURRENT (A) 1.4
Forward Characteristics
20 10 FORWARD CURRENT (A) 4 2 1 0.4 0.2 0.1 0.04 0.02 0.01 0.6
T J = 25C Pulse Width = 300S 2% Duty Cycle
1.2 1 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0

SINGLE PHASE HALF WAVE 60HZ RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD .375" 9.0 mm LEAD LENGTHS
20
40 60 80 100 120 140 AMBIENT TEMPERATURE ( C)
160
180
0.8 1 1.2 FORWARD VOLTAGE (V)
1.4
Non-Repetitive Surge Current

FORWARD SURGE CURRENT (A) pk 30 REVERSE CURRENT ( A) 1000
Reverse Characteristics
24
100
TJ = 150C
18
10
TJ = 100C
12
0.1
T J = 25C
4 6 8 10 20 40 60 NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
100
0.01
20 40 60 80 100 120 RATED PEAK REVERSE VOLTAGE (%)
140
1N4001-1N4007, Rev. C1
BC546/547/548/549/550
BC546/547/548/549/550
Switching and Applications
High Voltage: BC546, VCEO=65V Low Noise: BC549, BC550 Complement to BC556 ... BC560
TO-92
1. Collector 2. Base 3. Emitter
NPN Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted
Symbol VCBO Collector-Base Voltage Parameter : BC546 : BC547/550 : BC548/549 Value 80 50 30 65 45 30 6 5 100 500 150 -65 ~ 150 Units V V V V V V V V mA mW C C
VCEO
Collector-Emitter Voltage : BC546 : BC547/550 : BC548/549 Emitter-Base Voltage Collector Current (DC) Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature : BC546/547 : BC548/549/550
VEBO IC PC TJ TSTG
Electrical Characteristics Ta=25C unless otherwise noted

Symbol ICBO hFE VCE (sat) VBE (sat) VBE (on) fT Cob Cib NF Parameter Collector Cut-off Current DC Current Gain Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter On Voltage Current Gain Bandwidth Product Output Capacitance Input Capacitance Noise Figure : BC546/547/548 : BC549/550 : BC549 : BC550 Test Condition VCB=30V, IE=0 VCE=5V, IC=2mA IC=10mA, IB=0.5mA IC=100mA, IB=5mA IC=10mA, IB=0.5mA IC=100mA, IB=5mA VCE=5V, IC=2mA VCE=5V, IC=10mA VCE=5V, IC=10mA, f=100MHz VCB=10V, IE=0, f=1MHz VEB=0.5V, IC=0, f=1MHz VCE=5V, IC=200A f=1KHz, RG=2K VCE=5V, IC=200A RG=2K, f=30~15000MHz 580 Min. 110 90 200 700 900 660 300 3.5 9 2 1.2 1.4 1.4 10 4 4 3 6 700 720 Typ. Max. 15 800 250 600 mV mV mV mV mV mV MHz pF pF dB dB dB dB Units nA
hFE Classification
Classification hFE
A 110 ~ 220
B 200 ~ 450
C 420 ~ 800
Rev. A2, August 2002
BC546/547/548/549/550
100
100
80
IB = 350A IB = 300A IB = 250A IB = 200A
IC[mA], COLLECTOR CURRENT
IB = 400A
VCE = 5V
10
60
40
IB = 150A IB = 100A
20
IB = 50A
0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
0.1 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
VBE[V], BASE-EMITTER VOLTAGE
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. Transfer Characteristic
VBE(sat), VCE(sat)[mV], SATURATION VOLTAGE
10000
VCE = 5V
1000
IC = 10 IB
hFE, DC CURRENT GAIN
1000
V BE(sat)
100
100
10
V CE(sat)
1 1 10 100 1000
10 1 10 100 1000
IC[A], COLLECTOR CURRENT
Figure 3. DC current Gain
Figure 4. Base-Emitter Saturation Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage
100
1000
fT, CURRENT GAIN-BANDWIDTH PRODUCT
Cob[pF], CAPACITANCE
f=1MHz IE = 0
10
VCE = 5V
100
10
0.1 1 10 100 1000
1 0.1
10
100
V CB[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
Figure 5. Output Capacitance
Figure 6. Current Gain Bandwidth Product
Rev. A2, August 2002
2N3055(NPN), MJ2955(PNP)
Preferred Device
Complementary Silicon Power Transistors

Complementary silicon power transistors are designed for generalpurpose switching and amplifier applications.
Features http://onsemi.com
DC Current Gain hFE = 2070 @ IC = 4 Adc CollectorEmitter Saturation Voltage

VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc Excellent Safe Operating Area PbFree Packages are Available*
15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS, 115 WATTS

Value 60 70 100 7 15 7 115 0.657 65 to +200 Unit Vdc Vdc Vdc Vdc Adc Adc W W/C C TO204AA (TO3) CASE 107 STYLE 1
MAXIMUM RATINGS
Rating CollectorEmitter Voltage CollectorEmitter Voltage CollectorBase Voltage EmitterBase Voltage Collector Current Continuous Base Current Total Power Dissipation @ TC = 25C Derate Above 25C Operating and Storage Junction Temperature Range Symbol VCEO VCER VCB VEB IC IB PD TJ, Tstg
MARKING DIAGRAM
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and reliability may be affected. 160 PD, POWER DISSIPATION (WATTS) 140 120 100 80 60 40 20 0 0 25 50 75 100 125 150 175 200 2N3055 2N3055G MJ2955 MJ2955G *For additional information on our PbFree strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005
xxxx55G AYYWW MEX
xxxx55 G A YY WW MEX
= Device Code xxxx = 2N30 or MJ20 = PbFree Package = Location Code = Year = Work Week = Country of Orgin
ORDERING INFORMATION
Device Package TO204AA TO204AA (PbFree) TO204AA TO204AA (PbFree) Shipping 100 Units / Tray 100 Units / Tray 100 Units / Tray 100 Units / Tray
Figure 1. Power Derating
TC, CASE TEMPERATURE (C)
Preferred devices are recommended choices for future use and best overall value.
December, 2005 Rev. 6
Publication Order Number: 2N3055/D

THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic Symbol RqJC Max Unit Thermal Resistance, JunctiontoCase 1.52 _C/W
2N3055(NPN), MJ2955(PNP) Electrnica General y Aplicada 2006 Unidad 1 Anexo-Hojas de datos 9/9
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)

Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS*
CollectorEmitter Sustaining Voltage (Note 1) (IC = 200 mAdc, IB = 0) CollectorEmitter Sustaining Voltage (Note 1) (IC = 200 mAdc, RBE = 100 W) Collector Cutoff Current (VCE = 30 Vdc, IB = 0)
VCEO(sus) VCER(sus) ICEO ICEX
60 70
Vdc Vdc

0.7 1.0 5.0 5.0 mAdc mAdc Collector Cutoff Current (VCE = 100 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) (VCE = 100 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C) Emitter Cutoff Current (VBE = 7.0 Vdc, IC = 0) IEBO mAdc ON CHARACTERISTICS* (Note 1) DC Current Gain (IC = 4.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) (IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc) hFE 20 5.0 VCE(sat) VBE(on) 1.1 3.0 1.5 70 Vdc

BaseEmitter On Voltage (IC = 4.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) Vdc SECOND BREAKDOWN Second Breakdown Collector Current with Base Forward Biased (VCE = 40 Vdc, t = 1.0 s, Nonrepetitive) Is/b 2.87 Adc DYNAMIC CHARACTERISTICS Current Gain Bandwidth Product (IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz) *SmallSignal Current Gain (IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc, f = 1.0 kHz) fT 2.5 15 10 MHz hfe 120 *SmallSignal Current Gain Cutoff Frequency (VCE = 4.0 Vdc, IC = 1.0 Adc, f = 1.0 kHz) fhfe kHz *Indicates Within JEDEC Registration. (2N3055) 1. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%. 20 50 ms IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) 10 6 4 2 1 0.6 0.4 0.2 6 BONDING WIRE LIMIT THERMALLY LIMITED @ TC = 25C (SINGLE PULSE) SECOND BREAKDOWN LIMIT 10 20 40 VCE, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS) 60 500 ms 250 ms dc 1 ms
CollectorEmitter Saturation Voltage (IC = 4.0 Adc, IB = 400 mAdc) (IC = 10 Adc, IB = 3.3 Adc)
There are two limitations on the power handling ability of a transistor: average junction temperature and second breakdown. Safe operating area curves indicate IC VCE limits of the transistor that must be observed for reliable operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipation than the curves indicate. The data of Figure 2 is based on TC = 25C; TJ(pk) is variable depending on power level. Second breakdown pulse limits are valid for duty cycles to 10% but must be derated for temperature according to Figure 1.
Figure 2. Active Region Safe Operating Area
http://onsemi.com
2

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Figura 1: Estructura cristalina de C, Si, Ge,

Electrones y huecos. Generacin y recombinacin

Figura 2: Movimiento de electrones y huecos en el semiconductor

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Barreras de potencial para electrones y huecos

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El Diodo. Rectificadores monofsicos

Figura 8: Esquema fsico y smbolo elctrico del diodo semiconductor

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Figura 9: El diodo con polarizacin directa (ilustrado para los electrones)

El diodo con polarizacin inversa

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Modelos para el anlisis de circuitos con diodos

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0.000ms A: v1_1 B: c1_2

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Campo elctrico debido a la carga espacial

Figura 19: Formacin de las barreras de potencial en un semiconductor N-P-N

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A la relacin entre IC e IB , se la denomina ganancia de corriente en Emisor Comn = IC/IB [15]

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Curvas del transistor

Curva de transferencia (con VCE aplicado)

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e- El transistor en Rgimen Lineal. Amplificacin

Figura 23: El transistor como amplificador de tensin

Qu ocurre con VCE?. Observe que VCE = VCC IC.RC [16]

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Electrnica General y Aplicada 2006 Unidad 1b-c- Pgina 20 Recta de carga

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