CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO.

Autores: Johanna Snchez,

transistor un mayor control sobre la corriente de drenador. RESUMENEn la presente prctica se hace la descripcin de las caractersticas del transistor de efecto de campo, donde se harn mediciones al dispositivo MOSFET. Con base a los resultados experimentales se identifican las ventajas y desventajas de acuerdo a la hoja del fabricante.

PALABRAS CLAVES-Parmetros, Voltaje de umbral, Transistores MOSFET

INTRODUCCION
En esta prctica se realizara mediciones experimentales para tratar de obtener las medidas del transistor de efecto de campo en circuitos bsicos de polarizacin, los mismos componentes utilizados ampliamente en dispositivos electrnicos. Luego, las mediciones tomadas experimentalmente sern comparadas con las entregadas por las hojas de datos suministradas por los fabricantes, de forma de verificar que los procedimientos hayan sido correctos.

Tipo de enriquecimiento Este tipo de MOSFET est diseado de tal manera que slo admite la forma de trabajo en modo de enriquecimiento. La aplicacin fundamental de este transistor se realiza en circuitos digitales, microprocesadores, etc. En las siguientes figuras (a), se muestran un ejemplo de las curvas de drenador y en la (b) las de transconductancia de este tipo de MOSFET.

Smbolos de los mosfet En la siguiente figura, podemos ver un transistor MOSFET de canal N (punta hacia adentro) con cuatro terminales disponibles. El terminal de sustrato est libre, en algunos casos, para dar al

Como se podr observar en las curvas caractersticas, este transistor slo conduce cuando son aplicadas tensiones positivas al drenador, por lo que normalmente estar en no conduccin o apagado. El smbolo que representa al MOSFET de enriquecimiento son los que se indican en las siguientes figuras, siendo el (a) de enriquecimiento y canal N y en el (b) MOSFET de enriquecimiento y canal P

Curvas caractersticas del MOSFET canal n. transistor MOSFET canal N del circuito integrado 2N7000. Para realizar la medicin se implement el circuito mostrado en la Fig. 3 a). Las fuentes fueron programadas de la siguiente manera: Fuente 1 (VD): hace un barrido de voltaje desde 0 V hasta 12V.

Grafica A 1

Fuente 2 (VG): Al terminar la fuente 1 el barrido de voltaje, F2 incrementa el voltaje de compuerta en 1 V. Este ciclo se repiti hasta que F1 completa el barrido de voltaje con VG=5 V.

Fuente 3 (VS): Esta fuente se mantiene a un valor constate de CERO volts y se programa para realizar una medicin de la corriente IDS para cada condicin de polarizacin aplicada.

Grafica A 2

Grafica A 3

MATERIALES 3 transistores NPN tipo 2N222 47k a 2watt 220 Condensador 1microfaradio

REFERENCIAS

Conclusiones
Los mtodos de extrapolacin de la caracterstica lineal y extrapolacin de la curva IDS vs VGS permiten la extraccin del voltaje de umbral de los transistores MOSFET a partir de las mediciones experimentales. La sencillez de estos mtodos es la ventaja que ha hecho de de los mismos las tcnicas ms comnmente utilizadas. Sin embargo, cuando la dependencia de la corriente de drenador es diferente a la los valores convencionales, como en el caso de los transistores del circuito 2N7000, el uso de estas tcnicas es incorrecto debido a que las ecuaciones convencionales no son validas.

http://www.eng.yale.edu/eelabs/morse/compo/datasheets/2n2222.pdf http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/S GSThomsonMicroelectronics/mXttwyu.pdf http://www.profesormolina.com.ar/electronica/ datasheets/downloads/2n3904.pdf http://www.profesormolina.com.ar/electronica/ datasheets/downloads/2n3906.pdf http://www.farnell.com/datasheets/243371.pdf http://alltransistors.com/es/transistor.php?tran sistor=46901 http://www.fairchildsemi.com/ds/TI/TIP42.pdf http://www.st.com/internet/com/TECHNICAL_ RESOURCES/TECHNICAL_LITERATURE/D ATASHEET/CD00000895.pdf