DIODOS DE UNION SEMICONDUCTORES

INTEGRANTES:

Flores Soraluz, Gyver I. Lizana Barrera, Luis A. Nuez Davila, Edu Romero Napo, B. Jefferson

DIODOS DE UNION SEMICONDUCTORES

Semiconductores:
Los semiconductores son solidos cuya resistividad esta entre la de los conductores elctricos y la de los aislantes elctricos. Los diodos de unin son ejemplos de semiconductores. Mediante dispositivos semiconductores se llevan a cabo diversas funciones de control. Pueden utilizarse como rectificadores, amplificadores, detectores, osciladores y elementos de conmutacin. Algunas caractersticas de los semiconductores son las siguientes: 1. Los semiconductores son solidos. Por ellos, es muy poco probable que vibren. 2. Los semiconductores consumen poca energa e irradian poco calor. No requieren tiempo de calentamiento y empiezan a funcionar en cuanto les suministra energa. 3. Los semiconductores son fuertes y se pueden configurar para que permanezcan hermticos antes las condiciones del medio externo. Junto con su tamao reducido, estas caractersticas permiten que grandes circuitos ocupen un espacio mnimo.

Materiales semiconductores e impurezas

El silicio y en menor grado el germanio son los materiales con los que actualmente se construyen los dispositivos semiconductores. Predomina el silicio, por ser menos sensible al calor. Antes de fabricar con ellos materiales semiconductores eficientes, el germanio y el silicio deben someterse a un proceso de alta purificacin. En su estado original; es decir, su resistividad es elevada. Para aumentar la conductividad del germanio y del silicio se aaden cantidades minsculas de ciertas impurezas (dopaje). La adicin de diversas cantidades y variedades de impurezas, o contaminacin, modifica la estructura del enlace electrnico de los tomos de estos elementos, y les proporciona portadores de corriente que aumentan su conductividad.

Impurezas tales como el arsnico y el antimonio aumentan la conductividad del silicio al incrementar la cantidad de portadores (electrones libres) de carga negativos (N). Debido a lo interior, el silicio contaminado con arsnico o con antimonio se conoce como tipo N. El Silicio tipo N, contiene algunas cargas positivas (huecos), pero son la minora y se les conoce como portadores minoritarios. Se puede considerar que el flujo de corriente en el silicio tipo N se porta por los electrones libres, que son los portadores mayoritarios.

Impurezas tales como el indio y el galio elevan la conductividad del silicio mediante el incremento del numero de portadores de carga positivas (huecos). El silicio contaminado con indio o con galio se conoce como tipo P. El silicio tipo P, contiene algunos electrones libres, pero se trata de portadores minoritarios. Se puede considerar que el flujo de la corriente en el silicio tipo P se lleva a cabo mediante huecos, que son portadores mayoritarios.

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal N al P. Al establecerse una corriente de difusin, aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin, zona que recibe el nombre de REGIN DE AGOTAMIENTO. A medida que progresa el proceso de difusin, la regin de agotamiento va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona N y de iones negativos en la zona P, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de la zona N con una determinada FUERZA DE DESPLAZAMIENTO, que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos. Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las zonas P y N. Esta diferencia de potencial es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V para los cristales de germanio. La anchura de la regin de agotamiento una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.

Los huecos sienten atraccin por los electrones libres. Cuando se llegan a encontrar un electrn libre y un hueco, el primero llena el hueco y neutraliza su carga. Se dice que el electrn libre se ha contaminado con el hueco. Durante este proceso, tanto el hueco como el electrn libre se pierden como portadores de corriente. Mientras sucede lo anterior, tambin

se esta formando nuevos portadores de corriente en otras partes del semiconductor. El movimiento de los portadores de corriente se puede controlar aplicando un voltaje de una batera externa, V, en el semiconductor. La terminal positiva de V repele a los huecos del silicio tipo P que se desplazan hacia la terminal negativa. Los electrones libres entran al silicio procedente de la terminal negativa de V y se desplazan hacia los huecos. Se llevan a cabo combinaciones de electrones libres y huecos. Al tiempo que se forman estas combinaciones, se liberan ms electrones y huecos mviles en el silicio, a partir de un par electrn-hueco. Los electrones liberados se desplazan hacia la terminal positiva de la batera y los huecos hacia la terminal negativa de la batera. Continan las recombinaciones y liberaciones; de esta manera se mantiene un flujo de corriente constante en el circuito externo.

Diodo
Una resistencia es un dispositivo lineal porque la grafica de su corriente es funcin de su tensin es una lnea recta. Un diodo es diferente. Es un dispositivo no lineal porque la grafica de la corriente en funcin de la tensin no es una lnea recta. La razn es la barrera de potencial; cuando la tensin del diodo es menor que la barrera de potencial, la corriente del diodo es pequea; si la tensin del diodo supera esta barrera de potencial, la corriente del diodo se incrementa rpidamente

Smbolo Elctrico El lado P se llama nodo y el lado N es el ctodo. El smbolo del diodo es una flecha que apunta del lado P al lado N, es decir, del nodo al ctodo.

Funcionamiento de un diodo de unin semiconductor Cunado se unen silicios tipo P y tipo N, se forma un diodo de unin. Este dispositivo de dos elementos tienen una caracterstica nica: la capacidad para permitir el paso de la corriente solo en una direccin. Al conectar la terminal negativa de la batera al silicio tipo N y la terminal positiva tipo P el resultado es un flujo de corriente que se conoce como POLARIZACION DIRECTA. Los electrones y los huecos se desplazan, al ser repelidos, en direccin a la unin PN, en donde se recombinan para forman cargas neutrales y son remplazados por los electrones libres (cargas negativas) de la batera. Este movimiento de cargas mantiene elevada la corriente directa a travs del diodo en forma de electrones libres que pasan del material N, por la unin y el material P, a la terminal positiva de la batera. Dado que el flujo de corriente a travs de esta conexin, se dice que el diodo tiene resistencia baja.

En la POLARIZACION INVERSA, la terminal positiva de la batera atrae a los electrones libres del silicio tipo N, y los saca de la unin PN. La terminal negativa de la batera atrae a los huecos del silicio tipo P, y los saca de la unin PN. Por lo tanto, no existe la combinacin de electrones libres y huecos. Entonces, los portadores de corriente mayoritarios del diodo no producen un flujo de corriente. En el caso de esta conexin de polarizacin inversa, existe una corriente minscula en el diodo. Esta corriente se debe a los portadores minoritarios, es decir, los huecos del tipo N y los electrones del tipo P. En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fuga es despreciable.

Curvas caractersticas del diodo

1. Tensin Umbral de codo o de partida
La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente. En el caso del SILICIO esta tensin umbral es de 0.7 voltios y en el caso del GERMANIO es de 0.3 voltios. Para tensiones mayores que la tensin umbral, la corriente del diodo crece rpidamente, lo que quiere decir que aumentos pequeos en la tensin del diodo originaran grandes incrementos en su corriente. La causa es la siguiente: despus de superada la barrera de potencial, lo nico que se opone a la corriente es la resistencia de las zonas P y N. En otras palabras, si las zonas P y N fueran dos piezas separadas de semiconductor, cada una tendra una resistencia que se podra medir con un hmetro, igual que una resistencia ordinaria. A la suma de estas resistencias hmicas se les llama RESISTENCIA INTERNA del diodo y se define mediante la siguiente formula: Rb=Rp+Rn

El valor de la resistencia interna es funcin del nivel de dopado y del tamao de las zonas P y N. Normalmente, la resistencia interna de los diodos es menor que 1 ohmio.

2. Mxima corriente continua con polarizacin directa

Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse. Si la corriente en un diodo es demasiado grande, el calor excesivo destruir el diodo; por esta razn, la hoja de caractersticas que proporcionan los fabricantes especifica la corriente mxima que un diodo puede soportar sin peligro de acortar su vida o degradar sus propiedades.

3. Corriente inversa de saturacin

Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 C en la temperatura.

4. Corriente superficial de fugas

Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas.

5. Tensin de ruptura
Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha.

Aproximaciones en Diodos
Primera Aproximacin
Qu hace un diodo? Conduce bien la corriente en direccin directa y mal en la direccin inversa. En esencia, idealmente un diodo funciona como conductor perfecto (voltaje cero) cuando tiene polarizacin directa y como un aislante perfecto (corriente cero) si tiene polarizacin inversa. A esta primera aproximacin de un diodo se le conoce como diodo ideal. Representa una manera sencilla y rpida de analizar los circuitos de diodos. Por ejemplo, el diodo de la figura 1-9 a) tiene polarizacin directa. En una primera aproximacin acta como un corto circuito. Por lo tanto, la corriente que para por el diodo es 5 mA. Por otra parte, el diodo de la figura 1-9 b) tiene polarizacin inversa. Idealmente se trata de un circuito abierto, por lo que la corriente que circula por l es de 0.

SEGUNDA APROXIMACION
Para que un diodo de silicio conduzca realmente bien es necesario que haya por lo menos 0.7 V. Cuando la fuente de voltaje es grande, 0.7 V es una cantidad muy pequea como para tener algn efecto. Pero si la fuente de voltaje no es tan grande, entonces hay que tomar en cuenta los 0.7 V.

En la figura a) se puede observar que la corriente no fluye sino hasta que 0.7 V en el diodo. A partir de este momento el diodo se activa. Sin importar la corriente directa, solo se permite una cada de voltaje de 0.7 V en el diodo de silicio. (Para los diodos de germanio, utilice un valor de 0.3 V). Por cierto, el valor 0.7 V se conoce como voltaje de barrera o codo. En la figura b) es el circuito equivalente de la segunda aproximacin. En este caso el diodo debe considerarse como un interruptor conectado en serie con una batera

de 0.7 V. S el voltaje fuente que alimenta al diodo rebasa al voltaje de concentratension, se cierra el interruptor y el voltaje del diodo es igual a 0.7 V. Como ejemplo se utilizara la segunda aproximacin para el caso del diodo de la figura 1-9 a). El voltaje de la fuente es suficiente para rebasar el voltaje de codo. Por lo tanto, el diodo tiene polarizacin directa y la corriente es igual a:

TERCERA APROXIMACION

En la tercera aproximacin de un diodo se incluye la resistencia interna Rb. La figura muestra el efecto que Rb tiene sobre la curva del diodo. Despus de que el diodo de silicio comienza a conducir, la tensin aumenta lineal o proporcionalmente con los incrementos de la corriente. Cuanto mayor sea la corriente, mayor es la tensin, al tener que incluirse la cada de tensin en la resistencia interna a la tensin total del diodo. Cuando la tensin aplicada es mayor que 0.7 V, el diodo conduce. La tensin total del diodo es igual a:

A menudo, la resistencia interna es menor a 1 ohmio, y fcilmente la podemos ignorar en nuestros clculos. Una regla til para ignorar la resistencia interna es la siguiente definicin: Rb < 0.01Rth Que dice que se ignore la resistencia cuando sea la centsima parte de la resistencia de thevenin que ve el diodo. Si satisface esta condicin, el error es menor que 1 por 100. La tercera aproximacin se emplea raramente por tcnicos porque los diseadores de circuitos normalmente satisfacen la ecuacin. Tipos de diodos: DIODO RECTIFICADOR Los diodos rectificadores son aquellos dispositivos semiconductores que solo conducen enpolarizacin directa (arriba de 0.7 V) y en polarizacin inversa no conducen. Estas caractersticas son las que permite a este tipo de diodo rectificar una seal. Los hay de varias capacidades en cuanto al manejo de corriente y el voltaje en inverso que pueden soportar.

Los diodos, en general se identifican mediante una referencia. En el sistema americano, lareferencia consta del prefijo 1N seguido del nmero de serie, por ejemplo: 1N4004. La N significa que se trata de un semiconductor, el 1 indica el nmero de uniones PN y el 4004 lascaractersticas o especificaciones exactas del dispositivo. En el sistema europeo o continental seemplea el prefijo de dos letras, por ejemplo: BY254. En este caso, la B indica el material (silicio) yla Y el tipo (rectificador). Sin embargo muchos fabricantes emplean sus propias referencias, porejemplo: ECG581.

DIODO ZNER Un diodo zener es un semiconductor que se distingue por su capacidad de mantener un voltaje constante en sus terminales cuando se encuentran polarizados inversamente, y por ello se emplean como elementos de control, se les encuentra con capacidad de watt hasta 50 watt y para tensiones de 2.4 voltios hasta 200 voltios. El diodo zener polarizado directamente se comporta como un diodo normal, su voltaje permanece cerca de 0.6 a 0.7 V.

Los diodos zener se identifican por una referencia, como por ejemplo: 1N3828 BZX85, y se especifican principalmente por su voltaje zener nominal (VZ) y la potencia mxima que pueden absorber en forma segura sin destruirse (PZ)

DIODO VARACTOR El diodo varactor tambin conocido como diodo varicap o diodo de sintona. Es un dispositivo semiconductor que trabaja polarizado inversamente y actan como condensadores variables controlados por voltaje. Esta caracterstica los hace muy tiles como elementos de sintona en receptores de radio y televisin. Son tambin muy empleados en osciladores, multiplicadores, amplificadores, generadores de FM y otros circuitos de alta frecuencia. Una variante de los mismos son los diodos SNAP, empleados en aplicaciones de UHF y microondas.

DIODO EMISOR DE LUZ (LEDs) Es un diodo que entrega luz al aplicrsele un determinado voltaje. Cuando esto sucede, ocurre una recombinacin de huecos y electrones cerca de la unin NP; si este se ha polarizado directamente la luz que emiten puede ser roja, mbar, amarilla, verde o azul dependiendo de su composicin.

Los LEDs se especifican por el color o longitud de onda de la luz emitida, la cada de voltaje directa (VF), el mximo voltaje inverso (VR), la mxima corriente directa (IF) y la intensidad luminosa. Tpicamente VF es del orden de 4 V a 5 V. Se consiguen LEDs con valores de IF desde menos de 20 mA hasta ms de 100 mA e intensidades desde menos de 0.5 mcd (milicandelas) hasta ms de 4000 mcd. Entre mayor sea la corriente aplicada, mayor es el brillo, y viceversa. El valor de VF depende del color, siendo mnimo para LEDs rojos y mximo para LEDs azules.

Los LEDs deben ser protegidos mediante una resistencia en serie, para limitar la corriente a travs de este a un valor seguro, inferior a la IF mxima. Tambin deben protegerse contra voltajes inversos excesivos. Un voltaje inverso superior a 5V causa generalmente su destruccin inmediata del LED. DIODO LSER Los diodos lser, tambin conocidos como lseres de inyeccin o ILDs. Son LEDs que emiten una luz monocromtica, generalmente roja o infrarroja, fuertemente concentrada, enfocada, coherente y potente. Son muy utilizados en computadoras y sistemas de audio y video para leer discos compactos (CDs) que contienen datos, msica, pelculas, etc., as como en sistemas de comunicaciones para enviar informacin a travs de cables de fibra ptica. Tambin se emplean en marcadores luminosos, lectores de cdigos de barras y otras muchas aplicaciones.

DIODO ESTABILIZADOR Est formados por varios diodos en serie, cada uno de ellos produce una cada de tensin correspondiente a su tensin umbral. Trabajan en polarizacin directa y estabilizan tensiones de bajo valores similares a lo que hacen los diodos Zner.

DIODO TNEL Los diodos tnel, tambin conocidos como diodos Esaki. Se caracterizan por poseer una zona de agotamiento extremadamente delgada y tener en su curva una regin de resistencia negativa donde la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje. Esta ltima propiedad los hace muy tiles como detectores, amplificadores, osciladores, multiplicadores, interruptores, etc., en aplicaciones de alta frecuencia.

DIODO PIN Su nombre deriva de su formacin P(material P), I(zona intrnseca)y N(material N)

Los diodos PIN se emplean principalmente como resistencias variables por voltaje y los diodos Gunn e IMPATT como osciladores. Tambin se disponen de diodos TRAPATT, BARITT, ILSA, etc. Son dispositivos desarrollados para trabajar a frecuencias muy elevadas, donde la capacidad de respuesta de los diodos comunes est limitada por su tiempo de trnsito, es decir el tiempo que tardan los portadores de carga en atravesar la unin PN. Los ms conocidos son los diodos Gunn, PIN e IMPATT.

DIODO BACKWARD Son diodos de germanio que presentan en polarizacin inversa una zona de resistencia negativa similar a las de los diodos tnel.

DIODO SCHOTTKY

Los diodos Schottky tambin llamados diodos de recuperacin rpida o de portadores calientes, estn hechos de silicio y se caracterizan por poseer una cada de voltaje directa muy pequea, del orden de 0.25 V o menos, y ser muy rpidos. Se emplean en fuentes de potencia, sistemas digitales y equipos de alta frecuencia.

Una variante son los diodos back o de retroceso, los cuales tienen un voltaje de conduccin prcticamente igual a cero, pero tambin un voltaje inverso de ruptura muy bajo, lo cual lo limita su uso a aplicaciones muy especiales.

FOTODIODOS Los fotodiodos son diodos provistos de una ventana transparente cuya corriente inversa puede ser controlada en un amplio rango regulando la cantidad de luz que pasa por la ventana e incide sobre la unin PN. A mayor cantidad de luz incidente, mayor es la corriente inversa producida por que se genera un mayor nmero de portadores minoritarios, y viceversa. Son muy utilizados como sensores de luz en fotografa, sistemas de iluminacin, contadores de objetos, sistemas de seguridad, receptores de comunicaciones pticas y otras aplicaciones.

Links:
http://books.google.co.ve/books?id=UaxhQQfLMY8C&lpg=PA26&dq=LED&hl=es&pg=PP1#v=onepage&q&f=true http://cursos.itcg.edu.mx/libros/Practicas%20de%20Electronica%20Malvino%20(libre).pdf http://unimagelectronica1.blogspot.com/2010/09/aproximaciones-del-diodo.html