Revista Colombiana de Fsica, Vol. 42, No. 3 de 2010.

Modelacin De La Difraccin De Rayos X A Partir De La Aproximacin De Drude Lorentz En Un Cristal Bidimensional

Modeling Of X-Ray Diffraction From Lorentz Approximation For Two-Dimensional Crystal
A.Triana M.a,b, I. Quintero G. a,b, L. C. Jimnez Ba
a

Grupo de Pelculas Delgadas. Depto. de Fsica. Pontificia Universidad Javeriana, Bogot D.C., Colombia. b PCL Fsica. Universidad Distrital Fco. J. de Caldas, Bogot D.C., Colombia. Recibido 12.04.10; Aceptado 08.12.10; Publicado en lnea 17.04.11.

Resumen
A partir de la simulacin se modela con estudiantes de ingeniera y fsica el patrn de difraccin RX en una red bidimensional de partculas cargadas a nivel nanoscpico. Bajo la analoga estructural de una red cristalina con un arreglo bidimensional de partculas cargadas distribuidas peridicamente con constantes de red definidas en la aproximacin de Born Oppenheimer, se calcula la energa de electrones internos. Con serie de Taylor, se presentan los electrones como osciladores en la aproximacin de Drude Lorentz y se obtiene las constantes elsticas. Se presenta la difraccin RX como la radiacin esparcida por los electrones internos acelerados. Se estudia el patrn de intensidad de la difraccin bajo la variacin de constantes de red, vector de onda y polarizacin del RX. Como acto culminante la modelacin permite al estudiante inferir sobre: (i) otros mecanismos de difraccin con otras radiaciones respecto a distribucin osciladores; (ii) efectos de la distribucin de electrones en el patrn de difraccin. Palabras clave: Modelacin; Cristal; Rayos X; Difraccin; Drude Lorentz; Analoga.

Abstract
From the simulation it is modeled by students of engineering and physics the diffraction pattern of RX diffraction of a two-dimensional lattice of charged particles at the nanoscale. Under the structural analogy of a crystal lattice with a two dimensional array of charged particles distributed periodically with lattice constants defined in the Born Oppenheimer approximation, we calculate the energy of internal electrons. With Taylor series, the electrons are presented as oscillators in the Lorentz and Drude approximation and the elastic constant is obtained. It is shown that the diffraction phenomenon is due to scattered radiation by the accelerated internal electrons. The diffraction pattern is studied under variation of lattice constants, wave vector and polarization of the RX. As a culminating act the modeling allows the student to infer on: (i) other difraction mechanisms with other radiations respect to the oscillators distribution, (ii) the effects of the distribution of electrons in the diffraction pattern. Keywords: Modeling; X-ray; Crystal; Diffraction; Lorentz Drude; Analogy. PACS: 61.05.cp; 81.10.A; 42.65.Y. 2010 Revista Colombiana de Fsica. Todos los derechos reservados.

1.

Introduccin

Un fenmeno fundamental en el trabajo de la fsica terico experimental, la ingeniera y la tecnologa, es la inter* simulared.gpdpujud@gmail.com

accin de la radiacin con la materia, en todo el espectro desde radiofrecuencias hasta rayos gamma. All se discute desde lo ms profundo del conocimiento, desde la conversin de materia en energa y viceversa, basado en los cam-

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pos y partculas, hasta su manipulacin prctica como herramienta para el estudio de la materia. El desarrollo de la espectroscopia basado en el anlisis de la respuesta de frecuencia de la sustancia a la radiacin, es una vista magnfica de estado del arte y su pertinencia. Un caso es los rayos X, y en este la difraccin RX, un mtodo excelente en la caracterizacin de la estructura cristalina. El modelamiento del fenmeno permite un acercamiento al mundo nanoscpico de la sustancia y su interaccin con la radiacin. 2. Modelo Terico
Fig. 3: Energa potencial de un electrn interno nq en el centro de la red.

En la aproximacin de Born Oppenheimer [1,2,3], una red cristalina se presenta como un arreglo de iones quietos y una nube electrnica de valencia intersticial. Los iones son el ncleo atmico y electrones internos. La red es anloga a un arreglo de partculas quietas con carga q, sumergidas en un gas de electrones de valencia de masa m y carga -e. As un electrn interno est en un potencial total / ei debido a los potenciales del ncleo del tomo donde pertence, nq , del arreglo, q , de la nube, e . Un pequeo cristal bidimensional se aproxima a un arreglo de partculas cargadas distribuidas en una red rectangular de parametros de red c1 y c2 como la fig. 1.

Fig. 4: Energa potencial Uei-ij(x,y) de electrn interno y un electrn de valencia.

Las posiciones de nq, q y (-e) son respectivamente (ic1,jc2) , (uc1,vc2) y el plano (x,y,z0). Los electrones no pueden caer al ncleo, tienen una distancia mnima z0 de acercamiento. El estudio bidimensional se aproxima al plano (x,y,z0). En la aproximacin adiabtica y mono electrnica, la energa de un electrn interno es:
Fig. 1: Equipotencial de una una carga nq y una red rectangular de partculas con carga q, con parmetros c1 y c2.
Uei K(-e)nq Nx Ny +

2 2 2 2 2 2 (x-ic 1) + ( y-jc 2 ) + z0 u=0v=0 (x-uc 1) + ( y-vc 2 ) + z0 ui v j

K(-e)q

(1)

ee(x, y)

Tomando la trayectoria (x,y0,z0) en la figura 1, alrededor de del ncleo (ic1,jc2), la energa Uei vara como la figura 2, y con (x,y,z0) vara como la figura 3. En los electrones fuertemente ligados, como los internos, la energa Uei se puede expander en serie de Taylor alrededor de los mnimos de energa y tomar los electrones como osciladores nanoscpicos, segn el modelo de Drude Lorentz [4,5].
U ei (x, y) = U ei (x 0 , y 0 ) + U ei / x x (x x 0 ) + U ei / y y (y y 0 )
0 0

Fig. 2: Energa potencial de la red cristalina bidimensional. En el centro de un electrn interno nq alrededor de electrones de valencia.

+ (1 / 2) 2 U ei / x 2
y0

x0

(x x 0 )2 + (1/ 2) 2 U ei / y 2 y (y y 0 )2
0

(2)

+ 2 2 U ei / xy x 0 (x x 0 )(y y 0 ) + ...

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En los mnimos de energa las derivadas parciales son cero y as la energa Uei es prxima a la de un oscilador bidimensional de constantes kx, ky y kxy, como:
2k xy (x x 0 )(y y0 ) + ... Uei (x, y) = Uei00 + (1/ 2)k x (x x 0 ) + (1/ 2)k y (y y0 ) +
2 2

(U

esij

r r r / t = Sesij ( r , t ) dA
A

(7) (8)

(U

esij

r / t = e 2 a 2 ( rij, t) / 6c 3

(3)

Las constantes se pueden calcular derivando (1):

kx = Kenq 2 (x0-ic1)2 + ( y0-jc2 )2 + z0 Keq + + 2 (x0-ic1)2 + ( y0-jc2 )2 + z0 Kenq3(x0 uc1)2 Keq3(x0 uc1)2

La energa perdida r por esparcimiento se asocia al electrn con una fuerza f de friccin. Una buena opcin es r r r tipo Stokes f = bv , proporcional a la velocidad v , con rr coeficiente de friccin b, tal que (U esij / t ) f .v = bv 2 , y:
r U esij / t = e 2 a 2 ( rij , t) / 6c 3 = bv 2 ; b = e 2a 2 / 6c3v 2

(9)

Nx Ny j =0 i =0 j u i v

+ 2 2 2 2 2 2 (x0-uc1) + ( y0-vc2 ) + z0 (x0-uc1) + ( y0-vc2 ) + z0

En un cristal bajo un haz de RX externo plano con campo

r r Eex = E0 r j ( k x + k y t ) , e j(k r t ) = E 0e r r
x y

(4) En este caso e ( x, y) vara suavente y e ( x , y) 0 . Para ky se cambia en el numerador de (4) x0 por y0. Para kxy:
kxy = Kenq 3(x0 ic1)( y0 ic 1) 2 (x0-ic1)2 + ( y0-jc2 )2 + z0 Nx Ny +

Keq 3(x0 uc 1)( y0 uc 1)

los electrones son impulsados con la fuerza eEex y oscilan con la frecuencia impulsora . En estas condiciones la ecuacin caractersitica del movimiento del electrn interno en (xi,yj,t), es:
r

2 2 2 j=0i=0 (x0-uc 1) + ( y0-vc2) + z0 juiv

r r r r K x (x i x i0 ) i + K y y j y j0 j bv ij eE ex ( rij ' , t ' ) = ma ij ( t)

(10)

El clculo muestra que kxy<<kx,ky. Si el cristal se somete a radiacin externa, los osciladores son forzados por el campo oscilante de la radiacin, absorbiendo energa radiante y simultneamente emitendo radiacin esparcida en forma radial, o esfrica. Se comportan como antenas emisoras nanoscpicas. Se puede verificar que la interaccin entre electrones debido a radiacin esparcida es pequea* comparada con la interaccin entre electrn y la radiacin externa. Por tanto se comportan como osciladores independientes bajo radiacin. Para hallar la expresin del campo r r esparcido E esij ( r r , t ) en la posicin r ( t ) y en el tiempo (t), por un electrn, que oscila en el tomo (i,j), con posicin r en el tiempo (t), se toma: rij ( t) = x i ( t ' ) i + y j ( t ' ) j + z0k
r r Eesij(r , t ) r r r r r r e a(rij, t) (r rij) (r rij)

Si el nmero de onda es k cos i + sn j y la polarizacin es ( sin i + cos j ), las ecuaciones diferenciales caractersticas: r 2 x i ' b x i ' K x j(k r t ' ) + + ( x ' x ' ) = ( e / m )sn E e
ij

t ' 2

m t '

i0

(11)
2yj' t ' 2
r b y j ' K x j(k r t ' ) + + ( y j ' y j 0 ' ) = (e / m) cos E 0 e ij m t ' m

2 Para el caso de resonancia = 0, b = e 2 0 / 6 0 c 3 y as la posicin y aceleracin son:

r r eE 0 (sen i cos j) j(k (x i 0 'cos + y j 0 'sen )0 t '+ / 2 ) ( rij ' rij 0 ' ) = e b 0

(12) (13)

r r 3 40c2 r rij r r ) r ea(rij,t)(a r Hesij(r , t) 4cr

r r r r rij r

r r ) r ea(rij, t)(a 2 40c r

r 6 0 c 3 E 0 (sen i cos j) j(k (x i 0 'cos + y j0 'sen )0 t '+ / 2 ) a ij ( t) = e e0

Para expresar la radiacin esparcida, se toma del retardo: (5)

r r c( t t) = r r0ij = ( x ic1 ) 2 + ( y 0 jc 2 ) 2
.

donde se aproxima

para campo lejano, y donde la

r r E esij ( r , t )

El campo y la intensidad medidos en la posicin (x,y):

E ijx (r, t ) = E ijy (r, t ) = 3E 0 y 2 sen + xy cos

r r aceleracin es a . El tiempo de retardo ij ( t) = a ( rij , t)a

(t t ) entre la emisin y la deteccin de to a la velocidad de la luz como

r r r c ( t t ) = r ( t ) rij ( t) .

est suje-

3E 0 yxsen + x 2 cos 2k x 2 + y
2 0

2k x 2 + y

2 3/ 2

)e

j k ( ic1 cos + jc 2sen ) + k ( x ic1 ) 2 + ( y jc 2 ) 2 0 t + 2

(6)

La potencia dU es / dt , disipada en el esparcimiento se obtier r r ne con el flujo del vector de Poynting S es = E es H es . De (5):
r r 2r r e2a 2 ( rij , t) a r ; Sesij ( r , t ) 3 2 2 (4 ) c r

r 9E ( y sn + xy cos ) 2 + ( yxsn + x 2 cos ) 2 Sij ( r , t ) = 4ck 2 ( x 2 + y 2 ) 3

2

2 3/ 2

)e

j k ( ic1 cos + jc 2sen) + k ( x ic1 ) 2 +( y jc 2 ) 2 0 t + 2

]
(14)

j k ( ic1 cos + jc2sen ) + k ( x ic1 ) 2 +( y jc 2 ) 2 ckt + 2

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En coordenadas esfricas el campo en (r,) es:

r 3E 0 cos( ) j(k (ic1 cos + jc2sen )k (ic1 cos + jc2sn )ckt ) e E ij ( r , t) = 2kr
Sij (r , t) =
2 9E 0 cos 2 ( ) j2(k (ic1 cos + jc2sen ) k (ic1 cos + jc 2sn )ckt ) e 4ck 2 r 2

3.1 Clculo de Constantes Elsticas A partir de de (4) se obtuvo las constantes de la tabla 2:

a) Z0=0.1 nm

(15) En un segunda aproximacin tomado el retardo

r r r c( t t) = r r0ij r rij ' r = x 2 + y 2 (ic1 x + jc 2 y ) / x 2 + y 2

(16)

el campo medido en la posicin (x,y) es:

2 3E0 y sen + xy cos Eijx ( r, t ) = 3/ 2 2 2 2k x + y
2 3E 0 yxsen + x cos E ijy ( r, t ) = 3/ 2 2 2 2k x + y

(x 2 + y 2 ic1 x jc2 y ) 0 t + / 2 j k (ic1 cos + jc2 sen )+ 0 2 2 + c x y

(x 2 + y 2 ic1 x jc 2 y ) j k (ic1 cos + jc 2 sen )+ 0 0 t + / 2 c x2 + y2

b) Z0=0.2 nm

El patrn de interferencia de la superposicin

r r

E
j i
2 2

ij

r ( r , t)

depende de la diferencia de fase entre los E ij ( r , t ) . La diferencia no depende del trmino 0 (x + x )/ c x + x que es igual para todos. La intensidad en (x,y) es:
2 2

+ / 2,

2 2 2 r 9E 0 y 2sn + xy cos + xysn + x 2 cos Sij ( r, t ) = 3 c 4k 2 x 2 + y 2 k 2 j k (ic1 cos + jc 2sen ) (ic1x + jc 2 y )ckt x 2 + y2

[(

) ( ( )

)]
(17) 3.2 Clculo de Patrn de Interferencia de Difraccin RX De (14), (15), (17) y (18) se obtuvo el patrn de las grficas de fig. 5, 6, 7, 8.

En coordendas esfricas la intensidad en (r,) es:

r 9 E 2 cos2 ( ) Sij ( r, t ) = 0 4ck 2 r 2

e j2(k (ic cos + jc sen )k (ic cos + jc sn )ckt )

1 2 1 2

(18) 3. Desarrollos

Para el cristal de la figura 1, se desarroll los clculos con los parmetros de la tabla 1.
Tabla No. 1 Parmetros de red para clculos.
Caso1 Caso2 Caso3 Caso4 Caso5 Caso6 Caso7 c1/0.1 nm c2/0.1 nm z0/0.1 nm 2 3 0.1 3 3 0.1 4 3 0.1 5 3 0.1 3 2 0.1 2 3 0.2 3 3 0.2

Fig. 5: Patrn de interferencia de difraccin RX (c1=1 nm, c2=3 nm).

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4.

Resultados y Anlisis

4.1 Patrn de Intensidad de la Difraccin RX El patrn de intensidad de la difraccin se muestra en las figuras 9,10, 11 y 12.

Fig. 6: Patrn de interferencia de difraccin RX (c1=2 nm, c2=3 nm).

Fig. 9: Patrn de intensidad de la difraccin RX (c1=1 nm, c2=3 nm)

Fig. 7: Patrn de interferencia de difraccin RX (c1=3 nm, c2=3 nm) Fig. 10: Patrn de interferencia de difraccin RX (c1=2 nm, c2=3 nm)

Fig. 8. Patrn de interferencia de difraccin RX (c1=5 nm, c2=3 nm)

Fig. 11: Patrn de intensidad de difraccin RX (c1=3 nm, c2=3 nm)

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medida que la energa potencial aumenta. La intensidad del orden ~10-7 W. 5. Conclusiones

Fig. 12: Patrn de intensidad de difraccin RX (c1=3 nm, c2=3 nm)

En la modelacin con clculo numrico, hay un acercamiento que permite obtener valores prximos de las cantidades fsicas involucradas a nivel nanoscpico. As la intensidad de radiacin esparcida por cada oscilador es del orden de 4 10-7 W, la cual es imposible de detectar por algn sistema actual. Esto indica adems que la percepcin instrumental de los sistemas nanoscpicos no solo se ve limitada por la escala espacial involucrada si no adems por los bajos niveles de potencia emitidos, inicialmente imperceptibles. El manejo de la amplificacin de una cantidad con su respectiva compaa de ruido se convierte entonces en uno de los principales campos de estudio. La difraccin se describe y explica a travs del esparcimiento de radiacin por cargas aceleradas. 6. Agradecimientos

En la figura 1, con c1=c2=3 nm se muestra el pequeo cristal bidimensional anlogo a un arreglo de partculas cargadas distribuidas en una red rectangular de parmetros de red c1 y c2 en la aproximacin de Born Oppenheimer. En la figura 2 se aprecia una grfica de energa potencial en el centro de la red, y el potencial de un electrn interno alrededor electrones de valencia en la figura 3; apreciamos un acercamiento de la energa potencial del electrn interno. En la figura 4 se aprecia la profundidad del pozo del electrn de valencia y el interno, notando que es ms profundo el del electrn de valencia. Al calcular la energa potencial del electrn interno Uei(x,y) en el punto de equilibrio cae a pozos profundos de potencial por estar muy cerca al ncleo como un in de carga Ne. Se obtiene las constantes elsticas de los electrones internos orden ~106 N/m con frecuencias ~1017, dando longitudes de onda del orden de los nm (RX blandos). Se presenta la difraccin RX como la radiacin esparcida por los electrones internos acelerados. En las figuras 5, 6, 7, 8 se aprecia el patrn de difraccin notando interferencias constructivas y destructivas; al variar parmetro de red siendo c2 constante se observa que la intensidad disminuye. En las figuras 9, 10, 11, 12 se aprecian los patrones de intensidad de la difraccin en una pantalla de interferencia sujeto a la variacin de los parmetros de red siendo c2 constante; la intensidad del campo elctrico disminuye a

A OFI de la Pontificia Universidad Javeriana y al PCLF de Universidad Distrital F.J. de Caldas, por el apoyo logstico a este trabajo. Referencias [1] Agarwal, X ray spectroscopy, Springer Verlag, 1989. [2] L.C. Jimenez B., C.P. Estrella N., C.Parra P., E. lvarezG., L.C. Jimenez A. Estudio de Constantes Elsticas Mecnicas en un Cristal Partir del Modelo de Drude Lorentz Utilizando Matlab. RCF. v.40 fasc.2 p.339, 2008. ISSN 0120-2650. [3] L.C. Jimenez B., C.P. Estrella N., C.Parra P., D.A. Rubio G. Los sistemas de programacin en los procesos de inferencia por analoga para el estudio del comportamiento electrnico en cristales. RCF. v.38 fasc.2 p.711, 2006. ISSN 0120-2650. [4] Reitz, Milford. Fundamentos de la teora electromagntica. Fondo educativo interamericano, 1984.

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