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SEMICONDUCTORES OBJETIVOS Conocer los tipos de materiales y sus caracteristicas Explicar el proceso de formacion de un material semiconductor Explicar cualitativamente

mente el funcionamiento de un diodo de unin PN. Obtener la expresin que relaciona la corriente con la tensin aplicada en condiciones estacionarias. Conocer las aplicaciones de una unin de semiconductores

Contenido :
1.- Introduccin 1.1.-Teoria De Bandas 1.2.-Semiconductor Intrnseco 1.3.-Semiconductor Extrnseco (Dopado) Semiconductor Tipo N Semiconductor Tipo P 2.- Unin de Semiconductores 2.1 El diodo 2.2 Unin PN en equilibrio trmico 2.3 Unin PN polarizada en condiciones estacionarias 2.4 Dependencia con la temperatura 3.-Funcionamiento de un diodo 3.1.-Diodo Pn O Unin Pn 3.2.-Polarizacin directa 3.3.-Polarizacin inversa 4.-Conclusiones 5.-Referencias bibliogrficas

1.- INTRODUCCIN 1.1.-Teoria De Bandas Al separar dos tomos (de carga n) considerablemente no interactan entre s y sus niveles de energa se pueden considerar casi nulos, o sea, como aislados pero al juntar estos dos tomos, sus rbitas exteriores empezaran a traslaparse y al llegar a una interaccin bastante intensa forman dos niveles diferentes (n). Al realizar esto con un gran nmero de tomos ocurre algo similar. Conforme los tomos se acercan unos a otros, los diversos niveles de energa atmicos empiezan a dividirse. A esta divisin es a lo que podemos llamar una Banda, y el ancho de esta banda de energa que surge de un nivel de energa atmica particular es independiente del nmero de tomos en un slido. El ancho de una banda de energa depende slo de las interacciones de vecinos cercanos, en tanto que el nmero de niveles dentro de la banda depende del nmero total de partculas interactuando. En otras palabras seria lo mismo decir que los electrones pueden ocupar un nmero discreto de niveles de energa, pueden tener solamente aquellas energas que caen dentro de las bandas permitidas. La banda donde se mueven normalmente los electrones de valencia se conoce como banda de valencia, y los electrones que se mueven libremente y conducen la corriente se mueven en la banda de conduccin. Formacin de la banda mediante el solapamiento orbital. El solapamiento de un gran nmero de orbitales atmicos conduce a un conjunto de orbitales moleculares que se encuentran muy prximos en energas y que forman virtualmente lo que se conoce como una banda. Las bandas se encuentran separadas entre s mediante espacios energticos a los que no les corresponde ningn orbital molecular

Conductores: Para los conductores la banda de conduccin y la de valencia se traslapan, en este caso, el traslape favorece ya que as los electrones se mueven por toda la banda de conduccin. Aislantes: En este caso las bandas de valencia y conduccin se encuentran muy bien separadas lo cual casi impide que los electrones se muevan con mayor libertad y facilidad. Semiconductores: En el caso de los semiconductores estas dos bandas se encuentran separadas por una brecha muy estrecha y esta pequea separacin hace que sea relativamente fcil moverse, no con una gran libertad pero no les hace imposible el movimiento. Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad elctrica puede considerarse situada entre las de un aislante y la de un conductor, considerados en orden creciente Los semiconductores ms conocidos son el silicio (Si) y el germanio (Ge). Debido a que, el comportamiento del silicio es ms estable que el germanio frente a todas las perturbaciones exteriores que pueden variar su respuesta normal, ser el primero (Si) el elemento semiconductor ms utilizado en la fabricacin de los componentes electrnicos de estado slido. Como todos los dems, el tomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el ncleo, como electrones en las rbitas que le rodean. (En el caso del silicio este nmero es de 14). El inters del semiconductor se centra en su capacidad de dar lugar a la aparicin de una corriente, es decir, que haya un movimiento de electrones. Un electrn se siente ms ligado al ncleo cuanto mayor sea su cercana entre ambos. Por tanto los electrones que tienen menor fuerza de atraccin por parte del ncleo y pueden ser liberados de la misma, son los electrones que se encuentran en las rbitas exteriores. Estos electrones pueden, segn lo dicho anteriormente, quedar libres al inyectarles una pequea energa. En estos recaer nuestra atencin y es as que en vez de utilizar el modelo completo del tomo de silicio (figura 1), utilizaremos la representacin simplificada (figura 2) donde se resalta la zona de nuestro inters.

La zona sombreada de la figura 2 representa de una manera simplificada a la zona sombreada de la figura 1 Como se puede apreciar en la figura, los electrones factibles de ser liberados de la fuerza de atraccin del ncleo son cuatro. 1.2.-Semiconductor Intrnseco Cuando el silicio se encuentra formado por tomos del tipo explicado en el apartado anterior, se dice que se encuentra en estado puro o ms usualmente que es un semiconductor intrnseco. Una barra de silicio puro est formada por un conjunto de tomos enlazados unos con otros segn una determinada estructura geomtrica que se conoce como red cristalina. Si en estas condiciones inyectamos energa desde el exterior, algunos de esos electrones de las rbitas externas dejarn de estar enlazados y podrn moverse. Lgicamente si un electrn se desprende del tomo, este ya no est completo, decimos que est cargado positivamente, pues tiene una carga negativa menos, o que ha aparecido un hueco. Asociamos entonces el hueco a una carga positiva o al sitio que ocupaba el electrn. El tomo siempre tendr la tendencia a estar en su estado normal, con todas sus cargas, por lo tanto en nuestro caso, intentar atraer un electrn de otro tomo para rellenar el hueco que tiene. Toda inyeccin de energa exterior produce pues un proceso continuo que podemos concretar en dos puntos:

Electrones que se quedan libres y se desplazan de un tomo a otro a lo largo de la barra del material semiconductor de silicio.

Aparicin y desaparicin de huecos en los diversos tomos del semiconductor.

Queda as claro que el nico movimiento real existente dentro de un semiconductor es el de electrones. Lo que sucede es que al aparecer y desaparecer huecos, "cargas positivas", en puntos diferentes del semiconductor, parece que estos se mueven dando

lugar a una corriente de cargas positivas. Este hecho, movimiento de huecos, es absolutamente falso,. Los huecos no se mueven, slo parece que lo hacen. Ahora bien, para facilitar el estudio de los semiconductores hablaremos de corriente de huecos (cargas positivas), pues nos resulta ms cmodo y los resultados obtenidos son los mismos que los reales. 1.3.-Semiconductor Extrnseco (Dopado) Si aplicamos una tensin al cristal de silicio, el positivo de la pila intentar atraer los electrones y el negativo los huecos favoreciendo as la aparicin de una corriente a travs del circuito

Sentido del movimiento de un electrn y un hueco en el silicio Ahora bien, esta corriente que aparece es de muy pequeo valor, pues son pocos los electrones que podemos arrancar de los enlaces entre los tomos de silicio. Para aumentar el valor de dicha corriente tenemos dos posibilidades:

Aplicar una tensin de valor superior Introducir previamente en el semiconductor electrones o huecos desde el exterior

La primera solucin no es factible pues, an aumentando mucho el valor de la tensin aplicada, la corriente que aparece no es de suficiente valor. La solucin elegida es la segunda. En este segundo caso se dice que el semiconductor est "dopado". El dopaje consiste en sustituir algunos tomos de silicio por tomos de otros elementos. A estos ltimos se les conoce con el nombre de impurezas. Dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al semiconductor puro o intrnseco aparecen dos clases de semiconductores.

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

Semiconductor Tipo N Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s)

Enlace

covalente

de

tomos

de

germanio,

obsrvese

que

cada

tomo

comparte cada uno de sus electrones con otros cuatro tomos sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un tomo de otro elemento que contenga cinco electrones en su capa exterior, resulta que cuatro de esos electrones sirven para enlazarse con el resto de los tomos de la red y el quinto queda libre.

Semiconductor dopado tipo N A esta red de silicio "dopado" con esta clase de impurezas se le denomina "Silicio tipo N" En esta situacin hay mayor nmero de electrones que de huecos. Por ello a estos ltimos se les denomina "portadores minoritarios" y "portadores mayoritarios" a los electrones Las Impurezas tipo N ms utilizadas en el proceso de dopado son el arsnico, el antimonio y el fsforo Est claro que si a un semiconductor dopado se le aplica tensin en sus bornes, las posibilidades de que aparezca una corriente en el circuito son mayores a las del caso de la aplicacin de la misma tensin sobre un semiconductor intrnseco o puro.

Semiconductor Tipo P Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s) ....

Enlace covalente de tomos de germanio, obsrvese que cada tomo comparte cada uno de sus electrones con otros cuatro tomos sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un tomo de otro elemento que contenga tres electrones en su capa exterior, resulta que estos tres electrones llenarn los huecos que dejaron los electrones del tomo de silicio, pero como son cuatro, quedar un hueco por ocupar. O sea que ahora la sustitucin de un tomo por otros provoca la aparicin de huecos en el cristal de silicio. Por tanto ahora los "portadores mayoritarios" sern los huecos y los electrones los portadores minoritarios. A esta red de silicio dopada con esta clase de impurezas se le denomina "silicio tipo P"

Semiconductor dopado tipo P Los semiconductores dopados se representan indicando dentro de los mismos el tipo de portadores mayoritarios.

Semiconductor tipo N

Semiconductor tipo P

No siempre el ndice de dopado de un semiconductor es el mismo, puede ser que este "poco dopado", "muy dopado", etc. Es norma utilizar el signo (+) para indicar que un semiconductor est fuertemente dopado.

Semiconductor fuertemente dopado

tipo

NSemiconductor fuertemente dopado

tipo

Todos los componentes electrnicos en estado slido que veremos en adelante (transistores, diodos, tiristores) no son ni ms y menos que un conjunto de semiconductores de ambos tipos ordenados de diferentes maneras 2.- Unin de Semiconductores 2.1 El diodo Los diodos son componentes electrnicos no lineales que, idealmente, dejan pasar la corriente en un solo sentido. Usualmente estn basados en la unin de dos semiconductores, uno tipo N y otro tipo P. Despus se vern otros tipos de uniones y diodos. La unin PN tambin aparecer en el estudio de otros dispositivos y en la fabricacin de circuitos integrados, por lo que resulta interesante estudiarla no slo por sus aplicaciones como diodo. El smbolo de un diodo es:

Figura 2.1.1 Smbolo de un diodo La caracterstica de transferencia de un diodo ideal se representa en la Figura 2.1.2.

Figura 2.1.2 Caracterstica de transferencia de un diodo ideal. Cuando la tensin aplicada entre sus extremos es negativa, se comporta como un circuito abierto impidiendo el paso de corriente (independientemente de la tensin aplicada). Sin

embargo, permite la circulacin de corriente en sentido contrario sin cada de tensin (se comporta como un cortocircuito). Entre las principales aplicaciones de los diodos cabe destacar su uso: En rectificadores Como diodos emisores de luz (LEDs) Como detectores de luz Como capacidades dependientes de tensin (varactores) En osciladores (diodos tnel)

2.2 Unin PN en equilibrio trmico 2.2.1 Descripcin En condiciones de equilibrio trmico no hay excitacin externa sobre el dispositivo y no debe haber ninguna corriente neta. Para analizar qu ocurre en una unin PN en equilibrio trmico supongamos primero las dos zonas P y N por separado: o o zona N: hay una gran concentracin de electrones zona P: hay una gran concentracin de huecos

Figura 2.2.1 Diagramas de bandas de un semiconductor tipo P y de un tipo N por separado. Al poner los dos semiconductores en contacto, tendremos corrientes de difusin de electrones y huecos prximos a la unin que tienden a igualar las concentraciones. Este proceso no puede seguir indefinidamente porque se generara carga no balanceada en las dos regiones. El campo generado por las cargas fijas que dejan los portadores al difundirse se opone a este movimiento, generando una barrera de potencial que se opone a la difusin. En sentido contrario a la corriente de difusin, tenemos una de arrastre provocada por este campo elctrico. Ambas se compensan en equilibrio trmico, de forma que no hay trasporte neto de carga (corriente elctrica nula).

Figura 2.2.2 El campo elctrico que aparece en la unin se opone a la difusin de los portadores mayoritarios Los electrones (y huecos) que pueden superar la barrera de potencial y difundirse se compensan exactamente con los pocos que hay en la zona P (o zona N para los huecos) y que son arrastrados por el campo elctrico. Por tanto, como hemos dicho, en equilibrio no hay corriente neta y se verifican las siguientes igualdades: (2.1) Se denomina zona de carga espacial a la zona en la que hay campo elctrico e impurezas donadoras o aceptadoras sin cancelar. La concentracin de portadores mviles en esta zona es muy pequea puesto que son barridos por el campo elctrico. 2.2.2 Clculo del potencial de unin Definimos los potenciales de Fermi como la distancia desde el nivel de Fermi hasta el nivel de Fermi intrnseco (como potenciales). Por tanto, estos potenciales de Fermi verifican: (2.2) A partir de estas definiciones, la altura de la barrera de energa potencial ( dada por (ver Figura 2.2.3): . (2.3) ) viene

Figura 2.2.3 Clculo del potencial barrera (o de unin) como suma de los potenciales de Fermi Ya conocemos la altura de la barrera de potencial en funcin de los pseudoniveles de Fermi. Pero resulta ms interesante calcularla en funcin de los dopados de los dos semiconductores. Para ello, slo queda relacionar los potenciales de Fermi con las concentraciones de portadores o con los dopados: (2.4) Luego: (2.5) . Resulta interesante relacionar los cocientes de las concentraciones de electrones (o huecos) en las dos zonas neutras (N y P). De la primera igualdad de (2.5) y aplicando la ley de accin de masas: . Ejercicio Demostrar las igualdades (2.5) y (2.6) imponiendo que en equilibrio la corriente es cero (se cancelan las corrientes de difusin y deriva, tanto para electrones como para huecos). 2.3 Unin PN polarizada en condiciones estacionarias 2.3.1 Descripcin cualitativa En equilibrio trmico hemos visto que la altura de la barrera es tal que se compensan las corrientes de difusin y deriva. (2.6)

Figura 2.3.1 Unin PN en equilibrio trmico: las corrientes de difusin y deriva se cancelan Si se aplica una tensin externa VD, se reduce (si VD > 0) o se incrementa la barrera (VD < 0). Para el anlisis de la unin PN polarizada, supondremos que toda la tensin aplicada VD cae en la regin de la unin y una cantidad despreciable en las zonas neutras. Polarizacin inversa Cuando se aplica una tensin inversa (negativa) se incrementa la barrera de potencial respecto al caso de equilibrio trmico y, como consecuencia, se dificulta la corriente de difusin. Sin embargo, la corriente de arrastre apenas aumenta porque no est limitada por la velocidad de los portadores, sino por su cantidad. En consecuencia: la magnitud de VD en inversa apenas influye sobre la corriente. Es decir, con tensiones inversas se obtiene una corriente -IS independiente de la polarizacin.

Figura 2.3.2 Polarizacin inversa: la barrera de potencial aumenta. Se bloquea la difusin de mayoritarios y no se altera la corriente de arrastre, que est limitada por la generacin de minoritarios. Polarizacin directa Con tensiones positivas, disminuye la barrera que bloquea la difusin de los portadores mayoritarios. Por tanto: (2.7) Cuanto ms se disminuya la barrera, ms portadores mayoritarios la podrn superar y difundirse hacia el otro lado de la unin y por tanto mayor ser la corriente. Los electrones y huecos inyectados (desde zona N y P, respectivamente, donde son mayoritarios) se convierten en portadores minoritarios al atravesar la unin, incrementando notablemente la concentracin de minoritarios en la zona P y N, respectivamente. La concentracin de mayoritarios apenas cambia, puesto que aumenta en la misma cantidad que la de minoritarios (para mantener la neutralidad elctrica) y trabajaremos bajo la hiptesis de baja inyeccin (ver Figura 2.3.4). La corriente en las zonas neutras se debe a la difusin de los portadores minoritarios y a los mayoritarios que van a recombinarse con ellos.

Figura 2.3.3 Polarizacin directa: disminucin de la barrera de potencial y aumento de la corriente de difusin.

Figura 2.3.4 Los portadores inyectados se convierten en minoritarios e incrementan la concentracin de stos. La de mayoritarios apenas se altera (a). La corriente en el diodo se debe a la difusin y recombinacin de estos portadores minoritarios (b). Curva I-V esttica Como demostraremos en el siguiente apartado, la dependencia entre la corriente que circula por el diodo y la tensin aplicada entre sus extremos viene dada por:

(2.8)

con:

(2.9)

En la Figura 2.3.5 se muestra la representacin grfica de esta curva I-V (ecuacin (2.8)). Como puede verse, cuando la tensin es negativa, la corriente es muy pequea e independiente de la tensin. Sin embargo, para valores positivos la corriente aumenta notablemente con pequeos incrementos de tensin.

Figura 2.3.5 Caracterstica I-V de una unin PN 2.3.2 Descripcin cuantitativa. Clculo de la curva I-V En este apartado vamos a demostrar la expresin (2.8). La corriente se debe a la difusin y recombinacin de los portadores minoritarios inyectados desde el otro lado de la unin. Fijmonos, por ejemplo, en los huecos inyectados en la zona N. La corriente de difusin en un cierto punto x viene dada por:

(2.10) . La distribucin pn(x) cuando se inyectan portadores que se difunden y recombinan viene dada por el siguiente exceso de portadores:

(2.11)

Evaluando la corriente justo en xn0 se obtiene, usando (2.10) y (2.11), la siguiente expresin:

(2.12)

Figura 2.3.6 Esquema del exceso de minoritarios en funcin de la posicin. Para conocer la corriente, ya slo nos falta calcular , con polarizacin se debe cumplir que: . Desarrollando: . (2.15) (2.14) . Si en equilibrio trmico: (2.13)

La concentracin de mayoritarios apenas se ve alterada, por lo que: . y por tanto: . (2.16)

(Como ya habamos discutido de forma cualitativa, vemos ahora de nuevo que la poblacin de minoritarios aumenta o disminuye respecto del equilibrio trmico dependiendo de la tensin VD). Finalmente: . (2.17)

Sustituyendo (2.17) en (2.12) obtenemos la corriente de difusin de los minoritarios en la zona N: (2.18)

. Anlogamente, la difusin de electrones en la zona P es:

(2.19) Por tanto, quedan demostradas las expresiones (2.8) y (2.9). Observaciones Si el dopado de las dos zonas es diferente, la corriente est determinada principalmente por la zona ms dopada (es la que inyecta ms minoritarios). Calculada la corriente de minoritarios (difusin) la de mayoritarios es fcil de obtener, puesto que la corriente I debe ser constante a lo largo de todo el diodo (ver Figura 2.3.7) En la demostracin de la curva I-V (ecuaciones (2.8) y (2.9)) hemos asumido implcitamente las siguientes aproximaciones: Toda la tensin cae en la unin (resistencia despreciable en las zonas neutras). Esto es cierto si: El nivel de inyeccin de portadores es bajo. La resistencia de las zonas neutras es baja:

No hay generacin-recombinacin en la zona de transicin Hay que destacar que a pesar de la primera suposicin, los mayoritarios se mueven mediante arrastre por el campo elctrico en las zonas neutras (pero, como hay muchos mayoritarios, el campo elctrico necesario para generar una corriente apreciable puede considerarse despreciable).

Figura La corriente en el dispositivo es la misma en todas las posiciones. La corriente de arrastre puede calcularse como la corriente total menos la corriente de difusin en el punto considerado. La corriente total viene dada por la suma de las corrientes de difusin justo en los extremos de las zonas neutras con la zona de carga espacial.

Polarizacin inversa. Las expresiones (2.11) y (2.17) siguen siendo ciertas pero con VD negativo: (2.20) Los minoritarios prximos a la zona de carga espacial son barridos por el campo elctrico hacia el otro lado de la barrera. Esta corriente est limitada por lo rpido que se repongan (mediante generacin trmica) los minoritarios barridos

Figura 2.3.8 Concentracin de minoritarios con polarizacin inversa. Un defecto de minoritarios (que son barridos hacia el otro lado de la barrera por el campo elctrico) viene acompaado del mismo defecto de portadores en la poblacin de mayoritarios. 2.4 Dependencia con la temperatura

Aparte de la dependencia explcita de la corriente que circula por el diodo con la temperatura (que se manifiesta en las expresiones (2.8) y (2.9)), es ms fuerte la dependencia de IS con la temperatura. En efecto, la corriente inversa de saturacin es directamente proporcional a: (2.21) La influencia total de la temperatura sobre la corriente que circula por el diodo bsicamente consiste en un desplazamiento de la curva I-V en el eje V hacia la izquierda (unos - 2 mV/C), como se ilustra en la Figura 2.5.1. 3.-Funcionamiento de un diodo 3.1.-Diodo Pn O Unin Pn Los diodos pn, son uniones de dos materiales semiconductores extrnsecos tipos p y n, por lo que tambin reciben la denominacin de unin pn. Hay que destacar que ninguno de los dos cristales por separado tiene carga elctrica, ya que en cada cristal, el nmero

de electrones y protones es el mismo, de lo que podemos decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0).

Formacin de la zona de carga espacial Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (Je). Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de agotamiento, de deplexin, de vaciado, etc. A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos. Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio. La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor. Al dispositivo as obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el descrito, tal que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial externa, se dice que no est

polarizado. Al extremo p, se le denomina nodo, representndose por la letra A, mientras que la zona n, el ctodo, se representa por la letra C (o K). Existen tambin diodos de proteccin trmica los cuales son capaces de proteger cables.

A (p)

C K (n)

Representacin simblica del diodo pn Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa. 3.2.-Polarizacin directa

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Para que un diodo est polarizado directamente, tenemos que conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.

El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.

Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del

cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.

Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final. 3.3.-Polarizacin inversa

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos.

El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con

lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.

Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fuga es despreciable. 3.4.-Curva caracterstica del diodo

Tensin umbral, de codo o de partida (V ). La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo,

incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente. Corriente mxima (Imax ). Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo. Corriente inversa de saturacin (Is ). Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura. Corriente superficial de fugas. Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas. Tensin de ruptura (Vr ). Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha. Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos: Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a 6 V. Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por

tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de 3105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia incrementndose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores. Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener, se puede producir por ambos efectos.

4.-Conclusiones Concluyo que los diodos son elementos importantes en la electrnica que nos rodea hoy en da, que para su comprensin hay que estar al tanto de ciertos conocimientos relativos a su funcionamiento y comportamiento. Los diodos son de gran versatilidad, se pueden implicar en muchos aspectos con el propsito de resolver algn problema. Para mi la uno de los aspectos mas importantes del diodo es que no se quedan en un solo tipo de diodo y mas bien se a desarrollado el diodo en formas que extienden su rea de aplicacin. 5.-Referencias bibliogrficas Charles Kittel: Introduccin a la Fsica del Estado Slido, tercera edicin. Semiconductor Devices Physics and technology Sze, Wiley 1 edicin 1990 Semiconductor Devices Fundamentals. Robert F. Pierret. Ed.Addison-Wesley 1989 Fundamentos de semiconductores. R.F. Pierret. Ed. Addison-Wesley

Iberoamericana 2 edicin, 1989 El transistor bipolar de unin. G.W. Neudeck. Ed. Addison-Wesley Iberoamericana 4 edicin, 1995

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