UNIVERSIDAD CATOLICA DE SANTA MARIA FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERIAS FISICAS Y FORMALES PROGRAMA PROFESIONAL DE INGENIERIA MECANICA, MECANICA ELECTRICA

A Y MECATRONICA

TTULO

INTEGRANTES: Cyran Perez Jonathan G:6 Rivas Quispe Saulo G:6 Leon Chai Erick G:7 Medina Rodriguez Yobany G:7 CURSO:
CIRCUITOS ELECTRONICOS I (Laboratrio)

DOCENTE :
Ing. Collado Oporto Cristian

AREQUIPA PERU

2013

Laboratorio de Circuitos Electrnicos I

UCSM

CARACTERISTICAS DEL DIODO

OBJETIVOS: Obtener las caractersticas de u diodo de silicio y germanio. Analizar las Caractersticas tcnicas de un diodo.

MARCO TEORICO:
DIODO IDEAL: El diodo ideal es un dispositivo de dos terminales que tiene el smbolo y las caractersticas siguientes:

Proporciona una base comparativa respecto de las caractersticas de un dispositivo real. En forma ideal un diodo conducir corriente en la direccin definida por la flecha en el smbolo, se comporta como un circuito cerrado para la regin de conduccin, y actuara como un circuito abierto al intentar establecer corriente en direccin opuesta. Para el diodo ideal:

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DIODO SEMICONDUCTOR: Se forma uniendo material tipo p y material tipo n construidos a partir del mismo material base Ge o Si. Los e- y los huecos en la regin de conduccin se combinaran, dando como resultado una carencia de portadores en la regin cercana a la unin. Esta regin de iones positivos y negativos recibe el nombre de regin de agotamiento por ausencia de portadores en la misma. La aplicacin de un Voltaje implica tres posibilidades: No hay polarizacin (Vd = 0V) Polarizacin Directa (Vd > 0V) Polarizacin Inversa (Vd < 0V)

SIN POLARIZACION: Los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo n que se encuentra dentro de la regin de agotamiento pasaran directamente al material tipo p. Supondremos que todos los portadores minoritarios del material tipo n que se encuentran en la regin de agotamiento debido a su movimiento aleatorio pasaran directamente al material tipo p. Los portadores mayoritarios (electrones) en el material tipo n deben superar las fuerzas de atraccin de la capa de iones positivos en el material tipo n, as como la capa de iones en el material tipo p , para emigrar hacia el rea ms all de la regin de agotamiento del material tipo p. Sin embargo el nmero de portadores mayoritarios es tan grande en el material tipo n que invariablemente habr un pequeo nmero de portadores mayoritarios con suficiente energa cintica para pasar a travs de la regin de agotamiento y llegar al material tipo p .En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado el flujo neto de carga en cualquier direccin para un diodo semiconductor es cero.

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CONDICION DE POLARIZACION INVERSA: Al aplicar un potencial externo y con la terminal positiva conectado al material tipo n y la terminal negativa conectado al material tipo p, el nmero de iones positivos en la regin de agotamiento del material tipo n, aumentara debido al mayor nmero de iones libres arrastrados hacia el potencial positivo. El nmero de iones negativos se incrementara en el material tipo p. El efecto es un ensanchamiento de la regin de agotamiento que establece una barrera demasiado grande para que los portadores mayoritarios puedan superar reduciendo el flujo de los mismos.

CONDICION DE POLARIZACION DIRECTA: O tambin llamado condicin de encendido se establece aplicando el potencial positivo al material tipo p y el potencial negativo al material tipo n.El Vd presionara a los electrones en el material tipo n y alos huecos en el material tipo p para recombinar con los iones cerca de la frontera y reducir el ancho de la regin de agotamiento.El flujo resultante de portadores minoritarios de los electrones del material tipo p hacia el material tipo n no cambia de magnitud (el nivel de conduccin se controla por el aumento limitado de impurezas en el material); la reduccin en el ancho de la regin de agotamiento resulta en un denso flujo de portadores mayoritarios a travs de la unin: al aumentar el valor de la polarizacin, la regin de agotamiento disminuir su ancho hasta producir un desbordamiento de electrones , resultando en un incremento exponencial en la corriente. El voltaje a travs de un diodo polarizado directamente ser

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Las caractersticas de un Diodo de Germanio o de Silicio tienen la forma general mostrada en la figura Nro. 1 .Note el cambio en la escala para ambos en la columna vertical y horizontal. En la regin de polarizacin inversa la corriente de saturacin inversa es justamente constante de 0V al potencial Zener. En la regin de polarizacin directa la corriente crece realmente rpidamente cuando se incrementa un poco el voltaje en el diodo. Note que la curva es subiendo casi verticalmente aun voltaje de polarizacin directa de menos de 1V. La corriente del Diodo en polarizacin directa se limitara solamente por la red en que el diodo es conectado o la mxima corriente o por el valor de potencia del diodo.

CARACTERISTICAS DE DIODO DE GERMANIO Y SILICIO: La Resistencia de Corriente Continua o Esttica de un diodo en un punto de la curva caracterstica est determinada por la proporcin del voltaje del diodo en ese punto, dividido por la corriente del diodo. Esta es:

La Resistencia de Corriente Alterna o Dinmica aun particular voltaje y corriente del diodo puede ser determinada usando una lnea tangente dibujada como esta en la figura Nro. 1 .El resultado del voltaje y corriente de desviacin puede ser determinado siguiendo la ecuacin aplicada:

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EQUIPO Y MATERIALES: Fuente: DC, DMM Resistores: Diodos: Silicio 1N002 y 1N4148 , Germanio 1N60

PROCEDIMIENTO:
PARTE 1: Prueba del Diodo Escala de prueba de Diodos del DMM Usar la escala de prueba de diodo en el DMM y determinar la condicin de cada Diodo.

TEST DIRECTO INVERSO

Si: 1N4004 642 Fuera de Rango

Si: 1N4007 675 Fuera de Rango

Ge: 1N4748 332 Fuera de Rango

Tabla 1
Escala de Resistencias del DMM Usar la escala de prueba de diodo en el DMM y determinar la condicin de cada Diodo.

TEST DIRECTO INVERSO

Si: 1N4004 1848 Fuera de Rango

Si: 1N4007 1469 Fuera de Rango

Ge: 1N4748 1428 Fuera de Rango

Tabla 2
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PARTE 2: Caractersticas del Diodo en polarizacin Directa Construya el Circuito de la figura y registre el valor medido del resistor.

SIMULACION EN MULTISIM: (en este caso los diodos estn polarizacin DIRECTA)

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Incremente el voltaje de la fuente hasta que

Mida el y calcule . Anote en la tabla 3,4 y 5 segn el tipo de Diodo. Obtener datos suficientes para dibujar las curvas caractersticas del Diodo de Silicio y Germanio.

DIODO Si:1N4004
(V) (V) (V) (V) (mA) (mA)

0.1
0.562 0.1

0.2
0.661 0.2

0.3
0.823 0.3

0.4
0.924 0.4

0.5
1.044 0.5

0.6
1.498 0.6

0.7
1.243 0.7

0.8
1.359 0.8

0.9
1.444 0.9

1
0.587 1

2
0.621 2

3
0.641 3

4
0.654 4

5
0.665 5

6
0.674 6

7
0.681 7

8
0.688 8

9
0.693 9

DIODO Si:1N4007
(V) (V) (V) (V) (mA) (mA)

0.1
0.490 0.1033

0.2
0.522 0.2066

0.3
0.543 0.3099

0.4
0.555 0.4132

0.5
0.567 0.5165

0.6
0.585 0.6195

0.7
0.592 0.7231

0.8
0.597 0.8264

0.9
0.602 0.9298

1
0.612 1.0331

2
0.619 2.0661

3
0.625 3.0991

4
0.629 4.1322

5
0.633 5.1652

6
0.657 6.1983

7
0.668 7.2314

8
0.689 8.2644

9
0.697 9.2975

DIODO Ge: 1N4748

(V) (V) (V) (V) (mA) (mA)

0.1
0.138 0.1033

0.2
0.165 0.2066

0.3
0.174 0.3099

0.4
0.179 0.4132

0.5
0.183 0.5165

0.6
0.184 0.6195

0.7
0.185 0.7231

0.8
0.187 0.8264

0.9
0.188 0.9298

1
0.191 1.0331

2
0.1993 2.0661

3
0.2041 3.0991

4
0.2081 4.1322

5
0.2121 5.1652

6
0.2131 6.1983

7
0.2151 7.2314

8
0.2171 8.2644

9
0.2191 9.2975

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PARTE 3: Polarizacin Inversa Construya el Circuito de la figura y registre el valor medido del resistor.

Mida el Voltaje calcule la corriente de saturacin inversa con la ecuacin : Es la resistencia Interna del DMM (10 M) : Es la Resistencia medida con el multmetro que da

FORMULA:

NOTA: Para hallar Resistencias en paralelo Utilizamos:

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1N4002
2.794 V 3.1131

1N4148
1.439 V 1.5978

1N60
3.22 V 3.5877

MEDIDO CALCULADO

SIMULACION EN MULTISIM: (en este caso los diodos estn polarizacin INVERSA)

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OPERACIONES QUE USAMOS: PARA EL DIODO 1N4002:

PARA EL DIODO 1N4148:

PARA EL DIODO 1N60:

Determine los niveles de Resistencia DC para los Diodos usados en la Ecuacin.

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PARTE 4: Resistencia DC

Usando las curvas caractersticas de los Diodos, determine el voltaje de Diodo en los
niveles de Corriente Indicados en la Tabla 6,7 y 8.

DIODO: Si 1N4002
0.2 1 5 10
0.48224 V 0.50077 V 0.59344 V 0.70927 V 799.1 500.8 118.688 70.9275

Tabla 6

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CALCULOS: UTILIZAMOS INTERPOLACION LINEAL SIMPLE PARA HALLAR EL :

Estos valores agarramos de la TABLA 3 o del grfico:

PARA

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*Para Obtener la Resistencia R:

PARA

*Para Obtener la Resistencia R:

PARA

*Para Obtener la Resistencia R:

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PARA

*Para Obtener la Resistencia R:

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DIODO: Si 1N4148
0.2 1 5 10
0.49216 V 0.50999 V 0.59918 V 0.71066 V 2460 509.99 119.836 71.0663

Tabla 7

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CALCULOS HECHOS: PARA

*Para Obtener la Resistencia R:

PARA

*Para Obtener la Resistencia R:

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PARA

*Para Obtener la Resistencia R:

PARA

*Para Obtener la Resistencia R:

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DIODO: Ge 1N60
0.2 1 5 10
0.138853 V 0.14591 V 0.181193 V 0.225296 V 694.265 145.9096 36.2385 22.52966

Tabla 8

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CALCULOS HECHOS: PARA

*Para Obtener la Resistencia R:

PARA

*Para Obtener la Resistencia R:

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PARA

*Para Obtener la Resistencia R:

PARA

*Para Obtener la Resistencia R:

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CONCLUCIONES:
Los Diodos se pueden daar o malograr por ejemplo cuando se coloca en polarizacin inversa y se proporciona una gran tensin de voltaje llamada tensin de RUPTURA que ocasiona que el diodo deje pasar la Corriente como si fuera un simple cable de conexin, por lo tanto el diodo estara daado. Los Diodos son buenos rectificadores de corriente, sirven de mucho para que la corriente tome un solo sentido bien positivo o negativo, dependiendo de la posicin del circuito. Los diodos son dispositivos no lineales, estos tienen aplicaciones muy interesantes sin las cuales no conoceramos la electrnica moderna. Tiene especial importancia en los circuitos de conmutacin ya que estos pueden conducir o no conducir segn el voltaje aplicado. Los diodos tambin sirven como circuitos limitadores que son parte fundamental de osciladores sostenidos, los diodos Zener actan como reguladores en los circuitos rectificadores, que a su vez tienen diodos en una configuracin llamada puente de diodos que le saca el valor absoluto a la senal sinusoidal de la linea.

BIBLIOGRAFIA: http://es.scribd.com/doc/2514339/FUNCIONES-DE-LOS-DIODOS http://www.asifunciona.com/fisica/af_diodos/af_diodos_6.htm http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo

Schilling Belove: Circuitos Electrnicos, Barcelona 1985, 3ra Edicin. Boylestad Nashelsky: Teora de Circuitos. Mxico 1995, 5ta. Edicin. Howard H.Gerrish: Circuitos con Transistores y Semiconductores, Mxico 1990, 9na Edicin.

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