PRCTICA VIII POLARIZACIN DE TRANSISTORES DE UNIN BIPOLAR

OBJETIVOS:
Observar los diferentes circuitos de polarizacin de transistores de unin bipolar (BJT). Obtener la recta de carga de salida.

PRE REPORTE:
Realizar la simulacin de los tres circuitos de polarizacin y correspondientes.
ID Pre_reporte Trabajo en equipo Revisin Evaluacin

obtener las tablas

ANTECEDENTES TERICOS
Debido a la gran cantidad de aplicaciones y diferentes maneras de utilizar los transistores, sera imposible aprender cada una de las reas de aplicacin. En lugar de ello, se estudia la operacin de circuitos ms fundamentales y una vez con este conocimiento, se puedan analizar circuitos ms complejos. Para utilizar los transistores de unin bipolar (BJT) para amplificacin de voltaje o corriente o como elementos de control (on - off), es necesario primero polarizar el dispositivo. El objeto de la polarizacin es lograr una condicin de corriente y voltaje denominada punto de operacin (punto quiescente o punto Q). En el diseo de circuitos con transistores, se escoge un punto de operacin o reposo (Q), para que el transistor funcione en un margen determinado y para asegurar que se cumpla la linealidad (y a veces una excursin lineal mxima) y no sobrepase la potencia mxima. En la figura 8.1 se muestra el circuito de polarizacin y en la figura 8.2 la caracterstica de colector de salida, para la configuracin emisor comn. Como se observa en la caracterstica, el punto de reposo se encuentra en la regin de mayor linealidad, con una buena excursin simtrica.

RC RB

IC +

V CC

+
VBB IB VB E RE

V CE

IE

Figura 8.1 Circuito de polarizacin emisor comn.

IC(mA) VCC RC+R E

ICQ

VCEQ

VCC

VCE(volts)

Figura 8.2 Caractersticas de colector.

MATERIAL Y EQUIPO EMPLEADO

1 2 1 2 1 Fuente de CD Multmetros Tableta experimental Transistores 2N2222 Dcada de resistencias Resistencias a W (1k (1), 100 (1), 8.2k (1), 100k (1))

DESARROLLO EXPERIMENTAL
CIRCUITOS DE POLARIZACIN

1. Implemente el circuito de la figura 8.3.

1 k 100 k

IC +

VCC =12 V

+
VBB IB VBE 100

V CE

IE

Figura 8.3 Circuito de polarizacin emisor comn.

2. Vare el voltaje de VBB para obtener cada valor de IB mostrado en la tabla 8.1, midiendo y anotando la corriente IC y el voltaje VCE para cada IB, segn la tabla. 3. Cambie el transistor por otro del mismo tipo, y repita el paso anterior.
Tabla 8.1. Mediciones para el circuito de polarizacin de la figura 8.3. Q1 Q2

VBB 0 1.269 1.9 2.51 3.11 3.71 4.31 4.9 5.49 6.65 7.77

IB(A) 0 5 10 15 20 25 30 35 40 50 60

IC(mA VCE hFE ) 0 1.13 2.22 3.23 4.2 5.14 6.04 6.89 7.72 9.27 10.4 12 10.8 9.56 8.44 7.37 6.35 5.35 4.41 3.5 1.8 0.51

VBB 0 1.128 1.65 2.155 2.665 3.17 3.68 4.185 4.68 5.69 6.69

IC 0 1.13 2.25 3.33 4.44 5.46 6.49 7.49 8.46 10.4 11.7

VCE 12 10.9 9.75 8.67 7.59 6.54 5.51 4.51 3.54 1.64 0.26

hFE

4. Implemente el circuito de la figura 8.4.

RB

IB

IC

R C =1 k

+
VCC =12V

+
V BE IE

V CE

R E =100

Figura 8.4 Circuito de polarizacin con resistor de emisor.

5. De acuerdo a los valores de RB que se muestra en la tabla 8.2, mida los valores de corriente de base (IB), de colector (IC) y el voltaje colector-emisor (VCE), y antelos en la misma tabla. Vcc= 12 V, RC = 1K, RE= 100.
Tabla 8.2. Mediciones para el circuito de polarizacin de la figura 8.4.

RB (K) 47 100 220 270 390 470 560 680 820 1000 1800

IB(uA) 217 102 47.2 39.0 27.5 23 19.5 16.1 13.4 11.1 6.22

IC(mA) 10.5 10.5 8.85 7.56 5.6 4.78 4.11 3.46 2.92 2.43 1.4

VCE 0.40 0.43 2.26 3.68 5.83 6.74 7.48 8.19 8.79 9.32 10.5

hFE

6. Implemente el circuito de la figura 8.5.

+
R2 = 8.2 k

IC IB VBE R1 IE

RC = 1 k

+
VCC= 12V

+
VCE

+
VBB

RE= 100

Figura 8.5 Circuito de polarizacin por medio de un divisor de voltaje.

7. De acuerdo a los valores que se muestra en la tabla 8.3, mida los valores de corriente de base (IB), de colector (IC), de voltaje colector-emisor (VCE), y de voltaje en R1 (VBB) y antelos en la misma tabla. Vcc= 12 V, RC = 1 k, RE= 100, R2= 8.2 k.

Tabla 8.3. Mediciones para el circuito de polarizacin de la figura 8.5. R1 () 470 560 680 820 1000 1200 1500 1800 VBB 0.65 0.76 0.91 1.08 1.28 1.49 1.78 1.82 IB uA 1.29 4.83 10.7 18.2 28.3 40.1 62.9 234 IC mA 0.30 1.10 2.35 3.86 5.74 7.74 10.5 10.5 VCE 11.7 10.8 9.41 7.76 5.68 3.48 0.49 0.40 hFE

2200 2700

1.85 1.87

399 542

10.5 10.5

0.38 0.37

ACTIVIDADES COMPLEMENTARIAS
1. Se tuvieron variaciones al cambiar de transistor? 2. En cul circuito las variaciones de IBQ, ICQ y VCEQ fueron menores al cambiar el parmetro indicado en su respectiva tabla? 3. En los circuitos de polarizacin realizados, Fueron los resultados experimentales los esperados? Comente. 4. Grafique IC contra VCE, as como hFE contra IC para los tres casos. 5. De acuerdo a los datos anotados en las tablas, cules son los valores ptimos para cada circuito? NOTA: Anote un punto de operacin para cada tabla.

SUGERENCIAS
Para el desarrollo de esta prctica, se puede emplear una dcada de resistencias, si se opta por usar sta, es recomendable que se verifique que la dcada est funcionando correctamente, para ello habr que seleccionar algn valor de resistencia, luego habr que verificar con el multmetro que el valor seleccionado en la dcada sea muy semejante al que se est midiendo. Para realizar esta prueba habr que tener la dcada aislada del circuito, ya que si se hace cuando la dcada este conectada con el circuito, es muy probable que se midan valores de resistencias diferentes a los que se seleccionen. Es recomendable que no se midan resistencias cuando un circuito est alimentado y que se desconecten los multmetros que estn realizando esta funcin ya que las lecturas tomadas sern errneas, y se pueden ver afectadas otras mediciones que se estn tomando en el mismo circuito. Se debe recordar que a travs del llenado de las tres tablas se est obteniendo la recta de carga de salida de cada circuito de polarizacin, donde al variar el parmetro indicado en cada una de ellas se estar pasando por las tres regiones de operacin del transistor. Para conocer la (hFE) de cada transistor, se podr hacer mediante el siguiente circuito de polarizacin de la figura 8.6 donde la RB = 470 k. El cual se deber llevar a todas las prcticas que sea necesario.

IC RB IB

R C =1k

+
VCC= 12V

+ + V CE V BE - IE R E =100

Figura 8.6 Circuito de polarizacin para obtener la hFE.

Segundo transistor

3.