3. Defectos en la Estructura Cristalina.

Solidificacin de Metales
3.2 Imperfecciones Cristalinas
Es imposible obtener materiales que no contengan un cierto nivel de defectos o
imperfecciones de red que destruyen su periodicidad. Estas imperfecciones, repercuten
directamente en sus propiedades. Se clasifican segn su geometra en: Defectos de punto,
Defectos e Linera y Defectos de superficie.
3.3 Defectos de Punto
Son los defectos cristalinos ms sencillos, se relacionan con los nudos de la red. Se originan en
una ! etapa durante la solidificaci"n del material , bien por la posici"n incorrecta de un tomo
en un lugar no adecuado del cristal o por la ausencia de alguno en su posici"n de equilibrio.
Los cambios e #! dan lugar a fluctuaciones en la energa interna de los tomos lo que provoca
su difusi"n interna, despla$ndolos de sus posiciones de mnima energa. #ambi%n pueden
originarse durante el conformado.
&.&.. Defectos puntuales intrnsecos. 'acantes
Sion defectos in(erentes de la propia red del material cristalino. Se produce cuando un tomo
no ocupa su posici"n de equilibrio en la red, de)ando un (ueco en la misma y generando una
distorsi"n en su entorno.
En estado de equilibrio, el n! de vacantes que e*iste en + tomos por unidad de volumen
depende de la #!: n , + c
-(L

k1 )

En muc(os metales, la relaci"n entre el n! de vacantes y el de tomos que ocupan
correctamente sus posiciones es del orden de 1u
-4
.
&.&.-. Defectos .untuales /ntrnsecos. /ntersticiales
El intersticio es el (ueco libre entre los tomos que forman el cristal. Es muc(o menor que el
volumen del tomo que ocupa la red, por lo que si un tomo se sita en uno provoca una gran
distorsi"n. Este defecto es poco frecuente por el impedimento que el tama0o de los
intersticios impone.
&.&.&. Defectos .untuales E*trnsecos
Son defectos puntuales de naturale$a e*terna, consecuencia de tomos de impure$as en la red
cristalina. Si las impure$as se sitan en los intersticios de la redes llaman intersticiales1 as los
elementos de peque0o radio at"mico como 2, 3, +, 4 son ms propensos a ocupar estos
lugares.
Si la impure$a ocupa una posici"n de equilibrio de la red se considera un defecto sustitucional.
.ara que esto ocurra, la impure$a debe tener un tama0o5diferencia entre radios at"micos 6
789, carga5mnima diferencia de electronegatividad9 y estructura similar al sustituido.
&.: Difusi"n en estado solido
La difusi"n es el mecanismo de despla$amiento de tomos a trav%s de la red, bien por el
mecanismo de migraci"n de vacantes, que no producen distorsi"n en la estructura cristalina, o
por un mecanismo intersticial que induce un movimiento de naturale$a aleatoria en la
migraci"n at"mica. .ara que e*ista difusi"n en estado s"lido se requiere la presencia de
defectos puntuales en la red.
&.:.. ;ecanismos de difusi"n
Los tomos pueden despla$arse por el interior de la red cristalina si la energa de activaci"n
proporcionada por la vibraci"n t%rmica es suficiente y si e*isten defectos de red del tipo
vacantes o intersticiales en las pro*imidades. El mecanismo de difusi"n mediante vacantes, el
tomo se despla$a desde su posici"n de equilibrio (asta la vacante ms pr"*ima, siempre que
disponga de la energa de activaci"n suficiente, generando un flu)o de vacantes en sentido
contrario a su despla$amiento. El mecanismo mediante intersticios, de modo que las
impure$as pueden despla$arse a trav%s de los intersticios siempre que tengan la energa de
activaci"n suficiente.
&.:.-. Leyes de <ic=
Son las leyes que regulan matemticamente la difusi"n en el estado solido.
&.:.-.. .rimera ley de <ic=. <lu)o Estacionario
&.:.&. <actores que influyen en la difusi"n
El coeficiente de difusi"n D, cuya magnitud indica la velocidad de difusi"n, depende de
diferentes factores.
#emperatura 5> mayor #!, mayor probabilidad de vencer las barreras de energa, por lo tanto,
mayor al velocidad _ un aumento de -?! duplica la velocidad91 ;ecanismos de difusi"n5Segn
sea por vacantes o intersticiales91 4oncentraci"n1 Estructura 4ristalina1 Defectos 4ristalinos5la
difusi"n es mayor en $onas con mayor densidad de defectos cristalinos5fronteras de grano,
defecto superficial, alto n! de vacantes,@,etc.99
&.7. Defectos de lnea. Dislocaciones
Son defectos asociados principalmente a la deformaci"n mecnica. Las diferencias entre los
esfuer$os te"ricos necesarios para el movimiento de los tomos de un plano respecto a otro
en un cristal 5ci$allamiento o cortadura9 frente a los reales5los ltimos son muy inferiores9 se
debe a la e*istencia de defectos lineales o dislocaciones en la red que causan la debilidad
citada.



&.7.. #ipos de dislocaciones
Dislocaci"n en >rista: .uede considerarse como un plano insertado en el interior de la red que
provoca una deformaci"n local en la misma. Suelen designarse mediante una # invertida 5b9.

Dislocaci"n 2elicoidal: Se puede definir como planos en forma de caracol en el interior del
cristal.

&.7.-. 4aracteri$aci"n de las dislocaciones. 'ector de Aurgers
Se caracteri$a mediante el circuito de Aurgers que se reali$a paso a paso al rededor de la
dislocaci"n. El cristal sin defecto tendr m * n pasos y no ser preciso cerrarlo con ningn
vector, ya que se cierra en el punto inicial. En un cristal con dislocaciones, el vector de Aurgers
para cerrar el circuito. Si solo es necesario un vector para cerrar el circuito, la dislocaci"n ser
unitaria , la necesidad de dos o ms vectores implica dislocaciones mltiples. Dado que la
energa de una dislocaciones es funci"n del vector de Aurgers, cuanto mayor sea este vector,
mayor energa ser necesario comunicar a la dislocaci"n para que se desplace a trav%s del
cristal. #ambi%n se pueden definir mediante las orientaciones relativas entre la lnea de
dislocaci"n 5B9 y el vector de Aurgers 5b

9. 4uando son perpendiculares la dislocaci"n se define

como en arista, y si son paralelos es (elicoidal.

En la prctica se presentan como una combinaci"n de ambos tipos, denominndose
dislocaciones mi*tas.
Las dislocaciones se mueven con ms facilidad en planos de m*ima densidad at"mica, ya que
la distancia entre tomos es menor. Cn plano de desli$amiento se define mediante el vector de
Aurges