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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA E.A.P DE INGENIERIA ELECTRONICA

DOCENTE PRESENTADO POR

ING. PARETO : 11190027 :

YAGUA HUAMAYALLI, JUAN JOSE ASIGNATURA NUMERO DE INFORME: : TEMA

LIMA PERU 2014

EXPERIMENTO N07 I.-TEMA.-EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN: CARACTERISTICAS BASICAS


II.-OBJETIVOS 1.-Verificar las condiciones de un transistor bipolar NPN. 2.-Comprobar las caractersticas de funcionamiento de un transistor bipolar NPN II.-CUESTIONARIO PREVIO 1.-Indicar y explicar cada una de las especificaciones de funcionamiento de un transistor bipolar. 2.-De los manuales, obtener los datos de los transistores bipolares 3.-Determinar el punto de operacin del circuito de operacin del circuito del experimento IV.-FUNDAMENTO TEORICO

El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS. Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector, de extensin mucho mayor.

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad.

El Alfa y Beta del transistor

Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la regin del emisor y el bajo dopaje de la regin de la base pueden causar que muchos ms electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia de corriente emisor comn est representada por o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la base en la regin activa directa y es tpicamente mayor a 100. Otro parmetro importante es la ganancia de corriente base comn, . La ganancia de corriente base comn es aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la regin activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente determinados por las siguientes relaciones (para un transistor NPN):

NPN

El smbolo de un transistor NPN.

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin. Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector.

La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo. 2N222 Transistor Datasheet. Los parmetros y caractersticas. Designador de tipo: 2N222 Material del transistor: Ge Polaridad: pnp Mxima del colector disipacin de potencia (Pc): 70mW Mxima tensin colector-base (Ucb): 15V Mxima tensin colector-emisor (Uce): 12V Mximo emisor-base voltaje (Ueb): La corriente de colector mxima (Ic max): 70mA La temperatura mxima de la unin (Tj): 85C Transicin frecuencia (ft): 400KHz Recaudador de capacitancia (Cc), Pf: 70 Transferencia de la relacin de corriente (hFE), min/max: 20T Fabricante de transistor 2N222: RCAPackage of 2N222 transistor: TO1 Aplicacin: bajo consumo, de uso general

V.-MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO 1.-Multimetro 2.-Un miliampermetro 3.- Un micro ampermetro 4.-Un voltmetro de C.C 5.-Un transistor NPN 6.-Un osciloscopio 7.-Resistores

Re=350, Rc=820,R1= 47K,R2=22k 8.-Condensadires 10.-Una fuente de CC variable 11.- Cables conectores(tres coaxiales ) 12.-Un potencimetro 13.- Una placa con zcalo de 3 terminales 14.-Dos placas con zcalo de 2 terminales

VI.-PROCEDIMIENTO 1.-Verificar el estado operativo del transistor, usando el ohmmetro .Llenar la tabla1 RESISTENCIA BASE-EMISOR BASE-COLECTOR COLECTOR-EMISOR DIRECTA() 1191 1107 >1.5m INVERSA() >40M >40M >40M

2.-Armar el siguiente circuito

a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib).Obtener el (PI=0) b) Medir los voltajes entre colector-emisor (Vce),entre la base-emisor(Vbe, y entre emisor-tierra(Ve) c) Colocar los datos obtenidos en la Tabla 2 d) Cambiar R1 a 68K, repetir los pasos (a)y (b) Y anotar los datos en la Tabla 3(por ajuste de P1) e) Aumentar la resistencia de P1 a 100K,250 K,500 K y 1M.. Obsrvese lo que sucede con las corrientes Ic y Ib y con el voltaje Vce. Llenar la Tabla. 3.-Ajustar el generador de seales a 50 mv-pp, 1K Hz, onda senoidal. Observar la salida Vo con el osciloscopio. Anotar en la Tabla 4

TABLA 2 Valores(R1=47K) Ic(mA) Tericos Medidos 10 mA TABLA 3 Ib(A) 19 A Vce(v) 3.307v Vbe(v) 0.667v Ve(v) 2.047v

Valores(R11=70K) Ic(mA) Tericos Medidos 6.25 mA TABLA 4 TABLA 2(Q1) 3(Q2) TABLA 5 P1 Ic(mA) Ib(A) Vce(v) 160K 2.6v 4.5v 9.81v Vi(mv.pp)

Ib(A) 11 A

Vce(v) 6.70v

Vbe(v) 0.048v

Ve(v) 1.684

Vo(v.pp)

Av

Vo(sin Ce)

Av(sin Ce)

304 K 0.6v 1v 11.48v

543 K 12.00v

1M -

VII-CUESTIONARIO FINAL 1.-Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificacin operativa con el Ohmmetro 2.-Representar la recta de carga en un grafico Ic vs Vce del circuito del experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las tablas 2 , 3 y 5 3.- En qu regiones de trabajo se encuentran los puntos de las tablas 2 y 3 4.-Qu sucede con el punto de operacin si cambiamos R1 a 150 K Explicar lo ocurrido e indicar sus valores tericos 5.-Indicar las diferencias ms importantes entre el circuito de experimento(Transistor NPN) con respecto al anterior (TRANSISTOR PNP) 6.-Esponer sus conclusiones acerca del experimento DE LOS EXPERIMENTOS SIGUIENTE: REALIZADOS. PODEMOS CONCLUIR LO este

EL FUNCIONAMIENTO DE UN TRANSISTOR BJT. YA SEA NPN O PNP, DEPENDE DE LA POLARIZACION QUE SE LE APLICA EN SUS TERMINALES, YA QUE UNA MALA POLARIZACION PODRIA FUNCIONAR MAL TODO EL CIRCUITO EN EL QUE SE LE APLIQUE O EL USUARIO NO PODRIA TERNER LOS RESULTADOS SATISFACTORIOS. DURANTE EL EXPERIMENTO PODIMOS COMPROBAR LA TEORIA QUE FUE ASIMILADA EN EL SALON DE CLASES, POR EJEMPLO. QUE LA CORRIENTE DEL COLECTOR DESPUS DE CIETO VOLTAJE SE APROXIMA ALA CORRIENTE DEL EMISOR.

TAMBIEN SE PUDO DEMOSTRAR QUE SI SE APLICA UN VOLTAJE ENTRE EL EMISOR Y LA BASE SE PUEDE OBTENER UNA GANACIA DE VOLTAJE EN EL COLECTOR Y LA BASE ASI SE PUEDE COMPROBAR QUE ESTE TIPO DE SISPOSITIVOS SE PUEDEN UTILIZAR COMO AMPLIFICADORES.