UNIVERSIDAD TECNOLGICA NACIONAL

FACULTAD REGIONAL MENDOZA

DEPARTAMENTO DE ELECTRNICA

CTEDRA DE TECNOLOGA ELECTRNICA










MATERIALES PIEZOELECTRICOS

Y

EFECTO PIEZOELECTRICO









PROFESOR TITULAR: ING. ADOLFO F. GONZLEZ

PROFESOR ADJ UNTO: ING. RICARDO M. CESARI

AYUDANTE TRABAJ OS PRCTICOS: ING. RUBN O. VICIOLI

2009
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NDICE

INTRODUCCIN ______________________________________________________________________ 3
EL EFECTO PIEZOELCTRICO EN LA CERMICA __________________________________________ 4
LAS CERMICAS PIEZOELCTRICAS ________________________________________________________________ 4
EL MONOCRISTAL DE TITANATO DE BARIO __________________________________________________________ 5
EJ EMPLO PRCTICO ____________________________________________________________________________ 7
TEORA Y DEFINICIN DE CANTIDADES __________________________________________________ 8
RELACIONES PIEZOELCTRICAS ___________________________________________________________________ 8
SUBNDICES __________________________________________________________________________________ 9
Constante dielctrica : _____________________________________________________________________ 10
Constante elstica s: ________________________________________________________________________ 10
Constantes piezoelctricas d,g,k: ______________________________________________________________ 10
Casos especiales K
P
y K
t
: ____________________________________________________________________ 10
Constante de frecuencia N: __________________________________________________________________ 11
CARACTERSTICAS TECNOLGICAS ___________________________________________________ 11
TIPOS DE MATERIALES PIEZOELCTRICOS __________________________________________________________ 11
PXE 3: __________________________________________________________________________________ 11
PXE 4: __________________________________________________________________________________ 11
PXE 5: __________________________________________________________________________________ 11
PXE 7: __________________________________________________________________________________ 12
PXE 10: _________________________________________________________________________________ 12
PXE 11: _________________________________________________________________________________ 12
TCNICAS DE UNIN DE LOS ELECTRODOS __________________________________________________________ 13
Pegado: __________________________________________________________________________________ 13
Soldado: _________________________________________________________________________________ 13
DESPOLARIZACIN ___________________________________________________________________________ 13
Despolarizacin trmica: ____________________________________________________________________ 13
Despolarizacin Elctrica: ___________________________________________________________________ 13
Despolarizcin mecnica: ___________________________________________________________________ 13
ESTABILIDAD ________________________________________________________________________________ 14
APLICACIONES ______________________________________________________________________ 14
FILTROS PASABANDA CERMICOS PXE ____________________________________________________________ 14
Funcionamiento: ___________________________________________________________________________ 14
Caractersticas: ___________________________________________________________________________ 14
Ejemplo: _________________________________________________________________________________ 16
FUNCIONAMIENTO DE LOS RESONADORES A FRECUENCIAS MS ALTAS ____________________________________ 16
CERMICAS PIEZOELCTRICAS EN ULTRASONIDO ____________________________________________________ 17
Generalidades: ____________________________________________________________________________ 17
Generadores ultrasnicos: ___________________________________________________________________ 17
BIBLIOGRAFA ______________________________________________________________________ 19
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INTRODUCCIN

La piezoelectricidad, descubierta por J acques y Pierre Curi en el ao 1880, es el nombre dado al
fenmeno en el cual se genera electricidad en ciertos materiales sujetos a un esfuerzo mecnico. Los
mismos materiales muestran el efecto inverso en el que cambian su forma bajo la influencia de un campo
elctrico. Los materiales piezoelctricos ms comunes son cristales naturales como el cuarzo, la turmalina,
la sal de Rochelle, etc., los cuales han servido durante muchos aos como transductores de una cantidad
de aplicaciones electro mecnicas y mecano elctricas y que seguramente seguirn encontrando
nuevas aplicaciones en el futuro. Sin embargo el descubrimiento de materiales cermicos piezoelctricos
abri el camino hacia numerosas aplicaciones. Los materiales cermicos piezoelctricos son qumicamente
inmunes a la humedad o cualquier otra condicin atmosfrica. Tienen propiedades mecnicas semejantes a
las ms conocidas cermicas de aislacin y son fabricadas en procesos similares aunque se efecta un
control ms estricto en la formacin de propiedades elctricas.
Por su naturaleza cermica a estos materiales piezoelctricos puede drseles cualquier forma o
tamao con la direccin de polarizacin elegida libremente para cumplir con todas las necesidades de
diseo del transductor. Adems son extremadamente firmes, es decir, son capaces de producir o soportar
muy grandes esfuerzos.
Con pequeos cambios de la composicin qumica de los materiales es posible enfatizar una o ms
propiedades especficas de modo tal de cumplir especialmente los requerimiento de ciertas aplicaciones.
Los numerosos campos de aplicacin pueden ser divididos en los siguientes grupos:

a. Generadores de alta tensin:

- Ignicin o encendido de llama piloto en aparatos a gas.
- Encendedores de cigarrillos.
- Encendido de bulbos de flash.
- Encendido de mecha de explosivos.

b. Transductores de ultrasonido de alta intensidad:

- Desgaste y limpieza por ultrasonido.
- Soldadores ultrasnicos de plstico y metales.
- Maquinados ultrasnicos, por ejemplo: taladrado.
- Proyectores sonares.
- Terapia mdica ultrasnica.
- Humidificadores ultrasnicos.

c. Transductores ultrasnicos de baja intensidad:

- Ensayos no destructivos ultrasnicos.
- Diagnsticos mdicos ultrasnicos.
- Sonares.
- Aparatos para exploracin ssmica.
- Transductores de retardo acstico (reverberadores).

d. Sistemas de flexin:

- Cpsulas Pick Up.
- Timbres piezoelctricos de golpeteo.
- Sensores areos ultrasnicos.
- Micrfonos.
- Telecomandos.

e. Otras aplicaciones:

- Filtros pasa banda cermicos de F.I.
- Detectores ultrasnicos de nivel de lquido.
- Medidores ultrasnicos de flujo.
- Detectores ultrasnicos de solidez o dureza.
- Acelermetros.
- Detectores de esfuerzo.
- Control de movimientos leves.
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EL EFECTO PIEZOELCTRICO EN LA CERMICA

Las cermicas piezoelctricas

Para ayudar entender el efecto piezoelctrico debemos considerar primero la micro
estructura del material. Desde el punto de vista elctrico la cermica piezoelctrica puede
considerarse que contiene dipolos elementales (Figura 1), consistentes en una carga positiva y una
negativa a una cierta distancia.
Antes del proceso de fabricacin los dipolos no muestran preferencia por alguna direccin
en particular, de modo que en el material cermico estn orientados al azar (figura 1.a). Cuando se
aplica un esfuerzo la suma de los desplazamientos de carga es cero tal que bajo estas condiciones
el material no exhibir un efecto piezoelctrico.


Dipolos en cermicas piezoelctricas (a) antes y (b) despus de la polarizacin
Figura 1

Para obtener actividad piezoelctrica los dipolos deben primero ser orientados, lo que se
hace exponiendo al material cermico a un fuerte campo elctrico externo a alta temperatura, no
ms all de la llamada temperatura Curi (recordemos que la temperatura Curi es aquella en que
la permeabilidad relativa de los materiales ferromagnticos cae al valor 1). A esta temperatura los
dipolos naturales desaparecen y son creados nuevamente en forma espontnea cuando disminuye
la temperatura. Bajo estas condiciones polares los dipolos toman una direccin correspondiente a la
direccin del campo de polarizacin (figura 1.b), con el resultado que el cuerpo de la cermica
muestra una elongacin en la misma direccin (en realidad los dipolos nunca se orientan como
idealmente sugiere la figura 1.b; la estructura cermica admite solo ciertas rotaciones a los dipolos).
Despus de remover el campo de polarizacin y enfriar el material los dipolos no pueden
volver fcilmente a su posicin original y lo que se obtiene es llamado polarizacin remanente del
material cermico. El cuerpo cermico se ha convertido, en forma permanente, en piezoelctrico y
puede convertir energa mecnica en elctrica y viceversa. Por eso es indispensable hacer a estos
materiales un tratamiento de polarizacin, y usualmente la operacin final se lleva a cabo
conectando los electrodos al material cermico a una fuente de tensin continua.

Prcticamente las cermicas piezoelctricas estn constituidas por mezclas policristalinas:
titanatos de bario, de calcio, de plomo o de titanozirconatos de plomo. Se obtienen por compresin
del polvo a alta temperatura, siendo moldeadas y cocidas en un horno.
Las cermicas pueden ser producidas en forma de discos, de bastones, de paraleleppedos,
de tubos, de sectores cilndricos y de semiesferas, que pueden ser ensambladas luego como
esferas.
Las piezas terminadas son provistas de electrodos de plata, cocidos a horno. Para ciertas
aplicaciones la cara activa plateada de la cermica es protegida por un esmalte vitrificado.


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El monocristal de titanato de bario

La figura 2 representa la estructura cbica del titanato de bario por encima de 120 C (punto
Curie). A temperaturas inferiores a 120 C la clula elemental cbica se convierte en un
paraleleppedo rectangular de base cuadrada. En el curso de esta deformacin , el Ion titanio ya no
se encuentra en el centro de la clula, sino, que se desplaza al interior de la cavidad octadrica ,
formada por los iones O
2
, siguiendo uno de los dos sentidos de uno de los tres ejes cuaternarios de
la clula cbica, de donde surge la aparicin de una polarizacin espontnea (modelo simplificado
para un eje cuaternario; (Figura 3).


Estructura cbica del titanato de bario
Figura 2


Pasaje de una estructura cbica a una estructura paraleleppeda de base cuadrada.
Figura 3

Ante la accin de un campo elctrico alternado, el Ion titanio puede pasar de la posicin A a
la posicin B y viceversa.

En forma exagerada, la figura 4 muestra el fenmeno de piezoelectricidad en un cilindro de
material cermico piezoelctrico. La figura 4.a muestra el cilindro bajo la condicin de no esfuerzo.
Si se aplica una fuerza externa para producir compresin o traccin en el material, la deformacin
resultante provoca un desplazamiento de cargas y puede medirse una tensin entre los electrodos.
Si el esfuerzo mecnico es tal que el cuerpo cermico retoma su tamao original antes de ser
polarizado (figura 4.b) la tensin medida tendr la misma polaridad que la tensin usada para
polarizarlo (debe notarse que el tamao del cristal sin polarizar es el de la figura 4.b y que en el
proceso de polarizacin sufre una elongacin adoptando el tamao que se muestra en la figura 4.a).
Cuando el esfuerzo mecnico es inverso, la tensin sobre los electrodos tendr tambin polaridad
inversa (figura 4.c).
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El efecto piezoelctrico en un cuerpo cilndrico de cermica piezoelctrica.
Figura 4

Si una tensin continua con polaridad opuesta a la tensin de polarizacin se aplica sobre
los electrodos, el cilindro se acortar (figura 4.d). Si la polaridad de la tensin aplicada es igual a la
de polarizacin del cilindro sufrir una elongacin (figura 4.e). Cuando se aplica un campo
alternativo, el cilindro se acortar y alargar alternativamente (figura 4.f). Para mayor claridad se ha
dibujado en cada figura un dipolo orientado.
La idea expresada por la figura 4.f puede ser completada con la figura 5, que muestra como
puede obtenerse una tensin alterna por sucesivas tracciones y compresiones sobre un cristal
piezoelctrico.


Figura 5

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Ejemplo Prctico

Nos interesa saber cuan grande es realmente este efecto de conversin. Consideremos
primero la accin de generador, esto es el fenmeno en el cual se transforma energa mecnica en
elctrica.
Un cilindro cermico piezoelctrico de 20mm de longitud y una seccin transversal de 1cm
2

puede servir de ejemplo. El grfico de la figura 6 en que se grafica tensin elctrica en funcin de
presin aplicada, muestra que la tensin es linealmente proporcional a la presin aplicada hasta un
valor de 20.000 voltios, a una presin de 5x10
7
N/m
2
o 500Kgf/cm
2
(alrededor de 500atm.) Una
presin tal puede aplicarse con una prensa simple. Una fuerza de unos pocos Newton puede
aplicarse manualmente, y no se requieren ms de 25 N para generar 100V. La energa elctrica
total desarrollada es tan baja que el experimento no involucra peligro alguno para la persona. Esto
se debe a que la energa se desarrolla en un muy corto periodo de tiempo (algunas decenas de
nano segundos) dando una potencia mnima. Un ejemplo claro es el encendedor de cocina tipo
magi click.
0
5
10
15
20
25
30
0 100 200 300 400 500
Presin (Kgf/cm2)
T
e
n
s
i

n

a

c
i
r
c
u
i
t
o

a
b
i
e
r
t
o

(
k
V
)

Tensin a circuito abierto de un cilindro cermico de 20mm de longitud en funcin de la presin aplicada.
Figura 6

En consecuencia de lo dicho, la intensidad de campo E dado en V/mm es proporcional al
esfuerzo o tensin T aplicada. Esto se expresa como:

T -g E =
donde g es una constante del material (la constante de tensin o voltaje piezoelctrico), o sea la
relacin entre la intensidad de campo inducida y el esfuerzo aplicado.
Ejemplos de aplicacin en conversin mecano elctrica son: encendido de gases en
encendedores y varias aplicaciones domsticas, detectores de esfuerzo, cpsulas pick up
fonocaptoras, acelermetros, receptores de sonido (hidrfonos y micrfonos), etc.
Cuando nos referimos a la accin de motor (conversin electro mecnica) de cermicas
piezoelctricas podemos usar la formula simple:

E d S =

donde S =l / l y representa la deformacin longitudinal bajo una cierta intensidad de campo E
(figura 6). Una vez ms, d es una importante constante del material conocida como constante de
carga piezoelctrica.
Con la ayuda de estas expresiones puede calcularse que a la mxima tensin permisible el
cilindro considerado alcanza una elongacin de alrededor de 4 micrones (1micrn =10
-3
mm). Esto
corresponde a un valor de S =2x10
-4
(figura 6). Estas figuras se refieren a esfuerzos estticos; bajo
la influencia de campos dinmicos (alternativos) la situacin cambia. Esto es: a la frecuencia de
resonancia mecnica las amplitudes mximas pueden ser mucho ms grandes que los
desplazamientos estticos.

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Elongacin de un cuerpo cilndrico de cermica piezoelctrica producida por una tensin continua.
Figura 7

Para deflexiones an ms grandes (mayores de 1mm), hay elementos de flexin especiales
que combinan el efecto estrictamente piezoelctrico con una accin interna de palanca.
Ejemplos de aplicacin donde se usa el efecto motor sin transductores para limpieza
ultrasnica, campanillas piezoelctricas, llaves y muchas otras.


TEORA Y DEFINICIN DE CANTIDADES

Relaciones piezoelctricas

La condicin elctrica de un medio no sujeto a esfuerzo bajo la influencia de un campo
elctrico queda definida por 2 cantidades: la intensidd de campo E y la densidad de flujo electro
esttico D que estn relacionadas segn:

E D =
donde es la permitividad del medio.
La condicin elstica del mismo medio bajo intensidad de campo cero est definida por 2
cantidades mecnicas: la tensin aplicada T y la deformacin relativa S que estn relacionadas por:

T s S =
donde s depende de la elasticidad del medio.
La piezoelectricidad involucra la interaccin entre el comportamiento elctrico y elstico de
un medio y es as definido por las relaciones lineales entre las dos variables elctricas y las dos
elsticas:

+ =
+ =
E T d D
E d T s S
T
E
(A)

La eleccin de las variables independientes (una elstica T y otra elctrica E) es arbitraria.
Otro par de ecuaciones piezoelctricas distintas corresponder a una eleccin diferente de variables
independientes. El siguiente par de relaciones provee otra combinacin til:

+ =
+ =
D g T s S

D
T g E
D
T
(B)

Las constantes s
D
, s
E
,
T
, d y g utilizadas en estas frmulas necesitarn una explicacin
ulterior. Los sper ndices en los smbolos muestran la cantidad que se mantiene constante en
condiciones lmite. Por ejemplo: si cortocircuitando los electrodos el campo elctrico a travs del
cuerpo piezoelctrico se mantiene constante se utiliza el sper ndice E. Manteniendo los electrodos
en circuito abierto la densidad de flujo electro esttico se mantiene constante, se usa el sper ndice
D. Luego s
D
y s
E
son los mdulos de elasticidad (relacin deformacin relativa tensin) para una
densidad de carga elctrica constante y un campo elctrico constante respectivamente, y
T
es la
constante dielctrica (relacin desplazamiento campo) con una fuerza constante.
Surge de las ecuaciones (A) y (B) que hay dos formas de definir las constantes
piezoelctricas d y g. As d puede ser definido como el cociente entre S y E o D y T; igualmente g
puede ser definido de otros dos cocientes (ver tabla 1).
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Constante Definicin Unidades (Sistema M.K.S.)
d
Aplicado Mecnico Esfuerzo
do Desarrolla o Dielctric - ento Desplazami



N
C
o
Metro Newton
Metro Coulomb
2
2

plicado Campo
da Desarrolla Tensin
A

V
m
o
Volt Metro
Metro Metro

g
Aplicado Mecnico Esfuerzo
do Desarrolla Campo



N
m V
o
Metro Newton
Metro Volt
2


ado tricoAplic entoDielc Desplazami
a desrrollad Tensin

C
m
o
Metro Coulomb
Metro Metro
2
2

Definicin de las constantes d y g
Tabla 1

Tomando la relacin entre los productos cruzados de los coeficiente de las ecuaciones (A) y
(B) se obtiene:
2
T E
2
K
s
d
=

y
( )
2
2
D
T 2
K 1
K
s
g

Se ha introducido la constante K que puede ser considerada simplemente como una
cantidad numrica conveniente. Sin embargo, tiene un significado fsico bsico. A frecuencias muy
por debajo de la frecuencia de resonancia mecnica fundamental, K
2
puede expresarse como:
|
|
.
|

\
|
=
entrada de E energa
convertida E energa
K
K
K 2

donde la energa E
K
es la energa potencial de desplazamientos atmicos retenida por el cristal
luego de haber sido sometido a la irradiacin del campo elctrico.
Esta frmula es vlida para las conversiones de energa electro mecnica y mecano
elctrica, pero no necesariamente representa el rendimiento total (relacin entre la potencia til
convertida y la potencia de entrada), el cual ser mucho menor que K
2
a bajas frecuencias. Para los
transductores resonantes el rendimiento total es generalmente mucho mayor que K
2
.

Subndices

En los materiales piezoelctricos polarizados las constantes dependen de la direccin del
campo elctrico, densidad de flujo, tensin y deformacin relativa. Por ello se agrega a los smbolos
subndices que indican direccin.
Para los materiales cermicos piezoelctricos la direccin de polarizacin positiva se toma
usualmente como la del eje Z de un sistema ortogonal XYZ como el de la figura 8. Dado que estos
materiales tienen simetra polar, los sentidos de X e Y elegidos en un elemento tienen importancia,
y planos paralelos al eje Z son planos de reflexin.

Notacin Axial
Figura 8

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Si las direcciones X, Y, Z se representan como 1, 2 y 3 respectivamente y los giros o
torsiones sobre estos ejes como 4, 5 y 6 respectivamente los distintos parmetros pueden ser
escritos con subndices referentes a ellos (figura 8).

Constante dielctrica :
El primer subndice da la direccin del desplazamiento
elctrico, el segundo indica la direccin del campo elctrico.
Ejemplo:
T
11
es la constante dielctrica para densidad de
flujo electrosttico y campo en la direccin 1 bajo condiciones de
tensin constante (T=0).

Constante elstica s:
El primer subndice da la direccin de la deformacin
relativa y el segundo la direccin de la tensin.
Ejemplo:
E
33
E
33
Y
1
s = es la relacin deformacin tensin
en la direccin 3 con un campo elctrico constante (E=0).
D
55
D
55
Y
1
s = es la relacin deformacin por torsin a
esfuerzo torsor en el plano 31 con densidad de flujo electrosttico
constante (D=0).

Constantes piezoelctricas d,g,k:

El primer subndice se refiere a la direccin del campo
elctrico y el segundo da la direccin de la deformacin.

Ejemplo:

d
33
es la relacin entre la deformacin en la direccin 3 al
campo aplicado en la direccin 3, con el cuerpo piezoelctrico
mecnicamente libre y no sujeto a campos en las direcciones 1 y 2.
Tambin representa la relacin de la carga que fluye en direccin 3
cuando los electrodos en corte a la tensin aplicada en la direccin
3 (siempre que el material est libre de cualquier otra tensin).

g
31
da la relacin del campo desarrollado en la direccin 3 a
la tensin aplicada en la direccin 1 cuando no hay otras tensiones
externas y cuando no hay cargas aplicadas, ya sea en la direccin 3
como en las direcciones 1 y 2. Tambin da la relacin entre la
deformacin en la redireccin 1 a la densidad de la carga aplicada a
los electrodos los cuales estn colocados en ngulos rectos con el
eje 3, mientras que el material est nuevamente libre
mecnicamente en todas las direcciones y no se aplique campo en
las direcciones 1 y 2.
K
31
es el coeficiente de acoplamiento entre la energa
mecnica E
K
de entrada en la direccin 1 y la energa elctrica
convertida E
K
en la direccin 3, o la posibilidad inversa.

Casos especiales K
P
y K
t
:

El coeficiente de acoplamiento planar K
P
de un disco redondo fino da el
acoplamiento entre el campo elctrico en la direccin 3 (direccin del espesor), y las
acciones mecnicas simultneas en las direcciones 1 y 2 (figura 9), que dan una
vibracin radial, por esto se habla de acoplamiento radial (K
r
=K
P
).

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Vibracin Planar en una lmina delgada de material piezoelctrico.
Figura 9

El coeficiente de expansin del grosor K
t
de un disco fino con contorno
arbitrario da el acoplamiento entre el campo elctrico en la direccin 3 (direccin del
espesor) y la vibracin mecnica en la direccin 3.

Constante de frecuencia N:

La constante de frecuencia depende de la frecuencia de resonancia
mecnica y de las dimensiones que gobiernan esa frecuencia. El subndice se
refiere a la direccin de la vibracin resonante. Por ejemplo, para vibracin planar
de un disco redondo fino la constante de frecuencia se anota como N
P
, y es el
producto de la frecuencia de resonancia por el dimetro del disco.

La constante de frecuencia para vibracin longitudinal para una barra larga
polarizada segn su eje, es usualmente anotada como N
3
. Sin embargo, la
constante de frecuencia para la vibracin de extensin de grosor (o espesor) de un
fino disco con un contorno arbitrario polarizado en la direccin del espesor es
llamado usualmente N
t
. Para un disco N
t
y N
P
son parmetros de inters.


CARACTERSTICAS TECNOLGICAS

Tipos de materiales piezoelctricos

Todos los materiales piezoelctricos estn enmarcados bajo el nombre de Piexidos, los
cual es una constraccin del trmino xidos piezoelctricos, a los cuales nos referimos, para
abreviar, como PXE. Existen los siguientes tipos de materiales PXE, cada uno con caractersticas
especficas para lograr un propsito particular:

PXE 3:
Es una placa cermica de titanato zirconato de plomo con un coeficiente
de acoplamiento de corte muy alto, una baja constante dielctrica y una alta
temperatura Curi. As se logra una pequea despolarizacin por efecto de soldado.
Estas propiedades hacen que el PXE 3 sea til en aplicaciones de resonancia de
alta frecuencia (bajo esfuerzos de corte o torsin), como por ejemplo transductores
de retardo ultrasnico.

PXE 4:
Este tipo es de titanato zirconato de plomo mejorado, el cual tiene
excelentes propiedades para dos importantes campos de aplicacin, que son
transductores resonantes de alta intensidad y generadores de alta tensin. La alta
fuerza coercitiva y el alto factor Q mecnico unidos a la baja disipacin de calor que
produce una onda incidente sobre el material cermico (dielctrico) hacen que el
PXE 4 pueda ser llevado a grandes amplitudes de deformacin , lo cual es
requerido, por ejemplo, en limpieza ultrasnica y sonares. Tambin soporta
fcilmente las cargas repetitivas de las muyn altas fuerzas cuasi estticas y
dinmicas necesarias para la generacin de alta tensin.

PXE 5:
Como el anterior, es de Titanato Zirconato de Plomo mejorado. Tiene un
factor Q mecnica bajo, un coeficiente de acoplamiento muy alto y buena
sensibilidad de carga. Por esto es el tipo ideal para todas las aplicaciones de
sensores mecano elctricos no resonantes, tales como cpsulas pick up,
micrfonos, etc. El PXE 5 tiene mejor estabilidad trmica y por envejecimiento que
los otros tipos. La resistividads, an a altas temperaturas es extremadamente alta.

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PXE 7:
Es similar al PXE 3 pero con mejores caractersticasde estabilidad. Es
utilizado en las lneas de retardo ultrasnico en receptores de TV, sistema PAL.

PXE 10:
Tiene una cosn tante dielctrica extremadamentealta y, como el PXE 5, el
factor de mrito Q mecnico es bajo, por lo cual es til en aplicaciones mecano
elctricas no resonantes que requieran un alto rendimiento de conversin de
energa.

PXE 11:
Es un novato de sodio y potasio. Tiene una constante de frecuencia
comparativamente alta. Ambas proipiedades hacen del PXE 11 el material ideal
para transductores de muy alta frecuencia (f
r
=10 100 Mhz), por ejemplo en lneas
de retardo.

La tabla 2 muestra algunos parmetros caractersticos de estos materiales:

Cantidades y Smbolos Unidad PXE 3 PXE 4 PXE 5 PXE 7 PXE 10 PXE 11
Datos Mecnicos
Masa Especfica 10
3
Kg/m
3
7.8 a 7.95 7.45 a 7.55 7.55 a 7.65 7.6 7.6 4.5
Mdulo de
Elasticidad
Y
11
E
10
11
N/m
2

0.88 0.77 0.65 0.82 0.58 1.2
Y
33
E
0.79 0.79 0.59 - - -
Y
55
E
0.27 - 0.26 0.28 - 0.41
Calor Especfico J/Kg C 420 420 420 420 420 420
Conductividad del Calor W/m C 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2
Compresin
10
8
N/m
2

>6 >6 >6 >6 >6 >6
Tensin 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8
Flexin 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0
Constante de Poisson Numerica 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3
Datos Elctricos
Temperatura Curie
(temperatura de transicin)
C 395 265 285 320 185
400
(195)
Constante Dielctrica
Relativa

33
T/
0

Numerica
570 1500 1750 680 3000 450

11
T/
0
900 - 1800 1050 - 600
Resistividad Volumtrica

el
(25 C)
m 10
12
10
11
10
14
- - -
Constante de Tiempo

el

33
T
(25 C)
Minutos >30 >30 >300 - - -
Disipacin Dielctrica,
Factor tan (x 10
-2
)
Numrica 0.5 0.6 2.0 2.0 3 2.5
Datos Electro - Mecnicos
Factores de
Acoplamiento
k
P
Numerica
0.52 0.55 0.62 0.53 0.65 0.73
k
31
0.30 0.32 0.36 - 0.38 0.25
k
33
0.65 0.68 0.70 - - -
K
15
0.71 - 0.66 0.66 - 0.65
Constantes de
Carga
Piezoelctrica
d
31
10
-12
C/N
-74 -141 -178 -84 -275 -44.5
d
33
166 265 356 - - -
d
15
385 - 515 350 - 235
Constante de Voltaje
Piezoelctrico
g
31
10
-3
Vm/N
-14.8 -9.4 -11.3 -14.0 -9.1 -11.2
g
33
34.5 20.0 23.2 - - -
g
15
48.5 - 32.5 44.2 - 44.0
Factor de Calidad
Mecnica (Q
m
E
)
P
para modo
radial
Numrica 300 500 80
Abt.
80
Abt. 80 270
Constantes de
Frecuencia
N
P
E
Hz.m o
m/s
2300 2200 2000 2250 1900 3600
N
1
E
1680 1620 1460 1640 1390 2650
N
3
E
1560 1610 1390 - - -
N
5
E
930 - 930 970 - 1500
Tabla 2

TECNOLOGA ELECTRNICA F.R.M. - U.T.N.


- 13
Tcnicas de unin de los electrodos

La unin de los electrodos se realiza por pegado o por soldado.

Pegado:
Previamente al pegado, los terminales del elemento PXE deben ser
limpiados a fondo con un solvente removedor de grasa (por ejemplo: clorotrietileno).
Frecuentemente se usan pegamentos conductores, que tienen como desventaja
que la amortiguacin mecnica es muy dependiente de la temperatura (estndo el
lmite alrededor de 50 C).

Soldado:
Los electrodos de muchos transductores puiezoelctricos se hacen de
plata. La unin firme entre la plata y el cuerpo cermico se hace por descarga de
una pasta de plata sobre la superficie cermica. El grosor de la capa resultnte
alcanza lo 25 micrones y sobre ella pueden soldarse los terminales, siempre que se
la mantenga limpia y el tiempo de soldado sea corto (de lo contrario puede
disolverse la capa de plata).

Despolarizacin

Como se ha mensionado en los prrafos precedentes, los materiales piezoelctricos estn
polarizados en forma permanente. Sin embargo, cuando se trabaja con estos materiales, debern
tenerse en cuenta los siguientes puntos:

a. La temperatura delm material debe mantenerse bastante por debajo delm punto Curi;
b. El material no debe ser expuesto a campos alternativos muy fuertes;
c. La tensin mecnica aplicada al material no debe exceder lmites especficos.

Si una de estas 3 condiciones no se cumple el material puede despolarizarse (pierde la semi
permanente estructura orientada inducida en los dipolos elctricos), de modo tal que las
propiedades piezoelctricas sean menos pronunciadas o se desvanezcan por completo. Estas tres
condiciones se discuten a continuacin:

Despolarizacin trmica:

En el caso de despolarizacin trmica, es decir, cuando el material ha sido
expuesto a excesivo calor, los dipolos elctricos son capaces de retomar su estado
no alineado. La performance piezoelctrica sew deteriora y eventualmente, en el
punto Curi, elelemento sufre una prdida completa y permanente de sus
propiedades piezoelctricas. Para un funcionamiento contnuo sin despolaruizacin
aprecialble se recomeintda trabajar bastante por debajo del punto Curi. Un lmite
de temperatura seguro es el valor medio entre 0 y el punto Curi expresado en C.

Despolarizacin Elctrica:

La despolarizacin elctrica tiene lugar bajo la influencia de fuertes campos
alternativos. Los elementos piezoelctricos estn expuestos a despolarizaciones
durante el medio ciclo (del campo alternativo) en el que el campo elctrico se opone
a la tensin original de polarizacin. Este tipo de despolarizacin tiene lugar en
campos de intensidad de ms de 500 V/mm, provistos cuando el transductor trabaja
cuasi estticamente.

Despolarizcin mecnica:

La despolarizacin mecnica ocurre cuando la tensin mecnica sobre un
elemento piezoelctrico se hace demasiado grande. Aparece as el peligro de que la
orientacin direccional en la cermica aparezca inmediatamente deteriorada, que en
definitiva determina un aperformance piezoelctrica mucho peor de los elementos.
Los lmites de seguridad de tensin varan considerablemente con el tipo de
material.

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- 14
Estabilidad

Las propiedades de elemntos piezoelctricos son ms o menos dependientes de la
temperatura y el tiempo. La estabilidad como funcin del tiempo es de particular inters.
Afortunadamente la polarizacin decrece aproximadamente en forma logartmica (figura 10) de
modo tal que se reduce rpidamente el rango de variacin de: la constante dielctrica, el factor de
acoplamiento, la constante de frecuencia, etc. Con el transcurso del tiempo.
PXE 3
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
1,0E+00 1,0E+01 1,0E+02 1,0E+03 1,0E+04 1,0E+05
Tiempo (das)
k
p

Figura 10

APLICACIONES

Filtros pasabanda cermicos PXE

Funcionan bajo el principio de que un cuerpo nico de material puede ser usado como un
elemento selectivo en frecuencia en osciladores y circuitos de filtros. Para estas aplicaciones el
elmento PXE es llevado elctricamente a frecuencia cercana a la de resonancia mecnica, en este
caso se hace referencia al elemnto como resonador.
El tratado siguiente se referir a un resonador de 450 Khz. Para ser usado en filtros de FI en
aparatos de radio AM. Hay sin embargo, muchos otros campos de aplicacin.

Funcionamiento:

Los resonadores consisten en un fino disco de material cermico con un
electrodo en cada lado (figura 11). En una banda de frecuencias pequeas
(alrededor de 450 Khz) este resonador vibra preferentemente en forma radial (figura
12); en otras palabras el dimetro del disco aumenta y disminuye alternativamente.
El material es polarizado en la direccin axial, es decir perpendicular a la direccin
radial de excursin, de modo tal que el factor de coplamiento piezoelctrico
gobernante es el trmino Kp.


Resonador tipo disco con un electrodo en cada lado
Figura 11

Modo de vibracin radial de un resonador tipo disco
Figura 12

Antes que el resonador usarse, el contacto elctrico con los electrodos debe
establecerse de manera tl que la vibracin mecnica del elemento PXE no se vea
afectada en forma notable. El centro del disco constituye un punto nodal respecto de
la excursin radial y es por esto, la posicin de la cual el resonador debe ser
soportado preferentemente. Un fino alambre puede ser soldado en el centro
perpenduicular a la superficie, o el resonador puede sere suspendido entre dos
puntos centrales de contacto.

Caractersticas:

Si se grafican el mdulo de la impedancia y de la admitancia de un
resonador piezoelctrico (medidos cerca de la frecuencia de resonancia de la
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- 15
fundamental) en un eqje de absisas versus la frecuencia, obtenemos las curvas que
se muestran en la figura 13. Las frecuencias donde la impedancia pasa por un
mnimo y un mximo son llamadas frecuencia resonante f
r
y frecuencia
antiresonante f
a
respectivamente. La frecuencia de resonancia y la constante de
frecuencia para vibraciones planas N
E
P
estn relacionadas al dimetro D del disco
por la ecuacin:

D
N
f
P
E
r
=

Curvas de Resonancia de un transductor PXE
Figura 13

Una investigacin ms profunda de este resonador particular muestra que la
impedancia cerca de las frecuencias de resonancia y antiresonancia es puramente
hmica.
Los usuarios de resonadores estarn interesados en los valores de los
distintos elementos del circuito equivalente, bajo la forma simple que se le ha dado
en la figura 14. Dado que los 4 elementos equivalentes que constituyen el filtro
piezoelctrico, inductancia Lm, resistencia Rm y capacitores Cm y Co no existen
como tales, sus valores debern ser evaluados a partir de 4 mediciones indirectas
diferentes. Estas mediciones pueden ser llevadas a cabo en diferentes formas. Un
mtodo es el de medir las siguientes cantidades:

- La frecuencia de resonancia fr.
- La frecuencia de antiresonancia fa.
- La resistencia Rm a la frecuencia de resonancia.
- La capacidad Clf a frecuencias muy por debajo de fr (lf significa low
frecuency).


Forma simplificada del circuito equivalente de un resonador PXE
Figura 14

La f
r
as como tambin la resistencia R
m
en r4esonancia pueden ser
medidas directamente con el circuito de la figura 15 (a) si la resistencia serie R
1
es
mucho mayor que la impedancia del resonador a f
r
. La impedancia en resonancia
est representada por el resistor R
m
en paralelo con el capacitor Co (figura 14) cuya
impedancia es tan alta que tiene un efecto despreciable. A la frecuencia f
r
el
voltmetro da una lectura mnima V
2
, de modo tal que el valor de R
m
puede ser
determinado de:
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- 16

1
m 1
m
2
V
R R
R
V
+
=

La f
a
puede ser medida con el circuito de la figura 15 (b) bajo lacondicin de
que R
2
sea mucho menor que la impedancia del resonador a f
a
.

Cuando se mide la capacidad del resonador a una frecuencia muy por
debajo de la frecuencia de resonancia, digamos 1 KHZ, se encuentra un valor C
1f

que es la suma de Co y C
m
:

m 0 f 1
C C C + =

Una vez que se han realizado las mediciones de f
r
, f
a
, R
m
y C
1f
como se dijo,
pueden ser finalmente evaluados cada uno de los 4 elementos representativos del
resonador.



(a) Circuito para medicin de f
r
(b) Circuito par a medicin de f
a

Figura 15

Ejemplo:

Las mediciones efectuadas sobre unj resonador experimental de FI hecho
en PXE 6 arrojo los siguientes datos:

f
r
=452 Khz; f
a
=470 Khz; C
1f
=200 pF; R
m
= 25

Sustituyendo estos valores en las expresiones matemticas para el circuito
equivalente del resonador obtenemos:

( ) 12,3 f f f C C
2
r
2
a
2
r m 0
= =

( )
| | pF 15,0
C C 1
C
C
m 0
lf
m
=
+
=

| | mH 8,25 C 1 L
m
2
r m
= =

| | pF 185 C C C
m lf 0
= =

Adems el factor de mrito mecnico Q
m
surge de:

940 R C 1 Q
m m r m
= =

Funcionamiento de los resonadores a frecuencias ms altas

Como se explic con anterioridad, un resonador de 450 Khz vibra en el modo radial. Un
resonador radial hecho de menor dimetro puede en principio funcionar a frecuencias ms altas. Sin
embargo para su aplicacin en el rango entre 5 y 15 Mhz. El radio requerido puede llegar a ser muy
pequeo, esto es 560-180m. Por esto se prefieren otros modos de vibraci n: compresin en la
direccin del espesor o el corte paralelo al espesor (figuras 16 a y b). En la figura 16 a la placa
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- 17
cermica est polarizada en la direccin del espesor (p). Los electrodos han sido colocados en las
superficies inferiro y superior, el elemento se hace vibrar en la direccin del espesor (h).


(a) (b)
Figura 16

El espesor h del cuerpo cermico es decisivo en la determinacin de la frecuencia (para
10Mhz, h =200m). Para la vibracin de la frecuencia de corte paralelo al espesor (figura 16 b) la
placa cermica se polariza en su propiopm plano; aqu tambin los electrodos se colocan en las
superficies antes mencionadas. Ahora el campo excitador es perpendicular a la direccin de
polarizacin y la placa vibra de manera tal que las superficies inferior y superior se mueven en
direcciones opuestas (lneas punteadas). Nuevamente el espesor h determina la frecuencia y, en
este caso, h es de alrededor de 106m para 10 Mhz.
En clara oposicin al resonador radial discutido anteriormente, la direccin que determina la
freciencia de la placa (h) es mucho menor que la longitud y el ancho de la placa.

Cermicas piezoelctricas en ultrasonido

Generalidades:

Se entiende por ultrasonidos a una vibracin de las partculas materiales a
una frecuencia por encima del umbral superiror de audicin humana (16 a 20KHz.) y
su existencia se conoce desde 1883 por los trabajos realizados por Galton,
relacionados con los lmites de la audicin humana.
El interes prctico de la utilizacin de los mismos reside, bien sea en el
aprovechamiento de la energa transmitida (realizacin de emulsiones, dispersiones,
reacciones qumicas, etc.) o bien en el anlisis de rayo, una vez que se lo hace
pasar por un medio (inspeccin fsica de metales, estudios de absorcin, etc.)
Cuando se utiliza un material para transmitir o recibir una onda que se
propaga en otro medio, se lo llama comnmente transductor y su construccin y
acoplamiento requiere una serie de caractersticas especiales.
Cuando un rayo ultrasnico pasa de un medio a otro de distinta impedancia
acstica, parte de l es reflejado y la otra es transmitida, dependiendo la relacin de
una y otra de las impedancias acsticas de ambos medios. Por tanto si el
trasnductor no est en contacto ntimo con el medio donde se desea propagar la
vibracin, de modoque pueda existir una pelcula de aire entre ellos, la transmisin
resulta muy incompleta o nula. En estos casios se suelen acoplar poniendo entre el
transductor y el material un lquido, generalmente mercurio, aceite, glicerina o agua.
Como siempre que un rayo ultrasnico pasa de un medio a otro, existe una parte
reflejada y otra transmitida, si nos interesa la mayor transmisin posible, debemos
acoplar el transductor con un lquido cuya impedancia acstica sea intermedia entre
la de este y la del material. Par la inspeccin por contacto de slidos de superficie
irregular se pueden utilizar piezas intermedias que se ajusten a la superficie.
Si lo que nos interesa es estudiar la energa trasnmitida a travs de un
material, se introduce este, generalmente, en un bao de lquido (casi siempre
agua) y entre dos transductores, de los cuales uno es emisor y el otro es receptor, el
cual enva la seal elctrica producida en l por la onda ultrasnica a un adecuado
dispositivo electrnico que haga posible su medida.
Las aplicaciones de los ultrasonidos cubren una gama amplsima de
posibilidades que abarcan desde las reacciones qumicas hasta la deteccin de
defectos y espesor en materiales metalrgicos, en soldaduras, en la colada o pulido
de metales, en procesos fsicos de agitacin o limpieza, en medicina, bioqumica y
localizacin de objetos sumergidos en el agua del mar.

Generadores ultrasnicos:

Se entiende por generadores de ultrasonido aquellos dispositivos que
pueden provocar en un determinado medio una onda ultrasnica. Podemos
distinguir en ellos un elemento primario o transformador, en contacto directo con el
medio, que convierte una energa dada (elctrica, magntica o mecnica) en otra de
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- 18
tipo mecnico, que se propaga en forma de onda con una frecuencia caracterstica
en el rngo ultrasnico, y por otra parte, la fuente que proporciona la energa que ha
de ser transformada.
Estos elementos primarios los podemos clasificar en los siguientes tipos:
piezoelctricos, magnetoestrictivos, electrostticos, electromagnticos, silbatos,
sirenas, emisores de chispa, vibradores, emisores por frotamiento y otros
especiales.
Los transductores se suelen distinguir por varios factores:

1. la sensibilidad, que se valora considerando el cuarzo X con espesor
adecuado par 1 MHZ. Como unidad. Los valores absolutos
dependen de la presin en las superficies, la naturaleza de la seal
elctrica y la impedancia elctrica efectiva;
2. el poder de resolucin, que es directamente proporcional al ancho
de banda de frecuencias. Su valor recproco expresado en tanto por
ciento es el nmero de ciclos que se requiere para que la vibracin
del cristal alcance la amplitud completa al aplicarle un voltaje de
corriente alterna constante (se le designa con la letra Q). Este valor
es principalmente funcin de la compensacin o carga que frena la
vibracin del cristal. La sensibilidad aumenta al crecer el valor de Q.
Se necesita, pues, un compromiso par alcanzar el mximo del
producto sensibilidad por resolucin;
3. impedancia o resistencia de radicacin de los transductores, dada
por una inductancia L, una resistencia R y una capacidad C, que se
designan con el nombre de mocionales o de movimiento;
4. la energa que es capaz de proporcionar al medio;
5. el rango total de frecuencia en el que puede actuar.
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BIBLIOGRAFA

PIEZOELECTRIC CERAMICS-Philips.
LOS ULTRASONIDOS-V. Almagro.