Capitulo 21

(' A P ) T II
r.
pnpn y otros dispositivos
--~Jo------------21.1 INTRODUCCION
En este captulo se presentan varios dispositivos importantes que no se han analizado con detalle en los primeros captulos. El diodo semiconductor de dos capas ha dado lugar a dispositivos de tres, cuatro e incluso cinco capas. Se considerar primero una familia de dispositivos pnpn de cuatro capas: el SCR (rectificador controlado de silicio: silicon controlled rectifier), el SCS (interruptor controlado de silicio: silicon controlled switch), el GTO (interruptor controlado por compuerta: gate tumoff switch), el LASCR (SCR activado por luz; ligth activated SCR), seguidos por un dispositivo cada vez ms importante: el UJT (transistor monounin; unijunction transistor). Estos dispositivos de cuatro capas con un mecanismo de control se llaman comnmente tiristores, aunque el trmino se aplica con mayor frecuencia al SCR (rectificador controlado de silicio). El captulo termina con una presentacin del fototransistor, los optoaisladores y el PUT (transistor monounin programable: prograrnmable unijunction transistor).
DISPOSITIVOS pnpn 21.2 RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO
Dentro de la fami,lia de los dispositivos pnpn, el rectificador controlado de silicio (SCR) es incuestionablemente el de mayor inters hoy en da. Se introdujo por primera vez en 1956 en los BeIl Telephone Laboratories. Unas cuantas de las reas ms comunes de aplicacin para los SCR incluyen los controles de relevadores, los circuitos de retraso de tiempo, las fuentes de alimentacin reguladas, los interruptores estticos, los controles de motores, muestreadores (choppers), inversores, cicloconvertidores, cargadores de bateras, circuitos de proteccin, controles de calefaccin y controles de fase. En los ltimos aos, los SCR se han diseado para controlar potencias tan altas como 10 MW con valores nominales individuales tan elevados como 2000 A a 1800 V. Su intervalo de frecuencia de aplicacin se ha extendido tambin a cerca de 50 kHz, permitiendo algunas aplicaciones de alta frecuencia, tales como calentamiento por induccin y limpieza ultrasnica.
21.3
OPERACION BASICA DEL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO
Como la terminologa indica, el SCR es un rectificador construido de material de silicio con una tercera terminal para propsitos de control. Se eligi el silicio debido a su elevada capacidad de temperatura y potencia. La operacin bsica del SCR es diferente de la del diodo semiconductor fundamental de dos capas donde una tercera terminal, llamada compuerta, determina cundo el rectificador conmuta del estado de circuito abierto al de corto circuito. No es suficiente con polarizar directamente la regin del nodo al ctodo del dispositivo. En la regin de conduccin, la resistencia dinmica del SCR es por lo general de 0.01 a 0.1 Q. La resistencia inversa es tpicamente de 100 kQ o ms.
830
El smbolo grfico para el SCR se muestra en la figura 21.1 con las conexiones correspondientes a la estructura semiconductora de cuatro capas. Como se indica en la figura 21.1a, si se va a establecer la conduccin directa, el nodo debe ser positivo con respecto al ctodo. Sin embargo, este no es un criterio suficiente para activar el dispositivo. Tambin debe aplicarse en la compuerta un pulso de magnitud suficiente para establecer una corriente de disparo, representada simblicamente por IGT'
IGT ~
Compuerta
Anodo
Ctodo
+
(a) (b)
Figura 21.1 (al Smbolo del SCR; (b) construccin bsica.
Una examen ms detallado de la operacin bsica de un SCR se logra dividiendo la estructura pnpn de cuatro capas de la figura 21.1 b en dos estructuras de transistor de tres capas, como se indica en la figura 21.2a y considerando despus el circuito resultante de la figura 21.2b.
Anodo
Anodo
GT ---..
pnp
Compuerta Compuerta
Ctodo
Ctodo
Figura 21.2 Circuito equivalente de SCR con dos transistores.
(a)
(b)
Ntese que uno de los transistores de la figura 21.2 es un dispositivo npn, en tanto que el otro es un transistor pnp. Para el anlisis, la seal que se muestra en la figura 21.3a se aplicar en la compuerta del circuito de la figura 21.2b. Durante el intervalo O-H; Vcompuerta = O V, el circuito de la figura 21.2b aparecer como se muestra en la figura 21.3b (V compuerta = O V es equivalente a la terminal de la compuerta conectada a tierra como se muestra en la figura). Para VBE2 = V compuerta = O V, la corriente de base IB2 = O e 'e2 ser aproximadamente leo. La corriente de base de Q], le = le2 = leo, es demasiado pequea para hacer conducir a Q\. Por lo tanto, ambos transistores se encuentran en el estado "de corte", lo que produce una impedancia elevada entre el colector y el emisor de cada uno de los transistores y la representacin en un circuito abierto para el rectificador controlado de silicio, segn se muestra en la figura 21.3c.
21.3 Operacin bsica del rectificador controlado de silicio
831
Alta impedancia (aproximacin de circuito abierto)
Voompucna
= ov
(a)
(b)
(e)
Figura 21.3 Estado "de corte" del SCR.
En 1= t1 un pulso de VG volts aparecer en la compuerta del SCR. Las condiciones de circuito que se establecen con esta entrada se muestran en la figura 21.4a. El potencial Ve se eligi lo bastante grande como para poner en conduccin a Q2 (VBE2 = V G)' La corriente de colector de Q2 aumentar entonces a un valor suficientemente grande para poner en conduccin QI(lBI = [e2)' Cuando QI en conduccin, [el aumentar, produciendo un incremento correspondiente en [B2' El aumento en la corriente de base para Q2 dar por resultado un incremento adicional en [e2' El resultado neto es un incremento regenerativo en la corriente de colector de cada transistor. La resistencia resultante nodo a ctodo [RSCR = V/(lA - grande)] es entonces muy pequea, lo que origina la representacin en corto circuito para el SCR, como se indica en la figura 21.4b. La accin regenerativa que acaba de describirse produce SCR que tiene tiempos de disparo tpicos de 0.1 a 1 JlS. Sin embargo, los dispositivos de alta potencia en el intervalo de 100 a 400 A pueden tener tiempos de disparo de 10 a 25 us.
v
El
fA
V
[A~
El
QI
--..
[BI
Baja impedancia (aproximacin de corto circuito)
+
VG
Q2
-
(a)
l~
':' (b)
Figura 21.4 Estado "de conduccin" del SCR.
Adems del disparo de la compuerta, los SCR tambin pueden activarse mediante un aumento significativo de la temperatura del dispositivo o incrementando el voltaje nodo a ctodo hasta el valor de ruptura que se muestra en la caracterstica de la figura 21.7. La siguiente pregunta de inters es: qu tan largo es el tiempo de disparo y cmo se lleva a cabo el apagado? Un SCR no puede apagarse con slo suprimir la seal de la compuerta, y s610 algunos pueden desactivarse aplicando un pulso negativo en la terminal de la compuerta como se muestra en la figura 21.3a a t = t3. 832
Captulo 21 pnpn y otros dispositivos
Los dos mtodos generales para desactivar un SeR se clasifican como la interrupcin de corriente de nodo y la tcnica de conmutacin forzada. Las dos posibilidades para la interrupcin de corriente se ilustran en la figura 21.5.
Figura 21.5 Interrupcin de la corriente de nodo.
En la figura 21.5a, lA es cero cuando el interruptor est abierto (interrupcin en serie) en tanto que en la figura 21.~b se establece la misma condicin cuando el interruptor est cerrado (interrupcin en derivacin). La conmutacin forzada corresponde a "forzar" la corriente a travs del SCR en la direccin opuesta a la conduccin directa. Hay una amplia variedad de circuitos para efectuar esta funcin, varios de los cuales pueden encontrarse en los manuales de los principales fabricantes en esta rea. Uno de los tipos ms bsicos se presenta en la figura 21.6. Como se indica en la figura, el circuito de apagado consiste en un transistor npn, una batera cd, VB y un generador de pulsos. Durante la conduccin del SCR el transistor se encuentra en el estado "de corte"; esto es, lB = O Y la impedancia de colector a emisor es sumamente alta (para todos los propsitos prcticos, un circuito abierto). Esta alta impedancia evitar que el circuito de apagado afecte la operacin del SCR. Para las condiciones de apagado, se aplica un pulso positivo en la base del transistor, ponindolo en conduccin, con 10 que se produce una muy baja impedancia del colector al emisor (representacin en corto circuito). El potencial de la batera aparecer entonces directamente en el SCR como se muestra en la figura 21.6b, forzando la corriente a travs de l en la direccin inversa para el apagado. Los tiempos de apagado de los SCR son por lo general de 5 a 30 us.
v
Apagado
SL
Encendido
Q lconduccin
Q! Q! Q
I I
Corte: : Corte Conduccin
(a)
(b)
Figura 21.6 Tcnica de conmutacin
forzada.
21.4 CARACTERISTICAS y VALORES NOMINALES DELSCR

Las caractersticas de un SCR se proporcionan en la figura 21.7 para diversos valores de la corriente de compuerta. Las corrientes y voltajes de inters usual se indican sobre la caracterstica. A continuacin se presenta una breve descripcin de cada una de ellas.
21.4
Caractersticas
y valores nominales del SCR
833
Voltaje de ruptUra mverso
Corriente de I H soctenlmiento
/
Regin de bloqueo inverso
F3
VF2
V(BI/.lF"
VF
Vo1llje RegiDde bIoq_ directo de~
Plpn
21.7 Caractersticas del SeR
1. Voltaje de ruptura directo V(BR)F* es el voltaje arriba del cual el SCR entra en la regin de conduccin. El asterisco (*) corresponde a una letra que se aadir y que depende de la condicin de la terminal de la compuerta del modo siguiente: O = circuito abierto de G a K S = corto circuito de G a K
R = resistor de G a K
V = ~olarizacin (voltaje) fija de G a K 2. Corriente de sostenimiento (lH) es el valor de la corriente por debajo del cual el SCR conmuta del estado de conduccin al de la regin de bloqueo directa, en condiciones establecidas. 3. Regiones de bloqueo directa e inversa son aquellas que corresponden a la condicin de circuito abierto para el rectificador controlado que bloquea el flujo de carga (corriente) del nodo al ctodo. 4. Voltaje de ruptura inverso es equivalente a la regin Zener o de avalancha del diodo semiconductor fundamental de dos capas. Debe ser evidente de inmediato que las caractersticas del SeR de la figura 21.7 son muy similares a aqullas del diodo semiconductor bsico de dos capas, excepto por el codo horizontal antes de entrar en la regin de conduccin. En esta regin de proyeccin horizontal la que da el control de la compuerta sobre la respuesta del SCR. Para la caracterstica que tiene la lnea slida en la figura 21.7 (lG = O), VF debe alcanzar el ms alto valor del voltaje de ruptura requerido (V(BR)P) antes de que ocurra el efecto de "colapso" y el SCR pueda entrar en la regin de conduccin correspondiente al estado de conduccin. Si la corriente de compuerta se incrementa a lGI' como se muestra en la misma figura, aplicando un voltaje de polarizacin en la terminal de la compuerta, el valor de VF que se requiere para la conduccin (V FI) es considerablemente menor. Ntese tambin que lH desciende con el aumento en lG si se incrementa a lG2 se disparar a valores muy bajos de voltaje (VF) y las caractersticas empiezan a aproximarse a la del 3 diodo bsico de unin p-n, Considerando las caractersticas de una manera completamente diferente, para un voltaje particular VF, digamos VF2 (figura 21.7), si la corriente de compuerta se incrementa a lG = O a lGI o ms, el SCR se disparar.
834
Las caractersticas de la compuerta se presentan en la figura 21.8. Las caractersticas de la figura 21.8b son una versin extendida de la regin sombreada de la figura 21.8a. En la figura 21.8a se indican los tres valores nominales de compuerta de mayor inters p GFM, 1GFM Y VGFM' Cada uno se incluye sobre las caractersticas del mismo modo que se emplean para el transistor. Excepto para partes de la regin sombreada, cualquier combinacin de corriente y voltaje de compuerta que cae dentro de esta regin disparar cualquier SCR en las series de componentes para las que se proporcionan estas caractersticas. La temperatura determinar qu secciones de la regin sombreada deben evitarse. A -65C, la corriente mnima que disparar la serie de las SCR es de 80 mA, en tanto que a + 150C slo se requieren 20 mA. El efecto de la temperatura sobre el voltaje de compuerta mnimo suele no indicarse sobre las curvas de este tipo, puesto que los potenciales de compuerta de 3 V o ms, con frecuencia se obtienen fcilmente. Como se ilustra en la figura 21.8b, se indica un mnimo de 3 V para todas las unidades en el intervalo de temperatura de inters. Otros parmetros que suelen incluirse en la hoja de especificaciones de un SCR son el tiempo de disparo (tencendido) (tdisparo), el tiempo de apagado (tapagado), la temperatura de la unin (T) y la temperatura de encapsulado (Te)' cada uno de los cuaJes deben hasta este momento. haber sido explicados, por s solos.
Corriente mn, de compuerta requerida para disparar todas las unidades a +ISOOC + 15C
10rl-------*----------~
8
3
PoIencia mx. instantnea de compuerta permisible -12.0W
VoJt.,je mn. de COI!IpIrfUI requerido pIR ditpInr 1MlIIIia.des
--
-------
Notas (1) Temperatura de unin - 6SC a + ISOC (2) Las reas sombreadas representan el lugar geomtrico de los puntos posibles de disparo desde - 6SC a + lSOC PGFM = 12 W,IGEM
= 2 A, VGFM = 10 V 1.6 2.0 Io (A)
Voltaje mx. de ~qaeDO dilparu6 DiIlJUD& unidad a 150C = O.lSV
O~l~--~I------~I------~I------~I------~I-__
o.i
0.4
0.8
1.2
OL---------~----------~-50 100 lG(mA)

Corriente de compl1~ iostntanea
(O.lA)
(a)
(b)
".....11.1 Caractersticas
de compuerta del SCR (serie C38 de GE).
21.5 CONSTRUCCION DEL SCR E IDENTIFICACION DE TERMINALES

La construccin bsica de una configuracin de cuatro capas de un SCR se muestra en la figura 21.9a. La construccin completa de un SCR de alta corriente libre de fatiga trmica se muestra en la figura 21.9b. Obsrvese la posicin de las terminales de la compuerta, el ctodo y el nodo. El pedestal acta como disipador de calor, transfiriendo el calor que se genera al chasis sobre el cual est montado el SCR. La construccin del encapsulado y la identificacin de las terminales de los SCR variarn con la aplicacin. Otras tcnicas de constnccin del encapsulado y la identificacin de terminales de cada uno se indican en la figura 21.10. .
21.5 Construccin del SCR e identificacin de terminales
835
.} .
RECTIHCADOR CONTROLADO DI. SILICIO DE AL"! \ CORRIENl L SUIlLNSAMBLE DI. LA PERLA DII-UNDIDA
RECIIHCADOR CONTROLADOR Dl: SILICIO DE AL rA CORRIENTE
Figura 21.9 (a) Perla de SCR por difusin y aleacin; (b) construccin de General Electric Company.)
de SCR libre de fatiga trmica. (Cortesa
O-Compuerta
Ctodo
I
Ctodo Anodo Compuerta Compuerta
Ctodo
Ctodo Anodo Compuerta
r'
Anodo
Figura 21.10 Construccin del encapsulado del SCR e identificacin de terminales. Electric Company; (b) y (e) cortesa de International Rectifier Corporation].
[(a) Cortesa de General
21.6 APLICACIONES DEL SCR

Unas cuantas de las posibles aplicaciones para el SCR se mencionan en la introduccin del SCR en la seccin 21.2. En esta seccin consideramos cinco: un interruptor esttico, un sistema de control de fase, un cargador de bateras, un controlador de temperatura y un sistema de luces de emergencia. Un interruptor esttico serie de media onda se muestra en la figura 21. J la. Si el interruptor se cierra como se muestra en la figura 21.11 b, circular una corriente de compuerta durante la parte positiva de la seal de entrada, disparando al SCR. El resistor R I limita la magnitud de la corriente de compuerta. Cuando el SCR se dispare, el voltaje nodo a ctodo (VF) disminuir el valor de conduccin, produciendoce una corriente de
836
DI Interruptor mecnico elctrico o electromecnico G

1 compuerta
(a) Figura 21.11 Interruptor esttico serie de media onda.
(b)
de compuerta bastante reducida y prdidas sumamente bajas en el circuito de compuerta. En la regin negativa de la seal de entrada, el SCR se apagar, ya que el nodo es negativo con respecto al ctodo. El diodo DI se incluye para evitar una inversin en la corriente de compuerta. Las formas de onda para la corriente y voltaje de carga resultantes se presentan en la figura 21.11 b. El resultado es una seal rectificada de media onda a travs de la carga. Si se desea una conduccin con una duracin menor que 180, el interruptor puede cerrarse a cualquier desplazamiento de fase durante la parte positiva de la seal de entrada. El interruptor puede ser electrnico, electromagntico o mecnico, dependiendo de la aplicacin. Un circuito capaz de establecer un ngulo de conduccin entre 90 y 180 se muestra en la figura 21.l2a. El circuito es similar al de la figura-Zl, l1a, excepto por la adicin de un resistor variable y la eliminacin del interruptor. La combinacin de los resistores R y R limitar la corriente de compuerta durante la parte positiva de la seal de entrada. Si R se fija para su valor mximo, puede ocurrir que la corriente de compuerta nunca alcance la magnitud del disparo. Conforme R I disminuye desde el mximo, la corriente de compuerta aumentar con el mismo voltaje de entrada. En esta forma, la corriente de disparo de compuerta requerida puede establecerse en cualquier punto entre O y 90, como se muestra en la figura 21.l2b. Si R I es baj a, el SCR se disparar casi de inmediato, resultando la misma accin que la que se obtuvo del circuito de la figura 21.11 a (conduccin durante 180). No obstante, como se indic con anterioridad, si se incrementa RI se requerir un voltaje de entrada ms alto (positivo) para activar el SCR. Como se indica en la figura 21.12b, el control no puede extenderse ms all de un desplazamiento de fase de 90 porque la entrada es mxima en este punto. Si falla para disparar a ste y a valores menores del voltaje de entrada sobre la pendiente positiva de la entrada, debe esperarse la misma respuesta de la parte con pendiente negativa de la forma de onda de la seal. La operacin en este caso suele denominarse en trminos tcnicos como valores control de fase de resistencia variable de media onda.
-Av
R '
R R
AA
0 90
~
K G
90 Conduccin
~
la (b)
(a)
Figura 21.12 Control de fase de resistencia variable de media onda.
21.6 Aplicaciones del SeR
837
Es un mtodo efectivo para controlar la corriente rms y, en consecuencia, la potencia hacia la carga. Una tercera aplicacin comn .del SCR es en un regulador cargador de batera. Los componentes fundamentales del circuito se muestran en la figura 21.13. El lector notar que el circuito de control se ha bloqueado para propsitos de anlisis. Como se indica en la figura D y D2 establecen una seal rectificada de onda completa a travs de SCR y la batera de 12 V que se va a cargar. A bajos voltajes de la batera, SCR2 est en el estado de corte por razones que Se explicarn ms adelante. Con SCR2 abierto, el circuito de control SCR es exactamente el mismo que el control del interruptor esttico que se analiz antes en esta seccin. Cuando la entrada rectificada de onda completa es 10 bastante grande para producir la corriente de disparo de compuerta requerida (controlada por R), SCR~ se disparar y dar comienzo la carga de la batera. Al inicio de la carga, el bajo voltaje de la batera producir un bajo voltaje VR determinado por el circuito divisor de voltaje sencillo. El voltaje VR es, a su vez, demasiado pequeo para provocar la conduccin del Zener de 11.0 V. En el estado de corte, el Zener es efectivamente un circuito abierto que mantiene a SCR2 en el estado "de corte" porque la corriente de compuerta es cero. El capacitor C se incluye para evitar los transitorios de voltaje en el circuito y que ellos accidentalmente disparen al SCR2. Recurdese de sus estudios fundamentales de anlisis de circuitos que el voltaje no puede cambiar en forma instantnea a travs de un capacitor. De este modo, C evita que los efectos transitorios afecten al SCR. .
Mecanismo
de control
11~
:J
SCR!
GE
'---+-_N--' C20F
47 O (2 W)
~-------------M__----------~--oV2
470(2 W) 470 (2 W) SCR2
GE
12-V
Batera
Rs 7500
(1 W)
C5U
Figura 21.13 Regulador del cargador de batera.
A medida que la carga contina, el voltaje de la batera aumenta hasta un punto donde VR es lo suficientemente alto como para hacer conducir al Zener de 1].0 V Y disparar el SCR2. Una vez que SCR2 se ha disparado, la representacin en corto circuito para SCR2 producir un circuito divisor de voltaje determinado por R, Y R2, que mantendr a V2 en un nivel demasiado pequeo para disparar el SCR,. Cuando esto ocurre, la batera est completamente cargada y el estado en circuito abierto de SCR, cortar la corriente de carga. De este modo, el regulador recarga la batera si el voltaje disminuye y evita la sobrecarga cuando se ha cargado al mximo. En la figura 21.14 aparece el diagrama esquemtico de un control de calefaccin de 100 W que utiliza un SCR. Se ha diseado de manera tal queel calefactor de 100 W se encender y apagar de acuerdo a como lo determine el termostato. Los termostatos de mercurio en vidrio son muy sensibles al cambio de temperatura. En realidad, ellos pueden registrar cambios tan pequeos como 0.1C. Sin embargo, su aplicacin es limitada porque slo pueden manejar niveles sumamente bajos de corriente (menores que 1 mA). En esta aplicacin, el SCR sirve como un amplificador de corriente en un elemento de
838
Carga de calentador de 100 W
CRl
CI06B
120 V ac
60Hz
GEA14B
CRI-CR4
RI
0.1 IlrF---L_~51,,0'\jill~----, ~ Terminales enrolladas para minimizar la induccin Figura 21.14 Controlador de temperatura. (Cortesa de General Electric Semiconductor Products Division.)
Termostato de HG en vidrio (tal como la serie vap, air div. 206-44; princo # T141 o equivalente)
conmutacin de carga. No es un amplificador en el sentido de que incremente el nivel de corriente del termostato. Ms bien es un dispositivo cuyo alto nivel de corriente se controla mediante el comportamiento del termostato. Debe ser claro que la red puente est conectada a la alimentacin de ea a travs del calefactor de 1()() W. Esto producir un voltaje rectificado de onda completa a travs del SCR. Cuando el termostato est abierto, el voltaje en el capacitor se cargar hasta un potencial de disparo de compuerta a travs de cada pulso de la seal rectificada. La constante de tiempo de carga se determina por el producto Re. Esto disparar al SCR durante cada medio ciclo de la seal de entrada, permitiendo un flujo de carga (corriente) hacia el calefactor. Conforme aumente la temperatura, el termostato conductivo pondr en corto circuito al capacitor, eliminando la posibilidad de que este ltimo se cargue hasta el potencial de disparo y dispare el SCR. El resistor de 510 kQ contribuir entonces a mantener una corriente sumamente baja (menor que 250 J..I.A) a travs del termostato. La ltima aplicacin del SCR que se describir se muestra en la figura 21.15. Es un sistema de iluminacin de emergencia de una sola fuente que mantendr la carga en una batera de 6 V para asegurar su disponibilidad y brindar tambin energa cd a una lmpara elctrica si hay una interrupcin elctrica. Una seal rectificada de onda completa aparecer a travs de la lmpara de 6 V debido a los diodos D2 y DI' El capacitor el se cargar hasta un voltaje ligeramente menor que la diferencia entre el valor pico de la seal rectificada de onda completa y el voltaje cd en R2 establecido por la batera de 6 V. En todo caso, el ctodo de SCR, es mayor que el nodo y el voltaje de la compuerta al ctodo es negativo, asegurando que el SCR no conduzca. La batera se est cargando a travs de R,
DI
RI/'
Seleccionada para obtener la relacin de carga deseada (valor y wattaje) SCRI
CI06Yl
Entrada ea a 50-60 Hz
6.3 V 100 IlF lOV 6.3 V TI 6-V Lmpara lill
Batera
6 volts
Figura 21.15 Sistema de luces de emergencia de una sola fuente. (Cortesa de General Electric Semiconductor Products Division.) 21.6 Aplicaciones del SeR
839
y DI a una razn determinada por R l. La carga de la batera slo ocurre cuando el nodo de DI es ms positivo que su ctodo. El nivel cd de la seal rectificada de onda completa asegurar que la lmpara est encendida cuando haya potencia. Si la alimentacin elctrica falla, el capacitor CI se descargar a travs de DI' RI Y R3 hasta que el ctodo de SCRI sea menos positivo que el nodo. Al mismo tiempo, la unin de R2 y R3 se volver positiva y establecer suficiente voltaje de compuerta a ctodo para disparar el SCR. Una vez disparado, la batera de 6 V se descargara a travs del SCRI y energizara la lmpara y mantendra su iluminacin. Despus de que se restablece la energa, el capacitor C se recargar y restablecer el estado 90 conductor de SCRI, como se describi antes.
21.7 INTERRUPTOR CONTROLADO PE SILICIO

El interruptor controlado de silicio (SCS), al igual que el rectificador controlado de silicio, es un dispositivo pnpn de cuatro capas. Las cuatro capas semiconductoras del SCS estn disponibles debido a la adicin de una compuerta de nodo, como se muestra en la figura 21.16a. El smbolo grfico y el circuito equivalente del transistor se muestran en la misma figura. Las caractersticas del dispositivo son esencialmente las mismas que aquellas del SCR. El efecto de una corriente de compuerta de nodo es muy similar al que se muestra para la corriente de compuerta en la figura 21.7. Cuanto mayor sea la corriente de compuerta del nodo, tanto menor ser el voltaje nodo a ctodo requerido para disparar el dispositivo. La conexin nodo compuerta puede utilizarse para colocar al dispositivo con conduccin o cortarlo. Para colocar el dispositivo en conduccin, debe aplicarse un pulso negativo en la terminal nodo compuerta, en tanto que es necesario un pulso positivo para cortar el dispositivo. La necesidad del tipo de pulso que acaba de indicarse puede demostrarse empleando el circuito de la figura 21.16c. Un pulso negativo en la terminal nodo compuerta polarizar directamente la unin base a emisor de Q, ponindolo en conduccin."La corriente de colector resultante lel pondr en conduccin a Q2, produciendo un efecto regenerativo y el estado de conduccin en el dispositivo SCS. Un pulso positivo en el nodo compuerta polarizar inversamente la unin de la base a emisor de Q, cortndolo y obtenindose el estado de circuito abierto del dispositivo. En general, la corriente de disparo nodo compuerta es mayor en magnitud que la corriente ctodo compuerta requerida. En un dispositivo SCS representativo, la corriente nodo compuerta de disparo es de 1.5 mA, en tanto que la corriente ctodo compuerta requerida es de 1 ~A. La corriente de conduccin de compuerta que se necesita en cualquiera de las dos terminales es afectada por varios factores. Entre ellos se incluye la temperatura de operacin, el voltaje de nodo a ctodo, la colocacin de la carga y el tipo de ctodo, la conexin compuerta a ctodo o nodo compuerta a nodo (corto circuito, circuito abierto, polarizacin, carga, etc.). Por lo comn se cuenta con tablas, grficas y curvas para cada dispositivo con objeto de indicar el tipo de informacin antes indicada .
. Anodo Anodo
Anodo compuerta Anodo Ctodo compuerta Ctodo compuerta Ctodo Ctodo Ctodo compuerta~
Q1
pnp
..Q2
Anodo compuerta
IGA
pnp
IGK
(a)
(b)
(e)
Figura 21.16 Interruptor controlado de silicio (ses): (a) construccin bsica; (b) smbolo grfico; (e) circuito equivalente con transistores.
840
Tres de los tipos ms fundamentales de los circuitos de apagado para el SCS se muestran en la figura 21.17. Cuando se aplica un pulso en el circuito de la figura 21.17a, el transistor conduce por completo, lo que produce una caracterstica de baja impedancia ( == corto circuito) entre el colector y el emisor. Esta rama de baja impedancia desva la corriente del nodo del SCS, disminuyndola por debajo del valor de sostenimiento y en consecuencia apagndolo. De manera similar, el pulso positivo en nodo compuerta de la figura 21.17b cortar el SCS mediante el mecanismo descrito antes en esta seccin. El circuito de la figura 21.17 e puede encenderse o apagarse por medio de un pulso de la magnitud adecuada en el ctodo compuerta. La caracterstica de corte es posible slo si se emplea el valor correcto de RA- Esta controlar la cantidad de retroalimentacin regenerativa, cuya magnitud es crtica en este tipo de operacin. Ntese la variedad de posiciones en las que puede ubicarse el resistor de carga Rv Hay varias posibilidades ms que pueden encontrarse en cualquier libro o manual de semiconductores de amplio contenido.
.n
-v
(a) Figura 21.17 Tcnicas de apagado del SCS. (b) (c)
Una ventaja del SCS sobre un SCR correspondiente es el tiempo reducido de apagado, por lo general dentro del intervalo de 1 a 10 J.1S para el SCS y de 5 a 30 J.1S para el SCR. Algunas de las otras ventajas del SCS sobre un SCR incluyen mayor control y sensibilidad de disparo y una situacin de encendido ms predecible. Sin embargo, en la actualidad el SCS est limitado a valores nominales bajos de potencia, corriente y voltaje. El intervalo tpico de corrientes de nodo mximas es de 100 a 300 mA con valores nominales de disipacin (potencia) de 100 a 500 mW. Algunas de las reas ms comunes de aplicacin incluyen una amplia variedad de circuitos de computadora (contadores, registros y circuitos temporizadores) generadores de pulso, sensores de voltaje y osciladores. Una aplicacin simple de un SCS como dispositivo sensor de voltaje se muestra en la figura 21.18. Este es un sistema de alarma con n entradas a partir de varias estaciones. Cualquier seal de entrada encender el SCS particular, obtenindose una alarma energizada por relevador y luz en el circuito nodo compuerta para indicar la localizacin de la entrada (perturbacin).
r---~--------------~--------------~--o12V
A<=.
]11
GE
GE
GE
344
344
344
~--~--------~r---+----------.
GE3N60
Entrada I Entrada J O--"I~\r-...J
IOkQ
IOkQ
IOkQ Figura 21.18 Circuito de alanna con SCS.
21.7 Interruptor
controlado de silicio
841
Una aplicacin adicional del ses se presenta en el circuito de alarma de la figura

21.19. Rs representa un resistor sensible a la temperatura, luz o radiacin; esto es, un
r-----~------~--~+12V
Restablecimiento 100 kO (para el efecto de pendiente)
-12 V
Figura 21.19 Circuito de alarma. (Cortesa de General Electric Semiconductor Products Division.)
elemento cuya resistencia disminuir con la aplicacin de cualquiera de las tres fuentes de energa mencionadas antes. El potencial ctodo compuerta se determina mediante la relacin del divisor establecida por Rs Yel resistor variable. Ntese que el potencial de la compuerta se encuentra aproximadamente a O V si Rs es igual al valor fijado por el resistor variable, ya que ambos resistores tendrn 12 V a travs de ellos. No obstante, si Rs disminuye, el potencial de la unin aumentar hasta que ses se polarice directamente, provocando que el ses se dispare y energice el relevador de la alarma. El resistor de 100 kn se incluye para reducir la posibilidad de disparo accidental del dispositivo a travs de un fenmeno conocido como efecto-de pendiente. Este es causado por los niveles de capacidad parsita entre compuertas. Un transitorio de alta frecuencia puede establecer la suficiente corriente de base para disparar accidentalmente el seso El dispositivo se restablece oprimiendo el botn de restablecimiento, que a su vez abre la trayectoria de conduccin del ses y reduce la corriente de nodo a cero. La sensibilidad a los resistores Rs que incrementan su resistencia debido a la aplicacin de cualquiera de las tres fuentes de energa mencionadas antes puede manejarse intercambiando simplemente la ubicacin de Rs y del resistor variable. La identificacin de terminales de un ses se muestra en la figura 21.20 con un ses encapsulado.
(a)
(b)
Figura 21.20 Interruptor controlado de silicio (SCS); (a) dispositivo; (b) identificacin de terminales. (Cortesa de General Electric Company.)
21.8 INTERRUPTOR CONTROLADO POR COMPUERTA

El interruptor controlado por compuerta (GTO: gate turn-off witch) es el tercer dispositivo pnpn que se presentar en este captulo. Sin embargo, al igual que el SeR, tiene slo tres terminales externas, como se indica en la figura 21.21a. Su smbolo grfico se muestra tambin en la figura 21.21b. Aunque el smbolo grfico es diferente del correspondiente al SeR o al ses, el equivalente del transistor es exactamente el mismo y las caractersticas son similares. La ventaja ms obvia del GTO sobre el SeR o el ses es el hecho de que puede conducir o cortarse aplicando el pulso apropiado en la compuerta ctodo (sin la compuerta nodo y los circuitos asociados que requiere el SeS). Una consecuencia de esta capacidad de apagado es un aumento en la magnitud de la corriente de compuerta que
Anodo
Ctodo
(a)
(b)
Figura 21.21 Interruptor controlador por compuerta (GTO: (a) construccin bsica; (b) smbolo.
842
.F
se requiere para el disparo. Para un SCR y un GTO de valores nominales similares de corriente rms mximos, la corriente de disparo de compuerta de un SCR particular es 30 de !lA, en tanto que la corriente de disparo del GTO es de 20 mA. La corriente de apagado de un GTO es ligeramente mayor que la corriente de disparo requerida. Los valores nominales de corriente rms y disipacin mximos de los GTO fabricados en la actualidad, estn limitados a cerca de 3 A y 20 W, respectivamente. Una segunda caracterstica muy importante del GTO es su caracterstica de conmutacin mejorada. El tiempo de disparo es similar al del SCR (por lo general, 1 JlS) pero el tiempo de apagado es de aproximadamente la misma duracin (1 JlS) que es mucho menor que el tiempo de apagado tpico de un SCR (5a 30 us), El hecho de que el tiempo de apagado sea similar al tiempo de encendido en lugar de ser considerablemente mayor, permite el empleo de este dispositivo en aplicaciones de alta velocidad. Un GTO tpico y la identificacin de sus terminales se muestra en la figura 21.22. Las caractersticas de entrada de la compuerta del GTO y los circuitos de apagado pueden encontrarse en un manual de amplio contenido o en la hoja de especificaciones. La mayor parte de los circuitos de apagado del SCR pueden emplearse tambin en los GTO. Algunas de las reas de aplicacin del GTO incluyen los contadores, los generadores de pulso, multivibradores y reguladores de voltaje. La figura 21.23 es una ilustracin de un sencillo generador diente de sierra que emplea un GTO y un diodo Zener.
Anodo Compuerta Clodo
Figura 21.22 GTO tpico y su identificacin de terminales. (Cortesa de General Electric Company.)
Alimentacin de 200 volts
~------~--~
1 kn
Figura 21.23 Generador
diente de sierra con GTO.
Cuando se energiza la alimentacin el GTO se dispara, lo que producir un equivalente de corto circuito del nodo al ctodo. El capacitor e empezar entonces a cargarse hacia el voltaje de alimentacin como se muestra en la figura 21.23. Como el voltaje en el capacitor el se carga por encima del potencial Zener, se producir un voltaje inverso en la compuerta-ctodo, estableciendo una inversin en la corriente de la compuerta. A la larga, la corriente de compuerta negativa ser lo suficientemente grande como para cortar el GTO. Una vez que ste se corta, resultando la representacin en circuito abierto, el capacitor el se descargar a travs del resistor R3. El tiempo de descarga ser determinado por la constante de tiempo del circuito 't R3e. La seleccin adecuada de R3 y el dar por resultado la forma de onda de diente de sierra de la figura 21.23. Una vez que el potencial de salida Vo disminuye por debajo de Vz, el GTO se dispara y el proceso se repetir.
21.9 SCR ACTIVADO POR LUZ

El siguiente en la serie de dispositivo pnpn es el SCR activado por luz (LASCR; lightactivated SCR). Como indica la terminologa, se trata de un SCR cuyo estado es controlado por la luz que incide sobre una capa del semiconductor de silicio del dispositivo. La construccin bsica de un LASCR se muestra en la figura 21.24a. Como se indica en esta figura, tambin se proporciona una terminal de compuerta para permitir el disparo del dispositivo empleando los mtodos tpicos del SCR. Advirtase tambin en
21.9 SeR activado por luz
843
.r
Luz
Cubierta de vidrio Terminal de la compuerta Sello hermtico Anodo II Anodo
~;f=::+t+==:!;;;9\__ Terminal del ctodo

Sello hermtico Compuerta
Sello principa! soldado
Compuerta Ctodo Ctodo
(a)
(b)
Figura 21.24 SCR activado por luz (LASCR): (a) construccin bsica; (b) smbolos.
la figura que la superficie de montaje para la configuracin de silicio es la conexin del nodo en el dispositivo. Los smbolos grficos que se emplean ms comnmente para el LASCR se incluyen en la figura 21.24b. La identificacin de terminales y los LASCR tpicos se muestran en la figura 21.25a. Algunas de las reas de aplicacin para el LASCR incluyen controles pticos luminosos, relevadores, control de fase, control de motores y una diversidad de aplicaciones de computadora. Los valores nominales mximos de corriente (rms) y potencia (compuerta) de los LASCR disponibles comercialmente en la actualidad son aproximadamente 3 A Y0.1 W.
40
20
Todas las unidades se disparan en esta rea
Ninguna unidad se dispara en esta rea
0.2 0.1
0.08
0.06
0.04
Notas: (1) El rea sombreada representa el lugar geomtrico de los puntos posibles de disparo de _65C a 100C. (2) Voltaje de nodo aplicado 6 volts cd. (3) Resistencia de compuerta ctodo 56.000 ohms (4) Fuente luminosa perpendicular a! plano del cabezal..
II
~)
-60
-40
-20
O
Temperatura
20
I 40
60
I 80
I 100
de la unin, C
(a)
(b)
Figura 21.25 LASCR: (a) apariencia e identificacin de tennina1; (b) caracterstica de disparo por
luz. (Cortesa de General Electric Company.)
844
Captulo 21 pnpn y otros dspostvos
Las caractersticas (disparo de luz) de un LASCR representantivo se presentan en la figura 21.25b. Obsrvese en esta figura que un aumento en la temperatura de la unin produce una reduccin en la energa luminosa que se requiere para activar el dispositivo. Una aplicacin interesante de un LASCR se observa en los circuitos AND y OR de la figura 21.26. Slo cuando incida luz sobre LASCRI y LASCR2 ser aplicable la representacin en corto circuito para cada uno y el voltaje de alimentacin aparecer a travs de la carga. En el circuito OR, la energa luminosa aplicada a LASCRI o LASCR2 producir el voltaje de alimentacin que aparece en la carga.
Carga
Carga
~
LASCR
LASCR2
(a)
l J
\\
LASCR
LASCR2
Alimentacin
Alimentacin
(b)
Figura 21.26 Circuitos lgicos optoelectrnicos del LASCR: (a) compuerta AND, se requieren entradas al LASCRI y al LASCR2 para la energizacin de la carga; (b) compuerta OR,la entrada ya sea a LASCRI o a la LASCR2 energizar la carga.
El LASCR es ms sensible a la luz cuando la terminal de la compuerta se encuentra abierta. Su sensibilidad puede reducirse y controlarse un poco mediante la insercin de un resistor de compuerta, como se muestra en la figura 21.26. Una segunda aplicacin del LASCR aparecen en la figura 21.27. Es la analoga semiconductora de un relevador electromecnico. Advirtase que ste ofrece un aislamiento completo entre la entrada y el elemento de conmutacin. La corriente de energizacin puede hacerse circular a travs de un diodo emisor de luz o una lmpara, como se muestra en la figura. La luz incidente ocasionar el disparo del LASCR y permite un flujo de carga (corriente) a travs de' la carga como lo establece la alimentacin cd. El LASCR puede cortarse empleando un interruptor de restablecimiento SI' Este sistema ofrece las ventajas adicionales en comparacin con un interruptor electromecnico de una larga vida de servicio, respuesta en microsegundos, tamao pequeo y la eliminacin de rebotes de los contactos.
11 entrada
ocd
Carga --o
ea
::ro
+
dc Figura 21.27 Relevador de seguro (Cortesa de General Electric Semi conductor Products Division.)
21.9 SeR activado por luz
845
21.10 DIODO SHOCKLEY

El diodo Shocldey es un diodo pnpn de cuatro capas con slo dos terminales externas, como se muestra en la figura 21.28a con su smbolo grfico. Las caractersticas del dispositivo (figura 21.28b) son exactamente iguales a las encontradas para el SCR con le = O. Como indica la caracterstica, el dispositivo est en el estado de corte (representacin en circuito abierto) hasta que se alcanza el voltaje de ruptura, en cuyo instante la condicin de avalancha se desarrollar y el dispositivo se encender (representacin en corto circuito).
Figura
21.28 Diodo Shockley: (a) construccin
bsica y smbolo; (b) caractersticas.
Una aplicacin comn del diodo Shocldey se muestra en la figura 21.29, donde se emplea como interruptor de disparo para un SCR. Cuando el circuito se energiza, el voltaje en el capacitor empezar a cambiar hacia el voltaje de alimentacin. A la larga, el voltaje en el capacitor ser lo bastante elevado como para disparar primero el diodo Shocldey y despus el SCR.
Figura 21.29 Aplicacin del diodo Shockley: interruptor de disparo para un SCR.
21.11 DIAC
El diac es bsicamente una combinacin inversa en paralelo de dos terminales de capas semiconductoras que permite disparar en cualquier direccin. La caracterstica del dispositivo, presentada en la figura 21.30a, demuestran claramente que hay un voltaje de disparo en cualquier direccin. Esta posibilidad de una condicin de conduccin en cualquier direccin puede utilizarse para aprovechar todas sus ventajas en aplicaciones ea.
OOdOI
Anodo2
Anodo I
ni
Figura 21.30 Diac: (a) caractersticas; (b) smbolos y construccin bsica . (Cortesa de General Electric Company.)
Anodo 2
(a)
(b)
846
El arreglo bsico de las capas del semiconductor del diac se muestra en la figura 21.30b, junto con su smbolo grfico. Ntese que no se hace referencia a ninguna terminal con el nombre de ctodo. En lugar de eso, hay un nodo 1 (o electrodo 1) y un nodo (o electrodo 2). Cuando el nodo 1 es positivo con respecto al nodo 2, las capas de semiconductor de inters particular son pn7P2 Y n3' Para el nodo 2 positivo con respecto al nodo 1, las capas aplicables son P2n'JP YnI' En la unidad que aparece en la figura 21.30, los voltajes de ruptura son muy cercanos en magnitud, pero pueden variar desde un mnimo de 28 V hasta un mximo de 42 V. Se relacionan mediante la siguiente ecuacin que se incluye en la hoja de especificaciones: (21.1) Los niveles de corriente (/BR e IBR2) tienen tambin magnitudes muy cercanas en cada dispositivo. En la unidad de la figura 21.30 ambos niveles de corriente son de aproximadamente 200 .LA = 0.2 mA. El empleo del diac en un detector de proximidad aparece en la figura 21.31. Obsrvese el empleo de un SCR en serie con la carga y el transistor monounin programable (que se describir en la seccin 21.13) conectado directamente al electrodo
lOMO
Carga
G 115 V 60 Hz (SCR) GE CI06B IMO GE 2N6027 (PUT)
IMO
Al electrodo sensor
L-------+-------+-------~K
Todos los resistores de 1/4 de wau
Conforme el cuerpo humano se aproxime al electrodo sensor, la capacitancia entre el electrodo y tierra se incrementar. El un programable (PUT) es un dispositivo que se dispara (entrar en el estado de corto circuito) cuando el voltaje del nodo (VA) sea por lo menos 0.7 V (para el silicio) ms grande que el voltaje de compuerta (V G)' Antes de que se dispare el dispositivo programable, el sistema est esencialmente como se muestra en la figura 21.32. Conforme aumenta el voltaje de entrada, el voltaje del diac VG seguir como se muestra en la figura hasta que se alcance el potencial de disparo. Entonces se encender y el voltaje del diac caer en forma sustancial, como se muestra. Ntese que el diac est esencialmente en el estado de circuito abierto hasta que se dispara.
U
Figura 21.31 Detector de proximidad o interruptor de contacto. (Cortesa de General Electric Semiconductor Products Division.)
Ue
+
u, C=OF
ve
u,
CotOF
Figura 21.32 Efecto del elemento capacitivo sobre el comportamiento de la red de la figura 21.31.
21.11 Diac
847
Antes de que se introduzca el elemento capacitivo, el voltaje VG ser el mismo que en la entrada. Como se indica en la figura, puesto que tanto VA como VG siguen a la entrada, VA nunca puede ser mayor que VG por 0.7 V Y encender el dispositivo. Sin embargo, cuando se introduce el elemento capacitivo, el voltaje VG empezar a retrasarse con respecto al voltaje de entrada en un ngulo creciente, como se indica en la figura. Por lo tanto, hay un punto establecido en el que VA puede exceder a V Gen 0.7 V Y ocasionar que se dispare el dispositivo programable. En este punto se establece una corriente considerable a travs del PUT, aumentando el voltaje Vk y encendiendo el SCR. Entonces existir una corriente considerable en el SCR a travs de la carga, y reaccionar con la presencia de una persona que se aproxime. Una segunda aplicacin del diac aparece en la siguiente seccin (figura 21.34) en lo que consideramos un importante dispositivo de control de potencia: el triac.
21.12 TRIAC
El triac es fundamentalmente un diac con una terminal de compuerta para controlar las condiciones de disparo del dispositivo bilateral en cualquier direccin. En otras palabras, en cualquier direccin la corriente de compuerta puede controlar la accin del dispositivo de una manera muy similar a la que se mostr' para un SCR. Sin embargo, las caractersticas del triac en el primer y tercer cuadrantes son un poco diferentes de las del diac, segn se muestra en la figura 21.33c. Obsrvese que la corriente de sostenimiento en cada direccin no est presente en las caractersticas del diac. El smbolo grfico para el dispositivo y la distribucin de las capas semiconductoras se presentan en la figura 21.33 con fotografas del dispositivo. Para cada direccin posible de conduccin hay una combinacin de capas semiconductoras cuyo estado se controlar mediante la seal aplicada a la terminal de la compuerta. Una aplicacin fundamental del triac se presenta en la figura 21.34. En este caso, controla la potencia ea a la carga por medio de la conmutacin conduccin-corte durante las regiones positiva y negativa de la seal senoidal de entrada. La accin de este circuito durante la .parte positiva de la seal de entrada. La accin de este circuito durante la parte positiva de la seal de entrada es muy semejante a la que se encontr para el diodo Shockley en la figura 21.29. La ventaja de esta configuracin es que durante la parte negativa de la seal de entrada se producir el mismo tipo de respuesta, puesto que tanto el diac como' el triac pueden dispararse en la direccin inversa. La forma de onda que resulta para la corriente a travs de la carga se muestra en la figura 21.34. Al variar el resistor R puede controlarse el ngulo de conduccin. En la actualidad se encuentran unidades que pueden manejar cargas superiores a 10 kW.
Anodo 2 positivo 'Anodo Z
Anodo 2 negativo Compuerta Anodo I

(a)
Compuerta
(b) (e)
Figura 21.33 Triac: (a) smbolo;

(b) construccin bsica; (e) caractersticas; (d) fotografas.
848
Anodo I
Figura 21.33 Contina.
(d)
o---------~------------~~ +
Figura 21.34 Aplicacin del triac: control de fase (potencia).
OTROS DISPOSITIVOS 21.13 TRANSISTOR MONOUNION

Como en el caso del SCR, el inters reciente por el transistor monounin (UJT: unijunction transistor) se ha incrernentando a un ritmo exponencial. A pesar de que se introdujo en 1948, no se dispuso comercialmente del dispositivo sino hasta 1952. El bajo costo por unidad, combinado con las excelentes caractersticas del dispositivo, han justificado su empleo en una amplia variedad de aplicaciones. Unas cuantas incluyen osciladores, circuitos de disparo, generadores diente de sierra, control de fase, circuitos temporizadores, redes biestables y alimentaciones reguladas de voltaje o corriente. El hecho de que este dispositivo sea en general de bajo consumo de potencia en condiciones de operacin normal, es una enorme ayuda en los continuos esfuerzos para disear sistemas relativamente eficientes.
21.13 Transistor monounin
849
~o
El UIT es un dispositivo de tres terminales que tiene la construccin bsica de la figura 21.35. Una barra de material de silicio tipo n ligeramente impurificado (caracterstica de resistencia mayor) tiene dos contactos de base unidos a ambos extremos de una superficie y una barra de aluminio aleada en la superficie opuesta. La unin p-n del dispositivo se forma en la frontera de la barra de aluminio y la barra de silicio tipo n. La sola unin p-n explica la terminologa de monounin. Originalmente se le llam diodo base do (doble), debido a la presencia de dos contactos de base. Obsrvese en la figura 21.35 que la barra de aluminio est difundida a la barra de silicio en un punto ms cercano al contacto de base 2 que al contacto de base 1 y que la terminal de base 2 se hace positiva con respecto a la terminal de base 1 en VBB volts. El efecto de lo anterior se har evidente en los prrafos que siguen.
1----<>-- - -,
I I
I I
Contacto &hmico de base Barra de aluminio
I I I
~VBB
I I I I /
Barra de silicio de alta resistividad tipo n
r---o--- ...
Bl I
I I
Figura 21.35 Transistor monounin (UJT): construccin bsica.
Bl
Figura 21.36 Smbolo y arreglo de polarizacin para el transistor monounin.
El smbolo para el transistor monounin se presenta en la figura 21.36. Ntese que la terminal del emisor est dibujada a ngulo con relacin a la lnea vertical que representa la barra del material tipo n. La punta de flecha apunta en la direccin del flujo de corriente convencional (huecos) cuando el dispositivo est polarizado directamente, activo o en el estado de conduccin. El circuito equivalente del UJT se muestra en la figura 21.37. Ntese la simplicidad relativa de este circuito equivalente: dos resistores (uno fijo y uno variable) y un solo diodo. La resistencia RBl se presenta como una resistencia variable, ya que su magnitud variar con la corriente lE' En realidad, en un transistor monounin representativo, RBI puede variar de 5 ill a 50 n para un cambio correspondiente de le de O a 50 lA. La resistencia de interbase RBB es la resistencia del dispositivo entre las terminales BI y B2 cuando le = O. En forma de ecuacin, (21.2)
(RBB se encuentra por lo general dentro del intervalo de 4 a 10 ill). La posicin de la barra de aluminio de la figura 21.35 determinar los valores relativos de RB y RB2 con lE = O. La magnitud de VRB (con ls = O) se determina mediante la regla del divisor de voltaje de la siguiente madera:
Figura 21.37 Circuito equivalente UJT.
850
(21.3) La letra griega 11 (eta) se denomina define mediante

1] -
razn de apagado intrnseca

RB,
del dispositivo
y se
_ RB,
+ RB2
I
IE=O
RB, =RBB
(21.4)
Para potenciales de emisor aplicados (VE) mayores que VRB1 = 11VBB por la cada de voltaje directo del diodo, VD(0.35 ~ 0.70 V) el diodo se disparar, se supone la representacin en corto circuito (en una base ideal), e lE empezar a circular a travs de RB]. En forma de ecuacin, el potencial de disparo del emisor est dado por
Vp
= 11VBB+
VD
(21.5)
Las caractersticas de un transistor monounin representativo se muestran para VBB = 10 V en la figura 21.38. Ntese que para potenciales de emisor a la izquierda del punto pico, la magnitud de lE nunca es mayor que lEO (medida en microamperes). La corriente lEO corresponde muy cercanamente a la corriente de fuga inversa leo del transistor bipolar convencional. Esta regin, como se indica en la figura, se denomina regin de corte. Una vez que la conduccin se establece en VE = Vp, el potencial del emisor VE disminuir con el aumento en le- Esto corresponde exactamente a la resistencia decreciente RB] para la corriente creciente lE' como se seal antes. Por consiguiente, este dispositivo tiene una regin de resistencia negativa que es tan estable que puede utilizarse con un alto grado de confiabilidad en las reas de aplicacin sealadas antes. A la larga, se alcanzar el punto del valle y cualquier incremento adicional en lE pondr al dispositivo en la regin de saturacin. En esta regin las caractersticas se aproximan a las del diodo semiconductor en el circuito equivalente de la figura 21.37. La disminucin de la resistencia en la regin activa se debe a los huecos inyectados en la barra tipo n desde la barra de aluminio tipo p cuando se establece la conduccin. El contenido incrementado de huecos en el material tipo n producir un aumento en el nmero de electrones libres en la barra, lo que dar origen a un incremento en la conductividad (G) y una disminucin correspondiente en la resistencia (R J.. = lIG i ).
Regin --++f.-de corte
VE
Regin de resistencia negativa
--""'"o---
R . d eg' n e saturacin
Punto valle
50
Ie (mA)
21.38 Curva caracterstica
esttica de emisor del UJT.
21.13 Transistor
monounin
851
Los otros tres parmetros importantes en el transistor monounin son Ip, Vve Iv. Cada uno de ellos se indica en la figura 21.38. Todos ellos se explican por s mismos. Las caractersticas de emisor como aparecen normalmente, se presentan en la figura 21.39. Ntese que no se observa IEO(.lA) puesto que la escala horizontal est en miliamperes. La interseccin de cada curva con el eje vertical es el valor correspondiente de Vp. Para valores fijos de 1] y VD' la magnitud de Vp variar conforme VBB esto es,
Vp
= TI
VBB i +
I
fijos
VD
18
16 14
12
10 8 6
4 VBB =5 V
10
12
14
lE (mA)
Figura 21.39 Curvas caractersticas estticas comunes de emisor para un UJT
Un conjunto tpico de especificaciones para el UJT se presenta en la figura 21.40b. El anlisis de los ltimos prrafos debe hacer que cada cantidad se reconozca rpidamente. En la misma figura se incluye la identificacin de terminales con una fotografa de un UJT representativo. Obsrvese que las terminales de la base son opuestas entre s, en tanto que la terminal del emisor est entre las dos. Adems, la terminal de la base que se fijar al potencial ms elevado est ms cerca de la saliente del encapsulado. Una aplicacin bastante comn del UJT es en el disparo de otros dispositivos como el SCR. Los elementos bsicos de dicho circuito de disparo se muestran en la figura 21.41. Debe elegirse el resistor R 1 para asegurar que la lnea de carga determinada por R I pase por las caractersticas del dispositivo en la regin de resistencia negativa; es decir, a la derecha del punto pico, pero a la izquierda del punto de valle, como se muestra en la figura 21.42. Si la lnea de carga no pasa a la derecha del punto pico, el dispositivo no puede dispararse. Puede establecerse una ecuacin para R 1 que asegure una condicin de conduccin si consideramos el punto pico en el que IR = Ip Y VE = Vp. (La igualdad IR = I p es vlida porque la corriente de carga del capacitr, en este instante, es cero; esto es: en este instante particular, el capacitor est cambiando de un estado de carga a uno de descarga.) Por tanto, V -IR, = V E Y RI = (V - VE)/IR, = (V - Vp)/lp en:
852
Valores nominales Disipacin
mximos absolutos: (25C) 300mw 50ma 2 amperes 30 volts 35 volts de operacin de almacenamiento (25C) Mn Comn 0.65 0.65 7 2 0.05 0.04 12 5 0.75 9.1 Mx. 056
1]
de potencia
Corriente de emisor RMS Corriente de emisor pico Voltaje inverso de emisor Voltaje de interbase Intervalo de temperatura Intervalo de temperatura Caractersticas elctricas:
-65C + 125C -65C + 150C
Razn de apagado intrnseca Resistencia (VBB= 10 V) de interbase (kQ)
0.56 4.7
(VBB=3V,IE=0) Voltaje de saturacin de emisor (VBB= lOV,IE=50mA) Corriente inversa de emisor (VBB = 30 V, IBI = O) Corriente de emisor de punto pico (VBB=25 V) Corriente de punto valle (VBiJ = 20 V) IV<mA)
(a)
Figura 21.40 UJT: (a) aspecto: (b) hoja de especificaciones; General Electric Company.)
(c) identificacin
(b)
de terminales. (Cortesa de
(c)
v
Carga ---/' Lnea de caiga
r
Figura 21.41 Disparo del SCR por medio del UJT
Vv
Iv Figura 21.42 Lnea de carga para una

aplicacin de disparo.
VE Y R = (V - VE) IIR = (V - Vp) IIp
en el punto pico. Para asegurar el disparo.
I R;<T" I
En el punto de valle lE = Iv Y VE
(21.6)
= Vv. por lo gue V -IRR = VE

V -lvR = Vv
se convierte en
y
V- Vv
Iv
21.13
Transistor
monouni6n
853
o para asegurar corte,
r
El intervalo R est, en consecuencia, limitado por
(21.7)
(2l.8)
La resistencia R2 debe elegirse lo suficientemente pequea para asegurar que el SCR no se dispare por el voltaje VR2 de la figura 2l.43 cuando lE == O A. El voltaje
Figura 21.43 Red de disparo cuando
IE=OA.
(2l.9)
El capacitor e determinar, como veremos, el intervalo de tiempo entre los pulsos de disparo y el tiempo de cada pulso. Al instante en el que se aplica el voltaje de alimentacin cd, V, el voltaje vE = Ve se cargar a V volts desde Vv como se muestra en la figura 21.44 con una constante de tiempo '[ R 1 C.
RI
RB2
____ Vp-O.7 V t---<>----it---<>-~
-----------~:~~:::;;~--~----I I
o
T
tI
'-y-J
I
I
\1
(a)
(b)
Figura 21.44 (a) Fases de carga y descarga para la red de disparo de la figura 21.41; (b) red equivalente cuando el UJT conduce.
La ecuacin general para el periodo de carga es (21.10) Como se advierte en la figura 2l.44, el voltaje a travs de R2 est determinado por la ecuacin (2l.9) durante este periodo de carga. Cuando ve = "s = Vp, el UJT entrar al estado de conduccin y el capacitor se descargar a travs de RB! y R2 a una razn determinada por la constante de tiempo '[ = (RB! + R2)C.
854
La ecuacin de descarga para el voltaje
Vc
vE
es la siguiente:
Vc
== Vpe-t/(RB,+Rz)C
(21.11)
La ecuacin (21.11) es un poco complicada por el hecho de que RB disminuir con la creciente corriente de emisor, y los otros elementos de la red, tales como RI y v, afectarn la relacin de descarga y el nivel final. Sin embargo, la red equivalente aparece como se muestra en la figura 21.44 y las magnitudes de RI y RB2 son por lo general de un valor tal que una red de Thvenin alrededor del capacitor C ser afectada muy poco por estos dos resistores. Aun cuando V es un voltaje razonablemente alto, la contribucin del divisor de voltaje al voltaje de Thvenin puede ser ignorada en una base aproximativa. La aplicacin del equivalente reducido de la figura 21.45 para la fase de descarga producir la siguiente aproximacin para el valor pico de VB2 (21.12)
ve = v,
r
e
0.7 V
El periodo
ti
de la figura 21.44 puede determinarse de la siguiente manera: ve(carga)
= Vv + (V - Vv)(1 - e-t/R,c)
=
cuando Vc
Vp,
= II
- Vv - (V - Vv)e-t/R,c = V - (V - Vv)e-t/R,c Vp = V - (V - Vv)e-to/R,c, o
Vv
+V
Figura 21.45 Red equivalente reducida cuando el UJT conduce.
e-t,/R,C
= V - Vp
V-
v,
Empleando logaritrnos, tenemos log e-to/R,c = log

e e
V - Vp
V - Vv
-11 V - Vp RIC = log, V - V v
con
ti
(21.13) =RICloge V- Vv
V-Vp
Para el periodo de descarga el tiempo entre ecuacin (21.11) como sigue:
ti
y t2 puede determinarse a partir de la
Al establecer
ti
como t = O se obtiene
vc
y
Vv
Vvenl = 12 Vpe-tzl(RB,+Rz)C
e-tzl(RB,+Rz)C = Vv
Vp
i
I
21.13 Transistor
monounin
855
El uso de logaritmos produce
t2
Vp =(RB +R7J C 1o~I
Vv
(21.14)
El periodo para completar un ciclo se defme mediante T en la figura 21.44. Esto es,
T=
t}
+ t2
(21.15)
Si el SCR se suprimiera de la configuracin, la red se comportara como un oscilador de relajacin, generando la forma de onda de la figura 21.44. La frecuencia de oscilacin est determinada por
(21.16)
En muchos sistemas t]
> t2 Y
Como V> V ven muchos casos,
T=.t =RCloge--=RCloge
V V- v, 1 V- V/V
pero 11= ViV si ignoramos los efectos de VD en la ecuacin (21.5) y T=.RClog,,-1 1-11 1 [1/(1 -11)]
- RC log,
(21.17)
EJEMPLO 21.1
Dado el oscilador de relajacin de la figura 21.46: (a) Determine RB y RB2 a le = O A. (b) Calcule Vp, el voltaje necesario para disparar el UJT. (e) Determine si R est dentro del intervalo permisible de valores de acuerdo con la ecuacin (21.8) para asegurar el disparo del UJT. (d) Determine la frecuencia de oscilacin si RB= 100 n durante la fase de descarga. (e) Dibuje la forma de onda de Ve para un ciclo completo. (f) Dibuje la forma de onda de VR2 para un ciclo completo.
856
Capitulo 21 pnpn y otros dispositivos
.r
V= 12 Y
RBB = 5 til, 1'\ = 0.6 Vv=IY,Iv= lOmA,lp=10~ (RB = 100n durante la tase de descarga
+
Figura 21.46 Ejemplo 21.1
Solucin: (a) 7]=-
__ R....!:B:..!...,_ RB, + RB2
0.6 = RB, RBB RB , = 0.6RBB = 0.6(5 kfi) = 3 kfi RB = RBB - RB = 5 kfi - 3 kfi = 2 kfi
2 ,
(b) En el punto donde ve = Vp' si continuamos
con le =; O A, resultar la red de la figura

12Y
21.47, donde tRB, + R2) 12 V + ....:........:::.!..-_=--RB

1
Vp = 0.7 V
+ RB + R2
2
I
;-+-c1
v,
0.7
le
=OA
RBB
5 til
0.7 V
(3 kfi
5 kfi
+ 0.1 kfi) 12 V = 0.7 + 0.1 kfi
+ 7.294
=8V
(e)
v-
Vv
Iv 12 V - 1 V ----10 mA 1.1 kO
<RI<---"-
V - Vp
t;
12 V - 8 10 .LA
V
Figura 21.47 Red para determinar Vp. voltaje necesario para encender
< RI < -----
eIUJT.
< R 1 < 400 kfi
La resistencia R 1 = 50 k.Q cae dentro de este intervalo.
(d) tI = RIC log, ---'-
v-
Vv
V-
v,
12 V - 1 V
= (50 kfi)(O.1 pF) log, 12 V - 8 V = .) X 10-3 log,

=
11 4 =5X
10-3(1.01)
5.05 ms
21.13 Transistor monounin
857
o .ro
t2
= (RB 1
+ R2)C
loa oe V
Vp v 8 1
= (0.1 kfi = (0.02 = 41.6

X /LS
+ 0.1 kfi)(O.1 pF) log,

10-6)(2.08) T.
= =
ti
12
5.05 ms
+ 0.0416 ms == 196 Hz
con
5.092 ms 1 1 fose = - = T 5.092 ms

1
Empleando la ecuacin (21.7) se obtiene
f==------1
X 10-3
RIC log, [11(1 - 11)]
log, 2.5
= 218 Hz (e) Vea la figura 21.48.
f+----------V=12V
51: = 5RC
---------'1
-----------------------------~~~~~~~::~~~----
---
___~-~~~~~:
5.05 ms 5.0916 ms
-416",
Figura 21.48 El voltaje ve para el oscilador

de relajacin de la figura 21.46.
(f) Durante la fase de carga, (ecuacin 21.9)
0.1 kfi(12 V) 0.1 kfi + 5 kfi
0.235 V
Cuando ve = Vp (Ecuacin 21.12)
0.1 kfi(8 V - 0.7 V) 0.1 kfi

=
+ 0.1 kO
3.65 V
La grfica de
vRz
aparece en la figura 21.49.
858
3.65 V 2V~"",""---...f
o
41.6 us
Figura 21.49 El voltaje
VR2
para el oscilador de relajacin de figura 21.46.
21.14 FOTOTRANSISTORES
El comportamiento fundamental de los dispositivos fotoelctricos se present antes con la descripcin del fotodiodo. Este anlisis se ampliar ahora para incluir el fototransistor, que tiene una unin p-n de colector de base fotosensible. La corriente inducida por efectos fotoelctricos es la corriente de base del transistor. Si asignamos III notacin lA para la corriente de base fotoinducida, la corriente de colector resultante, en una base aproximada, es " (21.18) En la figura 21.50 se presenta un conjunto representativo de caractersticas para un fototransistor con la representacin simblica del dispositivo. Ntense las similitudes entre estas curvas y las de un transistor bipolar tpico. Como es de esperarse, un incremento en la intensidad luminosa corresponde a un aumento en la corriente de colector. Para obtener un mayor grado de familiaridad con la unidad de medida de intensidad luminosa, miliwatts por centmetro cuadrado, en la figura 21.51a aparece una curva de la corriente de base contra la densidad de flujo. Obsrvese el aumento exponencial en la corriente de base con la creciente densidad de flujo. En la misma figura se presenta un dibujo del fototransistor con la identificacin de terminales y el alineamiento angular.
20.0
Tem. de la fuente = 2870 K
16.0
l
13
"~
" ~ o "O " o

!l
12.0
8.0
"E
e e
= 5.0 mW/cm2 = 3.0 mWfcm2
o
o
H=4.0mWfcm2
4.0
Voltaje de alimentacin
(volts)
(a)
(b)
Figura 21.50 Fototransistor: (a) caractersticas de colector (MRD300); (b) smbolo. (Cortesa de Motorola, Inc.)
21.14 Fototransistores
859
75
8
(mW/cm2)
10
H, densidad de flujo de radiacin
(a)
(d)
tb)
Figura 21.51 Fototransistor: (a) corriente de base contra densidad ae flujo; (b) dispositivo; terminales; (d) alineamiento angular. (Cortesa de Motorola, Ine.)
(e) identificacin
de
Algunas de las reas de aplicacin del fototransistor incluyen las lectoras de tarjetas perforadas, los circuitos lgicos de computadora, control luminoso (en carreteras, etc.), indicacin de nivel, relevadores y sistemas de conteo. En la figura 21.52 se muestra una compuerta AND de alto aislamiento que emplea tres fototransistores y tres LED (diodo s emisores de luz). Los LEO son dispositivos semiconductores que emiten luz a una intensidad determinada por la corriente directa a travs del dispositivo. Con la ayuda del anlisis que se realiz en el captulo 1, el comportamiento del circuito debe ser relativamente fcil de entender. La terminologa relativa a "alto aislamiento" se refiere simplemente a la falta de una conexin elctrica entre los circuitos de entrada y salida.
Vcc
+----'>C=AB
Figura 21.52 Fototransistores
diodos emisores de luz (LED) que emplea una compuerta AND de alto aislamiento.
860
21.15 OPTOAISLADORES
El optoaislador es un dispositivo que incorpora muchas de las caractersticas descritas en la seccin anterior. Se compone simplemente de un paquete que contiene un LEO infrarrojo y un fotodetector tal como un diodo de silicio, un par de transistores Darlington o un SCR. La respuesta de longitud de onda de cada dispositivo se ajusta para que sea lo ms idntica posible y permitir el mejor acoplamiento posible. En la figura 21.53 se presentan dos posibles configuraciones de integrado, con una fotografa de cada una. Hay una capa aislante transparente entre cada conjunto de elementos incrustada en la estructura (no visible) para permitir el paso de la luz. Se disean con tiempos de respuesta tan pequeos que pueden emplearse para transmitir datos en el intervalo de megahertz.
ISO-LIT
(Vista superior)
1
(Vista superior) Tenn. nm. I 2 Funcin nodo ctodo nc e1tl1sor colector base
ISO-LITQl
16
Term. nm, Funcin nodo ctodo ctodo nodo nodo ctodo ctodo nodo emisor colector colector emisor emisor colector colector
2 3 4 5 6 7
1 2 3 4
2 3
3 4 5
6 LEO sobre la terminal 2 PT sobre la terminal 5
S
6
7
8
9
10 11 l:.! 13 14 15 16
emisor
Figura 21.53 Dos optoaisladores
Litronix. (Cortesa de Litronix, Inc.)
Los valores nominales mximos y caractersticas elctricas del modelo IL-I se presentan en la figura 21.54. Ntese que lCEO se mide en nanoamperes y que la disipacin de potencia del LEO y el transistor son aproximadamente iguales. Las curvas caractersticas optoelectronicas para cada canal se presentan en las figuras 21.55 a 21.59. Obsrvese el muy pronunciado efecto de la temperatura sobre la corriente de salida a bajas temperaturas, pero la respuesta regular en o por encima de la temperatura ambiente (25C). Como se seal antes, el nivel de lCEO se est mejorando continuamente con el perfeccionamiento de las tcnicas de diseo y construccin (cuanto ms bajo el valor, tanto mejor). En la figura 21.55 no alcanzamos I!lA hasta que la temperatura aumenta por encima de 75C. Las caractersticas de transferencia de la figura 21.56 comparan la corriente de entrada del LEO (la cual establece el flujo luminoso) con
21.15 Optoaisladores
861
(a) Valores mximos

LED (en cada canal) IL-l de arseniuro de gallo Disipacin de potencia @25C Degradar linealmente desde 25C Corriente avante continua Fototransistor (cada canal) de silicio detector IL-I Disipacin de potencia @ 25C Degradar linea1rnente desde 25C Voltaje de falla de colector-emisor Voltaje de falla de ernisor--colector Voltage de falla colector - base Paquete IL-I Disipacin total de paquete en ambiente de 25C (detector LED plus) Degradar linealmente desde 25C Temperatura de almacenamiento Temperatura de operacin 200mW 2.6 mW/oC l50mA 200mW 2.6mW/oC 30V 7V 70V 250mW 3.3 mW/oC -55Ca+150C -55C a + 100C
Caractersticas elctricas por canal (a 25C ambiente)

Parmetro Arseniuro de gallo LED Voltaje directo Corriente inversa Capacitancia Detector fototransistor BVeEo lCEO Capacitancia BVEeo Caractersticas acopladas Proporcin de transferencia de corriente cd Capacitancia, entrada a salida Voltaje de falla Resistencia entrada a salida Vsat Demora de propagacin
ID conectada ID desconectada
Mn.
Tip.
Mx.
Unidades
Condiciones
de prueba
1.3 0.1 100 30 5.0
1.5 10
V I1A pF V
IF= 60 rnA VR=3.0V VR=OV le= mA VCE= IOV, 'F= OA VeE=OV IE=rnA
50
nA pF V
colector-emisor 7
2.0
0.2 2500
0.35 0.5 100 0.5 6.0 25 pF V
IF= lOmA, VCE = 10V DC le= 1.6 mA, IF= 16 mA
Gn
V I1s I1S
RL = 2.4 kn, VCE=5V IF=16mA
Figura
21.54 Litronix IL-I opto-aislador. 10

./
lO-s
~
s e
~
10-6 10-7 10-8 10-9
/
,/
1/
/ / ./
V V V
<g
'O
o
1--
...'"
!-IF = 20 mA
J
~
6
4 2
'F = 15 jA IF=lOmA
S 10-10 -8
10-11
V 1/ l/
-25 O 25 50 75 100 Temperatura del encapsulado (0C)
.~ 10-12
U
5 ./1/
"
'O
B
e
" 'E o
U
I
1
I
25 30
Ir =5 mA OO 5 lO 15 20
-50
OO lO 20 30 40 50 60 Corriente de entrada del LED (mA)(1 p)
Voltaje de colector, V CE (y) Figura 21.55 Corriente de oscuridad (1eEO) contra temperatura. Figura 21.56 Caractersticas de transferencia. Figura 21.57 Caractersticas detector. de salida del
862
Captulo
21 pnpn y otros
dispositivos
16
1,2
.>
g 14 ~V~E={OV
.g
L
:~ 10 ~ ~
o
r\....... ~
RL
I
= 1 kil ~
11
-e
.,
1.0 0.8
8 6 4 2
~
-8
RL
I
~ ~
-,
2 4 6
Corriente
s 0.6
e "
".-
= 100 n
I
'8 o u 0.4
00
10
12
O -50 -25
/
O 25 50 75 100
Temperatura de encapsulado
del colector. le (mA)
Figura 21.58 Tiempo de conmutacin corriente de colector.
contra
Figura 21.59 Salida relativa contra temperatura.
la corriente de colector resultante del transistor de salida (cuya corriente de base est determinada por el flujo incidente). En realidad, la figura 21.57 demuestra que el voltaje VCE afecta muy ligeramente la corriente de colector resultante. Es interesante notar en la figura 21.58 que el tiempo de conmutacin de un optoaislador decrece con un incremento de corriente, mientras que para muchos dispositivos es exactamente lo contrario. Considere que es slo 2.ts para una corriente colector de 6 mA y una carga RL de 100 n. La salida relativa contra la temperatura aparece en la figura 21.59 La representacin esquemtica para un acoplador transistorizado aparece en la figura 21.53. Las representaciones esquemticas para optoaisladores del tipo de un fotodiodo, un dispositivo fotoelectrnico Darlington y un foto-SCR se presentan en la figura 21.60.
(a)
(b)
(e)
Figura 21.60 Optoaisladores:
(a) fotodiodo;
(b) foto-Darlington;
(e) foto-SCR.
21.16 TRANSISTOR MONOUNION PROGRAMABLE

Anodo
Aunque hay una semejanza en el nombre, la construccin real y el modo de operacin de un transistor mono unin programable (PUT: programable unijunction transistor) es bastante diferente a la de un transistor monounin. El hecho de que las caractersticas I-V y las aplicaciones de cada uno sean similares sugiere la eleccin de los nombres. Como se indica en la figura 21.61, es un dispositivo pnpn de cuatro capas con una compuerta conectada directamente a la capa tipo emparedada. El smbolo del dispositivo y el arreglo de polarizacin bsico aparecen en la figura 21.62. Como el smbolo sugiere, es en esencia un SCR con un mecanismo de control que permite una duplicacin de las caractersticas del SCR tpico. El trmino "programable" se aplica porque RBB' 11 Y Vp' de acuerdo a como se definen para el UJT, pueden controlarse a travs de los resistores RB/> RB2 Y el voltaje de alimentacin VBB. Obsrvese en la figura 21.62 que, mediante la aplicacin de la regla del divisor de voltaje, cuando IG = O:
21.16
1<
Ctodo
Figura 21.61 UJT programable (PUT).
Transistor
monounin programable
863
lA
+
RB2 G VBB
+
VAK
~ +
VG
RB
Figura 21.62 Arreglo de polarizacin bsico para el PUT.
(21.19)
donde como se defimo para el UJT. Las caractersticas del dispositivo aparecen en la figura 21.63. Como se observa en el diagrama, el esado de corte (1 baja, V entre O y Vp) y el estado de conduccin (I ~ Iv, V ~ Vv) estn separados por una regin inestable como ocurre en el UJT. Esto es, el dispositivo no puede estar en el estado inestable: simplemente se despalzar a cualquiera de los estados estables: "conduccin" o "corte".
Estado de corte
VF---1+-------~--------~'
vv~~~--------~--~
__
Estndo de conduccin
Figura 21.63 Caractersticas del PUTo
El potencial de disparo (Vp) o voltaje necesario para "disparar" el dispositivo, est dado por (21.20) como se define para el UJT. Sin embargo, Vp representa la cada de voltaje VAK en la figura 21.61 (la cada de voltaje en sentido directo en el diodo conductor). Para el silicio VD es tpicamente de 0.7 V. Por lo tanto, VAK
= v, =
VAG
+ VGK VD + VG
silicio
(21.21)
864
Sin embargo, sealamos antes que V G =11 VBB con el resultado de que Vp=Va+0.7V
silicio
(21.22)
Recurdese que para el UJT tanto RB! como RB2. representan la resistencia volumtrica y los contactos hmicos de la base del dispositivo, ambos inaccesibles. En el desarrollo anterior, notamos que RB! y RB2 son externas al dispositivo, permitiendo el ajuste de 11y, en consecuencia, del VG anterior. En otras palabras, es una medida de control (PUT) sobre el nivel de Vp requerido para poner en conduccin al dispositivo. Aunque las caractersticas del PUT y del UJT son similares, las corrientes de pico y de valle del PUT son, por lo general, ms bajas que las de un UIT con especificacin similar. Adems, el voltaje de operacin mnimo es tambin menor en un PUT. Si consideramos un equivalente de Thvenin de la red a la derecha de la terminal de compuerta en la figura 21.62, resultar la red de la figura 21.64. La resistencia resultante R, es importante porque se incluye con frecuencia en las hojas de especificaciones, puesto que afecta el nivel de Iv.
Equivalente
de Thvenin
Figura 21.64 Equivalente de Thvenin para la red de la derecha de la terminal de la compuerta en la figura 21.62.
La operacin bsica del dispositivo puede revisarse con referencia en la figura 21.63. Un dispositivo en el estado de corte no cambiar de estado hasta que se alcance el voltaje Vp definido de acuerdo con V G Y VD' El nivel de corriente hasta que Ip se alcanza es muy bajo, dando por resultado un equivalente en circuito abierto, puesto que R = V (alta)//(baja) producir un elevado nivel de resistencia. Cuando se alcance Vp' el dispositivo cambiar hacia el estado de conduccin pasando por la regin inestable, donde el voltaje es menor pero la corriente mayor-,lo que origina una resistencia terminal R = V(bajo)// (alta), que es bastante pequea, representando un equivalente en corto circuito en una base aproximada. En consecuencia, el dispositivo ha conmutado desde un estado esencialmente en circuito abierto a uno en corto circuito en un punto determinado por la eleccin de RB!' RB2 Y VBB. Una vez que el dispositivo est en el estado de "conduccin", la eliminacin de VG no cortar al dispositivo. El nivel de voltaje VAK debe disminuirse lo suficiente para reducir la corriente por debajo del nivel de sostenimiento. Determine RB! Y VBB en un PUT de silicio si se especifica que
=5kO.. Solucin:
1]
= 0.8, Vp = 10.3 V YRB,
EJEMPLO 21.2
De la ecuacin (21.19), T7
RB,
RB, RB,
+ RB2 = 0.8(RB, + RB)
= 0.8
0.2 RB, = 0.8 RB, RB, = 4 RB2 RB , = 4(5 k) = 20 kO

21.16 Transistor monounin programable
865
~o
Ecuacin (21.20)
Vp
'TlVBB
+ VD + 0.7
V
10.3 V 9.6 V
= =
(0.8)(VBB) 0.8VBB
VBB = 12 V
Una aplicacin comn del PUT se encuentra en el oscilador de relajacin de la figura 21.65. En el instante en que se conecte la alimentacin, el capacitor empezar a cargarse hacia VBB volts, puesto que no hay corriente de nodo en este punto. La curva de carga aparece en la figura 21.66. El periodo Trequerido para alcanzar el potencial de disparo Vp est determinado aproximadamente por T=RCloge VBB VBB- Vp (21.23)
R RB2
lA
(21.24)
5t
C
VBBr-~~~~~~~--~---RB Vp ..;L--:::;o"-
Figura 21.65 Oscilador de relajacin con PUT.
5 "t------+I "t=RC
Figura 21.66 Onda de carga para el capacitor C de la figura 21.65
En el instante en que el voltaje en el capacitor es igual a Vp' se dispara el dispositivo y se establecer una corriente lA = Ip a travs del PUTo Si R es demasiado grande, la corriente Ip no puede establecerse y el dispositivo no se dispara. En el punto de transicin.
(21.25)
El subndice se incluye para indicar que cualquier R mayor que Rmx producir una corriente menor que Ip. El nivel de R debe tambin ser capaz de asegurar que es menor que Iv si han de ocurrir las oscilaciones. En otras palabras, deseamos que el dispositivo entre en la regin inestable y que despus retorne al estado de corte. En base a un razonamiento 'similar al anterior: (21.26) El anlisis anterior requiere que R se limite a la siguiente condicin en un sistema oscilatorio:
866
Las formas de onda de vA' VG Y VK aparecen en la figura 21.67. Ntese que T determina el mximo voltaje vA al que se puede cargar. Despus de que el dispositivo se dispara, el capacitor se descargar rpidamente a travs del PUT y RK' producindose la cada que se muestra. Desde luego, vK llegar al valor pico al mismo tiempo, debido a la breve pero alta corriente. El voltaje vG descender rpidamente desde vG hasta un nivel un poco mayor que O volts. Cuando el voltaje del capacitor disminuye a un nivel bajo, el PUT se cortar de nuevo y se repetir el ciclo de carga. El efecto sobre VG Y VK se muestra en la figura 21.67.
uG
vG =
11
VBB
V
O
1/'
V
t
Figura 21.67 Formas de onda para el oscilador con PUT de la figura 21.65.
Si VBB = 12 V, R = 20 kn, e = 1 ..P,RK = 100 n, RB = 10 ill, RB2 = 5 ill, Ip = 100 J..LA, Vv= 1 V, Y Iv= 5.5 mA, determine:
(a) Vp' (b) Rmx y RrrD" (e) T y la frecuencia de oscilacin. (d) Las formas de onda de vA, v G y Solucin: (a) De la ecuacin (21.20): Vp = rVBB
EJEMPLO
21.3
VK'
VD
-----"-'---V BB + 0.7 V RB, + RB2 10 kn 10 kn + 5 kn (12 V) + 0.7 V
RB,
(0.67)(12
=
V)
+ 0.7
-
= 8.7 V
(b) En la base a la ecuacin (21.25):Rmax
VBB
Vp
Ip _1_2_V_-_B_.7_V_ = 33 kO 100 .LA

21.16 Transistor monounin programable
867
A partir de la ecuacin (21.26)
Rmin
VBB - Vv = --==------'-
Iv
12 V - 1 V = 2 kO 5.5 mA
R: 2 k!l (e) Ecuacin (21.27): T = RCloge VBB
< 20 k!l < 33 kO
VBB
Vp
=
= =
12 V (20 k!l){l pF) log, 12 V - 8.7 V

X
= 20
10-3 log, (3.64)
20 x 1O-3{l.29; 25.8 ms 1 1 25.8 ms T
f=- =
= 38.8
I{z
(d) como se indica en la figura 21.68.

'\)A
8.7 V f----=..-----=_----::::;..,
--l
VK
25.8 ms
l= 7.7
V
= VA -
Vv
8.7 V - 1 V
~
O
\.
t
r.
bsica del rectificador y valores nominales del SCR
Figura 21.68 Formas de onda para el oscilador del ejemplo 21.3.
PROBLEMAS
1.
21.3 Operacin
2. 3.
Describa con sus propias palabras el comportamiento bsico del SCR utilizando el circuito equivalente de dos transistores. Describa dos tcnicas para cortar un SCR. Consulte un manual de fabricante o una hoja de especificaciones para obtener una red de apagado. Si es posible, describa la accin de apagado del diseo.
21.4 Caractersticas
* 4.
(a) (b) (c
A elevados niveles de la corriente de compuerta, las caractersticas de un SCR se acercan a las de cul dispositivo de dos terminales? A un voltaje fijo de nodo a ctodo menor que V(BRiF*' cul es el efecto en el disparo del SCR cuando la corriente de compuerta se reduce desde su valor mximo hasta el nivel cero? A una corriente de compuerta fija mayor que le = 0, cul es el efecto sobre el disparo del
868
(e) (d)
5. (a)
(b) (e) (d)
A una corriente de compuerta fija mayor que IG = O, Cul es el efecto sobre el disparo del SCR cuando el voltaje de compuerta se reduce desde V(BR)F*? En niveles crecientes de IG' cul es el efecto de la corriente de sostenimiento? En la figura 21.8, una corriente de compuerta de 50 roA disparar el dispositivo a la temperatura ambiente (25C)? Repita el inciso (a) para una corriente de compuerta de 10 roA. Un voltaje de compuerta de 2.6 V, disparar el dispositivo a temperatura ambiente? Son VG = 6 V e IG = 800 roA buenas elecciones para las condiciones de disparo? Seran preferibles V G = 4 V e IG = 1.6 A? Explique.
21.6 Aplicaciones del SCR 6. 7. .. 8. En la figura 21.1 lb, por qu hay muy poca prdida de potencial en el SCR durante la conduccin? Explique ampliamente por qu los valores reducidos de R en la figura 21.12 producirn un ngulo creciente de conduccin . Con referencia en la red de carga de la figura 21.13: (a) Determine el nivel cd de la seal rectificada de onda completa si se empleara un transformador 1: 1. (b) (e) (d) (e) Si la batera en su estado descargado se fija en 11 V, cul es la cada de voltaje de nodo a ctodo a travs del SCR? Cul es el mximo valor posible de VR (VGK 0.7V)? Al valor mximo del inciso (e), cul es el potencial de compuerta del SCR2? Una vez que SCR2 ha entrado en el estado de corto circuito, cul es el nivel de V2?
21.7 Interruptor 9.
Describa con detalle, con sus propias palabras, el comportamiento de las redes de la figura 21.17. 21.8 Interruptor controlado por compuerta
10. (a) (b) (c)
En la figura 21.23, si Vz = 50 V, determine el mximo valor posible al cual se puede cargar el capacitor el (VGK= 0.7 V). Determine el tiempo de descarga aproximado (5,) para R3 = 20 kil. Determine la resistencia interna del GTO si el tiempo de incremento es la mitad del periodo de decaimiento determinado en el inciso (b).
21.9 SCR activado por luz 11. (a) (b) Utilizando la figura 21.25b, determine la irradiacin mnima que se requiere para disparar el dispositivo a temperatura ambiente (25C). Qu reduccin porcentual en la irradiacin es permisible si la temperatura de. la unin se incrementa de OC (32F) a lOOOC (212F)?
21.10 Diodo Shockley 12. En la red de la figura 21.29, si V(BR) = 6 V, V = 40 V, R = 10 k.Q, e = 0.2.LF Y VGK (potencial de disparo) = 3 V, determine el periodo entre la energizacin de la red y el encendido del SCR. 21.11 DIAC 13. Empleando cualquier referencia que necesite, encuentre una aplicacin del diac y explique el comportamiento de la red. 14. Si
VBR,
es 6.4 V, determine el intervalo de
VBR1
usando la ecuacin (21.1).
21.12 Triac 15. Repita el problema 13 para el triac. 21.13 Transistor monouni6n 16. En la red de la figura 21.41, en la cual V = 40 V, determine el intervalo de R para la red de disparo.
1)
= 0.6 Vv = 1 V, Iv = 8 mA e Ip = 10 .LA,
Problemas
869
17.
Para un transistor monounin con VBB determine lo siguiente:

(a) (b) (c) (d) RBr RBB. VRB Vp'
1
20 V, 11 = 0.65, RB
1
2 kf.! (lE
O) Y VD
0.7 Y,
18.
Dado el oscilador de relajacin de la figura 21.69: (a) Encuentre RBI y RB2 a lE = OA. (b) Determine Vp' el voltaje necesario para disparar el UJT: (e) Determine si R est dentro del intervalo permisible de valores definido por la ecuacin (21.8). (d) Determine la frecuencia de oscilacin si RB J = 200 f.! durante la fase de descarga. (e) Dibuje la forma de onda de ve para dos ciclos completos. (f) Dibuje la forma de onda de VR2 para dos ciclos completos. (g) Determine la frecuencia usando la ecuacin (21.17) y compare el valor determinado en el inciso (d). Explique cualquier diferencia importante.
r---------~~20Y
R
68 kf.!
RBB = 10 kf.!, 11 = 0.55 Vy=1.2Y,ly= 5mA,lp=50~A (RB = 200 f.!durante la fase de descarga)
+ +
Figura 21.69 Problema 18. 21.14 Fototransistores 19. Para un fototransistor que tiene las caractersticas de la figura 21.51, determine la corriente de base fotoinducida para una densidad de flujo radiante de 5 mw/cm-. Si hIt = 40, encuentre le.
20. Disee una compuerta OR de alto aislamiento empleando fototransistores y algunos LED. 2.5 Optoaisladores
(a) Determine un factor de degradacin promedio a partir de la curva de la figura 21.59 para la regin definida por temperaturas menores que 25C. (b) Es correcto afirmar que para una temperatura mayor que la ambiente (hasta 100C), la corriente de salida no es muy afectada por la temperatura? 22. (a) Determine, la figura 21.55, el cambio promedio de ICEO por grado de cambio en la temperatura para un intervalo de 25 a 50C. (b) Los resultados del inciso (a) pueden emplearse para determinar el nivel de ICEO a 35C? Pruebe su teora. 23. De la figura 21.56, determine el cociente entre la corriente de entrada del LED y la corriente de salida del detector para una corriente de salida de 20 mA.Considerara usted que el dispositivo es relativamente eficiente en su funcin? * 24. (a) Dibuje una curva de potencia mxima de PD = 200 mW sobre la grfica de la figura 21.57. Seale cualquier conclusin sobresaliente. (b) Determine Pcd (definida por I dI F) para el sistema a V CE = 15 Y, IF = lOmA. (e) Compare los resultados del inciso (b) con los obtenidos de la figura 21.56 a IF = 10 mA. Son comparables? Deben serio? Por qu? * 25. (a) Considerando la figura 21.58, determine la corriente de colector arriba de la cual el tiempo de conmutacin no cambia apreciablemente para RL = I kf.! Y RL = 100 f.!. (b) A lc
21.
= 6 mA, cmo
se comparan la relacin de los tiempos de conmutacin para RL = I kf.! Y
RL = 100 f.! con la relacin de los niveles de resistencia?
870
21.16 Transistor monouoin programable 26. Determine n y VG para un PUT con VBB = 20 V Y RBI = 3 RB2. 27. Usando los datos proporcionados en el ejemplo 2l.3, determine la impedancia del PUT en los puntos de disparo y valle. Se comprueban los estados aproximados en circuito abierto y en corto? 28. Puede deducirse la ecuacin (2l.24) exactamente a partir de como se presente la ecuacin (2l.23)? Si no, qu elemento hace falta en la ecuacin (2l.24)? * 29.(a) Oscilar la red del ejemplo 2l.3 si V,. se cambia a 10 V? Qu valor mnimo de VBB se requiere (Vves constante)? (b) Con referencia al mismo ejemplo, qu valor de R pondra la red en el estado de conduccin estable y suprimira la respuesta oscilatoria del sistema? (e) Qu valor de R hara que la red fuera una red de retardo de tiempo de 2 ms? Esto es, que proporcione un pulso Vk 2 ms despus de que se encienda la alimentacin y que despus permanezca en ese estado.
-Nota: los asteriscos sealan los problemas de mayor dificultad.
Problemas
871

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(' A P ) T II

pnpn y otros dispositivos

DISPOSITIVOS pnpn 21.2 RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO

OPERACION BASICA DEL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO

Figura 21.1 (al Smbolo del SCR; (b) construccin bsica.

Figura 21.2 Circuito equivalente de SCR con dos transistores.

Alta impedancia (aproximacin de circuito abierto)

Figura 21.3 Estado "de corte" del SCR.

Baja impedancia (aproximacin de corto circuito)

Figura 21.4 Estado "de conduccin" del SCR.

Figura 21.5 Interrupcin de la corriente de nodo.

Corte: : Corte Conduccin

Figura 21.6 Tcnica de conmutacin

21.4 CARACTERISTICAS y VALORES NOMINALES DELSCR

y valores nominales del SCR

Voltaje de ruptUra mverso

Vo1llje RegiDde bIoq_ directo de~

21.7 Caractersticas del SeR

Captulo 21 pnpn y otros dispositivos

VoJt.,je mn. de COI!IpIrfUI requerido pIR ditpInr 1MlIIIia.des

= 2 A, VGFM = 10 V 1.6 2.0 Io (A)

Voltaje mx. de ~qaeDO dilparu6 DiIlJUD& unidad a 150C = O.lSV

OL---------~----------~-50 100 lG(mA)

de compuerta del SCR (serie C38 de GE).

21.5 CONSTRUCCION DEL SCR E IDENTIFICACION DE TERMINALES

RECIIHCADOR CONTROLADOR Dl: SILICIO DE AL rA CORRIENTE

de SCR libre de fatiga trmica. (Cortesa

Ctodo Anodo Compuerta

[(a) Cortesa de General

21.6 APLICACIONES DEL SCR

Captulo 21 pnpn y otros dispositivos

DI Interruptor mecnico elctrico o electromecnico G

(a) Figura 21.11 Interruptor esttico serie de media onda.

Figura 21.12 Control de fase de resistencia variable de media onda.

21.6 Aplicaciones del SeR

Figura 21.13 Regulador del cargador de batera.

Captulo 21 pnpn y otros dispositivos

Carga de calentador de 100 W

Seleccionada para obtener la relacin de carga deseada (valor y wattaje) SCRI

6.3 V 100 IlF lOV 6.3 V TI 6-V Lmpara lill

21.7 INTERRUPTOR CONTROLADO PE SILICIO

Captulo 21 pnpn y otros dispositivos

IOkQ Figura 21.18 Circuito de alanna con SCS.

Una aplicacin adicional del ses se presenta en el circuito de alarma de la figura

21.8 INTERRUPTOR CONTROLADO POR COMPUERTA

Captulo 21 pnpn y otros dispositivos

Anodo Compuerta Clodo

Alimentacin de 200 volts

Figura 21.23 Generador

diente de sierra con GTO.

21.9 SCR ACTIVADO POR LUZ

~;f=::+t+==:!;;;9\__ Terminal del ctodo

Sello principa! soldado

Compuerta Ctodo Ctodo

Todas las unidades se disparan en esta rea

Ninguna unidad se dispara en esta rea

Captulo 21 pnpn y otros dspostvos

21.9 SeR activado por luz

21.10 DIODO SHOCKLEY

21.28 Diodo Shockley: (a) construccin

bsica y smbolo; (b) caractersticas.

Captulo 21 pnpn y otros dispositivos

G 115 V 60 Hz (SCR) GE CI06B IMO GE 2N6027 (PUT)

Todos los resistores de 1/4 de wau