Electrónica Aplicada II - Tulic

VII Amplificadores Realimentados CAPITULO VII - Amplificadores Realimentados:
VII.1. - INTRODUCCIN: En la mayora de los circuitos amplificadores estudiados hasta el presente la seal solo puede transitar desde la malla de entrada o de excitacin hacia la malla de salida o de carga, siguiendo un nico camino a travs del componente activo que se utilice, es decir que no hay otra vinculacin entre estas dos mallas dinmicas, que no sea la que establecen los propios transistores. Esto ocurre en la casi totalidad de los circuitos estudiados, tanto monoetapa como aquellos de mas de un transistor, con excepcin de los circuitos amplificadores seguidores (de emisor o de fuente) y aquellos amplificadores que hemos definido como Re sin puentear. Salvo en esas excepciones la particularidad de los circuitos amplificadores estudiados hasta ahora es que la seal viaja solamente desde la entrada hacia la salida no existiendo la posibilidad de un retorno para que parte de la seal de salida vuelva sobre el circuito de entrada a fin de incorporar un mecanismo que en los circuitos amplificadores se denomina REALIMENTACIN. Quiere decir entonces que todos los circuitos amplificadores estudiados hasta ahora, con las excepciones hechas, son Amplificadores No Realimentados, mientras que como veremos prximamente, los circuitos seguidores o con Re sin puentear son circuitos amplificadores realimentados, en los cuales la topologa es tan sencilla que se pueden estudiar, tal como se ha hecho, mediante la teora tradicional. Pero en la prctica, adems de los circuitos amplificadores hasta ahora estudiados, existe otra categora de amplificadores en donde se introduce algn o algunos componentes con el objetivo de que la malla de salida y la malla de entrada queden vinculadas para la seal, de modo de establecer otro camino para sta, adems del que establecen los componentes activos, para que una parte de la seal de salida se reinyecte a la entrada producindose el efecto de la Realimentacin. A esta nueva categora de circuitos se los denomina Amplificadores Realimentados y en tanto sus topologas resultan a veces ms complicadas que la de los amplificadores estudiados hasta el presente, para su estudio desarrollaremos una nueva metodologa, de modo de poder analizar sus caractersticas dinmicas de una manera relativamente sencilla. VII.1.1.- La Realimentacin Negativa: Hemos dicho hasta aqu, que en los amplificadores realimentados, parte de la seal de salida se reinyecta sobre el circuito de entrada. De acuerdo a cmo se produzca dicha reinyeccin, la seal realimentada se puede sumar a la de excitacin exterior, dando lugar as a la Realimentacin Positiva o Regenerativa, o bien se puede restar a la seal de excitacin exterior, en cuyo caso estaremos frente a la Realimentacin Negativa o Degenerativa. En los circuitos amplificadores lineales la realimentacin negativa es utilizada dado que la misma introduce una serie de cambios y mejoras en las caractersticas dinmicas del amplificador bsico, cambios y mejoras que resultan muy interesantes para alguna aplicacin en particular. En cambio en los circuitos amplificadores lineales de respuesta plana (igual ganancia para todas las frecuencias de inters) la realimentacin positiva no se utiliza o se trata de evitar. En los estudios que haremos a continuacin se continua limitando el rango de frecuencias de excitacin a aquel comprendido entre la C.C. y una frecuencia lo suficientemente baja (o baja/media) como para poder seguir despreciando los parmetros reactivos intrnsecos de los elementos activos utilizados, de modo que sus circuitos equivalentes dinmicos de bajo nivel continen siendo resistivos puros. Antes de entrar en el tema especfico haremos una breve revisin acerca de los conceptos bsicos del comportamiento dinmico de los circuitos amplificadores no realimentados y que en buena medida fueron estudiados en los Captulos precedentes.
(A.C.R.TULIC)
VII Amplificadores Realimentados

VII.1.2.- Clasificacin de los Circuitos Amplificadores no Realimentados: En lo que va del presente trabajo hemos visto varias formas de clasificar a los circuitos amplificadores. Ahora nuestra intensin es clasificarlos desde el punto de vista de su comportamiento dinmico en bajo nivel, poniendo especial atencin en los niveles de resistencias de entrada y salida de los mismos as como en la transferencia que el sistema amplificador es capaz de mantener para el mayor nmero de aplicaciones. De acuerdo con los estudios ya realizados, cualquier tipo de circuito amplificador, sea de una o ms etapas, con transistores bipolares o unipolares, con acoplamiento de seal o acoplamiento de C.C., etc., puede ser representado por un modelo equivalente que tenga en cuenta sus parmetros dinmicos: Resistencia de Entrada del Amplificador (RiA ) que en adelante simplemente denominaremos Ri , Resistencia de Salida del Amplificador (RoA) que desde aqu llamaremos Ro y la Transferencia Directa de Seales Sin Considerar la Carga en alguna de sus cuatro dimensiones, a saber Av - Rm - Ai - Gm medidas las dos primeras con la salida a circuito abierto y las dos ltimas con la salida en corto circuito para las seales. Por ejemplo, tal como se viera en el apartado II.3. para un circuito amplificador emisor comn se obtuvo: Ri = hie // RBT - Ro = ro y con - hfe Rd ' = ro // RC // RL = ro // Rd ; AV = -------- . Rd ' por lo que hie Av = -gm . ro
Con dichas definiciones, cualquier circuito amplificador, con su respectiva fuente de excitacin y con su respectiva carga dinmica, por mas complicado que sea, puede ser representado por un circuito equivalente en base al parmetro transferencia Ganancia de Tensin, tal como se representa en la figura VII.1. En l, por definicin: Av = AV (con la salida a circuito abierto:
Rd = oo)
Si en base a este esquema el circuito amplificador bajo estudio es capaz de mantener una transferencia de tensiones del sistema AVs en un valor constante para el mayor nmero de aplicaciones (diferentes Rs y diferentes Rd), diremos que estamos en presencia de un AMPLIFICADOR DE TENSIN. En el esquema de la figura VII.1., para que ello sea posible debe cumplirse que: a) la tensin a la salida debe ser: b) mientras que en la entrada: Vo = Av . Vi Vi = Vs para lo cual debe cumplirse que a cuyo efecto la resistencia de entrada Ro << Rd Ri >> Rs
por lo que concluimos que un Amplificador Ideal de Tensin debe poseer Resistencia de Entrada Infinita y Resistencia de Salida Nula. Asimismo, para la representacin de cualquier circuito amplificador puede ser utilizado otro modelo equivalente, en este caso en base a la transferencia de conductancia o parmetro transconductancia, tal como lo llevamos a cabo en los estudios de los Captulos precedentes, en cuyo caso el diagrama circuital que incluye el excitador y la carga se reproduce en la figura VII.2. En dicho circuito, el parmetro Gm por definicin resulta ser: 3

Io GM = -------Vs y simultneamente Ro >> Rd
Gm = GM (con la salida en corto circuito: Rd = 0)
con
Bajo tales condiciones si en dicho circuito se cumple que: Ri >> Rs se tendr un AMPLIFICADOR DE TRANSCONDUCTANCIA ya que: Io = Gm . Vs
con un valor constante independientemente de los valores de la resistencia de carga Rd y de la resistencia interna del excitador Rs. Por lo tanto un Amplificador Ideal de Transconductancia debe tener tanto su resistencia de entrada como su resistencia de salida de valor infinito. De manera anloga, para representar a cualquier circuito amplificador real puede emplearse otro modelo equivalente, en este caso en base a la transferencia directa de corrientes, tal como se indica en la figura VII.3. As, el circuito bajo estudio se comportar como un buen AMPLIFICADOR DE CORRIENTE siempre que la corriente por la carga no dependa ni de sta (Rd) ni de la resistencia interna de la fuente de excitacin (Rs). Puede comprobarse en el circuito que para que ello sea posible en el mismo debe cumplirse que: y simultneamente: Ri << Rs Ro >> Rd para que de esa forma de modo que Ii = Is y en consecuencia AIs = Ai
I o = Ai . I i = Ai . I s
circuito: Rd = 0)
con un valor constante independientemente de los valores que adopten Rd y Rs , ya que Ai = AI (con la salida en corto concluyndose que un Amplificador Ideal de Corriente es aquel que dispone de una Resistencia de Entrada Nula y una Resistencia de Salida de Valor Infinito. Por ltimo, se puede emplear para la representacin o el estudio de cualquier amplificador lineal un circuito equivalente tal como el que se representa en la figura VII.4., modelo que como se aprecia, utiliza al parmetro Transferencia de Resistencia o Transresistencia Rm. Dicho parmetro por definicin resulta ser: Rm = RM (con la salida a circuito abierto: Rd = oo)
En este caso, si se cumple que Ri << Rs y simultneamente Ro << Rd se tendr que en la carga: Vo = Rm . Is
con un valor independiente tanto de los valores de la resistencia de carga como de la resistencia interna de la fuente de excitacin, por lo que estaremos presente ante un AMPLIFICADOR DE TRANSRESISTENCIA. En consecuencia diremos que un Amplificador Ideal de Transresistencia es aquel que posea tanto Resistencia de Entrada como Resistencia de Salida Nulas. En resumen, este estudio nos permite clasificar a los circuitos amplificadores de la siguiente manera: 4

-AMPLIFICADOR DE TENSIN: -AMPLIFICADOR DE TRANSCONDUCTANCIA: -AMPLIFICADOR DE CORRIENTE: -AMPLIFICADOR DE TRANSRESISTENCIA: Ri >> Rs y Ro << Rd y Ro >> Rd
Ri >> Rs Ri << Rs Ri << Rs y y
Ro >> Rd Ro << Rd
Salvo para el caso de las dos configuraciones ya mencionadas, del anlisis de los resultados obtenidos en la resolucin de los distintos problemas encarados en los Captulos precedentes, ningn dispositivo con componentes activos transistores bipolares y sin realimentar esta claramente definido como alguno de los tipos recientemente clasificados. Es justamente a travs de la Realimentacin Negativa que estudiaremos en este Captulo que, entre otras cosas, al modificar los valores de Resistencias de Entrada y Salida, puede lograrse que un circuito amplificador cualquiera pueda parecerse ms a alguno de los cuatro tipos de amplificadores recin detallados. VII.2.- DIAGRAMA GENERALIZADO DE REALIMENTACIN: Un amplificador realimentado puede ser representado esquemticamente mediante la utilizacin de redes de dos terminales, de acuerdo con la figura VII.5. En dicha figura las variables X son representativas de las seales y ms tarde, cuando particularicemos tales dipolos en cuadripolos sern consideradas como corrientes I o como tensiones V segn convenga. En este esquema definimos como Transferencia del Amplificador Bsico Sin Realimentar ; A a la relacin entre las seales de salida y entrada de dicho circuito amplificador, de tal manera que: Xo = A . Xi (VII.1.)
Analogamente, para la Red de Realimentacin, definimos su Transferencia de modo tal que:: Xf = . Xo en tanto que en el sumador del esquema se tendr: Xi = Xs - Xf (VII.3.) (VII.2.)
y para el circuito Amplificador Realimentado, definimos su Transferencia, o Transferencia a Lazo Cerrado Af de tal manera que: (VII.4.) Xo = Af . Xs En la figura VII.5. el amplificador bsico puede estar integrado por uno o ms transistores o etapas mientras que la red de realimentacin es siempre una red pasiva y por lo general en los circuitos amplificadores de respuesta plana Resistiva Pura. Si en la ecuacin (VII.1.) reemplazamos Xi por el resultado indicado en la expresin (VII.3.) se tiene: Xo = A . ( Xs - Xf ) y teniendo en cuenta la ecuacin (VII.2.):
Xo = A . Xs - A . . Xo por lo que de acuerdo a (VII.4.):
operando:
Xo . ( 1 + A . ) = A . Xs (VII.5.)
Xo A A Af = -------- = -------------- = -------Xs 1 + A. D
en donde hemos incorporado la definicin de la Diferencia de Retorno: En la expresin (VII.5.) si resultara ( . A) > 0
D = 1 + A .
(VII.6.)
y por lo tanto D > 1 la Realimentacin es Negativa: Af < A
y si en cambio se obtuviera un producto ( .A) < 0 ello determina D < 1 y la Realimentacin es Positiva: Af > A. Se concluye entonces que el principio de esta metodologa de estudio se fundamenta en determinar la transferencia a lazo cerrado (Af ) a partir del previo conocimiento de la transferencia del amplificador bsico sin realimentar (A) y de la transferencia de la red de realimentacin ( ) y del clculo previo de la diferencia de retorno (D), con lo que puede afirmarse que tal procedimiento resulta sumamente sencillo. La mayor dificultad o mejor dicho el mayor volumen de trabajo de este mtodo reside en la necesidad de individualizar ambas partes o dipolos, a partir del circuito real, aunque como veremos, existen procedimientos bien definidos que nos permitirn simplificar tal tarea. Efectivamente, ya que las ecuaciones recin detalladas se fundamentan en una serie de hiptesis, la verificacin del cumplimiento de las mismas nos permitirn realizar una comprobacin de los procedimientos empleados as como de los resultados parciales que se van determinando. Las hiptesis a que se hace referencia se derivan del simple diagrama de la figura VII.5. y en su mayora tienen que ver con los sentidos de circulacin de las seales que en el mismo se hallan indicados: a) la transferencia del amplificador bsico sin realimentar (A) debe ser UNILATERAL ya que la seal de entrada al mismo (Xi) nicamente debe ser funcin de la seal de excitacin exterior (Xs) y de la seal realimentada (Xf) que transita nicamente a travs de la red de realimentacin .

b) la transferencia de la red de realimentacin ( ) tambin debe ser UNILATERAL ya que la seal de la salida que ella muestrea (Xo) nicamente debe depender de la seal de excitacin del amplificador bsico (Xi) a travs de la constante de proporcionalidad A, no debiendo ella transferir nada desde la entrada hacia la salida del sistema amplificador. En la prctica, el ms simple amplificador bsico es un transistor bipolar o unipolar y por lo general las redes de realimentacin son pasivas y casi siempre resistivas puras, de lo que se deduce que con total exactitud ninguna de las dos hiptesis previamente detalladas se cumplen. Recordemos por un lado que un modelo exacto del transistor bipolar por ejemplo, incluye en su parte de entrada un trmino (hre . vce ) que representa una diferencia de potencial en la entrada que depende de la tensin de salida (el cuadripolo transistor bipolar representado por el modelo exacto de parmetros hbridos es bilateral). Pero si en los estudios que preceden al presente Captulo la mayora de los circuitos amplificadores con transistor bipolar pudieron ser estudiados con la utilizacin de un modelo de parmetros hbridos aproximado (hre = 0), con la misma cuota de error para el anlisis de los amplificadores realimentados con transistor bipolar podremos seguir suponiendo que dicho componente activo es unilateral. En cuanto a las redes de realimentacin, cualquier red pasiva es naturalmente bilateral, solo que aquellas que se utilicen como redes de realimentacin tendrn aplicadas en la salida de un amplificador un nivel de seal mucho ms grande que aquel de la entrada del amplificador bsico, por lo que an considerada como red bilateral, la cantidad de seal que viaje por la red de realimentacin en el sentido inverso al establecido en el esquema de la figura VII.5. es totalmente despreciable y suponerlo nulo significa aceptar una cuota de error similar al que toleramos al unilateralizar al transistor bipolar. Otras hiptesis intrnsecamente establecidas en el diagrama de la figura VII.5. se derivan del hecho que en el mismo tanto los circuitos de exitacin exterior (que provee Xs) como el circuito de carga (en donde se recibe Xo) son entidades ideales, mientras que en la prctica la interpretacin ms simplificada de una fuente de excitacin es a travs del modelo equivalente de Thevenin o el de Northon (en ambos casos con su respectiva resistencia interna Rs) y la de un circuito de carga es la resistencia equivalente de entrada del dispositivo que recibe la seal Xo (resistencia de carga Rd ), por ello es que: c) Tanto la resistencia interna de la fuente de excitacin Rs como la resistencia de carga Rd deben ser consideradas e incluidas como parte del amplificador bsico, de modo que la transferencia del amplificador bsico sin realimentar A debe ser calculada teniendo en cuenta su dependencia respecto de la resistencia de carga y de la resistencia interna de la fuente de excitacin. Recordemos que para este tipo de transferencia hemos utilizado la notacin: AVs , AIs , GMs , RMs . Como consecuencia de ello, la transferencia de la red de realimentacin no debe depender ni de la carga Rd ni de la resistencia interna de la fuente de excitacin Rs. VII.3.- VENTAJAS Y DESVENTAJAS DE LA REALIMENTACION NEGATIVA: Como qued dicho precedentemente, la realimentacin que se introduce en los circuitos amplificadores es la realimentacin negativa, ya que la positiva no introduce ningn cambio ventajoso en los mismos. En cambio y a pesar de que su principal desventaja es la disminucin de la ganancia, la realimentacin negativa es una tcnica muy empleada en los circuitos amplificadores ya que la misma introduce una serie de cambios en el comportamiento dinmico del amplificador que ante una determinada aplicacin se constituyen en importantes ventajas. Ms an, en la actualidad, la electrnica de los amplificadores lineales, en donde el componente principal es el amplificador operacional, la mayor parte de las soluciones que se adoptan se fundamenta en la utilizacin de la realimentacin negativa. A continuacin haremos una revisin de los diferentes efectos que causa la realimentacin negativa y para tal fin estableceremos permanentes comparaciones entre determinada caracterstica de un amplificador realimentado negativamente y la misma caracterstica del amplificador sin realimentar. Para tal fin convendremos que tales comparaciones las llevaremos a cabo bajo la condicin de igual seal de salida (Xo = CONSTANTE). As, dado que al realimentar: A con Af = -------Xo = Af . Xs 7

D para que Xo = A . Xi permanezca constante, debe cumplirse que al realimentar: Xs = D . Xi (VII.7.)
VII.3.1.- Desensibilizacin de las Transferencias: En un amplificador no realimentado la ganancia de dicho circuito, al ser funcin de los parmetros de los componentes activos, es sensible a los cambios en las condiciones de operacin bajo las cuales operan tales componentes debido a que frente a dichos cambios los valores de esos parmetros dinmicos se modifican. Las razones que determinan esta sensibilidad son variadas pudindose citar; a la dispersin de fabricacin, a modificaciones en las condiciones estticas de operacin, a cambios de la temperatura ambiente de operacin, al envejecimiento, a radiaciones ultravioletas intensas, etc. Esta alta sensibilidad de un amplificador no realimentado es posible disminuirla e inclusive anularla incorporndole una realimentacin negativa ya que su efecto, tal como veremos seguidamente, es disminuir el grado de dependencia de las transferencias respecto de los parmetros dinmicos de los elementos activos. Para comprobarlo, tomemos la expresin (VII.5.) y derivemos respecto de A: (1 + . A) - . A 1 1 dAf ------- = ---------------------------- = ----------------- = -----dA (1 + . A)2 (1 + . A)2 D2 y dividiendo ambos miembros por Af , espresado por la (VII.5.): o bien: 1 dAf = ------- . dA D2
1 dA dAf ------- = ------- . ------D A Af
(VII.8.)
resultado este ltimo que expresa que mientras en el amplificador sin realimentar la variacin relativa de la ganancia o sensibilidad es (dA/A), cuando se realimenta dicha sensibilidad, ahora en el amplificador realimentado (dAf/Af), se reduce D veces, es decir que mediante el uso de la realimentacin negativa se logra una desensibilizacin de magnitud D. Por ejemplo si un amplificador sin realimentar cuya ganancia es de 1000 veces posee una sensibilidad de 20 % y mediante la realimentacin negativa se desea mejorar esta caracterstica de modo que la variacin relativa de su transferencia se reduzca a solo 1 % deber hacerse que: (dA / A) 20 --------------- = D = ------ = 20 1 (dAf / Af ) por lo tanto D = 1 + . A = 20
D - 1 20 - 1 19 = ------------ = ----------- = -------- = 0,019 A 1000 1000
A 1000 Af = -------- = -------- = 50 D 20
y si bien la ganancia baj veinte veces (de 1000 50) la desensibilizacin lograda tambin es de veinte veces ya que la sensibilidad bajo del 20 % al 1 %. Ms an, si en la ecuacin (VII.5.) consideramos que la ganancia a lazo abierto (A) es lo suficientemente alta como para poder aceptar que en 1 Af = --------------(1/A) + se cumple que 1 ------ << , entonces 1 Af = -----
y se habr logrado una desensibilizacin total de la transferencia, ya que Af solo depende de la red de realimentacin que, como hemos dicho es pasiva y normalmente resistiva pura y por lo tanto puede ser tan estable 8

como sean sus componentes integrantes que por supuesto lo son en mucho mayor medida que los componentes activos. En nuestro ejemplo numrico: 1 1 Af = ------- = --------- = 52,6 0,019 comparado con 50 que es el resultado exacto.
VII.3.2.- Reduccin de las Perturbaciones (Ruido y Distorsin): Es ya de nuestro conocimiento que en una etapa amplificadora por efectos de la alinealidad de los componentes activos se produce una distorsin armnica y por intermodulacin. Asimismo aceptamos que en la misma etapa se generan pequeas fuerzas electromotrices de naturaleza aleatoria que se reconocen como ruido. En la figura VII.6. se han englobado ambos efectos considerndolos como una nica fuente de perturbacin N a travs de un generador de error ubicado entre dos secciones (A1 y A2) que conforman la etapa amplificadora que desde ese punto de vista se ha idealizado. La subdivisin del amplificador en esas dos secciones tiene como objetivo corroborar que las perturbaciones que aqui se consideran son nicamente aquellas generadas en la propia etapa amplificadora. La simbologa empleada describe que en el interior de la etapa el ruido y/o la distorsin se adicionan a la seal de informacin util que se desa amplificar, de tal forma que en dicho sistema, por superposicin y abriendo la llave LL, es decir sin realimentacin: Xo = Xi . A1 . A2 + N . A2 y como A = A1 . A2 Xo = A . Xi + A2 . N = Xos + A2 . N
vale decir que en la salida la seal til es Xos y la componente de ruido superpuesta con ella es A2 . N.
Cerrando la llave LL, es decir al lazo cerrado se obtiene: A2 A2 A1 . A2 Xo = Xs . ------------ + ------ . N por lo que considerando la (VII.7), para igual seal de salida Xo = Xos + ------ . N D D D Comparando los resultados obtenidos se concluye que para igual seal de salida en el sistema realimentado las componentes de perturbacin en la salida se reducen en D veces respecto de las presentes en el mismo amplificador sin realimentar. Esto quiere decir por ejemplo que si en una etapa amplificadora sin realimentar se esta produciendo una distorsin por alinealidad de su transferencia del 20 %, para reducir tal distorsin se requerir una cantidad de realimentacin tal como se deduce seguidamente: si se desea que la Distorsin < 5 % 9 debe ser D > 4

si se desea que la Distorsin < 1 % debe ser D > 20
Cabe aclarar finalmente que si la perturbacin ingresa a la etapa con la seal de excitacin la realimentacin no introduce ninguna ventaja, la misma ser amplificada Af veces. En cambio si se produce en el mismo amplificador - es decir dentro del lazo de realimentacin - la realimentacin negativa mejora su performance en D veces. VII.3.3.- Modificacin de las Resistencias de Entrada y Salida: Se verific ya que ningn dispositivo amplificador no realimentado, realizado con componentes activos reales, esta claramente definido como alguno de los tipos de amplificadores recientemente clasificados. Entre los cambios que es capaz de producir la realimentacin negativa, sobre las caractersticas dinmicas del amplificador bsico, pueden citarse las modificaciones de los valores de Resistencia de Entrada y de Resistencia de Salida que constituye una nueva ventaja cuando lo que se pretende es hacer que el amplificador bsico se parezca ms a alguno de los cuatro tipos de amplificadores reconocidos, es decir de Tensin, de Corriente, de Transconductancia o de Transresistencia. Para estudiar este efecto, particularizaremos la red de mezcla esquematizada en la figura VII.5. como un sumador, de modo que ahora, al tratar con cuadripolos, la parte de entrada del amplificador bsico dispondr de un par de terminales lo mismo que la salida de la red de realimentacin. En consecuencia como red de mezcla se pueden identificar dos alternativas para la conexin de los dos pares de terminales rcin mencionados: la mezcla por efecto de un Nodo de Conexin, en donde ambos cuadriplos en la entrada del amplificador se conectan en paralelo, tambin llamada MEZCLA PARALELO o MEZCLA DE CORRIENTES (que es lo que se puede mezclar en un nodo) o bien la mezcla por accin de una malla o MEZCLA SERIE o de TENSIONES para lo cual ambos cuadripolos se conectan en serie en la entrada del amplificador. Esta segunda alternativa se representa en la figura VII.7. en donde como puede verse, no se ha particularizado an, la forma de conexin en la salida del amplificador bsico. Asimismo se observa que con la finalidad del estudio de esta forma de mezcla, la fuente de excitacin se ha debido representar mediante un generador equivalente de Thevenin, es decir el generador de tensin Vs con su respectiva resistencia interna Rs que por lo dicho con anterioridad, debe incorporarsela como parte integrante del amplificador bsico, ya que son las tensiones las que pueden mezclarse en un circuito serie o malla cerrada. En consecuencia: V i = Vs - V f diferencia sta que debe producirse necesariamente de modo que la realimentacin sea efectivamente negativa. La resistencia de entrada de cualquier circuito amplificador, tal como se vi se halla definida como: Vi Ris = -------- = Rs + Ri Ii (VII.9.)
Cuando se realimenta, dado que la transferencia a lazo cerrado (Af ) baja D veces respecto de la que le corresponde al amplificador bsico (A) y teniendo en cuenta la expresin (VII.7.), para mantener constante la seal de salida Xo debe hacerse Vs = D . Vi , de modo que la Resistencia de salida del amplificador realimentado (Risf ) definida segn: D . Vi Vs (VII.10) Risf = -------- = ---------- = D . Ris Ii Ii concluyndose que cuando se realimenta negativamente con Mezcla Serie, se Aumenta la Resistencia de Entrada en D veces vale decir que mediante este tipo de realimentacin se tiende a hacer que el amplificador a lazo cerrado se parezca ms a uno de Tensin u otro de Transconductancia ya que en ambos tipos idealmente la resistencia de entrada debe ser infinita. La mezcla paralelo se esquematiza en la figura VII.8. y en la misma, la primer Ley de Kirchoff en el nodo de mezcla establece que: 10

I i = Is - I f debiendo observarse que para que la realimentacin sea efectivamente negativa, con los sentidos de referencia adoptados las tres corrientes deben tener igual fase (todas positivas o las tres negativas). A lazo abierto la definicin de su resistencia de entrada nos lleva a la misma expresin (VII.9.), en tanto que para el lazo cerrado y a igual seal de salida, como ahora para que Xo sea constante Is = D . Ii : VI Ris VI Risf = ------- = ------------ = -------D . Ii D Is (VII.11.)
Cuando se mezcla en paralelo, la realimentacin negativa hace bajar la resistencia de entada en el amplificador a lazo cerrado en D veces por lo que topologas con redes de mezcla como stas (paralelo) contribuirn a hacer que el amplificador bsico se parezca ms a un Amplificador de Corriente o de Transresistencia. A continuacin pasaremos a particularizar el tipo de conexin entre el par de terminales de salida del cuadripolo amplificador y el par correspondiente a la entrada de la red de realimentacin. Es decir que lo que se desea identificar ahora es el modo en que se halla conectada la red de realimentacin con respecto a la salida del amplificador y a la carga, con el objetivo de individualizar cual es el tipo de seal que se muestrea; si la tensin de salida o bien la corriente de salida. Nuevamente se plantean dos alternativas: si la conexin es del tipo paralelo, en cuyo caso se estar muestreando la tensin de salida Vo , la salida del amplificador bsico debe ser considerada a travs de algn modelo que se represente por un generador de tensin en serie con la respectiva resistencia de salida de dicho amplificador bsico por lo que el parmetro transferencia que controla a dicho generador ser o bien la Ganancia de Tensin medida con la salida a circuito abierto (Avs) o bien la Transresistencia con la salida a circuito abierto (Rms) dependiendo ello del tipo de mezcla utilizado.
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La situacin comentada se refleja en la figura VII.9.a. o VII.9.b. y como demostraremos ms adelante, el efecto de la realimentacin negativa es el de hacer que se mantenga con mayor constancia la seal que se muestrea, en este caso la tensin Vo con un superior grado de independencia respecto de las variaciones de la carga Rd . Es decir que esta forma de muestreo hace que a lazo cerrado la resistencia de salida del amplificador realimentado sea inferior que la del amplificador bsico sin realimentar. Se concluye entonces en que la realimentacin negativa con resistencia de salida del amplificador. muestreo de tensin hace disminuir la
La conexin tipo serie entre la salida del amplificador bsico, la carga y la entrada de la red de realimentacin produce un muestreo de la corriente de salida Io . En este caso la salida del amplificador bsico debe ser representada a travs de un modelo equivalente representado por un generador de corriente en paralelo con su respectiva resistencia de salida de dicho amplificador bsico y entonces el parmetro que controla a dicho generador ser o bien la Ganancia de Corriente medida con la salida en cortocircuito (Ais ) o bien la Transconductancia con la salida en corto circuito (Gms ), dependiendo ello nuevamente, del tipo de mezcla que se este usando, tal como se representa en las figuras VII.10.a. y VII.10.b.
Demostraremos ms adelante que el efecto de la realimentacin negativa en estos casos es tender hacia una constancia en dicha corriente de salida Io con una mayor independencia respecto de las variaciones de la carga, lo cual significa que produce un incremento en el valor de la resistencia de salida del amplificador a lazo cerrado comparada con la correspondiente al amplificador bsico sin realimentar. En otras palbras, la realimentacin negativa con muestreo de corriente hace que la salida del amplificador se parezca ms a un generador independiente o ideal de corriente. VII.4.- TIPOS O TOPOLOGIAS DE REALIMENTACION - METODOLOGIA DE ESTUDIO EFECTOS SOBRE LA RESISTENCIA DE SALIDA: En lo que precede, al particularizar el tipo de conexionado con el que se ejecutan los muestreos de la seal de salida y las mezclas de la seal realimentada con la excitacin exterior se han definido dos formas de muestreo y tambin dos formas de mezcla. La combinacin de ellas, de a dos, d lugar a las cuatro posibles topologas o tipos de realimentacin. Para la denominacin de dichas topologas se nombran sucesivamente el tipo de seal muestreada (Tensin o Corriente) y la forma de mezcla (Serie o Paralelo) resultando asi: Topologas de Realimentacin: Tensin - Paralelo (T-P) Tensin - Serie (T-S) Corriente - Serie (C-S) Corriente - Paralelo (C-P) Cada uno de estos esquemas circuitales de realimentacin producen cambios bien definidos y particulares de esa configuracin. Al propio tiempo la metodologa de estudio que adoptaremos tambin requiere de la utilizacin 12

de recursos bien definidos segn el tipo de realimentacin de que se trate, por lo que a continucin estudiaremos a cada una de ellas en particular. VII.4.1.- Realimentacin Tensin -Paralelo: En esta configuracin se muestrea una tensin a la salida y se mezcla en paralelo vale decir que a la entrada existe un nodo de mezcla en donde se mezclan corrientes. En consecuencia, para representar al amplificador bsico utilizaremos un modelo equivalente en base al parmetro transferencia que definen dichas seales de entrada y salida, es decir una Transresistencia en este caso. Asimismo y atento a dicha mezcla de corrientes, como fuente de excitacin exterior emplearemos el modelo equivalente de Northon para su representacin. En la figura VII.11. se presenta el esquema a que se hace referencia precedentemente, en donde se puede observar que a ttulo de ejemplo, como red de realimentacin, se ha incorporado la red resistiva pura mas elemental que permite llevar a cabo la reinyeccin de la corriente If en base al muestreo de la tensin Vo . Es importante mencionar que para que el mecanismo de anlisis que describen las ecuaciones (VII.5.) y (VII.6.) sea vlido los sentidos de referencia de corrientes y tensiones indicados en la figura VII.11. deben respetar a aquellos que considera el esquema de la figura VII.5. Asimismo debe asegurarse que sobre el circuito real la realimentacin incorporada sea negativa, en cuyo caso en la figura VII.11., con los sentidos de referencia adoptados debe efectivamente cuplirse que: I i = Is - I f . La red de realimentacin se analiza solo a travs de su transferencia directa definida para esta topologa como: If = ------Vo mientras que del circuito resulta: Vi - Vo If = -------------R por lo que para esta red -1 = -----R
Ya que tratamos con un amplificador, es razonable suponer que: Vi << Vo
De acuerdo a lo anticipado, la resolucin del problema y el consecuente clculo de la transferencia a lazo cerrado lo efectivizaremos mediante la utilizacin de las expresiones (VII.6.) y (VII.5.) por lo que ser necesario el clculo de la Resistencia de Transferencia como transferencia del amplificador bsico, definida por: Vo RMs = -------Ii En tal sentido y atento a que del cuadripolo realimentacin solo hemos considerado su transferencia, la presencia de sus resistencias de entrada y salida (como se definen en cualquier cuadripolo, adems de su transferencia) tambin se las debemos atribuir al amplificador bsico, tal como ocurri con Rs y con Rd , de modo tal que para su determinacin, previamente y a partir del circuito original realimentado debe hallarse un circuito auxiliar que corresponde al circuito amplificador bsico sin realimentar, cargado con la red , con la carga Rd y que tenga presente a Rs .
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Con esa finalidad, partiendo del circuito amplificador real se puede poner en prctica un mecanismo que, aunque un tanto abstracto, resulta muy simple de aplicar, consistente en : a) Para hallar la malla de entrada del circuito auxiliar, sobre el circuito real se debe anular la seal muestreada, en nuestro caso la tensin Vo, y recorrer todas las ramas que integran dicha malla de entrada bajo tal condicin; b) Anulando el efecto de mezcla en la entrada del circuito real recorrer todas las ramas que forman parte de la malla de salida del circuito real. En el paso b) anular el efecto de mezcla en una mezcla serie en la que se tiene una malla de mezcla significa abrir dicha malla, es decir hacer Ii = 0, mientras que si la topologa de mezcla es paralelo, tal como en nuestro caso, anular el efecto de mezcla significa poner a potencial de masa al nodo de mezcla, es decir hacer Vi = 0. Todo ello nos asegura eliminar la realimentacin del circuito original y su aplicacin sobre el circuito de la figura VII.11. que se encuentra bajo estudio, nos lleva al circuito auxiliar representado en la figura VII.12. Puede observarse la aparicin de R en paralelo con la carga Rd y tambin a R en paralelo a Rs lo cual representa la carga de la red tanto a la salida como a la entrada del amplificador bsico. En este circuito auxiliar, ya que se anul la realimentacin : If = 0 ; en la entrada se tiene ahora Ii = Is y la determinacin de su transferencia se encara definiendo: Vo Vo RMs = -------- = -------Ii Is por lo que a partir del circuito se tiene: (Rd // R) (Rd // R) de modo que RMs = Rm . -------------------Vo = Rm . Ii . --------------------(Rd // R) + Ro (Rd // R) + Ro Adems de este mismo circuito auxiliar es de donde obtendremos las resistencia de entrada y salida del circuito amplificador bsico de modo que por simple asociacin serie/paralelo:
14
Ris = R // Rs // Ri
Ros = R // Rd // Ro
Concluidos estos clculos, el circuito de la figura VII.12. o circuito auxiliar pierde utilidad por lo que retornamos nuevamente sobre el circuito original. En este circuito: D = 1 + . RMs RMs RMsf = --------D y Ris Risf = --------D
Con la finalidad de determinar la resistencia de salida del amplificador realimentado a lazo cerrado y tal como se realizara ya en otras oportunidades, procederemos a quitar la carga del circuito original, desactivaremos el generador real de excitacin y colocando un generador de prueba en el lugar de la carga definiremos la resistencia de salida del amplificador realimentado sin carga (Rof ) como el cociente entre la tensin y la corriente del generador de prueba. Dicho circuito de prueba se puede observar en la figura VII.13.
15

En dicho circuito, la corriente en la salida, que ahora preferimos llamar Ix en lugar de Io , despreciando la que se drena a travs la red de realimentacin resulta: Vx - Rms . Ii Ix = -------------------Ro pero al haber desactivado el generador de excitacin: Ii = -If y a su vez: If = . Vx reemplazando en la anterior: Vx Vx + Rms . . Vx Ix = ----------------------------- = -------- . ( 1 + Rms . ) Ro Ro por lo que
Vx y como la resistencia de salida del amplificador realimentado, sin tener en cuenta la carga es: Rof = -------- ; de la anterior: Ix Ro (VII.12.) Rof = ----------------------( 1 + Rms . ) en donde, como se recordar Rms es la transresistencia con la salida a circuito abierto, es decir: Rms = RMs (con Rd = oo)
La conclusin es que la realimentacin negativa con muestreo de tensin hace disminuir la resistencia de salida del amplificador, vale decir que el cambio que opera sobre el amplificador es hacer aparentar su salida como una fuente independiente o ideal de tensin - generador de tensin con menor resistencia interna -. A continuacin se quita el generador de prueba y en su lugar se restituye la carga. La resistencia de salida del sistema amplificador realimentado, incluyendo la resistencia de carga ser: Ro . Rd Ro . Rd 1 1 Rof . Rd Rosf = ----------- = ---------------------------- = ----------- . ----------------------------------- = Ros . ------------------Rof + Rd Ro + Rd + Rms . . Rd Ro + Rd Rd 1 + . RMs 1 + . Rms . -----------Ro + Rd por lo que en definitiva: Ros (VII.13.) Rosf = ------D lo cual indica que la realimentacin negativa con muestreo de tensin hace disminuir D veces la resistencia de salida del sistema amplificador bsico sin realimentar. VII.4.2.- Estudio de la topologa Tensin-Paralelo por el Mtodo de las Admitancias: Antes de pasar a estudiar otras topologas de realimentacin y con la finalidad de comprobar la eficacia del mtodo de estudio empleado en el anlisis precedente, as como de justificar plenamente ciertos procedimientos un tanto abstractos de dicho mtodo, reconsideraremos la misma topologa del amplificador realimentado procedindo a estudiarla mediante otro mtodo, basado en el empleo de los parmetros admitancia. Para tal fin, al mismo amplificador realimentado que se represent en la figura VII.11. ahora lo consideramos a travs del circuito a base de los cuadripolos admitancia, tal como se observa en la figura VII.14. En dicho circuito, los parmetros con subndice A corresponden al circuito amplificador bsico sin realimentar, mientras los que se identifican con el subndice R corresponden a la red de realimentacin mientras que: 1 Gs = -------Rs y 1 Gd = -------Rd
16

Seguidamente estableceremos las relaciones de estos parmetros con la transferencia, resistencia de entrada y la resistencia de salida del amplificador realimentado, asi representado. Para tal fin consideramos la primer ley de Kirchoff aplicada a los nodos de entrada (i) y salida (o) dando orgen a las siguientes ecuaciones: (i) Is = (Gs + yiA + yiR ) . Vi + ( yrA + yrR ) . Vo (VII.14.) (VII.15.)
(o) 0 = ( yfA + yfR ) . Vi + ( Gd + yoA + yoR ) . Vo llamando Yos = ( Gd + yoA + yoR ) y despejando Vi
a partir de la ecuacin (VII.15.) se tiene: (VII.16.)
- Yos . Vo Vi = -------------------yfA + yfR
llamando Yis = (Gs + yiA + yiR ) , reemplazando la (VII.16.) en la ecuacin (VII.14.) y operando matemticamente: - Yos . Yis Is = ----------------- . Vo + yfA + yfR - Yos . Yis + ( yfA + yfR ) . ( yrA + yrR ) ( yrA + yrR ) . Vo = -------------------------------------------------------- . Vo yfA + yfR
yfA + yfR - ----------------yfA + yfR Yos Yis Vo ------ = ----------------------------------------------------- = ----------------------------------------------- Yos Yis + ( yfA + yfR ) . ( yrA + yrR ) yfA + yfR Is 1 - ----------------- . ( yrA + yrR ) Yos Yis si definimos ahora como: - (yfA + yfR) RMs = ------------------Yos Yis y = (yrA + yrR )
(VII.17.)
y reemplazamos en la ecuacin (VII.17.):
queda tal como se indica en la pgina siguiente. Vo
RMs 17

RMsf = ------- = -------------------Is 1 + RMs . (VII.17'.)
La ecuacin (VII.17'.) arroja el resultado exacto de la Transresistencia a lazo cerrado del amplificador considerado utilizando el mtodo de anlisis de los cuadripolos admitancia y muestra que con las interpretaciones hechas sobre la ecuacin (VII.17.) dicho resultado es coincidente con lo propuesto en el estudio anterior. Si ahora a este resultado exacto le aplicamos las mismas hiptesis simplificativas que se contemplaron antes, es decir, por un lado unilateralidad del cuadripolo amplificador bsico: y unilateralidad de la red de realimentacin: la interpretacin de la ecuacin (VII.17.) nos lleva a: - yfA RMs = -------------Yos Yis y la transferencia de resistencia con realimentacin es: - yfA ------------Yos Yis = ---------------------------------- yfA 1 + ------------- . yrR Yos Yis (VII.18.) y = yrR (VII.19.) yfA >> yfR yrA << yrR
RMsf
(VII.20.)
A los efectos de establecer una equivalencia circuital entre ambos mtodos, en la figura VII.15. realizamos el circuito equivalente que corresponde a la ecuacin (VII.18.) para RMs .
Puede comprobarse que dicho esquema de circuito corresponde al amplificador bsico sin realimentar pero cargado con la red de realimentacin, tanto a la entrada (yiR ) como a la salida (yoR ), cargado con la resistencia de 18

carga Rd y que tiene en cuenta adems a la resistencia interna de la fuente de excitacin Rs. Esto justifica que por el procedimiento utilizado anteriormente, para hallar la transferencia RMs debamos determinar el circuito auxiliar que consiste en el amplificador bsico sin realimentar pero cargado con la red . Para verificar la consistencia de este circuito planteamos nuevamente las ecuaciones de los nodos de entrada y de salida con la finalidad de determinar su RMs. (i) Is = (Gs + yiA + yiR ) . Vi (VII.14.) (VII.15.)
(o) yfA . Vi = - ( Gd + yoA + yoR ) . Vo o bien, introduciendo las definiciones de Yis e Yos: Is = Yis . Vi yfA . Vi = A partir de la (VII.14.): Is Vi = -------Yis y reemplazando (VII.21.) en (VII.15.) resulta: (VII.21.) (VII.14.)
-Yos . Vo
(VII.15.)
Vo por lo que despejando el cociente ------- obtenemos la transresistencia: Is
yfA . Is --------------- = - Yos . Vo Yis
-yfA RMs = --------------Yis . Yos
Observamos que la ltima ecuacin obtenida es idntica a la expresin (VII.18.) por lo que se verifica que el circuito antes descripto representa al amplificador sin realimentar y cargado con Rs , Rd , yiR y yoR . Por otra parte debe repararse que la definicin en dicho circuito de la Yis es coincidente a la inversa de la resistencia de entrada Ris que tambin se obtena en el circuito amplificador bsico cargado con la red . Igual observacin corresponde realizar para la admitancia Yos . La observacin hecha precedentemente, respecto al circuito auxiliar en donde se debe analizar RMs, Ris y Ros se refuerza si comprobamos que de la red de realimentacin solo consideramos su transferencia es decir que de la matriz de parmetros admitancia solo nos queda la admitancia de transferencia inversa medida con la entrada en corto circuito, es decir: ! If = yr R = ------- ! Vo ! con Vi = 0 lo cual justifica la aproximacin que asumimos cuando se determin suponiendo que Vi << Vo . Atento todo lo analizado, el amplificador realimentado completo, identificadas las partes recin definidas y con las hiptesis simplificativas se observa en la figura VII.16. A continuacin realizaremos el estudio de las resistencias de entrada y de salida del sistema amplificador realimentado. Para tal fin consideraremos el circuito original simplificado con las hiptesis de unilateralidad de ambos cuadripolos y colocando un generador de prueba en la entrada, tal como se indica en el circuito de la figura VII.17. As, en dicho circuito, establecindo el cociente entre la tensin del generador de prueba y la corriente que el mismo le entregue al circuito puede evaluarse la admitancia de entrada del sistema a lazo cefrrado definiendo:
19
Ix Yisf = --------Vx Nuevamente, las ecuaciones de los nodos de entrada y de salida de este circuito resultan: Ix = (Gs + yiA + yiR ) . Vx + yrR . Vo a las cuales incorporndoles las definiciones de Yis e Yos : Ix = Yis . Vx + yrR . Vo y ya que en (VII.23.) (VII.22.) y 0 = yfA . Vi + Yos . Vo (VII.23.) (VII.24.) y 0 = yfA . Vi + ( Gd + yoA + yoR ) . Vo
Vi = Vx , de la misma obtenemos:
- yfA . Vx Vo = -----------------Yos
luego reemplazando (VII.24.) en la expresin (VII.22.) : 20

- yfA Ix = Yis . Vx + yrR . ---------- . Vx Yos por lo que: yrR . yfA Ix Yisf = -------- = Yis - ---------------Yos Vx (VII.25.)
Por otra parte, dado que el producto de las ecuaciones (VII.18.) y (VII.19.) es: yrR . yfA . RMs . Yis = - -------------Yos reemplazando (VII.26.) en (VII.25.) se tiene: Yisf = Yis + . RMs . Yis o sea: (VII.26.) Ris Risf = -------D
Yisf = D . Yis
o bien
cuyo resultado es coincidente con el obtenido por el otro mtodo con anterioridad. Si ahora conectamos el generador de prueba sobre la salida y desactivamos la entrada ( Is = 0 ) tal como se realiza en la figura VII.18., planteando nuevamente el sistema de dos ecuaciones de los nodos y operando matemticamente se puede determinar la admitancia de salida del amplificador realimentado:
0 = (Gs + yiA + yiR ) . Vi + yrR . Vx Ix = yfA . Vi + (Gd + yoA + yoR ) . Vx reemplazando (VII.27.) en (VII.28.):
o bien
0 = Yis .Vi + yrR .Vx
yrR . Vx y as: Vi = - --------------Yis (VII.28.)
(VII.27.) por lo que
y tambin
Ix = yfA . Vi + Yos . Vx
- yrR . Vx Ix = yfA . ---------------- + Yos . Vx Yis
por lo que ahora, al ser Yos . . RMs
y dado que de la expresin (VII.26.) tambin se deduce que: 21
Ix Yosf = ----------Vx - yfA . yrR = ------------------

Yis Ix = (Yos + . RMs .Yos ) . Vx = Yos . ( 1 + . RMs ) . Vx y por lo tanto: Yosf = Yos . D Ros Rosf = --------D
pudindose concluir nuevamente que el resultado obtenido es totalmente coincidente con los que surgieron en el estudio precedente con el otro mtodo, motivo por el cual, dada su mayor simplicidad, para los estudios de las topologas que siguen continuaremos aplicando el mtodo basado en el diagrama de la figura VII.5. con exclusividad. VII.4.3.- Ejemplo numrico de la topologa TENSION-PARALELO: Un ejemplo tpico de circuito amplificador realimentado con topologa Tensin-Paralelo se representa en la figura VII.19., en donde vamos a suponer que los tres transistores son idnticos y a la corriente de reposo de 10 mA posee un ganancia hfe = 60. Asimismo supondremos que: Rs = Rd = 50 Ohm y RC1 = RC2 = 700 Ohm mientras que R = 52 KOhm
A partir de estos datos, para el transistor bipolar se puede determinar que: gm1 = gm2 = gm3 = gm = 40 ICQ = 0,4 (A/V) y 60 hfe hie = -------- = -------- = 150 Ohm. gm 0,4
Se puede comprobar que en este ejemplo se esta utilizando la misma red de realimentacin introducida en el estudio previo, es decir un simple resistor en serie conectado entre la salida del amplificador bsico (en este caso el ltimo colector o colector de T3 ) y la entrada del mismo (la primera base en este ejemplo o base de T1 ). Imaginndose al cuadripolo integrado adems por la linea de referencia de masa, puede apreciarse la conexin paralelo del mismo tanto con la salida como con la entrada del amplificador bsico. La topologa es efectivamente con muestreo de Tensin y con mezcla Paralelo. Por este motivo para llevar a cabo su estudio es preciso cambiar el modelo equivalente de la fuente de excitacin por el modelo de Northon. Ello se ha llevado a cabo en el circuito de la figura VII.20. Al considerar la fase de la transferencia de este circuito amplificador, sea sta AV o bien RM (y siempre que se tenga un nmero impar de etapas emisor comn en cascada) se observa que las mismas resultan inversoras, vale decir que en el circuito de la figura VII.20., para una corriente Is positiva y por ende tambin positivas Vi e Ii , en la salida del mismo se obtendr una Vo negativa. Atento a que tambin en este circuito: Vi - Vo If = -------------R 22
con las fases de Vi y Vo recin consideradas surgir una corriente If positiva. por lo que se En consecuencia, en el nodo de mezcla se tendr que efectivamente: I i = Is - If verifica que la realimentacin es efectivamente negativa. A continuacin determinamos la transferencia de la red de realimentacin: -1 -1 -Vo If = ------por lo que = ------- = --------R R 52000 y ms tarde, haciendo Vo = 0 sobre el circuito original determinamos la malla de entrada del circuito amplificador
bsico cargado con la red y haciendo Vi = 0 hallamos la malla de salida de dicho amplificador bsico cargado con . Tal circuito auxiliar se ha representado en la figura VII.21. Se puede comprobar en este ltimo que la resistencia de la red de realimentacin R queda en paralelo, tanto en la entrada como en la salida del amplificador y 23

dado que su finalidad es la obtencin de RMs , Ris y Ros , a continuacin reemplazamos a los transistores por su modelo hbrido aproximado de bajas frecuencias, tal como se observa en el circuito de la figura VII.22. Ris = Rs // R // hie = 50 // 52000 // 150 = 37,5 Ohm Rd1 = RC1 // hie2 = 700 // 150 = 123,5 Ohm Rd3 = R // Rd = 52000 // 50 = 50 Ohm y Rd2 = Rd1 = 123,5 Ohm Ros = Rd3 = 50 Ohm
Vo V3 V2 V1 Vo RMs = ------- = ( ------ ) . ( ------ ) . ( ------ ) . ( ------ ) V3 V2 V1 Is Is RMs = (-gm3 . Rd3 ) . (-gm2 . Rd2 ) . (-gm1 . Rd1 ) . Ris = -gm3 . Rd12 . Rd3 . Ris RMs = - (0,4)3 . (123,5)2 . 50 . 37,5 = - 1,83 MOhm Concluidos estos clculos el circuito auxiliar pierde utilidad por lo que retornamos al circuito amplificador realimentado y en el calculamos la diferencia de retorno: D = 1 + . RMs = 1 + 19,2 . 10-6 . 1,83 . 106 = 36,1 - la transferencia a lazo cerrado: RMsf observemos que 1 ------ = -R = -52000 Ohm - 1,83 . 106 RMs = --------- = ------------------ = - 50693 Ohm D 36,1 es bastante aproximado al resultado obtenido. 37,5 Ohm Ris Risf = -------- = ---------------- = 1,04 Ohm D 36,1
- la Resistencia de Entrada del sistema realimentado:
y a la entrada del amplificador realimentado, es decir la que se le presenta al generador real de excitacin de tensin, que llamamos Rif surgir de descontar la Rs del circuito equivalente paralelo, es decir: 50 . 1,04 Rs . Risf Rif = ------------- = ---------------- = 1,06 Ohm 50 - 1,04 Rs - Risf con lo que el generador ideal de tensin de excitacin ver una resistencia equivalente de entrada del amplificador realimentado igual a: Rentf = Rs + Rif = 50 + 1,04 = 51.04 Ohm - mientras que la Resistencia de Salida del sistema realimentado ser: 50 Ohm Ros Rosf = --------- = -------------- = 1,4 Ohm D 36,1 y si deseramos la de salida del amplificador realimentado, sin incluir la carga, que llamaremos Rof : 50 . 1,4 Rd . Rosf Rof = ------------- = ---------------- = 1,45 Ohm 50 - 1,4 Rd - Rosf 24 prcticamente igual a Rs .

Esquemticamente el circuito estudiado se puede representar por un esquema equivalente tal como se indica en la figura VII.23. en donde se han indicado las resistencias de entrada y salida recin definidas. Asimismo se puede determinar la ganancia de tensin: Vo RMs Vo AVsf = ------- = ------------ = --------IN . Rs Rs Vs 1 si como transresistencia tomamos el valor aproximado RMsf = -------- = -R dicha ganancia de tensin a lazo cerrado resulta: -R AVsf = ------Rs ; mientras que Rentf = Rif + Rs = Rs
A continuacin variaremos tanto a Rs como a Rd con la finalidad de verificar numricamente en que medida esta topologa de realimentacin convirti al amplificador bsico en un buen amplificador de transresistencia observando la sensibilidad de este parmetro transferencia del amplificador realimentado frente a dichos cambios. Para tal fin, en primer lugar duplicaremos la resistencia interna del generador de excitacin, es decir hacemos Rs = 100 Ohm y volvemos a recalcular RMs , Ris , D, RMsf, y Risf , obtenindose: RMs = -2,93 MOhm , Ris = 60 Ohm RMs RMsf = -------- = -51197 D mientras que al no variar se obtiene un Ris Risf = --------- = 1,05 Ohm D D = 57,23
Se verifica que ambas caractersticas del amplificador realimentado se mantienen prcticamente en el mismo valor anterior (solo se incluye un 1 % de diferencia). En cambio si consideramos AVsf este parmetro al resultar inversamente proporcional a Rs se reducir practicamente a la mitad de su valor anterior, situacin que se repetira con GMsf ya que este tambin depende de Rs. Si ms tarde duplicamos el valor de la resistencia de carga Rd es decir hacemos Rd = 100 Ohm, ya que Rd3 y Ros resultan ahora: Rd3 = 100 Ohm y Ros = 100 Ohm
RMs = - (0,4)3 . (123,5)2 . 100 . 37,5 = - 3,66 MOhm D = 1 + . RMs = 1 + 19,2 . 10-6 . 3,66 . 106 = 71,272 RMsf - 3,66 . 106 RMs = --------- = ------------------ = - 51353 Ohm D 71,272
Nuevamente se obtiene un valor practicamente igual al que result para una resistencia de carga igual a la mitad de esta ltima con lo que se comprueba la caracterstica de buen amplificador de Transresistencia. VII.4.4.- Realimentacin Tensin -Serie: En esta configuracin se muestrea una tensin a la salida como ocurra en la anterior, pero ahora se mezcla en serie en la entrada, vale decir que alli existir una malla de mezcla en donde se mezclan tensiones. En consecuencia, para representar al amplificador bsico utilizaremos un modelo equivalente en base al parmetro 25

transferencia que definen dichas seales de entrada y salida, es decir la Ganancia o Amplificacin de tensin en este caso. Asimismo y atento a dicha mezcla de tensiones, como fuente de excitacin exterior emplearemos el modelo equivalente de Thevenin para su representacin.
En la figura VII.24. se presenta el esquema a que se hace referencia precedentemente, en donde se puede observar que a ttulo de ejemplo, como red de realimentacin, se ha incorporado la red resistiva pura mas elemental que permite llevar a cabo la reinyeccin de la tensin Vf en base al muestreo de la tensin Vo , es decir un simple divisor de tensin en este caso. Para esta red se obtiene: R2 Vf = ------ = ------------R1 + R2 Vo Volvemos a insistir con la importancia que tiene para el mecanismo de anlisis que describen las ecuaciones (VII.5.) y (VII.6.) los sentidos de referencia de corrientes y tensiones indicados en la figura VII.24. ya que deben respetar a aquellos que considera el esquema de la figura VII.5. Asimismo debe asegurarse que sobre el circuito real la realimentacin incorporada sea negativa, en cuyo caso en la figura VII.24., con los sentidos de referencia adoptados debe efectivamente cumplirse que: V i = Vs - V f Para hallar la transferencia AVs previamente se debe hallar el circuito correspondiente al amplificador bsico sin realimentar pero cargado tanto con Rs como con Rd y con la Red , tanto a la entrada como a la salida. Para hallarlo procedemos de la siguiente manera: a) para hallar la malla de entrada del circuito amplificador bsico anulamos la seal muestreada en el circuito original, es decir que en este caso hacemos Vo = 0; b) anulamos el efecto de mezcla en la entrada, en este caso, al ser mezcla serie en una malla, procedemos anular su efecto abriendo dicha malla, es decir haciendo Ii = 0 y de este modo determinamos la malla de salida del amplificador bsico cargado con la red de realimentacin. El circuito resultante se observa en la figura VII.25. En l, al ser Vf = 0 , la tensin de entrada al amplificador bsico, que segn su definicin es Vi = Vs - Vf resulta por lo tanto Vi = Vs y en consecuencia se obtiene: Vi Ris = -------- = Rs + Ri + (R1 // R2 ) ; Ros = Ro // (R1 + R2 ) // Rd 26 y Vo Vo AVs = ------- = -------

Ii con lo que la transferencia ser: (R1 + R2 ) // Rd AVs = Av . ---------------------------------Ro + [ (R1 + R2 ) // Rd ] Vi Vs
Respecto a este ltimo resultado cabe sealar que normalmente se busca que la red de realimentacin no cargue por lo menos en forma apreciable, para lo cual debe satisfacerse la condicin: Rd por lo que las expresiones se reducen a: AVs = Av . ------------y Ros = Ro // Rd (R1 + R2 ) >> Rd Ro + Rd Luego retornando al circuito realimentado, para esta topologa se deber determinar: D = 1 + . AVs AVsf AVs = --------D y, segn vimos, para la mezcla serie: Risf = D . Ris
Para hallar la resistencia de salida a lazo cerrado tomamos el circuito realimentado, lo desactivamos a la entrada y lo excitamos desde la salida con un generador de prueba, midiendo su tensin y corriente, quitando para tal fin la carga Rd . Este circuito de prueba se representa en la figura VII.26. y en l planteamos: V Rof = -------I Suponiendo que la red de realimentacin no toma corriente de la salida, plantamos la segunda ley de Kirchoff en dicha malla, obtenindose que: (V - Av . Vi ) I = -------------------pero V i = - Vf y Ro (V + Av . . V ) I = ----------------------------con lo que Ro Vf = . V , as reemplazando en la anterior: (VII.29.)
Ro Rof = ----------------------( 1 + Av . )
lo que nos permite concluir en que el muestreo de tensin hace bajar la resistencia de salida del amplificador. Teniendo en cuenta ahora la carga Rd consideraremos 27 Rosf = Rof // Rd y reemplazando por la (VII.29.):

Ro . Rd 1 Ro . Rd Rosf = -------------------------------------- = --------------- . ------------------------------------------Ro + Rd . ( 1 + Av . ) Ro + Rd 1 + . Av . [Rd /( Ro + Rd )] Ros Rosf = --------------------1 + . AVs o bien : Ros Rosf = -------D (VII.30.)
por lo que
Concluimos finalmente observando que al realimentar muestreando la Tensin de Salida se disminuye D veces la resistencia de salida del sistema amplificador realimentado comparada con la del amplificador sin realimentar. La realimentacin con topologa TENSION-SERIE hace aumentar la resistencia de entrada y disminuir la de salida por lo que convierte al amplificador en uno de tensin, en donde: con D = 1 + AVs . AVs AVsf = --------D independiente de las variaciones tanto de Rs como de Rd.
VII.4.5.- Ejemplo numrico de la topologa TENSION-SERIE: Se dispone de un circuito amplificador realimentado en configuracin Tensin-Serie, en base a un conjunto (Array) de transistores tipo CA3086 (amplificador diferencial y fuente de corriente) y un transistor tipo PNP discreto, tal como se observa en la figura VII.27. Se observa en el mismo que mientras a una de las bases del amplificador diferencial se encuentra conectada la fuente de excitacin exterior Vs , en la otra entrada se ha conectado un circuito que recoge una fraccin de la tensin de salida del conjunto (Vf ) y dada la caracterstica de funcionamiento de esta etapa, en la salida de la misma se tendruna seal proporcional a la diferencia: V d = Vs - V f Esto significa que la etapa amplificadora diferencial se comporta naturalmente como una red de mezcla serie. Se observa adems que con un Vs positivo, la salida por colector de T2 resultar negativa y luego Vo ser positiva debido a la accin del emisor comn realizada por T4, con lo cual tambin Vf es positiva y entonces la realimentacin resulta negativa. Se muestrea la tensin de salida Vo y se mezcla en serie en la entrada, por lo que la configuracin de realimentacin es Tensin-Serie. Desde el punto de vista esttico y dado que en dicho circuito: VCC = VEE = 10 V ; RC1 = RC2 = 8,2 KOhm ; RC4 = 4,7 KOhm ; RE4 = 3,9 KOhm ; R1 = 1,2 KOhm; R2 = 12 Kohm ; ICQ3 = 2 mA ; Rs = 1 KOhm ; RL = 5 KOhm. ICQ3 ICQ1 = ICQ2 = --------- = 1 mA 2 VCT1-2 = VCC - ICQ1-2 . RC = 10 - 1 . 10-3 . 8,2 . 103 = 1,8 V y VET = - VBEu = - 0,6 V
28
por lo que: Asimismo: entonces:
VCEQ1-2 = VCT1-2 - VET VBT4 = VCT2 = 1,8 V
o sea as
VCEQ1 = VCEQ2 = 1,8 - (-0,6) = 2,4 V VET4 = VBT4 + VEBu4 = 1,8 + 0,6 = 2,4 V
10 - 2,4 VCC - VET4 ICQ4 = ------------------- = ----------------- = 1,95 mA 3,9 . 103 RE4 VCEQ4 = VCC + VEE - ICQ4 . (RC4 + RE4 ) = 20 - 1,95 . (4,7 + 3,9) = 3,2 V
Para el anlisis dinmico y ya que se trata de un amplificador realimentado, lo primero que es necesario realizar es el circuito correspondiente al amplificador bsico sin realimentar pero, tal como el mtodo de estudio lo requiere, cargado con Rs , RL y con la red de realimentacin tanto a la entrada como a la salida. Un procedimiento prctico para encontrar este circuito consiste en realizar la malla de entrada anulando la seal muestreada a la salida, es decir haciendo Vo = 0 en este caso, para luego hallar la malla de salida anulando el efecto de mezcla en la entrada, en este circuito haciendo Ii = 0. Dichos procedimientos aseguran anular la realimentacin del circuito original. En nuestro caso el resultado puede observarse en el circuito de la figura VII.28. En dicho circuito: 1200 . 12 . 103 R1 . R2 Rs = ------------- = ----------------------- = 1 KOhm 12000 + 1200 R1 + R2
observando la simetra respecto a Rs = 1 KOhm
Rd = (R1 + R2 ) // RC4 // RL = 2,05 KOhm Por una parte, debemos calcular la transferencia de este circuito, que en este caso es la ganancia AVs . Para ello consideraremos que por tratarse de una etapa diferencial y otra del tipo emisor comn: AVs = AVd . AVE.C. - hfe1-2 . (RC2 // hie4 ) AVd = -----------------------------2 . ( Rs + hie1-2 ) y en donde: - hfe4 . Rd AVE.C. = -----------------hie4
Dado que a partir de las hojas de datos, para los puntos de reposo previamente verificados se obtiene: hie1-2 = 3,5 KOhm 29 hfe1-2 = 100

hie4 = 1 KOhm hfe4 = 200
al reemplazar en las ecuaciones precedentemente indicadas se obtiene: - 100 . 825 - 82,5 AVd = ------------------------------ = -------- = - 9,2 2 ( 1000 + 3500 ) 9 y en consecuencia la ganancia del amplificador bsico resulta: y - 200 . 2050 AVE.C. = ------------------- = - 410 1000
AVs = (- 9,2 ) . (- 410 ) = 3772
Puede verificarse que si variamos Rs , por ejemplo hacemos Rs = 5,5 KOhm , la ganancia AVd y en consecuencia tambin la AVs se reducen a la mitad. Esto nos esta indicando que dicho amplificador bsico no es un buen amplificador de tensin. En segundo lugar, haciendo el clculo de la Ris , se tiene: balancear siempre debe hacerse Rs = Rs : Ris = Rs + 2 . hie1-2 + Rs y como para
Ris = 2 . ( hie1-2 + Rs ) = 2 . ( 3500 + 1000 ) = 9 KOhm reconocindose tambin que si analizamos su valor para el Rs de 5,5 KOhm (aquel que arroja la mitad de ganancia), la nueva resistencia de entrada resulta: Ris = 2 . (3500 + 5500 ) = 18 KOhm Asimismo, si consideramos que resulta: hoe4-1 >> Rd la resistencia de salida del sistema amplificador bsico Ros = Rd = 2 KOhm Por lltimo podemos observar que si se modifica el valor de RL , por ejemplo si lo bajamos a 1,4 KOhm , dado que Rd se reduce a 1 KOhm y en consecuencia AVE.C. y tambin AVs se disminuyen a la mitad del valor calculado, al igual que Ros. Esto ratifica nuestra precedente conclusin: el amplificador bsico considerado no es un buen amplificador de tensin ya que la ganancia de tensin del mismo depende de los valores de Rs y de RL . Pasando ahora al circuito realimentado, en primer lugar la red de realimentacin presenta una transferencia que resulta: 1,2 R2 = -------------- = --------------- = 0,09 12 + 1,2 R1 + R2 en consecuencia: con lo que D = 1 + . AVs = 1 + 0,09 . 3772 = 350 1 ------- = 11
3772 AVs AVsf = -------- = ----------- = 10,8 D 350
aproximadamente
Risf = Ris . D = 9 . 103 . 350 = 3,15 MOhm Rif = RisF - Rs = Risf = 3,15 MOhm Rd 2000 Ros Rosf = --------- = ---------- = --------- = 5,7 Ohm D D 350 Se puede verificar ahora el grado de independencia frente a las variaciones de Rs que se alcanz a expensas de la realimentacin negativa que incorpora el circuito amplificador. Hemos visto ya que si Rs vara desde el valor original de 1 KOhm a un nuevo valor R*s = 5,5 KOhm en el amplificador sin realimentar se tena: y R*s = 18 KOhm (mitad y doble respectivamente, de los valores originales) mientras que A*Vs = 1886 30

en el amplificador realimentado: D* = 1 + . A*Vs = 1 + 0,09 . 1886 = 170,7 1886 A*Vs = --------- = ----------- = 11,05 D* 170,7 nuevamente 1 ------- = 11
Vsf
R*isf = R*is . D* = 18 . 103 . 170,7 = 3,07 MOhm R*if = R*isF - R*s = R*isf = 3,23 MOhm Se verifica entonces que prcticamente dentro de ciertos lmites, las caractersticas del amplificador realimentado se independizan de las variaciones de Rs , adems el amplificador posee buena AVsf , alta Risf y baja Rosf , o sea que mediante este tipo de realimentacin se esta disponiendo de un buen amplificador de tensin. El mismo efecto en AVs y AVsf lo podemos verificar si variamos RL desde su valor original de 5 KOhm a un nuevo valor de R*L = 1,4 KOhm, ya que AVs se reduce nuevamente a los valores A*Vs y consecuentemente tambin en D*, mientras que A*Vsf sigue mantenindose en el mismo valor. Por su parte con el nuevo R*os = 1 KOhm se sigue obteniendo: R
*
osf
1000 R*os = --------- = ---------- = 5,85 Ohm 170,7 D*
Por ltimo, si deseamos obtener las otras tres transferencias del circuito amplificador realimentado se tendr: Vo 1 AVsf 11 Io GMsf = -------- = ------- . -------- = -------- = ---------- = 5,5 mA/V que depende de la carga RL a travs de Rd Rd Vs Rd 2000 Vs AIsf Vo Risf Risf 3,15 . 106 Io = -------- = ------- . -------- = AVsf . -------- = 11 . --------------- = 17320 que depende Rs y de RL . Rd Vs Rd 2000 Ii Vo Vo RMsf = -------- = ------- . Risf = AVsf . Risf = 11 . 3,15 . 106 = 34,65 . 106 que depende Rs . Vs Ii VII.4.6.- Realimentacin CORRIENTE-SERIE (C-S) o Corriente-Tensin: En este caso, el modelo equivalente a estudiar puede ser el representado en la figura VII.29. Se utiliza un modelo apropiado para la representacin del amplificador bsico, en funcin de la transferencia de conductancia o transconductancia ya que se muestrea la corriente Io en la salida y se mezclan tensiones (Vs y Vf ) en serie en la entrada, mientras que para la red de realimentacin nuevamente se ha escogido una red tpica, resistiva pura y con conformacin de cuadripolo tipo pi. Debemos recordar que en dicha figura: Gm = GMs (medido con la salida en corto circuito: adems, nuevamente en este esquema Vi = Vs - Vf transferencia de la red de reallimentacin resulta:
RL = 0 )
y finalmente:
pero ahora, al muestrearse la corriente de salida, la
Vf = ------Io 31

La obtencin de este lltimo parmetro en funcin de la configuracin circuital elegida la realizaremos bajo el supuesto de que esta red no carga la entrada del circuito amplificador, es decir suponiendo que al no derivar corriente de la malla de entrada (unilateralidad), la tensin Vf es solo dependiente de la corriente de la salida del amplificador (Io ). As entonces, la diferencia de potencial en extremos de R3 , que llamamos V, es : R3 . ( R1 + R2 ) V = -Io . ----------------------R3 + R1 + R2 y en consecuencia: R1 . R3 Vf = - Io . ------------------R1 + R2 + R3 con lo cual - R1 . R3 = ----------------------R1 + R2 + R3 (VII.31.) por lo tanto V R3 I1 = -------------- = - Io . ----------------------R1 + R2 R3 + R1 + R2
Empleando idntico procedimiento a los ya descriptos en las topologas antes estudiadas podr hallarse el circuito amplificador bsico sin realimentar, cargado con Rs , RL y con la red de realimentacin. Observar que en esta configuracin, para hallar la malla de entrada deber anularse la corriente Io y para encontrar la malla de salida deber anularse la corriente Ii . Resulta de esta manera el circuito equivalente indicado en la figura VII.30. A partir de este circuito determinamos: Io GMs = ------Vs ; Ris = Rs + Ri + [ R1 // ( R2 + R3 )] y Ros = Rd // {Ro + [ R3 // ( R1 + R2 )]} se obtiene:
Luego, volviendo al amplificador realimentado, con: GMs GMsf = -------D y
D = 1 + . GMs Risf = D . Ris
Para hallar la resistencia de salida del sistema realimentado se emplea una metodologa totalmente similar a la puesta en prctica con motivo de su determinacin para los muestreos de tensin. As el circuito de prueba, luego de haber desactivado la entrada y excitado desde la salida con previo retiro de la carga resulta el indicado en la figura VII.31 por lo tanto Vi = - Vf . Adems, dado que I = - Io por En este ultima figura Vf + V i = 0 lo que: Vf Vf 32

= ------- = --------I Io con lo cual Vf = - . I y finalmente Vi = . I
como la red se conecta en serie con la carga, normalmente su resistencia de entrada es muy pequea, por lo que la ecuacin del nodo de salida puede aproximarse a: V I = -------- - Gm . Vi Ro agrupando y sacando factor comn I: I . ( 1 + Gm V . ) = ------Ro y como Rof V = --------I V I = -------- - Gm . . I Ro
la resistencia de salida del amplificador realimentado y sin carga resulta: Rof = Ro . ( 1 + Gm . ) (VII.32.)
La conclusin es que la realimentacin con muestreo de corriente aumenta la resistencia de salida del amplificador, vale decir que hace que ste se parezca ms a una fuente independiente o ideal de corriente. Adems, si deseamos expresar esta caracterstica de la realimentacin en trminos de la resistencia de salida del sistema realimentado, o sea aquella que incluye a la carga, se puede hacer: Rd . Ro . ( 1 + Gm . ) Rd . Ro . ( 1 + Gm . ) Rd . Rof Rosf = --------------- = ----------------------------------------- = --------------------------------------Rd + Rof Rd + Ro . ( 1 + Gm . ) Rd + Ro + Ro . Gm . con lo cual: ( 1 + Gm . ) Rd . Ro Rosf = --------------- . ----------------------------------------Rd + Ro 1 + Gm . [Ro /(Ro + RL )] 33

finalmente, dado que Rd . Ro Ros = --------------Rd + Ro ; Ro GMs = Gm . ------------Rd + Ro (VII.33.) y D = 1 + GMs .
( 1 + Gm . ) Rosf = Ros . --------------------D
Una configuracin muy simple que responde a esta topologa y que ya fuera ampliamente estudiada por la teora tradicional es la que se representa en la figura VII.32. En la figura VII.33. el mismo circuito se ha redibujado con la finalidad de una mejor interpretacin del tipo de realimentacin por individualizacin de ambos cuadripolos y su forma de conexin, tanto a la salida (muestreo de corriente) como a la entrada (mezcla serie). La red de realimentacin en este caso presenta una transferencia que segn su definicin es: Vf = -----Io mientras que en el circuito: Vf = -Io . Re por lo que = - Re
y el amplificador bsico, cargado con la red de realimentacin pasiva se representa en la figura VII.34. por lo que del mismo se desprende que con ro = hoe-1: hie ro y V = Vs . -------------------Io = - gm . V . ------------------Rs + hie + Re ro + RL + Re si como se aproxim ya ro >> ( RL + Re ) y y en consecuencia: - gm . hie GMs = -------------------Rs + hie + Re Ro = ro + Re (VII.34.)
hie Io = - gm . Vs . -------------------Rs + hie + Re
Io Io GMs = -------- = -----Vi Vs y
Ris = Rs + his + Re
As, en el circuito realimentado se tiene: hfe . Re Rs + his + ( 1 + hfe ) . Re - gm . hie D = 1 + . GMs = 1 + ( - Re ) . --------------------- = 1 + -------------------- = ------------------------------------Rs + his + Re Rs + his + Re Rs + his + Re Entonces: - hfe Rs + his + Re GMs 34

GMsf = ------D GMsf = --------------------- . ----------------------------------Rs + his + ( 1 + hfe ) . Re Rs + his + Re GMsf = Io . RL Vo AVsf = -------- = ------------ = GMsf . RL Vs Vs - hfe ----------------------------------Rs + his + ( 1 + hfe ) . Re vale decir: mientras que: - hfe RL AVsf = ----------------------------------Rs + his + ( 1 + hfe ) . Re o sea:
resultado este ltimo, totalmente coincidente con lo obtenido oportunamente con la teora tradicional. Por otra parte: Rs + his + ( 1 + hfe ) . Re Risf = D . Ris = ------------------------------------- . (Rs + his + Re ) = Rs + his + ( 1 + hfe ) . Re R s + his + Re y con Rif = Risf - Rs resulta Rif = hie + ( hfe + 1 ) . Re
resultado este que tambin coincide con el verificado con anterioridad para este circuito. Finalmente en relacin con la resistencia de salida: Rof = Ro . ( 1 + Gm . ) pero Gm = GMs
ya que como puede comprobarse en la ecuacin (VI.34.) GMs no depende de RL, por lo que: Rof = Ro . ( 1 + GMs . ) = Ro . D en consecuencia:
hfe . Re Rs + his + ( 1 + hfe ) . Re Rof = ( ro + Re ) . ------------------------------------- = ( ro + Re ) . ( 1 + --------------------- ) R s + his + Re R s + his + Re y como regularmente ro >> Re hfe . Re Rof = ro . ( 1 + --------------------- ) R s + his + Re resultado al cual tambin hemos llegado por el anlisis tradicional. VII.4.7.- Ejemplo numrico de la realimentacin CORRIENTE - SERIE: Como ejemplo de un sistema amplificador con entrada diferencial en base a un conjunto de transistores tipo CA 3086 y con una realimentacin corriente-serie, consideraremos el circuito que se indica en la figura VII.35. En dicho circuito: T1 = T2 = T3 = T4 integrados en la misma pastilla tipo CA3086, VCC = VEE = 10 V, ICQ3 = 2 mA, Rs = 1,1 KOhm RL = 50 KOhm , RC1-2 = 8,2 KOhm , RC4 = 6,8 KOhm , Re = R1 = 1,2 KOhm , R2 = 12 KOhm
En primer lugar resolveremos las condiciones de funcionamiento esttico:
35
ICQ3 ICQ1 = ICQ2 = -------- = 1 mA 2
VCT1-2 = VCC - ICQ1-2 . RC1-2 = 10 - 1 . 10-3 . 8,2 . 103 = 1,8 V ; VCEq1-2 = VCT1-2 - VET1-2 = 1,8 - (- 0,6) = 2,4 V ; 1,2 V VET4 ICQ4 = ---------- = ----------------- = 1 mA 1200 Ohm Re ; VCEQ4 = VCT4 - VET4 = 3,2 - 1,2 = 2 V
VET1-2 = - VBEu1-2 = - 0,6 V
VET4 = VCT2 - VBEu4 = 1,8 - 0,6 = 1,2 V
VCT4 = VCC - ICQ4 . RC4 = 10 - 1 . 10-3 . 6,8 . 103 = 3,2 V
pudindose constatar que todos los transistores operan en la zona activa y lineal, es decir como amplificadores. Por otra parte surge que para una excitacin Vs positiva, la corriente I en la red de realimentacin y la tensin realimentada Vf, con el sentido asignado tambin son positivas por lo que, al responder el amplificador diferencial a la excitacin de modo diferencial (Vd = Vi = Vs - Vf ) , se deduce que la realimentacin es negativa. Para la red de realimentacin tipo pi utilizada en este amplificador, se vi ya que su transferencia es: - 1,2 . 1,2 . 103 - R1 . Re = --------------------- = ----------------------- = - 100 Ohm 1,2 + 1,2 + 12 R1 + R2 + R3 y para obtener el circuito amplificador bsico, cargado con la red de realimentacin procedemos de modo que: a) la malla de entrada se consigue anulando la seal tomada para el muestreo en la salida (Io = - Ic4 ) ya que como carga debe considerarse aquella resistencia equivalente por donde circula la misma corriente que lo hace por la entrada de la red de realimentacin, es decir Rd = RC4 // RL . Consecuentemente dicha malla de entrada se conforma con el amplificador diferencial en el cual en la base de T1 se tiene una resistencia equivalente Rs resultante de la asociacin: 1,2 . (1,2 + 12) . 103 R1 . ( R2 + Re ) Rs = ----------------------- = -------------------------------- = 1,1 KOhm 1,2 + 1,2 + 12 R1 + R2 + Re como para balancear la malla de entrada dinmica de T2 que en su base tiene conectada una Rs = 1,1 KOhm . 36

6,8 . 50 . 103 Adems calculamos: Rd = RC4 // RL = ----------------------- = 6 KOhm 6,8 + 50 b) para determinar cmo carga la red de realimentacin en la salida del amplificador en la mezcla de tensiones en la entrada, anulamos la corriente Ii , es decir que abrimos el terminal de base de T1. Luego en emisor de T4 se tendr una resistencia total equivalente Re4 que es: Re4 1,2 . (1,2 + 12) . 103 Re . ( R1 + R2 ) = ------------------------- = -------------------------------- = 1,1 KOhm 1,2 + 1,2 + 12 R1 + R2 + R3
En forma esquemtica podemos representar el resultado obtenido en los puntos a y b que preceden, mediante el circuiuto equivalente indicado en la figura VII.36. La continuacin del problema de verificacin requiere la obtencin de la conductancia de transferencia y las resistencias de entrada y de salida de este ltimo circuito. Pero en este circuito auxiliar se puede observar otro lazo de realimentacin, tambin en topologa C-S en el transistor T4 que conforma la etapa de salida y que a diferencia de la anterior, tiene caractersticas localizadas en dicha etapa. Segn este razonamiento diremos que el sistema amplificador que estamos estudiando posee una realimentacin externa (que es la primera en detectarse), desde la etapa de salida hacia la de entrada, y otra realimentacin local en la segunda etapa, interior al lazo precedente y que se detecta en segundo trmino. Es el caso tpico del Nido de Realimentaciones, en este ejemplo una exterior tipo C-S. y la otra interna tambin C-S. A esta ltima debe resolvrsela prioritariamente a fin de cumplimentar el estudio del circuito auxiliar de la figura VII.36. Para dicho fin la realimentacin local en T4 puede ser estudiada mediante el mismo mtodo que estamos desarrollando o si se prefiere, para mayor simplicidad aplicar el mtodo tradicional. Optando por esta ltima alternativa, el circuito auxiliar de la figura VII.36. puede llevarse a un esquema equivalente tal como lo indica el circuito de la figura VII.37. A partir de las hojas de datos del CA3086, y para 1 mA obtenemos: hie = 3,5 KOhm con lo cual en la etapa de salida: Ri4 = hie4 + hfe4 . Re4 = 3500 + 100 . 1100 = 113,5 KOhm 100 . 1,1 hfe4 . Re4 Ro4 = ro4 . ( 1 + --------------------- ) = 64,1 . 103 . ( 1 + ----------------------- ) = 682,6 KOhm 6,8 + 3,5 + 1,1 RC2 + his4 + Re4 AV4 - hfe4 . Rd - 100 . 6 . 103 Vo = --------- = ------------------------- = -------------------------- = - 5,29 hie4 + hfe4 . Re4 113,5 . 103 Vo1 Rd1 8,2 . 113,5 . 103 RC1 . Ri4 = ----------------- = -------------------------- = 7,65 KOhm 8,2 + 113,5 RC1 + Ri4 hfe = 100 hoe = 15,6 A/V
mientras que para la etapa diferencial:
AVd
hfe1 . Rd1 100 . 7,64 . 103 Vo1 = ------- = ------------------------ = ----------------------------- = 83,04 2 . ( hie1 + Rs ) 2 . ( 3,5 + 1,1 ) . 103 Vd Rs + Rs = 2 . 3,5 . 103 + 1,1 . 103 + 1,1 . 103 = 9,2 KOhm AVs = AVd . AV4 = 83,04 . (- 5,29) = - 439,28 37
Rids = 2 . hie1 + luego para las dos etapas:

y la transconductancia ser: Vo 1 Avs -439,28 Io GMs = -------- = --------- . -------- = --------- = ------------ = -73,21 . 10-3 A/V Rd Vd Rd 6 . 103 Vs retornando ahora al amplificador realimentado: D = 1 + . Gms = 1 + 100 . 0,07321 = 8,32 como esta realimentacin es de mezcla serie: Risf = D . Rids = 8,32 . 9,2 . 103 = 76,54 KOhm y y debido al muestreo de corriente: Rof = Ro4 . ( 1 + Gm . ) pero como GMs no depende de Rd Rosf = Rof // Rd Rof = Ro4 . D y como Rd = 6 KOhm en consecuencia: Rosf = 6 KOhm Rif = Risf - Rs = 76,54 . 103 - 1,1 . 103 = 75,44 KOhm -0,07321 GMs GMsf = ---------- = ------------- = - 8,8 . 10-3 A/V D 8,32
Rof = 682,6 . 103 . 8,32 = 5,68 MOhm, luego
En cuanto al anlisis de la sensibilidad de las transferencias de esta topologa, frente a cambios en Rd o en Rs podemos verificar que GMsf es la nica transferencia que practicamente no cambia con respecto a dichas variaciones, en cambio si evaluamos las otras comprobamos que: Io . Rd Vo AVsf = ------ = ----------- = GMsf . Rd = - 8,8 .10-3 . 6 .103 = - 52,8 que como se v, depende de Rd o sea de RL . Vs Vs Io . Risf Io AIsf = ----- = ------------- = GMsf . Risf = - 8,8 . 10-3 . 76,54 .103 = -673,59 que depende de Rs a travs de Risf . Vs Ii Io . Rd . Risf Vo RMsf = ------ = -------------------- = GMsf . Rd . Risf = - 8,8 . 10-3 . 6 . 103 . 76,54 . 103 = - 4,04 MOhm Vs Ii VII.4.8.- Realimentacin con topologa CORRIENTE-PARALELO (C-P): En la figura VII.38. se realiza la representacin grfica del esquema equivalente al que debe ser llevado cualquier circuito amplificador realimentado en base a esta topologa, como se ha venido haciendo hasta aqu, 38

utilizando un modelo apropiado para representar al amplificador bsico. Como en los otros ejemplos se ha utilizado una red de realimentacin tpica. Como qued demostrado precedentemente, para este tipo de muestreo de coriente y la clase de mezcla que esta configuracin incorpora, se tendr: Ris Rof = Ro . ( 1 + Ai . ) y Risf = --------D If en donde ahora: Io D = 1 + AIs . siendo AIs = ---------y = -------Io Ii mientras que en el circuito sin realimentar: Io Ai = AIs con la salida en corto circuito AIs = -------- y Is Veamos como ejemplo el circuito representado en la figura VII.39. Como se puede observar, en la segunda etapa, mediante Re2 se toma una muestra de la corriente en la carga Io y se la inyecta en la entrada de la primera etapa en una conexin paralelo. Se debe verificar si la realimentacin es negativa: Vi2 esta defasada 180 respecto de Vi, mientras que Ve2 est en fase con Vi2, por lo que Ve2 se halla en contrafase con respecto a Vi . Dado que: ( Vi - Ve2 ) If = ---------------R y teniendo en cuenta que Vi << Ve2 - Ve2 If = -------R
por lo que para un Is positivo, o sea Vi positivo (al ser Ve2 negativo) resultar un If tambin positivo y en consecuencia Ii ser efectivamente la diferencia entre Is e If y la realimentacin negativa. Supongamos que en este circuito se tengan los siguientes datos: Rc1 = 3 KOhm ; Rc2 = 0,5 KOhm ; Re2 = 50 Ohm ; R = Rs = 1,2 KOhm ; hfe = 100 y queremos verificar su transferencia as como sus resistencias de entrada y de salida. En primer trmino, la determinacin de la transferencia de la red de realimentacin la efectivizamos considerando que en el circuito Vi << Ve2 , a tal punto que si suponemos Vi = 0 se tiene: - If . R = If . Re2 - Io . Re2 por lo que reemplazando valores: o sea If . ( Re2 + R ) = Io . Re2 50 = ----------------- = 0,04 50 + 1200 Re2 con lo cual = ------------Re2 + R y hie = 1 KOhm
Mas tarde anulando Io determinamos la malla de entrada del circuito amplificador bsico sin realimentar y posteriormente anulando Vi tambin hallamos su malla de salida, resultando el circuito equivalente que se aprecia en la figura VII.40. En este circuito se tiene: 1,2 . (1200 + 50) . 103 Rs . ( R + Re2 ) R = ------------------------- = -------------------------------- = 666,7 Ohm 1200 + 1200 + 50 Rs + R + Re2 1,2 . 50 . 103 R . Re2 Re2 = -------------- = ---------------------- = 48 Ohm 1200 + 50 R + Re2
39
Io Ic2 Ib2 Ic1 Ib1 Io AIs = ------- = ------- . ------- . ------- . ------- . ------Ic2 Ib2 Ic1 Ib1 Is Is en donde los cocientes: Ic2 ------- = hfe2 = 100 Ib2 e Ic1 -------- = hfe1 = 100 Ib1
(VII.35.)
con
Io ------- = -1 Ic2
Como puede observarse en el circuito de la figura VII.40., la segunda etapa presenta una realimentacin local tipo C-S ya estudiada por lo que la representaremos mediante su resistencia de entrada que como sabemos es afectada por dicha realimentacin local: Ri2 = hie2 + ( hfe2 + 1 ) . Re2 = 10 + 101 . 48 = 5848 Ohm Luego, el circuito equivalente de la primera etapa con su correspondiente carga (sin realimentacin externa) queda tal como se indica en la figura VII.41., del que extraemos los restantes cocientes: - Rc1 - 3 . 103 Ib2 ------ = -------------- = ------------------------ = - 0,34 Rc1 + Ri2 (3 + 5,848) . 103 Ic1 R 666,7 Ib1 ------ = -------------- = ---------------------- = 0,4 R + hie1 (666,7 + 1000) Is En consecuencia reemplazando en la ecuacin (VII.35.) se obtiene: R - Rc1 AIs = ( - 1 ) hfe2 . ---------------- . hfe1 . -------------- = 100 . 0,34 . 100 . 0,4 = 1360 R + hie1 Rc1 + Ri2 siendo adems: 666,7 . 1000 R . hie1 Ris = --------------- = -------------------- = 400 Ohm 666,7 + 1000 R + hie1 40

Ros = Rc2 = 500 Ohm Finalmente en el circuito realimentado tendremos: D = 1 + AIs . = 1 + 1360 . 0,04 = 55,4
AIs 1360 AIsf = -------- = ----------- = 24,55 D 55,4
prcticamente
1 1 ------- = -------- = 25 0,04
400 Ris Risf = --------- = --------- = 7,2 Ohm D 55,4 mientras que la resistencia de salida del sistema realimentado: Ros . ( 1 + Ai . ) Rosf = --------------------------D y como AIs no depende de Rc2 Rosf = Ros = Rc2 = 500 Ohm
debiendo interpretarse que tal valor es el resultado de una resistencia de salida del amplificador realimentado sin carga tan alta que incluyendo la carga (paralelo) la resistencia de salida del sistema realimentado queda dominada por la resistencia de carga Rc2 .
41
Electrnica Aplicada II
CAPITULO VIII - Amplificadores Operacionales: su utilizacin:

VIII.1. - INTRODUCCIN:
De acuerdo a los conceptos adquiridos en los Captulos precedentes, en general puede afirmarse que un amplificador operacional., en adelante llamado OpAmp. se halla constituido por un conjunto de etapas amplificadoras, generalmente integradas en una misma pastilla, tal que proporciona muy altas ganancia y resistencia de entrada y una muy baja resistencia de salida, disponiendo de una etapa de entrada tipo diferencial que facilita la aplicacin de realimentacin negativa externa. Efectivamente, tal como se estudiara oportunamente al analizar las configuraciones de entrada del OpAmp. tipo 741, normalmente todos los OpAmp. poseen una etapa de entrada en configuracin diferencial, polarizada mediante una fuente de corriente activa que asimismo cuenta con un sistema de carga activa, tal que le proporciona una alta Relacin de Rechazo de Modo Comn, permitiendo disponerse del par de terminales de entrada. Le sigue luego una etapa del tipo separadora acoplada a alguna configuracin apropiada para conseguir la alta ganancia recin mencionada, terminando todo el conjunto con una etapa de salida que le permite proporcionar una seal de potencia relativamente elevada y una resistencia de salida baja. Esquemticamente se lo suele representar mediante el smbolo indicado en la figura VIII.1. All pueden observarse los dos terminales de entrada: el llamado INVERSOR (a veces denotado con INV con - ) y el NO INVERSOR ( + ) , as como el terminal de salida que proporciona la tensin de salida Vo con referencia de masa. En dicha figura, A es la llamada ganancia a lazo abierto del operacional o simplemente ganancia (de tensin diferencial) del operacional. Las tensiones de seal que se apliquen al terminal de entrada NO INVERSOR son amplificadas sin modificacin alguna de su componente de fase: la ganancia A resulta positiva o no inversora. En cambio las tensiones de seal aplicadas al terminal INVERSOR son amplificadas y proporcionadas a la salida con una ganancia (A) negativa, vale decir que se les introduce una componente de fase de 180 (Ganancia negativa o Inversora) En la figura VIII.2. se observa un cuadripolo equivalente que se puede asociar con el OpAmp. En dicha figura la tensin de salida a circuito abierto (Vo )o queda representada por: (Vo )o = A . Vi siendo entonces A la ganancia de tensin o simplemente ganancia del OpAmp. con la salida a circuito abierto (RL = infinito) o bien para una carga RL no inferior a un cierto valor mnimo (por lo menos diez veces mayor que Ro ) y que se reconoce por la denominacin de Ganancia a Lazo Abierto (Open Loop Gain), siendo Vi la tensin diferencial de entrada.
Rid es la Resistencia de Entrada del OpAmp. y queda definida por la resistencia de entrada diferencial de la etapa de entrada, mientras que Ro es la resistencia de salida del OpAmp. 47
Electrnica Aplicada II Un OpAmp. ideal debera poseer las siguientes caractersticas: A = Infinito Rid = Infinito Ro = 0
adems de una serie de requisitos en el comportamiento general que iremos viendo en detalle a medida que avancemos en el trabajo. As un OpAmp. que cumpla con dichos requisitos, an en forma relativa, como ocurre en la mayora de los OpAmp. reales, se comportar como un componente sumamente verstil y apto para ser utilizado como amplificador bsico en sistemas realimentados, de modo tal que las caractersticas finales a lazo cerrado sean prcticamente independientes del propio OpAmp. y en cambio nicamente dependientes de la red de realimentacin externa utilizada. Luego, variando dichas redes de realimentacin se puede considerar al dispositivo resultante como un elemento capaz de desempear innumerables funciones. A los efectos de comprobar el grado de cumplimiento relativo de tales requisitos pueden considerarse los datos que al respecto se suministren para diferentes OpAmp., centrando la atencin sobre los citados tres parmetros dinmicos. Se observar entonces que tal como ocurre en el tipo 741, la ganancia A es del orden de 105 ms, tpicamente Rid resulta del orden del MOhm y normalmente Ro se encuentra por debajo de los 100 Ohm. As, en el esquema de la figura VIII.1. se tiene: Vo Vi = -------A
por lo que siendo Vo distinto de cero, al ser A muy grande (idealmente infinito), resultar Vi despreciable (idealmente cero). Es decir Vi prcticamente cero.
Por otra parte, en la entrada del circuito equivalente de la figura VIII.2. la corriente de entrada Ii resultar: Vi Ii = --------Rid
y dado que en esta ecuacin Vi es aproximadamente cero y Rid muy grande (idealmente infinito), se tendr que por ambas razones Ii = 0 (prcticamente sin error con respecto al caso ideal).
En resumen, dadas las caractersticas dinmicas de operacin, en un OpAmp. siempre se tendr: Vi = 0 e Ii = 0
VIII.2.- AMPLIFICADOR OPERACIONAL NO INVERSOR: Una de las aplicaciones bsicas del OpAmp. en la electrnica lineal consiste en su utilizacin en un circuito tal como el indicado en la figura VIII.3. En la figura VIII.4. puede observarse el mismo circuito amplificador en donde se ha reemplazado el smbolo del OpAmp. por el modelo circuital presentado en la figura VIII.2. Puede comprobarse que la topologa de realimentacin de este circuito es del tipo TENSION-SERIE y en consecuencia la transferencia de la red de realimentacin es: Vf R2 = ------- = --------------R1 + R2 Vo
(VIII.1.)
En la malla de entrada del circuito de la figura VIII.4. la ecuacin de las tensiones es: Vs - Ii . Rs - Vi - Vf = 0 y si consideramos las caractersticas ideales del OpAmp. (Vi = 0 e Ii = 0 ) la ecuacin se reduce a: Vo Vo 1 R1 Vs = Vf por lo que la ganancia de tensin a lazo cerrado quedar AVsfT = ----- = ------ = ----- = 1 + -----Vf R2 Vs
(VIII.2.)
48
cuyo resultado es una GANANCIA NO INVERSORA y fijada nicamente por la relacin entre las resistencias R1 y R2 constitutivas de la red de realimentacin. Si estudiamos este mismo circuito con los conceptos de la teora de realimentacin, tal como lo hemos visto a lo largo del Captulo precedente, a partir del circuito de la figura VIII.4. pasaramos a un circuito auxiliar derivado de aquel en donde la realimentacin sea nula. Tal circuito puede observarse en la figura VIII.5 y a partir de l consideramos que siendo: RL = RL // (R1 + R2 ) y R = Rs + ( R1 // R2 )
la ganancia de tensin, resistencia de entrada y resistencia de salida sern: Vo RL Rid AVs = ------ = - A . -------------- . ------------Vs RL + Ro Rid + R 1 1 AVs = - A . --------------- . --------------Ro R 1 + ------1 + ------RL Rid
o bien
(VIII.3.)
Ris = R + Rid = Rs + ( R1 // R2 ) + Rid
Ros = Ro // RL = Ro // RL // (R1 + R2 )
y tal como dicha teora lo establece, con dado por la ecuacin (VIII.1.): D = 1 + . AVs AVs AVsf = --------D Ros Rosf = --------D
(VIII.4.)
Risf = D . Ris
AVsf
Particularmente, en relacin con la ecuacin (VIII.4.) precedente, la misma tambin puede expresarse como: 1 1 Avs = ------------------- = --------------- = ---------------------------y considerando la ecuacin (VIII.2.) 1 1 1 + . AVs ------ + ( 1 + ------------ ) AVs . Avs
AVsf = AVsfT
1 1 ---------------------------en donde hemos interpretado que ------- = AVsfT (T de terica) 1 ( 1 + ------------ ) . AVs y considerando que el trmino 1 AVsfT (VIII.5.) ------------- = (Error de la ganancia AVsf = -------------.
49
Electrnica Aplicada II . AVs 1 +
si en un caso prctico se cumple que RL >> Ro y adems que R << Rid como normalmente ocurre en la mayora de los amplificadores operacionales de aplicaciones mltiples, se tendr 1 AVs = A Ris = Rid Ros = Ro con lo que = ----------(VIII.6.) A . En cuanto al error hagamos un ejemplo de interpretacin: Supongamos tener un amplificador realizado con el OpAmp tipo 741 con un lazo de realimentacin tal que Avsf = 10. A una frecuencia de 1 KHz en la que A = 1000, el error indicar la medida en que la transferencia a lazo cerrado que consideramos solo funcin de , en realidad depende del OpAmp.: 1 R1 10 AVsf = AVsfT = ------- = 1 + ------ = 10 por lo que de a acuerdo a (VIII.6.): = --------- = 0,01 = 1 % 1000 R2
asimismo
Risf = D . Ris = D . Rid
1 D = 1 + . AVs = 1 + ------- = 1 + 100 = 101 y en consecuencia Ros Ro 75 = 101 . 2 . 106 = 202 MOhm y Rosf = -------- = -------- = -------- = 0,75 Ohm D D 101
Con relacin al valor de Risf = 202 MOhm para este orden de magnitud debe analizarse la influencia de la Resistencia de Entrada de Modo Comn Ric . Aunque el fabricante no especifique directamente esta Ric, la misma se puede estimar considerando las especificaciones de A y de C.M.R.R. y teniendo en cuenta que circuitalmente Ric = 2 . hfe . Ro3 . Tal estimacin arroja un valor similar al calculado para Risf . Su presencia en el circuito estudiado nos llevara a considerar el esquema equivalente que se muestra en la figura VIII.6. en donde se observa a Ric conectada entre cada una de las entradas del OpAmp. y masa. Con respecto a la Ric del terminal INV, dado que R2 << Ric y R2 << (D . Rid ) su presencia no trasciende, de modo que prcticamente el circuito de entrada de esta configuracin se reduce al indicado en la figura VIII.7. La resistencia de entrada que ve el generador de excitacin exterior, que llamamos Rent resultar: Rent = Ric // (D . Rid ) comprobndose que si bien Risf es alta, al ser Ric del mismo orden de (D . Rid) la misma queda limitada por la resistencia de entrada para el modo comn. No obstante ello es posible utilizar Rs altas sin afectar la transferencia de tensin ya determinada. Otro aspecto muy interesante para tener en cuenta es la comprobacin de que la corriente de salida del OpAmp. pueda ser sostenida por el mismo en atencin a la carga a la cual se ve sometido. En tal sentido y a los efectos de realizar una comprobacin numrica, en el circuito de la figura VIII.6. supondremos que RL = 3 KOhm , 50
Electrnica Aplicada II R1 = 10 KOhm y R2 = 1 Kohm. y que el Operacional se alimenta con una tensin VCC = VEE = 10 V. En el nodo de salida del OpAmp se tendr: Vo Vo 10 V 10 V Io = I1 + IL = -------------- + -------- = ------------ + ----------- = 4 mA R1 + R2 RL 11000 3000 En algunas notas de aplicacin del 741 puede comprobarse que la corriente de salida se encuentra vinculada con la carga a travs de una funcin similar a la que se representa en la figura VIII.8. En la misma se observa que la corriente aumenta linealmente hasta unos 10 15 mA y luego tiende a un valor fijo comprendido entre unos 20 y 22 mA debido al sistema de proteccin contra cortocircuitos del propio OpAmp. por lo que
comparando los valores resultantes se deduce que en esta aplicacin no existirn inconvenientes en la operacin lineal. VIII.2.1.- Amplificador Operacional Seguidor: Un caso particular de la configuracin recin estudiada lo constituye el OpAmp. Seguidor, cuyo nombre deriva de configuraciones monoetapas discretas que cumplen similares funciones. En este caso el circuito responde al indicado en la figura VIII.9. Recorriendo la malla de entrada de este circuito, que cierra a masa a travs de la carga RL , se puede plantear la ecuacin de la 2da. ley de Kirchoff: Vs - Ii . Rs - Vi - Ii . R - Vo = 0 si consideramos las condiciones de idealizacin del OpAmp.: Ii = 0 Vo AVsf = ------Vs y Vi = 0 por lo que Vs - Vo = 0
y dado que
como segn lo anterior
Vo = Vs
AVsfT = 1
el resultado es una ganancia de tensin unitaria y con componente de fase nula vale decir una Ganancia Seguidora. Analizado el circuito en base a las caractersticas del OpAmp. No Inversor, en esta aplicacin se tendr: 1 R1 ------ = 1 + ------ = 1 51 ( = 1)
R1 = R = Rs
R2 = infinito
por lo que
AVsfT = 1
Electrnica Aplicada II R2
si bien dicho resultado es independiente del valor de R1 , R1 = R segn veremos ms adelante es conveniente que tenga igual valor a Rs de modo que ambas entradas queden balanceadas y se reduzca la influencia de las corrientes de base de polarizacin de la etapa diferencial de entrada del OpAmp.. VIII.3.- AMPLIFICADOR OPERACIONAL INVERSOR: Se trata ahora de otra de las aplicaciones bsicas del OpAmp. en la electrnica lineal, y consiste en su utilizacin en un circuito tal como el indicado en la figura VIII.10. La fuente de excitacin de tensin se conecta sobre la entrada inversora y la red de realimentacin se conecta entre la salida y el mismo terminal de entrada inversor, mientras que el terminal no inversor se refiere a masa, sea directamente o bien a travs de otro resistor. En un estudio en donde se consideren las caractersticas ideales de operacin del OpAmp., la componente dinmica de la tensin del nodo de mezcla o nodo A resulta ser: VAT = Vi = 0 por lo que dicho nodo A se comporta dinmicamente como si estuviera vinculado con masa, motivo por el cual se lo describe como una TIERRA VIRTUAL. Cabe agregar asimismo, que mas tarde agregaremos un resistor en serie con el terminal no inversor y an as, dado que la corriente Ii = 0 , al no registrarse diferencia de potencial en el mismo, dicho nodo A continuar comportndose como Tierra Virtual. Como una consecuencia de ello la corriente I en Rs es la misma que la corriente If en R comprobndose que la inversin de fase asociada a dicho terminal de excitacin, posibilita una If positiva y por lo tanto una realimentacin negativa. Ambas corrientes pueden determinarse como: Vs - VAT I = -------------Rs VAT - Vo If = -------------R Vs I = -------Rs - Vo If = -------R Vo -R AVsfT = ------- = -------Vs Rs
y como VAT = 0
resulta
y como VAT = 0
resulta
y dado que, como ya se dijo:
I = If
resulta:
-Vo Vs ------- = ------R Rs
por lo que:
(VIII.7.)
cuyo resultado ahora es una GANANCIA INVERSORA y nuevamente fijada con exclusividad por la relacin entre las resistencias Rs y R conectadas sobre el terminal inversor. Estudiando el problema mediante la teora de realimentacin puede comprobarse que la topologa de realimentacin de este circuito es del tipo TENSION-PARALELO y en consecuencia la transferencia de la red de realimentacin que en este caso denominaremos y que fue ampliamente justificada en este trabajo es: -1 = ------R En la figura VIII.11. puede observarse el circuito amplificador bsico sin realimentar pero cargado con la red de realimentacin, tanto a la entrada como a la salida. y en donde se ha reemplazado el smbolo del OpAmp.
52
por el modelo circuital presentado en la figura VIII.2. Asimismo, en dicho circuito puede observarse que, dada la topologa identificada, la fuente de excitacin exterior se ha adecuado al mtodo por lo que: Vs IN = -------Rs Como es de prctica, a partir de este circuito auxiliar determinamos: Vi Ris = ------ = Rs // R // Rid IN Vo RMs = --------IN
Ros = Ro // R // RL
y respecto a esta ltima con RL' = R // RL : Vo Vo Vi RL 1 1 RMs = ------ = -------- . -------- = - A . -------------- . Ris = - A . --------------- . -------------------------IN Vi IN RL + Ro Ro 1 1 1 1 + ------------ + ------ + -----RL Rs R Rid por lo que: 1 1 1 D = 1 + . RMs = 1 + ------ . A . --------------- . -------------------------R Ro 1 1 1 1 + ------------ + ------ + -----RL Rs R Rid Rs R2 y recordando que = ------------ = -----------Rs + R R1 + R2
1 1 D = 1 + A . --------------- . -----------------------Rs + R R Ro 1 + ------------------ + -----RL Rs Rid
1 1 D = 1 + A . . --------------- . --------------Ro Rs 1 + ------1 + -----RL Rid Si se comparan los resultados obtenidos para la configuracin no inversora con la diferencia de retorno que corresponde este OpAmp. inversor, se puede constatar que: . RMs = . Avs (VIII.8.) 53
Electrnica Aplicada II y si adems se considera el mismo caso prctico en que RL >> Ro 1 D = 1 + A . = 1 + y Rid >> Rs se tiene que tambin aqu:
e igualmente: AVsf
RMs 1 1 RMsfT RMsf = -------------------- = ------- . -------------------- = ------------ 1 1 + 1 + . RMs 1 + -------------RMs . AVsfT = -------------1 +
El circuito realimentado, considerndolo excitado con la fuente de excitacin equivalente de Northon se aprecia en la figura VIII.12. y en el mismo: Ris Rs Risf = ------prcticamente igual que Risf = ------D D y esta puede ser interpretada como el paralelo entre Risf = Rs // Rif tal como se definen y sealan en dicha figura. Luego la resistencia de entrada a lazo cerrado, definida sobre el terminal inversor, que hemos llamado Rif se puede determinar realizando la operacin inversa: Risf . Rs Rif = -------------Rs - Risf luego transportando este resultado al circuito original de la figura VIII.10. arrojar una resistencia de entrada, vista por el generador de tensin que resulta: Rent = Rs + Rif y como Rif es normalmente muy pequea, el resultado es que la resistencia de entrada a lazo cerrado que ve el generador ideal de tensin es slo Rs cosa que es totalmente lgica si recordamos que la propiedad del terminal inversor de esta configuracin es la de comportarse como una tierra virtual.
Por otro lado la resistencia de salida en el lazo cerrado resulta: Ros Rosf = ------D Ro Rosf = ------D
prcticamente igual que
54
Electrnica Aplicada II y nuevamente, esta puede ser interpretada como el paralelo entre Rosf = RL // Rof tal como se definen y sealan en la misma figura. Luego la resistencia de salida a lazo cerrado, definida como aquella que ve la carga RL y que hemos llamado Rof se puede determinar realizando la operacin inversa: Rosf . RL Rof = -------------RL - Rosf En esta configuracin la resistencia de entrada de modo comn no influye como ocurra en el anterior caso ya que el terminal no inversor se halla conectado fsicamente a masa, mientras que el terminal de mezcla se comporta como una tierra virtual, de modo que la Ric entre ambos terminales de entrada y masa se hallan cortocircuitadas. Un caso particular de esta configuracin es el circuito operacional Inversor Unitario que se observa en el figura VIII.13. en donde ambos resistores, el que se coloca en el lazo de realimentacin (y que llambamos R) as como aquel ubicado en serie con el terminal inversor de excitacin (y que llambamos Rs ) son idnticos, as AVsf = -1 . VIII.4.- OTRAS APLICACIONES DE LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES: VIII.4.1.- Amplificador Operacional Sumador: En el circuito indicado en la figura VIII.14. si consideramos las condiciones ideales de funcionamiento, en que: Ii = 0 y Vi = 0
y adems que el terminal inversor o de mezcla se comporta como tierra virtual, se tiene: - Vo If = -------R V1 I1 = -------R1 V2 I2 = -------R2
If = I1 + I2
en donde
en consecuencia:
R R Vo = -( ------- ) . V1 - ( ------- ) . V2 R1 R2
(VIII.9.)
En base a este principio, en la figura VIII.15.a. se ha representado un esquema de circuito que permite establecer una transferencia ajustada a la ecuacin de la recta, tal como por ejemplo indica la figura VIII.15.b.
VIII.4.2.- Amplificadores Operacional Diferencial:
55
Electrnica Aplicada II En este caso el circuito de aplicacin se representa en la figura VIII.16. En el mismo debe cumplirse la identidad de componentes resistivos conectados en ambas entradas, es decir que R1 = R1 y que R2 = R2 . Por la presencia de las dos fuentes de excitacin V1 y V2 , se puede anticipar que la salida de este circuito se hallar constituida por dos partes (Vo1 y Vo2 ) de tal manera que al ser: Vo = Vo1 + Vo2 para su obtencin es posible la utilizacin del principio de superposicin: a) en este paso consideramos V2 = 0 y V1 distinto de cero. El circuito original queda transformado en el que se indica en la figura VIII.17, en el cual: VAT = Vi + Ii . ( R1 // R2) = 0 dado que el terminal INV o nodo (A) se comporta como una tierra virtual en razn de que se esta presente ante una configuracin operacional inversora, en cuyo caso la tensin de salida resulta ser: R2 Vo1 = - ( ----- ) . V1 R1
(VIII.10.)
b) Ahora se considerar V1 = 0 y V2 distinto de cero. Para facilitar el anlisis, aplicamos el Teorema de Thevenin en la entrada no inversora, con lo que se obtendr: R2 VT = ( --------------- ) . V2 R1 + R2 R1 . R2 RT = --------------R1 + R2
y el circuito equivalente se representa en la figura VIII.18. En este nuevo circuito, la ecuacin de malla planteada en los terminales de entrada del OpAmp. nos lleva a: Vf + Vi - Ii . RT - VT = 0 y como Vi = 0 e Ii = 0 resulta Vf = VT
es decir equipotencialidad de terminales de entrada y topologa compatible con la estudiada para el OpAmp. no inversor, por lo tanto: R1 + R2 V02 = ( ------------- ) . VT R1 R1 + R2 R2 Vo2 = ------------- . -------------- . V2 R1 R1 + R2 56
o sea
(VIII.11.)
Electrnica Aplicada II y si la hiptesis de simetra se satisface: V02 = R2 ------- . V2 R1
c) Sumando los efectos debido a ambas causas: V0 = R2 ------- . (V2 - V1 ) R1 (VIII.12.)
resultado coherente con el principio de funcionamiento de un amplificador diferencial, al cual se llega nicamente imponiendo la condicin de identidad de los componentes resistivos que conforman el circuito.
Recordemos la importancia de esta propiedad de la configuracin diferencial: Si excitamos al amplificador con una seal en modo diferencial (entre ambos terminales de entrada de nuestro OpAmp. diferencial), ya que el ruido se comporta como un modo comn (con respecto a masa tiene la misma intensidad en ambos puntos de excitacin), a la salida se obtiene la seal diferencial amplificada segn la ecuacin (VIII.12.) con un rechazo al ruido tericamente infinito. Otra razn ms que determina la ventaja de emplear este tipo de configuracin como entapa de entrada o primera etapa de una cadena amplificadora de bajo nivel. Volviendo a la topologa bajo anlisis, la misma posee la desventaja de requerir una gran exactitud de los componentes resistivos de igual subndice, de no ser as, la ganancia de modo comn toma valores apreciables y dependientes de dicha dispersin de componentes resistivos. Su valor puede obtenerse de considerar que V1 = V2 = Vc por lo que el tercer paso del principio de superposicin en este caso arroja: R2 R2 R1 + R2 V0 = Vc . ( ------------- . -------------- - ------- ) R1 + R2 R1 R1
(VIII.13.)
Esto significa que si se desea modificar la ganancia diferencial el circuito presenta el inconveniente de que para ello se requiere siempre modificar el valor de dos resistencias para mantener bajo el modo comn. Asimismo si consideramos las resistencias de entrada que se le presentan a los generadores de V1 y V2 (resistencias de entrada de modo comn) las mismas son diferentes, ya que si consideramos la resistencia que ve el generador V1 la misma es R1 , mientras que la que ve V2 es (R1 + R2 ). El circuito de la figura VIII.19. presenta una alternativa para la realizacin de un circuito OpAmp. diferencial. En l se emplea una configuracin sumadora a la cual en una de las entradas se ha agregado un inversor unitario. Su simplicidad se consigue en base a la utilizacin de dos amplificadores operacionales y la optimizacin del rechazo al modo comn igualmente requiere igualdad de resistencias entre los componentes resistivos con subndice unitario. La ganancia aqu puede ser modificada variando nicamente R2 y en este caso el circuito 57
Electrnica Aplicada II presenta a ambos generadores la misma resistencia de entrada, de valor R1 y por lo tanto puede ser baja y afectada por la dispersin. Ya aceptando la utilizacin de dos amplificadores operacionales tambin puede realizarse un OpAmp. diferencial en base al circuito indicado en la figura VIII.20. el cual responde a tal principio de funcionamiento siempre que se cumplan las condiciones que pasamos a describir seguidamente: a) En la primera etapa el OpAmp. A1 opera en la configuracin no inversora, de modo que: R2 V01 = ( 1 + ------ ) . V1 R1 Vo1 - V I1 = --------------R3
(VIII.14.)
y la corriente por R3 es:
b) En la segunda etapa conformada por el OpAmp. A2 se tiene: V - Vo I2 = ----------------R4
y considerando al operacional ideal, dado que
Ii = 0
I1 = I2
V = V2
Vo1 - V V - Vo ----------- = ------------R4 R3
por lo tanto
V2 . R3 - Vo . R3 = Vo1 . R4 - V2 . R4
luego reemplazando Vo1 por la ecuacin (VIII.14.) , sacando factor comn y despejando: R3 + R4 R1 + R2 R4 R4 R4 R2 . R4 Vo = V2 -------------- - V1 ------------- . ------ = V2 . ( 1 + ------ ) - V1 . ( ----- + ------------- ) R3 R1 R3 R3 R3 R1 . R3 que corresponde a la transferencia de un restador de alta resistencia de entrada (entrada no inversora). Si en el mismo adems se hace cumplir que la relacin entre los componentes R1 y R2 sea la misma que la relacin entre los R3 y R4 , es decir: R2 R3 ------- = -------R1 R4 R4 Vo = ( 1 + -------- ) . ( V2 - V1 ) R3
entonces se tiene que:
58
Electrnica Aplicada II El circuito resta y amplifica y su resistencia de entrada resulta idntica para ambas entradas, compatible con la que presenta una configuracin no inversora, es decir alta y limitada nicamente por la resistencia de entrada de modo comn del operacional, tal como se viera al estudiar dicho configuracin. Una caracterstica similar pero ya utilizando tres amplificadores operacionales, se consigue con el circuito indicado en la figura VIII.21. en donde los dos OpAmp. de entrada, en disposicin seguidora se emplean como separadores (BUFFERS) y presentan la misma alta resistencia de entrada, mientras que el OpAmp. de salida es el restador con ganancia (Ry / Rx ). VIII.4.3.- Amplificadores de Instrumentacin: El amplificador diferencial de la figura VIII.16., diseado en base a un solo OpAmp., mostraba claras desventajas no permisibles para muchas aplicaciones. Se pudo observar posteriormente que mediante el empleo de dos o tres amplificadores operacionales se pueden ir optimizando alguna de las caractersticas que resulten de inters. El ltimo circuito que se representa en la figura VIII.21. emplea tres amplificadores operacionales y su comportamiento es satisfactorio, especialmente en lo que al rechazo de modo comn se refiere, cuando al integrarse en la misma pastilla, todos los componentes conectados a la entrada inversora de la etapa de salida son idnticos a los conectados a su terminal no inversor. Precisamente, utilizando tres amplificadores operacionales se puede realizar el circuito de la figura VIII.22., constituido tambin en este caso por dos etapas, la primera de ellas formada por el par de OpAmp. A1 y A2 y la segunda etapa formada por el OpAmp. A3 , este ltimo trabajando en la configuracin diferencial ya analizada. El par A1 y A2 constituye una etapa con entrada y salida diferencial. Si A1 y A2 se analizan separadamente, se reconocen a sendos amplificadores no inversores con resistencias de realimentacin R1 y RG para A1 y R1 y la misma RG para A2 respectivamente, con la particularidad de que RG no se encuentra conectada a masa. En este caso RG es compartida tanto por A1 como por A2 y en lugar de conectarse a tierra lo hace al operacional opuesto.
Atento la equipotencialidad de los terminales de entrada inherente al principio de funcionamiento de la configuracin no inversora, que puede describirse tambin como cortocircuito virtual de los terminales de entrada de A1 y de A2, para la tensin de entrada de modo comn V1 = V2 = Vc , no fluye corriente por RG y por el contrario, las seales diferenciales Vd aplicadas entre los terminales no inversores de A1 y A2, por igual cortocircuito virtual, dan lugar a una corriente I en RG , la cual dado que Ii = 0 debe cerrarse a travs del circuito formado por R1 y R1 .de modo tal que ello nos permite analizar el circuito equivalente para la seal diferencial, tal como se indica en la figura VIII.23. 59
Electrnica Aplicada II En consecuencia: Vd I = -----RG
Vod = I . ( RG + R1 + R1 )
por lo que reemplazando e imponiendo R1 = R1
Vod =
Vd ( RG + 2 . R1 ) . ------RG
con lo que la ganancia diferencial con salida diferencial de la etapa de entrada resulta ser : 2 . R1 Vod ------- = ( 1 + ----------- ) = AVdd RG Vd finalmente y dado que la ganancia del conjunto es el producto de las ganancias de cada etapa, se tiene: R3 2 . R1 AV = ( 1 + ----------- ) . ------R2 RG
(VIII.15.)
Las ventajas que se consiguen con este circuito son varias; la primera se deriva del hecho de que la salida diferencial de la primera etapa se encuentra exenta de modo comn independientemente de los desapareamientos de R1 y R1 . Ello sumado al hecho de que tal primera etapa contribuye con la ganancia AVdd hace posible la obtencin de un muy alto rechazo al ruido en modo comn. Por la misma razn tampoco tienen influencia las tensiones residuales o de OFFSET de los OpAmp. de la primera etapa que como veremos mas adelante en general producen apartamientos indeseables en el comportamiento de la mayora de los amplificadores con operacionales. Asimismo, si ambos OpAmp. que conforman la etapa de entrada se encuentran apareados y afectados por los mismos cambios trmicos tampoco afectan las derivas trmicas de los parmetros residuales (Thermal Drift) de los mismos ya que tales derivas trmicas se manifiestan como una seal de modo comn y es rechazada por la segunda etapa. Esto disminuye las exigencias de derivas trmicas de A1 y de A2 siempre que los mismos se encuentren integrados en la misma pastilla. Por otra parte la Ganancia AV puede hacerse grande pudindose modificar variando un solo componente: el resistor RG como resultado tambin de una AVdd grande, de modo tal que los errores estticos y derivas trmicas de la segunda etapa comparados con la seal a la entrada de la misma, son despreciables, disminuyendo el nivel de exigencias tambin para el OpAmp. de la segunda etapa. Por dichos motivos este tipo de amplificadores son ampliamente utilizados y son conocidos como amplificadores de instrumentacin. Un ejemplo concreto se aprecia en la Nota de Aplicacin de P.M.I., tal como se representa en la figura VIII.24. en donde de los tres amplificadores operacionales, dos de ellos OP-10 producidos por la firma P.M.I. estn integrados en el mismo chip, con caractersticas apareadas lo que permite obtener: Rid = 500 MOhm y si (R6 / R4 ) = ( R7 / R5 ) , una ganancia de tensin de AV = 100. C.M.R.R. > 120 dB
sin embargo otros amplificadores operacionales puede ser posible aplicar para conformar dicho circuito de bajo Offset y Deriva Trmica, tales como los AD504 o AD510 de Analog Device, o bien los LM308 de National Semiconductor o bien el 725 de fuentes varias, la nica condicin es que los dos que conforman la etapa de entrada se encuentren integrados en el mismo chip. La configuracin presenta tan buen comportamiento que al estado actual de la tecnologa puede inferirse que el amplificador de instrumentacin pasara a constituirse como un nuevo componente destinado a reemplazar al OpAmp. con ventajas. Burr Brown a lanzado al mercado el amplificador de instrumentacin tipo INA101, de 60
Electrnica Aplicada II muy alta precisin y cuya configuracin es la clsica, formada por tres amplificadores operacionales, cuyo esquema simplificado se ilustra en la figura VIII.25.
La mencionada configuracin se caracteriza tcnicamente porque todas las resistencias de pelcula delgada y amplificadores operacionales estn integrados en un nico sustrato monoltico, con excepcin del resistor RG que se deja a eleccin del usuario con el objetivo de que el mismo pueda fijar la ganancia del amplificador. Se emplean los ltimos adelantos tecnolgicos para minimizar la tensin de entrada de Offset as como su deriva con la temperatura. Igualmente se optimiza la C.M.R.R. y la exactitud de la ganancia en un amplio rango de temperaturas. La ganancia puede ajustarse entre 1 y 1000 veces mediante la expresin: 40 KOhm AV = 1 + ---------------RG Estos amplificadores de instrumentacin se utilizan entre otros campos, para amplificar seales provenientes de trasductores tales como termopares, shunts de corriente, sondas biolgicas, etc. En la figura VIII.26. se ilustra la aplicacin como amplificador de electrocardigrafo, en donde el nivel de la seal de entrada es tan solo del orden del milivolt pico a pico, mientras que por seleccin de la resistencia por medio de la caja de resistores por pasos puede obtenerse a la salida tensiones del orden del volt con un alto rechazo del ruido. Al igual que los amplificadores operacionales estn diseados para trabajar fundamentalmente en un bloque de ganancia a lazo cerrado y la diferencia con aquellos es que los necesarios circuitos de realimentacin estn incorporados dentro del mismo chip amplificador, requirindose nicamente ajustar una resistencia exterior que controla el valor de la ganancia (RG ) sin afectar otras caractersticas del dispositivo. VIII.4.4.- Amplificador de Ganancia Controlada: En este caso el circuito amplificador operacional se ajusta el circuito indicado en la figura VIII.27. y en el cual debe tenerse presente que el factor q puede variar entre 0 y 1 . Por ese motivo estudiaremos el
61
comportamiento del circuito frente al caso de los dos valores extremos de q: a) En primer lugar analizaremos el caso en que q = 1 , de modo tal que la configuracin resultante en este caso se indica en la figura VIII.28. Se trata de una configuracin inversora en donde el terminal inversor se comporta como una tierra virtual por lo que todo pasa como si el resistor conectado entre dicho terminal y masa, es decir [R / (n-1)], no estuviera presente en el circuito. La transferencia en este caso resulta: Vo R ----- = ----------Ve (R / n )
o sea:
Vo = - n . Ve
b) La figura VIII.29. representa el circuito correspondiente a la condicin q = 0 y dado que en el mismo Vi = 0, resulta que V1 = V2 , por lo que I1 = 0 y la diferencia de potencial en el resistor ( R / n ) resulta nula. As se 62
Electrnica Aplicada II puede interpretar a dicho resistor como un circuito abierto. Se trata ahora de una configuracin no inversora de modo que: Vo R ----- = 1 + --------------Ve [R / (n - 1)]
o sea:
Vo = n . Ve
Pudindose extrapolar diciendo que para posiciones intermedias de q, entre cero y uno la ganancia de tensin variar entre ambos lmites es decir entre n y -n. Otra variante que a diferencia del circuito anterior, contribuye a minimizar los errores estticos, se representa en la figura VIII.30. En dicho circuito se cumple que: Vo . R2 R2 < R con lo cual I >> I2 y Vo = --------------R1 + R2
Por otra parte Vs - Vi Vs I1 = --------------- = -----Rs Rs la igualdad I1 = I2 nos permite plantear: Vs as como: - Vo I2 = -------R y dado que Ii = 0
Vo ------ = ------Rs R
o bien:
R Vo = - V . -------Rs
con lo que reemplazando Vo Vo R R1 ------ = - ------ . ( 1 + -------- ) Vs Rs R2 Se observa entonces que variando la relacin (R1 / R2) se puede modificar la ganancia. Una aplicacin de esta topologa se observa en amplificadores con control automtico de ganancia, en donde R2 se reemplaza por la resistencia de canal de un transistor efecto de campo que, como sabemos, en cierto rango puede ser controlada mediante la tensin de compuerta. La figura VIII.31. muestra un circuito tpico de esta aplicacin. VIII.4.5.- Amplificador Tipo Puente: 63
Electrnica Aplicada II Esta conofiguracin se representa en la Figura VIII.32. y se utiliza frecuentemente cuando es preciso obtener potencias relativamente grandes a partir de fuentes de alimentacin con tensiones de valor limitado (autoradios por ejemplo). En dicho circuito, si los resistores RD y RC satisfacen la igualdad de resistencias, es decir RD = RC la tensin de salida resultar: RB Vo = -2 . Vs . ------RA VIII.4.6.- Circuito Operacional Limitador: En este caso el circuito se representa en la Figura VIII.33. La tensin de salida del mismo debe ser el fiel reflejo de la de entrada hasta que sta exceda un lmite predeterminado, fijado por la tensin de referencia o de codo de los diodos Zener conectados en la rama paralelo a R2 . Antes de alcanzar dicho valor de limitacin, la tensin de salida resulta: R2 Vo = -Vs . ------R1
Cuando se alcanza el referido nivel de limitacin se cumple que: VZ + Vu = R2 VL . ------R1
por lo tanto la tensin de excitacin a partir de la cual el circuito comienza a limitar es: -R1 VL = (VZ + Vu ) . ------R2 La Figura VIII.34. representa este efecto de limitacin para el caso de una excitacin del tipo triangular y de amplitud suficiente. VIII.4.7.- Circuito Operacional Separador de Polaridad: En el procesamiento de seales de televisin es muy comn la necesidad de rescatar una seal de sincronismo que se encuentra superpuesta por otro conjunto de seales tiles de T.V. y en donde la diferencia se establece por la difererente polaridad que presentan ambos tipos de seales. Para tal fin puede utilizarse un circuito en base a un amplificador operacional tal como el indicado en la Figura VIII.35. 64
En dicho circuito, para una excitacin Vs positiva el diodo D1 permanece abierto y la tensin de salida Vo1 resulta nula, mientras que bajo la misma condicin y ya que el diodo D2 queda polarizado directamente, Vo2 viene expresada por: -R3 Vo2 = Vs . ------R1 En cambio mientras que la tensin de excitacin Vs sea negativa, las condiciones de polaridacin de los diodos se invierten y as D2 queda abierto mientras que D1 queda en cortocircuito, por lo que para esa condicin, la tensin de salida Vo2 es ahora nula mientras que por el otro terminal de salida: -R2 Vo1 = Vs . ------R1 La Figura VIII.36. presenta grficamente los resultados precedentemente obtenidos para el caso en que la excitacin presente formas de seal diferentes segn la polaridad que se considere en la misma. VIII.4.8.- Circuito Operacional Comparador: Se trata de una de las aplicaciones ms simples cuyo objetivo es provocar un cambio abrupto de la seal en el circuito de salida cuando la seal de entrada alcanza un cierto valor predeterminado. Un ejemplo de este tipo de circuitos, que se presenta solo con fines descriptivos y en el cual se han agregado los elementos de ensayo en las entradas del OpAmp. Puede observarse en la Figura VIII.37. All la finalidad del Diodo Emisor de Luz (LED) tiene por objeto la visualizacin de que en el proceso de comparacin se ha alcanzado la igualdad en las tensiones de las dos entradas. Efectivamente, en dicho circuito si V1 = V2 a la salida del OpAmp. La tensin Vo = 0, el transistor se encuentra en operacin al corte y el diodo LED apagado. Un pequeo desequilibrio en la entrada, en el sentido de que la tensin bajo anlisis, es decir V1 resulte inferior a V2 ( V1 < V2 ), arroja como resultado un Vo < 0 que
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polariza inversamente a la unin B-E del transistor NPN que de esta forma contina cortado, con su tensin VBE inversa limitada por el diodo de proteccin D. En cambio , cuando V1 > V2 se hace Vo > 0, el transistor conduce y el diodo LED se enciende. La corriente en el diodo queda limitada por un lado mediante el resistor R que establece un limite para la corriente de base y los valores de Vcc y R1 que limitaran la corriente en el diodo cuando el transistor se satura. Si en cambio la necesidad fuera la de identificar los cruces por cero de la seal de excitacin, o bien la comparacin contra el nivel cero, el circuito apropiado se indica en la Figura VIII.38. mientras que en la Figura VIII.39.a) se ha representado el comportamiento del circuito, es decir su respuesta en trminos de tensin de salida para una excitacin determinada, tomada como ejemplo. Se puede constatar que cada vez que la excitacin toma el valor cero se produce un cambio de estado en la tensin de salida, entre el valor de la tensin de codo del diodo Zener (VR ) y cero.
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Electrnica Aplicada II Para comparar contra un valor diferente a cero, se debe realizar una ligera modificacin circuital, resultando la configuracin indicada en la Figura VIII.40. en la que puede observarse el agregado del circuito VREF - R1 que impone una pre-polarizacin directa en el diodo Zener, de modo que ahora la respuesta en trminos de la tensin de salida puede observarse en la Figura VIII.39.b). En ambos circuitos mientras el diodo Zener conduce polarizado en forma directa se considera que el mismo presenta una resistencia nula en el lazo de realimentacin, de modo que para este intervalo la tensin de salida resulta: -R = 0 Vo = Vs . ---------- = 0 Rs En el circuito de la Figura VIII.40.: Vs I1 = -------Rs VREF I2 = -------R1 Vs VREF ID = I1 + I2 = -------- + -------Rs R1
y como
cuando el diodo Zener queda polarizado en forma inversa y previo a que se registre su operacin en la regin de ruptura, la corriente ID = 0 y se produce un cambio abrupto en la tensin de salida. El nivel de la tensin de excitacin a la que dicho cambio tiene lugar puede obtenerse operando con la ecuacin de ID , as: VREF Vs -------- + -------- = 0 Rs R1 Rs Vs = - ------- . VREF R1
ID =
por lo tanto
Durante dicho intervalo el diodo Zener presenta una alta resistencia (R infinito en el lazo de realimentacin) y la tensin de salida aumenta rapidamente hasta alcanzar el nivel de la tensin de ruptura o de zener del diodo, manteniendo dicho valor hasta que nuevamente el referido diodo quede polarizado en forma directa.
VIII.5.- ERRORES ESTATICOS EN LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES: En el presente trabajo se analiz ya el comportamiento dinmico de las dos configuraciones bsicas de los OpAmp. que corresponden a las aplicaciones en la electrnica lineal y en bajas frecuencias. Se defini al OpAmp. Ideal y en base a l se obtuvieron importantes conclusiones respecto del comportamiento de los terminales de entrada de ambas configuraciones: equipotencialidad en el Amplificador Operacional No Inversor y Tierra Virtual en el terminal inversor del Amplificador Opereracional Inversor. Paralelamente se evaluaron las transferencias tericas o ideales (AVfT ) tanto para una como para la otra configuracin para luego definir los errores que se cometan al considerar a dichas transferencias en los circuitos reales, definindose a aquellos como Errores Dinmicos ( debido a AOL distinto de infinito, Rid distinto de infinito y Ro distinto de cero). Ahora vamos a reexaminar algunas de las caractersticas estticas de funcionamiento de los OpAmp. pero en este caso no con el objetivo de cuantificar condiciones de reposo en sus elementos constitutivos, como lo hiciramos con anterioridad, sino con la finalidad de considerar ciertos apartamientos que se registran en el funcionamiento esttico de un OpAmp. real con respecto al caso ideal, que dan lugar a la existencia de lo que en los prrafos precedentes hemos llamado Tensiones y Corrientes Residuales (Offsets), cuya influencia estudiaremos bajo el ttulo Errores Estticos. La interpretacin de lo dicho precedentemente puede realizarse con ayuda de la experiencia que se representa en la Figura VIII.41. en la cual a un OpAmp. real convenientemente alimentado y sin otro circuito exterior se le colocan en corto circuito el par de terminales de entrada, refirindolos al potencial de masa. Ante dicha situacin y de acuerdo con los estudios realizados hasta el presente, la tensin de salida esperable debe ser nula, es decir Vo = 0 . Sin embargo en la realidad se puede constatar que a la salida de cualquier OpAmp. en esas condiciones aparece un cierto valor de tensin de salida, que por tal motivo es denominada Tensin Residual de Salida VRo lo 67
Electrnica Aplicada II cual significa que desde el punto de vista esttico (no hay seal aplicada) el comportamiento del OpAmp. se aparta del comportamiento ideal. A esta Tensin Residual de Salida (VRo ) tambin se la reconoce como VOFFSET o literalmente, en idioma ingls como OFFSET VOLTAGE OUTPUT. VIII.5.1.- Orgenes de los Parmetros Residuales: Resulta bastante razonable pensar que el origen de tal tensin residual de salida se deba al conjunto de asimetras que se registren en las ramas de la etapa diferencial de entrada de todo OpAmp. y sin seal aplicada, las cuales, a pesar de ser integradas en la misma pastilla semiconductora, presentan desbalances asociados con la dispersin en la tecnologa del componente semiconductor. Dado que su origen se deba al comportamiento sin seal, a estas componentes residuales se las asocia con un apartamiento del funcionamiento esttico del amplificador, motivo por el cuan se las estudia como ERRORES ESTATICOS del OpAmp..
En su momento cuando se estudiaba a la etapa diferencial, en primer lugar se admiti una exacta simetra de ramas y hasta pudo considerarse que una asimetra en un circuito amplificador diferencial con componentes discretos poda ser atenuada o anulada mediante el ajuste de preset colocado en la unin de los emisores de ambas ramas del diferencial. Por otra parte, ahora, de acuerdo con lo visto en las aplicaciones de los OpAmp., tanto el Inversor como el No Inversor poseen conectadas en las entradas del amplificador diferencial, resistencias tales que sus equivalentes entre cada terminal de entrada y masa pueden ser diferentes, por lo que ello constituye una nueva fuente de asimetra. Para tener en cuenta los efectos de tales asimetras consideremos el circuito genrico que se presenta en la figura VIII.42. considerando como tensin residual de salida a la diferencia: VRo = IC1 . RC1 - IC2 . RC2 Recorriendo las dos mallas de entrada simultneamente puede expresarse: IB1 . RB1 + VBE1 + IC1 . Re1 - IB2 . RB2 - VBE2 - IC2 . Re2 = 0 68 (VIII.16.)
Electrnica Aplicada II en donde Re1 y Re2 representaran la aplicacin al menos parcial (resistores fijos integrados) del mecanismo de control de balance, habindose ya estudiado la influencia de las mismas sobre la resistencia de entrada y sobre la transconductancia diferencial de la etapa. Introducindose la ganancia hFE , la misma ecuacin puede escribirse como: RB1 RB2 IC1 . ( Re1 + -------- ) = (VBE2 - VBE1 ) + IC2 . ( Re2 + -------- ) hFE1 hFE2 a partir de la cual puede obtenerse: hFE1 . (VBE2 - VBE1 ) hFE1 RB2 + hFE2 . Re2 IC1 = ------------------------------- + IC2 . -------- . -----------------------RB1 + hFE1 . Re1 hFE2 RB1 + hFE1 . Re1
(VIII.17.)
correspondiendo aclarar que por tratarse de Silicio y de componentes integrados, todos con igual temperatura, no se ha tomado en consideracin a las corrientes ICBo. VIII.5.1.1.- Tensin Residual de Entrada (Input Offset Voltage): En la expresin (VIII.17.) se puede observar que si ambas ramas son perfectamente simtricas ( VBE1 = VBE2 ; hFE1 = hFE2 ; RB1 = RB2 y Re1 = Re2 ) se obtendr IC1 = IC2 . En cambio, si solo consideramos que hay una diferencia entre las tensiones base-emisor de umbral de los transistores, de tal manera que llamamos VR = VBE2 - VBE1 la diferencia entre las corrientes de cada rama ser: hFE . (VBE2 - VBE1 ) hFE . VR ------------------------------ = -----------------------RB + hFE . Re RB + hFE . Re (VIII.18.)
IC1 - IC2 =
notndose que an siendo fija, la presencia de Re hace disminuir la diferencia. Si ahora adems consideramos simtricas a las resistencias del circuito de colector (RC1 = RC2 ), la tensin residual de salida resultar: hFE . VR VRo = RC . ( IC1 - IC2 ) = ----------------------- . RC (VIII.19.) RB + hFE . Re VR definido segn la expresin (VIII.18.) en este caso representa el origen de esta tensin Residual de salida y por producirse en los terminales de entrada del OpAmp. es usual describirla como la TENSIN RESIDUAL DE ENTRADA (Input Offset Voltage), tratndose de un parmetro residual que normalmente es especificado por los fabricantes de los OpAmp. adquiriendo valores tpicos ubicados en el orden del milivolt hasta decenas de milivolt. Si bien todos los parmetros subindizados de la ecuacin (VIII.17.) que resulten asimtricos estaran contribuyendo al valor final de la tensin residual de salida, toda vez que los componentes RB1 y RB2 son variables en funcin de la aplicacin particular del usuario, los fabricantes prevn su influencia en la tensin residual total de salida especificndolos por separado, constituyendo la asimetra en las diferencias de potencial generadas en sus extremos una segunda fuente u origen de la tensin residual total de salida.. Efectivamente, si se tuviera: RB1 . IB1 = RB2 . IB2
no se registrara tal asimetra y no habra contribucin en la tensin residual de salida por parte de estos componentes. Pero en la prctica se estima siempre una desigualdad entre ambos trminos, desigualdad que puede producirse por dos causas, a saber:
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Electrnica Aplicada II VIII.5.1.2.- Corriente de Polarizacin (Current Bias): Si RB1 y RB2 son diferentes ya que as lo ha establecido el usuario del OpAmp., corrientes de base de los transistores diferenciales idnticas producirn sobre stas una tensin residual diferencial a la entrada que originar una nueva contribucin a la tensin residual de salida. Para esta eventualidad el fabricante proporciona el dato de la mayor corriente de base de polarizacin de las ramas diferenciales constituyndose en la especificacin de la Corriente de Polarizacin IB (Current Bias) que por convencin se define como: IB1 + IB2 IB = -----------------2
(VIII.20.)
es decir que se interpreta como el promedio entre las corrientes de base de la primera etapa diferencial del amplificador operacional y su presencia produce en la entrada del mismo una tensin residual diferencial IB . (RB1 - RB2 ). Los valores tpicos que se pueden recoger en los manuales de diferentes OpAmp. Oscilas en las centenas de nA. VIII.5.1.3.- Corriente Residual de Entrada (Input Offset Current): Cuando el usuario decide trabajar al OpAmp. Con ambas entradas balanceadas, es decir con RB = RB1 = RB2 la nica asimetra en los valores de las diferencias de potencial sobre ellas la produce una diferencia entre los valores de las corrientes de base de polarizacin de la etapa diferencial de entrada del OpAmp., diferencia sta que recibe el nombre de Corriente Residual de Entrada (Input Offset Current) y esta dada por IR = IB2 - IB1 que tambin es especificada por los fabricantes de los OpAmp. tomando valores tpicos del mismo orden que la corriente de polarizacin, aunque para un mismo OpAmp. resulta inferior a sta. VIII.5.2.- Efectos de la Realimentacin negativa sobre la magnitud de los Parmetros Residuales: En la Figura VIII.42. se ha considerado que en la etapa de entrada del OpAmp. tiene lugar el efecto de la realimentacin negativa tipo corriente serie representado, para una mayor simplicidad, por la presencia de los resistores de emisor Re1 y Re2 y que tal como se viera en el Captulo V en el caso del 741 se introduce mediante componentes activos (transistores T3 y T4 ). A continuacin y a travs de un ejemplo numrico evaluaremos la tensin residual de salida debido a un desbalance entre las tensiones de umbral de las junturas base-emisor de ambas ramas sin y con la presencia de dicha realimentacin. Para tal fin consideraremos, a ttulo de ejemplo que los datos de la primera etapa diferencial del OpAmp. son: hFE1 = hFE2 = 240 ; RB1 = RB2 = 100 Ohm ; RC1 = RC2 = 1 KOhm ; y se registra un VR = VBE2 - VBE1 = 1 mV. a) Si consideramos que Re1 = Re2 = 0 aplicando la ecuacin (VIII.19.) La tensin residual total de salida resulta: hFE . VR 240 . 1 . 10-3 VRo = RC . ( IC1 - IC2 ) = ----------------------- . RC = --------------------- . 1000 = 2,4 V RB + hFE . Re 100 + 0 b) En cambio si consideramos que Re1 = Re2 = Re = 50 Ohm en la misma ecuacin se tendr: 240 . 1 . 10-3 hFE . VR VRo = RC . ( IC1 - IC2 ) = ----------------------- . RC = --------------------- . 1000 = 0,020 V RB + hFE . Re 100 + 240 . 50 notndose que al incluir la realimentacin negativa se desensibiliza la etapa respecto a la influencia de las variaciones de las VBEu pudindose demostrar lo propio si se consideran los dems factores de desequilibrio de las ramas.
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Electrnica Aplicada II El desbalance considerado como Tensin Residual de Entrada puede ser interpretada como una tensin de dicha magnitud pero de polaridad opuesta que debe ser aplicada a la entrada del OpAmp. a fin de anular la Tensin Residual de Salida precedentemente calculada. VIII.5.3.- Influencia de la Tensin Residual de Entrada en el comportamiento a lazo cerrado: Para las configuraciones Amplificador Operacional Inversor y Amplificador Operacional No Inversor puede considerarse la influencia de la tensin Residual de Entrada interpretndola como un generador de error aplicado a la entrada de un OpAmp. Ideal incluido en un lazo de realimentacin, tal como se indica en la Figura VIII.43, circuito en el cual se considera nula a la seal de excitacin exterior. Se comprueba que siendo nula la seal de excitacin exterior el mismo circuito de la Figura VIII.43. es representativo de ambas configuraciones amplificadoras con operacional, es decir la Inversora y la No Inversora. El amplificador operacional de dicho circuito es ideal desde todo punto de vista ya que en este apartado se estudia la influencia a lazo cerrado de la Tensin Residual de Entrada (VR ) solamente por lo que toda otra fuente de apartamiento se considera nula y atento a que el generador de tensin VR conectado fuera del OpAmp. esta representado tal apartamiento del amplificador operacional real respecto del ideal.
Debemos recordar que en ambas configuraciones amplificadoras con operacional (la Inversora y la No Inversora) ambos terminales de entrada se comportan equipotencialmente y en la Inversora adems este igual potencial es nulo por lo cual decimos que en dicho amplificador el terminal Inversor se comporta como una "Tierra Virtual". En el circuito bajo anlisis ahora, dado que no hay seal aplicada, independientemente del tipo de amplificador de que se trate, el terminal inversor se comporta como una Tierra Virtual. Adems, dado que Rid es infinito, Ii = 0 y por ello la corriente por Rs y por R es la misma (I). Luego, con ayuda de los circuitos equivalentes de las Figuras VIII.44.a) y b) se deduce lo siguiente: VR I = -------Rs VRo - VR I = ---------------R
De VIII.44.a)
(VIII.21.)
y de VIII.44.b)
(VIII.22.)
con lo que igualando las expresiones (VIII.21.) y (VIII.22.) se tiene: VRo - VR VR -------- = ---------------Rs + R 1 VR . ------------ = VRo . -----71 VR VRo = --------
(VIII.23.)
Electrnica Aplicada II Rs R Rs . R R
en donde al trmino se le ha dado la interpretacin que describe la expresin (VIII.1.) para el caso de la configuracin operacional no inversora y su equivalencia descripta en la demostracin de la expresin (VIII.8.) para el amplificador operacional inversor. Queda demostrado entonces que tanto para el Amplificador Operacional Inversor como para el Amplificador Operacional No Inversor, la Tensin Residual de Entrada se refleja sobre la salida amplificada por la transferencia (1/) que por dicho motivo es con frecuencia llamada Ganancia del Ruido (denominacin en la que se interpreta a la tensin residual de entrada como un ruido presente a la entrada del amplificador operacional). VIII.5.4.- Influencia de la Corriente de Polarizacin (I B ): Tal como se estudi precedentemente en la primera etapa diferencial de cualquier OpAmp. se tendrn corrientes en las bases, tales que por las asimetras propias de los semiconductores integrados, en general sern diferentes, es decir IB1 e IB2 y tanto mayores cuanto mayor corriente imponga la fuente de corriente de polarizacin y cuanto menor sea la ganancia del par de transistores de dicha etapa de entrada. Asimismo se defini a la Corriente de Polarizacin del OpAmp. como al promedio entre dichas dos corrientes de base de la etapa diferencial de entrada. Ahora y nuevamente para analizar la influencia de este apartamiento del OpAmp. real respecto del ideal, en el comportamiento a lazo cerrado tanto para las configuraciones Inversora como para la No Inversora, nuevamente procederemos a idealizar a dicho OpAmp. desde todo punto de vista, salvo por la presencia de las corrientes de polarizacin a las que consideraremos a travs de sendos generadores de corriente de Error que conectaremos en ambas entradas del OpAmp. procediendo a considerar a ste como un elemento Ideal. Dicho circuito equivalente de anlisis incluido en la red de realimentacin correspondiente y con la anulacin de la seal de excitacin exterior se representa en la Figura VIII.45. En dicho circuito la tensin V'Ro es la nueva tensin de error a la salida del amplificador a lazo cerrado y generada nicamente por la presencia de los generadores de corriente de polarizacin de ambas entradas y cuya relacin se pretende encontrar. Para tal fin y admitiendo la existencia de estas corrientes de polarizacin, en el nodo de mezcla de entrada se podrn definir sendas corrientes I4 en R e I3 en Rs , de modo que: I4 = I3 + IB1 La corriente en Rs , es decir I3 desarrollar en dicha resistencia una diferencia de potencial de valor V1 = I3 . Rs que se encuentra aplicada a la entrada del operacional, de modo que V'Ro = A . V1 con lo que puede interpretarse que dicha diferencia de potencial es: V'Ro V1 = -------A pero si se considera que A tiende a infinito, para un V'Ro no nulo resulta una diferencia de potencial V1 = 0 por lo que tambin I3 = 0. En consecuencia se tendr: V'Ro - V1 V'Ro I4 = IB1 = --------------- = --------R R
y finalmente
V'Ro = IB . R
(VIII.24.)
Se deduce entonces que existe una segunda componente de la tensin residual a la salida de un OpAmp. operando a lazo cerrado (ahora llamada V'Ro) que se debe a la circulacin de la Corriente de Polarizacin IB a travs de R. Esta tensin V'Ro puede ser reflejada a la entrada del lazo cerrado, dando como resultado una tensin residual equivalente de entrada que llamaremos V'R y que se puede obtener haciendo: V'Ro 72
Electrnica Aplicada II V'R = -------AVf
-R tal que para el caso del Op.Amp. inversor, al ser AVf = ------ y por lo tanto V'R = IB . Rs (VIII.25.) Rs R mientras que para el Op.Amp. no inversor, atento a que su AVf = 1 + ------ , la ecuacin (VIII.25.) Rs tambin representa la tensin residual equivalente a la entrada del lazo cerrado debida a la corriente de polarizacin siempre que en su aplicacin se trabaje con R >> Rs quedando invalidada para el caso del amplificador seguidor operacional. VIII.5.5.- Compensacin para reducir influencia de la IB - Influencia de la corriente residual de entrada IR: Este mtodo de compensacin consiste en el agregado, en el restante terminal de entrada del OpAmp. de una resistencia que llamaremos R's (en el terminal NO INV.) tal como se observa en el circuito de la Figura VIII.46. Adems de las corrientes y tensiones que se sealaron en el circuito anterior (Figura VIII.45.) ahora la diferencia de potencial V2 es producida por la corriente IB2 sobre la R's , o sea: V2 = - IB2 . R's en consecuencia, a la entrada del OpAmp. se tendr: Vi = V1 - V2 e igual que antes: V''Ro Vi = -------A
y si volvemos a considerar que para un A tendiendo a infinito, an con V''Ro no nulo debe corresponder un Vi = 0 y V1 = V2 con lo que: R's I3 . Rs = - IB2 . R's por lo que I3 = - ------- . IB2 (VIII.26.) Rs Por otra parte: V''Ro - V1 V''Ro V1 V''Ro Rs I4 = --------------- = -------- - ------- = ------- - I3 . -----R R R R R
en consecuencia:
V''Ro 73
Rs
V''Ro
Rs
Electrnica Aplicada II IB1 = -------- - I3 . ------ - I3 = -------- - I3 . ( 1 + ------ ) R R R R luego reemplazando I3 por la ecuacin (VIII.26.): V''Ro R's Rs V''Ro 1 1 IB1 = -------- + IB2 . ------- ( 1 + ------ ) = -------- + IB2 . R's . ( ------- + ------- ) R Rs R R Rs R Si la resistencia del resistor agregado en la entrada NO INV se hace igual a la resistencia total equivalente conectada en la otra entrada (la INV), es decir: 1 1 1 ( ------ + ------- ) = ------Rs R R's por lo que despejando se obtiene: V''Ro = ( IB1 - IB2 ) . R o bien, referida a la entrada del lazo cerrado: VIII.5.6.- Tensin Residual Total de Salida: Si nos situamos bajo las peores condiciones en que ambas componentes de tensin de error a la salida de un amplificador operacional a lazo cerrado se suman la Tensin Residual Total de Salida que puede presentarse, dependiendo de que sus entradas tengan o no las resistencias balanceadas, resulta ser: sin R's : VR VRot = VRo + V'Ro = ------- + IB . R con R's = R // Rs : VR VRot = VRo + V''Ro = ------- + IR . R (VIII.30.) (VIII.29.) o sea V''Ro = IR . R (VIII.28.) (VIII.27.) V''Ro IB1 = --------- + IB2 R IB1 = I4 - I3 o sea
la anterior ecuacin se reduce a
V''R = IR . Rs
siendo ambas expresiones totalmente vlidas tanto para la configuracin amplificadora operacional inversora como para la no inversora y para referir dichas componentes de error residual total a la entrada del lazo cerrado bastar dividir a VRot por la transferencia de la configuracin de que se trate, es decir: VRot VRit = -------AVf
(VIII.31.)
VIII.5.7.- Equilibrio de la Tensin Residual de Salida: Las expresiones (VIII.29.) o (VIII.30.) representan el apartamiento en el comportamiento esttico de un amplificador operacional real a lazo cerrado expresado como una tensin de error presente a la salida del sistema amplificador. Dependiendo del tipo de aplicacin de que se trate dicha presencia puede constituirse en un serio inconveniente, por ejemplo: a) si se utiliza al OpAmp. a lazo cerrado como amplificador de continua, el nivel de la informacin a amplificar debe arrojar como consecuencia un nivel de salida mucho mayor que el valor de tal VRot como para que tal error sea tolerable;
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Electrnica Aplicada II b) la utilizacin del OpAmp. como comparador de dos seales aplicadas a sus entradas INVERSORA Y NO INVERSORA requieren una tensin de salida nula cuando las dos seales de entrada sean iguales (v1 = v2 ) en magnitud y fase por lo que habr que verificar si VRot puede ser resistida bajo esta condicin de operacin o si por el contrario generan una banda de indeterminacin para la deteccin de la misma, tal que la hacen inaplicable. c) la existencia de VRot da lugar a la modificacin del valor de la componente de continua de cualquier seal presente a la salida del amplificador operacional a lazo cerrado y consecuentemente puede llegar a producir distorsiones por recortes al excederse del rango dinmico de excursin en su tratamiento posterior. Las situaciones descriptas requieren una mayor atencin cuando en los circuitos se debe trabajar con altos valores de resistencia conectadas a los terminales de entrada del OpAmp. ya que all toman mucha importancia las componentes residuales debido a la corriente de polarizacin o a la corriente residual de entrada. Previendo que ante tales situaciones los errores tolerados por el dispositivo ensayado sean inferiores a los resultantes ERRORES ESTTICOS ya descriptos, normalmente los fabricantes de los OpAmp. Proveen de un mtodo relativamente sencillo de anular o por lo menos reducir a la Tensin Residual Total de Salida. Efectivamente, la mayora de los OpAmp. disponen de dos o ms terminales que permiten la conexin de un circuito, dispositivo o componente de balance o equilibrio que el mismo fabricante especifica. Tal es el caso del Amplificador Operacional tipo 741 ampliamente analizado en este trabajo para el cual el fabricante recomienda la utilizacin de un "preset" o potencimetro de 10 KOhm conectado entre los terminales 1 y 5, que como puede verse en el circuito de la Figura V.11. corresponden a los emisores de los transistores T5 y T6 con funciones de carga activa de la primera etapa o etapa diferencial de entrada de dicho OpAmp., con su punto medio o derivacin central volcada sobre la tensin de alimentacin ms negativa con la que se lo alimente. Es decir que mediante este componente se fuerza una asimetra exteriormente al integrado con el objeto de compensar o equilibrar una asimetra interna o derivada de su aplicacin. Usualmente la recomendacin del fabricante es que con la intervencin de dicho preset es posible anular la VRot siempre que la tensin residual total equivalente, referida a la entrada del lazo cerrado no exceda de un determinado valor que en este caso es de 15 mV (VRit < 15 mV). Si bien es sumamente conveniente lograr la anulacin del error residual de salida y por lo tanto antes de conectar dicho preset comprobar que VRit entre dentro del rango de anulacin, no quiere decir que si eso no se cumplimenta el mtodo no sea efectivo, lo que es probable en esos casos es que solo se logre disminuir pero no anular dicho error residual de salida. VIII.6.- INFLUENCIA DE LAS VARIACIONES DE LA TENSIN DE ALIMENTACIN: Si bien se coment ya que en general los circuitos de polarizacin de los amplificadores operacionales contienen elementos o configuraciones circuitales que tienden a independizarse de las variaciones de la tensin de alimentacin dentro de ciertos lmites (fuente de corriente Widlar por ejemplo) ello no se consigue en su totalidad por lo que se debe verificar ahora una nueva componente de error derivado de las variaciones, ya sea por mala estabilizacin o por mala regulacin, de las tensiones de alimentacin tanto la positiva como la negativa. Para cuantificar este nuevo error los fabricantes de OpAmp. especifican una nueva relacin de rechazo, denominada Relacin de Rechazo de la Fuente de Alimentacin, caracterizada por las abreviaturas de las mismas palabras en Ingles P.S.R.R. o bien S.V.R.R. y que en este trabajo denominaremos ' para una mayor comodidad. Su definicin se deriva del esquema de ensayo que se muestra en la Figura VIII.47. en donde para tal fin se considera un OpAmp. idealizado desde todo otro punto de vista salvo por su caracterstica dependiente de las variaciones de la fuente de alimentacin al que adems de alimentarlo con una fuente de tensin (VCC + VCC ) le colocamos en corto circuito sus terminales de entrada Tal como se representa en la Figura VIII.47.a). debido a la existencia de dicha variacin VCC aparece en la salida una nueva componente de tensin de error V'Ro . Posteriormente, en la Figura VIII.47.b) se idealiza al OpAmp. desde todo punto de vista inclusive su caracterstica dependiente de las variaciones VCC y se incluye en uno de los terminales de entrada un nuevo generador de error VR o sea interpretado como una Variacin de la Tensin Residual de Entrada tal que produce en la salida la misma tensin de error que se presenta en la Figura VIII.47.a). As entonces para V'Ro constante, por definicin ' es: 75
Electrnica Aplicada II VR ' = -------VCC VR sera el necesario incremento de la tensin residual de entrada, tal que sin variacin de fuente ( VCC = 0) produce la misma tensin residual de salida que caus la VCC en el paso previo. En consecuencia el dato que provee el fabricante como P.S.R.R. = S.V.R.R. = ' permite que cualquier variacin de fuente, ya sea la positiva o la negativa, o ambas simultneamente, afectadas por esta relacin de rechazo sean tratadas como una tensin residual de entrada VR para luego evaluar su influencia en el comportamiento a lazo cerrado de acuerdo con la expresin VIII.23., es decir: VR = ' . VCC VR VRo = ------ VCC VRo = -------- . '
o sea
(VIII.32.)
Si bien como se dijo precedentemente esta nueva componente de apartamiento o tensin de error a la salida expresada por la ecuacin (VIII.32.) y que es aplicable a cualquiera de las dos configuraciones amplificadoras del OpAmp. tiene un origen similar a los que hemos llamado errores estticos originados por la tensin residual de entrada, la corriente de polarizacin o la corriente residual de entrada, la diferencia es que mientras que los anteriores son compensables mediante algn mtodo de balance, la influencia de las variaciones de la fuente de alimentacin son aleatorias y por lo tanto no controlables por parte del usuario y consecuentemente no compensables.
VIII.7.- INFLUENCIA DEL MODO COMN DE ENTRADA: El Modo Comn presente a la entrada de un OpAmp. se constituye en otra fuente de error o apartamiento en la tensin a la salida del mismo que, al no ser controlable por parte del usuario ya que depende de la aplicacin, no puede ser compensado. En oportunidad de estudiarse la caracterstica dinmica del comportamiento de un amplificador diferencial fue definido dicho modo de excitacin y analizada la capacidad de un amplificador diferencial real como para impedir que la tensin de salida del mismo contenga una componente dependiente de dicho modo de excitacin, a travs de la definicin de la Ganancia de Tensin de Modo Comn y la Relacin de Rechazo de Modo Comn sintetizadas en las expresiones (IV.9.) y IV.10.).
76
Electrnica Aplicada II Dado que como se ha dicho, el OpAmp. puede ser considerado, en su conjunto y a lazo abierto, como una etapa diferencial, se pueden interpretar cada una de estas variables en relacin a las que se definen en el OpAmp. tal como se interpreta en el circuito de la Figura VIII.48. y atento las especificaciones de = CMRR que proporcionan los fabricantes, en el caso de los OpAmp.: VC Vo = A . ( Vi + ---------- ) CMRR V1 + V2 VC = -----------2
en donde como se recordar:
En consecuencia para evaluar dicha nueva fuente de error se debe analizar la importancia que puede tener la presencia o no de Modo Comn de Entrada y el valor asegurado para la CMRR por parte del fabricante, en cada una de las aplicaciones bsicas del OpAmp. ya sea como amplificador operacional inversor o como amplificador operacional no inversor VIII.7.1.- Caso del Amplificador Operacional Inversor: Esta aplicacin representada en la Figura VIII.10. fue ya estudiada y se dedujo como caracterstica de funcionamiento dinmico que el terminal inversor se comporta como Tierra Virtual, al tiempo que el restante terminal o no inversor se encuentra conectado a masa. Se podra concluir en que la aplicacin, desde su caracterstica de funcionamiento dinmico fuerza a que ambas tensiones de entrada sean nulas, es decir V1 = 0 y V2 = 0. Es por ello que en esta configuracin o aplicacin del OpAmp. el Modo Comn de Entrada resulta nulo independientemente de los valores que adquiera la excitacin externa por lo tanto con independencia de la CMRR del OpAmp. no existe componente de error a la salida debido al Modo Comn de Entrada. An en el caso en que la aplicacin emplee la resistencia de balance R's conectada entre la entrada no inversora y masa, dada la caractersticas dinmicas del OpAmp. que establecen que al ser A = infinito Vi = 0 y simultneamente Rid = infinito dan como resultado Ii = 0 , en dicha resistencia no se registra diferencia de potencial y por ello igualmente se mantiene la inexistencia de modo comn a la entrada. VIII.7.2.- Caso del Amplificador Operacional No Inversor: En la Figura VIII.49. se reproduce la aplicacin para la cual y de acuerdo con los estudios ya realizados se verifica la caracterstica dinmica de equipotencialidad de los terminales de entrada del OpAmp. lo cual significa que ahora V1 = V2 por lo que dado que la misma V2 es la tensin de excitacin exterior se comprueba que en este caso existe modo comn en la entrada y la magnitud del mismo depende exclusivamente de la aplicacin y por ello debe considerarse su influencia en el comportamiento a lazo cerrado. Para tal fin y dado que como se dijo, en esta aplicacin la misma excitacin exterior coincide con la magnitud del Modo Comn de Entrada, tal influencia puede ser considerada a travs del circuito equivalente de la Figura VIII.50. en donde luego de idealizarse al OpAmp. se ha procedido a considerar su limitacin en el rechazo al modo comn de entrada a travs del generador de error conectado en serie con el mismo terminal de entrada.
77
En consecuencia en este esquema de aplicacin, en el terminal de salida adems de la tensin determinada por la ecuacin (VIII.2) aparece a la salida una componente de error debido al Modo Comn de Entrada, de modo que: Rs + R Vs Vo = ------------ . ( Vs + ---------- ) Rs CMRR 1 Vo = AVsfT . ( 1 + ---------- ) Vs CMRR
o sea
por lo que recordando las definiciones del error dinmico y la ecuacin (VIII.5.), para esta aplicacin del OpAmp. se puede interpretar que al error debido al comportamiento dinmico se le agrega una componente debido a la presencia del modo comn de entrada y al hecho de que en un Op.Amp. real su caracterstica de rechazo al modo comn es distinta de infinito por lo que dicha ecuacin pasa a ser: AVsfT AVsfT AVsf = ----------- + ---------------1+ (1 + ) .
(VIII.5'.)
en donde el trmino que se agrega representa la nueva componente de error en la tensin a la salida a lazo cerrado, debido al modo comn de entrada. Ya que el mismo puede ser cuantificado no seria extremadamente inconveniente su presencia si no es por el hecho de que dicho nuevo trmino posee una caracterstica de fuerte alinealidad. La Figura VIII.51. permite la interpretacin de lo dicho al representar la transferencia de este circuito de aplicacin del Op.Amp. para el caso ideal ( infinito) para el caso de semi ideal en el que se considera = constante as como para el caso real. Tal alinealidad se deriva del hecho de que el mismo rechazo al modo comn es dependiente de la magnitud de la tensin de entrada de modo comn. Efectivamente, tal como se considerara en el apartado II.2.4. al estudiarse la mxima excitacin de modo comn, se observ que las condiciones de polarizacin y por lo tanto la resistencia de salida de las fuentes de corriente de polarizacin de las etapas diferenciales de entrada, se modifican en funcin de la magnitud de dicha tensin de entrada de modo comn estableciendo una dependencia entre la relacin de rechazo y dicha excitacin. VIII.8. - DERIVAS TRMICAS DE LOS PARMETROS RESIDUALES: Un factor ms que contribuye a separar las caractersticas de los amplificadores operacionales reales respecto del ideal es la dependencia de su funcionamiento respecto de los cambios que se registren en la temperatura ambiente de trabajo a que se los someta. Tal apartamiento puede ser considerado estudiando y 78
evaluando la influencia de la dependencia de los parmetros residuales con respecto a la temperatura de trabajo cuando sta se aparta de los 25 C que se considera como normales destacndose desde ya la imposibilidad de su compensacin o equilibrio debido, aqui tambin, a la ingobernabilidad de la variable temperatura por parte de los usuarios. En efecto, al ser VR , IB o IR todos funcin de la temperatura y al enfrentarse al usuario ante un cierto cambio trmico o T en la operacin del circuito, aparece una nueva componente de error en la tensin de salida, debida en este caso a las llamadas DERIVAS TERMICAS de los parmetros residuales (THERMAL DRIFT) que por lo dicho anteriormente no puede ser anulado y que en consecuencia resulta necesario, en primer lugar interpretar y luego calcular. VIII.8.1.- Deriva Trmica de la Tensin Residual de Entrada: Tal como se definiera en la expresin (VIII.18.) la tensin residual de entrada es: VR = VBE2 - VBE1 mientras que de acuerdo a la ecuacin del diodo Base-Emisor y segn el estudio llevado a cabo en la Seccin IV.4.3. K.T
VBE = ---------- . ln (IC / Is ) q y al considerarse la influencia de la temperatura en un transistor bipolar en la Seccin I.11.1. se le adjudic a esta tensin de umbral de la juntura base-emisor, un coeficiente trmico k" cuyo valor mximo se estim en -2,5 mV/C. Ello fue as en razm de que: K IC K.T 1 dIs VBE K.T 1 dIs dVBE -------- = ------ . ln (------ ) + --------- . ---- . ------- = ------ + --------- . ------ . -------q Is dT T q Is dT dT q Is
(VIII.33.)
y en tanto la corriente de saturacin inversa Is es funcin del cuadrado de la concentracin de portadores intrnsecos, o sea: -(EG / K.T) ] Is = f ( Ni2 ) = f [ K . T3 . e
79
el producto 1 Is y por lo tanto: 1 Is dIs 1 Ni2 dIs 1 Ni2 Ni2 T 1 Ni2 -(EG /K.T) 1 Ni2 EG 3 T EG K . T2 -(EG /K.T) EG K . T2
----- . ------- = ------- . 3 . K . T2 . e

dT
- ------- . K . T3 . e
. --------
----- . ------- = ------- . 3 . ------- - ------- . Ni2 . -------- =

dT K . T2
------ - --------
con lo que reemplazando en la expresin (VIII.33.):

VBE K.T 3 EG VBE EG 3.K dVBE -------- = ------- + --------- . ( ------ - -------- ) = ------- - -------- + -------T q.T q dT T q T K . T2 (VIII.34.)
finalmente operando con los valores de las constantes fsicas consideradas:

VBE - 1,1 V (0,6 - 1,1) V dVBE -------- = ------------------- - 0,26 (mV/C) = --------------------- - 0,26 (mV/C) = -1,93 mV/C dT T 300 C
mientras que la realidad muestra que su valor puede fluctuar entre este lmite recin calculado y un valor mximo cercano a -2,6 mV/C por lo que es comn en la practica operar con el valor previamente adjudicado a la constante k". Ahora para el caso de la Tensin Residual de Entrada se tendr:
d(VBE1 - VBE2 ) dVBE1 dVBE2 dVR -------- = ------------------- = --------- - --------dT dT dT dT por lo que en esta diferencia se cancelarn los trminos fijos de la ecuacin (VIII.34.) resultando como consecuencia: VBE1 - VBE2 VR dVR -------- = ------------------- = -------dT T T
(VIII.35.)
finalmente considerando nuevamente la ecuacin del diodo base emisor transcripta precedentemente: VBE1 - VBE2 K IC1 dVR -------- = ------------------- = -------- . ln ( ------ ) = CONSTANTE independiente de T dT T q IC2
(VIII.36.)
lo cual significa que si el valor tpico de la tensin residual de entrada es por ejemplo 1 mV, la deriva trmica de dicho parmetro residual a 25 C resulta ser: VR 1 mV dVR -------- = ------- = ------------ = 3,3 V /C dT T 300 C En realidad, la medicin experimental de VR a diferentes temperaturas no arroja una funcin exactamente lineal sino que su representacin tpicamente es como se indica en la Figura VIII.52. por lo que las especificaciones que al respecto suministran los fabricantes, tal como puede comprobarse de la lectura de las hojas de datos del OpAmp. tipo 741, surge de efectuar una evaluacin del tipo: VR [VR1 - VR ] + [ VR2 - VR ] dVR -------- = ------- = --------------------------------------dT T T VIII.8.2.- Deriva Trmica de la Corriente Residual de Entrada: ( V/C)
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Segn hemos visto la corriente residual de entrada es por definicin IR = IB1 - IB2 y su existencia puede deberse a distintas ganancias de corriente en cada uno de los transistores que conforman las ramas de la etapa diferencial de entrada, es decir que: 1 1 IR = IC . ( ------ - ------ ) 2 1 y como la ganancia esttica de corriente para emisor comn es un parmetro que vara con la temperatura, la deriva trmica de esta corriente residual resultar: d 1 d 1 dIR ------- = IC . [ ----- ( ----- ) - ------ ( ----- ) ]
dT o tambin:
dT
dT
dIR 1 d1 1 d2 1 d1 1 d2 ------- = IC . [( ----- ----- ) - ( ------ ----- ) ] = IB1 . ( - ------ . ------- ) + IB2 . ( ------ . ------- )
dT
12
dT
22
dT
dT
dT
Para el caso de los transistores integrados que conforman el amplificador operacional, los coeficientes trmicos de se ha encontrado que son casi iguales y para el caso del silicio oscilan alrededor de los siguientes valores estadsticos: para temperaturas superiores a 25 C:
1 d ( ------ . ------- ) = + 0,005 (1/C)
y para un rango de temperaturas inferiores a 25 C:
dT
1 d ( ------ . ------- ) = - 0,015 (1/C)
dT
que como se observa resulta mayor para temperaturas por debajo de los 25 C que para temperaturas superiores. Finalmente:
dIR 1 d ------- = IR . ( ------ . ------- )
(VIII.37.)
dT
dT
por extensin y de acuerdo al desarrollo precedente puede demostrarse que la deriva trmica de la corriente de polarizacin es tambin:
dIB 1 d ------- = IB . ( ------ . ------- )
(VIII.38.)
dT dT Ambas derivas trmicas suelen ser normalmente especificadas por los fabricantes de amplificadores operacionales. Para el caso del OpAmp. 741 dicha especificacin se indica en forma indirecta ya que pueden observarse los siguientes valores mximos: IB para T hasta 125 C: 500 nA IB para T hasta -55 C: 1500 nA IR para T hasta 125 C: 200 nA IR para T hasta -55 C: 500 nA
VIII.8.3.- Influencia de las Derivas Trmicas en el comportamiento a lazo cerrado: Dada la aplicacin de un determinado OpAmp. con sus correspondientes derivas trmicas, en un cierto rango trmico de trabajo a partir de los 25 C, se podrn determinar los cambios de los parmetros residuales frente a los valores extremos de la temperatura:
dVR VR = -------- . T dIB IB = -------- . T dIR IR = -------- . T
o bien:
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dT dT dT
para luego ser tratados en forma similar o como se tratan las variables residuales absolutas que le dan origen. La gran diferencia que tendrn estas nuevas componentes residuales (de origen trmico) es que al no poderse gobernar los cambios trmicos, a diferencia de aquellas, no existe ningn mtodo para poder compensarlas. Este hecho hace que a veces en ciertos proyectos la variacin trmica en conjunto con las derivas intrnsecas asociadas al OpAmp. utilizado, suelen ser condicionantes del proyecto por sobre otras relaciones de vnculo. A ttulo de ejemplo, consideremos el caso de trabajar con un OpAmp. cuyos datos respecto a las derivas trmicas fuesen: dVR -------- = 10 V/C dT dIB -------- = 1 nA/C dT dIR -------- = 0,2 nA/C dT
y se requiere realizar una configuracin inversora, pudiendo ser compensada (igual resistencia en las dos entradas) o bien sin compensar (resistencia diferente en ambas entradas) de modo que la ganancia de tensin a lazo cerrado ser AVf = -10, con la mayor Resistencia serie con el terminal inversor (Rs) posible, compatible con el menor error a la salida. De acuerdo con la recientemente visto: dVR dIB dVRit --------- = --------- + -------- . Rs dT dT dT
con entradas desbalanceadas. (VIII.37.)
dVR dVRit --------- = --------dT dT
dIR + -------- . Rs dT
con entradas balanceadas. (VIII.38.)
Suponiendo que no hay lmite en el valor de Rs en cuanto a la efectividad del ajuste de balance o anulacin de la tensin residual de salida a 25 C, procedemos a verificar los resultados de las ecuaciones (VIII.37.) y (VIII.38.) precedentes con distintos valores de Rs confeccionando la siguiente tabla:
AVf = -10 Rs (KOhm) 1 10 100 1000 R (KOhm) 10 100 1000 10.000
dVR dT V/C 10 10 10 10
dIB . Rs dT V/C 1 10 100 1000
dIR . Rs dT V/C 0,2 2 20 200
VIII.37. V/C 11 20 110 1010
VIII.38. V/C 10,2 12 30 210
Puede observarse que en este caso de proyecto, las derivas de la Corriente de Polarizacin o de la Corriente Residual de Entrada pueden llegar incluso a limitar el valor mximo del nivel de impedancias de la red de realimentacin Rs y R, sobre todo si el T que se deba considerar es importante.
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CAPITULO IX - Respuesta en Frecuencia de Circuitos Amplificadores:

IX.1. - INTRODUCCIN:
Puede afirmarse en general que cualquier circuito amplificador se comporta dinmicamente segn los estudios realizados en este trabajo, solo en una porcin del espectro de frecuencia, denominado Banda o Ancho de Banda de dicho circuito amplificador. Alguna idea se introdujo al respecto cuando en el Captulo V se mencion el concepto de Producto Ganancia por Ancho de Banda del Amplificador Operacional tipo 741. Efectivamente, si ensayamos cualquier circuito amplificador que utilice acoplamiento a R.C., excitndolo con una seal senoidal de amplitud constante y de frecuencia variable, midiendo para cada frecuencia las amplitudes de las seales de entrada y de salida, se puede obtener lo que se conoce como Curva de Respuesta en Frecuencia si representamos grficamente a los pares de valores (Vo/Vs) y F, tal como se indica en la Figura IX.1.
En la zona de bajas frecuencias, la cada de los valores de la relacin (Vo/Vs) o ganancia de tensin es una consecuencia de la accin de las reactancias capacitivas de acoplamiento y de "by pass". En la zona de frecuencias altas, la cada de dicha ganancia de tensin es una consecuencia de la accin de las reactancias debidas a las capacidades internas o intrnsecas de los dispositivos activos. Puede constatarse que dicha ganancia de tensin se mantiene en los valores que arrojan las ecuaciones obtenidas hasta aqu, slo dentro de la gama de frecuencias comprendidas entre dos particulares valores de frecuencias F1 y F2 . Para definir a estas dos frecuencias se toma una cierta tolerancia o cierto error en el valor constante de la ganancia de tensin precedentemente aludida. Si dicho error tolerado se fija en el valor de ( 0,3 . Vo/Vs), lo cual expresado en unidades logartmicas equivalen a -3 dB , a las frecuencias F1 y F2 se las denomina Frecuencias de Corte del circuito amplificador. Luego segn el orden de magnitud de los valores de estas frecuencias de corte, fundamentalmente de F2 , se puede realizar una nueva clasificacin de los circuitos amplificadores, esta vez de acuerdo con su Ancho de Banda o el tipo de seales a las que esta destinado a amplificar. Por ejemplo podremos hablar de los Amplificadores de Audio Frecuencias cuando el valor de F2 se ubique en alrededor de los 5, 10, 15 20 Khz. y mientras F1 no supere los 100, 200 300 Hz. En cambio en los Amplificadores de Alta Fidelidad de Audio Frecuencias el lmite superior, es decir F2 puede llegar a ser de 200 o 300 Khz. De la misma forma se suele identificar a los Amplificadores de Radio Frecuencia, a los de Videofrecuencias, etc. 83
Electrnica Aplicada II Dado que el Ancho de Banda B se define por B = F2 - F1 y que normalmente F2 >> F1 , se tiene que directamente el Ancho de Banda del Amplificador queda definido por la Frecuencia de Corte Superior o F2 . El objetivo del presente Captulo es el estudio de estos nuevos parmetros y fundamentalmente su relacin con los tipos y valores de los componentes que conforman algunos de los circuitos amplificadores de bajo nivel ms representativos. IX.2.- ESTUDIO DEL COMPORTAMIENTO EN FRECUENCIA DE AMPLIFICADORES MONOETAPA SIN REALIMENTACIN: IX.2.1.- Amplificador Diferencial / Emisor Comn: En la Figura IX.2. se ha representado el circuito equivalente dinmico, para el modo de excitacin diferencial, correspondiente a un amplificador diferencial cargado en su salida en forma diferencial. De acuerdo a los estudios ya realizados aceptamos que en dicho circuito el nodo (A) se comporta como una tierra virtual.
Para la seal diferencial y considerando una simetra perfecta de ambas ramas de dicho amplificador, tal como fuera realizado con anterioridad, dicho circuito amplificador puede ser estudiado por medio de un circuito equivalente conformado por uno solo de los transistores en emisor comn, excitado por la mitad del modo diferencial de entrada y en el que en su salida se obtiene Vod = (Vodd / 2) o bien, tal como la Figura IX.3. lo indica, excitado con Vd y con Vodd en su salida. Comprobamos una vez ms que el amplificador diferencial para la seal diferencial de excitacin y cargado en forma diferencial se comporta de la misma manera como lo hace una etapa emisor comn, motivo por el cual procederemos a realizar a continuacin un estudio que es igualmente aplicable a cualquiera de las dos configuraciones, es decir que ser valido tanto para el amplificador diferencial como para el emisor comn. Con el objetivo de estudiar el comportamiento de dichos amplificadores en altas frecuencias, es decir en aquellas frecuencias para las cuales ya las reactancias de las capacidades de difusin y de almacenamiento, que aparecen en el funcionamiento de las junturas del transistor bipolar, no pueden seguir considerndose infinito como hasta el presente en todos los anlisis dinmicos, procederemos a reemplazar al transistor bipolar por su modelo equivalente vlido para dicha gama de frecuencia. 84
Electrnica Aplicada II Para tal fin empleamos el modelo de Giacoletto al que adaptamos para poder representar a transistores del tipo integrados, como deben ser los que conforman toda configuracin diferencial, que registran un nuevo efecto capacitivo entre el terminal activo del colector y el substrato base sobre el que se realiza el integrado. Dicho modelo equivalente con el agregado de los circuitos de excitacin y de carga dinmica se representa en la Figura IX.4., en donde se puede observar adems que se ha considerado infinito a la resistencia de salida.
Como se recordar, los capacitores Cc y Ce representan respectivamente a los efectos capacitivos del almacenamiento de cargas en la juntura b-c y de difusin de portadores en la base, mientras que el condensador Ccs tiene en cuenta el efectos capacitivo entre colector y substrato que se mencion precedentemente. El resistor rc representa la resistencia del material semiconductor del colector y la de su correspondiente terminal por lo que posee un valor muchas veces similar a la de extensin de base rb . Con la finalidad de relacionar a estos componentes del circuito equivalente de alta frecuencia con otras especificaciones que normalmente proporcionan los fabricantes de semiconductores, reconsideraremos la definicin de la ganancia dinmica de corriente extendindola hacia frecuencias altas por lo que la llamaremos hfe* para diferenciarla con aquella que solo es vlida para bajas frecuencias (1000 Hz) y con la que hemos venido trabajando hasta aqu. En consecuencia, en el circuito equivalente de alta frecuencias del bipolar (Fig. IX.4.), de acuerdo con su definicin: ic hfe* = ------- , medidos con vce = 0 ib y con la aproximacin rc = 0, dicho parmetro nos lleva a considerar el circuito equivalente indicado en la Fig. IX.5. Para establecer la relacin de las corrientes, debemos considerar que la ic es la corriente en el cortocircuito impuesto en la salida del circuito de la Figura IX.5. a efectos de forzar la condicin vce = 0. De modo que en dicho circuito: (IX.1.) Ic = Icc = gm . V mientras que en la parte de entrada, considerando una excitacin del tipo senoidal de frecuencia f, tal que = 2..f , la tensin V resulta: 1 rbe . ------------------j (Ce + Cc) rbe (IX.2.) V = Ib . ------------------------------ = Ib . ---------------------------1 1 + j rbe (Ce + Cc) rbe + -----------------j (Ce + Cc) por lo que reemplazando en (IX.1.) y despejando el cociente que define el hfe* :
85
hfe hfe gm . rbe hfe* = ----------------------------- = ----------------------------- = ----------------1 + j rbe (Ce + Cc) 1 + j rbe (Ce + Cc) 1 + j ------ En la ltima ecuacin (IX.3.), se ha utilizado la definicin hfe = gm . rbe y hemos llamado 1 = ------------------rbe . (Ce + Cc) (IX.4.)
(IX.3.)
y por tratarse del cociente entre un nmero real (hfe ) y uno complejo, cuyo resultado tambin complejo puede ser interpretado segn una notacin polar, consideraremos su mdulo /hfe* / y su fase fe por separado, siendo: hfe /hfe* / = --------------------[1 + ( /)2 ]0,5 (IX.5.) y fe = - arctag ------ (IX.6.)
Si se representa grficamente la ecuacin (IX.5.), es decir graficando el mdulo de la ganancia dinmica de corriente con la salida en cortocircuito del bipolar en alta frecuencia /hfe*/, en funcin de la pulsacin , tal como se observa en la Figura IX.6., a medida que la frecuencia crece por encima del rango de frecuencias medias y bajas, en donde estudibamos al emisor comn y al diferencial en los Captulos II y IV de este trabajo, la ganancia de corriente del transistor disminuye. Particularmente, para una pulsacin = 2..f dicha ganancia de corriente cae al 70 % del valor que posee en frecuencias medias y bajas, por lo que a dicha pulsacin (o tambin a dicha frecuencia) se la denomina pulsacin (o frecuencia) de corte propia del transistor bipolar en emisor comn con la salida en corto circuito para las seales, algunas veces especificada por los fabricantes. A partir de la misma grfica de la Figura IX.6. tambin se observa que si se aumenta la frecuencia lo suficiente, a una dada pulsacin T la ganancia /hfe*/ se hace igual a la unidad por lo que a dicha pulsacin (o frecuencia) se la interpreta como de transicin, es decir donde el transistor bipolar en emisor comn deja de ganar. Como para ello T >> a dicha frecuencia de transicin, la ecuacin (IX.5.) resulta: hfe ------------- = 1 y por lo tanto 1 gm T = hfe . = hfe . ------------------- = -------------86
Electrnica Aplicada II (T / ) con lo que puede expresarse: gm Ce + Cc = ---------T (IX.7.) rbe . (Ce + Cc) (Ce + Cc)
Ya que Cc y Ccs del modelo de la figura IX.4. representan a las capacidades derivadas del almacenamiento de cargas en junturas polarizadas en forma inversa son generalmente proporcionadas por los fabricantes en forma directa y para una dada tensin de polarizacin inversa de las mismas. Algunas veces los mismos fabricantes proporcionan las curvas de variacin de dichas capacidades en funcin de la mencionada tensin de polarizacin (resulta inversamente proporcionales al ancho de la zona de transicin como en todo capacitor de placas paralelas), de modo que para operar con el citado circuito equivalente es posible extraer de dicha informacin los valores tpicos de esas capacidades para el punto de reposo que se este considerando. A veces en la misma informacin los fabricantes incluyen la especificacin de Ce tambin en forma directa y en funcin de la tensin de polarizacin inversa de la juntura base-emisor (con aclaracin expresa de que IE = 0). Al respecto hacemos notar que dicha especificacin no resulta de utilidad para nuestro caso ya que el transistor bipolar opera como amplificador cuasilineal (juntura base-emisor polarizada en forma directa) por lo que dicha especificacin de Ce como capacidad de almacenamiento debe descartarse. Efectivamente, el efecto capacitivo que tiene en cuenta Ce en el modelo de la figura IX.4. es representativo del efecto de difusin de portadores en la base inyectados como consecuencia de la polarizacin directa de la juntura base-emisor, efecto ste que depende de la intensidad de la corriente de polarizacin del transistor. Entonces para su cuantificacin debe recurrirse generalmente a las especificaciones que proveen los fabricantes en cuanto a la variacin de las frecuencias (o pulsaciones) de corte o de transicin del transistor (con la salida en corto circuito), en funcin de la corriente de polarizacin IC para luego operar con las ecuaciones (IX.4.) (IX.7.) tal como veremos en los ejemplos numricos ms adelante. En consecuencia, luego de la obtencin o estimacin de las resistencias de extensin de base y de colector (rb y rc ) todos los componentes del circuito equivalente de la Figura IX.4. son ya conocidos y para continuar su estudio procedemos a aplicar el Teorema de Norton en la parte del circuito a la izquierda del capacitor Ce. As llamando: Vd R1 = Rs + rb (IX.8.) ,a la Resistencia de Norton RT = rbe // R1 (IX.9.) y la corriente de Norton IN = -----R1 se puede pasar a analizar otro circuito equivalente al anterior, tal como se representa en la Figura IX.7.: Por cuanto este nuevo circuito sigue siendo equivalente al del amplificador diferencial o el emisor comn en su comportamiento de altas frecuencias, si a partir del mismo establecemos la transferencia entre la tensin de salida y su tensin de excitacin estaremos determinando la Ganancia de Tensin de Altas de Frecuencias de dichos amplificadores que llamaremos AVa para diferenciarla de la que calculamos en los Captulos II y IV que a partir de aqu llamaremos AVm . Para tal fin, por una parte consideramos la ecuacin de la primera Ley de Kirchoff o ecuacin del nodo de entrada: IN = (GT + s . Ce) . V + s . Cc . (V - V') (IX.10.) 1 en donde consideramos la admitancia del paralelo entre RT = ------ y la susceptancia del condensador Ce (s . Ce) GT empleando al operador matemtico "frecuencia compleja" s = + j y se ha considerado tambin ala susceptancia del condensador Cc como (s . Cc). La misma ecuacin (IX.10.) se describir seguidamente teniendo en cuenta la definicin de IN agrupando trminos en el segundo miembro: Vd = R1 . {[GT + s . (Ce + Cc)] . V - s . Cc . V'} (IX.10'.)
Por otra parte, para el nodo de salida se puede escribir una ecuacin similar, es decir: 87
Electrnica Aplicada II s . Cc . (V - V') = gm . V + s . Ccs . V' + gc . (V' - Vodd ) (IX.11.)
1 en donde hemos llamado gc = -----rc
por lo que aqu tambin, agrupando convenientemente: (IX.11'.)
0 = (gm - s . Cc) . V + [gc + s . (Cc + Ccs)] . V' - gc . Vodd 1 Asimismo en el circuito serie formado por rc y Rd = ------ la corriente resulta: Gd gc . (V' - Vodd ) = Gd . Vodd por lo que 0 = gc . V' - (Gd + gc) . Vodd (IX.12.)
Las ecuaciones (IX.10'.), (IX.11'.) y (IX.12.) as planteadas conforman un sistema de tres ecuaciones con cuatro incgnitas a saber, Vd , V, V' y Vodd , por lo que su resolucin nos permitir establecer la relacin entre dos de ellas, por ejemplo entre Vodd y Vd , permitindonos encontrar as a la que hemos llamado Ganancia de Tensin en Alta Frecuencia AVa . g c + Gd (IX.12'.) Para tal fin a partir de la (IX.12.) V' = ------------ . Vodd gc luego reemplazndola en (IX.11'.): Gd + s . (Cc + Ccs) . [ 1 + (Gd/gc) ] V = ---------------------------------------------- . Vodd gm - s . Cc (IX.13.) Vodd ------ la Vd
entonces, reemplazando las (IX.12'.) y (IX.13.) en la ecuacin (IX.10'.) y despejando el cociente ganancia de tensin en alta frecuencia resulta:
- ( gm - s . Cc) / R1 AVa(s) = --------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------[GT + s . (Ce+Cc)] . {Gd + s . (Cc+Ccs) . [1 + (Gd / gc)]}+ s.Cc. gm . [1 + (Gd / gc)] - s2 .Cc2 .[1+ (Gd / gc)] Si ahora multiplicamos numerador y denominador de esta ltima expresin por ( RT . Rd ) la misma puede ser considerada como el cociente de un polinomio Numerador N(s) de primer orden y otro polinomio Denominador D(s) que es de orden 2, de manera que: N(s) 88
Electrnica Aplicada II Ava (s) = -------D(s) en donde: (IX.14.)
RT . Rd N(s) = - (gm - s . Cc) . ------------R1
D(s) = 1 + s . Ce .RT + s .Cc . RT . [1 + gm . Rd' + (Rd'/RT)] + s . Ccs .Rd' + s2 . Rd'. RT .(Ce.Cc + Ce.Ccs + Cc.Ccs) expresin esta ltima en la que se ha considerado: Rd . [ 1 + (Gd / gc) ] = Rd . [ 1 + (rc / Rd) ] = Rd + rc = Rd' luego llamando: Rx = RT . [1 + gm . Rd' + (Rd'/RT)] (IX.15.) y Cx2 = Ce . Cc + Ce . Ccs + Cc . Ccs (IX.16.)
el mismo polinomio denominador D(s) puede ser expresado segn: D(s) = 1 + s . Ce . RT + s . Cc . Rx + s . Ccs . Rd' + s2 . Rd'. RT . Cx2 notndose que el trmino lineal se encuentra constituido por la sumatoria de tres constantes de tiempo: 1 = Ce . RT ; 2 = Cc . Rx ; 3 = Ccs . Rd' tales que introducindolas en D(s): (IX.17.)
D(s) = 1 + s (1 + 2 + 3 ) + s2 . Rd'. RT . Cx2
con lo que la Ganancia de Tensin del Emisor Comn o del Diferencial en Alta Frecuencia queda: RT . Rd - (gm - s . Cc) . ------------R1 AVa (s) = ---------------------------------------------------------1 + s (1 + 2 + 3 ) + s2 . Rd'. RT . Cx2
(IX.18.)
A partir de esta expresin, si determinamos su lmite para s tendiendo a cero, significa que desde el rango de altas frecuencias nos estamos desplazando hacia frecuencias medias por lo que AVa (s=0) = AVm , vale decir, que en el segundo miembro de la ecuacin (IX.18.) para dicha condicin se tendr: rbe - hfe . Rd RT AVa (s=0) = AVm = - gm . Rd . ------- = - gm . Rd . -------------------- = -------------rbe + rb + Rs hie + Rs R1 es decir un resultado idntico al obtenido ya en Captulos precedentes. La expresin (IX.18.) tambin nos dice que en el rango de altas frecuencias la Ganancia de Tensin se define como el cociente de dos polinomios en s, uno numerador N(s) de orden uno, y otro denominador D(s) de segundo orden, por lo que dicha Ganancia estar condicionada por la ubicacin en frecuencias de sus ceros o races de N(s) y de sus polos o races de D(s). Como N(s) es de primer orden la Transferencia de Tensiones tiene un solo cero zo y el mismo puede determinarse igualando a cero a N(s) de modo que: gm con lo cual el cero zo resulta: zo = -------(IX.19.) gm - zo . Cc = 0 Cc Para la determinacin de las dos races del polinomio denominador D(s) ya que el mismo es de segundo orden, en este desarrollo terico preferimos no poner en prctica la ecuacin de resolucin de las races de una 89
Electrnica Aplicada II ecuacin de segundo orden tradicional, que sera tal vez lo ms expeditivo en un caso en que los coeficientes de dicho polinomio sean ya valores numricos, y en cambio tendremos en cuenta alguna de las propiedades de dichas races. Para tal fin consideremos que nuestro polinomio D(s) es de la forma: D(s) = a2 . s2 + a1 . s + 1 si p1 y p2 de modo que: (IX.20.) y para obtener sus races igualamos a cero: a2 . s2 + a1 . s + 1 = 0
son las dos races de dicho polinomio, entonces una de las propiedades de dichas races se expresa o sea D(s) = a2 . [ s2 - s . (p1 + p2) + p1 . p2 ]
D(s) = a2 . (s - p1) . (s - p2)
por lo que comparando la ltima expresin de D(s) con la ecuacin (IX.20) surge que: a1 ------ = - (p1 + p2) a2 (IX.21.) y 1 ------ = p1 . p2 a2 (IX.22.)
Ocurre invariablemente en este tipo de etapas Emisor Comn o Diferencial que uno de estos dos polos de su Ganancia de Tensin en Alta Frecuencia esta ubicado a una frecuencia mucho mayor que la del otro (normalmente la ecuacin (IX.21.) prcticamente sin error puede 10 veces mayor), por lo que suponiendo a p1 >> p2 aproximarse a: a1 ------ = - p1 a2 (IX.21'.) y reemplazando en la (IX.22.) 1 p2 = - -----a1 (IX.23.)
Aplicando estas consideraciones a nuestro polinomio D(s) se obtiene que sus races o sea los polos de nuestra funcin transferencia de tensiones resultan: 1 (IX.24.) el de ms bajas frecuencias: p2 = - ---------------------( 1 + 2 + 3 ) y el restante: ( 1 + 2 + 3 ) p1 = - ----------------------Rd'. RT . Cx2 (IX.25.)
Concluidas estas consideraciones, la ecuacin transferencia dada por la expresin (IX.18.) puede ser expresada ahora en funcin de sus ceros ( zo ) y sus polos ( p1 y p2 ), es decir: ( s - zo ) AVa (s) = K' . --------------------------( s - p1 ) . ( s - p2 ) (IX.26.)
por lo que se comprende que la forma de variacin de dicha transferencia en funcin de la frecuencia s depender de la ubicacin en frecuencia de dichos polos y ceros. La constante K' puede hallarse por el procedimiento del lmite para s tendiendo a cero (de frecuencias altas a frecuencias medias y bajas), para lo cual se tendr en cuenta que dicho lmite del primer miembro de la ecuacin (IX.26.) y segn lo ya anticipado (en relacin a la ecuacin IX.18.) result: mientras que para su segundo miembro: AVa (s=0) = AVm
- K' . zo ( s - zo ) Limite [K' . --------------------------- ] = ---------------p1 . p2 s ---> 0 ( s - p1 ) . ( s - p2 ) por lo que igualando los dos segundos miembros resulta: 90 - AVm . p1 . p2
Electrnica Aplicada II K' = ----------------------zo
de modo que la ecuacin (IX.26.) es tambin:
( s - zo ) - AVm . p1 . p2 AVa (s) = ---------------------- . --------------------------( s - p1 ) . ( s - p2 ) zo
(IX.26'.)
As a medida que se incremente la frecuencia por encima del rango de frecuencias medias la singularidad (polo o cero) que mayor influencia tendr es la que ms abajo en frecuencia se encuentre ubicada, a punto tal que si solo interesa estudiar el comportamiento del amplificador en aquel rango de frecuencias en donde dicha transferencia comienza recin a caer, la expresin precedente puede ser aproximada despreciando alguna o algunas de sus singularidades. Particularmente en nuestra etapa el cero zo viene dado por la expresin (IX.19.), es decir (gm/Cc) que si comparamos con la expresin (IX.7.) o sea [gm/(Cc+Ce)] = T , vamos a concluir en que la ubicacin del mismo se encuentra en frecuencias superiores a la de transicin del transistor (FT ) en donde, por supuesto, su influencia no resulta de inters si lo que se pretende es la determinacin del ancho de banda del amplificador. La situacin expuesta puede comprobarse si operando con un plano de frecuencia compleja s = + j intentamos representar en l a los ceros y los polos de AVa (s), ya que si elegimos una escala tal que nos permita representar dentro del semieje real negativo a los polos p1 y p2 (recordar que tal como se adelant, siempre en este tipo de etapas p1 > 10 . p2 ), el cero zo nos cae totalmente fuera del mbito del grfico y mientras p queda situado muy prximo al origen, p se ubica en el extremo ms alejado del semieje real negativo. Trabajando con este tipo de grficos, tal como se representa en la Figura IX.8. y para una seal de excitacin del tipo senoidal, para la cual s = j , las singularidades de la ecuacin transferencia (IX.26'.) en el dominio de j y para una dada frecuencia Fi , es decir AVa (ji) quedan representadas por los radiovectores de mdulo y fase para los ceros y mdulos y fases para los polos, por lo que: - AVm . p1 . p2 . ej AVa (ji) = -------------------- . -----------------------------zo 1 . ej 1 . 2 . ej 2
(IX.26".)
Como veremos ms tarde frecuencias altas que se encuentran dentro de la banda de paso o ancho de banda del amplificador son aquellas no mucho mayores a la frecuencia F2 a la cual se encuentra situado el polo p2 o sea el de ms baja frecuencia. Ello significa que si el inters es solamente analizar a esta transferencia hasta ese entorno de frecuencias, los radiovectores: . ej ( j - zo ) ------------- = ------------ = - 1 zo ( zo - 0 ) y ( p1 - 0 ) p1 ------------- = -------------- = - 1 (aproximadamente) ( j - p1 ) 1 . ej 1
91
Figura IX.8. por lo que: - AVm . p2 AVa (ji) = -----------------2 . ej 2 (IX.26'".)
Figura IX.9.
que ahora podemos pasar a analizar con mayor grado de detalle en otro plano s readecuando su factor de escala de modo que se pueda representar, lo ms alejado posible del origen, el nico polo que qued condicionando a la transferencia, tal como se indica en el grfico de la Figura IX.9. Si se deseara encontrar el valor de esta ganancia de tensin en alta frecuencia de la etapa bajo estudio, para una particular frecuencia que llamamos F2 , tal que sobre el eje j se encuentra representada por un punto separado del origen de coordenadas en una magnitud igual a la del polo p2 , es decir: 2 = - p2 tal como se describe en la mencionada figura, se formara un tringulo rectngulo e issceles, en donde: 2 = ( 22 + 22 )1/2 = 1,41 . 2 y 2 = 45
en consecuencia a partir de la ecuacin (IX.26'".) se puede determinar el Mdulo de dicha ganancia de tensin y la fase de la misma, de manera que: [AVm ] . 2 [AVm ] . 2 [AVa (j2)] = ----------------- = ---------------- = 0,707 . [AVm ] 2 1,41 . 2 Va (j2) = Vm - 45 = 135
vale decir que por el resultado obtenido con el Modulo de dicha ganancia (70 % del valor que la misma tiene en frecuencias medias), se concluye que la frecuencia F2 en la que se encuentra ubicado el polo p2 resulta ser la frecuencia de corte superior de la etapa, se dice en este caso que la transferencia estudiada dispone de un polo dominante en alta frecuencias y en consecuencia: 1 2 = 2 . . F2 = - p2 = --------------------1 + 2 + 3 IX.2.2.- Ejemplo de determinacin de la frecuencia de corte superior de una etapa amplificadora diferencial: 92
Electrnica Aplicada II A ttulo de ejemplo tomaremos la etapa amplificadora diferencial que se proyect en el desarrollo del apartado IV.5.1. cuando se consideraban criterios de proyecto de este tipo de configuraciones (en frecuencias medias) y que responden al esquema circuital de la Figura IV.26.. Recordemos que para la misma ya se haban verificado:
Para VCC = VEE = 10 V ; R = 8,2 KOhm ; RC1-2 = 15 KOhm ; RL = 10 KOhm ; RB1-2 = 100 Ohm 10 - 0,6 VEE - VBEu4 ICQ3 = -------------------- = ---------------- = 1,146 mA R 8,2 . 103 VCEQ1-2 = VCC + 0,6 (V) - ICQ1-2 . RC1-2 para F = 1 Khz ; IC == 1,2 mA y VCE = 3 V: hie = 0,9 . 3,5 KOhm = 3,15 KOhm - hfe = 1 . 100 = 100 y ro = 58 KOhm ; ICQ3 1,146 mA ICQ1-2 = ---------- = ---------------- = 0,57 mA 2 2
= 10 + 0,6 - 0,57 . 10-3 . 15 . 103 = 2 V
hoe = 15,6 . 10-6 . 1,1 = 17,16 . 10-6 (A/V) para F = 1 Khz ; IC == 0,6 mA y VCE = 3 V: hie = 1,5 . 3,5 KOhm = 5,25 KOhm -
hfe = 1 . 100 = 100
hoe = 15,6 . 10-6 . 0,65 = 10,14 . 10-6 (A/V) 10 . 15 . 103 Rd = -------------------- = 6 KOhm ( 10 + 15 )
y ro = 98,6 KOhm
- 6 . 103 -60 - Rd Avd = ----------------------------------- = - -------------------------- = ------------- = -55,5 = AVm 2 [53 +(100/100)] 1,08 2 . [ hib1-2 +(RB1-2 / hfe1-2)] 58 . 103 Ro3 = ------------------------------ = -------------------- = 1074 = 60,6 dB 53 +(100/100) hib1-2 + (RB1-2 / hfe1-2) RoAd = ro2 // RC2 98,6 . 15 . 103 = ------------------------ = 13 KOhm 98,6 + 15
Rid = 2 . hie1-2 = 2 . 5,25 . 10 = 10,5 KOhm Para la determinacin del circuito equivalente de la Figura IX.7. estimaremos para los transistores T1 y T2 que: rb = 200 Ohm y rc = 150 Ohm. y con la finalidad de cuantificar las capacidades Cc y Ccs. Pasamos a determinar las tensiones VCB y VCS para los mismos transistores:
VCT1-2 = Vcc - ICQ1-2 . RC1-2 = 10 V - 0,57 . 10-3 . 15 . 103 = 1,45 V

VCB1-2 = VCT1-2 - VBT1-2 = 1,45 V
mientras que
VBT1-2 = 0 V
Observando detenidamente las indicaciones del fabricante se puede constatar que para una correcta operacin del circuito integrado se recomienda conectar al terminal de substrato (terminal Nro. 13) al borne con polaridad ms negativa que disponga el circuito de polarizacin, en nuestro caso -VEE = - 10 V, por lo que: VCS = VCT + VEE = 1,45V + 10 V = 11,45 V La especificacin del fabricante asegura: Collector-to-Base Capacitance CCBo para VCB = 3 V - IC = 0 : 93 Cc = 0,58 pF
Electrnica Aplicada II Collector-to-Substrate Capacitance CCIo para VCI = 3 V - IC = 0 : Ccs = 2,8 pF
como no se suministran curvas de variacin con las respectivas tensiones de polarizacin, y dado que en nuestro caso las mismas difieren de las condiciones de especificacin, es posible corregir las mismas utilizando las siguientes expresiones aproximadas: 3 1 VCB Cc = Cco . ------------------- a partir de lo especificado Cco = Cc . (1 + ------- )1/3 = 0,58 . ( 1 + ----- )1/3 = 1,01 pF 0,7 0,7 VCB ( 1 + -------- )1/3 0,7 1 3 Ccs = Ccso . -------------------- a partir de lo especificado Ccso = 2,8 . ( 1 + ----- )1/3 = 4,88 pF 0,7 VCS ( 1 + -------- )1/3 0,7 1 Cc = 1,01 pF . ------------------- = 0,695 pF por lo que para VCB = 1,45 V: 1,45 ( 1 + -------- )1/3 0,7 mientras que para VCS = 11,45 V 1 Ccs = 4,88 pF . ------------------- = 1,885 pF 11,45 ( 1 + --------- )1/3 0,7
Por otra parte de la curva de FT = f(IC ) que provee el fabricante, extraemos que para ICQ1-2 = 0,57 mA se obtiene una FT = 400 Mhz, con lo que aplicando la ecuacin (IX.7.) se obtiene : gm 40 . 0,57 . 10-3 Ce = -------- - Cc = ------------------------- - 0,695 = 8,38 pF 2 . 3,14 . 400 . 106 T rbe = hie1-2 - rb = 5250 - 200 = 5,05 Kohm en consecuencia a partir de las ecuaciones (IX.8.) y (IX.9.): R1 = Rs + rb = 100 + 200 = 300 Ohm mientras que con gm = 40 . ICQ1-2 = 22,8 mA/V
5,05 . 0,3 . 103 rbe . R1 RT = ------------- = ---------------------- = 283,2 Ohm 5.05 + 0,3 rbe + R1
Rd ' = Rd + rc = 6 KOhm + 150 Ohm = 6,15 KOhm y con ayuda de las ecuaciones (IX.15.) y (IX.16.): 6150 Rx = RT . [1 + gm . Rd' + (Rd'/RT)] = 283,2 . (1 + 22,8 . 6,15 + ----------- ) = 46.143,5 Ohm 283,2 Cx2 = Ce . Cc + Ce . Ccs + Cc . Ccs = 8,38 . 0,695 pF2 + 8,38 . 1,885 pF2 + 0,695 . 1,885 pF2 = 22,93 pF2 en consecuencia las constantes de tiempo son: 1 = Ce . RT = 8,38 . 10-12 . 283,2 = 2,37 nseg. 2 = Cc . Rx = 0,695 . 10-12 . 46.143,5 = 32,07 nseg. 94
Electrnica Aplicada II 3 = Ccs . Rd ' = 1,885 . 10-12 . 6150 = 11,59 nseg. y su sumatoria: = 1 + 2 + 3 = 2,37 + 32.07 + 11,59 = 46,03 nseg.
Por lo que el polo dominante de alta frecuencia se ubica en: -1 - 109 p2 = ------------------ = ----------- = - 21,72 . 106 rad./seg. = -2 1 + 2 + 3 46,03 y por lo tanto la frecuencia de corte superior de la etapa es: 21,72 . 106 2 F2 = ---------- = ----------------- = 3,46 Mhz. 2. 6,28 FT (< F = ------ = 4 MHz.) hfe
A pesar de que el problema quedara concluido aqu si lo que interesara fuese solamente el conocimiento del ancho de banda del amplificador, a fin de comprobar numricamente nuestras afirmaciones respecto a la caracterstica de dominante del polo calculado, determinaremos las frecuencias en que se ubican el segundo polo (p1 ) y el cero (zo ): Cx2 . RT . Rd ' = 22,93 10-24 . 283,2 . 6150 = 39,9 nseg.2 -(1 + 2 + 3 ) - 46,03 nseg. p1 = --------------------- = ------------------ = - 1.153,63 . 106 rad./seg. = -1 39,9 nseg.2 Cx2 . RT . Rd ' y su ubicacin en frecuencia es: 1.153,63 . 106 1 F1 = ---------- = ----------------- = 183,7 Mhz. 2. 6,28
o sea
F1
>> 10 . F2
gm 22,8 mA/V zo = -------- = ----------------- = 32,8 . 109 rad/seg Cc 0,695 pF
con lo que
zo Fo = -------- = 5,22 GHz. 6,28
comprobndose tambin que este cero se ubica a una frecuencia mucho mayor que las de F2 y F1 e inclusive que FT. IX.3.- OBTENCIN DE LA CURVA DE RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA POR EL MTODO DE BODE: En este apartado el objetivo que se persigue es la obtencin de la curva de respuesta en frecuencia del amplificador en su comportamiento de altas frecuencias, tal como la definiramos en la Figura IX.1. en lo que respecta al mdulo y solo para el rango de F2, partiendo del conocimiento de la funcin transferencia directa de tensiones tal como lo expresan las ecuaciones IX.26'. en sus diferentes variantes segn el grado de precisin que se requiera y la regin de la misma que sea de nuestro inters (ecuacin exacta IX.26". o aproximada IX.26"'.). Una de las formas de conseguirlo es operar con los grficos de las Figuras IX.8. o IX.9., segn corresponda, realizados con una buena amplitud y en escala. Efectivamente, ya que como qued dicho en el apartado IX.1. las curvas de respuesta en frecuencia se obtienen excitando al amplificador con una seal senoidal de frecuencia variable y amplitud constante, ello equivaldra a barrer el semieje imaginario positivo (j) en los grficos de polos y ceros ya citados. En consecuencia, el problema se reducira a medir (con regla) la longitud de los radio vectores y (con transportador) los ngulos que forman los mismos con el eje real , para un buen nmero de pulsaciones (i) y para cada una de ellas, reemplazar tales valores en la ecuacin transferencia, para luego graficar en forma separada su mdulo y su fase. 95
Electrnica Aplicada II Si bien este procedimiento nos permite la obtencin de las curvas de respuesta de una manera exacta, es decir punto por punto de la misma, para su buena definicin evitando errores de trazado, es necesario tomar una buena cantidad de puntos, lo cual representa un procedimiento lo suficientemente trabajoso como para justificarse el empleo de otra metodologa, tal que an siendo menos exacta sea mucho ms sencilla de aplicar. El mtodo aludido es conocido como el mtodo de Bode y consiste en determinar grficamente no las curvas sino las asntotas a las que dichas curvas tienden. Para su aplicacin se debe partir de la funcin transferencia previamente analizada, tal como la expresada por la ecuacin IX.26'. y sobre ella imponer a la excitacin senoidal, reemplazando s = j , es decir: ( j - zo ) - AVm . p1 . p2 AVa (j) = ---------------------- . --------------------------zo ( j - p1 ) . ( j - p2 ) En nuestro caso sabemos que el comportamiento de esta expresin se encuentra dominado prcticamente con exclusividad por el polo ubicado ms abajo en frecuencia, que el restante polo normalmente queda dispuesto por lo menos una dcada ms arriba que el anterior y que el cero solamente influye en frecuencias superiores a la de transicin del transistor. No obstante ello y a ttulo de ejemplo despreciaremos solo al cero zo y consideraremos ambos polos, de modo que reemplazando adems p1 = - 1 y p2 = 2 AVm . 1 . 2 AVa (j) = ------------------------------( j + 1 ) . ( j + 2 ) A partir de aqu, la metodologa general de Bode consiste en expresar a las funciones transferencia como productos y/o cocientes de trminos del tipo: j j -----o bien (1 + ------ ) i i por ello, dividiendo numerador y denominador por 1 . 2 y separado en mdulo y fase se tiene: AVm . e-( 1 + 2 ) AVa (j) = -------------------------------------------2 2 2 1/2 2 (1 + ------ ) . (1 + ------ )1/2 12 i2 /AVm / / AVa (j)/ = --------------------------------------------2 2 2 1/2 2 (1 + ------ ) . (1 + ------ )1/2 12 i2 y con i = arctag ( ------ ) i
a = - arctag (-----) - arctag (-----) 1 2
(IX.27.)
expresando el mdulo de la ganancia de tensin en altas frecuencias en decibel: 2 2 1/2 2 (IX.28.) / AVa (j)/dB = /AVm /dB - 20 . log [(1 + ------ ) ] - 20 . log [(1 + ------ )1/2 ] 12 22 Finalmente el mtodo de Bode establece la representacin grfica con escalas tipo semi logartmicas y en funcin de la frecuencia de las ecuaciones (IX.27.) y (IX.28.) , de manera aproximada pero sumamente sencilla, por aplicacin del razonamiento que se detalla seguidamente. Tomemos en primer lugar el mdulo de la ganancia, tal como lo expresa la ecuacin (IX.28) y a los fines prcticos utilicemos los valores numricos del ejemplo resuelto precedentemente:
2
- se observa claramente que existe un trmino constante, que no depende de la frecuencia, este es 96
Electrnica Aplicada II /AVm /dB = 20 . log (55,5) = 20 . 1,74429 = 34,9 dB por lo que su representacin grfica, tal como se muestra en la Figura IX.10 determina una recta horizontal trazada por el valor 34,9 dB (lnea de trazos). - existen dos trminos similares en cuanto a su dependencia con la frecuencia, la nica diferencia es que mientras uno depende de 1 = 1.153,6 Mrad/seg. el restante lo hace en funcin de 2 = 21,7 Mrad/seg. Por lo que analizaremos uno solo, cualquiera de ellos ya que el restante tendr la misma forma o ley de variacin con la frecuencia. Tomemos por ejemplo: 2 2 - 20 . log [(1 + ------ )1/2 ] 22 2 para << 2 : - 20 . log [(12 + ------ )1/2 ] = - 20 . log 1 = 0 dB 22 que constituye una de las asntotas de este trmino.
En cambio para
>> 2 :
2 - 20 . log [(1 + ------ )1/2 ] = - 20 . log -----22 2

2
veamos que forma de variacin tiene esta expresin : si = 2 : 97
Electrnica Aplicada II - 20 . log -----2 = 10 . 2 : - 20 . log -----2 = 100 . 2 : - 20 . log -----2 = 2 . 2 : - 20 . log -----2 = - 20 . log 1 = 0 dB
si
= - 20 . log 10 = - 20 dB
si
= - 20 . log 100 = - 40 dB
si
= - 20 . log 2 = - 6 dB
Lo que nos esta indicando que el trmino bajo anlisis posee otra asntota cuya caracterstica es la de variar -20 dB cada vez que multiplica por 10 la frecuencia (-20 dB por dcada) o bien variar -6 dB cada vez que se duplica la frecuencia (-6 dB por octava). Adems si para esta condicin evaluamos que si = 2 esta asntota adquiere el mismo valor que la anterior, es decir 0 dB lo que nos esta indicando que ambas asntotas se cruzan en las coordenadas (0 dB, 2 ). As, a la izquierda de 2 predomina la asntota constituida por una recta horizontal trazada por el valor 0 dB, mientras que a la derecha de 2 el trmino se encuentra representado por una asntota que partiendo del punto (0 dB, 2 ) se encuentra representado por una recta de pendiente -20 dB/dec. o lo que es lo mismo -6 dB/octava , tal como se representa en la Figura IX.10 (trazado del tipo - . - . -) Asimismo por lo dicho precedentemente, alrededor de 1 se observa una construccin grfica similar. La representacin completa de la expresin (IX.28.) se logra realizando la suma grfica de los tres trminos recin representados, dando como resultado el trazado con lnea continua. Pasaremos ahora a estudiar los errores que estamos cometiendo al considerar las asntotas en lugar de las curvas, sobre todo en lo que respecta al mdulo de la ganancia, es decir que nos vamos a referir a la curva tal que en la figura IX.9. tiende a las asntotas ya trazadas. Para tal fin reconsideramos al trmino: 2 - 20 . log [(1 + ------ )1/2 ] 22
2
solo que ahora determinaremos su valor exacto para algunas frecuencias alrededor de F2 . Entonces para = 0,1 . 2 , es decir una dcada antes de la frecuencia de quebradura de asntotas: 2 - 20 . log [(1 + ------ )1/2 ] = - 20 . log [(12 + 0,01 )1/2 ] = - 0,04 dB por lo que la curva coincide con la asntota. 22
2
En cambio una octava por debajo de dicha frecuencia de quebradura, es decir en

2
= 0,5 . 2
2 - 20 . log [(1 + ------ )1/2 ] = - 20 . log [(12 + 0,25 )1/2 ] = - 0,97 dB por lo que la curva pasa aproximadamente 22 1 dB por debajo de la asntota. Ahora, a una frecuencia coincidente con dicha frecuencia de quebradura, es decir en
2
= 2
2 - 20 . log [(1 + ------ )1/2 ] = - 20 . log [(12 + 1 )1/2 ] = - 3,01 dB por lo que la curva pasa aproximadamente 98
Electrnica Aplicada II 22 3 dB por debajo de la asntota.
Luego, por encima de la frecuencia de quebradora, para = 2 .2 2 - 20 . log [(1 + ------ )1/2 ] = - 20 . log [(12 + 4 )1/2 ] = - 6,99 dB como la asntota a esa frecuencia pasa por -6 dB 22 la curva esta nuevamente 1 dB por debajo de la . asntota aproximadamente. y si = 10 . 2
2
- 20 . log [(12 + ------ )1/2 ] = -20 . log [(12 + 100 )1/2 ] = - 20,04 dB por lo que la curva coincide con la asntota 22 aproximadamente. Por su parte, la representacin asinttica de la parte variable con la frecuencia en la expresin (IX.27.) (despreciando por ahora el trmino constante ) se lleva a cabo en la grfica de la Figura IX.11. considerando en forma separada primero el trmino que depende de 2 y el que depende de 1 en segundo lugar. Luego nuevamente por suma grfica se obtiene la resultante total. En donde por ejemplo, para el trmino: 2 = arctag ( ------ ) 2 1) si = 0,01 . 2 as arctag (0,01) = 0
consideramos para << 2 :
2) si = 0,1 . 2 , arctag (0,1) = 5,7 que seguimos aproximando a 0 para = 2 y para >> 2 : arctag (1) = 45 3) si = 10 . 2
, arctag (10) = 84,3 que con igual criterio tomamos = 90
2) si = 100 . 2 , arctag (100) = 90 y por ms que aumente permanece en 90 La representacin grfica de este trmino en la Figura IX.11. se ha llevado a cabo con lnea de trazos y como el trmino que depende de 1 es idntico, solo que centrado en esta 1 , el formato es el mismo y tambin se ha agregado en la figura IX.11. con un trazado diferente (lnea tipo -.-.-.-). La resultante obtenida como suma grfico de las dos anteriores constituye la ley de variacin de la fase correspondiente a los dos polos de alta frecuencia del amplificador (lnea continua). Si se deseara obtener la curva de la fase a solo bastar efectuar un cambio de escala sobre el eje vertical, adicionndole la fase correspondiente a frecuencias medias. Como conclusin de esta ltima curva deducimos que la caracterstica de fase que introduce un polo de alta frecuencia comienza a detectarse ya una dcada antes de la frecuencia en que dicho polo se ubica. Partiendo desde
99
frecuencias medias, hasta dicha frecuencia, el polo de alta frecuencia no introduce variacin, pero entre una dcada antes y una dcada despus de la frecuencia de dicho polo, se registra una componente de -45 /dcada, de modo que podemos decir que una dcada por debajo su contribucin es nula, a su frecuencia contribuye con -45 y una dcada ms arriba de la frecuencia del polo su contribucin final es de -90 . As, en un caso como el analizado, en el que se observa la presencia de dos polos de alta frecuencia, una dcada por encima de la frecuencia del polo de mayor frecuencia, la contribucin de fase de ambos es de -180 , pudiendo apantallar en este rango de frecuencias la caracterstica inversora o no inversora que la etapa amplificadora presenta a frecuencias medias. IX.4.- DETERMINACIN DE LA FRECUENCIA DE CORTE SUPERIOR POR EL MTODO DE LAS CONSTANTES DE TIEMPO: Veremos a continuacin una metodologa muy interesante que nos permite determinar el ancho de banda de un circuito amplificador o su frecuencia de corte superior cuando la etapa amplificadora posee una transferencia directa que en el rango de altas frecuencias se encuentra dominada por un polo. Este mtodo se puede aplicar solo a partir del conocimiento o determinacin del circuito equivalente de alta frecuencias del amplificador bajo estudio. Supongamos que se trate del circuito equivalente que corresponde al amplificador diferencial o a la etapa emisor comn, tal como se transcribi en la figura IX.4. Paralelamente debemos plantear la ecuacin transferencia cuando la misma contiene un polo dominante: K AVa (s) = -------------( s - p2 ) 100 (IX.29.)
Electrnica Aplicada II en consecuencia el problema se reduce a la determinacin de la constante K y el polo dominante p2 . Por una parte la constante K la determinamos por el procedimiento del limite para s tendiendo a cero, ya sea sobre el circuito equivalente de la figura IX.4. como de la ecuacin (IX.29.) recin planteada: As, si en el circuito de la figura IX.4 hacemos tender s a cero el mismo se transforma en un circuito resistivo puro, para el cual ya se obtuvo su ganancia de tensin en reiteradas oportunidades y que ahora reiteramos: mientras que para su segundo miembro: AVa (s=0) = AVm
K K Limite [ ---------------- ] = ---------p2 s ---> 0 (s - p2 ) por lo que igualando los dos segundos miembros resulta: de modo que la ecuacin (IX.26.) es tambin: - AVm . p2 AVa (s) = -----------------( s - p2 ) (IX.29'.) K = - AVm . p2
Luego, para la determinacin de la frecuencia del polo p2 se procede a determinar las constantes de tiempo de descarga de los capacitores del circuito equivalente de la figura IX.4., suponiendo que cada uno de ellos acta en forma independiente, esto es que cuando se determina la constante de tiempo de uno de ellos los restantes se comportan tal como lo hacan en el rango de frecuencias medias, es decir a circuito abierto. Para tal fin es recomendable redibujar los circuitos equivalentes de descarga de cada uno de los condensadores y posteriormente y a partir de ellos plantear las ecuaciones de las mismas. Hecho esto, se procede a sumar dichas constantes de tiempo y determinando su inversa se llega a la determinacin de la pulsacin de corte superior de la etapa: 1 2 = -p2 = ----------------------( 1 + 2 + 3 ) Para 1 el circuito equivalente se indica en la figura XI.12.a. y a partir de all obtenemos: 1 = Ce . [rbe //(rb + Rs)] = Ce . ( rbe // R1) = Ce . RT matemtica) (idntico resultado a lo obtenido en la demostracin
Para 3 el circuito equivalente se indica en la figura XI.12.b. en razn de que nos hallamos en el proceso de determinar la constante de tiempo de descarga de Ccs este se encuentra previamente cargado y el circuito de excitacin desactivado por lo que la tensin V en la entrada resulta nula y el generador de corriente de la salida se comporta como un circuito abierto. En consecuencia: 3 = Ccs . (rc + Rd)] = Ccs . Rd' (idntico resultado a lo obtenido en la demostracin matemtica)
101
Electrnica Aplicada II Para el estudio de la constante de tiempo de descarga de Cc, es decir 2 , estudiaremos la resistencia a travs de la cual el mismo se descarga considerando el circuito equivalente de la figura X.12.c. En dicho circuito equivalente se ha considerado que a consecuencia de su carga entre bornes del condensador Cc aparece una diferencia de potencial Vx como resultado de la cual, tanto V como V1 resultan no nulas. As, determinando la corriente Ix que toma el resto del circuito, el cociente (Vx/Ix) nos proporciona el valor de la resistencia equivalente por donde Cc se descarga. En dicho circuito: V = Ix . [ rbe // (rb + Rs)] Ix + gm . V = Ix . {1 + gm . [ rbe // (rb + Rs)]} V1 = - (Ix + gm . V) . Rd = - Ix . {1 + gm . [ rbe // (rb + Rs)]} . Rd Vx = V - V1 = Ix . [ rbe // (rb + Rs)] + Ix . {1 + gm . [ rbe // (rb + Rs)]} . Rd Vx Rd' Rx = ------- = RT + Rd' + gm . RT . Rd' = RT ( 1 + ------- + gm . Rd') Ix RT y en consecuencia: 2 = Cc . Rx (nuevamente resultado idntico al obtenido en la parte matemtica) Finalmente la frecuencia de corte superior de la etapa es: 1 -p2 F2 = -------- = ------------------------------2. 2 . . ( 1 + 2 + 3 ) IX.5.- COMPORTAMIENTO EN ALTA FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR BASE COMN: Previo a analizar la etapa amplificadora reiteramos el convencimiento de que, tal como en otras oportunidades lo hemos dicho, el modelo incluido en la Figura IX.4 entre los terminales de b, e y c representa al transistor bipolar en alta frecuencia, independientemente de la configuracin amplificadora en que se lo utilice, y ello a pesar de que los parmetros de los componentes que lo integran se deban medir con el transistor en emisor comn. As es que el mismo circuito equivalente convenientemente redibujado, tal como se indica en la figura IX.13., podr representar al mismo transistor bipolar que ahora utilizaremos en la configuracin base comn: Para una ms fcil utilizacin, por una parte haremos uso de algunas relaciones de equivalencia y finalmente ciertas aproximaciones que normalmente no producen errores superiores a los derivados de la dispersin. En tal sentido y como se indica en el circuito equivalente de la figura IX.14. procedemos a desdoblar el generador controlado (gm . V) en dos generadores de igual magnitud y dispuestos de modo tal que las ecuaciones de primera ley de Kirchoff en los nodos de c', b' y e no se modifique con respecto a aquellas que corresponden al circuito de la figura IX.13. En el circuito de la figura IX.14. el generador (gm . V) controlado por la tensin V y situado entre los terminales de e y b', tiene aplicado en sus extremos la misma tensin V de control, por lo que haciendo uso de la teora de circuitos procedemos a sustituir dicho generador controlado por una conductancia de valor gm, tal que sometida entre sus extremos a la tensin V, origina una corriente a su travs de igual valor (gm . V) al que impona el generador controlado. En consecuencia, entre dichos terminales de e y b' el circuito se halla constituido por tres ramas en paralelo, adems de la integrada por el condensador Ce, se tiene el paralelo de hib = (1/gm) y rbe que, dado sus valores de resistencia, siempre quedar dominado por la rama de hib. Lo cual nos lleva al circuito equivalente de la figura IX.15. A partir de dicho circuito equivalente pasamos luego a otro menos exacto como resultado de suponer rb = 0 y en el que aprovechamos para invertir los sentidos de referencia de la tensin V y del generador controlado 102
(gm . V) de la salida, obtenindose el circuito equivalente del transistor bipolar en alta frecuencia apto para ser utilizado en la configuracin base comn, tal como se indica en la figura IX.16. y en el que C = Cc + Ccs.
Hecho esto consideraremos ahora el comportamiento en frecuencias altas del circuito amplificador base comn que se representa en la figura IX.17.
Para realizar el anlisis a frecuencias medias y frecuencias altas y luego de asegurarnos una polarizacin adecuada del transistor bipolar como amplificador, consideramos que las reactancias capacitivas correspondientes a 103
Electrnica Aplicada II los capacitores de acoplamiento y de "by pass" CE , CB y CC se comportan como cortos circuitos de modo que el circuito equivalente dinmico a estudiar se indica en la figura IX.18. en donde hemos considerado que Rd = (RC //RL ). En el rango de frecuencias medias incorporamos el modelo equivalente resistivo puro para el transistor bipolar obtenindose un circuito similar al de la figura II.22. estudiado en el transcurso del Captulo II. de este trabajo, y que se reproduce ahora en la figura IX.19. Para dicho circuito la transferencia directa de tensiones vlida a frecuencias medias es:
Vo AVm = ------V en donde: (II.48'.) ; Ri = hib - hfe . AVm = -------- . Rd = gm . Rd - hie ; (II.49'.) ; RiA RiA AVms = AVm . ------- = gm . Rd . ------Ris Ris ; Ris = Rs + RiA
RiA = Ri//RE = hib //RE
(II.47'.)
La transferencia de tensin a frecuencias altas se determina a partir del circuito equivalente de la figura IX.20. En el, transformando el generador de tensin (Vs - Rs ) por aplicacin del Teorema de Norton y llamando R = (Rs//RE//hib) se pasa a considerar el circuito equivalente de la figura IX.21.:
A partir de este ltimo circuito y con la definicin de las impedancias Z y Zx como equivalente paralelo de una rama resistiva y otra capacitiva: R Rd' Z = ------------------Zx = ---------------------con Rd' = rc + Rd 1 + s . Ce . R 1 + s . C . Rd' y en consecuencia planteamos la ecuacin transferencia:
104
Vo Vo Vo V AVa(s) = -------- = ------------ = ------- . ----------V IN . Rs Vs IN . Rs (IX.30.)
as, en la parte de salida:
mientras que en la parte de entrada:
Vo Rd Rd' Rd -------- = gm . Zx . ---------- = gm . -------------------- . ------1 + s . C . Rd' Rd' V Rd' V R -------- = Z = ------------------1 + s . Ce . R IN
luego reemplazando en (IX.30.):
AVa(s) = gm . Rd . -------- . --------------------------------------------Rs (1 + s . C . Rd') . (1 + s . Ce . R )
en esta ltima, de acuerdo con la definicin de R = (RiA//Rs) y nuevamente interpretando a las constantes de tiempo, es decir nombrando a los productos Ce . R = e y C . Rd' = s , dicha funcin transferencia contiene dos polos de alta frecuencia, uno correspondiente al circuito de entrada y otro al de salida, es decir: 1 1 pe = - ------- = - --------e Ce . R la misma puede ser expresada por:
AVa(s) = gm . Rd . -------- . ------------------------------( s - pe ) . ( s - ps ) Ris
1 1 ps = - ------- = - ---------s C . Rd' RiA (-pe ) . (-ps )
(IX.31.)
As como se plante oportunamente con las funciones transferencias de las ecuaciones (IX.26.) y (IX.29.) para el caso en que las mismas contenan un cero y dos polos y un polo, respectivamente, ahora ya que nuestra funcin transferencia dispone de dos polos de alta frecuencia, es posible plantear que la misma se encuentra representada por la ecuacin: K1 (IX.32.) AVa (s) = -------------------------( s - pe ) . ( s - ps ) en consecuencia la constante K1 resulta ser: mientras que para su segundo miembro: AVa (s=0) = AVm
K1 K1 Limite [ ---------------------- ] = ---------------(-pe ) . (-ps ) s ---> 0 (s - pe ) . ( s - ps ) por lo que igualando los dos segundos miembros resulta: de modo que la ecuacin (IX.32.) es tambin: AVm . pe . ps AVa (s) = ------------------------( s - pe ) . ( s - ps ) (IX.32'.) K1 = AVm . pe . ps
En consecuencia, comparando los resultados obtenidos en las ecuaciones (IX.31.) y (IX.32'.) surge que:
AVm = gm . Rd . --------
RiA
Ris
105
Electrnica Aplicada II resultado ste que es totalmente coherente con lo obtenido en los anlisis del Captulo II segn las expresiones (II.47'.), (II.48'.) y (II.49'.) que se han transcripto recientemente, con motivo del estudio del circuito equivalente de frecuencias medias incluido en la figura IX.19. IX.5.1.- Ejemplo de verificacin de la respuesta en alta frecuencia de una etapa base comn: En el circuito de la figura IX.17. se incluyeron los valores numricos de los componentes del circuito amplificador base comn cuyas caractersticas de polarizacin y de comportamiento en frecuencias medias fueron oportunamente estudiadas en el Captulo II y que resumimos a continuacin:
47 VBT = 12 . ------------- = 3,84 V 100 + 47 3,84 - 0,7 ICQ = -------------------- = 0,95 mA (3,3 + 0) . 103 47 . 100 . 103 RBT = -------------------- = 31,97 KOhm 100 + 47 3,14 ICQ = ----------------------- = 0,87 mA (3,3 + 0,32) . 103
recalculando con hFE = 100 ;
VCEQ = 12 V - 0,87 . 10-3 . (4,7 + 3,3) . 103 = 5 V VCB = 7,9 - 3,84 = 4,06 V ;
VCT = 12 V - 0,87 . 4,7 = 7,9 V
VCS = VCT = 7,9 V
La especificacin del fabricante para este conjunto de transistores integrados es coincidente con la que correspondi al CA3086 ya analizado y asegura: Cc = 0,58 pF Collector-to-Base Capacitance CCBo para VCB = 3 V - IC = 0 : Ccs = 2,8 pF Collector-to-Substrate Capacitance CCIo para VCI = 3 V - IC = 0 :
Adems, para IC = 1 mA - VCE = 3 V - f = 1 Khz. - TA = 25 C : hfe = 110 y para ICQ = 0,87 mA se obtiene: hfe = 1 . 110 = 110 hib - hie = 1,1 . 3,5 . 103 = 3,85 KOhm hoe = 0,9 . 15,6 . 10-6 = 14 . 10-6 y ro = 71 KOhm. hie = 3,5 . 103 = 3,5 KOhm hoe = 15,6 . 10-6 (A/V)
3,85 . 103 hie = ----------- = -------------- = 34,7 Ohm = Ri 111 (1 + hfe)
hfe 110 hfb = ----------- = -------- = 0,901 (1 + hfe) 111 RiA = hib = 34,7 Ohm
RiA = Ri//RE = hib //RE
y por los valores que adoptan ambas variables, normalmente Ris = Rs + RiA = 300 + 34,7 = 334,7 Ohm 4,7 . 5 . 103 Rd = RC//RL = ------------------ = 2,42 KOhm 4,7 + 5
- hfe . AVm = -------- . Rd = gm . Rd - hie
110 AVm = -------------- . 2,42 . 103 = 69,14 3,85 . 103
34,7 RiA AVms = AVm . ------- = 69,14 . --------- = 7,17 = 17,11 dB 334,7 Ris
RiA . Rs 34,7 . 300 R = ------------- = ------------- = 31 Ohm y estimando rc = 150 Ohm Rd' = rc + Rd = (0,15 + 2,42).10 = 2,57 KOhm 334,7 RiA + Rs 106
Electrnica Aplicada II Dado que las especificaciones de las capacidades CCB y CCI para este transistor son las mismas que para el CA3086 ya analizados empleamos los valores de referencia calculados para aquel, es decir: CCo = 1,01 pF y CCSo = 4,88 pF 1 Cc = 1,01 pF . ------------------- = 0,533 pF 4,06 ( 1 + -------- )1/3 0,7 1 Ccs = 4,88 pF . ------------------- = 2,115 pF 7,9 ( 1 + --------- )1/3 0,7
por lo que para VCB = 4,06 V:
mientras que para VCS = 7,9 V
Por otra parte de la curva de FT = f(IC ) que provee el fabricante, extraemos que para ICQ1-2 = 0,87 mA se obtiene una FT = 410 Mhz, con lo que aplicando la ecuacin (IX.7.) se obtiene : gm 40 . 0,87 . 10-3 Ce = -------- - Cc = ------------------------- - 0,533 pF = 13 pF 2 . 3,14 . 410 . 106 T
e = Ce . R = 13 . 10-12 . 31 = 0,4 nseg s = C . Rd' = (0,533 + 2,115) . 10-12 . 2,57 . 103 = 6,8 nseg. 1 1 109 pe = - ------- = - --------- = - -------- = - 2500 Mrad/seg e Ce . R 0,4 cuyas frecuencias corresponden a: 2500 . 106 Fe = --------------- = 398 Mhz 6,28 147 . 106 Fs = -------------- = 23,4 MHz 6,28 1 1 109 y ps = - ------ = - --------- = - ------- = - 147 Mrad/seg s C . Rd' 6,8
Se observa nuevamente aqu la existencia de un polo dominante en 23,4 Mhz por lo que la frecuencia de corte de la etapa ser impuesta por dicho polo. Si la comparamos con 410 MHz FT F = ------ = --------------- = 3,7 MHz 110 hfe se comprueba que el base comn es capaz de proporcionar un ancho de banda superior a F a diferencia de lo que ocurre siempre con la etapa emisor comn y que pudo verificarse con anterioridad. IX.6.- RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE LA ETAPA COLECTOR COMN: En este caso el circuito equivalente dinmico que pasaremos a estudiar se indica en la figura IX.22. mientras que si recordamos las definiciones de hie y de hfe* hechas con anterioridad se puede comprobar que si llamamos Zbe al paralelo de rbe con Ce, es decir: rbe Zbe = ----------------1 + s . rbe . Ce resultara que hfe* = gm . Zbe 107
En consecuencia, con estas interpretaciones para el circuito precedente se puede confeccionar un circuito equivalente para alta frecuencia ajustado al de la figura IX.23. En este ltimo circuito consideraremos en primer lugar la impedancia total Z de la parte circuital comprendida entre el nodo B' y tierra, es decir la asociacin serie de Zbe y Rd . (1 + hfe* ): Z = Zbe + Rd + Rd . hfe* = Zbe + Rd + gm . Zbe . Rd Z = Zbe . ( 1 + gm . Rd ) + Rd con lo que reemplazando a Zbe : y con es decir:
K = ( 1 + gm . Rd )
Z = K . Zbe + Rd
K . rbe K . rbe Z = ------------------- + Rd = --------------------------- + Rd 1 + s . rbe . Ce 1 + s . K . rbe . (Ce/K) con lo que a esta impedancia Z se la puede considerar como una asociacin serie de Rd con el paralelo de un resistor R = K . rbe y un capacitor C = (Ce/K) por lo que se puede pasar a considerar un nuevo circuito equivalente tal como se lo indica en la figura IX.24.
En este ltimo circuito por necesidad, se reemplaz el generador controlado gm . V en funcin del indicado, ya que: gm . V = hfe* . Ib A partir del circuito hallado aplicaremos el procedimiento de la sumatoria de las constantes de tiempo para determinar el comportamiento de alta frecuencia de la etapa amplificadora colector comn que se encuentra bajo 108
Electrnica Aplicada II estudio, es decir que nos abocaremos al hallazgo de uno de los polos ubicados en alta frecuencia que dispone este amplificador, el ms bajo en frecuencia y si el mismo a su vez fuera dominante su frecuencia de ubicacin nos proporcionara la frecuencia superior de la etapa. El inconveniente al utilizar este mtodo en esta configuracin es que a priori no se puede asegurar que la transferencia en alta frecuencia de la misma realmente disponga de un polo dominante por lo que de no ser as el error que estaremos cometiendo ser considerable. En tal sentido, en primer lugar consideramos al condensador C, suponiendo que los dos restantes se comportan como sendos circuitos abiertos, y considerndolo cargado procedemos a determinar la resistencia sobre la cual el mismo se descarga. Para ello el circuito equivalente de la figura IX.25. es de utilidad. En consecuencia, llamando: Rs' = Rs // RBT R1' = Rs' + rb + Rd 1 = R1 . C y R1 = R // R1'
en consecuencia, la constante de tiempo de descarga de C es:
Cabe sealar que el trmino Rd en la expresin de R1' qued incluida en el circuito debido al 1 que suma a la ganancia hfe , que (sobre todo cuando las Rs son grandes) se puede seguir despreciando como se haca en el rango de frecuencias medias y solo tendr influencia cuando Rs y por lo tanto Rs' son pequeas. En segundo trmino consideraremos al condensador Ccs. Al abrir el condensador C y haber desexcitado previamente, resulta Ib = 0 y por lo tanto el generador controlado hfe . Ib se comporta como un circuito abierto por lo que el circuito a analizar queda conformado simplemente como se indica en la figura IX.26.a. por lo que la constante de tiempo de descarga del capacitor Ccs. Resultar: 3 = rc . Ccs cuyo resultado numrico es normalmente mucho ms pequeo y por lo tanto despreciable frente a las dems constantes de tiempo.
Por ltimo, pasamos a estudiar la influencia de Cc y para estudiar su constante de descarga en el circuito equivalente correspondiente, es decir desexcitando y abriendo el resto de los capacitores, reemplazamos a Cc por un generador de tensin Vx, tal como se indica en el circuito equivalente de descarga indicado en la figura IX.26.b. En dicho circuito dado que Ce es un circuito abierto en la entrada del circuito se tiene Ri en lugar de Zi y la ganancia hfe* vuelve a ser la hfe . Para relacionar Vx e Ix pasamos a determinar las diferencias de potencial V1 y V2. V1 = Ix . [ Ri // (rb + Rs')] mientras que en la entrada: rb + Rs' Ib = Ix . --------------------rb + Rs' + Ri por lo que reemplazando en la expresin de V2 ; V2 = - (Ix + hfe . Ib ) . rc
rb + Rs' V2 = - Ix . rc - Ix . --------------------- . hfe . rc rb + Rs' + Ri 109
Electrnica Aplicada II en consecuencia: rb + Rs' Vx = V1 - V2 = Ix . [ Ri // (rb + Rs')] + Ix . rc + Ix . ------------------- . hfe . rc rb + Rs' + Ri Rx = con lo que finalmente: (rb + Rs') . hfe [ Ri // (rb + Rs')] + rc . [ 1 + ------------------- ] rb + Rs' + Ri 2 = Cc . Rx Dado que rc es pequea, la mayora de las veces el trmino dependiente de rc en la ecuacin (IX.33.) se torna despreciable, dependiendo ello nuevamente del nivel de la resistencia Rs . En sntesis, tal como el mtodo de las constante de tiempo lo establece, la frecuencia de corte superior de la etapa bajo estudio, suponiendo la presencia de polo dominante es: 1 (IX.34.) Fh = ----------------------------2 . . ( 1 + 2 + 3 ) Analizaremos seguidamente la dependencia con la frecuencia de la impedancia de entrada de esta etapa colector comn. A tal efecto partimos del circuito de la figura IX.27. en el que por lo recin dicho estamos despreciando a rc . Suponiendo adems despreciable el efecto de Rd derivado del (hfe + 1), dicha impedancia de entrada resulta ser: R Zi = ------------------------- + rb 1 + s . R . (C + Cc) En esta expresin se observa una constante de tiempo R . (C + Cc) que llamaremos i de manera que la impedancia de entrada se podr expresar segn R Zi = ------------- + rb 1 + s . i R Zi = ----------------- + rb 1 + j (F / Fi ) con lo que reemplazando s = j y 1 i = -------i (IX.33.)
con lo que:
de manera que para F << Fi
Zi = R + rb = hie + hfe . Rd = Ri
es decir coincidente con el resultado obtenido para el rango de frecuencias medias, es decir una caracterstica de alta resistencia de entrada. Vemos ahora que a medida que aumenta la frecuencia, en el rango de frecuencias altas se agrega una parte reactiva y que dicha impedancia disminuye con el aumento de la frecuencia (se pierde paulatinamente la caracterstica de alta resistencia de entrada o caracterstica separadora). Particularmente a la frecuencia F = Fi el mdulo de dicha impedancia cae al 70 % del valor que en frecuencias medias posee Ri por lo que a dicha frecuencia se la puede interpretar como una frecuencia de corte para la resistencia de entrada del colector comn, debindose notar que al ser: 1 Fi = -------------2 . . i (IX.35.)
toda vez que la constante i resulta ser mucho mayor que la suma (dado el valor de R y (C+Cc) en comparacin con las otras tres) esta etapa amplificadora a medida que aumenta la frecuencia primero pierde la caracterstica de alta resistencia de entrada y luego pierde la caracterstica seguidora de la transferencia de tensin. 110
Electrnica Aplicada II En trminos de

RiA AVas = AVa . -----------RiA + Rs
esta transferencia disminuir con la frecuencia debido al polo de AVa ubicado en la frecuencia Fh y tambin debido al polo de RiA de frecuencia Fi. Puede demostrarse asimismo que la impedancia de salida Zo a medida que crece la frecuencia aumenta debido a la presencia de un cero en la frecuencia: 1 Fo = -------------------------------------------2 . . (Rs // RBT // rbe) . (Ce + Cc) o sea que Zo = Ro . [1 + j (F/Fo) ] (IX.36.)
con lo que nuevamente, a medida que la frecuencia aumenta la etapa amplificadora colector comn va perdiendo su caracterstica de baja resistencia de salida desde el valor (Rs // R BT) Ro = hib + --------------hfe vlido para frecuencias medias, hasta valores superiores dados por la ecuacin (IX.36.) precedente. IX.7.- FRECUENCIA DE CORTE SUPERIOR DE SISTEMAS CON POLOS MLTIPLES: De acuerdo con los estudios precedentes, el anlisis exacto del comportamiento en alta frecuencia de cualquiera de los etapas amplificadoras implica la consideracin de ms de un polo. Una situacin similar se presentara al analizar el comportamiento en alta frecuencia de sistemas multietapas en donde cada una de las etapas integrantes se estara caracterizando a travs de su propia frecuencia de corte superior individual. Tal como ya se hizo en el caso de un monoetapa se tratara de individualizar la presencia de un polo ubicado en una frecuencia mucho ms baja que los restantes de modo de considerarlo como polo dominante de la respuesta en frecuencia del sistema multietapa. Por una parte estudiaremos los errores que se cometen al considerar que la frecuencia de un polo supuestamente dominante o lo que es lo mismo que la primer quebradura de un diagrama de Bode impone la frecuencia de corte superior del sistema. Es indudable que dicho error depender del grado de separacin (en trminos de frecuencias) entre dicho polo al que se le atribuyen caractersticas de dominante y los restantes. Posteriormente tambin nos ocuparemos del caso en que por ejemplo en un sistema multietapas se tengan "n" etapas todas iguales, es decir con la misma frecuencia de corte superior individual, y se desea determinar la frecuencia de corte superior de dicho sistema. En los ejemplos numricos resueltos los resultados obtenidos fueron: a) caso del emisor comn: -Polo p2 = - 2 = -21,7 Mrad/seg. -Polo p1 = - 1 = -1.153,6 Mrad/seg. es decir ubicado en la frecuencia F2 = 3,45 MHz. F1 = 183,7 MHz.
y por lo tanto ubicado en la frecuencia
-La separacin entre ambos llega a ser superior a 53 veces, es decir F1 > 53 . F2 b) caso del base comn: -Polo ps = - s = -147 Mrad/seg. es decir ubicado en la frecuencia Fs = 23,4 MHz.
111
Electrnica Aplicada II -Polo pe = - e = = - 2500 Mrad/seg. y por lo tanto ubicado en la frecuencia Fe = 398 Mhz..
-La separacin entre ambos llega a ser superior a 17 veces, es decir Fe > 17 . Fs En ambos casos la separacin es tal que el error cometido al suponer la frecuencia de corte coincidente con la del polo ubicado ms abajo en frecuencia es totalmente despreciable. Seguidamente consideraremos separaciones menores entre dos polos y para tal fin observamos que la parte del mdulo de la transferencia de que trata la expresin (IX.27.), planteada para la frecuencia de corte superior Fcs resulta ser: /AVm / /AVm / / AVa (jFcs)/ = --------------------------------------------- = ------------------Fcs2 Fcs2 ( 2 )1/2 2 1/2 2 1/2 (1 + -------- ) . (1 + ------- ) F22 F12 lo cual significa que: Fcs2 Fcs2 2 2 (IX.37.) (1 + -------- ) . (1 + ------- ) = 2 F22 F12 c) caso en que F2 = 10 F1: - En el segundo trmino del primer miembro de la ecuacin (IX.37.) supondremos que la frecuencia de corte superior de la etapa coincide con la frecuencia del polo p1 que por lo tanto consideramos como polo dominante, mientras que reemplazamos a F2 como 10 veces la frecuencia de dicho polo dominante, es decir: Fcs = F1 = Fd con lo que la (IX.37.) queda:
2
F2 = 10 Fd Fcs2 (1 + -------- ) = --------Fd2 1,01

2
Fd2 Fcs2 2 (1 + -------- ) . (1 + ------------ ) = 2 102 . Fd2 Fd2
o sea:
2 Fcs = Fd . ( ------- - 1 )1/2 = 0,99 . Fd 1,01 - La conclusin es que si se supone que la frecuencia de un polo dominante es coincidente con la frecuencia superior cuando este polo esta separado del restante en una relacin de 10 veces, se comete un error de tan solo el 1 % en exceso. d) caso en que F2 = 4 F1: - Siguiendo un proceso similar al anterior: Fcs = F1 = Fd con lo que la (IX.37.) queda:
2
F2 = 4 Fd 2 Fcs2 (12 + -------- ) = ----------Fd2 1,0625
Fd2 Fcs2 2 (1 + -------- ) . (1 + ---------- ) = 2 42 . Fd2 Fd2
o sea:
2 Fcs = Fd . ( --------- - 1 )1/2 = 0,94 . Fd 1,0625
112
Electrnica Aplicada II - La conclusin es que si se supone que la frecuencia de un polo dominante es coincidente con la frecuencia superior cuando este polo esta separado del restante en una relacin de 4 veces, se comete un error del 6 % en exceso. e) caso en que F2 = 2 F1: - Nuevamente: Fcs = F1 = Fd con lo que la (IX.37.) queda:
2
F2 = 2 Fd 2 Fcs2 (12 + -------- ) = --------Fd2 1,25
Fd2 Fcs2 2 (1 + -------- ) . (1 + ---------- ) = 2 22 . Fd2 Fd2
o sea:
2 Fcs = Fd . ( ------ - 1 )1/2 = 0,77 . Fd 1,25 - La conclusin es que si se supone que la frecuencia de un polo dominante es coincidente con la frecuencia superior cuando este polo esta separado del restante en una relacin de 4 veces, se comete un error del 23 % en exceso. Si bien la magnitud de estos errores estn dentro de lo que normalmente acostumbramos a tolerar (salvo para el caso de una separacin de tan solo dos veces), lo crtico es que sabemos que son errores que dan como resultado la determinacin de una frecuencia de corte superior mas alta de lo que en la realidad es (por exceso). Esta caracterstica nos impulsa a considerar otra modalidad consistente en evaluar la frecuencia de corte superior, para el caso de polos no suficientemente separados, calculando la inversa de la sumatoria de las constantes de tiempo de cada polo, es decir: 1 1 = ------------2 . . F1 ; 1 2 = -----------2 . . F2 (IX.38.)
1 Fcs = ----------------------2 . . ( 1 + 2 )
Entonces para los mismos casos puntuales en que anteriormente determinamos los errores cometidos al suponer polo dominante se tiene: c') caso en que F2 = 10 F1: 1 1 = ------------2 . . F1 1 2 = ------------------ = 0,1 . 1 2 . . 10 . F1
1 1 Fcs = ----------------------- = ------------------- = 0,91 . F1 2 . . ( 1 + 2 ) 2 . . 1,1 . 1 y como el resultado verdadero fue de 0,99 F1 se ve que estaramos cometiendo un 8 % de error en defecto. d') caso en que F2 = 4 F1: 1 1 = ------------2 . . F1 1 113 1 2 = ------------------ = 0,25. 1 2 . . 4 . F1 1
Electrnica Aplicada II Fcs = ----------------------- = ------------------- = 0,8 . F1 2 . . (1 + 2 ) 2 . . 1,25 . 1 y como el resultado verdadero fue de 0,94 F1 se ve que estaramos cometiendo un 14 % de error en defecto. e') caso en que F2 = 2 F1: 1 1 = ------------2 . . F1 1 2 = ------------------ = 0,5 . 1 2 . . 2 . F1
1 1 Fcs = ----------------------- = ------------------- = 0,67. F1 2 . . (1 + 2 ) 2 . . 1,5 . 1 y como el resultado verdadero fue de 0,77 F1 se ve que estaramos cometiendo un 10 % de error en defecto. Como conclusin respecto del anlisis precedente se deduce que para el caso de polos cercanos entre s es recomendable determinar la frecuencia de corte superior mediante la sumatoria de las constantes de tiempo segn la expresin (IX.38.) ya que los errores cometidos son en defecto. Ahora bien, en el caso lmite en que se trate de "n" polos coincidentes: F1 = F2 = ......... = Fn = Fi con lo que la (IX.37.) queda:
2
Fcs2 Fcs2 2 (1 + -------- ) . ..........(n veces)........ (1 + -------- ) = 2 Fi2 Fi2 Fcs = Fi . [( 2 )1/n - 1 ]1/2 (IX.39.)
o sea:
Fcs2 (12 + -------- )n = Fi2
de tal manera que para distintos valores de n se tiene que: n = Fcs = 1 Fi 2 0,64 . Fi 3 0,51 . Fi 4 0,43 . Fi 5 0,38 . Fi
es decir que para incrementar la ganancia a medida que se agregan en cascada etapas iguales el ancho de banda del sistema se va reduciendo. IX.8.- COMPORTAMIENTO EN BAJAS FRECUENCIAS DE UNA ETAPA EMISOR COMN CON ACOPLAMIENTO A R-C: En la figura IX.1. para el rango de bajas frecuencias (por debajo de F1) se puede observar una cada en la ganancia de tensin la que resulta de la accin de las reactancias capacitivas de los condensadores de acoplamiento de paso. Quiere decir que dicha curva de respuesta en frecuencia corresponde tpicamente a circuitos amplificadores con acoplamiento de alterna a R-C. En cambio las etapas amplificadoras del tipo diferencial con acoplamiento directo y en general todas aquellas etapas amplificadoras inherentes a la electrnica lineal de las circuitos integrados tales como las estudiadas en el Captulo V presentan una ganancia aproximadamente constante (AVm ) hasta la frecuencia cero debido a que emplean con exclusividad el acoplamiento directo, por lo que para ellas no se justifica el anlisis que haremos seguidamente y que por lo tanto ser solamente aplicable para aquellas mencionadas en el prrafo anterior. A ttulo de ejemplo tomaremos la etapa emisor comn con acoplamiento a R-C que se indica en la figura IX.28. como circuito equivalente dinmico de la etapa amplificadora, vlido para el rango de bajas frecuencias. Debemos considerar que la reactancia del condensador Ci, es decir XCi , en bajas frecuencias toma valores 114
Electrnica Aplicada II apreciables (ya no puede suponerse un corto circuito como lo hacamos a frecuencias medias) y al quedar conectada en serie con Rs produce sobre la ganancia un efecto similar a un aumento de dicha resistencia, es decir una disminucin por debajo del valor que la misma posee en frecuencias medias. Al mismo tiempo la reactancia XCE a medida que baja la frecuencia va tomando valores cada vez ms comparables o similares a la resistencia RE y por lo tanto el terminal de emisor deja de hallarse directamente conectado a masa, sobre el mismo aparece una impedancia de valor: RE ZE = ------------------1 + s . CE . RE (IX.37.)
que produce sobre la ganancia de tensin, un efecto similar al del circuito con Re sin puentear comparado con el emisor comn, es decir nuevamente una disminucin en dicha ganancia. Con la finalidad de estudiar dichos efectos y partiendo del circuito de la figura IX.28., reemplazando al transistor por su modelo hbrido aproximado resistivo puro pasaremos a estudiar el circuito equivalente indicado en la figura IX.29. en el que por razones de simplicidad de estudio consideraremos RBT lo suficientemente grande para poder ignorar su
carga en el circuito de entrada. Asimismo si desdoblamos el generador controlado hfe .Ib y absorbemos el correspondiente de entrada, modificando el nivel de ZE , es posible pasar a otro circuito equivalente al anterior tal como el que se indica en la figura IX.30.
En este nuevo circuito se ha considerado que ro >> RC . Adems, en el mismo se verifica que la impedancia ZE . (1+hfe ) puede ser representada circuitalmente mediante el paralelo de la resistencia RE . (1+hfe ) y el condensador [CE /(1+hfe )] dado que dan como resultado una impedancia de valor: RE . (1+hfe ) 115 RE . (1+hfe )
Electrnica Aplicada II ZE = ------------------------------------- = -------------------- = ZE . (1+hfe ) CE 1 + s . CE . RE 1 + s . RE . (1+hfe ) . --------(1+hfe ) lo que nos lleva al circuito equivalente de la figura IX.31. en donde llamaremos R1 = Rs + hie En lo que sigue despreciaremos 1 frente a hfe y plantearemos el cociente entre la tensin de salida Vo y la de entrada Vs y dado que tal planteo lo llevamos a cabo sobre el circuito equivalente de baja frecuencia la transferencia resultante ser valida para aquel rango de frecuencias, es decir: Vo AVb (s) = -------Vs De la parte de salida del circuito de la figura IX.31.: mientras que de la entrada: Vo = - hfe . Ib . RC Vs Ib = ---------------------------------R1 + XCi + hfe . ZE (IX.38.)
reemplazando en la ganancia:
- hfe . RC - hfe . RC AVb (s) = ------------------------------------------------ = -------------------------------------------------1 + s . R1 . Ci hfe . RE 1 hfe . RE --------------------- + ------------------R1 + -------- + --------------------s . Ci 1 + s . CE . RE s . Ci 1 + s . CE . RE
sacando comn denominador en el denominador y operando matemticamente: - hfe . RC .s . Ci . (1 + s . CE . RE ) AVb (s) = ---------------------------------------------------------------------(1 + s . R1 . Ci ) . (1 + s . CE . RE ) + s. Ci . hfe . RE
AVb
1 - hfe . RC .s . Ci . CE . RE . ( s + ----------- ) CE . RE (s) = ------------------------------------------------------------------------------------s2 . (R1 . Ci . CE . RE ) + s . (CE . RE + R1 . Ci + Ci . hfe . RE ) + 1
dividiendo numerador y denominador por (R1 . Ci . CE . RE ): 1 - hfe . RC ------------- . s . ( s + ----------- ) CE . RE Rs + hie (s) = -------------------------------------------------------------------------------------------1 1 1 hfe s2 + s . ( ----------- + ----------- + ------------ ) + ----------------------R1 . CE (R1 . Ci . CE . RE ) R1 . Ci CE . RE
AVb
en esta ltima expresin: - hfe . RC 116 1 hfe 1
Electrnica Aplicada II AVm = ------------Rs + hie con R2 = RE // (R1 /hfe ) ---------- + ----------- = ----------CE . RE R1 . CE R2 . CE
en consecuencia:
AVb
1 AVm . s . ( s + ----------- ) CE . RE (s) = --------------------------------------------------------------------------1 1 1 s2 + s . ( ----------- + ----------- ) + ----------------------(R1 . Ci . CE . RE ) R1 . Ci CE . R2
(IX.40.)
La expresin (IX.40.) nuevamente es el cociente de dos polinomios en "s" por lo que las races del polinomio numerador y las del denominador constituyen los "ceros" y los "polos", respectivamente, de dicha funcin transferencia. Dado que ambos polinomios resultan ser de orden "2" dicha funcin transferencia tendr dos ceros y dos polos de baja frecuencia. Por una parte, los ceros surgen directamente, uno que llamaremos "z2 " es un cero en el origen y el restante "z1 " de valor real y negativo: 1 y z1 = - ----------(IX.41.) z2 = 0 CE . RE Por la otra si llamamos "p3 " y "p4 " a los polos de dicha funcin, de acuerdo con las propiedades de las races de un polinomio de segundo orden con coeficiente cuadrtico unitario: 1 1 p3 + p4 = - ( ----------- + ----------- ) CE . R2 R1 . Ci y 1 p3 . p4 = ------------------------(R1 . Ci . CE . RE )
Por supuesto que para hallar dichas races puede encararse el mtodo tradicional de resolucin de la ecuacin de segundo grado. Pero en la etapa amplificadora que estamos analizando nuevamente la ubicacin en frecuencia de estos dos polos de baja frecuencia es muy particular ya que uno de los dos se encuentra mucho ms arriba en frecuencia que el restante de modo que: dado que mientras que el restante: 1 p4 = - --------------------------------------------------------1 1 ( ----------- + ---------- ) . (R1 . Ci . CE . RE ) CE . R2 R1 . Ci (IX.43.) p3 >> p4 resulta: 1 1 p3 = - ( ----------- + ---------- ) CE . R2 R1 . Ci (IX.42.)
Tal como se demuestra en el Tomo 3 de la Coleccin del S.E.E.C. (Pg. 195) si se tiene una relacin (RE / R2 ) > 2,5 la separacin entre los polos p3 y p4 es por lo menos de diez veces, situacin esta ltima que tal como se adelantara ya, invariablemente se cumple en la etapa Emisor Comn que se halla bajo estudio, dada la definicin de R2 como el paralelo entre la misma RE y una R1 atenuada hfe veces. Finalmente, expresando los polinomios numerador y denominador de la funcin transferencia en funcin de dichas races, la ecuacin (IX.40.) puede describirse como: s . ( s - z1 ) AVb(s) = AVm . --------------------------( s - p3 ) . ( s - p4 ) (IX.44.)
117
Electrnica Aplicada II a partir de la cual puede realizarse una nueva interpretacin grfica mediante la utilizacin del plano de frecuencia compleja "s" ( + j), en donde procederemos a representar a la totalidad de las singularidades de la misma. Para tal fin, ahora debemos elegir una escala adecuada para que en la misma se pueda ubicar simultneamente sus dos polos y sus dos ceros, en cuyo caso, una disposicin tpica que atiende a los valores usuales de las expresiones (IX.41.), (IX.42.) y (IX.43.) para este tipo de etapas se indica en la figura IX.32.
La particularidad es que al ser p3 >> p4 , tpicamente el cero z1 (que para una funcin transferencia fsicamente realizable debe alternarse entre ambos polos) queda ubicado muy prximo al polo p4 y ambos a su vez muy cercanos al cero del origen (z2 ). Si tal como lo realizramos en los grficos de la figuras IX.8. y IX.9. (estudio del comportamiento de la misma etapa pero en alta frecuencia) se deseara obtener la curva de respuesta en frecuencias bajas, a partir de la ecuacin (IX.44.), consideraramos una excitacin de forma senoidal, es decir con s = j y para distintos valores de frecuencias, trazando radiovectores de mdulo para los polos y para los ceros (fases y respectivamente), se podra determinar separadamente el mdulo y la fase de la funcin transferencia haciendo: AVm . 1 . 2 . ej1 . ej2 Avb (ji) = --------------------------------------3 . ej 3 . 4 . ej 4 [AVm ] . 1 . 2 [AVb (ji)] = ------------------------3 . 4 y
(IX.44'.)
Vb (ji) = Vm + 90 + 1 - 3 - 4 = 270 + 1 - 3 - 4
Puede constatarse que con la escala grfica adoptada, si consideramos una frecuencia muy alta, tal como para suponerla comprendida en el rango de frecuencias medias, grficamente dicho rango de frecuencias se correspondera con puntos sobre el eje imaginario pero ubicados ms arriba del mbito de la figura IX.32. (cercano al borde de la hoja de papel) y por ello para el mismo: 118
Electrnica Aplicada II 3 = 1 = 4 = 2 y 2 = 1 = 3 = 4 = 90
por lo que para ese rango de frecuencia la transferencia se hace igual a la de frecuencias medias (AVm ). Asimismo debemos observar que an para frecuencias del mismo orden a la frecuencia de ubicacin del polo mas separado del origen (p3 ), por construccin grfica: 1 = 4 y 1 = 4 de modo que con buena aproximacin la funcin transferencia se puede expresar por: s AVb(s) = AVm . -------------( s - p3 ) [AVm ] . 2 [AVb (ji)] = ------------------3 y (IX.44".)
Vb (ji) = 270 - 3
y consecuentemente el diagrama de polos y ceros se puede simplificar tal como se indica el la figura IX.33. vale decir que la funcin transferencia queda condicionada solo por el polo p3 (o sea el de mayor frecuencia), y el cero en el origen. Si a partir del mismo, determinamos el valor de [AVb ] para una frecuencia sobre el eje imaginario en magnitud igual a la frecuencia del polo p3 , la construccin grfica resulta ser la indicada en la misma figura IX.33. de donde se desprende que el mdulo de la ganancia en bajas frecuencias, a dicha frecuencia particular resulta ser: [AVm ] . 2 [AVm ] . 2 [AVb (j3)] = ----------------- = ---------------- = 0,707 . [AVm ] 3 1,41 . 2 Vb (j3) = 270 - 45 = 225
vale decir que por el resultado obtenido con el Modulo de dicha ganancia (70 % del valor que la misma tiene en frecuencias medias), se concluye que la frecuencia F3 en la que se encuentra ubicado el polo p3 resulta ser la frecuencia de corte inferior de la etapa, se dice en este caso que la transferencia estudiada dispone de un polo dominante en baja frecuencias y en consecuencia: 1 1 3 = 2 . . F3 = - p3 = ( ----------- + ---------- ) CE . R2 R1 . Ci IX.9.- DETERMINACIN DE LA FRECUENCIA DE CORTE INFERIOR POR EL MTODO DE LAS CONSTANTES DE TIEMPO: Al igual como lo hiciramos para el rango de altas frecuencias, veremos a continuacin una metodologa igual de interesante que nos permite determinar la frecuencia de corte inferior de un circuito amplificador cuando la etapa amplificadora posee una transferencia directa que en el rango de bajas frecuencias se encuentra dominada por un polo. Este mtodo se puede aplicar solo a partir del conocimiento o determinacin del circuito equivalente de bajas frecuencias del amplificador bajo estudio. Supongamos que se trate del circuito equivalente que corresponde al amplificador emisor comn, tal como se transcribe en la figura IX.34. Paralelamente debemos plantear la ecuacin transferencia cuando la misma contiene un cero en el origen y un polo dominante en el rango de bajas frecuencias: K" . s (IX.45.) AVb (s) = -------------( s - p3 ) 119
Electrnica Aplicada II en consecuencia el problema se reduce a la determinacin de la constante K" y el polo dominante p3 . Por una parte la constante K" la determinamos por el procedimiento del limite para s tendiendo a infinito, ya sea sobre el circuito equivalente de la figura IX.34. como de la ecuacin (IX.45.) recin planteada: As, si en el circuito de la figura IX.34. hacemos tender s a infinito el mismo se transforma en un circuito resistivo puro, para el cual ya se obtuvo su ganancia de tensin en reiteradas oportunidades, es decir: mientras que para su segundo miembro: AVb (s = ) = AVm
K" . s Limite [ ---------------- ] = K" s ---> (s - p3 ) por lo que igualando los dos segundos miembros resulta: de modo que la ecuacin (IX.45.) es tambin: AVm . s AVb (s) = -----------------( s - p3 ) (IX.45'.) K" = AVm
Luego, para la determinacin de la frecuencia del polo p3 se procede a determinar las constantes de tiempo de descarga de los capacitores del circuito equivalente de la figura IX.34., suponiendo que cada uno de ellos acta en forma independiente, esto es que cuando se determina la constante de tiempo de uno de ellos los restantes se comportan tal como lo hacan en el rango de frecuencias medias, es decir como cortocircuito. Para tal fin es recomendable redibujar los circuitos equivalentes de descarga de cada uno de los condensadores y posteriormente y a partir de ellos plantear las ecuaciones de las mismas. Hecho esto, se procede a sumar las inversas de dichas constantes de tiempo determinando as la pulsacin de corte superior de la etapa: 1 1 3 = -p3 = ----- + ----i E Para i el circuito equivalente se indica en la figura XI.35.a. y a partir de all obtenemos: i = Ci . [(hie // RBT ) + Rs] , y si RBT = , i = Ci . R1 (idntico resultado a lo obtenido en la demostracin matemtica) Para E el circuito equivalente se indica en la figura XI.35.b. y en consecuencia: [hie + (RBT // Rs)] . hfe . RE {[hie + (RBT // Rs)] / hfe } . RE CE E = ------ . --------------------------------------- = CE . -------------------------------------[hie + (RBT // Rs)] + hfe . RE {[hie + (RBT // Rs)] / hfe } + RE hfe y si nuevamente consideramos RBT = 120
Electrnica Aplicada II (R1 / hfe ) . RE [(hie + Rs) / hfe ] . RE E = CE . ------------------------------- = CE . --------------------- = CE . R2 (R1 / hfe ) + RE [(hie + Rs) / hfe ] + RE (idntico resultado a lo obtenido en la demostracin matemtica) IX.10.- OBTENCIN DE LA CURVA DE RESPUESTA EN BAJA FRECUENCIA POR EL MTODO DE BODE: Al igual como ocurri en alta frecuencia, ahora se persigue la obtencin de la curva de respuesta en frecuencia del amplificador en su comportamiento de bajas frecuencias, tal como la definiramos en la Figura IX.1. en lo que respecta al mdulo y solo para el rango de F3, partiendo del conocimiento de la funcin transferencia directa de tensiones tal como lo expresa la ecuacin IX.45'. Una de las formas de conseguirlo es operar con los grficos de las Figuras IX.32. o IX.33., segn corresponda, realizados con una buena amplitud y en escala. Efectivamente, ya que como qued dicho en el apartado IX.1. las curvas de respuesta en frecuencia se obtienen excitando al amplificador con una seal senoidal de frecuencia variable y amplitud constante, ello equivaldra a barrer el semieje imaginario positivo (j) en los grficos de polos y ceros ya citados. En consecuencia, el problema se reducira a medir (con regla) la longitud de los radio vectores y (con transportador) los ngulos que forman los mismos con el eje real , para un buen nmero de pulsaciones (i) y para cada una de ellas, reemplazar tales valores en la ecuacin transferencia, para luego graficar en forma separada su mdulo y su fase. Si bien este procedimiento nos permite la obtencin de las curvas de respuesta de una manera exacta, es decir punto por punto de la misma, para su buena definicin evitando errores de trazado, es necesario tomar una buena cantidad de puntos, lo cual representa un procedimiento lo suficientemente trabajoso como para justificarse el empleo de otra metodologa, tal que an siendo menos exacta sea mucho ms sencilla de aplicar. El mtodo aludido es conocido como el mtodo de Bode y consiste en determinar grficamente no las curvas sino las asntotas a las que dichas curvas tienden. Para su aplicacin se debe partir de la funcin transferencia previamente analizada, tal como la expresada por la ecuacin IX.45'. y sobre ella imponer a la excitacin senoidal, reemplazando s = j , es decir: AVm . j AVb (j) = ---------------( j - p3 ) En nuestro caso sabemos que el comportamiento de esta expresin se encuentra dominado prcticamente con exclusividad por el polo ubicado ms arriba en frecuencia, que el restante polo normalmente queda dispuesto por lo menos una dcada ms abajo que el anterior y que influye solo en frecuencias muy inferiores a la de corte inferior, de modo que reemplazando adems p3 = - 3 AVm . j AVb (j) = ---------------( j + 3 ) Seguiremos la metodologa general de Bode consistente en expresar a las funciones transferencia como productos y/o cocientes de trminos del tipo: j j -----o bien (1 + ------ ) i i para ello, dividiendo al numerador y al denominador por 3 y separado en mdulo y fase se tiene: 121
Electrnica Aplicada II ------ . e j(90 - 3 ) 3 AVb (j) = -------------------------------------------2 2 (1 + ------ )1/2 32 AVm . /AVm / . ------3 / AVb (j)/ = -------------------------------2 2 (1 + ------ )1/2 32
con
3 = arctag ( ------ ) 3
y b = 180 + 90 - arctag (-----) 3 (IX.46.)
expresando el mdulo de la ganancia de tensin en bajas frecuencias en decibel: / AVb (j)/dB = /AVm /dB 2 - 20 . log ( ------ ) - 20 . log [(12 + ------ )1/2 ] 3 32
(IX.47.)
Finalmente el mtodo de Bode establece la representacin grfica con escalas tipo semi logartmicas y en funcin de la frecuencia de las ecuaciones (IX.47.) y (IX.46.) , de manera aproximada pero sumamente sencilla, por aplicacin del razonamiento que se detalla seguidamente. Tomemos en primer lugar el mdulo de la ganancia, tal como lo expresa la ecuacin (IX.47) : - se observa claramente que existe un trmino constante, que no depende de la frecuencia, este es /AVm /dB = 20 . log (AVm ) por lo que su representacin grfica, tal como se muestra en la Figura IX.36 determina una recta horizontal trazada por el valor /AVm/ dB (lnea de trazos). - el segundo trmino de la expresin (IX.47.) es del tipo: +20 . log -----3
la forma de variacin que tiene esta expresin es: si = 3 : + 20 . log ------ = + 20 . log 1 = 0 dB 3 si = 10 . 3 : + 20 . log ------ = + 20 . log 10 = + 20 dB 3 si = 0,1 . 3 : + 20 . log ------ = + 20 . log 0,1 = - 20 dB 3 vale decir que este trmino se encuentra representado por una recta de pendiente +20 dB/dec que cruza al eje de 0 dB en la pulsacin 3, tal como representamos en la figura IX.36. - existe un trmino similar, en cuanto a su dependencia con la frecuencia, a los ya estudiados en el comportamiento de alta frecuencia la nica diferencia es que ahora depende de 3 , este es: 122
Electrnica Aplicada II - 20 . log [(12 + ------ )1/2 ] 32 para << 3 : - 20 . log [(12 + ------ )1/2 ] = - 20 . log 1 = 0 dB 32 que constituye una de las asntotas de este trmino, en cambio para >> 3 : - 20 . log [(12 + ------ )1/2 ] = - 20 . log -----32 3
la forma de variacin que tiene esta expresin es: si = 3 : - 20 . log ------ = - 20 . log 1 = 0 dB 3 si = 10 . 3 : - 20 . log ------ = - 20 . log 10 = - 20 dB 3 y que tambin llevamos a cabo en el grfico de la figura IX.36. - Finalmente realizando la suma grfica, en la figura IX.36. se halla las asntotas a las cuales tiende la curva de respuesta en baja frecuencias. 123
Electrnica Aplicada II La curva se separa de dichas asintotas en igual medida como se vi para altas frecuencias ya que dicha curva es una imagen especular de la anterior, de modo que a la frecuencia de quebradura se produce una cada de 3 dB respecto de la ganancia a frecuencias medias, por lo que dicha quebradura nos proporciona la frecuencia de corte inferior de la etapa que estamos estudiando. Finalmente en la figura IX.37 llevamos a cabo la curva de variacin de la fase de la transferencia en baja frecuencias.
IX.11.- EJEMPLO DE CLCULO DE LA FRECUENCIA DE CORTE INFERIOR DE LA ETAPA EMISOR COMN A ttulo de ejemplo tomemos la etapa que fuera estudiada en el transcurso del Captulo II (E.A.I) y que se ha dibujado en la Figura II.14. en donde supondremos que Ci = Co = 10 F y CE = 100 F y sin considerar por ahora el acoplamiento en el circuito de salida. Para dicho circuito ya hemos calculado
18 . 39 . 103 R1 . R2 RBT = -------------- = ------------------- = 12,3 KOhm ; 18 + 39 R1 + R2 3,18 - 0,7 ICQ = ------------------------- = 1,9 mA (1,2 + 0,115) . 103
VCEQ = VCC - ICQ . (RC + RE)= 10 - 1,9 . (2,2 + 1,2) = 3,54 V En su momento recurrimos al Manual y hemos obtenido los siguientes valores para los parmetros hbridos: hfe = 1 . 100 = 100 - hie = 0,6 . 3,5 . 103 = 2,1 KOhm hoe = 2 . 15,6 . 10-6 = 31,2 . 10-6 y ro = 32 Kohm.
124
2,2 . 3,5 . 103 En este circuito: Rd = RC // RL = -------------------- = 1,3 KOhm 2,2 + 3,5
y dado el valor de ro , se verifica que Rd = Rd - hfe AVm = ------------ .. Rd hie
La ganancia de tensin de la etapa amplificadora emisor comn es: - 100 AVm = ------------ . 1,3 . 103 = - 61,9 2,1 . 103
y por lo tanto /AVm /dB = 20 . log /AVm / = 20 . log 61,9 = 35,8 dB
[(hie // RBT ) + Rs] = (2,1 KOhm // 1 KOhm ) + 12,3 KOhm) = 12,98 KOhm Para i: Para E: i = Ci . [(hie // RBT ) + Rs] = 10 . 10-6 . 12,98 . 103 = 129,8 mseg. 30,25 . 1200 {[hie + (RBT // Rs)] / hfe } . RE --------------------------------------- = ---------------------- = 29,5 Ohm 30,25 + 1200 {[hie + (RBT // Rs)] / hfe } + RE {[hie + (RBT // Rs)] / hfe } . RE = CE . -------------------------------------- = 100 . 10-6 . 29,5 = 2,95 mseg. {[hie + (RBT // Rs)] / hfe } + RE
En consecuencia: 1 1 1000 1000 3 = -p3 = ----- + ----- = ---------- + --------- = 347 rad/seg. i E 129,8 2,95 por lo que F3 = 55 Hz
Finalmente si aplicamos el mismo razonamiento y por el mtodo de las constantes de tiempo, puede afirmarse que el capacitor de acoplamiento de salida impone un nuevo polo de baja frecuencia que puede obtenerse por simple inspeccin. Al observar que el mismo se descarga sobre el circuito serie de RC y RL, su constante de tiempo de descarga es: o = Co . (RC + RL) = 10 . 10-6 . (2,2 + 3,5) . 103 = 57 mseg. 1 1000 o = -po = ------ = ---------- = 17,5 rad/seg. o 57 por lo que Y entonces:
Fo = 2,8 Hz
que resulta tambin muy inferior a p3 que continua siendo as el dominante. IX.12.- COMPORTAMIENTO EN BAJAS FRECUENCIAS DE LAS CONFIGURACIONES BASE COMN Y COLECTOR COMN: Tal como se observa en los problemas de aplicacin al presente Captulo, el anlisis de la determinacin del comportamiento en bajas frecuencias de las configuraciones base y colector comn se encara por el procedimiento de simple inspeccin de los circuitos equivalentes para este rango de frecuencias, siguiendo la modalidad que quedo ejemplificada en el caso del emisor comn. Una diferencia importante de estas configuraciones en comparacin con lo ya conocido para emisor comn, es que no puede asegurarse la existencia de polo dominante en el rango de bajas frecuencias, motivo por el cual la frecuencia del polo que arroja como resultado el mtodo de la sumatoria de las constantes de tiempo solo coincidira con la frecuencia de corte inferior de la etapa si dicho polo fuese dominante, de lo contrario solo puede asegurarse que dicha frecuencia de corte estara por encima de la frecuencia de dicho polo. An as y por comparacin con el desarrollo matemtico llevado a cabo para la configuracin emisor comn, en los mismos problemas resueltos, se escriben las ecuaciones transferencias completas y luego mediante la resolucin tradicional de los polinomios de segundo orden se calculan los valores de frecuencia en que ambos polos 125
Electrnica Aplicada II de baja frecuencias se ubican, pudindose comparar los errores que se cometen cuando se acomete con el mtodo de inspeccin o simplificado. IX.13.- RESPUESTA EN FRECUENCIA DE LA RELACIN DE RECHAZO DE MODO COMN DE UNA ETAPA DIFERENCIAL: Con anterioridad estudiamos el comportamiento en alta frecuencia de la etapa diferencial para la excitacin de seal diferencial, comprobando que el suyo era coincidente con el comportamiento de una etapa emisor comn. Complementaremos ahora dicho estudio, analizando el comportamiento frente a la seal de excitacin de modo comn. Para la seal de modo comn de entrada, la unin de los emisores ya no se halla a potencial de masa sino que all, se tiene conectada la salida de la fuente de corriente, por lo que para la gama de altas frecuencias el circuito equivalente ser, para dicha seal, el que se indica en la figura IX.38. Los componentes Ro3 y Ccs corresponden al transistor que desempea las funciones de fuente de corriente. En este circuito, la impedancia Zo3 se ha duplicado en razn de que el mismo es solo el equivalente de medio circuito diferencial pero debe tener en cuenta la presencia de la otra mitad. As, dicha impedancia resulta: 2 . Ro3 2 . Zo3 = -----------------------1 + s Ro3 . Ccs El estudio exacto del precedente circuito es lo suficientemente complicado como para intentar una razonable aproximacin. Consideraremos para eso, a las constantes de tiempo de cada uno de los condensadores del esquema. Para la parte superior del circuito se puede realizar un estudio totalmente idntico al hecho para el modo diferencial y su comportamiento tendr lugar en el mismo entorno de frecuencias en donde lo hacia para dicha seal diferencial, es decir alrededor de la frecuencia de corte superior ya definida (Fc aproximadamente igual a Fd ). En cambio la constante de tiempo Ro3 . Ccs de la salida de la fuente de corriente constante, al resultar Ro3 grande, a medida que se requieren altas CMRR y siendo Ccs del orden de los pF, se tienen constantes de tiempo del orden de las decenas de seg. o superiores, lo que da lugar a frecuencias de quebradura (Fo3) inferiores a 10 Khz., es decir muy por debajo de la frecuencia de corte de la parte superior del circuito.
126
As como para frecuencias medias la expresin (IV.11.) establece la dependencia de la ganancia de modo comn respecto de la resistencia de salida Ro3 de la fuente de corriente de polarizacin, es decir: -Rd AVcm = ------------2 . Ro3 ahora, para altas frecuencias se puede expresar que: -Rd AVca (s) = ---------------2 . Zo3 (s) -Rd AVca (s) = -----------2 . Ro3 es decir:
( 1 + s Ro3 . Ccs )
(IX.48.)
observndose que esta transferencia posee un cero en alta frecuencia y al ser la relacin de rechazo de modo comn para alta frecuencias: AVda (s) a (s) = -------------AVca (s) tal cero se constituir en un polo de alta frecuencia en la relacin , polo que esta ubicado en una pulsacin: -1 po3 = ---------------Ro3 . Ccs 127
Electrnica Aplicada II que por lo dicho con anterioridad resulta inferior a las correspondientes a los polos y ceros de la ganancia diferencial, por lo que si realizamos un diagrama de Bode para este nuevo parmetro se tienen cadas como lo indica la figura IX.39. Puede comprobarse que la presencia de esta nueva singularidad hace empeorar el comportamiento del amplificador diferencial frente al modo comn de excitacin en su comportamiento para altas frecuencias. En dicha figura se han superpuesto las respuestas de frecuencias altas de ambas ganancias, la diferencial y la de modo comn, y luego mediante suma grfica se ha obtenido la correspondiente a la Relacin de Rechazo de Modo Comn, pudindose comprobar que esta ltima posee una respuesta ms limitada que la que correspondi a la ganancia de modo diferencial y que dicho efecto se debe al comportamiento en altas frecuencias de la fuente de corriente de polarizacin.
IX.14.- EXPRESIN TRANSFERENCIA COMPLETA (VALIDA PARA TODO EL MBITO DE FRECUENCIAS) - RESPUESTA AL ESCALN: Para el ensayo del comportamiento de un circuito amplificador, especialmente cuando este deben manejar seales binarias o digitales, suelen utilizarse seales del tipo de pulsos. Con la finalidad de prever los resultados que puedan obtenerse consideraremos una etapa amplificadora genrica tal que en los rangos de altas y bajas frecuencias posee polos dominantes que condicionan la respuesta en frecuencia disponiendo sus frecuencias de corte superior e inferior, respectivamente. As para dicha etapa procedemos a generar una expresin transferencia que sea vlida en todo el espectro de frecuencias, es decir que incluya al cero en el origen y al polo dominante de baja frecuencias as como al polo de altas frecuencias. AVm . s . h (IX.49.) Dicha ecuacin transferencia es: AV (s) = ----------------------------(s - pL ) . (s - ph ) en donde, tal como hemos visto: y h = - ph L = - pL 128
Electrnica Aplicada II siendo pL y ph los polos dominantes antes mencionados mientras que L y h las pulsaciones en que tales singularidades se encuentran ubicadas. La ecuacin transferencia descripta por la ecuacin (IX.49.) puede ser interpretada como la relacin entre la tensin de salida y la tensin de entrada o de excitacin del amplificador, ambas expresadas en el dominio de la frecuencia compleja "s" , es decir que puede plantearse: AVm . s . h (IX.50.) Vo (s) = ----------------------------- . Vs (s) (s - pL ) . (s - ph ) Seleccionando como seal de excitacin a la funcin Escaln Unitario, dado que el resultado de su transformada de LAPLACE, para expresarla en el dominio de "s", resulta ser: 1 Vs (s) = ------s reemplazando en la expresin (IX.50.) , la tensin de salida en el mismo dominio resulta: AVm . h Vo (s) = ----------------------------(s - pL ) . (s - ph ) (IX.51.)
Con la finalidad de comparar el formato de esta tensin con el correspondiente al escaln de excitacin es necesario antitransformar la ecuacin (IX.51.) con el objeto de obtener Vo (t) . Con esta finalidad empleamos el mtodo de fracciones simples, de manera que: K2 K1 Vo (s) = -------------- + -------------(s - ph ) (s - pL ) . Las constantes K1 y K2 son los llamados residuos de los polos pL y ph respectivamente por lo que para su determinacin procedemos a realizar: AVm . h [Vo (s) . (s - pL)] = ---------------K1 = lim (pL - ph ) s -----> pL AVm . h [Vo (s) . (s - ph)] = ---------------K2 = lim (ph - pL ) s -----> ph AVm . h AVm . h K1 = - K2 = ---------------- = ---------------pL - ph - L + h Vo (t) = K1 . e pL . t + K2 . e ph . t = K1 . ( e -L . t - e y antitransformando: -h . t )
concluyndose que:
finalmente, considerando que normalmente h >> L resulta K1 = AVm y reemplazando, la tensin de salida es: -h . t -L . t - e ) (IX.52.) Vo (t) = AVm . ( e La ecuacin (IX.52.) nos describe que siendo la seal de entrada una funcin escaln, en la salida se obtienen seales del tipo exponencial por lo que es de esperar una apreciable deformacin de dicho escaln. Para poder observar la influencia de ambas funciones exponenciales debemos realizar el correspondiente diagrama temporal y dado que los valores de los exponentes son notoriamente distintos, para ello deberemos seleccionar dos escalas de tiempos, una de tiempos relativamente pequeos (del orden de los nseg. o seg.) en donde la exponencial 129
Electrnica Aplicada II dependiente de h toma valores finitos, mientras que la restante es prcticamente e0 = 1, y la otra de tiempos mayores. Entonces, para tiempos relativamente pequeos a partir de que se produce el salto en el escaln de excitacin: Vo (t) = AVm . ( 1 - e -h . t ) (IX.53.)
Luego representando esta funcin normalizada respecto del valor de AVm y superpuesta con la seal de excitacin se obtiene como resultado la funcin temporal que se observa en la figura IX.40. Se observa que mientras que la salida esperada o ideal sera coincidente con la representacin de la excitacin, lo que se obtiene en la realidad a la salida es la curva exponencial, vale decir que dicha seal de salida contiene una importante deformacin que puede ser cuantificada mediante la definicin del Tiempo de Crecimiento o Establecimiento (Rise Time). Como se recordar dicho parmetro se define como el tiempo que debe transcurrir para que la seal de salida se establezca, tomndose para su medicin los instantes de tiempo en que se producen el valor inicial o 10 % del valor final y el valor final o 90 % de dicho valor. ser: En la figura IX.40 se han llamado t1 y t2 a dichos tiempos, por lo que el tiempo de crecimiento resulta TR = t2 - t1 y dado que en dicha figura se ha tomado como ejemplo una frecuencia de corte superior Fh = 159,2 KHz., es decir h = 1 Mrad/seg.: - t2 (seg.) - t1 (seg.) 0,9 = 1 - e as t2 = 2,3 seg. ; 0,1 = 1 - e as t1 = 0,1 seg. Con lo que en consecuencia: TR = t2 - t1 = 2,3 - 0,1 = 2,2 seg. En general para cualquier valor de h y por las propiedades de esta funcin exponencial resulta ser: 2,2 TR = -------h o bien 0,35 TR = -------Fh (IX.54.)
constituyndose en un parmetro muy eficaz para medir la deformacin que introduce el amplificador o bien un mtodo de ensayo adecuado para obtener la frecuencia de corte superior de la etapa mediante una nica medicin (en reemplazo de la curva de respuesta en frecuencia, para cuya consecucin se necesitan realizar un buen nmero de mediciones como puntos de la curva se deseen relevar). Este tipo de deformacin precisamente tiene lugar debido a la incapacidad del amplificador para amplificar todo el espectro de altas frecuencias dado que el cambio abrupto de 0 1 por parte de la funcin de excitacin puede interpretarse a travs de una serie poliarmnica de infinitas componentes, mientras que a la salida del mismo solo se obtendrn aquellas componentes ubicadas dentro de la banda pasante del amplificador, la prdida de aquellas componentes ubicadas por arriba de Fh es la responsable de la observada deformacin. Volviendo a la expresin (IX.52.) si ahora tomamos tiempos largos para su estudio, comprobamos que la exponencial dependiente de h es prcticamente: -infinito e = 0
130
por lo que para esta escala de tiempos la funcin se puede aproximar a
Vo (t) = AVm . e
-L . t
(IX.55.)
Otra vez esta funcin normalizada respecto del valor de AVm se ha representado grficamente en la figura IX.41. observndose un apartamiento respecto de la excitacin. Una manera de cuantificar dicho apartamento sera la medicin de la Flecha en un cierto tiempo t3 . Si dicho t3 no esta muy alejado del origen como para poder aproximar la funcin exponencial a la pendiente de la misma en el origen, resulta: V'o (t) = 1 - L . t y para dicho t = t3 V'o (t=t3 ) = 1 - L . t3 y en consecuencia la Flecha porcentualmente ser:
1 - ( 1 - L . t3 ) . 100 V'o (t=0) - V'o (t=t3 ) F (%) = --------------------------- . 100 = --------------------------------- = L . t3 . 100 1 V'o (t=0) Como conclusin a esto, por un lado nuevamente la medicin de la Flecha y el tiempo t3 en la que ella se produce nos permite mediante una sola medicin, determinar ahora la pulsacin de corte inferior L . Por otro lado es evidente que la caracterstica del circuito amplificador con acoplamiento de alterna es impedir el sostenimiento de un nivel continuo de tensin a la salida motivo por el cual se produce la cada exponencial cuya mayor o menor profundidad puede ser cuantificada con la Flecha en un cierto tiempo t3 , siendo sta tanto mayor cuanto mayor sea la frecuencia de corte inferior de la etapa amplificadora.
131
Electrnica Aplicada II CAPITULO X - Estabilidad y Respuesta en Frecuencia de Circuitos Amplificadores Realimentados:

X.1. - INTRODUCCIN: En Captulos precedentes se analizaron algunos circuitos amplificadores realimentados en los cuales la realimentacin era siempre negativa. Ello es as ya que en la especialidad se utiliza la realimentacin negativa por las ventajas que la misma introduce sobre las caractersticas de funcionamiento de los circuitos amplificadores y porque adems, todos los circuitos equivalentes utilizados para el estudio de dichos comportamientos eran resistivos puros, ya que los anlisis efectuados fueron solamente vlidos para el rango de frecuencias medias (y bajas tambin para aquellos de acoplamiento directo). Diramos ahora que lo que se estudio hasta aqu fueron los circuitos amplificadores realimentados negativamente en lo que respecta a su comportamiento en frecuencias medias. Pero ms tarde se pudo comprobar que fuera de la gana de frecuencias medias, en general, los modelos equivalentes de los circuitos amplificadores pasaban a contener elementos reactivos, tales que hacan variar tanto en mdulo como en fase a las transferencias de los circuitos bajo anlisis. Mas precisamente, cada polo de alta frecuencia, tal como se estudi, introduce sobre la funcin transferencia, una componente de fase de 90 grados una dcada ms arriba de la frecuencia de dicho polo, as como una cada de -20 dB/dec. a frecuencias por arriba de la frecuencia del polo en cuestin. Por esta razn, un amplificador que a frecuencias medias se encuentra perfectamente realimentado negativamente, en altas frecuencias puede pasar a estar realimentado positivamente en una gama de frecuencias por lo general fuera de la banda pasante de dicho circuito amplificador. Resumiendo, en un esquema genrico de amplificador realimentado, mientras a frecuencias medias:
(A.C.R.TULIC)
Amf =
Am 1 + Am
en donde
Am > 0
y en consecuencia
Amf
f ( )
> Am
y
Realimentacin Negativa
en altas frecuencias, ya que
ja A a= A a e
Aa
a = f `( )
Aaf puede ser mayor que
Aa
y la realimentacin se convertira en positiva.
Por ejemplo si el sistema amplificador posee tres polos de alta frecuencia, con seguridad podr hallarse alguna frecuencia lo suficientemente alta (por lo menos tan alta como la del polo de ms baja frecuencia) para la cual, los tres polos contribuyan con una fase igual a 180 grados. Llamaremos a dicha frecuencia fo . As para ella se tendr:
Aa e j a Aaf = 1 + Aa e j a
y su mdulo en fo
Aaf
fo
Aa
fo
1 Aa
(X.1.)
fo
Siendo posible comprobar que ahora el denominador puede arrojar un resultado inferior a la unidad y en consecuencia a esa frecuencia la realimentacin se transformar en positiva, es decir:
Aaf (o ) = Aa (o ) realimentacin positiva

En una red de mezcla de tipo serie, este cambio de fase, en comparacin con lo que ocurre a frecuencias medias se observara segn se indica en la figura X.1. de tal manera que mientras a frecuencias medias se tena:
Vim = Vsm V fm
ahora en este rango de altas frecuencias se tendr
Via = Vsa + V fa = Vsa + X oa
132
Si la red de mezcla fuese paralelo, en este rango de frecuencias en donde la realimentacin se transforma en positiva se tendra que: y su interpretacin se realiza en la figura X.2. I ia = I sa + I fa = I sa + X oa Si bien esta situacin no es conveniente, ya que se anulan los efectos buscados de la realimentacin negativa, es decir toda esa serie de cambios en las caractersticas dinmicas del amplificador que se consideraron como ventajas, no resultara tan problemtica si el aumento de la ganancia a lazo cerrado, por efectos de la realimentacin positiva se mantuviera dentro de ciertos lmites bien acotados, por ejemplo dentro de los mismos 3 dB que se toleran de variacin en la ganancia cuando se define un ancho de banda. La diferencia es que ahora se tratara de 3 dB de aumento de Aaf por encima de Aa . que adopten las funciones Aa = f ( ) Es claro que la cantidad de aumento en Aaf va a depender por un lado del valor de as como de la forma y
el cambio de fase antes descripto, es decir
Aa (o ) se registre a dicha frecuencia una situacin en que:
a (o ) = 180
a = f ( ) ,
pero puede suceder que simultneamente al producirse y por efectos de la variacin del mdulo (es decir
Aa (o ) = 1
Toda vez que siempre resulta que
de tal manera que
Aaf o =
Aa (o ) = 1
Vf = A . . Vi , a esta particular frecuencia fo , dado que
V fa (o ) = Via (o ) , producida dicha situacin, an anulndose la excitacin exterior ( Vsa (o) = 0 ),
lo que implica colocar un corto circuito en el generador de excitacin exterior tal como se representa en la figura X.3., el amplificador bsico no se entera de dicho cambio circuital ya que en su entrada continuar teniendo la misma tensin de entrada Via (o). Esto significa que para dicha frecuencia en particular el amplificador realimentado es capaz de proporcionar una seal a la salida (Xoa (o) ) an sin tener ningn tipo de excitacin, o lo que es lo mismo que el amplificador esta autogenerando dicha seal de salida. En otras palabras el amplificador se convierte en un oscilador. Es por ese motivo que al par de condiciones que deben cumplirse para que la situacin comentada tenga lugar , es decir:
a (o ) = 180
Aa (o ) = 1 (X.2.)
se la interpreta como condicin de oscilacin del amplificador realimentado. En el diagrama esquemtico de la figura X.3. se trata de interpretar esta condicin de trabajo en forma circuital, ya que mientras inicialmente en frecuencias medias
Vim = Vsm V fm
ahora en este rango de altas frecuencias y alrededor de dicha frecuencia fo se tendr 133 Aa . = -1 y Vfa = -Via
si en ese instante desconectamos Vsa y conectamos directamente la salida de la red de realimentacin a la entrada del amplificador (es decir hacemos Vsa = 0 ) el amplificador no reconoce el cambio efectuado ya que continua estando excitado por la misma Via y proporcionando una Xoa distinta de cero. Volviendo a la condicin fijada para que ello pueda tener lugar, tambin llamada condicin de oscilacin:
Aa = 1 significa que si
Aa = Aa e j a
debe cumplirse
/Aa . / = 1
a = 180
Otra forma de interpretar a la oscilacin como ya se adelant precedentemente, es introducir la condicin en cuanto a que el mdulo /Aa . / = 1 en la ecuacin (X.1.) y dado que en ella ya habamos considerado que a = 180, el resultado que se obtiene es, como ya se dijo: / Aaf () / = infinito lo que significa que an con Vs = 0 la seal de salida Xo resulta finita y distinta de cero, o bien que frente a una dada Vs finita (an siendo pequea pero diferente de cero) la seal de salida tiende a infinito. En realidad el valor mximo que puede adquirir Xo queda limitado por la no linealidad del dispositivo amplificador bsico (como mximo en algn componente activo del amplificador bsico se podr llegar hasta el corte y/o hasta la saturacin). Asimismo en la prctica no es necesario iniciar el proceso de oscilacin aplicando la Vs inicial ya que el amplificador puede comenzar a oscilar espontneamente sin requerir dicha Vs inicial, en su reemplazo puede interpretar cualquier variacin en las condiciones estticas de funcionamiento como seal de arranque (por efecto de una variacin de la tensin de alimentacin por ejemplo, o por un cambio trmico, etc., en general cualquier cambio transitorio en las condiciones de funcionamiento del circuito).
Si estamos tratando con un amplificador que se precie de ser de comportamiento lineal, cualquiera de las dos formas de interpretar a la oscilacin nos permiten intuir que dicho efecto producira el inconveniente grave de que la informacin que procese dicho amplificador realimentado sufrira una distorsin o una deformacin. Efectivamente, si bien como se anticip ya, la frecuencia de la oscilacin se encuentra ubicada fuera de la banda pasante del amplificador, su forma de seal limitada por el corte y la saturacin de algn elemento activo del amplificador bsico resulta muy rica en contenido armnico por lo que su paso a travs de cualquier elemento alineal y como producto de la intermodulacin de dichos armnicos, seguramente generaran componentes de frecuencias comprendidas dentro del ancho de banda del amplificador perturbando as a la informacin til. La conclusin entonces debera ser que cualquier amplificador realimentado lineal en ningn caso pueda tener la posibilidad de que dicha condicin de oscilacin pueda producirse y el estudio de tal caracterstica en esta instancia se reconoce en la prctica profesional como el Estudio de la Estabilidad del Amplificador Realimentado.
134
X.2. - CONDICIN DE OSCILACIN EN UNA TOPOLOGA TENSION-PARALELO:
Para una mejor ilustracin consideraremos estos conceptos aplicados al caso de un sistema amplificador compuesto de tres etapas, realimentadas con una configuracin tipo tensin-paralelo, es decir una situacin como ilustra la figura X.4. Este sistema puede corresponder por ejemplo a tres transistores en alguna de las configuraciones vistas, conectados en cascada, a los que se le agrega una resistencia R (constitutiva de la red de realimentacin) conectada entre el terminal de salida del ltimo transistor y el terminal de entrada del primero. En dicha configuracin se determin ya, dentro de los temas tratados en el Captulo VII, que en cuanto a la red de realimentacin, al ser:
If Vo
ya que del circuito resulta:
If =
Vi Vo R
con
Como Vi << Vo la transferencia de esta red es
o 1 = e j180 R
1 R
Puede observarse que la red de realimentacin posee una componente de fase de 180. Adems, al amplificador bsico resuelto mediante un sistema multietapa, y a los efectos de conseguir la realimentacin negativa en frecuencias medias se le debera requerir una transresistencia del tipo:
RMm =
o Vo Vo = = RMm e j180 Ii I s
de esta manera, en dicho rango de frecuencias y con una Is resultar positiva y al ser: Ii = Is - If ,
positiva se tendr una Vo negativa por lo que If
la realimentacin en este rango de frecuencias ser efectivamente negativa.
De esta manera si observamos el producto . RMm comprobamos que:
RMm = e j180 RMm e j180 = RMm

o o
En consecuencia, la transferencia a lazo cerrado para el rango de frecuencias medias resulta:
RMmf
R e j180 = Mm 1 + RMm
Seguidamente pasaremos a estudiar lo que ocurre en este amplificador realimentado en el rango de frecuencias altas. Por una parte, al ser la red de realimentacin resistiva pura, no hay cambios ni en el mdulo ni en la fase de la transferencia . En cambio, en el amplificador bsico, a frecuencias altas cada una de las etapas constitutivas tiene su propio ancho de banda, de modo que cada una de ellas contribuir con su polo dominante de altas frecuencias, razn por la cual la transresistencia en altas frecuencias se podr expresar segn:
RMa =
RMm 1 + j 1 + j 1 + j 1 2 3
RMm e j180 e j (1 + 2 + 3 )
o
2 1 + 2 1
0,5
2 1 + 2 2
0,5
2 1 + 2 3
0,5
135
en donde:
1 = ar cot ag
Ahora, en el rango de altas frecuencias, la transferencia a lazo cerrado ser:
RMm e j (180 RMa = 1 + RMa 2 1 + 2 1 1 + e j180

o
1 2 3 0,5
)
0,5
0,5
RMaf =
2 2 1 1 + + 2 2 2 3 j (180 o 1 2 3 ) RMm e
0,5
2 1 + 2 1
2 1 + 2 2
0,5
2 1 + 2 3
0,5
y puede comprobarse que an en altas frecuencias, la fase de la red de realimentacin se cancela mutuamente con la fase de la transferencia del amplificador bsico para frecuencias medias (tal como ocurre en la realimentacin negativa en ese rango de frecuencias), de modo que la nica componente de fase que queda en el producto .RMa en el denominador es la sumatoria de las fases de los polos del amplificador a :
RMa =
RMm e j (1 + 2 + 3 ) 2 1 + 2 1
0,5
2 1 + 2 2
0,5
2 + 1 2 3
0,5
Supongamos identificar una frecuencia Fo para la cual (1 + 2 + 3) = 180 . Para dicha frecuencia el mencionado producto . Rma quedar:
RMa (Fo ) =
RMm o 2 1 + 2 1
0 ,5
o 2 1 + 2 2
0,5
o 2 1 + 2 3
0,5
= Rma (Fo )
si adems a esta frecuencia ocurre que:
RMa (Fo ) = 1
entonces RMaf (Fo ) =
RMa (Fo ) = 11
2
y el amplificador oscila. Resumiendo, a dicha condicin se lleg considerando que siendo a = (1 + 3) y:
RMa = RMa e j
el amplificador oscila cuando
RMa e j = 1 e j180
a
(X.2'.)
quiere decir que hablando en trminos genricos, para cualquier topologa de realimentacin, un amplificador oscila cuando simultneamente:
Aa e j = 1 e j180
a
Si bien resulta siempre necesario asegurarse que en un amplificador realimentado, jams pueda tener lugar dicha condicin de oscilacin (debido a los inconvenientes de deformacin o distorsin de la seal de informacin que el mismo deba procesar), dado que la existencia de los polos de alta frecuencia en un amplificador es una
136
realidad indiscutida, se permite que fuera de la banda de paso del amplificador, el sistema realimentado pueda registrar cierta cantidad limitada de realimentacin positiva. X.3.- ESTABILIDAD DE UN AMPLIFICADOR REALIMENTADO: Precisamente el estudio de dicha cantidad de realimentacin positiva que un amplificador pueda registrar fuera de la banda de paso se reconoce en la especialidad como el estudio de la estabilidad del amplificador realimentado y el criterio que se emplea para definir cuando un amplificador es estable o no, justamente se reduce a establecer un lmite para dicha realimentacin positiva fuera de banda. Dicha cantidad mxima o lmite mximo permitido de realimentacin positiva fuera de banda se ha establecido como resultado de la experiencia, al comprobar que ningn circuito amplificador realimentado a entrado en oscilacin cuando el mismo ha respetado dicho lmite. Una forma de interpretar este criterio emprico o experimental es reconociendo que dicho grupo de amplificadores realimentados, es decir los estables, han registrado realimentacin positiva fuera de banda hasta un limite tal que la ganancia a lazo cerrado en ese rango de frecuencias y a consecuencia de la realimentacin positiva no se incremente ms all de un 40 % por encima del valor de la ganancia a lazo abierto a esas mismas frecuencias por encima de la frecuencia de corte superior. Es decir que / Aaf (Fo ) / puede llegar a ser:
Aaf (Fo )
por lo que:
max
Aa (Fo ) 0,7
1 + Aa (Fo ) = 1 + Aa (Fo ) e j a ( Fo ) 0,7
De acuerdo a los valores que adquiera el mdulo / . Aa(Fo ) / y la fase a(Fo ) el ltimo lmite mnimo puede registrarse en dos situaciones particulares que se han interpretado grficamente en la figura X.5. ya que mientras en la X.5.a. a(Fo ) = 180 entonces / . Aa(Fo ) / < = 0,3 y por lo tanto en el lmite:
1 + Aa (Fo ) e j a ( Fo ) = 1 0,3 = 0,7

en la figura X.5.b.
(X.3.)
1 + Aa (Fo ) e j a ( Fo ) = 1 + 1 e j135 = 0,7

o
(X.4.)
El anlisis precedente permite inferir que el estudio de la estabilidad de un amplificador realimentado es decir la menor o mayor probabilidad de que el mismo entre en oscilacin, puede realizarse verificando el comportamiento en frecuencia del producto . Aa tambin llamado Ganancia del Lazo. X.3.1.- Margen de Fase: Supongamos que del amplificador bajo estudio de su estabilidad pudiramos representar grficamente la respuesta en frecuencia del mdulo y de la fase de la ganancia del lazo o producto . Aa ( sabemos que la fase es nada ms que la fase de los polos del amplificador a ) y que el resultado hubiese arrojado la figura X.6. En dicho grfico se pueden definir dos parmetros que permiten medir en el comportamiento en frecuencia del amplificador realimentado, su grado de proximidad con respecto a la condicin de oscilacin. Uno de dichos parmetros es el llamado MARGEN DE FASE o MF que surge de imponer como lmite de la estabilidad la situacin que describe la ecuacin (X.4.). Para poder relevarlo sobre la respuesta del mdulo / . Aa / contenida en la figura X.6. ubicamos la frecuencia para la cual dicho mdulo vale 1 ( 0 dB) y luego proyectamos una
137
perpendicular por dicha frecuencia hasta interceptar a la curva de la fase a . Por definicin el MF es la diferencia entre 180 y la fase medida para dicha frecuencia en que el modulo es 1. En la figura X.6. hemos representado la modalidad de identificar grficamente al Margen de Fase y como la condicin sealada por la expresin (X.4.) es que si el mdulo / . Aa / = 1, la fase a no puede ser superior a 135 el Margen de Fase Mnimo para cualquier amplificador estable es: MFmin = 45 X.3.2.- Margen de Ganancia: El MARGEN DE GANANCIA (MG) se define como el valor del mdulo del producto / . Aa / expresado en dB a la frecuencia para la cual la fase de dicho producto, es decir a resulta ser igual a 180. Como de acuerdo a la limitacin de la cantidad de realimentacin positiva, en la expresin (X.3.) cuando la fase a resulta ser igual a 180 le corresponde una realimentacin positiva fijada por el lmite / . Aa / < 0,3 y dado que (20 . log 0,3 = -10 dB ) se constata que el Margen de Ganancia Mnimo es de - 10 dB y lo ideal sera que fuese ms negativo. En la misma figura X.6. se ha identificado la frecuencia para la cual la fase es 180 y proyectando una perpendicular sobre dicha frecuencia se ha interceptado a la curva del mdulo de modo tal que el segmento que lo separa del eje de 0 dB resulta ser el Margen de Ganancia buscado. X.4.- EJEMPLO NUMRICO DE PROYECTO DE UN AMPLIFICADOR REALIMENTADO ESTABLE: Consideremos como ejemplo el caso de un amplificador existente al cual se le desea agregar una red de realimentacin con el objeto de introducir una serie cambios que se juzgan necesarios. El interrogante es, en primer lugar, con qu cantidad de realimentacin negativa a frecuencias medias lo realimentamos, para luego definir y determinar la red de realimentacin correspondiente.
138
Dicho amplificador, que ahora consideramos como amplificador bsico, esta constituido por tres etapas cada una de las cuales con su propia frecuencia de corte individual ubicadas respectivamente en 1, 10 y 50 MHz. y con una ganancia total que a frecuencias medias es de 1000 veces, resultado de la contribucin de las tres etapas conectadas en cascada. Atento a lo descripto la ecuacin transferencia que corresponde a dicho amplificador bsico es:
Aa =
Am f f f 1 + j 1 + j f 1 + j f f3 1 2
1000 f f f 1 + j 1 + j 1 + j 1 10 50
en donde la frecuencia f debe expresarse en MHz. y / Am / = 103 y en consecuencia
20 . log /Am / = 60 dB
Dado que en el producto . Aa la fase de con la fase de Am se cancelan mutuamente para que a frecuencias medias la realimentacin sea negativa (y as permita conseguir las ventajas buscadas), la nica fase que resta en dicho producto es la fase de los polos de Aa que son los que hacen variar a la fase del producto . Aa en altas frecuencias. Es por este motivo que al confeccionar el diagrama de Bode del amplificador bsico operando en la parte correspondiente a la fase de dicho diagrama se estar considerando la fase del producto . Aa . En la figura X.7. se ha realizado la representacin grfica y asinttica tanto del mdulo /Aa / como de la fase de los polos del amplificador bsico. Tal como se supuso en los prrafos precedentes particularmente puede comprobarse que para una frecuencia cercana a unos 22 MHz. en dicho diagrama pueden medirse los siguientes valores: /Aa / = 27 dB 1 + 2 + 3 = 180 quiere decir que si realimentamos negativamente, a frecuencias medias elegiremos una red de realimentacin tal que para dichas frecuencias la fase del producto . Am = 0 . Por consecuencia la fase del producto . Aa se reduce nicamente a la fase de los polos del amplificador bsico y tal como se midiera en la figura X.7. a la frecuencia de 22 MHz. ser de 180 . Si a esa frecuencia se tuviera adems que 20 . log / Aa . / = 0 dB ello significara que a dicha frecuencia se satisface la condicin de oscilacin. Solamente a ttulo de curiosidad veamos cuanta cantidad de realimentacin hace falta incorporarle a dicho amplificador bsico y en frecuencias medias para que ello tenga lugar. A tal efecto consideramos que por propiedad de la funcin logartmica: 1 20 . log / Aa . / = 20 . log / Aa / + 20 . log / / = 20 . log / Aa / - 20 . log / ----- / entonces a dicha frecuencia de 22 MHz: 1 20 . log / Aa . / = 27 dB - 20 . log / ----- / 1 Si hacemos que 20 . log / ----- / = 27 dB a dicha frecuencia se estar cumpliendo la condicin de oscilacin. ya que: 20 . log / Aa . /22 MHz = 20 . log / Aa /22 MHz - 27 dB = 0 dB y como ya se comprob que a esa frecuencia la fase del producto . Aa = 180 si realimentramos con dicha cantidad de realimentacin ( = antilog -1,35 = 0.04467 ) el amplificador oscilara a la frecuencia de 22 MHz. Volviendo al problema que nos ocupa determinemos la mxima cantidad de realimentacin admisible tomando un Margen de Fase de 45 . Para tal fin ingresamos nuevamente al diagrama de Bode perteneciente al
139
amplificador bsico de la figura X.7. pero ahora ubicando la frecuencia para la cual la fase 1 + 2 + 3 = 135 , esto es 8 MHz. aproximadamente, para la cual la ganancia del amplificador resulta: 20 . log / Aa / = 42 dB y como se ha respetado un margen de fase mnimo, en el lmite, a dicha frecuencia puede ser que el mdulo del producto ( . Aa ) se haga unitario (cero dB) con lo que: 1 20 . log / Aa . / = 42 dB - 20 . log / ----- / = 0 dB o sea que la mxima cantidad de realimentacin posible de incorporar ser: = antilog -2,1 = 0,0079 Entonces en frecuencias medias se tendr: 140
1 20 . log / Am . / = 20 . log / Am / - 20 . log / ----- / = 60 dB - 42 dB = 18 dB vale decir: / Am . / = 7,9 con lo que la diferencia de retorno que como mximo puede obtenerse es D = 8,9 X.5.- COMPENSACIN PARA PERMITIR INCREMENTAR LA CANTIDAD DE REALIMENTACIN: En el ejemplo anterior puede suceder que la diferencia de retorno que como mximo puede introducirse, sin peligro de la oscilacin, sea insuficiente en relacin con la magnitud de los cambios que se esperaban obtener mediante la realimentacin negativa (desensibilizacin, modificacin en los niveles de impedancia de entrada y salida, etc.). En este caso cualquier aumento en la transferencia de la red de realimentacin que incorporamos al amplificador bsico estudiado produciran como consecuencia un amplificador inestable y propenso a la oscilacin. Es posible modificar la situacin expuesta solo si se cambia la estructura de polos y ceros de alta frecuencia y/o la ganancia de dicho amplificador bsico para frecuencias medias. Este mecanismo al que se denomina Compensacin y mediante el cual se persigue realizar un reajuste de las curvas de magnitud y de fase del producto . A de modo de producir un mayor margen de fase, se puede lograr por diferentes mtodos a saber:
a) introduciendo un polo extra en la funcin transferencia a una frecuencia inferior a la de los polos existentes, lo cual da lugar a un retardo de fase en el amplificador y por ello a este mtodo se lo denomina Compensacin por Retardo de Fase o Compensacin por Polo Dominante. b) Compensacin por Adelanto, en la cual al amplificador o a la red de realimentacin se le introduce una modificacin de tal manera de aadir un cero en su funcin transferencia produciendo por consecuencia un aumento de la fase del producto . A . c) Compensacin por atraso - adelanto o por polo - cero. Esta metodologa introduce un polo y un cero en la funcin transferencia del amplificador bsico de manera tal que mediante el cero se cancela el polo mas bajo ya existente en el amplificador y el nuevo polo que se introduce se ubica a una frecuencia mucho menor que aquella del polo cancelado.
X.5.1. Compensacin por polo dominante: Al amplificador bsico original, cuya transferencia directa de tensiones fuese AV por ejemplo, se lo modifica agregndole un nuevo polo dominante, es decir un polo cuya frecuencia de ubicacin es mucho menor en magnitud que cualquiera de la de los otros polos de la funcin transferencia AV de modo tal que la nueva funcin transferencia, que llamaremos AV', resulte ser:
Av ' =
1 Av f 1 + j f d
(X.5.)
De esta manera, la ganancia del lazo o producto . AV' a partir de la frecuencia del polo agregado cae con una pendiente de -20 dB/dec si es preciso hasta 0 dB antes de la frecuencia del polo ms bajo de AV (caso de requerirse aplicar la mayor cantidad de realimentacin posible o sea = 1 ) de modo que sus polos contribuyen despreciablemente al cambio de fase. Esto puede lograrse con una simple red R C colocada en el amplificador, tal como se indica en la figura X.8. de modo tal que para dicha configuracin el polo agregado se ubica a una frecuencia fd que resulta ser:
fd =
1 2 R C
(X.6.)
Apliquemos este mtodo en el amplificador precedentemente analizado cuyas curvas de Bode se representaron en la figura X.7. Para tal fin supongamos que la frecuencia del polo dominante que mediante el 141
circuito de la figura X.8. agregamos sea de fd = 1 KHz. Entonces las nuevas curvas de respuesta en frecuencia luego de agregado el circuito de compensacin se han representado en la figura X.9.
Puede comprobarse que la pendiente de -20 dB/dec que introduce el nuevo polo dominante hace que en tres dcadas el amplificador pierda la ganancia de 60 dB que el mismo impone en frecuencias bajas y medias, lo que ocurre a la frecuencia de 1 MHz., es decir a la frecuencia del polo ms bajo del amplificador original en donde por consecuencia la ganancia es 0 dB y la fase es de -135 . Resolviendo nuevamente el problema de la determinacin de la mxima cantidad de realimentacin admisible tomando un Margen de Fase de 45 observamos que ahora es posible introducir = 1 es decir la mayor cantidad posible, para la cual D = 60 dB = 1000 , /AVf / = 0 dB = 1. X.5.2. Compensacin por atraso - adelanto: En este tipo de compensacin, a la funcin transferencia del amplificador original se le adicionan un cero y un polo, con el cero ubicado a mayor frecuencia que el polo. As mediante el cero se cancela el polo de ms baja frecuencia del amplificador original colocando en su reemplazo un nuevo polo de frecuencia inferior al original. En la figura X.10. se presenta al amplificador original conectado en cascada con una red apropiada para introducir un polo y un cero de modo tal que la funcin transferencia de la red de compensacin resulta ser: Vo 1 + j ( f / fz ) ------ = ------------------1 + j ( f / fp ) Vo' 1 fz = -----------------2 . . R2 . C 1 fp = ---------------------------2 . . (R1 + R2 ) . C
(X.7.)
con
Supongamos nuevamente que aplicamos este mtodo de compensacin al mismo amplificador utilizado como ejemplo en los prrafos precedentes. En este caso la frecuencia del cero de la red de compensacin debe ser igual a la del polo de 1 MHz. del amplificador original, mientras que el polo de compensacin, suponiendo requerirse la cantidad mxima de realimentacin posible, lo ubicamos en 7 KHz. En la figura X.11. se representa la respuesta asinttica de Bode para este nuevo amplificador compensado.
142
Se puede comprobar que nuevamente, con un margen de fase de 45 es posible introducir una realimentacin con = 1. Asimismo en este caso se ve una pequea contribucin de fase del polo del amplificador original ubicado en 50 MHz alrededor de la frecuencia para la cual la ganancia a lazo abierto del amplificador se hace 0 dB. En la figura X.12. se observa una comparacin entre las tcnicas de compensacin por polo dominante y por polo-cero para el caso extremo de requerirse aplicar la mxima cantidad de realimentacin posible pudindose notar una mejora del ancho de banda en el caso de la compensacin atraso-adelanto en comparacin con la tcnica de polo dominante. Un tercer mtodo de compensacin consiste en alterar la ganancia del lazo o producto . A agregando elementos reactivos en la red de realimentacin de modo de compensar el amplificador realimentado produciendo un adelanto en la fase. Este tipo de compensacin ser analizada en detalle como aplicacin de los Amplificadores Operacionales. X.6.- RESPUESTA EN FRECUENCIA A LAZO CERRADO: Consideremos el caso de un amplificador bsico realizado mediante un amplificador operacional tipo 748 cuyo circuito esquemtico suministrado por los fabricantes es idntico al del 741 ya estudiado, con la diferencia que no posee integrada la capacidad de 30 pF entre la entrada y la salida de la segunda etapa. Si se ejecuta el ensayo de dicho circuito mediante algn programa simulador tal como el PSPICE, particularmente el estudio del comportamiento en alta frecuencia, el resultado que se obtiene es la presencia de sendos polos ubicados en alrededor de 19 KHz. y de 328 KHz. que son los que prcticamente dominan su respuesta de alta frecuencia. Es de destacar que ms arriba en frecuencia el amplificador referido presenta otras singularidades (ceros en 2,7 MHz y 10 MHz. y polos complejos conjugados en 3,9 y 16,4 MHz.) pero al estar ubicadas lo suficientemente separadas y por mayor simplicidad de anlisis se considerar que no contribuyen apreciablemente en la componente de fase alrededor de la frecuencia del segundo polo considerado como dominante (328 KHz.). La respuesta asinttica de Bode de dicho amplificador 748 se muestra en la figura X.13. en donde nuevamente para una mayor 143
simplicidad se han aproximado las frecuencias de los dos polos dominantes en como la ganancia en frecuencia bajas y medias en 100 dB.
20 KHz. y en 200 KHz. as
Si a tal amplificador le introducimos una red de realimentacin con una transferencia = 0,0001 la recta de realimentacin resulta ser 1 ------ = 104 = 80 dB que trazamos en la misma figura X.13. Se puede comprobar que a la frecuencia de 200 KHz. el segmento X = 0 dB, vale decir que a dicha frecuencia el producto / . Aa / = 1 con lo que el amplificador resulta marginalmente estable (el M.F. = 45 a la frecuencia de 200 KHz.). Cualquier realimentacin con una transferencia superior a 10-4 dara lugar a un amplificador inestable pero el problema que ahora nos interesa es la obtencin de la respuesta asinttica de Bode pero de la transferencia a lazo cerrado. Para dicho fin consideremos:
Af =
A 1+ A
cuyo mdulo es
Af =
A 1+ A
(X.8.)
pero solo el producto . A tambin se puede expresar como: .A = /.A/. e j a = / . A / . ( cos a + j sen a )
por lo que reemplazando en (X.8)
Af =
A 1 + A (cos a + jsen a )
(X.9.)
El objetivo ahora es la obtencin de la curva asinttica de Bode representativa de la ecuacin (X.9.) y ello lo encaramos a travs de la cuantificacin de la misma y para el ejemplo precedentemente presentado, para algunos particulares valores de la frecuencia. Para cada valor de frecuencia, con el auxilio de la figura X.13. encontramos los valores de / A / , / / y , luego reemplazando en la X.9. procedemos con la determinacin del / Af /. Por ejemplo, para 2 KHz. se obtienen los valores numricos indicados en la segunda columna de la siguiente tabla: 144
F (KHz.) / A / (dB) / A / (veces) X (dB) / . A / (veces) a (Grados) cos a sen a 2 100 105 20 10 0 1 0 20 100 105 20 10 -45 0,707 -0.707 200 80 104 0 1 -135 -0,707 -0,707 2000 40 100 -40 0,01 -180 -1 0 20000 0 1 -80 10-4 -180 -1 0
con lo que reemplazando en la expresin (X.9. ) se obtiene el siguiente resultado: 105 / Af / = --------------------------- = 104 / 1 + 10 . (1 + j 0) / valor este ltimo coincidente con la recta de realimentacin. Para 20 KHz. los valores obtenidos con el uso de la figura X.13. son los que se transcriben en la tercera columna de la tabla antes referida por lo que reemplazando en la ecuacin (X.9.) se obtiene: 105 105 / Af / = ------------------------------------- = ------------------------- = 104 / 1 + 10 . (0,707 - j 0,707) / ( 8,072 + 7,072 )0,5 valor este ltimo que nuevamente coincide con la recta de realimentacin. Por su parte para 200 KHz. con los valores de la misma tabla / Af / resulta: 104 104 / Af / = ------------------------------------- = ------------------------- = 13065 / 1 + 1 . (-0,707 - j 0,707) / ( 0,2932 + 0,7072 )0,5
equivalentes a 80 dB
equivalentes a 82,32 dB
vale decir un valor que supera en 2,32 dB a la recta de realimentacin. Ms precisamente, se observara en / Af / la existencia de un pico de ganancia debido a la presencia de la realimentacin positiva, vale decir que alrededor de la frecuencia para la cual / .A / = 1 la realimentacin se hace positiva y esto hace que la ganancia a lazo cerrado sea superior a la ganancia de lazo abierto. Luego ms arriba en frecuencia, por ejemplo para 2 MHz.: 100 / Af / = --------------------------- = 100 / 1 + 0,01 . (-1 + j 0) /
valor este ltimo coincidente con la ganancia a lazo abierto del amplificador bsico, cosa que se vuelve a repetir para 20 MHz.. Este resultado nos indica que la curva de respuesta a lazo cerrado para frecuencia menores a aquella en la que / . A / = 1 es coincidente con la recta de realimentacin (como ya vimos en frecuencias bajas y medias Af = (1/ ) si A es lo suficientemente grande) mientras que para frecuencia mayores a dicha frecuencia la respuesta a lazo cerrado es coincidente con la respuesta a lazo abierto o del amplificador bsico. 145
Este resultado puede comprobarse grficamente en la figura X.14., en donde adems se ha representado la respuesta a lazo cerrado para el caso del mismo amplificador que tuviera una cantidad de realimentacin mayor y por lo tanto un margen de estabilidad o Margen de Fase de tan solo 30 . En este caso el pico de la ganancia a lazo cerrado a la frecuencia en que el / . A / = 1 es de aproximadamente 5 dB y como ya se ha dicho el sistema se considera inestable. Si se continua aumentando la realimentacin y para el caso en que tenga lugar la condicin de oscilacin dicho pico de ganancia alcanza el valor infinito constituyndose en un dispositivo amplificador indeseable. Volviendo el caso de max = 0,0001 de acuerdo con el formato de la curva de respuesta en frecuencia a lazo cerrado puede comprobarse que la frecuencia de corte Fhf (a lazo cerrado) es un poco ms alta que 200 KHz. resultado ste coherente con la propiedad de la realimentacin negativa relativa a que se mejora el ancho de banda en D veces ya que al ser X = 20 dB en frecuencias medias, D = 11 y por lo tanto: Fhf = D . Fh = 11 . 20 = 220 KHz. X.7.- ESTABILIDAD DE AMPLIFICADORES OPERACIONALES Retomemos el tema de la estabilidad ahora considerando a los amplificadores operacionales como amplificador bsico de un sistema realimentado, tal como se consider en el ejemplo del prrafo precedente. En dicho sistema puede constatarse que trabajando con el amplificador operacional 748 sin ningn tipo de compensacin, la mxima cantidad de realimentacin que puede introducirse es de = 0,0001 en cuyo caso la diferencia de retorno mxima con la que puede operarse es de tan solo 11 veces. Existe un buen nmero de aplicaciones en donde resulta necesario operar con una mayor diferencia de retorno y en casos particulares (a menudo muy frecuentes) llegar a trabajar con = 1. De realizarse ello con el mismo amplificador bsico considerado en el ejemplo anterior y sin ningn tipo de compensacin, se estaran realizando circuitos amplificadores inestables. Por ello en la especialidad se cuenta con otro tipo de amplificadores operacionales, tal como el 741, cuyo circuito esquemtico, como ya dijramos es totalmente coincidente al 748, solo que dispone internamente en el integrado de una capacidad de 30 pF conectada entre la entrada y la salida de la segunda etapa tal como se muestra una vez ms en la figura X.15. Dicha capacidad constituye el circuito de compensacin y su magnitud es tal que 146
permite introducir la mayor cantidad de realimentacin tal que el amplificador posee ganancia a lazo cerrado unitaria y el usuario no debe preocuparse por la estabilidad. El precio que se paga para acceder a dicha facilidad es el sacrificio en el ancho de banda ocasionado por la tcnica de compensacin, cuando se utiliza al amplificador operacional como amplificador bsico de un sistema realimentado con una transferencia a lazo cerrado superior a la unidad. La configuracin circuital de la compensacin adoptada en este caso se fundamenta en la limitacin tecnolgica de integrar valores de capacidad superiores a unos 50 pF en el interior del mismo circuito integrado monoltico. Ubicando dicha capacidad C = 30 pF como se observa en la figura X.15. se esta recurriendo al efecto multiplicador de Miller necesario para desplazar el polo originalmente ubicado alrededor de 20 KHz. a una frecuencia de tan solo 5 Hz. y cancelar el polo que segn el anlisis precedente, en el 748 se ubica alrededor de la frecuencia de 328 KHz. De modo tal que la curva de respuesta en frecuencia del 741, tal como la suministran los diferentes fabricantes se presenta como se indica en la figura X.16.
Efectivamente, si consideramos el efecto Miller, el capacitor C = 30 pF se refleja sobre la entrada de la segunda etapa en forma proporcional a la ganancia de la misma. De acuerdo con los clculos realizados en el Captulo V, la ganancia de esta segunda etapa result ser 454 veces por lo que la capacidad reflejada resulta ser: Ci = C . AV2 = 30 . 10-12 . 454 = 13,61 nF Por otra parte en el mismo Captulo V se determin que la resistencia dinmica de carga de la primera etapa, es decir la resistencia de descarga de dicho capacitor Ci , era la resultante del paralelo de la Ro1 = 6,5 MOhm con la Ri2 = 5,44 MOhm cuyo resultado es de aproximadamente 2,96 MOhm, por lo que la constante de tiempo de descarga del mismo es: Ci = Ci . (Ro1 // Ri2 ) = 13,61 . 10-9 . 2,96 . 106 = 40,3 mseg.
147
Este circuito asociado al capacitor de compensacin, adems de cancelar el segundo polo que se ubicaba en 328 KHz. A consecuencia de la constante de tiempo de descarga recin determinada, produce el corrimiento del polo dominante desde 19 KHz. Hasta una frecuencia determinada por su inversa, es decir: 1 1 1000 fp = ------------------------------ = ------------------------- = ------------- = 4 Hz. aproximadamente. 6,28 . 40,3 . 10-3 253,12 2 . . Ci . (Ro1 // Ri2 ) que es responsable de introducir la quebradura en el comportamiento en frecuencia que muestra la figura X.16. En dicha figura puede comprobarse que la ganancia se hace 0 dB ( uno) para la frecuencia de 1 MHz. coincidente con la definicin del producto ganancia por ancho de banda que fuera analizado en el Captulo V. Como consecuencia de ello para una ganancia a lazo cerrado unitario el margen de fase resultante es superior a 45 grados motivo por el cual mientras la red de realimentacin sea resistiva pura el sistema realimentado ser siempre estable si el amplificador bsico se resuelve con un amplificador operacional tipo 741. X.7.1.- Error Dinmico como funcin de la Frecuencia: Consideraremos dos ejemplos de aplicacin de amplificadores realimentados en base al Op.Amp. 741 como amplificador bsico. Por un lado el Amplificador Operacional Seguidor que se indica en la figura X.17.a) y cuyo principio de funcionamiento fue oportunamente revisado en el apartado VIII.2.1. del presente trabajo, con la particularidad de que ahora Rs = R = R1 = 0 y el Amplificador Operacional No Inversor con ganancia a lazo cerrado de 26 dB tal como lo indica la figura X.17.b). En la figura X.18. se han reproducido la Curva de Respuesta Asinttica de Bode correspondiente al Op.Amp 741 indicndose en el mismo las Rectas de Realimentacin que corresponden a ambas aplicaciones. Mientras que en el Amplificador Operacional Seguidor la Recta de Realimentacin pasa por el valor: = 1 R.R.Seguidor = 20 . log / 1/ / = 0 dB
para el amplificador no inversor de 26 dB de ganancia: R2 ' = ------------- = 0,05 R1 + R2 R.R'.No Inversor = 20 . log / 1/'/ = 26 dB
Segn se vio precedentemente el segmento X, separacin entre la curva de respuesta de la amplificacin a lazo abierto y la recta de realimentacin representa los valores del mdulo del producto . Aa y tal como se puede apreciar en la figura X.18. vara segn la frecuencia de trabajo que interese considerar. Por otra parte la ecuacin VIII.6. establece que el error dinmico que se comete al suponer que el amplificador operacional tiene caractersticas ideales es inversamente proporcional a dicho producto, por lo que deducimos que dicho error depende de la frecuencia de trabajo y aumenta a medida que se reduce la amplitud de dicho segmento X. Por ejemplo para el amplificador operacional seguidor de la figura X.17.a). a la frecuencia de 100 Hz, al ser X100 = 80 dB equivalentes a 104 veces, el error 100 = 0,01 %, en cambio para 1000 Hz. dicho error es de 1000 = 0,1 % pudindose considerar en ambos casos despreciable. Pero para el circuito amplificador operacional no inversor de la figura X.17.b). cuya ganancia a lazo cerrado y a frecuencias medias es:
1 R1 + R2 20 Amf = ------ = --------------- = ------- = 26 dB representada por la recta de realimentacin RR' en la figura X.18. 1 ' R2
148
a la frecuencia de 1 KHz. presenta un error dinmico '1000 = 2 % al ser X'1000 = 34 dB que para alguna aplicacin puede resultar ya inconveniente. De ser as cabe considerar que esta aplicacin emplea una cantidad de realimentacin ' = 0,05 bastante inferior al caso del seguidor, por lo que al resolverse con el Op.Amp. 741, compensado interiormente como para permitir = 1, el margen de fase resultante es de 90 , vale decir que comparado con el caso de utilizar el Op.Amp. 748 en este caso se esta perdiendo innecesariamente ancho de banda o lo que es lo mismo se esta incrementando innecesariamente el error dinmico. Se aprecian las ventajas y desventajas de los amplificadores operacionales compensados interiormente, tal como el 741, por una parte presenta la facilidad de que al poder operar sin riesgo de oscilacin en cualquier red de realimentacin resistiva pura, incluso hasta = 1, puede ser utilizado sin que el usuario se preocupe por la estabilidad e incluso ser utilizado por un usuario que ignore totalmente los conceptos de estabilidad y compensacin. El precio que se paga por ello es que si se lo emplea con un lazo de realimentacin con < 1 se pierde ancho de banda o se empeora el error dinmico, amen de las limitaciones en la velocidad de excursin que fueran discutidas en el Captulo V. Para el ejemplo de la figura X.17.b). y apelando a la familia de curvas de respuesta en frecuencia para distintos capacitores de compensacin, que algn fabricante proporcione para el Op.Amp. 748, el amplificador bsico de dicho sistema puede ser resuelto con mayor ventajas por un 748 compensado exteriormente con un condensador de 3 pF que el usuario debe conectar entre los terminales que el fabricante indique para tal fin en cuyo caso el error dinmico para 1 KHz. se podra conservar en un valor de 0,1 %.
X.7.2.- Compensacin Externa en Amplificadores Operacionales: Lo dicho precedentemente puede comprobarse sobre la figura X.19. que intenta reproducir las curvas de respuesta en frecuencia del Op.Amp. A748 (suministradas por Fairchild Semiconductor) y sobre la cual se ha interpolado entre las caractersticas que corresponden a ganancias a lazo cerrado de valores Gain = 10 y Gain = 100 149
estimndose as una capacidad de compensacin de 3 pF que debe ser conectada por el usuario entre los terminales 1 y 5 del circuito integrado.
Otro amplificador operacional que comparte la misma caracterstica de Producto Ganancia por Ancho de Banda de 1 MHz. y que tambin es compensado exteriormente es el Op.Amp. 101 cuya familia de curvas de respuesta en frecuencia para diferentes capacitores de compensacin (tal como las suministra National Semiconductor) se aprecian en la figura X.20. En todos los casos analizados se aprecia que existe una relacin inversamente proporcional entre la frecuencia del polo dominante que agrega el capacitor de compensacin y el valor de dicha capacidad de compensacin, es decir: K1 F1 = --------(X.10.) C de tal manera que tanto para el 748 como para el 101 (tambin el 301): K1 = F1 . C = 10 Hz. . 30 pF. = 300 pF . Hz. Esto es especialmente importante para trabajar con Op. Amp. Compensables exteriormente para los cuales los fabricantes no suministren las familias de curvas de respuesta, ya que atento a esta proporcionalidad se puede resolver la compensacin siguiendo el siguiente razonamiento: a) supongamos trabajar con una ganancia a lazo cerrado que en C.C. y frecuencias medias sea de 20 dB y se requiere que a 10 KHz. el error dinmico sea inferior a 1 %. b) sobre la figura X.20. ubicamos la correspondiente Recta de Realimentacin en 20 dB y en 10 KHz. un segmento X = 40 dB ( = 0,01 = 1 %) y a partir de su extremo superior imaginamos una recta de -20 dB/dec. de pendiente, tal que requerira un polo ubicado en una frecuencia F1' = 100 Hz. c) esto equivale a incluir una capacidad de compensacin que nuevamente debe satisfacer la relacin (X.10.) por lo que tomando el valor de K1 precedentemente calculado:
K1 300 pF . Hz. C' = --------- = ----------------- = 3 pF F1' 100 Hz. d) debemos notar asimismo que igual resultado se obtiene haciendo C' = . C = 0,1 . 30 pF = 3 pF. De 150
modo que generalizando, se puede decir que si C es la capacidad que compensa de modo de permitir una realimentacin = 1, es decir 30 pF en nuestro caso, la nueva capacidad C' necesaria para cualquier otra cantidad de realimentacin menor, ser: C' = . C (X.11.)
X.8.- APLICACIN DE AMPLIFICADORES OPERACIONALES COMO CIRCUITO DIFERENCIADOR: El circuito bsico diferenciador utilizando un amplificador operacional se muestra en la figura X.21. Se trata de una configuracin inversora en donde la seal de excitacin se conecta al terminal inversor a travs de un condensador C, mientras que en el lazo de realimentacin, entre la salida y el terminal inversor se conecta el resistor R.
Suponiendo a un Op.Amp. ideal, el terminal inversor de esta configuracin se comporta como tierra virtual por lo que la corriente I que circula por el condensador C resulta ser: dVs I = C . -------dt mientras que por el resistor R: - Vo I = --------y dado que la corriente que penetra al operacional es nula: R - Vo dVs dVs ------- = C . -------y en consecuencia la tensin de salida es: Vo = -C . R . -------- (X.12.) R dt dt Se observa en la expresin (X.12.) que la tensin de salida es proporcional a la derivada de la tensin de entrada, o sea que el circuito analizado se comporta como un circuito derivador o diferenciador. Como veremos a continuacin, este esquema no resulta prctico ya que no es estable en razn de que no respeta un Margen de Fase mnimo superior a 45.
151
Con la finalidad de llevar a cabo el anlisis de la estabilidad del circuito, supondremos utilizar un Op.Amp. "inherentemente" estable, tal como el 741, aclarndose que podra emplearse cualquier otro tipo de Op.Amp., tal vez con mejores caractersticas para comportarse como diferenciador, solo que de lo que se trata ahora es estudiar como influyen los elementos reactivos cuando forman parte de la red de realimentacin y entonces para mayor simplicidad es que tomamos un Op.Amp. que sabemos posee las mejores caractersticas desde el punto de vista de la estabilidad. En consecuencia, en la figura X.22. volvemos a reproducir su curva de respuesta de amplitud y fase en funcin de la frecuencia y sobre el mismo diagrama iremos incorporando las caractersticas de esta nueva red de realimentacin. En primer lugar ubicaremos en dicho diagrama a la Ganancia del Ruido (1/ ) de esta nueva red de realimentacin. En tal sentido recordemos que cuando se realimentaba con una red resistiva pura, dicha representacin grfica arrojaba como resultado una Recta de Realimentacin (R.R.) Ahora, al hallarse compuesta por elementos reactivos, la grfica de la ganancia del ruido se conformar como una Curva de Realimentacin (C.R.) dado que la misma equivale a la inversa de la transferencia: 1 -----Xc s.C 1 = -------------con lo que en el dominio de la frecuencia compleja s = ------------------ = -----------------Xc + R 1 1 + s.C.R ------ + R Para un anlisis con seal senoidal, llamando: s.C 1 F1 = ----------------2..C.R 1 = ---------------F 1 + j ----F1 F 1 = arctag -----F1
(X.13.)
por lo que: j 1 1 F2 ------ = ( 1 + ------- )0,5 . e F12 con
lo cual expresa que ahora la malla de realimentacin impone una transferencia tambin dependiente de la frecuencia, mas precisamente estableciendo un polo adicional en F1 que introduce una fase negativa adicional en el producto . Aa . A dicha frecuencia F1 la Curva de Realimentacin posee un cero que hace que el segmento X no solo vare por la variacin de Aa sino tambin ahora por la variacin de (1 / ). Considerando que dicha frecuencia F1 resulte ser 400 Hz. (a ttulo de ejemplo) dichas caractersticas se han representado en la figura X.22.. Se puede comprobar que aproximadamente a la frecuencia de 20 KHz. se produce la condicin de oscilacin motivo por el cual hemos adelantado que el circuito diferenciador analizado no resulta prctico. X.8.1.- Circuito Diferenciador Estable: Para solucionar su problema de estabilidad el circuito analizado debe ser modificado, tal como se indica en la figura X.23., con el agregado del resistor Rs en serie con el condensador que ahora llamaremos Cs en serie entre la fuente de tensin de excitacin y el terminal inversor del Op.Amp. Para este nuevo circuito la transferencia de la red de realimentacin resulta: 1 -----s . Cs 1 + s . Cs . Rs = ------------------------ = -----------------1 1 + s . Cs . R Rs + ------ + R s . Cs Rs +
Rs + Xcs = -------------------Rs + Xcs + R
as en el dominio de la frecuencia compleja s
En donde se ha considerado: 152
R >> Rs y si aqu llamamos: 1 F1 = ----------------2 . . Cs . R 1 F2 = ----------------2 . . Cs . Rs
(X.14.)
(X.15.)
la respuesta para la seal senoidal es: F F2 j 2 1 + j ----( 1 + ------- )0,5 . e F2 F22 = -------------------- = --------------------------------j1 F F2 1 + j ----( 1 + ------- )0,5 . e F1 F12
con
F i = arctag -----Fi
Puede constatarse que la nueva red de realimentacin, adems de presentar el polo a la frecuencia F1 como la anteriormente estudiada, impone un cero a la frecuencia F2 que contribuye con una componente de fase positiva ( 2 ), de modo tal que en la fase del producto . Aa adems de tenerse (- a - 1 ) aparece sumando (+ 2 ) como veremos tiende a mejorar la caracterstica del margen de fase. En consecuencia, la nueva curva de realimentacin queda expresada en forma asinttica por ecuacin: : 1 F2 F2 0,5 C.R. = / ------ / = 20 . log ( 1 + ------- ) - 20 . log ( 1 + ------- )0,5 2 F2 2 F1 as por ejemplo si consideramos una frecuencia F1 = 1000 Hz (que constituye simplemente un ejemplo numrico que facilita la exposicin pero que puede ser no prctico), y consideramos que R = 10 . Rs ( F2 = 10 KHz.) la curva de respuesta en frecuencia del amplificador operacional superpuesta con la correspondiente a la ganancia del ruido y con la de fase del producto . Aa se han ejecutado en la figura X.24. En dicha figura se puede comprobar que ahora X = 0 dB, que implica que el mdulo del producto . Aa resulta unitario, se produce ahora en una frecuencia de 100 KHz., frecuencia para la cual el margen de fase es de 90 , vale decir que el circuito resulta estable. La transferencia de seal de este circuito la analizamos estudiando la corriente I, que como sabemos -dadas las caractersticas ideales del Op.Amp. debe ser la misma en ambas ramas de la red de realimentacin:
-Vo Vs Vo -R -R I = ------- = -------------------- ; ------ = ------------------- = ------------------------- ; R 1 Vs 1 1 Rs + ---------Rs + --------Rs . ( 1 + ------------ ) s . Cs s . Cs s .Cs . Rs y recordando la definicin de F2 :
Vo -R . s ------ = ----------------------Vs 1 Rs . ( s + --------- ) Cs . Rs (X.16.)
F j -----Vo R jF R F2 ------- = - ------- . --------------- = - ------ . -------------------Vs Rs j F + F2 Rs F 1 + j -------F2 153 y pasndola a dB:
R F F / Aaf /dB = 20 . log ------- + 20 . log ------- - 20 . log ( 1 + ------- )0,5 Rs F2 F22 F af = 180 + 90 - arctag ------F2 cuyo mdulo hemos representado tambin en la figura X.24. ( con lnea de trazos) observndose que por debajo de la frecuencia F2 el dispositivo deriva, mientras que por encima de dicha frecuencia amplifica las cantidad (-R / Rs ) en nuestro ejemplo -10 veces o 20 dB (por encima de dicha frecuencia el condensador se comporta como un cortocircuito y la configuracin se asimila al amplificador operacional inversor). Visto de otro modo la curva de respuesta en frecuencia es compatible con la de un filtro pasa altos.
2
Volviendo a la expresin (X.16.) si incorporamos una seal de excitacin tipo onda cuadrada, de amplitud A y cuyo semiperodo sea lo suficientemente grande ( 1 mseg. por ejemplo) comparado con la constante de tiempo 1 1 Cs . R = -------------- = ---------------- = 0,16 mseg. 6.28 . 1000 2 . . F1 tal como la indicada en la figura X.25.a). Para el estudio dentro de un semiperodo puede ser considerada como un escaln unitario de amplitud A, es decir que expresada en el dominio de la frecuencia compleja "s" o transformada resulta ser Vs (s) = (A/s), y en consecuencia en el mismo dominio la tensin de salida ser: R A -B Vo (s) = - ------- . --------------- = -------------( s + 1 ) ( s + 1 ) Rs R B = ------ . A Rs
con
154
por lo que antitransformando segn el mismo procedimiento ya utilizado en el prrafo IX.14., la funcin temporal de la tensin de salida es: -1 . t Vo = - B . e y se ha representado en la figura X.25.b). con diferente factor de escala de tensiones comparada con la X.25.a). Una probable aplicacin del circuito en este caso sera resultado de emitir un pulso en su salida cada vez que se produzca un cambio de estado en la entrada. Otro ejemplo clsico es el procesamiento de la seal triangular, tal como la representada en la figura X.26.a) cuya expresin, valida en el intervalo de tiempo 0 - t1 es: t Vs = -VM + 2 . VM . ------t1
y dado que: dVs Vo = - R . Cs . ------dt en el intervalo precitado la tensin de salida es VM Vo = - R . Cs . ( 2 . ------ ) t1
En el semiperodo siguiente, es decir entre t1 y (2 . t1) la seal de excitacin cambia de signo y/o de polaridad por lo que la salida es igual en magnitud pero de signo opuesto, generndose una seal de onda cuadrada cuya amplitud vara con la pendiente de crecida de la seal triangular de entrada, tal como se indica en la figura X.26.b). Por ejemplo si la seal triangular tuviese una frecuencia de 4 KHz. y una amplitud mxima de 0,5 V y fuese aplicada a un circuito diferenciador en el que Cs = 0,0047 F ; Rs = 2,2 KOhm y R = 22 KOhm, dado que: 1 1 F1 = ------------------ = --------------------------------- = 1,54 KHz. 6,28 . 4,7 . 10-9 . 22 . 103 2 . . Cs . R 155
1 1 F2 = ------------------- = --------------------------------- = 15,4 KHz. 6,28 . 4,7 . 10-9 . 2,2 . 103 2 . . Cs . Rs se ve que la frecuencia de la seal de excitacin es inferior a la frecuencia F2 por lo que la misma se ve diferenciada obtenindose a la salida una seal tipo onda cuadrada cuyo semiperodo y amplitud mxima resultan ser: 1 1 2 . R . Cs . VM 2 . 22 . 4,7 . 10-6 . 0,5 t1 = -------------- = -------------- = 0,125 ms. ; Vom = -------------------- = ---------------------------- = 0,83 V 2 . Ftriang 2 . 4 .103 t1 0,125 . 10-3 Un circuito diferenciador prctico resulta ser el indicado en la figura X.27. en el cual puede observarse el agregado del condensador C en paralelo con R y el circuito paralelo Cp y Rp conectado entre el terminal no inversor y tierra. Estos agregados, respecto del circuito ya analizado tienen como objetivo prever la contribucin a la inestabilidad del segundo polo del amplificador operacional (ver figura X.24. por encima de 2 MHz. aproximadamente) as como la compensacin del Offset de corriente respectivamente (Cp anula el ruido trmico generado en Rp ). La transferencia de este circuito es: -Vo Vs I = ---------------- = -----------------R 1 --------------Rs + -------1+ s.C.R s . Cs Vo -R 1 ------ = ------------------- . ---------------------------1 1 +s.C.R Rs . ( 1 + ------------ ) s .Cs . Rs
; Vs
Vo -R 1 s . Cs . Rs ------ = ------- . ----------------- . -------------------Vs Rs 1 +s.C.R 1 + s . Cs . Rs con lo que llamando: 1 F3 = ----------------2..C.R (X.18.) y
(X.17.)
1 F2 = ----------------2 . . Cs . Rs
(X.19.)
dicha transferencia para una seal de excitacin senoidal es: F j -----R 1 F2 Vo ------- = - ------- . ------------------- . -------------------Rs F F Vs 1 + j -------1 + j -------F2 F3
y pasndola a dB:
/ Aaf /dB
F2 R F F2 0,5 = 20 . log ------- + 20 . log ------- - 20 . log ( 1 + ------- ) - 20 . log ( 1 + ------- )0,5 Rs F2 F22 F32 F F af = 180 + 90 - arctag ------- - arctag ------F3 F2
En esta ltima expresin, los tres primeros trminos son coincidentes a los que se obtuvieran en el estudio del circuito anterior y representados grficamente se vio ya el resultado que arrojaban. El ltimo de los trminos, resultante de la existencia de un nuevo polo en la frecuencia F3 , que produce un efecto sobre la estabilidad idntico al que se vi para el polo en F2, es decir que este nuevo polo mejora el Margen de Fase y para que este efecto tenga 156
lugar antes de la frecuencia del segundo polo del Op.Amp. elegiremos como su frecuencia de ubicacin a la frecuencia de 50 KHz., es decir F3 = 50 Khz. As el capacitor C debe ser: 1 1 C = ----------------- = ----------------------------- = 144,8 pF 2 . . F3 . R 6,28 . 5 . 104 . 22 . 103 El diagrama resultante se ha representado en la figura X.28. El circuito diferencia para seales de entrada cuya frecuencia se ubica por debajo de F2 , entre F2 y F3 amplifica segn la relacin (-R/Rs ) mientras que como veremos ms adelante, por encima de la frecuencia F3 integra. En realidad el circuito paralelo entre Cp y Rp en un estudio de mayor precisin se vera que empeora la estabilidad, por este motivo el capacitor Cp se agrega solo si Rp (Rp = R//Rs ) adquiere valores significativos (superiores a 5 KOhm por ejemplo) con el objeto de derivar a masa el ruido de orgen trmico generado en dicha Rp que para dichos ordenes de magnitud ya comienza a ser importante. Para fijar su valor se considera que su reactancia a la frecuencia de la seal a derivar, por ejemplo F1 sea despreciable frente al valor de Rp , es decir:
1 Rp Xp = ------------------ = ------2 . . F1 . Cp 10
por lo tanto
1 Cp = ------------------0,628 . F1 . Rp
El efecto de la mejora en la estabilidad se comprueba observando que en la figura X.28. la fase del producto . Aa por encima de la frecuencia F3 solo puede alcanzar el valor de 90 como mximo aunque en realidad si se considerara el efecto que produce el circuuito Cp //Rp la misma sera algo mayor. En el rango de frecuencias en que el circuito deriva se verific que la tensin de salida es: dVs Vo = - R . Cs . ------- por lo que en el intervalo precitado la amplitud mxima de la tensin de salida Vom al resultar dt 157
proporcional a la pendiente de trepada de la seal de excitacin, puede ser excesiva en comparacin con la tensin de alimentacin del Op.Amp., en cuyo caso al saturarse la etapa de salida se producira una deformacin. Por ejemplo si V+ = V- = 15 Volt, tomando un factor de seguridad de 3 Volt se podra interpretar un Vom = 12 Volt, por lo que la pendiente mxima de la seal de entrada para funcionamiento lineal sera: dVs Vom 12 (-------)max = ----------- = -------------------------- = 0,116 Volt/seg. dt R . Cs 22 . 103 . 4,7 . 10-9 Para prevenir este efecto en el circuito se han agregado los diodos Zener DZ1 y DZ2 en paralelo con el lazo de realimentacin (C // R) que impiden que la salida llegue a tal valor de Vom . Adems este circuito limitador de proteccin establece un camino directo de descarga del condensador C que permitira revertir una eventual carga abrupta ocasionada por ruidos o seales espurias, evitando as que la salida omita la reproduccin de las variaciones presentes en la entrada. X.8.2.- Ejemplo de Proyecto de un circuito Diferenciador Operacional: Supongamos la necesidad de procesar una seal de forma triangular con pendiente de crecida y de disminucin cuyo valor mximo es de +/- 0,1 V/seg. para la cual la amplitud mxima de la onda cuadrada que el circuito debe proporcionar a la salida sea de +/- 10 Volt tal como se muestra en la figura X.29. Para tal fin se debe utilizar un amplificador operacional tipo 108 compensado exteriormente mediante un capacitor de 3 pF. cuyas principales caractersticas son : Vio = 2 mV (mx.) - Iio = 0,2 nA (mx.) - Rid = 30 MOhm y con dicho condensador de compensacin presenta una curva de respuesta en frecuencia tal como la indicada en la figura X.30. con sendos polos ubicados en las frecuencias de 20 Hz. y 2 MHz. y un producto ganancia por ancho de banda Fu = 3 MHz. a) para permitir una excursin de salida Vom = 10 V como la solicitada, con un factor de seguridad o margen de unos 3 V adoptamos una tensin de alimentacin V+ = V- = 15 V que se encuentra dentro del rango permitido por el Op.Amp. utilizado; b) como corriente por la red de realimentacin If = Vom /R se puede adoptar un valor normalmente por debajo del mA. A ttulo de ejemplo tomaremos If = 0,5 mA, por lo cual: Vom 10 V R = ------- = -------------- = 20 KOhm 0,5 . 10-3 If c) atento la ecuacin (X.12.) dt 10 Vom Cs = -------- . -------- = -------------------------- = 5 nF R dVs 20 . 103 . 0,1 . 106 que es un valor aceptable dado que la recomendacin es que sea inferior a 1 F, seguramente para que no resulte inconveniente producir su descarga; d) en consecuencia la frecuencia del polo de (F1 ) es: 1 1 F1 = ------------------ = ------------------------------- = 1.592 Hz. 2 . . Cs . R 6,28 . 5 . 10-9 . 20 . 103 e) y el circuito de compensacin que conectamos en el terminal no inversor es: Rp = R = 20 KOhm a efectos de minimizar el Offset de corriente, mientras que Cp debe presentar una reactancia despreciable a la frecuencia F1 por lo tanto: 158
1 Rp Xp = ------------------ = ------2 . . F1 . Cp 10
con lo que
1 1 Cp = ------------------- = --------------------------- = 50 nF 0,628 . F1 . Rp 0,628 . 1592 . 2 . 104
debindose asegurar que la resistencia de prdidas de este condensador sea por lo menos 100 veces mas grande que Rp es decir 2 MOhm en nuestro caso (capacitores de poliestireno); f) a fin de determinar las frecuencias de los ceros de (F2 y F3) es aconsejable identificar una frecuencia central ubicada entre F1 y la frecuencia del segundo polo del Op.Amp. (Fop2 ) o bien entre F1 y Fu cuando dicho Op.Amp. permite realimentacin hasta ganancia a lazo cerrado unitaria. Por ello determinamos la media geomtrica entre ellos: Fcent = ( F1 . Fop2 )0,5 = ( 1592 . 2 . 106 )0,5 = 56,44 KHz. Luego en razn de que el valor cuadrtico del ruido es proporcional al ancho de banda (F3 - F2) se puede tomar una banda F3 = 10 . F2 o bien F3 = 4 . F2 no mucho ms. Para esta ltima alternativa las separaciones respecto de la frecuencia central previamente determinada ser: Fcent F2 = --------2 g) Clculo de Rs: 1 1 Rs = ------------------ = ------------------------------------ = 1.129 KOhm. 2 . . Cs . F2 6,28 . 5 . 10-9 . 28,22 . 103 h) Clculo de C: 1 1 C = ------------------ = ------------------------------------- = 70 pF. 2 . . F3 . R 6,28 . 112,88 . 103 . 20 . 103 159 56,44 F2 = --------- = 28,22 KHz. y F3 = 2 . 56,44 = 112,88 KHz. 2
y F3 = 2 . Fcent
por lo que
En la misma figura X.30 se ha representado la correspondiente curva de realimentacin resultante, en donde se ha tenido en cuenta que: R 20.000 20 . log ( ------- ) = 20 . log ( ----------- ) = 25 dB Rs 1.129
X.9.- APLICACIN DE AMPLIFICADORES OPERACIONALES COMO CIRCUITO INTEGRADOR: Consideremos el circuito con amplificador operacional que se muestra en la figura X.31. Dada la caracterstica de Tierra Virtual verificada para el terminal inversor, en esta configuracin se tiene que la corriente por la resistencia R es la misma que por el condensador C. As: Vs I = -----Rs por lo que igualando: dVo Vs ------ = - C . ------Rs dt 1 dVo = - --------- . Vs . dt de modo que integrando en ambos miembros C . Rs dVo I = - C . ------dt
por lo que
1 Vo = - --------- . C . Rs
Vs . dt
(X.20.)
comprobndose que la tensin de salida Vo es proporcional a la integral de la tensin de entrada y la constante de proporcionalidad es la inversa de la constante de tiempo ( - C . Rs ). A fin de estudiar la estabilidad de este dispositivo consideramos la transferencia de su red de realimentacin: Rs s . C . Rs = ------------as en el dominio de la frecuencia compleja s = --------------------1 + s . C . Rs Rs + Xc entonces, llamando 1 Fs = ----------------2 . . C . Rs (X.21.) y para una excitacin senoidal
F j -----Fs = ------------------F 1 + j -----Fs
(X.22.)
Se observa que esta nueva red de realimentacin posee un cero en el origen, adems del polo a la frecuencia Fs . Esto hace que ya para frecuencias muy bajas la transferencia introduce una componente de fase positiva de +90 la que recin se llega compensar mutuamente con la correspondiente al polo a una frecuencia una dcada ms arriba de la frecuencia Fs de dicho polo por lo que la nica componente de fase del producto . Aa en ese entorno de frecuencias es la correspondiente al polo del Op.Amp. arrojando un margen de fase no inferior a 90 vale decir un dispositivo totalmente estable.
160
Adems si conjuntamente con la respuesta en frecuencia del Op.Amp. representamos la curva de realimentacin de este circuito obtenemos el resultado indicado en la figura X.32. pudindose notar que el segmento X solo puede anularse a frecuencias del orden de la de transicin del Op.Amp. (Fu ) concluyndose que se trata de un circuito estable.
Sin embargo el circuito tal cual fue presentado no se utiliza ya que transcurrido el transitorio de excitacin el capacitor se carga a la mxima Vs y mantiene su carga produciendo una Vo constante an si se desconecta la fuente de excitacin. Por dicha razn se utiliza un circuito integrador prctico que responde a la topologa indicada en la figura X.33. con el agregado del resistor R, en paralelo con C de manera de permitir la descarga de C. Un nuevo estudio de la estabilidad nos lleva a los siguientes resultados Rs = ------------Rs + Zc Rs Rs + s . C . R . Rs as en el dominio de la frecuencia compleja s = ------------------------ = ---------------------------R R + Rs + s . C . R . Rs Rs + ---------------1+ s.C.R Sacando factor comn Rs en el numerador y (R + Rs ) en el denominador: Rs 1 + s.C.R = ----------- . -------------------R + Rs 1 + s . C . Rs y si aqu llamamos: 1 Fs = ----------------2 . . C . Rs la respuesta para la seal senoidal es: F 1 + j -----Rs F1 = ------------ . ------------------161 (X.23.) y 1 F1 = ----------------2.. C.R (X.24.)
en donde se ha considerado que R >> Rs
(X.25.)
R + Rs F 1 + j -----Fs
Desde el punto de vista de la fase del producto . A, nuevamente introduce una fase positiva debido al cero ubicado ahora en la frecuencia F1, de tal manera que una dcada por encima de esta frecuencia, la fase de este cero se cancelar con la correspondiente al polo del Op.Amp, quedando nicamente la fase del polo de que solo puede llegar a -90 una dcada por encima de su frecuencia Fs . La Curva de Realimentacin y la transferencia a lazo abierto del Op.Amp. se representan en la figura X.34. que como en el caso anterior tienen en cuenta tambin al segundo polo del Op.Amp. pero que sin embargo muestran un Margen de Estabilidad superior al mnimo de 45.
Por debajo de la frecuencia F1 el condensador C puede considerarse un circuito abierto y en consecuencia el dispositivo solo amplifica segn la relacin entre R y Rs , recin por arriba de esta frecuencia el circuito amplifica e integra. Como conclusin al efecto que sobre la estabilidad producen los condensadores incluidos en la red de realimentacin puede comprobarse que los condensadores tipo Cs ubicados en serie con el terminal inversor empeoran la estabilidad, mientras que los tipo C ubicados en el lazo de realimentacin, es decir entre la salida y el terminal inversor contribuyen mejorando las condiciones de estabilidad del dispositivo.
162
X.16.- ANLISIS DE ESTABILIDAD DEL CIRCUITO INTEGRADOR MEDIANTE SIMULACIN CON PSPICE
(P.GONZALEZ GALLI)
163
164
XI Amplificadores de Potencia de Baja Frecuencia
CAPITULO XI - Amplificadores de Potencia de Baja Frecuencia:

XI.1. - INTRODUCCIN:
(A.C.R.TULIC)
La casi totalidad de los temas desarrollados hasta aqu en Electrnica Aplicada I y en el presente texto (con excepcin en el primer caso de las Fuentes de Alimentacin), trataron siempre a los amplificadores lineales. En consecuencia, los parmetros estudiados fueron principalmente transferencias y resistencias de entrada y salida, emplendose mtodos de anlisis comprendidos en la teora de los cuadripolos lineales. En el presente Captulo comenzaremos a estudiar circuitos amplificadores en los cuales dadas las potencias en juego, se intenta por sobre cualquier otra caracterstica, optimizar el rendimiento de conversin de potencia, por lo que el nivel de excursin es necesariamente tan amplio que se opera prcticamente en toda la zona activa til de los elementos activos empleados. Ante tal forma operativa, las hiptesis de linealidad, que hasta ahora eran siempre consideradas, ya no resultan aplicables, la Distorsin armnica y de intermodulacin es otro parmetro que se intenta controlar y como consecuencia de todo ello los mtodos de estudio cambian radicalmente, dejando de lado ya a los cuadripolos lineales para pasar al empleo de mtodos grficos o semigrficos de resolucin. A modo de revisin, recordemos que apelando a dichos mtodos de estudio, para los amplificadores de Clase A estudiados hasta aqu, y al considerar la forma operativa representada en la figura XI.1. se definieron los siguientes conceptos y parmetros: Potencia de C.C. entregada por la Fuente de Alimentacin: Pcc = Vcc . ICQ Potencia Eficaz de Seal en la Carga para excitacin senoidal: Icmax . Vcemax Ps = -------------------2 Potencia Disipada Mxima por el Transistor: Pdm = VCEQ . ICQ (I.36.) (I.35.) (I.34.)
el transistor disipa la mayor cantidad de potencia cuando no hay seal a amplificar y dicha potencia disipada mxima es la que se le suministra a travs de la polarizacin o punto Q. En la figura XI.1. se puede observar la interpretacin grfica de los parmetros y conceptos precedentemente reseados, para el caso particular de un punto Q centrado en la parte til de la recta de carga dinmica. Las reas sealadas son representativas de las potencias definidas. Rendimiento de Conversin de Potencia ( ):
El Rendimiento de Conversin de Potencia que cuantifica la eficiencia con la que el circuito amplificador convierte potencia elctrica de C.C. en potencia de seal sobre la carga y se defini como: Ps % = . 100 Pcc (I.37.)
para un circuito amplificador clase A, tal como el que estamos estudiando, con acoplamiento a resistencia capacidad, si nos ubicamos en las mejores condiciones de excursin, es decir con R.C.E. y R.C.D. coincidentes (REST = Rdin ), punto Q centrado y en donde adems suponemos VCEsat = 0 , con seal senoidal se tiene:
Figura XI.1.
Figura XI.2.
ICQ . Vcc Icmax . Vcemax Psmax = -------------------- = (Vcc/2) . (ICQ /2) = -------------2 4 y en consecuencia el rendimiento, que bajo estas condiciones operativas dijimos era el Rendimiento Mximo Terico para operacin en Clase A, con Acoplamiento a R-C y excitacin senoidal, arroja un valor de: MAX = 25 % valor este ltimo muy difcil de alcanzar sin una gran distorsin de la seal por excursionar ms all de las zonas lmite de linealidad. La necesidad de optimizar este bajo valor de rendimiento da lugar a toda una tcnica especfica que se aplica en los amplificadores de potencia. Un primer paso en tal sentido, consiste en la utilizacin, en el mismo clase A, del acoplamiento de la carga mediante la utilizacin de transformador, lo cual si bien significa introducir mayor distorsin, costos, peso y volumen, permite incrementar el rendimiento a un valor mximo terico del 50 %. No obstante todo ello se aprecia que el aprovechamiento de la fuente de alimentacin sigue siendo muy bajo, por lo que pasaremos revista a otras soluciones. XI.2. OPERACIN EN CLASE B: En clase A pudo observarse que cuando el amplificador no tiene seal por amplificar, en el elemento activo se disipa la mayor cantidad de potencia: la que se le suministra a travs de la polarizacin (VCEQ . ICQ) y que como toda otra desarrollada en el circuito es provista por la fuente de alimentacin. Esta caracterstica no parece razonable si se intenta optimizar la eficiencia del consumo de fuente, todo por el contrario, sera mucho ms lgico que cuando la seal a amplificar se anule, en el elemento activo (por lo menos) no se disipe energa. En otras palabras un mecanismo que permitira mejorar la caracterstica de rendimiento sera admitir que el elemento amplificador consuma potencia solo cuando existe seal aplicada a la entrada del amplificador lo que nos obliga a polarizarlo de modo que ICQ = 0 , vale decir que el transistor por ejemplo, en situacin de reposo (sin seal) permanecera al corte, es decir operando en la denominada Clase B de funcionamiento.
XI Amplificadores de Potencia de Baja Frecuencia Esta nueva forma operativa puede observarse en la figura XI.2. : se deduce que con una seal senoidal aplicada a la entrada del transistor, solo circular corriente por el mismo durante el semiciclo que tienda a polarizar su unin base-emisor en forma directa. No es difcil imaginar la enorme distorsin sobre la seal de salida, al desaparecer todo aquel semiciclo que tiende a polarizar al transistor ms all del corte. Dado que a costa de ello se obtiene una importante mejora en el rendimiento, en bajas frecuencias (tpicamente audiofrecuencias) esta forma operativa se emplea mediante la utilizacin de configuraciones simtricas, tal que con una carga comn logran reconstituir la seal originalmente aplicada. Una configuracin elemental que utiliza la tcnica comentada se presenta en la figura XI.3. En ella, tal como puede verificarse, en este caso, se utilizan dos transistores complementarios: T3 un NPN y T4 un PNP que deben ser lo ms idnticos posible, idealmente apareados, de modo que conduzcan cada uno medio ciclo de la seal senoidal de excitacin, con igual ganancia, componindose dicha seal en la carga Rc que es comn a ambos transistores, al estar conectada en la unin de sus emisores. Ambos transistores complementarios son excitados por la misma seal de excitacin que es provista por el transistor T2 que opera en clase A y con un punto de operacin esttico tal que en reposo la tensin del nodo A es nula, es decir: VCT2 = VBT3-4 = VAT = 0 Volt de modo que al no disponerse de diferencia de potencial alguna ,no puede suministrarse la tensin de umbral base emisor ni para T3 ni para T4 por lo que estos ltimos se encuentran polarizados exactamente al corte como se pretenda y entonces: ICQ3 = ICQ4 = 0 y VCEQ3 = VECQ4 = Vcc Para las componentes de seal, T2 se encuentra cargado por una resistencia de carga dinmica que es: Rdin2 = R // Ri3 Rdin2 = R // Ri4 o sea para el medio ciclo en que conduce T3 , para el medio ciclo en que conduce T4 ,
Rdin2 = R // ( hie3-4 + hfe3-4 . Rc )
Figura XI.3.
Figura XI.4.
de all tambin la necesidad de que ambos transistores complementarios sean lo ms idnticos posible para que el clase A se encuentre cargado de igual forma para cualquiera de los dos medios ciclos, as el circuito equivalente dinmico en la salida puede ser considerado tal como se indica en la figura XI.4 3
XI Amplificadores de Potencia de Baja Frecuencia En dicho circuito la corriente en la carga es: iL = iC3 - iC4 por lo cual las formas de seal de dichas corrientes para una seal senoidal considerada como corriente iC2 , se pueden observar en los oscilogramas indicados en la figura XI.5. XI.2.1. Consideraciones respecto a la Tensin de Ruptura: Para los transistores complementarios de salida, como ya se ha dicho en condiciones de reposo se tiene: ICQ3 = ICQ4 = 0 y VCEQ3 = VECQ4 = Vcc
mientras que en condiciones dinmicas, el circuito equivalente durante el semiperodo en que el transistor conduce se ha indicado en la figura XI.6.a., es decir que en su malla de salida la ecuacin de la recta de carga dinmica resulta ser: -vce ic = ----------Rc As en la grfica de la figura XI.6.b. se ha representado la recta de carga dinmica y en correspondencia la mxima excursin cuando el transistor conduce. Pero en la misma figura XI.6.b. tambin se ha agregado una parte horizontal de la recta de carga dinmica que corresponde al semiperodo durante el cual el transistor no conduce y lo hace el complementario. Entonces si nos referimos a T3 , en esa parte de la RCD se tiene: iC3 = 0 y vCE3 = Vcc + iC4 . Rc
tensin esta ltima que variar entre el valor de Vcc y (2 .Vcc) tal como se ha indicado grficamente.
Figura XI.5.
Figura XI.6.
XI Amplificadores de Potencia de Baja Frecuencia Quiere decir entonces, que mientras el transistor no conduce, el mismo soporta una tensin colector-emisor mucho mayor que cuando conduce y su valor mximo es: VCEMAX = 2 . Vcc (XI.1.)
Valor que debe poder ser soportado por los transistores T3 y T4 por lo que para ellos en este tipo de funcionamiento en clase B se deber considerar que: BVCEo > 1,4 . 2 Vcc XI.2.2.- Rendimiento mximo Terico para Clase B: Como pudo comprobarse en los oscilogramas presentados en la figura XI.5., la corriente por los colectores de los transistores de salida fluye en forma de pulsos peridicos, los cuales si se supone un comportamiento lineal para los transistores T3 y T4 pueden ser representados mediante la serie de Fourier segn: IcMAX 2 . IcMAX IcMAX iC3 = ---------- + ---------- . cos t + ------------- . cos 2 t + ...............(etc.) 2 3. IcMAX 2 . IcMAX IcMAX iC4 = ---------- + ---------- . cos ( t + ) + ------------- . cos 2 ( t + ) + ...............(etc.) 2 3. IcMAX IcMAX cuya componente de continua es --------- y cuya amplitud de la componente de frecuencia fundamental es --------- 2 notndose que aparece un contenido armnico de componentes armnicos pares e impares. En consecuencia puede justificarse que la potencia media o de C.C. entregada por una de las fuentes a uno de los transistores sea: IcMAX Pcc = Vcc . --------- y que la potencia de seal de salida asociada a la componente de frecuencia fundamental que uno de los transistores suministra a la carga sea: VceMAX . IcMAX1a VceMAX . IcMAX Ps1a = -------------------------- = ---------------------2 4 en consecuencia, en condiciones de mxima y tericamente (VCE(sat) = 0 seal senoidal y para esta clase de funcionamiento se tendr: y por lo tanto VceMAX = Vcc ) , para
MAX = ------- . 100 = 78,5 % 4 XI.2.3.- Consideraciones de Distorsin:
(XI.2.)
La necesidad de producir las mximas excursiones posibles como para que el rea asociada a la potencia de salida de seal sea la optima hace que la suposicin de linealidad en el comportamiento de T3 y T4 ya no sea real y consecuentemente haya que considerar para cada uno de estos transistores su curva de transferencia tal como se consider para el clase A, solo que ahora debe realizarse su composicin ortogonal con un semiciclo de la seal senoidal de excitacin de modo que considerando un comportamiento simtrico para ambos transistores se obtendra el resultado que describe la figura XI.7. En dicha figura puede apreciarse el redondeo o achatamiento de los picos debido a la disminucin de y de la resistencia de salida de los transistores para altas corrientes en forma similar a lo que ocurra en el comportamiento de clase A y que puede caracterizarse a travs de la Distorsin Armnica, as como un nuevo tipo de distorsin que 5
XI Amplificadores de Potencia de Baja Frecuencia ocurre en cada oportunidad en que la seal cruza por cero y por consecuencia debe vencerse el umbral o caracterstica exponencial del diodo base-emisor, conoocida como Distorsin de Cruce.
Figura XI.7. Analicemos ambos tipos de deformacin por separado. Debido a la distorsin armnica, ahora en las ecuaciones de iC3 e iC4 (antes consideradas a travs de la serie de Fourier y cuyos coeficientes o amplitudes correspondieron a la seal senoidal rectificada de media onda) en las amplitudes de todas las componentes armnicas aparecer la contribucin o influencia de la distorsin, de modo tal que ahora: IcMAX IcMAX iC3 = ---------- + ---------- . cos t + B2 . cos 2 t + B3 . cos 3 t + ............... (etc.) 2 IcMAX IcMAX iC4 = ---------- + ---------- . cos ( t + ) + B2 . cos 2 ( t + ) + B3 . cos 3( t + ) +...............(etc.) 2 Luego en la carga comn a ambos transistores, la corriente iL = iC3 - iC4 con lo que ahora
ICMAX iL = ---------- . [cos ( t) - cos ( t + )] + B2 . [cos (2 t) cos 2 ( t + )] + B3 . [cos (3 t) cos 3 ( t + )]+... 2 iL = ICMAX cos ( t) + 2 . B3 . cos (3 t) +2 B5 . cos (5 t) + . . . . . . expresin esta ltima que muestra la desaparicin de todos los componentes de armnicos pares, fundamentalmente la primer armnica (aquella de frecuencia doble ya que en la serie sta concentra casi el 50 % de la energa) que en los amplificadores que no emplean la simetra o contrafase es la contribucin a la distorsin armnica ms importante. Lo dicho es lgicamente cierto si ambas ramas del circuito simtrico son perfectamente idnticas ya que si en cambio sus caractersticas difieren apreciablemente, volvern a reaparecer dichos armnicos pares.
XI Amplificadores de Potencia de Baja Frecuencia Un efecto similar puede verificarse con los componentes de riple u ondulacin proveniente de la fuente de alimentacin, que al circular en sentido opuesto por la carga producen una menor interferencia respecto a lo registrado para los circuitos que no emplean ramas simtricas en contrafase. Esta caracterstica se constituye en una muy importante ventaja del circuito amplificador simtrico clase B respecto del amplificador clase A ya que los mismos, comparados con los anteriores producen una menor distorsin armnica. Veremos ms adelante que una manera de atenuar o eliminar el efecto de la Distorsin de Cruce es hacer que el par de transistores de salida no opere exactamente en clase B ( o al corte) sino que en reposo circule por ellos una muy pequea corriente de polarizacin, lo suficiente como para no operar sobre la caracterstica de umbral del diodo base-emisor, constituyndose esta forma operativa en un Clase AB (clase intermedia entre A y B) o bien un Clase B Prctico. XI.2.4.- Consideraciones de Potencia: Hemos visto a travs de la figura XI.6.a y XI.6.b que en un clase B la mayor excursin simtrica, en trminos de tensin resulta ser: VceMAX = Vcc - VCE(sat) y dada la ecuacin de la RCD cuando el transistor conduce, dicha mxima excursin simtrica en trminos de corriente ser: VceMAX Vcc - VCE(sat) (XI.3) IcMAX = ------------ = -------------------Rc Rc de modo tal que la potencia de seal de salida que ambos transistores complementarios le suministran a la carga Rc resulta ser: Ps = Vce . Ic en donde tanto Vce como Ic son los valores eficaces de tal componente de seal. Para cualquier tipo o forma de seal, tales valores eficaces se encuentran relacionados con los correspondientes valores mximos a travs de lo que se conoce como los Factor de Cresta o Fc, de modo que la potencia de seal de salida tambin se podr expresar como: VceMAX IcMAX Ps = ----------- . ----------Fc Fc Como ejemplo, si consideramos una seal senoidal Fc = 1,41 y si se trata de una seal de onda cuadrada Fc = 1. Con ello, llamando: 1 K1 = -------Fc2 entonces Ps = K1 . VceMAX . IcMAX (XI.4.)
Por otra parte, la potencia media o de componente de continua que las dos fuentes de alimentacin le proveen al circuito resulta ser: Pcc = 2 . Vcc . Icc en donde aparece el 2 dado que son dos las fuentes de alimentacin, Vcc son las tensiones de C.C. que las mismas proveen e Icc es el valor medio o de componente de continua de las corrientes que dichas fuentes le suministran al circuito y que para la excitacin senoidal se han representado en la figura XI.5. como iC3 e iC4 es decir en ese caso seal senoidal rectificada de media onda y cuyo valor, segn expresa la serie de Fourier fue (IcMAX / ). Entonces nuevamente, si nos queremos independizar de la forma de seal consideraremos que el valor medio y el valor mximo de cualquier tipo de forma de seal se encuentran relacionados a travs del Factor de Forma Ff, de modo tal que: IcMAX Icc = ---------Ff 2 y llamando K2 = -----Ff 7 entonces Pcc = K2 . Vcc . IcMAX (XI.5.)
XI Amplificadores de Potencia de Baja Frecuencia Al considerar un balance de potencias en este circuito, a cada instante la potencia disipada en colector de los dos transistores complementarios ser igual a la diferencia entre la potencia total entregada por las dos fuentes al circuito y representada por la ecuacin (XI.5) menos la potencia de salida de seal que ambos transistores le entregan a la carga tal como lo establece la ecuacin (XI.4.) es decir: 2 Pd = Pcc - Ps = K2 . Vcc . IcMAX - K1 . VceMAX . IcMAX aqu si reemplazamos IcMAX por la expresin (XI.3.) VceMAX VceMAX 2 Pd = K2 . Vcc . ------------ - K1 . VceMAX . -----------Rc Rc En esta ltima expresin sacaremos factor comn un trmino del tipo: K1 . Vcc2 --------------Rc
trmino este que teniendo en cuenta las expresiones (XI.3) y (XI.4) puede interpretarse como una potencia de salida de seal para un hipottico transistor que tuviera VCE(sat) = 0 por lo que ms tarde lo llamaremos PsMAX K2 VceMAX (VceMAX )2 K1 . Vcc2 2 Pd = --------------- [------- . ------------ - ---------------] Rc K1 Vcc (Vcc)2 PsMAX K2 VceMAX (VceMAX )2 Pd = --------------- . [------- . ------------ - ---------------] 2 K1 Vcc (Vcc)2 Dentro del corchetes de esta ltima expresin , los cocientes ( VceMAX /Vcc) por contener a la excursin pueden interpretarse como seal por lo que los reemplazaremos por la variable X que entonces representa a la seal: PsMAX K2 Pd = --------------- . [------- . X - X2 ] 2 K1 (XI.6)
expresin muy til, ya que nos permite sacar algunas muy importantes conclusiones, a saber: a) suponiendo seal de excitacin nula, vale decir VceMAX = 0 , o lo que es lo mismo X = 0 puede constatarse que la potencia que se disipa en cada transistor del par complementario de salida es funcin de la seal y cuando dicha seal es nula no existe potencia disipada en ninguno de los dos transistores, ya que Pd = 0;
b) tambin resulta nula la disipacin en los transistores de salida para un particular valor de excursin o de seal diferente a cero, es decir para X = (K2 / K1); b) resumiendo lo anterior, la potencia disipada se anula para seal cero y para un particular valor de seal diferente a cero. Ello nos permite asegurar que entre seal cero (X = 0) y seal finita (X = K2 / K1) la potencia disipada Pd o desarrolla un valor mximo o bien uno mnimo. Por ello es interesante analizar sus dos primeras derivadas: d Pd PsMAX K2 --------- = ----------- . ( -------- - 2 X ) dX 2 K1 ; d2Pd PsMAX --------- = ----------- . ( - 2 ) dX 2 2 la potencia se hace mxima, es decir PdMAX
K2 Estos resultados nos dicen que en X = ----------2 K1
XI Amplificadores de Potencia de Baja Frecuencia Pensando en la integridad del par de transistores de salida debe apreciarse que resulta muy interesante conocer tal mximo valor de su potencia disipada, en consecuencia volviendo a la expresin (XI.6) y reemplazando en ella el particular valor de X que hace mximo a dicha potencia se tiene: K2 K2 K22 PsMAX K22 PsMAX Pd = --------------- . [------- . ---------- - ------------] = --------------- . ---------2 K1 2 . K1 4 . K12 2 4 . K12 K22 Pd = ------------ . PsMAX 8 . K12 que para la seal senoidal resulta ser 1 Pd = ------- . PsMAX 5 (XI.7)
expresin esta ltima que nos permite verificar la importancia de haber definido esa potencia de seal de salida mxima ( PsMAX ) aunque su significado sea estrictamente terico, ya que por ejemplo en un caso de proyecto, si interpretamos a la PsMAX como la potencia de seal requerida en la carga, de acuerdo con la ecuacin (XI.7), se sabe que en las mejores condiciones se deben seleccionar transistores que permitan disipar no menos de la quinta parte de dicha potencia, a la temperatura ambiente mxima de trabajo. Por otra parte si reemplazamos PsMAX en funcin de lo interpretado precedentemente, se tiene tambin: K22 K1 . Vcc2 K22 Vcc2 Pd = ------------ . ------------- = --------- . ---------8 . K12 Rc 8 . K1 Rc para la seal senoidal 1 Vcc2 Pd = ------- . --------10 Rc (XI.8)
La expresin (XI.8) en el problema de verificacin nos permite calcular la disipacin de potencia que deben poder disipar el par de transistores complementarios de salida conocido el resto del circuito y sus componentes. La misma ecuacin escrita para su utilizacin en el caso de proyecto nos expresa: 1 Vcc2 Rc > ------- . ------------10 PdMAX (XI.8)
que representara el mnimo valor de resistencia de carga dinmica que se podra adoptar para el caso de haber seleccionado ya la fuente de alimentacin en funcin de la capacidad de disipacin de potencia del transistor con su disipador seleccionado a la temperatura ambiente de trabajo. A ttulo de ejemplo realizaremos un clculo numrico. En tal sentido supongamos tener un transistor de potencia cuyas caractersticas ms destacadas sean: PdMAX = 4 W BVCEo = 40 V (a la temperatura de trabajo y con su correspondiente disipador) ICmax = 1 A
entonces para una carga Rc = 10 Ohm se puede determinar que: Vcc = ICmax . Rc = 1 (A) . 10 (Ohm) = 10 V separada suficientemente de la zona de ruptura. Adems: PsMAX Vcc2 102 = ------------- = ------------ = 5 W 2 . Rc 2 . 10 y 1 5 PdMAX = ------- . PsMAX = ------- = 1 W 5 5 con lo que 2 . Vcc = 20 V
perfectamente admisibles por el transistor. XI.3. OPERACIN EN CLASE B PRACTICA: En el prrafo XI.2.3. precedente, al analizar la Distorsin en el funcionamiento del amplificador simtrico de estricta clase B se vio que como consecuencia de operarse con transistores polarizados exactamente al corte, frente a una seal de excitacin como la senoidal por ejemplo, al margen de registrarse una distorsin armnica 9
XI Amplificadores de Potencia de Baja Frecuencia inferior a la que se produce en clase A, apareca una nuevo tipo de distorsin en cada oportunidad en que la excitacin toma valores cercanos al cero. Tal tipo de distorsin fue denominada como Distorsin de Cruce y es originada por la gran alinealidad de la curva caracterstica del diodo base-emisor desde cero hasta la tensin de umbral de polarizacin directa. Para eliminar o por lo menos disminuir este efecto se recurre a hacer trabajar al par de transistores complementarios con una pequea corriente de polarizacin o de reposo, denominada prepolarizacin de modo que los mismos trabajen en una clase de funcionamiento intermedia entre clase A y clase B, denominada clase AB o bien clase B prctica. Para dicho fin se introduce una modificacin en el circuito de la figura XI.3. incorporando por ejemplo el preset o potencimetro P9 entre ambas bases del par complementario de modo de asegurar una diferencia de potencial entre las mismas que provea las tensiones base-emisor de umbral y que por consecuencia permita el establecimiento de una pequea corriente de polarizacin por los mismos. El circuito se observa en la figura XI.8. en donde las pequeas resistencias de emisor R10 y R11 incluidas se justifican en la necesidad de estabilizar a la mencionada corriente de polarizacin. En dicho circuito y para condiciones estticas de funcionamiento puede plantearse: VR9 = VBE3 + IO . (R10 + R11) + VEB4 = 2 . VBEu + IO . (R10 + R11) (XI.9)
A priori no puede asegurarse ningn valor determinado de esta pequea corriente de prepolarizacin que hemos llamado IO dado que la magnitud de la distorsin que se pretende corregir se encuentra ntimamente relacionada con el grado de alinealidad del par de transistores de salida. Es por este motivo que en este ejemplo se ha elegido un potencimetro para fijarla, permitindose en consecuencia un ajuste manual. Precisamente la recomendacin es fijar el mnimo valor de resistencia en P9 (R9) tal que observando la seal de salida sobre la carga anule la distorsin de cruce (o la minimice), dado que no es conveniente que la mencionada corriente de prepolarizacin sea importante a fin de no sacrificar innecesariamente el rendimiento de conversin de potencia es decir, la misma razn por la cual los resistores R10 y R11 no pueden ser de valor comparable a la resistencia de carga Rc, a tal punto que en la prctica suele tomarse tpicamente: 0,05 RC < R10-11 < 0,10 RC En la figura XI.9.a) se intenta mostrar el efecto linealizador sobre las caractersticas de transferencia con respecto a la corriente en la carga, al fijarse la corriente de prepolarizacin IO . Por otra parte, la ecuacin (XI.9) precedente se satisface para una dada temperatura, pero si se considera una variacin trmica debido (entre otras causas) al manejo de importantes potencias elctricas en estos componentes, dado los coeficientes trmicos de las tensiones de umbral base-emisor ello puede producir un corrimiento en dicha corriente IO por lo que en otros ejemplos veremos que pueden introducirse en el circuito a conectar entre ambas bases del par complementario de salida, elementos de circuitos para lograr un efecto compensador trmico, tales como dos diodos en serie polarizados en forma directa o tal como el circuito indicado en la figura XI.9.b), denominado como Multiplicador de la tensin base-emisor, ya que en l: RA VCEQ = VBEu . ( 1 + --------- ) RB Obsrvese que una solucin muy similar se ha empleado para resolver la etapa de salida del Op.Amp. 741, tal como ya fuera analizado en el Captulo V, apartado V.7. en el que hemos evaluado inclusive la corriente de prepolarizacin correspondiente al circuito indicado en la figura V.27. as como la efectividad del sistema de proteccin contra corto circuitos en la carga, que se podra incorporar ahora a nuestra etapa de potencia. XI.3.1.- Potencia de Salida Util y Potencia Disipada Mxima: El agregado del circuito de polarizacin, estabilizacin y eventual compensacin trmica, para que el circuito opere en un clase B prctico y particularmente, las resistencias de estabilizacin R10 y R11 conectadas en los emisores introducen una modificacin en la resistencia de carga dinmica, que ahora pasa a ser ( RC + R10 ) para el transistor T3 y (RC + R11 ) para el transistor T4 por lo que si consideramos el circuito equivalente de carga dinmica 10
Figura XI.8.
Figura XI.9.
de T3 por ejemplo, en l puede verificarse que siendo la potencia de seal de salida la que establece la ecuacin (I.35.), es decir: Icmax . Vcemax Vcemax Ps = -------------------ahora Icmax = -------------2 RC + R10 en tanto que si llamamos Vomax a la tensin que se desarrolla sobre la carga RC la misma resulta ser una fraccin de Vcemax establecida por el divisor: RC Vomax = Vcemax . -------------RC + R10 en consecuencia, la potencia realmente aprovechada en la carga RC , o potencia de salida til que llamaremos Pu resulta ser: Icmax . Vomax Vcemax RC Pu = -------------------- = ---------------- . Vcemax . -------------2 2 (RC + R10) RC + R10 en consecuencia: Vcemax2 . RC RC + R10 Pu = -----------------------o bien Vcemax = -----------2.Pu . RC (XI.10) 2 . (RC + R10)2 RC Por igual motivo la potencia disipada mxima determinada por la ecuacin (XI.8.) sufre una leve modificacin al considerarse la nueva resistencia de carga dinmica. Asimismo y a los efectos de considerar apartamientos de las condiciones nominales que frecuentemente ocurren en los circuitos reales, consideraremos un +10 % de variacin en la tensin de la fuente de alimentacin y un 20 % de variacin en la resistencia de carga RC de modo entonces, que la potencia disipada ms exigente sera la que seguidamente se indica: PdMAX (1,1 . Vcc)2 = ---------------------------10 . (R10 + 0,8 . RC ) (XI.8)
XI.3.2.- Circuito con una sola fuente de alimentacin: En la figura XI.10. puede observarse un circuito esquemtico, totalmente al que sirvi para discutir los precedentes conceptos, pero ahora empleando solo una fuente de alimentacin ( V= 2 . Vcc ) y en el que se 11
XI Amplificadores de Potencia de Baja Frecuencia incorporado al multiplicador de la tensin base-emisor como dispositivo compensador trmico de la corriente de prepolarizacin. En dicho circuito y en condiciones de reposo, circulando la corriente Io , los potenciales de los nodos de B3 y B4 y del nodo que hemos llamado A , en la unin de R10 y R11 , se encuentran en equilibrio a expensas de la carga del condensador C5 previamente almacenada y en consecuencia no circula corriente por la carga RC . Esto es as ya que si en condiciones iniciales y tambin en reposo, el potencial de alguna de las bases fuese diferente respecto al correspondiente al nodo A, la corriente por uno de los transistores se incrementara y el excedente (respecto de la corriente en el otro) circulara a travs de la carga RC y por el condensador C5 regulando as su cantidad de carga almacenada y modificando por consecuencia la tensin del nodo A hasta alcanzar la condicin de equilibrio: si VB3T > VAT resulta IC3 > IC4 y el condensador se carga, en cambio se VB4T < VAT ahora IC4 > IC3 y el condensador se descarga. En conclusin una vez alcanzado el equilibrio en que: VAT = VB3T - VBeu3 - Io . R10 = VB4T + VEbu4 + Io . R11 el condensador C5 acta como una batera a expensas de la energa previamente acumulada. En consecuencia para este nuevo circuito V = 2 . Vcc por lo que son vlidas todas las expresiones ya determinadas para el circuito con fuente simtrica considerando dicha relacin de equivalencia. Por ejemplo, la potencia disipada mxima para los transistores T3 y T4 queda ahora: PdMAX (1,1 . V)2 = ---------------------------40 . (R10 + 0,8 . RC ) (XI.8)
XI.4.- EJEMPLO DE PROYECTO DE UNA ETAPA DE SALIDA CLASE B CON SIMETRIA COMPLEMENTARIA: En la mayora de los casos prcticos se parte de contar con los datos de potencia de salida til y resistencia de carga que tpicamente es la resistencia de un parlante, asumindose cierto valor de temperatura ambiente de trabajo segn el uso del dispositivo a proyectar (ejemplo: uso profesional Tamb = 50 C - uso militar Tamb = 80 C) Supongamos que en nuestro caso: Pu = 10 W - RC = 8 Ohm - Tamb = 50 C y que sea necesario determinar los distintos componentes del circuito precedentemente descripto e indicado en la figura XI.10. En este caso describiremos seguidamente una secuencia de clculos que nos permitirn hallar una primera aproximacin de la solucin. Tal descripcin en primer lugar aportar una solucin a componentes reales discretos con el objetivo posterior de analizar como cada aspecto conceptual es resuelto luego por la tecnologa electrnica integrada. a) adopcin de las resistencia de estabilizacin R10 y R11 : Hemos dicho ya que tpicamente se suele adoptar: 0,05 . RC < ( R10 = R11 ) < 0,10 . RC con el convencimiento de que, desde el punto de vista de la polarizacin sera conveniente seleccionar el mayor valor de R10-11 pero que en cambio desde el punto de vista del rendimiento de conversin de potencia ello nos alejara tanto ms del optimo valor terico del Clase B cercano al 78,5 %. Como en la mayora de las decisiones de un proyecto se trata de resolver una situacin de compromiso por lo que en tanto en nuestro caso: (0,05 . 8 = 0,4) < ( R10 = R11 ) < (0,10 . 8 = 0,8) puede elegirse R10 = R11 = 0,47 Ohm
b) determinacin de la excursin simtrica mxima necesaria: En trminos de tensin empleamos la ecuacin (XI.10.) , por lo que para nuestro ejemplo numrico: RC + R10 Vcemax = ------------RC 8 + 0,47 2.Pu . RC = -------------- . 8 12 2 . 10 . 8 = 13,4 V
Figura XI.10.
Figura XI.11.
luego la excursin simtrica necesaria expresada en trminos de corriente surgir de aplicar la ecuacin de la recta de carga dinmica en conduccin, con lo cual: Vcemax 13,4 V Icmax = -------------- = ----------------------- = 1,58 A RC + R10 (8 + 0,47) Ohm c) determinacin de la tensin de la fuente de alimentacin: Con el semiciclo positivo de la tensin de salida Vcemax en el lmite debe permitirse que el punto de mxima excursin hacia corrientes crecientes en T3 a lo sumo alcance el lmite con la zona de saturacin de este transistor, motivo por el cual la tensin de alimentacin debe poder suministrar, adems de dicho valor mximo Vcemax el correspondiente valor de la tensin colector-emisor de saturacin de T3 (VCE(sat)3). Simultneamente, en el semiciclo negativo de la misma tensin de salida, nuevamente en el lmite de excursin hacia corrientes crecientes pero ahora de T4 deber tener que permitirse desarrollar la saturacin base-emisor del transistor T4 as como la saturacin simultnea del transistor excitador (T2 ) es decir VEB(sat)4 + VCE(sat)2 . Esta situacin se refleja en el oscilograma de la figura XI.11. de forma tal que despreciando las pequeas diferencias de potencial dinmicas en R10 y R11 la tensin continua del nodo A contra tierra, es decir VAT sobre la cual debe ir montada la componente dinmica o de seal, debe ser como mnimo: VAT = Vcemax + VEB(sat)4 + VCE(sat)2 cuyo valor es: VAT = 13,4 + 2 = 15,4 V
en donde hemos tomado como 1 V a ambas tensiones de saturacin. Luego la tensin que debe suministrar la fuente de alimentacin es: V = VAT + Vcemax + VCE(sat)3 en consecuencia puede seleccionarse estimar una con lo que: V = 30 Volt V = 15,4 + 13,4 + 1 = 29,8 V y consecuentemente como primera aproximacin
V VAT = --------- = 15 Volt 2 13
XI Amplificadores de Potencia de Baja Frecuencia d) seleccin del par de transistores complementarios: Esta seleccin se har efectiva considerando los regmenes lmite de disipacin de potencia, de pico de corriente y de tensin a la cual se vern sometidos ambos transistores y teniendo presente que los requerimientos de simetra supuestos en la introduccin terica ahora impondr que tal seleccin recaiga en pares complementarios apareados recomendados por sus fabricantes y sin dejar de considerar que bajo dichas condiciones operativas los mismos deben presentar la mayor ganancia de gran seal posible, cuestin esta ltima dirigida a no sobrecargar a la seal que debe suministrar la etapa excitadora (T2 ). En consecuencia aplicando la ecuacin (XI.8.) procedemos a determinar la potencia disipada mxima a la cual debern operar: PdMAX (1,1 . V)2 (1,1 . 30)2 > ---------------------------- = ---------------------------- = 4 W aproximadamente 40 . ( 0,47 + 0,8 . 8 ) 40 . (R10 + 0,8 . RC )
Asimismo recordando que cuando cada uno de estos transistores se encuentren cortados y el restante a mxima conduccin sobre el circuito colector-emisor de los mismos se puede llegar a desarrollar toda la tensin V = 2 Vcc (parte de la R.C.D. que corresponde a la no conduccin) y dada la carga resistiva: V 30 BVCEo = VCEoMAX > ---------- = --------- = 40 Volt 0,75 0,75 En tanto que en trminos de corriente: ICMAX (pico) > Icmax = 1,58 A Buscando en algn Manual de transistores, entre aquellos sugeridos por su fabricante como apropiados para amplificadores de potencia de baja frecuencia y solo a ttulo de ejemplo, a fin de mostrar algn procedimiento de seleccin destacamos en primer lugar que en tanto el par complementario BD135/BD136 presenta las siguientes caractersticas: VCEoMAX = 45 Volt ; ICMAX = 1,5 A y disipacin de potencia de 6 W para una TC = 70 C
Es decir que salvo en trminos de corriente se encontrara capacitado para nuestro caso. Es precisamente debido a la caracterstica que si lo hiciramos operar a nuestra corriente de 1,5 A, observando sobre la curva de variacin de la ganancia esttica o de gran seal, el mismo presentara un valor por debajo del 20 % de su capacidad potencial con lo que irremediablemente ello exigira a la etapa excitadora. Asimismo en la misma lnea de transistores complementarios apareados encontramos tambin al par BD437/BD438 cuyos datos ms relevantes, en lo que es de nuestro inters son: VCEoMAX = 45 Volt ; ICMAX = 7 A con un hFE > 40 para IC = 2 A y disipacin total de potencia de 36 W para una TC = 25 C y VCE = 1 Volt. ; con un encapsulado tipo TO-126 =SOT-32
en tanto que ahora, al observar la grfica de variacin de hFE en funcin de IC , tal como se transcribe en la figura XI.12. el grado de aprovechamiento de la capacidad amplificadora es mucho mayor que en el caso anterior ya que se estara operando con valores tpicos comprendidos entre 120 y150 sobre una capacidad mxima cercana a 185 190, lo cual hara acertada su eleccin desde este punto de vista. Para las especificaciones de disipacin de potencia en ambos juegos de transistores cabe sealar que el fabricante al condicionarlas a un dado valor mximo de temperatura de encapsulado, esta descontando que el usuario emplear un montaje no al aire libre para el que asegura una resistencia trmica Rthj-a = 100 C/W, sino sobre una superficie disipadora (suministrando por consecuencia Rthj-c = 3,5 C/W) aprovechando el formato del encapsulado especialmente diseado para tal fin. Esto significa que en la interpretacin elctrica del proceso de transformaciones trmicas dicha forma de montaje estara representada por la figura XI.13 y al comprobar que para ambos juegos de 14
XI Amplificadores de Potencia de Baja Frecuencia transistores TjMAX = 150 C, para los BD437/8 verificamos que deber colocarse un disipador cuyas caractersticas de resistencia trmica sean: TjMAX - Tamb 150 - 50 RthC-D + RthD-A = ------------------- - Rthj-c = --------------- - 3,5 = 21,5 C/W PdMAX 4 perfectamente posible de conseguir, tal como veremos ms tarde. Como conclusin y en un primer anlisis el BD437/8 es un par complementario que rene los requerimientos bsicos de nuestro proyecto dejndose en claro que tambin podra optarse por transistores tipo TIP41/TIP42 o bien TIP33/TIP34 entre otros. e) determinacin de la corriente de excitacin requerida:
Para estos clculos y a ttulo de ejemplo supondremos seleccionar el juego de transistores complementarios tipo BD437/8. Entonces operando con la curva de la figura XI.12. tal como se anticip precedentemente, para el valor de corriente Icmax = 1,58 A, obtenemos un valor tpico de hFE de 130. Por otra parte para otro punto de reposo el fabricante indica: para IC = 500 mA VCE = 1 V : hFEmin = 85 en tanto que a partir del grfico de la figura XI.12. y para igual corriente: hFEtip = 180 entonces extrapolando dicha relacin entre valores mnimos y tpicos, para nuestra corriente de 1,58 A se tendr: 85 hFEmin = --------- . 130 = 61 180 En consecuencia para el peor transistor de la serie de fabricacin, para la obtencin de la potencia de salida til del proyecto se requerir en su base: Icmax 1,58 A Ib3max = ----------- = -------------- = 26 mA hFEmin 61 que tendr que suministrar el clase A. f) Clculo del Disipador :
Segn los clculos realizados precedentemente para la Pdmax = 4 W se requiere un montaje del par de transistores sobre un disipador de modo tal que: RthC-D + RthD-A = 21,5 C/W en tanto que para RthC-D y para ser utilizados como gua para cualquier proyecto de este tipo pueden estimarse los siguientes valores: TIPOS DE ENCAPSULADOS SOT-9 T03 = SOT-3 TO126 = SOT-32 TO220 = SOT-78 SOT-62 RthC-D EN C/W PARA DIFERENTES MODOS DE MONTAJES CON AISLANTE CON GRASA CON AISLANTE DE EN SECO DE MICA SILICONADA MICA Y GRASA SI. 0,5 0,5 1,0 1,5 1,5 1,0 6,0 2,5 0,25 0,25 0,5 0,8 0,42 0,8 0,5 3,0 1,3 2,0
15
0,1
10 I (A) C
Figura XI.12.
Figura XI.13.
Si a nuestro encapsulado TO126 procedemos a montarlo con aislante de mica y grasa siliconada adoptamos un valor de RthC-D = 3 C/W por lo que a los efectos de que los transistores operen a temperaturas ms bajas que el valor mximo admitido para la juntura decidimos dimensionar un disipador plano, brillante y vertical que nos asegure una resistencia trmica RthD-A = 10 C/W. Para tal fin operaremos con el baco de la figura XI.14 ingresando con dicho valor por el eje vertical del cuarto cuadrante. As, interceptando a la curva que corresponde a la posicin y clase de superficie elegidas (Plano, Vertical y Brillante) proyectamos tal punto de interseccin sobre el primer cuadrante, hasta que la lnea vertical corte a la curva que corresponde a nuestro valor de disipacin de potencia (adoptamos 5 W en nuestro caso ya que resulta muy impreciso interpolar ) volviendo a proyectar dicho punto de interseccin ahora hacia el segundo cuadrante mediante una lnea horizontal. Al decidir el espesor de la chapa correspondiente al disipador plano (1, 2 o 3 mm) que adoptamos en 2 mm ubicamos el cruce de la mencionada lnea horizontal con dicha curva y al realizar la proyeccin hacia el tercer cuadrante, identificando la curva que corresponde a nuestro tipo de encapsulado (TO126), determinamos la necesidad de un rea disipadora de 50 cm2 ( 7 x 7,5 cm.) . XI.5.- CALCULO DE LA ETAPA EXCITADORA USO DEL BOOTSTRAPING: Para el desarrollo terico de estos tpicos continuaremos haciendo referencia al ejemplo numrico que venimos desarrollando. Se comprob ya que el clase A excitador debe proveer una corriente en la base de T3 y de T4 que result ser de 26 mA, de modo que por tratarse de clase A de funcionamiento , previendo no incursionar mas all del corte y considerando que parte de su corriente de salida se derivar por la resistencia de carga esttica R (Irmax ) debemos adoptar una corriente de reposo superior, es decir: ICQ2 > Ib3mas o sea ICQ2 > 26 mA Supongamos tomar ICQ2 = 30 mA Desde el punto de vista esttico: Dado que VB3T = VAT + VBeu3 = 15 + 0,7 = 15,7 Volt
V - VB3T 30 - 15,7 R = ---------------- = ------------------ = 470 Ohm ICQ2 30 . 10-3 Luego, para condiciones dinmicas de funcionamiento debemos verificar que corriente Irmax se derivar por dicha resistencia de carga esttica. Para tal fin consideraremos el circuito equivalente dinmico que se observa en la 16
Figura XI.14.
17
Figura XI.14.
18
XI Amplificadores de Potencia de Baja Frecuencia figura XI.15.a). En dicho circuito se puede comprobar que la diferencia de potencial dinmica presente sobre la resistencia R es prcticamente toda la Vcemax por lo que: Vcemax 13,4 Irmax = ----------- = ---------- = 28,5 mA R 470 con lo cual la corriente de reposo de T2 debera aumentarse a: ICQ2 > Ib3mas + Irmax = 26 + 28,5 = 54,5 mA Ahora bien, si se adecua este valor de corriente de reposo de T2 entonces al recalcular la resistencia de carga esttica R esta arroja un menor valor y esto a su vez implicar un incremento de Irmax que obligara a un nuevo incremento de ICQ2 , ingresndose a un circuito de recalculos que no tiene solucin.
Figura XI.15.
Figura XI.16.
Con la finalidad de encontrar una solucin al inconveniente descripto, se puede propiciar una modificacin circuital de modo tal que el circuito de carga de T2 presente circuitos equivalentes estticos y dinmicos diferentes, tal como el que se indica en la figura XI.16. que introduce esta tcnica denominada Boot Strap. En el nuevo circuito R = R7 + R8 por lo que desde el punto de vista esttico, si insistimos con el valor de ICQ2 adoptado en 30 mA, resultar nuevamente que R7 + R8 = 470 Ohm. La diferencia es que ahora, para la seal el circuito equivalente de carga dinmica de T2 resulta ser tal como se indica en la figura XI.15.b). con lo que ahora la corriente Irmax ser la que se establece en la resistencia R7. Para un anlisis cualitativo de la misma consideremos el circuito de la figura XI.16.: en l, dinmicamente la diferencia de potencial en el nodo de emisor de T3 sigue (es prcticamente igual) al potencial en el nodo de base (B3) y dado que R10 es muy pequea ser tambin igual al potencial dinmico del nodo A. Debido al agregado del condensador C4 (en corto circuito para la seal) el nodo D (punto medio de la conexin de R7 y R8 ) tambin se halla forzado a seguir al potencial dinmico de B3 . En conclusin, entre extremos de R7 prcticamente no existe diferencia de potencial dinmica y por lo tanto la corriente Irmax es notoriamente inferior. As, tal como se puede observar en el circuito equivalente de la figura XI.15.b). la diferencia de potencial dinmica entre extremos de R7 es prcticamente solo la cada que Icmax produce en R10 , por lo que tomando Irmax como la diferencia ICQ2 - Ib3max = 30 - 26 = 4 mA el mnimo valor de R7 ser: Icmax . R10 1,58 . 0,47 R7 = ---------------- = ------------------- = 175 Ohm Irmax 4 . 10-3 19
XI Amplificadores de Potencia de Baja Frecuencia Por su parte en la misma figura XI.15.b). se observa que R8 queda dispuesta en paralelo con la carga RC motivo por el cual para que no consuma potencia debe adoptarse en un valor mucho mayor que esta ltima, es decir: R8 > 20 . RC = 20 . 8 = 160 Ohm R8 = 180 Ohm y R7 = 270 Ohm
en consecuencia se puede adoptar el juego de valores:
En cuanto a los condensadores C5 y C4 los mismos deben dimensionarse de modo tal que a la menor frecuencia de operacin sus reactancias presenten valores inferiores a las resistencias que acoplan de modo tal que para frecuencias de corte inferior comprendidas entre 100 y 200 Hz sus valores rondarn los 1000 F. A los fines de seleccionar el transistor T2 por una parte debemos considerar cual puede ser el mayor valor de tensin que puede aparecer entre sus terminales de colector y emisor. Dicha condicin tiene lugar toda vez que el transistor T3 se encuentre en su punto de mxima excursin, de modo tal que en el lmite VCE(sat)3 y su complementario en la condicin de reposo, motivo por el cual: V - VCE(sat)3 - VEBu4 - IO . ( R10 + R11 ) - VCE2MAX = 0 o sea que tpicamente: VCE2MAX = V - 2 Volt aproximadamente.
En consecuencia y tomando a esos 2 Volt como factor de seguridad para la seleccin de T2 deber considerarse: BVCEo > V = 30 Volt asimismo en condiciones de reposo y nuevamente despreciando VEBu4 - IO . R11 : y por tratarse de un clase A: Pd2MAX = ICQ2 . VCEQ2 = 30 . 10-3 . 15 = 450 mW ICMAX = 2 . ICQ2 = 60 mA En base a estos tres datos y nuevamente observando el mismo manual en el que seleccionamos el par complementario de este proyecto encontramos como ejemplo que el transistor BC337 presenta las siguientes caractersticas: VCEoMAX = 45 Volt ICM = 1 A PdTOT = 800 mW y hFEmin(100 mA) = 160 VCEQ2 = VAT = 15 Volt
por lo que este transistor satisface los requerimientos, solicitando una corriente en su base que ser: ICQ2 30 mA Ib2max = ------------ = ------------- = 187 hFE2min 160 XI.6.- ETAPA PRE EXCITADORA: XI.6.1.- Justificacin: La resistencia de entrada de la etapa excitadora, por tratarse de una configuracin emisor comn es hie2 cuyo valor es: hfe2 160 hie2 = ----------------- = ------------------------ = 133 Ohm 40 . ICQ2 40 . 30 . 10-3 por lo que cualquier fuente de excitacin que se vuelque sobre dicho terminal de entrada se ver sometido a un rgimen de carga en exceso exigente. Por otra parte al introducirse el circuito de la figura XI.10. y luego tambin en la XI.16. no se ha considerado ninguna precaucin para la estabilizacin o compensacin trmica de la polarizacin de T2 , en tanto que 20
XI Amplificadores de Potencia de Baja Frecuencia como ya hemos adelantado es muy importante que la tensin de reposo del nodo A quede estabilizada y en esta versin discreta, adems pueda ser ajustada ya que ello permitira lograr el ajuste de un recorte simtrico de la seal de salida. Desde el punto de vista dinmico tambin sera muy apreciado que la ganancia de tensin de la etapa fuese una constante independiente de todos aquellos factores que contribuyan a su variacin (dispersin, temperatura, variaciones de tensin de fuente, etc.) de la misma manera que su resistencia de entrada tambin fuese una constante adecuadamente fijada por algn componente bien estable. Por estos motivos, entre otros, se justifica el agregado de una etapa adicional pre-excitadora mediante la cual incorporaremos un lazo de realimentacin en las componentes de continua de las tres etapas, asi como un lazo de realimentacin de seal. El circuito se presenta en la figura XI.17. en donde puede constatarse que la etapa agregada, conformada por el transistor T1 es excitada por su base, cargada por su colector y que en emisor dispone de una realimentacin de C.C. al establecerse el retorno del resistor R9 a partir del nodo A logrndose as estabilizar la tensin continua VAT . Adems el camino de seal que agrega el condensador C3 permite incorporar un lazo de realimentacin de seal mediante la red de realimentacin conformada por R9 - R6 del tipo tensin serie. XI.6.2.- Proyecto del Pre-excitador: Desde el punto de vista de la polarizacin, T1 tiene como misin proveer la corriente de base de T2, en consecuencia, para independizar la ICQ1 de la dispersin y variaciones de la ganancia de corriente de T2 (hFE2 ) se adopta el criterio de hacer: ICQ1 >> Ib2max . Es por este motivo que se incorpora el resistor R3 por el cual se derivar la mayor parte de la corriente de colector de T1 . De tal forma que: ICQ1 = IR3 + Ib2max de acuerdo al valor ya obtenido de Ib2max IR3 adoptamos adoptndose ICQ1 = 2 mA ICQ1 = 10 . Ib2max
y por consecuencia:
= ICQ1 - Ib2max = 2 - 0,2 = 1,8 mA
por lo que podemos calcular la resistencia R3 :
Figura XI.17. 21
XI Amplificadores de Potencia de Baja Frecuencia 0,7 V VR3 R3 = ------------ = ------------- = 390 Ohm 1,8 mA IR3 Como en cualquier etapa amplificadora con polarizacin estabilizada, entre un 15 y un 20 % de la tensin de alimentacin se dedica como diferencia de potencial sobre la resistencia de estabilizacin corriente-serie (en este circuito llamada R9 ). Desde el punto de vista de la estabilizacin conviene que dicha resistencia sea lo ms grande posible, pero como hemos adelantado la inclusin del potencimetro R4 tiene como objetivo permitir el ajuste del potencial VAT y por consecuencia una R9 grande dejara un reducido margen para realizar dicho ajuste. En nuestro caso VAT resulta ser un poco mayor a (V/2) = 15 Volt por lo que si adoptamos VR9 = 2 Volt resultar: VR9 2 Volt R9 = ------------- = ------------ = 1 KOhm 2 mA ICQ1 y en consecuencia la distribucin de tensiones en el circuito es: VAT = 15 Volt VET1 = VAT - VR9 = 15 - 2 = 13 Volt
VBT1 = VET1 - VEBu1 = 13 - 0,7 = 12,3 Volt VCEQ1 = VCT1 - VET1 = VR3 - VET1 = 0,7 - 13 = -12,3 Volt La mximos valores de potencia disipada y de tensin de ruptura para este transistor T1 son: Pdmax = VCEQ1 . ICQ1 = 12,3 . 2 . 10-3 = 24,6 mW y VCEoMAX = 1,4 VAT = 28 Volt
por lo que en base a estos valores se lo puede seleccionar, teniendo en cuenta adems que por ser etapa de entrada, en donde menor es el nivel de la seal y por lo tanto es preciso establecer una buena separacin respecto al nivel de ruido, deber darse preferencia a un transistor de bajo nivel, de alta ganancia y de bajo ruido. Continuando con el objetivo de mostrar un ejemplo numrico concreto supongamos que en la lnea de componentes que venimos seleccionando para la etapa de salida y la excitadora decidiramos utilizar el transistor BC559B con las funciones de pre-excitador. A continuacin se debe dimensionar el divisor de tensin del circuito de base de este transistor cuyo circuito equivalente esttico se representa en la figura XI.18. La corriente en dicho divisor, o corriente en el resistor R1 que llamaremos I1 como sabemos, debe ser tanto mayor que la corriente de base de T1 cuanto ms alto sea el factor de estabilizacin que se desee imponer en la polarizacin de todo el sistema amplificador. En el otro extremo cuanto mayor sea I1 mayor ser el consumo de la fuente y se limitar el valor de la resistencia de entrada que presentar el dispositivo que como veremos luego quedar fijada por el valor de R12, de modo que una solucin de compromiso y como una primera aproximacin puede procederse haciendo valer el criterio de seleccin de T1 desde el punto de vista de una alta ganancia. En tal sentido este transistor para una corriente IC = 2 mA presenta: hFEtip = 290 entonces: hfetip = 335 y tambin: hFEmin = 200 as hfemin = 240
ICQ1 2 mA IB1MAX = -------------- = -------------- = 10 A hFEmin 200
I1 = 10 . IB1MAX = 0,1 mA
Como veremos luego, debido a los valores tpicos de ganancia que presentan estos dispositivos, R6 siempre es mucho ms chica que el conjunto ( R2 + R4 ) por lo que estas ltimas se determinan haciendo: VBT1 12,3 Volt ( R2 + R4 ) = ----------- = ---------------- = 123 KOhm I1 10-4 A 22
XI Amplificadores de Potencia de Baja Frecuencia motivo por el cual puede adoptarse un resistor fijo de valor R2 = 68 KOhm y un resistor ajustable tipo preset de valor R4 = 100 KOhm de modo tal que aproximadamente en la mitad de su recorrido se pueda lograr un cmodo ajuste de la polarizacin del sistema, particularmente de la tensin VAT y ello sin riesgo a que en dicho proceso se pueda hacer nula. Por otra parte, la otra rama del divisor ser: V - VBT1 (30 - 12,3) Volt ( R1 + R12 ) = ----------------- = -------------------------- = 177 KOhm I1 10-4 A debindose adoptar los valores de cada uno de dichos resistores en funcin del valor de la resistencia de entrada que se desee imponer para todo el sistema amplificador, que como ya se adelant y como veremos luego, en buena medida quedar fijada por el valor de R12 . Como ejemplo supongamos requerir Rin = 80 KOhm. R12 > Rin = 120 KOhm y por consecuencia R1 = 56 KOhm
con la aclaracin de que el conjunto R1 - C1 constituye una celda de filtro adicional para atenuar o minimizar la influencia del ripple o factor de ondulacin de la fuente de alimentacin sobre el bajo nivel de seal que como se comentara ya, debe procesar la etapa de entrada, por lo tanto con un C1 aproximadamente diez veces el valor de C2 y condicionando a este ltimo con la frecuencia de corte inferior del sistema ( 50 o 100 Hz tpicamente), tal como se detallara en el Captulo X del presente trabajo. Hasta aqu hemos completado la determinacin de todos los componentes del circuito propuesto desde el punto de vista esttico motivo por el cual se impondra llevar a cabo la verificacin del comportamiento del mismo en su totalidad. A ttulo ilustrativo y dentro de dicho esquema es til que comprobemos la aptitud del circuito propuesto para permitir el ajuste del recorte simtrico o valor de VAT . Para tal fin supongamos que por medio del ajuste en R4 llevemos el valor de ( R2 + R4 ) a 150 KOhm. En ese caso: V 30 Volt I1 = --------------------------------- = ----------------------------------- = 92 A ( R1 + R12 + R2 + R4 ) (56 + 120 + 150) . 103
Figura XI.18.
Figura XI.19. 23
Figura XI.20.
XI Amplificadores de Potencia de Baja Frecuencia en consecuencia:
VBT1 = I1 . (R2 + R4 ) = 92 . 10-6 . 150 . 103 = 13,8 Volt VET1 = VBT1 + VEBu1 = 13,8 + 0,7 = 14,5 Volt VAT = VET1 + VR9 = 14,5 + 2 = 16,5 Volt
en lugar de los 15 Volt que en la etapa de proyecto hemos supuesto como convenientes por lo que til sera comprobar el recorte sobre el semiciclo positivo de la seal de salida utilizando el osciloscopio. En cuanto al efecto de la realimentacin de C.C. consideremos que al ser: VAT - VET1 ICQ1 = ------------------R9 si apartndonos de las condiciones normales de funcionamiento supusiramos que por cualquier causa VAT tiende a crecer (lo cual producira un recorte ms pronunciado en el semiciclo positivo de la seal de salida), ello traera aparejado un incremento de ICQ1 . Se producira entonces un incremento en IR3 y en IB2 y por consecuencia en ICQ2 tambin, que tendera a aumentar produciendo que VBT3 = V - ICQ2 . ( R7 + R8 ) disminuya y por consecuencia tambin tienda disminuir la misma VAT . Se parte de suponer un incremento en VAT y cerrando el lazo de anlisis se llega a la conclusin que la misma VAT debe disminuir; ello significa que en condiciones dinmicas el circuito fuerza a mantener la VAT constante. La sensibilidad con que acta este mecanismo de autoregulacin de VAT depende del valor de R9 por lo que desde este punto de vista habr para este componente un valor mnimo adecuado. Desde el punto de vista dinmico, en la figura XI.19. se representa un circuito equivalente para la seal, correspondiente a esta etapa pre-excitadora. Se observa que mediante el divisor R9 - R6 (considerando en corto circuito al capacitor C3) se introduce una realimentacin negativa externa tomando una muestra de la tensin de salida til sobre la carga, es decir: RC 8 Vomax = Vcemax . --------------- = 13,4 . -------------- = 12,66 Volt RC + R10 8 + 0,47 y reinyectndola en serie en la entrada como una tensin Vfmax dada por: R6 Vfmax = --------------- . Vomax R9 + R6 por lo que llamando Vfmax R6 = --------- = -------------Vomax R9 + R6
En consecuencia, tal como se viera en el Captulo correspondiente, si la ganancia a lazo abierto de estas etapas amplificadoras es lo suficientemente alta, en el comportamiento a lazo cerrado se tendr que la ganancia de tensin de todo este dispositivo se encontrar fijada con la red de realimentacin recin analizada, motivo por el cual: 1 R9 AVf = ------- = 1 + -------- R6 ganancia esta ltima que generalmente suele ser un dato directamente o bien a travs de la sensibilidad del sistema amplificador (con valores tpicos comprendidos entre 20 a 200 veces equivalentes a Vinmax comprendidos entre unos 50 y 500 mV). Supongamos como ejemplo que la sensibilidad de nuestra etapa proyectada tuviese que ser de Vin(RMS) =100 mV . Asi en nuestro caso: Vomax 1 R9 12,66 AVf = ------------------- = ------- = 1 + --------- = ---------- = 89,8 1,41 . Vin(RMS) 0,141 R6 24
XI Amplificadores de Potencia de Baja Frecuencia por lo que: 1 KOhm R9 R6 = ---------- = --------------- = 11,26 88,8 88,8
por lo que adoptamos
R6 = 12 Ohm
confirmndose un valor mucho ms bajo comparado con la suma ( R2 + R4 ) que justifica haberla despreciado en los clculos estticos precedentes. XI.6.3.- Consideraciones respecto de la Impedancia de Entrada: En el mismo circuito equivalente dinmico de la etapa pre-excitadora de la figura XI.19. puede estudiarse la resistencia de entrada de este dispositivo amplificador. Se mencion ya que lo ideal sera que dicha resistencia de entrada quedara fijada por R12 , pero para ello el circuito existente a la derecha de dicha resistencia no debera cargar en el paralelo con R12 , cosa que pasamos a verificar seguidamente. Tal como se ha indicado en dicho circuito equivalente, el circuito serie ( R2 + R4 ) se encuentra conectado entre el terminal de entrada o de base y el terminal de emisor del transistor T1 , as siempre que la resistencia de ( R2 + R4 ) sea superior a hie1 y de acuerdo con el teorema de MILLER, tal como se describe en la figura XI.20.: Vf ( R2 + R4 ) K = --------y entonces: Rin2-4 = -----------------1 - K Vin y como: hfe1 . R6 390 . 12 K = ------------------------ = --------------------------- = 0,5 hie1 + hfe1 . R6 4,8 . 103 + 390 . 12 120 KOhm Rin2-4 = ------------------- = 240 KOhm 1 0,5 Paralelamente y segn se desprende de los circuitos equivalentes XI.21. y XI.22 se observa que T1 dispone de una realimentacin local del tipo corriente-serie debido a la presencia de la resistencia R6 sin desacoplar en su circuito de emisor, motivo por el cual para el lazo de realimentacin externa la resistencia de entrada del amplificador bsico ser Ris = hie1 + hfe1 . R6 = 9,5 KOhm . A los efectos de determinar la diferencia de retorno de dicho lazo de realimentacin externo para el cual:
25
XI Amplificadores de Potencia de Baja Frecuencia 12 R6 = ------------------ = ---------- = 11,8 . 10-3 R9 + R6 1012 es necesario calcular la ganancia de tensin a lazo abierto es decir la que corresponde al circuito amplificador bsico sin realimentar y cargado con la red de realimentacin de la figura XI.22. En este ltimo: (R9 + R6) >> RC y como ya se dijo: R9 >> R6
Asimismo y como se analizara en la figura XI.15.b). R7 >> ( hie3 + hFE3 . R10 ) dada la caracterstica de etapa de gran seal. Igualmente R8 >> RC
y el sistema de Bootstraping incorporado. Por tal motivo la resistencia de entrada del clase AB resultar: Ri3 = hFE3 . (R10 + RC ) = 150 . (0,47 + 8) = 1270 Ohm por lo que la ganancia de tensin de la etapa excitadora resultar: AV2 = gm2 . Ri3 = 40 . 30 . 10-3 . 1,27 . 103 = -1524 en tanto que la resistencia de entrada de la misma ser: hfe2 175 hie2 = ------------- = ----------------- = 146 Ohm gm2 40 . 30 . 10-3
En consecuencia la resistencia de carga dinmica de la etapa pre-excitadora ser: 390 . 146 Rd1 = R3 // hie2 = ----------------- = 106 Ohm 390 + 146 y su ganancia de tensin: Rd1 -106 AV1 = --------- = --------- = -8,85 R6 12
Como el clase AB de salida tiene caractersticas seguidoras supondremos que no contribuye a la ganancia de tensin, por lo que a lazo abierto la dos primeras etapas disponen una ganancia de: AVTot = AV1 . AV2 . AV3 = (-1524) . (-8,85) . 1 = 13491,4 Si bien no disponemos datos de la resistencia interna de la fuente de excitacin que volcaremos sobre la base de T1 vamos a suponer que al buscarse mxima transferencia de energa o lo que es lo mismo la adaptacin de impedancias en la entrada, Rs = RiA con lo cual la ganancia de tensin referida a la fuente de excitacin ser: AVs = (AVTot / 2) = 6750. En consecuencia la diferencia de retorno ser: D = 1 + . AVs Enntonces: = 1 + 11,8 . 10-3 . 6750 = 80,6
Ri1 = hie1 + hfe1 . R6 = 4,8 . 103 + 390 . 12 = 9,6 KOhm Rs . R12 Rs = ------------------ = 9,6 KOhm Rs + R12
con lo cual: y por lo tanto a lazo cerrado:
Ris = Rs + Ri1 = 19,2 KOhm Risf = D . Ris = 80,6 . 19,2 . 103 = 1,55 MOhm Risf . Rs Rif = ----------------- = 1,53 MOhm Risf - Rs 26
XI Amplificadores de Potencia de Baja Frecuencia con lo que, finalmente, la resistencia de entrada del dispositivo es: Rin = R12 // Rif // Rin2-4 = 120 KOhm // 1,53 MOhm // 240 KOhm = 76 KOhm
XI.7.- EMPLEO DEL PAR DARLINGTON COMPLEMENTARIO - SIMETRIA CUASICOMPLEMENTARIA: Cuando las potencias de salida requeridas resultan del orden de varias decenas o del orden de la centena de Watt la etapa de salida complementaria tal como la estudiada hasta aqu, es decir con ganancia de corriente de gran seal compatible con la correspondiente a un transistor bipolar convencional, arroja como consecuencia una etapa excitadora con un nivel de excursin o nivel de potencia de salida similar a una etapa de potencia por lo que su resolucin con la configuracin clase A traera aparejado las limitaciones y desventajas que se detallaran ya con anterioridad. Es por este motivo que frente a dichos niveles de potencia de salida se pueden utilizar como transistores de salida al par DArlington y a su correspondiente par DArlington complementario, tal como se ilustra en la configuracin circuital indicada en la figura XI.23., de modo de aprovechar la alta ganancia de corriente inherente a dicha conexin DArlington. El estudio de dicha configuracin circuital la encararemos haciendo uso de los conceptos hasta aqu descriptos y para tal finalidad encararemos la resolucin de un proyecto en base a un ejemplo numrico que parte de los siguientes datos: Pu = 100 W - RC = 4 Ohm - Tamb = 30 C a) adopcin de las resistencia de estabilizacin R10 y R11 : Hemos dicho ya que: 0,05 . RC < ( R10 = R11 ) < 0,10 . RC
en atencin a los niveles de potencia que se debern manejar en este ejemplo, con la consiguiente sobre elevacin de la temperatura de trabajo y su influencia sobre la polarizacin, se estima aconsejable seleccionar el mayor valor resulltante de aplicar dicho criterio e inclusive superando dicho tope. As R10-11 en este caso surge de considerar: (0,05 . 4 = 0,2) < ( R10 = R11 ) < (0,10 . 4 = 0,4) pudiendo elegirse R10 = R11 = 1 Ohm
aunque no se cumpla dicha recomendacin y en detrimento del rendimiento. b) determinacin de la excursin simtrica mxima necesaria: RC + R10 Vcemax = ------------- . RC 4 + 1 2.Pu . RC = ------------ . 4 2 . 100 . 4 = 35,35 V
Vcemax 35,35 V Icmax = -------------- = ----------------------- = 7,1 A RC + R10 ( 4 + 1 ) Ohm c) clculo de la tensin de la fuente de alimentacin: En esta configuracin circuital las previsiones de mxima excursin con un recorte simtrico nos llevan a considerar que para una de los semiciclos adems de la calculada Vcemax se debe tener en cuenta la VCE(sat)3 correspondiente al par DArlington NPN mientras que para el restante semiciclo en el lmite la Vcemax debe producirse cuando adems de saturar el clase A ( VCE(sat)2 ) se saturen las dos uniones base-emisor del par DArlington complementario al anterior ( 2 . VEB(sat)4 ), motivo por el cual el mnimo valor de la tensin de la fuente de alimentacin necesaria ser: V = 2 . Vcemax + VCE(sat)3 + 2 . VEB(sat)4 + VCE(sat)2 = 2 . 35,35 + 4 = 75 V
as puede seleccionarse la fuente de alimentacin con dicho valor de tensin y consecuentemente como primera 27
aproximacin estimar una V VAT = -------- = 37,5 Volt 2 d) seleccin de los pares DArlington complementarios: Los transistores de la etapa de salida deben cumplir con los siguientes requisitos: PdMAX (1,1 . V)2 (1,1 . 75)2 > ---------------------------- = ---------------------------- = 41 W ; 40 . (R10 + 0,8 . RC ) 40 . ( 1 + 0,8 . 4 ) V VCEomax > ----------- = 100 V 0,75
debiendo admitir tambin un ICMAX (pico) > 7,1 A previamente calculados. Recorriendo los Manuales de Semiconductores de Potencia y a ttulo de ejemplo puede destacarse los transistores tipo DArlington complementarios tipo BDX67B / BDX66B o bien los tipo TIP142 / 147 que con mayor o menor ventaja podran seleccionarse para este ejemplo, destacndose para ellos las siguientes caractersticas: BDX67B / BDX66B: VCEomax = 100 V TIP142 / 147: VCEomax = 100 V ICMAX (pico) > 10 A TjMAX = 150 C - jc = 1 C/W hFE(5A) = 1000 ICMAX (pico) > 20 A TjMAX = 200 C - jc = 1,17 C/W hFE(10A) = 1000
Encapsulado tipo T03 de modo tal que para el primer grupo seleccionado el disipador necesario surgira de considerar: TjMAX - Tamb 200 - 30 C-D + D-A = ------------------- - j-c = --------------- - 1,17 = 3 C/W PdMAX 41 por lo que dado el encapsulado y un montaje con utilizacin de grasa siliconada es posible estimar una C-D = 0,5 C/W y consecuentemente y con el auxilio del baco ya descripto, dimensionar un disipador capaz de presentar una D-A inferior a 2,5 C/W en base a una extrusin tipo 56290, pintado horizontal en una longitud de 10 cm. aproximadamente. 28
XI Amplificadores de Potencia de Baja Frecuencia Dada la ganancia de corriente asegurada este juego de transistores requerir, para la obtencin de la potencia de salida til especificada, una excitacin de: 7,1 A Icmax Ib3MAX = -------------- = ---------- = 7,1 mA hFE(10A) 1000 e) Demanda de corriente a la etapa excitadora - clculo del circuito Bott Strap: Tal como hemos visto con anterioridad, una de las formas de economizar potencia en la etapa excitadora clase A es utilizar el sistema de boot straping en la etapa de salida. Para dicha configuracin circuital y para las componentes dinmicas el circuito equivalente que puede analizarse se ha representado en la figura XI.24. En dicho circuito Ib3MAX = 7,1 mA y como sabemos la corriente de polarizacin del clase A excitador debe adoptarse de modo que: por lo que puede adoptarse por ejemplo ICQ2 = 12 mA ICQ2 > Ib3MAX = 7,1 mA ya que haciendo los mismos clculos que se realizaran en el ejemplo precedente: IrMAX = ICQ2 - Ib3MAX = 12 - 7,1 = 5 mA aproximadamente
con la diferencia que ahora, la cada de potencial en R7 es mucho mayor que antes, debido a la saturacin del par DArlington considerada en su unin base-emisor, es decir: VR7 = 2 . VBE(sat) + Icmax . R10 = 2 . 1 V + 1 . 7,1 V = 9,1 V por lo que el valor mnimo de R7 ser: VR7 9,1 V R7MIN = ------------- = ------------ = 1,8 KOhm IrMAX 5 mA
de la misma forma el mnimo valor para R8 de modo que no cargue al parlante: R8MIN = 20 . RC = 80 Ohm. Por otra parte, para la componente de continua por lo que sobre el circuito serie con lo que finalmente puede ajaustarse VB3T = VAT + 2 . VBEu3 = 37,5 + 1,4 = 38,9 V
V - VB3T 75 - 38,9 R7 + R8 = ---------------- = ----------------- = 3 KOhm ICQ2 12 . 10-3 R7 = 2,7 KOhm y R8 = 270 Ohm
Tal como hemos visto ya en otro ejemplo, los condensadores C4 y C5 se fijan de modo tal que sus reactancias, a la menor frecuencia de trabajo, sean despreciables frente a las resistencias que acoplan de modo tal que para una frecuencia de corte inferior de 100 Hz. se tendr: 10 10 C5 > --------------------- = ------------------- = 4000 F 6,28 . 100 . 4 2 . . fL . RC 10 10 C4 > --------------------- = --------------------- = 70 F 6,28 . 100 . 270 2 . . fL . R8 debiendo seleccionarse entre los valores comerciales mas cercanos por encima de tales valores mnimos. Puede comprobarse que para potencias de salida grandes el circuito de boot strap arroja valores de resistencia R = R7 + R8 cada vez ms grandes con la consecuente prdida de rendimiento a raz de una mayor disipacin de potencia en ellas por lo que una alternativa es que en su reemplazo puede utilizarse un circuito activo, 29
XI Amplificadores de Potencia de Baja Frecuencia tal como el que se indica en la figura XI.25. en donde el transistor T7 suele ser un transistor complementario a T2 y para el mismo: - ICQ7 = ICQ2 = 12 mA y VCEQ7 + ICQ7 . RE7 = -(V - VB3T ) = - 36,1 V por lo que adoptando como cada de tensin estabilizadora (ICQ7 . RE7 ) un 20 % de la tensin de reposo VCEQ7 7,22 V 7,22 V RE7 = ------------- = ------------- = 601,6 Ohm ICQ7 0,012 A pudindose adoptar RE7 = 560 Ohm entonces:
VR1 = VEBu7 + ICQ7 . RE7 = 0,7 + 0,012 . 560 = 7,42 V As, eligindo como corriente en el divisor de tensin de la base un valor IR1 ejemplo IR1 = 1 mA, dicho divisor resultar ser: 7,42 V VR1 R1 = -------- = ----------- = 7,42 KOhm IR1 1 mA cuyo valor comercial >> IB7 que puede ser, por
R1 = 6,8 KOhm
V 75 V R1 + R2 = -------- = ----------- = 75 KOhm 1 mA IR1
entonces
R2 = 68 KOhm
Para la eleccin de T2 y su complementario T7 deben tenerse en cuenta las siguientes condiciones de trabajo de clase A: ICQ2 = 12 mA y ; VCEQ2 = 36,1 V ; VCEoMAX = V = 75 V
PdMAX = ICQ2 . VCEQ2 = 0,012 . 36,1 = 433 mW
Figura XI.25.
Figura XI.26.
Recorriendo los mismos Manuales de Semiconductores con los que se eligieron los dems transistores puede ubicarse a los transistores npn BC639 y su complementario BC640 cuyos datos ms relevantes son: BVCEo = 80 V ; TjMAX = 150 C ; ja = 156 C/W 30
XI Amplificadores de Potencia de Baja Frecuencia por lo que para la Tamb = 30 C la juntura operar a Tj = Tamb + PdMAX . ja = 30 + 156 . 0,433 = 97,58 C vale decir inferior a la TjMAX . ICQ2 12 mA En consecuencia en la base del clase A excitador: IB2 = ------------- = ------------ = 480 A hFE2min 25 y el resto del sistema amplificador puede ser proyectado siguiendo los mismos lineamientos que en el ejemplo anterior. Para este orden de potencias de salida y superiores, muchas veces no resulta posible lograr una simetra suficiente entre el par DArlington npn y el pnp por lo que para resolver a este ltimo se recurre a una conexin directa equivalente al par DArlington pnp pero en donde el transistor de salida, que es el que debe suministrar dicha gran potencia de salida, es idntico al de salida del par DArlington npn, tal como se observa en la figura XI.26. El circuito amplificador resultante es as denominado casi o cuasi complementario. Tal como veremos enseguida, esta solucin se adopta tambin en los circuitos amplificadores integrados de potencia aunque los niveles de potencia no sean significativos. En este caso dicho arreglo circuital se justifica debido a la limitacin tecnolgica de integrar en la misma pastilla semiconductora y siguiendo las tcnicas de construccin convencionales a transistores complementarios idnticos. En la figura XI.27 se representa el circuito correspondiente a un amplificador de potencia clase B prctico que siguiendo las tcnicas y soluciones aqu descriptas, se recomienda para una potencia de salida de 50 Watt con parlantes cuya impedancia se ubique entre 4 y 8 Ohm, con una distorsin armnica inferior a 3 % y para un ancho de banda comprendida entre unos 20 y unos 30.000 Hz. Respecto de dicho circuito es apropiado destacar que: 1) el condensador de 0,47 F en serie con el resistor de 10 Ohm, conectados en paralelo con el parlante se colocan para evitar oscilaciones en el parlante debido a un efecto conocido como Resonancia Mecnica (ver Audio Radio Handbook de National). 2) la fuente de alimentacin, que en este caso es simtrica, debe suministrar una tensin cuyo nivel sea por lo menos RC + R10 Vcemax = ------------RC 8 + 0,3 2.Pu . RC = -------------- . 8 2 . 50 . 8 = 30 V
VCC = VEE = Vcemax + VBE(sat)3 + VCE(sat)3 = 32 V 3) C5 . R7 y R8 conforman el sistema de boot strap. 4) la capacidad de 47 pF conectada entre el colector y la base de T2 introducen la compensacin de fase necesaria para asignarle una adecuada estabilidad a la etapa excitadora. 5) la etapa pre excitadora en este caso resuelta por una configuracin diferencial es alimentada a partir de la incorporacin de un regulador y una etapa de filtro pasa bajo adicionales como una forma de prever una baja generacin de ruido en dicha etapa de entrada. Puede observarse asimismo el aprovechamiento el par de terminales de entrada del diferencial a los efectos de introducir el lazo de realimentacin negativa externa. 6) dicho lazo de realimentacin externa, cuya finalidad es fijar la ganancia o la sensibilidad del sistema, en este caso se encuentra resuelta por los componentes C4, R1 y R2 para los cuales, suponiendo una ganancia a lazo abierto lo suficientemente grande se tiene: R1 27 AVf = 1 + --------- = 1 + ------- = 50 R2 0,56 VoMAX 28,3 V VinMAX = ----------- = ---------- = 0,56 V AVf 50
31
Figura XI.27 7) el circuito conformado por los diodos D1 y D2 , el potencimetro R9 y el termistor colocado en paralelo con este ltimo, tiene como objetivo hacer que la especie de DArlington T3 /T3 y T4 /T4 funcione en clase AB y elimine as a la distorsin de cruce (ajustable) con un efecto de compensacin trmica sobre la corriente de reposo. XI.8.- AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE BAJA FRECUENCIA INTEGRADOS: Los fundamentos tericos conceptuales sobre los que se basan las tcnicas y tecnologas empleadas en la resolucin de los circuitos amplificadores de potencia de baja frecuencia integrados no son otros que los visto hasta aqui en los ejemplos de los circuitos discretos y/o hbridos. Solo resta ahora observar las soluciones que se adoptan en la tecnologa integrada en atencin a las ventajas y limitaciones con que se enfrenta la fabricacin de los circuitos integrados lineales. Para tal fin tomaremos como ejemplo para someter al anlisis y discusin a la familia de amplificadores de baja potencia y baja frecuencia integrados tipo LM380/LM389 ya que se trata de una familia que emplea una etapa de salida de potencia clase B (prctica) en base a un par cuasi complementario, tal como puede observarse en el circuito de la figura XI.28, que corresponde al LM380 y en el cual no se incluyen ni la parte de protecciones contra corto circuitos en la carga ni las protecciones trmicas. En dicho circuito, los transistores que suministran la potencia de salida T7 y T9 son dos transistores npn idnticos, lo que en esta tecnologa integrada asegura la exacta simetra. Como hemos adelantado precedentemente, la complementariedad entre ambos se logra con el agregado del transistor T8 tipo pnp en una conexin similar al DArlington con T9 . El circuito formado por los resistores R6 y R7 y los diodos D1 y D2 conforman el circuito de estabilizacin y compensacin trmica de la corriente de polarizacin del clase B prctico a los efectos de eliminar la distorsin de cruce. La fuente de corriente espejo conformada por los transistores T10 y T11 tiene por objeto polarizar al clase A excitador que se resuelve mediante el transistor T12 . Respecto a dicha fuente de polarizacin tambin es importante resaltar que a travs de T10 , ms precisamente por la unin base-emisor de T10 , en serie con la resistencia R1 de 50 KOhm se est aplicando una tensin de alimentacin de valor (Vcc - 0,6 V) al emisor del transistor T3 , mientras que el emisor de T4 a travs de la resistencia R2 de 25 KOhm conectada al terminal de salida del amplificador (8) y dada la simetra de dicho sistema de salida, recibe un potencial equivalente a la mitad de Vcc.
32
Figura XI.28. As, los extremos del resistor R3 se encuentran a igual potencial (aproximadamente) y por lo tanto, no habiendo circulacin de corriente por el mismo, se establecen corrientes idnticas en ambas ramas del amplificador diferencial y su correspondiente carga activa que conforman la etapa de entrada. Dichas corrientes se encuentran determinadas por: (VAT = 0,5 . Vcc) - 2 . VEbu2-4 ICQ4 = --------------------------------------R5 R2 + --------------hFE2 . hFE4 ; Vcc - 0,6 - 2 . VBeu1-3 ICQ3 = ------------------------------------R4 R1 + ---------------hFE1 . hFE3
Entonces si por alguna razn VAT se modificara, cambia la corriente ICQ4 y tambin la ICQ2 produciendo un cambio en la tensin VBT8-9 y por lo tanto tambin en la VAT que tiende a recomponer el cambio inicialmente considerado , es decir que se establece un lazo de realimentacin de las componentes de C.C. con la finalidad de estabilizar la tensin continua del nodo A de salida o terminal (8), sobre la que se superpone la seal de salida, logrndose as que el recorte simtrico quede estabilizado. En cuanto a la ganancia del sistema se puede observar la realimentacin de seal entre la salida (8) y el punto interno central de R3 que tiene por lo tanto caractersticas de tierra virtual para la seal diferencial . Se trata de una realimentacin negativa con topologa tensin serie y con una transferencia dada por: Vf 0,5 . R3 = -------- = ----------------------0,5 . R3 + R2 Vo Si la ganancia a lazo abierto del sistema, lograda por la etapa diferencial con carga activa de entrada y por la etapa emisor comn constituida por T12 es lo suficientemente grande, entonces la ganancia de tensin a lazo cerrado resulta ser: 1 R2 AVf = -------- = 1 + 2 . --------- = 51 R3 Los resistores R4 y R5 de 150 KOhm internamente en el integrado hacen posible la polarizacin de la etapa de entrada ya que permiten establecer las corrientes de base de polarizacin en dicha etapa sin depender de la fuente de excitacin que se utilice, de modo de no condicionar su forma de conexin que por consecuencia puede 33
XI Amplificadores de Potencia de Baja Frecuencia establecerse entre las entradas inversora y no inversora (entre los terminales (6) y (2)), entre una cualquiera de ellas y masa pudiendo la restante quedar flotante de masa o bien retornada a masa a travs de un resistor o un capacitor o con un corto circuito a masa. Este amplificador se presenta integrado en un chip de 14 terminales, permitiendo una corriente pico de 1,3 A sobre la carga. Dispuestos sobre un circuito impreso con una superficie de cobre de 40 cm2 de un espesor tpico presenta una resistencia trmica entre juntura y ambiente de 35 C/W y posee un sistema de proteccin trmica que limita la Tjmax a unos 150 C. De tal forma que, para una temperatura ambiente de 25 C su capacidad de disipacin resulta ser: 150 C - 25 C Pdismax = --------------------------- = 3,6 W 35 C/W y con el agregado de un disipador puede incrementarse dicha capacidad por encima de unos 10 W. Ensayado con una resistencia de carga de 8 Ohm y alimentado con una fuente de 18 V el fabricante proporciona la Distorsin Total Armnica como una funcin de la frecuencia de trabajo y con la potencia de salida como parmetro. A partir de tal informacin grfica puede extraerse que hasta 2 W y entre 100 Hz y 10 KHz asegura una Distorsin Total inferior a 0,3 %. En la segunda etapa (transistor T12 ) en capacitor C = 10 pF introduce una compensacin para ampliar el margen de estabilidad, desplazando el polo dominante de alta frecuencia permitiendo un ancho de banda de 100 KHz para 2 W y 8 Ohm. Un circuito de aplicacin tpico, recomendado por el mismo fabricante puede observarse en la figura XI.29. en donde se aprecia la incorporacin de un control de volumen en la entrada en base a la utilizacin del potencimetro de 10 Khom. El acoplamiento de la carga se efectiviza mediante un condensador C = 500 F que tiene como funcin permitir la alimentacin con una sola fuente. Cabe puntualizar tambin, que C2 = 0,1 F y R2 = 2,7 KOhm es un circuito que suprime ciertas oscilaciones que se producen en la banda de 5 a 10 MHz y que aparecen en el parlante debido al efecto ya mencionada como de resonancia mecnica. El terminal (1) de BYPASS permite agregar una celda adicional pasa bajos para lograr un mejor filtrado de la fuente de alimentacin. En tal sentido el fabricante asegura un rechazo de la fuente de alimentacin como funcin del valor de capacidad que se agrega en dicho terminal y va desde unos 6 dB para 0 F hasta unos 30 dB desde 100 Hz. para 5 10 F.
Figura XI.29. 34
Figura XI.30
XI Amplificadores de Potencia de Baja Frecuencia Cuando se requiere obtener mayores potencias en la carga se puede utilizar una configuracin tipo puente, tal como la indicada en la figura XI.30. En dicha figura el circuito con el potencimetro de 1 MOhm entre los terminales de BYPASS de ambos amplificadores tiene como objetivo lograr el equilibrio sin residuo de tensin en la carga an en presencia de tensiones de OFFSET presentes a la salida de dichos amplificadores. Otra de las versiones de este circuito amplificador de potencia integrado es el presentado como LM386, especialmente recomendado para su utilizacin en el rango de audio frecuencias con bajas tensiones de alimentacin y con el mnimo de componentes externos. El circuito simplificado, que no incluye las protecciones contra corto circuitos en la carga ni la limitacin de temperatura de juntura, se presenta en la figura XI.31. La particularidad en este caso es el acceso, mediante los terminales (1) y (8), a variar la ganancia del amplificador, desde un valor internamente ajustado en 20 si tales terminales permanecen a circuito abierto: R3 0,75 = -------------- = ---------------- = 0,05 0,75 + 15 R3 + R2 y en consecuencia ya que entre emisores de T3 y T4 la resistencia total es 150 + 1350 = 1500 Ohm y contra el punto de tierra virtual corresponde considerar la mitad: R3 = 750 Ohm.
1 AV = ------- = 20
mediante el conexionado de un circuito serie formado por R y C hasta un valor de 200 para el caso extremo en que dicha resistencia se hace cero, ya que: R3 0,075 = -------------- = ---------------- = 0,005 0,075 + 15 R3 + R2 y en consecuencia ya que entre emisores de T3 y T4 la resistencia total es 150 Ohm y contra el punto de tierra virtual corresponde ahora considerar : R3 = 75 Ohm.
1 AV = ------- = 200
La compensacin interna en base a la capacidad agregada entre los terminales de colector y base de T12 es la adecuada para permitir una ganancia a lazo cerrado de 20 con un Margen de Fase apropiado. Se presenta asimismo en la versin LM388, en la cual es accesible el terminal (9) en base del transistor T7 recomendado para la incorporacin de la tcnica de boot strapping, pudindose recabar mayor informacin en los manuales correspondientes o en el Audio Radio Handbook de National, ya citado.
Figura XI.31. 35
XI Amplificadores de Potencia de Baja Frecuencia XI.8.1. Protecciones en los circuitos integrados de potencia: Tal como se mencion precedentemente, estos circuitos amplificadores de potencia integrados vienen provistos de circuitos de proteccin, tanto para cortocircuitos en la carga como para la limitacin de la temperatura de trabajo. La figura XI.32. muestra una etapa de salida clase AB tal como las estudiadas, con la proteccin contra el efecto de producirse un corto circuito entre los terminales de salida donde normalmente va conectada la carga y el circuito integrada se encuentre bajo alimentacin. Tal como puede apreciarse al esquema del amplificador ya analizado se le ha adicionado el transistor T13 que reproduce un mecanismo de proteccin similar al descripto en oportunidad de estudiarse la etapa de salida del Op. Amp. 741 (Captulo V), es decir que si una elevada corriente circulara por el transistor T7 a consecuencia de un cortocircuito en la carga, sta generar en R6 una diferencia de potencial suficiente como sacar de la condicin de corte al transistor T13 quitndole la corriente de excitacin al transistor de salida T7 que como consecuencia reduce su corriente a un nivel seguro de operacin.
Figura XI.32.
Figura XI.33.
Adems de la proteccin contra cortocircuitos, la mayor parte de los amplificadores de potencia integrados vienen equipados con un circuito que capta la temperatura del chip y hace que un transistor protector similar al T 13 recin descripto, salga de la condicin de corte y absorba la corriente de excitacin del transistor de salida T7 en el caso de que la temperatura exceda de un valor preestablecido y seguro. La figura XI.33. ilustra un circuito de corte trmico apropiado para cumplir la funcin precedentemente descripta. El transistor T14 est normalmente en estado de corte. A medida que se eleva la temperatura del chip, la combinacin del coeficiente positivo de temperatura del dio Zener D.Z.1 y el coeficiente trmico negativo de la VBeu15 hace que se eleve la diferencia de potencial en el emisor de T15 y tambin, por consecuencia se eleva la tensin de base de T14 que de esta forma pasa al estado de conduccin desarrollando el mecanismo de proteccin antes descripto.
36
XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas
CAPITULO XII Fuentes de Alimentacin Reguladas

XII.1. - INTRODUCCIN:
(A.C.R.TULIC)
Se estudiaron ya algunas fuentes de alimentacin que resultan muy tiles cuando los requerimientos de la carga no son ciertamente severos, pudindose comprender su principio de funcionamiento, sus circuitos constitutivos tpicos y los criterios para efectivizar su diseo. Pero ninguno de los circuitos estudiados emplea el principio de la realimentacin negativa para lograr la reduccin de las dispersiones en los valores de la tensin de salida sobre la carga. Existen dispositivos electrnicos tales que para su correcto funcionamiento requieren ser alimentados con tensiones de alimentacin esencialmente constantes con independencia de las variaciones de todo tipo que se registren en las condiciones bajo las cuales las mismas deben operar. Para estos casos resulta conveniente llevar a cabo un dispositivo autocontrolado en base a una muestra de la tensin de salida que suministra, dando lugar as a las llamadas fuentes de alimentacin reguladas con realimentacin. Para expresar cuantitativamente lo precedentemente descripto consideremos cualquier fuente de alimentacin no regulada como las que se estudiaron hasta aqu y estudimosla desde su par de terminales de salida. De esta forma y de acuerdo al Teorema de Thevenin la misma, conjuntamente con su carga, puede ser representada por el esquema de la figura XII.1. All, la corriente y la tensin sobre la carga puede expresarse por: Vs Io = -----------Rs + R y Vo = Vs - Io . Rs
con lo que puede comprobarse que si la carga R vara, variar la corriente Io y por lo tanto tambin lo har la tensin de salida de la fuente Vo . Resulta tambin que si la tensin de red se modifica ello implica la modificacin en el valor de Vs arrojando como resultado un nuevo cambio en la tensin de salida de la fuente de alimentacin. Asimismo, dado que en la fuente de alimentacin operan componente semiconductores si se produce un cambio en el valor de la temperatura de trabajo de dichos componentes ello provoca un nuevo cambio en Vo . Una manera de caracterizar matemticamente este comportamiento de la fuente de alimentacin no regulada consistente en admitir que debe haber alguna funcin a travs de la cual Vo es dependiente de las condiciones de operacin recientemente consideradas, es a travs del diferencial total, que traducido al campo incremental permite describir que: Vo Vo Vo Vo = -------- . Io + --------- . Vs + ----------- . T +............ Vs T Io pudindose agregar tanto trminos como factores variables en el comportamiento de la fuente se deseen considerar. As, si la funcin antes aludida es tan solo de primer orden, las derivadas parciales del segundo miembro pueden considerarse constantes y se las puede definir tal como sigue: Vo -------- = Ro Io Vo -------- = Sv Vs Vo -------- = ST T : Resistencia de Salida de la Fuente de Alimentacin;
Coeficiente de Estabillizacin de la Fuente de Alimentacin;
Coeficiente Trmico de la Fuente de Alimentacin; 1
Figura XII.1.
Figura XII.2.a)
Figura XII.2.b)
con lo que dicha variacin de la tensin de salida sobre la carga puede expresarse por: Vo = Ro . Io + Sv . Vs + ST . T +............ En el segundo trmino del segundo miembro como Vs se pueden considerar variaciones lentas debido a las variaciones de la tensin de red o bien variaciones rpidas derivadas de un deficiente filtrado del ripple. Con el objeto de minimizar estas variaciones de la tensin de salida de la fuente de alimentacin sobre la carga Vo resulta imprescindible disminuir al mnimo posible a los coeficientes Ro , Sv y ST . XII.1.1.- Regulador con Diodo Zener: La necesidad expuesta precedentemente justifica la utilizacin de los circuitos reguladores tal como el representado en la figura XII.2.a) que es la expresin ms sencilla para este tipo de circuitos, consistente en la utilizacin del diodo zener DZ. Dicho componente que opera polarizado en forma inversa, posee una caracterstica tensin corriente en dicha forma operativa, tal como la representada en la figura XII.2.b) La tensin de referencia del diodo zener (VR ) debe ser igual al valor de la tensin de salida regulada Vo . En el circuito la corriente que circula por Rs es: I t = IZ + Io y en consecuencia la tensin de salida regulada es: Vo = Vs - Rs . It (XII.1.)
en consecuencia si en este circuito varia la carga R y por lo tanto vara Io la corriente por el diodo zener IZ se modifica en el sentido inverso a Io, de modo que en la ecuacin (XII.1.) la corriente It se mantiene constante y la tensin de salida regulada no vara. Tambin la ecuacin (XII.1.) puede ser expresada como : Vs - Vo = Rs . (IZ + Io ) (XII.2.)
as si aparece una variacin en la tensin de salida de la fuente sin regular Vs (en esta parte del anlisis Io se considera constante), como Vo = VR debe producirse un incremento en la corriente a travs del diodo zener ( IZ ) de modo que: Vs + Vs - Vo = Rs . [(IZ + Z ) + Io ] (XII.3.)
y la variacin Vs considerada es absorbida como cada en Rs producida por la variacin Z . 2
XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas Como la caracterstica inversa del diodo zener posee cierta pendiente determinada por su resistencia dinmica rZ y su regin til de operacin esta comprendida entre un valor mnimo de corriente IZmin coincidente con la corriente en el codo y un valor mximo determinado por su capacidad de disipacin (Pd = VR . IZMAX ). En realidad existe un rango de variacin de la tensin de salida regulada que se hallar comprendido entre: VoMAX = VR + rZ . IZMAX y Vomin = VR + rZ . IZmin
de acuerdo con la ecuacin (XII.3.) en la que consideramos que Iomin = 0: VsMAX = Rs . IZMAX + VoMAX y Vsmin = Rs . (IZmin + IoMAX ) + Vomin
Para realizar estas evaluaciones consideremos un ejemplo numrico real. Para tal fin consideremos que en el circuito de la figura XII.2. el diodo zener tiene las siguientes caractersticas: VR = 6,8 V IZCODO = Izmin = 5 mA Rs = 50 Ohm rz = 3 Ohm IZMAX = 54 mA IoMAX = 30 mA. PZMAX = 400 mW
Adems, en dicho circuito
y de acuerdo a la carga
Se desea determinar el rango permisible de variacin de la tensin Vs (VsMAX y Vsmin ) as como el valor de Vs que proporciona una corriente media en la carga de 15 mA, debindose verificar la disipacin del diodo zener y la variacin de la tensin en la carga (VoMAX y Vomin ). 1) Suponiendo que se debe considerar como condicin extrema la fuente sin carga, es decir a circuito abierto y por lo tanto una Iomin nula, bajo dicha condicin, por el diodo zener circular la mayor corriente, es decir IzMAX y sobre la carga se producir la mayor tensin VoMAX , en donde: VoMAX = VR + IZMAX . rz = 6,8 + 54 . 10-3 . 3 = 6,96 V Para tal condicin se permitir que la tensin de red o de entrada al regulador se incremente como mximo hasta un valor tal que: VsMAX = IT . Rs + VR + IZMAX . rz y como Iomin = 0
VsMAX = VR + IZMAX . ( rz + Rs ) = 6,8 + 54 . 10-3 . (50 + 3) = 9,7 V 2) En el otro extremo, cuando la carga toma el mximo de corriente especificado IoMAX = 30 mA se tendr: Vomin = VR = 6,8 V (ya que rZ . IZmin = 15 mV) e IZmin = IZCodo = 5 mA Vsmin = VR + (IZmin + IoMAX) . Rs
Vsmin = 6,8 + (5 + 30) . 10-3 . 50 = 8,6 V 3) Para un consumo medio, es decir Io = 15 mA se tendr sobre la carga una tensin Vomed y la corriente por el diodo zener resultar: IZ = IZmin + ( IoMAX - Io ) = 5 mA + (30 - 15 ) mA = 20 mA Vomed = VR + IZ . rz = 6,8 + 20 . 10-3 . 3 = 6,86 V Vsmed = Vomed + ( Io + IZ ) . Rs = 6,86 + (15 + 20) . 10-3 . 50 = 8.61 V 4) La Potencia disipada mxima por el diodo zener resultar: PdisMAX = VoMAX . IzMAX = 6,96 . 54 . 10-3 = 376 mW que es perfectamente tolerada por el diodo si la Tamb no es superior a 25 C. Si se desea cuantificar el rendimiento de la regulacin o estabilizacin se puede calcular la potencia media de continua que se desarrolla en la carga y relacionarla con la que es preciso entregarle al circuito regulador, es decir: 3
XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas Vo . Io Vo . Io = ----------- = ---------------V . (Iz + Io) Vs . IT Tal como se vi precedentemente mediante estos circuitos si bien no se logra mejorar el coeficiente trmico (que ms bien se empeora), la regulacin-estabilizacin se mejora (disminuyndose Ro y SV ) y es tanto mas buena cuanto mayor sea Vs con respecto a Vo y cuanto menor sea Io lo cual nos dice que los rendimientos que se conseguirn sern muy bajos por lo que por esta razn y debido adems a que existe limitacin para el caso de Disipacin de Potencias muy elevadas, estos circuitos solo pueden ser utilizados para bajos consumo de potencias. XII.1.2. - Regulador Serie (Tensin-Serie) : Una forma de ampliar la capacidad de manejo de potencia del regulador analizado precedentemente se consigue incluyendo en el mismo un transistor amplificador de la corriente por la rama del diodo zener tal como se observa en el circuito regulador indicado en la figura XII.3. llamado Regulador Serie por cuanto el transistor regulador se encuentra conectado en serie con la carga. RD contribuye para que la corriente por el diodo zener sea lo suficiente como para superar la tensin de codo o de referencia de su caracterstica inversa, suponiendo que la de base del transistor no sea suficiente. Admitiendo que dicho diodo presente una tensin constante, es decir VR = Constante, el circuito puede interpretarse como un seguidor de emisor excitado por la base con dicha VR, cargado por el emisor con la carga R y alimentado por la fuente de alimentacin sin regular que es la encargada de suministrar la potencia por el circuito de colector. Interpretado de ese modo el circuito puede redibujarse como se indica en la figura XII.4. Aqu si Vs tiende a incrementarse por alguna causa, como VR es constante tender a disminuir la tensin VBE y por lo tanto tambin lo har la corriente IC = Io . Si ello ocurre entonces tiende a disminuir el producto Io . R, es decir que tiende a bajar la tensin en la carga Vo . En otras palabras, como el circuito es un seguidor, Vo se ve obligada a seguir a VR = Constante. Desde otro punto de vista se puede pensar que estamos frente a un circuito realimentado con tensin serie, en donde la transferencia de la red de realimentacin es unitaria. Con este tipo de realimentacin se logra bajar la resistencia de salida desde el valor de la que presenta la fuente de alimentacin sin regular (Ri) hasta un valor: rz + hie Rof = -------------hfe y como rz << hie hie 1 R of = ------- = -----hfe gm (XII.4.)
Figura XII.3.
Figura XII.4.
XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas XII.2. FUENTE DE ALIMENTACION CON SALIDA REGULADA Y REGULABLE: La necesidad de minimizar an ms la Resistencia de Salida e introducir paralelamente notables mejoras tanto en el Coeficiente de Estabilizacin como en el Coeficiente Trmico a la par de contar con algn elemento que permita el ajuste del valor de la tensin de salida ha promovido la utilizacin del circuito regulador que se indica en la figura XII.5. En dicho circuito las corrientes I2 , ID e I1 son muy pequeas comparadas con la corriente en la carga Io o bien la Ii que suministra la fuente no regulada, de manera que la insercin del circuito regulador no cargue o por lo menos no cargue excesivamente al sistema. Tpicamente, por ejemplo I2 suele ser del orden de un 5 % de Ii o menor an. Asimismo, dado que se busca que la base de T1 no cargue sobre el colector de T2 la corriente de base del regulador serie (Iin) suele no ser superior a un 10 % de I2 . En este circuito, tal como ocurra en el regulador serie: Vo = VA - VBEu1 , solo que mientras en el circuito de la figura XII.3. VA = VR ahora se tiene que VA = VR + VCE2 vale decir que en el circuito de la figura XII.5.: Vo = VR + VCE2 - VBEu1 (XII.5.) la diferencia es entonces que ahora se hace depender a la tensin de salida Vo de la VCE2 que a su vez, y tal como veremos ms abajo depende de Vo , configurando as el lazo de realimentacin. En dicho circuito en la base del transistor T2 se tiene una muestra de la tensin de salida, dada por el divisor R1 y R2, es decir que: R2 V2 = Vo . ------------(XII.6.) R1 + R2 por lo que si vara Vo tambin variar V2 . Pero tambin, dado que VBE2 = V2 - VR (XII.7.)
como VR es fija, si vara V2 variar VBE2 y por lo tanto la corriente IC2, tal como se muestra en las figuras XII.6.a) y XII.6.b). Por ejemplo si Vo crece, en una medida proporcional tambin lo hace V2 y por lo tanto IC2 crece, ya que resulta prcticamente igual a I2 (por criterio de diseo), pasndose a operar sobre la R.C.E. desde un punto Q a un punto Q con la consecuente disminucin de la tensin de reposo VCE2 y de acuerdo a la ecuacin (XII.5.) una disminucin tambin de Vo . As, se parte de considerar un incremento de Vo y recorriendo el lazo se llega a la conclusin de que Vo debe disminuir, resultando ello un indicativo de que Vo debe permanecer constante.
Figura XII.5. 5
XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas Tambin, si analizamos un aumento de la tensin de red y por lo tanto un incremento de la tensin de salida de la fuente no regulada (Vs) que trae aparejado un incremento de la tensin V sealizada en el circuito de la figura XII.5., sobre el grfico de la figura XII.6.b) se pasar a trabajar con una recta de carga esttica de igual pendiente a la anterior (y fijada por la resistencia R), pero ahora con mayor ordenada al origen debido a dicho incremento en la tensin V.
Figura VII.6.a)
Figura XII.6.b)
En este caso Vo permanece constante ya que el aumento de I2 y por lo tanto de IC2 produce un incremento en la diferencia de potencial o cada de tensin desarrollada en R que absorbe as el incremento de V: V = (I2 - I2 ) . R XII.2.1.- Estudio del Coeficiente Trmico ST : Se vio ya que para que las variaciones de la tensin sobre la carga se reduzcan lo mximo posible los circuitos reguladores deban contribuir con la disminucin, entre otros, del Coeficiente Trmico ST . Para analizar esta caracterstica en el circuito regulador de la figura XII.5. consideramos que en el mismo y a partir de la ecuacin (XII.6.): R2 Vo = V2 . ( 1 + ------ ) (XII.6.) R1 asimismo, de la ecuacin (XII.7.): V2 = VBE2 + VR (XII.7.) en consecuencia, reemplazando (XII.7.) en (XII.6.): R2 Vo = (VBE2 + VR) . ( 1 + ------ ) (XII.8.) R1 por lo tanto derivando con respecto a la temperatura y pasando al campo incremental: Vo ST = --------- = T R2 VBE2 VR ( 1 + ----- ) . ( --------- + --------- ) (XII.9.) R1 T T
En esta ltima ecuacin, mientras el coeficiente trmico de la tensin base-emisor de umbral vara, tal como ya se demostrara entre los valores extremos de 1,9 y 2,5 mV/C, para cumplir con el objetivo de disminuir tal 6
XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas coeficiente trmico ST debe conseguirse que el diodo zener contribuya con un coeficiente trmico de su tensin de referencia (VR/T) positivo para compensar. XII.2.2.- Estudio de la Resistencia de Salida Ro : Para estudiar el comportamiento dinmico del circuito reemplazamos al diodo zener D.Z. por su resistencia dinmica que llamaremos rz en tanto que consideraremos como seal de excitacin al amplificador de error conformado por el transistor T2 , a las variaciones de la tensin de salida, es decir Vo que llamaremos Vt . As, en el circuito de la figura XII.7. se ha tomado como fuente de excitacin: R2 Vt = Vo . -----------R1 + R2 y Rt = R1 // R2
Puede observarse de que se trata de un circuito realimentado tipo corriente serie, en donde la seal de salida es I2 y la tensin realimentada Vf es la tensin sobre el diodo zener, o sea (I2 . rz ). En consecuencia la transferencia de la red de realimentacin resulta ser: - I2 . rz Vf = ------- = ------------- = - rz I2 I2 y segn los resultados ya obtenidos para este tipo de realimentacin, la Transconductancia a lazo cerrado es: I2 -hfe2 GMf = -------- = -------------------------------(XII.10.) Vt Rt + hie2 + (1 + hfe2) . rz pero esta Transconductancia del circuito realimentado puede ser interpretada tambin como: I2 I2 GMf = -------- = ---------------------Vt R2 Vo . -----------R1 + R2 Entonces definiendo una nueva transconductancia del circuito realimentado como
I2 GMf = ---------Vo
Figura XII.7. 7
Figura XII.8.
XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas la misma resulta ser: R2 GMf = GMf . ------------R1 + R2 y reemplazando GMf por la ecuacin (XI.10.)
I2 R2 -hfe2 GMf = -------- = ------------- . -------------------------------- (XII.11.) R1 + R2 Rs + hie2 + (1 + hfe2) . rz Vo 1 la Resistencia de Salida de esta fuente es la salida por emisor de T1 es decir hib1 = ------- pero ahora, al estar pregm1 sente la etapa T2 se debe analizar el circuito de la figura XII.8. En dicho circuito, si se produce una modificacin en la tensin de salida, es decir un Vo a consecuencia del mismo aparecern un VBE1 y un VA de modo que: VBE1 = VA - Vo pero como VA = 2 . R reemplazando I2 = GMf . Vo
VoBE1 = GMf . R . Vo Vo = (GMf . R - 1) . Vo luego en el transistor T1 Ic = gm1 . VBE1 = gm1 . (GMf . R - 1) . Vo Vo 1 Ro = -------- = ------------------------------Ic gm1 . (GMf . R - 1)
con lo que la Resistencia de salida resulta: (XI.12.)
en esta ltima expresin, (1/gm1 ) era la resistencia de salida que se tena en el regulador serie. Ahora con la presencia de T2 en configuracin corriente serie tal resistencia de salida disminuye aproximadamente la cantidad GMf . R. Asimismo cuanto mayor sea la relacin R2 >> R1 (o sea aumentando V2 ) y cuanto menos resistencia dinmica tenga el diodo zener (rz ) tanto menor ser la Resistencia de salida de nuestro circuito regulador. XII.2.3.- Anlisis del Coeficiente de Estabilizacin: Se defini a este coeficiente como: Vo Sv = ------- Vs T = 0 Io = 0
de modo que para estudiarlo consideramos nuevamente el regulador serie constituido por el transistor T1 , tal como indica en la figura XII.9. En dicha etapa frente a variaciones de la tensin de entrada al regulador ( Vs ) aparecern VA = Vo . De esta variaciones V y VA y como dicha etapa conformada por T1 es del tipo seguidora forma las variaciones de corriente por R son: V - VA V - Vo I2 = ---------------- = --------------R R V y como lo que se busca en el regulador es que Vo << V prcticamente dicha corriente es I2 = ------R asimismo, como dicho Coeficiente se define sin variaciones de corriente en la carga ( Io = 0 ) y ello implica tambin que en el colector del transistor T1 Ic = 0, al no registrarse diferencia de potencial en Rs se tiene que V = Vs con lo que: Vs = 2 . R 2 finalmente y teniendo en cuenta la definicin de la transconductancia GMf = -------- reemplazando I2 : Vo 1 por lo que Sv = -------------(XII.13.) Vs = GMf . R . Vo GMf . R 8
Figura XII.9.
Figura XII.10
Se deduce entonces que las condiciones para conseguir un bajo Coeficiente de Estabilizacin son las mismas que aquellas necesarias para obtener baja resistencia de salida Ro . De igual forma ambas caractersticas de la fuente regulada pueden ser expresadas en funcin de la ganancia de la etapa conformada por el transistor T2 . Con ese objeto consideramos: I2 . R I2 . R GMf . R AVf2 = ------------- = ----------------------- = ---------------- = GMf . R Vt R2 R2 -----------Vo . -----------R1 + R2 R1 + R2 - hfe2 . R AVf2 = ----------------------------------Rs + hie2 + (1 + hfe2) . rz Luego teniendo en cuenta que de acuerdo a lo precedente (XII.14.)
R2 GMf . R = AVf2 . ----------R1 + R2
la resistencia de salida y el coeficiente de estabilizacin que describen las ecuaciones (XII.12.) y (XII.13.) pueden ser expresadas en funcin de la ganancia de tensin AVf2 dada por la ecuacin (XII.14.), correspondiente a la etapa dispuesta para amplificar la tensin de error por medio del transistor T2 : (1/gm1) Ro = -------------------R2 AVf2 . ----------R1 + R2 (XII.15.) 1 Sv = -------------------R2 AVf2 . ----------R1 + R2 (XII.16.)
De acuerdo a lo precedente, el esquema genrico representativo del principio de funcionamiento del regulador analizado se representa en la figura XII.10. All, tal como ya anticipramos debe cumplirse que: I2 << Io e I1n << I2
vale decir que Iin es totalmente despreciable frente a Io . Ahora bien, en el circuito de la figura XII.5. la relacin entre Io e I1n es precisamente la ganancia esttica de corriente del transistor T1 de modo que a medida que la
Figura XII.11. potencia en la salida de la fuente regulada crece ello implica la necesidad de ganancias superiores por lo que en lugar de un simple transistor regulador serie se pasan a utilizar dos o ms transistores en configuracin DArlington. XII.2.4. Utilizacin de una Fuente de Corriente: Por otra parte como para que la resistencia de salida y el coeficiente de estabilizacin sean pequeos una de las condiciones es lograr que R sea grande y dado que su presencia en el circuito obedece a la necesidad de imponer dicha corriente I2 su funcin puede ser reemplazada por medio de una fuente de corriente en base a alguna de las configuraciones de fuentes de corriente activas estudiadas o bien, tal como se observa en el circuito de la figura XII.11 con el agregado, al circuito regulador ya estudiado, de un nuevo transistor (T3) . En este nuevo circuito se aprecia tambin que el regulador serie se encuentra resuelto mediante el par DArlington T1 / T1 . En este caso la eleccin del transistor DArlington se lleva a cabo en consideracin a que en condiciones lmite de funcionamiento, el mismo debe hallarse capacitado para soportar: ICMAX > Io ; VCEoMAX > Vs ; PDMAX > (Vo . Io )
Luego de seleccionado el regulador serie que entonces puede ser un transistor convencional o un arreglo DArlington, a partir del dato suministrado por su fabricante en cuanto a la ganancia esttica de corriente, se debe determinar: Io I1n = -------y de acuerdo con ello adoptar ICQ3 = ICQ2 > 10 . I1n hFE VCEQ3 > VCE(sat) para que la resistencia de salida de esta fuente sea elevada. Adoptado con esos criterios el punto de trabajo de T3 , luego: VA = Vo - 2 . VBEu y en consecuencia: Vs - VET3 R = -------------ICQ2 y (XII.17.) y VET3 = VCEQ3 + VA VR = VBEu3 + ICQ2 . R
Veamos un ejemplo numrico, supongamos que se dispone de una fuente no regulada de Vs = 28 V y una resistencia interna de Rs = 3 Ohm, desendose obtener una tensin regulada de Vo = 24 V a un rgimen de corriente en la carga de Io = 5 Amp. En este caso regulando con un par DArlington se podran conseguir ganancias estticas de corriente del orden de mil veces por lo que suponiendo: 10
XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas 5A I1n = IBD = ----------- = 5 mA por lo que ICQ2 = ICQ3 = 50 mA 1000 Ahora por tratarse por un regulador serie realizado por un par DArlington: hfeD = 1000 VA = Vo - 2 . VBEu1-1 = 24 - 1,4 = 22,6 V de modo que si adoptamos una de su circuito de emisor: VCEQ3 = 3 V resultar VET3 = 19,6 V y en consecuencia la resistencia
Vs - VET3 28 - 19,6 R = ----------------- = --------------- = 168 Ohm ICQ2 50 . 10-3
adoptando R = 180 Ohm
As la tensin de referencia del diodo Zener DZ2 debe ser: VR = 0,7 V + 50 . 10-3 . 0,18 . 103 = 9,7 V En cuanto a la ecuacin (XII.17), la misma tambin puede expresarse como VR - VBeu3 ICQ2 = -----------------R con lo que el coeficiente trmico de dicha corriente resulta: ICQ2 1 VR VBEu --------- = ------- . ( --------- - ----------- ) T R T T (XII.18.)
Se desprende de estas dos ltimas ecuaciones que la corriente ICQ2 es una corriente constante que no depende de Vs y si los coeficientes trmicos de la tensin de referencia del diodo zener es igual al coeficiente trmico de la tensin de umbral del diodo base emisor del transistor T3 tampoco depender de la temperatura. Para pequeos corrientes Io de carga IB1 se hace del mismo orden de (1 + hFE1 ) ICBo1 y no se puede controlar nada con T1. Se puede agregar una RX en la base de T3 . XII.2.5.- Circuito de Proteccin con sensado local: Es posible adicionarle la regulador recin visto un circuito de proteccin electrnica en este caso mediante el conjunto de transistor T4 , tal como se puede observar en el circuito representado en la figura XII.12.
Figura XII.12. El diodo zener DZ3 debe seleccionarse de modo que su tensin de referencia VR3 se ubique entre un valor de 1,5 y 2,7 Volt y con un coeficiente trmico idntico al de la tensin de umbral base emisor del transistor T4 . La resistencia del resistor R7 determina la corriente a travs de dicho diodo zener de modo que el mismo opere en 11
XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas la regin de codo de su caracterstica inversa. Por ejemplo si se elige una R7 = 18 KOhm resulta una corriente por el diodo de: Vo - VR3 24 - VR3 Iz3 = --------------- = -------------- = R7 18 . 103 VR3 1,3 mA - ----------18 . 103
Por debajo de una corriente Iz3 = 1,3 mA el diodo zener DZ3 no alcanzar su tensin de codo o de referencia de VR3 = 2,7 Volt por ejemplo, o sea que dicha tensin se ubicar solamente en alrededor de 2,3 o 2,4 Volt. Simultneamente por la rama integrada por los resistores R6 y R 9 se hace circular una corriente cercana a unos 10 mA por ejemplo, as si R8 = 2,2 KOhm y R9 = 220 Ohm, dicha corriente resulta: Vo 24 I8-9 = --------------- = ------------------------ = R6 + R9 (2,2 + 0,22) . 103 y en consecuencia la diferencia de potencial en R9 es: VR9 = IR9 . R9 = 10 . 10-3 . 0,22 . 103 = 2,2 Volt Quiere decir que sobre el resistor R9 se tiene una diferencia de potencial muy cercana a la tensin de referencia del tercer diodo zener incorporado al circuito. As, en la malla de entrada del transistor T4 se plantea la siguiente ecuacin de malla: VR9 + VBEu4 - VR3 - Io . Rz = 0 y como VR9 = VR3 resulta VBEu4 = I0 . Rz 10 mA aproximadamente
para una corriente de carga mxima de 5 Amp. por ejemplo, IoMAX = 5 Amp. debemos hacer 0,6 Volt 0,6 Volt Rz = --------------- = ------------ = 0,1 Ohm IoMAX 5 Amp. con lo que si Io supera dicho valor mximo, T4 pasa a la conduccin y se eleva su corriente de colector IC4 . Como: I2 = IC2 + IC4 + I1n crece la corriente I2 y por lo tanto la cda en R haciendo bajar la tensin del nodo A (VA ) bloqueando el regulador serie y bajando la tensin de salida Vo . As, al bajar Vo baja la corriente por R9 y la diferencia de potencial en este resistor con lo que T4 pasa a saturacin, incrementndose IC4 y llegando a cortar el par DArlington con lo que V o = 0 e Io = 0 . A las condiciones normales se retorna con la regularizacin de la carga, quitando el cortocircuito o retirando la misma . Como consecuencia Vs y R10 regularizan la diferencia de potencial en R9, que es la responsable de controlar ya sea el corte o la saturacin de T4 y se normaliza el suministro de la tensin en la carga. El condensador C1 agregado al circuito es un capacitor de compensacin que evita las oscilaciones de T2 y/o de T1 . XII.3.- PROYECTO DE UNA FUENTE REGULADA Y REGULABLE: Supongamos desear proyectar una fuente regulada y regulable cuyas caractersticas operativas contemplen los siguientes datos: Vs = 45 V ; Vo = 28 V ; Io = 670 mA ; Rs = 8 Ohm ; (Vs/Vs) = +/-10 % ; IoMAX = 1 Amp. ; Tamb = 40 C Iomin = 0,5 Amp.
Vo = +/- 0,1 V ;
y se ajuste al siguiente esquema de circuito: 12
Figura XII.13. XII.3.1.- Seleccin del diodo zener DZ1 : 0,2 . Vo < VR1 < 0,9 . Vo La adopcin de un alto valor para la tensin de referencia del DZ1 implica operar con un elevado valor de la muestra de la tensin de salida, es decir alto V2 y ello significa tambin una baja relacin de divisin que acarrea un alto valor de [R2 / (R1 + R2)] con la consiguiente mejora tanto en la resistencia de salida Ro como en el factor de estabilizacin SV tal como lo establecen las ecuaciones XII.15. y XII.16. Suele tomarse: VR1 = 0,5 . Vo = 0,5 . 28 V = 14 V adaptndose luego a un valor conveniente, por ejemplo VR1 = 12 Volt. En cuanto a la corriente por este diodo debe considerarse que Iz1 = IC2 + ID con IC2 = IC3 - I1n por ello
debiendo cumplirse para un buen rendimiento del regulador que: (I1 + ID + IC3 + Iz3 ) << Iomin adoptaremos: Iomin 500 mA IC3 < --------- = ------------ = 25 mA por ejemplo IC3 = 10 mA 20 20 I1n << IC3 Luego si pudiendo adoptarse ID = IC2 I1n = 0,1 . IC3 = 0,1 . 10 mA = 1 mA Iz1 = 2 . IC2 = 18 mA
con lo que IC2 = 9 mA
entonces
para ello debe hacerse:
Vo - VR1 28 - 12 RD = --------------- = -------------- = 1,8 KOhm 9 . 10-3 ID Entonces, la potencia disipada en el diodo zener DZ1 ser: PDDZ1 = Iz1 . VR1 = 12 . 18 . 10-3 = 216 mWatt.
entonces RD = 1,8 KOhm
debiendo seleccionarse aquellos que cumplan:
PDDZ1MAX > 2 . PDDZ1 = 2 . 216 . 10 = 500 mWatt aproximadamente y entonces suponiendo un: TjMAX = 150 C su resistencia trmica deber ser:
13
XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas 150 - 40 TjMAX - Tamb Rthja = ------------------ = ------------- = 220 C/W PDDZ1MAX 0,5 As el Diodo zener DZ1 a seleccionar deber cumplir que: VR1 = 12 Volt. IzK < Iz1 = 18 mA PDDZ1MAX > XII.3.2.- Seleccin del Regulador Serie: En la malla exterior del circuito de la figura XII.13. Vs = Is . Rs + VCE1 + VO tensin en el regulador serie es: VCE1 = Vs - Is . Rs - VO por ello la cada de 0,5 Watt a Tamb = 40 C o bien Rth < 220 C/W
entonces el valor mximo de dicha tensin se produce cuando simultneamente Vs se hace mxima e Io y Vo se hacen mnimas, as en dichas peores condiciones, en que: VsMAX = Vs + Vs = 45 + 4,5 = 49,5 V ; con lo que: Iomin = 0,5 A y Vomin = Vo - Vo = 28 - 0,1 = 27,9 V
VCE1MAX = VsMAX - Ismin . Rs - VOmin = 49,5 - 27,9 - 0,5 8 = 16 V BVCEo > 1,4 . VCE1MAX = 1,4 . 16 = 22,4 V
en consecuencia el transistor a seleccionar debe cumplir con
Por otra parte, el menor valor de VCE1 se produce bajo la condicin en que: Vsmin = Vs - Vs = 45 - 4,5 = 40,5 V ; con lo que: IoMAX = 1 A y VoMAX = Vo + Vo = 28 + 0,1 = 28,1 V
VCE1min = Vsmin - IsMAX . Rs - VOMAX = 40,5 - 28,1 - 1 . 8 = 4,4 V
en consecuencia el transistor a seleccionar debe cumplir con VCE(SAT) < VCE1min = 4,4V cuando IC1 = IoMAX = 1 A En cuanto a la disipacin de potencia en este transistor, la misma resulta ser: PDT1 = Io . VCE1 = Io . (Vs - VO - Io . Rs ) y si se produce el VsMAX = Vs + Vs
PDT1 = Io . (Vs + Vs - VO - Io . Rs ) = Io . (Vs + Vs - VO ) - Io2 . Rs por cuanto es interesante conocer el valor mximo en que se produce dicha potencia derivamos una y otra vez determinando: 2PDT1 PDT1 --------- = Vs + Vs - VO - 2 . Io . Rs ; ------------- = - 2 . Rs Io2 Io ello nos dice que la funcin posee un mximo, por lo que igualando a cero la primer derivada y despejando: Vs + Vs - VO - 2 . IoMAX . Rs = 0 e Vs + Vs - VO 49,5 - 28 IoMAX = ----------------------- = -------------- = 1,4 A 2 . Rs 16
si el resultado que se obtiene por este anlisis arroja un valor numrico inferior al dato de IoMAX se toma dicho valor de IoMAX . En cambio si como en nuestro caso se obtiene un valor numrico superior debemos tomar el dato suministrado IoMAX = 1 A. En consecuencia:
14
XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas PDT1MAX = IoMAX . VCE1 = IoMAX . (Vs + Vs - VO ) - IoMAX2 . Rs = 1 . (49,5 - 28 ) - 12 . 8 = 13,5 W y para la temperatura ambiente dada como dato: TjMAX - Tamb 150 - 40 Rthja = ------------------ = -------------- = 8,2 C/W PDT1MAX 13,5 En resumen, el transistor que debe seleccionarse como regulador serie debe responder a las siguientes caractersticas: BVCEo = VCEoMAX > 22,4 V ; VCE(SAT) < 4,4V ; ICMAX > 1 A PDT1MAX > 13,5 W ; Rthja < 8,2 C/W
Dado que el transistor BD466 satisface estos requerimientos a fin de continuar con el detalle de los criterios de proyecto seleccionaremos a este transistor a ttulo de ejemplo. Para el BD466 se observa adems que: hFEmin
a 1A
= 70 aproximadamente
de modo que si el regulador serie se compone de un nico transistor, entonces IC1 IoNominal 670 mA I1n = I11 = IB1 = --------- = ----------- = ------------- = 10 mA. hFEmin hFEmin 70 Dado que hemos tomado un IC3 = 10 mA y tal como ya se dijo I1n = (IC3/10) = 1 mA se deduce que este transistor que realice las funciones de regulador serie debe disponer de una ganancia diez veces ms elevada cuando su corriente de colector sea del orden de IoMAX = 1 A y ello puede lograrse con un par DArlington a base de este mismo transistor, es decir con n = 2, de modo que hFEDArl = hFE11 . hFE12 , siempre que el mnimo valor de hFE12 para una corriente de 10 mA no sea inferior a 10 cosa que corroboramos en la hoja de datos del fabricante. En consecuencia: Io 670 mA I1n = ------------------- = ---------------- = 0,24 mA = I12 hFE11 . hFE12 70 . 40 VBEuDArl = 2 . VBEu = VBEu11 + VBEu12 = 0,8 + 0,6 = 1,4 V Promediando el valor mximo y el valor mnimo, ambos ya calculados, la tensin de reposo nominal del transistor T11 puede estimarse en: VCE1MAX + VCE1min 16 + 4,4 VCE11 = -------------------------- = -------------- = 10 V 2 2 en tanto que para el transistor T12: VCE12 = VCE11 - VBEu11 = 10 - 0,8 = 9,2 V XII.3.3.- Seleccin del Transistor Amplificador T2 : Por una parte, el divisor de tensin que permite lograr el ajuste de la tensin de salida se puede determinar sabiendo que: V2 = VR1 + VBEu2 = 12 + 0,7 = 12,7 V y habiendo seleccionado ya: Io Vo (20 . 28) V I1 = ------- , R1 + R2 = -------- = --------------- = 836 Ohm por lo que elegimos un 20 I1 0,67 A un potencimetro de 1,5 KOhm con el cual el ajuste de la tensin de salida requerida se lograr cuando:
15
XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas 12,7 V2 R2 = (R1 + R2 ) . ------ = 1500 . --------- = 680 Ohm 28 Vo y por lo tanto R1 = 820 Ohm + R2 ) fijos con los valores
pudindose reemplazar dicho potencimetro por el par de resistores (R1 precedentemente calculados si no se deseara una tensin de salida ajustable. En segundo lugar: VAT = Vo - VBEuDArl = 28 - 1,4 = 26,6 V VCE2 = VAT - VR1 = 26,6 - 12 = 14,6 V
y ahora que ya contamos con el regulador serie y conocemos su ganancia procedemos a reajustar la corriente: (IC2 = IC3 ) > 10 . I12 = 10 0,24 mA = 2,4 mA con lo que por tratarse de un clase A la disipacin mxima en T2 ser: PDT2MAX = IC2 . VCE2 = 14,6 . 2,4 . 10-3 = 40 mW aproximadamente Como conclusin para llevar a cabo la funcin de amplificador de la seal error T2 puede ser cualquier transistor de bajo nivel que permita operar con: ICQ2 = 2,4 mA y por lo tanto IC2MAX = 2 . ICQ2 = 4,8 mA ; VCEQ2 = 14,6 V y PDT2MAX = 40 mW
tal como el BC547 por ejemplo. XII.3.4.-Clculo de la Fuente de Corriente; T3 y DZ2 : Dado que la corriente por T3 es la misma que por T2 (I12 << IC2) es decir ICQ3 = ICQ2 = 2,4 mA y se requiere que el mismo trabaje fuera de saturacin para que su resistencia de salida sea alta, o sea VCEQ3 > VCE(sat)3 por lo tanto VCEQ3 = 3 V por ejemplo, este transistor puede ser un transistor complementario de T2 o sea el BC557. Como consecuencia la tensin entre emisor y tierra de este transistor ser: VET3 = 26,6 - (- 3) = 29,6 V por lo tanto: VET3 = VAT - VCEQ3
Vs - Io . Rs - VET3 45 - 0,67 . 8 - 30 R = ---------------------------- = ---------------------------- = 4,02 KOhm , R = 3,9 KOhm - ICQ3 2,4 . 10-3 con lo que el diodo zener de la fuente de corriente debe tener una tensin de referencia de: VR2 = VEBu3 - ICQ3 . R = 0,7 V + 2,4 . 10-3 . 3,9 . 103 = 10,06 V adoptando VR2 = 10 Volt
de modo tal que, de acuerdo a la ecuacin (XII.18.) si seleccionamos un diodo zener con dicha tensin de referencia y que adems tenga un coeficiente trmico en su tensin de referencia que sea idntico al coeficiente trmico de la tensin de umbral base-emisor del transistor T3 se conseguir una corriente ICQ3 que no depender ni de Vs ni de T. Como la corriente en la base del transistor T3 es despreciable la corriente en el DZ2 , que como mnimo debe ser la corriente en el codo (Izk2 ), debe ser asegurada por el valor de Rx . As adoptando para esta ltima el mismo valor ID que se tomara para el DZ1 , es decir IRx = ID = 9 mA deber hacerse: (Vs - Io . Rs ) - VR2 40 - 10 Rx = -------------------------------- = ------------- = 3,33 KOhm 9 . 10-3 IR9 16 , Rx = 3,3 KOhm
XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas La disipacin de potencia en el DZ2 resultar: PDDZ2MAX = IR9 . VR2 = 9 . 10 . 10 = 100 m W por lo que para la temperatura ambiente dada como dato: TjMAX - Tamb 150 - 40 Rthja = ------------------ = -------------- = 1,1 C/mW 100 PDDZ2MAX En resumen, el diodo zener que debe seleccionarse para integrar la fuente de corriente debe responder a las siguientes caractersticas: VR2 = 10 V ; Izk < 10 mA PDDZ2MAX > 100 mW ; Rthja < 1,1 C/mW
XII.3.5.- Determinacin del circuito de proteccin El diodo zener DZ3 debe seleccionarse de modo que su tensin de referencia VR3 se ubique entre un valor de 1,5 y 2,7 Volt y con un coeficiente trmico idntico al de la tensin de umbral base emisor del transistor T4 . La resistencia del resistor R7 determina la corriente a travs de dicho diodo zener de modo que el mismo opere en la regin de codo de su caracterstica inversa. Por ejemplo si se elige una R7 = 18 KOhm resulta una corriente por el diodo de: (Vs - Io . Rs ) - VR3 40 - VR3 VR3 Iz3 = ------------------------------ = -------------- = 2,2 mA - ----------R7 18 . 103 18 . 103 Por debajo de una corriente Iz3 = 2,2 mA el diodo zener DZ3 no alcanzar su tensin de codo o de referencia de VR3 = 2,7 Volt por ejemplo, o sea que dicha tensin se ubicar solamente en alrededor de 2,3 o 2,4 Volt. Entonces el diodo zener que debe seleccionarse para integrar el circuito de proteccin debe responder a las siguientes caractersticas: VR2 = 2,5 V ; Izk < 2 mA
Simultneamente por la rama integrada por los resistores R6 y R 9 se hace circular una corriente cercana a unos 10 mA por ejemplo, as : Vo VR3 R6 + R9 = -------- = 2,8 KOhm por lo que R9 = -------- = 270 Ohm y IR9 IR9 corriente resulta: Vo 28 IR9 = --------------- = ------------------------ = R6 + R9 (2,7 + 0,27) . 103 y en consecuencia la diferencia de potencial en R9 es: VR9 = IR9 . R9 = 9,5 . 10-3 . 0,27 . 103 = 2,54 Volt As, en la malla de entrada del transistor T4 se plantea la siguiente ecuacin de malla: VR9 + VBEu4 - VR3 - Io . Rz = 0 y como VR9 = VR3 resulta VBEu4 = I0 . Rz 9,5 mA aproximadamente R6 = 2,7 KOhm, de modo que dicha
T4 debe permanecer cortado mientras la corriente por la carga no supera el valor IoMAX = 1 Amp. Para dicha corriente de carga mxima debemos hacer 17
XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas 0,6 Volt 0,6 Volt Rz = --------------- = ------------ = 0,56 Ohm 1 Amp. IoMAX con lo que si Io supera dicho valor mximo, T4 pasa a la conduccin y se eleva su corriente de colector IC4 y como: I12 = IC3 - IC2 - IC4 I12 baja y por lo tanto comienza a limitarse la corriente por la carga. XII.4.- CIRCUITOS REGULADORES DE TENSION CON CIRCUITOS INTEGRADOS: Estos circuitos y sus fundamentos se basan en el principio de funcionamiento de los reguladores de lazo cerrado que se describieran precedentemente en este Captulo, es decir que en una representacin a base de bloques circuitales estos circuitos reguladores se ajustan al esquema indicado en la figura XII.14. En dicha figura, mediante el sistema potenciomtrico: R2 Vo Vf = Vo . ----------en tanto que en el Op.Amp. Vi = VR - Vf = --------R1 + R2 A
Figura XII.14. entonces si idealizamos al Op.Amp. su ganancia a lazo abierto resulta infinito con lo cual para un Vo distinto de cero se tendr VR = Vf y por lo tanto: R1 Vo = VR . (1 + ------- ) (XII.19.) R2 Se desprende de esta ltima ecuacin que an variando la corriente en la carga Io la tensin de salida Vo permanece fija y dada por la ecuacin (XII.19.). Como la fuente de alimentacin no regulada se aplica a los terminales de alimentacin del Op.Amp. las variaciones de Vs ( Vs ) debidas ya sea a variaciones de la red (variaciones lentas) o bien debidas al ripple (variaciones rpidas) sern atenuadas en funci9n de la Relacin de Rechazo de la Fuente de Alimentacin (PSRR o bien SVRR) del amplificador operacional. Siendo Ro la resistencia de salida del amplificador operacional, la Resistencia de Salida de este circuito regulador, resultado del lazo de realimentacin con muestreo de tensin y mezcla serie, se reducir al valor: 18
XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas Ro Ro Ro Ro Ro Rof = -------- = -------------- = ----------- = ------------------- = ------------------D 1 + .A .A Vf R2 A . ------A . ----------Vo R1 + R2
(XII.20.)
Un ejemplo para este tipo de regulador lo constituye el circuito que presenta la figura XII.15. Si en l, el amplificador operacional es un tipo 741 la tensin de salida de la fuente no regulada debe mantenerse por debajo del valor mximo de la tensin de alimentacin con que puede operar este Op.Amp., es decir Vs < 20 Volt. El valor mnimo de la tensin de salida (Vomin ) se producir cuando la resistencia de carga tome el valor mnimo y la corriente de salida adquiera el valor mximo (IoMAX ). Dicho valor mnimo de la tensin regulada deber ubicarse aproximadamente unos 2 Volt por debajo de la tensin del terminal 11 del amplificador operacional. Por ejemplo si: Vomin 15 V Vomin = 15 Volt y Rmin = 3 KOhm entonces IoMAX = -------- = --------- = 5 mA Rmin 3 . 103 Si el diodo zener es un diodo tipo 1N4611 por ejemplo, el cual posee una tensin de referencia VR = 6,6 V, una corriente de codo de valor Izk = 2 mA y un coeficiente trmico en su tensin de referencia positivo e igual a 0,005 %/C, la resistencia R que debemos incluir surgir de considerar: Vomin - VR ( 15 - 6,6 ) V RZ < ------------------ = ------------------- = 4,2 . 103 Izk 2 . 10-3 adoptndose RZ = 3,9 KOhm
de modo de asegurar por el diodo zener una corriente superior a la del codo de modo que el mismo opere con la tensin de referencia en sus extremos, ya que: Vomin - VR ( 15 - 6,6 ) V IZ = ------------------ = ------------------- = 2,2 mA RZ 3,9 . 10-3 Si adems adoptamos una corriente por el divisor I1 = 1 mA : Vo 15 V R1 + R2 = ------- = --------- = 15 KOhm I1 1 mA
19
XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas Figura XII.15. Entonces: = R2 6,6 VR ------- = ----------- = ------Vo R1 + R2 15 por lo tanto R2 = 6,8 KOhm y R1 = 8,2 KOhm
que tambin puede lograrse con un potencimetro de 10 KOhm y un par de resistores fijos de valor R2 = 2,2 KOhm y R1 = 3,3 KOhm conectados en sus ambos extremos. Teniendo en cuenta los valores tpicos de resistencia de salida y ganancia a lazo abierto de este amplificador operacional: Ro = 75 Ohm A = 2 . 105 de acuerdo con la ecuacin (XII.20.) la resistencia de salida de la fuente regulada ser: Ro 75 Ohm Rof = ------------------- = --------------------- = 1 . 10-3 Ohm = 1 mOhm R2 6,8 A . ----------2 . 105 --------R1 + R2 15 Con Io = IoMAX - Iomin se obtendr Vo = Io . Rof (XII.21.)
y teniendo en cuenta la (XII.20.) el porcentaje de regulacin resultar: Io . Ro Io . Ro Vo ------- = --------------------- = --------------- (XII.21.) Vo VR A . VR A . ------ . Vo Vo luego considerando que Iomin = 0 Io = IoMAX = 5 mA por lo que el factor de estabilizacin ser: Vo Io . Ro 5 . 10-3 . 75 ------- = --------------------- = ------------------- = 30 . 10-8 Vo A . VR 2 .105 . 6,6 Obtenindose un porcentaje de regulacin de 30 ppm % que es en efecto una muy buena regulacin. Sin embargo el valor medido puede variar en ms en un orden de magnitud respecto a dicho valor calculado, debindose ello a diferentes factores, entre los que se pueden mencionar: coeficiente de temperatura del diodo zener, ruido propio del diodo zener, tensiones residuales de desequilibrio (OFFSETs) del Op.Amp., ruido generado en el amplificador, cadas de tensin en los cables de conexin del circuito de carga, derivas trmicas de las tensiones residuales en el Op.Amp., relacin de rechazo de modo comn limitada y relacin de rechazo de la fuente de alimentacin limitada, ambas en el Op.Amp. XII.4.1.- Influencia de la Temperatura: En este sentido veamos algunos ejemplos tpicos. Consideremos en primer lugar la influencia de la deriva trmica de la tensin residual de entrada: - Con un Op. Amp. 741 o bien uno tipo 101A los fabricantes especifican una deriva trmica de la tensin residual de entrada de: dVR V dVR V ------- = 3 ------ (Tpico) ------ = 15 ------ (Mximo) dT C dT C
20
XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas Adems para un encapsulado tipo TO-116 (de 14 terminales) y dentro de un rango trmico de hasta 70 C presenta una resistencia trmica de alrededor de 150 C/W. Si suponemos una tensin aplicada sobre el terminal (11) de aproximadamente 28 Volt se tiene que la diferencia de potencial que debe absorber el Op.Amp. es de (V11T - Vo) = (28 15)V = 13 Volt y en consecuencia a la corriente mxima de carga de IoMAX = 5 mA se tendr una disipacin en el integrado de: PD = (V11T - Vo) . IoMAX = 13 . 5 . 10 = 65 mW y como consecuencia de ella la temperatura del integrado aumentar en: T = PD . Rthja = 65 . 10-3 . 150 = 10 C aproximadamente si adems suponemos que se produce un incremento en la temperatura ambiente de trabajo que la lleva a 50 C el incremento total de la temperatura del integrado ser de: TTOTAL = 25 + 10 = 35 C , para el cual la deriva trmica de la tensin residual de entrada producir una variacin en esta ltima de: VR = 15 (V/C) . 35 (C) = 0,525 mV que se propagar a la salida del Op.Amp. produciendo un Vo = (1/ ) . VR = 2,2 . 0,525 . 10-3 = 1,16 mV por lo que: Vo 1,16 . 10-3 -------- = ---------------- = 77 . 10-6 equivalentes 7700 ppm % Vo 15 comprobndose que puede resultar excesivamente alta sobre todo en comparacin con 30 ppm % que se prevean obtener suponiendo un comportamiento ideal en el Op.Amp. En consecuencia si se deseara mejorar esta caracterstica se puede elegir un Op.Amp. tipo 725A por ejemplo, que asegura una deriva trmica de la tensin residual de entrada (valor mximo) de tan solo: dVR V ------- = 2 ------ (Mximo) dT C dVR V ------ = 0,6 ------ (Tpico) dT C
ajustando inicialmente el OFFSET mediante el agregado del potencimetro sugerido por el fabricante, tal como puede observarse en el esquema de la figura XII.16., entre los terminales (1) y (8). En dicha figura puede apreciarse asimismo el circuito de proteccin para la entrada diferencial conformado por los diodos limitadores colocados entre la entradas INV y NO INV y el circuito R-C de compensacin de fase conectado entre los terminales (4), (5) y (6). As si se reemplaza al Op.Amp. 741 del circuito regulador de la figura XII.15. por el 725 tal como se indica en la figura XII.16. se obtendr una versin del Regulador de alta estabilidad. En conclusin, de acuerdo a la ecuacin (XII.21.) a la salida de este regulador si tiene: Vo = Io . Rof = 5 . 10-3 . 1 . 10-3 = 5 V
por lo que cualquier cambio de temperatura en el ambiente o en el integrado origina un cambio Vo superior a dicho valor calculado por la expresin (XII.21.). XII.4.2.- Influencia de un Rechazo de la Fuente de Alimentacin y de un Modo Comn limitados: Para el Op.Amp. 741 se puede constatar una especificacin del Rechazo de la Fuente de Alimentacin en su valor tpico de 30 V/V as como un lmite mximo de 150 V/V , en tanto que para el 101A la especificacin tpica es de 16 V/V. Para ambos casos tales caractersticas son adecuadas mientras las variaciones de la tensin de alimentacin proporcionada por la fuente no regulada se mantienen en valores conservados. En cambio cuando las variaciones de Vs son mucho ms importantes resulta conveniente la utilizacin de Op.Amp. que posean una relacin de rechazo de la fuente de alimentacin mas apropiada, tal como el caso del Op.Amp. 725 para el cual se asegura un valor mximo de 10 V/V. Por otro lado, si consideramos una tensin de lnea variable tal caracterstica puede ser considerada como equivalente a una tensin de lnea constante en conjunto con una componente de modo comn. Sera deseable 21
XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas entonces que el amplificador operacional utilizado disponga de una buena relacin de rechazo a este tipo de componente de modo comn. En tal sentido para el amplificador operacional 741 los fabricantes aseguran un valor
Figura XII.16.
Figura XII.17.
mnimo de 70 dB, o lo que es lo mismo 310 V/V, en consecuencia una variacin de la tensin de lnea Vs sera equivalentes a un modo comn en la entrada de: Vc = 310 (V/V) . Vs Para el Op.Amp. 101 se tienen 96 dB que equivalen a 16 V/V de cambio en la fuente no regulada mientras que para el 725 se aseguran 110 dB de valor mnimo equivalentes a 3,1 V/V de variacin de la tensin de entrada al regulador. Como regla general conviene siempre utilizar amplificadores operacionales que dispongan 90 dB de relacin de rechazo de modo comn como mnimo. XII.4.3.- Cadas de Tensin del Cableado: Una de las principales fuentes de error lo constituye el cable que une los terminales del regulador con los terminales de la carga. En el circuito indicado ms abajo Rw1 y Rw2 son las resistencias almbricas u Ohmicas de los cables de conexin que vinculan la fuente de alimentacin regulada y la carga. All se puede identificar un nuevo divisor de tensin de modo tal que la tensin real sobre la carga resulta ser: RL VL = ------------------------- . Vo R + Rw1 + Rw2 (XII.22.)
Si por ejemplo se utiliza alambre calibre N 20 (de 0,33 . 10-3 Ohm/cm) y la corriente en la carga es de unos 100 mA, en el mismo se tendr una cada de: 0,33 . 10-3 . 100 . 10-3 = 33 V/cm. es decir que se tienen 1 mV de cada de tensin por cada 30 cm. de longitud de cable de conexin y por lo tanto se enmascara la verdadera regulacin. A esto contribuye tambin la resistencia de contacto de las conexiones. En la misma figura XII..17. se ha agregado otro cableado paralelo entre la carga y la salida de la fuente regulada que se activa por medio de la apertura de las llaves LL1 y LL2 y el cierre de las correspondientes LL3 y LL4 conformando una fuente que utiliza la tcnica de sensado remoto para evitar en buena medida el problema apuntado precedentemente. Una vez activado el cableado paralelo que introduce el sensado remoto el regulador pasa a regular la tensin efectiva sobre la carga VL ya que la corriente en el cable paralelo es muy inferior a la corriente Io sobre la carga y deja de tener validez la ecuacin del divisor resistivo (XII.22.). Sin embargo si consideramos la influencia de un 22
XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas rechazo al modo comn limitado, encontramos que mientras sin el sensado remoto se tena un modo comn en las entradas del Op.Amp. de: VR + . VL Vmc = ------------------2 cuando incluimos el cable paralelo las tensiones de entrada a ambos terminales de entrada del Op.Amp. sern: V1 = Vf + Io . Rw2 = . VL + Io . Rw2 ; V2 = VR + Io . Rw2
entonces mientras la tensin de entrada de modo diferencial es Vd = V2 - V1 = VR - . VL la del modo comn resultar ahora: V 1 + V2 VR + Io . Rw2 + VL + Io . Rw2 VR + . VL Vmc = -------------- = ---------------------------------------------------- = ----------------- + Io . Rw2 2 2 2 Si la relacin de rechazo de modo comn del Op.Amp. es buena, la tensin adicional (Io . Rw2) no afectar significativamente el comportamiento del regulador. Por su parte, la resistencia Rw1 aumenta la resistencia de salida de lazo abierto del regulador; ya que Rw1 es de 10 o 20 mOhm ella no afecta mayormente el comportamiento de la resistencia de salida del regulador a lazo cerrado (Rof ). XII.4.4.- Agregado de un Transistor de Paso: La fuente de alimentacin regulada estudiada en los prrafos precedentes dispone de una capacidad de potencia fijada por el circuito de proteccin contra cortocircuitos presente en la salida de cualquier amplificador operacional. Si se trata del Op.Amp. 741 hemos visto ya que en su etapa de salida por ejemplo la corriente por la carga crece aproximadamente en forma lineal hasta alcanzar unos 15 a 20 mA en que las cadas en las resistencias de emisor de 22 o 27 Ohm alcanzan el valor de una tensin de umbral y a consecuencia de ello un transistor protector comienza con el proceso de limitacin de la corriente en la carga de modo que la misma no puede superar ms all de los 20 22 mA. Si la demanda de corriente por la carga supera dicho lmite fijado por el amplificador operacional utilizado, es posible continuar utilizando este esquema regulador agregando un transistor de modo de amplificar dicho valor de corriente de salida del Op.Amp., transistor este que en el circuito regulador de la figura XII.18. es el transistor T1 llamado tambin transistor de paso. En la misma figura se observa el agregado de T5 y R5 que constituye ahora el nuevo circuito de proteccin o limitacin automtica de corriente. Para dicha configuracin, la resistencia de salida de la fuente regulada a lazo abierto es la resistencia de salida que presenta el transistor T1 en su terminal de emisor, es decir: hie1 + RoOp.Amp.) Ro = ------------------------hfe1
mientras que a lazo cerrado:
Ro Ro Ro hie1 + RoOp.Amp.) Vo Rof = ---------- = -------------- = ----------- = ----------------------- . ---------D 1 + A A hfe1 A . VR Vo = Io . Rof por lo tanto Vo hie1 + RoOp.Amp.) 1 % Reg = -------- . 100 = Io . ---------------------- . --------- . 100 Vo hfe1 A . VR
Veamos un ejemplo numrico. En tal sentido supongamos que utilizando una fuente de alimentacin primaria de tensin Vs = 28 V, tal que por variaciones de la red puede modificarse en ms o en menos en alrededor de 3 V y que por variaciones de la corriente de carga disminuye su valor de tensin a 26,6 V cuando es cargada con alrededor de unos 135 mA, vale decir, resumiendo: 28 - 26,6 23
XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas Vs = 28 V ; Vs = +/- 3 V ; Rs = ----------------- = 10 Ohm 0,135
Figura XII.18 y deseamos que mediante el circuito de la figura XII.18 la tensin regulada sea de 15 V con un consumo mximo de 100 mA, es decir: Vo = 15 V e Iomax = 100 mA a) Determinacin del Diodo Zener DZ y del divisor R1 R2 : Tal como ya hemos visto con anterioridad 0,2 . Vo < VR < 0,9 . Vo La adopcin de un alto valor para la tensin de referencia del DZ implica operar con un elevado valor de la muestra de la tensin de salida, es decir alto Vf y ello significa tambin una baja relacin de divisin que acarrea un alto valor de [R2 / (R1 + R2)] con la consiguiente mejora tanto en la resistencia de salida Ro como en el factor de estabilizacin SV tal como lo establecen las ecuaciones XII.15. y XII.16. Suele tomarse: VR = 0,5 . Vo = 0,5 . 15 V = 7,5 V adaptndose luego a un valor conveniente, por ejemplo VR = 5,8 Volt por disponerse en stock por ejemplo. En cuanto a la corriente por este diodo debe considerarse que para un buen rendimiento del regulador : (IZ + IR ) << Iomin por ello adoptaremos: Iomin 50 mA IZ < --------- = ------------ = 2,5 mA por ejemplo IZ = 2 mA 20 20 para ello debe hacerse: Vo - VR 15 - 5,8 RZ = --------------- = -------------- = 4,6 KOhm entonces RZ = 4,7 KOhm 2 . 10-3 IZ Entonces, la potencia disipada en el diodo zener DZ ser: PDDZ = IZ . VR = 5,8 . 2 . 10-3 = 11,6 mWatt. 24 debiendo seleccionarse aquellos que cumplan:
XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas PDDZMAX > 2 . PDDZ1 = 2 . 11,6 = 25 mWatt aproximadamente y entonces suponiendo un: TjMAX = 150 C su resistencia trmica deber ser: TjMAX - Tamb 150 - 40 Rthja = ------------------ = ------------- = 4,4 C/mW PDDZMAX 25 As en Diodo zener DZ a seleccionar deber cumplir que: VR = 5,8 Volt. IzK < IX = 2 mA PDDZ1MAX > 0,025 Watt a Tamb = 40 C o bien Rth < 4,4 C/mW
Por otra parte, el divisor de tensin que permite lograr el ajuste de la tensin de salida se puede determinar sabiendo que: Vf = VR = 5,8 V En tanto que la corriente por el mismo tambin debe ser despreciable frente a la Iomin por ello adoptaremos como antes lo hiciramos para IZ: Iomin Vo 15 V IR < --------- , R1 + R2 = -------- = --------------- = 15 KOhm 20 IR 1 mA por ello seleccionamos un potencimetro de 5 KOhm con el cual el ajuste de la tensin de salida requerida se lograr cuando la posicin del cursor se encuentre aproximadamente en la mitad de resistencia si agregamos sendos resistores fijos para que en en conjunto con dichos 2,5 KOhm den como resultado: V2 5,8 R2 = (R1 + R2 ) . ------ = 15000 . --------- = 5,8 KOhm 15 Vo y por lo tanto R2 (fija) = 3,3 KOhm
por lo que R 1 = 15000 - 5800 = 9,2 KOhm de modo que la parte fija podr ser de R1 (fija) = 6,8 KOhm b) Requerimientos del transistor T1 : VCEMAX = Vs + Vs - Vo = 28 + 3 - 15 = 16 V VCEmin = Vs - Vs - IsMAX . Rs - Vo = 28 - 3 - 0,1 10 - 15 = 9 V VCEd = Vs + Vs - IsMAX . Rs - Vo = 28 + 3 - 0,1 10 - 15 = 15 V PDT1 = IsMAX . VCEd = 0,1 . 15 = 1,5 Watt hFEmin = 40 c) en cuyo caso con lo que puede usarse un BD135 que posee un
IsMAX 100 mA IB1MAX = ---------- = ----------- = 2,5 mA hFEmin 40
Consumo del Amplificador Operacional con y sin carga:
Sin carga el amplificador operacional 741 disipa una potencia elctrica asociada exclusivamente con las corrientes de polarizacin, las cuales tal como ya se determinara, son bsicamente las corrientes por las ramas de T12 y T13 que se disponen en una configuracin espejo y para las cuales: Vs + Vs - 2 VBEu11-12 25 28 + 3 1,2
XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas IC12 + IC13 = 2 IC12 = 2 . -------------------------------- = 2 . ------------------- = 1,6 mA 39 KOhm 39 . 103 y si tomamos en cuenta las corrientes de polarizacin de los restantes transistores, llegamos a la conclusin que el amplificador operacional 741 sin carga estara demandando una corriente de aproximadamente 1,8 mA, de modo tal que cuando entre sus terminales 6 y 11 se desarrolle la tensin (Vs + Vs ) = 28 + 3 = 31 V esto dar lugar a una disipacin de potencia de valor 1,8 . 10-3 . 31 = 56 mW. Adems, con carga, el amplificador operacional debe suministrar una corriente adicional, la de base del transistor T1 , que hemos llamado IB1MAX y que result ser de 2,5 mA. Entonces, bajo esta condicin el amplificador operacional 741 debe disipar una potencia determinada por: PDOpAmp = 56 mW + [ V(11) - (Vo + VBEu1 )] . IB1MAX = 56 mW + (VCEmin - 0,7 V) . IB1MA PDOpAmp = 56 mW + (9 0,7 ) . 2,5 . 10 = 56 mW + 21 mW = 77 mW d) Limitacin automtica de la corriente: Con esta finalidad fueron agregados el transistor T5 y R5 . En condiciones normales de funcionamiento T5 trabaja al corte . Si se define un valor mximo de corriente por la carga, que podra ser en este caso IoMAX = 110 mA para este valor de corriente en la carga existe un valor de corriente de emisor mximo, es decir IE1MAX . Experimentalmente se halla el valor de R5 adecuado como para que VR5 sea aproximadamente una tensin de umbral base-emisor, es decir unos 600 mV cuando por el emisor de T5 circule IE1MAX . IE1MAX = IoMAX + (IZ + IR ) + IB5 = (110 + 2 + 1) mA + IB5 = 115 mA 600 mV R5 = ---------------- = 5,6 Ohm 115 mA En esta forma T5 conduce y el colector de T5 desva gran parte de la corriente que de otro modo ingresara en la base de T1 y entonces, multiplicada por hFE1 nos dara una corriente de emisor tan grande que se excedera la disipacin de T1 . e) Anlisis de un corto circuito en la carga (R = 0): aproximadamente
Si la salida de la fuente regulada se pusiera en corto circuito R = 0 y por lo tanto tambin Vo = 0 . El emisor de T5 queda conectado a tierra y en este caso se puede considerar el circuito equivalente de la figura XII.19. Al no existir Vo el diodo zenner no funciona. El terminal (5) del Op.Amp. recibe la tensin residual de salida VRo . Por su parte el terminal (4) del Op.Amp. recibe una tensin equivalente a ( . VRo ) que es inferior a la tensin que recibe el terminal (5). El terminal de salida del Op.Amp. o terminal (10) presenta una salida positiva por ser mayor la entrada en el terminal NO INV o (+). Entonces ante un corto circuito de la carga R, la corriente de salida del Op.Amp. (Iop ) se autolimita a aproximadamente unos 23 mA tal como se estudiara oportunamente. En el circuito de la figura XII.19. se han sealizado las corrientes que apareceran bajo tales condiciones , las cuales para un transistor T1 cuyo hFE1 medido es de 86, resultan ser: Iop = 23 mA ; IC5 = 22 mA ; IB1 = 1 mA ; IE1 = 87 mA ; IB5 muy pequea por lo que IR5 = IE1 y en consecuencia: 600 mV R5 = ---------------- = 6,9 Ohm 87 mA debiendo prevalecer este valor por sobre el precedentemente calculado a fin de no excederse la corriente de 110 mA como corriente de cortocircuito, es decir: IR5 + IE5 = 110 mA 26
XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas motivo por el cual se decide conectar 10 Ohm en paralelo con 22 Ohm, de modo que R5 = 10//22 = 6,9 Ohm
como funcin de la corriente de salida del Op.Amp. como funcin de la corriente en la carga.
hm
Rs
15 (5) 741 Vs (4) (6) (11) (10) I C5 I B5 T5 VRo
BV Ro
Vo (V)
R = 175 Oh m
135 O
I C5 + I B1
T1 10 I E1 5
R=
I B1
5O 17
hm
R= 5O 13
hm
R5 =6,9 Ohm
I R5 + I E5
110 mA
I R5
50
hm O
R = 50
Ohm
I SC (mA) 10 20 40 80 110
Figura XII.19. f) Accin limitadora de la corriente:
Figura XII.20
Realizado el circuito regulador precedentemente calculado, el mismo se puede someter a un ensayo en el que vamos modificando el valor de la resistencia de carga R y midiendo las corrientes Io sobre dicha carga R as como la corriente a la salida del Op.Amp. (IC5 + IB1). Luego graficamos la tensin de salida regulada Vo en funcin tanto de Io como de la corriente de salida del Op.Amp. obtenindose los resultados que muestra el grfico de la figura XII.20. Para un funcionamiento normal, con Vo = 15 V y una Io < 110 mA., se puede observar que por ejemplo para una R = 175 Ohm, es decir un tanto superior a la nominal del proyecto, se mide una corriente a la salida del Op.Amp. (IC5 + IB1) = 8,4 mA en tanto que la corriente por la carga es Io = 85 mA. Para dicha condicin, la base de T1 toma una corriente IB1 = 0,9 mA y los restantes 7,5 mA pasan al colector de T5 y contribuyen a la corriente en la carga Io . La corriente a travs de R5 es IR5 = Io IC5 = 85 7,5 = 77,5 mA., es decir prcticamente IE1 = hFE1 . IB1 = 86 . 0,9 = 77,4 mA. Para R < 135 Ohm la corriente IB1 se estabiliza en 1 mA, IR5 en 87 mA, la corriente de salida del Op.Amp. en 23 mA y la corriente por la carga Io en 110 mA, valores stos que permanecen hasta R = 0 Ohm. Por ejemplo, para R = 50 Ohm se tienen: IR5 en 87 mA. - (IC5 + IB1) = 23 mA. - Io = IR5 + (IC5 + IB1) = 110 mA. y por consecuencia Vo = Io . R = 110 mA . 50 Ohm = 5,5 V. A partir de resistencias de carga menores a 135 Ohm el regulador acta como regulador de corriente constante: es decir, ISC = 110 mA. con Vo variable desde 15 hasta 0 Volt. g) Comprobaciones de la disipacin de potencia: Por el transistor T1 circula IE1 aproximadamente igual a IR5 = 87 mA a partir de la condicin en que el circuito de proteccin comienza a actuar y desde el punto de vista de la mayor tensin que debe soportar este transistor, esta ocurre bajo la condicin R = 0 en cuyo caso Vo = 0 V. De este modo VET1 = VBEu5 = 0,6 V , en consecuencia: VCEM = Vs + Vs - VET1 = 28 + 3 - 0,6 = 30,4 V VCEm = Vs - Vs - IM . Rs - VET1 = 28 - 3 - 1 - 0,6 = 23,4 V VCEd = Vs + Vs - IM . Rs - VET1 = 28 + 3 - 1 - 0,6 = 29,4 V Entonces la potencia disipada en este transistor T1: 27
XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas PdMT1 = VCEd . IE1 = 29,4 . 87 . 10-3 = 2,56 Watt por lo que es posible utilizar, entre otros y a ttulo de ejemplo, el transistor tipo BD135. Por su parte, en el transistor T5 se tiene: IC5 aproximadamente igual a (IC5 + IB1 ) = 23 mA a partir de la condicin en que dicho circuito de proteccin comienza a actuar y la tensin colector emisor que se desarrolla sobre este transistor resulta ser: VCE5 = VBEu1 + VBEu5 = 0,7 + 0,6 = 1,3 V por lo que la potencia disipada por este transistor ser: PdT5 = IC5 . VCE5 = 23 . 10-3 . 1,3 = 30 mW as cualquier transistor pnp de bajo nivel puede cumplir con su funcin,tal como el BC558 que dentro de la lnea de componentes discretos que estamos utilizando, es posible seleccionar a ttulo de ejemplo. En cuanto al Op.Amp. debemos considerar que la mayor tensin de entrada aplicada sobre el terminal (11) del mismo resulta ser: V(11) = Vs + Vs - IM . Rs = 28 + 3 - 1 = 30 V mientras que en las peores condiciones, cuando se produce un corto circuito en la carga y Vo = 0 la tensin en el terminal de salida o terminal (10) del Op.Amp. se reduce a la VCE5 precedentemente calculada, es decir V(10) = VCE5 = 1,3 V en consecuencia la potencia que debe disipar el Op.Amp. es: Pd(Op.Amp.) = (V(11) - V(10) ) . (IC5 + IB1 )MAX = (30 1,3) . 23 . 10-3 = 28,7 . 0,023 = 660 mW por lo que dado que en el mejor de los casos, con encapsulados cermicos o metlicos la mayor capacidad de disipacin solo alcanza a 500 mW debe buscarse una solucin a dicho inconveniente. En las figuras XII.21. y XII.22. se presentan dos alternativas. La solucin presentada en la figura XII.21. permitira adems lograr una proteccin contra sobre tensiones provenientes de la fuente no regulada, mientras que en la de la figura XII.22. debe considerarse que: V(11) - VZ 30 - 20 10 R = --------------------------- = -------------------- = ------ . 103 = 330 0hm (IC5 + IB1 )MAX + IZ 0,023 + 0,005 28 con lo que variando R es posible variar el consumo del diodo zener y conseguir 200 mW sobre l.
28
XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas Figura XII.21. Figura XII.22.
XII.4.5.- Fuente Regulada con operacional y transistor de paso tipo DArlington: La utilizacin del transistor de paso tipo DArlington la describiremos tambin a travs de un ejemplo numrico. A tal fin supongamos tener la misma fuente de alimentacin primaria del ejemplo anterior con excepcin que es capaz de suministrar una mayor corriente, es decir: 28 - 24 Vs = 28 V ; Vs = +/- 3 V ; Rs = ----------------- = 4,5 Ohm 0,900 solo que ahora al requerirse una tensin regulada nuevamente de Vo = 15 V, el requerimiento es que la misma debe operar con corrientes que en la carga pueden variar entre un mnimo Iomin = 0 y un mximo que ahora es IoMAX = 0,9 A. El circuito regulador a utilizar se indica en la figura XII.23. pudindose observar que ahora el transistor de paso es un par DArlington encapsulado que tpicamente pueden tener ganancias estticas de corriente cuyos valores mnimos se ubican entre unos 750 a 1000 veces (hFEm ). En consecuencia la corriente que se le exigir al amplificador operacional o corriente en la base del par DArlington ser: IoMAX 0,9 A IBM = --------- = ---------- = 1,2 mA hFEm 750 en consecuencia la potencia que debe poder disipar dicho par DArlington para una operacin normal del regulador es: PdT1 = (V(11) - Vo ) . IoMAX = (24 - 15) . 0,9 = 8,1 Watt Pero tal como puede observarse en la figura XII.23. el circuito incluye al transistor T5 y a R5 que en este caso debe ser: VBEu5 0,6 V R5 = --------- = ---------- = 0,6 Ohm ISC 1A que conforman el circuito de proteccin contra corto circuitos en la carga (se ha considerado que la corriente de corto circuito es de 1 A), de modo tal que si estimamos una ganancia tpica del par DArlington, del orden de hFEtip = 5000, la corriente en su base es: IoMAX 1000 mA IB = --------- = --------------- = 0,2 mA hFEm 5000 entonces dado dicho valor de IB , en condiciones de corto circuito en la carga toda la corriente a la salida del Op.Amp. es prcticamente la corriente en el colector de T5, es decir: (IC5 + IB ) = 23 mA y dado IB = 0,2 mA IC5 = 23 mA
As, es posible interpretar que por R5 circula toda la corriente de salida en corto circuito, es decir 1 A debido a que los 23 mA que cierran por el emisor de T5 en este caso pueden despreciarse. Entre colector y emisor del transistor de salida del par DArlington en condiciones nominales se tendr ahora: VCEd = Vs + Vs - IM . Rs - VET1 = 28 + 3 - 1 . 4,5 - 0,6 = 25,9 V con lo que bajo la condicin de corto circuito en la carga (Vo = 0) dicho par DArlington debe poder disipar: PdT1 = VCEd . ISC = 25,9 . 1 = 26 Watt 29
XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas A ttulo de ejemplo mencionamos que dado dicho valor de disipacin de potencia puede emplearse el par de transistores en DArlington tipo BDX65A para el cual el fabricante asegura TJMAX = 200 C ; Rthjc = 1,5 C/W
Figura XII.23. dado que con la utilizacin del pertinente disipador adicional y para una temperatura ambiente de 50 C, el mismo permitira disipar: TJMAX - Tamb 200 - 50 150 PdT1 = --------------------------- = --------------------- = --------- = 30 W > 26 W requeridos. Rthjc = Rthcd + Rthda 1,5 + 2 + 1,5 5 Mientras tanto en el amplificador operacional se registrar una disipacin de potencia resultado de considerar: PdOp.Amp. = [(Vs + Vs - IM . Rs) - (VVEuDArl + VR5) ] . IC5 = 24,5 . 0,023 = 560 mWatt debindose implementar alguna de las soluciones precedentemente descriptas para bajar dicho nivel de disipacin. XII.5.- CIRCUITOS REGULADORES MONOLTICOS
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XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas Como ejemplo de un circuito regulador prctico se ha escogido al regulador de voltaje monoltico tipo 723 que es producido y suministrado por la mayora de los fabricantes de componentes semiconductores y/o circuitos integrados. De esta forma, en la figura XII.24. (inserta al pi de la pgina anterior) se ha reproducido el diagrama circuital esquemtico correspondiente a este dispositivo, en el que por razones de simplicidad no se han incluido los circuitos de proteccin y/o limitacin de la corriente sobre la carga ni la correspondiente proteccin trmica que tambin se incluyen en este tipo de circuitos integrados. Al igual que los circuitos reguladores que utilizan Op.Amp. y que hemos estudiado precedentemente, este regulador monoltico basa su principio de funcionamiento en el esquema generalizado del regulador tipo serie y de lazo cerrado, tal como fuera presentado oportunamente en la figura XII.14. En correspondencia con los bloques definidos en dicha figura, puede ser reconocida la porcin del circuito de la figura XII.24. ubicada a la izquierda de la lnea vertical (la primera de izquierda a derecha) como aquella parte encargada de generar la Tensin de Referencia: (VRsal). El divisor resistivo de tensin R1 y R2 de la figura XII.14. esta llevado a cabo en la figura XII.24. mediante el par de resistores denominados ahora RA y RB que debe conectarse en forma externa al circuito integrado. El transistor de potencia de salida, llamado Q15 se encuentra internamente conectado con el transistor Q14 en un arreglo tipo DArlington a los efectos de conseguir una muy alta ganancia de corriente, para lo cual tambin contribuye la presencia de R12 = 15 KOhm con el objeto de que la corriente de reposo de Q14 sea la ms conveniente. El par diferencial Q11 y Q12 con la carga activa sustituyendo una de sus resistencias de colector y conformada por Q8 - R5 = 1 KOhm, en conjunto con el circuito conformado por los transistores Q7, Q9, Q10 y Q13 , todos ellos con funciones de polarizacin de la etapa diferencial, se encuentran dispuestos entre las dos lineas verticales trazadas en la referida figura y vienen a desempear las funciones del Op.Amp. indicado en la figura XII.14. El resistor RC acopla la salida del circuito generador de la tensin de referencia con el amplificador comparador y tanto el capacitor C1 como el capacitor C2 tienen la funcin de compensacin para ampliar el margen de fase y prevenir as el circuito contra las oscilaciones en amplificadores de alta ganancia fuertemente realimentados. Mientras C1 se encuentra dispuesto en el interior del circuito integrado, tanto RC como C2 se deben conectar en forma externa, siguiendo las recomendaciones de la hoja de datos [RC = (RA // RB) por ejemplo para una simetra de las mallas de entrada del amplificador diferencial - C2 = 100 pF , entre otras]. Tal como se indica en la misma figura XII.24. la tensin que debe suministrar la fuente no regulada debe ser por lo menos un par de volts superior a la tensin de salida regulada deseada Vo sobre la carga RL . Como la mayora de sus fabricantes lo aseguran, el circuito regulador de voltaje monoltico de silicio integrado tipo 723 (por ejemplo MC1723) es un regulador de voltaje de tensin positiva o negativa, diseado para suministrar una corriente de carga de hasta 150 mA y dicha capacidad de manejo de corriente puede ser ampliada hasta el orden de varios amperes, mediante el agregado de uno o ms transistores de paso, tal como se estudiara precedentemente. La tensin de salida regulada puede ser ajustada entre un mnimo de 2 y un mximo de 37 Volt. XII.5.1.- Comprobacin de la polarizacin: Con la finalidad de verificar los puntos de trabajo estticos de la totalidad del circuito interno de este regulador, supondremos como ejemplo, alimentarlo con una fuente no regulada de +15 Volt, es decir Vcc = 15 V. a) Anlisis del circuito generador de la tensin de referencia: Puede comprobarse que toda la polarizacin del circuito integrado es dependiente de la rama constituida por el transistor Q1 (cuya juntura base-colector se encuentra cortocircuitada) debido a que su circuito base-emisor es compartido por los terminales base-emisor de los transistores Q2 , Q7 y Q8 formando diferentes fuentes de corriente destinadas, ya sea a polarizar o bien a actuar como carga activa. Pero a su vez se observa que dicho diodo base-emisor de Q1, en serie con los resistores R1 y R2 se encuentra polarizado en forma directa a expensas de la tensin de referencia del diodo zener D1 es decir por una tensin fija, que no depende de la tensin de alimentacin Vcc, cuyo valor es de 6,2 V siempre que la IDSS del transistor efecto de campo de juntura J1 sea la suficiente para suplir no solo a la corriente de dicho circuito serie del diodo R1 y R2 sino adems una corriente mayor o igual a la corriente del codo del diodo zener, de modo que el mismo trabaje a su tensin de referencia. Esta tcnica constituye otra forma de independizar la polarizacin de un circuito integrado lineal respecto de tensiones de alimentacin variables. 31
XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas De este modo: 6,2 - 0,6 VR1 - VEBu1 ICQ1 = ------------------ = ----------------------- = 348 A R1 + R2 (15,5 + 0,5) . 103
luego aceptando la simetra de los diodos base-emisor de las ramas que conforman las fuentes de corriente antes comentadas, se tiene por ejemplo: VEBu1 = VEbu2 , entonces ICQ1 . R1 = ICQ2 . R3 y en consecuencia: R1 0,5 ICQ2 = ---------- . ICQ1 = --------- . 348 A = 7 A R3 25 El circuito formado por los transistores Q4 , Q5 y Q6 , el diodo zener D2 y los resistores R6 , R7 y R8 constituye una variacin de la fuente de corriente Wilson, en donde, despreciando las corrientes de base de tales transistores surge que ICQ6 = ICQ2 = 7 A con lo que nuevamente, su corriente de base es despreciable y por lo tanto no hay diferencia de potencial apreciable en extremos de R7 . Esto nos permite determinal que la tensin de referencia que suministra este circuito y que hemos llamado VRsal resulta ser: VRsal = VBEu6 + VR2 = 0,7 + 6,2 = 6, 9 V (en la Hoja de datos el fabricante asegura que dicha tensin es de 7 V). Con la finalidad de ratificar que todas las corrientes de base (no solo la de Q6 ) ahora las de Q5 y Q4 fueron acertadamente despreciadas y dado que al no registrarse diferencia de potencial en R7 , sobre el resistor R8 se desarrolla la tensin VBEu6 , por lo que: VBEu6 0,7 V ID2 = ICQ5 = --------- = ----------------- = 140 A R8 5 . 103 Ohm La precedentemente calculada VRsal es una tensin regulada ya que el par DArlington Q4 Q5 puede considerarse un regulador serie excitado por la tensin colector-emisor de Q6 que a su vez responde a una relacin de divisin de la misma VRsal , relacin de divisin esta ltima que se establece entre la tensin de referencia del diodo zener D2 y la cada de tensin en R8 . De este modo si por algn motivo la tensin de referencia VRsal tendiera a cambiar, estos cambios seran amplificados por Q6 controlando al regulador serie y autoregulandose la misma VRsal. b) Etapa amplificadora del error o diferencia entre VRsal y la muestra de Vo que toma el divisor RA y RB: Como ya se anticipara Q1 en conjunto con R1 y Q7 con R4 forman una nueva fuente de corriente con fines ahora de lograr la polarizacin de la etapa amplificadora diferencial encargada de amplificar la mencionada tensin de error. De esta forma por las mismas razones apuntadas ya con anterioridad: ICQ1 . R1 = ICQ7 . R4 ; por lo que: ICQ7 R1 0,5 = -------- . ICQ1 = -------- . 348 = 174 A R4 1
Por su parte el circuito formado por el conjunto Q9 , Q10 y Q13 ms R9 , R10 y R11 guarda una topologa idntica a la que fuera observada y estudiada en el Op.Amp. 741; se trata de una nueva fuente de corriente alimentada desde el colector de Q7. As, despreciando la corriente de base de Q9, dada la conexin directa entre colectores de Q7 y Q10 : ICQ10 = ICQ7 = 174 A y dado los diferentes valores de resistencia en los emisores de Q10 y Q13 : ICQ10 . R9 = ICQ13 . R11 ; por lo que: R9 0,3 ICQ13 = ------- . ICQ10 = -------- . 174 = 348 A R11 0,15
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XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas corriente esta ltima con la que se alimenta la unin de los emisores de la etapa diferencial conformada por los transistores Q11 y Q12 de modo que las corrientes en cada una de dichas ramas del amplificador diferencial resultarn: ICQ13 ICQ11 = ICQ12 = --------- = 174 A 2 debiendo notarse que dicho valor de corriente satisface simultneamente la ecuacin de malla base-emisor correspondiente a la fuente de corriente que conforman Q1 - R1 y Q8 - R5 , es decir: ICQ1 . R1 = ICQ8 . R5 ; por lo que: R1 0,5 ICQ8 = ------- . ICQ1 = -------- . 348 = 174 A = ICQ12 R5 1
solo que en este caso Q8 - R5 cumplen las funciones de carga activa, en reemplazo de la resistencia de colector de Q12 que es la rama por donde se carga a este amplificador diferencial. Esta disposicin contribuye a disminuir el desbalance de las corrientes de las ramas diferencial por asimetras haciendo nula, por lo menos tericamente a la tensin residual de entrada de esta etapa. c) La corriente en el transistor de salida de potencia Q15 depende del valor de la resistencia de carga RL y puede alcanzar el valor de unos 150 mA a partir del cual comienza a actuar el circuito limitador de corriente que como ya se anticip no se ha dibujado en el esquema de la figura XII.24. y esta basado en los mismos esquemas que fueron descriptos en los ejemplos precedentes. Asimismo, y tal como ya anticipamos, el resistor R12 = 15 KOhm al estar sometido a la VBEu15 establece una corriente a su travs cuyo valor es: VBEu15 0,7 V IR12 = --------- = ------------------ = 47 A R12 15 . 103 Ohm que se constituyen en la corriente de reposo de Q14 ya que la base de Q15 demandara tan solo una corriente del orden del A cuando Q15 este suministrando a la carga una corriente reducida, mecanismo este que tal como ya se viera en otras aplicaciones del par DArlington, hace posible obtener la mayor ganancia del conjunto, por hacer trabajar a Q14 dentro de su mejor rgimen de ganancia. XII.5.2.- Determinacin de la Resistencia de Salida y del Porcentaje de Regulacin: Con la finalidad de determinar el porcentaje de regulacin que es posible conseguir con el circuito regulador 723, tal como se ha definido en la ecuacin (XII.21.) se hace necesaria la determinacin de la resistencia de salida del circuito regulador serie (Ro) as como la ganancia del amplificador de error que excita a dicho regulador serie (A), ambas caractersticas con el lazo de realimentacin (divisor RA y RB) abierto.
Figura XII.25. 33
XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas Para tal fin en la figura XII.25. representamos el circuito regulador serie Q14 Q15 con el excitador desactivado y por lo tanto reemplazado por la resistencia de salida equivalente del circuito amplificador diferencial (ro12 //Ro8 ). En consecuencia dicha resistencia de salida Ro resulta: hib14 (ro12//Ro8 ) Ro = hib15 + --------- + --------------hfe15 hfe14 . hfe15 en donde hemos considerado que hie15 << R12 . En consecuencia si estimamos tensiones de Early de unos 200 V para los transistores NPN y 100 V para los PNP las resistencias de salida de los transistores Q12 y Q8 sern: 200 ro12 = ------------- = 1,15 MOhm 174 . 10-6 entonces para la rama de Q8 : 100 ro8 = ------------- = 575 KOhm 174 . 10-6 con lo que reemplazando valores:
hfe8 . R5 Ro8 = ro8 . (1 + --------------------------) R5 + hie8 + hib1 + R1 y
gm12 = gm8 = 40 . ICQ12 = 40 . 174 . 10-6 = 6,96 mA/V 1 hib12 = hib8 = --------- = 144 Ohm gm8 ;
gm1 = 40 . ICQ1 = 40 . 348 . 10-6 = 13,92 mA/V hfe8 y estimando hfe = 100 : hie8 = -------- = 14,4 KOhm gm8 y ro12//Ro8 = 0,9 MOhm
hib = 72 Ohm
100 . 1 KOhm Ro8 = 575 KOhm . (1 + --------------------------------) = 4,2 MOhm (1 + 14,4 + 0,572) KOhm
por lo que la ganancia del amplificador de error suponiendo una resistencia de carga RL infinita resulta: gm12 A = -------- . (ro12//Ro8) = 3,48 . 10-3 . 0,9 . 106 = 3146 2 As, considerando una corriente de carga de aproximadamente IC15 = Io = 50 mA 1 hib15 = --------- = 0,5 Ohm y estimando hFE15 = 100 gm15 Io 50 mA 0,6 V IB15 = --------- = ----------- = 0,5 mA en tanto que IC14 = IB15 + IR12 = 0,5 mA + -------------- = 0,54 mA hFE15 100 15 KOhm 1 gm14 = 40 . IC14 = 40 . 0,54 . 10-3 = 21,6 mA/V con lo que hib14 = --------- = 46,3 Ohm con otro hFE14 = 100 gm14 gm15 = 40 . Io = 40 . 50 . 10-3 = 2 A/V con lo que Ro = hib15 hib14 (ro12//Ro8 ) 0,9 . 106 + --------- + --------------- = 0,5 +0,463 + ------------ = 91 Ohm hfe15 hfe14 . hfe15 104
Finalmente, de acuerdo con la expresin XII.20. y para un divisor RA RB que divida por 3: Ro Ro Ro Ro Ro Rof = -------- = -------------- = ----------- = ------------------- = ------------------- = 0,091 Ohm D 1 + .A .A Vf RA A . ------A . ----------Vo RB + RA 34
XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas mientras que por aplicacin de la ecuacin XII.21. para igual condicin: Io . Ro Io . Ro 91 Vo ------- = --------------------- = --------------- = ---------------- . Io = 4,2 . 10-3 . Io Vo VR A . VR 3146 . 6,9 A . ------ . Vo Vo Luego si suponemos que la corriente en la carga variara entre 0 y 100 mA, es decir con un Io = 50 mA entonces el porcentaje de regulacin sera: Vo --------- = 4,2 . 10-3 . 50 . 10-3 = 2,1 . 10-4 = 0,02 % Vo que es compatible con la especificacin de 0,03 % que indica el fabricante en la hoja de datos, debiendo notarse que extremadamente pequeo porcentaje de cambio se observa en la tensin de salida regulada para el considerado gran cambio en la corriente en la carga. Se puede observar una variada gama de circuitos integrados lineales para regulacin de tensin, con un nmero de terminales que van desde un mnimo de tres (3) hasta un mximo de catorce (14). Todos ellos se pueden catalogar como reguladores serie a los fines de conseguir rendimientos de regulacin aceptables. Alguno de ellos, tal como el 723 que acabamos de analizar se utilizan en aplicaciones especiales en las que se deben seleccionar e interconectar con dichos circuitos integrados, resistencias externas que establecen la tensin de salida regulada o la limitacin de corriente en la carga y su presentacin es por consecuencia a base de C.I. de 14 terminales Pero los reguladores integrados usados mayoritariamente son los que tienen nicamente tres terminales de conexin: uno para la tensin de entrada sin regular, otro para la tensin de salida regulada y un tercero para la conexin a tierra. Estos ltimos son los llamados reguladores de tres terminales que se encuentran disponibles en encapsulados de plstico o de metal y han llegado a ser sumamente populares debido a su bajo precio y facilidad de utilizacin: salvo dos condensadores de desacoplo opcionales, estos reguladores de tensin integrados de tres terminales no necesitan de componentes externos. La casi totalidad de los reguladores integrados tiene alguno de los siguientes tipos de salida: positiva fija, negativa fija o ajustable. Aquellos con salida fija positiva o negativa estn ajustados de fbrica para obtener diferentes tensiones fijas en un rango que se ubica entre unos 5 a unos 24 V, mientras los de salida ajustable pueden cambiar los valores de la tensin de salida desde menos de 2 V hasta ms de 40 V. A su vez se los subclasifica como reguladores integrados estndar, de baja potencia y de baja tensin diferencial.. Los reguladores integrados tipo estndar se encuentran diseados para aplicaciones sencillas y no crticas y pueden soportar corrientes de carga de ms de 1 A, con el agregado de disipadores de calor. Por su parte los de baja potencia son los adecuados cuando las corrientes por la carga no superan unos 100 mA. Estn disponibles en encapsulados del tipo T0-92 similar en tamao a los de un transistor de baja seal y por ello no vienen preparados para ser montados en disipadores, son prcticos y sencillos de usar. La tensin diferencial (diferencia entre la tensin de entrada y la de salida) mnima, a veces tambin llamado el drop out de un regulador integrado se define como la tensin diferencial mnima necesaria para que el regulador regule. Por ejemplo, tal como ya hemos adelantado, un regulador integrado estndar tiene una tensin marginal de 2 3 V. Esto quiere decir que es necesaria una tensin de entrada de 2 3 V superior a la tensin de salida regulada del dispositivo para funcionar segn sus especificaciones. En aplicaciones en las cuales no sea posible conseguir tensiones diferenciales de entre 2 3 V se utilizan los reguladores de baja tensin diferencial. Estos tienen una tensin de drop out de 0,15 V para corrientes de carga de 100 mA y de 0,7 V para corrientes de carga del orden de 1 A. XII.6.- CRITERIO GENERAL DE DISEO DE LA FUENTE DE ALIMENTACION REGULADA: Para la alimentacin de un determinado dispositivo o equipamiento electrnico una variante que se observa en la prctica es la utilizacin del esquema de regulacin en nico punto en donde se tienen una fuente de alimentacin y un regulador de tensin grande que distribuye la tensin regulada por las diferentes placas o tarjetas 35
XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas (circuitos integrados y/o impresos) que integran dicho dispositivo. Esto genera algunos problemas: para empezar el regulador debe proporcionar una gran corriente de carga igual a la suma de las corrientes en todas las placas. En segundo trmino el ruido y otras interferencias electromagnticas pueden afectar a las conexiones entre la fuente de alimentacin regulada y las placas. La tensin de salida regulada es uniforme para todas las placas. Con el abaratamiento de los circuitos electrnicos integrados se ha hecho posible la utilizacin de otro esquema de alimentacin para los equipos o dispositivos multiplaca, consistente en la regulacin integrada en cada placa. Esto significa que cada placa integrante de dicho equipo o dispositivo tiene su propio regulador de tres terminales para suministrar la tensin que utiliza cada uno de los componentes de dicha tarjeta. Utilizando esta regulacin integrada en cada placa, se puede repartir una tensin sin regular desde una fuente de alimentacin a cada una de las placas y tener un regulador integrado local encargado de regular esta tensin en su propia placa. Esto elimina el problema de la corriente de carga alta y del ruido asociado con los reguladores en nico punto y la tensin de alimentacin en cada placa puede ser diferente. XII.7.1.- LA SERIE 7800: La serie de circuitos reguladores integrados tipo 78XX (en donde XX = 05, 06, 08, 10, 12, 15, 18 24) est compuesta por reguladores de tensin tpicos de tres terminales. El LM7805 por ejemplo, produce una salida de + 5 V, el MC7806 una de + 6 V, el CA7808 una de +8 V, etc., hasta el 7824 que produce una salida de +24 V. El principio de funcionamiento se basa en los conceptos ya estudiados por ejemplo para el regulador de la figura XII.22. solo que ahora tanto el circuito de generacin de la tensin de referencia, como el circuito divisor R1 R2 , el transistor de paso, el circuito de limitacin de la corriente y algn circuito de corte trmico similar al presentado en la Figura XI.33, se encuentran incluidos en la misma pastilla estando diseado para una dada tensin de salida regulada (con una tolerancia de cerca de +/- 4 % ) y para una corriente que alcanza 1 A siempre que cuente con el disipador de calor adecuado. La proteccin trmica provoca la cada del funcionamiento del chip cuando la temperatura interna se hace demasiado alta, del orden de los 175 C que es entonces la mxima temperatura de juntura. Por esta caracterstica as como por el circuito de limitacin de corriente, estos reguladores 78XX poseen caractersticas casi indestructibles. La figura XII.26 muestra un LM78XX conectado como un regulador de tensin fijo. El terminal 1 es el de entrada en donde conectamos la tensin que proporciona la fuente de alimentacin no regulada, en tanto que el terminal 2 es el de la salida en donde conectamos la carga y se tiene all la tensin de salida regulada mientras que el terminal 3 es el que corresponde a la toma de tierra. Para el caso del LM7805 la tensin de salida regulada es de +5 V y la corriente mxima por la carga es de 1 A. La resistencia de salida es tal que la regulacin de carga es de 10 mV para una variacin de la corriente por la carga entre 5 mA y 1,5 A. Asimismo el coeficiente de estabilizacin de este circuito regulador hace que la regulacin de red sea de 3 mV para una tensin de entrada variable entre 7 y 25 V. El circuito posee un rechazo a la ondulacin o riple 80 dB lo que significa que reducir la amplitud de dicha ondulacin en un factor de 10.000 veces. Cuando el circuito integrado se conecta fsicamente muy cerca de la fuente de alimentacin no regulada, dicha conexin puede realizarse en forma directa con el terminal 1, tal como se observa en la figura XII.26.a) en cambio cuando su disposicin fsica requiere la utilizacin de un cable o traza de circuito impreso de un largo de varios centmetros es recomendable el agregado de la conexin del capacitor C1 = 0,22 F en el terminal 1 de manera que la inductancia de tales terminales de conexin no pueda producir oscilaciones dentro del integrado, en cuyo caso es recomendable el circuito de conexin se muestra en la figura XII.26.b). Esta misma figura muestra que para mejorar la respuesta transitoria de la tensin de salida regulada, se utiliza algunas veces un condensador de desacoplo C2 de 0,1 a 1 F. Cualquier dispositivo de la citada serie LM78XX necesita una tensin diferencial, o como la hemos llamado precedentemente, una tensin de drop out de 2 3 V, dependiendo de la tensin de salida. Esto quiere decir que la tensin de entrada que debe proveer la fuente no regulada debe ser al menos 2 o 3 V superior que la tensin de salida regulada. De otra manera, el circuito dejar de regular. Adems se define una tensin mxima de entrada debido a la mxima disipacin de potencia del dispositivo. As por ejemplo el LM7805 regular en un intervalo de entrada de entre aproximadamente 8 20 V. La hoja de caractersticas proporciona las tensiones de entrada mnima y mxima para las otras tensiones de salida prefijadas.
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Figura XII.26. XII.7.2.- LA SERIE 7900 FUENTES REGULADAS SIMTRICAS:
Figura XII.27.
Esta serie de circuitos integrados es tambin un grupo de reguladores de tres terminales y por lo tanto de tensin fija, en este caso de polaridad negativa, ajustadas entre 5, -6, -8, -10, -12, -15, -18 y 24 V. Por ejemplo, un LM7905 produce una tensin de salida regulada de 5 V. En el otro extremo, un CA7924 producir una salida de 24 V. Con la serie MC79XX, la corriente por la carga puede alcanzar hasta 1 A cuando se lo monta con el disipador de calor adecuado. Debiendo ser alimentado tambin con una tensin no regulada de polaridad negativa, esta serie es similar a la 7800 descripta precedentemente, incluidos el circuito limitador de corriente, la proteccin trmica y el excelente rechazo de la ondulacin. Tal como muestra la figura XII.27. combinando la utilizacin de un regulador 78XX y otro tipo 79XX se puede regular la salida de una fuente de alimentacin simtrica. En dicho circuito los condensadores de entrada evitan oscilaciones y los de salida mejoran la respuesta transitoria. Las hojas de caractersticas de los fabricantes recomiendan aadir los diodos D1 y D2 para asegurar que ambos reguladores entren en conduccin bajo cualquier condicin de funcionamiento. XII.7.3.- REGULADORES DE TRES TERMINALES DE TENSIN DE SALIDA AJUSTABLE: Existen Adems disponibles en el mercado otros circuitos reguladores integrados de tres terminales pero ahora con la posibilidad de ajuste de la tensin de salida regulada. Tal el caso de los reguladores integrados tipo LM317, LM337, LM338 y LM350 que permiten conseguir corrientes de carga que se ubican entre 1,5 y 5 A. La figura XII.28 muestra un LM317 por ejemplo, conectado como un regulador de tensin en donde el terminal 1 es el de entrada para conectar la tensin que proporciona la fuente de alimentacin no regulada, en tanto que el terminal 2 es el de la salida en donde conectamos la carga y se tiene all la tensin de salida regulada mientras que el terminal 3 o ADJ es el que corresponde al ajuste del valor de la tensin de salida regulada. Como se observa en dicha figura, para lograr tal ajuste es preciso conectar la red de realimentacin o divisor R1 R2 del esquema de la figura XII.14., en forma externa al circuito integrado. Mientras el valor del resistor R1 esta determinado por el fabricante (para el caso del LM317 se recomienda utilizar un R1 = 240 Ohm) mediante el valor de R2 procedemos a ajustar la tensin de salida regulada que entonces puede ser ajustada entre 1,25 y 37 V, y tanto la regulacin de carga como la de lnea son mejores que las que se obtienen en un regulador estndar de tensin fija. El tipo de encapsulado en que se presenta el LM317 es idntico al de un transistor convencional (tipo TO-3). Cuando el circuito integrado se alimenta, el LM317 dispone de un circuito de generacin de tensin de referencia interno que provee una tensin nominal fija de 1,25 V, llamada VREF entre el terminal (2) o de salida y el terminal (3) o ADJ, es decir que la VREF aparece sobre el resistor R1 de valor programado, por lo que se establece una corriente I1 de valor fijo por dicho resistor programado R1. La tensin de salida Vo esta dada entonces por:
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XII - Fuentes de Alimentacin Reguladas R2 Vo = VREF + (I1 + IADJ) . R2 = VREF . ( 1 + ------ ) + IADJ . R2 R1 debindose notar que si VREF , R1 , IADJ y R2 son constantes entonces Vo tambin es una constante. En la ltima ecuacin, la corriente IADJ posee un valor tpico de 50 A, debido a que esta corriente puede variar con la temperatura, con las variaciones de la corriente en la carga y debido a otros factores, normalmente debe disearse el divisor de modo que el trmino que depende de esta corriente sea despreciable, motivo por el cual la tensin de salida regulada resultar ser: R2 R2 Vo = VREF . ( 1 + ------ ) = 1,25 V . (1 + ------ ) R1 R1 Otra forma de utilizacin de este circuito regulador integrado se muestra en la figura XII.29. en donde los capacitores C1 y C2 se colocan a los efectos de prevenir los mismos efectos que se describieron para los reguladores integrados descriptos con anterioridad.
Figura XII.28.
Figura XII.29
Tambin en este caso el rechazo a la ondulacin que proporciona el fabricante es de 80 dB mientras que para las regulaciones de carga y de red se especifican las siguientes caractersticas: Regulacin de Carga: 0,3 % para variaciones de corriente de carga entre 10 mA y 1,5 A; Regulacin de Lnea: 0,2 % por cada Volt de variacin de la tensin no regulada. Como la tensin de entrada es ajustable entre 1,25 y 37 V, tiene sentido especificar la regulacin de carga como un porcentaje, Por ejemplo, si la tensin regulada se ajusta a 10 V, la regulacin de carga indicar que la tensin de salida permanecer dentro del 0,3 % de 10 V (es decir dentro de 30 mV alrededor de la tensin regulada nominal de 10 V). Por su parte la regulacin de red, que es del 0,02 % por cada volt de variacin de la tensin de entrada no regulada, indica que la tensin de salida regulada cambiar solamente un 0,02 % de su valor por cada volt de variacin de la tensin de entrada, es decir que si la tensin de salida regulada es por ejemplo de 10 V, y la fuente no regulada modifica su valor de tensin en 3 V, la tensin regulada podr modificarse tan solo en 6 mV.
38
XIII - Osciladores y Lazos de Enganche de Fase
CAPITULO XIII - Osciladores y Lazos de Enganche de Fase

XIII.1. - INTRODUCCIN:
(A.C.R. TULIC)
Las fuentes de excitacin senoidal son piezas fundamentales de muchos sistemas. Se utilizan de manera extensa en sistemas de comunicaciones, as como en casi toda aplicacin electrnica lineal y son los circuitos osciladores los que cumplen con la funcin de generarlas. Asimismo en ciertos procesos de seal analgica se requiere el empleo de circuitos tales que excitados con dos entradas analgicas el mismo produzca una salida proporcional a su producto, son los llamadas circuitos multiplicadores analgicos. En este Captulo sern estudiados ambos tipos de circuitos. XIII.2.- ESTABILIDAD CRITERIOS DE NYQUIST: Se vio ya que un sistema realimentado oscilar si la funcin transferencia del lazo (producto . Aa) posee un mdulo unitario cuando simultneamente su fase a es de 180 . Bajo dichas condiciones tal sistema produce una salida an sin disponerse ninguna excitacin a su entrada. Para el caso de los amplificadores realimentados las tcnicas para determinar si un circuito puede llegar a oscilar derivaron en los conceptos de Margen Estabilidad. El concepto de inestabilidad y realimentacin positiva es comn para todos los osciladores, aun cuando existen algunas variaciones del diseo bsico. Otra metodologa para estudiar a los sistemas realimentados, conocida como la tcnica del lugar de races o los criterios de Nyquist, implica la determinacin de los ceros y los polos originales del amplificador bsico y su movimiento en el plano complejo a medida que la ganancia del lazo (Am . de frecuencias medias y bajas o bien D) se vaya modificando conforme vara la transferencia de la red de realimentacin que se introduce. Mediante esta ltima metodologa se puede establecer que si la transferencia a lazo abierto del amplificador bsico y en alta frecuencia dispone de sendos polos reales y negativos, como cualquiera de las monoetapas amplificadoras estudiadas en el Captulo IX. , a lazo cerrado la transferencia para el mismo rango de frecuencias ser con: AVm . 1 . 2 p1 = - 1 y p2 = - 2 -----------------------------(s - p1) . (s - p2) AVm . 1 . 2 AVaf = ---------------------------------------------AVa = --------------------------------- ; (s - p1) . (s - p2) AVm . 1 . 2 1 + . (s - p1) . (s - p2) AVm . 1 . 2 AVm . 1 . 2 AVaf = ----------------------------------------------------- = ------------------------------------------------------( s - p1) . ( s - p2 ) + AVm 1 2 s2 - s ( p1 + p2 ) + (1 + AVm) 1 2 as dividiendo y multiplicando por D = (1 + AVm ) (1 + AVm ) 1 2 AVm AVaf = -------------------------------------------------------- . -------------------s2 - s ( p1 + p2 ) + (1 + AVm ) 1 2 (1 + AVm ) si en esta ultima definimos: AVm AVm AVmf = ------------------- = -------- ; (1 + AVm ) D AVaf = AVmf n = D . 1 . 2] ; (p1 + p2) 1 + 2 = --------------- = ------------------------2 .n 2. D . 1 . 2 (XIII.1.)
n2 . -------------------------------s2 + 2 n s + n2 1
XIII - Osciladores y Lazos de Enganche de Fase Puede observarse que esta transferencia dispone tambin de dos polos que resultarn de resolver el polinomio denominador de segundo orden: s + 2 n s + n = 0
2 2
s1 = - n + n . por lo tanto: s2 = - n - n .
( 2 - 1 ) ( 2 - 1 )
Dado que y n dependen de la cantidad de realimentacin (D), variando a esta ltima se puede modificar el valor tanto de como de n . Entonces, partiendo desde la posicin de p1 y p2 para D = 1 (sin realimentar) s1 y s2 se van corriendo por el semieje real negativo (acercndose uno al otro) hasta que para 2 = 1 ambos polos s1 y s2 son coincidentes y equidistantes a p1 y a p2 (puede demostrarse que hasta all no se registra realimentacin positiva fuera de banda, es decir el sistema es completamente estable). A partir de tal condicin, si continuamos aumentando la realimentacin, para < 1 y por lo tanto 2 < 1 las races s1 y s2 son complejas conjugadas, de modo que: s1 = - n + j n . s2 = - n - j n . ( 1 - 2 ) ( 1 - 2 )
cuya interpretacin grfica se observa en la figura XIII.1. y de la cual se desprende que:
Figura XIII.1. n . ( 1 - 2 )0,5 sen = ----------------------[s1] - n cos = ------------[s1]
Figura XIII.2. sen ( 1 - 2 )0,5 tag = --------- = ----------------cos
A travs de este anlisis el estudio de la posicin de los polos de la transferencia a lazo cerrado resulta ser otro mtodo adecuado para estudiar la estabilidad de los sistemas realimentados. Ms precisamente el mtodo se conoce como el Lugar de Races y consiste en determinar en un plano complejo "s" cual puede ser la ubicacin de los polos de la funcin transferencia a lazo cerrado variando la cantidad de realimentacin. El resultado obtenido para este caso particular se aprecia en la figura precedente con trazo de color y grueso y puede ser corroborado mediante algn programa computacional que ayude a determinar las races del mencionado polinomio y presente dicho resultado en pantalla (tal como el Bode Viewer ). A ttulo de ejemplo y con la finalidad de relacionar los conceptos del margen de fase y el lugar de raiz aplicaremos este ltimo criterio al ejemplo ya analizado en el Captulo X, del caso del amplificador operacional tipo 2
XIII - Osciladores y Lazos de Enganche de Fase 748 sin compensar ( con ganancia de 100 dB y polos en 20 y 200 KHz.) como amplificador bsico de un sistema realimentado negativamente con una transferencia = 0,0001 con la diferencia que ahora consideraremos variar esta transferencia desde 0 hasta 1. 1 = 2. .F1 = 2 . 3,14 . 20 . 103 = 125,6 Krad/seg por lo tanto: 1 + 2 n = ------------- = 690,8 Krad/seg 2 y 2 = 2 . 3,14 . 200 . 103 = 1256 Krad/seg
Entonces variando la realimentacin mientras 2 sea mayor o igual a 1 ya vimos que los polos de la transferencia a lazo cerrado tambin arrojan como resultado valores reales y negativos, tal cual ocurra con el amplificador a lazo abierto. El sentido comn indicara en este caso que el sistema realimentado es tan estable como lo es el amplificador bsico y para nuestro ejemplo numrico en el lmite con 2 = 1 ello se corresponde a valores de D desde D = 1 (sin realimentar) hasta D = 3,025 ya que: con = 1 1 + 2 n = ------------- = 690,8 Krad/seg 2
2
y por lo tanto
n2 = ( 690,8 Krad/seg )2 477204,64 n2 D = ------------ = ------------------ = 3,025 1 2 157.753,6 = 0,00002025 y
y como
n = [(1 + AVm ) 1 2] = D . 1 2
resulta
1 ----- = 93,87 dB ingresando con dicha recta de realimentacin al grfico de la figura X.13. (Captulo X) se obtiene un margen de fase de 90 queriendo ello significar que todava para esa cantidad de realimentacin la misma no cambia de signo en ningn punto del especto de frecuencias ( no hay realimentacin positiva a ninguna frecuencia). y como para este valor de D el correspondiente . Avm = 2,025 o sea Apenas los polos se hacen complejos conjugados ello es indicativo de la realimentacin positiva a alguna frecuencia y se corresponde con un margen de fase inferior a 90. Sin embargo, tal como sabemos an con realimentacin positiva en algunas frecuencias, siempre que la misma sea limitada, el dispositivo a lazo cerrado se considera estable y justamente el lmite a dicha realimentacin positiva lo establece el margen de fase mnimo de 45. Dado que para esta condicin lmite en los estudios de la figura X.13 (Captulo X) ello correspondi a un = 0,0001 y se produce un Xm = 20 dB resulta . Avm =10 y por lo tanto D =11 entonces se puede determinar ubicacin en el plano complejo de los polos de la transferencia a lazo cerrado para esta condicin lmite: n2 = D . 1 2 = 11 . 125,6 . 1256 . 106 = 1,7353 . 1012 por lo tanto luego: 690,8 . 103 1 + 2 = --------------- = ---------------- = 0,5244 2 . n 1,3173 . 106 y en consecuencia n = 1,3173 . 106
s1 = -690,8 Krad/seg + j 1,3 . 106 . (1 0,52442 )0,5 = -690,8 Krad/seg + j 1106,9 Krad/seg y anlogamente s2 = -690,8 Krad/seg - j 1106,9 Krad/seg pudindose constatar que la magnitud de la parte imaginaria es relevante ya que es ms de una vez y media la parte real. Finalmente a partir de dicha situacin el aumento de la realimentacin por encima de = 0,0001 ocasiona alta inestabilidad en el sistema y la parte imaginaria de los polos continuar aumentando hasta que para = 1 tales polos complejos conjugados alcanzan una situacin lmite de mximo alejamiento entre si (690,8 Krad/seg +-j infinito). Mediante el auxilio del mencionado programa computacional (Bode Viewer) es posible extrapolar estos razonamientos al caso de un sistema amplificador bsico que disponga tres polos reales y negativos en su 3
XIII - Osciladores y Lazos de Enganche de Fase comportamiento de alta frecuencia. El Lugar de Races de este caso particular puede apreciarse en el grfico de la figura XIII.2. comprobndose que ahora los dos polos ms bajos describen un movimiento de acercamiento entre s al igual que en el caso anterior en tanto que el polo ms alto en frecuencia se corre hacia infinito. Pero los dos primeros polos una vez que se hacen coincidentes nuevamente comienzan a ser complejos conjugados y a medida que se incremente la realimentacin se van moviendo pero describiendo una especie de hiprbola y cruzando al semiplano derecho para alguna cantidad de realimentacin importante. Entonces volviendo a nuestra funcin transferencia a lazo cerrado, si tomamos como seal de excitacin un impulso unitario, para este caso la salida ser: AVaf n2 Vo (s) = ----------- = AVmf . ------------------------------Vs(s) s2 + 2 n s + n2 AVmf . n2 = ------------------------------s2 + 2 n s + n2 con Vs(s) = 1
Vo (s)
cuya antitransformada nos proporciona Vo(t) :
e- n t Vo(t) = ----------------- . sen [n (1 - 2 )0,5 . t + ] ( 1 - 2 )0,5
(XIII.2.)
cuya representacin grfica se puede observar en la figura XIII.3. para tres casos diferentes, que corresponden a diferentes valores del producto ( n ) : Vo(t) sen [n (1- 2)0,5 t+ ] Vo(t) e- n t ------------(1 - 2 )0,5 t sen [n (1- 2)0,5 t+ ] sen [n (1- 2)0,5 t+ ] Vo(t)
t e- n t ------------(1 - 2 )0,5 a) Caso en que (n.) > 0
b) Caso en que (n.) < 0 Figura XIII.3.
c) Caso en que (n.) = 0
en consecuencia, en el dominio temporal (antitransformando) y an sin seal presente a la entrada (Vs = 0) ya que el impulso puede ser interpretado a consecuencia de cualquier transitorio que se registre en el circuito, la tensin de salida resulta ser una seal senoidal afectada por una funcin exponencial por lo que la amplitud de la misma se ver afectada dependiendo del valor que adopte la parte real de dichos polos complejos conjugados pudindose observar los tres casos representados en la figura precedente y que corresponden a sistemas realimentados con moderada inestabilidad para el caso XIII.3.a) y con alto grado de inestabilidad para los casos XIII.3.b) y XIII.3.c). Cabe aclarar que para el caso de dos polos, tal como el ejemplo numrico que estuvimos relacionando el lugar de races establece que no existe la posibilidad de que la parte real de los polos a lazo cerrado se haga cero o mucho menos positiva por lo que la respuesta tpica frente a un transitorio es la de una oscilacin amortiguada tal como lo representa la figura XIII.3.a). Cuanto mayor sea la parte real negativa de los polos a lazo cerrado (comparada con la parte imaginaria) ms rpidamente se extinguir la oscilacin y el caso lmite correspondiente a un margen de fase de 45 correspondi a una magnitud de la parte imaginaria alrededor de una vez y media la parte real. A partir de dicho lmite si se aumenta la realimentacin la parte imaginaria de los polos a lazo cerrado pasa a ser mas importante y la oscilacin perdura 4
XIII - Osciladores y Lazos de Enganche de Fase durante un nmero mayor de perodos. El margen de fase se reduce por debajo de 45 y el sistema se torna francamente inestable. Volviendo a la figura XIII.3.c) la ultima de las posibilidades corresponde a una seal senoidal de amplitud constante que es lo que se busca en un circuito oscilador por lo que concluimos que todo oscilador deber contar en su transferencia con polos complejos conjugados ubicados en el eje imaginario (imaginarios puros y conjugados). Entre los osciladores comunes se incluyen los osciladores con puente de Wien, de desplazamiento de fase, Colpitts y Hartlely, alguno de los cuales sern examinados en el presente trabajo. En esta instancia cabe aclarar que para que los polos complejos conjugados del sistema a lazo cerrado pasen al semiplano derecho una posibilidad es que el amplificador bsico disponga de tres o ms polos de alta frecuencia tal como se mostr en una de las figuras con ayuda del Bode Viewer y otra alternativa es que la red de realimentacin deje de ser resistiva pura como ocurre en los amplificadores y pase a contener elementos reactivos. Esto mismo es lo que ocurra en el circuito derivador terico o inestable en el que como pudo probarse tiene lugar la condicin de oscilacin. XIII.3.- CIRCUITOS OSCILADORES TIPICOS: Volviendo a nuestro problema comenzaremos estudiando el circuito mostrado en la figura XIII.4 ya que muchos de los osciladores estndar se pueden modelar de esta forma. Si en dicha figura Z1 y Z2 son capacitores y Z3 es un inductor, el circuito se conoce como oscilador Colpitts, en cambio si Z1 y Z2 son inductores y Z3 es un capacitor, el circuito es un oscilador Hartley. En este circuito Ro es en principio, la resistencia de salida del amplificador operacional. _ Ro A + R Z1 Vo
Z3 Z2
Figura XIII.4. El diagrama dipolar oportunamente presentado (Captulo VII) en la Figura VII.5. es tambin un buen modelo para estudiar a los osciladores en su inicio, con aclaracin de que al contrario de la realimentacin negativa mostrada en los amplificadores realimentados, en los osciladores la realimentacin debe hacerse positiva, caracterstica sta que es contemplada por el circuito de la figura XIII.4. Muchos osciladores prcticos, los ms comunes, se pueden modelar segn dicho esquema que para este caso puede considerarse como un amplificador realimentado sin excitacin exterior y con una configuracin tipo Tensin-Serie (si la eventual excitacin exterior se volcara sobre el terminal no inversor), para la cual: Z2 = ------------Z1 + Z2 El amplificador bsico sin realimentar pero cargado con la red de realimentacin se observa en la figura XIII.5. 5
XIII - Osciladores y Lazos de Enganche de Fase _ Vi A Z1 Z2 + R (eventual Vs) Z2 Figura XIII.5. Aqu la Ganancia de Tensin del circuito sin realimentar se puede determinar haciendo: Z3 . (Z1 + Z2 ) Vo Z3 // (Z1 + Z2 ) AV = ------- = A . ------------------------------- = A . ------------------------------------------------Z3 . (Z1 + Z2 ) + Ro . (Z1 + Z2 + Z3 ) Vi Z3 // (Z1 + Z2 ) + Ro Rid Vo Z3 . (Z1 + Z2 ) AVs = ------- = A . ------------------------------------------------- . ---------------------------------(Z1 // Z2 ) + Rid + R Vs Z3 . (Z1 + Z2 ) + Ro . (Z1 + Z2 + Z3 ) En consecuencia la transferencia del lazo ( AVs . ) : Rid Z2 Z3 . (Z1 + Z2 ) AVs . = A . ------------------------------------------------- . ---------------------------------- . ---------------(Z1 // Z2 ) + Rid + R Z1 + Z2 Z3 . (Z1 + Z2 ) + Ro . (Z1 + Z2 + Z3 ) Si se trata del oscilador Colpitts, tal como se dijo Z1 y Z2 son sendos condensadores C1 y C2 y Z3 esta conformada por un inductor L, de modo que considerando Rid mucho mayor que [(Z1//Z2) + R] y reemplazando dichas impedancias en las ecuaciones anteriores: 1 1 s . L . ( -------- + ------- ) s C2 C1 s C1 AVs = A . --------------------------------------------------------------------------; = -------------1 1 1 1 C1 + C2 s . L . ( -------- + ------- ) + Ro . ( -------- + ------- + s . L) s C2 s C1 s C2 s C1 C1 . C2 Ceq = ------------C1 + C2 AVs AVsf = ---------------1 + AVs Z1 Z3 Ro Vo
con lo que operando y llamando
la ganancia a lazo cerrado
s . (L/ Ro) AVs = A . -----------------------------------s2 . L . Ceq + s . (L/Ro) + 1
AVsf
s . (L/ Ro) A . -----------------------------------s2 . L . Ceq + s . (L/Ro) + 1 = ----------------------------------------------------------------C1 s . (L/ Ro) 1 + A . ------------- . -------------------------------------s2 . L . Ceq + s . (L/Ro) + 1 C1 + C2
XIII - Osciladores y Lazos de Enganche de Fase A . s . (L/Ro) AVsf = --------------------------------------------------------------------------L L C1 s2 . L . Ceq + s . (------) + 1 + A . -------------- . s ( ------ ) Ro Ro C1 + C2 finalmente la transferencia a lazo cerrado resulta ser: A . s . (L/Ro) AVsf = ------------------------------------------------------------------L C1 s2 . L . Ceq + s . (------) ( 1 + A . -------------- ) + 1 Ro C1 + C2 (XIII.3.)
y si en esta ltima se impone la condicin que la reactancia inductiva sea muy inferior a la resistencia de salida, para lo cual en ocasiones debe agregarse un resistor fsico en serie con la salida del Op.Amp., la transferencia se reduce tal como se indica seguidamente. 1 A . s . -----------Ro . Ceq (XIII.4.) AVsf = --------------------------------------1 s2 + ------------L . Ceq vale decir que la misma dispone de polo en: 1 - ----------L . Ceq s1 = + j o as: s2 = - j o con 1 o = -------------L Ceq
s =
(XIII.5.)
Vale decir que se tienen dos polos imaginarios puros y conjugados por lo que oscilar a la frecuencia de dicho polos: 1 (XIII.5.) Fo = ------------------------2. . L Ceq La condicin ( L / Ro ) pequea significa que la parte real de tales polos sea despreciable, de modo que el amortiguamiento o la exponencial asociada a la ecuacin: -(L/Ro) t Ke . e . sen (2 . . Fo . t) pueda despreciarse y la amplitud de la seal senoidal a la salida permanezca constante. De esta forma un transitorio en el circuito puede ser interpretado por ste como un impulso unitario para Vs, por lo que a la salida se tendr: s Vo (s)_ = K -------------s2 + o2 por lo que antitransformando, la tensin de salida resulta: con 1 K = A . ------------Ro . Ceq
Vo (t) = K . cos (o t)
que era lo buscado, debiendo conseguirse que adems de la amplitud K tambin la frecuencia fo sea estable. Un ejemplo prctico de este tipo de oscilador Colpitts se presenta en la figura XIII.6 El valor de los componentes se seleccionan para una polarizacin adecuada para el transistor. Como ejemplo supongamos que: R = rbe // Rb = 1 KOhm , como el valor tpico de rbe = 1 KOhm esto supone que RB >> 1 KOhm. 7
XIII - Osciladores y Lazos de Enganche de Fase Si adems suponemos que gm = 0,4 mA/V, lo cual implica una ICQ =10 mA por lo que ello se puede lograr con RE = 1 KOhm - ICQ . RE = 10 V - VCEQ = 5 V y Vcc = 15 V. Si adems hFE = 100 y RB = 10 KOhm VBB = ICQ . RE + VBEu = 10 + 0,7 = 11 V El circuito equivalente de seal se representa en la figura XIII.7. Supongamos requerirse una frecuencia de oscilacin de 712 KHz. Como 1 Fo = ----------------------------------------2. . L C1 . C2 / (C1 + C2) se tienen solo una ecuacin y tres incognitas. Debemos adoptar dos de ellas. Supongamos C1 = C2 = 1 nF = 10-9 F
Figura XIII.6. entonces:
Figura XIII.7.
1 Fo = ------------------------------2 . . (L . 5 . 10-10 )0,5 1 Fo2 = ----------------------------( 6,28 )2 . L . 5 . 10-10 por lo que 1 L = --------------------------------------39,44 . 5 . 10-10 . (712 . 103)2 (Vb
L = 100 Hy es un inductor realizable. Se puede comprobar que la transferencia vlida para el lazo cerrado / Vb' ) se puede hallar considerando el circuito equivalente de salida de la figura XIII.8. en donde: Vb - gm -------- = --------------------------------------------------------Vb s3 L R C1 C2 + s2 L C1 + s (R C1 + R C2 ) + 1 en nuestro caso: L R C1 C2 = 0,1 . 10-3 . 103 . 10-18 = 10-19 8
XIII - Osciladores y Lazos de Enganche de Fase L C1 = 0,1 . 10-3 . 10-9 = 10-13 por lo tanto: R C1 + R C2 = . 103 . 10-9 + 103 . 10-9 = 2 . 10-6 Vb - 0,4 -------- = ------------------------------------------------Vb s3 . 10-19 + s2 . 10-13 + s . 2 . 10-6 + 1 que se puede factoriar haciendo: Vb - 0,4 -------- = ----------------------------------------------------------------Vb ( 2 . 10-6 . s + 1 ) ( s2 . 5 . 10-14 + s . 2,5 . 10-8 + 1 ) observndose que esta expresin posee un polo real y negativo en 1 p = - --------------- = - 0,5 . 106 2 . 10-6 mientras que resolviendo la ecuacin de segundo orden: s2 . 5 . 10-14 + s . 2,5 . 10-8 + 1 = 0 surgen los otros dos polos complejos conjugados en: p1,2 - 2,5 . 10-8 = --------------- +/10-13
10
2,5 . 10-8 1 (---------------)2 - ----------10-13 5 . 10-19 p1 = -2,5 . 105 + j 44.65 . 105 p2 = -2,5 . 105 - j 44.65 . 105
p1,2 = -2,5 . 10
+/-
- 1993,75 . 10
con:
notndose que la parte imaginaria es un orden de magnitud superior a la parte real (amortiguamiento despreciable) y en donde la frecuencia de oscilacin es: 44,65 . 105 F = ----------------- = 711 KHz que era lo buscado. 6,28
Figura XIII.8.
Figura XIII.9.
XIII - Osciladores y Lazos de Enganche de Fase El oscilador Puente de Wien se consigue modificando la red de realimentacin, tal como se indica en la figura XIII.9. Se observa que la conformacin de impedancia Z1 , Z2 , Z3 y Z4 establecen un circuito tipo puente en donde la entrada del Op. Amp. se conecta como para amplificar algn desbalance que se detecte en el circuito puente. Como se dijo el oscilador tipo puente de Wien en el que las impedancias Z3 y Z4 son resistivas puras en tanto que en las posiciones de Z1 y Z2 se colocan circuitos tipo R C tal como se indica en el circuito de la figura XIII.10. Como en el circuito tipo puente la condicin de equilibrio del mismo se obtiene cumpliendo: Z3 Z1 --------- = --------Z4 Z2 Para lograrlo se deber considerar que: Z1 1 R3 --------- = --------- = ------------ (1 + s C1 R1 ) . ( 1 + s C2 R2 ) Z2 s C1 R2 R4 De modo que si, por ejemplo: C = C1 = C2 y R = R1 = R2 (XIII.6.)
1 R3 --------- = ----------- ( 1 + s C R )2 sCR R4 Entonces en el rgimen armnico, llamando 1 o = ----------C.R
1 1 2 R3 2 -------- = ----------- ( 1 + j --------- ) = ----------- ( 1 + j 2 ------- - -------- ) R4 o o o2 j -------j -------o o
Figura XIII.10. 10
XIII - Osciladores y Lazos de Enganche de Fase o o R3 -------- = - j -------- + 2 + j -------- = 2 + j ( -------- - -------- ) o o R4 luego para = o ello implica que R3 ------- = 2 R4
y el equilibrio significa que Vi = 0 y an as Vo a la salida es distinta de cero, lo cual implica que el circuito oscila a la frecuencia Fo. Esta topologa presenta una fundamental ventaja respecto a las configuraciones Colpitts y Hartley y es que no emplea ningn componente inductor L, lo cual lo hace ms sencillo de realizar, menos pesado, menos voluminoso y por fin, tambin menos costoso. Un circuito prctico en este caso puede ser el que se indica en la figura XIII.11. En dicho circuito, si por ejemplo: entonces: resulta: R3 -------- = 2 R4 R3 = 100 KOhm y R4 = 50 KOhm y si adems: C = 159 pF y R = 10 KOhm
1 1 Fo = ------------------- = ------------------------------ = 100 KHz 2. .C.R 6,28 . 159 . 10-12 . 104 Para el estudio de la estabilidad o condicin de oscilacin consideraremos que el conjunto Op. Amp. R3 y R4 dan como resultado un amplificador tal que a lazo cerrado posee una ganancia en frecuencias medias que como sabemos es: R3 Am , una frecuencia de corte superior Fcsf = D . Fcs Amf = ------- = 1 + ------D R4
Figura XIII.11 y una resistencia de entrada de valor: Risf = D . Ris = D . [ Rid + (R3 // R4)] 11
XIII - Osciladores y Lazos de Enganche de Fase siendo Am y Fcs y Rid la ganancia, el ancho de banda y la resistencia de entrada diferencial del amplificador operacional a lazo abierto en tanto que a lazo cerrado: Amf Aaf (s) = --------------------s ( 1 + ------- ) p1 1 con p1 = - --------------2 . . Fcsf
Fcsf Fo < ------10 As para una eventual seal que estuviese aplicada en el terminal no inversor en conjunto con la red de realimentacin, formada por el divisor R C serie, R C paralelo el circuito a estudiar sera el que indica en la figura XIII.12. En dicho circuito se tiene: 1 (XIII.7.) I(s) = (Vi - Vs) . ( ------ + s C ) R (Vo - Vi) I(s) = ---------------------(XIII.8.) 1 ( R + --------- ) sC Entonces para un adecuado funcionamiento deber cumplirse que Amf Vo (s) ---------- = --------------------s Vi (s) ( 1 + ------- ) p1 (XIII.9.)
entonces igualando XIII.7.) y (XIII.8.):
1 1 (Vi - Vs) . ( ------ + s C ) = (Vo - Vi) . ---------------------R 1 ( R + --------- ) sC
Figura XIII.12
12
XIII - Osciladores y Lazos de Enganche de Fase 1 + sCR 1 + sCR sC sC Vi ( ----------------- ) - Vs ( ----------------- ) = Vo ( ----------------- ) - Vi ( ----------------- ) R R 1 + sCR 1 + sCR reemplazando Vi mediante la expresin (XIII.9.): 1 + sCR 1 + sCR sC sC 1 + (s/p1) 1 + (s/p1) Vo [----------------] ( ---------------) - Vs ( ---------------) = Vo ( ---------------) - Vo (----------------) [----------------] R R 1 + sCR 1 + sCR Amf Amf agrupando y operando matemticamente: 1 + sCR sC sC 1 + (s/p1) 1 + sCR 1 + (s/p1) Vs ( ---------------) = Vo {[----------------] ( ---------------) - (----------------) + (----------------) [----------------]} R 1 + sCR 1 + sCR Amf R Amf [1 + (s/p1)] (1 + s C R )2 - s C R Amf + s C R [1 + (s/p1)] Vs ( 1 + s C R ) = Vo {---------------------------------------------------------------------------------} Amf (1 + s C R ) luego, la transferencia es: Vo (s) (1 + s C R )2 Amf ----------- = {---------------------------------------------------------------------------------} [1 + (s/p1)] (1 + s C R )2 - s C R Amf + s C R [1 + (s/p1)] Vs (s) Vo (s) (1 + s C R )2 Amf ----------- = {------------------------------------------------------------------} [1 + (s/p1)] (s2 C2 R2 + 3 s C R + 1 ) - Amf s C R Vs (s)
Entonces si solo se desea analizar dicha transferencia hasta frecuencias de solo una dcada por debajo de la frecuencia de corte Fcsf y en consecuencia [1 + (s/p1)] = 1 (1 + s C R )2 Amf Vo (s) ----------- = [ ----------------------------------------------] s2 C2 R2 + s C R ( 3 - Amf ) + 1 Vs (s) - ( 3 - Amf ) C R = ----------------------- +/2 C2 R2 - ( 3 - Amf ) = ------------------- +/2 CR ( 3 - Amf )2 C2 R2 4 C2 R2 ------------------------- - ------------4 C4 R4 4 C4 R4 ( 3 - Amf )2 1 ------------------ - ---------C2 R2 4 C2 R2
(XIII.10.)
Cuyos polos son: s1,2
s1,2
(XIII.11.) en tanto que para que
Para obtener polos complejos conjugados debe cumplirse que: los mismos sean imaginarios puros: Amf = 3 y por lo tanto
1 < Amf < 5
1 s1,2 = +/- j ------CR
y en consecuencia, para los componentes de nuestro ejemplo numrico comprobamos que:
13
XIII - Osciladores y Lazos de Enganche de Fase R3 100 KOhm Am Amf = ------- = 1 + ------- = 1 + --------------- = 3 50 KOhm D R4 s1 = + j 628 Krad/seg y s2 = - j 628 Krad/seg
Con lo que
Un oscilador con redes de desplazamiento de fase se ajusta al esquema de amplificador realimentado como se observa en la figura XIII.13. Se trata de una configuracin operacional inversor en la que la red de realimentacin esta conformada por una red RC, tal que a la frecuencia de oscilacin produce una rotacin de fase de -180 a los efectos de que a dicha frecuencia la realimentacin se transforma en positiva.
Figura XIII.13. Como se tienen tres celdas R C, cada una debe incorporar una fase de -60 con lo que: 1 arctag ( ------------ ) = 60 o . C . R En consecuencia: por lo tanto 1 ( --------------------- ) = 1,73 2 . . fo . C . R
1 fo = ------------------------2 . . 1,73 . C . R
En la prctica, se requieren ms de tres redes R C debido a que cada seccin carga a la anterior y, en consecuencia, cambia su caracterstica. Una alternativa a utilizar ms de tres redes R C es aadir una etapa separadora (buffer) entre cada par de redes con el fin de reducir los efectos de carga. Otro circuito que responde a este tipo de oscilador es el que se indica en la figura XIII.14. Si en l, por ejemplo R = 10 Rs entonces dado que el Op. Amp en conjunto con la red Rf y Rs forman un amplificador operacional inversor en el cual la ganancia es: R AVf = - ------ = - 10 Rs en este caso las tres celdas R C deben introducir una atenuacin de 2,155 cada una a los efectos de que el mdulo del producto ( . A ) sea unitario a la frecuencia de oscilacin, con lo cual partiendo de la transferencia de cada celda como si se tratara de un divisor de tensin:
14
Figura XIII.14 . j ------1 --------------------- 1 + j --------1
sCR -----------------1 + sCR
que en el rgimen armnico es
con
1 1 = -----------CR
que separando en mdulo y fase resulta:
o ------1 ----------------------------- = 2,155 o 1 + ( -------)2 1
por lo tanto
o -------- = 0,57735 1
o = 90 - arctag -------- = 60 1
y en consecuencia
1 Fo = -------------------------2 . . 1,73 . C . R
es decir idntica expresin a la propuesta para el circuito precedente. Entonces, si se desea una frecuencia de oscilacin Fo = 100 KHz. por ejempo, si seleccionamos un capacitor C = 30 pF determinamos: 1 R = ------------------------------------------ = 30 KOhm 6,28 . 1,73 . 30 . 10-12 . 105 entonces: 1 F1 = ----------------------------------------- = 160,8 KHz 6,28 . 30 . 10-12 . 33 . 103 160.800 F1 Fo = ---------- = ------------- = 93 KHz 1,731,73 eligiendo R = 33 KOhm
con lo cual la frecuencia de resonancia se ubicar en:
15
XIII - Osciladores y Lazos de Enganche de Fase Por ltimo, en la figura XIII.15.a. se muestra un oscilador muy simple que se puede construir utilizando un cristal piezoelctrico, mejor conocido como cristal de cuarzo, y un inversor. Como el modelo elctrico del cristal es un circuito resonante, tal como se indica en la figura XIII.15.b., mediante el circuito propuesto se puede conseguir un control muy preciso de la frecuencia, as como estabilidades en el intervalo de varias partes por milln en la variacin de frecuencia sobre un rango de temperaturas de operacin tpico. Para su realizacin se encuentran disponibles cristales de cuarzo en frecuencias de 10 KHz a 10 MHz..
Figura XIII.15.a.
Figura XIII.15.b.
Figura XIII.15.c.
A ttulo informativo en la figura XIII.15.c se presenta un circuito Inversor CMOS tpico que se podra utilizar en el oscilador a cristal. XIII.4.- MULTIPLICADOR ANALOGICO A BASE DE TRANSISTORES BIPOLARES: Cuando se estudi la linealidad de un amplificador diferencial se estableci que, dado el circuito indicado en la figura XIII.16., y a partir de la ecuacin (IV.48.) el valor total de las corrientes en cada rama de dicho circuito result ser:
ICQ3 ic1 = -------------------(vd /VT ) 1 + e e ICQ3 ic2 = --------------------(vd /VT ) 1 + e
entonces la tensin de salida diferencial entre ambos colectores resulta ser: vo = ( ic1 - ic2 ) . RC = ic . RC y dado que matemticamente se puede demostrar que: vd ic = ICQ3 . tanh -------2 . VT
16
Figura XIII.16. resulta que dicha tensin de salida diferencial es: vd vo = RC . ICQ3 . tanh -------2 VT
Figura XIII.17.
que representada en forma normalizada se presenta en la figura XIII.17. En ella y tal como se viera con anterioridad, si la tensin de excitacin de modo diferencial (vd ) se limita por debajo de la tensin trmica (VT = 25 mV) dicha curva de transferencia se puede aproximar a la linealidad de modo que con un error inferior al 20 % se puede considerar: vd ic = ICQ3 . -------2 . VT y en consecuencia vd vo = RC . ICQ3 . -------2 . VT
Ahora, si con una segunda seal hacemos variar la corriente de la fuente de corriente IC3 cambiando la fuente -VEE por una segunda seal vi2 se tendr que: vi2 - VBeu IC3 = ---------------R y entonces la tensin de salida ser: vi2 - VBEu vd vo = RC . ---------------- . -------R 2 . VT vi2 y vd entre s y se puede
de modo que el circuito as concebido funciona como multiplicador de las seales concretar con el esquema que se indica en la figura XIII.18. en donde vi1 = vd .
Sin embargo dado que para que el esquema espejo salga de la condicin de corte se debe superar la tensin de umbral base emisor, la segunda seal de entrada debe ser: vi2 > 0,7 V por lo que el circuito puede multiplicar solo a partir de dicho umbral y en consecuencia recibe la denominacin de multiplicador de dos cuadrantes, siendo esta una importante restriccin en aplicaciones de sistemas de telecomunicaciones.
17
Figura XIII.18. Dicha limitacin se puede subsanar mediante una configuracin circuital tal como la que se representa en la figura XIII.19. , que es conocida como Multiplicador GILBERT. En este nuevo circuito se trata de producir una multiplicacin entre dos seales que puedan variar en sentido positivo o negativo un cierto rango de tensin operando linealmente, principio operativo que se reconoce como multiplicador de cuatro cuadrantes. En dicho circuito: ic1 ic3 = --------------------(v1 /VT ) 1 + e ic2 ic6 = --------------------(v1 /VT ) 1 + e mientras que tambin: IEE ic1 = --------------------(v2 /VT ) 1 + e En consecuencia: ic = ic3-4 - ic5-6 = ic3 + ic5 - (ic4 + ic6 ) ic = (ic3 - ic6 ) - (ic4 - ic5 ) e IEE ic2 = -------------------(v2 /VT ) 1 + e e ic1 ic4 = -------------------(v1 /VT ) 1 + e ic2 ic5 = -------------------(v1 /VT ) 1 + e
y en forma similar: e
18
Figura XIII.19. luego: IEE IEE ic = ------------------------------------ - ------------------------------------ -(v2/VT) -(v1/VT) (v2/VT) -(v1/VT) [1 + e ] [1 + e ] [1 + e ] [1 + e ] IEE IEE - {-------------------------------------- - -----------------------------------} -(v2/VT) (v1/VT) (v2/VT) (v1/VT) [1 + e ] [1 + e ] [1 + e ] [1 + e ] con lo cual introduciendo la definicin de la tangente hiperblica se tiene: v2 v1 ic = IEE . tanh ( -------- ) . tanh ( -------- ) 2 . VT 2 . VT (XIII.12.)
Se pueden pensar tres aplicaciones diferentes segn la magnitud de v1 y v2: a) Si v1 y v2 son inferiores a 50 mV = 2. VT , dado que x5 x3 tanh x = x + ------- + -------- + ........ 3 5 con x < 1 resulta tanh x = x aproximadamente
ic = IEE
v2 v1 . ( -------- ) . ( -------- ) 2 . VT 2 . VT
(XIII.13.)
el circuito funciona como un multiplicador analgico pero con la limitacin del rango dinmico en las tensiones de entrada. 19
XIII - Osciladores y Lazos de Enganche de Fase Si se deseara ampliar dicho rango se pueden colocar en las entradas algn circuito cuya transferencia sea inversa a la tangente hiperblica, tal como por ejemplo se indica en la figura XIII.20.
Figura XIII.20.
Figura XIII.21
Para la entrada de v2, es decir para el circuito amplificador diferencial formado por los transistores T1 y T2 la linealizacin de la funcin transferencia tangente hiperblica puede lograrse introduciendo la realimentacin corriente-serie mediante el agregado de resistencias en serie en sus circuitos de emisor. El mismo tipo de solucin no puede incorporarse en las otras dos etapas diferenciales (T3 - T4 y T5 - T6) ya que de hacerlo se anulara el principio de funcionamiento multiplicador derivado de la caracterstica exponencial del diodo base-emisor. b) Si solo una de las tensiones de entrada (v1 por ejemplo) se mantiene dentro del rgimen lineal y la restante (en nuestro ejemplo v2) se hace una seal de gran amplitud. En este caso se consigue lo que se denomina un modemodulador balanceado, en el cual v1 es vm, denominada seal modulante y v2 es vc se la llama seal portadora o seal modulada. As por ejemplo, si: v1 = vm (t) = Vmax . cos ( t) y si v2 es una seal de onda cuadrada de gran amplitud y de mayor frecuencia que la correspondiente a la seal modulante ( c > m), tal como grficamente se indica en las figuras XIII.21.a. y XIII.21.b. , respectivamente, la tensin a la salida del modulador Gilbert es: vo = iC . RC y si para vc empleamos la serie de Fourier para describirla: vc (t) = A1 . cos (c.t) + A2 . cos (2c.t) + A3 . cos (3c.t) + A4 . cos (4c.t) +......... en donde: 4 . sen (1.90) 4 A1 = -------------------= ----- ; 1. 4 . sen ( 2.90) A2 = ------------------- = 0 ; 2. 20 4 . sen (n.90) An = -------------------n.
XIII - Osciladores y Lazos de Enganche de Fase dicha seal de salida es: vo (t) = K [ vc (t) . vm (t) ] vo (t) = K . {A1 .Vmax. cos (c.t) . cos (m.t) + A3 .Vmax. cos (3c.t) cos (m.t) + A5 Vmax. cos (5c.t) . cos (m.t) +.........} es decir, en general: vo (t) = K . [ n=1 que tambin puede expresarse como: vo (t) = K . { n=1 que se representa en la figura XIII.21.c. y en donde K representa la ganancia diferencial de bajo nivel. El espectro de esta seal es de componentes m por arriba de cada armnica de c y m por debajo de las mismas, pero sin componente alguna en la frecuencia portadora o pulsacin c que es una caracterstica especial de los llamados moduladores balanceados, muy utilizada en los sistemas de telecomunicaciones con modulacin de Amplitud (AM) ya que permite economizar energa al no irradiar portadora. Luego de la modulacin, la seal es filtrada dejando pasar solo aquellas componentes (o bandas laterales) que resulten de inters, como por ejemplo (c + m ) y (c m ) (DBL o Doble Banda Lateral) o bien como ocurre en los sistemas denominados SSB (Single Side Band) o BLU (Banda Lateral nica) o BLI (Banda Lateral Independiente), todos ellos utilizados profesionalmente en la banda de frecuencias de H.F. (High Frecuency) comprendidas entre los 3 y los 30 MHz. Aproximadamente. En cambio si una componente de continua se superpone con la seal modulante, es decir, ahora: v1 = vm (t) = Vmax . [ 1 + M . cos ( t) ] el resultado es una modulacin tal que a la salida se agrega a lo ya descripto una componente a la frecuencia portadora fundamental y sus correspondientes armnicas, tal como se indica a continuacin: vo (t) = K . M M An .Vmax . {cos (n.c t) + -------. cos [(n.c + m.)t] + ------ cos [(n.c - m.)t] } 2 2 n=1 An .Vmax ------------- . [cos (n.c + m.)t] + cos [(n.c - m.)t] } 2 (XIII.14.) An .Vmax. cos (n.c.t) . cos (m.t) ]
en donde a M se lo conoce como ndice o profundidad de modulacin.. La componente de C.C. puede ser introducida intencionalmente para con ello obtener una modulacin de amplitud convencional o bien puede ser el resultado de una tensin residual o de Offset en la salida del dispositivo previo que provee a la seal de informacin o modulante, lo cual producira la presencia de portadora indeseable en la salida del modulador balanceado o de portadora suprimida. Estos circuitos actan en modo de trasladar la informacin originalmente contenida en la seal modulante Vm (t) y concentrada a la frecuencia Fm hacia el espacio espectral sobre componentes ubicadas cerca de las frecuencias de las componentes armnicas de la frecuencia alta correspondiente a la seal portadora Vc (t) Pero asimismo estos circuitos moduladores balanceados pueden realizar la operacin inversa, es decir la demodulacin, esto es la extraccin de informacin desde la banda de frecuencias cercana a la portadora y reubicndola otra vez en su original baja frecuencia. 21
XIII - Osciladores y Lazos de Enganche de Fase En dichas traslaciones de frecuencia (de la informacin) seales de dos diferentes frecuencias y una de amplitud suficiente, son aplicadas a ambas entradas del multiplicador analgico, y las componentes suma o diferencia de las frecuencias son filtradas a la salida. c) Pero si al mismo circuito se le aplican a las entradas dos seales exentas de modulacin de amplitud alguna, idnticas en frecuencia (Fo ) y de gran amplitud, el mismo se comporta como detector de fase, dado que en su salida la componente de continua obtenida a raz de su producto, es proporcional a la diferencia de fase entre ambas seales de entrada. Por ejemplo se pueden considerar las dos seales de onda cuadrada, en principio de igual amplitud y de igual frecuencia, tal como las que se indican en la figura XIII.22.a y XIII.22.b. Debe notarse que existe una cierta diferencia de fase entre ambas.
Figura XIII.22.
Figura XIII.23.
Consideramos que tanto Vi1 como Vi2 poseen amplitud suficiente de modo que todos los transistores del circuito multiplicador operan como llaves pero sin llegar a saturarse. El resultado del producto se observa en la figura XIII.22.c., notndose una cierta componente de continua derivada de que: ( A1 - A2 ) > 0 vale decir que -1 VoC.C. = -------- . (A1 - A2 )
que en consecuencia, resulta proporcional a la diferencia de fase , o sea: (-) IEE . RC . VoC.C. = - [ IEE . R C. -------------- - ----------------- ] con lo cual 2. VoC.C. = IEE . R C .( -------- - 1)
(XIII.15.)
expresin esta ltima que se ha representado grficamente en la figura XIII.23. Esta tcnica de demodulacin de fase es ampliamente utilizada en los dispositivos denominados Lazos de Enganche de Fase o PLL. 22
XIII - Osciladores y Lazos de Enganche de Fase En lo que precede se ha considerado que las formas de onda de las dos seales de entrada son ondas cuadradas de gran amplitud, sin embargo si tales seales poseen una amplitud considerable, su forma de seal no reviste ninguna importancia con tal que el multiplicador simplemente conmute desde un estado al otro inmediatamente con el cruce por cero de la misma. En el caso en el cual la amplitud de una o de ambas seales de entrada es comparable con o menor que la tensin trmica VT , el circuito aun as acta como un detector de fase. Sin embargo, la tensin de salida en este caso depender tanto de la diferencia de fase como de la amplitud de las dos formas de seal de entrada. La operacin del circuito en esta modalidad ser considerada ms adelante. XIII.5.- LAZOS DE ENGANCHE DE FASE (PLL): Si bien el principio de funcionamiento de estos dispositivos fue concebido hace varias dcadas atrs, recin comenzaron a ser comercialmente utilizados cuando la tecnologa integrada permiti que fuesen realizados a relativamente bajo costo. Entonces su utilizacin comenz a ser particularmente atractiva tanto en los demoduladores de frecuencia (FM), en los demoduladores de stereo, detectores de tonos, sintetizadores de frecuencia, y muchos ms. Lo que haremos en este captulo ser una revisin de su principio de funcionamiento, ms tarde analizaremos analticamente su desempeo bajo la condicin de lazo enganchado y finalmente discutiremos algunas aplicaciones en base a algn circuito integrado lineal PLL. XIII.5.1.- Principio de Funcionamiento de un PLL: En la figura XIII.24 se representa un diagrama en bloques correspondiente a un PLL bsico. Los elementos del sistema son un comparador de fase, un filtro de lazo, un amplificador y un oscilador controlado por tensin (VCO). Este ltimo es simplemente un oscilador en el cual su frecuencia de oscilacin es proporcional a una diferencia de potencial externamente aplicada al mismo. Cuando el lazo se encuentra enganchado y una seal peridica ingresa al mismo, el VCO oscila a una frecuencia igual a la frecuencia de la seal de entrada. El detector de fase produce una seal de continua o de muy baja frecuencia, cuya amplitud resulta proporcional a la diferencia de fase entre la seal de entrada y la seal generada a la salida del VCO. Dicha seal proporcional a la diferencia de fase es posteriormente filtrada al pasar por el filtro del lazo y amplificada, y posteriormente aplicada a la entrada de control del VCO. Si por ejemplo la frecuencia de la seal de entrada al PLL cambia levemente, la diferencia de fase entre la seal del VCO y la de entrada comenzar a incrementarse con el tiempo (una pequea diferencia de frecuencia puede ser considerada como un desfasaje). Esto producir un cambio en la tensin de control aplicada al VCO en modo tal de modificar la frecuencia de oscilacin del mismo para tratar de seguir a la frecuencia de la seal de entrada. Esto quiere decir que el lazo se mantiene enganchado y as la tensin de control aplicada al VCO resulta proporcional a la frecuencia de la seal de entrada. Esta caracterstica hace que el PLL sea particularmente til para la demodulacin de seales de FM, en donde la frecuencia de la seal de entrada vara en el tiempo conteniendo la deseada informacin. El rango de frecuencias de la seal de entrada a travs del cual el lazo se mantiene enganchado se denomina rango de enganche. Un aspecto importante en la caracterstica de funcionamiento de un PLL es el proceso de captura, mediante el cual el lazo pasa a la condicin de enganchado partiendo de la condicin de oscilacin libre del VCO hasta que la frecuencia del mismo se engancha con la de la seal de entrada. En la situacin previa, cuando el PLL no esta enganchado an, el VCO opera u oscila a la frecuencia que corresponde a una tensin de control nula, esta frecuencia es llamada frecuencia central o frecuencia de oscilacin libre. Cuando una seal peridica de frecuencia prxima a la frecuencia central del VCO es aplicada a la entrada del PLL, el mismo puede o no engancharse con ella, dependiendo ello de un cierto nmero de factores. El proceso de captura es inherentemente de naturaleza no lineal y seguidamente pasaremos a describirlo de manera cualitativa.
23
Figura XIII.24.
Figura XIII.25.
Para ello, en primer lugar supongamos que el lazo permanece abierto entre el filtro del lazo y la entrada de control del VCO y que aquella seal de frecuencia cercana, pero no igual a la frecuencia de oscilacin libre, se encuentra aplicada a la entrada del PLL. El detector de fase es usualmente del tipo analizado precedentemente, pero para el presente estudio cualitativo asumiremos que el detector de fase es simplemente un multiplicador analgico, el cual multiplica a las dos sinusoides entre si. De esta manera a la salida del multiplicador/detector de fase se tiene la sumatoria de componentes de frecuencia suma y diferencia de sus entradas, asumiendo tambin que las componentes suma de frecuencias son lo suficientemente altas que resultan filtradas por el filtro pasa bajos. As a la salida del filtro pasa bajos se obtendr una sinusoide de frecuencia igual a la diferencia entre la frecuencia central del VCO y la frecuencia de la seal de entrada al PLL. A partir de estas condiciones supongamos producir un inmediato cierre del lazo y en consecuencia la sinusoide diferencia de frecuencia es ahora aplicada a la entrada del VCO. Su presencia a la entrada causar que la frecuencia de oscilacin del VCO comience a variar siguiendo una ley senoidal en funcin del tiempo. Permtase asumir que la frecuencia de la seal de entrada al PLL es menor que la frecuencia central del VCO. De esta manera la frecuencia de oscilacin del VCO es modificada como una funcin del tiempo movindose alternativamente de manera de acercarse a la frecuencia de la seal de entrada o alejndose del valor de la misma. La salida del detector de fase es casi senoidal cuya frecuencia es la diferencia entre la frecuencia del VCO y la frecuencia de la seal de entrada. Cuando la frecuencia del VCO se aleje (con respecto a la frecuencia de la seal de entrada) su frecuencia de oscilacin se corre hacia arriba en frecuencias. Cuando la frecuencia del VCO se acerca a la de la seal de entrada su frecuencia de oscilacin disminuye. Si examinamos el efecto que estas variaciones producen en la salida del detector de fase, nosotros veremos que la frecuencia de esta forma de seal casi sinusoidal se va reduciendo cuando su amplitud incremental es negativa y por el contrario aumenta cuando su amplitud es positiva. Esto causa que la salida del detector de fase presente una forma de onda asimtrica durante el procedimiento de captura, tal como la que se representa en la figura XIII.25. Esta asimetra en la forma de seal introduce una componente de continua en la salida del detector de fase que hace cambiar la frecuencia media del VCO movindola hacia la frecuencia de la seal de entrada al PLL, por lo que dicha diferencia de frecuencia gradualmente va decreciendo. Una vez que el sistema se encuentra enganchado, por supuesto, la diferencia de frecuencias cae a cero y solamente una tensin de C.C. queda presente a la salida del filtro pasa bajos. El rango de captura del lazo es aquel rango de frecuencias de entrada alrededor de la frecuencia central, dentro del cual el lazo puede pasar de la condicin desenganchado a la condicin de enganche.
24
XIII - Osciladores y Lazos de Enganche de Fase El tiempo de puesta a punto (pull-in time) es el tiempo requerido por el lazo para capturar la seal, tiempo este que depende tanto de la ganancia propia del lazo as como del ancho de banda del filtro del lazo. Dicho filtro cumplimenta adems, el objetivo de frenar componentes de frecuencia diferencia resultado de la presencia de seales interferentes a la entrada del PLL pero alejadas de la frecuencia central. Ello al mismo tiempo provee una memoria para el lazo para el caso en que hallndose enganchado, momentneamente pierda el enganche debido a una potente interferencia. Reduciendo la banda de paso del filtro del lazo se mejora el rechazo de las seales fuera de banda, pero al mismo tiempo disminuye el rango de captura y el tiempo de puesta a punto comienza a ser mas alto, y el margen de fase del lazo se empeora. XIII.5.2.- El PLL en la Condicin Enganchado: Bajo las condiciones de lazo enganchado, una relacin lineal existe entre la tensin de salida del detector de fase y la diferencia de fase entre las seales de oscilacin del VCO y la de entrada. Este hecho permite que el PLL pueda ser analizado usando los conceptos de los sistemas lineales realimentados, cuando el mismo opere en la condicin enganchado. Una representacin o diagrama de bloques del sistema operando en dicha modalidad se presenta en la figura XIII.26.
Figura XIII.26. En ella la ganancia del comparador de fase se ha denominado KD (en V/rad. de diferencia de fase) mientras que con F(s) se ha interpretado a la funcin transferencia del filtro del lazo y una ganancia en la transferencia directa del lazo se reconoce con A. Por su parte la "ganancia" del VCO se tiene en cuenta a travs de la transferencia KO (en Rad./ segundos por volt). Si una tensin de entrada constante es aplicada a la entrada de control del VCO, la frecuencia de oscilacin del mismo permanece constante. Sin embargo, el comparador de fase es sensible a la diferencia entre la fase de la seal de salida del VCO y la fase de la seal de entrada al PLL. La fase de la salida del VCO es en esta instancia igual a la integral en el tiempo de la frecuencia de salida del VCO. En consecuencia, mientras: d OSC (t) OSC (t) = -------------dt por lo tanto: OSC (t) = OSC (t)]t = 0 + 0 t OSC (t) . d t
Esta integracin inherentemente tiene lugar dentro del lazo de enganche de fase. Esta integracin es representada por el block ( 1 / s ) en el diagrama de la figura XIII.26. Por razones de orden prctico, el oscilador controlado por tensin es en la actualidad diseado de modo que para una tensin en la entrada de control ( por ejemplo Vo ) nula, la frecuencia de la seal de salida del VCO no es cero. La relacin entre la frecuencia de salida del VCO OSC , y Vo es entonces: 25
XIII - Osciladores y Lazos de Enganche de Fase OSC = o + Ko . Vo donde o , es la frecuencia de oscilacin libre o frecuencia central que se genera cuando Vo = 0 . De esta manera el sistema de la figura XIII.26. puede ser considerado como un sistema lineal realimentado, en el cual la funcin transferencia a lazo cerrado resulta ser: KD . F(s) . A s . KD . F(s) . A Vo ------- = ----------------------------------------- = ---------------------------------1 + KD . F(s) . A . (KO / s) s + KD . KO . F(s) . A i Usualmente estaremos interesados en la respuesta de este lazo frente a variaciones de frecuencia en la entrada, de modo que la variable de entrada es la frecuencia con preferencia a la fase. As mientras d i i = --------dt y en consecuencia: 1 Vo s . KD . F(s) . A Vo ------- = ------- . -------- = ---------------------------------s i s + KD . KO . F(s) . A i En primer trmino consideraremos el caso en el cual retiramos del circuito al filtro del lazo y en consecuencia F (s) = 1 . El sistema en este caso es reconocido como lazo de primer orden, para el cual nosotros tendremos: KV 1 Vo ------- = ------------- . -------(XIII.16.) s + KV KO i en donde: K V = KO . K D . A De esta forma el lazo inherentemente produce una caracterstica de transferencia pasa bajos de primer orden. Si recordamos que en dicha caracterstica nosotros consideramos como variable de entrada a la frecuencia de la seal de entrada, la respuesta calculada precedentemente, entonces, es realmente la respuesta que se obtiene a partir de una modulacin de frecuencia en la portadora de entrada en donde la salida es la tensin de salida del lazo, proporcional a dicha modulacin de frecuencia. La constante precedentemente descripta como Kv es denominado ancho de banda del lazo. Si el lazo se encuentra enganchado con la seal portadora, y la frecuencia de dicha portadora se hace variar senoidalmente en el tiempo al ritmo de seal modulante de frecuencia m , entonces una seal senoidal de frecuencia m ser obtenida a la salida del PLL. Cuando m se incremente por encima de Kv, la magnitud de la seal senoidal a la salida falla. El ancho de banda del lazo ( Kv ), entonces es el ancho de banda efectivo para la seal modulante que debe ser demodulada por el PLL. En trminos de parmetros del lazo, Kv es simplemente el producto de la ganancia del detector de fase, la ganancia del VCO y cualquier otra ganancia (en trminos elctricos) dentro del lazo. El lugar de races de este polo simple que dispone la ganancia del lazo Kv , es presentado ahora en la figura XIII.27.a. en tanto que la respuesta en frecuencia tambin se representa en la misma figura. El comportamiento del lazo frente a variaciones en la frecuencia de la seal de entrada es tambin ilustrada en la figura XIII.27.b., la cual se ha elaborado en base al siguiente ejemplo numrico. Para el PLL supondremos: 1 KHz KO = 2 . . (-----------) ; V 1 KV = 500 (-------) seg. ; Fo = 500 Hz i (s) = s . i (s)
entonces:
en donde Fo es la frecuencia de oscilacin libre, en este caso calculamos Vo para seales de entrada de frecuencia de 250 Hz y de 1 KHz que es el problema tpico que se presenta en un decodificador tonal o en el discado por tonos: 26
XIII - Osciladores y Lazos de Enganche de Fase i - o Vo = ----------------KO Para 250 Hz : con o = 2 . . Fo
2 . . 250 - 2 . . 500 Vo = --------------------------------- = - 0,25 V 2 . . 1000 2 . . 1000 - 2 . . 500 Vo = ----------------------------------- = + 0,5 V 2 . . 1000
Para 1000 Hz :
Figura XIII.27. Se observa que dado de que el ancho de banda del PLL es la constante KV la tensin de salida exponencialmente creciente, de acuerdo con los conceptos del rise time alcanzar recin el 90 por ciento del valor final (+0,5 V o 0,25 V segn el caso) en 2,2/KV = 4,4 mseg, por ello es que se recomienda una duracin del tono de no menos de 4 perodos del tono de frecuencia mayor o idealmente el doble (8 mseg.). Otro caso que consideraremos es aquel en que la seal de entrada es de una frecuencia modulada por una seal senoidal de pequea amplitud y de frecuencia 100 Hz, o sea: i (t) = 2 . . 500 (Hz) . [ 1 + 0,1 . sen (2 . . 100 . t )] Si procedemos a determinar la seal de salida Vo (t) a partir de la expresin (XIV.16.) KV 1 1 500 Vo(j) ------------ = ------------- . -------- = ----------------- . ---------------j + KV KO 2 . . 1000 500 + j 628 i(j) 27
XIII - Osciladores y Lazos de Enganche de Fase Vo(j) 1 ------------ = ----------------- . ( 0,39 - j 0,48) 2 . . 1000 i(j) La magnitud o mdulo de i (j) es: por lo que [i (j)] = 0,1 . 500 . 2 . = 50 . 2 . 50 Hz Vo(j) = ------------- ( 0,39 - j 0,48) = 0,05 . ( 0,62 . e-j51 ) 1000 Hz y finalmente considerando la proyeccin sobre el eje real de este vector que gira a la velocidad angular (2..100): Vo(t) = 0,031 . sen ( 2 . . 100 . t - 51) Con lo que se comprueba la obtencin a la salida del PLL de una nueva seal seoidal de frecuencia 100 Hz de una amplitud de 0,031 V defasada 51 es decir de igual frecuancia y defasada 51 respecto de la seal modulante. La operacin del lazo sin la incorporacin del filtro del lazo adolece de severas limitaciones de orden prctico. Es comn en los circuitos integrados PLL que se incorpore como filtro del lazo y pasa bajos de primer orden (un circuito similar al usado como compensador por polo dominante o atraso de fase: R serie y C en derivacin) resultando as que la transferencia a lazo cerrado pasa a tener dos polos complejos conjugados y el PLL se denomina en este caso de segundo orden.
28
XIV Filtros Activos
CAPITULO XIV Filtros Activos:

XIV.1. - INTRODUCCIN:
(A.C.R. TULIC)
El filtro electrnico es un importante elemento de desarrollo tanto de los sistemas de telecomunicaciones como en los de instrumentacin, entre otros. Existe toda una teora de diseo que es abordada detalladamente en las asignaturas especficas, de modo que en el presente trabajo nos concentraremos en una seleccin de temas que son solo una mera introduccin a este campo.
La tecnologa ms antigua para construir filtros hace uso de inductores y condensadores (L y C) y los circuitos resultantes se denominan Filtros LC Pasivos, circuitos stos que funcionan adecuadamente en frecuencias superiores al rango de Medias Frecuencias (MF), es decir desde unos 300 KHz. hacia arriba. Pero en aplicaciones de ms bajas frecuencias (digamos hasta unos 100 KHz) los valores de inductancia de los inductores que se requieren son relativamente grandes (del orden de los Hy) dando como resultados componentes L muy voluminosos, pesados y costosos y sus caractersticas se apartan bastante de las que son consideradas ideales. Adems resulta poco menos que imposible integrar inductores en forma monoltica. Por ello es que siempre ha habido considerable inters para hallar construcciones de filtros que no requiriesen la utilizacin de inductores, resultando como consecuencia diversos tipos de filtros sin inductor de los cuales nos ocuparemos solo de aquellos que se conocen como Filtros RC Activos. Aunque como veremos algunas veces para una mejor comprensin de stos debamos rever los conceptos fundamentales de otro tipo de circuitos de filtros. Los filtros RC activos utilizan Op.Amp. en combinacin con redes de realimentacin RC utilizando tecnologas discretas en tanto que en la actualidad resulta viable construir filtros monolticos totalmente integrados apelando a la tcnica del condensador conmutado, tcnica esta ltima que al estado actual de la tecnologa se encuentra en pleno desarrollo y que contemplamos como ltimo tpico en el presente Captulo. XIV.2.- FUNCIONES O TIPOS DE FILTROS TRANSFERENCIA DE UN FILTRO: Los circuitos de filtro que seguidamente pasaremos a estudiar son circuitos lineales que se pueden representar mediante un cuadripolo, por tal motivo con dicho objetivo podrn aplicarse todos los conceptos relacionados con la teora de los cuadripolos lineales, en particular con sus funciones transferencia, tanto en el dominio de la frecuencia compleja s (polos y ceros) como en el dominio armnico a travs de los diagramas de BODE fundamentalmente de amplitud (de dicha transferencia) y tambin de fase. La diferencia respecto a lo visto hasta aqu es que mientras en los cuadripolos amplificadores siempre se ha intentado amplificar en igual magnitud la mayor parte del espectro de frecuencias de la seal til o informacin, en los filtros por el contrario y dado su funcin especfica, deben transferirse en igual magnitud aquellas seales cuyo espectro de frecuencias est comprendido solo dentro de una banda especificada, denominada por tal motivo Banda Pasante y simultneamente detenerse o por lo menos transferirse mucho ms atenuadamente aquellas seales cuyo espectro de frecuencias cae fuera de dicha banda pasante. A la porcin del espectro de frecuencias en las que se incluyen a las seales que deben detenerse se la denomina Banda Suprimida. Es decir que estos circuitos filtro tienen idealmente una banda (o bandas) de frecuencias dentro de la cual (o cuales) el mdulo de la transferencia del mismo es unitario (Banda o bandas Pasante/s del filtro) y una banda (o bandas) de frecuencias sobre las cuales dicho mdulo de la transferencia del circuito es nulo (la Banda o bandas Suprimida/s del filtro). De acuerdo con lo precedente, los cuatro tipos principales de circuitos filtro deben cumplir con las funciones que se hallan implcitas en las curvas de respuesta en frecuencia en amplitud que se describen en los grficos de la figura XIV.1. para los filtros denominados Pasa Bajos y Pasa Altos as como en la figura XIV.2. para los llamados filtros Pasa Banda y Elimina Banda. Tales curvas de respuesta en frecuencia correspondiente a los cuatro tipos fundamentales de circuitos filtro se ha dicho son ideales; ya que expresan un valor constante e igual a 1 en la transmisin dentro de toda la banda pasante, describen tambin un valor constante e igual a 0 en la totalidad de la/s banda/s suprimida/s y finalmente tambin por que proponen que la funcin transferencia pueda tener varios y diferentes valores finitos (en los extremos 1 y 0) a una misma frecuencia, caractersticas stas que no se corresponden con ninguna configuracin circuital prctica o fsicamente realizable. 1
XIV Filtros Activos
Figura XIV.1.
Figura XIV.2. XIV.2.1- Especificaciones de un Filtro: El proceso de diseo de un circuito filtro, como para cualquier otro tipo de circuito electrnico, comienza por una adecuada interpretacin de las especificaciones que mejor puedan describir las funciones de dicho circuito filtro prctico. Al respecto, ya hemos dicho que las caractersticas de transferencia con cambio abrupto registrado en un intervalo de frecuencias despreciable no puede ser concretado por ningn tipo de circuito fsicamente realizable. En la figura XIV.3. en cambio se representa una mascarilla o rea no sombreada, dentro del plano representativo de la respuesta en frecuencias, correspondiente a un filtro tipo pasa bajo que hemos escogido como ejemplo.
XIV Filtros Activos En dicha figura XIV.3.a. puede apreciarse asimismo que tal mascarilla prev que tanto dentro de la banda pasante como de la banda suprimida el valor del mdulo de la transferencia pueda variar dentro de las franjas no sombreadas. El ancho de dicha franja no sombreada define la desviacin o lo que se tolera que dicho mdulo de la transferencia pueda disminuir por debajo de 1 (en veces) o 0 dB dentro de la banda pasante, parmetro ste que hemos llamado AMAX .
a) Filtro Pasa Bajos Figura XIV.3.
b) Filtro Pasa Banda
Esta tolerancia o desviacin admitida tiene el mismo carcter que el error que toleramos en el mdulo de la ganancia cuando definimos el ancho de banda de un amplificador e inclusive puede llegar a respetar el mismo valor de 3 dB o menos. En la misma figura XIV.3.a. se observa asimismo que a la atenuacin con que el filtro debe detener a la banda suprimida, a menos de la franja de tolerancia se la denomina AMIN estando sus valores tpicos comprendidos entre unos 20 y unos 100 dB . Volviendo a la imposibilidad del filtro prctico de concretar el cambio abrupto, la franja de tolerancia proyectada sobre el eje de frecuencias o pulsaciones da lugar a una banda de transicin y ello permite identificar a las pulsaciones p y s como indicativos de los bordes o lmites de la banda pasante y la banda suprimida, respectivamente. En relacin con ellas y aportando una forma de cuantificar el ancho de dicha banda de transicin que define la caracterstica de selectividad del filtro, al cociente (p / s ) se lo define como Factor de Selectividad. Resumiendo: 1) Borde de la Banda Pasante: p ; 2) Mxima variacin permitida en transmisin dentro de la banda pasante: AMAX ; 3) Borde de la Banda Suprimida: s ; 4) Atenuacin mnima de la banda suprimida: AMIN , son las especificaciones mnimas que permiten describir las funciones de un circuito filtro. Cuanto ms estrechas sean las especificaciones de un filtro, lo que significa menor AMAX , ms alta sea la atenuacin AMIN y un Factor de Selectividad ms prximo a la unidad, la respuesta del filtro real ser tanto ms cercana a la del filtro ideal y el circuito resultante debe ser de orden ms alto y por lo tanto ms complejo y ms costoso. Al margen de todo lo precedente corresponde aclarar que no se trat hasta aqu y en absoluto a la curva de respuesta en frecuencia de la fase de la transferencia del filtro, que en algunas aplicaciones, afortunadamente no las ms comunes, se constituye en una caracterstica que tambin debe ser tenida en cuenta en el diseo del filtro y por lo tanto especificarse, lo cual hace que este estudio se torne todava mucho ms dificultoso de abordar. Por lo comn, en la mayor parte de las aplicaciones no resulta imprescindible manejarse tal caracterstica de fase de la referida transferencia. 3
XIV Filtros Activos Una vez que se haya tomado la decisin sobre las especificaciones que ha de respetar el filtro, el paso siguiente es encontrar la funcin transferencia cuyo mdulo satisfaga dichas especificaciones. Al respecto, en la figura XIV.3.a. se ha trazado una curva representativa de la mencionada transferencia a ttulo de ejemplo, curva que como se puede observar queda recluida dentro de la franja no sombreada de la ya nombrada mascarilla. Otro ejemplo que ilustra lo precedente puede observarse tambin en la grfica de la figura XIV.3.b. En este ltimo caso, correspondiente a un filtro tipo Pasa Banda que seleccionamos a ttulo de ejemplo ilustrativo, ahora dentro de la banda pasante no se registra ninguna ondulacin en la curva de transferencia, mientras que dicha transferencia posee ceros ubicados en las pulsaciones e1 y e2 , en el origen ( = 0) y para tendiendo a infinito. XIV.2.2.- Funcin Transferencia de un Filtro: Recordemos que si la transferencia A(s) correspondiente a un circuito de filtro, se expresa como cociente de dos polinomios en s, tal como: aM sM + aM-1 sM-1 + .........+ a1 s + ao A(s) = ----------------------------------------------------(XIV.1.) sN + bN-1 sN-1 + .........+ b1 s + bo el grado del polinomio denominador, es decir el nmero N es el Orden del Filtro y para que dicho circuito del filtro sea posible realizarlo mediante componentes reales, es decir se trate de un circuito prctico, en cuyo caso se dice que dicha transferencia sea fsicamente realizable, la misma debe respetar ciertas caractersticas que pueden describirse en trminos de las propiedades de las races de ambos polinomios, numerador y denominador, es decir de sus ceros y sus polos. Tales propiedades se estudian exhaustivamente en los documentos que tratan sobre el diseo de filtros, de modo que en este trabajo describiremos algunas de ellas sin preocuparnos mucho sobre su justificacin. Entre dichas caractersticas las ms importantes son: a) para que el mdulo de dicha transferencia no se haga infinito a medida que suba la frecuencia de trabajo, cuestin esta razonable si pensamos que se trata de un circuito filtro, o bien, desde otro ngulo para que tal circuito no sea inestable, el grado del polinomio numerador debe ser menor que el grado del polinomio denominador, es decir que debe satisfacerse que: M < N
b) Los coeficientes de ambos polinomios se pueden factorizar y expresar a la transferencia en funcin de sus ceros y sus polos, es decir: aM (s - zM ) . ( s - zM-1 ) . ......( s - z2 ) . ( s - z1) A(s) = --------------------------------------------------------------(XIV.2.) (s - pN ) . (s pN-1 ) ......... (s - p2 ) . (s p1 ) en donde, cada cero o polo de la funcin transferencia puede ser un nmero real o un nmero complejo pero si stos son nmeros complejos, tal como se demostrara en el Captulo XIII cuando se describen los criterios de estabilidad en trminos del lugar de races, deben aparecer como pares conjugados y con su parte real negativa. De igual forma si los polos son nmeros reales tambin deben ser negativos. En una palabra todos los polos de esta funcin transferencia deben ubicarse en el semiplano izquierdo si los representamos en el plano de la frecuencia compleja s. c) Dado que en la banda suprimida del filtro se requiere que la atenuacin sea grande o idealmente infinito, ello significa que la transmisin en esa banda sea muy pequea o cero, consecuencia de lo cual, los ceros de la funcin transferencia suelen ubicarse en el eje imaginario puro (j ) y en frecuencias comprendidas dentro de dicha banda suprimida.
En el ejemplo del filtro pasa bajos cuya curva de transferencia se representara en la figura XIV.3., la funcin dibujada dentro de la franja no sombreada posee ceros en las frecuencias correspondientes a e1 y e2 , razn por la cual dicha funcin transferencia debe tener ceros ubicados en +j1 y en +j 2 pero como los mismos siempre vienen acompaados por sus correspondientes pares conjugados, tambin se tendrn otros dos ceros en las frecuencias correspondientes a -j 1 y -j 2 . Al mismo tiempo en la figura XIV.3. tambin se puede constatar que 4
XIV Filtros Activos A(s) se hace cero para s tendiendo a infinito por lo que dicha funcin tendr tambin uno o ms ceros para j tendiendo a infinito. La cantidad de ceros que una funcin transferencia tiene en j tendiendo a infinito depende de, o mejor dicho, es igual a la diferencia entre los grados del polinomio denominador comparado con el grado del polinomio numerador, es decir N M. Esto es as toda vez que a medida que s se aproxima a infinito, la transferencia se puede aproximar a la expresin: aM . sM aM --------------- = --------sN sN-M Volviendo a los polos de la funcin, si el nmero N es un nmero par entonces todos los polos de la funcin son pares complejos conjugados, en cambio si N es impar habr adems un polo de valor real y negativo, es decir ubicado en el semieje real negativo. Teniendo en cuenta todas estas caractersticas descriptas para la curva de transferencia de la figura XIV.3.a., la disposicin tpica que adoptan los ceros y los polos correspondientes a un filtro pasa bajos de orden quinto se ha
Figura XIV.4.
Figura XIV.5.
Indicado en la representacin del plano complejo s descripta en la figura XIV.4. y su funcin transferencia por consecuencia es: a4 (s + j1 ) . ( s - j1 ) . (s + j2 ) . (s - j2) A(s) = --------------------------------------------------------------(XIV.3.) s5 + b4 s4 + b3 s3 + b2 s2 + b1 s + bo o bien tambin: a4 (s2 + 21 ) . (s2 + 22 ) A(s) = ------------------------------------------------------(XIV.3.) s5 + b4 s4 + b3 s3 + b2 s2 + b1 s + bo El otro ejemplo de funcin transferencia correspondiente a un filtro pasa banda cuya curva hemos representado en la figura XIV.3.b. posee una distribucin de polos y ceros tpica tal como se representa en la figura XIV.5. mas arriba indicada. Se desprende de la misma que la funcin transferencia posee ahora seis polos, es decir tres pares complejos conjugados y cinco ceros ubicados sobre el eje imaginario, incluyendo uno en el origen, ms un 5
XIV Filtros Activos cero para frecuencia tendiendo a infinito. En consecuencia en este caso, la funcin transferencia resulta ser la correspondiente a un filtro de orden sexto: a5 . s . (s2 + 21 ) . (s2 + 22 ) A(s) = ----------------------------------------------------------------s6 + b 5 s 5 + b 4 s 4 + b 3 s 3 + b 2 s 2 + b 1 s + b o (XIV.4.)
En ambos ejemplos, cuanto mayor sea el factor de selectividad de los filtros, ms cercanos al eje imaginario se encuentran ubicados los polos de la funcin transferencia y por lo tanto una menor estabilidad se observar en el circuito. A travs de un tercer y ltimo ejemplo para esta parte del desarrollo, consideraremos al filtro pasa bajos cuya curva de respuesta en frecuencia del mdulo de su transferencia se representa en la figura XIV.6. Observamos ahora que no existen ondulaciones dentro de la banda suprimida vale decir que no se observan valores finitos de frecuencia para las cuales la atenuacin de dicha banda suprimida (superior) se haga infinito y por lo tanto su mdulo de transferencia cero (es decir no hay ceros en frecuencias finitas), sino que esta se hace cero nicamente para frecuencias tendiendo a infinito.
Figura XIV.6.
Figura XIV.7.
Entonces es posible que todos los ceros de la funcin transferencia que corresponde a este caso estn ubicados para frecuencias tendiendo a infinito. Si este es el caso, tal funcin transferencia puede ser expresada como: aM A(s) = ----------------------------------------------------(XIV.5.) sN + bN-1 sN-1 + .........+ b1 s + bo y en donde el grado del polinomio denominador (N) puede determinarse sumando la cantidad mximos y mnimos (tambin llamados picos y valles) que la curva representativa del mdulo de la transferencia describe dentro de la banda pasante, en este caso cinco. La disposicin tpica de polos y ceros para este ejemplo se transcribe en la representacin del plano complejo s que se indica en la figura XIV.7. que es la correspondiente a un Filtro Pasa Bajos Para Todo Polo de Orden Quinto.
XIV Filtros Activos XIV.3.- FILTROS BUTTERWORTH Y CHEBYSHEV: Se trata de dos funciones que se utilizan con frecuencia para aproximar las curvas caractersticas de respuesta en frecuencia en amplitud correspondientes a filtros pasa bajos. Tienen la ventaja de que existen expresiones que permiten determinar en forma relativamente sencilla ciertos parmetros necesarios para el diseo de los circuitos filtro correspondientes, sin necesidad de utilizar un ordenador o bien el empleo tablas de diseo. Sin embargo su utilidad queda restringida a aplicaciones que no demanden severas exigencias en el comportamiento del filtro. An cuando en este trabajo, mediante estas funciones veremos el diseo de filtros pasa bajos, las mencionadas funciones de aproximacin que presentaremos se pueden aplicar al diseo de otros tipos de filtro mediante el recurso de transformaciones de frecuencia. XIV.3.1.- El Filtro BUTTERWORTH: En la figura XIV.8. que se presenta ms abajo, se ilustra una curva de respuesta en frecuencia del mdulo correspondiente a la transferencia de un filtro BUTTERWORTH y se puede constatar que tal mdulo [A] decrece en forma asinttica por lo que todos los ceros de dicha transferencia se ubican en frecuencias infinito, por lo que se puede calificar como filtro Pasa Bajos Para Todo Polo. As, de este modo la funcin transferencia correspondiente a la respuesta de BUTTERWORTH para un orden n y con un borde de banda pasante en p resulta ser: 1 [A(j)] = -----------------------------2n 2 ( 1 + . -------- )0,5 p2n de modo que tal como se observa en la figura XIV.8., para = p
Figura XIV.8. 1 [A(j)] = -----------------( 1 + 2 )0,5 y en consecuencia
Figura XIV.9. = ( 10 0,1.Amax - 1 )0,5
XIV Filtros Activos en tanto el orden n determina la planicidad y el grado de aproximacin con respecto a la curva del filtro ideal, tal como se puede observar en la grfica de la figura XIV.9. y en atencin a que en el borde de la banda suprimida la atenuacin resulta: 2n 2 [A(js)]dB = 20 . log [ 1 + ( 1 + . -------- )0,5] = AMIN p2n Los polos de la funcin transferencia de un filtro BUTTERWORTH de orden ensimo se pueden determinar a partir de la construccin grfica que se ilustra en la figura XIV.10. Se observa all que los polos de tal funcin se ubican sobre una circunferencia de radio: p . -(1/n) y estn espaciados en ngulos iguales determinados por ngulos de valor ( /n ), en tanto que los ms prximos al eje imaginario (j ) forman un ngulo con respecto al mismo de valor ( /2n ). La funcin transferencia para dichos filtros, llamando o a dentro de la banda pasante,: o = p . -(1/n) y con K, a la ganancia
K . on A(s) = -----------------------------------------------( s - p1 ) . ( s - p2 ) ............( s - pn ) En la figura XIV.11. se presentan como ejemplo las ubicaciones de los polos correspondientes a filtros BUTTERWORTH de segundo y de tercer orden.
Figura XIV.10. XIV.3.2.- El Filtro CHEBYSHEV:
Figura XIV.11.
En las curvas de respuesta indicadas en las figuras XIV.12. y XIV.13. se presentan dos funciones transferencias en amplitud que corresponden a filtros CHEBYSHEV de orden 4 y de orden 5 respectivamente: La diferencia respecto a los filtros BUTTERWORTH es que ahora estas funciones presentan ondulaciones comprendidas dentro de la desviacin tolerada: AMAX = 20 . log ( 1 + 2 )0,5 dentro de la banda pasante. Mientras en el filtro de orden impar = 0)] = -20 log (1 + 2 )0,5. 8 [A( = 0)] = 1 en los de orden par resulta [A(
XIV Filtros Activos En ambos casos el nmero de mximos y mnimos dentro de la banda pasante es igual al orden del filtro: n . Todos los ceros del filtro CHEBYSHEV estn en frecuencias infinito, de modo que tambin se lo clasifica como un Filtro Pasa Bajo Para Todo Polo ya que su transferencia tiende asintticamente a cero. Dentro de la Banda Pasante: 1 [A(j)] = -------------------------------------------para < o igual a p {1 + 2 . cos2 [n.cos-1( /p) }0,5
Figura XIV.12. mientras que fuera de ella: 1 [A(j)] = -------------------------------------------{1 + 2 . cosh2 [n.cosh-1( /p) }0,5
Figura XIV.13.
para
> o igual a p
Resumiendo, el parmetro que determina la amplitud de la ondulacin dentro de la banda pasante es AMAX = 10 . log ( 1 + 2 )0,5 o bien = ( 10 0,1.Amax - 1 )0,5
mientras que la atenuacin alcanzada en el borde de la banda suprimida resulta: AMIN = 10 . log {1 + 2 . cosh2 [n.cosh-1( /p) } Con ayuda de calculadora se puede determinar el orden n necesario para obtener una atenuacin AMIN determinada, as como el nmero n entero que produzca tal caracterstica. Como en el caso del filtro BUTTERWORTH al aumentar el orden n de un filtro CHEBYSHEV su funcin mdulo de la transferencia se aproxima a la respuesta ideal del filtro pasa bajos de respuesta abrupta. Los polos del filtro CHEBYSHEV se pueden determinar por la expresin: 2.K 1 1 1 2.K 1 1 1 -1 -1 pk = -p sen ( ---------- . ---- ) . senh ( ----- . senh ------ ) + jp . cos ( ----------- . ---- ) . cosh ( ----- . senh ----- ) n 2 n n 2 n con K = 1 , 2 , 3 ........n , con lo que finalmente la funcin transferencia para el filtro CHEBYSHEV resulta ser: 9
XIV Filtros Activos K . on A(s) = ---------------------------------------------------------- . 2n-1 . ( s - p1 ) . ( s - p2 ) ............( s - pn ) El filtro CHEBYSHEV permite obtener una aproximacin ms eficiente al filtro ideal que lo que se consigue con el filtro BUTTERWORTH para igual orden y para una misma desviacin AMAX . XIV.4.- FUNCIONES DE FILTROS DE PRIMER Y SEGUNDO ORDEN: Las funciones de filtros de primer orden corresponden por ejemplo a los circuitos operacional derivador y al circuito operacional integrador tal como se han estudiado precedentemente y que se resumen a continuacin: a) Circuito Operacional Derivador - Filtro Pasa Alto de Primer Orden: En la figura siguiente se resumen las caractersticas de este circuito con indicacin de a) circuito prctico y estable; b) representacin asinttica de la curva de respuesta en frecuencia del mdulo de su transferencia ; y c) distribucin tpica de los polos y ceros de dicha funcin transferencia:
a) Circuito Operacional Derivador
b Respuesta en Frecuencia Figura XIV.14.
c) Diagrama de Polos y Ceros
En la figura XIV.14.a. atento las caractersticas ideales del OpAmp., el terminal inversor se comporta como tierra virtual, de modo que: -Vo Vs Vo -R -R I = ------- = -------------------- ; ------ = ------------------- = ------------------------- ; R 1 Vs 1 1 Rs + ---------Rs + --------Rs . ( 1 + ------------ ) s . Cs s . Cs s .Cs . Rs y recordando la definicin de Fo : 1 Fo = ---------------2 Cs Rs Vo -R . s ------ = ----------------------Vs 1 Rs . ( s + --------- ) Cs . Rs
10
XIV Filtros Activos F j -----R jF R Fo Vo ------- = - ------- . --------------- = - ------ . -------------------Vs Rs j F + Fo Rs F 1 + j -------Fo
y pasndola a dB:
/ Aaf /dB
R F F2 = 20 . log ------- + 20 . log ------- - 20 . log ( 1 + ------- )0,5 Rs Fo Fo2
b) Circuito Operacional Integrador - Filtro Pasa Bajos de Primer Orden: En la figura siguiente se resumen las caractersticas de este circuito con indicacin de a) circuito prctico y estable; b) representacin asinttica de la curva de respuesta en frecuencia del mdulo de su transferencia ; y c) distribucin tpica de los polos y ceros de dicha funcin transferencia:
b Respuesta en Frecuencia Figura XIV.15.
En la figura XIV.15.a. atento las caractersticas ideales del OpAmp., el terminal inversor se comporta como tierra virtual, de modo que: Vs -Vo I = ------- = -------------------Rs R -----------------1+ s .C.R y recordando la definicin de Fo : ; Vo -R -R 1 ------ = -------------------------- = ------ . --------------------Vs Rs . ( 1 + s C . R) Rs (1 + s . C . R )
1 Fo = ------------2 C R 11
XIV Filtros Activos R Vo ------- = - ------- . Vs Rs 1 -------------------F 1 + j -------Fo
y pasndola a dB:
/ Aaf /dB
R F2 = 20 . log ------- + 20 . log ( 1 + ------- )0,5 Fo2 Rs
c) Circuito Derivador Operacional Prctico - Filtro Pasa Banda de Primer Orden: En la figura siguiente se resumen las caractersticas de este circuito con indicacin de a) circuito prctico y estable; b) representacin asinttica de la curva de respuesta en frecuencia del mdulo de su transferencia ; y c) distribucin tpica de los polos y ceros de dicha funcin transferencia:
b) Respuesta en Frecuencia Figura XIV.16.
En la figura XIV.16.a. atento las caractersticas ideales del OpAmp., el terminal inversor se comporta como tierra virtual, de modo que: Vs -Vo I = -------------------- = -------------------1 R Rs + --------------------------s . Cs 1+ s .C.R ; Vo -R ------ = --------------------------------------------------Vs Rs . ( 1 + s C . R) 1 ( Rs + ---------- ) s . Cs 1 F1 = --------------2 Cs Rs
y recordando las definiciones de F1 y de F2:
1 F2 = ------------2 C R 12
XIV Filtros Activos F j . ------R 1 F1 Vo ------- = - ------- . -------------------- . ---------------------- y pasndola a dB: Vs Rs F F 1 + j -------1 + j -------F2 F1 / Aaf /dB R F F2 F2 0,5 = 20 . log ------- + 20 . log ( ------ ) - 20 . log ( 1 + ------- ) - 20 . log ( 1 + ------- )0,5 Rs F1 F12 F22
d) Filtro General de Primer Orden: En la figura siguiente se resumen las caractersticas de este circuito con indicacin de a) circuito prctico y estable; b) representacin asinttica de la curva de respuesta en frecuencia del mdulo de su transferencia ; y c) distribucin tpica de los polos y ceros de dicha funcin transferencia:
a) Circuito Filtro General
dado que su transferencia resulta ser: Vs -Vo I = -------------------- = --------------------Rs R -----------------------------------1 + s . Cs . Rs 1+ s .C.R y recordando las definiciones de F1 y de F2: ; Vo -R ( 1 + s . Cs . Rs ) ------ = ----------------------------Vs Rs . ( 1 + s C . R)
1 F2 = ------------2 C R 13
1 F1 = --------------2 Cs Rs
XIV Filtros Activos F 1 + j . ------R F1 Vo ------- = - ------- . -------------------Vs Rs F 1 + j ------F2 / Aaf /dB
luego, pasndola a dB:
R F2 F2 0,5 = 20 . log ------- + 20 . log ( 1 + ------- ) - 20 . log ( 1 + ------- )0,5 Rs F12 F22
e) Filtro Pasa Todo de Primer Orden:
a) Circuito Filtro Pasatodo (Defasador)
Todos estos filtros pueden conectarse en cascada para obtener un filtro de orden superior. El diseo de filtros por conexin en cascada es uno de los mtodos ms utilizados ya que aprovecha la caracterstica de baja resistencia de salida de los amplificadores operacionales como asimismo del muestreo de tensin que esta asociado a la red de realimentacin utilizada, de modo tal que al agregar una segunda etapa en cascada, las caractersticas de la etapa anterior no se modifican. XIV.5.- FUNCIONES DE FILTROS DE SEGUNDO ORDEN: La funcin bicuadrtica de transferencia de un filtro, o funcin transferencia general de segundo orden, suele tambin ser presentada de forma estndar, segn la expresin: a2 s2 + a1 s + ao A(s) = ----------------------------s2 + (o/Q) s + o (XIV.6.)
en donde los parmetros Q y o que determinan los coeficientes lineal e independiente del polinomio denominador condicionan la ubicacin de los polos complejos conjugados de dicha funcin transferencia, segn: 14
XIV Filtros Activos o 1 p1 = ------- + j o [1 ( ------- )]0,5 2Q 4Q2 y o 1 p2 = ------- - j o [1 ( ------- )]0,5 2Q 4Q2
para todo Q > 0,5 . Tal como se indica en la figura XIV.19. cuanto mayor sea el factor de calidad Q, mas cerca del eje imaginario se ubican los polos complejos conjugados, en tanto que el radiovector o es directamente proporcional a la frecuencia en que dichos polos se ubican.
Figura XIV.19. Como ya hemos visto en el Captulo precedente, si Q tiende a infinito los polos son imaginarios puros y conjugados y el circuito puede oscilar en tanto que si se ubican en el semiplano derecho, el circuito ciertamente producira oscilaciones (Q negativos). En cuanto al polinomio numerador, los ceros de la transferencia del filtro de segundo orden dependen de los valores de los coeficientes a2 , a1 y ao y estos a su vez determinan el tipo de filtro de que se trate. Entre las diversas alternativas que pueden plantearse rescatamos cuatro tipos bsicos de filtros de segundo orden que resumimos de la siguiente forma: a) Filtro Pasa Bajos de Segundo Orden: En este caso la funcin transferencia es: ao A(s) = ----------------------------s2 + (o/Q) s + o (XIV.7.)
mientras que la ubicacin tpica de los polos y ceros y la curva de respuesta en frecuencia se describen en la figura XIV.20. b) Filtro Pasa Altos de Segundo Orden: Ahora se tiene: a2 s2 A(s) = ----------------------------s2 + (o/Q) s + o (XIV.8.)
15
XIV Filtros Activos
Figura XIV.20. en tanto que el diagrama de polos y ceros y la curva de respuesta en frecuencia tpicos se representa en la figura XIV.21.
Figura XIV.21. c) Filtro Pasa Banda de Segundo Orden (o de Banda Pasante): En este caso la funcin transferencia es: a1 s A(s) = ----------------------------s2 + (o/Q) s + o (XIV.9.)
y en la figura XIV.22. se representa la ubicacin tpica de las singularidades de dicha funcin, as como el formato caracterstico de la curva de respuesta en frecuencia: 16
XIV Filtros Activos
Figura XIV.22. d) Filtro Elimina Banda de Segundo Orden (Stop Band): La funcin transferencia correspondiente a este tipo de filtro es: s2 + o A(s) = ----------------------------s2 + (o/Q) s + o (XIV.10.)
y la figura XIV.23. contiene la informacin tpica acerca del diagrama de polos y ceros y de la curva de respuesta en frecuencia correspondiente a este tipo de filtro:
Figura XIV.23. XIV.5.1.- Circuitos Resonantes LCR como filtros de Segundo Orden: El esquema de la figura XIV.24. presenta un circuito resonante paralelo LCR que se estudia ampliamente en los tratados de la Teora de los Circuitos, particularmente en lo relativo a los polos naturales o bien las races de su funcin admitancia.
17
XIV Filtros Activos
Figura XIV.24.
Figura XIV.25.
Dicha admitancia que define la relacin entre la corriente y la tensin del circuito de prueba que ensayamos en la figura XIV.25. resulta ser entonces: Vo 1 1 s . (1/C) ------ = ------ = ---------------------- = -----------------------------I Yp 1 1 1 1 ------ + s C + -----s2 + s ------ + -----sL R RC LC denominador que comparado con la expresin genrica (XIV.6.) determina que en este circuito: 1 o2 = -------LC 1 ; o = ------------ ; ( L C )0,5 o 1 ------- = -------Q RC ; Q = o C R (XIV.11.)
respectivamente, pulsacin de resonancia y factor de calidad del circuito resonante paralelo. Asimismo, en la expresin (XIV.11.) se aprecia la presencia de un cero en el origen y por lo tanto otro en el infinito. Existen otras diversas formas de excitar a este mismo circuito de modo que su caracterstica operativa siga condicionada por lo polos naturales y por ello hemos sealado en el esquema de la figura XIV.24. , a los bornes x , y , z . As utilizando una fuente ideal de tensin de excitacin la misma puede ir conectada entre cualquiera o mas de un borne en paralelo y masa sin que se altere la estructura natural de polos del LCR . El circuito de la figura XIV.26. constituye un ejemplo de lo dicho, ya que aqu la transferencia directa de tensiones de este circuito es: R 1 ---------------------Vo ZRC 1 + sCR LC ------ = ----------------- = -------------------------- = -------------------------------Vi ZRC + ZL R 1 1 s L + ----------------s2 + s ------ + ------1 + sCR RC LC
(XIV.12.)
notndose que se conserva la estructura de polos, solo que ahora ambos ceros se ubican en frecuencia infinito, por lo que esta disposicin arroja una transferencia correspondiente a un filtro pasa bajos de segundo orden. En cambio para el circuito de la figura XIV.27. la transferencia de tensiones resulta ser: R . sL -------------Vo ZRL R + sL s2 ------ = ----------------- = --------------------------- = -------------------------------Vi ZRL + ZC 1 R . sL 1 1 ------- + -------------s2 + s ------ + ------s C R + s L RC LC 18
(XIV.13.)
XIV Filtros Activos
Figura XIV.26. correspondiendo a la funcin transferencia de un filtro pasa altos de segundo orden.
Figura XIV.27
De igual modo, en las figuras XIV.28. y XIV.29. se indican los circuitos que corresponden a un filtro de segundo orden del tipo pasa banda y elimina banda, respectivamente, afirmacin que se corrobora con las funciones transferencia que en las mismas figuras se indican.
Figura XIV.28. XIV.5.2.- Simulacin del Inductor L mediante circuito Operacional y red RC:
Figura XIV.29.
Una posible forma de simular las caractersticas operativas de un inductor utilizando dos Op.Amp. y circuitos RC, forma que probablemente sea la que mejor disimule los apartamientos de los Op.Amp. reales respecto del ideal, es el circuito ideado por A. ANTONIOU que se presenta en la figura XIV.30. En la citada figura se han marcado con un nmero entre parntesis la secuencia de pasos que, basados en las caractersticas dinmicas ideales de un Op.Amp., permiten justificar el comportamiento del circuito, a saber: Aplicando Vi a la entrada (1), dada la caracterstica de equipotencialidad de terminales de entrada de los Op.Amp la misma tensin se tiene entre los resistores R2 y R3 (2) y tambin entre C4 y R5 (3). En consecuencia la corriente en R5 resulta ser: ( Vi / R5 ) (4). Como la corriente en los terminales de los Op.Amp. resultan nulas la misma corriente circula por C4 y en consecuencia la diferencia de potencial del nodo de unin entre R3 y C4 es: (5) Vi 1 Vi + ------------- = Vi ( 1 + ------------- ) s C4 R5 s C4 R5
Por la misma razn la corriente en R2 es la misma que en R3 y resulta ser:
19
XIV Filtros Activos 1 Vi - Vi ( 1 + ------------- ) s C4 R5 Vi ----------------------------------------- = -----------------R3 s C4 R5 R3
(6)
Figura XIV.30 En consecuencia el potencial del nodo de unin entre R2 y R1 resulta: (7) entonces la corriente en R1 queda determinada por: Vi Vi - ------------------ . R2 s C4 R5 R3
(8)
R2 Vi - [ Vi ( 1 - ------------------ ) ] s C4 R5 R3 Vi R2 ------------------------------------------- = ------------------------ = Ii R1 s C4 R5 R3 R1
(9)
expresin esta ltima en la que se ha indicado que dicha corriente coincide con Ii (9). En consecuencia la impedancia de entrada a este circuito queda: Vi R1 Z = ------- = s C4 R5 R3 . -------Ii R2 que es equivalente a la que presenta un inductor cuya inductancia fuese: (10)
20
XIV Filtros Activos Lequiv = R1 C4 R5 R3 . -------R2 (10) y C = C4
As, si en el circuito se tiene que R1 = R2 = R3 = R5 = R Lequiv = C R2
por lo que seleccionando adecuadamente C y R se tiene el determinado valor de L buscado. XIV.5.3.- Ejemplos de Filtros de Segundo Orden basados en LCR con simulacin de L: Justificados en las caractersticas de los circuitos resonantes LCR precedentemente detalladas y por reemplazo del inductor por medio del circuito simulador A. ANTONIOU recin detallado, los circuitos de las figuras XIV.31. y XIV.32. corresponden, respectivamente a filtros de segundo orden tipo Pasa Banda y elimina banda. En ambos casos la tensin de salida filtrada se toma mediante la utilizacin de un tercer circuuito Op.Amp. en configuracin no inversor (con alta resistencia de entrada) a los efectos de no perturbar al circuito LCR en el punto de carga y en consecuencia mantener las caractersticas de sus polos naturales.
Figura XIV.31. XIV.6.- FILTROS DE SEGUNDO ORDEN POR ACOPLAMIENTO EN CASCADA DE CIRCUITOS INTEGRADORES OPERACIONALES: Para introducirnos en el filtro bicuadrado de dos integradores en cascada, como tambin se denominan a estos circuitos, consideraremos la funcin transferencia (XIV.8.) correspondiente a un filtro de segundo orden tipo Pasa Altos, y a partir de ella llamando K = a2 , podemos expresar a la tensin de salida de este filtro, en el dominio de frecuencia compleja (s) y en funcin de la transformada de la tensin de entrada tal como se indica ms adelante. VPA K . s2 = ------------------------------- . Vi s2 + s . ( o/Q) + o2 21 (XIV.14)
XIV Filtros Activos operando matemticamente, es decir, igualando a cero y dividiendo por s2 : pasando el denominador del 2do. miembro multiplicando al primero,
Figura XIV.32. VPA 1 o o2 + ------ . ------- VPA + -------- VPA - K Vi = 0 Q s s2
Esta ltima expresin puede ser interpretada grficamente a travs de un diagrama de bloques tal como se indica figura XIV.33. En dicha figura se estn empleando dos bloques con funciones de integracin y un sumador y como conclusin puede interpretarse que a partir del mismo pueden extraerse 3 seales que corresponden a las salidas de los filtros Pasa Altos (VPA ), de Banda Pasante (VBP ) y Pasa Bajos (VPB ) . As en la primer salida se tendr: VPA 1 o o2 = K Vi - ------ . ------- VPA - -------- VPA Q s s2 (XIV.15.)
o En la segunda salida, el primer circuito integrador provee una seal que es [VPA . (- ------)] , por lo que reemplazando VPA segn la expresin XIV.14.: s K . s2 o - K o s o VPA (- -------) = ------------------------------- . Vi . (- --------) = --------------------------------- Vi = VBP s s2 + s . ( o/Q) + o2 s s2 + s . ( o/Q) + o2 resultando una seal que es compatible con la salida de un filtro tipo Banda Pasante. 22
XIV Filtros Activos Por su parte en la tercer salida, es decir la seal a la salida del segundo circuito integrador es: K . s2 o2 - K o2 o2 VPA (- -------) = ------------------------------- . Vi . (- --------) = --------------------------------- Vi = VPB s2 s2 + s . ( o/Q) + o2 s2 s2 + s . ( o/Q) + o2
Figura XIV.33. que se corresponde con la salida de un filtro tipo Pasa Bajos. De lo precedente se deduce que con esta configuracin se realizan las funciones de los tres tipos bsicos de filtros, pasa altos, banda pasante y pasa bajos simultneamente, lo que le confiere suma versatilidad motivo por el cual se la ha llamado FILTRO ACTIVO UNIVERSAL. Su realizacin prctica se puede llevar a cabo mediante el empleo de circuitos integradores operacional y un tercer operacional con las funciones de sumador/diferencial, tal como se indica en el esquema de circuito de la siguiente figura:
Figura XIV.34. Dicho circuito es conocido como KERWIN-HUELSMAN-NEWCOMB o bicuadrado KHN y en l 23
XIV Filtros Activos 1 = ------C.R Las componentes indicadas en el sumador de entrada de la figura XIV.33. surgirn si al aplicar el principio de superposicin planteamos su salida como: R3 RF R2 RF o RF o2 = Vi . ------------- ( 1 + --------) + ------------- ( 1 + ---------) VPA (- ------) - -------- -------- VPA R2 + R3 R1 R2 + R3 R1 s R1 s2
VPA
y comparando esta ltima con la expresin (XIV.15.), si hacemos: RF = Rl 2 . R3 -------------- = K R2 + R3 de las que se deducen: R3 ------- = 2 Q - 1 R2 y K 1 = 2 - -------Q 2 . R2 1 -------------- = -------R2 + R3 Q
Para conseguir transferencias compatibles con las correspondientes a otras funciones de filtros, tal como la del filtro Elimina Banda o el Pasa Todo (desfasador) se pueden tomar las tres salidas del circuito Bicuadrado KHN e incorporarlas a un nuevo sumador, en este caso de tres entradas a base de un cuarto circuito amplificador operacional, tal como se indica figura XIV.35. De esta forma: R R R Vo = -( -------- . VPA + -------- . VBP + --------- . VPB ) RH RB RL entonces, reemplazando las funciones que corresponden a VPA , VBP y VPB , la salida de este sumador es: R R R - K ( -------- s2 + --------- o . s + --------- o2 ) RH RB RL Vo = -------------------------------------------------------------------------- . Vi s2 + s . ( o/Q) + o2
Figura XIV.35. 24
Figura XIV.36.
XIV Filtros Activos En consecuencia, de acuerdo a lo que sea de inters lograr, se asignan los valores adecuados a los resistores RH, RB y RL . Por ejemplo, si hacemos R infinito y RH = RL = R , se obtiene: - K ( s2 + o2 ) Vo = ----------------------------------------- . Vi s2 + s . ( o/Q) + o2 que corresponde a la transferencia de un Filtro Elimina Banda de segundo orden. Estos dispositivos bicuadrados son afectados por las caractersticas reales de los OpAmp, fundamentalmente su reducido ancho de banda y adems resultan antieconmicos y poco convenientes cuando se encuentra limitado el consumo de fuente, dada la utilizacin de cuatro OpAmp. XIV.7.-FILTROS ACTIVOS BICUADRADOS DE UN SOLO OPAMP: En la figura XIV.36. se representa un esquema generalizado en el cual un OpAmp. es realimentado mediante una red nRC . Aqu la transferencia de la red nRC, o sea de la red de realimentacin es: VF N(s) = -------- = ---------D(s) Vo de modo que las races del polinomio numerador N(s) son los ceros de transmisin de la red nRC y las races del polinomio denominador D(s) sus polos. Por tratarse de una red RC, todos los ceros de deben ser reales y negativos, mientras que sus polos podrn ubicarse en cualquier lugar del plano complejo s. La transferencia a lazo abierto, o bien como la llamramos ya, la transferencia del lazo ( A . ) resulta ser: N(s) A . = A . ---------D(s) y en consecuencia la ecuacin caracterstica y Diferencia de retorno funcin de la frecuencia es: N(s) Dif (s) = 1 + A . = 1 + A . ---------D(s) Como la transferencia a lazo cerrado es: A AF = ---------Dif(s) La Dif(s) igualada a cero nos proporciona los polos de la funcin transferencia a lazo cerrado, es decir del filtro, por lo tanto para obtenerlos hacemos: N(s) N(s) 1 1 + A . --------- = 0 o bien --------- = ------D(s) D(s) A Si consideramos que A es infinito, dichos polos del filtro se obtienen con N(s) = 0. En conclusin, los polos del circuito filtro son los ceros de la red nRC. Como nuestro objetivo es desarrollar un par de polos complejos conjugados para lograr el denominador de la funcin transferencia de cualquiera de los tipos de filtro, es necesario seleccionar una red nRC que tenga ceros de transmisin complejos conjugados. La configuracin ms sencilla de este tipo de redes son las de forma de T con puente, tal como la que se presenta en la figura XIV.37. o bien en la figura XIV.38. , en donde se indican asimismo las funciones transferencia determinadas con la salida a circuito abierto, para cada configuracin:
25
XIV Filtros Activos
Figura XIV.37.
Figura XIV.38.
De esta forma, si como ejemplo consideramos el circuito operacional que es el resultado de conectar la red en T con puente de la figura XIV.37. como red de realimentacin de un OpAmp., y en l el polinomio denominador del filtro activo ser igual al polinomio del numerador de la red en T con puente, entonces: 1 1 1 1 o s2 + s . ( ------) + o2 = s2 + s . ( ------ + ------ ) ----- + ---------------Q C1 C2 R3 C1 C2 R3 R4 lo que hace posible que obtengamos o y Q como 1 o = -----------------------(C1 C2 R3 R4 )0,5 (C1 C2 R3 R4 )0,5 1 1 Q = [ ----------------------- ( ----- + ----- ) ]-1 R3 C1 C2 Dicho circuito se observa en la figura XIV.39.En consecuencias si en estas ltimas seleccionamos C1=C2 =C y tambin denotamos con R3 = R y con R4 = R/m , al sustituir en las anteriores se puede determinar que: M = 4 Q2 y 2.Q C R = ---------o
En el esquema de la figura XIV.39. lo nico que falta es indicar en que punto se ha de ingresar la seal que se pretende filtrar. En tal sentido recordemos que tal cual lo planteramos ya para los filtros RLC una fuente ideal de tensin conectada en un punto del circuito original que va conectado a masa no modifica la estructura de polos de dicho circuito y en esa situacin se encuentra el resistor de resistencia R4 en el circuito de la figura XIV.37. o el condensador C del circuito de la figura XIV.38.
26
XIV Filtros Activos
Figura XIV.39 En oportunidad de estudiarse las distintas funciones de filtro de los circuitos RLC se vi que dependiendo del (los) componentes a travs del cual(les) la seal de entrada se inyecta, se obtienen diferentes ceros de transmisin por lo que aprovechando esa misma caractersticas y a ttulo de ejemplo consideraremos el esquema que se presenta en la figura XIV.40.:
Figura XIV.40.
27
XIV Filtros Activos En este mismo esquema se han indicado con un nmero entre parntesis la secuencia de pasos que permite analizar el comportamiento del mismo de modo que finalmente, al plantear la ecuacin del nodo x del mismo, se obtiene: (Vo - Vx ) Vx Vo -------- + s C ( V - V ) + --------------- - -------------- = 0 R3 R4 R4 ---------------- (1 - ) y reemplazando Vx por la ecuacin del paso (5) se obtiene la expresin de la transferencia indicada seguidamente. -s Vo -------- = -------------------------------------------------------------- . ( ---------) Vi 1 1 1 1 C1 R4 s2 + s . ( ------ + ------ ) ----- + ---------------C1 C2 R3 C1 C2 R3 R4 que es una funcin transferencia compatible con la correspondiente a un filtro de Banda Pasante cuya ganancia para su frecuencia central puede controlarse a travs del factor y en donde tal como se esperaba, el polinomio del denominador es idntico al polinomio numerador de la transferencia de la red nRC transcripta en la figura XIV.37. Siguiendo el mismo procedimiento detallado en los pasos indicados en la figura XIV.38., podr demostrarse que los circuitos indicados en las figuras XIV.41. y XIV.42. corresponden respectivamente al filtro Pasa Altos o tambin conocido como uno de los circuitos de SALLEN y KEY o SAB (Filtro Bicuadrado de un solo Amplificador) y al filtro Pasa Bajos SAB.
Figura XIV.41.
Fig. XIV.42.
Estos circuitos recin analizados presentan la desventaja seria de que su factor de mrito Q es sumamente sensible, tanto a las variaciones debida a la tolerancia con que se llevan a cabo las redes nRC como a los limitados valores del ancho de banda de los circuitos OpAmp. Asimismo comparten las desventaja con los restantes circuitos filtro estudiados en los apartados anteriores en cuanto a que demandan la incorporacin de condensadores de relativo alto valor (con respecto a aquellos que pueden ser integrados en los IC), a punto tal que hacen difcil su produccin en forma de circuitos integrados monolticos, cuando no imposible. La bsqueda continua de un mtodo de diseo de un filtro que se presente en una forma ms natural a la puesta en prctica de circuitos integrados ha dado como respuesta la opcin que se describe a continuacin. 28
XIV Filtros Activos XIV.8.- FILTROS POR CONDENSADOR CONMUTADO - Su principio bsico: En esta tecnologa el filtro de condensador conmutado se basa en que la formacin de un condensador conmutado entre dos nodos de circuito, a una velocidad de conmutacin lo suficientemente alta, es equivalente a un resistor que una a dichos dos nodos. Ms especficamente, consideremos el circuito operacional integrador que hemos estudiado oportunamente. En la figura XIV.43. se ha sustituido el resistor de entrada (Rs) por un segundo condensador (C1 ) a tierra en conjunto con dos transistores efecto de campo de canal inducido n a los cuales, en sus terminales de compuerta le aplicamos las seales de onda cuadrada v1 y v2 que detallamos en la misma figura.
Figura XIV.43. Durante el semiperodo en que la seal v1 se encuentra en alto, el MOSFET TU1 posee su canal bloqueado en tanto que TU2 se encuentra cortado. Durante ese lapso la fuente de excitacin de entrada se v cargada con el condensador C2 que por consecuencia se carga. La interpretacin de esta fase del funcionamiento la llevamos a cabo en el circuito equivalente de la figura XIV.44.a.
Figura XIV.44.a.
Figura XIV.44.b.
En cambio durante el semiperodo en que v2 se encuentra en alto mientras TU1 se encuentra cortado ahora el TU2 es el que pasa a saturar por lo que el condensador C1 comienza a descargarse y dada las caractersticas ideales en cuanto al OpAmp. lo hace a travs de C2 que por consecuencia se va cargando. El circuito equivalente de la figura XIV.44.b. representa dicha forma operativa. De acuerdo a la anterior descripcin se puede aceptar que durante cada perodo de reloj (Tc) de las seales que controlan los MOSFET, se extrae una cierta cantidad de carga (C1 . vi ) de la fuente de excitacin de entrada y se alimenta al condensador integrador C2 . Entonces la corriente promedio que circula entre el nodo de entrada (In) y el terminal inversor del OpAmp. con caractersticas de Tierra Virtual es: 29
XIV Filtros Activos C1 . vi Io = ----------Tc Si Tc es lo suficientemente corto (rpida velocidad de conmutacin de los MOSFET) se puede pensar que este proceso es casi continuo y consecuentemente definir una resistencia equivalente que en efecto esta presente entre los nodos In y TV: vi Tc Req = ---------- = ---------Io Ci resistencia esta que en conjunto con C2 y el OpAmp. conforman el bloque circuito operacional integrador bsico que entonces puede reemplazar a tales circuitos que conforman los circuitos de filtro de segundo orden basados en la conexin en cascada de dos integradores y que ya hemos analizado. En la figura XIV.45., por ejemplo pueden compararse los esquemas correspondientes a un filtro bicuadrado RC activo de dos integradores en cascada y su equivalente de condensador conmutado:
Fig. XIV.45. 30

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VII Amplificadores Realimentados CAPITULO VII - Amplificadores Realimentados:

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Gm = GM (con la salida en corto circuito: Rd = 0)

VII Amplificadores Realimentados

Ri >> Rs Ri << Rs Ri << Rs y y

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Xo = A . Xs - A . . Xo por lo que de acuerdo a (VII.4.):

Xo A A Af = -------- = -------------- = -------Xs 1 + A. D

y por lo tanto D > 1 la Realimentacin es Negativa: Af < A

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1 dA dAf ------- = ------- . ------D A Af

D - 1 20 - 1 19 = ------------ = ----------- = -------- = 0,019 A 1000 1000

A 1000 Af = -------- = -------- = 50 D 20

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Ya que tratamos con un amplificador, es razonable suponer que: Vi << Vo

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a partir de la ecuacin (VII.15.) se tiene: (VII.16.)

- Yos . Vo Vi = -------------------yfA + yfR

y reemplazamos en la ecuacin (VII.17.):

queda tal como se indica en la pgina siguiente. Vo

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Vo por lo que despejando el cociente ------- obtenemos la transresistencia: Is

yfA . Is --------------- = - Yos . Vo Yis

-yfA RMs = --------------Yis . Yos

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luego reemplazando (VII.24.) en la expresin (VII.22.) : 20

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0 = Yis .Vi + yrR .Vx

yrR . Vx y as: Vi = - --------------Yis (VII.28.)

(VII.27.) por lo que

- yrR . Vx Ix = yfA . ---------------- + Yos . Vx Yis

por lo que ahora, al ser Yos . . RMs

y dado que de la expresin (VII.26.) tambin se deduce que: 21

Ix Yosf = ----------Vx - yfA . yrR = ------------------

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- la Resistencia de Entrada del sistema realimentado:

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por lo que: Asimismo: entonces:

VCEQ1-2 = VCT1-2 - VET VBT4 = VCT2 = 1,8 V

observando la simetra respecto a Rs = 1 KOhm

VII Amplificadores Realimentados

AVs = (- 9,2 ) . (- 410 ) = 3772

3772 AVs AVsf = -------- = ----------- = 10,8 D 350

VII Amplificadores Realimentados

1000 R*os = --------- = ---------- = 5,85 Ohm 170,7 D*

pero ahora, al muestrearse la corriente de salida, la

VII Amplificadores Realimentados

Luego, volviendo al amplificador realimentado, con: GMs GMsf = -------D y

1000 Ros = --------- = ---------- = 5,85 Ohm 170,7 D