Cuadra Tico

Desarrollo de un ondulador a partir de un convertidor
boost cuadrtico con lazo de salida lento y controlado

mediante un dsPIC30F2020

TITULACION: Enginyeria Tcnica Industrial en Electrnica Industrial

AUTOR: Saiou Wu Fu
DIRECTOR: Hugo Valderrama Blavi
CODIRECTOR: Josep M. Bosque

FECHA: Septiembre / 2013

2

Me gustara dedicar este proyecto a mi familia y
especialmente a mi hermana Saiya por todo su apoyo.

Agradecer a todo el Grupo de Automtica y Electrnica Industrial,
sobre todo a Josep Maria Bosque y Hugo Valderrama por toda su ayuda.

NDICE GENERAL

3
NDICE GENERAL
1 MEMORIA DESCRIPTIVA ................................................................................. 8
1.1 Introduccin general .................................................................................... 8
1.2 Titular ........................................................................................................... 8
1.3 Objetivo del proyecto ................................................................................... 8
1.4 Fundamentos tericos .................................................................................. 9
1.4.1 Convertidor elevador ................................................................................ 9
1.4.1.1 Convertidor boost .............................................................................. 9
1.4.1.2 Conexin en cascada ....................................................................... 11
1.4.1.3 Anlisis del convertidor ................................................................... 11
1.4.2 Control del convertidor .......................................................................... 14
1.4.2.1 Superficie de deslizamiento ............................................................. 14
1.4.2.2 Condicin de invariancia y control equivalente .............................. 15
1.4.2.3 Condicin de transversalidad .......................................................... 16
1.4.2.4 Dinmica Ideal y Estabilidad del Punto de Equilibrio .................... 16
1.4.3 Inversor................................................................................................... 17
1.4.3.1 Funcionamiento del puente.............................................................. 17
1.4.3.2 Blanking time .................................................................................. 18
1.4.3.3 Carga inductiva ................................................................................ 18
1.4.3.4 Filtro de salida ................................................................................. 19
1.4.4 Control del inversor ................................................................................ 20
1.4.4.1 Modulacin por Ancho de Pulso (PWM) ........................................ 20
1.4.4.2 Control PWM unipolar .................................................................... 21
1.4.4.3 Feedforward ..................................................................................... 23
2 MEMORIA DE CLCULO ................................................................................ 25
2.1 Boost cuadrtico ......................................................................................... 25
2.1.1 Bobinas ................................................................................................... 25
2.1.1.1 Bobina 1........................................................................................... 26
2.1.1.2 Bobina 2........................................................................................... 26
2.1.2 Condensadores ....................................................................................... 27
2.1.2.1 Condensador 1 ................................................................................. 27
2.1.2.2 Condensador 2 ................................................................................. 28
2.1.2.3 Condensador de entrada .................................................................. 28
2.1.3 Transistores ............................................................................................ 28
2.1.3.1 MOSFET 1 ....................................................................................... 29
2.1.3.2 MOSFET 2 ...................................................................................... 30
2.1.4 Diodos .................................................................................................... 30
NDICE GENERAL

4
2.1.4.1 Diodo 1 ............................................................................................ 31
2.1.4.2 Diodo 2 ............................................................................................ 31
2.1.5 Disipador ................................................................................................ 32
2.1.6 Sensado de corriente............................................................................... 32
2.1.7 Sensado de tensin ................................................................................. 33
2.1.8 Drivers .................................................................................................... 34
2.1.9 Anlisis del boost cuadrtico.................................................................. 35
2.1.9.1 Topologa ON .................................................................................. 35
2.1.9.2 Topologa OFF ................................................................................ 36
2.1.9.3 Modelo promediado......................................................................... 37
2.1.9.4 Modelo promediado en pequea seal ............................................ 37
2.1.9.5 Transformada de Laplace ................................................................ 39
2.1.9.6 Funciones de transferencia .............................................................. 39
2.1.9.7 Estudio de la estabilidad .................................................................. 40
2.2 Control en modo deslizante para el convertidor ........................................ 41
2.2.1 Estudio del control deslizante ................................................................ 41
2.2.1.1 Eleccin de una superficie ............................................................... 41
2.2.1.2 Obtencin del modelo bilineal......................................................... 42
2.2.1.3 Existencia de deslizamiento ............................................................ 42
2.2.1.4 Obtencin del control equivalente ................................................... 43
2.2.1.5 Dinmica de deslizamiento ideal ..................................................... 43
2.2.1.6 Variables en el punto de equilibrio .................................................. 43
2.2.1.7 Linealizacin de las ecuaciones....................................................... 44
2.2.1.8 Transformada de Laplace ................................................................ 45
2.2.1.9 Funciones de transferencia .............................................................. 45
2.2.1.10 Estabilidad ..................................................................................... 47
2.2.1.11 Discretizacin del control PI ......................................................... 47
2.2.2 Programacin del control mediante el dsPIC30F2020 ........................... 48
2.2.2.1 Convertidor Analgico/Digital ........................................................ 48
2.2.2.2 Comparadores analgicos ................................................................ 51
2.2.2.3 Mdulo PWM .................................................................................. 51
2.3 Puente inversor completo ........................................................................... 53
2.3.1 Transistores ............................................................................................ 53
2.3.2 Drivers .................................................................................................... 53
2.3.3 Filtro de salida ........................................................................................ 54
2.4 Control del puente inversor ........................................................................ 55
2.4.1 Programacin del PWM senoidal ........................................................... 55
NDICE GENERAL

5
2.4.1.1 Inicializacin de los valores ............................................................ 55
2.4.1.2 Lgica de funcionamiento ............................................................... 57
2.4.2 Control feedforward ............................................................................... 57
2.4.3 Protecciones ........................................................................................... 58
3 SIMULACIONES ............................................................................................... 60
3.1 Boost cuadrtico en control deslizante ....................................................... 60
3.2 Boost cuadrtico con puente inversor ........................................................ 62
4 RESULTADOS EXPERIMENTALES ............................................................... 66
4.1 Boost cuadrtico sin inversor ..................................................................... 66
4.1.1 Variaciones de carga .............................................................................. 66
4.1.2 Variaciones de lnea ............................................................................... 68
4.1.3 Seales de entrada y salida ..................................................................... 69
4.1.3.1 Transitorio inicial ............................................................................ 70
4.1.3.2 Rizados ............................................................................................ 71
4.1.4 Tensiones en condensadores y corrientes de bobinas ............................ 72
4.1.4.2 Rizados ............................................................................................ 72
4.2 Boost cuadrtico con puente inversor ........................................................ 73
4.2.1 Seales de salida..................................................................................... 73
4.2.1.2 Rizados ............................................................................................ 74
4.2.2 Pruebas de carga ..................................................................................... 76
4.2.2.1 Arranque sin carga ........................................................................... 76
4.2.2.2 Desconexin de la carga .................................................................. 77
4.3 Curvas de rendimiento ............................................................................... 78
4.3.1 Curvas de rendimiento regulando la entrada .......................................... 78
4.3.2 Curvas de rendimiento regulando la salida ............................................ 80
5 CONCLUSIONES ............................................................................................... 83
6 PLANOS .............................................................................................................. 84
7 PRESUPUESTO ................................................................................................ 106
7.1 Mediciones ............................................................................................... 106
7.2 Precios unitarios ....................................................................................... 117
7.3 Presupuesto .............................................................................................. 119
7.4 Resumen presupuesto............................................................................... 130
8 PLIEGO DE CONDICIONES........................................................................... 132
8.1 Condiciones administrativas .................................................................... 132
8.1.1 Condiciones generales .......................................................................... 132
NDICE GENERAL

6
8.1.2 Normas, permisos y certificaciones ..................................................... 132
8.1.3 Descripcin general del montaje .......................................................... 132
8.2 Condiciones econmicas .......................................................................... 133
8.2.1 Precios .................................................................................................. 133
8.2.2 Responsabilidades ................................................................................ 133
8.3 Condiciones facultativas .......................................................................... 133
8.3.1 Personal ................................................................................................ 133
8.3.2 Reconocimientos y ensayos previos ..................................................... 134
8.3.3 Materiales ............................................................................................. 134
8.3.3.1 - Conductores elctricos ................................................................ 134
8.3.3.2 Resistencias ................................................................................ 134
8.3.3.3 Condensadores ............................................................................ 135
8.3.3.4 Inductores ................................................................................... 135
8.3.3.5 Circuitos integrados y semiconductores ..................................... 136
8.3.3.6 Zcalos ....................................................................................... 136
8.3.3.7 Placas de circuito impreso .......................................................... 136
8.3.3.8 Interconexin de las placas de circuito impreso ......................... 136
8.3.4 Condiciones de ejecucin ..................................................................... 136
8.3.4.1 - Encargo y compra del material ................................................... 136
8.3.4.2 - Construccin de inductores ......................................................... 137
8.3.4.3 Fabricacin de placas de circuito impreso.................................. 137
8.3.4.4 Soldadura de componentes ......................................................... 137
8.3.4.5 Ensayos, verificaciones y medidas ............................................. 137
8.3.5 Reglamento electrnico de baja tensin ............................................... 137
ANEXO I: Cdigo implementado en el dsPIC ........................................................ 139
REFERENCIAS ....................................................................................................... 148

MEMORIA DESCRIPTIVA

7


1. MEMORIA DESCRIPTIVA


AUTOR: Saiou Wu Fu


MEMORIA DESCRIPTIVA

8
1 MEMORIA DESCRIPTIVA
1.1 Introduccin general
La dificultad de almacenar energa elctrica en alterna hace que cualquier dispositivo
que utilice dicha energa y se quiera hacer porttil, necesite de un circuito adaptador que
transforme la corriente continua que produce una batera a una de alterna apta para el
dispositivo.
Un claro ejemplo consiste en utilizar la toma de corriente de un automvil como
fuente de alimentacin para cualquier dispositivo domstico, como puede ser un horno de
induccin de una autocaravana.
La generacin de corriente continua en los paneles fotovoltaicos y la necesidad de
convertirla en alterna para su conexin a la red y comercializacin, hacen que dichos
convertidores tambin sean imprescindibles en el mbito de las energas renovables.
Otro mbito de aplicacin son en los Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida (SAI)
de corriente alterna; dispositivos que, en un apagn, suministran energa elctrica
almacenada en una batera por un tiempo limitado a maquinaria conectada a la red
elctrica.
Tambin existe un importante estudio de convertidores para coches elctricos que
tpicamente tienen una fuente de almacenamiento de continua y un motor elctrico y
necesitan tanto un convertidor bidireccional como un inversor de frecuencia ajustable.
Finalmente, hay que remarcar que las lneas de investigacin actuales se dirigen
hacia la electrnica digital para realizar el control de los convertidores

1.2 Titular
El titular del proyecto es el Departament dEnginyeria Elctrica, Electrnica i
Automtica (DEEEA) situado en la Avenida Pasos Catalans n 26 de la ciudad de
Tarragona. Los directores del proyecto son el Dr. Hugo Valderrama Blavi y Josep M.
Bosque.
1.3 Objetivo del proyecto
El objetivo de este proyecto es el diseo, anlisis y construccin de un prototipo de
convertidor capaz de transformar 12 Vdc a 220 Vac a 50 Hz, que se realizar mediante una
primera etapa compuesta por un convertidor DC-DC elevador que pasar de 12 Vdc a 350
Vdc y una segunda etapa inversora para transformarlo a 220 Vac.
La potencia nominal del convertidor ser de 100 W y su frecuencia de
funcionamiento, de 20 kHz, suficientemente baja para tener pocas prdidas en la
conmutacin de los transistores y suficientemente alta para no ser audible
El control de los convertidores se realizar mediante un dsPIC, utilizando los
diferentes mdulos de que dispone para realizar un control en modo deslizante con un lazo
Proporcional Integral (PI) para el convertidor DC-DC y la generacin de las seales para el
puente inversor, as como un control feedforward para mejorar la seal final de salida.
En la Figura 1.1 se puede ver el esquema general tratado en el proyecto.

MEMORIA DESCRIPTIVA

9

Figura 1.1. Esquema general del sistema.
1.4 Fundamentos tericos
1.4.1 Convertidor elevador
1.4.1.1 Convertidor boost
Un convertidor boost es un tipo de convertidor DC-DC que presenta una tensin
continua de salida mayor que la tensin de la fuente de entrada pero su corriente de salida
es menor que la de entrada. Este tipo de fuente conmutada contiene por lo menos dos
interruptores semiconductores, un elemento almacenador de energa y un filtro de salida.
El orden del convertidor viene determinado por el nmero de elementos almacenadores de
energa que lo conforman.

Figura 1.2. Estructura bsica de un convertidor boost.

Este tipo de convertidor es un sistema no lineal o de estructura variable, ya que la
estructura vara dependiendo de los dos estados del interruptor:
Sensando
de corriente
Sensando
de tensin
Filtro
Pasobajo
Control
mediante
dsPIC
Convertidor
Elevador
Puente
Inversor
RL
Duty
Vi
Duty
Vo
IL1
MEMORIA DESCRIPTIVA

10
1) Cuando el transistor est cerrado, el diodo est polarizado inversamente y las
etapas de entrada y salida se aslan. En este estado, el inductor va almacenando energa de
la entrada mientras que el condensador la cede a la carga.

Figura 1.3. Topologa del boost con el interruptor cerrado.

2) Cuando el transistor est abierto, el diodo esta polarizado en directa y la etapa de
salida se conecta a la de entrada. El inductor cede energa al condensador y a la carga.

Figura 1.4. Topologa del boost con el interruptor abierto.
Existen dos modos de funcionamiento: Modo de Conduccin Continua (MCC) donde
la corriente del inductor nunca se hace cero y Modo de Conduccin Discontinua (MCD),
donde la corriente s se llega a anular.
La relacin de entrada salida para los dos modos de conduccin es la siguiente [1]:
MCC

(1.1)

MDC
]

(1.2)

Como se puede apreciar, la expresin del voltaje de salida en el modo discontinuo
depende de ms factores y es ms compleja que el continuo y por lo tanto, en este proyecto
se trabajar solamente en MCC.
MEMORIA DESCRIPTIVA

11
1.4.1.2 Conexin en cascada
Dada la alta ganancia que se requiere para elevar 12 V a 350 V y por lo tanto, el
elevado ciclo de trabajo al que debe trabajar el convertidor, se ha optado por utilizar la
topologa de dos convertidores boost en cascada, conectando la salida del primer boost con
la entrada el segundo.

Figura 1.5. Conexin de dos boost en cascada.
Al usar varias etapas, la ganancia total del convertidor se reparte equitativamente
entre las diferentes etapas, siendo la ganancia de stas la raz cuadrada, en este caso, de la
total.

(1.3)

(1.4)
As mismo, el ciclo de trabajo tambin se ve reducido:

(1.5)

(1.6)

1.4.1.3 Anlisis del convertidor

Dada la complejidad del circuito, se utilizar la representacin en espacio de estado
para el anlisis del boost cuadrtico. Con esta representacin se puede conocer y controlar
la dinmica interna de un sistema y su respuesta.

Las ventajas del espacio de estado son varias: permite el anlisis de sistemas
variantes e invariantes en el tiempo, lineales y no lineales, con mltiples entradas o salidas,
con condiciones iniciales no nulas, etc.

MEMORIA DESCRIPTIVA

12
Para aplicar este mtodo es necesario elegir las variables de estado, que deben ser
capaces de determinar la dinmica del sistema para todo el tiempo. Generalmente un
sistema visto en espacio de estado tiene la siguiente representacin [16]:

( ) ( ) (1.7)

Para realizar la representacin en el espacio de estado se debe obtener la razn de
cambio respecto al tiempo de cada variable de estado seleccionada.
1.4.1.3.1 Sistemas lineales invariantes

En sistemas lineales invariantes en el tiempo, la ecuacin (1.7) se transforma de la
siguiente manera:

() () () (1.8)
() () () (1.9)

Donde el vector x representa las variables de estado y el vector u representa el control.

1.4.1.3.2 Sistemas de estructura variable

Los sistemas de estructura variable, como los convertidores conmutados
elevadores, se identifican por una topologa variante en el tiempo, donde la accin del
control es discontinua y la planta no lineal.

Para facilitar el estudio del sistema y dado que no influye en las caractersticas de la
seal requerida en este proyecto, el boost cuadrtico constar solamente de dos topologas
diferentes: ambos transistores estarn abiertos o cerrados al mismo tiempo.

stos se pueden definir del modo siguiente [15]:

{

(1.10)

(
(
(
(
(
(
(
(
+
(
(
(
(
(
(
(
(
=
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
+
(
(
(
(
(
(
(
(
=
(
(
(
(
) (
) (
) (
) (
) (
) (
) (
) (
) (
) (
) (
) (
) (
) (
) (
) (
) (
) (
2
1
2 1
2 22 21
1 12 11
2
1
2 1
2 22 21
1 12 11
2
1
2
1
2 1
2 22 21
1 12 11
2
1
2 1
2 22 21
1 12 11
2
1
t u
t u
t u
d d d
d d d
d d d
t x
t x
t x
c c c
c c c
c c c
t y
t y
t y
t u
t u
t u
b b b
b b b
b b b
t x
t x
t x
a a a
a a a
a a a
t x
t x
t x
m pm p p
m
m
n pn p p
n
n
p
m nm n n
m
m
n nn n n
n
n
n
MEMORIA DESCRIPTIVA

13
1.4.1.3.3 Modelo bilineal
El modelo bilineal es un modelo detallado en tiempo que permite analizar los
efectos transitorios as como la robustez ante variaciones de parmetros.

Para obtener el modelo bilineal se desarrolla (1.10) de la siguiente forma:

(
) (
) ( )
(1.11)

) (
)
(1.12)

[(
) (
)]
(1.13)

( ) ( ) (1.14)

Siendo:

(1.15)

1.4.1.3.4 Modelo promediado
El modelo promediado es una importante herramienta en el anlisis de convertidores
en electrnica de potencia, ste representa un circuito aproximado que permite analizar el
comportamiento promedio local de las variables en rgimen permanente y transitorio.
El modelo promediado del convertidor se obtiene sumando el producto de las
matrices de constantes del sistema en estado ON y OFF por su ciclo de trabajo:

()
()
()
(1.16)
()
()
(1.17)

Siendo:
( ) (1.18)
( ) (1.19)
( ) (1.20)

1.4.1.3.5 Linealizacin y transformada de Laplace

Para analizar el sistema en el dominio frecuencial o determinar su estabilidad, se
debe realizar la transformada de Laplace de los modelos anteriores, previamente
linealizados.

El proceso de linealizacin es una expansin de la serie de Taylor alrededor de un
punto de operacin o equilibrio, mediante el cual un sistema es aproximado a uno de
primer orden. Por lo tanto, un modelo linealizado, conocido como modelo en pequea
seal, describe el comportamiento de un sistema ante pequeas perturbaciones alrededor de
un punto de operacin [4].
MEMORIA DESCRIPTIVA

14
1.4.2 Control del convertidor
El control utilizado para el convertidor elevador ser en modo deslizante (sliding
mode control) como un tipo especial de sistema de estructura variable, en el cual la
dinmica del sistema es atrada hacia una superficie en el espacio de estado conocida como
superficie de deslizamiento S(x). Esta superficie es cualquier funcin del estado x que
reduce a cero el error de regulacin o seguimiento en rgimen permanente [15]. En este
caso, las superficies corresponden a los cambios de estructura del convertidor.

La gran ventaja de este tipo de control es que cuando la dinmica del sistema en
lazo cerrado se desliza sobre esta superficie, permanece insensible a variaciones en los
parmetros de la planta y a las perturbaciones externas.

Se puede considerar la superficie de la forma siguiente:

()
(1.21)

Donde x
i
es una de las variables de estado del sistema y k una constante real, tal que
en rgimen permanente, x
i
llegue a ser k.

La eleccin de S(x) es realizada por el diseador, con el objetivo que el estado
cumpla las especificaciones deseadas.

Mientras que el control en modo deslizamiento se realizar analgicamente para
una mayor facilidad de implementacin, el lazo de control PI se har digital ya que permite
una fcil modificacin y cambio del control, ausencia de ruido en su realizacin, as como
la posibilidad de implementar diferentes protecciones.
1.4.2.1 Superficie de deslizamiento
En un sistema de control, la propiedad que se busca es la existencia de modos
deslizantes en las superficies de discontinuidad de la estructura. Si la trayectoria del
sistema alcanza las proximidades a la superficie de deslizamiento en la que existe un modo
deslizante, el movimiento ya no se alejar de la regin excepto en sus fronteras.

Figura 1.6. Espacio de estados [15].

Puede verse que cuando la dinmica del sistema se encuentra por encima de la
superficie de deslizamiento (S(x) > 0), sta se encuentra descrita por
( ) y cuando la
dinmica se encuentra por debajo de la regin de deslizamiento (S(x) < 0), est descrita por
( ), de all que el sistema sea de estructura variable.

MEMORIA DESCRIPTIVA

15
Cuando un sistema se encuentra en modo deslizante, puede tener cualquier
comportamiento dinmico, ya sea tender hacia un punto de equilibrio asintticamente
estable dentro de la superficie o seguir una trayectoria que lo lleve a abandonar la regin de
deslizamiento.

Para que exista un modo deslizante en una superficie de discontinuidad entre dos
estructuras, las trayectorias a ambos lados de la superficie deben dirigirse hacia la regin
de deslizamiento. Un convertidor de estructura bsica se controla mediante un modo
deslizamiento de acuerdo con la ley de control de la ecuacin (1.21).

()
{
()
()

(1.22)

- Si las trayectorias del sistema se encuentran por encima de la regin de deslizamiento,
el control conmuta a ()
con lo cual la dinmica cambia a
( ) que
debe llevar las trayectorias hacia S(x).

- Si las trayectorias pasan por debajo de la regin de deslizamiento, el sistema de control
conmuta al valor ()
con lo que la dinmica cambia a
( )

Para que un sistema se deslice sobre la superficie implica una frecuencia de
conmutacin infinita de la ley de control, cosa que es fsicamente irrealizable. En la
prctica, las trayectorias se alejan de S(x) = 0 hasta un umbral de conmutacin debido que
la frecuencia de conmutacin es finita, convirtindose en un control con histresis [15].
Esto hace que la ley de control se vea modificada de la siguiente forma:

() {
()
()

(1.23)

La frecuencia de conmutacin no permanece constante sino que vara al hacerlo la
superficie. Los umbrales de conmutacin de S(x) se escogern para que la frecuencia de
conmutacin de los interruptores est entorno a los 20 kHz.

1.4.2.2 Condicin de invariancia y control equivalente

() (1.24)

(
)

(1.25)

MEMORIA DESCRIPTIVA

16
Idealmente, las trayectorias de estado se mueven por la superficie deslizante sin
ninguna proporcin de cambio en los valores coordinados de superficie (1.24).
La condicin (1.25) define el control equivalente (
) como una ley de control de

realimentacin suave que idealmente restringe las trayectorias de estado hacia S(x), es un
valor continuo que representa el valor medio del control discontinuo. Si se cumplen las
condiciones (1.24) y (1.25), la dinmica del sistema permanece sobre la superficie de
deslizamiento y no se escapa de ella.

Si utilizamos la representacin bilineal del convertidor (1.14) descrita
anteriormente, una de las formas de obtener el control equivalente puede ser la siguiente:

( ) ( )
(1.26)
Aislando u
eq
:

()
()

(1.27)

1.4.2.3 Condicin de transversalidad
Para que exista el control equivalente debe cumplirse que:

( ) (1.28)

Lo que significa que no puede ser tangente a la superficie de conmutacin
y por lo tanto debe ser transverso a ella, esto se conoce como condicin de transversalidad.

Es necesario tambin, que el control equivalente est acotado entre 0 y 1 y que la
superficie contenga un punto de equilibrio. Entonces, con el signo de la funcin de
conmutacin adecuada, se puede crear una regin de deslizamiento alrededor de dicho
punto.

1.4.2.4 Dinmica Ideal y Estabilidad del Punto de Equilibrio
Para calcular la dinmica ideal, hace falta aislar la variable de estado a controlar
teniendo en cuenta (1.28) y evaluarlo en (1.29). Con todo esto se obtiene el vector de
estado bajo condiciones de dinmica ideal.

() (1.29)
()
(1.30)

Dado que la variable del sistema que se est controlando presenta una dinmica
ideal nula, el orden del sistema n, pasa a ser de n-1.

Para calcular el punto de equilibrio solo es necesario igualar a cero los trminos del
vector de dinmica ideal y aislar las variables de estado. Aunque exista un punto de
equilibrio, el sistema puede no ser asintticamente estable alrededor de este punto.

MEMORIA DESCRIPTIVA

17
Para determinar su estabilidad, uno de los mtodos utilizados puede ser la
linealizacin del sistema original con el control equivalente mediante Taylor alrededor del
punto de equilibrio y verificar la estabilidad local.

1.4.3 Inversor
Los inversores son convertidores de energa que transforman la corriente continua en
corriente alterna, regulando la tensin, la frecuencia o bien ambas. De este modo los
inversores transfieren potencia desde una fuente de continua a una carga de alterna.
El inversor utilizado ser monofsico ya que la seal requerida es de una sola fase,
las configuraciones tpicas de estos inversores son en medio puente y en puente completo.
En este caso se requiere del puente completo ya que la tensin de pico de la seal de salida
(311 V) ser mayor que la mitad de la de entrada (175 V) y que la configuracin en medio
puente no puede sobrepasar. El puente completo est formado por cuatro interruptores de
potencia totalmente controlados, tpicamente transistores MOSFETs o IGBTs.

Figura 1.7. Estructura bsica de un puente inversor completo [13].

1.4.3.1 Funcionamiento del puente

El funcionamiento de stos consiste en aplicar a la salida una tensin formada por la
sucesin de ondas rectangulares de amplitud igual a la tensin de alimentacin de la
entrada y duracin variable. As pues, la tensin de salida
puede ser

dependiendo del estado de los interruptores. La siguiente figura muestra algunas de las
posibles configuraciones de stos.
MEMORIA DESCRIPTIVA

18

Figura 1.8. Circuitos equivalentes del inversor: (a)
; (b)
;
(c)(d)
[13].
Hay que tener en cuenta que los interruptores de las mismas ramas no deben estar
cerrados al mismo tiempo pues sino se produce un cortocircuito en la fuente de continua.
1.4.3.2 Blanking time
Los interruptores reales no se abren y se cierran instantneamente, por tanto hay que
prestar atencin a los tiempos de conmutacin al disear el control de stos. El
solapamiento de los tiempos de conduccin de los interruptores resultara en un circuito
denominado fallo de solapamiento en la fuente de tensin continua. El tiempo permitido
para la conmutacin se denomina tiempo muerto o blanking time.
1.4.3.3 Carga inductiva
Cuando una carga es puramente resistiva, la forma de onda de la corriente y la
tensin son iguales pero en una carga inductiva se requieren ciertas consideraciones a la
hora de disear los interruptores del inversor, ya que las corrientes de los interruptores se
hacen negativas como puede verse en la Figura 1.9.

Figura 1.9. Formas de onda del inversor con carga inductiva.
MEMORIA DESCRIPTIVA

19
Si la carga tiene una cierta componente inductiva, es necesario aadir diodos en anti
paralelo con los transistores de potencia para permitir la circulacin de corriente de la
carga cuando se abren todos los transistores. Si no se aaden diodos, se crean grandes
sobretensiones debido al corte instantneo de la corriente por la inductancia de la carga.

Figura 1.10. Puente inversor con interruptores bidireccionales.

En el caso de utilizar MOSFETs estos ya tienen por defecto un diodo parasito y no es
necesario aadir otro.

1.4.3.4 Filtro de salida
Es necesario el diseo de un filtro para eliminar las componentes armnicas no
deseadas, intercalando una impedancia de valor elevado de cara a las frecuencias que
deseamos eliminar. En la eleccin y clculo del mismo se han de tener en cuenta aspectos
como carga a alimentar, frecuencias que se desean eliminar, tipo de control que se realiza
del inversor, etc.
En algunos casos, puede emplearse la propia carga como filtro; es el caso por
ejemplo en el que la carga sea un motor.
De todas las configuraciones de filtros, las ms habituales para los inversores son las
configuraciones en L, cuyo esquema general se muestra en la Figura 1.11.

Figura 1.11. Topologa comn de filtros para inversores PWM.

La expresin genrica de los filtros de segundo orden es la siguiente [17]:
()

(1.31)
MEMORIA DESCRIPTIVA

20
Donde
es la frecuencia natural y de corte del sistema, a partir de la cual empieza a

atenuarse la magnitud y es el factor de amortiguacin que indica el nivel de sobre pico en
la frecuencia de corte.
El filtro utilizado en este puente ser un filtro LCR que consiste en una inductancia
serie, un condensador paralelo y la resistencia de carga. Es un filtro de diseo sencillo
aunque tiene el inconveniente que atena tambin la frecuencia fundamental: en la bobina
serie se pierde tensin de la componente fundamental y por el condensador paralelo circula
corriente correspondiente a dicha componente.
La expresin del filtro LCR es la siguiente:
()

(1.32)

1.4.4 Control del inversor
El control del inversor consiste en utilizar la Modulacin por Ancho de Pulso o
Pulse-Width Modulation (PWM) para las seales de los transistores y un control
preventivo para las posibles variaciones de la tensin de entrada.
1.4.4.1 Modulacin por Ancho de Pulso (PWM)
La idea bsica de la modulacin por ancho de pulso es comparar una tensin de
referencia de baja frecuencia proporcional a la de la tensin de salida deseada, senoidal en
este caso, con una seal triangular simtrica de alta frecuencia que determina la velocidad
de conmutacin. La frecuencia de la onda triangular, llamada portadora, debe ser al menos
20 veces superior a la mxima frecuencia de la onda de referencia para que se obtenga una
reproduccin aceptable de la forma de onda sobre una carga, despus de ser filtrada. El
resultado de dicha comparacin ser una seal rectangular a la misma frecuencia que la
triangular que nos generar el ciclo de trabajo y la lgica para abrir y cerrar los
semiconductores de potencia [13].
La figura muestra la modulacin de una onda senoidal, produciendo en la salida una
tensin con dos niveles, cuya frecuencia es la de la onda triangular.

Figura 1.12. Generacin de una seal PWM bipolar [13].
Para la implementacin digital del PWM, se guardar en un vector los ciclos de
trabajo resultantes de la comparacin para generar la onda rectangular de control
directamente.
MEMORIA DESCRIPTIVA

21
1.4.4.2 Control PWM unipolar
Para los inversores monofsicos en puente completo podemos distinguir dos
esquemas bsicos de control por PWM: bipolar y unipolar. Por estos trminos se entender
como vara la tensin aplicada al conjunto rectificador-carga.
- En el caso bipolar, la tensin oscilar entre el valor mximo de la tensin de entrada y
el mismo valor negativo (+Vcc, -Vcc).

Figura 1.13. Seales de salida del control bipolar.

- En el caso unipolar, para cada ciclo de conmutacin, la tensin variar entre el valor
+Vcc y 0 o bien entre Vcc y 0, dependiendo de en qu semiciclo de la onda
moduladora nos encontremos.

Figura 1.14. Seales de salida del control unipolar.
MEMORIA DESCRIPTIVA

22
La ventaja principal de la configuracin unipolar es la reduccin de los armnicos en
la seal se salida y menos prdidas de conmutacin. Como inconveniente, puede aparecer
distorsin de cruce y adems esta configuracin requiere de dos seales distintas de
control, pero como estar realizado mediante un dsPIC, el aumento de seales no dificulta
su diseo.
La estrategia utilizada en la conmutacin del puente ser alternar la conmutacin de
cada par de transistores en cada semiciclo de 50 Hz, trabajando solamente un par de
transistores a la vez.

Figura 1.15. Transistores S1 (OFF), S4 (ON) sin conmutar y S2, S3 conmutando
durante un semiciclo negativo.

Figura 1.16. Transistores S2 (ON), S3 (OFF) sin conmutar y S1, S4 conmutando
durante el semiciclo positivo.

RL
L
C
Boost
Cuadrtico
S1 S3
S2
S4
RL
L
C
Boost
Cuadrtico
S1 S3
S2
S4
MEMORIA DESCRIPTIVA

23
1.4.4.3 Feedforward

El control feedforward o consiste en detectar las perturbaciones en la entrada de la
planta y aplicar una correccin en la seal, antes que la salida se vea afectada,
anticipndose al error de seal.
Si la tensin de salida del boost o entrada del inversor es mayor a la de consigna, se
disminuye el ciclo de trabajo de los transistores activos del puente para que a la salida se
mantenga el mismo valor til, en cambio, si la tensin del boost disminuye, el ciclo de
trabajo debe aumentar en la misma proporcin.

Este control es sencillo y de fcil implementacin, no obstante, como limitacin tiene
que no cambia las caractersticas de estabilidad de la planta. Si la planta es estable en lazo
abierto, cuando se aplique control, permanecer estable, si por el contrario la planta es
inestable, la aplicacin de control feedforward puro no podr, normalmente, estabilizar la
planta si fuese necesario.
Esto se debe a que, el esquema de control feedforward no utiliza informacin de la
variable controlada, no existe retroalimentacin hacia el controlador del valor de dicha
variable a diferencia del feedback.

Figura 1.17. Diagramas de los controladores feedforward y feedback.

Puesto que el puente inversor es un circuito estable en lazo abierto, dicha limitacin
no afecta a esta aplicacin.

MEMORIA DE CLCULO

24


2. MEMORIA DE CLCULO


AUTOR: Saiou Wu Fu

MEMORIA DE CLCULO

25
2 MEMORIA DE CLCULO
2.1 Boost cuadrtico
2.1.1 Bobinas
El tamao de las bobinas se calcular conforme el rizado de la corriente de cada
etapa del boost cuadrtico. Las exigencias de rizado de corriente en ambas bobinas son de
un mximo de 50% de su valor medio.
El ciclo de trabajo segn (1.6) para ambos transistores es:

()

(2.1)

La frmula utilizada para su clculo es la de un boost convencional ya que cada etapa
se puede analizar por separado [8]:

(2.2)

Figura 2.1. Esquema de un convertidor boost cuadrtico.

MEMORIA DE CLCULO

26
2.1.1.1 Bobina 1
La tensin de entrada del primer boost es el de la fuente:
(2.3)
La corriente de la primera bobina es la corriente de la entrada, el rizado pico-pico
ser la mitad que sta:

(2.4)

(2.5)
El valor mnimo de la bobina, para una frecuencia de conmutacin de 20 kHz es el
siguiente:

(2.6)

El valor final escogido para la primera bobina es de .

2.1.1.2 Bobina 2
La tensin de entrada del segundo boost es la tensin de la fuente por la ganancia del
primer boost:

(2.7)

La corriente de la segunda bobina se puede obtener dividiendo la potencia entre
tensin de entrada del segundo boost:

(2.8)

(2.9)

Segn los clculos anteriores, el valor mnimo de la bobina es el siguiente:

(2.10)

El valor final escogido para la segunda bobina es de .

MEMORIA DE CLCULO

27
2.1.2 Condensadores

Las exigencias de rizado de tensin para el primer condensador sern de un mximo
del 10% mientras que para el segundo ser solamente del 1% de su valor medio. La
frmula utilizada para su clculo es la de un boost convencional, pudindose analizar cada
etapa por separado [8]:

(2.11)

2.1.2.1 Condensador 1
La tensin de salida del primer boost es la tensin de la fuente por su ganancia:

(2.12)

(2.13)

La corriente de salida del primer boost se puede obtener dividiendo la potencia entre
la tensin de salida:

(2.14)

Sustituyendo valores, el valor mnimo del condensador ser el siguiente:

(2.15)

El valor final elegido ha sido de realizado mediante dos condensadores
electrolticos de . En un principio se iban a utilizar condensadores cermicos de
menor capacidad pero debido a un error por parte de la empresa suministradora, se ha
tenido que utilizar solamente electrolticos.

MEMORIA DE CLCULO

28
2.1.2.2 Condensador 2

La tensin de salida exigida del segundo boost es de:
(2.16)
(2.17)

La corriente de salida ser:

(2.18)

El tamao mnimo del segundo condensador ha de ser:

(2.19)

Para asegurar un rizado mnimo en la salida, evitando perturbar al inversor y
minimizar las perturbaciones realizadas por ste, el valor del condensador escogido ha sido
de , realizado mediante la asociacin en paralelo de dos electrolticos y
, uno cermico de y uno de pelcula de polipropileno de 4.7 . Ese valor 37
uF es casi 10 mayor de lo previsto pero incluso con esta capacidad, se tiene un rizado de 3
Vpp, ver Figura 4.9. Esto se debe al alto valor de la resistencia serie de los condensadores
comerciales, y adems la frmula (2.19) es vlida solo para condensadores ideales sin
resistencia parsita.

2.1.2.3 Condensador de entrada
Se ha colocado un condensador electroltico de 1000 F en conjunto con uno
cermico de 10 F en la entrada del convertidor para minimizar las posibles perturbaciones
que pueda ocasionar el convertidor a la fuente de alimentacin.

2.1.3 Transistores

Los interruptores usados sern transistores MOSFET de potencia de canal N.
La seleccin de los MOSFET se ha basado en los siguientes requisitos:
- Una tensin drenador-surtidor (V
DS
) capaz de bloquear la tensin de salida
requerida y sus sobrepicos en rgimen transitorio.
- Capaz de soportar la corriente requerida en el drenador (I
D
).
- Una resistencia interna (R
DS
) pequea para tener pocas perdidas en conduccin.
- Tiempos de cambio de estado rpidos para tener pocas prdidas de conmutacin.

MEMORIA DE CLCULO

29
2.1.3.1 MOSFET 1
El MOSFET seleccionado es el IRFP4110PBF, con los siguientes parmetros:

V
DS
100 V
I
D
(25C) 120 A
R
DS(ON)
4.5 m
V
GS
20 V
T
Rise
67 ns
T
Fall
88 ns
T
delay_ON
25 ns
T
delay_OFF
78 ns
C
iss
9620 pF
C
oss
670 pF

Tabla 1. Parmetros del primer MOSFET.
Las prdidas de conduccin de los transistores y de conmutacin de interruptores
con carga inductiva se pueden calcular mediante las siguientes frmulas [8]:

()

(2.20)

(2.21)

Para este MOSFET, las prdidas son las siguientes:

(2.22)

(2.23)

Las prdidas totales en el MOSFET son:

(2.24)

MEMORIA DE CLCULO

30
2.1.3.2 MOSFET 2
El MOSFET seleccionado es el IPW60R041C6, con los siguientes parmetros:
V
DS
650 V
I
D
(25C) 77.5 A
R
DS(ON)
41 m
V
GS
20 V
T
Rise
10 ns
T
Fall
7 ns
T
delay_ON
23 ns
T
delay_OFF
130 ns
C
iss
6530 pF
C
oss
360 pF

Tabla 2. Parmetros del segundo MOSFET.

Las prdidas del segundo MOSFET en el punto de trabajo requerido son:

(2.25)

(2.26)

Las prdidas totales en el MOSFET son:
(2.27)

2.1.4 Diodos
En la eleccin de los diodos se ha tenido en cuenta los siguientes parmetros:
- Capaz de bloquear la tensin del convertidor y sus sobrepicos transitorios.
- Capaz de soportar la corriente de trabajo del convertidor.
- Una tensin umbral (V
F
) pequea para un menor calentamiento del
componente y menores prdidas en conduccin.
- Rapidez de conmutacin para trabajar en altas frecuencias, para tener pocas
prdidas de conmutacin.

MEMORIA DE CLCULO

31
2.1.4.1 Diodo 1
Se ha escogido el MBR30H100CTG capaz de conducir corrientes de hasta 30 A,
bloquear tensiones de 100 V y con una cada de tensin en conduccin mxima de 930
mV. Este diodo es de tipo Schottky, que a diferencia de los bipolares, no tiene tiempo de
recuperacin, haciendo que su tiempo de respuesta sea muy rpida, alrededor de 100 ps o
10 ns en diodos de alta potencia.

La calcular las prdidas en conduccin de los diodos se utiliza (2.28) mientras que
para las de conmutacin sigue siendo (2.21) ya que es el mismo tipo de carga.
( ) (2.28)

Las prdidas del primer diodo son:

( )

(2.29)

(2.30)

Siendo las prdidas totales:
(2.31)

2.1.4.2 Diodo 2
Se ha escogido el 8ETX06FPPBF, capaz de conducir hasta 8 A, bloquear 600 V y
una tensin umbral mxima de 3 V. Este diodo est catalogado como ultrarrpido y por lo
tanto tiene un tiempo de recuperacin bastante bajo, de 16 ns, a pesar de no ser Schottky.
Las prdidas del segundo diodo son las siguientes:

( ) (2.32)

(2.33)

Sumando ambas prdidas:

(2.34)

MEMORIA DE CLCULO

32
2.1.5 Disipador
Aun sin llegar a la temperatura mxima soportable por los interruptores, la
temperatura alcanzada podra afectar al funcionamiento de los elementos cercanos, por lo
tanto se ha decidido colocar un disipador grande para toda la placa del boost con una
resistencia trmica de 1 C/W para asegurar una baja temperatura. El disipador utilizado
venia prefijado desde el principio. Dado que se utilizar un nico disipador para los cuatro
interruptores, se ha de colocar entre stos un aislante elctrico y conductor trmico, su
resistencia trmica es de 0.28 C/W.
MOSFET 1 MOSFET 2 Diodo 1 Diodo 2
T
max
(C) 175 150 175 175
R
junction-case
(C/W) 0.402 0.26 2 4.3
R
junction-ambient
(C/W) 40 62 60 70
P
perdida
(W) 1.648 1.052 1.487 0.943
Tabla 3. Caractersticas de los diferentes interruptores.

Teniendo en cuenta una temperatura ambiente de 25 C y sumando las potencias
calculadas anteriormente, la temperatura alcanzada en el disipador es de:
(2.35)

Una vez comprobada que la temperatura del disipador presenta un valor muy
aceptable, se procede a verificar que las temperaturas de las uniones de los diferentes
interruptores no superen las mximas indicadas en la hoja de caractersticas.
)
(2.36)

Aplicando (2.36) las temperaturas de las uniones en los dispositivos son:

( ) (2.37)

( ) (2.38)

( ) (2.39)

( ) (2.40)
2.1.6 Sensado de corriente
Para el sensado de corriente se usar el sensor LEM LA25 de efecto Hall ya que asla
el circuito de potencia con el de control y da en la salida una seal de corriente
proporcional y reducida a la de la entrada. Mediante una resistencia obtendremos una
tensin proporcional a la corriente de salida. La resistencia de medida (R
M
) recomendada
por el fabricante es de 100-320 .
MEMORIA DE CLCULO

33
Este sensor es capaz de medir corrientes de 35 A, se tiene que alimentar
simtricamente a 15 V y posee un ancho de banda de 150 kHz, suficiente para nuestra
aplicacin.
En la siguiente tabla se puede ver el nmero de vueltas que se pueden dar al
bobinado primario y las caractersticas del sensor segn stas:
Tabla 4. Caractersticas segn las vueltas del bobinado [12].

Puesto que la corriente media a sensar es de 8.333 A, la configuracion usada ser de
2 vueltas en el primario para tener una resolucion adecuada sin que se llegue a perder
ningun valor en caso de aumento de corriente. Aunque la corriente nominal de trabajo con
3 vueltas se acerca mas a la del boost, se ha considerado que la corriente mxima es
demasiado justa.

La resistencia R
M
usada sera de 100 para tener una tensin a escala 1:4 de la
corriente.
IL1 entrada
sensor
IL1 salida
sensor
IL1 entrada
comparadores
Nominal 12 A 24 mA 2.4 V
Mxima 18 A 36 mA 3.6 V

Tabla 5. Conversion de magnitudes de la corriente sensada.

2.1.7 Sensado de tensin
En el sensado de tensin se usar un divisor de tensin con una ganancia 1/100. Para
ello se utilizarn resistencias de montaje superficial de 430 k, 560 k y 10 k capaces
de soportar una potencia mxima de 0.25 W.
MEMORIA DE CLCULO

34

Figura 2.2. Esquema del divisor de tensin de la etapa de sensado.

La potencia nominal de trabajo que soportarn las resistencias es la siguiente:

(2.41)

2.1.8 Drivers
Los Drivers utilizados en ambos transistores son el MCP1407A con una
alimentacin de 4.5 V a 18 V segn la tensin requerida en la salida.
El montaje circuital del driver es el siguiente:

Figura 2.3. Montaje circuital de drivers de MOSFETS.

460 k
10 k
Boost
Cuadrtico
+
350 V
-
+
3.5 V
-
530 k
MEMORIA DE CLCULO

35
Caractersticas del montaje:
- Se alimentar el driver a +15 V para tener una tensin de disparo del MOSFET de
dicho valor.
- Se colocarn condensadores de desacoplo para filtrar las posibles perturbaciones y
mantener la alimentacin del driver a +15 V frente a la cada de tensin del
conductor.
- En la puerta del MOSFET se aadir un diodo Zener (D3) de 16 V que lo
proteger de sobretensiones y una resistencia (R5) de 10 k para ayudar a
descargar la puerta del transistor en OFF.
- Se colocar entre la salida del driver y la puerta del transistor una resistencia (R4)
de 3.3 para el primer MOSFET, y una de 2.2 para el segundo. De esta forma
se establecer la misma constante de tiempo de activacin adecuada para ambos.

2.1.9 Anlisis del boost cuadrtico
2.1.9.1 Topologa ON
En este estado, el inductor L1 va almacenando energa de la entrada, L2 se alimenta
de la energa cedida por C1; y C2 la cede a la carga de salida.

Figura 2.4. Convertidor con los MOSFETs cerrados.

Si se analiza el circuito se obtiene que:

(2.42)

(2.43)

(2.44)

(2.45)

L1 L2
C1 C2 RL
Vin
MEMORIA DE CLCULO

36
Representndolo de forma matricial segn (1.10):

]
[

(2.46)

(2.47)

[

] [
]
(2.48)

(2.49)

2.1.9.2 Topologa OFF
El inductor L1 cede energa la C1 y L2 mientras que L2 la cede en C2 y a la carga.

Figura 2.5. Convertidor con los MOSFETs abiertos.
Si se analiza el circuito se obtiene que:

(2.50)

(2.51)

(2.52)

(2.53)
L1 L2
C1 C2 RL
Vin
MEMORIA DE CLCULO

37
Representndolo de forma matricial segn (10):

]
[

(2.54)

(2.55)

[

] [
]
(2.56)

(2.57)

2.1.9.3 Modelo promediado

A partir de los modelos en ON y OFF se puede escribir el modelo promediado:
[
( ))] [
( )]
(2.58)
[
( )]
(2.59)

2.1.9.4 Modelo promediado en pequea seal
Para el anlisis del punto de trabajo, se sustituyen las variables por sus modelos en
pequea seal:

(2.60)

(2.61)

(2.62)
(2.63)

(2.64)

Dado que derivada de una constante es nula (
):

(2.65)
MEMORIA DE CLCULO

38
De este modo, el modelo promediado en pequea seal queda de la siguiente forma:

)] (
)
[
)] (
)

(2.66)

)] (
)
(2.67)

Desarrollndolos se obtiene:

(2.68)

(2.69)

Los elementos con dos trminos de perturbacin o con dos trminos en el punto de
trabajo se pueden considerar nulos, quedando (2.65) y (2.66) de la forma siguiente:

)] [
)]

(2.70)

[
)] [

(2.71)

Teniendo en cuenta:

)]
(2.72)
)]
(2.73)
)]
(2.74)

Se obtiene el modelo promediado en pequea seal:

(2.75)

(2.76)

MEMORIA DE CLCULO

39
2.1.9.5 Transformada de Laplace
Para la obtencin de las funciones de transferencia del convertidor se procede a
realizar la transformada de Laplace de 2.72 y 2.73.
() [
[[
()
()
()]
(2.77)
()
[[
()
()
()]
[
()

(2.78)

2.1.9.6 Funciones de transferencia
- Funcin de transferencia salida/ciclo de trabajo, sin variaciones en la entrada ( )
y teniendo en cuenta que Bon=Boff , Con=Coff y condiciones iniciales nulas:
()
()

(2.79)
Tras realizar multiplicar las matrices, se puede poner la funcin del siguiente modo:

()
()

(2.80)
- Funcin de transferencia salida/entrada, sin variaciones en el ciclo de trabajo (
()
) y teniendo en cuenta que
y condiciones iniciales nulas:

()
()

(2.82)

Donde:

(2.81)

MEMORIA DE CLCULO

40
2.1.9.7 Estudio de la estabilidad
Para estudiar la estabilidad del sistema, se aplicar el criterio de Routh sobre el
denominador de la planta:

(2.85)

Analizando la primera columna, se observa que la planta es estable siempre que los
valores de los componentes y la carga sean mayores que cero y que el convertidor trabaje
como elevador.

MEMORIA DE CLCULO

41
2.2 Control en modo deslizante para el convertidor
2.2.1 Estudio del control deslizante
Para el estudio del control en modo deslizante, se seguirn los siguientes pasos:
1. Eleccin de una superficie de deslizamiento.
2. Comprobacin de la existencia de un modo de deslizamiento en torno a la
superficie de conmutacin mediante la condicin de transversalidad.
3. Obtencin del control equivalente.
4. Obtencin de la dinmica de deslizamiento ideal del sistema entorno a la
superficie de conmutacin, a partir de las condiciones de invarianza.
6. Obtencin del punto de equilibrio de la dinmica de deslizamiento ideal.
7. Comprobacin de la estabilidad de la dinmica linealizndola en torno al punto de
equilibrio.
2.2.1.1 Eleccin de una superficie

Si bien la superficie de deslizamiento real utilizada en el sistema es:
()
))
(2.86)
Debido a que el valor de k es generado mediante la diferencia entre la tensin de
salida y la de referencia, como se puede apreciar en la siguiente figura.

Figura 2.8. Esquema de control del boost cuadrtico.
En el estudio de la estabilidad del control sobre el sistema, normalmente se considera
k como constante ya que la dinmica del lazo de tensin es muy lenta respecto al de
corriente. Esto es, la tensin de referencia V
ref
es fija y la variacin de V
out
es relativamente
baja frente a la de I
L1
y el error que se comete considerando k constante es mnimo.
En este anlisis, se ha decidido obtener la funcin de transferencia que relaciona la
salida con la k y por lo tanto no se la ha considerado constante.

MEMORIA DE CLCULO

42
2.2.1.2 Obtencin del modelo bilineal
Mediante los modelos ON y OFF del convertidor, se obtiene el modelo bilineal del
convertidor:

( ) ( ) (2.87)

(2.88)

(2.89)

(2.90)

(2.91)

2.2.1.3 Existencia de deslizamiento
Para comprobar que el sistema tiende a la superficie de deslizamiento es necesario
comprobar la condicin de transversalidad:

( )

(2.92)

Siendo el gradiente del convertidor:

[
] [ ]

(2.93)

Se obtiene:

( ) [ ]
[

(2.94)

La condicin de transversalidad se cumple siempre que
. Dado que

esta condicin se cumple.

MEMORIA DE CLCULO

43
2.2.1.4 Obtencin del control equivalente
Una vez cumplida la condicin de transversalidad, se ha optado por obtener el
control equivalente a partir de (2.82):

()
(2.95)
()

(2.96)

(2.97)

(2.98)

2.2.1.5 Dinmica de deslizamiento ideal
Sustituyendo la expresin de la variable de estado por el valor adoptado bajo
condiciones de dinmica ideal y la variable de control por el control equivalente se obtiene
la dinmica de deslizamiento ideal. Dado que sta se determina mediante la ley de control,
este sistema de orden cuatro pasar a ser de orden tres:

)
(2.99)

)
(2.100)

)
(2.101)
2.2.1.6 Variables en el punto de equilibrio
Para calcular las variables en el punto de equilibrio, sin tener en cuenta el rizado, se
ha considerado que las variables de estado y la superficie de deslizamiento tienen valores
constantes, siendo sus derivadas nulas:

(2.102)

)
(2.103)

)
(2.104)

)
(2.105)
MEMORIA DE CLCULO

44
Sustituyendo valores, las variables en el punto de equilibrio son:
(2.106)

(2.107)

(2.108)

(2.109)
2.2.1.7 Linealizacin de las ecuaciones

Sustituyendo u
eq
en las ecuaciones de estado:

(2.110)

(2.111)

(2.112)

Se realiza una aproximacin lineal formada por las derivadas parciales de las
funciones anteriores:

(2.113)

(2.114)

(2.115)

Siendo:

MEMORIA DE CLCULO

45

(2.116)
2.2.1.8 Transformada de Laplace
Se realiza la transformada de Laplace del sistema de ecuaciones linealizado:

()
()
()
()
()
() (2.117)

()
()
()
()
() (2.118)

()
()
()
()
()
() (2.119)

Desarrollando el sistema de ecuaciones anterior, se obtiene la funcin (2.120):

() [ (
]
() [ (
) (
)]

() [ (
) (
)]

(2.120)

Donde:

(2.121)

2.2.1.9 Funciones de transferencia
Sustituyendo los valores numricamente, se obtiene, mediante Matlab, las siguientes
funciones de transferencia:
- Funcin de transferencia salida/k

()
()

(2.122)

MEMORIA DE CLCULO

46

Figura 2.9. Diagrama de Bode salida/k.

- Funcin de transferencia salida/entrada

()
()

(2.123)

Figura 2.10. Diagrama de Bode salida/entrada.

Las funciones de transferencia se han obtenido mediante la sustitucin de valores
en el Matlab, stos son realmente de un orden menor del que se muestran (2.122) y (2.123)
ya que en cada funcin hay una superposicin de un polo y un cero.
MEMORIA DE CLCULO

47
No obstante, la representacin de los diagramas est realizada correctamente y se
puede apreciar unos amplios mrgenes de fase de 75 y 79 que aseguran una estabilizacin
con pocas oscilaciones.
Siendo la mitad de la frecuencia de conmutacin aproximadamente de 10 kHz
(63000 rad/s), las representaciones anteriores son vlidas para todas las frecuencias
mostradas.
2.2.1.10 Estabilidad
Aplicando el criterio de Routh al denominador de la planta, se puede comprobar que
todos los elementos de la primera columna son positivos, indicando que no hay polos en el
semiplano derecho y que, por lo tanto, el sistema de control con la ley de control y el punto
de trabajo escogido es estable.

(1.124)

2.2.1.11 Discretizacin del control PI
Como se ha explicado anteriormente, la corriente de la primera bobina (I
L1
) se
deslizar siguiendo la referencia de corriente, la cual se crear mediante un lazo PI a partir
del error de tensin de salida, esto es la diferencia entre la tensin de salida del boost
cuadrtico y la de consigna.
Para realizar un control PI digital, se necesita poner la expresin del controlador
como ecuacin de diferencias en el dominio temporal.

Siendo el control PI en dominio s de la siguiente forma:

(2.125)
Se utilizar la aproximacion de Tustin (2.126) para pasarlo al dominio z:

(2.126)

(
) (

(2.127)

Se desarrolla el controlador hasta obtener la expresion como ecuacion de diferencias:

()
()

(2.128)
() ( ) () (
) (2.129)
MEMORIA DE CLCULO

48
() () ()
()
(2.130)
() ()
()
()

(2.131)
() ()
()
()
(2.132)

Transformada z inversa:
() ( ) ()
( )
(2.133)
() ( ) ()
( )
(2.134)

Se deduce de (2.134) que los parametros minimos que se deben conocer para realizar
el control PI de una forma correcta son los errores de tensin de salida actual y anterior, y
el valor de la referencia de corriente en el ciclo anterior.
2.2.2 Programacin del control mediante el dsPIC30F2020
Se ha escogido el microcontrolador dsPIC30F2020 de la marca Microchip por
disponer de varios mdulos PWM avanzados capaces de generar los diferentes ciclos de
trabajo para el convertidor y el inversor, al menos dos comparadores analgicos para
implementar el control deslizante continuo y un convertidor analgico digital (CAD) capaz
de realizar conversiones a una elevada frecuencia.
En la figura siguiente se puede ver el encapsulado escogido y las diferentes
configuraciones de sus pines.

Figura 2.11. Diagrama de pines del dsPIC30F2020 [10].

A continuacin se detallan los diferentes mdulos utilizados, as como su
programacin y lgica de funcionamiento.
2.2.2.1 Convertidor Analgico/Digital
El convertidor A/D muestrear la tension de salida del boost cada 50 s, previo paso
por un divisor de tension que adapta y reduce la tension en un factor 100.
Para optimizar los recursos, el tiempo de disparo no est controlado por un contador
interno sino por el PMW 2, utilizado para el puente inversor.
MEMORIA DE CLCULO

49
Se trabajar con fraccionales ya que la diferencia de magnitudes entre los valores
sensados y las constantes de control requieren el uso de nmeros decimales, y las
operaciones en coma flotante gastan mucho tiempo de ejecucin.
Los nmeros fraccionales en el dsPIC30f2020 son cifras de 10 bits, 1 bit de signo y 9
de magnitud que comprenden valores entre 1 y -1.
Tal como se ve en la figura siguiente, el dato de la conversin est situado en las
primeras 10 cifras ms significativas del registro ADCBUF0.

Figura 2.12. Presentacin de los datos del ADC segn el modo de trabajo [10].
La operacin ejercida para la obtencin de un nmero fraccionario se describe de la
siguiente forma:

(2.135)

A continuacin se ha puesto un ejemplo de la obtencin de nmeros fraccionarios
realizados con cuatro bits.
Signo /2 /4 /8 Fraccionario
0 0 0 0 0
0 0 0 1 0,125
0 0 1 0 0,25
0 0 1 1 0,375
0 1 0 0 0,5
0 1 0 1 0,625
0 1 1 0 0,75
0 1 1 1 0,875
1 0 0 0 -1
1 0 0 1 -0,875
1 0 1 0 -0,75
1 0 1 1 -0,625
1 1 0 0 -0,5
1 1 0 1 -0,375
1 1 1 0 -0,25
1 1 1 1 -0,125

Tabla 6. Nmeros fraccionarios de 3 bits de magnitud y 1 de signo.
MEMORIA DE CLCULO

50
Al finalizar una conversin, el CAD genera una interrupcin que llama a una rutina
de servicio a la interrupcin (RSI), donde se implementa el control PI.
Para realizar la suma de productos del control en fraccionario se har uso de la
funcin VectorDotProduct() predefinida en la librera dsp.h [11].
Pasados dos punteros de vector y un valor entero n, dicha funcin va realizando el
sumatorio del producto de los elementos de los vectores desde uno hasta n.
() ()

(2.136)

Se ha puesto una limitacin del valor mximo que puede alcanzar la corriente de
referencia, haciendo que el valor computado de Iref no pueda superar al valor establecido
de Imax.
Si la Iref toma valores por debajo del ancho de histresis, este ltimo tambin se
reduce para que la superficie permanezca centrada en Iref: el lmite inferior de la superficie
adquiere un valor mnimo positivo y el lmite superior se adecua para que sea equidistante.
Si la Iref baja de un valor mnimo, se apaga el convertidor para evitar un mal
funcionamiento.
La imagen siguiente ilustra los diferentes comportamientos de la superficie de
deslizamiento.

Figura 2.13. Comportamiento de la superficie de deslizamiento en regiones lmites.

MEMORIA DE CLCULO

51
2.2.2.2 Comparadores analgicos
Para implementar el sliding se har uso de los comparadores analgicos integrados
en el dsPIC30f2020.

Figura 2.14. Esquema de un mdulo comparador del dsPIC [10].
Los comparadores utilizados sern el CMP1 y CMP2 que se configurarn de modo
que sus bornes positivos se conecten al mismo pin de entrada del micro controlador, el pin
utilizado es el 4.
Sus bornes negativos tomarn referencias internas con valores comprendidos entre 0
y 2.5 V dependiendo del valor que se coloque en los registros CMPDACx de 10 bits.
El CMP1 controlar el lmite superior de corriente, el CMP2 controlar el lmite
inferior y tendr su salida negada.
Al ponerse a nivel alto la salida del comparador 1, activar el modo Current Limit
del PWM1 y al ponerse a nivel alto la salida del comparador 2, activar el modo Fault,
estos modos realizarn el deslizamiento de la superficie.
2.2.2.3 Mdulo PWM
El mdulo escogido para realizar el control del boost ser el PWM1, que no
funcionar como tal sino que se configurar para que acte como un biestable SR tal que al
entrar en el modo Current Limit, sus pines de salida se vern forzadas a estar a nivel alto y
se resetearan al entrar en modo Fault.
Tal como se puede ver en las figuras, los comparadores seleccionados mediante los
registros CLSRC y FLTSRC forzarn a los pones de salida del PWM1 a los valores de
CLDAT y FLTDAT, dichos registros contienen 1 y 0 respectivamente.

MEMORIA DE CLCULO

52

Figura 2.15. Esquema de un mdulo generador de PWM en modo Current Limit
[10].

Figura 2.16. Esquema de un mdulo generador de PWM en modo Fault [10].

Para evitar que el generador de PWM resetee los valores de los pines en cada ciclo y
trabaje sncronamente, se ha configurado su periodo y para que sea mucho mayor de 50 s.
MEMORIA DE CLCULO

53
2.3 Puente inversor completo
2.3.1 Transistores
Los cuatro interruptores utilizados en el puente inversor son transistores MOSFET
STW45NM50.
En la tabla siguiente se pueden ver sus parmetros principales:
V
DS
550 V
I
D
(25C) 45 A
R
DS(ON)
100 m
V
GS
30 V
T
Rise
107.5 ns
T
Fall
87.7 ns
T
delay_ON
26.5 ns
T
delay_OFF
21.6 ns
C
iss
3700 pF
C
oss
610 pF
T
max
150 C
R
j-c
0.3 C/W
R
j-a
30 C/W

Tabla 7. Parmetros principales del STW45NM50.
Dada la baja intensidad de corriente que circula por los interruptores y el escaso
calentamiento que sufren, la placa el puente inversor est ausente de disipador.

2.3.2 Drivers
La placa dispone de dos drivers IR21834, controlando cada una el MOSFET de lado
alto y bajo de cada rama.
Estos drivers permiten, mediante una resistencia, el ajuste del tiempo muerto entre la
conexin y desconexin de los transistores para evitar el cortocircuito de la fuente de
entrada.
El tiempo muerto puede ir desde los 400 ns con una resistencia de 0 hasta los 5 s
en caso de tener una de 200 k. Para estos transistores, un tiempo muerto de 400 ns es
suficiente para no producir cortocircuito.

MEMORIA DE CLCULO

54
2.3.3 Filtro de salida
El filtro de salida ser un filtro de paso bajo de segundo orden formado por la
resistencia de carga, un condensador en paralelo y una bobina en serie a estos dos
componentes.

Figura 2.17. Esquema del filtro de salida del puente.

El criterio utilizado en la eleccin del valor de los componentes es una atenuacin
del rizado a 20 kHz del 95% sin tener ningn cambio de ganancia ni fase a los 50 Hz, con
los cual la frecuencia de corte se sita sobre los 4 kHz.
Teniendo en cuenta que la resistencia de carga debe der de 484 para tener un
convertidor de potencia nominal de 100W, los valores de los componentes sern los
siguientes:
(2.137)
(2.138)
Dada la baja intensidad de corriente que circula en la salida, el tamao de la
inductancia obtenida es perfectamente realizable. Dicha inductancia se realizar mediante
dos bobinas de 6 mH.

Con los valores escogidos y mediante (1.31), se obtiene la funcin de transferencia
siguiente:
()

(2.139)

Donde realizando (1.30) se pueden obtener los siguientes parmetros de inters:

(2.140)
(2.141)

Se ha realizado un barrido frecuencial del filtro mediante el software de simulacin
PSpice, obteniendo las siguientes grficas:
Puente
inversor
RL
L
C
MEMORIA DE CLCULO

55

Figura 2.18. Grfica de magnitud del filtro.

Figura 2.19. Grfica de la fase del filtro.
Se puede observar que se ha obtenido la atenuacin requerida con una frecuencia de
corte lo suficientemente alta para no haya ninguna modificacin de fase ni magnitud
significantes sobre los 50 Hz.
Como elemento de proteccin, la salida del filtro tambin consta de un varistor de
250 V
AC
.
2.4 Control del puente inversor
2.4.1 Programacin del PWM senoidal
Para generar un PWM de frecuencia fija a 20 kHz y un ciclo de trabajo variable de
forma senoidal se ha hecho uso del mdulo PWM del DSP. Los generadores usados para el
puente han sido el PWM 2 y PWM 3, solamente se han utilizado las salidas a nivel bajo de
dichos canales, correspondientes a los pines 22 y 24.
2.4.1.1 Inicializacin de los valores
En la generacin de un ciclo de trabajo senoidal se ha decidido crear una tabla con
los valores del ciclo ya calculados para que el microcontrolador no realice el cmputo en
cada periodo y solamente tenga que actualizar el valor del ciclo al de la tabla.
MEMORIA DE CLCULO

56
Dado que la frecuencia de trabajo es de 20 kHz y la de la seal senoidal ha de ser de
50 Hz, el nmero de valores de una tabla completa se ha establecido en 400 elementos:

Para optimizar la memoria, dada la simetra de una seal senoidal y que cada
semiciclo es generado por una rama diferente de transistores, solamente se ha creado una
tabla con una cuarta parte de los valores de un periodo completo, esto son 100 elementos
ordenados incrementalmente que van desde 0 hasta 90.

Figura 2.20. Valores absolutos de amplitud y fase que adquiere la senoidal en cada
semiciclo.

La frmula utilizada para cada valor de la tabla es la siguiente:
() (
)
(2.142)

T: valor del registro del mdulo PWM para obtener un periodo de 50 s.
DCmax: es el ciclo de trabajo mximo que al que se sometern los interruptores, se
obtiene de la divisin entre la amplitud de la senoidal y la tensin de salida del boost:

(2.143)

i: incremento de grados del ciclo de trabajo. Dado que tenemos 90 a repartir entre
100 posiciones de memoria, se har un incremento uniforme de 0.9.
/180: conversin de grados a radianes necesario para poder trabajar en el
microcontrolador.

MEMORIA DE CLCULO

57
2.4.1.2 Lgica de funcionamiento

A cada 50 s el PWM 2 genera una interrupcin que cambia PDC2 y PDC3, estos
son los registros de ciclo de trabajo del PWM 2 y PWM 3 respectivamente, y los actualiza
a uno de los valores de la tabla.
Puesto que las ramas de transistores funcionan alternamente, mientras un registro
adquiere valores de la tabla, primero en orden ascendente y luego descendente, el otro
registro permanece con un ciclo de trabajo nulo.
2.4.2 Control feedforward
Mediante el mismo registro ADCBUF0 del conversor A/D utilizado en el boost se
obtiene el valor para trabajar con el feedforward.
Aunque una multiplicacin y una divisin son operaciones que alargan mucho una
RSI, la frecuencia de trabajo del convertidor es lo suficientemente baja como para que no
se vea afectado.
As pues, para tener un cociente con una resolucin adecuada trabajando con
nmeros enteros, se utilizar el valor obtenido del ADCBUF0 en modo fractional (ver
Figura 2.12) sin ningn desplazamiento de bits como entero.

Esto da un valor mximo de 65472:

Si se desplazara el valor del registro un mximo de 6 bits a la derecha para disminuir
la magnitud del nmero sin perder resolucin, el cociente resultante de la tensin de
referencia entre la tensin medida sera un valor pequeo con presencia de decimales que
se perderan al escribirlo en el registro PDCx, si esta cantidad perdida es lo suficientemente
significante, ocasionar el malfuncionamiento del control.
Por otra parte, no se ha multiplicado la tensin de referencia por la tabla de ciclos de
trabajo en la inicializacin ya que la variable entera conde se guarda el valor se
desbordara. Por lo tanto se debe realizar el producto de la tensin de referencia y la
divisin por la tensin de salida del boost cuadrtico en la misma operacin.
La frmula utilizada para el control de los ciclos de trabajo del inversor es la
siguiente:
() ()

(2.145)

MEMORIA DE CLCULO

58
2.4.3 Protecciones
Se ha implementado una proteccin de sobretensin en la salida del boost de tal
forma que al alcanzar un valor mximo permitido, los transistores dejan de conmutar hasta
bajar su nivel, tambin se activa un LED indicativo para el usuario.
Se ha implementado una proteccin va software que mantiene en reposo el puente
inversor hasta que la tensin de salida del boost alcanza el valor de consigna deseado.
Dicha proteccin mejora el transitorio del boost ya que al estar los interruptores del
puente abiertos, ste no lo perturba mientras alcanza la tensin de referencia y adems, al
funcionar sin carga, la tensin se eleva con mayor rapidez, disminuyendo as el tiempo de
transitorio.

SIMULACIONES

59


3. SIMULACIONES


AUTOR: Saiou Wu Fu


SIMULACIONES

60
3 SIMULACIONES
Se han realizado las simulaciones pertinentes para comprobar el correcto
funcionamiento de los convertidores, as como sus controles y las exigencias de rizado de
las seales.
3.1 Boost cuadrtico en control deslizante
En este apartado se ha procedido a realizar la simulacin del convertidor con la
totalidad del control, utilizando una carga resistiva de 1225 para obtener una potencia de
100 W.

Figura 3.1. Esquema de simulacin del boost cuadrtico mediante control en modo
deslizante.

Figura 3.2. Transitorio de las tensiones Vc1 y Vc2.

SIMULACIONES

61

Figura 3.3. Comportamiento de las corrientes y la superficie de deslizamiento.
Se puede observar que el control no empieza a implementarse hasta que el umbral
inferior de conmutacin es mayor que cero. Una vez se alcanza la superficie, se ve
claramente como I
L1
se desliza siguiendo la referencia de corriente, haciendo que la tensin
de salida del convertidor aumente hasta alcanzar la de consigna, reduciendo as el error de
tensin.

Figura 3.4. Rizados de tensin.
De la Figura 3.4 se obtiene que V
c1
= 3.5 V cumplindose la exigencia de rizado
del 10% y V
c2
= 0.29 V con los que tambin se cumple el requisito del 1% de la tensin
media para componentes ideales sin presencia de ESR.
SIMULACIONES

62

Figura 3.5. Rizados de corriente.
Del mismo modo, los rizados de corriente en las bobinas (50%) concuerdan con el
tamao de los inductores calculados tericamente: I
L1
= 3.81A , I
L2
= 0.61 A.

3.2 Boost cuadrtico con puente inversor

Figura 3.6. Esquema de simulacin del inversor mediante control PWM unipolar y
feedforward.

SIMULACIONES

63

Figura 3.7. Formas de onda de las tensiones y corrientes de salida.
Ya que el puente inversor supone una carga variable para el convertidor y la
constante proporcional de control utilizada anteriormente provocan una subida ms lenta
del boost y un mayor rizado en la salida, se ha decidido incrementarlo.
Aun sin tener sobrepico en la tensin de salida del convertidor, la referencia de
corriente llega a aumentarse y disminuirse tanto en el transitorio inicial que activas las
limitaciones superiores e inferiores.
Se ve como la presencia del feedforward mantiene bien definida la senoidal de salida
del inversor aun con las variaciones en la salida del boost.

Figura 3.8. Rizado de tensin de salida mximo.

Se aprecia, en la tensin de salida filtrada, un rizado de alta frecuencia mximo de 11
V, que supone solamente un 5% de la til.

SIMULACIONES

64

Figura 3.9. Rizados de corriente de salida sin y con filtro.

Los rizados mximos de la corriente de salida sin y con filtro son 0.34 A (73%) y 41
mA (9%) respectivamente.

RESULTADOS EXPERIMENTALES

65


4. RESULTADOS EXPERIMENTALES


AUTOR: Saiou Wu Fu


66
4 RESULTADOS EXPERIMENTALES
Primeramente se ha comprobado el correcto funcionamiento de la placa del boost
cuadrtico hacindola funcionar en lazo abierto mediante una conmutacin producida por
una onda rectangular de ciclo de trabajo y frecuencia fijos.
Tambin se ha comprobado el funcionamiento de la placa del puente inversor
mediante una fuente de tensin continua en la entrada y una seal de conmutacin con un
ciclo de trabajo senoidal generado por el dsPIC.
Una vez comprobadas que las placas son capaces de trabajar bajo las condiciones
nominales requeridas, se ha dispuesto a realizar, primero, las pruebas con la placa del boost
cuadrtico en lazo cerrado sin el puente inversor, y despus la conexin completa del
convertidor con el inversor y el filtro.
A continuacin se muestran las pruebas realizadas del boost cuadrtico en lazo
cerrado sin y con el puente inversor.
4.1 Boost cuadrtico sin inversor
4.1.1 Variaciones de carga
Para obtener variaciones en la salida, se ha hecho uso de una carga activa que
impone una corriente en la salida de 280 mA a nivel bajo y 330 mA a nivel alto
conmutando a 0.625 Hz.
Ch1: V
i_boost
Ch2: V
o_boost
Ch3: I
i_boost
Ch4: I
o_boost

Figura 4.1. Formas de onda con variaciones en la carga para k1=0.01 y k2=-0.009.
Se puede apreciar cmo el control del convertidor funciona correctamente frente a
las perturbaciones de salida impuestas, volviendo la tensin de salida a la de referencia
despus de un rgimen transitorio de aproximadamente 270 ms.
Se ha aumentado el valor de las constantes del controlador para obtener una
correccin ms abrupta del error y as tener unos sobrepicos y subpicos de tensin
menores, no obstante, se ha comprobado que dicha reduccin es prcticamente

67
inapreciable para valores que doblan y cuadriplican las constantes utilizadas inicialmente.
Esto es debido a la gran capacidad colocada en la salida que provoca una dinmica del
sistema muy lenta.
Ch1: V
i_boost
Ch2: V
o_boost
Ch3: I
i_boost
Ch4: I
o_boost

Ch1: V
i_boost
Ch2: V
o_boost
Ch3: I
i_boost
Ch4: I
o_boost

En las Figuras 4.1, 4.2 y 4.3 se pueden apreciar unos sobrepicos y subpicos de la
tensin de salida parecidos que rondan el 8%. Si bien la tensin de salida apenas se ve
afectada, s que se ve un aumento de la inestabilidad de la corriente de la bobina a medida
que se aumentan las constantes.


68
4.1.2 Variaciones de lnea

Para realizar las variaciones de lnea, se ha usado un test de regulacin de lnea con
dos fuentes de alimentacin, a 10 V y 14 V. Se ha escogido una frecuencia de conmutacin
parecida a la utilizada en las variaciones de carga para su comparacin.

Ch1: V
i_boost
Ch2: V
o_boost
Ch3: I
i_boost
Ch4: I
o_boost

Figura 4.4. Formas de onda con variaciones en la lnea para k1=0.01 y k2=-0.009.

Se puede apreciar que la regulacin de la tensin de salida se realiza correctamente
para variaciones de salida, teniendo un sobrepico de tensin del 12%, un subpico del 10%
y un tiempo de establecimiento de unos 200 ms en ambos casos.
Al igual que en el apartado anterior, se ha usado primeramente las constantes
nominales y luego se ha ido aumentando su valor para observar las respuesta del
convertidor a stas.


69
Ch1: V
i_boost
Ch2: V
o_boost
Ch3: I
i_boost
Ch4: I
o_boost

Figura 4.5. Formas de onda con variaciones en la lnea para k1=0.04 y k2=-0.036.

Para unas constantes aumentadas por cuatro, se puede apreciar la existencia de
sobrepicos, subpicos y una reduccin del tiempo de establecimiento de la corriente de
entrada, que se traduce en una ligera reduccin de la misma en la tensin de salida.
4.1.3 Seales de entrada y salida
Ch1: V
i_boost
Ch2: V
o_boost
Ch3: I
i_boost
Ch4: I
o_boost

Figura 4.6. Formas de onda de entrada y salida en rgimen permanente.
Se puede ver que el control ejercido sobre el convertidor mantiene la salida al nivel
deseado con un cierto rizado entorno al punto de trabajo.


70
4.1.3.1 Transitorio inicial
Se muestran las imgenes del sistema en el rgimen transitorio inicial y su
comportamiento en funcin de las constantes del PI.
Ch1: V
i_boost
Ch2: V
o_boost
Ch3: I
i_boost
Ch4: I
o_boost

Figura 4.7. Formas de onda de entrada y salida en rgimen transitorio, k1=0.01 y
k2=-0.009.
Se aprecia una subida conservadora, sin sobrepicos y lenta, de unos 400 ms. Como
se ha mencionado con anterioridad, esto es debido a la lentitud de la dinmica de la tensin
de salida y, tambin al elevado valor que ha de adquirir respecto a los 12 V de la entrada.
Ch1: V
i_boost
Ch2: V
o_boost
Ch3: I
i_boost
Ch4: I
o_boost

Figura 4.8. Formas de onda de entrada y salida en rgimen transitorio, k1=0.04 y
k2=-0.036.

71
Como en las variaciones de lnea, al cuadriplicar las constantes de control, aparece
un sobrepico en la corriente de entrada, que reduce el tiempo de establecimiento de la
tensin de salida a 300 ms.

4.1.3.2 Rizados
Ch1: V
i_boost
Ch2: V
o_boost
Ch3: I
i_boost
Ch4: I
o_boost

Figura 4.9. Formas de onda de los rizados de entrada y salida, acoplo AC.

El rizado pico-pico de la tensin de salida es de 3 V, eso es un 0.86% del valor
medio de la tensin de salida, con lo cual, las exigencias del rizado se han cumplido
bastante bien. Tambin se puede distinguir un salto de tensin considerable en la
conmutacin producida por la resistencia serie equivalente (ESR) de los condensadores.
El rizado pico-pico de la corriente de entrada es de 14 mA, eso supone tan solo un
0.15% de la corriente media.
Si bien es mnimo, tambin se puede ver un cierto rizado en la tensin de entrada as
como unos picos de conmutacin relativamente bajos pero que aumentan o disminuyen
segn la figura, debido al pinzamiento de la sonda en el momento de la medicin.


72
4.1.4 Tensiones en condensadores y corrientes de bobinas
Ch1: Vc1 Ch2: Vc2 Ch3: IL1 Ch4: IL2

Figura 4.10. Tensiones en condensadores y corriente en bobinas en rgimen
transitorio, k1=0.01 y k2=-0.009.
Las diferencias curvas de tensin y corriente del convertidor evolucionan, como era
de esperar, de la misma forma que la Figura 4.7.
4.1.4.2 Rizados
Ch1: Vc1 Ch2: Vc2 Ch3: IL1 Ch4: IL2

Figura 4.11. Rizados de tensin en condensadores (acoplo AC) y corriente en
bobinas.

73
El rizado de tensin del primer condensador es de 5 V, eso supone un 7.7% del valor
medio.
El rizado de tensin del segundo condensador se ha visto anteriormente y es de 3 V
(0.86%).
El rizado de corriente de la primera bobina es de 2.8 A, un 30% del valor medio.
EL rizado de corriente de la segunda bobina es de 0.6 A, un 39% del valor medio.
Se puede afirmar que todos los rizados cumplen con las exigencias impuestas en el
diseo.
4.2 Boost cuadrtico con puente inversor
A continuacin de muestran los resultados ms significativos del montaje final del
ondulador.
4.2.1 Seales de salida
Ch2: V
o boost
Ch3: I
o inversor
Ch4: V
o filtro

Figura 4.12. Transitorio inicial del sistema.

Se puede apreciar como la condicin de encendido del puente inversor implementada
en el dsPIC funciona correctamente y ste empieza a funcionar cuando la tensin de salida
del boost alcanza los 350 V.
Al arrancar el boost en vaco, el tiempo necesario para alcanzar la tensin de
referencia ha bajado de 400 ms a 30 ms.


74
4.2.1.2 Rizados
Ch2: V
o boost
Ch3: V
o inversor
Ch4: I
o inversor

Figura 4.13. Formas de onda de salida.

Figura 4.14. Forma de onda de la tensin de salida filtrada.
En las Figuras 4.13 y 4.14 se observan como el puente inversor aade un rizado de
100 Hz a la salida del boost, siendo ste el elemento que absorbe la gran mayora de
armnicos del ondulador e impide su inyeccin a la fuente.
Puede verse tambin el control PWM del puente realizado a tres niveles y que la
presencia de un filtro pasabajo en la salida del inversor es imprescindible en la obtencin
de una seal senoidal.


75

Ch2: V
o boost
Ch3: V
o inversor
Ch4: I
o inversor

Figura 4.15. Forma de onda de salida del boost y el inversor.

Se comprueba que la seal de tension obtenida es bastante senoidal, sin ninguna
distorison de cruce importante y un rizado de alta frecuencia de 25 Vpp (11%).


76
4.2.2 Pruebas de carga
Finalmente se han realizado las pruebas pertinentes para comprobar el correcto
funcionamiento de la proteccin a la sobretensin implementada.
Si bien en los resultados mostrados a continuacin, el lmite permitido de la tensin
de salida del boost cuadrtico es de 400 V, primeramente se rebaj a 300 V para
comprobar la correcta limitacin de la tensin sin poner en peligro las placas.
4.2.2.1 Arranque sin carga

Ch2: V
o boost
Ch3: I
o filtro
Ch4: V
o filtro

Figura 4.16. Saturacin de la tensin de salida del boost sin carga.

La limitacin implementada funciona correctamente y ambos convertidores siguen
trabajando, concretamente se ve cmo la accin del control feedforward sigue regulando la
salida.
Si bien se ha arrancado sin ninguna resistencia de carga, hay que tener en cuenta la
resistencia interna del osciloscopio, motivo por el cual aparece una pequea corriente de
salida y que se aprecia tambin en la prueba siguiente.


77
4.2.2.2 Desconexin de la carga

Ch2: V
o boost
Ch3: I
o filtro
Ch4: V
o filtro

Figura 4.17. Desconexin de la carga durante el funcionamiento del convertidor.

Figura 4.18. Detalle de la desconexin.

En esta prueba se ha realizado la desconexin de la carga durante el funcionamiento
del ondulador, observando como vuelve a saltar la proteccin de sobretensin y la ausencia
de corrientes altas que puedan daar el equipo.


78
4.3 Curvas de rendimiento
A partir de las mediciones sobre la entrada del convertidor, salida del convertidor
(tensin intermedia) y salida del inversor con el filtro para diferentes potencias y tensiones
de funcionamiento, se han obtenido las siguientes curvas de rendimiento.
4.3.1 Curvas de rendimiento regulando la entrada
En estas pruebas se ha realizado un barrido de potencia para tensiones de la fuente de
11 V, 13 V y 15 V manteniendo la tensin de salida del boost cuadrtico a 350 V y la
tensin de salida del inversor a 220 Vac.

Figura 4.19. Rendimiento del convertidor para diferentes potencias y tensiones de
entrada del convertidor.
Se puede observar que las curvas tienen forma de campana, donde a 50 W de
potencia se da el mayor rendimiento del convertidor.
Como era de esperarse, la curva de mayor rendimiento es la de mayor tensin de
entrada (15 V) puesto que el ciclo de trabajo es menor.

70%
75%
80%
85%
90%
95%
0 20 40 60 80 100 120

Potencia (W)
Curvas de rendimiento del boost cuadrtico regulando
la entrada
11 V
13 V
15 V

79

Figura 4.20. Rendimiento del inversor para diferentes potencias y tensiones de
La regulacin de la tensin de entrada no afecta, en un principio, al rendimiento del
inversor, ya que la tensin intermedia se mantiene a 350 V. Como se puede ver en la
Figura 4.20, las curvas poseen un rendimiento muy parecido para casi todas las potencias y
no hay ninguna que aventaje a las dems.
Se puede observar que a mayor potencia de funcionamiento del puente, mayor es el
rendimiento, esto se debe a que una reduccin de la potencia mediante el aumento de la
carga, supone una reduccin de la corriente de salida, que llega a bajar de los 100 mA en
25 W, provocando un funcionamiento inadecuado de los MOSFETs, as como tambin un
tiempo muerto inadecuado.

Figura 4.21. Rendimientos del sistema para diferentes potencias y tensiones de

92%
93%
94%
95%
96%
97%
98%
0 20 40 60 80 100 120

Potencia (W)
Curvas de rendimiento del inversor regulando la
entrada
11 V
13 V
15 V
72%
74%
76%
78%
80%
82%
84%
86%
88%
0 20 40 60 80 100 120

Potencia (W)
Curvas de rendimiento total regulando la entrada
11 V
13 V
15 V

80
Dado que en el convertidor es donde se da una mayor variacin del rendimiento, las
curvas del rendimiento total se aproximan a las de la Figura 4.19.
4.3.2 Curvas de rendimiento regulando la salida

Figura 4.21. Rendimiento del convertidor para diferentes potencias y tensiones de
salida del convertidor.
Se tienen unas curvas rendimiento asintticas con un mximo en los 75 W.
Si bien caba esperar que la curva de mayor rendimiento se diese para la menor
tensin intermedia (340 V), ya que el ciclo del trabajo del convertidor es menor, se ha visto
que al tener en la salida el puente inversor mediante control feedforward, esta curva no
sobresale tanto sino que incluso se produce una considerable bajada del rendimiento a
bajas potencias.

Figura 4.22. Rendimiento del inversor para diferentes potencias y tensiones de salida
del convertidor.
Al igual que en la Figura 4.20, a menor potencia se tiene menor corriente de salida; y
a mayor tensin intermedia, menor corriente de entrada en el inversor. Lo cual hace que el
84%
85%
86%
87%
88%
89%
90%
91%
0 20 40 60 80 100 120

Potencia (W)
Curvas rendimiento boost
cuadrtico regulando salida
340 V
350 V
375 V
88%
90%
92%
94%
96%
98%
100%
0 20 40 60 80 100 120

Potencia (W)
Curvas de rendimiento del inversor regulando la
salida
340 V
350 V
375 V

81
mayor rendimiento se d en el caso de mayor corriente en el inversor, esto es, menor
tensin intermedia y mayor potencia.

Figura 4.23. Rendimiento del sistema para distintas tensiones de salida del inversor
a diferentes potencias.

Como en la figura anterior, la curva de mayor rendimiento es la de menor tensin de
salida (340 V) debido al menor ciclo de trabajo del convertidor.
Ya que el rendimiento total es el producto del rendimiento del boost cuadrtico y el
puente inversor, se aprecia un rendimiento bastante estable entre los 100 W y 60 W y al
bajar de ese valor, se produce un descenso abrupto del rendimiento.

76%
78%
80%
82%
84%
86%
88%
0 20 40 60 80 100 120

Potencia (W)
Curvas de rendimiento total regulando la salida
340 V
350 V
375 V
CONCLUSIONES

82


5. CONCLUSIONES


AUTOR: Saiou Wu Fu

CONCLUSIONES

83
5 CONCLUSIONES
Como se deca al comienzo de esta memoria, se ha realizado el diseo y la
construccin de un prototipo de ondulador basado en una primera etapa formada por un
convertidor elevador y una segunda etapa compuesta por un puente inversor monofsico.
El control del convertidor se ha realizado en modo deslizante y consta de un lazo de
corriente y uno de tensin. Para el puente inversor se ha realizado un control de tensin
preventivo en su entrada.
Hay que enfatizar que ambos controles se han implementado mediante un dsPIC que
consta de las caractersticas adecuadas para el proyecto.
El grueso del control reside en el control en modo deslizante y por ello la mayor
parte del anlisis est en su estudio.
La clculo de los componentes del convertidor se ha realizado conforme a los
requisitos de rizados de corriente en las bobinas y rizados de tensin en los condensadores.
Una vez dimensionados los diferentes componentes, se ha realizado el estudio sobre
las diferentes caractersticas, como la estabilidad del convertidor en ausencia de control.
Luego se ha realizado el estudio del convertidor con control, obteniendo un control
equivalente y verificando estabilidad de la planta en lazo cerrado.
Mediante el PSIM, se han simulado ambos convertidores con sus respectivos
sistemas de control, verificando su correcto funcionamiento y el cumplimiento de los
requisitos de diseo.
Habiendo comprobado la estabilidad del convertidor, se ha procedido a la eleccin y
diseo fsico de los diferentes componentes.
A continuacin se ha procedido a la construccin de las diferentes placas, as como
de las inductancias, y a la programacin de los controles en el dsPIC.
Una vez realizado el prototipo, de han hecho una serie de pruebas comprobando el
funcionamiento de las placas, los controles y las protecciones implementadas
Las pruebas importantes realizadas son la verificacin del funcionamiento en lazo
abierto y cerrado, las variaciones de carga y de lnea, el funcionamiento en vaco,
desconexin total de la carga y pruebas de rendimiento.
Como conclusin, se puede afirmar que el control en modo deslizante es muy
robusto frente a perturbaciones externas pero es gracias a la implementacin digital que se
pueden aadir importantes protecciones y variedad de condiciones que mediante circuitera
analgica serian difciles de realizar.
A nivel personal, puedo decir que ha sido un proyecto completo donde se ha tocado
una amplia variedad de campos de la electrnica como el estudio de los convertidores
conmutados DC-DC y DC-AC, implementacin continua y discreta de los diferentes
sistemas de control: PI en modo deslizante, PWM y feedforward; programacin en
lenguaje C de un dsPIC o el diseo y optimizacin de placas PCB.

PLANOS

84


6 PLANOS


AUTOR: Saiou Wu Fu


5
5
4
4
3
3
2
2
1
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C C
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Esquema placa Boost cuadratico
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Desarrollo de un ondulador a partir de un boost cuadrtico
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Thursday, September 05, 2013
Universidad Rovira i Virgili
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X13
Vdrain1
X13
Vdrain1
1
IL2
CONNECTOR2
IL2
CONNECTOR2
.
1
.
2
IL1
CONNECTOR2
IL1
CONNECTOR2
.
1
.
2
X3
FASTON2
X3
FASTON2
1
1
2
2
+ C14
10uF
+ C14
10uF Cd8
100nF
Cd8
100nF
X14
VC1
X14
VC1
1
U3
MCP1407A
U3
MCP1407A
VDD1
1
IN
2
NC
3
GND1
4
VDD2
8
OUT2
7
OUT1
6
GND2
5
R2
560k
R2
560k
X8
conSensorI
X8
conSensorI
.
1
.
2
X15
VGND
X15
VGND
1
L1
120uH
L1
120uH
1 2
Cd5
10uF
Cd5
10uF
R5
10k
R5
10k
Q1
IRFP4110PBF
Q1
IRFP4110PBF
R4
3.3
R4
3.3
Cd2
100nF
Cd2
100nF
X2
FASTON2
X2
FASTON2
1
1
2
2
D1
DIODE_TO220_3PIN
D1
DIODE_TO220_3PIN
X1
FASTON2
X1
FASTON2
1
1
2
2
X19
Vgate1
X19
Vgate1
1
X6
conDriver2
X6
conDriver2
.
1
.
2
.
3
R3
10k
R3
10k
+ C15
10uF
+ C15
10uF
R8
430k
R8
430k
C21
330nF
C21
330nF
X20
Vgate2
X20
Vgate2
1
Cd3
100nF
Cd3
100nF
C22
10uF
C22
10uF
X5
conDriver1
X5
conDriver1
.
1
.
2
.
3
R6
3.3
R6
3.3
+ C2
1000uF
+ C2
1000uF
X9
con
X9
con
.
1
.
2
Cd6
100nF
Cd6
100nF
U2
MCP1407A
U2
MCP1407A
VDD1
1
IN
2
NC
3
GND1
4
VDD2
8
OUT2
7
OUT1
6
GND2
5
X4
FASTON2
X4
FASTON2
1
1
2
2
R7
10k
R7
10k
Cd4
10uF
Cd4
10uF
Q2
IPW60R041C6
Q2
IPW60R041C6
Cd7
10uF
Cd7
10uF
X16
Vdrain2
X16
Vdrain2
1
X7
conSensorV
X7
conSensorV
.
1
.
2
D3
DIODE ZENER
D3
DIODE ZENER
1
2
D4
DIODE ZENER
D4
DIODE ZENER
1
2
X18
T
X18
T
1
X17
VC2
X17
VC2
1
L2
4mH
L2
4mH
1 2
->
U1
LEM LA25
->
U1
LEM LA25
IN1
1
IN2
2
IN3
3
IN4
4
IN5
5
OUT1
6
OUT2
7
OUT3
8
OUT4
9
OUT5
10
M
1
1
+
1
2
-
1
3
C1
10uF
C1
10uF
D2
DIODE
D2
DIODE
3 1
Cd1
10uF
Cd1
10uF
5
5
4
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Componentes TOP placa boost cuadrtico
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Componentes BOT placa boost cuadratico
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Pistas TOP placa boost cuadrtico
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Pistas BOT placa boost cuadrtico
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Fotografia placa boost cuadrtico
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Desarrollo de un ondulador a partir de un boost cuadrti co
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+15V +15V
+15V +15V
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Grup d'Automtica i
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Esquema placa puente inversor
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Josep Maria Bosque
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100k
R4
100k
D4
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D4
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D3
16V
D3
16V R10
100k
R10
100k
R6
0R0
R6
0R0
R9
100k
R9
100k
M2
STW45NM50
M2
STW45NM50
R3
100k
R3
100k
X3
BRGCTRL1
X3
BRGCTRL1
.
1
.
2
R1
10R
R1
10R
R5
0R0
R5
0R0
C2
100n
C2
100n
R7
10R
R7
10R
C5
100n
C5
100n
M4
STW45NM50
M4
STW45NM50
R8
10R
R8
10R
C10
4,7 uF 400V MKP
C10
4,7 uF 400V MKP
R2
10R
R2
10R
C9
22 u
C9
22 u
X6
OUT
X6
OUT
.
1
.
2
X1 X1
.
1
.
2
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STW45NM50
M1
STW45NM50
U2
IR21834
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IR21834
HIN
1
LIN
2
VSS
3
DT
4
COM
5
LO
6
VCC
7
NC1
8
NC2
9
NC3
10
VS
11
HO
12
VB
13
NC4
14
D2
BYV26C
D2
BYV26C
C7
100n
C7
100n
M3
STW45NM50
M3
STW45NM50
C6
10u 50V
C6
10u 50V
C1
10u 50V
C1
10u 50V C3
1u
C3
1u
C4
1u
C4
1u
X2 X2
.
1
.
2
D8
16V
D8
16V
X5
IN
X5
IN
.
1
.
2
X4
BRGCTRL1
X4
BRGCTRL1
.
1
.
2
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BYV26C
D1
BYV26C
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D7
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D6
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IR21834
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1
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2
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Grup d'Automtica i
Electrnica
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A
2 6
1
Josep Maria Bosque
Josep Maria Bosque
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GAEI
Grup d'Automtica i
Electrnica
Industrial
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A
2 6
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Josep Maria Bosque
Josep Maria Bosque
5
5
4
4
3
3
2
2
1
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C C
B B
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GAEI
Grup d'Automtica i
Electrnica
Industrial
Componentes BOT placa puente inversor
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Josep Maria Bosque
Josep Maria Bosque
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Grup d'Automtica i
Electrnica
Industrial
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Josep Maria Bosque
Josep Maria Bosque
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Grup d'Automtica i
Electrnica
Industrial
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Josep Maria Bosque
Josep Maria Bosque
5
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4
4
3
3
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2
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C C
B B
A A
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Grup d'Automtica i
Electrnica
Industrial
Pistas TOP placa puente inversor
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Josep Maria Bosque
Josep Maria Bosque
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Grup d'Automtica i
Electrnica
Industrial
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Josep Maria Bosque
Josep Maria Bosque
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Grup d'Automtica i
Electrnica
Industrial
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Josep Maria Bosque
Josep Maria Bosque
5
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2
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D D
C C
B B
A A
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GAEI
Grup d'Automtica i
Electrnica
Industrial
Pistas BOT placa puente inversor
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Josep Maria Bosque
Josep Maria Bosque
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Grup d'Automtica i
Electrnica
Industrial
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A
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Josep Maria Bosque
Josep Maria Bosque
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Grup d'Automtica i
Electrnica
Industrial
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Josep Maria Bosque
Josep Maria Bosque
5
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3
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2
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C C
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GAEI
Grup d'Automti ca i
Electrnica
Industrial
Fotografia placa puente inversor
0
A
6 6
1
Saiou Wu Fu
Josep Maria Bosque
Title
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GAEI
Grup d'Automti ca i
Electrnica
Industrial
0
A
6 6
1
Saiou Wu Fu
Josep Maria Bosque
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GAEI
Grup d'Automti ca i
Electrnica
Industrial
0
A
6 6
1
Saiou Wu Fu
Josep Maria Bosque
5
5
4
4
3
3
2
2
1
1
D D
C C
B B
A A
!MCLR
PGD
PGC
RE6
RE7
RA9
RD0
PGD
PGC
PWM4
PWM5
PWM3
PWM2
PWM1
PWM0
RA9
RD0 RF6
RE6
RE7
AN3
AN2
AN1
AN0
!MCLR
AN4
AN5
RF6
AN4
AN5
AN3
AN2
AN1
AN0
PWM1
PWM2
PWM3
PWM4
PWM5
PWM0
5VDC
0
5VDC
0
0
0
0
5VDC
0
0 0
0
0
5VDC
5VDC
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
+15V
-15V
+15V
-15V
5VDC
0
+15V
-15V
0
0
0
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5VDC
0
Title
Size
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Customer
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GAEI
Grup d'Automtica i
Electrnica
Industrial
Esquema placa de control
0
Desarrolo de un ondulador a partir de un boost cuadrtico
A
1 6
1
Josep Maria Bosque
Josep Maria Bosque
Title
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Grup d'Automtica i
Electrnica
Industrial
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A
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Josep Maria Bosque
Josep Maria Bosque
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Grup d'Automtica i
Electrnica
Industrial
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A
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1
Josep Maria Bosque
Josep Maria Bosque
IL1
Vout
R2
1k5
R2
1k5
R21
100
R21
100
R6
470R
R6
470R
C4
10u
50V
C4
10u
50V
X15
AN3
X15
AN3
.
1
.
2
C14
100nF
C14
100nF
C13
1nF
C13
1nF
R11
470R
R11
470R
D7
ZENER5V1
D7
ZENER5V1
3
1
X4
PWRSPLY15
X4
PWRSPLY15
.
1
.
2
.
3
D12
LED_0
D12
LED_0
1
2
R15
1k5
R15
1k5
R8
470R
R8
470R
X17
AN4
X17
AN4
.
1
.
2
D9
LED_0
D9
LED_0
1
2
C5
1nF
C5
1nF
R4
1k5
R4
1k5
R5
10k
R5
10k
R18
100
R18
100
C11
22pF
C11
22pF
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10u
50V
C2
10u
50V
C12
22pF
C12
22pF
D16
LED_0
D16
LED_0
1
2
R16
10k
R16
10k
X16
PWM2H
X16
PWM2H
.
1
.
2
R23
100
R23
100
D8
ZENER5V1
D8
ZENER5V1
3
1
D10
ZENER5V1
D10
ZENER5V1
3
1
R13
100
R13
100
X2 X2
.
1
.
2
D11
ZENER5V1
D11
ZENER5V1
3
1
R14
100
R14
100
R22
100
R22
100
R19
1k5
R19
1k5
D13
ZENER5V1
D13
ZENER5V1
3
1
D3
ZENER5V1
D3
ZENER5V1
3
1
R20
10k
R20
10k
R10
100
R10
100
X20
AN5
X20
AN5
.
1
.
2
U1
dsPIC30F2020
U1
dsPIC30F2020
MCLR
1
AN0/CMP1A/CN2/RB0
2
AN1/CMP1B/CN3/RB1
3
AN2/CMP1C/CMP2A/CN4/RB2
4
AN3/CMP1D/CMP2B/CN5/RB3
5
AN4/CMP2C/CMP3A/CN6/RB4
6
AN5/CMP2D/CMP3B/CN7/RB5
7
VSS1
8
AN6/CMP3C/CMP4A/OSC1/CLK1/RB6
9
AN7/CMP3D/CMP4B/OSC2/CLK0/RB7
10
PG11/EMUD1/PWM4H/T2CK/U1ATX/CN1/RE7
11
PGC1/EMUC1/EXTREF/PWM4L/T1CK/U1ARX/CN0/RE6
12
VDD1
13
PGD2/EMUD2/SCK1/SFLT3/OC2/INT2/RF6
14
AVDD
28
AVSS
27
PWM1L/RE0
26
PWM1H/RE1
25
PWM2L/RE2
24
PWM2H/RE3
23
PWM3L/RE4
22
PWM3H/RE5
21
VDD2
20
VSS2
19
PGC/EMUC/SDI1/SDA/U1RX/RF7
18
PGD/EMUD/SDO1/SCL/U1TX/RF8
17
SFLT2/INT0/OCFLTA/RA9
16
PGC2/EMUC2/0C1/SFLT1/IC1/INT1/RD0
15
X10 X10
.
1
.
2
X8 X8
.
1
.
2
X19
PWM3H
X19
PWM3H
.
1
.
2
SW1 SW1
1
4
2
3
D14
ZENER5V1
D14
ZENER5V1
3
1
C8
1nF
C8
1nF
X13
PWM1H
X13
PWM1H
.
1
.
2
SW2 SW2
1
4
2
3
D4
ZENER5V1
D4
ZENER5V1
3
1
C10
1nF
C10
1nF
C7
100nF
C7
100nF
X9
PWM1L
X9
PWM1L
.
1
.
2
D6
LED_0
D6
LED_0
1
2
X14
PWM2L
X14
PWM2L
.
1
.
2
Y1
10MHz
Y1
10MHz
X7 X7
.
1
.
2
D1
ZENER5V1
D1
ZENER5V1
3
1
R25
10k
R25
10k
R9
1k5
R9
1k5
X11 X11
.
1
.
2
.
3
X3 X3
.
1
.
2
X12
AN2
X12
AN2
.
1
.
2
X6 X6
.
1
.
2
.
3
D15
ZENER5V1
D15
ZENER5V1
3
1
X1 X1
.
1
.
2
C9
100nF
C9
100nF
R3
10k
R3
10k
R17
100
R17
100
C3
10u
50V
C3
10u
50V
R12
10k
R12
10k
D2
LED
D2
LED
R24
1k5
R24
1k5
X5
PWRSPLY5
X5
PWRSPLY5
.
1
.
2
X18
PWM3L
X18
PWM3L
.
1
.
2
R1
100
R1
100
D5
ZENER5V1
D5
ZENER5V1
3
1
R7
100
R7
100
5
5
4
4
3
3
2
2
1
1
D D
C C
B B
A A
Title
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Document Number
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Sheet of
Customer
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Drawn by
Name Signature
GAEI
Grup d'Automtica i
Electrnica
Industrial
Componentes TOP placa de control
0
A
2 6
1
Josep Maria Bosque
Josep Maria Bosque
Title
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Sheet of
Customer
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Name Signature
GAEI
Grup d'Automtica i
Electrnica
Industrial
0
A
2 6
1
Josep Maria Bosque
Josep Maria Bosque
Title
Size
Document Number
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Sheet of
Customer
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Drawn by
Name Signature
GAEI
Grup d'Automtica i
Electrnica
Industrial
0
A
2 6
1
Josep Maria Bosque
Josep Maria Bosque
5
5
4
4
3
3
2
2
1
1
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C C
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A A
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GAEI
Grup d'Automtica i
Electrnica
Industrial
Componentes BOT placa de control
0
A
3 6
1
Josep Maria Bosque
Josep Maria Bosque
Title
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Sheet of
Customer
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GAEI
Grup d'Automtica i
Electrnica
Industrial
0
A
3 6
1
Josep Maria Bosque
Josep Maria Bosque
Title
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Document Number
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Sheet of
Customer
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GAEI
Grup d'Automtica i
Electrnica
Industrial
0
A
3 6
1
Josep Maria Bosque
Josep Maria Bosque
5
5
4
4
3
3
2
2
1
1
D D
C C
B B
A A
Title
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Sheet of
Customer
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GAEI
Grup d'Automtica i
Electrnica
Industrial
Pistas TOP placa de control
0
A
4 6
1
Josep Maria Bosque
Josep Maria Bosque
Title
Size
Document Number
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Sheet of
Customer
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Drawn by
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GAEI
Grup d'Automtica i
Electrnica
Industrial
0
A
4 6
1
Josep Maria Bosque
Josep Maria Bosque
Title
Size
Document Number
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Sheet of
Customer
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Drawn by
Name Signature
GAEI
Grup d'Automtica i
Electrnica
Industrial
0
A
4 6
1
Josep Maria Bosque
Josep Maria Bosque
5
5
4
4
3
3
2
2
1
1
D D
C C
B B
A A
Title
Size
Document Number
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Sheet of
Customer
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Drawn by
Name Signature
GAEI
Grup d'Automtica i
Electrnica
Industrial
Pistas BOT placa de control
0
A
5 6
1
Josep Maria Bosque
Josep Maria Bosque
Title
Size
Document Number
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Sheet of
Customer
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Aproved by
Drawn by
Name Signature
GAEI
Grup d'Automtica i
Electrnica
Industrial
0
A
5 6
1
Josep Maria Bosque
Josep Maria Bosque
Title
Size
Document Number
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Sheet of
Customer
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Drawn by
Name Signature
GAEI
Grup d'Automtica i
Electrnica
Industrial
0
A
5 6
1
Josep Maria Bosque
Josep Maria Bosque
5
5
4
4
3
3
2
2
1
1
D D
C C
B B
A A
Title
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Document Number
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Drawn by
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GAEI
Grup d'Automti ca i
Electrnica
Industrial
Fotografia placa de control
0
A
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1
Saiou Wu Fu
Josep Maria Bosque
Title
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Customer
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Drawn by
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GAEI
Grup d'Automti ca i
Electrnica
Industrial
0
A
6 6
1
Saiou Wu Fu
Josep Maria Bosque
Title
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Document Number
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Customer
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Drawn by
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GAEI
Grup d'Automti ca i
Electrnica
Industrial
0
A
6 6
1
Saiou Wu Fu
Josep Maria Bosque
5
5
4
4
3
3
2
2
1
1
D D
C C
B B
A A
Title
Size
Document Number
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Sheet of
Customer
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Drawn by
Name Signature
GAEI
Grup d'Automti ca i
Electrnica
Industrial
Fotografia placa del filtro
0
A
1 1
1
Saiou Wu Fu
Josep Maria Bosque
Title
Size
Document Number
Rev Date
Sheet of
Customer
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Aproved by
Drawn by
Name Signature
GAEI
Grup d'Automti ca i
Electrnica
Industrial
0
A
1 1
1
Saiou Wu Fu
Josep Maria Bosque
Title
Size
Document Number
Rev Date
Sheet of
Customer
Ver
Aproved by
Drawn by
Name Signature
GAEI
Grup d'Automti ca i
Electrnica
Industrial
0
A
1 1
1
Saiou Wu Fu
Josep Maria Bosque
5
5
4
4
3
3
2
2
1
1
D D
C C
B B
A A
Title
Size
Document Number
Rev Date
Sheet of
Customer
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Aproved by
Drawn by
Name Signature
GAEI
Grup d'Automti ca i
Electrnica
Industrial
Fotografia interconexion entre placas
0
A
1 1
1
Saiou Wu Fu
Josep Maria Bosque
Title
Size
Document Number
Rev Date
Sheet of
Customer
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Aproved by
Drawn by
Name Signature
GAEI
Grup d'Automti ca i
Electrnica
Industrial
0
A
1 1
1
Saiou Wu Fu
Josep Maria Bosque
Title
Size
Document Number
Rev Date
Sheet of
Customer
Ver
Aproved by
Drawn by
Name Signature
GAEI
Grup d'Automti ca i
Electrnica
Industrial
0
A
1 1
1
Saiou Wu Fu
Josep Maria Bosque
PRESUPUESTO

105


7. PRESUPUESTO


AUTOR: Saiou Wu Fu


PRESUPUESTO

106
7 PRESUPUESTO
7.1 Mediciones
CAPTULO C_01 PLACA BOOST CUADRTICO

Cdigo Descripcin Uds Largo Ancho Alto

Parciales Cantidad Precio Importe

2085213 u CONDENSADOR, 330 nF, 500V

C1812V334KCRAC TU - CONDENSADOR, 330 nF, 500V, X7R, 1812

1

1,00

1,00

1673499 u CONDENSADOR, 10UF, 450V

EEUEE2W100U - CAPACITOR, 10UF, 450V, 10X20MM

3

3,00

3,00

749-7290 u CONDENSADOR, 1000uF, 50V

Capacitor, Al, 105deg, 1000uF, 50V, 16X25MM

1

1,00

1,00

1759453 u CONDENSADOR, 10uF, 25V

MCCA000570 - CAP, CERAMIC, 10UF, 25V, Y5V, 1206

5

5,00

5,00

1867948 u CONDENSADOR, 100nF, 25V

CAP MLCC, 0.1UF, 25V, X7R, 10%, 0402

4

4,00

4,00

8657262 u DIODO, 8A, 600V

VS-8ETX06FPPBF - DIODO, HIPERRPIDO, 8A, 600V

1

1,00

1,00

1431060 u DIODO, SCHOTTKY, 30A, 100V

MBR30H100CTG - DIODE, SCHOTTKY, 30A, 100V, TO-220

1

1,00

1,00

1612394 u DIODO ZENER 16V, 3W

VISHAY SEMICONDUCTOR DIODE, ZENER, 16V, 3 W

2

2,00

2,00

753-3059 u MOSFET, N, 650V, 77,5A

IPW60R041C6 MOSFET canal N 650V 77,5A CoolMOS C6

1

1,00

1,00

PRESUPUESTO

107


1684526 u MOSFET, N, 200V, 130A

IRFP4668PBF MOSFET N-ch HEXFET 200V 130A TO247AC

1

1,00

1,00

403-840 u MOSFET DRIVER

6A Single MOSFET Driver,MCP1407-E/P

2

2,00

2,00

702-5217 u ZOCALO, 8w, SMT

8w DIL socket open frame SMT

2

2,00

2,00

286-311 u TRANSDUCTOR DE CORRIENTE, 25A

Transductor de corriente efecto Hall, 25A, LA 25-NP

1

1,00

1,00

0077083A7 u NUCLEO TOROIDAL 77083-A7

Nucleo toroidal 0077083-A7, Kool Mu, OD=40,8mm

1

1,00

1,00

0077439A7 u NUCLEO TOROIDAL

Nucleo toriodal 0077439-A7, Kool Mu, OD=47,6mm

1

1,00

1,00

223-2874 u RESISTENCIA, 3R3, 0.25W

Resistencia en chip CRG1206, 3R3, 0.25W

2

2,00

2,00

223-2394 u RESISTENCIA, 10k, 0.25W

Resistencia en chip CRG1206, 10k, 0.25W

3

3,00

3,00



1

1,00

1,00



1

1,00

1,00

PRESUPUESTO

108


3376908 u DISIPADOR DE CALOR

Disipador de calor 10x12x3,7CM, aluminio, 100C/W

1

1,00

1,00

4215590 u CONECTOR FASTON PCB

Conector Faston PCB 6,3x0,8mm, Taladro C.I. 1,3mm

4

4,00

4,00

9731148 u CONECTOR KK 2 MACHO

Conector KK 2 vias macho para PCB

3

3,00

3,00

143126 u CONECTOR KK 2 HEMBRA

Conector KK 2 vias hembra para PCB

3

3,00

3,00



2

2,00

2,00



2

2,00

2,00

2112492 u TESTPOINT

TEST POINT, PCB, paquete de 100 unidades

1

1,00

1,00

PRESUPUESTO

109
CAPTULO C_02 PLACA INVERSOR REDUCTOR



1023245 u MOSFET DRIVER H/L SIDE

IR21834PBF - DRIVER, MOSFET, HIGH/LOW SIDE

2

2,00

2,00


EEUEE2W220S - CAPACITOR, 22UF, 450V, 16X20MM

1

1,00

1,00

1469369 u DIODO, 1A, 600V

BYV26C-TAP - DIODE, ULTRAFAST, 1A, 600V

2

2,00

2,00

1291995 u MOSFET, N, 550V, 45A

STW45NM50 - MOSFET, N CH, 550V, 45A, TO-247

4

4,00

4,00

1651598 u DIODO ZENER 16V, 1.3W

DIODE, ZENER, VZ 16V

6

6,00

6,00

3728453 u RESISTENCIA, 10R, 0.5W

Resistencia de pelicula de carbon, 10R, 0.5W

4

4,00

4,00

3728478 u RESISTENCIA, 100k, 0.5W

Resistencia de pelicula de carbon, 100k, 0.5W

4

4,00

4,00

223-1981 u RESISTENCIA, 0R, 0.25W

Resistencia en chip CRG1206, 0R, 0.25W

2

2,00

2,00


Condensador electrolitico, 10uF, 50V, radial

2

2,00

2,00

PRESUPUESTO

110



Condensador de poliester, 100 nF, 63 V

4

4,00

4,00


Condensador de poliester, 1 uF, 63 V

2

2,00

2,00

1413877 u CONDENSADOR, PP, 4.7uF, 400V

MKP1840547404M - CAP, FILM, 4.7UF, 5%, 400V

1

1,00

1,00



4

4,00

4,00



4

4,00

4,00

PRESUPUESTO

111
CAPTULO C_03 PLACA DE FILTRO



1004276 u VARISTOR, 19.0J, 250 V CA

EPCOS - B72207S0251K101 - VARISTOR, 19.0J, 250 V CA

1

1,00

1,00

1200782 u CONDENSADOR, 0,1F, 630 V

EPCOS - B32652A6104J - CONDENSADOR, 0,1F, 630V

1

1,00

1,00

12320 u PLACA DE TOPOS

Placa de topos, paso 5,08

1

1,00

1,00

0077324A7 u NUCLEO TOROIDAL 77324-A7 0077324A7


1

1,00

1,00

PRESUPUESTO

112
CAPTULO C_04 PLACA DE CONTROL



1297281 u DSPIC30F2020

DSPIC30F2020-30I/SP - DSP FLASH 16 BITS 12K, 512B RAM, DIP28

1

1,00

1,00

801-796 u ZOCALO DIL

Zcalo DIL, pin torneado 28 vias, 7,62 mm

1

1,00

1,00

171-1234 u LED

LED de color rojo

5

5,00

5,00

545-3049 u DIODO ZENER SMD, 5.1 V, 0.5 W

Diodo Zener en montaje superficial, 5,1 V, 0,5 W

11

11,00

11,00

102-327 u PULSADOR

Interruptor pulsador SPST

2

2,00

2,00

9712828 u CRISTAL, 7.372800MHZ

LF A194A - CRISTAL, 7.372800MHZ

1

1,00

1,00

483-8461 u CONECTOR KK 2 MACHO


16

16,00

16,00

453-123 u CONECTOR KK 2 HEMBRA


16

16,00

16,00



3

3,00

3,00

PRESUPUESTO

113




3

3,00

3,00



1

1,00

1,00



1

1,00

1,00

331-6421 u CONECTOR RJ11 HEMBRA

Conector RJ11 hembra, 6/6

1

1,00

1,00

223-2287 u RESISTENCIA, 1k5, 0.25W

Resistencia en chip CRG1206, 1k5, 0.25W

2

2,00

2,00



2

2,00

2,00



2

2,00

2,00



6

6,00

6,00



3

3,00

3,00

3728449 u RESISTENCIA, 1k5, 0.5W

Resistencia de pelicula de carbon, 1k5, 0.5W

7

7,00

7,00

PRESUPUESTO

114




7

7,00

7,00

1200744 u CONDENSADOR 0,1 uF

Condensador de polister, 0,1 uF, 100 V

3

3,00

3,00

224-4279 u CONDENSADOR 1 nF

Condensador BF 1 nF, radial, 100 V

5

5,00

5,00

224-4467 u CONDENSADOR 22 pF

Condensador cermico, 22 pF, radial, 100 V

2

2,00

2,00



2

2,00

2,00

224-4311 u CONDENSADOR, 100nF, 50V

Condensador electrolitico, 100nF, 50V, radial

3

3,00

3,00

PRESUPUESTO

115
CAPTULO C_05 OTROS COMPONENTES



560-293 u TUERCA M3

Tuercas para placas y componentes

250

250,00

250,00

560-776 u TORNILLO M3

Tornillos para placas y componentes

250

250,00

250,00

221-128 u SEPARADOR M3

Separadores para placas

50

50,00

50,00

PRESUPUESTO

116
CAPTULO C_06 MANO DE OBRA



A025126 h Ingeniero Tcnico Industrial - Tcnico de Investigacin grupo III

150

150,00

150,00

A025327 h Ingeniero Tcnico Industrial - Tcnico de Investigacin grupo II

20

20,00

20,00

PRESUPUESTO

117
7.2 Precios unitarios
Cdigo Ud. Descripcin Precio
2085213 u CONDENSADOR, 330 nF, 500V 0,66
1673499 u CONDENSADOR, 10UF, 450V 0,54
749-7290 u CONDENSADOR, 1000uF, 50V 1,51
1759453 u CONDENSADOR, 10uF, 25V 0,12
1867948 u CONDENSADOR, 100nF, 25V 0,32
8657262 u DIODO, 8A, 600V 1,56
1431060 u DIODO, SCHOTTKY, 30A, 100V 1,02
1612394 u DIODO ZENER 16V, 3W 0,16
753-3059 u MOSFET, N, 650V, 77,5A 10,87
1684526 u MOSFET, N, 200V, 130A 7,71
403-840 u MOSFET DRIVER 1,07
702-5217 u ZOCALO, 8w, SMT 1,09
286-311 u TRANSDUCTOR DE CORRIENTE, 25A 17,40
0077083A7 u NUCLEO TOROIDAL 77083-A7 6,77
0077439A7 u NUCLEO TOROIDALl 77439-A7 7,20
223-2874 u RESISTENCIA, 3R3, 0.25W 0,04
223-2394 u RESISTENCIA, 10k, 0.25W 0,04
223-2625 u RESISTENCIA, 560k, 0.25W 0,04
223-2489 u RESISTENCIA, 430k, 0.25W 0,04
3376908 u DISIPADOR DE CALOR 12,58
4215590 u CONECTOR FASTON PCB 0,19
9731148 u CONECTOR KK 2 MACHO 0,38
143126 u CONECTOR KK 2 HEMBRA 0,25
2112492 u TESTPOINT 13,01
1023245 u MOSFET DRIVER H/L SIDE 3,13
1673502 u CONDENSADOR, 22UF, 450V 0,97
1469369 u DIODO, 1A, 600V 0,21
1291995 u MOSFET, N, 550V, 45A 15,27
1651598 u DIODO ZENER 16V, 1.3W 0,06
3728453 u RESISTENCIA, 10R, 0.5W 0,02
3728478 u RESISTENCIA, 100k, 0.5W 0,02
223-1981 u RESISTENCIA, 0R, 0.25W 0,04
1759312 u CONDENSADOR, 100nF, 63V 0,35
9752382 u CONDENSADOR, 1uF, 63V 0,39
1413877 u CONDENSADOR, PP, 4.7uF, 400V 6,70
0077324A7 u NUCLEO TOROIDAL 77324-A7 6,35
483-8461 u CONECTOR KK 2 MACHO 0,48
801-796 u ZOCALO DIL 0,66
171-1234 u LED 0,22
PRESUPUESTO

118
Cdigo Ud. Descripcin Precio
545-3049 u DIODO ZENER SMD, 5.1 V, 0.5 W 0,17
102-327 u PULSADOR 1,60
9712828 u CRISTAL, 7.372800MHZ 0,88
453-123 u CONECTOR KK 2 HEMBRA 0,15
331-6421 u CONECTOR RJ11 HEMBRA 0,61
223-2287 u RESISTENCIA, 1k5, 0.25W 0,04
223-2120 u RESISTENCIA, 100R, 0.25W 0,04
3728443 u RESISTENCIA, 100R, 0.5W 0,02
3728447 u RESISTENCIA, 470R, 0.5W 0,02
3728449 u RESISTENCIA, 1k5, 0.5W 0,02
3728470 u RESISTENCIA, 10k, 0.5W 0,02
1200744 u CONDENSADOR 0,1 uF 0,32
224-4279 u CONDENSADOR 1 nF 0,32
224-4467 u CONDENSADOR 22 pF 0,31
224-4311 u CONDENSADOR, 100nF, 50V 0,15
560-293 u TUERCA M3 0,02
560-776 u TORNILLO M3 0,01
221-128 u SEPARADOR M3 0,19
A025126 h Tcnico de Investigacin grupo III 12,50
A025327 h Tcnico de Investigacin grupo II 17,50
1004276 u VARISTOR, 19.0J, 250 V CA 0,28
1200782 u CONDENSADOR, 0,1F, 630 V 0,31
12320 u PLACA DE TOPOS 3,56
1297281 u DSPIC30F2020 6,78

PRESUPUESTO

119
7.3 Presupuesto
CAPTULO C_01 PLACA BOOST CUADRTICO

Cdigo Descripcin

Cantidad Precio Importe

2085213 u CONDENSADOR, 330 nF, 500V

C1812V334KCRAC TU - CONDENSADOR, 330 nF, 500V, X7R, 1812

1,00 0,66 0,66


EEUEE2W100U - CAPACITOR, 10UF, 450V, 10X20MM

3,00 0,54 1,62


Capacitor, Al, 105deg, 1000uF, 50V, 16X25MM

1,00 1,51 1,51


MCCA000570 - CAP, CERAMIC, 10UF, 25V, Y5V, 1206

5,00 0,12 0,60


CAP MLCC, 0.1UF, 25V, X7R, 10%, 0402

4,00 0,32 1,28

8657262 u DIODO, 8A, 600V

VS-8ETX06FPPBF - DIODO, HIPERRPIDO, 8A, 600V

1,00 1,56 1,56

1431060 u DIODO, SCHOTTKY, 30A, 100V

MBR30H100CTG - DIODE, SCHOTTKY, 30A, 100V, TO-220

1,00 1,02 1,02

1612394 u DIODO ZENER 16V, 3W

VISHAY SEMICONDUCTOR DIODE, ZENER, 16V, 3 W

2,00 0,16 0,32

753-3059 u MOSFET, N, 650V, 77,5A

IPW60R041C6 MOSFET canal N 650V 77,5A CoolMOS C6

1,00 10,87 10,87

1684526 u MOSFET, N, 200V, 130A

IRFP4668PBF MOSFET N-ch HEXFET 200V 130A TO247AC

1,00 7,71 7,71

PRESUPUESTO

120
Cdigo Descripcin


403-840 u MOSFET DRIVER

6A Single MOSFET Driver,MCP1407-E/P

2,00 1,07 2,14

702-5217 u ZOCALO, 8w, SMT

8w DIL socket open frame SMT

2,00 1,09 2,18

286-311 u TRANSDUCTOR DE CORRIENTE, 25A

Transductor de corriente efecto Hall, 25A, LA 25-NP

1,00 17,40 17,40



1,00 6,77 6,77

0077439A7 u NUCLEO TOROIDALl 77439-A7

Nucleo toriodal 0077439-A7, Kool Mu, OD=47,6mm

1,00 7,20 7,20

223-2874 u RESISTENCIA, 3R3, 0.25W

Resistencia en chip CRG1206, 3R3, 0.25W

2,00 0,04 0,08



3,00 0,04 0,12



1,00 0,04 0,04



1,00 0,04 0,04

3376908 u DISIPADOR DE CALOR

Disipador de calor 10x12x3,7CM, aluminio, 100C/W

1,00 12,58 12,58

PRESUPUESTO

121
Cdigo Descripcin


4215590 u CONECTOR FASTON PCB

Conector Faston PCB 6,3x0,8mm, Taladro C.I. 1,3mm

4,00 0,19 0,76



3,00 0,38 1,14



3,00 0,25 0,75



2,00 0,42 0,84



2,00 0,28 0,56

2112492 u TESTPOINT

TEST POINT, PCB, paquete de 100 unidades

1,00 13,01 13,01

TOTAL CAPITULO C_01 PLACA BOOST CUADRATICO

92,76

PRESUPUESTO

122
CAPTULO C_02 PLACA PUENTE INVERSOR

Cdigo Descripcin


1023245 u MOSFET DRIVER H/L SIDE

IR21834PBF - DRIVER, MOSFET, HIGH/LOW SIDE

2,00 3,13 6,26


EEUEE2W220S - CAPACITOR, 22UF, 450V, 16X20MM

1,00 0,97 0,97

1469369 u DIODO, 1A, 600V

BYV26C-TAP - DIODE, ULTRAFAST, 1A, 600V

2,00 0,21 0,42

1291995 u MOSFET, N, 550V, 45A

STW45NM50 - MOSFET, N CH, 550V, 45A, TO-247

4,00 15,27 61,08

1651598 u DIODO ZENER 16V, 1.3W

DIODE, ZENER, VZ 16V

6,00 0,06 0,35



4,00 0,02 0,08



4,00 0,02 0,08



2,00 0,04 0,08



2,00 0,19 0,38

PRESUPUESTO

123
Cdigo Descripcin



Condensador de poliester, 100 nF, 63 V

4,00 0,35 1,40


Condensador de poliester, 1 uF, 63 V

2,00 0,39 0,78

1413877 u CONDENSADOR, PP, 4.7uF, 400V

MKP1840547404M - CAP, FILM, 4.7UF, 5%, 400V

1,00 6,70 6,70



4,00 0,48 1,92



4,00 0,32 1,28

TOTAL CAPITULO C_02 PLACA PUENTE INVERSOR

81,78

PRESUPUESTO

124
CAPTULO C_03 PLACA DE FILTRO

Cdigo Descripcin


1004276 u VARISTOR, 19.0J, 250 V CA

EPCOS - B72207S0251K101 - VARISTOR, 19.0J, 250 V CA

1,00 0,28 0,28

1200782 u CONDENSADOR, 0,1F, 630 V

EPCOS - B32652A6104J - CONDENSADOR, 0,1F, 630V

1,00 0,31 0,31

12320 u PLACA DE TOPOS

Placa de topos, paso 5,08

1,00 3,56 3,56



1,00 6,35 6,35

TOTAL CAPITULO C_03 PLACA DE FILTRO

10,50

PRESUPUESTO

125
CAPTULO C_04 PLACA DE CONTROL

Cdigo Descripcin


1297281 u DSPIC30F2020

DSPIC30F2020-30I/SP - DSP FLASH 16 BITS 12K, 512B RAM, DIP28

1,00 6,78 6,78

801-796 u ZOCALO DIL

Zcalo DIL, pin torneado 28 vias, 7,62 mm

1,00 0,66 0,66

171-1234 u LED

LED de color rojo

5,00 0,22 1,10

545-3049 u DIODO ZENER SMD, 5.1 V, 0.5 W

Diodo Zener en montaje superficial, 5,1 V, 0,5 W

11,00 0,17 1,85

102-327 u PULSADOR

Interruptor pulsador SPST

2,00 1,60 3,20

9712828 u CRISTAL, 7.372800MHZ

LF A194A - CRISTAL, 7.372800MHZ

1,00 0,88 0,88



16,00 0,48 7,68



16,00 0,15 2,37



3,00 0,83 2,49



3,00 0,30 0,90

PRESUPUESTO

126
Cdigo Descripcin




1,00 0,46 0,46



1,00 0,35 0,35

331-6421 u CONECTOR RJ11 HEMBRA

Conector RJ11 hembra, 6/6

1,00 0,61 0,61

223-2287 u RESISTENCIA, 1k5, 0.25W

Resistencia en chip CRG1206, 1k5, 0.25W

2,00 0,04 0,08



2,00 0,04 0,08



2,00 0,04 0,08



6,00 0,02 0,12



3,00 0,02 0,06

3728449 u RESISTENCIA, 1k5, 0.5W

Resistencia de pelicula de carbon, 1k5, 0.5W

7,00 0,02 0,14



7,00 0,02 0,14

PRESUPUESTO

127
Cdigo Descripcin


1200744 u CONDENSADOR 0,1 uF

Condensador de polister, 0,1 uF, 100 V

3,00 0,32 0,95

224-4279 u CONDENSADOR 1 nF

Condensador BF 1 nF, radial, 100 V

5,00 0,32 1,58

224-4467 u CONDENSADOR 22 pF

Condensador cermico, 22 pF, radial, 100 V

2,00 0,31 0,63



2,00 0,19 0,38

224-4311 u CONDENSADOR, 100nF, 50V

Condensador electrolitico, 100nF, 50V, radial

3,00 0,15 0,45

TOTAL CAPITULO C_04 PLACA DE CONTROL

33,99

PRESUPUESTO

128
CAPTULO C_05 OTROS COMPONENTES

Cdigo Descripcin


560-293 u TUERCA M3

Tuercas para placas y componentes

250,00 0,02 4,00

560-776 u TORNILLO M3

Tornillos para placas y componentes

250,00 0,01 2,75

221-128 u SEPARADOR M3

Separadores para placas

50,00 0,19 9,30

TOTAL CAPITULO C_05 OTROS COMPONENTES

16,05

PRESUPUESTO

129
CAPTULO C_06 MANO DE OBRA

Cdigo Descripcin


A025126 h Ingeniero Tcnico Industrial - Tcnico de Investigacin grupo III

150,00 12,50 1.875,00

A025327 h Ingeniero Tcnico Industrial - Tcnico de Investigacin grupo II

20,00 17,50 350,00

TOTAL CAPITULO C_06 MANO DE OBRA

2.225,00

PRESUPUESTO

130
7.4 Resumen presupuesto

Captulo Resumen Importe

C_01
PLACA BOOST
CUADRTICO

92,76
C_02
PLACA PUENTE
INVERSOR

81,78
C_03 PLACA DE FILTRO

10,50
C_04 PLACA DE CONTROL

33,99
C_05 OTROS COMPONENTES

16,05
C_06 MANO DE OBRA

2.225,00

TOTAL EJECUCIN MATERIAL

2.460,08

13,00 % Gastos Generales 319,81

6,00 % Beneficio Industrial 147,60

SUMA TOTAL EJECUCIN DE
MATERIAL, G.G. i B.I.

2.927,50

21,00 % I.V.A.

614,77

TOTAL PRESUPUESTO CONTRATA

3.542,27

TOTAL PRESUPUESTO GENERAL

3.542,27

PLIEGO DE CONDICIONES

131


8. PLIEGO DE CONDICIONES


AUTOR: Saiou Wu Fu


132
8 PLIEGO DE CONDICIONES
8.1 Condiciones administrativas
8.1.1 Condiciones generales
El presente pliego de condiciones tiene como objetivo definir a futuros
investigadores que continen el estudio de convertidores conmutados y puentes inversores
con las leyes de control implementadas en este proyecto, ya sea trabajando sobre prototipos
construidos u otros que se deriven.
Los convertidores fabricados son circuitos que estn en fase de desarrollo. Estos
convertidores se han elaborado para confirmar de forma experimental los estudios tericos
y las simulaciones por ordenador, pero no estn preparados para trabajar a un nivel
industrial. No obstante, se prev que circuitos derivados tengan una aplicacin industrial,
adaptando los circuitos a otros aspectos como protecciones, interferencias, etc.
El convertidor est compuesto por una placa donde se ha montado el boost
cuadrtico y otra con el puente inversor, dichas placas de conectan a partir de terminales de
conexin preestablecidas entre ellas y con una tercera placa donde se realiza el control
digital.
En caso de modificaciones o mal uso de software o hardware diseado, el tcnico
realizador de proyecto no se hace cargo de daos personales y materiales, as como el mal
funcionamiento y averas, tanto en el convertidor como en las fuentes conectadas a ste.
8.1.2 Normas, permisos y certificaciones
Todas las unidades de obra se ejecutan cumpliendo las prescripciones indicadas en
los Reglamentos de Seguridad y Normas Tcnicas de obligado cumplimiento para este tipo
de instalacin.
Todos los aparatos e instrumentos usados tendrn que estar homologados. Adems,
los instrumentos de medida tendrn que tener a disposicin sus correspondientes
certificados de calibracin.
8.1.3 Descripcin general del montaje
En la elaboracin fsica del prototipo se han definido una serie de pasos a seguir con
riguroso orden, donde no se puede empezar uno hasta haber finalizado el otro.
1- Pedido y compra del material y componentes.
2- Construccin de los inductores.
3- Fabricaciones de las placas de circuito impreso.
4- Taladrado de agujeros de sujecin de disipadores
5- Colocacin y soldadura de los componentes sobre las placas.
6- Colocacin de separadores y disipadores.
7- Verificacin y ajuste de las placas por separado.
8- Interconexin de los mdulos.
9- Verificacin y ajustes de los mdulos interconectados.
10- Mantenimiento de los equipos.

133
8.2 Condiciones econmicas
8.2.1 Precios
El importe calculado en el presupuesto del presente proyecto puede sufrir variaciones
debidas a cambios de precios de los componentes utilizados. Estos precios unitarios se
entienden que comprenden la ejecucin total de un prototipo, incluyendo todos los trabajos
complementarios y materiales, as como la parte proporcional de imposicin fiscal, las
cargas laborales y otros gastos que se deriven.
El presupuesto no incluye los gastos de tipo energtico ocasionados por el proceso de
instalacin ni por el uso del prototipo.
8.2.2 Responsabilidades
El coste que pueda provocar el incumplimiento de las especificaciones expuestas en
el presente captulo en la manipulacin de los circuitos construidos recae sobre el
instalador o usuario.
El instalador o usuario es el nico responsable de todas las acciones en contra de lo
acordado que l o las personas que estn bajo su cargo cometan durante la ejecucin de las
operaciones relacionadas con las mismas. Tambin es responsable de los accidentes o
daos que, por errores, inexperiencia o aplicacin de mtodos adecuados se produzcan a
terceros.
El instalador o usuario es el nico responsable del incumplimiento de las
disposiciones vigentes en material laboral respecto a su personal y por lo tanto, los
accidentes que puedan suceder y de los derechos que puedan derivarse de ellos.
En el caso de que se implemente la totalidad o una parte del contenido del proyecto
para la elaboracin de circuitos para uso industrial, la persona responsable de la ejecucin
(contratista) tendr la obligacin de hacerse cardo de todos los gastos originados por el
trabajo mal ejecutado sin que sirva de excusa que el Tcnico Director haya examinado y
aprobado las pruebas.
8.3 Condiciones facultativas
8.3.1 Personal
Todas las acciones que se desarrollen sern ejecutadas por el personal cualificado
con los conocimientos de electrnica de potencia. Tambin ser necesaria experiencia en
software de simulacin de circuitos electrnicos, diseo de placas de circuito impreso,
programacin de dsPIC y el uso de aparatos e instrumentos de medida como osciloscopios
y multmetros.
El personal se someter a las normas y reglas previstas por la comunidad autnoma,
pas u organismos internacionales sobre estas tareas. El tcnico realizador de proyecto, as
como el personal investigador, no se hacen responsables de los desperfectos provocados
por su incumplimiento.
El contratista tendr en la obra el nmero y clase de operarios que hagan falta para el
volumen y naturaleza de los trabajos que se realicen, en los cuales sern de reconocida
aptitud y experiencia en el oficio. El contratista estar obligado a separar de la obra aquel
personal que a juicio del Director Tcnico no cumpla con sus obligaciones o realice el
trabajo defectuosamente, ya sea por falta de conocimientos o bien por obrar
inadecuadamente.

134
8.3.2 Reconocimientos y ensayos previos
Cuando el Director Tcnico lo considere oportuno, podr encargar el anlisis, ensayo
o comprobacin de los materiales, elementos o instalaciones, ya sea en la fbrica de origen,
laboratorios oficiales o en la misma obra, segn lo que crea ms conveniente, aunque este
no est indicado en este pliego.
En el caso de discrepancia, los ensayos o pruebas se efectuarn en el laboratorio que
el Director Tcnico de obra designe.
Los gastos ocasionados por estas pruebas y comprobaciones irn a cuenta del
contratista.
Antes de la alimentacin del prototipo ser necesario unos reconocimientos previos
de las placas de circuito impreso, que incluirn: verificacin de conexiones y
comprobacin del buen estado de todos los componentes. Una vez alimentado se
comprobar el funcionamiento de todos los elementos y se sustituirn los elementos
defectuosos, en caso de existir.
8.3.3 Materiales
Todos los materiales cumplirn las especificaciones y tendrn las caractersticas
indicadas en el proyecto. Adems tendrn que cumplir la calidad indicada y especialmente
los elementos de precisin. As mismo, en el caso de que no se encuentre en el mercado
alguno de los productos, ya sea porque se han agotado o porque ya no se fabrica, el
operario encargado del montaje tendr que estar capacitado para sustituirlo por uno similar.
Cualquier otra especificacin o caracterstica de los materiales que figure solo en uno
de los documentos del proyecto, aunque no aparezcan en el resto, ser igualmente
obligatoria.

8.3.3.1 - Conductores elctricos
Los conductores de seal sern de cables de cobre de 0.5 mm
2
de seccin ya que
estos no trabajaran con potencias elevadas. Para evitar prdidas en los cables, se
recomienda disminuir todo lo posible su longitud e incluso utilizar conductores con una
seccin ligeramente superior.
8.3.3.2 Resistencias
Una resistencia no es exacta y es necesario establecer los extremos mximos y
mnimos entre los cuales estar comprendido su valor. La tolerancia marca el intervalo de
valores admisible y se expresa normalmente en tanto por ciento del valor exacto. Para
obtener los extremos se tiene que multiplicar el valor nominal de la resistencia por su
tolerancia, despus sumar o restar este resultado al valor nominal para saber el mximo y
mnimo que puede obtener.
En el proyecto se usan dos tipos de resistencias, de potencia y de uso general. Las de
potencia son las que tienen dimensiones mayores, recubrimiento metlico que facilita la
disipacin del calor y son las nicas que pueden soportar potencias del orden de centenas
de vatios. Las de uso general engloban el resto de resistencias que pueden soportar como
mximo una potencia de 0.25 W, tienen aplicaciones y encapsulados diversos.
Las tolerancias estndar de las resistencias de uso general son 5%, 10% y 20%.
Segn el valor hmico y la tolerancia, se establecen de forma estndar una serie de valores

135
de forma que con ella se pueda tener toda una gama de resistencia, estos valores son los
que se muestran en la tabla siguiente. El conjunto total de valores de toda la gama se
obtiene multiplicando por 10, 10
2
, 10
3
, 10
4
, 10
5
, 10
6
.

Tolerancia Valores estandarizados
5% 1.0/1.2/1.3/1.5/1.6/1.8/2.0/2.2/2.4/2.7/3.0/3.6/4.3/4.7/5.1/5.2/5.6/6.8/7.5/8.2/9.8
10% 1.0/1.2/1.5/1.8/2.2/3.3/3.9/4.7/5.6/6.8/8.2
20% 1.0/1.5/2.2/3.3/4.7/6.8

Para evitar la utilizacin de un nmero elevado de ceros en la designacin del valor
de una resistencia, se utilizan mltiples del ohmio. Los ms usados comercialmente son:
kiloOhmio (k): 1 k = 10
3

megaOhmio (M): 1 M = 10
6

8.3.3.3 Condensadores
La capacidad de los condensadores tiene la unidad de Faradios, pero como la unidad
es excesivamente grande, se utilizan, en la prctica, otras unidades fraccionarias de la
anterior. Las ms utilizadas comercialmente son:
microFaradio (uF): 1 uF = 10
-6
F
nanoFaradio (nF): 1 nF = 10
-9
F
picoFaradio (pF): 1 pF = 10
-12
F

Al igual que las resistencias, los condensadores tambin tienen una tolerancia que
acostumbra a ser del 5, 10 o 20%. Aunque en los electrolticos puede llegar a ser del 50%.
En este proyecto se han utilizado:
- Condensadores electrolticos de alta capacidad para los filtros de potencia.
- Condensadores de polister y cermicos en montaje superficial para el desacoplo en
las alimentaciones.
8.3.3.4 Inductores
Los inductores son componentes pasivos formados por un ncleo magntico y un
hilo de cobre esmaltado a su alrededor formando espiras, las cuales generan un flujo
magntico que mayoritariamente circula por el ncleo. La magnitud fsica relacionada es la
inductancia, la cual se expresa en henrios (H), aunque en la prctica se utilizan unidades
fraccionarias de la anterior. Los ms usados comercialmente son:
miliHenrio (mH): 1 mH = 10
-3
H
microHenrio (uH): 1 uH = 10
-6
H


136
Los inductores son los componentes con menos exactitud, pues en este proyecto
estn fabricados por el instalador. As mismo, existen aparatos de medida de inductancias
que permiten obtener buenas aproximaciones.
8.3.3.5 Circuitos integrados y semiconductores
Los circuitos integrados se tienen que alimentar adecuadamente teniendo en cuenta
las hojas de caractersticas de los mismos o datasheet. Tanto los circuitos integrados como
los semiconductores nunca se tendran que exponer a valores de tensin y/o corriente
superiores a los indicados en el datasheet.
Otro aspecto a tener en cuenta sern los daos que se pueden producir en estos
elementos por causa de la electricidad esttica. Para reducir la posibilidad de este efecto
ser necesaria la utilizacin de guantes de ltex. De esta forma se evita cualquier descarga
no deseada a los circuitos integrados, ya que estos son los ms sensibles a este tipo de
descargas.

8.3.3.6 Zcalos
Se trata de soportes de contacto mecanizado de gran cantidad de perfil bajo, formado
por contactos internos o pads de estao sobre una base de bronce-fosforo. Los zcalos
estn amoldados mediante un polister negro con fibra de vidrio.
El uso de zcalos para la insercin de circuitos integrados reduce el tiempo de
sustitucin para otro circuito integrado y adems evita el calentamiento de los pads de los
integrados en el proceso de soldadura, que podra producir un deterioro o la destruccin del
dispositivo.
8.3.3.7 Placas de circuito impreso
Las placas de circuito impreso que se necesiten construir se harn a partir de una
lmina de cobre fresada. Las placas se fabricarn de doble cara.
8.3.3.8 Interconexin de las placas de circuito impreso
Todas las placas dispondrn de sus conexiones pertinentes para unir las diferentes
placas de control y potencia con la alimentacin, la salida del inversor con la carga y la
interconexin entre dichas placas.
Las conexiones de potencia se realizarn mediante conectores Faston PCB y las de
control mediante conectores Molex KK de 2, 3 y 4 cabezales segn convenga.
8.3.4 Condiciones de ejecucin
En este apartado se describirn los procesos a realizar en la fabricacin de un
prototipo.
8.3.4.1 - Encargo y compra del material
La compra de los materiales, componentes y aparatos necesarios tendr que
realizarse con suficiente antelacin de forma que estn disponibles en el momento de
iniciar el montaje de las placas de circuito impreso.

137
8.3.4.2 - Construccin de inductores
Para la construccin de los inductores se utilizar hilo de cobre esmaltado de 0.28
mm
2
de seccin, siendo necesario el clculo del nmero de hilos necesarios para conseguir
la seccin deseada en cada inductor. Estos hilos de trenzarn y se enrollarn alrededor de
un ncleo toriodal pluvimetalrgico hasta alcanzar la inductancia requerida.
Mediante un soldador con punta plana y un bao de estao, se fundir el esmalte
aislante de los extremos del hilo de cobre para su correcta conexin con la placa.
8.3.4.3 Fabricacin de placas de circuito impreso
Para realizar las placas de circuito impreso se ha utilizado una mquina de control
numrico que va fresando las capas de cobre de la placa, delimitando las pistas y
realizando los agujeros pertinentes conforme el Layout cargado.
8.3.4.4 Soldadura de componentes
La soldadura se ha realizado mediante la fusin de estao, ya que es la ms sencilla,
rpida, segura y ofrece la menor resistencia de contacto.
El proceso de soldadura consiste en unir dos conductores (hilos o terminales de los
componentes) de forma que mediante el aadido de un tercer material conductor fundido
se cree un compuesto intermetlico entre los tres conductores que al enfriarse se obtenga
una unin rgida permanente.
Tanto los materiales a soldar como las herramientas de soldadura tienen que cumplir
unos requisitos de limpieza, ya que la presencia de xidos o cualquier otro tipo de suciedad
impediran que la soldadura sea de la cualidad necesaria para mantenerse sin ningn tipo
de degradacin en el tiempo.
8.3.4.5 Ensayos, verificaciones y medidas
Antes de alimentar los mdulos se verificar la continuidad de todas las conexiones
internas. A la hora de alimentarlas, se comprobar que todas las tensiones sean las
adecuadas para cada mdulo.
Se recomienda que se verifiquen las formas de onda obtenidas en los diferentes
puntos del circuito mediante un osciloscopio de alta sensibilidad.
El posible funcionamiento inadecuado del equipo puede ser debido a diversas causas
que pueden resumirse en los puntos siguientes:
Conexiones defectuosas.
Componentes defectuosos.

8.3.5 Reglamento electrnico de baja tensin
Todos los aspectos tcnicos de la instalacin que directa o indirectamente estn
incluidos en el Reglamento Electrnico de Baja Tensin (REBT), tendrn que cumplir lo
que disponen las respectivas normas. Las instrucciones ms importantes en la realizacin
del presente proyecto son las siguientes:
M.I.B.T. 029 Instalaciones a pequeas seales.
M.I.B.T. 030 instalaciones a tensiones especiales.
ANEXO I

138


ANEXO I


AUTOR: Saiou Wu Fu

ANEXO I

139
ANEXO I: Cdigo implementado en el dsPIC
#include <p30f2020.h>
#include <math.h>
#include <dsp.h>
#include <stdio.h>
#include <libq.h>

/* Configuracion DSP*/
_FOSCSEL(FRC_PLL)
_FOSC(CSW_FSCM_OFF & FRC_HI_RANGE & OSC2_CLKO)
_FPOR(PWRT_128)
_FGS(CODE_PROT_OFF)
_FBS(BSS_NO_FLASH)

unsigned int indice=0, semiciclo=0, directo=1, duty[100],
Vout=45400, Iref=0, sobretension=0, estable=0;
int num=2;
fractional veck[2]={0,0};
fractional vecerror[2]={0,0};
fractional *puntk;
fractional *punterror;
fractional iref=0, Vref=0, Imax=0, Vmax=0, limite=0, Vo=0, Vmin=0;

extern fractional VectorDotProduct(int num, fractional* veck,
fractional* vecerror);
void __attribute__((interrupt, no_auto_psv)) _PWM2Interrupt()
void __attribute__((interrupt, no_auto_psv))_ADCInterrupt ()
void ini_duty();
void ini_pi();
void ini_led();
void ini_irq();
void ini_comp();
void ini_cad();
void ini_pwm();

ANEXO I

140
/* ------------------------ RUTINA PRINCIPAL ------------------- */
int main()
{
void ini_duty();
void ini_pi();
void ini_led();
void ini_irq();
void ini_comp();
void ini_cad();
void ini_pwm();
PTCONbits.PTEN = 1 ; //modulo PWM habilitado
ADCONbits.ADON = 1; //modulo CAD habilitado

while(1)
{}
}
/*----------------- INICIALIZACION DUTY SENOIDAL -----------------*/
void ini_duty()
{
float i=0;

for(indice=0;indice<=100;indice++)
{
i+=0.9;
duty[indice]=42331*sin(i*0.017453); //T*DCmax*sin(i*pi/180)
//T=47620 (20kHz)
}
indice=0;
}
/*-------------------- INICIALIZACION PI -------------------------*/
void ini_pi()
{
puntk=&veck[0];
punterror=&vecerror[0];
veck[0]=Q15(0.04);
veck[1]=Q15(-0.036);
Imax=Q15(0.9);

Vref=Q15(0.695); //350 V
Vmax=Q15(0.78); //400 V
}
ANEXO I

141
/* ------------------- CONFIGURACION LED ------------------------ */
void ini_led()
{
LATAbits.LATA9 = 0; /* empezar con LED apagado*/
TRISA = 0; /* RA9 es salida digital */
}
/* ------------- CONFIGURACION INTERRUPCIONES ------------------- */
void ini_irq()
{
IFS1bits.PWM2IF = 0; /* limpiar flag interrupcion PWM2 */
IPC5bits.PWM2IP = 4; /* prioridad interrupcion PWM2 */
IEC1bits.PWM2IE = 1; /* permitir interrupcion PWM2 */

IFS0bits.ADIF = 0; /* limpiar flag interrupcion ADC */
IPC2bits.ADIP = 4; /* prioridad interrupcion ADC */
IEC0bits.ADIE = 1; /* permitir interrupcion ADC */
}
/* ------------ CONFIGURACION COMPARADOR ANALOGICO -------------- */
void ini_comp()
{
//comparador 1 ---> limite superior de corriente
CMPCON1bits.CMPON = 1 ; //comparador habilitado
CMPCON1bits.INSEL = 2 ; //pin entrada C
CMPCON1bits.EXTREF = 0 ; //referencia DAC de fuente interna
CMPCON1bits.CMPPOL = 0 ; //salida no invertida
CMPCON1bits.RANGE = 1 ; //rango alto Max DAC=AVdd/2 (2.5V)
CMPDAC1 = 10 ; //valor inicial bajo (CMPDACx/1024*2.5V)

// comparador 2 ---> limite inferior de corriente
CMPCON2bits.CMPON = 1 ; //comparador habilitado
CMPCON2bits.INSEL = 0 ; //pin entrada A
CMPCON2bits.EXTREF = 0 ; //referencia DAC de fuente interna
CMPCON2bits.CMPPOL = 1 ; //salida invertida
CMPCON2bits.RANGE = 1 ; //rango alto Max DAC=AVdd/2 (2.5V)
CMPDAC2 = 1000 ; //valor inicial alto (CMPDACx/1024*2.5V)
}

ANEXO I

142
/* ----------- CONFIGURACION CONVERTIDOR A/D -------------------- */
void ini_cad()
{
ADCONbits.ADON = 0; //inhabilita CAD para su configuracion
ADCONbits.FORM = 1; //salida en fraccional
ADCONbits.EIE = 1; //genera int en la 1 conversion
ADCONbits.ORDER = 0; //empieza conversion en canal par
ADCONbits.SEQSAMP = 1; //los canales se muestrean conjuntamente
ADCONbits.ADCS = 5; //frecuencia conversion Fadc/14

ADPCFG = 0xFFFC; //AN0,AN1 entradas analogicas
ADSTAT = 0; //limpiar ADSTAT

ADCPC0bits.IRQEN0 = 1 ; //habilita int al finalizar conv. en AN0,AN1
ADCPC0bits.TRGSRC0 = 5 ; //se activa conversion por trigger del PWM2
}
/* --------------- CONFIGURACION PWM ---------------------------- */
void ini_pwm()
{
PTCONbits.PTEN = 0 ; //modulo inhabilitado para configuracion
PTCONbits.EIPU = 1 ; //permite cambiar periodo en cualquier momento

PTPER = 47620; //Periodo = PTPER*1.05ns (@30MIPS)

/* -------------------- PWM 1 ----------------------------- */
PWMCON1bits.ITB = 1 ; //PHASE1 porporciona el periodo del PWM1
PWMCON1bits.MDCS = 0 ; //PDC1 proporciona ciclo de trabajo
PWMCON1bits.DTC = 2 ; //sin tiempo muerto
PWMCON1bits.XPRES = 1 ; //Current Limit resetea base de tiempo
//independiente
PWMCON1bits.IUE = 1 ; //se cambia el valor de PDC1 inmediatamente

IOCON1bits.PENH = 1 ; //pin PWM1H controlado por modulo PWM1
IOCON1bits.PENL = 1 ; //pin PWM1L
IOCON1bits.POLH = 0 ; //PWM1H se activa a nivel alto
IOCON1bits.POLL = 0 ; //PWM1L
IOCON1bits.PMOD = 1 ; //pines H,L en modo independiente
IOCON1bits.FLTDAT = 0 ; //<1:0> provee salidas para PWM1H,PWM1L en
//modo Fault
IOCON1bits.CLDAT = 2 ; //<1:0> provee salidas para PWM1H,PWM1L en
//modo CL
ANEXO I

143

FCLCON1bits.CLSRC = 1 ; //comparador 2 controla CL de PWM1
FCLCON1bits.CLPOL = 0; //el comparador activa CL a nivel alto

FCLCON1bits.FLTSRC = 0 ; //comparador 1 controla Fault de PWM1
FCLCON1bits.FLTPOL = 0 ; //el comparador activa Fault a nivel alto
FCLCON1bits.FLTMOD = 1 ; //el comparador fuerza pines H,L a FLTDAT
//ciclicamente

PHASE1 = 0xFFFF ; //mayor periodo independiente posible
PDC1 = 0xF000 ; //ciclo de trabajo grande

/* -------------------- PWM2 ----------------------------- */

PWMCON2bits.TRGIEN = 1 ; //habilita int por trigger
PWMCON2bits.ITB = 0 ; //PTPER porporciona el periodo del PWM2


FCLCON2bits.CLMODE = 0 ; //CL inhabilitado en PWM2
FCLCON2bits.FLTMOD = 3 ; //Fault inhabilitado en PWM2

TRGCON2bits.TRGDIV = 0 ; //int del PWM2 generado cada 1 trigger
//trigger generado 32ns al principio del periodo de PWM

TRIG2 = 0x0008; //tiempo de disparo = TRIG2*1.05ns (valor minimo)

PDC2 = 0; //trabajo inicial nulo

PHASE2 = 0; //sin desfase

ANEXO I

144
/* -------------------- PWM3 ----------------------------- */

PWMCON3bits.TRGIEN = 1 ; //habilita int por trigger
PWMCON3bits.ITB = 0 ; //PTPER porporciona el periodo del PWM3


FCLCON3bits.CLMODE = 0 ; //CL inhabilitado en PWM3
FCLCON3bits.FLTMOD = 3 ; //Fault inhabilitado en PWM3

TRGCON3bits.TRGDIV = 0 ; //int del PWM generado cada 1 trigger
//trigger generado 32ns al principio del periodo de PWM

TRIG3 = 0x0008; //tiempo de disparo = TRIG3*1.05ns
PDC3 = 0; //trabajo inicial nulo
PHASE3 = 0; //sin desfase
}
/* ------------------------ ADC ISR ----------------------------- */
void __attribute__((interrupt, no_auto_psv))_ADCInterrupt ()
{
IFS0bits.ADIF = 0; // limpiar flag de interrupcion ADC
ADSTATbits.P0RDY = 0; // limpiar ADSTAT bits

Vo=ADCBUF0>>1; //1--0 fraccional sin signo
Vout=ADCBUF0; //65471--0 entero para feed forward

if(Vo>=Vref)
estable=1;

if(Vo>=Vmax)
{
CMPDAC1 = 10 ;
CMPDAC2 = 1000 ;
ANEXO I

145
sobretension = 1;
LATAbits.LATA9 = 1; //encender LED RA9
}
else
{
sobretension = 0;
LATAbits.LATA9 = 0; //apagar LED RA9
}

vecerror[0] = Vref - Vo;
iref = iref + VectorDotProduct(num, puntk, punterror);

if(iref>Imax) //limitacion superior para iref
iref=Imax; // y limite inferior?

Iref=iref>>5; // 1--0 fractional pasa a 1023--0 entero

if (!sobretension)
{
if(Iref>920) //valor maximo de Iref = 2.25 A
{ Iref=920;
CMPDAC1=Iref+90; //(51/1023)*2.5 V
CMPDAC2=Iref-90;
}

else if((Iref>90)&&(Iref<920))
{
CMPDAC1=Iref+90;
CMPDAC2=Iref-90;
}

else if((Iref<90)&&(Iref>10)) //reduccion de limites para
//Iref baja
{
CMPDAC1=Iref+Iref-10;
CMPDAC2=10;
}
else if(Iref<10) //valor minimo de Iref = 24 mA
{
Iref=10;
CMPDAC1=10;
ANEXO I

146
CMPDAC2=1000;
}
}
vecerror[1]=vecerror[0];
}
/* ------------------------ PWM2 ISR ---------------------------- */
void __attribute__((interrupt, no_auto_psv)) _PWM2Interrupt()
{
if(estable) //inversor parado hasta alcanzar la tension nominal
{
if(semiciclo) //1 seimiciclo: PWM2->ON; PMW3->OFF
{
if(directo)
indice++;
else
indice--;

PDC2=duty[indice]*45400/Vout; //feed forward
PDC3=0;

if(indice==99) //se ha alcanzado 1/4 de ciclo
directo=0;
else if(indice==0) //se ha alcanzado 1/2 de ciclo
{
directo=1; //configuracion de variables para
semiciclo=0; //empezar 2 semiciclo
}
}
else //2 seimiciclo: PWM2->OFF; PWM3->ON
{
if(directo)
indice++;
else
indice--;
PDC2=0;
PDC3=duty[indice]*45400/Vout;

if(indice==99) //se ha alcanzado 3/4 de ciclo
directo=0;
else if(indice==0) //ciclo completado
ANEXO I

147
{
directo=1; //reseteo de variables a valores
semiciclo=1; //iniciales
}
}
}
IFS1bits.PWM2IF = 0; /*limpiar flag de interrupcion PWM2*/
}

REFERENCIAS

148
REFERENCIAS

[1] R. W. Erickson and D. Maksinovic, Fundamentals of power electronics,
Kluwer Academic, 2000.
[2] Muhamad H. Rashid, Electrnica de potencia: Circuitos, dispositivos y
aplicaciones, Prentice Hall Hispanoamericana, 1995.
[3] L. Martinez-Salamero, A. Cid-Pastor, A. El Aroundi, R. Giral, J. Calvente,
and G. Ruiz-Magaz, Sliding-Mode Control of DC-DC Switching
Converters, in Preprints of the 18
th
IFAC World Congress, Milano (Italy)
August 28-September 2, 2011, pp. 1910-1016.
[4] J. Manuel Garcia Ibarra, Modelado de un convertidor cuadrtico elevador
considerando el efecto del ERS de los capacitores, IPICYT, junio 2008.
[5] D. Biel Sol, Control en modo deslizante aplicado a la generacin de seal
en convertidores conmutados DC/DC, UPC, mayo 1999.
[6] L. Aiello, Hardware and control strategies for Boost based inverters: fast
cuadratic Boost case, URV, 2010-11.
[7] T. Verge Villarroya, Disseny i Realitzaci dun Convertidor Buck
Quadrtic amb Control en Mode Lliscant, URV, junio 2008.
[8] X. Maix, Apuntes de Electrnica de Potencia, URV, 2011-12.
[9] H. Valderrama, Apuntes de Regulacin Automtica, URV, 2011-12.
[10] Microchip Tecnology Inc., dsPIC30F1010/202X Data Sheet, 2006.
[11] Microchip Tecnology Inc.,dsPIC30F/33F Programers Manual, 2008.
[12] LEM, Current Transducter LA 25-NP Data Sheet, 2009.
[13] http://www2.mag-inc.com/calculators/Inductor-Design-Calculator
[14] http://tec.upc.es/el/TEMA-5%20EP%20(v1).pdf
[15] ftp://ftp.unicauca.edu.co/Facultades/FIET/DEIC/Materias
[16] http://verona.fi-p.unam.mx/~lfridman/clases/control/Clase16.ppt
[17] R. Giral, Apuntes de Teora de Circuitos II, URV, 2010-2011.

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Desarrollo de un ondulador a partir de un convertidor

boost cuadrtico con lazo de salida lento y controlado

( ), de all que el sistema sea de estructura variable.

con lo cual la dinmica cambia a

con lo que la dinmica cambia a

) como una ley de control de

es la frecuencia natural y de corte del sistema, a partir de la cual empieza a

y condiciones iniciales nulas:

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