Laboratorio de Circuitos Electrnicos I

Universidad del Valle

FACULTAD DE INGENIERAS ESCUELA DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA REA: INFORMTICA INDUSTRIAL ASIGNATURA: LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRNICOS I (710018M) PRCTICA DE LABORATORIO # 2 POLARIZACIN DEL TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR (BJT) **** Lea completamente esta gua antes de realizar la prctica ****

1.

OBJETIVOS Analizar el comportamiento del transistor BJT polarizado en DC. Identificar diferentes circuitos de polarizacin del transistor. Identificar aplicaciones de las regiones de funcionamiento del transistor BJT. Analizar las principales caractersticas de los circuitos de polarizacin. Utilizar herramientas de simulacin para analizar el comportamiento de los circuitos de polarizacin. Verificar el funcionamiento de algunas de las etapas bsicas que pueden conformar un amplificador operacional discreto. Identificar las caractersticas bsicas de cada una de las etapas analizadas durante la prctica.

2.

EQUIPOS Y MATERIALES

Suministrados por el laboratorio 1 Osciloscopio de dos canales. 1 Fuente de DC. 1 Multmetro.

Suministrados por el estudiante 3 Transistores 2N2222A con ganancia de corriente (beta) distinta (tambin se pueden adquirir 2N3904). Resistencias 330K, 1K, 10K, 330, 4.7K, 2.7K, 330, 680, 100, 270 (revisar los circuitos de la gua y verificar cantidades y valores). 2 pulsadores o 1 DIP-Switch. Diodo zener. Diodos infrarrojos (par emisor-receptor). Puntas de fuente (Caimanes), pinzas, pelacables, protoboard, cables para protoboard.

3.

CONTENIDO

3.1 INFORMACIN PREVIA El transistor es considerado un componente electrnico activo, pues el nivel de salida de AC es mayor que el de entrada, esto es debido a una transferencia de energa proporcionada por las fuentes de DC utilizadas, por esta razn el anlisis y diseo de circuitos con transistores requiere un anlisis en DC y otro en AC. Esta separacin es posible gracias a que el teorema de superposicin es aplicable. Sin embargo, debe tenerse en cuenta que la seleccin de los parmetros para los niveles de DC requeridos afectarn la respuesta de AC y viceversa.

3.2 PUNTO DE OPERACIN Es claro que el transistor presenta un comportamiento lineal en la regin activa, razn por la cual se trata de ubicar el punto de funcionamiento en esa regin. Una vez establecido el punto de operacin, los recorridos de la seal de entrada

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(corriente de base por ejemplo) en funcin del tiempo darn lugar a una tensin o corriente de salida (tensin o corriente de colector) de la misma forma de onda. Si la seal de salida no es una fiel reproduccin de la seal de entrada, el punto de funcionamiento no est ubicado apropiadamente. Note que aunque hay libertad en la eleccin de los valores de Rb, Rc, RL y Vcc, no debe hacer trabajar el transistor en cualquier punto de la regin activa, ya que diversas caractersticas del transistor limitan su margen de empleo til. Estas caractersticas limitadoras son: la disipacin mxima de potencia Pmax, la tensin mxima colector-emisor Vcemax, la corriente de colector mxima Icmax, y la mxima tensin emisor-base Vebmax. Habiendo polarizado un BJT en un punto de operacin, debe tenerse en cuenta el efecto de la temperatura ya que provoca cambios en las caractersticas importantes del dispositivo como la ganancia de corriente (ca) y la corriente de fuga del transistor (Iceo). De esta forma, el diseo debe proporcionar un grado de estabilidad ante cambios de temperatura de modo que resulten mnimos sus efectos sobre el punto de operacin. Aunque hasta ahora se ha mencionado slo el funcionamiento del transistor en la regin activa o lineal, existen otras dos regiones de funcionamiento: corte y saturacin. La operacin del transistor en cada una de las regiones se obtiene garantizando las siguientes polarizaciones en sus terminales: 1. Operacin en la regin lineal: Unin base - emisor con polarizacin directa. Unin base - colector con polarizacin inversa. 2. Operacin en la regin de corte: Unin base - emisor con polarizacin inversa. 3. Operacin en la regin de saturacin: Unin base - emisor con polarizacin directa Unin base - colector con polarizacin directa.

3.3 CIRCUITO DE POLARIZACIN FIJA El circuito de la figura 1 es uno de los circuitos de polarizacin ms simple, cuyo anlisis en DC se puede simplificar considerando un circuito de entrada y uno de salida. Para el primero se tiene la siguiente ecuacin:

IB

Vcc VBE RB

Para el circuito de salida se tienen las siguientes ecuaciones:

Ic ( 1) I B ,

I E I B

VCE Vcc IcRc

Se puede verificar que el nivel de la corriente de colector depende de la corriente de base, y sta a su vez, depende del valor elegido para R B , por tanto el nivel de la corriente de colector depende de la resistencia de base y no de la resistencia de colector (Rc).

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3.4 CIRCUITO DE POLARIZACIN ESTABILIZADA DE EMISOR

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El circuito de la figura 2 es similar al anterior con la diferencia que se ha adicionado una resistencia en el emisor; ste cambio contribuye a mejorar la estabilidad. Ahora, el circuito se describe por las siguientes ecuaciones:

IB

Vcc V BE RB ( 1) R E

VCE Vcc Ic( Rc R E )

3.5 POLARIZACIN CON DIVISOR DE VOLTAJE AUTOPOLARIZADO UNIVERSAL Contrario a las configuraciones anteriores, La configuracin del circuito de la Figura 3 tiene la gran ventaja de que la corriente de polarizacin I CQ y el voltaje de polarizacin VCQ son independientes de la ganancia , que, como se mencion anteriormente, depende de la temperatura.

Para su anlisis se calcula la resistencia y voltaje Thvenin equivalentes, cuyos valores se definen por las siguientes ecuaciones:

RTh R1 R 2
Y el voltaje Thvenin viene dado por el voltaje de la resistencia R2 as:

E Th VR 2

R2.Vcc R1 R2

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El circuito de la Figura 3 se puede redibujar de acuerdo con la figura 4, de tal forma que se puede calcular la corriente de base y el voltaje colector emisor as:

IB

E Th VBE y VCE Vcc Ic( Rc R E ) RTh ( 1) RE

3.6 COMPUERTAS LGICAS Una compuerta lgica es un dispositivo electrnico que permite representar una funcin booleana. Estos circuitos utilizan intervalos de voltaje predefinidos para representar estados binarios. Bajo estos conceptos y con la comprensin de los modos de operacin del transistor es posible implementar fcilmente circuitos compuestos de elementos discretos, que permitan realizar decisiones lgicas. En la figura 4 se observan tres tipos de compuertas bsicos: NOT, OR y AND. NOT

OR

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AND

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Fig. 4. Funciones Booleanas Bsicas Implementadas con Componentes Discretos

4.

CLCULOS PREVIOS (Pre-informe)

A continuacin se indican los puntos que obligatoriamente deben aparecer en el informe junto con el valor de cada uno de ellos. 4.1 Circuito de polarizacin fija (0,5) A. Para el circuito de la figura 1 y usando un transistor con =200 indique el punto de operacin y calcule la corriente de base, la corriente de colector y el voltaje de colector emisor. Dibuje la recta de carga y ubique el punto de operacin. B. Calcule un nuevo valor para la resistencia Rb para obtener el doble de la corriente de base inicial y repita el punto A. C. Calcule un nuevo valor para la resistencia Rb para obtener el triple de la corriente de base inicial y repita el punto A. D. Realice la simulacin de todos los puntos y realice las tablas para tomar los datos (tome en cuenta que los puntos A a C se repiten en la prctica para otro transistor).

4.2 Circuito de polarizacin estabilizada de emisor (0,5) A. Para el circuito de la figura 2 y usando un transistor con =200 indique el punto de operacin y calcule la corriente de base, la corriente de colector y el voltaje de colector emisor. Dibuje la recta de carga y ubique el punto de operacin. B. Calcule un nuevo valor para la resistencia Rb para obtener el doble de la corriente de colector inicial y repita el punto A. C. Calcule un nuevo valor para la resistencia Rb para obtener la mitad de la corriente de colector inicial y repita el punto A. D. Realice la simulacin de todos los puntos y realice las tablas para tomar los datos (tome en cuenta que los puntos A a C se repiten en la prctica para otro transistor).

4.3 Circuito de polarizacin con divisor de voltaje (1,0) A. Para el circuito de la figura 3 y usando un transistor con =200 indique el punto de operacin y calcule la corriente de base, la corriente de colector y el voltaje de colector emisor. Dibuje la recta de carga y ubique el punto de operacin. B. Calcule nuevos valores de R1 y R2 para obtener el doble de la corriente de colector inicial y repita el punto A. C. Calcule nuevos valores de R1 y R2 para obtener la mitad de la corriente de colector inicial y repita el punto A. D. Realice la simulacin de todos los puntos y realice las tablas para tomar los datos (tome en cuenta que los puntos A a C se repiten en la prctica para otro transistor).

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4.4 Amplificador diferencial simtrico polarizado con fuente de corriente (1,0)

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A. En la figura 5 se muestra un circuito amplificador diferencial simtrico polarizado por fuente de corriente con RC1 y RC2 = 10K y alimentacin dual de 15V. Haga Vi1 = Vi2 = 0V y configure la fuente de corriente de tal manera que Vo = 7.5V. Determine el punto de operacin de Q1 y Q2. B. Con el circuito implementado en el punto A, haga Vi1=0 y Vi2=1V y determine los puntos de operacin de Q1 y Q2 y el valor de Vo. C. Con el circuito implementado en el punto A, haga Vi1=1V y Vi2=0V y determine los puntos de operacin de Q1 y Q2 y el valor de Vo. D. Con el circuito implementado en el punto A, haga Vi1=1V y Vi2=1V y determine los puntos de operacin de Q1 y Q2 y el valor de Vo. E. Realice las simulaciones.

Fig 5. Amplificador diferencial simtrico polarizado con fuente de corriente

4.5 Compuertas lgicas (1,0) A. Utilizando transistores BJT disee e implemente la funcin lgica NOR, a partir del acople entre los circuitos de las compuertas OR y NOT presentados en los esquemas de la figura 4 (Seguir estos esquemas es opcional, lo que si deben realizar es la compuerta NOR con una NOT y una OR). Determine los elementos necesarios para lograr un adecuado acople de las etapas del circuito. B. Realizar la simulacin y las tablas de datos. 4.6 Diseo: sistema de trasmisin infrarroja (1,0) Una de las formas de comunicacin inalmbrica entre dispositivos es por medio de luz infrarroja. Esta presenta como ventaja la seguridad debido al alcance de la seal, lo que simplifica el protocolo de comunicacin. Se tiene adems un amplio ancho de banda libre para la trasmisin de datos. En este punto se debe implementar la comunicacin usando diodos infrarrojos emisor-receptor (tambin se puede usar un emisor infrarrojo y un fototransistor como receptor) para trasmitir una onda cuadrada entre los pares. La seal de trasmisin cuadrada TTL (0-5V) la entrega el generador de seales. Requerimientos: -La corriente que se consume del generador de seales en la etapa de trasmisin no debe exceder los 5mA. (Por tanto deben proporcionar la potencia por medio de una etapa de transistores). -La seal en el receptor debe ser visualizada por medio de un LED. NOTA: Puede tomar como base para su diseo el circuito mostrado en la figura 8.

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Fig. 8 Circuito de Trasmisin Infrarroja

A. Consignar las caractersticas del diseo planteado, los clculos realizados y su respectiva simulacin(si es posible). 5. PROCEDIMIENTO

Para poder acceder a la prctica es necesario presentar los montajes acompaados de los clculos de los componentes pasivos solicitados (Pre-informe) y las tablas que se van a llenar en cada uno de los puntos del procedimiento. 5.1 Para cada uno de los circuitos de las figuras 1, 2 y 3 realice lo siguiente: A. Energice el circuito. B. Empleando el transistor 2N2222A realice todas las medidas reales de los datos calculados en los puntos 4.1 a 4.3 del pre-informe. C. Cambie el transistor 2N2222A por un transistor con un Beta lo ms diferente posible al usado inicialmente realice todas las medidas reales de los datos calculados en los puntos 4.1 a 4.3 del pre-informe. 5.2 Realice las actividades planteadas en el punto 4.4 para el amplificador diferencial simtrico polarizado con una fuente de corriente. 5.3 Para cada uno de los circuitos de las figura 4 realice lo siguiente: A. Energice el circuito. B. Verifique el funcionamiento lgico de la compuerta consignando los valores de saturacin y corte de la salida. C. Implemente la compuerta NOR, Verifique su funcionamiento, documente los resultados, problemas y conclusiones obtenidas del montaje realizado. 5.4 Para el diseo del sistema de trasmisin: A. Verifique el funcionamiento del diseo y determine la distancia mxima de trasmisin, la mxima corriente que se consume del generador de seales y la mxima frecuencia a la cual el sistema recibe de forma fiel la seal trasmitida.

6.

INFORME

Nota. Tenga en cuenta que lo ms importante en un informe es la construccin de conocimiento que usted realiza al contrastar y analizar el porqu de las similitudes y/o diferencias de los resultados tericos, simulados y prcticos. 6.1 Efectu un anlisis comparativo entre los resultados prcticos, tericos y simulados. Analice y explique las similitudes/diferencias. (Para mejorar la presentacin y facilitar el anlisis, ORGANIZAR toda la informacin en TABLAS). (3,0) 6.2 Investigue una aplicacin prctica del transistor trabajando en cada una de las tres regiones de funcionamiento (1,0). 6.3 Conclusiones (y sugerencias si usted lo desea). (1,0)

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7.

METODOLOGA Los montajes y el pre-informe debe presentarse el da de la sesin. En el pre-informe deben estar consignadas las tablas necesarias para realizar las tomas de datos durante la prctica y debe ser entregado al final de la misma. El pre-informe y el informe debe tener muy buena presentacin (de preferencia en computador) y si necesitan incluir clculos realizados a mano, stos deben ir consignados como anexos en hojas iguales a las del resto del preinforme. Lo anterior buscando fomentar una cultura de buena presentacin de los trabajos realizados as como el orden en los mismos. El informe debe ser entregado el da en que est programada la siguiente prctica, y es indispensable para su calificacin que se hallan sustentado los resultados en clase del procedimiento. En caso que no alcance a realizar en clase todos los puntos, debe buscar un espacio extra-clase para terminar el procedimiento y para sustentarlos ante la profesora. La asistencia a las sesiones de laboratorio son obligatorias, y por tanto, slo los estudiantes que hayan asistido a la sesin prctica tienen derecho a obtener una nota por la misma. La evaluacin de la prctica se basar en los siguientes tems: o Calidad del pre-informe (presentacin y contenido) y Montajes (40%). o Calidad del informe (presentacin y contenido). (60%). BIBLIOGRAFIA.

8.

7.1 Electrnica. Teora de circuitos. BOYLESTAD Nashelsky. Quinta edicin. Prentice Hall. Mxico 1994. 7.2Electrnica integrada. Circuitos y Sistemas Analgicos y Digitales. J.MILLMAN. C.HALKIAS. De. Hispano -Europea. Barcelona 1986.