UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA

TRABAJO COLABORATIVO 2

DORIS JULIETTE TAMAYO ROJAS 1.121.834.053 NIRIO RAMN AMAYA PERTUZ 1120744690

GRUPO: 100414_134

FISICA ELECTRONICA

Trabajo Presentado a:

ALDO FOYLAN COY

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA (UNAD) NOVIEMBRE DE 2013

Introduccin El siguiente trabajo que se presenta es sobre Conductores, Semiconductores y Aislantes, en el cual se maneja lo que es Teora de Bandas de cada uno de los tres materiales, una lista de conductores del de mayor calidad al de menor, los tres tipos de semiconductores existentes que son muy tiles en nuestros tiempos y las diferentes clases de aislantes.

Objetivos Comprender las principales caractersticas y diferencias de los materiales aislantes, conductores y semiconductores. Identificar como se obtiene un semiconductor tipo N y uno tipo P y reconocer las cualidades o caractersticas que adquiere este material con respecto al semiconductor puro. Analizar cules son las principales caractersticas y diferencias existentes entre un transistor NPN y uno PNP. Reconocer la importancia de los elementos semiconductores en el actual desarrollo tecnolgico. Reconocer las caractersticas y diferencias de los tipos de diodos. Realizar la simulacin en el programa workbench sobre los circuitos elctricos.

FASE 1 1. Enuncie las principales caractersticas y diferencias existentes entre un material aislante, un conductor y un semiconductor. De algunos ejemplos de cada grupo. AISLANTE CARACTERISTICAS No existe aislante absoluto, su resistencia al paso de corriente elctrica hasta 2,5 1024 veces mayor que la de los buenos conductores.

DIFERENCIAS En este caso las bandas de valencia y conduccin se encuentran muy bien separadas lo cual casi impide que los electrones se muevan con mayor libertad y facilidad. EJEMPLO Mica, fibras de vidrio con un aglutinador plstico, vidrio, porcelana

CONDUCTOR Son los metales su es estado slido a temperatura normal, excepto el mercurio que es lquido opacidad, excepto en capas muy finas buenos conductores elctricos y trmicos. No existe banda prohibida, estando solapadas las bandas de valencia y conduccin. Esto hace que siempre haya electrones en la banda de conduccin, por lo que su conductividad es muy elevada. Esta conductividad disminuye lentamente al aumentar la temperatura, por efecto de las vibraciones de los tomos de la red cristalina. DIFERENCIA En este caso las bandas de valencia y conduccin se encuentran muy bien separadas lo cual casi impide que los electrones se muevan con mayo libertad y facilidad.

EJEMPLO El agua, con sales como cloruros, sulfuros y carbonatos que actan como agentes reductores (donantes de electrones). SEMICONDUCTORES Material slido o lquido capaz de conducir la electricidad mejor que un aislante, pero peor que un metal.ncremento de la conductividad provocado por los cambios de temperatura, la luz o las impurezas A temperaturas muy bajas, los semiconductores puros se comportan como aislantes. (Tarrach, 2001)

DIFERENCIAS Gracias a los semiconductores la tecnologa del estado slido a sido reemplazada por completo a los tubos al vaci, estos materiales estn formados por electrones externos de un tomo, y los cuales son conocidos como electrones de valencia. (Tarrach, 2001)

EJEMPLOS Silicio, el germanio, el selenio, el arseniuro de galio, el seleniuro de cinc y el telururo de plomo. (Tarrach, 2001) 2. Cmo se obtiene un semiconductor tipo N y uno tipo P ? Qu cualidades o caractersticas adquiere este material con respecto al semiconductor puro? Los semiconductores tipo N se construyen con Si o Ge, pero se les adicionan tomos de impurezas que tienen 5 electrones de valencia, de tal manera que al formarse los enlaces covalentes queda sobrando un electrn. De esta forma conseguimos materiales semiconductores con exceso de electrones o carga negativa ( tipo N ). Los tomos que se usan como impurezas son los de arsnico antimonio y fsforo. Los materiales tipo P son aquellos que se forman agregando al material semiconductor puro impurezas que contienen 3 electrones de valencia, de tal manera que vamos a tener ausencias de electrones o lo que podemos llamar huecos. Qu cualidades o caractersticas adquiere este

material con respecto al semiconductor puro? Los huecos que quedan en los enlaces covalentes de este tipo de material permiten que los electrones vecinos los puedan llenar quedando abiertos nuevos huecos para ser cubiertos por otros electrones y producir de esta forma la corriente en los semiconductores. Los materiales conductores tienen uno o dos electrones de valencia, pero entre estos los mejores conductores son los que tienen un electrn de valencia, como el oro, la plata y el cobre. De estos tres, el ms empleado en circuitos elctricos es el cobre. (Tarrach, 2001) 3. Consulte sobre otros tipos de diodos, diferentes al rectificador, el LED, el zner y el fotodiodo. DIODO DETECTOR O DE BAJA SEAL Los diodos detectores tambin denominados diodos de seal o de contacto puntual, estn hechos de germanio y se caracterizan por poseer una unin PN muy diminuta. Esto le permite operar a muy altas frecuencias y con seales pequeas. Se emplea por ejemplo, en receptores de radio para separar la componente de alta frecuencia (portadora) de la componente de baja frecuencia (informacin audible). Esta operacin se denomina deteccin. (Tippens, 1996)

DIODO ZNER Un diodo zener es un semiconductor que se distingue por su capacidad de mantener un voltaje constante en sus terminales cuando se encuentran polarizados inversamente, y por ello se emplean como elementos de control, se les encuentra con capacidad de watt hasta 50 watt y para tensiones de 2.4 voltios hasta 200 voltios. El diodo zener polarizado directamente se comporta como un diodo normal, su voltaj permanece cerca de 0.6 a 0.7 V. (Tippens, 1996)

Figura N.1 Diodo de Zener

DIODO EMISOR DE LUZ (LEDs) Es un diodo que entrega luz al aplicrsele un determinado voltaje. Cuando esto sucede, ocurre una recombinacin de huecos y electrones cerca de la unin NP; si este se ha polarizado directamente la luz que emiten puede ser roja, mbar, amarilla, verde o azul dependiendo de su composicin. (Tippens, 1996)

Figura N.2 Diodo emisor de luz

FOTODIODOS Los fotodiodos son diodos provistos de una ventana transparente cuya corriente inversa puede ser controlada en un amplio rango regulando la cantidad de luz que pasa por la ventana e incide sobre la unin PN. A mayor cantidad de luz incidente, mayor es la corriente inversa producida por que se genera un mayor nmero de portadores minoritarios, y viceversa. Son muy utilizados como sensores de luz en fotografa, sistemas de iluminacin, contadores de objetos, sistemas de seguridad, receptores de comunicaciones pticas y otras aplicaciones. (Tippens, 1996)

Figura N.3 fotodiodo Diodo semiconductor. Diodo que permite el paso de la corriente de su zona p, rica en huecos, a su zona n, rica en electrones. Diodo de seal Diodo semiconductor empleado para la deteccin o el tratamiento de una seal elctrica de baja potencia. Diodo de unin Diodo formado por la unin de un material semiconductor de tipo n y otro semiconductor de tipo p. Diodo Gunn Dispositivo semiconductor impropiamente calificado de diodo ya que no contiene una unin sino una sucesin de tres capas de tipo n ms o menos dopadas. En presencia de campos elctricos elevados, el diodo Gunn es escenario de oscilaciones a muy alta frecuencia.

Diodo IMPATT Diodo cuyo funcionamiento asocia la multiplicacin por avalancha de los portadores de carga y su tiempo de propagacin en la unin. Esto

conduce, para ciertas frecuencias muy elevadas, a una resistencia negativa que permite utilizar el diodo en modo amplificador o en modo oscilador. Diodo PIN (Del ingls P region-Intrinsic regin-N regin) Unin pn semiconductora que posee dos regiones, una fuertemente dopada n, representada como n++, y otra fuertemente dopada p, representada por p++, y una zona intrnseca de dopado muy dbil. Diodo Schottky Diodo formado por un contacto entre un semiconductor y un metal, lo que elimina el almacenamiento de carga y el tiempo de recuperacin. Un diodo Schottky puede rectificar corrientes de frecuencia superior a 300 MHz. Diodo Schokley Diodo de cuatro capas p-n-p-n utilizado en los circuitos de conmutacin rpida. Adems la tensin directa de este diodo es ms baja que en la de un diodo semiconductor de dos regiones. Diodo TRAPPAT (Del ingls, TRAPped Plasma Avalanche Transit time) Diodo de hiperfrecuencia de semiconductores que, cuando su unin se polariza en avalancha, presenta una resistencia negativa a frecuencias inferiores al dominio de frecuencias correspondiente al tiempo de trnsito del diodo. Esta resistencia negativa se debe a la generacin y desaparicin de un plasma de electrones y huecos que resultan de la ntima interaccin entre el diodo y una cavidad de hiperfrecuencias de resonancias mltiples. 4. Cules son las principales caractersticas y diferencias existentes entre un transistor NPN y uno PNP. NPN llamados transistores bipolares de union Es un componente semiconductor que tiene tres terminales. Encienden con 1 lgico Es decir que los NPN encienden con

un voltaje mayor a 0,7V y se apagan con un voltaje menor a 0,7V BASE (b), EMISOR (e), COLECTOR DIFERENCIA su base es positiva solo le puede aplicar tension positva Internamente est formado por un cristal que contiene una regin P entre dos N (transistor NPN) Los transistores NPN como el 2n2222 permiten el paso de corriente desde colector hacia emisor, cuando reciben un voltaje (mayor a 0,7V) en su base. PNP llamados transistores bipolares de union Es un componente semiconductor que tiene tres terminales. Encienden con un 0 logico encienden con un voltaje menor que VCC-0,7V y se apagan con un voltaje mayor a VCC-0,7V BASE (b), EMISOR (e), COLECTOR DIFERENCIA pnp su base es negativa , solo puedes aplicarle a su base tension negativa O una regin N entre dos regiones P, (transistor PNP ) Los transistores PNP como el 2n3906, permiten el paso de corriente desde emisor hacia colector (que es en el sentido contrario de los NPN), cuando reciben un voltaje (menor a VCC-0,7) en su base. 5. Cul es la importancia de los elementos semiconductores en el actual desarrollo tecnolgico ? Los semiconductores han jugado un papel muy importante para el desarrollo de la actual tecnologa, puesto que por medio de la invencin de los transistores por parte de Shockley en 1951, han jalonado la evolucin de las tecnologas modernas; es de observar un ejemplo con la evolucin de las computadoras, la cuales en sus inicios eran equipos gran volumen, que ocupaban grandes espacios y adems generaban gran cantidad de calor y exagerados costos de creacin y mantenimiento. Entonces se concluye que la integracin de transistores y otros elementos en un solo cuerpo encapsulado, permiti minimizar los tamaos de los componentes electrnicos, mejorar el rendimiento y velocidad de proceso de datos; con lo cual se llega a la poca de la micro tecnologa y la nanotecnologa, lo cual se representa en la miniaturizacin de los componentes electrnicos los cuales son de uso comercial, y otros de uso exclusivo por agencias militares. Por tanto la evolucin del transistor evoluciono hasta la creacin de microchip, el cual es un componente comn en la tecnologa actual, los cuales se han especializado

en la realizacin de clculos avanzados para la solucin de problemas, necesidades y apoyo en investigacin cientfica; un ejemplo claro es la agencia gubernamental NASA de USA, quienes dedican todos sus esfuerzos para el descubrimiento de nuevos mundos, trascendiendo la frontera formada por la capa atmosfrica. FASE 2 Simulacin de Circuitos Electrnicos: realice la simulacin de los siguientes circuitos y analice los resultados obtenidos. 1. Polarizacin del Diodo Comn. Construya los siguientes circuitos y realice su simulacin por medio del software Workbench. Explique lo sucedido.

Figura N.4 Polarizacin de la unin P-N. Al polarizar directamente una unin P-N el polo negativo de la batera est inyectando electrones al material N, mientras que el polo positivo recibe electrones del lado P crendose as una corriente elctrica. Logrando vencer el obstculo que se haba creado por barrera de potencial existente entre ambos materiales. Por lo que los electrones y los huecos pueden pasar libremente a travs de la frontera.

Figura N.5. Polarizacion inversa de la unin P-N Al polarizar inversamente una unin P-N no hay circulacin de corriente.

Figura N. 6 Recombinacin de los huecos libres P con electrones del polo negativo. Los huecos libres del tipo P se recombinan con los electrones que proceden del polo negativo de la fuente de energa, y los electrones libres del tipo N son absorbidos por sta, alejndose tanto huecos como electrones de la unin. En la figura N. 7 se observa que producido por los portadores minoritarios, pero es demasiado pequea e inapreciable.

Figura 7. 2. Aplicacin del Diodo como Rectificador. Construya los siguientes circuitos y realice su simulacin por medio del software Workbench. Anexe al informe las grficas obtenidas en el osciloscopio. Compare la seal de

entrada con la seal de salida. Explique lo sucedido.

Rectificador de Media Onda

Figura N. 8 Conduccin a travs del iodo de semiciclo. Cuando se utiliza una fuente de voltaje alterna de forma directa en un diodo, se produce la conduccin a travs del diodo del semiciclo positivo la cual se puede apreciar en la siguiente imagen. El resultado de este tipo de rectificacin (sin condensador electroltico) se le conoce como de voltaje pulsante.

Rectificador de Onda Completa con Puente de Greatz

Figura N.9 Rectificador de onda Completa. Cuando se utiliza una fuente de voltaje alterna de forma directa en un puente de diodos, se produce la conduccin a travs de los diodos, pero en este caso se rectifican ambos hemiciclos por lo que la salida a los diodos es mucho ms estable.

3. Aplicacin del Transistor como Amplificador. Construya el siguiente circuito y realice su simulacin por medio del software Workbench. Anexe al informe las grficas obtenidas en el osciloscopio. Compare la seal de entrada con la seal de salida. Explique lo sucedido.

Figura 10. Aplicacin del transistor como amplificador.

Se puede apreciar en la imagen que el circuito creado amplifica la seal recibida gracias a la polarizacin que tiene el transistor la cual es de emisor comn lo que indica que la seal adems de amplificada tiene una desfase de 180 grados.

CONCLUSIONES

Un conductor es un material a travs del cual se transfiere fcilmente la carga. Un aislante es un material que se resiste al flujo de carga. Un semiconductor es un material intermedio en su capacidad para transportar carga. Un semiconductor tipo N contiene impurezas donadoras y electrones libres. Un semiconductor tipo P est formado por tomos aceptores y por huecos faltantes de electrones.

Bibliografa
Tarrach, G. (2001). Los semiconductores y sus aplicaciones. Pontificia Universidad de Chile. Tippens, P. (1996). Fisica . Mexico: Mc Graw Hill.

Cibergrafia sites.google.com/site/electronica4bys/tipos-de-diodos
http://www.ing.unlp.edu.ar/quimica/Q1.htm