MEMÓRIAS

1 J. Tomaz
Generalidades

Normalmente são circuitos Integrados LSI (Large
Scale Integration) – Integração em Larga Escala ou
VLSI (Very Large Scale Integration) – Integração
em Muito Larga Escala).

São fundamentais nos circuitos que utilizam

elementos programáveis.

Os dispositivos digitais mais elementares capazes

de armazenar informação binária, são os Biestáveis
(Flip-Flops) e os Registos.

2 J. Tomaz
Generalidades

Num Flip-Flop, a informação que se pode armazenar é
de 1 bit somente.

Quando se deseja armazenar simultaneamente um

conjunto de bits (4, 8, 16…) é necessário recorrer a um
Registo que é um circuito integrado MSI (Medium Scale
Integration) – Integração em Média Escala, formado por
tantos Biestáveis quantos os bits que se desejam
armazenar.

Cada um dos Registos de memória denomina-se posição

de memória, normalmente constituído pelos
elementos necessários para armazenar 1, 4 ou 8 bits.

3 J. Tomaz
Generalidades

Para cada posição de memória existe um endereço

concreto, expresso numericamente.

Quando se deseja ter acesso a uma determinada

posição, é preciso activar o endereço correspondente.

Os sistemas digitais com Microprocessadores que

operam com 8 bits, as memórias são constituídas por
8 posições de bits – O conjunto de 8 bits denomina-se
Byte ou octeto.

4 J. Tomaz
Generalidades

Quando se armazenam dados nas memórias,
processa-se uma operação de escrita (Write).

Quando se acessa à memória, trata-se de uma

operação de leitura (Read).

Tanto a escrita como a leitura são realizadas,

geralmente, pelo Microprocessador, que selecciona a
posição desejada através do Bus de Endereços
(Address Bus) e transporta a informação que se
deseja escrever, ou que foi lida, através do Bus de
Dados (Data Bus).

5 J. Tomaz
CARACTERÍSTICAS MAIS SIGIFICATIVAS
DAS MEMÓRIAS.

As características mais significativas das

Memórias são:

 Tempo de Escrita e Leitura.

 Velocidade de Transferência.
 Densidade de Informação.
 Volatilidade.
 Capacidade.

6 J. Tomaz
Características das
Memórias

O Tempo de Escrita é o tempo que o dispositivo
necessita para registar a informação desde o
momento em que esta aparece na sua entrada.

O Tempo de Leitura é o tempo que decorre desde a

aplicação da ordem de leitura, até que a leitura
apareça na saída.

A Velocidade de Transferência está relacionada com

os tempos anteriores.

7 J. Tomaz
Características das
Memórias
Define-se como a velocidade a que a memória emite ou
recebe informação de leitura ou de escrita.

A Densidade de Informação, está relacionada com a

escala de integração (MSI, LSI, VLSI). Corresponde
ao número de dados que pode armazenar por unidade
de espaço físico.

A Volatilidade de uma memória relaciona-se com a

perda de dados armazenados, quer pelas
características dos elementos que a constituem quer,
até, por falta de energia eléctrica.

8 J. Tomaz
 Características das
Memórias

A Capacidade. As memórias caracterizam-se pelo nº de

posições que as constituem.
Capacidade total de uma memória é o nº de bits que uma
memória pode armazenar. Portanto, a capacidade total será
sempre maior que o nº de posições. Salvo quando o nº de bits
por posição é 1.
Neste caso, ambos são equivalentes.
Em geral chamamos n ao nº de bits de cada posição, e m, ao nº
de posições e N à quantidade total de bits.

Capacidade total de bits -- N = n . m -- nº de posições

|
nº de bits

9 J. Tomaz
Características das
Memórias

A operação de selecção de uma determinada posição
de memória chama-se: endereçamento.

O Bus de Endereços “Address Bus”(a quantidade de

linhas necessárias para endereçar as m posições de
uma memória será n1, de modo a que se tenha
sempre:
2n1 = m

As memórias caracterizam-se pelo nº de posições que
as formam e pela palavra “Word” que é possível
armazenar em cada posição.

10 J. Tomaz
Características das
Memórias

A expressão 32 x 4 referente a uma memória significa
que é um dispositivo de 32 posições (m = 32) cuja
palavra é constituída por 4 bits (n = 4).

A quantidade de posições das memórias de grande

capacidade, mede-se em (K) abreviatura de Kilo.
1K equivale a 1024 posições, e, para processar todas
elas, são necessárias 10 linhas de variáveis binárias.

1K = 210 = 1024 bits 2n1 = m

n1 – Bus de endereçamento
m – Posições de memória

11 J. Tomaz
 Características das
Memórias
Nota: Utiliza-se 1024 = 210, porque é a potência de 2 que mais se
aproxima de 1000.

Quando a dimensão da palavra é de 8 bits (1 byte), a

capacidade (nº de posições) mede-se em Kilobytes.

Exemplo: Uma RAM de 16K = 16.384 bits pode armazenar

16.384 “zeros” e/ou “uns”.
m n
16.384 palavras de 1 bit – 16K x 1
4.096 palavras de 4 bits – 16K x 4
2.048 palavras de 8 bits – 16Kx 8
12 J. Tomaz
 Características das
Memórias

Capacidade de uma memória expressa em (K):
2n1-10
Assim, uma memória com n1 = 14 entradas de selecção terá
uma capacidade de 16K posições.
214-10 = 24 = 16K

Voltando ao conceito de capacidade total, calculemos o nº de
bits de uma memória de 16 Kilobytes, ou seja, de 16K x 8; será:
N = 16 x 1024 x 131.072 bits
16K = 16 x 1024 = 16.384 bits
16.384 x 8 = 131.072 bits

13 J. Tomaz
Classes de Memórias

As memórias com maior utilização são as

denominadas de acesso aleatório (RAM), e as apenas
de leitura (ROM).

RAM (Random Access Memory) – Memória de acesso

aleatório (Leitura e Escrita).

ROM (Read Only Memory) – Memória apenas de

leitura.

14 J. Tomaz
 Classes de Memórias

As Memórias ROM dividem-se em:
 ROM – Memórias programadas por máscara no processo de
fabrico. Só permitem leitura.

 PROM (Programmable ROM) – São Memórias que podem ser

programadas pelo utilizador. Só podem ser programadas uma
vez.

 EPROM (Erasable PROM) – São Memórias que podem ser

reprogramadas. Apagáveis com luz ultravioleta (UV).

 EEPROM ou E2PROM (Electrically EPROM) – Tal como as

EPROM, também são reprogamáveis, mas neste caso,
apagáveis electricamente.
15 J. Tomaz
Classes de Memórias

As memórias ROM não são voláteis, mesmo sem
alimentação, mantém a sua informação. O programa
de controlo do sistema é armazenado neste tipo de
memória.BIOS (Basic Input/Output System); Bootstrap
Loader.

As memórias RAM são voláteis. Utilizam-se

geralmente para armazenar resultados intermédios ou
finais do processo e também para armazenar
programas vindos de dispositivos externos, (discos e
fitas magnéticas). São memórias de trabalho.

As RAM podem ser Estáticas (SRAM) ou Dinâmicas
(DRAM).

16 J. Tomaz
Classes de Memórias

As RAM Estáticas (SRAM) são constituídas por Flip-
Flops e mantêm a informação enquanto se mantém a
alimentação.

As RAM Dinâmicas (DRAM), de tecnologia MOS, com

um maior nº de registos por circuito, precisam de um
sinal de reforço, controlado pelo programa principal,
para poderem manter a informação (Refresh).

As SRAM são mais rápidas e mais caras que as

DRAM.

17 J. Tomaz
Classes de Memórias

Memórias de Acesso Sequencial
Para a escrita ou leitura numa determinada posição de
memória de acesso sequencial, é preciso ler todas as
posições precedentes.
O tempo de acesso, depende do lugar ocupado na
arquitectura interna do dispositivo.

Neste grupo incluem-se as memórias FIFO / LIFO

(First In First Out / Last In First Out), as de
acoplamento por carga CCD (Charge Coupled
Device), e os registos de deslocamento (Shift
Register).
18 J. Tomaz
Classes de Memórias

As memórias de acesso sequencial FIFO constituem
aquilo a que se chama uma fila de espera e as LIFO são
pilhas de dados.

As memórias de acesso sequencial com registos de
deslocamento (Shift Register), são constituídas pelos
registadores, já estudados, e uma rede de circulação
construída com portas lógicas.

Os dispositivos de armazenamento do tipo de
acoplamento por carga (CCD) funcionam como os atrás
descritos. Mas o registo nestas memórias é fabricado c/
componentes (CCD). Têm capacidade para armazenar
carga eléctrica na superfície de um substrato de silício
(funcionam como um condensador).

As memórias podem ser fabricadas com tecnologia MOS
e TTL ou Bipolar.

19 J. Tomaz
 Classes de Memórias

MEMÓRIAS

ACESSO ACESSO
ALEATÓRIO SEQUENCIAL

RAM ROM FIFO / LIFO REGISTOS CCD

LEITURA/ESCRITA LEITURA

ESTÁTICAS ROM TTL TTL MOS

TTL TTL MOS MOS

MOS MOS

PROM / EPROM
DINÂMICAS
EEPROM

MOS TTL

MOS

20 J. Tomaz
 Configuração externa de
uma Memória

Representação simbólica de uma memória RAM:

Endereços E/S de Dados

Memória RAM
n1 n
R/W CS

Controle

R/W – (Read/Write) 0 ou 1 – Inibe ou permite a Leitura/Escrita.

CS – (Chip Select) – Selecção de Chip
n1 – Bus de endereçamento (nº de linhas)
n – Palavras de dados (nº de bits)
21 J. Tomaz
Configuração externa de
uma Memória

As linhas de selecção para endereçamento de cada um
dos registos são representados por n1. O seu valor
depende do nº de posições que constituem a memória.

As entradas de controlo deste dispositivo são CS (Chip

Select) e R/W (Read/Write).

O CS é utilizado para seleccionar um determinado Chip

quando a unidade de memória é constituída por vários
circuitos integrados.

O R/W é utilizado para seleccionar a operação; Leitura

ou Escrita de dados.
22 J. Tomaz
 Unidade de Memória RAM constituída por 8 chips de 1K x 8
cada uma.
Nesta unidade de memória de leitura e escrita, o nº total de posições
ou palavra será de 8K = 8.192 bytes.
A0…A9 10

RAM RAM RAM

1Kx8 1Kx8 1Kx8
CS R/W CS R/W CS R/W
D0…D7 8

R/W
A0…A12 – Linhas de
A0 0 Endereços.
1 D0…D7 – Linhas de
2 Dados.
Descodi-3 E – Enable (Entrada de
ficador 4 habilitação.
5 CS – Chip Select
A12 6 R/W – Read/Write
E 7
23 J. Tomaz
Selecção de cada um dos circuitos que
constituem a memória de um sistema

Acontece quando a memória de um sistema é

constituída por vários chips, o que é bastante
frequente.

A capacidade da unidade de memória pode expandir-

se de três formas distintas:

 Ligando em paralelo um conjunto de circuitos

cuja dimensão de palavra seja a que o sistema
precisa.
 Ligando em série circuitos, com uma dimensão
de palavra menor do que a do sistema.
 Mistura dos dois métodos.

24 J. Tomaz
Selecção de cada um dos circuitos que
constituem a memória de um sistema

No sistema em paralelo, a capacidade resultante é o

produto do nº de circuitos pela capacidade de cada
um deles (normalmente, todos os chips têm
características idênticas).

No sistema em série é possível ligar dois circuitos de

2048 x 4 para obter uma unidade de memória 2048 x
8, ou seja, com as mesmas posições mas com uma
dupla dimensão ou comprimento de palavra.
2048 x 8
| |
posições palavra (nº de bits)

25 J. Tomaz
Selecção de cada um dos circuitos que
constituem a memória de um sistema

A selecção realiza-se através das linhas de endereço

do sistema.

O nº total de endereços depende fundamentalmente

do tipo de Microprocessador que se utiliza.

Um sistema cujo Bus de endereços tenha 16 linhas,

terá capacidade para seleccionar 64K, ou seja, 65.536
palavras.

26 J. Tomaz
Organização interna de uma
Memória

Os circuitos de memória de tecnologia LSI são
constituídos basicamente pelos seguintes elementos:

 Uma matriz constituída por um determinado nº

de células, capazes de armazenar, cada uma,
um bit de informação.
 Um ou dois Descodificadores para seleccionar
cada uma das posições da matriz.
 Um conjunto de Buffers constituídos por portas
de três estados que comanda a entrada/saída
de dados através de um circuito de controlo, no
qual se aplicam os sinais de leitura/escrita (R/W) e a
selecção do chip (C/S).

27 J. Tomaz
 Diagrama blocos de uma Memória RAM de 128
posições de 8 bits cada uma, com selecção linear.

Posição 0
A0 D0
Bus de Endereços

Matriz de Memória
A1 D1

Buffers Tri-State
RAM 128 x 8 bits
Descodificador

Bus de Dados
D2
A2
D3
A3
D4
A4
D5
A5
D6
A6 D7
Posição 127

27 = 128

CS Leitura
Controle
R/W Escrita
28 J. Tomaz
Organização interna de uma
Memória

As memórias podem organizar-se internamente

de várias formas.

A mais simples denomina-se Selecção linear.
Neste caso, a matriz é estruturada em filas e
colunas.

O nº de células que constitui cada fila é igual
ao nº de bits de cada palavra, e o nº total de
filas coincide com o de palavras ou posições.

O nº de colunas é igual ao nº de bits que
constituem a palavra.

29 J. Tomaz
Organização interna de uma
Memória

Se o dispositivo dispõe de m posições, o

Descodificador deverá ser de m saídas.

Este sistema ideal para memórias de reduzida
capacidade, porque o tempo de acesso para a
leitura ou escrita é muito pequeno.

Este tipo de arquitectura não é muito viável
para dispositivos com um elevado nº de
posições, porque se torna prescindível um
Descodificador de muitas saídas, o que ocupa
muito espaço num chip.

30 J. Tomaz
Organização interna de uma
Memória

Quando o microprocessador coloca uma

combinação no Bus de Endereços para uma
selecção de uma determinada posição e se
existe ordem de leitura, as oito células que
constituem essa posição depositam
simultaneamente a sua informação no Bus de
Dados.

Da mesma forma, quando se estabelece a
ordem de escrita, a informação presente no
Bus de Dados vai passando para as oito
células da posição endereçada.

31 J. Tomaz
Organização interna de uma
Memória

Quando a capacidade da Memória é muito

elevada, é preferível efectuar endereçamento
pelo método da Selecção por coincidência ou
Dupla descodificação.

Neste caso, o circuito contém dois
Descodificadores, cada um mais pequeno que
o de uma descodificação linear.

32 J. Tomaz
 Bit 0
A0

Descodificador
A1
A2 Matriz de Memória

Fila
de
A3 ROM
A4 128 x 128 bits
A5
A6
Bit 127

Bit 127

Bit 0
A7
A8 Descodificador de
A9 Coluna
Diagrama blocos de uma ROM de A10
128 x 128 bits com selecção por
Dupla Descodificação.

CS Buffers Tri-State

J. Tomaz
D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
33