Medición de La Constante Dieléctrica Del Material FR4 y S 11

UTN - FRBA
Medidas Electrnicas II Medicin de Constante Dielctrica de material FR4
Curso: R5053 Profesor:

Ing. Cecconi, Juan
JTP/ Ayudantes: Ing. Musolino, Augusto

Ing. Hidalgo, Damin
Integrantes:
Acua Esparza, Juan
(116649-9) jjae182@yahoo.com.ar
Berti Ponsone, Emmanuel (116128-3) emmanuelponsone@gmail.com Godoy, German Gribaldo Fernando Lescano, Gustavo Lumma, Federico (113325-1) german_g_godoy@yahoo.com.ar (116944-0) fergrib@arnet.com.ar (113481-4) lguscano@yahoo.com.ar (119928-6) fexdelu@yahoo.com.ar
Fecha de entrega: Observaciones:
22 / 02 / 2011
UTN-FRBA - Medidas Electrnicas II

Determinacin de Constante dielctrica de material FR4
Indice
Introduccin ........................................................................................................ 3 Desarrollo ........................................................................................................... 3 Diseo de circuito impreso ................................................................................. 4 Motivacin ................................................................................................................ 4 Planos circuito impreso ............................................................................................. 5 Software de simulacin ...................................................................................... 5 Aplicacin de Parmetros S ............................................................................... 6 Definicin de parmetros S ....................................................................................... 6 Utilizacin de parmetros S en el proyecto ............................................................... 7 Simulaciones ...................................................................................................... 7 Variacin de los parmetros S en funcin de la variacin del espesor en el sustrato y el cobre de la placa de FR4 ........................................................................................ 7 Variacin del parmetro S21 en funcin del espesor de la pelcula de cobre ......... 8 Espesor de sustrato ................................................................................................... 8 Variacin del parmetro S21 en funcin del espesor de sustrato de FR4 ............. 10 Variacin del parmetro S21 en funcin de la constante dielctrica del sustrato 12 Resultados de la simulacin .................................................................................... 13 Campo elctrico .................................................................................................. 14 Flujo de potencia ................................................................................................. 15 Mediciones ....................................................................................................... 15 Analizador Vectorial Agilent E8363B ....................................................................... 15 Especificaciones .................................................................................................. 15 Calibracin .......................................................................................................... 16 Dispositivos de prueba ........................................................................................ 16 Pinzas torquimtricas .......................................................................................... 16 Resultados de las mediciones y ajuste de la constante dielctrica ........................... 17 Fotos mediciones laboratorio Sala Limpia UNSAM .................................................. 25 Conclusin........................................................................................................ 28 Bibliografa ....................................................................................................... 29
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Medidas Electrnicas II (2010)
Grupo 1: Acua, J. - Gribaldo F. - Godoy, G. - Lescano, G. - Lumma, F. - Ponsone, E.
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Introduccin
El desarrollo de circuitos impresos actuales demanda la utilizacin de seales en el orden de los GHz. Esto hace que sea necesario conocer los parmetros de las placas sobre las cuales se fabrican los circuitos, ya que ofician como lneas de transmisin. El parmetro ms importante es sin duda la constante dielctrica relativa del sustrato, ya que afecta en forma directa la forma en la que las seales se propagan. Sin embargo, los fabricantes solo especifican el valor de dicha constante a bajas frecuencias. El propsito del proyecto es llevar a cabo un mtodo que permita en forma rpida y simple estimar el valor de la constante dielctrica para frecuencias altas. El mtodo elegido para llevar a cabo nuestro objetivo sigue como modelo al utilizado en el paper Dielectric Verification of FR4 Substrate using Microstrip Bandstop Resonator and CAE Tool que hace uso de la herramienta de ingeniera asistida por computadora (CAE)1, un filtro elimina banda de microtiras para determinar la constante dielctrica del material y un analizador vectorial. El mtodo es simple de practicar y nos provee de una manera rpida y relativamente directa un mtodo de investigar el material FR4.
Desarrollo
Segn la hoja de datos del fabricante de las placas de material FR4, el valor de la constante dielctrica es de 4.5 a 10 MHz y se seleccionan un conjunto de valores con el objetivo de explicar la tcnica propuesta. Se disean diferentes filtros Stopband de microtiras de diferentes dimensiones y se analizan con el simulador electromagntico. La tcnica utilizada para realizar el circuito impreso fue mediante el uso de papel fotosensible y la aplicacin de luz UV para fijar el diseo en la placa; luego se aplica el percloruro frrico y finalmente se limpia la superficie. Una vez realizados los circuitos impresos se miden los parmetros S mediante un analizador vectorial y se van comparando con los resultados que se obtienen de la simulacin en la PC mientras se van variando los valores de la constante dielctrica en la simulacin de manera que los resultados den igual en la medicin y la simulacin. Los valores obtenidos son los utilizados para validar la exactitud del mtodo propuesto.
Se hace uso del software CST Microwave Studio 9
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Diseo de circuito impreso

Motivacin El trmino microondas hace referencia a seales de frecuencias entre 300 MHz y 300 GHz, con una longitud de onda entre =c/f=1m y =1mm, respectivamente. Entendemos por ondas milimtricas, seales con longitud de onda en el orden de milmetros. Debido a las altas frecuencias (y cortas longitudes de onda), la teora de circuitos clsica no se puede usar directamente para resolver problemas de redes de microondas, y hay que recurrir a las ecuaciones de Maxwell para caracterizar el comportamiento de los dispositivos operando en esta banda de frecuencias. Los componentes microondas son a menudo elementos distribuidos, donde la fase de un voltaje o corriente cambia significativamente sobre el rea del dispositivo porque las dimensiones de ste estn en el orden de la longitud de onda (L). A frecuencias mucho ms bajas, la longitud de onda es suficientemente grande, de forma que hay una variacin de fase insignificante a travs de las dimensiones de un componente (L<<) y se habla de elementos concentrados. El otro extremo del espectro, frecuencias extremadamente altas, se identifica como ingeniera ptica, en la cual la longitud de onda es mucho ms corta que las dimensiones del componente (L>>). En este caso las ecuaciones de Maxwell se pueden simplificar y pueden disearse sistemas pticos con la teora de ptica geomtrica. Estas tcnicas se aplican a veces a sistemas de onda milimtricos, y son descritas como cuasipticas. Se denomina stub a un tramo de lnea de longitud variable cortocircuitada por uno de sus extremos y que normalmente se acopla en paralelo con la lnea principal, tal como se esquematiza en la Figura 1; Recordar, de acuerdo con la teora, que a lo largo del stub puede conseguirse cualquier valor de impedancia reactiva (parte real nula)
Figura 1
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En la Figura 1, Y1 simboliza a la admitancia que se ve mirando hacia la carga en el punto donde est colocado el stub; Y2 es la admitancia que se ve en el punto de unin mirando hacia el cortocircuito en el stub; la admitancia a que da lugar, en el punto citado, la asociacin de Y1 e Y2 ser: Y = Y1 + Y2 Planos circuito impreso
El diseo del circuito fue realizado con el software Autocad y luego el archivo fue importado al software CST para realizar las simulaciones. A continuacin se muestra el diseo:
Figura 2: Diseo de circuito impreso a medir
Software de simulacin
El software CST permite desarrollar y simular el comportamiento de todas las variables de las siguientes estructuras: Microtiras Conectores coaxiales. Antenas. Cavidades.
Nosotros lo utilizamos para el desarrollo y la simulacin de un sistema de microvas con un stub acoplado. En el mismo mediante la simulacin pudimos visualizar y contrastar tanto los parmetros constructivos (geometra y disposicin del circuito), como los parmetros que nos indican cual ser su comportamiento una vez construido. Definicin de sustrato a utilizar, definir los puertos, definir los rangos de
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frecuencias y condiciones de contorno, visualizar las seales del puerto y los parmetros-S, visualizar los modos de puerto y las corrientes superficiales. Para mayor informacin de las utilidades y formas de uso del software, se puede encontrar adjunto a la entrega del presente informe los siguientes archivos, los cuales son una gua prctica para dar los primeros pasos en la utilizacin del mismo.
Aplicacin de Parmetros S
Formalmente, los parmetros S pueden ser definidos para cualquier arreglo de componentes electrnicos lineales. Estn algebraicamente relacionados con los parmetros impedancia, con los parmetros admitancia y a una caracterstica de la impedancia caracterstica de la lnea de transmisin. Definicin de parmetros S Una red de microondas de N puertos tiene N brazos en los cuales pueden entrar o salir potencia. En general, la potencia puede llegar de cualquier brazo a cualquier otro. Por eso hay N brazos incidentes y N ondas reflejadas. Se puede observar que la potencia puede ser reflejada por un puerto, as que la potencia de entrada puede dividirse, entre todos los puertos de la red para formar ondas reflejadas. Asociada a cada puerto esta la nocin de plano de referencia en la que la amplitud de la onda y la fase se definen. Usualmente el plano de referencia asociado con cierto puerto esta en el mismo lugar respecto a las ondas entrantes y salientes. La amplitud compleja de la ensima onda entrante es designada por la cantidad compleja an, y la amplitud compleja de la ensima onda saliente es designada por la cantidad compleja bn. Las cantidades de onda entrante son ordenadas en un vector A (1xN) y las salientes en un vector B (1xN). Las ondas salientes son expresadas en trmino de las entrantes por la ecuacin matricial, donde S es una matriz cuadrada NxN de nmeros complejos llamada matriz de dispersin. Esta determina completamente el comportamiento de la red. En general, los trminos de esta matriz, denominados parmetros S, dependen todos de la frecuencia. En el caso de nuestro proyecto utilizamos un arreglo circuital de 2 puertos, uno de entrada y uno de salida, con lo cual las identidades matriciales quedan de la siguiente forma: b1= S11 a1 + S12 a2 b2 = S21 a2 + S22 a2 Conteniendo solamente 4 parmetros S. stas cuatro cantidades complejas en realidad contienen 8 nmeros separados; las partes real e imaginaria, o el mdulo y el ngulo de fase de cada uno de los parmetros S. Consideremos el significado fsico de
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estos parmetros S. Si el puerto de salida 2 est terminado, es decir, que la lnea de transmisin este conectada a una carga con impedancia acoplada tal que no se presenten reflexiones, luego no hay onda de entrada en puerto 2. La onda de entrada en el puerto 1 (a1) genera una onda reflejada en el puerto 1 (b1) y una onda transmitida en el puerto 2 que es absorbida en la carga. La relacin entre las amplitudes de estas ondas se designa con el parmetro S21. De la definicin es claro que S11 es el coeficiente de reflexin del puerto 1 de la red, S22 es el coeficiente de reflexin del puerto 2. En cambio S12 y S21 son respectivamente el coeficiente de transmisin del puerto 1 al 2 y desde el 2 al 1. Considerando que la red no presenta prdidas ni ganancias y dadas las definiciones de los coeficientes de reflexin y transmisin, se debe cumplir que:
A partir de otras propiedades del sistema es posible determinar otras propiedades de la matriz, como por ejemplo la simetra, cuando estamos en presencia de un sistema simtrico. Esta definicin es ampliable al caso de redes de ms de 2 puertos, pero estn fuera del alcance del presente proyecto. Utilizacin de parmetros S en el proyecto Con el fin de determinar la constante dielctrica de la placa a analizar, se dise un stub acoplado, de modo tal que el valor del parmetro S21 (transferencia directa entrada vs salida) valga 1 para todos los valores distintos a la frecuencia 2.3GHz, y cero para este valor especfico.
Simulaciones
Variacin de los parmetros S en funcin de la variacin del espesor en el sustrato y el cobre de la placa de FR4
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Figura 3: Circuito impreso en simulacin
El siguiente anlisis tiene como objetivo determinar, mediante distintas simulaciones utilizando el programa CST Microwave Studio, como vara el parmetro S21 al variar ya sea el espesor de la pelcula de cobre como el espesor del sustrato de la placa en cuestin. Los fabricantes de placas para circuitos impresos informan en sus hojas de datos que los espesores nominales del cobre y el sustrato son de 35 micrmetros y 1.6 milmetros respectivamente. Se van a realizar una serie de simulaciones variando estos espesores para contrastar los resultados con los de la simulacin llevada a cabo con los valores nominales de los parmetros. Todo esto tiene como objetivo final demostrar que la frecuencia de resonancia del filtro no depende fuertemente de dichos parmetros siempre y cuando estos varen dentro de ciertos lmites que el fabricante garantiza, pero en cambio, si es fuertemente dependiente de la variacin de la constante dielctrica relativa. Variacin del parmetro S21 en funcin del espesor de la pelcula de cobre Espesor de sustrato constante entre simulaciones (1.6mm).
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Figura 4 : Parmetro S21 para Espesor de cobre de 35 micrmetros y sustrato de 1.6mm
Figura 5 : Parmetro S21 para Espesor de cobre de 38.5 micrmetros y sustrato de 1.6mm
Figura 6 : Ampliacin de la zona en la que se encuentra la frecuencia de resonancia para un espesor de cobre de 38.5 micrmetros y de 1.6mm de sustrato.
Veamos cmo es la variacin relativa de la frecuencia de resonancia en funcin del espesor del cobre:
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(38.5 35) % = 100 = 10% 35 (2.6100 2.6090) % = 100 = 0.038% 2.6090 Esto quiere decir que ante una variacin del 10% en el espesor de la pelcula de cobre, se registra una variacin del 0.038% en la frecuencia de resonancia del filtro. Variacin del parmetro S21 en funcin del espesor de sustrato de FR4 Espesor de la pelcula de cobre constante entre simulaciones (35m).
Vemos como es la variacin relativa de la frecuencia de resonancia en funcin del espesor del sustrato: (1760 1600) % = 100 = 10% 1600
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(2.6375 2.6090) % = 100 = 1.09% 2.6090 El fabricante indica en sus hojas de datos una variacin mxima del espesor del sustrato de 4.6%. A continuacin se muestra el resultado de la simulacin para dicha variacin del parmetro en cuestin.
(1673.6 1600.0) % = 100 = 4.6% 1600.0 (2.6185 2.6090) % = 100 = 0.3641% 2.6090 Se observa que si bien la variacin del espesor del sustrato impacta de manera ms significativa que la variacin del espesor del cobre, sigue siendo muy pequea. Sin embargo, estas variaciones deben ser comparadas frente a las variaciones en el valor de la constante dielctrica relativa del sustrato para poder evaluar la inferencia de cada una de las variaciones en los parmetros.
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Variacin del parmetro S21 en funcin de la constante dielctrica del sustrato
Figura 10 : Parmetro S21 para Espesor de cobre de 35 micrmetros y sustrato de 1.6mm y constante dielctrica 3.
Figura 11 : Parmetro S21 para Espesor de cobre de 35 micrmetros y sustrato de 1.6mm y constante dielctrica 3.3
Veamos cmo es la variacin relativa de la frecuencia de resonancia en funcin de la constante dielctrica relativa del sustrato: 3.3 3.0 % = 100 = 10.00% 3 (2.5140 2.6090) % = 100 = 3.64% 2.6090
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Resultados de la simulacin
Figura 12: Linea de microtiras propuesta
La simulacin se realiz haciendo uso del software CST Microwave Studio 9 de la lnea de microtiras que se observa en la figura. Dicha simulacin arroj la siguiente curva en funcin de la frecuencia de excitacin para el parmetro de dispersin S21:
Figura 13: Parmetro S21
Aqu se puede observar que la primer frecuencia de resonancia es de f=2.61GHz. En esta frecuencia la potencia incidente en el puerto 1 del circuito es derivada casi en su totalidad por el stub, ocasionando que la potencia que llega al puerto 2 sea prcticamente nula. Esto se debe a que para esta frecuencia, la longitud elctrica del stub es de unos 180, oficiando as de cortocircuito. Atentos a la frecuencia de resonancia indicada, se realizaron simulaciones para observar el comportamiento de los campos magnticos y elctricos, junto con la densidad de energa de los mismos. Para ello se escogieron dos frecuencias distintas, la primera de ellas es justamente la frecuencia de resonancia, f1=2.61GHz y la otra es f2=4GHz. Esta ltima se eligi teniendo en cuenta que el valor de S21 es cercano a la unidad, con el fin de contrastar resultados.
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Campo elctrico
Figura 14 Campo elctrico a f=2.61GHz
Figura 15 Campo elctrico a f=4GHz
Figura 16 Densidad de energa elctrica a f=2.61GHz
Figura 17 Densidad de energa elctrica a f=4GHz
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Flujo de potencia
Figura 18 Flujo de potencia a f=2.61
Figura 19 Flujo de potencia a f=4GHz
En las figuras se puede observar perfectamente el comportamiento del circuito a ambas frecuencias. En el caso de la frecuencia de resonancia el stub presenta a la onda incidente un cortocircuito, ocasionando que sea prcticamente nula la energa que llega al puerto 2. En el caso de f=4GHz se puede observar que el stub no carga al circuito en forma apreciable, permitiendo que la onda incidente en el puerto 1 llegue casi en su totalidad al puerto 2, es decir, se logra S21 =1 (aproximadamente).
Mediciones
Analizador Vectorial Agilent E8363B2 Especificaciones

2
10 MHz to 40 GHz 110 dB of dynamic range <0.006 dB trace noise <26 usec/point measurement speed, 32 channels, 20,001 points TRL/LRM calibration, on-wafer, in-fixture, waveguide, and antenna measurements Mixer conversion loss, return loss, isolation, and absolute group delay Amplifier gain compression, harmonic, IMD, and pulsed-RF
Agilent E8363B - Sala limpia UNSAM.
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Calibracin La calibracin de un analizador de redes es un proceso de alta precisin en el cual, se deben tener en cuenta tanto la impedancia en la que se est operando (50 Ohms, en la telefona celular o 75 Ohms para otras aplicaciones) como las condiciones en las que est operando el equipo. Por este motivo, y dependiendo de la cantidad de Parmetros-S que se requiera medir el proceso puede resultar largo y tedioso por la cantidad de veces que se tuviera que repetir. Dispositivos de prueba El estndar de calibracin usa tres dispositivos de prueba llamados OPEN (red abierta), SHORT (red en corto circuito), y THRU (red conectada) (Ver Figura 31), los cuales deben ser conectados a los puertos del analizador para que este pueda comparar y establecer la diferencia entre estos tres modos, estos datos son guardados en un registro y cada registro debe ser calibrado independientemente y en el momento en que se le haga una modificacin a la red en estudio. Otro tipo de instrumento para la calibracin de analizadores de redes es el mdulo de calibracin elctrico (E-Cal), el cual se conecta a este y es automticamente reconocido y posee una mayor precisin que el equipo de calibracin manual mencionado anteriormente. La nica desventaja aparente de este dispositivo es que se debe esperar a que alcance su temperatura de operacin antes de usarlo. Pinzas torquimtricas
Figura 20: Juego de pinzas torquimtricas
Las pinzas se utilizan por dos motivos fundamentales, el primero de ellos es para que todos los conectores estn ajustados de la misma forma, lo cual ayuda a mejorar la medicin. Y la segunda y ms importante an, es para evitar daar los conectores al
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aplicarle solo la fuerza justa para que estos estn correctamente ajustados, ya que si uno de ellos se daa, como el que se muestra en la Figura 21, no solamente degrada las seales, sino que al cambiarlo hay que enviar a calibrar el equipo nuevamente, algo que no solamente lleva tiempo ya que no se realiza en el pas, sino que tambin es MUY costoso.
Figura 21: Conector daado a causa de un mal uso
Resultados de las mediciones y ajuste de la constante dielctrica Ya hemos demostrado que la frecuencia de resonancia del filtro de micro tiras es fuertemente dependiente del valor de la constante dielctrica. Este resultado permite decir que el valor de la constante dielctrica que iguala las frecuencias de resonancia del modelo simulado con el filtro real medido, es el valor buscado de dicha constante, cuya incertidumbre vamos a intentar cuantificar. A continuacin se observa el resultado de la medicin del filtro de microtiras realizada en la sala limpia dentro de las instalaciones de la Universidad de San Martin. El grafico corresponde a la medicin del parmetro de dispersin S21, junto con un acercamiento en la frecuencia donde se observa la resonancia del filtro:
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Figura 22: Resultado de la medicin del parmtro S21
Figura 23: Acercamiento en la frecuencia de resonancia
En este ltimo grafico podemos observar que la frecuencia de resonancia es de 2.339GHz. Veamos ahora resultados de distintas simulaciones en las cuales se va a ir ajustando progresivamente el valor de la constante dielctrica del sustrato hasta lograr que la frecuencia de resonancia del circuito simulado coincida con la del circuito real. Comencemos con = 3.3
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Figura 24: Parmetro S21. Resultado de la simulacin para e=3.3
Figura 1: Zoom de figura anterior en la frecuencia de resonancia
Vemos que para este valor de psilon la frecuencia de resonancia se aleja demasiado del valor medido. Para saber si debemos aumentar o disminuir la constante dielctrica, recordemos la expresin que obtuvimos al ver la variacin de la frecuencia de resonancia con la variacin de psilon: 3.3 3.0 % = 100 = 10.00% 3 (2.5140 2.6090) % = 100 = 3.64% 2.6090
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Estas expresiones indican que ante una variacin positiva de la constante dielctrica, hay una variacin negativa de la frecuencia de resonancia. Por lo tanto, debemos elevar el valor de la constante dielctrica en nuestras simulaciones. Probemos ahora con = 4.
Figura 25: Parmetro S21. Resultado de la simulacin para e=4
Vemos que nos hemos aproximado mucho al valor medido. En esta simulacin la frecuencia de resonancia se encuentra en 2.324GHz.
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Vemos que ahora la frecuencia de resonancia simulada se encuentra levemente por debajo de la frecuencia de resonancia del circuito real. Esto quiere decir que en el prximo intento debemos bajar el valor de la constante dielctrica del material. Veamos que sucede ahora con = 3.95
Figura 26: Parmetro S21. Resultado de la simulacin para e=3.95
El valor ledo de la frecuencia de resonancia en este caso es de 2.333GHZ, el cual vamos a aceptar, ya que se aproxima mucho al valor medido. Se concluye por lo tanto, que el valor de la constante dielctrica del sustrato FR4 para una frecuencia de 2.33GHz es de = 3.95.
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Solo nos queda evaluar el error cometido. Para ello vamos a valernos nuevamente de las herramientas de simulacin. El procedimiento es el siguiente, vamos a suponer que tanto el espesor del cobre como el espesor del sustrato presentan las siguientes variaciones: (38.5 35) % = 100 = 10% 35 (1673.6 1600.0) % = 100 = 4.6% 1600.0 Estos valores son los que el fabricante indica. Al considerar ambas desviaciones en forma conjunta, tenemos los siguientes resultados para un valor de constante dielctrica relativa de 3.95:
Figura 28: Parmetro S21. Resultado de la simulacin con e=3.95 considerando las variaciones en el sustrato y el cobre
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Se observa que la frecuencia de resonancia ya no es la misma que la medida mediante el analizador vectorial. Debemos nuevamente someternos al proceso de ajuste de la constante dielctrica del material hasta igualar la frecuencia de resonancia del modelo simulado con el circuito real.
Figura 29: Parmetro S21. Resultado de la simulacin con e=4.05 considerando las variaciones en el sustrato y el cobre
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Resulta claro que para volver a alinear la frecuencia de resonancia del modelo simulado con la del circuito real, fue necesario modificar la constante dielctrica relativa del sustrato. El nuevo valor es 4.05. Esto indica que la incertidumbre es de 0.1. Dicho esto podemos expresar el resultado final como: = . .
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Fotos mediciones laboratorio Sala Limpia UNSAM
Figura 30: Instrumento de medicin
Figura 31: Dispositivo a medir
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Figura 32: Cargas utilizadas para calibracin instrumento de medicin
Figura 33: Men de calibracin de instrumento de medicin
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Figura 34: Dispositivo a medir y pinza torquimtrica
Figura 35: Resultados de medicin. Parmetro S12
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Conclusin
Observando los resultados obtenidos, podemos decir que es una aproximacin aceptable el hecho de considerar que la frecuencia de resonancia del filtro es fuertemente dependiente de la variacin de la constante dielctrica del sustrato, en comparacin con la variacin de otros parmetros. De esta forma, resulta viable el mtodo propuesto para estimar dicha constante. No obstante, conociendo de qu manera influyen las variaciones tanto del espesor del cobre como del espesor del sustrato, podemos cuantificar el error cometido al estimar el valor de la constante dielctrica del sustrato.
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Bibliografa
Paper: Dielectric Verification of FR4 Substrate using Microstrip Bandstop Resonator and CAE Tool Tutorial: CST Microwave Studio
E8363B PNA Network Analyzer, 10 MHz to 40 GHz User Manual URL: http://cp.literature.agilent.com/litweb/pdf/5988-7988EN.pdf
Calibration Guide - Agilent Technologies ESA Spectrum Analyzer URL:

http://cp.literature.agilent.com/litweb/pdf/E4401-90493.pdf
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Medidas Electrnicas II Medicin de Constante Dielctrica de material FR4

Curso: R5053 Profesor:

JTP/ Ayudantes: Ing. Musolino, Augusto

Acua Esparza, Juan

Fecha de entrega: Observaciones:

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Medidas Electrnicas II (2010)

Grupo 1: Acua, J. - Gribaldo F. - Godoy, G. - Lescano, G. - Lumma, F. - Ponsone, E.

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Se hace uso del software CST Microwave Studio 9

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Grupo 1: Acua, J. - Gribaldo F. - Godoy, G. - Lescano, G. - Lumma, F. - Ponsone, E.

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Diseo de circuito impreso

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Grupo 1: Acua, J. - Gribaldo F. - Godoy, G. - Lescano, G. - Lumma, F. - Ponsone, E.

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Figura 2: Diseo de circuito impreso a medir

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Grupo 1: Acua, J. - Gribaldo F. - Godoy, G. - Lescano, G. - Lumma, F. - Ponsone, E.

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Grupo 1: Acua, J. - Gribaldo F. - Godoy, G. - Lescano, G. - Lumma, F. - Ponsone, E.

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Grupo 1: Acua, J. - Gribaldo F. - Godoy, G. - Lescano, G. - Lumma, F. - Ponsone, E.

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Figura 3: Circuito impreso en simulacin

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Grupo 1: Acua, J. - Gribaldo F. - Godoy, G. - Lescano, G. - Lumma, F. - Ponsone, E.

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Figura 4 : Parmetro S21 para Espesor de cobre de 35 micrmetros y sustrato de 1.6mm

Grupo 1: Acua, J. - Gribaldo F. - Godoy, G. - Lescano, G. - Lumma, F. - Ponsone, E.

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Figura 7 : Parmetro S21 para Espesor de cobre de 35 micrmetros y sustrato de 1.6mm

Figura 8 : Parmetro S21 para Espesor de cobre de 35 micrmetros y sustrato de 1.76mm

Grupo 1: Acua, J. - Gribaldo F. - Godoy, G. - Lescano, G. - Lumma, F. - Ponsone, E.

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Figura 9 : Parmetro S21 para Espesor de cobre de 35 micrmetros y sustrato de 1.6736mm

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Grupo 1: Acua, J. - Gribaldo F. - Godoy, G. - Lescano, G. - Lumma, F. - Ponsone, E.

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Variacin del parmetro S21 en funcin de la constante dielctrica del sustrato

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Grupo 1: Acua, J. - Gribaldo F. - Godoy, G. - Lescano, G. - Lumma, F. - Ponsone, E.

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Figura 12: Linea de microtiras propuesta

Figura 13: Parmetro S21

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Grupo 1: Acua, J. - Gribaldo F. - Godoy, G. - Lescano, G. - Lumma, F. - Ponsone, E.

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Figura 14 Campo elctrico a f=2.61GHz

Figura 15 Campo elctrico a f=4GHz

Figura 16 Densidad de energa elctrica a f=2.61GHz

Figura 17 Densidad de energa elctrica a f=4GHz

Medidas Electrnicas II (2010)

Grupo 1: Acua, J. - Gribaldo F. - Godoy, G. - Lescano, G. - Lumma, F. - Ponsone, E.

UTN-FRBA - Medidas Electrnicas II

Figura 18 Flujo de potencia a f=2.61

Figura 19 Flujo de potencia a f=4GHz

Agilent E8363B - Sala limpia UNSAM.

Medidas Electrnicas II (2010)

Grupo 1: Acua, J. - Gribaldo F. - Godoy, G. - Lescano, G. - Lumma, F. - Ponsone, E.

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