-H diversas famlias diferentes de portas da lgica. Cada famlia tem suas potencialidades e limitaes, suas vantagens e desvantagens. A seguinte lista descreve as famlias da lgica principal e suas caractersticas. Voc pode seguir as ligaes para ver a construo do circuito das portas de cada famlia. Lgica Do Diodo (Dl) -As portas lgicas do diodo usam diodos executar E e OU funes da lgica. Os diodos tm a propriedade facilmente de passar uma corrente eltrica em um sentido, mas no a outra. Assim, os diodos podem agir como um interruptor lgico. As portas lgicas do diodo so muito simples e baratas, e podem ser usadas eficazmente em situaes especficas. Entretanto, no podem ser usados extensivamente, porque tendem a degradar rapidamente sinais digitais. Alm, no podem executar NO uma funo, assim que sua utilidade completamente limitada. Lgica Do Resistor-Transistor (RTL) -As portas da lgica do Resistor-transistor usam transistor combinar os sinais de entrada mltiplos, que tambm amplificam e invertem o sinal combinado resultante. Um transistor adicional includo freqentemente re-inverte o sinal de sada. Esta combinao fornece sinais de sada limpos e inversor ou no-inversor como necessitado. As portas de RTL so quase to simples quanto as portas do DL, e remanescem baratas. So tambm acessveis porque os sinais normais e invertidos esto freqentemente disponveis. Entretanto, extraem uma quantidade significativa de corrente da fonte de alimentao para cada porta. Uma outra limitao que as portas de RTL no podem comutar nas velocidades elevadas usadas por computadores de hoje, embora sejam ainda teis em umas aplicaes mais lentas. Embora no sejam projetados para a operao linear, os circuitos integrados de RTL so usados s vezes como amplificadores de pequeno sinal baratos, ou como dispositivos da relao entre circuitos lineares e digitais. Lgica Do Diodo-Transistor (DTL) -Deixando diodos executar o lgico E ou OU a funo e ento amplificando o resultado com um transistor, ns podemos evitar algumas das limitaes de tomadas de RTL. DTL a lgica do diodo que bloqueia e adiciona um transistor sada, a fim fornecer o inversor da lgica e restaurar o sinal aos nveis cheios da lgica. Lgica Do Transistor-Transistor (Ttl) -A construo fsica de circuitos integrados fez mais eficaz substituir todos os diodos da entrada em uma porta de DTL com um transistor, construdo com emissores mltiplos. O resultado a lgica do transistor-transistor, que se transformou o circuito de lgica padro em a maioria de aplicaes por um nmero de anos. Como melhorado avanado, o TTL circuitos integrados foi adaptado ligeiramente para segurar uma escala mais larga das exigncias, mas suas funes bsicas remanesceram as mesmas. Estes dispositivos compreendem a famlia 7400 de ICs digital. Lgica Emissor-Acoplada (Ecl) -Sabido tambm como a lgica de modalidade atual (CML), as portas do ECL esto projetadas especificamente operar-se em velocidades extremamente elevadas, evitando " a retardao " inerente quando os transistor so permitidos se tornar saturado. Por causa desta, entretanto, estas portas exigem quantidades substanciais de corrente eltrica operar-se corretamente. 2 Lgica do Cmos -Um fator comum a todas as famlias que da lgica ns alistamos acima: usam quantidades significativas de poder eltrico. Muitas aplicaes, as especial portteis, alimentado bateria, requerem que o uso do poder esteja minimizado absolutamente. Para realizar esta, a famlia da lgica do CMOS (Metal-xido-Semicondutor complementar) foi desenvolvida. Esta famlia usa mOSFETs da realce-modalidade como seus transistor, e assim que projetado que no requer quase nenhuma corrente se operar. As portas do CMOS, entretanto, so limitadas severamente em sua velocidade de operao. No obstante, so altamente til e eficaz em uma escala larga de aplicaes alimentados bateria. -A maioria de famlias da lgica compartilham de uma caracterstica comum: suas entradas requerem uma determinada quantidade de corrente a fim operar-se corretamente. As portas do CMOS trabalham um bocado diferentemente, mas representam ainda uma capacidade que deva ser carregada ou descarregado quando a entrada muda o estado. A corrente requerida para dirigir toda a entrada deve vir da sada que fornece o sinal da lgica. Conseqentemente, ns necessitamos saber quanto corrente uma entrada requer, e quanto corrente uma sada pode confiantemente fornecer, a fim determinar quantas entradas podem ser conectadas a uma nica sada. -Entretanto, fazer tais clculos pode ser projeto tedioso. Conseqentemente, ns usamos uma tcnica diferente. Melhor que trabalhando constantemente com correntes reais, ns determinamos a quantidade de corrente requerida dirigir uma entrada padro, e design- la que como uma carga padro em toda a sada. Agora ns podemos definir o nmero de cargas que do padro uma sada dada pode dirigir, e identificamo-la essa maneira. Infelizmente, algumas entradas para circuitos especializados requerem mais do que a corrente usual da entrada, e algumas portas, sabidas como amortecedores , so projetadas deliberadamente poder dirigir mais entradas do que usuais. Para que uma maneira fcil defina exigncias da entrada e potencialidades de movimentao atuais da sada, ns definimos dois termos novos: Fan-in -O nmero das cargas padro extradas por uma entrada para assegurar a operao de confiana. A maioria de entradas tm um fan-in de 1. Fan-out -O nmero das cargas padro que podem confiantemente ser dirigidas por uma sada, sem fazer com que a tenso da sada desloque fora de sua escala legal dos valores. Lembre-se, fan-in e o fan-out aplica-se diretamente somente dentro de uma famlia dada da lgica. Se para qualquer razo voc necessitar conectar entre duas famlias diferentes da lgica, para ter cuidado para anotar e se encontrar com as exigncias da movimentao e as limitaes de ambas as famlias, dentro dos circuitos da relao. Lgica Do Diodo -A lgica do diodo emprega o fato que o dispositivo eletrnico sabido como um diodo conduzir uma corrente eltrica em um sentido, mas no no outro. Nesta maneira, o diodo age como um interruptor eletrnico.
3 - esquerda voc v uma lgica bsica do diodo OU bloqueia-a. Ns suporemos por que uma lgica 1 est representada por +5 volts, e uma lgica 0 est representada a terra, ou os zero volts. -Nesta figura, se ambas as entradas forem deixadas desconectadas ou forem ambas na lgica 0, a sada Z ser prendida tambm nos volts zero pelo resistor, e ser assim uma lgica 0 tambm. Entretanto, se uma ou outra entrada for levantada para +5 volts, seu diodo tornar-se- polarizado e conduzir-se- conseqentemente. Isto por sua vez forar para output at a lgica 1. Se ambas as entradas forem a lgica 1, a sada ser ainda a lgica 1. Daqui, esta porta executa corretamente um lgico OU funo. - direita so o equivalente E a porta. Ns usamos os mesmos nveis da lgica, mas os diodos so invertidos e o resistor ajustado para puxar a tenso da sada at uma lgica 1 estado. Para este exemplo, +V = +5 volts, embora outras tenses enlatem apenas como facilmente seja usado. Agora, se ambas as entradas forem desconectadas ou se forem ambas na lgica 1, a sada Z estar na lgica 1. Se uma ou outra entrada estiver aterrada (lgica 0), esse diodo conduzir e puxar a sada para baixo para a lgica 0 tambm. Ambas as entradas devem ser a lgica 1 para que a sada seja a lgica 1, assim que o este circuito executa o lgico E funo. -Em ambas estas portas, ns fizemos a suposio que os diodos no introduzem nenhuns erros ou perdas no circuito. Este no realmente o caso; um diodo do silicone experimentar uma queda de tenso para diante aproximadamente de 0.65v a 0.7v ao conduzir. Mas ns podemos comear em torno deste muito agradvel especificando que qualquer tenso acima de +3,5 volts ser a lgica 1, e toda a tenso abaixo de +1,5 volts ser a lgica 0. ilegal neste sistema para que uma tenso da sada estar entre +1,5 e +3,5 volts; esta a regio indefinido da tenso.
-As portas individuais como os dois acima podem ser usadas vantagem em circunstncias especficas. Entretanto, quando as portas do DL so sidas conectadas em cascata, como mostrado esquerda, alguns problemas adicionais ocorrem. Aqui, dos ns temos dois E as portas, cujas as sadas so conectadas s entradas OU porta. Muito simples e aparentemente razovel. -Mas espere um minuto! Se ns puxarmos as entradas para baixo para a lgica 0, certa bastante a sada estar prendida na lgica 0. Entretanto, de se ambas as entradas o um ou outro E porta estiverem em +5 volts, que a tenso da sada ser? Que o diodo OU porta estar polarizado imediatamente, e corrente correr atravs E resistor da porta, de atravs do diodo, e de atravs do resistor OU da porta. -Se ns os supusermos que todos os resistores so do valor igual (tipicamente, sejamos), agiro como um divisor da tenso e compartilharo igualmente da tenso de fonte de +5 volts. OU o diodo da porta introduzir sua perda pequena no sistema, e a tenso da sada ser aproximadamente 2,1 a 2,2 volts. Se ambas as portas tiverem 4 entradas da lgica 1, a tenso da sada pode levantar-se a aproximadamente 2,8 a 2,9 volts. Claramente, isto est " na zona proibida, " que no suposta ser permitida. -Se ns formos uma etapa mais e conectarmos as sadas de dois ou mais destas estruturas o outro E porta, ns teremos perdido todo o controle sobre a tenso da sada; haver sempre um diodo reverse-biased em algum lugar que obstrui os sinais de entrada e que impede que o circuito se opere corretamente. Isto porque a lgica do diodo usada somente para nicas portas, e somente em circunstncias especficas. Lgica Do Resistor-Transistor
-Considere o circuito o mais bsico do transistor, tal como esse mostrado esquerda. Ns somente estaremos aplicando uma de duas tenses entrada I: 0 volts (lgica 0) ou volts de +V (lgica 1). A tenso exata usada como +V depende dos parmetros de projeto do circuito; em RTL os circuitos integrados, a tenso usual so +3.6v. que ns suporemos um transistor ordinrio de NPN aqui, com um ganho atual razovel de C.C., uma tenso para diante da emissor-base de 0,65 volts, e uma tenso do saturao do collector- emissor no mais altamente de 0,3 volts.
-Em RTL padro ICs, o resistor baixo 470 e o resistor do coletor 640 . Quando a tenso de entrada volts zero (realmente, qualquer coisa sob 0,5 volts), h nenhum polariza juno da emissor-base, e o transistor no conduz. Conseqentemente nenhuma corrente corre atravs do resistor do coletor, e a tenso da sada volts de +V. Daqui, uma lgica 0 input resultados em uma lgica 1 output. Quando a tenso de entrada volts de +V, a juno da emissor-base do transistor estar polarizada claramente. Para aqueles que como a matemtica, ns supor0 um circuito de sada similar conectou a esta entrada. Do assim, ns teremos uma tenso de 3,6 - 0,65 = 2,95 volts aplicados atravs de uma combinao da srie um resistor output 640 e um resistor de entrada 470. Isto d-nos uma corrente da base de:
-O RTL uma tecnologia relativamente velha, e os transistor usados em RTL ICs tm um ganho atual da C.C. para a frente de ao redor 30. Se ns supusermos um ganho atual de 30, a corrente baixa de 2,66 miliampre suportar um mximo da corrente de coletor de 79,8 miliampre. Entretanto, se ns deixarmos cair tudo com exceo de 0,3 volts atravs do resistor de 640 coletores, carregar 3,3/640 = 5,1 miliampres. Conseqentemente este transistor certamente saturado inteiramente; girado sobre to duro como pode ser. -Com uma lgica 1 input, ento, este circuito produz uma lgica 0 output. Ns temos visto j que uma lgica 0 input produzir uma lgica 1 output. Daqui, este um circuito bsico do inversor.
5 Como ns podemos ver dos clculos acima, a quantidade de corrente fornecida base do transistor distante mais do que necessrio para dirigir o transistor no saturao. Conseqentemente, ns temos a possibilidade de usar um output para dirigir entradas mltiplas de outras portas, e de ter portas com os resistores de entrada mltiplos. -Neste circuito, ns temos quatro resistores de entrada. Levantando algum input a +3,6 volts sero suficientes girar sobre o transistor, e aplicar entradas da lgica adicional 1 (+3,6 volts) no ter realmente nenhum efeito aprecivel na tenso da sada. Recorde que a tenso polarizar na base do transistor no exceder 0,65 volts, assim que a corrente atravs de um resistor de entrada aterrado no exceder 0.65v/470 = 1,383 miliampres. Isto fornece-nos com um limite prtico no nmero dos resistores de entrada permissveis a um nico transistor, mas no causa nenhuns problemas srios dentro desse limite. -A porta de RTL mostrada acima trabalhar, mas ter um problema devido s interaes possveis do sinal atravs dos resistores de entrada mltiplos. Uma maneira melhor executar NEM funo mostrada esquerda. Aqui, cada transistor no tem somente um resistor de entrada, assim l nenhuma interao entre entradas. NEM funo executado na conexo do coletor comum de todos os transistor, que compartilham de um nico resistor da carga do coletor. Este no fato o teste padro para todo o RTL padro ICs. O L914 muito comumente usado uma duas entradas NEM uma porta dupla, onde cada porta seja uma verso do dois transistor do circuito esquerda. Est avaliado para extrair 12 miliampres da corrente da fonte de alimentao 3.6V quando ambas as sadas esto na lgica 0. que esta corresponde completamente bem com os clculos ns temos feito j. -O fan-out padro para portas de RTL taxado em 16. Entretanto, o fan-in para uma entrada de porta padro de RTL 3. Assim, uma porta pode produzir 16 unidades da corrente de movimentao da sada, mas requer 3 unidades dirigir uma entrada. H umas verses baixa potncia destas portas que aumentam os valores dos resistores da base e do coletor 1.5K e 3.6K, respectivamente. Tais portas exigem mais menos atuais, e tm tipicamente um fan-in de 1 e um fan-out de 2 ou de 3. Tambm reduziram a resposta de freqncia, assim que no podem operar-se to rapidamente quanto as portas padro. Para comear mais grandes output potencialidades de movimentao, os amortecedores so usados. Estes so tipicamente os inversores que foram projetados com um fan-out de 80. Tm tambm uma exigncia do fan-in de 6, desde que usam pares de transistor da entrada comear a movimentao aumentada. 6 Lgica do Diodo-Transistor -Como ns dissemos na pgina na lgica do diodo , o problema bsico com portas do DL que deterioram rapidamente o sinal lgico. Entretanto, trabalham para um estgio de cada vez, se o sinal re-for amplificado entre portas. A lgica do Diodo-Transistor (DTL) realiza esse objetivo. -A porta direita um DL OU porta seguida por um inversor tal como esse ns olhamos na pgina na lgica do resistor-transistor . OU funo executado ainda pelos diodos. Entretanto, no obstante o nmero de entradas da lgica 1, certo que estar altamente bastante tenso de entrada para dirigir o transistor no saturao. Somente se todas as entradas so a lgica 0 queira o transistor esteja prendido fora. Assim, este circuito executa a NEM funo. -A vantagem deste circuito sobre o seu
equivalente de RTL que OU a lgica est executada pelos diodos, no pelos resistores. Conseqentemente no h nenhuma interao entre entradas diferentes, e qualquer nmero dos diodos pode ser usado. Uma desvantagem deste circuito o resistor de entrada ao transistor. Sua presena tende a retardar para baixo o circuito, assim limitando a velocidade em que o transistor pode comutar estados.
-No primeiro lance, a verso do NAND mostrada na esquerda deve eliminar este problema. Toda a lgica 0 input puxar imediatamente a base do transistor para baixo e desligar o transistor, para a direita? Bem, no completamente. Recorde essa tenso de entrada da base de 0,65 volts para o transistor? Os diodos exibem uma tenso para diante muito similar quando esto conduzindo a corrente. Conseqentemente, uniforme com todas as entradas na terra, a base do transistor estar em aproximadamente 0,65 volts, e o transistor pode conduzir.
-Para resolver este problema, ns podemos adicionar um diodo em srie com a ligao baixa do transistor, como mostrado direita. Agora a tenso para diante necessitada girar o transistor sobre 1,3 volts. Para mesmo mais seguro, ns poderamos adicionar um segundo diodo da srie e reque 1,95 volts girar sobre o transistor. Essa maneira ns podemos tambm ser certos que as mudanas de temperatura no afetaro significativamente a operao do circuito. 7 -Uma ou outra maneira, este circuito trabalhar como uma porta do NAND. Alm, como com NEM porta, ns podemos usar tantos como diodos da entrada como ns podemos desejar sem levantar o ponto inicial da tenso. Alm disso, com nenhum resistor da srie no circuito de entrada, h menos de um efeito do slowdown, assim que a porta pode comutar estados mais rapidamente e segurar umas freqncias mais elevadas. A pergunta bvia seguinte somos, podemos ns rearranjar coisas assim que NEM a porta pode evitar esse resistor, e comuta conseqentemente mais rapidamente tambm? -A resposta , sim, l . Considere o circuito mostrado esquerda. Aqui ns usamos os transistor separados conectados junto. Cada um tem uma nica entrada, e conseqentemente funes como um inversor por se. Entretanto, com o transistor os coletores conectaram junto, uma lgica 1 aplicada a uma ou outra entrada foraro para output lgica 0. Isto NEM funo. Ns podemos usar diodos mltiplos da entrada em um ou outro ou ambos os transistor, como com a porta de DTL NAND.
Ns podemos usar diodos mltiplos da entrada em um ou outro ou ambos os transistor, como com a porta de DTL NAND. Isto daria nos E-nem a funo, e til em algumas circunstncias. Tal construo tambm sabido um circuito de AOI (para E-ou-invertida). -Ns podemos comear uma funo do NAND em qualquer uma de duas maneiras. Ns podemos simplesmente inverter as entradas porta de NOR/OR, assim gir-la uma porta de AND/NAND, ou ns pode usar o circuito mostrado direita. Neste circuito, cada transistor tem seu prprio resistor de entrada separado, assim que cada um controlado por um sinal de entrada diferente. Entretanto, a nica maneira que a sada pode ser puxada para baixo para a lgica 0 se ambos os transistor forem girados sobre por entradas da lgica 1. -Se uma ou outra entrada for uma lgica 0 que o transistor no possa conduzir, assim no h nenhuma corrente com tampouco uma. . A sada ento uma lgica 1. Este o comportamento de uma porta do NAND. Naturalmente, um inversor pode tambm ser includo para fornecer E output ao mesmo tempo.O problema que este circuito NAND tem pelo fato de que os transistores no so dispositivos ideais. Recorde essa tenso da saturao do coletor de 0,3 volts? Idealmente deve ser zero. Desde que no , ns necessitamos olhar o que acontece quando ns " empilhamos " transistor esta maneira. Com dois, a tenso combinada do saturao do coletor 0,6 volts -- somente ligeiramente menos do que a tenso da base de 0,65 volts que girar um transistor sobre. -Se ns empilharmos trs transistor para uma porta de 3- input NAND, a tenso combinada da saturao do coletor 0,9 volts. Isto demasiado elevado; promover a conduo no transistor seguinte no importa o que. Alm, a carga apresentou-se pelo transistor superior porta que as movimentaes ele sero diferentes da carga apresentada pelo transistor mais baixo. Este tipo do unevenness pode fazer com que alguns problemas impares apaream, especial porque a freqncia da operao aumenta. Por causa destes problemas, esta aproximao no usada em RTL padro ICs. Lgica Do Transistor-Transistor
8 -Com o desenvolvimento rpido de circuitos integrados (ICs), os problemas novos foram encontrados e as solues novas foram desenvolvidas. Um dos problemas com circuitos de DTL era que faz exame de tanto quarto na microplaqueta do IC construir um diodo como faz para construir um transistor. Desde que " a propriedade real " essencialmente importante em ICs, era desejvel encontrar uma maneira evitar de requeira um grande nmero diodos da entrada. Mas que podia ser usado substituir muitos diodos?
-Bem, olhando a porta de DTL NAND direita, ns pudemos anotar que os diodos opostos olham consideravelmente bem como as duas junes de um transistor. No fato, se ns devssemos ter um inversor, teria um nico diodo da entrada, e ns apenas pudemos poder substituir os dois diodos opostos com um transistor de NPN para fazer o mesmo trabalho. -Um problema compartilhado por todas as portas da lgica com um nico transistor da sada e puxa-acima o coletor que o resistor est a uma velocidade do switching. O transistor puxa ativamente a sada para baixo para a lgica 0, mas o resistor no ativo em puxar a sada at a lgica 1. devido aos fatores inevitveis tais como capacidades do circuito e uma caracterstica de transistor bipolares chamou " o armazenamento da carga, " far exame de uma determinada quantidade de tempo para o transistor desligar completamente e a sada para a ascenso a uma lgica 1 nvel. Isto limita a freqncia em que a porta pode se operar. Os projetistas de portas comerciais do IC do TTL reduziram esse problema modificando o circuito de sada. O resultado era " o circuito de sada " do plo do totem usado em a maioria da 7400/5400 de srie TTL Ics. -O circuito final usado em a maioria de comercial padro TTL ICs mostrado direita. O nmero das entradas pode variar -- um pacote comercial do IC pde ter seis inversores, quatro portas 2-input, trs portas 3-input, ou duas portas 4-input. Uma porta 8-input em De fato, isto trabalha completamente agradvel. A figura direita mostra o inversor resultante. Alm, ns podemos adicionar emissores mltiplos ao transistor da entrada sem extremamente aumentar a quantidade de espao necessitada na microplaqueta. Isto permite que ns construam uma porta mltiplas-entradas quase no mesmo espao que um inversor. As economias resultantes na propriedade real traduzem ao economias significativas em custos do fabricao, que reduz por sua vez o custo ao usurio da extremidade do dispositivo.
9 um pacote est tambm disponvel. Mas em cada caso, a estrutura do circuito remanesce a mesma. Lgica Emissor-Acoplada
-A lgica Emissor-Acoplada baseada no uso de um amplificador diferencial multi- entradas amplificar e combinar os sinais digitais, e em seguidores do emissor ajustar os nveis de tenso da C.C.. Em conseqncia, nenhuns dos transistor na porta incorporam sempre o saturao, nem comeam sempre desligados completamente. Os transistor remanescem inteiramente dentro de suas regies operando-se ativas em todas as vezes. Em conseqncia, o transistor no tem uma estadia de armazenamento da carga contudo, podem mudar estados muito mais rapidamente. Assim, a vantagem principal deste tipo de porta da lgica extremamente de alta velocidade. -O diagrama esquemtico mostrado aqui feito exame de 1000/10.000 de srie de Motorola de dispositivos de MECL. Este circuito particular de uma porta de 4-input OR/NOR. As tenses padro para este circuito so -5,2 volts (V EE ) e terra (V centmetro cbico ). As entradas no utilizadas so conectadas a V EE . O circuito diagonal no lado direito, consistindo em um transistor e seus diodos e resistores associados, pode segurar todo o nmero das portas em um nico pacote do IC. ICs tpico inclui 4-input duplo, 3-input triplo, e portas do quad 2-input. Em cada caso, as portas elas mesmas diferem somente em quantos transistor da entrada tm. Um nico circuito diagonal serve a todas as portas. -Na operao, um ouput lgico muda o estado por somente 0,85 volts, de um ponto baixo de -1,60 volts a uma elevao de -0,75 volts. O circuito diagonal interno fornece uma tenso fixa de -1,175 volts ao transistor diagonal no amplificador diferencial. Se todas as entradas estiverem em -1,6 volts (ou amarrado a V EE ), todos os transistor da entrada estaro desligada, e somente o transistor diferencial interno conduzir a corrente. Isto reduz a tenso baixa do OU do transistor da sada, abaixando sua tenso da sada a -1,60 volts. Ao mesmo tempo, nenhum transistor da entrada afetar NEM output a base do transistor, assim que sua sada levanta-se a -0,75 volts. Esta simplesmente a tenso da emissor-base, V SEJA , do transistor prprio. (todos os transistor so semelhantes dentro do IC, e so projetados mandar um V SER de 0,75 volts.) Quando toda a entrada se levantar a -0,75 volts, essa corrente do emissor dos sifes do transistor away do transistor diferencial interno, fazendo com que as sadas comutem estados. -As 10 mudanas da tenso neste tipo de circuito so pequenas, e esto ditadas pelo V SEJAM dos transistor envolvidos quando so sobre. De uma importncia mais grande operao do circuito so a quantidade de corrente que correm atravs de vrios transistores, melhor que as tenses precisas envolvidas. Conforme a lgica Emissor- Acoplada sabida tambm como a lgica de modalidade atual (CML). Isto conduz-nos a um inconveniente principal deste tipo de porta: extrai a corrente muita da fonte de alimentao, e daqui tende a dissipar uma quantidade significativa de calor. -Para minimizar este problema, alguns dispositivos tais como contadores da freqncia usam um contador de dcada do ECL na extremidade da entrada dos circuitos, seguida por TTL ou por contadores elevados do CMOS da velocidade nas posies do dgito mais atrasadas. Isto pe o IC rpido, caro onde se requer absolutamente, e permite que ns usem um ICs mais barato nas posies onde o sinal nunca ser nessa elevao um freqncia. Lgica do Cmos -A lgica do CMOS uma tecnologia mais nova, baseada no uso de transistor complementares do MOS executar funes da lgica com quase nenhum atual requerido. Isto faz estas portas muito teis em aplicaes alimentao bateria. O fato que trabalharo com as tenses de fonte to baixas quanto 3 volts e to altamente como 15 volts so tambm muito teis. -As portas todas do CMOS so baseadas no circuito fundamental do inversor mostrado esquerda. Anote que ambos os transistor so mOSFETs da realce-modalidade; uma N-canaleta com sua fonte aterrada, e uma P-canaleta com sua fonte conectada a +V. suas portas so conectadas junto para dar forma entrada, e seus drenos so conectados junto para dar forma sada. Os dois mOSFETs so projetados para ter caractersticas combinados e complementares. -Quando fora, sua resistncia for eficazmente infinita; Quando sobre, sua resistncia da canaleta for aproximadamente 200 . Desde que a porta essencialmente um circuito que aberto no extrai nenhuma corrente, e a tenso da sada ser igual ou ao modo ou tenso da fonte de alimentao, dependendo de que o transistor est conduzindo. Quando a entrada A estiver aterrada (lgica 0), o MOSFET da N-canaleta unbiased, e no tem conseqentemente nenhuma canaleta realada dentro. um circuito aberto, e sae conseqentemente da linha de sada desconectada da terra. Ao mesmo tempo, o MOSFET da P-canaleta polarizado, assim que tem uma canaleta realada dentro. Esta canaleta tem uma resistncia de aproximadamente 200 , conectando a linha de sada fonte de +V. Isto puxa a sada at +V (lgica 1). Quando a entrada A est em +V (a lgica 1), o MOSFET da P-canaleta est desligada e o MOSFET da N-canaleta est puxando sobre, assim a sada para baixo para a terra (lgica 0). Assim, este circuito executa corretamente o inverso da lgica, e fornece ao mesmo tempo ativo puxa-acima e puxa-, de acordo com o estado da sada. 11 -Este conceito pode ser expandido em estruturas NEM e do NAND combinando inversores parcialmente em uma srie, estrutura parcialmente paralela. O circuito direita um exemplo prtico de um CMOS 2-input NEM porta. Neste circuito, se ambas as entradas forem baixas, ambos os mOSFETs da P-canaleta sero girados sobre, assim fornecer uma conexo a +V. que ambos os mOSFETs da N-canaleta estaro desligada, assim l no ser nenhuma conexo terra. Entretanto, se uma ou outra entrada for altamente, esse MOSFET da P-canaleta desligar e desconectar a sada de +V, quando esse MOSFET da N- canaleta girar sobre, assim aterrando a sada.
-A estrutura pode ser invertida, como mostrado esquerda. Aqui ns temos uma porta do NAND de duas entrada, onde uma lgica 0 em uma ou outra entrada force para output lgica 1, mas faz exame de ambas as entradas na lgica 1 para permitir que a sada v lgica 0. Esta estrutura mais menos limitada do que o equivalente bipolar seria, mas h ainda alguns limites prticos. Um destes a resistncia combinada dos mOSFETs em srie. Em conseqncia, os plos do totem do CMOS no so feitos a mais de quatro entradas elevadas. As portas com mais de quatro entradas so construdas como estruturas sendo conectadas em cascata melhor que nicas estruturas. Entretanto, a lgica ainda vlida. Mesmo com este limite, a estrutura do plo do totem causa ainda alguns problemas em determinadas aplicaes. Puxe acima e as resistncias puxa abaixo na sada so nunca as mesmas, e podem mudar significativamente como as entradas mudam o estado, mesmo se a sada no muda estados da lgica. O resultado tempos desiguais e imprevisveis da ascenso e da queda para o sinal de sada. Este problema foi dirigido, e resolvido com as portas protegido, ou da B-srie do CMOS. A tcnica aqui deve seguir a porta real do NAND com um par dos inversores. Assim, a sada ser dirigida sempre por um nico transistor, P- canaleta ou N-canaleta. Desde que so combinados to prxima como possvel, a resistncia de sada da porta ser sempre a mesma, e o comportamento do sinal conseqentemente mais previsvel -Um dos problemas principais com portas do CMOS est a sua velocidade. No podem operar-se muito rapidamente, por causa de sua capacidade inerente da entrada. os 12 dispositivos da B-srie ajudam superar estas limitaes a alguma extenso, fornecendo a corrente de sada uniforme, e comutando a sada indica mais rapidamente, mesmo se os sinais de entrada esto mudando mais lentamente. Note que ns no entramos em todos os detalhes da construo da porta do CMOS aqui. Para o exemplo, para evitar os danos causados pela eletricidade esttica, os fabricantes diferentes desenvolveram um nmero de circuitos da proteo da entrada, para impedir que as tenses de entrada se tornem demasiado altamente. Entretanto, estes circuitos da proteo no afetam o comportamento lgico das portas, assim que ns no entraremos nos detalhes aqui.
-Um tipo de porta, mostrado esquerda, original tecnologia do CMOS. Esta o interruptor bilateral , ou porta da transmisso . Faz o uso cheio do fato que os fETs individuais em um IC do CMOS esto construdos para ser simtricos. Isto , o dreno e as conexes da fonte a todo o transistor individual podem ser intercambiados sem afetar o desempenho do transistor prprio ou do circuito ao todo. -Quando os fETs do n e do P-tipo so conectados como mostrado aqui e suas portas esto dirigidas dos sinais de controle complementares, ambos os transistor sero desligados sobre ou junto, melhor que alternadamente. Se forem ambos fora, o trajeto do sinal essencialmente um circuito aberto. no h nenhuma conexo entre a entrada e a sada. Se forem ambos sobre, h muito uma conexo da baixo-resistncia entre a entrada e a sada, e um sinal ser passado completamente. O que verdadeiramente interessante sobre esta estrutura que o sinal que est sendo controlado nesta maneira no tem que ser um sinal digital. To por muito tempo como a tenso do sinal no excede as tenses da fonte de alimentao, mesmo um sinal anlogo pode ser controlado por este tipo de porta.