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Temario Bsico de Electrnica

Primera Edicin
























Panayotis S. Tremante M.
Universidad Central de Venezuela
Escuela de Ingeniera Elctrica
Abril 2003































Temario Bsico de Electrnica
Primera Edicin
Abril 2003

Prohibida la reproduccin total o parcial de esta obra,
por cualquier medio, sin autorizacin escrita del autor.

DERECHOS RESERVADOS

2003 Panayotis S. Tremante M.
Caracas Venezuela

ISBN: XXXXXXX
Depsito Legal: AA












A mis Padres
CONTENIDO v


CONTENIDO


PREFACIO ix

OBSERVACIN xiii

1 DIODO SEMINCONDUCTOR (pn) 1
1.1 Clasificacin de los Materiales 1
1.2 Material Semiconductor 4
1.2.1 Semiconductor Extrnseco Tipo n 11
1.2.2 Semiconductor Extrnseco Tipo p 12
1.3 Arrastre y Difusin 14
1.4 Operacin Fsica del Diodo Semiconductor (pn) 17
1.4.1 La Unin pn Polarizada 22
1.4.1.1 Polarizacin Directa 22
1.4.1.2 Polarizacin Inversa 24
1.5 Curva Caracterstica del Diodo Semiconductor (pn) 27
1.6 Resistencia del Diodo 33
1.6.1 Resistencia Esttica del Diodo 33
1.6.2 Resistencia Dinmica del Diodo 35
1.6.2.1 Resistencia Dinmica del Diodo en Gran Seal 36
1.6.2.2 Resistencia Dinmica del Diodo en Pequea Seal 37
1.7 Circuito Equivalente Lineal a Trozos 40
1.8 Bibliografa 51
1.9 Preguntas y Problemas Propuestos 52

2 TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR (BJT) 57
2.1 Estructura Fsica y Smbolo Circuital del Transistor BJ T 57
2.2 Anlisis Grfico de los Circuitos con Transistores 61
2.3 Mxima Excursin Simtrica 73
2.3.1 Circuito Amplificador con Condensador de Desacoplo 79
2.3.2 Circuito Amplificador con Condensador de Desacoplo
y de Acoplamiento 82
2.3.3 Circuito Amplificador Seguidor de Emisor 84
2.4 Ubicacin Arbitraria del Punto Q 88
2.4.1 Anlisis del Punto Q 92
2.4.1.1 Mtodo Iterativo para el Anlisis del Punto Q 96
2.5 Anlisis en Pequea Seal de Amplificadores, utilizando
Parmetros Hbridos 100
2.5.1 Modelo hibrido- del Transistor BJ T 125
2.6 Bibliografa 128
2.7 Preguntas y Problemas Propuestos 129
vi TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

3 TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET) 141
3.1 Introduccin a la Teora de Funcionamiento del J FET,
Constitucin Fsica. Curvas Caractersticas 142
3.1.1 Descripcin del Funcionamiento para una Estructura de
un J FET Integrado Planar de Canal n 152
3.2 Introduccin a la Teora de Funcionamiento del MOSFET,
Constitucin Fsica. Curvas Caractersticas 154
3.2.1 Comparacin de los Diferentes Tipos de FET 168
3.3 Bibliografa 169
3.4 Preguntas y Problemas Propuestos 170

4 REALIMENTACIN 177
4.1 Estructura General de los Circuitos Realimentados 178
4.2 Propiedades de los Circuitos Realimentados 184
4.2.1 Efecto sobre la Ganancia 184
4.2.2 Influencia de la Realimentacin en la Relacin Seal
Ruido de un Amplificador 185
4.2.3 Influencia sobre el Ancho de Banda 187
4.2.4 Efecto sobre la Linealidad 190
4.3 Presentacin de un Mtodo para el Anlisis Sistemtico de
Circuitos Realimentados 194
4.3.1 Mtodo de Desvanecimiento para el Anlisis de
Circuitos Realimentados 195
4.4 Impedancia de Blackman 204
4.5 Bibliografa 208
4.6 Preguntas y Problemas Propuestos 208

5 AMPLIFICADOR OPERACIONAL 219
5.1 Amplificador Inversor 226
5.2 Amplificador No Inversor 229
5.3 Seguidor de Tensin 232
5.4 Sumador 232
5.5 Convertidor de Tensin a Corriente 236
5.6 Convertidor Corriente-Tensin 238
5.7 Integrador 239
5.7.1 Integrador no Inversor 244
5.7.2 Integrador Sumador Inversor 245
5.8 Derivador o Diferenciador 245
5.9 Computador Analgico 249
5.10 Amplificador Diferencial 253
5.11 Amplificador Instrumental 257
5.12 Bibliografa 258
5.13 Preguntas y Problemas Propuestos 259

CONTENIDO vii


APNDICE A. TABLA PERIDICA DE LOS ELEMENTOS 263

APNDICE B. NOTACIONES DE LA RESISTENCIA DINMICA
DEL DIODO 264

APNDICE C. NOTACIN Y SIMBOLOGA CIRCUITAL DEL
MOSFET SEGN DIFERENTES LITERATURAS 265

NDICE 275

PREFACIO ix


PREFACIO

La elaboracin de este texto se fundamenta en el temario de leccin
pblica para el ascenso a la categora de Profesor Asistente. La presente
motivacin obedece al hecho encontrado en los cursos de Electrnica I y
Electrnica II, donde el estudiante tiene la interrogante de cul libro adquirir de la
gran cantidad de libros propuestos en la bibliografa. Esto trae como respuesta,
recomendar un nmero considerable de textos para la consulta, debido a que, no
existe un libro que se adapte completamente al contenido del curso. Es por esta
razn, que este texto es un compendio de la serie de bibliografas propuestas en
los programas de Electrnica I y Electrnica II, adems, se encuentra el aporte y el
enfoque de mi dedicacin personal con la experiencia adquirida a lo largo de los
cursos de electrnica.
Sera intil pretender el estudio de una ciencia sin conocer sus
fundamentos bsicos, por lo tanto, el estudiante se hallara ante una barrera
infranqueable y a cada paso surgiran dudas; por tal motivo se le ha dado a este
texto el ttulo de Temario Bsico de Electrnica y est escrito para todos
aquellos estudiantes que necesitan tener un conocimiento de los fundamentos de la
electrnica. Tambin es de utilidad para aquellos estudiantes que adelantan cursos
de electrnica y/o profesionales que desean repasar sus conocimientos adquiridos.
El prerrequisito para el estudio del contenido de este texto es un primer
curso de anlisis de circuitos lineales o redes elctricas, ya que, se liga el
conocimiento bsico del estudiante con nuevas informaciones sobre los
dispositivos y se le ensea a evaluar el comportamiento del circuito total. Siempre
que sea posible, se emplean teoremas de redes (como por ejemplo: el teorema de
Thvenin) que pueden ser fcilmente asociados con los circuitos equivalentes para
resolver los problemas o resaltar algn punto terico.
Los tres primeros captulos estn adaptados al contenido programtico de
la asignatura de Electrnica I y los captulos cuatro y cinco estn adaptados al
contenido programtico de la asignatura de Electrnica II de la Escuela de
Ingeniera Elctrica de la Universidad Central de Venezuela. Cabe resaltar, que el
libro no pretende ser utilizado como libro texto de ambos cursos. Existen en cada
captulo ejemplos con problemas resueltos y al final de cada captulo preguntas
como temas de repaso y un conjunto de problemas propuestos para ilustrar las
aplicaciones prcticas del material del texto.
El captulo 1 introduce la fsica de los semiconductores a un nivel
cualitativo, slo mediante un estudio de la fsica del estado slido puede
apreciarse la utilidad de un dispositivo, comprender sus limitaciones y es posible
deducir las caractersticas externas del dispositivo en cuestin. Se realiza un
anlisis de la unin pn, se introduce el diodo ideal y el diodo real, seguidamente se
estudia la resistencia esttica y dinmica del diodo para su aplicacin en pequea
y gran seal. Por ltimo se estudia el circuito equivalente lineal a trozos. Los
objetivos del captulo 1 son:
x TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

Nombrar las propiedades y diferencias de los materiales.
Indicar las diferencias entre un conductor y un semiconductor
Distinguir entre un semiconductor extrnseco y un semiconductor
intrnseco.
Estudiar las caractersticas tensin-corriente de un dispositivo de dos
terminales, el diodo de unin.
Estudiar el empleo del diodo como elemento de un circuito.
Entender las caractersticas ideales y reales de los diodos
semiconductores.
Comprender el principio de funcionamiento de los diodos
semiconductores.
Aprender los modelos bsicos del diodo.
Sin perder de vista el comportamiento de la unin pn, en el captulo 2, se
introduce la estructura fsica del transistor de unin bipolar (BJT), se presenta el
anlisis grfico de los circuitos con transistores para obtener el punto de operacin
del dispositivo. Se estudia la polarizacin del BJT y la aplicacin del criterio de
diseo de la mxima excursin simtrica. Para el anlisis de amplificadores en
pequea seal se obtiene el modelo del transistor con parmetros hbridos, a partir
del estudio del cuadripolo, y se presenta el amplificador completamente cargado
como un mtodo para su anlisis. Tambin se presenta el circuito hbrido-
equivalente para alta frecuencia. En este texto se le da mayor importancia al
circuito equivalente con parmetros hbridos. Los objetivos del captulo 2 son:
Estudiar la estructura del transistor unin bipolar.
Aplicar un mtodo grfico de anlisis de circuitos con transistores.
Calcular de forma analtica y/o grfica la polarizacin de un BJT.
Analizar y disear amplificadores con mxima excursin simtrica.
Analizar el modelo de parmetros hbridos de un BJT.
Calcular la ganancia de tensin, ganancia de corriente, impedancia
de entrada e impedancia de salida de un amplificador con BJT.
Mostrar el modelo hbrido- del BJT.
El captulo 3 presenta una descripcin detallada de la operacin fsica de
los transistores de efecto de campo (FET). Se indican las diferencias entre los FET
y los BJT. Las caractersticas y los modos de funcionamiento del FET son
estudiados para familiarizarse con el dispositivo, y as obtener una clara
comprensin del transistor para un posterior anlisis en circuitos electrnicos. Los
objetivos del captulo 3 son:
Indicar los diferentes tipos de transistores de efecto de campo (FET)
Mostrar algunas ventajas y desventajas de los FET.
Estudiar la estructura de los FET.
Estudiar la teora de funcionamiento del JFET y MOSFET.Estudiar
la estructura fsica del JFET y MOSFET. Analizar las curvas
caractersticas del JFET y MOSFET.
PREFACIO xi


En el Captulo 4 se describe el concepto de la realimentacin y su
influencia sobre diferentes sistemas. Luego se analiza las propiedades generales de
los circuitos realimentados, se presenta un procedimiento para el anlisis de las
estructuras realimentadas que se denomina desvanecimiento y por ltimo se
obtiene la impedancia de un sistema realimentado, conocida como impedancia de
Blackman. Los objetivos del captulo 4 son:
Estudiar los efectos de la realimentacin en los circuitos
electrnicos.Analizar las propiedades de los circuitos realimentados.
Indicar las aplicaciones de los diferentes tipos de realimentacin.
Aplicar un mtodo para el anlisis de sistemas realimentados.
Obtener la impedancia de un circuito realimentado. En el captulo 5
se presentan las caractersticas generales, diagrama de bloque, circuito equivalente
y caracterstica de transferencia del amplificador operacional. Se dan las
caracterstica de un amplificador operacional ideal y se estudia el concepto de
tierra virtual. Se considera al amplificador operacional como un bloque de
construccin para realizar aplicaciones sencillas, por lo tanto, tomando en cuenta
al amplificador operacional como ideal, se indican y analizan una serie de
aplicaciones, como son: amplificador inversor, amplificador no inversor, seguidor
de tensin, sumador, convertidor de tensin a corriente, convertidor corriente a
tensin, integrador, derivador, computador analgico, amplificador diferencial y
amplificador instrumental. Los objetivos del captulo 5 son:
Describir la funcin de un amplificador operacional.Indicar las
caractersticas del amplificador operacional y su modelo.
Aplicar el amplificador operacional como un elemento bsico para la
construccin de circuitos electrnicos.
Describir y analizar las aplicaciones lineales del amplificador
operacional.
Finalmente, deseo expresar mi agradecimiento al Profesor Jos M. Mil
de la Roca P., por su colaboracin en revisar los borradores preliminares de los
captulos del texto.


Panayotis S. Tremante M.

OBSERVACIN xiii


OBSERVACIN

Es conveniente hacer algunas observaciones sobre los smbolos empleados en
la notacin. Los smbolos de corriente y tensin en los terminales de los
componentes activos tienen subndices que indican el terminal correspondiente en
caso de la corriente o el par de terminales correspondientes en caso de tensin.
Variable total instantnea o valor instantneo total: smbolo en minscula con
subndice en mayscula.
i
B
, i
C
, i
e
, v
CE

Variable incremental instantnea, valor de la componente variable o valor
instantneo de la componente variable (media cero): smbolo en minscula
con subndice en minscula.
i
b
, i
c
, i
e
, v
ce

Variable en cc o valor de la componente continua: smbolo en mayscula con
subndice en mayscula.
I
B
, I
C
, I
E
, V
CE

Valor de reposo correspondiente al punto de operacin: smbolo en
mayscula con subndice en mayscula y la letra Q.
I
BQ
, I
CQ
, I
EQ
, V
CEQ

Valor eficaz de la componente senoidal: smbolo en mayscula con subndice
en minscula.
I
b
, I
c
, I
e
, V
ce

Valor mximo (cresta) de la componente variable: smbolo en mayscula con
subndice en minscula y la letra m.
I
bm
, I
cm
, I
em
, V
cem

Tensiones de alimentacin.
V
BB
, V
DD
, V
CC

ILUSTRACIN GRFICA:


CAPTULO 1 - DIODO SEMICONDUCTOR (pn) 1

CAPTULO 1

DIODO SEMICONDUCTOR (pn)

Antes de comenzar con la teora sobre el diodo semiconductor (pn) es
importante estudiar, en forma muy breve, ciertos conocimientos sobre los
materiales semiconductores para familiarizarse con el funcionamiento del diodo
semiconductor.

1.1 Clasificacin de los Materiales
En todos los materiales, la electricidad tiene lugar cuando algunos
electrones tienen energa suficiente para moverse a travs del material sin estar
ligados a ningn tomo. Por tanto, a un mal transmisor de electricidad se le
denomina aislante, a un excelente transmisor de electricidad se le denomina
conductor o metal y los materiales cuya conductividad est entre estos dos
extremos se denominan semiconductores. Esta es una descripcin sencilla de la
clasificacin de los materiales, una descripcin mas apropiada se puede
determinar en funcin de las bandas de energa en un cristal. En la Figura 1.1.1 se
observa la clasificacin de los diferentes tipos de materiales.

AISLANTES
CONDUCTORES
SEMICONDUCTORES
INTRNSECO
(Puros)
EXTRNSECOS
(Impuros)
Material Tipo n
Material Tipo p

FIGURA 1.1.1. Tipos de Materiales.

Una propiedad atmica bsica de la materia es, que existen niveles
discretos de energa de los electrones en los tomos. Estos niveles de energa se
distinguen en bandas de energa dentro de un cristal; siendo un cristal la
configuracin ordenada de los tomos de un slido. La Figura 1.1.2 representa las
bandas de energa en un slido cristalino. La banda de energa ms alta de un
slido cristalino se conoce como banda de conduccin y la siguiente ms alta
como banda de valencia. Similarmente, los saltos de energa entre niveles
discretos de electrones del tomo se denominan bandas prohibidas en un elemento
cristalino. De aqu que hablemos de bandas de energa permitida y bandas de
energa prohibida. La banda de valencia contiene aquellos electrones unidos en
enlaces covalentes. La banda de conduccin contiene aquellos electrones que no
estn unidos a ningn tomo y que estn libres para moverse a travs del cristal.
2 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

E
G
Energa
(eV)
Bandade conduccin
(bandade energams alta)
Banda prohibida
Bandadevalencia
(banda siguientems alta)
Bandadeenerga inferior
Bandadeenerga inferior

FIGURA 1.1.2. Bandas de energa para un slido cristalino.

El valor de E
G
indicado en la Figura 1.1.2 representa la energa requerida
para romper los enlaces covalentes de los electrones de valencia y se mide en
electrn-voltio (eV), esta medida utilizada resulta apropiada, puesto que:
W=P*t (1.1.1)
donde:
W =energa
P =potencia
t =tiempo
adems,
P =V*I (1.1.2)
donde:
P =potencia
V =tensin
I =corriente
Sustituyendo la ecuacin 1.1.2 en la ecuacin 1.1.1, se obtiene:
W =V*I*t (1.1.3)
La corriente I est dada por la siguiente ecuacin:

t
Q
I = (1.1.4)
donde:
I =corriente
Q =carga
t =tiempo
Sustituyendo la ecuacin 1.1.4 en la ecuacin 1.1.3 queda:
W =Q*V (1.1.5)
CAPTULO 1 - DIODO SEMICONDUCTOR (pn) 3

La sustitucin de la carga de un electrn y la diferencia de potencial de 1
voltio en la ecuacin 1.1.5 ocasionar un nivel de energa conocido como un
electrn-voltio. Como la energa se mide tambin en joules y la carga de un
electrn es 1.6x10
-19
coulomb, entonces:
W =Q*V =(1.6x10
-19
C)*(1V)
1 eV =1.6x10
-19
J
Unidad de energa muy pequea dada en J oule, por lo tanto, se utiliza el electrn-
voltio.
Un principio de la mecnica cuntica es que en un nivel de energa
particular no puede haber ms de un electrn. Como cualquier banda de energa
permitida consiste en un nmero finito de niveles de energa muy prximos unos
de otros, existe un nmero mximo de electrones que pueden tener energa en
dicha banda. Cuando el nmero de electrones que tiene energa comprendida en la
citada banda es exactamente el mximo, se dice que la banda est llena. En
funcin del tamao de la banda prohibida, es decir, de la energa (E
G
) y s la banda
ocupada est completamente llena o no, podemos determinar los diferentes tipos
de materiales como sigue:
Aislante. Prcticamente no tiene disponibilidad de portadores de carga. La
estructura atmica de un aislante es tal que la separacin que hay entre la banda de
conduccin y la banda de valencia, es tan grande, que la energa que se le puede
suministrar desde un campo elctrico externo no es suficiente para llevar
electrones de una banda a la otra, la estructura de bandas de energa en la red
cristalina de un aislante se indica esquemticamente en la Figura 1.1.3.

E
G
Energa
(eV)
Bandadeconduccin
Bandaprohibida
Bandadevalencia
Unagran
separacin
deenerga

FIGURA 1.1.3. Estructura de bandas de energa de un Aislante.

Conductor. Tiene disponible un gran nmero de portadores mviles. En la
estructura de banda de un conductor la banda de valencia y la banda de
conduccin se encuentran superpuestas, en la Figura 1.1.4 se muestra la estructura
de bandas de energa de un conductor. Con la influencia de un campo elctrico los
electrones pueden adquirir una energa adicional y cambiar a etapas ms elevadas
de energa, ms fcilmente.
4 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

Energa
(eV)
Bandadeconduccin
No hay Banda prohibida
solapamiento de las bandas
Banda devalencia

FIGURA 1.1.4. Estructura de bandas de energa de un Conductor.

Semiconductor. Un material cuya anchura de banda prohibida sea relativamente
pequea (del orden del electrn-voltio), se denomina semiconductor. En estos
materiales, puede producirse ordinariamente algo de conduccin, pues la
excitacin debida a la presencia usual del calor y de la luz es suficiente para elevar
la energa de algunos electrones desde la banda llena ms alta a la banda permitida
inmediata superior. Estos electrones pueden entonces contribuir a la conduccin.
El esquema energtico de un material semiconductor se muestra en la Figura
1.1.5.

E
G
Energa
(eV)
Banda de conduccin
Banda prohibida
Banda de valencia
Una pequea
separacin de
energa

FIGURA 1.1.5. Estructura de bandas de energa de un Semiconductor.

1.2 Material Semiconductor
La fabricacin de un material semiconductor se puede realizar con el
silicio, el germanio y el arseniuro de galio. El material mas utilizado es el silicio,
ya que sus propiedades fsicas lo hacen adecuado para fabricar dispositivos activos
con buenas caractersticas elctricas, es menos costoso que el germanio y permite
una operacin del dispositivo a temperaturas ms altas. Adems, el silicio puede
oxidarse con facilidad para formar una excelente capa aislante (vidrio). El vidrio
se utiliza para hacer estructuras de capacitores y permite la construccin de
CAPTULO 1 - DIODO SEMICONDUCTOR (pn) 5

dispositivos controlados por campo. Sirve tambin como una mscara contra las
impurezas exteriores que se podran difundir en el material de alta pureza del
silicio. Esta propiedad de proteccin permite la fabricacin de los circuitos
integrados; se pueden construir juntos, elementos de circuitos activos y pasivos
sobre la misma pieza del material (sustrato), al mismo tiempo, y conectarlos para
formar un circuito. Con el arseniuro de galio (GaAs) se fabrican diodos que
pueden funcionar a velocidades de conmutacin y a frecuencias ms altas que los
diodos de silicio. Sin embargo, el material de arseniuro de galio es ms caro que el
silicio y ms difcil de fabricar, as que por regla general se utilizan slo en
aplicaciones de alta frecuencia. En general, el material que hoy en da se emplea
con mayor frecuencia y es considerado como un semiconductor por excelencia es
el silicio.
Un semiconductor como el silicio es de naturaleza cristalina y se
encuentra situado en la cuarta columna de la tabla peridica con cuatro electrones
de valencia (ver tabla peridica en la Figura A1 del Anexo A). La estructura
cristalina consiste en una repeticin regular en tres dimensiones de una celda que
tiene la forma de un tetraedro con un tomo en cada vrtice, en la Figura 1.2.1 se
ilustra la estructura tridimensional. Los tomos forman un todo ordenado en el
cual los vecinos ms cercanos estn unidos por enlaces covalentes.


FIGURA 1.2.1. Representacin tridimensional de la estructura cristalina de un
semiconductor.

En la Figura 1.2.2 se representa simblicamente la estructura cristalina en
dos dimensiones de un tomo de silicio. Como el tomo de silicio tiene cuatro
electrones de valencia este es un tomo tetravalente. El ncleo inico inerte del
tomo de silicio tiene una carga positiva de +4 medida en unidades de la carga del
electrn. La fuerza de enlace entre tomos vecinos es el resultado del hecho de
que cada electrn de valencia de un tomo de silicio es compartido por uno de sus
cuatro vecinos ms prximos. El enlace covalente se representa por dos lneas que
unen cada ion con cada uno de sus vecinos. La situacin de que los electrones de
valencia sirvan de unin entre un tomo y el siguiente, determinan tambin como
los electrones de valencia estn fuertemente ligados a los ncleos. Por tanto,
6 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA
aunque se tenga de la disponibilidad de cuatro electrones de valencia el cristal
tiene baja conductividad.


FIGURA 1.2.2. Representacin bidimensional de un cristal de silicio.

En un semiconductor sometido a una temperatura muy baja, esto es a la
temperatura de 0K (cero absoluto), todos los electrones estn en los niveles de
energa ms bajos por tanto la banda de valencia permanece llena y la de
conduccin vaca. Como la corriente es proporcional al nmero de electrones en
movimiento, la corriente es nula; por lo tanto, el material tiene una elevada
resistencia y de ah que estos materiales sean aislantes a bajas temperaturas. No
obstante, la conduccin aumenta con la temperatura. A medida que la temperatura
aumenta, algunos de estos electrones de valencia adquieren una energa trmica
vibratoria aleatoria para romper sus enlaces covalentes y saltan espontneamente
de la banda de valencia hacia la banda de conduccin, segn se muestra en la
Figura 1.2.3. Una vez libres de sus enlaces covalentes, estos electrones libres
trmicamente, pueden contribuir a la conduccin de corriente. A partir de este
momento, los electrones libres pueden moverse muy fcilmente bajo la influencia
de cualquier campo elctrico exterior aplicado. El aislante se ha convertido en un
ligero conductor, constituyendo as un semiconductor.

Electrnexcitado
trmicamente
Energa
(eV)
Bandadeconduccin
Bandaprohibida
Bandadevalencia
Huecoformadopor el electrn
excitadotrmicamente

FIGURA 1.2.3. Diagrama de bandas de energa de un semiconductor tpico a
temperaturas altas.
CAPTULO 1 - DIODO SEMICONDUCTOR (pn) 7

Cuando el electrn pasa a la banda de conduccin, deja tras d el un
vaco singular en la banda de valencia, como se observa en la Figura 1.2.3. Este
vaco, se conoce como un hueco. El hueco se refiere al nivel de energa vaco en
la banda de valencia y se puede ver en la estructura de un cristal como el vaco
dejado cuando un electrn se libera de su enlace covalente, ver Figura 1.2.4 en la
cual se representa la ausencia del electrn en el enlace covalente por un pequeo
crculo. En este caso, un electrn que normalmente forma parte de un enlace
covalente se ha representado fuera del enlace y por tanto libre para circular al azar
por el cristal. La energa necesaria para romper el enlace covalente es de 1.1 eV
para el silicio a temperatura ambiente. La importancia del hueco estriba en que
puede servir de portador de electricidad comparable en su efectividad al electrn
libre. Por lo tanto, a efectos prcticos, siempre que se rompa un enlace covalente
en un semiconductor se genera un par electrn-hueco y ambas partculas mviles
y cargadas participan en la conduccin.


FIGURA 1.2.4. Cristal de silicio con un enlace covalente roto.

El mecanismo por el cual los huecos contribuyen a la conductividad se
explica cualitativamente de la siguiente forma: Cuando un enlace est incompleto
de forma que haya un hueco, es relativamente fcil que un electrn de valencia de
un tomo vecino abandone el enlace covalente para llenar el hueco. Un electrn
que deja su enlace para llenar un hueco deja a su vez otro hueco en su posicin
inicial. Por tanto, el hueco se mueve efectivamente en direccin contraria al
electrn. Este hueco en esta nueva posicin puede ser llenado por un electrn de
otro enlace covalente y por tanto el hueco se desplazar un lugar en sentido
opuesto al movimiento del electrn. He aqu un nuevo mecanismo de conduccin
de la electricidad que no supone electrones libres. En la Figura 1.2.5 se ilustra
esquemticamente este fenmeno: el crculo con punto representa un enlace
completo, y el crculo vaco un hueco. La Figura 1.2.5a muestra una fila de 10
iones, con un enlace roto, o hueco, en el ion 6. Imaginemos que un electrn del
ion 7 se mueve hacia el hueco del ion 6; el resultado es el de la Figura 1.2.5b. Al
comparar la Figura 1.2.5a con la Figura 1.2.5b, el hueco en (a) se ha movido a la
derecha en (b) (del ion 6 al 7). El movimiento del hueco en un sentido significa el
8 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA
transporte de una carga negativa a una distancia igual y en sentido opuesto.
Respecto al flujo de corriente elctrica, el hueco se comporta como una carga
positiva igual en magnitud a la carga del electrn. Podemos, pues, considerar a los
huecos como entidades fsicas cuyo movimiento constituye un flujo de corriente.

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
(a)
(b)

FIGURA 1.2.5. Mecanismo por el cual un hueco contribuye a la conductividad.

Cuando los electrones en la banda de conduccin de un semiconductor
son originados nicamente por agitacin trmica, existirn un nmero igual de
huecos en la banda de valencia y electrones libres en la banda de conduccin. Un
semiconductor, con un nmero igual de huecos y electrones es un semiconductor
puro y se conoce como semiconductor intrnseco. Es importante resaltar que
debido a la agitacin trmica, continuamente se generan nuevos pares de electrn-
hueco, mientras que otros desaparecen como consecuencia de la recombinacin.
Los procesos de generacin y recombinacin coexisten en un estado de equilibrio
dinmico. Cuando un electrn tropieza con un hueco, algunas veces el electrn es
vuelto a capturar, restablecindose el enlace covalente y desapareciendo
espontneamente el electrn libre y el hueco. La velocidad de recombinacin es
proporcional a la concentracin de pares electrn-hueco, idea que tiene sentido
fsico, ya que a mayor concentracin de pares electrn-hueco mayor posibilidad
de encuentro de huecos y electrones. Como los electrones libres y los huecos se
producen siempre a pares en un semiconductor intrnseco, la concentracin de
electrones n, y la concentracin de huecos p, son iguales. La notacin estndar es:

n =p =n
i
portadores/cm
3
(1.2.1)

donde n
i
, la concentracin de portadores intrnsecos, tendr un valor para cada
semiconductor y para cada temperatura. Entonces, se puede decir que existen dos
tipos de portadores de cargas mviles en un semiconductor que son: los electrones
de conduccin, que transportan carga negativa, y los huecos, que transportan carga
positiva. A raz de todo lo discutido anteriormente se puede ver de otra manera la
diferencia entre un conductor y un semiconductor, la cual es: que en un
semiconductor la corriente elctrica es debida al movimiento de cualquiera de los
dos portadores de cargas distintos e independientes, mientras, que en un conductor
la corriente elctrica es debida al movimiento de electrones solamente.
Veamos como es el movimiento de los portadores en un semiconductor,
en este caso se coloca el silicio, bajo la accin de un campo elctrico. Si se aplica
un campo elctrico a un material semiconductor tal como se indica en la Figura
CAPTULO 1 - DIODO SEMICONDUCTOR (pn) 9

1.2.6, el electrn se mueve hacia el terminal positivo de la fuente, como era de
esperar.

BarradeSilicio
Electrn Hueco
E
V
+ -

FIGURA 1.2.6. Movimiento del electrn y del hueco en una barra de silicio bajo
la accin de un campo elctrico.

Un electrn de la banda de valencia tambin puede moverse hacia el
terminal positivo de la fuente si ste posee suficiente energa. Cuando el electrn
pase al hueco dejar un hueco detrs de l, pareciendo como s el hueco se
moviese hacia el terminal negativo de la fuente en la direccin del campo elctrico
aplicado, en la Figura 1.2.7 se puede ver el movimiento del electrn y del hueco
en los diferentes niveles de energa. La corriente neta es debida, por tanto, al
movimiento de los electrones en la banda de conduccin y al movimiento de los
huecos en la banda de valencia. Se habla de movimiento de huecos, o de cargas
positivas, en vez de movimiento de electrones en la banda de valencia para evitar
confusin con el movimiento de electrones en la banda de conduccin. La
corriente convencional, debida al flujo de electrones, y la corriente de huecos,
siguen desde luego la direccin del campo elctrico.
Es de hacer notar, que los electrones se mueven ms rpidamente hacia el
terminal positivo que los huecos al terminal negativo, ya que la probabilidad de
que un electrn en la banda de conduccin se mueva es mucho mayor que la
probabilidad de que un electrn en la banda de valencia se mueva. As, la
corriente debida a la circulacin de electrones en la banda de conduccin es mayor
que la corriente debida a la circulacin de huecos en la banda de valencia, aunque
la corriente neta sea pequea por ser un semiconductor.

Electrn Energa
(eV)
Bandadeconduccin
Bandaprohibida
Bandadevalencia
Hueco
E

FIGURA 1.2.7. Movimiento del electrn y del hueco en los diferentes niveles de
energa.

10 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA
La conduccin del semiconductor bajo la influencia de un campo
elctrico en la representacin bidimensional de un cristal de silicio se ilustra en la
Figura 1.2.8, se observa el campo elctrico generado por una tensin que ejerce
una fuerza sobre los electrones, dirigida hacia la izquierda de la figura. Esta fuerza
hace que el electrn ligado, justo a la derecha del hueco, salte a este espacio
haciendo que el hueco se corra un sitio hacia la derecha, ver Figura 1.2.8(b). Este
hecho reproduce el hueco en el lugar del electrn desplazado, dejando el electrn
ligado en el espacio anterior del hueco. Como se muestra en las Figuras 1.2.8(c) y
(d), el hueco contina emigrando hacia la derecha, conforme su vacante contine
llenndose por el electrn adyacente, reproduciendo el hueco en el sitio ocupado
por el electrn. Se puede observar que los electrones individuales de enlace que se
involucran en el llenado de los espacios vacantes por la propagacin del hueco, no
muestran ningn movimiento continuo a gran escala. Cada uno de estos electrones
se mueve nicamente una vez durante el proceso migratorio. En contraste, un
electrn libre se mueve en forma continua en la direccin opuesta al campo
elctrico.


FIGURA 1.2.8. Movimiento del electrn y del hueco bajo la accin de un campo
elctrico visto en la representacin bidimensional de un cristal de silicio.

En la mayora de las aplicaciones, no hay suficiente electrones libres y
huecos en un semiconductor intrnseco para producir una corriente til, su
conductividad es baja. Para incrementar la conductividad en los semiconductores
puros, se introducen cantidades controladas de materiales conocidos como
impurezas, con lo que se crean electrones libres o huecos. El proceso de agregar
cantidades cuidadosamente controladas de impurezas a los semiconductores puros
se conoce como impurificacin [Rashid Muhammad H.], este proceso tambin se
conoce como contaminacin o dopado [Horenstein Mark N.], [Malik Norbert R.],
[Schilling D. L. & Belove Ch.]. La contaminacin permite al semiconductor tener
relativamente una conductividad constante dentro de un margen de temperatura
amplio. Un semiconductor al que se le han agregado impurezas se conoce como
semiconductor extrnseco, ver la clasificacin de los tipos de materiales en la
Figura 1.1.1.
Cada tipo de impureza forma un semiconductor con una clase de
portadores predominante. El portador ms numeroso se llama el portador
CAPTULO 1 - DIODO SEMICONDUCTOR (pn) 11

mayoritario y el menos numeroso, portador minoritario. La diferencia entre el
nmero de portadores mayoritarios y el de minoritarios se determina por la
concentracin de ciertas impurezas qumicas que se encuentran en el
semiconductor en cantidades extremadamente pequeas. El nivel normal de
dopado es del orden de 1 tomo de impurezas por cada 10
6
a 10
8
tomos de silicio.
Las propiedades fsicas y qumicas son esencialmente las mismas del silicio y slo
varan marcadamente las propiedades elctricas, ya que se altera la estructura de
bandas de energa. Hay dos tipos de impurezas, donadoras y aceptadoras, y dos
clases correspondientes de semiconductores extrnsecos: tipo n y tipo p (ver
Figura 1.1.1). Cada uno se describir en los siguientes prrafos.

1.2.1 Semiconductor Extrnseco Tipo n
Si a un semiconductor puro se le agrega una pequea cantidad de
impureza de un elemento pentavalente, perteneciente al grupo 5A de la columna
de la tabla peridica (ver Figura A1 del Anexo A), cuatro de los cinco electrones
de valencia ocuparan enlaces covalentes y el quinto queda inicialmente sin enlace
y constituir un portador de corriente. En la Figura 1.2.1.1 se representa la
estructura del cristal que se obtiene al dopar con una impureza pentavalente.


FIGURA 1.2.1.1. Red cristalina de silicio contaminada por un tomo de impureza
pentavalente.

Los tomos de impureza pentavalente son el fsforo, el arsnico y el
antimonio. Estos tomos producen electrones en exceso y se les denominan
tomos donadores que se utilizan para formar un semiconductor tipo n, en este
caso los electrones son portadores mayoritarios y los huecos portadores
minoritarios. Aqu, no se generan huecos mviles cuando los tomos de impureza
donan electrones, el electrn de valencia sobrante queda ligado ms dbilmente
que los electrones que intervienen en los enlaces covalentes y a temperaturas
normales de funcionamiento este electrn posee energa suficiente para escapar de
su tomo, convirtindose as, en un electrn de conduccin. Por tanto, el tomo
donador se ioniza y adquiere una carga positiva generndose un ion positivo fijo
12 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA
que queda anclado en la red cristalina e incapaz de desplazarse en respuesta a un
campo elctrico aplicado. Obviamente hay una gran similitud entre los
semiconductores tipo n y los conductores; sin embargo, la concentracin de
electrones libres es mucho ms baja en el semiconductor y su valor se controla
estrictamente durante el proceso de contaminacin.
La energa necesaria para desligar del tomo el quinto electrn es del
orden de 0.05 eV para el silicio, energa considerablemente menor que la
necesaria para romper un enlace covalente. En la Figura 1.2.1.2, se muestra el
diagrama de bandas de energa de un semiconductor tipo n, donde se puede
observar que al agregar los tomos donadores aparece un nivel de energa
permitido a muy poca distancia de la banda de conduccin. Este nuevo nivel
permitido es esencialmente un nivel discreto, puesto que los tomos de las
impurezas estn muy separados en la estructura cristalina y, como consecuencia,
su interaccin es muy pequea. Para el silicio, la distancia del nuevo nivel discreto
de energa permitida, del borde inferior de la banda de conduccin, es solamente
0.05 eV y, por tanto, a la temperatura ambiente, casi todos los quintos electrones
del material donador saltarn a la banda de conduccin.

0.05eV
Energa
(eV)
Bandadeconduccin
Bandaprohibida
Bandadevalencia
Nivel deenergadonador

FIGURA 1.2.1.2. Diagrama de bandas de energa de un semiconductor tipo n.

Al dopar el semiconductor intrnseco con impurezas tipo n sucede que,
adems de aumentar el nmero de electrones, disminuye el nmero de huecos
respecto de los disponibles cuando era intrnseco. La razn de este descenso es
que el mayor nmero de electrones presentes aumenta el ndice de recombinacin
de stos con los huecos.

1.2.2 Semiconductor Extrnseco Tipo p
Si a un semiconductor puro se le agrega una pequea cantidad de
impureza de un elemento trivalente, perteneciente al grupo 3A de la columna de la
tabla peridica (ver Figura A1 del Anexo A), solamente tres electrones podrn
completar los enlaces covalentes. La cuarta unin es ocupada por un electrn de
valencia de un tomo vecino, creando as un hueco mvil. La Figura 1.2.2.1
representa la estructura del cristal que se obtiene al dopar con una impureza
trivalente. Los tomos de impureza trivalente que se aaden a un semiconductor
puro son: el boro, el galio y el indio. Estos tomos tienen en su rbita externa de
valencia un electrn menos que los tomos vecinos y se les denominan tomos
CAPTULO 1 - DIODO SEMICONDUCTOR (pn) 13

aceptadores, aceptores o receptores para formar un semiconductor tipo p, en este
caso los huecos son portadores mayoritarios y los electrones portadores
minoritarios.

FIGURA 1.2.2.1. Red cristalina de silicio contaminada por un tomo de impureza
trivalente.

Cuando la red cristalina adquiere energa trmica, un electrn de un
tomo de silicio vecino ser capturado (aceptado) por un tomo de impureza. Al
realizarse esto, quedar ah en forma permanente, y en el sitio del tomo aceptor
un ion negativo fijo e inmvil en la red cristalina. A su vez, el electrn deja atrs
un hueco, que queda libre para emigrar alrededor del cristal. Un tomo aceptor,
por tanto, crea un hueco mvil, sin crear el electrn libre correspondiente. Al
introducir el tomo aceptor se mantiene la neutralidad de las cargas, porque la
creacin del hueco positivo queda acompaado por la creacin de un ion receptor
inmvil negativo.
Al agregar a un semiconductor intrnseco impurezas aceptadoras, aparece
justo por encima de la banda de valencia un nivel discreto de energa permitida,
como se muestra en la Figura 1.2.2.2. Para que un electrn abandone la banda de
valencia y ocupe el nivel de energa introducido por los aceptores, es necesaria
una cantidad muy pequea de energa que est en el orden de 0.05 eV para el
silicio; por tanto, el mayor nmero de portadores en el material semiconductor
sern los huecos generados por estos electrones en la banda de valencia.

0.05eV
Energa
(eV)
Bandadeconduccin
Bandaprohibida
Bandadevalencia
Nivel deenergaaceptador

FIGURA 1.2.2.2. Diagrama de bandas de energa de un semiconductor tipo p.
14 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA
En resumen, en un material semiconductor extrnseco tipo n se tiene
como portador mayoritario los electrones, portador minoritario los huecos
(considerado carga positiva) e iones donadores positivos fijos como se ilustra en la
Figura 1.2.2.3a y en un material semiconductor extrnseco tipo p se tiene como
portador mayoritario los huecos (considerado carga positiva), portador minoritario
los electrones e iones aceptores inmviles negativos.

+
-
+
+
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
Iones
donadores
Portadores
mayoritarios
Portadores
minoritarios
-
+
-
-
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
Iones
aceptadores
Portadores
mayoritarios
Portadores
minoritarios
Tipo n Tipo p

(a) (b)
FIGURA 1.2.2.3. Representacin de las cargas en los diferentes semiconductores
extrnsecos.

Los materiales tipo n y tipo p representan los bloques constitutivos
fundamentales de los dispositivos semiconductores. La unin de un material tipo n
con uno tipo p produce el diodo semiconductor de importancia considerable en los
sistemas electrnicos, el cual estudiaremos a continuacin. Pero antes debemos
considerar, de todo lo discutido anteriormente, un aspecto muy importante en los
semiconductores; que son los mecanismos asociados a las corrientes elctricas
debido al movimiento de los huecos o de los electrones. Estos mecanismos son la
difusin y el arrastre [Searle C. L., Boothroyd A. R., Angelo J r. E. J ., Gray P. E. &
Pederson D. O.] o deriva [Sedra A. & Smith K. C.] o desplazamiento [Boylestad
R. & Nashelsky L.]. Llamaremos al segundo mecanismo de Arrastre.

1.3 Arrastre y Difusin
El mecanismo de arrastre ocurre cuando se aplica un campo elctrico a
travs de un semiconductor. Los electrones libres y los huecos son acelerados por
el campo elctrico y adquieren una componente de velocidad (superpuesta a la
velocidad de su movimiento trmico) que se llama velocidad de arrastre. Aunque
los portadores se aceleran en el campo, la energa adicional recibida de este modo
es generalmente pequea comparada a la correspondiente a su movimiento
trmico aleatorio. La trayectoria de un portador de carga es complicada y tortuosa
debido a su movimiento trmico aleatorio y a las colisiones que efecta al azar en
el slido, y el campo slo altera ligeramente este movimiento. Sin embargo, las
pequeas perturbaciones producidas por el campo elctrico, al actuar sobre las
trayectorias de cada uno de los portadores de carga (que se encuentran en gran
nmero), generan una intensidad de corriente media que es importante tomar en
cuenta, ya que, el movimiento trmico aleatorio no produce por s mismo una
CAPTULO 1 - DIODO SEMICONDUCTOR (pn) 15

intensidad de corriente media considerable. Se deduce que sobre sus movimientos
trmicos, los portadores de carga se mueven en respuesta a un campo aplicado
como si estuvieran inmersos en un fluido viscoso, y la velocidad de arrastre
aadida al movimiento trmico debida a campos elctricos aplicados moderados
depende linealmente de la fuerza, y en consecuencia del campo. Por lo tanto, la
intensidad de corriente generada por el arrastre, as como la velocidad de arrastre,
es proporcional al campo elctrico y obedece a la ley de Ohm. Los huecos son
arrastrados segn el sentido del campo aplicado mientras que los electrones lo son
en el sentido opuesto debido a su carga negativa. En ambos casos la corriente
elctrica asociada al arrastre de los portadores de carga tiene la direccin del
campo y es proporcional a l. Este mecanismo se conoce tambin como Deriva.
El mecanismo de difusin est asociado con el movimiento aleatorio
debido a la agitacin trmica. En un trozo de silicio de concentracin uniforme de
electrones libres y agujeros, este movimiento aleatorio no resulta como un flujo
neto de carga (esto es, corriente). Por otra parte, si mediante cierto mecanismo la
concentracin de electrones libres se hace ms alta en una parte del trozo de silicio
que en otra, entonces los electrones se difundirn de la regin de alta
concentracin a la regin de baja concentracin debido a la presencia de un
gradiente de concentracin. Este movimiento de difusin es anlogo a la
dispersin de color que tiene lugar cuando una gota de tinta cae en un vaso de
agua. El efecto se puede observar en un material semiconductor si una densa
concentracin de portadores se introduce en una regin como se muestra en la
Figura 1.3.1a. Con el tiempo se distribuirn en forma equitativa a travs del
material, como se ilustra en la Figura 1.3.1b.


(a) (b)
FIGURA 1.3.1. Representacin del efecto de la difusin en un material
semiconductor.

Aunque el mecanismo de difusin no depende de la carga asociada a los
huecos y electrones, la difusin de portadores de carga produce desde luego una
corriente elctrica llamada corriente de difusin. El anlisis del mecanismo de
difusin muestra que con gradientes moderados la densidad media de corriente es
proporcional al gradiente de concentracin. S, se considera la barra de silicio, que
se muestra en la Figura 1.3.2a, con el perfil de concentracin de huecos a lo largo
del eje x como se muestra en la Figura 1.3.2b. Entonces, la existencia de tal perfil
de concentracin resulta en una corriente de difusin de huecos en la direccin de
16 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA
x, con la magnitud de la corriente en cualquier punto que sea proporcional a la
pendiente de la curva de concentracin, o gradiente de concentracin, en ese
punto.


(a) (b)
FIGURA 1.3.2. Perfil de concentracin en un material semiconductor.

Para los huecos con una concentracin que vara slo en la direccin de x
la densidad de corriente de difusin es:

dx
dp
p p
qD J = (1.3.1)
donde: J
p
es la densidad de corriente de difusin de huecos (ampere por
metro cuadrado)
D
p
es la constante de difusin para huecos, es una propiedad del
material
q es la carga del electrn

dx
dp
es la derivada de concentracin p de huecos con respecto a la
distancia x
Anlogamente para los electrones, la densidad de difusin es:

dx
dn
n n
qD J = (1.3.2)
donde: J
n
es la densidad de corriente de difusin de electrones (ampere por
metro cuadrado)
D
n
es la constante de difusin para electrones, es una propiedad del
material
q es la carga del electrn

dx
dn
es la derivada de concentracin n de electrones con respecto a la
distancia x

CAPTULO 1 - DIODO SEMICONDUCTOR (pn) 17

Dado que los portadores de carga se difunden desde las regiones de gran
concentracin a las de concentracin menor, la densidad de corriente asociada a la
difusin de los huecos cargados positivamente tiene un sentido opuesto al
gradiente de concentracin, mientras que la densidad de corriente asociada a la
difusin de los electrones cargados negativamente tiene el mismo sentido que el
gradiente de concentracin. Por esta razn, no hay signo menos en la ecuacin
1.3.2 debido a la carga negativa de los electrones y al convenio de corriente
utilizado. D
p
tambin se denota como D
h
y se llama coeficiente de difusin [Searle
C. L., Boothroyd A. R., Angelo J r. E. J ., Gray P. E. & Pederson D. O.]. D
p
y D
n

son, ambas, funciones de la temperatura.
El fenmeno de difusin es tambin importante considerarlo
tecnolgicamente en el proceso de impurificacin y debe tenerse en cuenta con
todo cuidado cuando se construyen los modelos para los dispositivos
semiconductores (capacitancia de difusin, etc.).
Si se encuentran simultneamente en un semiconductor un campo
elctrico y un gradiente de concentracin moderados, el arrastre y la difusin
tienen lugar los dos de forma independiente. La densidad de corriente total de los
huecos o de los electrones es entonces simplemente la suma de las corrientes
componentes correspondientes de arrastre y difusin.

1.4 Operacin Fsica del Diodo Semiconductor (pn)
El diodo semiconductor es bsicamente una unin pn, como se muestra
en el esquema de la Figura 1.4.1. La unin pn consta de un material
semiconductor de tipo p, puesto en contacto fsico con un material semiconductor
de tipo n para formar la unin. En la realidad, las uniones no se forman de este
modo; en la prctica, segn el proceso de fabricacin, tanto la regin p como la n
son parte del mismo cristal, esto es, la unin pn se forma dentro de un slo cristal
creando regiones de diferentes impurezas (regiones p y n). El modelo fsico
utilizado del diodo de unin, de la Figura 1.4.1, representa la estructura fsica de
una pieza nica de semiconductor para describir el comportamiento de casi todos
los diodos.

Material
tipo p
Material
tipo n

FIGURA 1.4.1. Esquema de la unin pn.

La unin pn se convierte en un diodo, agregando contactos hmicos, que
permiten que la unin quede conectada a otros elementos de un circuito. Los
contactos hmicos son las conexiones externas a las regiones p y n (los terminales
del diodo) que se efectan a travs de contactos metlicos, como se muestra en la
Figura 1.4.2a, estos contactos se sueldan, se depositan al vapor o se unen por
compresin al semiconductor. En la Figura 1.4.2a se observa que el lado p del
18 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA
diodo se le llama el nodo y el lado n el ctodo. En la Figura 1.4.2b se indica el
smbolo del diodo, donde la lnea colocada en la punta de la flecha seala el
ctodo o la regin de tipo n.

Material
tipop
Material
tipon
Contactometlico
Contacto
metlico
nodo Ctodo
nodo Ctodo
Material
tipo p
Material
tipo n

(a) (b)
FIGURA 1.4.2. Estructura fsica y Smbolo del diodo de unin pn.

La estructura fsica del diodo crea discontinuidades bastante abruptas en
las concentraciones de huecos y de electrones en la interfaz. Cuando la unin se
forma por primera vez existe un gradiente de concentracin a travs de la unin,
lo que hace, que los electrones que son los portadores mayoritarios en la regin n,
se difundan del lado tipo n al lado tipo p; en forma similar, los huecos que son los
portadores mayoritarios en la regin p, se difundan del lado tipo p al lado tipo n. A
primera vista, pudiera parecer que los huecos y los electrones deberan continuar
difundindose a travs de la unin y combinndose unos con otros hasta que no
quedase ningn portador de corriente o hasta que no quedase ms que una clase de
portadores de carga, sin embargo, esto no ocurre as. Los electrones y los huecos
se combinan cerca de la unin y, por consiguiente, se anulan entre s, es decir, los
huecos que neutralizaban los iones aceptadores prximos a la unin en el material
de tipo p han desaparecido como consecuencia de la combinacin con los
electrones difundidos a travs de la unin; de igual forma, los electrones en el
material tipo n se han combinado con huecos que han cruzado la unin desde el
material p. Los iones no neutralizados en las proximidades de la unin se conocen
con el nombre de cargas descubiertas. Por lo tanto, en cada lado de la unin habr
cargas opuestas y no existirn portadores mviles, lo que crea una regin de
agotamiento o regin de carga espacial, como se muestra en la Figura 1.4.3, en
esta figura los huecos (en el lado del material tipo p) estn dibujados con
pequeos crculos vacos y los iones aceptadores estn indicados en un crculo con
un signo menos debido, a que despus de aceptar este tomo un electrn se
transforma en un ion negativo; igualmente los electrones (en el lado del material
tipo n) estn dibujados con un pequeo punto negro y los iones donadores se
representan en un circulo con un signo ms, ya que, despus de que este tomo
de impureza haya dado un electrn se transforma en un ion positivo.
El proceso de formacin de la regin de carga espacial es un mecanismo
termodinmico de difusin donde el estado de equilibrio se logra en un tiempo
cuya magnitud es de microsegundos. El ancho de esta regin es del orden de unas
pocas dcimas de micra (aproximadamente igual a la longitud de onda de la luz
visible). A la izquierda de esta regin, la concentracin de portadores huecos e
iones aceptadores se muestran en las grficas de la Figura 1.4.4; igualmente a la
CAPTULO 1 - DIODO SEMICONDUCTOR (pn) 19

derecha de esta regin, la concentracin de portadores electrones e iones
donadores se indica en la Figura 1.4.4.

Iones aceptadores
Unin
Iones donadores
Electrones Huecos
Regindecargaespacial
Material tipop Material tipo n

FIGURA 1.4.3. Diagrama esquemtico de la formacin de la unin pn.


FIGURA 1.4.4. Concentracin de portadores e iones en una unin pn.

Debido a la concentracin de cargas no uniforme y a la presencia de
cargas opuestas en cada lado de la unin, se establece un campo elctrico a travs
de la regin; en consecuencia resulta una diferencia de potencial entre la regin de
agotamiento, con el lado n a una tensin positiva en relacin con el lado p. De esta
manera el campo elctrico resultante se opone a la difusin de huecos en la regin
n y de electrones en la regin p, lo que impide cualquier flujo de portadores
mayoritarios. A causa de la diferencia de potencial en la regin de agotamiento,
sta acta como una barrera que tiene que superarse para que se difundan los
huecos en la regin n y los electrones se difundan en la regin p.
20 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA
En la Figura 1.4.5 se muestra la variacin del potencial electrosttico en
la regin de agotamiento y constituye una barrera de energa potencial que se
opone a la continuacin de la difusin de huecos a travs de la unin. Igualmente,
en la Figura 1.4.6 se ve la forma de la barrera de energa potencial contraria al
flujo de electrones que cruzan la unin desde el lado n. La Figura 1.4.6 es similar
a la Figura 1.4.5 salvo que est invertida, ya que la carga de los electrones es
negativa.


FIGURA 1.4.5. Distribucin del potencial electrosttico o barrera de energa
potencial en la unin pn.


FIGURA 1.4.6. Barrera de energa potencial de electrones en la regin de
agotamiento.

Cada mecanismo de difusin, el de huecos del lado p al lado n y el de
electrones del lado n al lado p, generan una corriente neta total de difusin I
D
a
travs de la unin. Como un hueco que circula de izquierda a derecha (lado p al
lado n) es equivalente a un electrn que circula de derecha a izquierda (lado n al
lado p), las dos componentes de la corriente de difusin son aditivas y se
considera que la corriente total fluye del lado p hacia el lado n provocada por los
portadores mayoritarios, como se indica en la Figura 1.4.7. La corriente de
difusin I
D
depende fundamentalmente del potencial V
j
. Entre ms grande es la
barrera de potencial V
j
(ver Figura 1.4.5), menor ser el nmero de portadores que
podrn superarla y en consecuencia ms baja ser la magnitud de la corriente de
difusin I
D
.
En adicin, a la componente de corriente de difusin (I
D
) debida a los
portadores mayoritarios, existe una componente debida a la deriva (o arrastre) de
portadores minoritarios a travs de la unin. Especficamente, algunos de los
huecos generados por accin trmica en el material n se difunden a travs de l
CAPTULO 1 - DIODO SEMICONDUCTOR (pn) 21

hasta la regin de agotamiento. Dentro de esta regin experimentan el campo
elctrico, que los barre a travs de ella hacia el lado p. En forma similar, algunos
de los electrones minoritarios generados por la accin trmica en el material p se
difunden hasta el borde de la regin de agotamiento y son barridos por el campo
elctrico en esta regin a travs de ella hasta el lado n. Estas dos componentes de
la corriente, los electrones movidos por la deriva de p a n y los agujeros movidos
por el mismo fenmeno de n a p, se suman para formar la corriente de deriva I
S
,
cuya direccin va del lado n al lado p de la unin, como se indica en la Figura
1.4.7.

Iones aceptadores
Unin
Iones donadores
Electrones Huecos
Regindecargaespacial
Material tipop Material tipon
I
D
I
S

FIGURA 1.4.7. Corriente en la regin de agotamiento.

La corriente I
S
es transportada por los portadores minoritarios generados
por accin trmica, su valor depende de la temperatura y es independiente del
valor del potencial electrosttico V
j
. En condiciones de equilibrio (condiciones de
circuito abierto, sin corriente externa), la corriente resultante es cero; en
consecuencia, las dos corrientes (I
D
y I
S
) son iguales en magnitud:
|I
D
| =|I
S
|
y de direcciones opuestas:
I
D
=-I
S

El potencial electrosttico V
j
se mantiene en la condicin de equilibrio,
por lo tanto, s por alguna razn I
D
excede a I
S
quedarn ms cargas descubiertas
sobre ambos lados de la unin, la capa de agotamiento se extender y el potencial
electrosttico V
j
aumentar. Esto a su vez causa que I
D
decrezca hasta que se logre
el equilibrio con I
D
=I
S
. Por otra parte, s I
S
excede a I
D
, entonces la cantidad de
carga sin cubrir decrecer. Esto causa que I
D
aumente hasta que se logra el
equilibrio con I
D
=I
S
.
Cuando los terminales de la unin pn se dejan en circuito abierto, la tensin
medida entre los terminales es igual a cero. La tensin V
j
entre la regin de
agotamiento no aparece entre los terminales del diodo. Esto se debe a las tensiones
en el contacto metlico, que existen en la unin del semiconductor (terminales del
diodo), que se oponen y se balancean exactamente al potencial V
j
. Si no fuera este el
22 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA
caso, se tendra que tomar energa de la unin pn aislada, lo que violara claramente
el principio de conservacin de la energa. Igualmente cuando se cortocircuita la
unin pn la corriente en el diodo es cero y el potencial electrosttico permanecer
sin variacin e igual al valor en circuito abierto.

1.4.1 La Unin pn Polarizada
La caracterstica elctrica esencial de la unin pn es que permite la
circulacin de portadores en un sentido y la impide prcticamente en el otro.
Veremos a continuacin que al aplicar una tensin externa a la unin pn, el
comportamiento ser distinto segn sea la polaridad de la tensin.

1.4.1.1 Polarizacin Directa
Se denomina polarizacin directa a una tensin externa aplicada con la
polaridad mostrada en la Figura 1.4.1.1.1a, donde el terminal positivo de la fuente
V est en contacto con el lado p y el terminal negativo de la fuente V est en
contacto con el lado n. En la Figura 1.4.1.1.1b se muestra la conexin de la
polarizacin directa con el smbolo del diodo.

Material
tipop
Material
tipon
Contactometlico Contactometlico
V
i
D
V
i
D
+v
D
-

(a) (b)
FIGURA 1.4.1.1.1. Unin pn con polarizacin directa.

La mayora de los diodos de unin pn se construyen d tal modo que las
cadas de tensin causada por contactos metlicos y en el semiconductor fuera de
la regin de carga espacial sean despreciables para corrientes dbiles. La tensin
externa altera el equilibrio inicialmente establecido entre la difusin y el
desplazamiento de portadores en la unin. Los huecos de la regin p fluyen hacia
la regin n, mientras que los electrones de la regin n fluyen hacia la regin p
como se muestra en la Figura 1.4.1.1.2.

p n
V
i
D

FIGURA 1.4.1.1.2. Movimiento de huecos y electrones en la unin pn con
polarizacin directa.
CAPTULO 1 - DIODO SEMICONDUCTOR (pn) 23

Este desplazamiento de portadores mayoritarios hace que la regin de
agotamiento se estreche y, por lo tanto, se reduzca la barrera de potencial en
V
j
v
D
, como se observa en la Figura 1.4.1.1.3a y 1.4.1.1.3b respectivamente.


(a) (b)
FIGURA 1.4.1.1.3. Regin de agotamiento y Barrera de potencial en la unin
pn con polarizacin directa.

La disminucin de V
j
incrementa mucho la corriente de difusin (I
D
), muchos
portadores poseen ahora suficiente energa para escalar la colina potencial que es
ms baja, es decir, ms portadores pueden atravesar la unin y recombinarse; la
corriente de deriva I
S
cambia muy poco, ya que viene determinada por la
temperatura y no por la tensin. La corriente de difusin I
D
es mucho mayor que la
corriente de deriva I
S
,

I
D
>>>I
S
. Entonces, el efecto neto es que son muchos los
portadores de carga que cruzan la unin. Un hueco de la regin p que cruce la
unin y se combine con un electrn en la regin n, tender a dar a la regin n una
carga positiva. Esto significa que un electrn del conductor conectado al terminal
negativo de la fuente ser atrado por el material n y sustituir, por tanto, al
electrn que se combin con el hueco. Anlogamente, se podra razonar (aunque
no de un modo muy riguroso), que un electrn que se combine con un hueco en la
regin p, tiende a dar a la regin p una carga negativa extra que a continuacin
ser arrastrada hacia el conductor conectado al terminal positivo de la fuente.
Aunque a travs del material semiconductor circulan, tanto huecos como
electrones, por los conductores exteriores no circulan ms que electrones. En otras
palabras, se puede describir la secuencia de un electrn desde el momento en que
ste se mueva del terminal negativo al terminal positivo de la fuente, a travs del
diodo, de la siguiente manera:
a) Despus de salir del terminal negativo, se introduce por el extremo derecho
del cristal (material n).
b) Viaja a travs de la regin n como un electrn libre.
c) Cerca de la unin se recombina con un hueco y se convierte en electrn de
valencia.
d) Este viaja a travs de la regin p en la banda de valencia y finalmente.
e) Despus de salir del lado izquierdo del cristal, fluye hacia el terminal positivo
de la fuente.
24 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA
Pareciera que la tensin de la barrera se puede llegar anular y permitir la
circulacin de una corriente enorme. Esto no sucede debido a que al aumentar la
corriente, una parte cada vez mayor de la tensin aplicada se gasta en producir una
cada de tensin a travs de la masa de las regiones p y n. La barrera puede ser
reducida, pero no destruida. Cualquier intento para reducir excesivamente la
barrera dar como resultado la destruccin del cristal debido al excesivo calor
disipado en l. Una vez que el potencial de barrera se ha reducido enormemente,
la corriente queda limitada por la resistencia de la fuente V, la resistencia de los
conductores del diodo y la resistencia de la masa del cristal, la cual puede ser muy
baja y depende del dopado, del rea de la seccin transversal y de la longitud. Tal
resistencia por lo general es baja (de 1 a 200, aproximadamente) y puede hacer
que circule una corriente excesiva; por tanto, en condiciones de polarizacin
directa, debe colocarse en serie con el diodo una resistencia limitadora de
corriente. En el caso ideal, la polarizacin directa se comporta como un
cortocircuito.

1.4.1.2 Polarizacin Inversa
Se denomina polarizacin inversa a una tensin externa aplicada con la
polaridad mostrada en la Figura 1.4.1.2.1a, donde el terminal positivo de la fuente
V est en contacto con el lado n y el terminal negativo de la fuente V est en
contacto con el lado p. En la Figura 1.4.1.2.1b se muestra la conexin de la
polarizacin inversa con el smbolo del diodo.
Material
tipop
Material
tipo n
Contacto metlico Contacto metlico
V
I
S
V
I
S
- v
D
+

(a) (b)
FIGURA 1.4.1.2.1. Unin pn con polarizacin inversa.

En la polarizacin inversa los huecos de la regin p son rechazados de la
unin hacia el terminal negativo de la fuente; tambin los electrones de la regin n
se alejan de la unin hacia el terminal positivo de la fuente, como se muestra en la
Figura 1.4.1.2.2. Los electrones salientes dejan ms iones positivos cerca de la
unin y los huecos salientes dejan ms iones negativos, por lo tanto, la capa de
agotamiento se ensancha, ver Figura 1.4.1.2.3a. Sin embargo, existen los huecos
minoritarios del lado n que cruzan con facilidad la unin hacia el lado p y los
electrones minoritarios del lado p cruzan la unin hacia el lado n (ver Figura
1.4.1.2.2), a causa de que la barrera de potencial aument.
CAPTULO 1 - DIODO SEMICONDUCTOR (pn) 25

p n
V
I
S

FIGURA 1.4.1.2.2. Movimiento de huecos y electrones en la unin pn con
polarizacin inversa.

La barrera de potencial se incrementa a V
j

+ v
D
, como se muestra en la
Figura 1.4.1.2.3b, este incremento se produce por la tensin de la fuente v
D
de
polarizacin inversa que se puede observar en la Figura 1.4.1.2.3a. Los huecos del
lado p y los electrones del lado n no pueden cruzar la unin, y la corriente de
difusin I
D
provocada por los portadores mayoritarios es insignificante. Por tanto,
la corriente fluye solamente a causa de los portadores minoritarios. El flujo de
corriente inversa se debe a la corriente de deriva I
S
, la cual se conoce como
corriente de saturacin (o de fuga) inversa.


(a) (b)
FIGURA 1.4.1.2.3. Regin de agotamiento y Barrera de potencial en la unin pn con
polarizacin inversa.

La cantidad de portadores minoritarios disponible es muy pequea y, por
consiguiente, la corriente resultante tambin lo es, del orden de los picoamperios.
Como la corriente de saturacin inversa es debida a los pares electrn-hueco
generados trmicamente, sta depende de la temperatura y es independiente de la
tensin aplicada. Si la tensin inversa v
D
se incrementa an ms, la corriente del
diodo permanece casi constante hasta que se alcanza una condicin de ruptura. En
el caso ideal, antes de llegar a la condicin de ruptura y despreciando la corriente
de saturacin inversa, la polarizacin inversa se comporta como un circuito
abierto.
La condicin de ruptura ocurre cuando la tensin inversa del diodo llega
a un punto en que la corriente inversa empieza a crecer rpidamente y la tensin
en el diodo es casi constante. En la regin de ruptura el diodo funciona como una
26 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

fuente de tensin negativa que esta limitada por una corriente mnima y una
corriente mxima. Hay dos mecanismos de ruptura del diodo estos son:
a) Si la tensin inversa se mantiene suficientemente alta, el campo
elctrico de la capa de agotamiento llega a ser tan fuerte como para romper los
enlaces covalentes de los tomos de silicio (o de germanio), lo que produce una
gran cantidad de pares electrn-hueco por todo el cristal semiconductor
acrecentado de esta manera el nmero de portadores adicionales que contribuyen
al aumento de la corriente inversa I
S
. La regin de agotamiento (regin de carga
espacial) llega a ser tan ancha que las colisiones son menos probables y no implica
colisiones de portadores con iones del cristal, aunque el cada vez ms intenso
campo elctrico dispone de la fuerza para romper directamente los enlaces. Este
fenmeno se llama efecto de tunelizacin o efecto zener. El mecanismo se conoce
como ruptura zener. Los electrones y los huecos anulan a su vez las cargas
negativas y positivas de la regin de agotamiento, y la barrera de potencial de la
unin virtualmente se elimina. La corriente inversa est limitada entonces
nicamente por el circuito externo, mientras que la tensin inversa permanece casi
constante, en un valor igual a la tensin zener (V
Z
) y la resistencia del diodo es
baja. La ruptura zener ocurre en uniones fuertemente dopadas que tiene una regin
de agotamiento muy estrecha.
b) Cuando el campo elctrico llega a ser suficientemente fuerte, los
electrones del lado p se aceleran a travs del cristal y chocan con los enlaces
covalentes no rotos, con fuerza suficiente para romperlos. Los electrones
generados por los choques pueden adquirir suficiente energa cintica para chocar
con otros enlaces no rotos, tambin con la fuerza suficiente para romperlos. En
otras palabras se puede decir; que los electrones, acelerados hasta altas
velocidades por el campo, rompen los enlaces colisionando y creando de ese modo
nuevos pares electrn-hueco que, a su vez, rompen todava ms enlaces y as
sucesivamente todos estos nuevos portadores se suman a la corriente I
S
. Este
efecto acumulativo, que produce una gran cantidad de flujo de corriente no
controlado, se conoce como ruptura en avalancha. Tambin el proceso de ruptura
en avalancha puede considerarse como un electrn mvil que choca con un
electrn fijo, dejndolo libre; estos dos electrones liberan a otros dos y as
sucesivamente.
Los mecanismos de ruptura zener y ruptura en avalancha son distintos
entre s, pero en la prctica, no hay distincin entre los dos, porque ambos llevan a
una gran corriente inversa. La ruptura en avalancha se presenta para altas
tensiones inversas y la ruptura zener para pequeas tensiones inversas, sin
embargo, el efecto en el circuito es el mismo. Se considera que cuando ocurre una
ruptura con V
Z
< 5V (como en uniones excesivamente impurificadas) se trata de
una ruptura zener, cuando ocurre con V
Z
> 7V (aproximadamente), es una ruptura
en avalancha y cuando la unin se rompe con una tensin entre 5V y 7V la ruptura
puede ser zener o en avalancha, o una combinacin de las dos.


CAPTULO 1 - DIODO SEMICONDUCTOR (pn) 27

1.5 Curva Caracterstica del Diodo Semiconductor (pn)
En la Figura 1.5.1 se muestra la curva caracterstica tensin-corriente
(v-i) de un diodo real. La relacin aproximada que determina la caracterstica del
diodo, (sin tomar en cuenta la regin zener) est dada por la siguiente ecuacin:

( ) 1 e I i
T D
nV / v
S D
= (1.5.1)
donde: i
D
= corriente que circula por el diodo, en A.
v
D
= tensin en el diodo, en V.
I
S
= corriente de saturacin inversa, por lo general del orden de 10
-6
A a
10
-15
A.
n = constante emprica conocida como coeficiente de emisin o factor
de idealidad, cuyo valor vara entre 1 y 2.


FIGURA 1.5.1. Curva caracterstica de un diodo real.

El coeficiente de emisin n depende del material y de la construccin
fsica del diodo. En los diodos de germanio se considera que n es igual a 1. Para
los diodos de silicio el valor considerado de n es igual a 2, pero, en la mayora de
los diodos reales de silicio el valor de n est dentro del intervalo de 1.1 a 1.8. (para
mayor simplicidad se asumir en el texto a n=1). La tensin V
T
de la ecuacin del
diodo es una constante llamada tensin trmica [Horenstein Mark N.], [Malik
Norbert R.], [Rashid Muhammad H.], [Sedra A. & Smith K. C.], [Searle C. L.,
Boothroyd A. R., Angelo Jr. E. J., Gray P. E. & Pederson D. O.] y est dada por:

q
kT
V
K
T
= (1.5.2)
28 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

donde: q = carga del electrn = 1.6022 X 10
-19
coulomb (C).
T
K
= temperatura absoluta en grados Kelvin = 273 + T
celcius
.
k = constante de Boltzmann = 1.3806 X 10
-23
J por grado Kelvin
A una temperatura de 25 C en la unin el valor de V
T
es igual a:
( )( )
mV 7 . 25
1 . 11605
T
10 X 6022 . 1
25 273 10 X 3806 . 1
q
kT
V
K
19
23
K
T
=
+
= =


Por lo general, se utiliza el valor de V
T
igual a 26 mV, aunque en algunas
literaturas lo toman igual a 25 mV [Horenstein Mark N.], [Malik Norbert R.],
[Millman J. & Grabel A.], [Sedra A. & Smith K. C.], [Schilling D. L. & Belove
Ch.], [Searle C. L., Boothroyd A. R., Angelo Jr. E. J., Gray P. E. & Pederson D.
O.].
La caracterstica del diodo real de la Figura 1.5.1 se puede dividir en tres
regiones: regin de polarizacin directa, donde v
D
>0, regin de polarizacin
inversa, donde v
D
<0 y regin de ruptura, donde v
D
< -V
ZK
; en la Figura 1.5.2 se
observa las diferentes regiones de funcionamiento del diodo real.


FIGURA 1.5.2. Regiones de funcionamiento de un diodo real.

En la regin de polarizacin directa la corriente en el diodo i
D
es muy
pequea cuando la tensin del diodo es menor que la tensin V

por encima de
esta tensin la corriente aumenta rpidamente. La tensin V

es conocida como
tensin de codo, de partida o umbral, pero en muchos casos en la caracterstica del
diodo real se traza una lnea, como se muestra en la Figura 1.5.2, la cual es una
aproximacin a la curva real y se denomina a esta tensin como V
D
e igualmente
se le llama tensin umbral o tensin de encendido. Cuando la tensin en el diodo
es igual o mayor a la tensin umbral V
D
se dice que el diodo conduce. Es
importante diferenciar entre la tensin V

y la tensin V
D
, la primera se refiere a la
tensin en la cual el diodo comienza a conducir y la segunda se considera la
tensin en el cual el diodo conduce completamente. Otra definicin muy vaga de
la tensin umbral es: que V
D
es el punto donde la pendiente de la curva
CAPTULO 1 - DIODO SEMICONDUCTOR (pn) 29

caracterstica v-i del diodo cambia de horizontal a vertical. Es de hacer notar, que
en este escrito se utilizar la tensin de encendido del diodo como V
D
y hay que
tener cuidado con otras literaturas que usan comnmente los smbolos V

, V
b
u
otros.
S, en la ecuacin 1.5.1 con polarizacin directa, v
D
es varias veces
mayor que V
T
el exponente del exponencial se hace mucho mayor que 1 e i
D
vara
exponencialmente con la tensin aplicada. En este caso, la ecuacin puede
aproximarse en:
T D
nV / v
S D
e I i = (1.5.3)
el resultado era de esperarse, ya que un descenso en la barrera de potencial
permite que los portadores se difundan ms a travs de la unin.
En la regin de polarizacin inversa la tensin del diodo es negativa y s
|v
D
|>>V
T
, lo cual ocurre para v
D
<-0.1V, el trmino exponencial de la ecuacin
1.5.1 se vuelve insignificantemente pequeo comparado con la unidad, y la
corriente en el diodo i
D
llega a ser:
( ) 1 e I i
T D
nV / v
S D
= -I
S
(1.5.4)
lo cual indica que la corriente en el diodo i
D
permanece constante en la direccin
inversa y su magnitud es igual a la de I
S
. A una temperatura especfica, la
corriente de saturacin inversa I
S
permanece constante en un diodo dado y su
valor depende de la concentracin de huecos y electrones en la zona de la unin.
El valor tpico de I
S
por lo general se encuentra en el orden de 10
-6
A a 10
-15
A, en la
Figura 1.5.3 se muestra una caracterstica de un diodo real donde se observa el
valor de la corriente de saturacin inversa.


FIGURA 1.5.3. Corriente de saturacin inversa en la caracterstica de un diodo real.
30 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

En la regin de ruptura la tensin inversa es alta, por lo general mayor
que 100V. Si la magnitud de la tensin inversa excede una tensin especfica
conocida como tensin de ruptura V
BR
, la corriente inversa correspondiente se
incrementa rpidamente, con un pequeo cambio de la tensin inversa ms all de
V
BR
. El funcionamiento en la regin de ruptura no destruye el diodo, siempre que
la disipacin de potencia (P
D
= v
D
i
D
) se mantenga dentro del nivel de seguridad
indicado en las hojas de especificaciones del fabricante, por lo tanto, es
recomendable limitar la corriente inversa en la regin de ruptura de modo que la
disipacin de potencia quede dentro de un intervalo admisible. La tensin de
ruptura V
BR
tambin se denomina voltaje pico inverso (VPI Voltage Peak
Inverse).
Al realizar una comparacin entre los diodos de silicio y de germanio, se
observa lo siguiente: en general, los diodos de silicio tienen valores nominales de
VPI y de corriente ms altos e intervalos de temperatura ms amplios que los
diodos de germanio. El VPI nominal para el silicio puede encontrarse hasta un
valor de 1000V, en tanto que el valor mximo para el germanio es cercano a
400V. El silicio puede emplearse para aplicaciones en las que es posible que la
temperatura aumente a cerca de 200 C, en tanto que el germanio presenta un
valor nominal mximo ms bajo 100 C. En el silicio la tensin de polarizacin
directa que se requiere para alcanzar la conduccin del diodo es mayor que la del
germanio, como se muestra en la Figura 1.5.4, el valor es por lo general del orden
de 0.7V para el silicio y 0.3V para el germanio. Otra caracterstica importante, es
que la corriente de saturacin inversa en el diodo de silicio es menor que la del
germanio. En sntesis, el resto de las caractersticas del silicio comparadas con la
del germanio, hacen que el primero se elija en casi todas de las aplicaciones.


FIGURA 1.5.4. Comparacin de los diodos semiconductores de Si y de Ge.
CAPTULO 1 - DIODO SEMICONDUCTOR (pn) 31

La caracterstica real de un diodo tpico difiere de la curva exponencial
debido a diversos efectos. Para corrientes directas relativamente grandes la
resistencia hmica de los contactos y del material semiconductor aumenta
considerablemente la resistencia directa. En el sentido inverso, existe una
corriente de fuga superficial que circula a lo largo de la superficie del silicio (a
diferencia de la corriente que circula a travs de la unin de las regiones tipos p y
n) y hace que disminuya notablemente la resistencia inversa. Otros efectos entran
en juego en varias partes de la caracterstica del diodo, pero, para la mayor parte
de los fines prcticos son despreciables.
Para el estudio de seales intensas o gran seal, se considera que el diodo
se comporta d acuerdo con las aproximaciones lineales, como se muestra en la
Figura 1.5.5.


FIGURA 1.5.5. Aproximaciones lineales de los diodos semiconductores de Si y de Ge.

De la caracterstica de la Figura 1.5.5 se obtiene un modelo del diodo que
resulta en un diodo ideal, una fuente de tensin constante (V
D
) y una resistencia
dinmica o incremental (r
D
) como se ilustra en la Figura 1.5.6.

V
D
v
D
D
1
Diodo Ideal
r
D

FIGURA 1.5.6. Modelo del diodo, correspondiente a la caracterstica de la Figura
1.5.5.
32 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

La resistencia r
D
es el inverso de la pendiente de la recta indicada en la
Figura 1.5.5 y la fuente V
D
es la tensin umbral o de conduccin. El Diodo Ideal
que se encuentra en el modelo de la Figura 1.5.6 caracteriza la base del
funcionamiento del diodo, distinguiendo entre la polarizacin directa y la
polarizacin inversa. El Diodo Ideal representa el modelo mas sencillo del diodo y
su curva caracterstica v-i se encuentra en la Figura 1.5.7a. El smbolo circuital es
el igual al representado en la Figura 1.4.2b, pero, con la diferencia que se indica
en el diodo que es ideal, ver Figura 1.5.7b. En el comportamiento del Diodo Ideal
se dice que cuando el diodo conduce corriente el diodo est encendido o en
conduccin y cuando el diodo bloquea la corriente el diodo est apagado o
cortado; el Diodo Ideal simula estos estados, respectivamente, con cortocircuito y
circuito abierto. De la Figura 1.5.7a cuando i
D
=0 y v
D
=0, el punto de
funcionamiento se sita en el punto de quiebre, donde el cortocircuito y el circuito
abierto, representan ambos el Diodo Ideal.
v
D
D
1
Diodo Ideal
0
i
D
v
D

(a) (b)
FIGURA 1.5.7. Curva caracterstica (v-i) y smbolo circuital del Diodo Ideal.

El modelo del Diodo Ideal conlleva a un circuito equivalente simple, que
es fcil de analizar para ayudar a comprender circuitos con diodo y para realizar
estimaciones de tensin y corriente en el diodo. Este modelo supone que la cada
de tensin a travs del diodo en el sentido directo es despreciable y es bastante
apropiado para las aplicaciones que hacen uso de la no linealidades que presentan
los diodos, tales como rectificadores. Cuando este no es el caso, el diodo puede ser
sustituido por un circuito equivalente que consiste en una fuente de tensin
constante (V
D
) y el Diodo Ideal, ver Figura 1.5.8b; este modelo se conoce como
Diodo ideal con tensin umbral (V
D
) y supone que un diodo al conducir presenta
una cada de tensin que es casi constante e independiente de la corriente que
fluye a travs del diodo, su curva caracterstica v-i aparece dibujada en la Figura
1.5.8a.
Las aproximaciones lineales estudiadas se denominan caracterstica lineal
aproximada caracterstica lineal a trozos, las cuales determinan el circuito
equivalente lineal a trozos que se estudiar en el captulo 1.7.
CAPTULO 1 - DIODO SEMICONDUCTOR (pn) 33

v
D
D
1
Diodo Ideal
0
i
D
v
D
V
D
V
D

(a) (b)
FIGURA 1.5.8. Curva caracterstica (v-i) y smbolo circuital del Diodo Ideal con
tensin umbral.

1.6 Resistencia del Diodo
En la seccin 1.5, se estudi un poco sobre la resistencia del diodo, este
es un parmetro importante a estudiar y va depender del tipo de polarizacin
(directa o inversa), adems, la resistencia del diodo ser de un valor segn el
rgimen a estudiar, ya sea rgimen esttico o dinmico. En el rgimen dinmico,
la resistencia tendr un valor dependiendo del anlisis a pequea seal o del
anlisis a gran seal. En esta seccin se estudiar la resistencia esttica y la
resistencia dinmica del diodo en polarizacin directa.


1.6.1 Resistencia Esttica del Diodo
La resistencia esttica R
cc
(o R
cd
) de un diodo se define como la relacin
entre la tensin y la corriente (v/i) en un punto particular de operacin, mediante
la siguiente ecuacin:

operacin de punto el en Evaluado i
v
R
D
D
cc
= (1.6.1.1)
En un punto cualquiera de la curva caracterstica v-i del diodo la resistencia R
cc
es
igual a la inversa de la pendiente de la lnea que une el punto de funcionamiento
con el origen, ver Figura 1.6.1.1. La resistencia esttica no es un parmetro de
gran utilidad para su empleo, debido a que vara enormemente con la tensin y la
corriente.
En la Figura 1.6.1.2 se encuentran indicados dos puntos de operacin P1
y P2, al calcular la resistencia en cada punto se tiene:
Para P1, i
D
=2mA la resistencia esttica resulta = = 250
mA 2
5 . 0
R
cc

34 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

Para P2, i
D
=20mA la resistencia esttica resulta = = 40
mA 20
8 . 0
R
cc



FIGURA 1.6.1.1. Determinacin de la resistencia esttica sobre la caracterstica v-
i del diodo.

Al cambiar del punto de operacin de P1 a P2, la corriente cambia 10
veces su valor y la resistencia esttica a disminuido aproximadamente en 6 veces
su valor, condicin en la cual se observa como cambia drsticamente el valor de la
resistencia, por lo tanto, no se puede emplear el parmetros de la resistencia
esttica s el punto de operacin cambia constantemente.


FIGURA 1.6.1.2. Dos punto de operacin sobre la caracterstica v-i del diodo para
determinar la resistencia esttica.
CAPTULO 1 - DIODO SEMICONDUCTOR (pn) 35

En el caso de querer estudiar un circuito con un diodo que opere a un
punto de operacin particular, se puede sustituir el diodo por un circuito
equivalente que consiste en un diodo ideal y una resistencia con el valor de la
resistencia esttica, como se representa en la Figura 1.6.1.3.

v
D
D
1
Diodo Ideal
R
cc

FIGURA 1.6.1.3. Circuito equivalente del diodo para el rgimen esttico.

Es de hacer notar, que el punto de operacin se designar como punto Q
debido a la designacin en ingles de Quiescent point (Punto esttico o Punto de
reposo, el cual se refiere al valor de tensin o corriente cuando no hay seal
presente).

1.6.2 Resistencia Dinmica del Diodo
La resistencia dinmica o incremental del diodo es un parmetro muy
importante a considerar y su valor depende del tipo de operacin, ya sea en
pequea seal o en gran seal. Para diferenciarlas se utilizar la notacin de la
resistencia dinmica en pequea seal como r
d
y la resistencia dinmica en gran
seal como r
D
.
En algunas literaturas [Chirlian Paul M.], [Cutler Ph.], [Savant C. J. Jr.,
Roden M. S. & Carpenter G. L.], [Millman J. & Grabel A.], [Rashid Muhammad
H.], [Schilling D. L. & Belove Ch.] y [Sedra A. & Smith K. C.] no diferencian
claramente entre la resistencia dinmica a pequea seal y la resistencia dinmica
a gran seal, simplemente se refieren a la resistencia dinmica cuando se est
trabajando con pequea seal. En las literaturas [Millman J. & Halkias Ch. C.,
Dispositivos y Circuitos Electrnicos] y [Millman J. & Halkias Ch. C.,
Electrnica Integrada. Circuitos y Sistemas, Analgicos y Digitales] la
resistencia dinmica en pequea seal la citan como resistencia dinmica o
incremental no constante y la resistencia en gran seal la citan como resistencia
dinmica o incremental constante. En la literatura [Boylestad R. & Nashelsky L.]
la resistencia dinmica en pequea seal la designan resistencia dinmica y la
resistencia en gran seal la designan resistencia promedio.
En cuanto a la nomenclatura, sta es variada segn la literatura, en la
Tabla B1 del Anexo B se indican diferentes notaciones de las resistencias
dinmicas de acuerdo con diferentes literaturas.



36 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

1.6.2.1 Resistencia Dinmica del Diodo en Gran Seal
Cuando la seal a travs del diodo es lo suficientemente grande, la
caracterstica no lineal del diodo se puede linealizar aplicando una aproximacin
lineal a trozo. En la seccin 1.5 se consider el comportamiento del diodo, para
gran seal, con unas aproximaciones lineales que se muestran en la Figura 1.5.5,
obtenindose as un modelo equivalente del diodo.
El modelo del diodo est conformado por una resistencia r
D
que
corresponde a la resistencia dinmica del diodo en gran seal y es el inverso de la
pendiente de la recta indicada en la Figura 1.5.5. Por lo tanto, se define a la
resistencia dinmica del diodo en gran seal como el inverso de la pendiente de la
recta donde se traza la aproximacin lineal en el trozo (tramo) o intervalo de
inters (regin) de la caracterstica real del diodo. En forma de ecuacin se tiene:

ers int de ervalo int el en o punto a punto v
i
r
1
D
D
D

= (1.6.2.1.1)
o

ers int de ervalo int el en o punto a punto i
v
r
D
D
D

= (1.6.2.1.2)
Es importante indicar, que la aproximacin lineal por trozos para grandes
seales es una representacin que a menudo proporciona resultados
suficientemente precisos para la mayora de las aplicaciones en electrnica.

Ejemplo 1.6.2.1.1 Para la caracterstica de la Figura 1.6.2.1.1, determinar la
resistencia dinmica (r
D
) para la regin 1 y la regin 2.

FIGURA 1.6.2.1.1. Curva caracterstica del ejemplo 1.6.2.1.1
En la regin 1: v
D
0.72 0.57 = 0.15V i
D
6 2 = 4mA
= =

= 5 . 37
mA 4
V 15 . 0
i
v
r
D
D
D

En la regin 2: v
D
0.8 0.78 = 0.02V i
D
30 20 = 10mA
CAPTULO 1 - DIODO SEMICONDUCTOR (pn) 37

= =

= 2
mA 10
V 02 . 0
i
v
r
D
D
D

Se observa como cambia el valor de la resistencia en cada regin. En la regin 2 la
resistencia es mucho menor que en la regin 1 donde la pendiente es menor que en
la regin 2, es decir, que cuando mayor sea la inclinacin de la pendiente, menor
ser la resistencia.

1.6.2.2 Resistencia Dinmica del Diodo en Pequea Seal
Bajo condiciones de pequea seal, la caracterstica real del diodo puede
aproximarse por medio de un lnea recta alrededor del punto Q. Por consiguiente,
la resistencia dinmica en pequea seal (r
d
) se define como la inversa de la
pendiente de la recta tangente en el punto Q, en forma de ecuacin se tiene:

Q punto el en v
i
r
1
D
D
d

= (1.6.2.2.1)
o

Q punto el en i
v
r
D
D
d

= (1.6.2.2.2)
En la Figura 1.6.2.2.1 se ilustra una variacin en pequea seal sobre la
caracterstica del diodo y la recta tangente alrededor del punto Q, adems, se
indica los cambios de corriente (i
D
) y tensin (v
D
) para determinar la resistencia
dinmica en pequea seal.
Cuando mayor sea la inclinacin de la pendiente, menor ser el valor de
v
D
para el mismo cambio en i
D
y menor la resistencia. La resistencia dinmica
en pequea seal tendr un valor segn donde se encuentre el punto de operacin,
por lo tanto, depende del punto Q.


FIGURA 1.6.2.2.1. Representacin grfica para determinar la resistencia
dinmica en pequea seal.
38 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

Si se conoce el punto de operacin (V
DQ
, I
DQ
) y los cambios de corriente
(i
D
) y tensin (v
D
) son pequeos, entonces la ecuacin 1.6.2.2.1 se transforma
en:

Q punto el en dv
di
r
1
D
D
d
= (1.6.2.2.3)
La ecuacin 1.6.2.2.3 nos indica que se puede aplicar la definicin bsica
del clculo diferencial que establece que la derivada de una funcin en un punto es
igual a la pendiente de la lnea tangente que pasa por ese punto, as pues,
diferenciando la ecuacin del diodo (1.5.1), invirtiendo el resultado y calculando
r
d
en el punto de funcionamiento se obtiene una expresin de la resistencia
dinmica en pequea seal, tal como sigue:
En la regin de operacin en polarizacin directa, el trmino exponencial
predomina la ecuacin del diodo, por lo que
( )
T D T D
nV / v
S
nV / v
S D
e I 1 e I i = (1.6.2.2.4)
sustituyendo i
D
de la ecuacin anterior en la ecuacin 1.6.2.2.3 y derivando i
D
con
respecto a v
D
, obtiene:
T D T D
nV / v
S
T
nV / v
T
S
D
D
d
e I
nV
1
e
nV
1
I
Q punto el en dv
di
r
1
= = = (1.6.2.2.5)
de la ecuacin 1.6.2.2.4
T D
nV / v
S
e I es aproximadamente igual a i
D
, entonces el
resultado en 1.6.2.2.5 queda:

T
D
D
D
d
nV
i
Q punto el en dv
di
r
1
= = (1.6.2.2.6)
la resistencia dinmica en pequea seal (r
d
), es el reciproco de la expresin
anterior:
D
T
d
i
nV
Q punto el en
r = (1.6.2.2.7)
evaluando la ecuacin 1.6.2.2.7 en el punto de operacin (punto Q) con n=1 y a la
temperatura ambiente de 25 C, se obtiene, en definitiva, que la resistencia
dinmica en pequea seal (r
d
) es:

D
d
I
026 . 0
r = (1.6.2.2.8)
o

) mA ( I
mV 26
r
D
d
= (1.6.2.2.9)
Se observa del resultado anterior que la resistencia dinmica en pequea
seal (r
d
) vara inversamente con la corriente y se determina mediante la simple
sustitucin del valor de la corriente en el punto de operacin. Aunque, en algunos
casos, se tendr que determinar grficamente r
d
, la ecuacin 1.6.2.2.9 permite
CAPTULO 1 - DIODO SEMICONDUCTOR (pn) 39

obtener r
d
sin necesidad de disponer de la caracterstica y as evitar
equivocaciones al tratar de dibujar lneas tangentes en el punto de operacin sobre
la curva caracterstica. No hay que olvidar que el resultado de la ecuacin
1.6.2.2.9 es una aproximacin para ser aplicada en el anlisis en pequea seal.

Ejemplo 1.6.2.2.1 Encuentre el modelo de un diodo alrededor del punto de
operacin igual a I
D
=1mA, sabiendo que: I
S
=10
-11
A, n=1 y T=25C.
El modelo del diodo a emplear es similar al mostrado en la Figura 1.5.6,
pero, la resistencia corresponde a la resistencia dinmica en pequea seal (r
d
), ya
que el enunciado indica que se determine alrededor de un punto de operacin.
Para el clculo de r
d
se utiliza la ecuacin 1.6.2.2.9 (n=1 y T=25C):
= = 26
mA 1
mV 26
r
d

El valor de la fuente V
D
del modelo se determina por el punto donde la recta
tangente corta el eje de tensin. Este punto se puede obtener mediante
triangulacin grfica, como se muestra en la Figura 1.6.2.2.2, donde la pendiente
= (elevacin vertical / longitud horizontal).

FIGURA 1.6.2.2.2. Determinacin grfica de la fuente V
D
para el ejemplo 1.6.2.2.1
De la grfica se tiene:

D DQ
DQ
D
D
d
V V
I
Q punto el en v
i
r
1

= (1.6.2.2.10)
Al despejar V
D
de la ecuacin anterior queda:

d DQ DQ D
r I V V = (1.6.2.2.11)
El valor exacto de V
DQ
para I
DQ
=1mA se determina de la forma inversa de la
ecuacin 1.5.1 del diodo:
V 48 . 0 1
mA 10
mA 1
ln ) 026 . 0 )( 1 ( 1
I
I
ln nV V
8
S
DQ
T DQ
=

+ =

+ =


Por tanto, utilizando la ecuacin 1.6.2.2.11, se tiene:
V 45 . 0 ) 26 )( mA 1 ( ) V 48 . 0 ( r I V V
d DQ DQ D
= = =
40 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

El modelo del diodo definitivo se muestra en la Figura 1.6.2.2.3:
V
D
= 0.45V
v
D
D
1
Diodo Ideal
r
d
= 26

FIGURA 1.6.2.2.3. Modelo del diodo del ejemplo 1.6.2.2.1.

1.7 Circuito Equivalente Lineal a Trozos
En muchas aplicaciones la caracterstica v-i de un dispositivo no lineal,
se aproxima por segmentos de rectas. Esta aproximacin se conoce como mtodo
de anlisis lineal a trozos, y es una poderosa herramienta para analizar circuitos no
lineales de un modo prctico. La caracterstica v-i de los dispositivos no lineales
puede representarse grficamente como una secuencia de lneas rectas
interconectadas, donde cada una de ellas es una aproximacin de la caracterstica
real v-i en una regin en particular. A su vez, estos segmentos lineales pueden
representarse por circuitos simples conformados por diodos ideales, resistencias y
fuentes de tensin constante o de corriente constante y as, cada segmento podr
caracterizar el comportamiento del dispositivo en una regin limitada de
operacin.
La representacin del diodo por una combinacin de elementos lineales e
ideales forman un circuito equivalente o modelo. De esta manera, cuando se
utilice el diodo con otros elementos o dispositivos, el modelo permitir calcular
las corrientes y tensiones en la red con los mtodos normales de anlisis de
circuitos lineales, evitando as, los procedimientos grficos.
Cualquier curva no lineal puede ser aproximada tanto como se desee
utilizando uno o ms segmentos de lnea recta. Para fines prcticos el nmero de
segmentos se mantiene tan pequeo como sea posible, en el caso de las
caractersticas del diodo el menor nmero de rectas recomendable es igual a dos,
aunque, este nmero se definir en funcin del error permisible con la curva real.
Consideremos la aproximacin de dos y tres segmentos para las
caractersticas no lineales representada en la Figura 1.7.1a y 1.7.1b
respectivamente.
La curva de la aproximacin de dos segmentos (Figura 1.7.1a) se puede
utilizar para aproximarse a la curva cuando la exactitud necesaria permite el error
representado. Esta aproximacin se puede representar circuitalmente como se
indica en la Figura 1.7.2.

CAPTULO 1 - DIODO SEMICONDUCTOR (pn) 41

Pendiente
i
D
(mA)
v
D
(V)
0
1
2
E
r
r
o
r

M

x
i
m
o
D
r
1
= Pendiente
0
1
2
1 D
r
1
=
i
D
(mA)
v
D
(V)
3
V
D
V
D1
V
D2
Pendiente
2 D
r
1
=

(a) (b)
FIGURA 1.7.1. Aproximaciones lineales por trozos o segmentos: (a) dos
segmentos; (b) tres segmentos.

V
D
v
D
D
Diodo Ideal
r
D

FIGURA 1.7.2. Circuito equivalente para la aproximacin lineal de dos
segmentos.

La operacin del circuito se explica fcilmente al considerar la tensin de
entrada (v
D
) como una fuente de c.c. que cambia lentamente desde un valor grande
negativo hasta un valor grande positivo. El diodo ideal conducir solamente
cuando v
D
-V
D
sea positivo (polarizacin directa) y es un abierto cuando v
D
-V
D
sea
negativo (polarizacin inversa). No circular corriente a no ser que v
D
V
D
, as
v
D
<V
D
da el segmento 1 de la curva. Cuando v
D
=V
D
(punto de codo), ocurre un
cambio de estado. Tan pronto como v
D
se hace mayor que V
D
, el diodo ideal
conduce y aparece como un cortocircuito. Luego para todos los valores de v
D
>V
D
,
el circuito consiste en una resistencia r
D
en serie con la tensin V
D
que
proporciona el segmento 2 de la curva.
Este mismo anlisis es aplicable a la aproximacin de tres segmentos, la
rama izquierda de la Figura 1.7.3 producir el resultado deseado de los segmentos
1 y 2 de la curva al sustituir V
D
por V
D1
y r
D
por r
D1
.

42 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

v
D
D
i
o
d
o

I
d
e
a
l
D
2
V
D1
D
1
D
i
o
d
o

I
d
e
a
l
r
D1
V
D2
r
D

FIGURA 1.7.3. Circuito equivalente para la aproximacin lineal de tres segmentos.

En la Figura 1.7.1b se tiene otro punto de codo en V
D2
y la pendiente de
la recta en la regin 3 es de 1/r
D2
. Obsrvese que esta pendiente es mayor que la
del segmento 2, por los que la resistencia equivalente en este margen debe ser
mayor. Esto sugiere que se debe aadir un circuito paralelo para conseguir una
reduccin de la resistencia, esto se representa en la rama de la derecha de la Figura
1.7.3 y no tendr efecto alguno hasta que v
D
=V
D2
, donde D
2
conduce. Para
v
D
>V
D2
, D
1
y D
2
estn ambos en cortocircuito y la resistencia total del circuito es
r
D
||r
D1
la cual debe ser igual a r
D2
, por lo tanto el valor de r
D
es:

1 D D 1 D 2 D D 2 D
1 D D
1 D D
1 D D 2 D
r r r r r r
r r
r r
r || r r = +
+
= =
despejando r
D
se tiene:

2 D 1 D
2 D 1 D
D
r r
r r
r

= (1.7.1.1)
Los modelos estudiados, tambin se conocen como modelos de gran
seal porque son tiles para predecir el comportamiento de los circuitos cuando
los valores de las tensiones y corrientes son grandes. Es importante distinguir
entre los circuitos equivalentes lineales a trozos de los circuitos equivalentes
lineales para seales dbiles. Los valores de resistencias pueden cambiar
considerablemente en el caso de seal dbil, debido a que las pendientes se miden
en un punto particular de funcionamiento, mientras que en el caso lineal a trozos
son valores promedios en mrgenes o intervalos largos. El circuito lineal a trozos
se puede utilizar para calcular las tensiones y corrientes totales, mientras que el
circuito equivalente para seal dbil est restringido a variaciones pequeas
alrededor del punto de trabajo. En general, las aplicaciones en las cuales se utiliza
el modelo de gran seal son: circuitos lgicos, fuente de alimentacin,
recortadores de onda y circuitos de polarizacin.

Ejemplo 1.7.1 Hallar un circuito equivalente lineal a trozo de la curva
caracterstica que se muestra en la Figura 1.7.4.
CAPTULO 1 - DIODO SEMICONDUCTOR (pn) 43

Para determinar el circuito equivalente lineal a trozo se debe realizar las
aproximaciones lineales de la curva caracterstica de la Figura 1.7.4. Estas
aproximaciones se llevan a cabo con segmentos de rectas conectados entre s. El
nmero de segmentos de recta a emplear va depender del error que se cometa
entre la ecuacin lineal por trozos y la ecuacin no lineal. S, en el caso de colocar
un nmero arbitrario de segmentos de recta y el error que se comete es demasiado
grande, entonces, se debe replantear las aproximaciones lineales aadiendo un
segmento de recta adicional. El mnimo nmero de segmentos de recta es igual a
dos. Un procedimiento directo para elegir los segmentos de recta es dividir el
intervalo en partes iguales.

FIGURA 1.7.4. Curva Caracterstica del ejemplo 1.7.1.
En este ejemplo se representa las aproximaciones lineales por tres
segmentos de rectas dibujados en la Figura 1.7.5. La escogencia de los segmentos
de recta se realiz en los puntos conocidos sobre la curva, que se indican en la
Figura 1.7.4.

FIGURA 1.7.5. Aproximaciones lineales por trozo de la curva caracterstica del
ejemplo 1.7.1
El primer segmento de recta se puede modelar por un diodo ideal con
tensin umbral V
D
igual a 0.5V, el segundo segmento se puede combinar en uno
slo con el segmento 1, ya que se puede modelar con una resistencia dinmica r
D

en serie con el diodo ideal y la fuente V
D
. La resistencia dinmica r
D
es igual a:
44 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

=

= 500
mA 1
V ) 5 . 0 1 (
i
v
r
D
, el circuito equivalente de los segmentos 1 y 2 se
representa en la siguiente figura:
V
D
= 0.5V
v
D
D
1
Diodo Ideal
r
D
= 500

FIGURA 1.7.6. Circuito equivalente de los segmentos 1 y 2 del ejemplo 1.7.1.
En el tercer segmento de recta la fuente V
D
es igual a 1.5V y la
resistencia dinmica r
D
es igual a: =

= 250
mA ) 2 4 (
V ) 5 . 1 2 (
i
v
r
D
, el circuito
equivalente del segmento 3 se representa en la Figura 1.7.7.

V
D
= 1.5V
v
D
D
1
Diodo Ideal
r
D
= 250

FIGURA 1.7.7. Circuito equivalente del segmento 3 del ejemplo 1.7.1.
El circuito equivalente total ser la conexin en paralelo de los modelos
planteados. Pero, hay que tomar en cuenta que la resistencia colocada en paralelo
cuando el diodo, est operando en el segmento 3 debe ser igual a 250, por tanto,
el diodo a conectar debe tener una resistencia igual a:
250 = 500 || R
x
despejando R
x
se obtiene R
x
igual a 500.
El circuito equivalente total se muestra en la Figura 1.7.8. Del circuito se
sintetiza que para valores positivos de v
D
entre 0 y 0.5V la corriente por el diodo
es cero, para valores mayores e iguales a 0.5V el diodo ideal D
1
conduce y la
resistencia es 500. Cuando la tensin es mayor o igual a 1.5V conduce D
2
y la
resistencia equivalente es igual a 250. Para tensiones negativas los diodos D
1
y
D
2
no conducen.

CAPTULO 1 - DIODO SEMICONDUCTOR (pn) 45

v
D
D
i
o
d
o

I
d
e
a
l
D
2
V
D1
=0.5V
D
1
D
i
o
d
o

I
d
e
a
l
r
D1
=500
V
D2
=1.5V
r
D
=500

FIGURA 1.7.8. Circuito equivalente total del ejemplo 1.7.1.

Ejemplo 1.7.2 Considrese un diodo con la caracterstica real (v-i) que se muestra
en la Figura 1.7.9. Realizar las aproximaciones adecuadas para obtener el circuito
equivalente.

FIGURA 1.7.9. Curva caracterstica del ejemplo 1.7.2.
Una buena aproximacin a la curva se representa por cuatro segmentos
rectilneos como se muestra en la Figura 1.7.10. Cada segmento corresponde a una
regin distinta de funcionamiento en la curva aproximada. Eligiendo ms o menos
segmentos, la aproximacin puede representar la curva real del diodo con el grado
de precisin deseado.
Ahora, se puede construir un circuito equivalente para cada lnea de la
caracterstica aproximada. Las regiones I y II representan la caracterstica directa
del diodo. Comenzando en el origen, el primer segmento (regin II) es la recta
horizontal de 0 a 1V. Este segmento representa un dispositivo que no permite la
conduccin de corriente hasta que la tensin a travs de sus terminales excede de
1V. Una combinacin de elementos de circuito que puede utilizarse para sintetizar
un dispositivo con esta caracterstica es el diodo idealizado polarizado
inversamente y la fuente de tensin constante que se muestra en la Figura 1.7.11.
46 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


FIGURA 1.7.10. Caracterstica linealizada para el diodo del ejemplo 1.7.2.
E
1
v
D
D
1
1V Diodo Ideal

FIGURA 1.7.11. Circuito equivalente para el diodo en la regin II.
La fuente de tensin E
1
mantiene al diodo en estado no conductor
(apagado off) hasta que la tensin externa v
D
excede de 1V. Para valores de
V 1 v
D
, el punto de funcionamiento del dispositivo est en la regin I. En esta
regin, puede circular una corriente directa, y por cada voltio aplicado a travs del
dispositivo, se tiene una corriente de 40 mA. Esto corresponde a una resistencia
incremental o dinmica de 25. La resistencia dinmica en esta regin, r
D
, se
determina fcilmente a partir de la pendiente de = =

= 25
mA 80
V 2
i
v
r
D
. Un
circuito equivalente completo que incluye el funcionamiento en ambas regiones
directas se muestra en la Figura 1.7.12.
La caracterstica inversa se aproxima por los segmentos de las regiones
III y IV. El circuito equivalente en la regin III es simplemente una resistencia de
2K, pues el segmento pasa por origen y tiene una pendiente de
= =

K 2
mA 5
V 10
i
v
, como la resistencia es, en general, de varios centenares de
CAPTULO 1 - DIODO SEMICONDUCTOR (pn) 47

ohmios y an ms, muchas veces se puede suponer que es infinita y considerar al
diodo con polarizacin inversa como un circuito abierto. Cuando se requiera ms
precisin se puede emplear una fuente de corriente de valor igual a la corriente de
saturacin inversa (I
S
) en paralelo a la resistencia de la regin III.
E
1
v
D
D
1
1V Diodo Ideal
r
D
25

FIGURA 1.7.12. Circuito equivalente completo para la caracterstica directa del
diodo en la regin I y II del ejemplo 1.7.2.
En la regin de ruptura (regin IV), la resistencia dinmica ha cado a
= =

= 11
mA 45
V 5 . 0
i
v
r
Z
Z
Z
. Por tanto, las caractersticas de las regiones III y IV
requieren lo siguiente: 1) Una resistencia de 2K que debe aparecer a travs de
los terminales del dispositivo en el intervalo de 0 a 10V, 2) Un diodo ideal
conectado en serie con la resistencia de 2K para que no pueda conducir hasta
que la tensin v
D
sea una cantidad negativa, 3) Una fuente de tensin constante E
2

de 10 V que establezca el punto en el que la caracterstica de ruptura se hace
evidente, 4) Una resistencia que debe estar colocada en paralelo con la resistencia
de 2K para producir una resistencia neta de 11 en la regin de ruptura y 5)
Otro diodo, conectado de un modo adecuado para introducir esta resistencia a fin
de que la impedancia neta del dispositivo sea 11 cuando se aplican en direccin
inversa 10 o ms voltios; esta resistencia se obtiene de la siguiente manera:
11 = 2K || R
x
despejando R
x
se obtiene igual a 11.1
una posible combinacin de estos elementos se observa en la Figura 1.7.13.
E
2
V
D
3
10V
D
i
o
d
o

I
d
e
a
l
11.1
D
2
D
i
o
d
o

I
d
e
a
l
2

FIGURA 1.7.13. Circuito equivalente para la caracterstica inversa del diodo en la
regin III y IV del ejemplo 1.7.2.
El circuito equivalente total para el dispositivo es el de la Figura 1.7.14.
El anlisis indica claramente que para valores positivos de v
D
entre 0 y 1V, i
D

debe ser cero, pues el nico diodo capaz de conducir cuando v
D
es positiva es D
1
y
48 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

est inversamente polarizado por E
1
. Para valores positivos de v
D
superiores a 1 V,
D
1
conduce y la resistencia de entrada es evidentemente 25. Cuando V es
negativa y de magnitud igual o inferior a 10V, D
1
no conduce, pero D
2
s conduce,
haciendo que la impedancia de entrada sea 2k. El diodo D
3
no conduce a causa
de E
2
. Cuando V tiene un valor negativo de ms de 10V, D
3
conduce e introduce
11.1 en paralelo con 2k. Esta combinacin da la impedancia dinmica de 11
que se requiere en la regin de ruptura.
E
2
V
D
3
10V
D
i
o
d
o

I
d
e
a
l
11.1
D
2
D
i
o
d
o

I
d
e
a
l
2
E
1
D
1
1V
D
i
o
d
o

I
d
e
a
l
r
D 25

FIGURA 1.7.14. Circuito equivalente total lineal a trozos del ejemplo 1.7.2.

Ejemplo 1.7.3 La onda de la Figura 1.7.15 se aplica al circuito de la Figura
1.7.16. El diodo tiene una caracterstica real mostrada en la Figura 1.7.9 y su
aproximacin lineal a trozo se indica en la Figura 1.7.10. Determine la forma de la
onda de salida utilizando el circuito equivalente lineal de la Figura 1.7.14.
v
I
(V)
t(s)
10
-40
0 40 100 140
t
0
t
1
t
2
t
3

FIGURA 1.7.15. Seal de entrada del circuito del ejemplo 1.7.3.
CAPTULO 1 - DIODO SEMICONDUCTOR (pn) 49

D
4k
v
I
v
O

FIGURA 1.7.16. Circuito del ejemplo 1.7.3.
Determinemos el valor de la salida cuando V
I
= -40V, en este punto D
2
y
D
3
conducen mientras que D
1
no conduce; el circuito equivalente se muestra en la
Figura 1.7.17.
4k
v
I
v
O
10V
11.1
2k

FIGURA 1.7.17. Circuito equivalente del ejemplo 1.7.3 para V
I
= -40V.
Aplicando el teorema de superposicin se determina el valor de la salida
para V
I
= -40V. Primeramente consideremos la contribucin de V
I
despreciando la
fuente de 10V. La tensin V
O
para V
I
= -40V es:
V 11 . 0 ) V 40 (
k 4 k 2 || 1 . 11
k 2 || 1 . 11
V 40 V
V
I
O
=
+

=
=

al considerar la fuente de 10V se tiene:
V 93 . 9 ) V 10 (
1 . 11 k 2 || k 4
k 2 || k 4
V 10 V
V
I
O
=
+

=
=

el valor total de la salida es:
V 10 V 04 . 10 V 93 . 9 V 11 . 0
V 10 V
V
V 40 V
V V
I
O
I
O O
= =
=
+
=
=
Otro punto de la onda de salida que debe ser calculado es el punto de
ruptura en el cual D
3
deja de conducir; en este instante, v
O
sigue siendo igual a
10V. Por tanto, la corriente en la rama del diodo D
3
es cero, D
1
est polarizado
inversamente y la rama del diodo D
2
es el nico camino de conduccin, el circuito
equivalente queda:
50 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

4k
v
I
V
O
=-10V
2k

FIGURA 1.7.18. Circuito equivalente en el punto de ruptura cuando D
3
deja de
conducir, ejemplo 1.7.3.
Aplicando un divisor de tensin en el circuito 1.7.18 se tiene:

I O
v
k 4 k 2
k 2
v
+

=
Por lo tanto, para una tensin de salida igual a 10V la entrada ser:
V 30 ) V 10 ( 3 v
k 2
k 4 k 2
v
O I
= =

+
=
Del resultado anterior se obtiene que la tensin a la salida es igual a 10V
cuando la entrada est entre 40V y 30V. Luego el diodo D
2
dejar de conducir
cuando v
I
cambie a valores positivos. Otro punto de inters se produce cuando D
1

conduce y corresponde a una entrada igual a 1V. Mientras la entrada se encuentre
entre 0V y 1V ningn diodo conduce siendo la salida igual a la entrada. Cuando v
I

es mayor que 1V el circuito equivalente es:
4k
v
I
v
O
1V
25

FIGURA 1.7.19. Circuito equivalente del ejemplo 1.7.3 para V
I
1V.
Aplicando superposicin la tensin a la salida es:
V 994 . 0 v 10 x 21 . 6 ) V 1 (
k 4 25
k 4
v
k 4 25
25
v
I
3
I O
+ =
+

+
+

=


Al evaluar para V
I
= 10V, en la ecuacin anterior, la salida queda igual a:
V
O
=1.06V. Para finalizar el problema se determina los tiempos en los puntos
crticos, que son cuando la entrada es igual a: -30V, 0V y 1V. Estos puntos se
CAPTULO 1 - DIODO SEMICONDUCTOR (pn) 51

evalan en la recta entre 40V y 10V de la Figura 1.7.15, resultando: 8s, 32s y
33s respectivamente. La tensin de salida se muestra en la Figura 1.7.20.
v
O
(V)
t(s)
1
-10
0 40
10
t
0
t
1
1.06
20 30
8
32
33

FIGURA 1.7.20. Forma de la onda de salida resultante del ejemplo 1.7.3.

1.8 Bibliografa
BOYLESTAD R. & NASHELSKY L., Electrnica Teora de Circuitos,
Prentice-Hall Hispanoamericana, S.A., Cuarta Edicin.

CHIRLIAN PAUL M., Anlisis y Diseo de Circuitos Electrnicos, McGraw-
Hill, 1967.

CUTLER PH., Anlisis de Circuitos con Semiconductores, McGraw-Hill, 1967.

GRAY PAUL R. & MEYER ROBERT G., Anlisis y Diseo de Circuitos
Integrados Analgicos, Prentice-Hall Hispanoamericana, S.A., Tercera Edicin.

HORENSTEIN MARK N. , Microelectrnica: Circuitos y Dispositivos,
Prentice-Hall Hispanoamericana, S.A., Segunda Edicin.

MALIK NORBERT R., Circuitos Electrnicos. Anlisis, Diseo y Simulacin,
Prentice-Hall, 1998.

MILLMAN J. & HALKIAS CH. C., Dispositivos y Circuitos Electrnicos,
Ediciones Anaya, S.A., 1971.

MILLMAN J. & HALKIAS CH. C., Electrnica Integrada. Circuitos y Sistemas,
Analgicos y Digitales, Editorial Hispano Europea, S.A. Cuarta Edicin.

MILLMAN J. & GRABEL A., Microelectrnica, Editorial Hispano Europea,
S.A. Sexta Edicin.

RASHID MUHAMMAD H., Circuitos Microelectrnicos anlisis y diseo,
International Thomson Editores, 2000.
52 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


SAVANT C. J. Jr., RODEN M. S. & CARPENTER G. L., Diseo Electrnico.
Circuito y Sistemas. Addison-Wesley Iberoamericana. Segunda Edicin (Primera
en espaol).

SEDRA A. & SMITH K. C., Dispositivos Electrnicos y Amplificacin de
Seales, McGraw-Hill, 1991.

SCHILLING D. L. & BELOVE CH., Circuitos Electrnicos Discretos e
Integrados, Marcombo Boixareu Editores, Segunda Edicin.

SEARLE C. L., BOOTHROYD A. R., ANGELO Jr. E. J., GRAY P. E. &
PEDERSON D. O., Propiedades de Circuitos Elementales de los Transistores,
SEEC Tomo 3, Editorial Revert, S.A., 1971.

1.9 Preguntas y Problemas Propuestos
1.9.1 Diga la clasificacin de los diferentes tipos de materiales?.

1.9.2 Defina un cristal, un enlace covalente y banda de energa.

1.9.3 Explique que sucede en un semiconductor al aumentar la temperatura.

1.9.4 Diga las diferencias entre un conductor y un semiconductor.

1.9.5 Qu es un semiconductor intrnseco?.

1.9.6 Qu es un tomo donador?, y de un ejemplo.

1.9.7 Qu es un tomo aceptor o aceptador?, y de un ejemplo.

1.9.8 Describa la diferencia entre un tomo donador y aceptor.

1.9.8 Qu es el proceso de impurificacin (dopado o contaminacin)?.

1.9.9 Diga que sucede en las bandas de energa cuando un semiconductor
intrnseco es dopado con un tomo donador?.

1.9.10 Diga que sucede en las bandas de energa cuando un semiconductor
intrnseco es dopado con un tomo aceptor?.

1.9.11 Qu es un semiconductor extrnseco tipo n y un semiconductor extrnseco
tipo p?

CAPTULO 1 - DIODO SEMICONDUCTOR (pn) 53

1.9.12 Describa la diferencia entre un material semiconductor tipo n y un material
semiconductor tipo p.

1.9.13 Cules son los portadores minoritarios en materiales tipo p?.

1.9.14 Cules son los portadores mayoritarios en materiales tipo p?.

1.9.15 Cules son los portadores minoritarios en materiales tipo n?.

1.9.16 Cules son los portadores mayoritarios en materiales tipo n?.

1.9.17 Describa la diferencia entre un portador mayoritario y un portador
minoritario.

1.9.18 Bajo qu condiciones permanecern los huecos y los electrones en
nmeros iguales dentro de un semiconductor?. Bajo qu condiciones, si es que
existen, no permanecer ningn hueco ni ningn electrn dentro de un
semiconductor?

1.9.19 Un semiconductor extrnseco de tipo p, altamente dopado es calentado a
una alta temperatura. Al medirlo se observa que el material calentado es casi
intrnseco(nmero iguales de huecos y electrones). Por qu?.

1.9.20 En la Figura 1.9.20.1 se encuentran diferentes materiales indicados con
letras, el signo - indica un electrn libre y el signo + un hueco. Diga que
tipo de material es, segn la descripcin siguiente: 1) Semiconductor intrnseco,
2) Semiconductor tipo n, 3) Semiconductor tipo p, 4) Conductor y 5) Aislante.
Material A
-
+
-
+
-
-
-
- -
- -
-
-
-
-
-
Material B
-
+
-
+
-
-
+ +
- +
-
-
+
+
Material C
-
-
-
-
-
-
-
- - - -
-
- -
- -
Material E
+
-
-
+
+
+
+
+ + + +
+
+ +
+ +
-
-
-
- -
-
Material D

FIGURA 1.9.20.1 Diferentes materiales para la pregunta 1.9.20.

1.9.21 Explique el mecanismo de arrastre y difusin.

1.9.22 Qu es un diodo?.

1.9.23 Qu es la regin de agotamiento o regin de carga espacial?.

1.9.24 De qu est formada la regin de carga espacial: electrones, huecos, iones
aceptadores, iones donadores, iones no neutralizados, etc.?. Cul es el orden de
magnitud de la anchura de la regin de carga espacial?.

54 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

1.9.25 Dibuje la concentracin de portadores e iones en una unin pn, explique las
grficas obtenidas.

1.9.26 Qu es la barrera de potencial?

1.9.27 Dibuje la barrera de potencial en la unin pn y la de electrones en la
regin de agotamiento, explique las grficas obtenidas.

1.9.28 Defina la corriente de difusin.

1.9.29 Diga qu clase de potadores forman la corriente de difusin: huecos,
electrones o ambos?.

1.9.30 Qu quiere decir polarizacin directa e inversa en un diodo
semiconductor pn?.

1.9.31 Para un diodo polarizado en sentido directo, El ancho de la regin de
carga espacial aumenta o disminuye?. Qu ocurre con la barrera de potencial?.

1.9.32 Para un diodo polarizado en sentido inverso, El ancho de la regin de
carga espacial aumenta o disminuye?. Qu ocurre con la barrera de potencial?.

1.9.33 Qu significa la condicin de ruptura de un diodo?.

1.9.34 Qu diferencia existe entre ruptura zener y ruptura en avalancha?.

1.9.35 La curva caracterstica tensin-corriente de un diodo semiconductor pn
est dada por una ecuacin lineal?.

1.9.36 Escriba la ecuacin de tensin-corriente del diodo semiconductor pn y
explique el significado de cada smbolo.

1.9.37 Dibuje la caracterstica tensin-corriente de un diodo semiconductor pn e
indique cada una de sus zonas.

1.9.38 Un diodo tiene I
S
= 3x10
-14
A. Calcular los valores de i
D
a 27 C para v
D

igual a: a) 0.8V, b) 0.6V, c) 0.2V y d) 10V.

1.9.39 A 27 C la corriente directa de un diodo de silicio es 1mA cuando se
aplican 0.7V. a) Hallar I
S
. b) Qu valor de I
S
sera necesario para 1mA a 0.4V.

1.9.40 Un diodo de silicio trabaja a una tensin directa constante de 0.7V. Cul
ser la relacin entre las corrientes mxima y mnima en el diodo dentro de un
campo de temperatura de 55 a 100 C?.
CAPTULO 1 - DIODO SEMICONDUCTOR (pn) 55


1.9.41 Describa las caractersticas del diodo ideal y cmo las mismas
determinan el estado de conduccin y estado de corte del dispositivo.

1.9.42 Qu se entiende por tensin umbral?.

1.9.43 Qu es la resistencia esttica del diodo y la resistencia dinmica del
diodo?.

1.9.44 Cmo se divide la resistencia dinmica del diodo?.

1.9.45 Para el circuito mostrado en la Figura 1.9.45.1, determnese I
3
para los
siguientes casos: a) Cuando los diodos se consideran ideales y b) Cuando los
diodos no se consideran ideales con r
D
=10 y V
D
=0.7V. Ignrese la corriente de
saturacin inversa.
I
2
5V
D
3
100
D
2
50
I
1
D
1
10
D
4
80
I
3
I
4

FIGURA 1.9.45.1. Circuito del problema 1.9.45.

1.9.46 Determinar un circuito equivalente para sintetizar la caracterstica vi de
la Figura 1.9.46.1.
0
i (mA)
v (V)
1 1.5
1
2

FIGURA 1.9.46.1. Caracterstica del problema 1.9.46.

1.9.47 Un diodo de silicio tiene una corriente inversa de saturacin I
S
=1nA, V
T
=25mV y la ecuacin que describe la caracterstica directa del diodo es
T d
V v
S d
e I i =
. Si el diodo trabaja en dos puntos diferentes de funcionamiento
en donde el primer punto fluye una corriente i
d1
=20mA y el segundo punto fluye
una corriente i
d2
=200mA determinar: a) La variacin de la tensin que tendr el
56 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

diodo entre los dos puntos. b) El circuito equivalente utilizando una aproximacin
lineal a trozos por dos segmentos.

1.9.48 Construir un circuito equivalente lineal a trozos para la curva
caracterstica mostrada en la Figura 1.9.48.1.

FIGURA 1.9.48.1. Curva caracterstica de el diodo del problema 1.9.48.


CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 57


CAPTULO 2

TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR (BJT)

En este captulo se estudiar el transistor de unin bipolar como un
elemento de estado slido de tres terminales. El transistor de unin bipolar
tambin se le conoce como transistor bipolar de unin, transistor de unin o
simplemente transistor bipolar y su empleo ha sido muy extendido en la
electrnica, con una serie de aplicaciones tanto en el campo analgico como
digital. El primer transistor experimental se construy en 1948 por John Bardeen,
Walter H. Brattain y William Shockley de Bell Telephone Laboratories [Savant C.
J. Jr., Roden M. S. & Carpenter G. L.], era un dispositivo imperfecto de baja
ganancia; en realidad, no tena mayores propsitos que los de experimentar en el
laboratorio. Por otra parte, en aquel momento el tubo al vaco reinaba en
aplicaciones que iban desde bienes de consumo hasta usos militares, sin embargo,
existan algunas funciones y aplicaciones que el tubo no poda desempear. Poco
despus de la invencin del transistor se observaron las ventajas sobre los tubos al
vaco las cuales fueron: ms pequeo y ligero; ms robusto, ya que ofreca una
construccin de mayor resistencia; era ms eficiente porque el propio dispositivo
consuma menos potencia; la vida til del transistor era mayor que la vlvula;
instantneamente estaba listo para utilizarse, sin requerir un perodo de
calentamiento y las tensiones de operacin eran ms bajas. Durante los aos
sesenta, los procesos y mtodos de fabricacin se mejoraron de forma tal que el
transistor pudo construirse de manera confiable. El transistor ha ido
evolucionando hasta nuestros das de tal manera que a producido una explosin en
la industria electrnica, pues muchos productos se construyen con costos muy
bajos y las capacidades de manejar potencia y frecuencia mxima de operacin se
incrementan constantemente.
Para el estudio del transistor BJT se tratarn los siguientes temas: la
estructura fsica y la simbologa circuital del BJT, el anlisis grfico de los
circuitos con transistores BJT, la mxima excursin simtrica como criterio de
diseo, la ubicacin arbitraria del punto de operacin Q con sus diferentes modos
de operacin, la metodologa de anlisis del punto Q, el anlisis en pequea seal
de amplificadores utilizando parmetros hbridos para demostrar que el transistor
es capaz de producir amplificacin y por ltimo se describe el modelo hbrido-
del transistor BJT.

2.1 Estructura Fsica y Smbolo Circuital del Transistor BJT
El transistor BJT es un dispositivo compuesto por tres regiones de
material semiconductor y formado por dos uniones unidas a una regin
semiconductora comn. La disposicin de las regiones semiconductoras consiste
en una regin de material tipo p situada entre dos regiones de material tipo n,
58 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

como se muestra en la Figura 2.1.1a, a este tipo de transistor se le conoce como
transistor npn. Otra disposicin de colocar los materiales semiconductores
consiste en una regin de material tipo n situada entre dos regiones de material
tipo p, como se muestra en la Figura 2.1.1b, a este tipo de transistor se le conoce
como transistor pnp.

Colector Base Emisor
C
B
E n n p
Colector Base Emisor
C
B
E p p n

(a) (b)
FIGURA 2.1.1. Representacin de la estructura fsica del transistor BJT, transistor
npn (a) y transistor pnp (b).

Las tres regiones o terminales del transistor se denominan Colector (C),
Base (B) y Emisor (E), como se indica en la Figura 2.1.1. La representacin de la
estructura fsica que se muestra en la Figura 2.1.1 es una estructura idealizada para
el BJT, los transistores reales no se parecen a ste, la estructura servir para
ilustrar el principio de operacin y predecir muchas caractersticas del transistor.
En esta estructura se consideran constante las densidades de dopado y una
geometra simtrica de las diferentes regiones del transistor; en la prctica la
regin de la base es muy delgada, su anchura es mucho menor que la longitud de
difusin media de los portadores minoritarios en la base [Chirlian Paul M.].
Una estructura real tpica de un transistor BJT corresponde a un transistor
bipolar planar que se muestra en la Figura 2.1.2, en esta figura se presenta una
visin general de una seccin transversal de una estructura planar. Sin embargo,
en la Figura 2.1.3 se tiene una estructura mas prctica de un transistor real npn
planar de un circuito integrado, donde se puede observar la diferencia entre el
emisor y el colector. El nombre de transistor planar o plano proviene del hecho
de que los tres terminales C, B y E van conectados a los contactos del aluminio al
colector, base y emisor respectivamente estando los tres contactos sobre un mismo
plano. La Figura 2.1.3a representa la seccin transversal del transistor,
distinguindose con los diferentes tonos de grises las distintas concentraciones de
impurezas. En la vista superior de la Figura 2.1.3b puede verse cmo estn hechos
los contactos del aluminio a las regiones de colector, base y emisor.
n
n
p
E B C

FIGURA 2.1.2. Vista general de una seccin transversal de una estructura de
transistor bipolar planar npn.
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 59


n
p
Emisor
Base
Colector
Sustrato p
n
+
n
+
n
+
p
+
p
+
Contactos de aluminio
Aislamiento Aislamiento
(a)
(b)
Aislamiento
Contacto de aluminio
Colector
Colector
Base
Base
Contacto de aluminio
Emisor Contacto
de
aluminio

FIGURA 2.1.3. Estructura prctica de un transistor bipolar planar npn, seccin
transversal (a) y vista superior (b).

Tal como se aprecia en las Figura 2.1.3a la superficie ocupada por el
emisor es notablemente menor que la del colector. Esta diferencia es debida a que
en la mayor parte de las aplicaciones del BJT la regin de colector manipula ms
potencia que el emisor por lo que precisa ms superficie para disipar el calor. La
segunda diferencia radica en las densidades de dopado de las regiones de emisor y
de colector; de ah que se emplee una densidad de dopado alta en el emisor,
designado por n
+
, para resaltar la facultad de hacer ms portadores asequibles. La
alta densidad de dopado en el emisor, se debe a que la regin del emisor sirve
como fuente de cargas mviles. La operacin fsica del transistor de unin bipolar
est ntimamente relacionada con el diodo semiconductor pn, que se analiz en el
captulo 1, y en operacin normal, la unin pn entre base y emisor tiene
polarizacin directa y la unin pn entre base y colector tiene polarizacin inversa.
Entonces, cuando la unin emisor base tiene polarizacin directa el emisor inyecta
electrones a la base, desde donde se desplazan hacia el colector; si el diodo
colector base est polarizado inverso, los electrones portadores minoritarios en la
base son barridos al interior de la regin del colector donde se convierten en el
mayor componente de la corriente del colector. Al colector, como su nombre lo
indica, no se le pide normalmente que ceda muchos portadores, por lo que su nivel
de dopado no necesita ser tan alto como el emisor.
60 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

La pequea regin n
+
del colector, que se observa en la Figura 2.1.3a, se
coloca para ayuda a formar un buen contacto hmico. Cuando se forma una unin
metalsilicio tipo n, en este caso un contacto de material de aluminio para
establecer una conexin con el circuito exterior, su comportamiento es similar a
un diodo. Por lo tanto, para evitar que esta conexin del aluminio con el silicio de
tipo n se comporte como un diodo, el silicio de tipo n es impurificado o dopado de
modo que tenga un exceso de electrones en la cara donde est unida al metal para
que despus de la difusin inicial de electrones en el metal aceptador, las regiones
n y n
+
adquieran las mismas caractersticas que el metal y entonces el contacto se
convierte en hmico; es decir, acta como una pequea resistencia para tensiones
de cualquier polaridad.
Es de hacer notar, que el trmino bipolar se utiliza porque la carga del
dispositivo es transportada por dos portadores: electrones y huecos, en otras
palabras, el funcionamiento del transistor depende del flujo de electrones y
huecos.
Los smbolos circuitales del Transistor BJT se encuentran en la Figura
2.1.4, la Figura 2.1.4a muestra el smbolo para el transistor npn mientras que el
smbolo del transistor pnp aparece en la Figura 2.1.4b. En ambos smbolos el
emisor se distingue mediante una punta de flecha. Esta distincin es importante,
ya que, en la mayora de los transistores BJT prcticos no son dispositivos
simtricos, es decir, no es intercambiables el emisor con el colector. La eleccin
de la direccin de la flecha en el conductor de emisor seala la direccin de la
corriente cuando el transistor est polarizado de un modo adecuado.

C
E
B
C
E
B

(a) (b)
FIGURA 2.1.4. Smbolo Circuital del Transistor BJT, transistor npn (a) y transitor
pnp (b).

Por convencin la punta de flecha en el emisor tambin implica la
polaridad de la tensin del emisor a la base que debe ser aplicado con el fin de
proporcionar polarizacin directa a la unin. Por ejemplo el smbolo V
EB
significa
la tensin mediante el cual el emisor es de mayor potencial que la base. As, los
smbolos V
EB
, V
CB
y V
CE
son, respectivamente, las tensiones emisor-base,
colector-base y colector-emisor (ms especficamente, V
CE
representa la cada de
tensin entre el colector y el emisor). Las corrientes de cada terminal se denotan
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 61


como: I
E
, I
B
e I
C
, corriente de emisor, corriente de base y corriente de colector
respectivamente.
El anlisis circuital de un transistor pnp es similar al transistor npn,
nicamente se debe invertir todas las polaridades y sentido de las corrientes. En
cuanto al estudio de la operacin fsica se intercambian los papeles desempeados
por los electrones y los huecos.
Como el transistor consta de dos uniones pn (la unin emisor-base (EBJ)
y la unin colector-base (CBJ)) se pueden obtener diferentes modos de operacin
del BJT dependiendo de la condicin de polarizacin (directa o inversa) de cada
una de las uniones. Los modos de operacin se indican en la siguiente tabla:

Tabla 2.1.1. Modos de operacin del BJT.
MODO UNIN (EB) UNIN (CB)
Corte Inversa Inversa
Activo Directa Inversa
Saturacin Directa Directa

El modo activo es el que se utiliza si el transistor va a operar como
amplificador. Siendo el transistor un dispositivo de tres terminales, cada uno de
los tres terminales del transistor puede clasificarse como terminal de entrada,
terminal de salida y terminal comn. Por consiguiente, existen tres
configuraciones posibles: (a) de emisor comn (EC), en el cual el emisor es el
terminal comn; (b) de colector comn (CC), o seguidor de emisor, donde el
colector es el terminal comn, y (c) de base comn (BC), en la cual la base es el
terminal comn.

2.2 Anlisis Grfico de los Circuitos con Transistores
El anlisis grfico de los Circuitos con Transistores generalmente se
utiliza siempre que el nivel de la seal en el dispositivo sea tan grande que no sea
posible ignorar la falta de linealidad. La respuesta de un transistor a grandes
seales se obtiene grficamente; para pequeas seales, el transistor prcticamente
funciona linealmente y a travs de modelos lineales se puede representar el
funcionamiento del transistor en la regin activa. Aunque, el mtodo grfico, es de
poco valor prctico en el anlisis y diseo de la mayor parte de los circuitos con
transistores, es ilustrativo para hacer una representacin grfica de la operacin de
un circuito sencillo con transistores. En esta seccin se considera un circuito
simple para el anlisis grfico, en este caso se ha seleccionado la configuracin
emisor comn por ser la topologa habitualmente ms utilizada.
El circuito que se muestra en la Figura 2.2.1 se analizar grficamente.
Primero, se tiene que determinar la corriente de base I
BQ
utilizando la tcnica que
se ilustra en la Figura 2.2.2 (esta misma tcnica se emplea para el anlisis de
circuitos con diodo).

62 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

+
V
I
-
i
B
=I
BQ
v
BE
=V
BEQ
+
-
-
+
i
C
=I
CQ
v
CE
=V
CEQ
V
CC
R
B
R
C

FIGURA 2.2.1. Configuracin Emisor Comn cuya operacin se analiza
grficamente.


FIGURA 2.2.2. Construccin grfica para la determinacin de la corriente de base
en el circuito de la Figura 2.2.1.

Luego, con la caracterstica de i
C
-v
CE
del transistor que se muestra en la
Figura 2.2.3 se trazar la recta de carga. Se sabe que el punto de operacin se
encontrar sobre la curva que corresponde al valor de la corriente de base (I
BQ
)
que fue determinado. El lugar sobre la curva ser determinado por el circuito de
colector. Especficamente, el circuito de la figura 2.2.1 impone lo siguiente:
v
CE
= V
CC
- i
C
R
C
(2.2.1)
que tambin puede escribirse como:

CE
C C
CC
C
v
R
1
R
V
i = (2.2.2)
y representa una relacin lineal entre v
CE
e i
C
. La relacin de la ecuacin 2.2.2 se
representa mediante una recta, como se muestra en la Figura 2.2.3, que se llama
recta de carga. El punto de operacin Q se encontrar en la interseccin de esta
recta y la curva caracterstica que corresponde a la corriente de base I
BQ
. Si la
recta de carga intercepta a la curva caracterstica que corresponde a I
BQ
en un
punto dentro de la regin activa, el transistor estar operando en el modo activo.
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 63



FIGURA 2.2.3. Construccin grfica para la determinacin de la corriente de
colector y de la tensin de colector a emisor del circuito de la Figura 2.2.1.

Si una seal de entrada v
i
se superpone a V
I
(ver Figura 2.2.1), habr una
correspondiente seal de corriente de base i
b
y una seal de tensin de base a
emisor v
be
. Segn se muestra en la Figura 2.2.4, si v
i
es lo suficiente pequeo, el
punto de operacin instantneo se desplazar a travs de un segmento lineal de la
curva exponencial de i
B
-v
BE
. En las caractersticas de i
C
-v
CE
el punto de operacin
instantneo se desplazar a travs de la recta de carga, como se ilustra en la Figura
2.2.4.


FIGURA 2.2.4. Determinacin grfica de las componentes de seal V
be
, i
b
, i
c
y
V
CE
cuando se superpone una componente de seal v
i
a la tensin cd.

En el mtodo anterior, se determin la corriente de base de manera
grfica, tambin se puede determinar analticamente la corriente de base a partir
64 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

de las ecuaciones circuitales y utilizar solamente la caracterstica i
C
-v
CE
para el
anlisis grfico. En la Figura 2.2.5 se tiene un transistor en la configuracin
emisor comn, similar al circuito de la Figura 2.2.1 pero ms generalizado. Al
circuito de la Figura 2.2.5 se le conoce como amplificador bsico en configuracin
emisor comn, las resistencias R
1
, R
2
, R
C
, R
E
y la tensin V
CC
de alimentacin se
han escogido de modo que el transistor funcione linealmente y sea posible una
variacin mxima de cresta a cresta de i
C
. Las resistencias R
1
y R
2
forman un
divisor de tensin en paralelo con la tensin V
CC
de la fuente de alimentacin. La
funcin de esta red es proporcionar las condiciones de polarizacin para que la
unin emisor-base funcione en la regin adecuada.

i
E
i
C
V
CC
R
2
R
C
i
B
i
i
R
1
R
E

FIGURA 2.2.5. Amplificador bsico en configuracin de emisor comn.

La Figura 2.2.5 puede simplificarse obteniendo un circuito equivalente
Thvenin para R
1
, R
2
y V
CC
, como se muestra en la Figura 2.2.6a.

i
E
i
C
V
CC
R
C
i
B
i
i
R
E
V
CC
R
2
R
THV
R
1
B
V
THV
B
R
THV
V
THV

(a) (b)
FIGURA 2.2.6. Simplificacin del amplificador emisor comn: (a) equivalente
Thvenin del circuito de polarizacin; (b) amplificador simplificado.

El equivalente Thvenin queda de la siguiente manera:

CC
2 1
1
THV
V
R R
R
V
+
= (2.2.3)
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 65


y

2 1
2 1
THV
R R
R R
R
+
= (2.2.4)
El circuito simplificado resultante del amplificador emisor comn est
representado en la Figura 2.2.6b. Se puede observar que, debido a las tensiones de
alimentacin de corriente continua V
CC
y V
THV
, las corrientes continuas I
BQ
, I
CQ
e
I
EQ
circulan en el transistor y que, debido a la corriente de entrada i
i
, tambin
circulan las pequeas corrientes de seal i
b
, i
c
e i
e
. De aqu que la corriente total
que circula en el transistor sea:
b BQ B
i I i + = (2.2.5)
c CQ C
i I i + = (2.2.6)
e EQ E
i I i + = (2.2.7)
Como i
i
hace que cambie la corriente de colector, tambin cambia la
tensin colector-emisor, entonces:

ce CEQ CE
v V v + = (2.2.8)
El funcionamiento del amplificador queda determinado primero por i
i
=0
para que prevalezcan las condiciones de polarizacin y de esta manera se calcula
el punto de operacin en reposo o punto esttico. Se determina la recta de carga
que describe la variacin tensin-corriente en el circuito. Con i
i
=0 se tiene:

E E C C CE CC
R i R i v V + + = (2.2.9)
del circuito emisor-base del amplificador simplificado, Figura 2.2.6b, se obtiene la
siguiente ecuacin:
E E BE THV B THV
R i v R i V + + = (2.2.10)
como:

B C
i i = (2.2.11)
y

C B E
i i i + = (2.2.12)
sustituyendo la ecuacin 2.2.11 en la ecuacin 2.2.12, la corriente de emisor en
funcin de la corriente de base queda:

B B B E
i ) 1 ( i i i + = + = (2.2.13)
sustituyendo la ecuacin anterior en 2.2.10 y despejando la corriente de base se
tiene:

E THV
BE THV
B
R ) 1 ( R
v V
i
+ +

= (2.2.14)
debido a que no hay seal presente
BEQ BE
V v = y
BQ B
I i = , por lo tanto, la
ecuacin 2.2.14 queda:

E THV
BE THV
BQ
R ) 1 ( R
V V
I
+ +

= (2.2.15)
66 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

Esta ecuacin describe la corriente de polarizacin del transistor y es til
para determinar la corriente de base analticamente, en lugar de obtenerlo
grficamente. Ahora con la ecuacin 2.2.9 la cual se puede escribir de la siguiente
manera:

E C C C CE CC
R i
1
R i v V

+
+ + = (2.2.16)
y colocando i
C
en funcin del v
CE
queda:

e C
CE
e C
CC
C
R
1
R
v
R
1
R
V
i

+
+

+
+
= (2.2.17)
para >>1, 1
1

+
, entonces la ecuacin anterior queda:

E C
CE
E C
CC
C
R R
v
R R
V
i
+

+
= (2.2.18)
La ecuacin 2.2.18 representa la recta de carga de corriente continua y
ahora se puede aplicar la solucin grfica, la cual se ha trazado en la Figura 2.2.7a.
Si la variacin i
b
es conocida, pueden hallarse valores de v
CE
e i
C

empleando la construccin grfica de la Figura 2.2.7b, donde se muestra para una
seal senoidal de entrada. Esta construccin grfica no es necesaria a menos que
deban tomarse en cuenta las caractersticas de colector no lineales.


FIGURA 2.2.7. Anlisis grfico: (a) recta de carga; (b) formas de onda.

Debido a las variaciones del parmetro en el transistor, la colocacin de
las curvas de i
B
constantes (sin pendientes, horizontales) en la caracterstica vi slo
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 67


tiene significado cuantitativo si las curvas se midieron para un transistor
especfico. Los resultados obtenidos de la Figura 2.2.7b probablemente no seran
vlidos si se reemplazase el transistor medido por otro transistor del mismo tipo
pero con un valor de distinto. Por este motivo las curvas de corriente de base i
B

generalmente no se utilizan cuando se realiza un anlisis grfico. En la Figura
2.2.7b se nota las relaciones de fase entre i
b
, i
c
y v
ce
. As, al aumentar i
b
, i
c

aumenta, i
e
aumenta y v
ce
disminuye; ello puede verse claramente considerando
los puntos a y b de las formas de onda de la Figura 2.2.7b.
Finalmente, la recta de carga define la zona de funcionamiento del
circuito. Cuando v
CE
sea menor que 0.1 a 0.2V el transistor est saturado, la
corriente de colector es alta y los cambios en la corriente de base resultan en
cambios muy pequeos en i
C
y en v
CE
. En la Figura 2.2.8 se observa una vista
ampliada de la porcin de saturacin de las caractersticas i
C
-v
CE
, donde se tiene
una recta de carga que intercepta en un punto dentro de la regin de saturacin y
se nota como con cambios en i
B
se tiene cambios muy pequeos en i
C
. Cuando la
corriente de colector se hace cero (v
CE
= V
CC
), el transistor est en el punto de
corte.


FIGURA 2.2.8. Recta de carga en la zona de saturacin.

A continuacin, se ilustra unos ejemplos del anlisis grfico con
transistores:

Ejemplo 2.2.1. En el circuito de la Figura 2.2.9 se quiere determinar grficamente
el punto de operacin Q y las diferentes formas de onda a una seal de entrada
senoidal. Se considera el valor de R
B
de tal manera que el dispositivo est
polarizado en la regin activa con una corriente de base igual a I
BQ
= 40A
(corriente que se obtiene grficamente a partir de la caracterstica de entrada,
como se indic en la Figura 2.2.2).
El punto de operacin (Q) se obtiene de la interseccin de la recta de
carga esttica (la cual est dada por la ecuacin 2.2.2) con las curvas de la
68 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

caracterstica de salida. Sustituyendo los valores de los elementos circuitales en la
ecuacin 2.2.2 se tiene que la recta de carga es:

CE C
v
500
1
500
V 10
i

= (2.2.19)
+
C
B
-
v
s
=V
sm
sen (wt)
V
CC
=10V
R
B
R
C
=500
R
S
=600

FIGURA 2.2.9. Etapa amplificadora del Ejemplo 2.2.1.
la recta de carga se reproduce en la Figura 2.2.10 y grficamente se obtiene que
I
CQ
=8mA y V
CEQ
=6V.

FIGURA 2.2.10. Caracterstica de salida mostrando la recta de carga y la
componente senoidal de la seal del Ejemplo 2.2.1.
El condensador C
B
llamado de bloqueo sirve para aislar la corriente
continua de polarizacin de la fuente de seal v
s
y de su resistencia R
S
. Este
condensador acta como circuito abierto cuando no hay seal de entrada, ya que la
reactancia de un condensador es infinita a la frecuencia cero (en continua) y a la
frecuencia angular de la seal (v
s
)

la reactancia de C
B
es suficientemente baja
comparada con R
S
, resultando la combinacin de estos dos elementos en serie
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 69


igual a R
S
. En consecuencia, el efecto del condensador sobre la seal transmitida
desde la fuente v
s
hasta la entrada del amplificador puede despreciarse. La
amplitud de V
sm
se elige de forma que d una componente de seal para la
corriente de base i
b
=I
bm
sen(wt), donde I
bm
=20A. La corriente instantnea total de
base i
B
es la superposicin del nivel de polarizacin en continua ms la corriente
de la seal. Por tanto:
i
B
= I
BQ
+ i
b
= 40 + 20sen(wt) A (2.2.20)
Como se ve en la Figura 2.2.10 el efecto de esta seal hace que tanto i
C

como v
CE
varen senoidalmente (aproximadamente) alrededor de sus niveles de
reposo. Estas cantidades puede expresarse:
A ) wt sen( I I i I i
cm CQ c CQ C
+ = + = (2.2.21)
V ) wt sen( V V v V v
cm CEQ ce CEQ CE
+ = + = (2.2.22)
Se observa en la Figura 2.2.10 que la pequea variacin en i
B
debida a la
seal de entrada (I
bm
=20A) hace que I
cm
= 4mA y V
cm
= 2V. Los niveles
aumentados de la seal en la salida se deben a la amplificacin dada por el
circuito.

Ejemplo 2.2.2. En este ejemplo se presenta una combinacin del mtodo grfico y
analtico. El circuito se muestra en la Figura 2.2.11. Se desea hallar las formas de
onda de V
o,
i
b
e i
c
, sabiendo que la resistencia de entrada del transistor es bastante
pequea en comparacin con R
B
.
+
C
-
1V pico a pico
V
CC
= -40V
R
B
=800k R
C
=5k
R
g
=20k
Vi
Vo

FIGURA 2.2.11. Circuito del Ejemplo 2.2.2.
Para hallar V
o
, hay que determinar primero el punto Q. En el clculo de la
corriente esttica de base se puede despreciar la cada a travs del diodo de emisor
por tener una alimentacin de 40V, resultando la A 50 M 8 . 0 V 40 I
BQ
= = .
Sobre las curvas caractersticas de colector se dibuja la recta de carga que tendr
como ecuacin la siguiente:
CE
C C
CC
C
v
R
1
R
V
i = (2.2.23)
sustituyendo los valores queda:
70 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


CE C
v
k 5
1
k 5
V 40
i

= (2.2.24)
Es de hacer notar, que por ser el transistor del tipo pnp su curva
caracterstica i
C
-v
CE
se encuentran en el tercer cuadrante y por consiguiente, la
corriente de colector y la tensin colector emisor son de signo contrario que el
transistor tipo npn. En la Figura 2.2.12 se muestra la recta de carga y su
interseccin con la corriente de base esttica que es el punto esttico Q.

FIGURA 2.2.12. Solucin grfica para el Ejemplo 2.2.2.
La fuente de entrada V
i
genera una corriente a travs de su resistencia
interna R
g
, produciendo una oscilacin pico-pico en la corriente de base. La
corriente del generador se divide entre R
B
y la resistencia de entrada del transistor
R
in
. Como R
in
es bastante pequea en comparacin con R
B
, prcticamente toda la
corriente del generador pasar por R
in
, por lo que se considera a R
in
como un
cortocircuito. Por tanto, la componente a-c de la corriente de base es V
i
/R
g
= 1V
p-
p
/20k = 50A
p-p
, o sea una oscilacin de 25A en torno a la corriente esttica
de base. En consecuencia, la mxima corriente de base es 75A y la mnima es
25A. La interseccin de las curvas 75 y 25A de corriente de base con la recta de
carga corresponde a una oscilacin en la corriente de colector de (4.8-2.6)mA =
2.2mA. Una oscilacin de 2.2mA a travs de una carga de 5k corresponde a una
oscilacin pico-pico en V
o
de 11V. Si la oscilacin de la tensin de colector se lee
grficamente en la Figura 2.2.12, se tiene V
CE
= V
o
= (26.3-14.6)V = 11.7V, lo
que concuerda bastante bien.

Se puede observar que entre la caracterstica de colector del ejemplo
2.2.1 (Figura 2.2.10) y la caracterstica de colector del ejemplo 2.2.2 (Figura
2.2.12) las curvas de las corrientes de base no son las mismas. Las curvas de la
corriente de base en el ejemplo 2.2.2 no son lneas paralelas, por lo cual se debe
considerar la caracterstica no lineal del colector; es por esta razn, que la forma
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 71


de onda de la corriente de base se dibujo como se muestra en la Figura 2.2.12.
Veamos otro ejemplo, donde se estudia grficamente el efecto de la no-linealidad
en la caracterstica i
C
-v
CE
.

Ejemplo 2.2.3. En este ejemplo se analizar el funcionamiento del circuito de la
Figura 2.2.13, formado por un transistor pnp de germanio, en cuanto a las formas
de ondas de tensiones y de corrientes en el colector y en la base para una entrada
senoidal. Las caractersticas de entrada y de salida se observan en las Figuras
2.2.14a y 2.2.14b respectivamente.
+
-
V
CC
= -15V
R
C
=250
R
s
V
s
V
BB
v
BE
i
B
i
C
v
CE
C
B
E

FIGURA 2.2.13. Circuito del Ejemplo 2.2.3.

(a) (b)
FIGURA 2.2.14. Caracterstica de salida y de entrada del transistor pnp de germanio
del ejemplo 2.2.3.
Considerando que la corriente de base en el punto de operacin Q es I
B
=
-300A y con una variacin senoidal de pico mximo a 200A en torno al punto
Q, entonces, se tendr que los puntos extremos de la onda de la base son A y B,
donde i
B
= -500A y -100A respectivamente. Estos puntos estn indicados en la
recta de carga que se muestra en la Figura 2.2.14a. Los valores de i
C
y v
CE
,
correspondientes a una corriente cualquiera i
B
, son los determinados por el punto
72 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

de interseccin de la recta de carga con la caracterstica de colector
correspondiente al valor particular de i
B
. Por ejemplo, en el punto A, i
B
= -500A,
i
C
= -46.5mA y v
CE
= -3.4V. En la Figura 2.2.15a y 2.2.15b se encuentran las
formas de onda de i
C
y v
CE
, se observa que las formas de onda de la corriente y
tensin no son las mismas de la corriente de base (la sinusoide de la Figura
2.2.15c), porque las caractersticas del colector en las proximidades de la recta de
carga en la Figura 2.2.14a no son lneas paralelas igualmente distanciadas para
incrementos iguales de la corriente de base. Esta variacin en la forma de onda se
conoce como distorsin no lineal de salida.

FIGURA 2.2.15. Formas de onda de (a, b) de la corriente y tensin de colector y
(c, d) de la corriente y tensin de base. Ejemplo 2.2.3.
La tensin base-emisor v
BE
correspondientes a cualquier valor de la
corriente de base y la tensin colector-emisor, se obtienen de las curvas
caractersticas de entrada. En la Figura 2.2.14b, se representa la curva de
funcionamiento dinmico para la combinacin de la corriente de base y la tensin
de colector hallados a lo largo de la recta de carga A-Q-B de la Figura 2.2.14a. La
forma de onda v
BE
puede obtenerse a partir de la curva de funcionamiento
dinmico de la Figura 2.2.14b, leyendo la tensin v
BE
correspondiente a una
corriente de base i
B
dada. Se observa que, debido a la no-linealidad de la curva
dinmica, la forma de onda de v
b
(Figura 2.2.15d) no tendr, en general, la misma
forma que la de i
b
. Esta variacin en la forma de onda se conoce como distorsin
no lineal de entrada. En algunos casos es conveniente considerar que v
b
de la
Figura 2.2.15d es senoidal y entonces i
b
estar distorsionada. Esto sera totalmente
cierto si la fuente de tensin senoidal V
S
que acta sobre el transistor tuviera una
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 73


pequea resistencia R
S
de salida en comparacin con la resistencia de entrada R
i

del transistor, de tal manera que la forma de la tensin de entrada fuera
esencialmente la misma de la fuente. Sin embargo, si R
S
>>R
i
, la variacin de i
B

viene dada por i
b
v
S
/R
S
, y, por consiguiente, la forma de la corriente de base es
tambin senoidal.
Se puede observar en la Figura 2.2.14b que, para una gran tensin
senoidal de base v
b
la desviacin alrededor del punto Q, de la corriente de base |i
b
|
es menor a la izquierda de Q que a su derecha. sta distorsin de entrada tiende a
compensar la distorsin de salida porque, en la Figura 2.2.14a, la desviacin de la
corriente de colector |i
c
| para una desviacin dada de la corriente de base es mayor
en la seccin BQ que en la QA. En consecuencia, si el amplificador est
polarizado de tal manera que Q est cerca del centro del plano i
C
v
CE
, tendr
menor distorsin si la excitacin es una tensin de base senoidal que si es una
corriente de base senoidal. Notar, que la curva de carga dinmica puede
aproximarse a una recta en un margen suficientemente pequeo, y por lo tanto, si
la seal de entrada es pequea, la distorsin de entrada ser despreciable en
cualquier caso de funcionamiento (fuente de corriente o fuente de tensin).

La tcnica grfica no es recomendable para el anlisis a pequea seal
(llamada tambin incremental), ya que requerira una interpolacin entre las
caractersticas dibujadas, lo que resultara de muy poca precisin. Puesto que la
respuesta a una pequea seal, a frecuencias medias, de un transistor es lineal; est
puede obtenerse mejor analticamente que grficamente. Por esta razn, cuando se
trabaja con pequea seal se obtiene un modelo circuital lineal del transistor para
su estudio analtico.

2.3 Mxima Excursin Simtrica
Al utilizar un transistor como amplificador de tensin o amplificador de
corriente el punto de operacin Q est sujeto a oscilar en una u otra direccin, por
lo tanto, se tiene que polarizar el dispositivo en un punto Q en la regin
caracterstica donde el dispositivo opera con la mayor linealidad, de modo que
cualquier cambio en la seal de entrada provoque un cambio proporcional en la
seal de salida; por esta razn no se debe polarizar el transistor demasiado cerca
de saturacin o corte. En la Figura 2.3.1 el punto Q est situado de tal modo que la
recta de carga queda dividida en dos partes iguales. Esto permitir la mxima
variacin simtrica de la corriente de colector, condicin conocida como mxima
excursin simtrica. Si las excursiones de la seal de entrada son suficientemente
grandes para que el punto de trabajo se mueva sobre una porcin apreciable de la
recta de carga, ser evidente que la mxima excursin simtrica tendr que ser una
condicin de diseo que asegurar el funcionamiento lineal en el mximo margen
de la seal de entrada.
En esta seccin se estudiar el mtodo de polarizacin para obtener la
mxima excursin simtrica en la configuracin emisor comn. Aunque, se
74 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

presente la teora para la configuracin emisor comn, es importante indicar que
se emplean los mismos conceptos para los otros tipos de configuracin.


FIGURA 2.3.1. Ubicacin del punto Q para dividir en dos partes iguales la recta
de carga esttica.

En el estudio de la mxima excursin simtrica la ubicacin del punto de
operacin se colocar en la zona lineal del transistor, por consiguiente, aplicando
el principio de superposicin se tendr un rgimen de operacin esttico (o
corriente continua (cc), o corriente directa (cd)) y un rgimen de operacin
dinmico (o corriente alterna (ca), o incremental). Esto conlleva a la definicin de
la resistencia cd y ca, las cuales son:

R
cd
= resistencia total alrededor del lazo colector-emisor bajo
condiciones de cd (los condensadores se consideran circuitos
abiertos).
R
ca
= resistencia total alrededor del lazo colector-emisor bajo
condiciones de ca (las fuentes de cd se hacen cero y los
condensadores se consideran cortocircuitos).

Para el circuito de Figura 2.2.5 del amplificador bsico en configuracin
de emisor comn, que tambin se puede dibujar como se muestra en la Figura
2.3.2, se tiene que la recta de carga esttica viene dada por la ecuacin 2.2.18 y
coincide con la recta de carga dinmica, ya que las resistencias R
cd
y R
ca
son
iguales. La corriente de colector puede variar desde cero hasta aproximadamente
V
cc
/(R
C
+ R
E
) (despreciando la tensin de saturacin), una corriente en reposo que
producir la mxima excursin simtrica es:

E C
CC
CQ
R R
V
2
1
I
+
= (2.3.1)
este punto divide en dos partes iguales a las rectas de carga. En el ejemplo 2.3.1 se
determina la mxima excursin simtrica para el amplificador bsico de la
configuracin emisor comn.
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 75



V
o
V
CC
R
2
R
C
V
i
R
1
R
E
C
C

FIGURA 2.3.2. Circuito del amplificador bsico en configuracin de emisor
comn.

Ejemplo 2.3.1. En el circuito de la Figura 2.3.2, V
cc
=15V, R
C
=1k y R
E
=500.
Determinar la mxima excursin simtrica de la corriente de colector y el punto de
reposo.
Considerando I
C
I
E
la ecuacin de la recta de carga de corriente continua es:
+

+
=
500 K 1
v
500 K 1
V 15
i
CE
C
(2.3.2)
esta ecuacin es igual a la de la recta de carga dinmica y se ha trazado tal como
se indica en la Figura 2.3.3
i
C
(mA)
v
CE
(V)
V
CEQ
=7.5
I
CQ
=5
10
0
15
Q
Recta de pendiente = -1/1500

FIGURA 2.3.3. Representacin de la recta de carga del ejemplo 2.3.1.
Para obtener la mxima excursin simtrica, hay que situar el valor de la corriente
de reposo de colector en el centro de la recta de carga, entonces el punto de
operacin queda:
I
CQ
= 5mA y V
CEQ
= 7.5V
La corriente cresta a cresta de colector puede llegar a 10mA. Cuando la tensin
colector-emisor sea cero (saturacin), circular la corriente mxima 10mA.
Notar, que si se escoge el punto de operacin en otro lugar que no sea el que
divide a la recta en dos partes iguales, se tendr una la mxima excursin no
simtrica que ser la mnima distancia entre el punto de operacin y el punto de
corte o saturacin. Por ejemplo, si el punto Q se sita a 4mA, la mxima excursin
76 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

sera reducida a 4mA; si el punto Q se situara a 6mA, la mxima excursin sera
de nuevo 4mA.

En el caso anterior la ecuacin de la recta esttica coincide con la
ecuacin de la recta dinmica, cuando esto no es as, tenemos el siguiente
planteamiento general para la ecuacin de ambas rectas:
La ecuacin para la recta de carga esttica es:

cd
CE
cd
CC
C
R
v
R
V
i = (2.3.3)
El punto Q, que se especifica para una seal incremental de valor cero, se
ubica tanto en la recta de carga esttica como en la recta de carga dinmica. La
recta de carga dinmica pasa a travs del punto Q y tiene una pendiente de 1/R
ac
.
Las rectas de carga se encuentran trazadas en la Figura 2.3.4 y la pendiente de la
recta de carga dinmica es mayor que la recta de carga esttica.


FIGURA 2.3.4. Representacin de las rectas de carga en las curvas caractersticas.

Las intersecciones de la recta de carga dinmica con los ejes i
C
y v
CE
se
pueden obtener de la ecuacin de una recta dado un punto (x
1
, y
1
) y conocida su
pendiente (m) como sigue:
(y-y
1
) = m(x-x
1
) (2.3.4)
utilizando la ecuacin anterior la ecuacin de la recta de carga dinmica es:
( )
( )
ca
CEQ CE
CQ C
R
V v
I i

= (2.3.5)
colocando la ecuacin 2.3.5 de la forma i
C
= f(v
CE
) se tiene:

ca
CE
CQ
ca
CEQ
C
R
v
I
R
V
i

+ = (2.3.6)
La interseccin de la recta de carga dinmica con el eje i
C
cuando v
CE
= 0

es:
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 77



CQ
ca
CEQ '
C
I
R
V
I + = (2.3.7)
La interseccin de la recta de carga dinmica con el eje v
CE
cuando i
C
= 0 es:

ca CQ CEQ
'
CC
R I V V + = (2.3.8)
En muchas ocasiones se desea disear el amplificador para una mxima
excursin en la tensin de salida, en este caso el punto Q se debe colocar en el
centro de la recta de carga dinmica. En la Figura 2.3.5 se muestran las rectas de
carga para mxima excursin en la tensin de salida.
La ecuacin de la recta de carga esttica est definida por la ecuacin
2.3.3. La ecuacin de la recta de carga dinmica est dada por la ecuacin 2.3.5, la
interseccin de esta recta con la recta de carga esttica es el punto Q y como i
C
es
mxima cuando v
CE
= 0, la mxima corriente de colector
'
C
I , est dada por la
ecuacin 2.3.7. Sin embargo,
'
C
I es igual a 2I
CQ
para mxima excursin simtrica
de la corriente de colector. Sustituyendo esta restriccin en la ecuacin 2.3.7, se
obtiene:

ca
CEQ
CQ CQ
R
V
I I 2 = (2.3.9)
o

ca
CEQ
CQ
R
V
I = (2.3.10)


FIGURA 2.3.5. Mxima excursin simtrica de la tensin de salida.

En la ecuacin 2.3.10 se tiene una ecuacin con dos incgnitas (I
CQ
,
V
CEQ
) para especificar la localizacin del punto Q para mxima excursin
simtrica de la tensin de salida. La segunda ecuacin se obtiene sustituyendo la
ecuacin 2.3.10 en la ecuacin 2.3.3 de la recta de carga esttica como sigue:
78 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


cd
CEQ
cd
CC
ca
CEQ
R
V
R
V
R
V
= (2.3.11)
que se reduce a:

ca cd
CC
CEQ
R R 1
V
V
+
= (2.3.12)
o

ca
cd ca
CC
CEQ
R
R R
V
V
+
= (2.3.13)
sta especifica v
CE
en el punto Q. I
CQ
se obtiene sustituyendo la ecuacin anterior
en 2.3.10:

cd ca
CC
CQ
R R
V
I
+
= (2.3.14)
De la Figura 2.3.5 se determina que la pendiente de la recta de carga
dinmica es
'
CC
CQ
V
I 2
y adems se conoce que la pendiente de la recta de carga
dinmica es
ca
R
1
, entonces igualando se tiene:

'
CC
CQ
V
I 2
=
ca
R
1
(2.3.15)
luego

ca cd
CC
ca CQ
'
CC
R R 1
V 2
R I 2 V
+
= = (2.3.16)
o

CEQ
'
CC
V 2 V = (2.3.17)
De la ecuacin 2.3.17 se concluye que al querer la mxima excursin
simtrica de la tensin de salida se debe dividir en dos el punto de corte de la recta
de carga dinmica con el eje v
CE
resultando el valor de la salida V
o(p-p)
(mxima
salida simtrica pico a pico) igual a:
V
o(p-p)
= 2i
C(amplitud mxima)

*
R
THV (en rgimen incremental)
(2.3.18)
En el caso de anlisis de un circuito, determinar la mxima excursin
simtrica posible en la tensin de salida requiere el uso de la recta de carga
dinmica en la caracterstica i
C
= f(v
CE
). Si el punto Q se encuentra en la mitad
superior de la recta de carga dinmica, se resta I
CQ
del mximo valor de i
C
(el
punto donde la recta de carga dinmica intercepta el eje i
C
). Este da la mxima
amplitud en la corriente de salida de ca del transistor. Si el punto Q se halla en la
mitad inferior de la recta de carga dinmica, I
CQ
es la mxima amplitud para la
corriente de salida de ca del transistor.
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 79


En el diseo de un circuito para mxima excursin simtrica hay que
tomar en cuenta las limitaciones en la intensidad de corriente que puede circular
con seguridad, la tensin de colector y la potencia que se puede disipar en el
transistor. Hay muchas condiciones bajo las cuales la mxima excursin simtrica
no es necesaria ni deseable. Por ejemplo, si las excursiones de la seal cubren slo
una pequea porcin de la recta de carga, se debe elegir el punto Q en base a otras
condiciones. Un problema muy prctico consiste en minimizar la cantidad de
corriente de la fuente de alimentacin sin seal, o sea, en reposo. Para satisfacer
este requisito debemos situar el punto Q tan cerca como sea posible del punto de
corte.
Veamos ahora la aplicacin de la mxima excursin simtrica para los
circuitos ms comunes de la configuracin emisor comn como son: El circuito
amplificador con condensador de desacoplo, el circuito amplificador con
condensador de desacoplo y de acoplamiento, y por ltimo el circuito seguidor de
emisor (configuracin colector comn).

2.3.1 Circuito Amplificador con Condensador de Desacoplo
El circuito amplificador con condensador de desacoplo se indica en la
Figura 2.3.1.1.

V
o
V
CC
R
2
R
C
V
i
R
1
R
E
C
C
C
E

FIGURA 2.3.1.1. Amplificador de emisor comn con condensador de desacoplo.

La resistencia de emisor R
E
se requiere para obtener la corriente de
reposo de emisor deseada. Sin embargo, la colocacin de R
E
produce una
disminucin de la amplificacin a frecuencias distintas de cero. La resistencia R
E

es un elemento que se necesita en su pleno valor para la polarizacin, pero que
sera preferible tener en cortocircuito en corriente alterna. Esto puede conseguirse
conectando un condensador en paralelo con R
E
y as cambiar el valor de la
amplificacin. La capacitancia del condensador se considera infinita para evitar la
influencia de la frecuencia, entonces, el emisor est al potencial de referencia para
todas las seales de corriente alterna.
La resistencia R
cd
del circuito colector-emisor es R
C
+ R
E
y la resistencia
R
ca
del circuito colector-emisor es R
C
, debido a que el condensador cortocircuita
R
E
para todas las frecuencias. Ahora se tiene las pendientes de las diferentes rectas
80 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

de carga, donde la pendiente de la recta de carga dinmica es mayor que la recta
de carga esttica, ya que:

E C C
R R
1
R
1
+
> (2.3.1.1)
La ecuacin de la recta de carga esttica dada por 2.3.3 es:

E C
CE
E C
CC
C
R R
v
R R
V
i
+

+
= (2.3.1.2)
La ecuacin de la recta de carga dinmica dada por 2.3.6 es:

C
CE
CQ
C
CEQ
C
R
v
I
R
V
i

+ = (2.3.1.3)
El valor mximo de i
C
cuando v
CE
= 0 es:

CQ
C
CEQ
max C
I
R
V
i + = (2.3.1.4)
Para obtener la mxima excursin simtrica, el punto Q debe estar
situado en el centro de la recta de carga dinmica de modo que:

CQ Cmax
I 2 i = (2.3.1.5)
sustituyendo en 2.3.1.4:

CQ
C
CEQ
CQ
I
R
V
I 2 + = (2.3.1.6)
y

C
CEQ
CQ
R
V
I = (2.3.1.7)
resultado que se puede evidenciar con la aplicacin de la ecuacin 2.3.10, la
ecuacin 2.3.1.7 tambin se puede escribir como:
CEQ C CQ
V R I = punto esttico
que se puede observar en la Figura 2.3.1.2, as como las representaciones de las
rectas de carga.


FIGURA 2.3.1.2. Rectas de carga del amplificador de emisor comn con
condensador de desacoplo.
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 81


Para obtener analticamente el punto Q (V
CEQ
, I
CQ
) se utilizan las
ecuaciones 2.3.12 y 2.3.14, deducidas en la seccin 2.3, resultando:

C E
CC
C E C
CC
ca cd
CC
CEQ
R R 2
V
R ) R R ( 1
V
R R 1
V
V
+
=
+ +
=
+
= (2.3.1.8)

E C
CC
C E C
CC
cd ca
CC
CQ
R R 2
V
R R R
V
R R
V
I
+
=
+ +
=
+
= (2.3.1.9)
Una vez ubicado el punto de operacin y las rectas de carga se pueden
dibujar las formas de onda de la corriente y de la tensin. En la Figura 2.3.1.3 se
muestra la representacin de las formas de onda y se observa que al aumentar i
B
,
aumenta i
C
y disminuye v
CE
. As i
b
est es fase con i
c
y v
ce
est desfasada 180 con
respecto a i
b
y a i
c
.


FIGURA 2.3.1.3. Formas de onda en el amplificador de emisor comn con
condensador de desacoplo cuando est ajustado para la mxima excursin
simtrica.

Ejemplo 2.3.1.1 En la Figura 2.3.1.1, V
CC
= 15V, R
C
= 1k y R
E
= 500. Hallar
el punto Q para obtener la mxima excursin simtrica de la corriente de colector.
En la Figura 2.3.1.4 se han trazado las rectas de carga esttica y dinmica. Con R
ca

= 1k y R
dc
= 1.5k el punto esttico utilizando las ecuaciones 2.3.14 y 2.3.12
respectivamente es:
mA 6
k 5 . 2
15
I
CQ
=

= y V 6
1 5 . 1 1
15
V
CEQ
=
+
=
82 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


FIGURA 2.3.1.4. Rectas de carga para el ejemplo 2.3.1.1
La mxima excursin de la corriente de cresta de colector es 6mA.

2.3.2 Circuito Amplificador con Condensador de Desacoplo y de
Acoplamiento
Frecuentemente la resistencia de carga debe acoplarse para corriente
alterna al transistor de modo que no circule corriente continua a travs de la carga.
Generalmente esto se consigue intercalando un condensador de acoplamiento (C
C
)
entre el colector y la carga, como se indica en la Figura 2.3.2.1. Este condensador
(C
C
) sirve para bloquear la corriente continua mientras permite el paso de las
diferentes frecuencias de la seal, su valor se considera infinito para el estudio de
la mxima excursin simtrica.
La resistencia que determina la pendiente de la recta de carga esttica
(R
cd
) es R
C
+ R
E
y la ecuacin de la recta es:

E C
CE
E C
CC
C
R R
v
R R
V
i
+

+
= (2.3.2.1)

V
o
V
CC
R
2
R
C
V
i
R
1
R
E
C
C
C
C
E
R
L

FIGURA 2.3.2.1. Circuito amplificador con condensador de desacoplo y de
acoplamiento.

CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 83


La resistencia que determina la pendiente de la recta de carga dinmica
(R
ca
) es la resistencia vista desde el terminal del colector para las frecuencias de la
seal, la cual es R
C
en paralelo con R
L
, R
ca
= R
C
||R
L
. La ecuacin de la recta
dinmica es:
L C
CE
CQ
L C
CEQ
C
R || R
v
I
R || R
V
i

+ = (2.3.2.2)
Al igual que en la seccin 2.3.1 la pendiente de la recta de carga dinmica
es mayor que la recta de carga esttica:

E C L C
R R
1
R || R
1
+
> (2.3.2.3)
Adems, puede utilizarse el mismo procedimiento para determinar el
punto de reposo que da una mxima excursin simtrica, el cual es:
( )( )
L C
L C E C
CC
L C
L C
E C
CC
L C E C
CC
ca cd
CC
CEQ
R R
R R R R
1
V
R R
R R
R R
1
V
R || R ) R R ( 1
V
R R 1
V
V
+ +
+
=
+
+
+
=
+ +
=
+
=

( )( )
L C E C L C
L C CC
CEQ
R R R R R R
R R V
V
+ + +
= (2.3.2.4)
( )
( )( )
L C E C L C
L C CC
L C
L C
E C
CC
cd ca
CC
CQ
R R R R R R
R R V
R R
R R
R R
V
R R
V
I
+ + +
+
=
+
+ +
=
+
= (2.3.2.5)

Ejemplo 2.3.2.1 El circuito del amplificador de la Figura 2.3.2.1, V
CC
= 15V, R
C

= 1k, R
E
= 500 y R
L
= 1k. Hallar el punto de reposo para obtener la mxima
excursin simtrica de la corriente de colector.
En la Figura 2.3.2.2 se han trazado las rectas de carga esttica y dinmica.

FIGURA 2.3.2.2. Rectas de carga para el ejemplo 2.3.2.1
El punto esttico se obtiene con R
ca
= 500 y R
dc
= 1.5k de la siguiente forma:
84 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

mA 5 . 7
5 . 1 5 . 0
15
R R
V
I
cd ca
CC
CQ
=
+
=
+
=
y
V 75 . 3 ) 5 . 0 )( 5 . 7 ( R I V
ca CQ CEQ
= = =
La mxima excursin de corriente senoidal de cresta es 7.5mA.

Ejemplo 2.3.2.2 Determine el punto Q y la mxima excursin en la tensin de
salida para el circuito de la Figura 2.3.2.1, V
CC
= 5V, R
C
= R
L
= 1k, R
E
= 100,
= 1k, R
1
= 1.5k, R
2
= 6k V
BE
= 0.7V y =140.
El equivalente Thvenin del circuito es:
V 1
6000 1500
5 1500
V
R R
R
V
CC
2 1
1
THV
=
+

=
+
=

y
=
+
= 1200
R R
R R
R
2 1
2 1
THV

Tomando en cuenta I
C
I
E
, se obtiene el punto Q como sigue:

B C
i i =
mA 76 . 2
100 140 1200
7 . 0 1
R R
V V
R R
V V
I
E THV
BE THV
E THV
BE THV
CQ
=
+

=
+

=
+

=
Se encuentra R
ca
= R
C
||R
L
= 500 y R
cd
= R
C
+ R
E
= 1.1k
V
CEQ
= V
CC
I
CQ
R
cd
= 5 (2.76x10
-3
)(1.1x10
3
) = 1.96V
Entonces
V

CC
= V
CEQ
+ I
CQ
R
ca
= 1.96 + (2.76x10
-3
)(500) = 3.34V
mA 68 . 6 10 x 76 . 2
500
96 . 1
I
R
V
I
3
CQ
ca
CEQ
'
C
= + = + =


Como el punto Q se halla en la mitad inferior de la recta de carga dinmica, la
mxima excursin en la tensin de salida es:
2I
CQ
(R
C
||R
L
) = 2(2.76x10
-3
)(500) = 2.76V
En este ejemplo, el punto Q no se encuentra en la mitad de la recta de carga
dinmica, de manera que la mxima excursin en la salida no es la simtrica.

2.3.3 Circuito Amplificador Seguidor de Emisor
El circuito de la Figura 2.3.3.1 representa el amplificador seguidor de
emisor con una configuracin colector comn. El trmino seguidor se refiere al
hecho de que la tensin de salida sigue muy de cerca a la tensin de la seal de
entrada. La aplicacin de este circuito es para obtener una ganancia de corriente y
de potencia.

CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 85


V
o
V
CC
R
2
V
i
R
1
R
E
C
C

FIGURA 2.3.3.1. Circuito amplificador seguidor de emisor.

La recta de carga esttica y dinmica tienen la misma pendiente e igual a
1/R
E
; en la grfica de la Figura 2.3.3.2 se encuentra dibujado las rectas de carga.
Para mxima excursin simtrica el punto Q se coloca en el centro de la recta de
carga con: I
CQ
= V
CC
/(2R
E
) y V
CEQ
= V
CC
/2.
Habitualmente, la resistencia del emisor est acoplada a una carga para
corriente alterna como se muestra en la Figura 2.3.3.3. Este circuito se estudia de
la misma forma que el circuito emisor comn. Las nicas diferencias son los
valores de R
cd
y R
ca
que son: R
cd
= R
E
y R
ca
= R
E
|| R
L
.


FIGURA 2.3.3.2. Recta de carga para el seguidor de emisor de la Figura 2.3.3.1.

86 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

V
o
V
CC
R
2
V
i
R
1
R
E
C
C
R
L

FIGURA 2.3.3.3. Circuito amplificador seguidor de emisor con carga acoplada.

Las correspondientes rectas de carga se han trazado en la Figura 2.3.3.4 y
el punto Q para mxima excursin simtrica se localiza en:

E L E
CC
cd ca
CC
CQ
R ) R || R (
V
R R
V
I
+
=
+
=
y
) R || R ( I R I V
L E CQ ca CQ CEQ
= =
La tensin colector emisor tambin se puede determinar aplicando la
ecuacin 2.3.12.


FIGURA 2.3.3.4. Recta de carga para el seguidor de emisor de la Figura 2.3.3.3.

Ejemplo 2.3.3.1 Para el circuito de la Figura 2.3.3.3 encontrar la mxima
excursin simtrica en la tensin de salida, V
CC
= 12V, R
E
= 600, R
L
= 600.
= = 600 R R
E cd

= = 300 R || R R
L E ca

mA 3 . 13
300 600
12
R R
V
I
cd ca
CC
CQ
=
+
=
+
=
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 87


Entonces
V 4 ) 300 )( 10 x 3 . 13 ( R I V
3
ca CQ CEQ
= = =


La mxima excursin de salida es:
V 98 . 7 ) 300 )( 0133 . 0 ( 2 ) R || R ( I 2
L E C
= =
Las rectas de carga y el punto Q se indican en la Figura 2.3.3.5.

FIGURA 2.3.3.5. Rectas de carga y punto Q para el ejemplo 2.3.3.1.

Ejemplo 2.3.3.2 Hallar el punto Q y la mxima excursin en la tensin de salida
para el circuito de la Figura 2.3.3.3, V
CC
= 12V, R
1
= 10k, R
2
= 20k, R
E
=
600, R
L
= 600, V
BE
= 0.7V y =100.
V 4
10 x 30
12 10 x 10
V
R R
R
V
3
3
CC
2 1
1
THV
=

=
+
=
y
=
+
= k 67 . 6
R R
R R
R
2 1
2 1
THV

Tomando en cuenta I
C
I
E
, se obtiene el punto Q como sigue:

B C
i i =
mA 9 . 4
600 100 6670
7 . 0 4
R R
V V
I
E THV
BE THV
CQ
=
+

=
+

=
V
CEQ
= V
CC
I
CQ
R
E
= 12 (4.95x10
-3
)(600) = 9.03V
La mxima excursin simtrica en la tensin de salida es:
2I
CQ
(R
E
||R
L
) = 2(4.95x10
-3
)(300) = 2.98V
Esto es menor que la mxima excursin de salida posible, en la Figura 2.3.3.6 se
muestra las rectas de carga. Para definir todos los puntos de la grfica calculemos
'
C
'
CC
I e V :
V

CC
= V
CEQ
+ I
CQ
(R
E
||R
L
) = 9.03 + (4.95x10
-3
)(300) = 10.52V
88 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

mA 1 . 35
300
52 . 10
I
'
C
= =

FIGURA 2.3.3.6. Rectas de carga y punto Q para el ejemplo 2.3.3.2.

2.4 Ubicacin Arbitraria del Punto Q
Una de las primeras decisiones implicadas en el clculo de un
amplificador es la eleccin del punto Q. Como hemos visto, se puede situar el
punto Q con la restriccin de la mxima excursin simtrica, pero, tambin se
puede ubicar arbitrariamente (bajo otras condiciones de diseo) sobre la recta de
carga esttica eligiendo adecuadamente las resistencias del circuito de
polarizacin. El circuito de polarizacin debe disearse para suministrar la
corriente necesaria para ubicar el punto Q en la regin de operacin de la
caracterstica del transistor. La polarizacin debe confinar el punto de operacin
de un dispositivo a una regin donde su comportamiento sea lineal (o por lo
menos aproximadamente lineal) y al mismo tiempo evitar las grandes faltas de
linealidad de la caracterstica v-i del dispositivo. Algo muy importante que hay
que tomar en cuenta cuando se realiza el diseo del punto Q, es que el transistor
no puede trabajar en cualquier punto de la regin activa, ya que existen lmites que
no se deben sobrepasar. Estos valores lmites (especificados en las hojas tcnicas
de datos que suministra el fabricante) son: la potencia mxima que puede disipar
el dispositivo, la tensin mxima de colector-emisor y la corriente mxima de
colector, entre las ms importantes. En la Figura 2.4.1 se han representado estos
tres valores lmites sobre las caractersticas de un transistor, se observa que
mediante una lnea horizontal se indica la corriente mxima, una lnea vertical la
tensin mxima y una curva hiperblica que representa la potencia mxima del
dispositivo.
Otros factores muy importantes a considerar en la polarizacin son:
primero, los cambios del punto de operacin debidos a efectos de temperatura, ya
que los parmetros del transistor (, I
CO
, V
BE
, etc) dependen de la temperatura, y
segundo, las grandes variaciones de que se encuentran entre transistores del
mismo tipo. A causa de esto se tiene que disear los circuitos de polarizacin de
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 89


manera que estas propiedades indeseables del transistor no causen un mal
funcionamiento del circuito o una avera; por lo tanto, es necesario que el circuito
de polarizacin brinde un grado de estabilidad de manera que las variaciones de
los parmetros en el dispositivo produzcan un cambio mnimo en su punto de
operacin. Para la estabilidad del punto de operacin se establecen criterios de
polarizacin e incluso se pueden considerar tcnicas de compensacin para
estabilizar el punto de reposo.


FIGURA 2.4.1. Lmites mximos de un dispositivo representados sobre la curva
caracterstica.

Una vez ubicado el punto Q hay un aspecto fundamental que es su
anlisis, el cual consiste obtener las tensiones y corrientes cuando los valores de
los componentes son conocidos. Normalmente el objetivo del anlisis del circuito
incluye la obtencin de las coordenadas del punto Q (V
CE
, I
C
) para cada transistor.
Cuando las curvas caractersticas del transistor estn disponibles y el circuito es
simple, podemos usar el anlisis grfico estudiado en la seccin 2.2. En la misma
seccin se present el estudio del punto Q a partir de las ecuaciones circuitales de
un amplificador bsico en configuracin de emisor comn para determinar
analticamente la corriente de base y utilizar solamente la caracterstica i
C
-v
CE
para
el anlisis grfico. Ahora analizaremos los circuitos de los transistores a partir de
los modelos circuitales equivalentes del transistor en corriente continua (cc o
modelos estticos o de gran seal) para cada regin de trabajo del transistor BJT.
Antes de comenzar con el anlisis del punto Q, recordemos que el
transistor en la regin activa se comporta como una fuente de corriente controlada
por corriente, la unin base-emisor debe estar polarizada directamente y la unin
base-colector debe estar polarizada inversamente. El modelo en corriente continua
en la regin activa se muestra en la Figura 2.4.2; se aprecia que la fuente del
circuito base-emisor es V
BE
con un valor aproximadamente entre 0.6 y 0.7V, la
fuente de corriente controlada I
B
relaciona I
C
con I
B
en la regin activa, la
resistencia R
o
sealada con trazos en el dibujo es consecuencia del efecto Early.
90 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

Normalmente R
o
es suficientemente grande frente a las resistencias exteriores
colocadas en el circuito, que en muchos clculos se puede despreciar y las
corrientes de saturacin inversas son sumamente pequeas generalmente tambin
se desprecian.

B
I
B
V
BE (activo)
E
I
C
C
I
B
R
o

FIGURA 2.4.2. Modelo del transistor BJT en la regin activa.

En la Figura 2.4.3 se muestra el modelo en corriente continua en la regin
de corte; en este modelo todas las corrientes del transistor son cero y la
representacin circuital son circuitos abiertos entre cada par de terminales del
transistor, en el estado de corte la unin base-emisor y base-colector estn
polarizadas inversamente.

B
E
C

FIGURA 2.4.3. Modelo del transistor BJT en la regin de corte.

En saturacin, el circuito equivalente es el de la Figura 2.4.4, las fuentes
representan los valores de saturacin en los terminales V
BE (sat)
y V
CE (sat)

respectivamente, en saturacin la unin base-emisor y la unin base-colector estn
con polarizacin directa.
B
I
B
V
BE (sat)
E
I
C
C
V
CE (sat)

FIGURA 2.4.4. Modelo del transistor BJT en la regin de saturacin.
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 91


El empleo de estos modelos en el anlisis de circuitos con transistores
BJT requiere que conozcamos la regin de funcionamiento. El mtodo requiere
que se d por supuesta una determinada regin de funcionamiento y comprobar
mediante anlisis tal suposicin. En algunas ocasiones la observacin de la
configuracin del circuito y la experiencia ayudan a conjeturar correctamente;
pero, no debemos preocuparnos de s los estados del transistor son o no correctos,
ya que se pueden seguir los siguiente pasos para analizar los circuitos con
transistores:
1) Hacer una suposicin acerca del estado del transistor.
2) En el diagrama del circuito, sustituir el transistor por el modelo para su
supuesto estado.
3) Analizar el circuito resultante para obtener las variables de prueba asociadas
con cada modelo.
4) Examinar las variables de prueba, buscando contradicciones al estado
supuesto.
5) Si hay una contradiccin, hacer una nueva suposicin basada en la
informacin calculada y volver al paso 2.
6) Cuando no haya contradicciones, las tensiones y corrientes calculadas a partir
del circuito equivalente se aproximan a las del circuito real.
Analicemos un transistor BJT npn, segn cada estado de funcionamiento:
a) Zona activa. Se sustituye el transistor por su modelo y se halla la direccin de
su corriente de base. La corriente de base debe ser positiva para evitar el corte;
para evitar la saturacin, V
CE
debe ser ms positiva que V
CE (sat)
, en resumen se
tiene:
Se supone funcionamiento activo.
i) Se sustituye el transistor por el modelo activo.
ii) Si i
B
0, entonces se supone corte.
iii) Si V
CE
0.2V, entonces se supone saturacin.
b) Zona de corte. El modelo de corte fuerza a todas las corriente del transistor a
ser cero, se debe comprobar la tensin de circuito abierto, en este caso V
BE
, para
buscar una contradiccin, en resumen se tiene:
Se supone corte.
i) Se sustituye el transistor por el modelo de corte.
ii) Si V
BE
0.5V, entonces se supone funcionamiento
activo o saturacin.
c) Zona de saturacin. Para estar saturado el transistor primero debe estar
conduciendo, esto es, su corriente de base debe ser no negativa. Si el transistor
est conduciendo tambin debe verificar que la corriente de base es bastante
grande para la saturacin. Como las fuentes de tensin en el modelo fuerzan a la
base a ser positiva respecto al emisor y colector, se debe comprobar las corrientes
para asegurar la validez del modelo, en resume se tiene:
Se supone saturacin.
i) Se sustituye el transistor por el modelo de saturacin.
ii) Si i
B
< 0, entonces se supone corte.
92 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

iii) Si i
C
> i
B
, entonces se supone funcionamiento activo.
Cuando el transistor es un BJT pnp se aplican los modelos, las variables y
las prueba de forma similar, pero, ahora se invierten las corrientes y las
polaridades de las tensiones.

2.4.1 Anlisis del Punto Q
En la seccin 2.2 se analiz el punto Q de un amplificador bsico en
emisor comn (Figura 2.2.5), a travs del circuito de polarizacin se obtuvo un
circuito equivalente Thvenin (Figura 2.2.6) para su estudio y de esta manera
obtener la corriente de base, con las ecuaciones 2.2.3 y 2.2.4 se determina V
THV
y
R
THV
respectivamente, del circuito emisor-base del amplificador simplificado se
obtiene la ecuacin:
E E BE THV B THV
R I V R I V + + = (2.4.1.1)
como:

B C
I I = (2.4.1.2)
y

C B E
I I I + = (2.4.1.3)
sustituyendo la ecuacin 2.4.1.2 en la ecuacin 2.4.1.3, la corriente de emisor en
funcin de la corriente de base queda:

B B B E
I ) 1 ( I I I + = + = (2.4.1.4)
sustituyendo la ecuacin anterior en 2.4.1.1 y despejando la corriente de base se
tiene:

E THV
BE THV
B
R ) 1 ( R
V V
I
+ +

= (2.4.1.5)
S el es muy grande, es decir >>1, se tiene que I
C
I
E
y la ecuacin anterior se
puede escribir como:

E THV
BE THV
B
R R
V V
I
+

= (2.4.1.6)
la corriente de colector es:

+

=
E THV
BE THV
C
R R
V V
I (2.4.1.7)
luego la tensin colector emisor se obtiene haciendo un recorrido de tensiones del
circuito de colector, resultando:

E E C C CE CC
R I R I V V + + = (2.4.1.8)
y la tensin colector emisor queda:
E E C C CC CE
R I R I V V = (2.4.1.9)
si I
C
I
E
, entonces V
CE
es:
E C C C CC CE
R I R I V V = (2.4.1.10)

CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 93


De manera anloga se aplica esta misma metodologa para el resto de las
configuraciones, lo importante es identificar el circuito de polarizacin para
plantear las ecuaciones circuitales. Veamos unos ejemplos sencillos para ilustrar el
clculo del punto Q para cada configuracin.

Ejemplo 2.4.1.1 Obtener el punto Q del transistor de la Figura 2.4.1.1
(configuracin emisor comn). V
CC
= 15V, R
1
= 68k, R
2
= 47k, R
E
= 68k,
R
C
= 39k, V
BE
= 0.7V y =100.
V
o
V
CC
R
2
R
C
V
i
R
1
R
E
C
C

FIGURA 2.4.1.1. Circuito del ejemplo 2.4.1.1
Realizando el equivalente Thvenin del circuito de base se tiene:
V 87 . 8
10 x 115
15 10 x 68
V
R R
R
V
3
3
CC
2 1
1
THV
=

=
+
=
=
+
= k 8 . 27
R R
R R
R
2 1
2 1
THV

Calculemos el punto de operacin con I
C
I
E
y con la aproximacin de I
C
I
E
.
Para el punto Q del primer caso se utiliza la ecuacin 2.4.1.5 multiplicada por ,
entonces:
A 5 . 118 100
k 68 * 101 k 8 . 27
7 . 0 87 . 8
R ) 1 ( R
V V
I
E THV
BE THV
CQ
=
+

=
+ +

=
La tensin colector emisor es:
E E C C CC CEQ
R I R I V V =
se debe calcular I
E
:
A 7 . 119 A 5 . 118
100
101
I
1
I
I
I I I
C C
C
C B E
= =

+
= +

= + =
V 24 . 2 k 68 7 . 119 k 39 5 . 118 15 R I R I V V
E E C C CC CEQ
= = =
El punto Q para el segundo caso se utiliza la ecuacin 2.4.1.7:
A 7 . 119 100
k 68 * 100 k 8 . 27
7 . 0 87 . 8
R R
V V
I
E THV
BE THV
CQ
=
+

=
+

=
La tensin colector emisor se calcula con la ecuacin 2.4.1.10:
94 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

V 197 . 2 k 68 7 . 119 k 39 k 7 . 119 15 R I R I V V
E C C C CC CE
= = =
Existe una pequea diferencia con el clculo exacto y el aproximado en el orden
de las dcimas, en el caso de la corriente de colector se tiene un error del 1.013%
y en la tensin de colector-emisor un error de 1.9%, errores que se pueden
considerar aceptable. El punto de operacin se ubica dentro de la zona activa,
aunque muy cerca de la zona de saturacin.

Ejemplo 2.4.1.2 Obtener el punto Q del transistor de la Figura 2.4.1.2
(configuracin colector comn). V
CC
= 15V, R
1
= R
2
= 100k, 47k, R
E
= 2k,
V
BE
= 0.7V y =100.
V
o
V
CC
R
2
V
i
R
1 R
E
C
C
R
L

FIGURA 2.4.1.2. Circuito del ejemplo 2.4.1.2
V 5 . 7
10 x 200
15 10 x 100
V
R R
R
V
3
3
CC
2 1
1
THV
=

=
+
=
y
=
+
= k 50
R R
R R
R
2 1
2 1
THV

La corriente de colector es:
mA 698 . 2 100
k 2 * 101 k 50
7 . 0 5 . 7
R ) 1 ( R
V V
I
E THV
BE THV
CQ
=
+

=
+ +

=
mA 725 . 2 mA 698 . 2
100
101
I
1
I
I
I I I
C C
C
C B E
= =

+
= +

= + =
La tensin colector-emisor es:
V 55 . 9 k 2 m 725 . 2 15 R I V V
E E CC CEQ
= = =
Punto de operacin en la zona activa.

Ejemplo 2.4.1.3 Obtener el punto Q del transistor de la Figura 2.4.1.3
(configuracin base comn). -V
CC
= -10V, R
B
= 270k, R
C
= R
E
= 1k, V
BE
=
0.7V y =100.
Realizando un recorrido de tensiones en el lazo emisor-base se tiene:

CC E E BE B B
V R I V R I = + +
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 95


V
o
-V
CC
V
i
R
B R
E
C
R
C
C

FIGURA 2.4.1.3. Circuito del ejemplo 2.4.1.3

como
B E
I ) 1 ( I + = , despejando I
B
y aplicando los valores numricos:
A 1 . 25
k 1 * 101 k 270
7 . 0 10
R ) 1 ( R
V V
I
E B
BE CC
B
=
+

=
+ +

=
La corriente de colector es:
mA 51 . 2 A 1 . 25 * 100 I I
B CQ
= = =
La corriente emisor es:
mA 535 . 2 mA 51 . 2
100
101
I
1
I
C E
= =

+
=
La tensin colector-emisor es:
V 955 . 4 k 1 * m 535 . 2 k 1 * m 51 . 2 10 R I R I V V
E E C C CC CEQ
= = =
Punto de operacin en la zona activa.

Se aprecia en los anlisis realizados que se debe tener informacin del
beta () y la tensin base-emisor V
BE
, datos que estn suministrados en las hojas
de especificaciones del fabricante. Pero en el caso de no tener informacin del
transistor se puede realizar un anlisis aproximado considerando el beta infinito y
la tensin base-emisor constante, lo cual supone lo siguiente:
1) V
BE
= 0.7V para transistores npn y 0.7V para pnp, aunque la tensin base
emisor se encuentre entre 0.6 y 0.7V.
2) I
B
= 0.
3) I
C
= I
E
.
En el ejemplo siguiente se muestra la aplicacin de esta tcnica.

Ejemplo 2.4.1.4 Obtener el punto Q del transistor de la Figura 2.4.1.4, V
CC
=
24V, R
1
= 27k, R
2
= 18k, R
C
= 5.6k y R
E
= 13.7k.
Como la corriente de base es cero las resistencias R
1
y R
2
forman un divisor de
tensin. El resultado es una tensin de base de:
96 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

V 4 . 14
10 x 45
24 10 x 27
V
R R
R
V
3
3
CC
2 1
1
B
=

=
+
=
V
CC
R
2
R
C
R
1
R
E

FIGURA 2.4.1.4. Circuito del ejemplo 2.4.1.4

el emisor est 0.7V por debajo de la base, por lo tanto V
E
= 14.4 0.7 = 13.7V, la
corriente de emisor es:
mA 1
k 7 . 13
7 . 13
R
V
I
E
E
E
= = =
como I
C
= I
E
, entonces I
C
= 1mA, la tensin colector-emisor es:
V 7 . 4 ) k 7 . 13 k 6 . 5 ( m 1 24 ) R R ( I V V
E C C CC CEQ
= + = + =
De esta manera se obtiene una estimacin del punto de operacin.

Hay que tener precaucin acerca del anlisis con beta infinito, ya que
supone tcitamente que el circuito fue diseado para ser relativamente
independiente de . Si el circuito no cumple con esta condicin los resultados
pueden ser bastantes inexactos. La cada de tensin base-emisor de 0.7V supuesta,
a veces conduce a errores en el anlisis con beta infinito as como en el anlisis
con circuitos equivalentes. Adems, los parmetros y V
BE
cambian con el punto
esttico de operacin, es decir, dependen de la corriente de colector. Por estas
razones, existe un anlisis que utiliza ciertas curvas suministradas por el fabricante
para obtener el punto Q y a travs, de un mtodo iterativo se llega a la solucin. El
mtodo de beta infinito es conveniente utilizarlo para circuitos demasiado
complejos o grandes circuitos integrados.

2.4.1.1 Mtodo Iterativo para el Anlisis del Punto Q
Este mtodo consiste en realizar el estudio del punto de operacin con las
hojas de especificaciones dada por el fabricante del dispositivo. En la informacin
suministrada por el fabricante existen curvas que describen el comportamiento de
los parmetros del transistor, en nuestro caso los parmetros a estudiar para el
anlisis de punto Q es el beta () y la tensin base-emisor (V
BE
). Una vez
identificadas las curvas a utilizar y con las ecuaciones circuitales de la topologa a
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 97


estudiar, se emplea un mtodo iterativo hasta que los valores encontrados
converjan a una solucin correcta.
En las Figuras 2.4.1.1.1 y 2.4.1.1.2 se observan las curvas dada por un
fabricante para ser empleadas en este mtodo. En la Figuras 2.4.1.1.1 se tiene una
curva de la corriente de colector en funcin de la tensin base-emisor I
C
= f(V
BE
) y
en la Figuras 2.4.1.1.2 se tiene una curva del parmetro h
FE
(que corresponde al )
en funcin de la corriente de colector h
FE
= f(I
C
). Es evidente de las curvas que la
variable comn a ambas, es la corriente de colector (I
C
), por lo tanto, sta ser la
variable a utilizar para realizar la iteracin. Como se aplicar un mtodo de
iteracin se debe tener un valor de arranque, en otras palabras una semilla, ste
valor se tomar como la mitad de la corriente mxima que permite el circuito de
colector, es decir:

2
I
I
max C
CQ
1
= (2.4.1.1.1)
luego del circuito se tendr que plantear una ecuacin de I
C
= f(, V
BE
) para
efectuar el procedimiento de anlisis del punto Q. En el ejemplo 2.4.1.1.1 se
ilustra ese mtodo.

Ejemplo 2.4.1.1.1 En el circuito de la Figura 2.4.1.1.3 determinar el punto Q, V
CC

= 12V, R
1
= 10k, R
2
= 56k, R
C
= 820 y R
E
= 180.
V
CC
R
2
R
C
R
1
R
E

FIGURA 2.4.1.1.3. Circuito del ejemplo 2.4.1.1.1.
El valor mximo de la corriente de colector es:
mA 12
k 1
12
180 820
12
R R
V
I
E C
CC
max C
= =
+
=
+
=
El valor de arranque es:
mA 6
2
mA 12
2
I
I
max C
CQ
1
= = =
La ecuacin a utilizar para la iteracin es:

+ +

=
E THV
BE THV
CQ
R ) 1 ( R
V V
I (2.4.1.1.2)

98 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


FIGURA 2.4.1.1.1. Curva de la corriente de colector I
C
= f(V
BE
).
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 99



FIGURA 2.4.1.1.2. Curva del parmetro , h
FE
= f(I
C
).
100 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

V 81 . 1
56 10
12 10
V
R R
R
V
CC
2 1
1
THV
=
+

=
+
= =
+
= 8485
R R
R R
R
2 1
2 1
THV

De las curvas (Figuras 2.4.1.1.1 y 2.4.1.1.2) para mA 6 I
1
CQ
= se tiene:
V 66 . 0 V
BE
= y 330 =
sustituyendo los valores anteriores en la ecuacin 2.4.1.1.2 el nuevo valor de la
corriente de colector es:
mA 58 . 5 330
180 * 331 8485
66 . 0 81 . 1
I
2
CQ
=
+

=
De las curvas para mA 58 . 5 I
2
CQ
= se tiene:
V 655 . 0 V
BE
= y 330 =
sustituyendo de nuevo estos valores la nueva corriente de colector es:
mA 6 . 5 330
180 * 331 8485
655 . 0 81 . 1
I
3
CQ
=
+

=
Este ltimo valor es muy prximo al anterior
2 3
CQ CQ
I I , por lo tanto, se puede
finalizar la iteracin y tomar como corriente de colector:
mA 6 . 5 I
CQ
=
La tensin colector-emisor es:
V 4 . 6 180 * m 6 . 5
330
331
820 * m 6 . 5 10 R I
1
R I V R I R I V V
E C C C CC E E C C CC CEQ
= =

+
= =


2.5 Anlisis en Pequea Seal de Amplificadores, utilizando
Parmetros Hbridos
Cuando las excursiones de corriente y tensin son muy pequeas, el
transistor puede considerarse lineal y reemplazarse, a efectos de anlisis, por
circuitos equivalentes para seales dbiles o pequea seal. El modelo en pequea
seal es una de las herramientas ms poderosas disponibles para el anlisis de los
circuitos no lineales. Un mtodo como ste permite que los circuitos no lineales
sean modelados como redes lineales de dos puertos. El modelo lineal puede
analizarse utilizando tcnicas normales de anlisis de redes o principios tericos
de los circuitos lineales como son: las ecuaciones de nodos, mallas, el equivalente
Thvenin, el equivalente Norton y la superposicin, para as, determinar la
respuesta a seales dbiles. El modelado en pequea seal se conoce a veces como
modelado incremental, y una seal de tensin o de corriente de pequea magnitud
a veces se conoce como seal incremental. Los circuitos equivalentes
desarrollados en pequea seal son independientes de la frecuencia y su estudio se
conoce como anlisis a frecuencias medias.
En la prctica, el clculo de amplificadores de tensin o corriente para
pequea seal se divide en dos partes. La primera consiste en establecer la
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 101


polarizacin, o sea, hallar el punto de reposo adecuado; como se estudio en las
secciones anteriores. La segunda parte incluye los clculos de amplificacin e
impedancia a frecuencias medias; aqu se utiliza el circuito equivalente a pequea
seal. Estas dos partes no son completamente independientes, ya que los valores
de algunos componentes del circuito equivalente son funcin del punto de reposo.
El circuito equivalente del transistor BJT puede deducirse de la
composicin interna del dispositivo o del comportamiento en sus terminales. Al
analizar el comportamiento en los terminales de un transistor se consideran dos
pares de terminales entrada y salida, por lo tanto, puede utilizarse la teora de
cuadripolos. En un cuadripolo, representado en la Figura 2.5.1, su comportamiento
se especifica mediante dos tensiones y dos corrientes.
+ +
- -
i
1
i
2
v
2
v
1

FIGURA 2.5.1. Representacin de un cuadripolo indicando las polaridades de
referencia de las tensiones y el sentido de las corrientes.

Se puede elegir dos de las cuatro cantidades como variables
independientes y expresar las dos restantes en funcin de las variables
independientes elegidas, de esta manera habrn seis pares de ecuaciones que
relacionan las magnitudes de entrada y salida. De estos seis posibles grupos de
parmetros, tres de ellos son extensamente empleados en el anlisis de circuitos
electrnicos debido a su fcil medicin, los cuales son:
a) Dos en parmetros de admitancia (Y), con ecuaciones: i
1
= f(v
1
, v
2
) y i
2
=
f(v
1
, v
2
),
b) Dos en parmetros de impedancia (Z), con ecuaciones: v
1
= f(i
1
, i
2
) y v
2
=
f(i
1
, i
2
) y
c) Dos en parmetros hbridos (h), con ecuaciones: v
1
= f(i
1
, v
2
) y i
2
= f(i
1
, v
2
).
En la mayora de las aplicaciones con BJT los parmetros hbridos
(parmetros h) son los ms tiles, porque pueden medirse fcilmente,
proporcionan rpida informacin del comportamiento del circuito para su anlisis
y frecuentemente son los parmetros suministrados en las especificaciones de los
fabricantes. Por ser el cuadripolo una red lineal, se plantean las siguientes
ecuaciones de inters:

2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
v h i h i
v h i h v
+ =
+ =
(2.5.1)
La notacin en los subndices del parmetro h denota que el primer dgito del
subndice es la variable dependiente, en tanto que el segundo dgito es la variable
102 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

independiente asociada con el parmetro h en particular. Entonces, por ejemplo,
h
12
relaciona v
2
con v
1
.
En estas ecuaciones, las variables independientes son la corriente de
entrada i
1
y la tensin de salida v
2
. Las variables de corriente y tensin
representan pequeas variaciones alrededor del punto de reposo. Se observa que
las direcciones de la corriente en pequea seal indicadas en la Figura 2.5.1 son
positivas hacia el interior de la red, lo que se aparta de la convencin empleada
para describir las corrientes continuas y total en el transistor.
Cuando se utiliza los parmetros h para describir una red de transistores,
el par de ecuaciones 2.5.1 se escribe como:

2 o 1 f 2
2 r 1 i 1
v h i h i
v h i h v
+ =
+ =
(2.5.2)
los subndices numricos son sustituidos por letras que indican la naturaleza del
parmetro. En funcin de la ecuacin 2.5.2 se define el circuito equivalente del
transistor que se muestra en la Figura 2.5.2.

+
+
- -
i
1
i
2
v
2
v
1
+
-
h
r
v
2
h
i
h
f
i
1
h
o

FIGURA 2.5.2. Circuito equivalente del transistor a pequea seal con parmetros
hbridos.

En el modelo del transistor, el circuito de entrada se obtiene de v
1
(ver
ecuacin 2.5.2) usando la ley de tensiones de Kirchhoff y el circuito de salida se
obtiene de i
2
(ver ecuacin 2.5.2) utilizando la ley de corriente de Kirchhoff. Los
subndices de los parmetros h indican: (i) de entrada, (o) de salida, (f) directa, es
decir de la entrada hacia la salida y (r) inversa, es decir, de la salida hacia la
entrada. Los parmetros en general son diferentes para cada configuracin y
pueden distinguirse aadiendo una letra de identificacin como segundo
subndice. As, por ejemplo, h
ie
es un parmetro en emisor comn, h
ib
es un
parmetro en base comn y h
ic
es un parmetro en colector comn.
El significado fsico de los parmetros h puede obtenerse a partir de las
ecuaciones que los definen o del circuito. Por ejemplo, en la ecuacin 2.5.2 se ve
que h
i
es dimensionalmente una impedancia. En el circuito de la Figura 2.5.2 se ve
que es la impedancia de entrada con la salida cortocircuitada (v
2
= 0). Las
definiciones de los cuatro parmetros son las siguientes:
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 103


0 v i
v
h h
2 1
1
i 11
|
=
= = : impedancia de entrada en cortocircuito o impedancia de
entrada con los terminales de salida en cortocircuito o
resistencia de entrada con la salida en cortocircuito
(ohm).
0 i v
v
h h
1 2
1
r 12
|
=
= = : ganancia de tensin inversa en circuito abierto o
fraccin de la tensin de salida que aparece a la entrada
con la entrada en circuito abierto, o simplemente,
amplificacin inversa de tensin con circuito abierto
(sin dimensiones).
0 v i
i
h h
2 1
2
f 21
|
=
= = : ganancia de corriente directa en cortocircuito o relacin
de transferencia de corriente con la salida en
cortocircuito. (Obsrvese, en la Figura 2.5.1, que la
corriente a travs de la carga de salida sera la contraria,
negativa, de i
2
). Este parmetro se denomina
habitualmente ganancia de corriente en cortocircuito
(sin dimensiones).
0 i v
i
h h
1 2
2
o 22
|
=
= = : admitancia de salida en circuito abierto o admitancia
medida en los terminales de salida con los terminales de
entrada en circuito abierto o conductancia de salida con
la entrada en circuito abierto (ohm
-1
o mhos o
siemens(s)).
El circuito equivalente del transistor de la Figura 2.5.2 es muy til por las
siguientes razones: (1) asla los circuitos de entrada y salida, siendo considerada
su interaccin por las dos fuentes controladas; (2) las dos partes del circuito tienen
una forma tal que es fcil distinguir los circuitos de alimentacin y carga. El
circuito de entrada es un circuito equivalente Thvenin y el de salida un circuito
equivalente de Norton.
El modelo y las definiciones de los parmetros son mtodos para medir
los diversos parmetros. Por ejemplo, h
f
puede medirse colocando un cortocircuito
para corriente alterna (condensador de gran capacidad) en los terminales de salida
(de modo que v
2
= 0), aplicando una pequea corriente alterna a la entrada y
midiendo luego la relacin de corrientes. Observar que las condiciones para la
corriente continua han de mantenerse para poder determinar los parmetros h con
respecto a un punto Q determinado. Todos los parmetros h depende del punto Q.
Los parmetros h tambin se pueden determinar grficamente a partir de
las caractersticas de entrada y de salida del transistor en una configuracin
104 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

particular. A continuacin se muestra como se determina los parmetros h para la
configuracin emisor comn:
Los parmetros h
ie
y h
re
se determinan a partir de la entrada o
caracterstica de base, en tanto que los parmetros h
fe
y h
oe
se obtienen de la salida
o caracterstica del colector. El primer paso en la determinacin de cualquiera de
los cuatro parmetros hbridos consiste en encontrar el punto de operacin.

Parmetro h
fe
. El parmetro h
fe
es el ms importante del transistor para pequea
seal, de la definicin de h
f
resulta que:
te tan cons CE 1 b 2 b
1 c 2 c
te tan cons CE b
c
b
c
i
o
1
2
fe
V i i
i i
V i
i
i
i
i
i
i
i
h | |
= =

= (2.5.3)
La condicin de V
CE
=constante, requiere que los cambios en la corriente de base y
en la corriente de colector se tomen a lo largo de una lnea vertical dibujada a
travs del punto Q. La ecuacin 2.5.3 requiere que un cambio pequeo en la
corriente de colector sea dividido entre el cambio correspondiente en la corriente
de base. Para mayor precisin, estos cambios deben hacerse lo ms pequeos
posibles. En la Figura 2.5.3 el cambio en i
b
se eligi para que se extendiera de i
b1
a
i
b2
a lo largo de la lnea recta perpendicular en V
CE
. El cambio correspondiente en
i
c
se encuentra dibujando las lneas horizontales desde las intersecciones de i
b1
e i
b2

con V
CE
=constante, hasta el eje vertical.
Sustituyendo los valores que se muestran en la grfica h
fe
es igual a:
100
10 x 10
10
V
10 x ) 10 20 (
10 x ) 7 . 1 7 . 2 (
V i i
i i
V i
i
h
6
3
V 4 . 8 CE
6
3
te tan cons CE 1 b 2 b
1 c 2 c
te tan cons CE b
c
fe
| | | = =

= =


FIGURA 2.5.3. Determinacin grfica del parmetro h
fe
.

Parmetro h
oe
. De la definicin se tiene:
te tan cons i v
i
v
i
v
i
v
i
h
b ce
c
ce
c
o
o
2
2
oe
|
=

= (2.5.4)
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 105


El valor de h
oe
en el punto de reposo est dado por la pendiente de la curva
caracterstica de salida en ese punto. Puede calcularse esta pendiente dibujando
una recta tangente a la curva caracterstica en el punto Q. En la Figura 2.5.4 se
dibuja una recta tangente a la curva i
b
a travs del punto Q para establecer una
lnea i
b
=constante, como lo requiere la ecuacin 2.5.4 de h
oe
. Despus, se elige un
cambio en v
CE
y el cambio correspondiente en i
c
se determina dibujando las lneas
horizontales hasta el eje vertical en las intersecciones sobre la lnea i
b
=constante.
Sustituyendo los valores que se muestran en la grfica h
oe
es igual a:
S 33 V / A 33
3
10 x 1 . 0
i
7 10
10 x ) 1 . 2 2 . 2 (
i v
i
h
3
A 15 b
3
te tan cons b ce
c
oe
| | = = =

=

=

=


FIGURA 2.5.4. Determinacin grfica del parmetro h
oe
.

Parmetro h
ie
. De la definicin:
te tan cons v i
v
i
v
i
v
i
v
h
CE b
be
b
be
i
i
1
1
ie
|
=

= (2.5.5)
Por tanto, la pendiente de la caracterstica de entrada apropiada, en el punto de
reposo da h
ie
. En la Figura 2.5.5 se muestra la obtencin grfica de h
ie
, donde se
dibuja una tangente a la curva V
CE
= 8.4V a travs del punto Q, con el fin de
establecer una lnea V
CE
=constante, como requiere la ecuacin 2.5.5. Despus se
elige un pequeo cambio en v
be
, lo que produce un cambio correspondiente en i
b
.
Sustituyendo los valores que se muestran en la grfica h
ie
es igual a:
= =

=
=

k 5 . 1
10 x 10
10 x 15
v
10 x ) 10 20 (
10 x ) 718 733 (
te tan cons v i
v
h
6
3
V 4 . 8 CE
6
3
CE b
be
ie
| |

Parmetro h
re
. De la definicin:
te tan cons i v v
v v
te tan cons i v
v
v
v
v
v
v
v
h
b 1 ce 2 ce
1 be 2 be
b ce
be
ce
be
o
i
2
1
re
| |
=

=
=

= (2.5.6)
106 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


FIGURA 2.5.5. Determinacin grfica del parmetro h
ie
.

El parmetro h
re
se obtiene al dividir la variacin de la tensin de base, v
be2
-v
be1
,
por la variacin de la tensin de colector, v
ce2
-v
ce1
, para una corriente de base
i
b
=constante, correspondiente a la del punto de reposo Q. En la Figura 2.5.6 se a
dibujado una lnea horizontal a travs del punto Q a I
B
=15A y luego se encuentra
los cambios de v
ce
y v
be
.


FIGURA 2.5.6. Determinacin grfica del parmetro h
re
.

Sustituyendo los valores que se muestran en la grfica h
re
es igual a:
4
3
b
3
b ce
be
re
10 x 4
20
10 x 8
A 15 i 0 20
10 x ) 725 733 (
te tan cons i v
v
h | |


= =
=

=
=

=

CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 107

El procedimiento realizado para determinar los parmetros h en emisor
comn, puede tambin utilizarse para los parmetros h en base y colector comn,
empleando las curvas caractersticas de entrada y salida apropiadas.
Hemos visto que, dado un punto de reposo, pueden calcularse los
parmetros h partiendo de las pendientes y separacin entre las curvas en este
punto. Puesto que, en general, las curvas caractersticas no son lneas rectas ni
igualmente espaciadas para incrementos iguales de la corriente de base o la
tensin colector-emisor, es evidente que los valores de los parmetros h dependen
de la situacin del punto Q sobre las curvas. Entonces, nos cabe preguntar: cuales
son los valores de los parmetros h a diferentes puntos de operacin?, para
resolver esta incgnita se tienen ciertas curvas que suministran los fabricantes del
transistor. En la Figura 2.5.7 se indica el efecto de la corriente de colector sobre
los parmetros h y en la Figura 2.5.8 se muestra la variacin de la magnitud de los
parmetros h con el cambio en la tensin colector-emisor; ambas curvas se
encuentran normalizadas de manera que se pueda determinar el cambio relativo
fcilmente y poder efectuar la comparacin entre los dos grupos de curvas.


FIGURA 2.5.7. Variaciones de los parmetros hbridos con la corriente de
colector.
108 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

FIGURA 2.5.8. Variaciones de los parmetros hbridos con la tensin colector-
emisor.

Para ver cmo se calculan los parmetros a un punto de operacin
especfico, vamos a suponer a un transistor que tenga las variaciones de los
parmetros de la Figura 2.5.7 y 2.5.8, y con un punto esttico de I
CQ
= 5mA y
V
CEQ
= 10V. En primer lugar, se investigar los valores de referencia de los
parmetros h a partir de las hojas de datos del fabricante del transistor. Por
ejemplo, para el transistor BC107B los valores nominales de los parmetros h con
I
C
= 2mA y V
CE
= 5V son:
h
ie
= 4.5k h
re
= 2x10
-1
h
fe
= 330 h
oe
= 30mhos
Ahora con I
CQ
= 5mA se entra al grfico de la Figura 2.5.7 y se anota los valores
de las abscisas, obteniendo los siguientes valores normalizados de los parmetros:
h
ie
= 0.42 h
re
= 0.72 h
fe
= 1.1 h
oe
= 2.4
Luego se corrige para V
CEQ
= 10V en la grfica de la Figura 2.5.8, obteniendo los
siguientes valores normalizados:
h
ie
= 1.1 h
re
= 0.92 h
fe
= 1.1 h
oe
= 0.86
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 109

Los valores reales de los parmetros h en el punto de funcionamiento, que se ha
desplazado de los valores de referencia, tanto en tensin como en corriente, se
determinan por la relacin siguiente:
parmetro h valor factor factor
en el nuevo = nominal * normalizado * normalizado (2.5.7)
punto Q de corriente de tensin
Sustituyendo los valores, se obtiene los valores de los parmetros en el punto de
operacin:
h
ie
= 4500*0.42*1.1 = 2079
h
re
= 0.2*0.72*0.92 = 0.132
h
fe
= 330*1.1*1.1 = 399.3
h
oe
= 30*2.4*0.86 = 61.92mhos
Los parmetros h tambin dependen de la temperatura, en la Figura 2.5.9
se muestra la variacin de los parmetros con respecto a los cambios en la
temperatura de unin.


FIGURA 2.5.9. Variaciones de los parmetros hbridos con la temperatura.

Se considera el valor de normalizacin igual al de la temperatura
ambiente T=25C. En general, todos los parmetros incrementan su magnitud con
la temperatura. Sin embargo, el parmetro menos afectado es h
oe
, en tanto que la
impedancia de entrada h
ie
cambia con mayor velocidad. El hecho de que h
fe

cambie del 50% de su valor normalizado a 50C hasta 150% de su valor
normalizado a 150C indica claramente que la temperatura de operacin debe
considerarse con todo cuidado en el diseo de circuitos con transistores.
Un punto que es importante resaltar, es la diferencia que existe en la
definicin entre el parmetro h
fe
y

el beta () del transistor. Recordemos, en el
parmetro h
fe
, con la tensin de colector-emisor constante V
CEQ
(con el fin de
eliminar el efecto Early) cambios en la corriente de base en un incremento i
b
y
110 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA
cambios en la corriente de colector en un incremento i
c
; h
fe
en el punto de
operacin se define por la ecuacin 2.5.3, el hecho de que V
CE
se mantiene
constante implica que la tensin incremental v
ce
es cero. El se define como la
razn o cociente de la corriente total en el colector y la corriente total en la base
cuando el transistor se encuentra operando en la zona activa, para ser ms
especficos, s el transistor est operando a una corriente de base I
BQ
, a una
corriente de colector I
CQ
y a una tensin de colector-emisor V
CEQ
(cantidades que
definen el punto de operacin o polarizacin) la razn de I
CQ
a I
BQ
se llama
algunos fabricantes lo llaman h
FE
; en la siguiente ecuacin se tiene la definicin:

BQ
CQ
I
I
= (2.5.8)
Por lo tanto, cuando se realiza el anlisis a pequea seal se utiliza el h
fe

y s se est analizando un circuito en la condicin esttica se utiliza el . La
diferencia en valor entre el y el h
fe
es por lo general pequea, y normalmente no
hay distincin entre las dos. Muchas literaturas emplean de forma indiferentes
ambos parmetros, pero, hay que tener muy en cuenta su definicin.
Hasta ahora se ha estudiado el concepto de pequea seal, las ecuaciones
que rigen el comportamiento del transistor BJT a partir de la teora de cuadripolo
y por ltimo los parmetros hbridos. Por consiguiente, ya podemos realizar el
anlisis de un circuito amplificador en pequea seal empleando los parmetros
hbridos. Cuando se tiene un transistor BJT en un circuito amplificador, la manera
rigurosa de realizar su anlisis para determinar las caractersticas deseadas del
circuito es: sustituir el transistor por su circuito equivalente, mostrado en la Figura
2.5.2, y plantear las ecuaciones circuitales a travs de la teora de anlisis de
redes. Las principales caractersticas de un amplificador son: la ganancia de
tensin, ganancia de corriente, impedancia de entrada e impedancia de salida.
Un mtodo utilizado para el anlisis en pequea seal con parmetros
hbridos es el Amplificador Completamente Cargado [Martini B. Juan J.]. Este
mtodo, se basa en la teora de redes para llegar a las diferentes relaciones
deseadas sin importar el tipo de configuracin del transistor, ya que se derivan las
ecuaciones con respecto a todos los terminales. En el amplificador a estudiar, el
circuito externo en cada uno de los tres terminales del transistor es sustituido por
su equivalente Thvenin; obtenindose de sta forma el Amplificador
Completamente Cargado como se muestra en la Figura 2.5.10.
Del circuito se presentan las impedancias de entrada
33 22 11
Z y Z , Z . El
terminal 1 representa la Base, el terminal 2 el Colector y el terminal 3 el Emisor.
Las tensiones
3 2 1
V y V , V son las tensiones de Thvenin y son fuentes
independientes.
3 2 1
Z y Z , Z son las impedancias de Thvenin. Para el clculo de
las ganancias, se utiliza una de las fuentes Thvenin como entrada y se colocan
las restantes a cero; empleando el teorema de superposicin, se pueden definir
todas las relaciones terminales requeridas en un caso particular. Las relaciones
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 111

definidas se refieren a la nomenclatura de la Figura 2.5.10. La representacin es
independiente del tipo de transistor npn o pnp.
+
-
11
Z
1
v , 1 1
i
1
Z
1
V
+
-
3
Z
3
V
33
Z
3
i
3
v , 3
22
Z
2
v , 2
2
i
+
-
2
Z
2
V

FIGURA 2.5.10. Amplificador Completamente Cargado.

En la Figura 2.5.11 se presenta el circuito equivalente del transistor con
sus parmetros h cargado completamente.

+
-
11
Z
1
v , 1 1
i
1
Z
1
V
+
-
+
-
3
Z
3
V
33
Z
3
i
3
v , 3
22
Z
2
v , 2
2
i
+
-
2
Z
2
V
i
h
23 r
v h
1 f
i h
o
h

FIGURA 2.5.11. Amplificador Completamente Cargado con el circuito equivalente del
transistor.

112 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA
Seguidamente, se determinar todas las relaciones existentes de ganancia
de tensin, ganancia de corriente e impedancias de entrada del transistor
utilizando el Amplificador Completamente Cargado. Puesto que h
r
es por lo
general una cantidad relativamente pequea su eliminacin se aproxima mediante
h
r
0 y h
r
v
23
= 0 lo que da lugar a un equivalente en corto circuito, la resistencia
determinada mediante 1/h
o
es por lo comn lo suficientemente grande como para
ignorarse en comparacin con la carga en paralelo resultando que puede
sustituirse por un equivalente en circuito abierto. Entonces, por simplificacin, se
emplea el circuito equivalente del transistor (Figura 2.5.2) con h
r
= h
o
= 0 y el
modelo empleado es en base a los parmetros emisor comn, ver Figura 2.5.12.

i
b
h
ie
h
fe
i
b
B
E
C

FIGURA 2.5.12. Circuito equivalente simplificado del transistor con parmetros
en emisor comn.

Cabe resaltar, que aunque se aplique los parmetros en emisor comn
(debido a que se encuentran con mayor frecuencia en los manuales de los
fabricantes de transistores) las relaciones a obtener se deducen con respecto a
todos los terminales, por lo tanto, se puede cambiar los parmetros cuando se
desee.

1) Ganancia de Tensin entrando por
1
V y saliendo por
2
v (Colector).
Entrando por Base y Saliendo por Colector.
La ganancia correspondiente es:

0 V V V
v
Av
3 2 1
2
v V
|
2 1
= =
=
Sustituyendo el equivalente Thvenin en el circuito externo del transistor para
obtener el Amplificador Completamente Cargado se tiene:

CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 113

+
-
1
1
i
1
Z
1
V
3
Z
2
v , 2
2
i
2
Z
B
C

FIGURA 2.5.13. Amplificador Completamente Cargado caso 1).

Sustituyendo el circuito equivalente del transistor:

b
i
1
Z
1
V
3
Z
2
v , 2
2
Z
B
C
+
-
b b fe
i i h +
b fe
i h
ie
h b fe
i h

FIGURA 2.5.14. Amplificador Completamente Cargado con el circuito
equivalente del transistor para el caso 1).

Planteando las ecuaciones circuitales:

2 b fe 2
Z i h v = (2.5.9)

3 fe ie 1
1
b 3 b b fe ie b 1 b 1
Z ) 1 h ( h Z
V
i Z ) i i h ( h i Z i V
+ + +
= + + + = (2.5.10)
Sustituyendo 2.5.10 en 2.5.9:

3
Z ) 1
fe
h (
ie
h
1
Z
2
Z
fe
h
1
V
2
v
Z ) 1 h ( h Z
V Z h
v
3 fe ie 1
1 2 fe
2
+ + +

=
+ + +

= (2.5.11)
Ganancia de Corriente entrando por Base y Saliendo por Colector.
La ganancia correspondiente es:

1
2
i i
i
i
Ai
2 1
=

b fe 2
i h i =
b 1
i i =
114 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

fe
h
i
i h
i
i
Ai
b
b fe
1
2
i i
2 1
= = =
Nota: Las corrientes entrantes al transistor se consideran positivas.

2) Ganancia de Tensin entrando por
1
V y saliendo por
3
v (Emisor).
Entrando por Base y Saliendo por Emisor.
La ganancia correspondiente es:

0 V V V
v
Av
3 2 1
3
v V
|
3 1
= =
=
Sustituyendo el equivalente Thvenin en el circuito externo del transistor para
obtener el Amplificador Completamente Cargado se tiene:

+
-
1
1
i
1
Z
1
V 3
Z
3
v , 3
3
i
2
Z
B
E

FIGURA 2.5.15. Amplificador Completamente Cargado caso 2).

Sustituyendo el circuito equivalente del transistor:

b
i
1
Z
1
V
3
Z
3
v , 3
2
Z
B
E
+
-
b b fe
i i h +
ie
h b fe
i h

FIGURA 2.5.16. Amplificador Completamente Cargado con el circuito
equivalente del transistor para el caso 2).

Planteando las ecuaciones circuitales:
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 115


3 b fe 3 b b fe 3
Z i ) 1 h ( Z ) i i h ( v + = + = (2.5.12)

3 fe ie 1
1
b 3 b b fe ie b 1 b 1
Z ) 1 h ( h Z
V
i Z ) i i h ( h i Z i V
+ + +
= + + + = (2.5.13)
Sustituyendo 2.5.13 en 2.5.10:

3
Z ) 1
fe
h (
ie
h
1
Z
3
Z ) 1
fe
h (
1
V
3
v
Z ) 1 h ( h Z
V Z ) 1 h (
v
3 fe ie 1
1 3 fe
3
+ + +
+
=
+ + +
+
= (2.5.14)
Ganancia de Corriente entrando por Base y Saliendo por Emisor.
La ganancia correspondiente es:

1
3
i i
i
i
Ai
3 1
=
) 1 h ( i i
fe b 3
+ =
b 1
i i =
) 1
fe
h (
i
) 1 h ( i
i
i
Ai
b
fe b
1
3
i i
3 1
+ =
+
= =

3) Ganancia de Tensin entrando por
3
V y saliendo por
2
v (Colector).
Entrando por Emisor y Saliendo por Colector.
La ganancia correspondiente es:

0 V V V
v
Av
2 1 3
2
v V
|
2 3
= =
=
Sustituyendo el equivalente Thvenin en el circuito externo del transistor para
obtener el Amplificador Completamente Cargado se tiene:

+
-
3
2
i
1
Z
3
V
3
Z
2
v , 2
3
i
2
Z
C
E

FIGURA 2.5.17. Amplificador Completamente Cargado caso 3).

Sustituyendo el circuito equivalente del transistor:

116 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA
1
Z
3
V
3
Z
2
v , 2
2
Z
C
E
+
-
b b fe
i i h +
ie
h
b fe
i h
b fe
i h
b
i

FIGURA 2.5.18. Amplificador Completamente Cargado con el circuito
equivalente del transistor para el caso 3).

Planteando las ecuaciones circuitales:

2 b fe 2
Z i h v = (2.5.15)

3 fe ie 1
3
b 1 b ie b 3 b b fe 3
Z ) 1 h ( h Z
V
i Z i h i Z ) i i h ( V
+ + +

= + = (2.5.16)
Sustituyendo 2.5.16 en 2.5.15:

3
Z ) 1
fe
h (
ie
h
1
Z
2
Z
fe
h
3
V
2
v
Z ) 1 h ( h Z
V Z h
v
3 fe ie 1
3 2 fe
2
+ + +
=
+ + +
= (2.5.17)
Ganancia de Corriente entrando por Emisor y Saliendo por Colector.
La ganancia correspondiente es:

3
2
i i
i
i
Ai
2 3
=
b fe 2
i h i = ) i h i ( i
b fe b 3
+ =

1
fe
h
fe
h
i ) 1 h (
i h
i
i
Ai
b fe
b fe
3
2
i i
2 3
+

=
+

= =
4) Ganancia de Tensin entrando por
3
V y saliendo por
1
v (Base).
Entrando por Emisor y Saliendo por Base.
La ganancia correspondiente es:

0 V V V
v
Av
2 1 3
1
v V
|
1 3
= =
=
Sustituyendo el equivalente Thvenin en el circuito externo del transistor para
obtener el Amplificador Completamente Cargado se tiene:

CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 117

+
-
3
1
i
1
Z
3
V
3
Z
1
v , 1
3
i
2
Z
B
E

FIGURA 2.5.19. Amplificador Completamente Cargado caso 4).

Sustituyendo el circuito equivalente del transistor:

1
Z
3
V
3
Z
1
v , 1
2
Z
B
E
+
-
b b fe
i i h +
ie
h
b fe
i h
b
i

FIGURA 2.5.20. Amplificador Completamente Cargado con el circuito
equivalente del transistor para el caso 4).

Planteando las ecuaciones circuitales:

1 b 1
Z i v = (2.5.18)

3 fe ie 1
3
b 1 b ie b 3 b b fe 3
Z ) 1 h ( h Z
V
i Z i h i Z ) i i h ( V
+ + +

= + = (2.5.19)
Sustituyendo 2.5.19 en 2.5.18:

3
Z ) 1
fe
h (
ie
h
1
Z
1
Z
3
V
1
v
Z ) 1 h ( h Z
V Z
v
3 fe ie 1
3 1
1
+ + +
=
+ + +
= (2.5.20)
Ganancia de Corriente entrando por Emisor y Saliendo por Base.
La ganancia correspondiente es:

3
1
i i
i
i
Ai
1 3
=

b 1
i i = ) i h i ( i
b fe b 3
+ =
118 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

1
fe
h
1
i ) 1 h (
i
i
i
Ai
b fe
b
3
1
i i
1 3
+

=
+

= =
5) Ganancia de Tensin entrando por
2
V y saliendo por
3
v (Emisor).
Entrando por Colector y Saliendo por Emisor.
La ganancia correspondiente es:

0 V V V
v
Av
3 1 2
3
v V
|
3 2
= =
=
Sustituyendo el equivalente Thvenin en el circuito externo del transistor para
obtener el Amplificador Completamente Cargado se tiene:

+
-
2
i
3
Z
1
V
2
Z
3
v
3
, 3
i
2
Z
2
E
C

FIGURA 2.5.21. Amplificador Completamente Cargado caso 5).

Sustituyendo el circuito equivalente del transistor:

1
Z
2
V
3
Z
3
v , 3
2
Z
E
C
+
-
b b fe
i i h +
ie
h b fe
i h
b
i
2 b fe
i h

FIGURA 2.5.22. Amplificador Completamente Cargado con el circuito
equivalente del transistor para el caso 5).

Planteando las ecuaciones circuitales:

3 b fe 3 b b fe 3
Z i ) 1 h ( Z ) i i h ( v + = + = (2.5.21)
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 119


3 fe ie 1
b 1 b ie b 3 b b fe
Z ) 1 h ( h Z
0
i 0 Z i h i Z ) i i h (
+ + +
= = + + + (2.5.22)
Sustituyendo 2.5.22 en 2.5.21:
0
2
V
3
v
0 v
3
= = (2.5.23)
Ganancia de Corriente entrando por Colector y Saliendo por Emisor.
La ganancia correspondiente es:

2
3
i i
i
i
Ai
3 2
=
0 ) i h i ( i
b fe b 3
= + = , esta corriente es cero por
ser cero la corriente de base y adems la corriente del colector es cero, ya que la
fuente dependiente es funcin de la corriente de base, por lo tanto, la ganancia de
corriente es: 0
i
i
Ai
2
3
i i
3 2
= =
6) Ganancia de Tensin entrando por
2
V y saliendo por
1
v (Base).
Entrando por Colector y Saliendo por Base.
La ganancia correspondiente es:

0 V V V
v
Av
3 1 2
1
v V
|
1 2
= =
=
Sustituyendo el equivalente Thvenin en el circuito externo del transistor para
obtener el Amplificador Completamente Cargado se tiene:

+
-
2
1
i
1
Z
2
V
3
Z
1
v , 1
2
i
2
Z
B
C

FIGURA 2.5.23. Amplificador Completamente Cargado caso 6).

Sustituyendo el circuito equivalente del transistor:

120 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA
1
Z
2
V
3
Z
1
v , 1
2
Z
B C
+
-
b b fe
i i h +
ie
h b fe
i h
b
i
2 b fe
i h

FIGURA 2.5.24. Amplificador Completamente Cargado con el circuito
equivalente del transistor para el caso 6).

Planteando las ecuaciones circuitales:

1 b 1
Z i v = (2.5.24)

3 fe ie 1
b 1 b ie b 3 b b fe
Z ) 1 h ( h Z
0
i 0 Z i h i Z ) i i h (
+ + +
= = + + + (2.5.25)
Sustituyendo 2.5.22 en 2.5.21:
0
2
V
1
v
0 v
1
= = (2.5.26)
Ganancia de Corriente entrando por Colector y Saliendo por Base.
La ganancia correspondiente es:

2
1
i i
i
i
Ai
1 2
=
0 i i
b 1
= = , la corriente de base es cero y la
corriente del colector es cero, ya que la fuente dependiente es funcin de la
corriente de base, por lo tanto, la ganancia de corriente es: 0
i
i
Ai
2
1
i i
1 2
= =

Impedancia de Entrada en el Terminal de la Base (
11
Z )
El circuito del Amplificador Completamente Cargado es:

CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 121

+
-
11
Z
1
I
V
3
Z
2
Z
B

FIGURA. 2.5.25. Circuito Amplificador Completamente Cargado para determinar
la impedancia
11
Z

Sustituyendo el circuito equivalente del transistor:

3
Z
1
2
Z
B
b b fe
i i h +
ie
h
b fe
i h
b
i
I
+
-
V

FIGURA 2.5.26. Amplificador Completamente Cargado con el circuito
equivalente para determinar la impedancia
11
Z .

La impedancia
11
Z es:

I
V
11
Z =
La corriente I es:

b
i I =
La tensin V es:

3 b b fe ie b
Z ) i i h ( h i V + + =
Por lo tanto, la impedancia es:

3
Z ) 1
fe
h (
ie
h
i
Z ) i i h ( h i
11
Z
b
3 b b fe ie b
+ + =
+ +
=
122 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA
Impedancia de Entrada en el Terminal del Colector (
22
Z )
El circuito del Amplificador Completamente Cargado es:

1
Z
3
Z
22
Z
1
I
+
- V
C

FIGURA. 2.5.27. Circuito Amplificador Completamente Cargado para determinar
la impedancia
22
Z

Sustituyendo el circuito equivalente del transistor:

3
Z
2
1
Z
C
b b fe
i i h +
ie
h
b fe
i h
I
+
-
V

FIGURA 2.5.28. Amplificador Completamente Cargado con el circuito
equivalente para determinar la impedancia
22
Z .

La impedancia
22
Z es:

I
V
22
Z =
La corriente I es:
0 i h I
b fe
= =
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 123

Como la corriente de base es igual a cero por la fuente dependiente no circula
corriente, por lo tanto, el equivalente de la fuente es un abierto y la impedancia
22
Z es infinita.
=
22
Z

Impedancia de Entrada en el Terminal del Emisor (
33
Z )
El circuito del Amplificador Completamente Cargado es:

1
Z
2
Z
3
I
+
-
V
E

FIGURA. 2.5.29. Circuito Amplificador Completamente Cargado para determinar
la impedancia
33
Z

Sustituyendo el circuito equivalente del transistor:

2
Z
3
1
Z
E
b b fe
i i h +
ie
h
b fe
i h
I
+
-
V

FIGURA 2.5.30. Amplificador Completamente Cargado con el circuito
equivalente para determinar la impedancia
33
Z .
La impedancia
33
Z es:

I
V
33
Z =
124 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA
La corriente I es:
) i i h ( I
b b fe
+ =
La tensin V es:

ie b 1 b
h i Z i V =
Por lo tanto, la impedancia es:

1 h
h Z
) i i h (
h i Z i
33
Z
fe
ie 1
b b fe
ie b 1 b
+
+
=
+

=

En el caso de tomar en cuenta el modelo completo del transistor, las
relaciones de ganancias de tensin, ganancias de corriente e impedancia se
indican a continuacin:
Entrando por Base y Saliendo por Colector.
Ganancia de Tensin:
[ ]
3 2 1 ie oe re fe 2 re fe 2 oe 1 ie
2 3 oe fe
1
2
v V
Z ) Z Z h ( h ) h 1 )( h 1 ( Z h h ) Z h 1 )( Z h (
Z ) Z h h (
V
v
Av
2 1
+ + + + + + +

= =
Ganancia de Corriente:
) Z Z ( h 1
Z h h
i
i
Ai
3 2 oe
3 oe fe
1
2
i i
2 1
+ +

= =
Entrando por Base y Saliendo por Emisor.
Ganancia de Tensin:
[ ]
3 2 1 ie oe re fe 2 re fe 2 oe 1 ie
2 3 oe fe
1
3
v V
Z ) Z Z h ( h ) h 1 )( h 1 ( Z h h ) Z h 1 )( Z h (
Z ) Z h h 1 (
V
v
Av
3 1
+ + + + + + +
+ +
= =
Ganancia de Corriente:
) Z Z ( h 1
Z h h 1
i
i
Ai
3 2 oe
3 oe fe
1
3
i i
3 1
+ +
+ +
= =

Entrando por Emisor y Saliendo por Colector.
Ganancia de Tensin:
[ ]
[ ]
3 2 1 ie oe re fe 2 re fe 2 oe 1 ie
2 re fe 1 ie oe
3
2
v V
Z ) Z Z h ( h ) h 1 )( h 1 ( Z h h ) Z h 1 )( Z h (
Z ) 1 h ( h ) Z h ( h
V
v
Av
2 3
+ + + + + + +
+
= =
Ganancia de Corriente:
) Z Z h ( h ) h 1 )( h 1 (
) Z h ( h ) 1 h ( h
i
i
Ai
2 1 ie oe re fe
1 ie oe re fe
3
2
i i
2 3
+ + + +
+
= =
Entrando por Emisor y Saliendo por Base.
Ganancia de Tensin:
[ ]
3 2 1 ie oe re fe 2 re fe 2 oe 1 ie
1 re 2 oe
3
1
v V
Z ) Z Z h ( h ) h 1 )( h 1 ( Z h h ) Z h 1 )( Z h (
Z ) h Z h 1 (
V
v
Av
1 3
+ + + + + + +
+
= =

CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 125

Ganancia de Corriente:
) Z Z h ( h ) h 1 )( h 1 (
Z h 1 h
i
i
Ai
2 1 ie oe re fe
2 oe re
3
1
i i
1 3
+ + + +

= =

Entrando por Colector y Saliendo por Emisor.
Ganancia de Tensin:
[ ]
[ ]
3 2 1 ie oe re fe 2 re fe 2 oe 1 ie
3 fe re 1 ie oe
2
3
v V
Z ) Z Z h ( h ) h 1 )( h 1 ( Z h h ) Z h 1 )( Z h (
Z ) h 1 ( h ) Z h ( h
V
v
Av
3 2
+ + + + + + +
+ +
= =
Ganancia de Corriente:
re fe 3 1 ie oe
1 ie oe fe re
2
3
i i
h h ) Z Z h ( h
) Z h ( h ) h 1 ( h
i
i
Ai
3 2
+ +
+ +
= =
Entrando por Colector y Saliendo por Base.
Ganancia de Tensin:
[ ]
3 2 1 ie oe re fe 2 re fe 2 oe 1 ie
1 3 oe re
2
1
v V
Z ) Z Z h ( h ) h 1 )( h 1 ( Z h h ) Z h 1 )( Z h (
Z ) Z h h (
V
v
Av
1 2
+ + + + + + +

= =
Ganancia de Corriente:
re fe 3 1 ie oe
3 oe re
2
1
i i
h h ) Z Z h ( h
Z h h
i
i
Ai
1 2
+ +
+
= =

Impedancia de Entrada en el Terminal de la Base (
11
Z )
[ ]
) Z Z ( h 1
Z h h Z Z h ) h 1 )( h 1 (
h Z
3 2 oe
2 re fe 3 2 oe re fe
ie 11
+ +
+ +
+ =

Impedancia de Entrada en el Terminal del Colector (
22
Z )
[ ]
re fe 3 1 ie oe
3 1 ie oe re fe 1 ie
22
h h ) Z Z h ( h
Z ) Z h ( h ) h 1 )( h 1 ( Z h
Z
+ +
+ + + + +
=

Impedancia de Entrada en el Terminal del Emisor (
33
Z )
) Z Z h ( h ) h 1 )( h 1 (
Z h h ) Z h 1 )( Z h (
Z
2 1 ie oe re fe
2 re fe 2 oe 1 ie
33
+ + + + +
+ +
=

2.5.1 Modelo hibrido- del Transistor BJT
Otro modelo de dos puertos que se dispone en el estudio de circuitos de
transistores es el modelo hbrido-, donde su circuito equivalente se deduce de la
composicin interna del dispositivo. Este modelo es importante cuando el
transistor se utiliza en alta frecuencia, ya que incluye los efectos de los parmetros
que se vuelven significativos en alta frecuencia. En la Figura 2.5.1.1 est
126 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA
representado el circuito equivalente hbrido- del transistor a baja frecuencia y a
pequea seal conectado en emisor comn.

+
-
i
b
i
c
B
C
E
E
'
bb
r
e b
v
'
e b
r
'
c b
r
'
e b
v g
' m
ce
r

FIGURA 2.5.1.1. Circuito equivalente hbrido- del transistor a baja frecuencia y
a pequea seal en emisor comn.

La resistencia
e
'
b
r representa la resistencia incremental del diodo base
emisor a la corriente en reposo I
B
, es decir, la resistencia de la unin emisor-base
polarizada en directo. Corrientemente
e
'
b
r tiene valores comprendidos entre unos
pocos centenares y varios millares de ohmios. La resistencia incremental
c
'
b
r tiene en cuenta la realimentacin (modulacin del ancho de base) entre la
entrada y la salida, debida al efecto Early, por su alto valor (varios de
megaohmios) muchas veces en los clculos se desprecia. El acoplamiento entre
uniones se representa en el modelo por la fuente de corriente controlada por
tensin
e
'
b
v
m
g y es proporcional a la corriente de entrada i
b
. La resistencia
ce
r
tambin es consecuencia del efecto Early y su valor est comprendido tpicamente
entre unas decenas y unas centenas de kiloohmios. La resistencia
'
bb
r es la
resistencia de dispersin de la base y tiene en cuenta la cada de tensin en el
recorrido entre el contacto de la base y la regin activa de la base (entre b y e)
bajo el emisor; esta resistencia decrece al aumentar los niveles de corriente,
estando sus valores tpicos entre 40 y 400.
Los parmetros del modelo hbrido e hbrido- estn relacionados entre
s de la siguiente manera:
1) La corriente de salida del circuito con la salida en corto circuito es
e
'
b
v
m
g en
un caso y
b
i
fe
h en el otro. Como
fe
h es la ganancia de corriente en
cortocircuito, entonces:
b
i
fe
h
e
'
b
v
m
g =
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 127

si se toma
c
'
b
r
e
'
b
r
b
i
e
'
b
v = y
b
i
fe
h
e
'
b
r
b
i
m
g = , por lo tanto:

e
'
b
r
m
g
fe
h =
de donde:

m
g
fe
h
e
'
b
r = (2.5.1.1)
2) Con la entrada abierta,
ce
V
e
'
b
V
re
h = es la ganancia inversa de tensin. A la
vez:
e
'
b
r
re
h
e
'
b
r
c
'
b
r
c
'
b
r
e
'
b
r
e
'
b
r
ce
V
e
'
b
V
=
+
= (2.5.1.2)
se nota que es un valor muy grande dado que
re
h es siempre muy
pequeo, donde se puede aproximar a la ecuacin 2.5.1.2 en:

re
h
e
'
b
r
c
'
b
r (2.5.1.3)
3) La impedancia de entrada con la salida en corto circuito ( 0 V
ce
= )
e
'
b
r
ie
h
'
bb
r
e
'
b
r
'
bb
r
ie
h = + = (2.5.1.4)
4) Con la entrada en circuito abierto se determina
oe
h (la admitancia de salida):

e
'
b
v
m
g
c
'
b
r
e
'
b
r
ce
V
ce
r
ce
V
c
i +
+
+ =
c
'
b
r
e
'
b
r
e
'
b
r
ce
V
m
g
c
'
b
r
e
'
b
r
ce
V
ce
r
ce
V
c
i
+
+
+
+ =

+
+
+
+ =
c
'
b
r
e
'
b
r
e
'
b
r
m
g
c
'
b
r
e
'
b
r
1
ce
r
1
ce
V
c
i
de donde:

c
'
b
r
e
'
b
r
1
e
'
b
r
m
g
ce
r
1
ce
V
c
i
oe
h
+
+
+ = =
sustituyendo
e
'
b
r
m
g
fe
h = y despejando 1/r
ce
queda:
128 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

c
'
b
r
e
'
b
r
1
fe
h
oe
h
ce
g
ce
r
1
+
+
= = (2.5.1.5)
Normalmente se desprecia
oe
h y
re
h en el modelo de los parmetros hbridos y
as mismo se desprecia
ce
g y
c b
' g en el modelo hbrido-. Por consiguiente, el
modelo simplificado se ve en la Figura 2.5.1.2.

+
-
i
b
i
c
B
C
E
E
'
bb
r
e b
v
'
e b
r
'
e b
v g
' m

FIGURA 2.5.1.2. Modelo simplificado hbrido-.

2.6 Bibliografa
BOYLESTAD R. & NASHELSKY L., Electrnica Teora de Circuitos,
Prentice-Hall Hispanoamericana, S.A., Cuarta Edicin.

CHIRLIAN PAUL M., Anlisis y Diseo de Circuitos Electrnicos, McGraw-
Hill, 1967.

CUTLER PH., Anlisis de Circuitos con Semiconductores, McGraw-Hill, 1967.

GRAY PAUL R. & MEYER ROBERT G., Anlisis y Diseo de Circuitos
Integrados Analgicos, Prentice-Hall Hispanoamericana, S.A., Tercera Edicin.

HORENSTEIN MARK N., Microelectrnica: Circuitos y Dispositivos,
Prentice-Hall Hispanoamericana, S.A., Segunda Edicin.

MARTINI B. JUAN J., Transistor Completamente Cargado. Publicacin
Interna: Escuela de Ingeniera Elctrica, Facultad de Ingeniera, UCV, 1963.

MALIK NORBERT R., Circuitos Electrnicos. Anlisis, Diseo y Simulacin,
Prentice-Hall, 1998.

MILLMAN J. & HALKIAS CH. C., Dispositivos y Circuitos Electrnicos,
Ediciones Anaya, S.A., 1971.
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 129


MILLMAN J. & HALKIAS CH. C., Electrnica Integrada. Circuitos y Sistemas,
Analgicos y Digitales, Editorial Hispano Europea, S.A. Cuarta Edicin.

MILLMAN J. & GRABEL A., Microelectrnica, Editorial Hispano Europea,
S.A. Sexta Edicin.

RASHID MUHAMMAD H., Circuitos Microelectrnicos anlisis y diseo,
International Thomson Editores, 2000.

SAVANT C. J. Jr., RODEN M. S. & CARPENTER G. L., Diseo Electrnico.
Circuito y Sistemas. Addison-Wesley Iberoamericana. Segunda Edicin (Primera
en espaol).

SEDRA A. & SMITH K. C., Dispositivos Electrnicos y Amplificacin de
Seales, McGraw-Hill, 1991.

SCHILLING D. L. & BELOVE CH., Circuitos Electrnicos Discretos e
Integrados, Marcombo Boixareu Editores, Segunda Edicin.

SEARLE C. L., BOOTHROYD A. R., ANGELO Jr. E. J., GRAY P. E. &
PEDERSON D. O., Propiedades de Circuitos Elementales de los Transistores,
SEEC Tomo 3, Editorial Revert, S.A., 1971.

2.7 Preguntas y Problemas Propuestos
2.7.1 Cules son los tipos de BJT?.

2.7.2 Cules es la representacin esquemtica de los diferentes BJT?.

2.7.3 Cmo se denominan los terminales de un transistor BJT?.

2.7.4 Diga una estructura real tpica de un transistor BJT?.

2.7.5 Por qu en un transistor BJT planar la superficie ocupada por el emisor es
menor que la del colector?.

2.7.6 Por qu se coloca una pequea regin n
+
en el colector de un transistor BJT
planar?. Explique completamente su respuesta.

2.7.7 Dibujar el smbolo circuital del transistor npn y pnp indicando el sentido de
referencia de las corrientes y las polaridades de referencia para las tensiones.

2.7.8 Indique los modos de operacin del transistor BJT y sus diferentes
polarizaciones de las uniones.
130 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

2.7.9 Las mediciones de tres transistores pnp en un circuito en particular
proporcionan las tensiones siguientes:
Transistor 1 Transistor 2 Transistor 3
Emisor 5.3 7.3 4.9
Base 4.6 7.1 4.2
Colector 3.9 2.1 4.7
Indique el modo en el que cada uno est operando.

2.7.10 Por qu se utiliza el anlisis grfico de los circuitos con transistores?.

2.7.11 Es recomendable el uso del anlisis grfico de los circuitos con
transistores a pequea seal?. Qu inconveniente se presenta?.

2.7.12 Por qu se utiliza el criterio de la Mxima Excursin Simtrica para ubicar
el punto de operacin Q?. La Mxima Excursin Simtrica es una condicin de
diseo o anlisis?.

2.7.13 Siempre es necesaria y deseable la ubicacin del punto de operacin bajo
el criterio de la Mxima Excursin Simtrica?. Justifique su respuesta.

2.7.14 Cules son los modelos en corrientes continua del transistor BJT?.

2.7.15 Diga los pasos para analizar los circuitos con transistores BJT?.

2.7.16 De que maneras se puede deducir el circuito equivalente del transistor BJT?.

2.7.17 Qu teora se aplica para obtener el comportamiento en los terminales de
un transistor?.

2.7.18 Cules el circuito equivalente del transistor BJT a pequea seal con
parmetros hbridos?.

2.7.19 Cules la definicin de cada uno de los parmetros hbridos?.

2.7.20 Explique grficamente los parmetros hbridos segn su definicin.

2.7.21 Diga y explique brevemente un mtodo para el anlisis en pequea seal
con parmetros hbridos.

2.7.22 Cules la diferencia entre el parmetro h
fe
y el ?.

2.7.23 Cules el circuito equivalente simplificado del transistor BJT a pequea
seal con parmetros hbridos?.
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 131


2.7.24 Cules el circuito equivalente hbrido- del transistor BJT a pequea seal
y de donde se deduce?.

2.7.25 Determinar el punto de operacin del circuito de la Figura 2.7.25.1. Las
caractersticas del transistor se dan en la Figura 2.7.25.2.
V
CC
= -20V
R
C
=4000
R
B
=2000
V
o
V
BB

FIGURA 2.7.25.1. Circuito del problema 2.7.25.

FIGURA 2.7.25.2. Caractersticas del transistor para el problema 2.7.25.

132 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA
2.7.26 El transistor cuyas caractersticas se dan en la Figura 2.7.26.1 trabaja con el
circuito de la Figura 2.7.26.2. Determinar el punto de operacin Q.

FIGURA 2.7.26.1. Caractersticas del transistor para el problema 2.7.26.
C
v
i
V
CC
= -20V
R
B
=500k R
C
=4000
v
o
C

FIGURA 2.7.26.2. Circuito del problema 2.7.26.

CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 133

2.7.27 El transistor de la Figura 2.7.27.1 tiene las caractersticas dadas por la
Figura 2.7.27.2. Sabiendo que I
E
= 15mA hallar: a) I
C
y V
CB
, b) V
EB
y V
L
y c) Si
I
E
vara en I
E
=10mA simtricamente en torno al punto de operacin calculado
en a) siendo V
CB
constante, determinar el correspondiente cambio de I
C
.
R
L
=200 V
L
V
EB
v
CB
I
E
I
C
V
CC
=6V
C
B
E
+
-
+
-

FIGURA 2.7.27.1. Circuito del problema 2.7.27.

FIGURA 2.7.27.2. Caractersticas del transistor para el problema 2.7.27.

134 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA
2.7.28 Dado el transistor con las caractersticas que se indican en la Figura
2.7.28.1. Determinar el punto Q para el circuito de la Figura 2.7.28.2.

FIGURA 2.7.28.1. Caractersticas del transistor para el problema 2.7.28.
V
CC
= -40V
9.83k
200k

FIGURA 2.7.28.2. Circuito del problema 2.7.28.

CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 135

2.7.29 Disear el amplificador de la Figura 2.7.29.1 para un punto de operacin
V
CE
=10Vey I
C
=1mA. C, V
BE
=0.6Vy =260.
v
o
12V
R
2
v
i
R
1 R
E
=14k
C
C
-12V

FIGURA 2.7.29.1. Amplificador del problema 2.7.29.

2.7.30 Para el circuito de la Figura 2.7.30.1 hallar: Punto esttico de cada
transistor V
CEQ
e I
CQ
. Q1=Q2=Q3={; V
BE
= 0.63V}.
15V
R
C
R
C
= 1.8k
v
O
R
B
= 1.2k
R
e1
= 390
v
1
Q1 Q2 v
2
R
e2
= 2.4k
R
B
R
B
R
1
= 2.7k
R
2
= 1k
R
3
= 3k
R
e1
Q3
R
2
R
e2
R
3
R
1
-15V
R
C

FIGURA 2.7.30.1. Circuito del problema 2.7.30.

2.7.31 Hallar en el circuito de la Figura 2.7.31.1 el valor de la corriente (I), la
tensin de salida Vo y el valor de la resistencia R para que el circuito tenga la
corriente anterior (I). Q1=Q2=Q3={|V
BE
|= 0.7V; }. V
z
=7.5V I
z
= 30mA.

2.7.32 Hallar los puntos estticos de cada transistor (V
CEQ
e I
CQ
), para los circuitos
de la Figura 2.7.32.1a y la Figura 2.7.32.1b

respectivamente. Q1=Q2=Q3={;
V
BE
= 0.63V}, C.
136 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA
V
CC
=12V
Q2
V
CC
=12V
Q3
R
Q1
1k
Z V
o
I
1k

FIGURA 2.7.31.1. Circuito del problema 2.7.31.

12V
1.8k
v
O
1.5k
v
1
2.4k
V
D
= 0.6V
3k
Q3
-12V
Q1 Q2
v
2
C C
1.8k
1.5k
12V

12V
1.8k
v
O
1.5k
v
1
2.4k
V
D
= 0.6V
3k
Q3
-12V
Q1 Q2
v
2
C
C
1.8k
1.5k
12V
1.1k
1.1k

(a) (b)
FIGURA 2.7.32.1. Circuitos del problema 2.7.32.

2.7.33 Para el circuito de la Figura 2.7.33.1 determinar el valor de R1, R2, R3 y
R
C
. Sabiendo que V
CE1
=V
CE2
=V
CE3
=5V, I
C1
=I
C2
=1mA, R
E
=4.5K, I
z
=40mA, C
Q1=Q2:{=260 ; V
BE
=0.6V} Q3:{; V
BE
=0.6V}.

2.7.34 En el circuito de la Figura 2.7.34.1 (a) hallar V
BB
para la mxima excursin
simtrica y (b) Repetir la parte (a) suponiendo que el transistor se satura en
V
CE,SAT
=2V. =100 ; V
BE
=0.7V.

2.7.35 Cules es la mxima excursin de tensin para el amplificador de la
Figura 2.3.3.3?, donde V
CC
=15V, R
1
=8k, R
2
=2k, R
E
=1k, R
L
=1k,
V
BE
=0.7V y =80.
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 137


12V
R
C
v
O
v
1
V
Z
R3
Q3
-12V
Q1 Q2
v
2
C
C
12V
R1 R1
R
C
R
E
R2 R2

FIGURA 2.7.33.1. Circuito del problema 2.7.33.

6V
1k
i
i
100
V
BB
1k

FIGURA 2.7.34.1. Circuito del problema 2.7.34.

2.7.36 En el problema 2.7.35, redisese el amplificador para la mxima
excursin simtrica. Cules son los nuevos valores para R
1
, R
2
y V
o(p-p)
?.

2.7.37 En el amplificador de potencia de la Figura 2.7.37.1 calcular la mxima
excursin simtrica en la tensin de salida. Sabiendo que el arrollado del primario
del transformador tiene una resistencia de 3 en DC y en AC R
primario
=
a
2
*
R
secundario
donde a=3. C, V
BE
=0.6V y =290.

2.7.38 Calcular el punto de operacin Q de un amplificador bsico en
configuracin emisor comn, Figura 2.3.2, sabiendo que el transistor es cualquier
dispositivo indicado en las curvas 2.4.1.1.1 y 2.4.1.1.2. R
1
=10k, R
2
=43k,
R
C
=820, R
E
=180, V
CC
=12V y C.


138 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA
12V
R
L
= 50
R
1
R
C
= 1.5k
v
I
C
R
2
R
E2
= 62
C
R
E1
= 1.8k
v
O
P
R
I
M
A
R
I
O
S
E
C
U
N
D
A
R
I
O

FIGURA 2.7.37.1. Amplificador de potencia del problema 2.7.37.

2.7.39 Disear el amplificador bsico en configuracin emisor comn, Figura
2.3.2, para a) I
C
=6mA y b) I
C
=3mA, sabiendo que el transistor es cualquier
dispositivo indicado en las curvas 2.4.1.1.1 y 2.4.1.1.2. R
C
=820, R
E
=180,
V
CC
=12V y C.

2.7.40 En el amplificador de la Figura 2.7.40.1 calcular la ganancia de tensin a
frecuencias medias. Los transistores empleados en el circuito poseen los
parmetros que determinan la polarizacin (Vi=0) iguales y constantes: y
V
BE
= 0.65V; en cambio, los incrementales dependen del punto de operacin. Si la
corriente de colector se expresa en mA los parmetros incrementales se pueden
evaluar como: h
fe
=20I
C
; h
ie
=2.6/I
C
(dado en k); h
re
=h
oe
=0. C. R1=2k;
R2=620; R3=910; R4=1k; R5=150 V
CC
=12V.
R1
Vcc
R2
Vo
Vi Q1 Q2
R3
R4
R5 C

FIGURA 2.7.40.1. Amplificador del problema 2.7.40.

2.7.41 En el Amplificador de la Figura 2.7.41.1 calcular: Los puntos estticos de
cada transistor, Ganancia de tensin a frecuencias medias, Resistencia de entrada
CAPTULO 2 - TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR 139

y Resistencia de salida. Q1=Q2:{=100; V
BE
=0.6V; h
fe
=200; h
ie
=4.5k;
h
re
=h
oe
=0} C.
12V
2.5k
V
o
C
Q1 C
C
10k
10k
5k
500
100k
10k
1K
V
i

FIGURA 2.7.41.1. Amplificador del problema 2.7.41.

CAPTULO 3 - TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO 141


CAPTULO 3

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET)

El transistor de efecto de campo (FET, field-effect transistor) es un
dispositivo semiconductor cuyo funcionamiento est basado en el control de la
corriente mediante un campo elctrico, que a su vez se establece mediante una
tensin aplicada entre los terminales del dispositivo. El campo elctrico controla
el flujo de los portadores (o flujo de corriente) en un canal de conduccin y
depende slo de un tipo de portador: el portador mayoritario (electrones o huecos),
por esta razn, tambin se le llama al FET transistor unipolar. As, el FET es una
fuente de corriente controlada por tensin y tiene aplicaciones en los circuitos
digitales y analgicos como interruptor o conmutador y como amplificador
respectivamente.
El transistor de efecto de campo fue estudiado por primera vez como un
dispositivo de estado slido en 1952 por W. Shockley, pero, debido a sus
dificultades de fabricacin fue olvidado durante aos, luego gracias a los
progresos de las tcnicas de fabricacin, ha sido posible fabricar transistores FET
con caractersticas elctricas que les hacen particularmente interesantes en ciertas
aplicaciones circuitales. Hay dos tipos de transistores de efecto de campo: el
transistor de efecto de campo de unin (JFET, junction field-effect transistor) y el
transistor de efecto de campo metal-oxido-semiconductor (MOSFET, metal-
oxide-semiconductor field-effect transistor), este ltimo conocido tambin como
transistor de efecto de campo de puerta aislada (IGFET, insulated-gate field-effect
transistor).
Los JFET pueden combinarse con los transistores bipolares para obtener
circuitos lineales de alto rendimiento (se llaman circuitos BIFET). La estructura
de un JFET construido en arseniuro de galio con una unin de puerta metal-
semiconductor se conoce como el MESFET, un dispositivo adecuado para usarse
en circuitos amplificadores y lgicos en la frecuencia de los gigahertz.
Los FET tienen la particularidad de ser de fabricacin ms simple y de
ocupar menos espacio en un circuito integrado que los BJT. La densidad de
componentes resultante puede ser extraordinariamente alta, superando
frecuentemente los 100000 MOSFET en un solo circuito integrado. Otra ventajosa
cualidad es la de que los dispositivos MOS se pueden conectar como resistencias y
como condensadores. Esto posibilita disear sistemas formados exclusivamente de
MOSFET sin ningn otro componente. Aprovechando esta cualidad, el MOSFET
es el dispositivo dominante en los sistemas integrados a muy grande escala (VLSI)
para microprocesadores e integrados de memoria. Las ventajas del FET y ciertas
comparaciones generales entre los transistores FET y BJT son:
1) El FET es ms pequeo que el BJT; comparado con el transistor BJT,
particularmente el MOSFET es tan pequeo que slo ocupa del 20% al 30%
de la superficie de un circuito integrado que ocupa un BJT tpico. Los FET
142 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


pueden ser implantados muy densamente sobre una pastilla de circuito
integrado, por lo que son ampliamente utilizados en la integracin a gran
escala.
2) Los FET se pueden utilizar como resistencias en circuitos integrados; ya que
en una de sus zonas de funcionamiento acta como una resistencia controlada
por tensin y ocupan una superficie mucho menor sobre una pastilla de
circuito integrado que los resistores de circuitos integrados correspondiente.
3) El FET tiene una resistencia de entrada extremadamente alta con un valor
tpico de casi 100M (la resistencia de entrada tpica del BJT es de 2k). La
alta impedancia de entrada de los FET permite almacenar cargas el tiempo
suficiente para ser empleado como elemento de almacenamiento.
4) Los FET tienen la capacidad de disipar una potencia elevada y conmutar
corrientes intensas en varios nanosegundos permitindolo usar como
conmutador de alta potencia y alta frecuencia.
5) El FET constituye un excelente interruptor o muestreador de seal, ya que,
entre los terminales que se utilicen como interruptor presenta una cada de
tensin pequea, en el orden de las decenas de milivoltios.
6) El FET es relativamente inmune a la radiacin, el BJT es sumamente sensible
(beta es afectada).
7) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT y en consecuencia son
ms apropiados para etapas de entrada en amplificadores con bajo nivel de
seal, se emplean ampliamente en los receptores de FM de alta fidelidad.
8) El FET tiene un punto de operacin Q que es independiente de la temperatura.
9) En los FET el flujo de corriente es debido solamente por los portadores
mayoritarios, mientras que en el BJT la corriente es debida tanto a los
portadores mayoritarios como a los minoritarios.
Dentro de las desventajas que presentan los FET para ser utilizados en
algunas aplicaciones son:
1) Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta
capacitancia de entrada.
2) Los FET al manipularlos son susceptibles a daarse por efecto de la
electricidad esttica.
3) El FET tiene menor transconductancia (g
m
) que el BJT.

3.1 Introduccin a la Teora de Funcionamiento del JFET,
Constitucin Fsica. Curvas Caractersticas
Existen dos tipos de JFET: el de canal n y el de canal p. En la Figura
3.1.1a aparece el esquema de un JFET de canal n, que se construye empleando una
barra de material tipo n dentro de la cual se difunden un par de regiones tipo p. La
regin n se llama el canal y se forma a partir de un material ligeramente
impurificado (de baja conductividad) donde se colocan los contactos hmicos de
metal en cada extremo del canal, llamados fuente o surtidor (S, Source) y drenaje
o drenador (D, Drain). Las regiones de compuerta (G, Gate) se hacen con material
CAPTULO 3 - TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO 143


tipo p
+
impurificado en exceso (de alta conductividad) y se unen elctricamente
por medio de contactos hmicos de metal. El smbolo de un JFET de canal n se
representa en la Figura 3.1.1b, donde la flecha apunta de la regin de tipo p a la
regin de tipo n, o sea, en el sentido directo de la unin de compuerta a canal.
Aunque los JFET son por lo general simtricos (esto es, el drenaje y la fuente son
intercambiables), es conveniente en el diseo y en el anlisis de los circuitos con
JFET indicar cul terminal es la fuente. Es por esta razn, que algunas
bibliografas (por ejemplo, Dispositivos Electrnicos y Amplificacin de Seales,
A. SEDRA & K.C. SMITH) distinguen la fuente dibujando la lnea de la
compuerta ms cercana al surtidor que al drenaje (ver Figura 3.1.1c).

Canal de tipo n
p
+
p
+
S
Fuente,
Surtidor o
Source
G
Compuerta o
Gate
Drenaje o
Drain
D
Contactos hmicos
de metal D
G
S
D
G
S

(a) (b) (c)
FIGURA 3.1.1. Esquema y smbolo de un JFET de canal n.

Un JFET de canal p se elabora empleando una barra de material tipo p
(que forma el canal) con regiones difundidas tipo n, como se muestra en la Figura
3.1.2a, adems se observa que las regiones de compuerta (G) se hacen con
material tipo n
+
y se unen elctricamente por medio de contactos hmicos de
metal. El smbolo de un JFET de canal p aparece en la Figura 3.1.2b, la direccin
de la flecha es opuesta a la direccin de la flecha de canal n. En la Figura 3.1.2c se
encuentra otra simbologa del JFET de canal p.

Canal de tipo p
n
+
n
+
S
Fuente,
Surtidor o
Source
G
Compuerta o
Gate
Drenaje o
Drain
D
Contactos hmicos
de metal D
G
S
D
G
S

(a) (b) (c)
FIGURA 3.1.2. Esquema y smbolo de un JFET de canal p.

144 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


Los esquemas de las Figuras 3.1.1a y 3.1.2a permiten describir la
actuacin de los JFET y representan una vista lateral de la perspectiva detallada de
un JFET que aparece en la Figura 3.1.3.


FIGURA 3.1.3. Vista detallada de un JFET.

La estructura de la Figura 3.1.3 no es prctica, ya que implica dificultades
en la difusin de impurezas en ambos lados de la oblea del semiconductor. La
Figura 3.1.4 corresponde a la seccin recta de un JFET integrado planar de canal n
y muestra la geometra del JFET cuya difusin se realiza en un solo lado. El
sustrato es de tipo p, en el que se ha hecho crecer epitaxialmente un canal de tipo
n. Seguidamente se difunde una puerta tipo p en el canal tipo n. La vista superior
muestra cmo se hacen los contactos de aluminio con las regiones de fuente,
drenaje y puerta.


FIGURA 3.1.4. Estructura de un JFET integrado planar de canal n.

Seguidamente, se explicar el funcionamiento del dispositivo para un
JFET de canal n, pero, ste estudio es igualmente aplicable al caso de un JFET de
canal p donde hay que considerar las polaridades de las tensiones y el sentido de la
corriente opuestos al de canal n. En la Figura 3.1.5 se encuentra el circuito externo
para examinar la operacin del JFET de canal n, la fuente de tensin V
DD

corresponde a la fuente de alimentacin del dispositivo y la fuente de tensin V
GG

CAPTULO 3 - TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO 145


es la fuente de polarizacin de la compuerta. La tensin V
DD
proporciona una
tensin drenaje a fuente (V
DS
) que produce una corriente de drenaje (I
D
o I
DS
),
desde el drenaje hacia la fuente, esta corriente de drenaje atraviesa el canal
circundado por la compuerta tipo p. La tensin compuerta a fuente (V
GS
) que es
igual a V
GG
.


FIGURA 3.1.5. Circuito para la operacin bsica del JFET.

Para comenzar a entender el funcionamiento del JFET, se considera
primero la tensin V
GS
=0, con V
GG
=0, y se aplica un pequeo potencial positivo al
drenador. Puesto que hay una tensin positiva entre el drenador y el surtidor, los
electrones fluirn desde el surtidor hasta el drenador (el flujo de corriente es del
drenador al surtidor). Entre el surtidor (o drenador) y la puerta se tiene una unin
pn que fluye una corriente despreciable por la polarizacin inversa existente con el
potencial aplicado al drenador. La intensidad de la corriente que circula desde el
drenador hasta el surtidor depende inicialmente de la diferencia de potencial
drenador-surtidor V
DS
y la resistencia del material n existente en el canal entre el
drenador y el surtidor (r
ds
). Esta resistencia es funcin del dopado (cantidad de
impurezas) del material n y de la anchura, longitud y espesor del canal.
Cuando se aumenta el potencial del drenador-surtidor V
DS
, aumenta la
tensin del canal y, puesto que la puerta est a un potencial cero, el diodo pn
formado por la unin puerta-canal es polarizado an ms inversamente. Veamos
lo que sucede en el canal cuando esto ocurre. En la Figura 3.1.6 se muestra un
diodo polarizado en sentido inverso. Inicialmente los huecos del material p fluyen
hacia el terminal negativo de la batera y los electrones del material n fluyen hacia
el terminal positivo de la misma. El resultado de ello es la formacin de una
regin central de longitud l, que est carente o vaca de cargas libres (huecos y
electrones). Como la regin comprendida dentro de l ha sido empobrecida de
cargas libres, se le llama regin de empobrecimiento (tambin se conoce como
regin de agotamiento o regin de deplexin). Cuando se aumenta la tensin
inversa, las cargas libres (huecos y electrones) se alejan en la unin y la longitud
efectiva de separacin l aumenta.
146 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


p n
V
Huecos Electrones
l

FIGURA 3.1.6. Diodo pn formado por la unin puerta-canal polarizado inversamente.

Esto es directamente aplicable al JFET, conforme la tensin V
DD

aumenta, la tensin V
DS
y la corriente I
D
tambin aumenta, provocando que la
unin pn formada por la puerta-canal se polarice ms inversamente, e
incrementando la regin de deplexin como se observa en el rea rayada de la
Figura 3.1.7a. El aumento de la regin de deplexin hace que se estreche el canal
y el resultado es un aumento de su resistencia. Cuando la tensin V
DS
llega a un
valor dado, las regiones de deplexin a cada lado del canal llegan a unirse como se
muestra en la Figura 3.1.7b; a esta tensin se le llama tensin de estriccin o
estrangulamiento (V
P
o V
GSOFF
), igualmente se le conoce como tensin de Pinch
Off. En la Figura 3.1.7c la tensin V
DS
es mayor que |V
P
|. En esta regin el rea de
empobrecimiento aumenta. Sin embargo, se ve que el potencial en el punto a se
mantiene esencialmente igual a la tensin de estriccin |V
P
|. As pues, la corriente
I
DS
se mantiene casi constante cuando V
DS
aumenta por encima de |V
P
|, esto es lo
que se llama saturacin en el JFET. Esta operacin se describe en la curva
caracterstica V
GS
=0 de la Figura 3.1.8. El valor de la corriente de drenaje con
V
GS
=0 es un parmetro importante que se emplea para especificar la operacin del
JFET y se denomina la corriente de drenaje de saturacin (I
DSS
).


FIGURA 3.1.7. Representacin esquemtica del funcionamiento del JFET para
V
GS
=0. (a) V
DS
< |V
P
|; (b) V
DS
=|V
P
|; (c) V
DS
>|V
P
|
CAPTULO 3 - TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO 147




FIGURA 3.1.8. Caracterstica de JFET con V
GS
=0.

Como se puede ver en la Figura 3.1.8, la corriente de drenador i
DS

aumenta rpidamente cuando v
DS
aumenta hacia |V
P
|, la corriente tiende a
nivelarse en I
DSS
y luego aumenta lentamente. Cuando v
DS
es igual a la tensin de
ruptura BV
DS0
ocurre la ruptura de avalancha y la corriente aumenta de nuevo
rpidamente.
Consideremos ahora una tensin fija drenador-surtidor V
DS
y la variacin
de la tensin puerta-surtidor V
GS
. Cuando la tensin V
GS
se hace negativa, la unin
pn se polariza ms inversamente, aumentando la regin de deplexin. Esto hace
que disminuya la anchura del canal y aumente la resistencia de ste, ahora la
corriente de drenador mxima ser inferior. Cuando la tensin V
GS
se hace
positiva, la unin pn se polariza directamente, la regin de deplexin disminuye
hasta que, con grandes tensiones positivas de puerta, el canal se abre. En este caso,
la corriente fluye desde la puerta hasta el surtidor (corriente en sentido directo de
la unin pn) y ser realmente muy pequea, porque esta tensin de puerta est
prxima a la tensin umbral V

para la unin del silicio. Si la tensin V


GS
se
aumenta por encima de la tensin umbral de la unin pn, es decir, se polariza ms
directamente la unin, se pierde efecto de estriccin del canal y el JFET deja de
funcionar segn la caracterstica mostrada en la Figura 3.1.8. Ordinariamente se
hace funcionar al JFET de tipo n de modo que el potencial puerta-surtidor sea
negativo o ligeramente positivo para evitar la corriente puerta-surtidor.

Curvas Caractersticas
La caracterstica de drenaje de un JFET discreto tpico de canal n se
representa en la Figura 3.1.9, la cual da i
DS
en funcin de v
DS
con v
GS
como
parmetro. La tensin de estrangulamiento de este JFET en particular es de 5V
cuando v
GS
=0, y la corriente de drenador es este punto es de 10mA.

148 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA



FIGURA 3.1.9. Caracterstica de drenaje de un JFET discreto tpico de canal n.

Cuando disminuye el potencial de puerta, la tensin de estrangulamiento
tambin disminuye. La tensin drenador-surtidor en que ocurre el
estrangulamiento viene dada aproximadamente por la siguiente ecuacin:
v
DS
(en el estrangulamiento) = |V
P
| + v
GS
(3.1.1)
As, cuando v
GS
=0, v
DS
=|V
P
|, como era de esperar. Para las caractersticas
vi representadas en la Figura 3.1.9 la tensin de estrangulamiento es cero cuando
v
GS
=-5V. Con este potencial negativo de v
GS
(v
GS
=V
P
) no hay corriente de
drenador, ya que el canal queda completamente cerrado para cualquier valor de
V
DS
0. La tensin de ruptura tambin es funcin de la tensin puerta-surtidor.
Esta variacin viene dada por:
BV
DS
BV
DS0
+ v
GS
(3.1.2)
donde BV
DS0
es la tensin de ruptura para v
GS
=0 (en la caracterstica de la Figura
3.1.9 BV
DS0
=20V) y BV
DS
es la tensin de ruptura para una v
GS
arbitraria.
En la caracterstica del JFET de canal n de la Figura 3.1.10 se distinguen
las cuatro zonas de trabajo de los JFET, que son las de: resistencia hmica,
saturacin, ruptura y corte, cada una de las cuales se tratar en detalle. Obsrvese
que tambin se seala una curva para V
GS
= 0.2V (V
GS
<V

) que corresponde a la
polarizacin directa. Recordar que la corriente de puerta es muy pequea, ya que
la tensin es menor que la tensin umbral V

=0.5V para el silicio. La corriente de


puerta cuando V
GS
0 es virtualmente nula y frecuentemente se desprecia. La
curva punteada que se nota en la Figura 3.1.10 se debe su forma a la unin de los
puntos de V
DS
dados por la ecuacin 3.1.1 para cada tensin de puerta-surtidor y
marca el lmite entre la regin hmica y la regin de saturacin.

CAPTULO 3 - TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO 149



FIGURA 3.1.10. Caracterstica del JFET de canal n.

Regin hmica.
En la regin de resistencia variable de un JFET, V
DS
es pequeo pero I
D

puede ser apreciable. La situacin corresponde a la de un interruptor cerrado. La
relacin V
DS
/I
D
en el origen se denomina resistencia de drenaje r
DS(ON)
, en la
Figura 3.1.8 se a trazado la recta que define la pendiente de la resistencia inicial
del canal. El parmetro r
DS(ON)
tiene importancia en las aplicaciones como
interruptor, ya que es un ndice de cunto se desva el JFET de un interruptor ideal
en el que la resistencia de encendido (ON) es cero. En las especificaciones de los
fabricantes se citan valores de r
DS(ON)
que van desde unos pocos ohmios hasta
varios centenares para los JFET de canal n. Puesto que la movilidad de los huecos
es menor que la de los electrones r
DS(ON)
es mucho ms alta para los JFET de canal
p que en los de canal n. Esta mayor movilidad significa una mayor rapidez de
conmutacin y los factores anteriores contribuyen a que prevalezcan los
dispositivos de canal n sobre los de canal p.
Regin de corriente constante o de saturacin (de estriccin).
A lo largo de la porcin de corriente constante de las caractersticas, la
estriccin se refiere al hecho de que V
DS
se emplea para cerrar el canal casi
enteramente. La tensin de estriccin V
P
se refiere a la tensin aplicada a la puerta
que bloquea totalmente el canal independientemente de V
DS
. En un JFET, la
saturacin se refiere al valor limitador de la velocidad de desplazamiento. Por
consiguiente, el nmero de portadores que pueden ser transportados a travs del
canal por unidad de tiempo queda limitado o saturado e I
D
permanece constante.
El significado de saturacin en el JFET es distinto que en el BJT.
Regin de ruptura.
La mxima tensin que se puede aplicar entre dos terminales cualquiera
de un JFET coincide con la mnima tensin capaz de producir ruptura por
avalancha, a travs de la unin de puerta. En la caracterstica vi se ve que se
150 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


produce la avalancha a un valor menor de |V
DS
| cuando la puerta tiene polarizacin
inversa que cuando V
GS
es positiva o igual a cero. Esto es debido al hecho de que
la tensin de polarizacin inversa de la puerta se suma a la de drenaje, ver
ecuacin 3.1.2, aumentando en consecuencia la tensin efectiva V
DS
. Las
especificaciones de los fabricantes indican cul es la tensin de ruptura entre
drenaje y surtidor estando la puerta cortocircuitada (BV
DS0
), el valor va desde
unos cuantos volts en dispositivos integrados hasta ms de 50V en JFET de
potencia.
Regin de Corte.
Con el JFET trabajando a un valor fijo de V
DS
en la regin de corriente
constante y a medida que V
GS
aumenta en la direccin de polarizacin inversa de
la unin de puerta, el canal se estrecha. Cuando V
GS
=V
P
, la anchura del canal se
reduce a cero e I
DS
=0, siendo sta la correspondiente zona de corte. En un JFET
real, aun estando en corte (|V
GS
| > |V
P
|), tiene siempre alguna corriente de fuga de
drenaje (I
DS(OFF)
). La corriente inversa de fuente denominada tambin corriente de
corte de puerta y designada por I
GSS
, es la corriente puerta a fuente con el drenaje
cortocircuitado y |V
GS
| > |V
P
|. Los fabricantes especifican los valores mximos de
I
DS(OFF)
y I
GSS
para unos valores dados de V
GS
y de V
DS
. Cada una de estas
corrientes (I
DS(OFF)
y I
GSS
) estn en el orden de unos pocos nanoamperios en JFET
de silicio. En corte, |V
GS
| > |V
P
|, I
D
0 y V
DS
puede ser grande; ste es el
comportamiento de un interruptor abierto.
En la Figura 3.1.11 se ofrece un resumen de la operacin de un JFET de
canal n. Cuando la tensin compuerta-fuente, V
GS
, se hace menor que 0V pero
mayor que la tensin de pinch-off existe una corriente de drenaje I
D
a la cual es
ajustada por la tensin V
GS
, ver Figura 3.1.11a. Cuando el valor de la tensin es
igual a 0V, el nivel de la corriente de drenaje es una cantidad importante y se
designa como I
DSS
(Figura 3.1.11b). Si la tensin compuerta-fuente se aumenta
mas all del valor de la tensin pinch-off (ms negativo que el necesario para
ocluir el canal) la corriente de drenaje se reduce casi a cero y el dispositivo JFET
en esas condiciones se corta (Figura 3.1.11c). En todos los casos la corriente de
compuerta (I
G
) es cero, puesto que no pasa ninguna corriente a travs de la
compuerta-fuente polarizada inversamente.

D
G
S
I
G
=0
V
DD
V
P
<V
GG
<0
I
D
D
G
S
I
G
=0
V
DD
V
GS
=0
I
D
=I
DS
S
D
G
S
I
G
=0
V
DD
|V
GG
|
I
D
=0
|V
P
|

FIGURA 3.1.11. Operacin del JFET de canal n.
CAPTULO 3 - TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO 151


Caractersticas de transferencia del JFET
La caracterstica tensin-corriente de la Figura 3.1.10 indica que en la
regin de saturacin el valor de la corriente de drenaje I
D
depende de la tensin
V
GS
de polarizacin inversa. La caracterstica de transferencia relaciona I
D
en
funcin de la tensin V
GS
, por encima del estrangulamiento. S grfica con V
DS

igual a una constante, aunque la caracterstica de transferencia es en esencia
independiente de V
DS
pues, luego de que el JFET llega al estrangulamiento, I
D

permanece constante para valores de V
DS
mayores que |V
P
| + v
GS
, esto ya se
estudi anteriormente y se puede ver en las curvas de i
D
-v
DS
(Figuras 3.1.9 y
3.1.10). La Figura 3.1.12 corresponde a la caracterstica de transferencia del JFET
de canal n, donde se muestra que cuando V
GS
=0, I
D
=I
DSS
y cuando I
D
=0, V
GS
=V
P
.


FIGURA 3.1.12. Caracterstica de transferencia del JFET canal n.

Para los JFET fabricados comercialmente, I
DSS
va desde alguna decenas
de microamperios hasta centenares de miliamperios. Los valores ms bajos de I
DSS

son propios de los JFET integrados, y los ms altos de los dispositivos de
potencia. La caracterstica de transferencia puede expresarse analticamente como
la ley cuadrtica siguiente:

2
P
GS
DSS D
V
V
1 I I

= (3.1.3)
V
GS
y V
P
son negativos en un JFET de canal n y positivos en uno de canal
p, por tanto la ecuacin de transferencia 3.1.3 es vlida para ambos tipos. La
caracterstica de transferencia demuestra nuevamente el comportamiento como
fuente controlada del JFET. Si se considera V
GS
como entrada e I
D
como salida, la
ecuacin y la Figura 3.1.12 describen una fuente de corriente controlada por
tensin; funcionamiento que es la base de los circuitos amplificadores que
emplean JFET. Cabe resaltar, el intervalo de validez de la parbola que describe la
152 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


ecuacin 3.1.3 es entre V
P
y 0, el cual es el intervalo donde se traza la curva de la
caracterstica de transferencia (Figura 3.1.12).
En la Figura 3.1.13, se muestran las caractersticas de transferencia y las
caractersticas i
D
-v
DS
para un JFET de canal n. Se han trazado ambas curvas con el
eje i
D
comn. Las caractersticas de transferencia se pueden obtener de una
extensin de las curvas i
D
-v
DS
.


FIGURA 3.1.13. Caracterstica de transferencia y caracterstica i
D
-v
DS
para un
JFET de canal n.

3.1.1 Descripcin del Funcionamiento para una Estructura de un
JFET Integrado Planar de Canal n
En esta seccin se describir cualitativamente el funcionamiento de un
JFET integrado planar de canal n representado en la Figura 3.1.4. Primero se
detalla la operacin del JFET para valores pequeos de la tensin drenaje a fuente
y luego se describe para valores grandes de la tensin drenaje a fuente.
Descripcin del JFET para valores pequeos de la tensin drenaje a fuente.
El JFET integrado planar de canal n se fabrica difundiendo una regin de
tipo p altamente dopada, en un canal de tipo n como se muestra en la Figura 3.1.4
y 3.1.1.1. En ambos lados del canal se conectan los terminales de fuente y drenaje
con contactos hmicos implantados n
+
. El terminal de compuerta tambin se
conecta a la implantacin tipo p con un contacto hmico. La estructura, en efecto
genera una unin pn, con una regin de agotamiento entre la compuerta de tipo p
y el canal de tipo n, ver Figura 3.1.1.1, creando una resistencia entre el drenaje y
la fuente. La resistencia del canal quedar determinada por la resistividad del
semiconductor de tipo n, la longitud L del canal, medida desde el drenaje hasta la
fuente, y el rea transversal efectiva A del canal medida perpendicularmente a la
pgina, ver Figura 3.1.1.1.
En esta operacin de V
DS
pequeo es para valores menores que los
aplicados en V
GS
, con una tensin de polarizacin negativa en la unin compuerta
a canal. Esta tensin de polarizacin negativa ampla la regin de agotamiento
CAPTULO 3 - TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO 153


entre la compuerta y el canal, reduciendo por tanto la seccin transversal efectiva
A del canal. Los portadores mviles pueden transportar corriente nicamente sobre
la porcin del canal que no est restringida por la regin de agotamiento. Los
terminales de drenaje y fuente del JFET por consiguiente funcionan como una
resistencia variable, cuyo valor queda controlado por la tensin de compuerta V
GS
.
La corriente que fluye en la compuerta es la correspondiente a un diodo con
polarizacin inversa (esencialmente cero).


FIGURA 3.1.1.1. Vista transversal simplificada de un JFET integrado planar de
canal n.

Si V
GS
se hace suficientemente negativo e igual a V
P
, la regin de
agotamiento se extender completamente a travs del canal, ver Figura 3.1.1.2, y
la resistencia del mismo se har infinita. Esta constriccin del canal es la que se
conoce como estriccin del canal.


FIGURA 3.1.1.2. JFET integrado planar de canal n con V
DS
pequeo y V
GS
igual a
V
P
.



154 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


Descripcin del JFET para valores grandes de la tensin drenaje a fuente.
La descripcin anterior se realiz para V
DS
menores que V
GS
. Para
valores ms grandes de V
DS
, la conduccin del canal se convierte en no lineal y el
JFET se sale de su comportamiento resistivo. Si V
DS
se hace suficientemente
grande, la corriente del canal se vuelve constante e independiente de V
DS
.
Cuando se aplica una tensin drenaje-fuente V
DS
al JFET, ste se
distribuir a lo largo del canal conductor. La tensin del canal en relacin con la
fuente ser entonces una funcin creciente de la distancia a la fuente. La tensin
en el extremo fuente del canal (en relacin con la fuente) ser cero, y la tensin en
el extremo drenaje del canal ser ms positiva que la fuente en la cantidad V
DS
. La
diferencia de tensin neta que aparece a travs de la regin de agotamiento en el
extremo drenaje del canal ser igual a V
GS
-V
DS
. En el caso de un JFET en
conduccin, V
GS
ser negativo y por tanto la cada de tensin de polarizacin
inversa a travs de la regin de agotamiento ser mayor cerca del extremo drenaje
que en el extremo fuente del canal. Como consecuencia, la regin de agotamiento
cerca del extremo drenaje ser ms ancha y el rea transversal del canal conductor
ms pequea. Esta situacin se ilustra en la Figura 3.1.1.3. La variacin en el rea
del canal como funcin de la distancia hace que la corriente de drenaje I
D
sea una
funcin no lineal de V
DS
.
Si V
DS
se incrementa an ms, se llega a un punto donde el espesor del
canal en el extremo drenaje se acerca a cero. Esta situacin se muestra en la
Figura 3.1.1.4. Aunque el canal no se estrecha completamente, la regin reducida
ya no se comporta de una manera resistiva. Los electrones que llegan a este
estrechamiento desde el extremo fuente del canal, pasan a travs del
estrechamiento a una velocidad constante. Mientras tanto, la magnitud de la
corriente que fluye a travs del JFET queda determinada por la cada de tensin a
lo largo de la porcin resistiva del canal (en la Figura 3.1.1.4, a la izquierda de la
constriccin).

FIGURA 3.1.1.3. JFET integrado planar de canal n en la regin hmica con
V
DS
<V
GS
-V
P
.

CAPTULO 3 - TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO 155


Conforme V
DS
se aumenta ms all del valor en el cual empieza a
estrecharse el canal, cualquier incremento en V
DS
aparece como una cada
adicional de tensin a lo largo de la regin estrechada. La cada de tensin a lo
largo de la regin resistiva del canal se mantiene sin cambio. Como consecuencia,
el flujo de corriente a travs del JFET se mantiene constante e igual al valor
existente justo antes del estrechamiento del canal.


FIGURA 3.1.1.4. JFET integrado planar de canal n en la regin de corriente
constante con V
DS
>V
GS
-V
P
.

3.2 Introduccin a la Teora de Funcionamiento del MOSFET,
Constitucin Fsica. Curvas Caractersticas
Los FET de metal-xido semiconductor (MOSFET, tambin conocidos
como MOS) han llegado a ser muy populares por su utilizacin cada vez ms en
circuitos integrados (CI). La fabricacin de los MOSFET es relativamente simple,
comparada con la de los transistores bipolares. El dispositivo MOSFET puede
hacerse pequeo, y ocupa un rea pequea del silicio en el microcircuito del CI.
En la actualidad, los MOSFET se emplean en circuitos con una escala de
integracin muy grande (VLSI, por sus siglas en ingls), como los
microprocesadores y los integrados de memoria. Igualmente, la tecnologa del
MOSFET ha mostrado ser aplicable en el diseo de circuitos integrados
analgicos. Por ejemplo, los circuitos de filtros de precisin han sido
manufacturados en circuitos integrados utilizando amplificadores operacionales
MOSFET, capacitores MOSFET e interruptores analgicos MOSFET.
Los transistores MOSFET tienen una impedancia de entrada muy alta y
consumen poca potencia esttica. Este hecho los convierte en muy tiles para el
diseo de los circuitos de micropotencia, tanto digital como lineal, y en el diseo
de amplificadores con impedancia de entrada extremadamente alta. En
comparacin con el JFET, el MOSFET resulta con una menor capacidad e
impedancia de entrada ms alta. Adems, los MOSFET son de mayor importancia
comercial que los JFET. Otra diferencia, debida a la estructura fsica, es que el
MOSFET es un dispositivo de puerta aislada y el JFET es un dispositivo de puerta
156 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


de unin. Los MOSFET en funcin de su estructura fsica y su funcionamiento se
dividen en:
a) MOSFET de acumulacin (o conocidos tambin como: de enriquecimiento,
de ensanchamiento, incremental o de acrecentamiento).
b) MOSFET de deplexin (o conocido tambin como: de empobrecimiento, de
agotamiento, de estrechamiento, decremental o de vaciamiento).
Existe una configuracin de MOSFET que se utilizan en conexin
complementaria (CMOS) para circuitos digitales y tienen la ventaja de una
disipacin de potencia en reposo prcticamente nula. La conexin complementaria
de los MOSFET (CMOS) se realiza en un mismo circuito integrado.

MOSFET de acumulacin.
Existen dos tipos de MOSFET de acumulacin: de canal n y de canal p.
La estructura fsica del MOSFET de canal n est constituida por un sustrato (o
cuerpo del dispositivo) tipo p, ligeramente contaminado, en el cual se difunden
dos regiones n
+
, fuertemente contaminadas, tal como se muestra en la Figura
3.2.1a. La estructura fsica del MOSFET de canal p est constituida por un
sustrato tipo n, ligeramente contaminado, en el cual se difunden dos regiones p
+
,
fuertemente contaminadas, tal como se muestra en la Figura 3.2.1b. Las regiones
fuertemente contaminadas implantadas en el sustrato forman el surtidor y el
drenador.


(a) (b)
FIGURA 3.2.1. Estructura Fsica del MOSFET de acumulacin. (a) canal n; (b)
canal p.

Para ambos tipos de MOSFET de acumulacin la distancia entre el
surtidor y el drenador es de aproximadamente unos 10 a 20 m. En la fabricacin
del dispositivo, primero, se deposita una fina capa (1000 a 2000) de aislante de
dixido de silicio (SiO
2
) sobre la superficie de la estructura. Posteriormente se
cubre la regin entera del canal con una superficie metlica (Aluminio) que hace
las veces de puerta. Simultneamente, se hacen los contactos de metal de la fuente
y del drenaje tal como se indica en la Figura 3.2.1. El contacto con el metal
depositado sobre el rea del canal es el terminal de puerta. El rea de un circuito
integrado de un MOSFET es de 125 m
2
o menos, lo que representa cerca de un
5% del rea que requiere un transistor bipolar. El rea metlica de la puerta y el
canal semiconductor forman un condensador de placas planas paralelas siendo la
capa de xido (aislante) el dielctrico. Por la formacin de puerta con metal, xido
CAPTULO 3 - TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO 157


y un semiconductor el dispositivo recibe el nombre de MOSFET. La capa aislante
de xido justifica que se le denomine transistor de efecto de campo de puerta
aislada y denominado en muchos casos como IGFET. Esta capa proporciona una
resistencia de entrada extremadamente elevada (10
10
a 10
15
), este hecho ocasiona
que la corriente de puerta sea despreciablemente pequea (10
-12
a 10
-15
A). La
Figura 3.2.2a representa la seccin transversal lateral de la estructura de un
MOSFET de acumulacin canal n y en la Figura 3.2.2b el de canal p y se conocen
comnmente como transistores NMOS y PMOS respectivamente.


(a) (b)
FIGURA 3.2.2. Seccin Transversal de un MOSFET de acumulacin. (a) canal n;
(b) canal p.

Se observa tanto en la Figura 3.2.1 y 3.2.2 que se tiene un contacto
metlico al sustrato, suministrando de esta manera un cuarto terminal al MOSFET.
En dispositivos discretos, el surtidor por lo general est directamente conectado
con el sustrato, ya que el surtidor, el sustrato y el drenador forman un BJT y para
que no exista ninguna accin de BJT se debe cerciorar de que el BJT est en corte.
En el caso de un NMOS el sustrato est conectado al potencial ms negativo
existente en el circuito. La tensin surtidor-sustrato (V
SB
) afecta el
comportamiento del circuito. En circuitos de multitransistores, particularmente
aquellos que se encuentran en un circuito integrado, el surtidor de todos los
dispositivos no pueden quedar conectados a su cuerpo. En los estudios que se
realizarn en esta seccin se considera el sustrato conectado al surtidor. En la
Figura 3.2.3 se tienen los smbolos del MOSFET de acumulacin:
a) Figura 3.2.3a1 dispositivo de canal n con el terminal del sustrato (B).
b) Figura 3.2.3a2 smbolo simplificado del dispositivo de canal n, el sustrato est
conectado al surtidor.
c) Figura 3.2.3b1 dispositivo de canal p con el terminal del sustrato (B).
d) Figura 3.2.3b2 smbolo simplificado del dispositivo de canal p, el sustrato
est conectado al surtidor.
El MOSFET de acumulacin, que se muestra en la Figura 3.2.1 y 3.2.2 no
tiene canal entre drenaje y la fuente como parte de la construccin bsica del
dispositivo, no se incorpora realmente canal alguno en su fabricacin en
comparacin con el JFET.

158 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


D
S
G
B(Sustrato)
D
S
G
D
S
G
D
S
G
Smbolo
Simplificado
Smbolo
Simplificado
B(Sustrato)

(a1) (a2) (b1) (b2)
FIGURA 3.2.3 Smbolos del MOSFET de acumulacin. (a1) dispositivo de canal
n con el terminal del sustrato (B); (a2) smbolo simplificado del dispositivo de
canal n; (b1) dispositivo de canal p con el terminal del sustrato (B); (b2) smbolo
simplificado del dispositivo de canal p.

Al igual que en la seccin 3.1, se estudiar el funcionamiento del
MOSFET de acumulacin de canal n siendo el anlisis igualmente aplicable para
un MOSFET de acumulacin de canal p. Como el dispositivo no posee canal, ste
se debe crear de manera inducida. Si v
GS
es igual a cero la trayectoria de drenaje a
fuente incluye dos diodos en serie y en contraposicin, ver Figura 3.2.4, lo que
significa que no podr fluir corriente. Para hacer que fluya corriente de drenaje a
fuente, primero se tiene que crear un canal n. Esto puede hacerse aplicando una
tensin positiva de v
GS
. Esta tensin positiva en la compuerta atraer electrones
del sustrato haciendo que se acumulen en la superficie por debajo de la capa de
xido.

n n
p
S B
(Sustrato)
D

FIGURA 3.2.4. Modelo drenaje a fuente con v
GS
=0.

En la Figura 3.2.5 se ve un transistor de acumulacin canal n en el que la
fuente y el sustrato estn conectados a tierra y se aplica una tensin positiva a la
puerta. La tensin positiva aplicada a la puerta crea un campo elctrico dirigido
perpendicularmente a travs del oxido. Este campo hace que los huecos sean
repelidos de la superficie del sustrato, dejando atrs iones receptores enlazados del
material de tipo p. No habiendo huecos cargados positivamente para
neutralizarlos, estos iones receptores descubiertos proporcionan la carga
negativa en el lugar donde acaba el campo elctrico de la capa de xido, las cargas
negativas inducidas en la proximidad de la superficie semiconductora se observan
en la Figura 3.2.5. Puesto que el sustrato tipo p contiene muy pocos electrones las
cargas positivas superficiales son principalmente electrones procedentes de la
fuente y del drenaje de tipo n. Estas cargas mviles, que son portadores
CAPTULO 3 - TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO 159


minoritarios en el sustrato tipo p, forman una capa de inversin, que se forma
nicamente si v
GS
excede un valor crtico, conocido como tensin de umbral (V
T
,
V
TR
, V
TN
o V
t
). Para atraer un nmero suficiente de electrones para formar un
canal, la tensin v
GS
tiene que ser igual a o mayor que V
T
; en otras palabras, no
fluir una corriente apreciable i
D
hasta que v
GS
sea igual a V
T
. Cuando v
GS
=V
T
, la
corriente es muy pequea y v
GS
es el valor mnimo necesario para establecer el
canal.
Las cargas inducidas bajo la capa de xido forman el canal n y conforme
aumenta la tensin positiva de la puerta, aumenta la carga negativa inducida en el
semiconductor. La regin por debajo del xido tiene ahora portadores tipo n, la
conductividad aumenta y circula una corriente desde el drenador a la fuente a
travs del canal inducido. As, la corriente de drenaje se acrecienta a un valor
apreciable cuando la tensin positiva de puerta sea mayor que V
T
.
Para un MOSFET dado, el valor de la tensin V
T
quedar determinado
por los niveles de dopado del sustrato, as como por otros parmetros de
fabricacin. Los posibles valores de V
T
, en el caso de un MOSFET de
acumulacin de canal n, estn comprendidos en el rango de 0.5 a 3V.
Es de hacer notar, que en un MOSFET de acumulacin de canal n los electrones
son responsable de la conduccin de corriente del dispositivo (Figura 3.2.5) an
cuando el canal est localizado dentro de un sustrato de tipo p.


FIGURA 3.2.5. MOSFET de acumulacin canal n mostrando el canal inducido,
polarizado con v
DS
=0 y v
GS
>0.

Consideremos ahora la situacin en la que v
DS
aumenta desde cero
mantenindose v
GS
a un valor positivo constante mayor que V
T
. Con valores
pequeos de v
DS
(v
DS
<< v
GS
-V
T
) un aumento de v
DS
va acompaado de un
aumento de la corriente de drenaje i
D
. El comportamiento del MOSFET es el de
una resistencia y a esta zona se le denomina regin hmica. En este estado de
funcionamiento la densidad de los electrones en el canal de la capa de inversin es
uniforme y se forma una regin de empobrecimiento, segn se ve en la Figura
3.2.6, (para v
DS
pequeos) que estrechar el canal cuando aumente la tensin v
DS
.
160 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA



FIGURA 3.2.6. MOSFET de acumulacin canal n, cuando v
GS
>V
T
y v
DS
pequeo.

A medida que crece v
DS
la regin de empobrecimiento estrecha el canal y
llega un punto donde el canal se estrangula. La regin de empobrecimiento en la
condicin de estrangulamiento est representada esquemticamente en la Figura
3.2.7. Un ulterior aumento del potencial drenador-surtidor slo da lugar a un
ligero aumento de la corriente de drenador. Idealmente una vez llegado a la
estriccin, un nuevo incremento de v
DS
no afecta a i
D
habindose llegado a la
corriente de saturacin. Esta regin de saturacin es de naturaleza similar al JFET.
El valor de i
D
que se alcanza en saturacin depende de v
GS
. Los aumentos de
v
GS
>V
T
aumentan los valores de saturacin de i
D
. El punto a, que se muestra en la
Figura 3.2.7, denota el punto de estrangulamiento, se desplaza ligeramente hacia
el surtidor y est comprendido entre el drenador y la puerta. El potencial en el
punto a es funcin de v
GD
, siendo v
GD
=v
DS
-v
GS
. Esta diferencia de tensin
disminuye el valor del campo elctrico en el extremo de drenaje del dielctrico, lo
que se traduce en menos inversin de cargas en la porcin del canal inducido.


FIGURA 3.2.7. MOSFET de acumulacin canal n en el punto de
estrangulamiento.
CAPTULO 3 - TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO 161


Curvas Caractersticas.
Cuando v
DS
es muy pequeo (del orden de 1V o menor) y v
GS
mayor que
V
T
, la corriente de drenaje i
D
se incrementa casi linealmente con v
DS
, como se
muestra en la Figura 3.2.8. En estas condiciones el MOSFET se comporta como
una resistencia y la relacin de v
DS
a i
D
es una constante que depende slo del
valor de v
GS
.


FIGURA 3.2.8. Caracterstica vi del MOSFET de acumulacin canal n para v
DS

muy pequeos.

Esta regin de funcionamiento, se conoce como regin hmica (tambin
llamada resistiva, de no saturacin o triodo, este ltimo trmino proviene de las
propiedades del triodo de vaco, uno de los primeros antecedentes del MOSFET) y
su caracterstica vi queda descrita por la ecuacin:

DS T GS D
v ) V v ( K 2 i = (3.2.1)
La ecuacin 3.2.1 obedece a la ley de Ohm. La resistencia del canal, dada
por [ ]
1
T GS D DS
) V v ( K 2 i v

= , es una funcin de la tensin excedente de puerta
) V v (
T GS
. Este ltimo est definido como la cantidad en la cual v
GS
excede la
tensin de umbral V
T
. La constante K, es un parmetro de conductancia y tiene
unidades en mA/V
2
. Por lo general, para un MOSFET de acumulacin de canal n
se encuentran en el orden de 0.5 mA/V
2
y est dada por la expresin:

L
W
t 2
K
ox
ox e

= (3.2.2)
donde
e
es un parmetro que depende del material, llamado movilidad de
electrones y
ox
es la permitividad dielctrica del material de xido de la puerta.
Tanto
e
como
ox
son constantes fsicas fundamentales del semiconductor y del
xido, respectivamente. La variable L es la longitud del canal, W es el ancho
medido perpendicular a L y t
ox
es el espesor de la capa de oxido, todas estas
variables quedan determinadas en el momento de la fabricacin. Escogiendo
162 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


valores apropiados de W y L en la fabricacin es posible producir dispositivos con
valores relativos predeterminados de K. En un circuito integrado, t
ox
ser el mismo
para todos los transistores, por estar fabricados en forma simultanea. Para un
MOSFET de acumulacin de canal p, K est dado por la misma expresin 3.2.2,
sustituyendo por
e
la movilidad de huecos
h
. La relacin
ox
/t
ox
es equivalente a
C
ox
, que es la capacitancia de la capa de xido por unidad de rea. As, el
parmetro de conductancia del MOSFET tambin se puede expresar como:

L
W
C
2
1
K
ox e
= (3.2.3)
Cabe destacar, que V
T
depende tambin de C
ox
as como de la densidad
de dopado del drenaje, de la fuente y del sustrato.
Al aumentar v
DS
, pero con v
DS
<v
GS
-V
T
y v
GS
mayor que V
T
, se hace que
la caracterstica vi se convierta en no lineal. Un anlisis terico de la regin
hmica conduce al resultado de que la no linealidad de la caracterstica de drenaje
viene dado por un trmino
2
DS
v a la ecuacin 3.2.1, resultando:
[ ]
2
DS DS T GS D
v v ) V v ( 2 K i = (3.2.4)
La ecuacin 3.2.4 muestra que el MOSFET tendr un comportamiento
resistivo slo cuando v
DS
es lo suficientemente pequeo para que se pueda ignorar
el trmino cuadrtico de la ecuacin. Las caractersticas vi del MOSFET de la
Figura 3.2.9 incluyen esta regin no lineal de operacin, que sigue considerndose
parte de la regin hmica.


FIGURA 3.2.9. Caracterstica vi del MOSFET de acumulacin canal n para
v
DS
<v
GS
-V
T
.

Si v
DS
se incrementa an ms, tomando valores iguales a v
DS


v
GS
-V
T
, se
llega a un punto donde el espesor de la capa de inversin en el extremo del drenaje
llega a ser creo, es decir, el punto donde el canal se estrangula. Como se muestra
en la Figura 3.2.7, la capa de inversin existe a todo lo largo del canal, excepto en
el extremo drenaje. El valor crtico de v
DS
para el estrangulamiento es:
CAPTULO 3 - TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO 163


V
DS
(en el estrangulamiento) = v
GS
- V
T
(3.2.5)
Cuando v
DS

llega a este valor crtico, el flujo de corriente en el MOSFET
no cesa. Los electrones, de la capa de inversin, que llegan al extremo del drenaje
son atrados por el campo elctrico de la regin de agotamiento que rodea al
drenaje, permitiendo as mantener una trayectoria de flujo de corriente para i
D
. Al
incrementar v
DS
por encima del valor crtico, aparece una cada de tensin
adicional de la regin de agotamiento drenaje a sustrato. Esta cada de tensin
adicional aumentar la fuerza del campo en la regin de agotamiento. Este campo
reforzado an captura electrones que llegan al extremo drenaje de la capa de
inversin y por tanto, el flujo de corriente en el canal se conserva constante
conforme v
DS
es mayor que el valor crtico. Esta regin de operacin se llama
regin de saturacin y se describe mediante la ecuacin:

2
T GS D
) V v ( K i = (3.2.6)
La lnea divisoria entre las regiones hmica y de saturacin viene dada
por V
DS
= v
GS
- V
T
. Sustituyendo este valor en la ecuacin 3.2.4 se obtiene la
ecuacin 3.2.6. Las curvas caractersticas vi del MOSFET de acumulacin de
canal n de la Figura 3.2.10 incluye la regin de saturacin y la curva de trazos que
se muestra seala la separacin entre ambas regiones.


FIGURA 3.2.10. Caracterstica vi del MOSFET de acumulacin canal n.

La ecuacin de la curva de separacin viene dada por:

2
DS D
Kv i = (3.2.7)
Existe un valor de v
DS
donde ocurre la ruptura, denotado por V
BD
, que
provoca una ruptura en avalancha en el canal y la corriente de drenaje aumenta
rpidamente. Debe evitarse este modo de operacin porque la disipacin excesiva
de potencia puede destruir el dispositivo. Una tensin tpica especificada por los
164 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


fabricantes oscila entre 20 y 100V. Asimismo, un valor grande de v
GS
provocar
una ruptura dielctrica en la capa de xido del MOSFET.
Las caractersticas de la Figura 3.2.10 se consideran ideales, aunque con
la tecnologa existente se pueden conseguir dispositivos discretos e integrados con
esta caractersticas. En realidad i
D
crece ligeramente con v
DS
en la regin de
saturacin, debido a la modulacin de longitud del canal que es un efecto
anlogo a la modulacin del espesor de base en un BJT. En la Figura 3.2.11 se ve
que al prolongar las caractersticas reales hacia el segundo cuadrante, todas ellas
concurren en v
DS
= -1/. Por su semejanza con el efecto Early en los BJT, la
cantidad 1/ se denomina tambin tensin Early, los valores tpicos de van desde
0.01 a 0.03 V
-1
. Comnmente el factor (1+v
DS
) es despreciable en circuitos
digitales, pero puede tener su importancia en circuitos analgicos. Para tener en
cuenta la modulacin de longitud del canal, se modifica la ecuacin 3.2.6
introduciendo el factor (1+v
DS
):
) v 1 ( ) V v ( K i
DS
2
T GS D
+ = (3.2.8)
Otra zona de funcionamiento, similar al BJT y al JFET, es la regin de
corte. En esta regin, la tensin puerta-fuente es menor que la tensin de umbral:
v
GS
<V
T
. El MOSFET est apagado y la corriente de drenaje es cero: i
D
=0.


FIGURA 3.2.11. Prolongacin de las caracterstica vi del MOSFET de
acumulacin canal n mostrando la tensin Early.

La caracterstica de transferencia del MOSFET de acumulacin de canal
n, al igual que en el JFET es una grfica de i
D
en funcin de v
GS
con un valor
constante de v
DS
en la regin de saturacin. La curva de la Figura 3.2.12 es la
caracterstica de transferencia de un MOSFET de acumulacin de canal n y en las
caractersticas de transferencia de la Figura 3.2.13 se ilustra en conjunto para un
MOSFET de acumulacin de canal n y canal p.

CAPTULO 3 - TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO 165



FIGURA 3.2.12. Caracterstica de transferencia de un MOSFET de acumulacin
de canal n.


FIGURA 3.2.13. Caractersticas de transferencia de un MOSFET de acumulacin
de canal n y canal p.

MOSFET de deplexin.
La construccin de un MOSFET de deplexin es muy semejante a la de
un MOSFET de acumulacin, la nica diferencia es el fino canal de impurezas
entre el drenaje y la fuente que se deposita exactamente bajo la puerta de xido
durante la fabricacin, generalmente por implantacin inica. Existen dos tipos de
MOSFET de deplexin: de canal n y de canal p. En la estructura fsica del
MOSFET de deplexin de canal n se difunde en el sustrato p el canal n, tal como
se muestra en la Figura 3.2.14a. En la estructura fsica del MOSFET de deplexin
de canal p se difunde en el sustrato n el canal p, tal como se muestra en la Figura
3.2.14b.

166 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA



(a) (b)
FIGURA 3.2.14. Estructura Fsica del MOSFET de deplexin. (a) canal n; (b)
canal p.

Los smbolos del MOSFET de deplexin se muestran en la Figura 3.2.15,
donde se tiene:
a) Figura 3.2.15a1 dispositivo de canal n con el terminal del sustrato (B).
b) Figura 3.2.15a2 smbolo simplificado del dispositivo de canal n, el sustrato
est conectado al surtidor.
c) Figura 3.2.15b1 dispositivo de canal p con el terminal del sustrato (B).
d) Figura 3.2.15b2 smbolo simplificado del dispositivo de canal p, el sustrato
est conectado al surtidor.

D
S
G
B(Sustrato)
D
S
G
D
S
G
D
S
G
Smbolo
Simplificado
Smbolo
Simplificado
B(Sustrato)

(a1) (a2) (b1) (b2)
FIGURA 3.2.15 Smbolos del MOSFET de deplexin. (a1) dispositivo de canal n
con el terminal del sustrato (B); (a2) smbolo simplificado del dispositivo de canal
n; (b1) dispositivo de canal p con el terminal del sustrato (B); (b2) smbolo
simplificado del dispositivo de canal p.

Consideremos el funcionamiento de un MOSFET de deplexin de canal
n. Debido a la existencia fsica del canal cuando v
GS
=0 circular una corriente de
drenador apreciable. Al aplicar una tensin positiva a la puerta, de modo que se
induzcan cargas negativas en el canal n la conductividad del canal y la corriente
de drenaje aumentan. Para valores negativos de la tensin de puerta algunos
electrones (portador mayoritario en el canal n) en el rea del canal sern repelidos
y se crear as una regin de agotamiento o deplexin por debajo de la capa de
oxido. El resultado ser un canal ms estrecho y un incremento de su resistencia.
Este fenmeno en el canal que provoca una deplexin de portadores mayoritarios
es la razn de donde procede el nombre de MOSFET de deplexin y es anlogo a
la estriccin del los JFET en el extremo del canal prximo al drenaje. Si la tensin
CAPTULO 3 - TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO 167


de puerta se hace ms negativa pueden eliminarse los portadores mayoritarios y
con ello desaparece el canal. En estas condiciones la corriente de drenaje es nula.
El valor negativo de v
GS
con el que el canal queda libre de portadores mayoritarios
constituye la tensin umbral V
T
, conocida tambin en algunas literaturas (Sedra-
Smith) como tensin de estriccin estrangulamiento V
P
de la misma manera que
en el JFET. Algunos fabricantes indican a esta tensin de estriccin como V
GS,OFF
.
Para v
DS
pequeos, el dispositivo funciona como una resistencia lineal
controlada por tensin. Para v
DS
grandes, el canal se estrangula en el extremo del
drenador, produciendo curvas controladas por tensin de corriente constante. El
efecto fundamental del canal estrangulado es que el MOSFET de deplexin se
comporta exactamente como un MOSFET de acumulacin con una tensin umbral
negativa. Las ecuaciones (3.2.1, 3.2.4, 3.2.5, 3.2.6, 3.2.7 y 3.2.8), zonas de
operacin y modelos de los dos dispositivos son idnticos.
Las caractersticas tensin-corriente de un MOSFET de deplexin de
canal n aparecen indicadas en la Figura 3.2.16a y la curva de transferencia en la
Figura 3.2.16b. Las regiones de deplexin y de acumulacin, que corresponden a
una v
GS
negativa y positiva, respectivamente, aparecen diferenciadas. El valor de
corriente de drenaje cuando v
GS
es igual a cero se denota I
DSS
, igual que en el
JFET.


(a) (b)
FIGURA 3.2.16. Caracterstica (a) vi y (b) de trasferencia de un MOSFET de
deplexin canal n.

Las caractersticas de transferencia de un MOSFET de deplexin de canal
n y canal p aparecen en la Figura 3.2.17.

168 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA



FIGURA 3.2.17. Caractersticas de transferencia de un MOSFET de deplexin de
canal n y canal p.

Notar que, el smbolo no simplificado del MOSFET de acumulacin, que
se ilustra en la Figura 3.2.3, muestra una lnea quebrada entre fuente y drenaje
para indicar que no existe un canal inicial. Mientras que el smbolo no
simplificado del MOSFET de deplexin, que se ilustra en la Figura 3.2.15,
muestra una lnea continua entre fuente y drenaje para indicar que existe un canal
inicial. En cuanto al smbolo simplificado el MOSFET de deplexin tiene la lnea
ms gruesa entre fuente y drenaje.

3.2.1 Comparacin de los Diferentes Tipos de FET
Es de gran utilidad la comparacin de los diversos tipos de FET en base a
sus caractersticas de transferencia. En la regin normal de funcionamiento entre
el estrangulamiento y la ruptura, la corriente de drenador es independiente de la
tensin drenador-surtidor. La caracterstica de transferencia de cada dispositivo en
esta regin es aproximadamente una sola curva, como se muestra en la Figura
3.2.1.1.


(a) (b) (c)
FIGURA 3.2.1.1 Caractersticas de transferencia: (a) JFET; (b) MOSFET de
deplexin de canal n; (c) MOSFET de acumulacin de canal n.
CAPTULO 3 - TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO 169


La Figura 3.2.1.1a es la caracterstica de transferencia de un JFET. En la
grfica se observa que hay una considerable corriente de drenador para v
GS
=0.
Esta corriente es controlada aplicando una v
GS
negativa. Si se emplea un
dispositivo de canal n para funcionar como amplificador, ser necesario una
tensin negativa de polarizacin entre la puerta y el surtidor para que la seal
aplicada haga que la corriente de drenador est por encima y por debajo del valor
ajustado por la polarizacin. Los fabricantes suelen especificar valores tpicos de
I
DSS
y V
P
.
La Figura 3.2.1.1b muestra la caracterstica de transferencia de un
MOSFET de deplexin de canal n. Aqu estn presentes ambas regiones de
deplexin y de acumulacin; hay una apreciable corriente de drenador para v
GS
=0,
pero normalmente es menor que en el JFET. La corriente de drenador se inicia
nicamente cuando v
GS
llega a ser mayor que la tensin negativa de umbral V
T
.
Para este dispositivo los fabricantes especifican V
T
e I
DSS
.
La Figura 3.2.1.1c expone la caracterstica de transferencia de un
MOSFET de acumulacin de canal n. Aqu no hay corriente de drenador para
v
GS
=0; sta comienza justamente a fluir cuando es aplicada una tensin positiva
igual a la tensin umbral V
T
. Segn esto, la caracterstica es similar a la del
MOSFET de deplexin para v
GS
>V
T
. En la prctica, el fabricante especificar V
T

y un valor particular de I
DS,ON
corresponde a un valor especificado de V
GS,ON
.
Notar que las curvas son las mismas pero trasladadas horizontalmente y
con diferentes intervalos de validez.

3.3 Bibliografa
BOYLESTAD R. & NASHELSKY L., Electrnica Teora de Circuitos,
Prentice-Hall Hispanoamericana, S.A., Cuarta Edicin.

GRAY PAUL R. & MEYER ROBERT G., Anlisis y Diseo de Circuitos
Integrados Analgicos, Prentice-Hall Hispanoamericana, S.A., Tercera Edicin.

HORENSTEIN MARK N. , Microelectrnica: Circuitos y Dispositivos,
Prentice-Hall Hispanoamericana, S.A., Segunda Edicin.

MALIK NORBERT R., Circuitos Electrnicos. Anlisis, Diseo y Simulacin,
Prentice-Hall, 1998.

MILLMAN J. & HALKIAS CH. C., Dispositivos y Circuitos Electrnicos,
Ediciones Anaya, S.A., 1971.

MILLMAN J. & HALKIAS CH. C., Electrnica Integrada. Circuitos y Sistemas,
Analgicos y Digitales, Editorial Hispano Europea, S.A. Cuarta Edicin.

170 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


MILLMAN J. & GRABEL A., Microelectrnica, Editorial Hispano Europea,
S.A. Sexta Edicin.

RASHID MUHAMMAD H., Circuitos Microelectrnicos anlisis y diseo,
International Thomson Editores, 2000.

SAVANT C. J. Jr., RODEN M. S. & CARPENTER G. L., Diseo Electrnico.
Circuito y Sistemas. Addison-Wesley Iberoamericana. Segunda Edicin (Primera
en espaol).

SEDRA A. & SMITH K. C., Dispositivos Electrnicos y Amplificacin de
Seales, McGraw-Hill, 1991.

SCHILLING D. L. & BELOVE CH., Circuitos Electrnicos Discretos e
Integrados, Marcombo Boixareu Editores, Segunda Edicin.

3.4 Preguntas y Problemas Propuestos
3.4.1 Porqu se le llama al transistor FET, transistor unipolar?.

3.4.2 Cules son los diferentes tipos de FET?. Clasifquelos todos.

3.4.3 Cules el esquema y el smbolo circuital de los JFET?.

3.4.4 Explicar el funcionamiento del dispositivo JFET. Sugerencia: escoja
cualquiera de los JFET.

3.4.5 Defina la tensin de estriccin, conocida tambin como tensin de
estrangulamiento o tensin de Pinch-Off.

3.4.6 A que se le llama saturacin en el JFET?.

3.4.7 Defina la corriente de drenaje de saturacin.

3.4.8 Dibujar la familia de caractersticas de drenaje de un JFET (canal n o canal
p) y explicar cualitativamente su forma.

3.4.9 Se puede aumentar la tensin V
GS
por encima de la tensin umbral de la
unin pn formada entre la puerta y el canal?. Justifique su respuesta.

3.4.10 A que es igual la tensin drenador-surtidor cuando ocurre el
estrangulamiento?.

3.4.11 Nombre las diferentes regiones de funcionamiento del JFET y expliquelas.
CAPTULO 3 - TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO 171



3.4.12 Represente circuitalmente las diferentes operaciones del JFET de canal n.

3.4.13 Represente circuitalmente las diferentes operaciones del JFET de canal p.

3.4.14 Dibujar la curva de transferencia de un JFET de canal n y de un JFET de
canal p. Indique los puntos de inters.

3.4.15 Cmo vara la corriente de drenaje con la tensin de puerta-surtidor en la
regin de saturacin?.

3.4.16 Esbozar la geometra de un JFET en forma integrada.

3.4.17 Describa el funcionamiento de un JFET integrado planar de canal n.

3.4.18 Diga los diferentes tipos de MOSFET.

3.4.19 Dibujar la estructura fsica de un MOSFET de acumulacin canal n y canal
p.

3.4.20 Dibujar la seccin transversal de un MOSFET de acumulacin canal n y
canal p.

3.4.21 Dibujar los smbolos circuitales empleados para los MOSFET de
acumulacin.

3.4.22 Cules el modelo drenaje a fuente con v
GS
=0 de un MOSFET de
acumulacin de canal n?.

3.4.23 Describa el funcionamiento de un MOSFET de acumulacin de canal n.

3.4.24 Dibujar las caractersticas de drenaje y la curva de transferencia de un
MOSFET de acumulacin (canal n y canal p). Explicar cualitativamente sus
formas.

3.4.25 Defina la tensin de Early y diga como afecta esta tensin en la ecuacin de
la corriente de drenaje en la regin de saturacin.

3.4.26 Cules el significado de la constante K de un MOSFET?

3.4.27 Dibujar la estructura fsica de un MOSFET de deplexin canal n y canal p.

3.4.28 Dibujar los smbolos circuitales empleados para los MOSFET de deplexin.
172 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


3.4.29 Dibujar las caractersticas de drenaje y la curva de transferencia de un
MOSFET de deplexin (canal n y canal p). Explicar cualitativamente sus formas.

3.4.30 Cules el significado de la tensin umbral V
T
en un MOSFET de
acumulacin y en un MOSFET de deplexin.

3.4.31 Determinar para los circuitos de las Figuras: 3.4.31.1a, 3.4.31.1b, 3.4.31.2a
y 3.4.31.2b el punto de operacin Q.
20V
I
DSS
=8mA
1M
750
1.5k
V
P
=-6V

10V
I
DSS
=10mA
5V
5k
V
P
=-2V

(a) (b)
FIGURA 3.4.31.1 Circuito del problema 3.4.31.
24V
I
DSS
=5.6mA
4.7k
V
P
=-4V
-12V
10k
v
i
v
o

20V
I
DSS
=9mA
1.8k
V
P
=-3V
-10V
1.5k

(a) (b)
FIGURA 3.4.31.2. Circuito del problema 3.4.31.

3.4.32 Para los amplificadores de la Figura 3.4.32.1a y 3.4.32.1b determinar el
punto de operacin Q. C.

3.4.33 Para el amplificador de la Figura 3.4.33.1 determinar el punto de operacin
Q. C.

3.4.34 En el circuito de la Figura 3.4.34.1 determinar R
D
y R
S
para que I
D
=-4mA y
V
DS
=-6V.


CAPTULO 3 - TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO 173


C
C
16V
v
i
v
o
I
DSS
=8mA
2.1 M
V
P
=-4V
270 k 1.5k
2.4k

C
C
15V
v
i
v
o
I
DSS
=8mA
100M
V
P
=-6V
51M 750
820

(a) (b)
FIGURA 3.4.32.1. Circuito del problema 3.4.32.

C
C
-60V
v
i
v
o
I
DSS
=-4mA
1.3M
V
P
=4V
200 k 4k
18k

FIGURA 3.4.33.1. Circuito del problema 3.4.33.

12V
I
DSS
=-12mA
V
P
=5V
R
S
R
g
R
D

FIGURA 3.4.34.1. Circuito del problema 3.4.34.

3.4.35 En el amplificador de la Figura 3.4.35.1. Hallar el valor de R1 para que el
transistor se encuentre polarizado con una tensin de Drenador V
D
=10V.
Q={I
DSS
=1mA ; V
p
= -1V}. C.

3.4.36 En el circuito de la Figura 3.4.36.1 hallar los puntos de operacin de cada
transistor, sabiendo que Q1=Q2={Idss=10mA y Vp=-4V}.
174 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


24V
56k
C
C
Q
R1
4k
1M
v
i
C
Vo1
Vo2

FIGURA 3.4.35.1. Circuito del problema 3.4.35.

Vcc=12V
1k
200
1.2k
200 400
400
Q1
Q2

FIGURA 3.4.36.1. Circuito del problema 3.4.36.

3.4.37 En el circuito de la Figura 3.4.37.1 calcular: a) V
S
, b) R
S
, c) La ecuacin de
la recta de carga esttica y dibujar la recta sobre la caracterstica de drenaje de la
Figura 3.4.37.2, indicando todos los puntos de inters y d) V
DD
. C.
C
C
R
S
V
DD
V
i
1mA
V
S
R
g
V
o

FIGURA 3.4.37.1. Circuito del problema 3.4.37.

CAPTULO 3 - TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO 175


i
D
(mA)
v
DS
(V)
v
GS
=0V
v
GS
=-0.33V
v
GS
=-0.66V
v
GS
=-1V
2 4 6 8 10 12
1
2
3
4

FIGURA 3.4.37.2. Caracterstica de drenaje del transistor del problema 3.4.37.

3.4.38 Para el MOSFET de la Figura 3.4.38.1 demostrar que el transistor est
funcionando por encima del punto de estrangulamiento, es decir, saturado. Hallar
i
X
en funcin de v
DS
y representarla suponiendo que K=3/16 x 10
-3
A/V
2
y V
T
=1V.
Sugerencia: i
X
=i
DS
. Por qu?.
v
GS
+ -
i
X
i
DS
v
DS
+
-

FIGURA 3.4.38.1. MOSFET del problema 3.4.38.

3.4.39 Un MOSFET de acumulacin de canal n con parmetros K=2 mA/V
2
y
V
T
=1.5V est conectado al circuito de la Figura 3.4.39.1 con R=4.7k y V=10V.
Determinar el valor de v
1
requerido para hacer que el valor de v
DS
sea 6.2V.
v
DS
+
-
v
1
V
R

FIGURA 3.4.39.1. Circuito del problema 3.4.39.
176 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


3.4.40 Un MOSFET de deplexin de canal n con V
T
=-2V opera en la regin de
corriente constante con I
D
=4mA cuando V
GS
=2V. Cules el valor de K para este
dispositivo?. Cules el valor mnimo de V
DS
que asegurar operacin en la regin
de corriente constante?

3.4.41 En la Figura 3.4.41.1 se muestra un circuito para un MOSFET de deplexin
de canal n. Los parmetros del transistor son V
T
=-5V e I
DSS
=10mA. Calcular V
GS
y el punto de operacin Q.
18V
1M
60k
1k

FIGURA 3.4.41.1. Circuito del problema 3.4.41.

3.4.42 Hallar el punto de operacin Q del transistor de la Figura 3.4.42.1. Los
parmetros del transistor son: K=1 mA/V
2
y V
T
=2V.
9V
100k
200k
3k
5V

FIGURA 3.4.42.1. Circuito del problema 3.4.42.
CAPTULO 4 - REALIMENTACIN 177


CAPTULO 4

REALIMENTACIN

La realimentacin es un proceso que se encuentra inherente en la mayora
de los sistemas de la naturaleza como es el caso de los sistemas biolgicos y
fisiolgicos. Por ejemplo, el cuerpo humano utiliza la realimentacin para
controlar el ritmo cardiaco, su temperatura y el movimiento del cuerpo, dentro de
los eventos ms importantes que se podran nombrar. Es por esta razn, que la
realimentacin se considera un concepto fsico y no una definicin matemtica,
por tal motivo este tema presenta ciertas particularidades para su estudio. Se
entiende por realimentacin el proceso en tomar informacin de un punto
cualquiera de un sistema e introducir esta informacin en otro punto anterior, para
modificar la salida del sistema. El hecho de tomar informacin de un punto e
introducirla en otro punto, requiere que la energa disponible en el punto de origen
de la informacin sea mayor que en el punto de destino. Por tanto, los sistemas
susceptibles de ser realimentados deben poseer un mecanismo que incremente la
energa de la informacin a medida que fluye por el sistema; de otra forma la
realimentacin no puede realizarse. El objetivo fundamental de la realimentacin
es modificar la salida y en lo posible hacerla independiente de algunos parmetros
del propio sistema, para lograr de esta forma controlar el comportamiento del
mismo.
Un campo de aplicacin donde se utiliza la realimentacin es en la
ingeniera como es el caso de los sistemas mecnicos, sistemas de control,
sistemas electrnicos, etc. En los sistemas mecnicos fue empleada por primera
vez a principios del siglo XIX para hacer que la velocidad de los motores de
combustin interna y vapor fueran insensibles a la carga mecnica. En los
sistemas de control se trata la teora de la realimentacin con gran detalle y las
razones en emplearla son: a) disminuye la sensibilidad del sistema frente a
variaciones de los parmetros del proceso (disminuye la sensibilidad del sistema
en lazo abierto a las variaciones en los parmetros), b) facilita el control y ajuste
de la respuesta transitoria del sistema (mejora el comportamiento transitorio del
sistema), c) mejora el rechazo a las seales perturbadoras y de ruido en el sistema
y d) reduce el error en estado estacionario del sistema.
En los sistemas electrnicos la realimentacin permite ciertas ventajas
como lo son: a) Desensibiliza la ganancia de tensin; esto es, hace el valor de la
ganancia de tensin menos sensible o prcticamente independiente a las
variaciones de los componentes del circuito o a las variaciones que presentan los
parmetros de los dispositivos activos que los constituyen, tales variaciones
podran ser causados por cambios de temperatura o variaciones debidas a la
fabricacin. b) Reduce la distorsin no lineal; es decir, hace a la salida
proporcional a la entrada (en otras palabras, la ganancia es independiente del nivel
de seal). c) Reduce el efecto del ruido; esto se refiere a las seales elctricas
178 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


indeseables generadas por los componentes del circuito o seales elctricas
externas. d) Controla las impedancias de entrada y de salida; al seleccionar una
topologa de realimentacin apropiada, puede hacerse que las impedancias de
entrada y de salida aumenten o disminuyan segn se desee. e) Cambia el ancho de
banda de un amplificador.
En la prctica todas las cosas siempre van acompaadas de los
correspondientes inconvenientes, por lo tanto, existen algunas desventajas en la
realimentacin. Estas desventajas son: que todas las ventajas anteriores se
obtienen a expensas de una reduccin de ganancia de tensin y bajo ciertas
condiciones, la realimentacin en un amplificador puede volverse de tal magnitud
que cause oscilaciones. El amplificador realimentado fue inventado en 1928 por el
ingeniero Harold Black de la Compaa Western Electric cuando se encontraba en
la bsqueda de un mtodo para el diseo de amplificadores con ganancia estable
en el uso de los repetidores telefnicos. Desde entonces esta tcnica se ha
utilizado tan ampliamente que es casi imposible pensar en los circuitos
electrnicos sin alguna forma de realimentacin.
Es importante resaltar, que las estructuras electrnicas cumplen con el
requisito indispensable de que al tomar una informacin de un punto e introducirla
en otro punto se necesita tener mayor energa en el punto de origen, ya que nos
encontraremos en los circuitos electrnicos con elementos activos que son los
responsables del incremento de energa de la informacin. Especficamente, estos
elementos son las fuentes controladas que se encuentran en los modelos de los
dispositivos activos. La realimentacin en las estructuras electrnicas es aplicable
tanto en circuitos analgicos como digitales. A continuacin, se estudiar la
estructura general de los circuitos realimentados, las propiedades de los circuitos
realimentados, se presentar un mtodo para el anlisis sistemtico de los circuitos
realimentados que es aplicable independientemente de la topologa a estudiar y
por ltimo se tratar sobre la impedancia de Blackman aplicable a los circuitos
realimentados.

4.1 Estructura General de los Circuitos Realimentados
Comencemos con un amplificador bsico que representa la parte del
sistema al cual se le aadir realimentacin para controlar alguna caracterstica del
amplificador. El amplificador bsico, o sin realimentar, se puede representar por
medio de un diagrama de bloque, como se indica en la Figura 4.1.1. La seal de
entrada X
e
es aplicada a la entrada del amplificador A, que procesa la seal y
suministra la seal de salida X
o
. Las seales X
e
y X
o
pueden representar tensiones,
corrientes o una mezcla de ambas e incluso seales pticas.

AMPLIFICADOR
BSICO
A
X
e
X
o

FIGURA 4.1.1. Diagrama de bloque de un amplificador bsico.
CAPTULO 4 - REALIMENTACIN 179


Para aadir realimentacin al amplificador bsico se debe tomar parte de
la informacin de salida y sumarla con la seal procedente del exterior y formar
as la seal de entrada al amplificador, como se muestra en la Figura 4.1.2, que
representa la estructura general mnima que debe poseer un sistema realimentado.
Cabe destacar, que este proceso se realiza entre los puntos de la entrada y la salida
del amplificador bsico siendo stos los nicos puntos asequibles del circuito. En
general, cuando se disponen de otros puntos stos se pueden emplear para realizar
la realimentacin.

AMPLIFICADOR
BSICO
A
X
e
X
o
RED DE
REALIMENTACIN

Sumador

X
i
X
f
+
+

FIGURA 4.1.2. Diagrama de Bloque de un Sistema Realimentado.

En el diagrama de bloque de la Figura 4.1.2, se pueden ver los tres
bloques fundamentales que lo conforman. Estos bloques son:
a) El Amplificador Bsico; amplifica la seal aplicada a su entrada.
b) Red de Realimentacin o bloque ; permite la transferencia de informacin de
la salida del amplificador a una de las entradas del sumador. La funcin de la
red de realimentacin es la de convertir parte de la seal de salida a una forma
apropiada para el sumador. Este bloque es normalmente una red pasiva que
puede estar constituida por resistencias, condensadores e inductancias, pero
muy a menudo es, sencillamente una red resistiva. (Nota: No debe
confundirse el smbolo de beta () con el empleado para la ganancia de
corriente en cortocircuito del transistor).
c) Sumador; a su salida se encuentra la informacin de entrada al amplificador
bsico, constituida como la suma de la entrada al sistema realimentado y la
salida del bloque .
La ausencia de cualquiera de los tres bloques implica que la estructura no
se encuentre realimentada.
El amplificador bsico tiene una ganancia A, entonces la salida X
o
es
igual a la entrada X
e
del propio amplificador multiplicada por su ganancia, o sea:
A X X
e o
= (4.1.1)
La seal de salida X
o
alimenta tanto a la carga como al bloque ,
mediante el cual se canaliza la informacin proveniente de la salida para
reinyectar, por medio del sumador, una fraccin de la misma a la entrada del
amplificador. La muestra X
f
se relaciona con X
o
mediante:
180 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


=
o f
X X (4.1.2)
La seal de entrada al amplificador bsico X
e
es la salida del bloque
sumador, el cual es la suma de todas sus entradas, como se observa en la Figura
4.1.2. Por tanto, la seal X
e
es:

f i e
X X X + = (4.1.3)
al sustituir el valor de X
f
dado por 4.1.2 en 4.1.3 se tiene:
+ =
o i e
X X X (4.1.4)
relacin que permite observar la modificacin que sufre la seal de entrada del
amplificador bsico.
Si se sustituye la relacin 4.1.4 en la expresin 4.1.1, se obtiene:
A ) X X ( X
o i o
+ = (4.1.5)
En la ecuacin anterior se puede notar que la salida del sistema depende
de ella misma. Propiedad inherente a la trayectoria de realimentacin; que
reinyecta informacin de la salida a la entrada. Reagrupando la ecuacin 4.1.5, se
tiene:
A X ) A 1 ( X
i o
= (4.1.6)
de donde despejando la ganancia del sistema realimentado queda:

A 1
A
X
X
A
i
o
b f

= (4.1.7)
A la relacin X
o
/X
i
se le llama ganancia del sistema realimentado o
ganancia de lazo cerrado y generalmente se denota en las literaturas por A
fb
o A
f
.
El producto A recibe el nombre de ganancia de lazo; denominacin que se deriva
del hecho que la informacin recorre una trayectoria cerrada, como se ve en el
diagrama de la Figura 4.1.2. El denominador 1-A se denomina factor de
realimentacin.
De la ecuacin 4.1.7 y del diagrama de bloque del sistema realimentado
de la Figura 4.1.2 hay que tomar en cuenta los siguientes planteamientos que se
encuentran de manera implcita:
1) La seal de entrada se transmite a la salida a travs del amplificador A y no
por la red de realimentacin . Este supuesto es equivalente a decir que la red
de realimentacin es unilateral. Muchas veces, esta condicin no se satisface
plenamente porque es una red bilateral pasiva.
2) La seal de realimentacin se transmite desde la salida hasta la entrada slo a
travs de la red de realimentacin. Es decir, el amplificador A es unilateral y
slo transmite desde la entrada a la salida.
3) La relacin de transferencia es independiente de las resistencias de fuente y
de carga.
Cuando un sistema realimentado cumple con las condiciones anteriores se
dice que es un sistema realimentado ideal, es por esta razn que el diagrama de
bloque de la Figura 4.1.2 tambin se le conoce como sistema realimentado ideal.
En la prctica los dispositivos slo cumplen aproximadamente estas condiciones.
CAPTULO 4 - REALIMENTACIN 181


Por ejemplo, la red de realimentacin, normalmente consta de elementos pasivos
(R,C,L) y por tanto transmiten una seal desde la entrada hasta la salida.
Anlogamente, tanto A como estn afectados por las resistencias de carga y de
fuente. Debido a estas desviaciones respecto al ideal se plantea un procedimiento
general para el estudio de los circuitos realimentados, que se presentar en las
prximas secciones.
La expresin de la ganancia de lazo cerrado, ecuacin 4.1.7, se puede
estudiar como una funcin del producto A o ganancia de lazo. Del anlisis de la
expresin de la ganancia del sistema realimentado, se encuentra que posee una
asntota vertical para el valor de 1 de la ganancia de lazo; valor que divide el plano
en dos zonas, como se aprecia en la representacin grfica de la ganancia del
sistema realimentado en funcin del producto A, que se encuentra en la Figura
4.1.3. Las aplicaciones lineales del sistema realimentado se restringen al
semiplano donde el producto A sea menor que la unidad y las aplicaciones no
lineales al semiplano donde A sea mayor que la unidad; como se indica en el
grfico de la Figura 4.1.3. Para demostrar el cambio de lineal a no lineal del
grfico del sistema realimentado se debe estudiar el comportamiento de los
sistemas realimentados [MIL DE LA ROCA J. M.]. En la zona de operacin
lineal del sistema realimentado; a su vez, se distinguen claramente dos regiones:
una de ellas, donde el mdulo de la ganancia del sistema realimentado es menor
que el mdulo de la ganancia del propio amplificador empleado (A<0), se dice
que la realimentacin introducida al amplificador es negativa dado que disminuye
el mdulo de la ganancia del sistema realimentado con relacin a la que posee el
amplificador bsico. La realimentacin que ubica al sistema en otra regin de
operacin lineal, donde el mdulo de la ganancia realimentada es mayor que la del
propio amplificador bsico (0<A<1), se denomina realimentacin positiva,
aumenta el mdulo de la ganancia del sistema; estas zonas se encuentran
claramente identificadas en el grfico de la Figura 4.1.3.

A
fb
A
A
0 1
LINEAL NO LINEAL
NEG POS

FIGURA 4.1.3. Ganancia de lazo cerrado en funcin de la ganancia de lazo para A>0.
182 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


Cuando la realimentacin del sistema es negativa, por medio de la
relacin 4.1.4 se puede ver que la entrada al amplificador bsico es menor que la
entrada aplicada al sistema, de 4.1.4 se tiene:
) A ( X X X X X
e i o i e
+ = + =
| A | X X X
e i e
=

0 | A | | A | 1
X
X |
i
e
> +
= (4.1.8)
expresin que evidentemente corrobora que el valor de la entrada al propio
amplificador bsico es menor al que posee la entrada del sistema; la seal
realimentada se resta de la seal de entrada al sistema para formar la propia
entrada al amplificador bsico (este resultado se conoce a veces como la seal de
error), por tal razn esta condicin de operacin se designa como realimentacin
negativa. Adicionalmente, en muchos circuitos con realimentacin negativa la
ganancia de lazo es de tal valor que la ecuacin 4.1.7 se puede aproximar a:

1
A
b f
(4.1.9)
que es un resultado muy interesante, ya que la ganancia del amplificador de
realimentacin se determina casi por completo por el circuito de la red de
realimentacin, teniendo muy poca dependencia de la ganancia del amplificador
bsico A.
En aquellos casos que la realimentacin sea positiva ocurre todo lo
contrario. Como la ganancia de lazo es positiva, pero menor que la unidad, de la
relacin 4.1.4 se tiene:
| A | X X X X X
e i o i e
+ = + =

i e
X |) A | 1 ( X =

1 | A | 0 | A | 1
X
X |
i
e
< <
= (4.1.10)
La expresin 4.1.10 indica que la seal de entrada al amplificador bsico
en este caso es mayor que la entrada al sistema.
Notar que el valor de la ganancia del sistema realimentado cuando se
cruza la asntota vertical pasa de un valor que tiende a infinito a otro que es menos
infinito. Se debe aclarar que el sentido del cambio de mas a menos infinito es para
el caso particular bajo estudio; donde se define que el amplificador bsico
presenta una ganancia positiva. En el caso que la ganancia fuera negativa,
simplemente el cambio ocurre en sentido contrario, de menos a mas infinito. En la
Figura 4.1.4 se encuentra definidas simultneamente las regiones para
amplificadores bsicos cuya ganancia sea positiva o negativa; se puede ver que las
zonas de realimentacin positiva y negativa no cambian cuando se invierte el
signo de la ganancia del amplificado bsico; se encuentra definidas con relacin al
producto A.
CAPTULO 4 - REALIMENTACIN 183


A
fb
A
A
0 1
LINEAL NO LINEAL
NEG POS
A>0
A>0
A<0
A<0

FIGURA 4.1.4. Ganancia de lazo cerrado en funcin de la ganancia de lazo para
A>0 y A<0.

En electrnica lineal se usa tanto la realimentacin negativa como la
positiva, cada una de ellas tiene aplicaciones especficas. La realimentacin
negativa en general se emplea para modificar una o ms de las caractersticas del
sistema; como por ejemplo:
a) Desensibiliza la ganancia del sistema; esto es, el valor de la ganancia es
menos sensible al valor de los parmetros del circuito que constituye el
amplificador bsico.
b) Reduce el efecto del ruido o seales indeseables generadas en el propio
circuito.
c) Extiende el ancho de banda del amplificador.
d) Reduce la distorsin no lineal; o sea, la ganancia del sistema realimentado
tiende a ser independiente del nivel de la seal.
La realimentacin positiva es til en aplicaciones como:
a) Diseo de osciladores senoidales.
b) Filtros activos.
c) Permite controlar los niveles de impedancia entre dos puntos del circuito
realimentado; inclusive puede alterar su signo.
Los sistemas realimentados que operan en la zona no lineal son
ampliamente utilizados y constituyen la base fundamental de prcticamente toda
la electrnica no lineal activa. Empleando tales estructuras se obtienen diversos
bloques operacionales, entre los cuales se encuentran:
a) Comparadores de lazo cerrado.
b) Generadores de formas de ondas peridicas no sinusoidales.
c) Circuitos con memoria que son la base esencial de los sistemas digitales
secuenciales.

184 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


4.2 Propiedades de los Circuitos Realimentados
Las propiedades de la realimentacin fueron mencionadas anteriormente.
En adelante se analizarn para estructuras realimentadas que operan linealmente y
se estudiarn sus efectos que introduce en el sistema, el tipo de realimentacin
empleada.

4.2.1 Efecto sobre la Ganancia
Estudiemos el error involucrado de la ganancia de un amplificador
bsico A el cual posee una dispersin en sus parmetros por el efecto de la
temperatura, envejecimiento, cambios de la tensin de alimentacin, sustitucin
de los componentes del circuito y por otras variables en las caractersticas de los
dispositivos del circuito. En general, el amplificador bsico empleado en el
sistema est construido por dispositivos reales; todos ellos, presentan
caractersticas que poseen un valor medio y una incertidumbre o tolerancia. El
efecto de las variaciones de ganancia A sobre la salida X
o
puede analizarse a
partir de la Figura 4.1.1 y la ecuacin 4.1.1. Si A vara en una cantidad A
entonces X
o
variar en una cantidad X
o
, la ecuacin 4.1.1 se convierte en:
A X AX X ) A A ( X X
e e e o o
+ = + = + (4.2.1.1)
Sustituyendo la ecuacin 4.1.1 en la forma final de la ecuacin 4.2.1.1, queda:
A X X X X
e o o o
+ = +
simplificando, se obtiene:
A X X
e o
= (4.2.1.2)
El resultado anterior muestra que la salida (con una entrada fija) es
directamente proporcional a la variacin de la ganancia. Generalmente, no es la
variacin absoluta la que nos interesa, sino la variacin relativa. Por tanto,
dividiendo la ecuacin 4.2.1.2 por la ecuacin 4.1.1 y simplificando se tiene:

A
A
X
X
o
o

=

(4.2.1.3)
La ecuacin 4.2.1.3 indica que el cambio relativo en X
o
es exactamente
igual al cambio relativo en la ganancia.
Veamos ahora el efecto sobre la ganancia cuando se realimenta el
amplificador bsico. Esta propiedad puede establecerse analticamente como
sigue: considerando que es constante y sabiendo que la ganancia de un sistema
realimentado viene dada por la ecuacin 4.1.7, se calcula el diferencial total de la
ganancia realimentada, resultando:

2 2
b f
) A 1 (
dA
dA
) A 1 (
A A 1
dA

=

+
= (4.2.1.4)
El cambio fraccional en A
fb
puede ser expresado de la forma:

2
b f
) A 1 (
A
A

= (4.2.1.5)
CAPTULO 4 - REALIMENTACIN 185


Dividiendo la ecuacin 4.2.1.5 por la ecuacin 4.1.7 se obtiene la variacin
relativa:

A
A
A 1
1
A
A
b f
b f

=

(4.2.1.6)
relacin que destaca el efecto de la realimentacin ante la presencia de cambios en
la ganancia del amplificador bsico. Empleando la ecuacin 4.2.1.6 se puede
observar que el cambio relativo de la ganancia del sistema realimentado es el
cambio relativo de la ganancia del amplificador bsico dividido por el factor 1-A,
o factor de realimentacin. Por lo tanto, la realimentacin en el sistema produce
un efecto diferente segn el tipo de realimentacin empleado:
a) Realimentacin negativa. En este caso, el producto A es negativo y por
consiguiente el cambio esperado en la ganancia realimentada es menor al que
posee el amplificador bsico; tanto menor cuanto mayor sea el factor de
realimentacin.
b) Realimentacin positiva. Con este tipo de realimentacin ocurre todo lo
contrario al caso anterior; cuando ms alta es la realimentacin positiva mayor
ser el cambio esperado en la ganancia del sistema realimentado.
Del anlisis anterior se concluye que la realimentacin negativa
desensibiliza la ganancia del sistema para cambios en la ganancia del amplificador
bsico, independientemente del origen de los cambios en la ganancia.
Cuando la ganancia del amplificador bsico es muy grande, en presencia
de realimentacin negativa, el factor de realimentacin es muy grande y el cambio
en la ganancia realimentada tiende a cero, como se puede obtener de la relacin
4.2.1.4 cuando se evala el lmite para A:
0
A
) A 1 (
dA
dA |
2
b f
=


= (4.2.1.7)
y la ganancia del sistema realimentado, dada por la relacin 4.1.7 ser:

=
+
=
1
A | A | 1
A
A |
b f
(4.2.1.8)
como se tiene que es constante la ganancia del sistema no depende de las
variaciones de A; notar que una vez considerado el lmite la expresin resultante
de la ganancia del sistema realimentado es independiente de la ganancia del
amplificador bsico; como se indica en 4.2.1.8. En estas condiciones, el valor de
la ganancia realimentada es el inverso de .

4.2.2 Influencia de la Realimentacin en la Relacin Seal Ruido de un
Amplificador
Es esta seccin se estudiar el efecto de la realimentacin en la relacin
seal ruido para un amplificador que cumpla ciertas condiciones; en estos casos, la
realimentacin puede emplearse con el fin de disminuir la relacin seal ruido.
186 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


Las seales extraas llamadas ruido, que suelen ser bastante molestas, se
introducen con frecuencia en algn punto del amplificador. Por ejemplo, la fuente
de alimentacin puede producir una tensin que no es continua pura. Puede tener
componentes a la frecuencia de la lnea (generalmente, 60Hz y sus armnicos)
presentes en la salida. Esto equivaldr justamente a una tensin de seal que
aparecer en la seal de salida. Los propios elementos activos producen
fluctuaciones errticas en el nivel de seal, lo que tambin producir un ruido en
la salida. En algunos casos, el ruido puede enmascarar completamente la seal.
Considerando la situacin que se ilustra en la Figura 4.2.2.1 donde se
indica el esquema de un amplificador el cual posee una seal de entrada X
i
. El
amplificador es afectado por una seal extraa, de origen interno o externo, que se
denomina ruido o seal no deseada. Esta seal de ruido se propaga por el
amplificador y forma parte de la salida; su efecto se puede modelar como una
fuente de ruido equivalente aplicada a la entrada del amplificador y la
denominamos X
N
. La salida X
o
ser igual a:

1 N 1 i o
A X A X X + = (4.2.2.1)

A
1
X
N
X
o

X
i
+
+

FIGURA 4.2.2.1. Amplificador con el modelo del ruido.

La relacin seal ruido a la salida del amplificador ser:

N
i
X
X
N
S
= (4.2.2.2)
Modifiquemos la estructura del amplificador de la Figura 4.2.2.1 para
incluir realimentacin. La alteracin consiste en colocar en cascada un
preamplificador A
2
, condicionado a que no fuera afectado por las causas que
originan las seales de ruido en A
1
y realimentemos por medio del bloque el
circuito formado por la cascada A
2
A
1
. Un esquema del circuito realimentado de
esta forma se indica en la Figura 4.2.2.2, observar que la seal de entrada
equivalente al ruido no se cambia de lugar.
La salida del sistema de la Figura 4.2.2.2 se encuentra aplicando superposicin:

2 1
1
N
2 1
2 1
i o
A A 1
A
X
A A 1
A A
X X

+

= (4.2.2.3)
De la expresin anterior se obtiene la relacin S/N de la estructura realimentada:

N
i
2
1 N
2 1
2 1
2 1 i
oN
oS
X
X
A
A X
A A 1
A A 1
A A X
X
X
N
S
=


= = (4.2.2.4)
CAPTULO 4 - REALIMENTACIN 187


A
1
X
o

X
i
+
+
X
N

+
+
A
2

FIGURA 4.2.2.2. Sistema realimentado con el modelo del ruido.

Se puede concluir que la relacin seal ruido de un sistema realimentado
depende del factor A
2
y es independiente que la realimentacin sea positiva o
negativa. El valor de A
2
debe ser tal que mejore la relacin seal ruido, por lo
tanto, tiene que ser igual a |A
2
|>1 para que la relacin aumente y en caso contrario
disminuye. Es importante aclarar que esto es slo posible si disponemos de un
amplificador A
2
que no sea influenciado por las condiciones que originan la seal
de ruido en el amplificador A
1
. El preamplificador A
2
tiene que ser un
amplificador especial de bajo ruido.

4.2.3 Influencia sobre el Ancho de Banda
Consideremos el esquema de un amplificador realimentado, como el
indicado en la Figura 4.2.3.1, donde el amplificador bsico posee una ganancia
dependiente de la frecuencia; mientras que los otros dos bloques, red de
realimentacin y sumador son constantes.

AMPLIFICADOR
BSICO
A(s)
X
e
X
o

X
i
X
f
+
+

FIGURA 4.2.3.1. Sistema realimentado con el amplificador bsico dependiente de
la frecuencia.

La dependencia de frecuencia del amplificador bsico posee, a lo sumo,
un cero en cero, un polo simple en baja frecuencia y un polo dominante en alta
frecuencia. Adems, el amplificador bsico es un amplificador de banda ancha y
presenta puntos de potencia mitad, denominados esquina de baja W
B
y esquina de
alta frecuencia W
A
que pueden ser estudiados por separado dada la aproximacin
188 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


de banda ancha. La aproximacin de banda ancha consiste en admitir que los
elementos reservorios de energa del circuito que forman el amplificador bsico no
se encuentran relacionados entre s.
Debido a que en la aproximacin de banda ancha W
B
<<W
A
, la influencia
de la realimentacin en la respuesta de frecuencia del sistema se estudia
considerando los efectos de baja y alta frecuencia por separado y luego se
superponen para obtener el comportamiento completo.
La dependencia en frecuencia del amplificador bsico es:

A
A
B
W s
W
W s
s
Am ) s ( A
+ +
= (4.2.3.1)
donde:
Am: Ganancia a frecuencias medias del amplificador bsico.
W
B
: Frecuencia de corte inferior.
W
A
: Frecuencia de corte superior.
Admitiendo que el amplificador del diagrama de bloque de la Figura
4.2.3.1 posee solamente limitaciones en baja frecuencia, la dependencia en
frecuencia del amplificador ser de la forma:

B
W s
s
Am ) s ( A
+
= (4.2.3.2)
por lo tanto, la ganancia del sistema realimentado se obtiene sustituyendo 4.2.3.2
en la relacin 4.1.7:

B B
B
B
f
W s ) Am 1 (
s Am
s Am W s
s Am
W s
s
Am 1
W s
s
Am
) s ( A
+
=
+
=
+

+
=

Am 1
W
s
s
Am 1
Am
Am 1
W
s ) Am 1 (
s Am
) s ( A
B
B
f

+

=


+
=

Bf
f f
W s
s
Am ) s ( A
+
= (4.2.3.3)
De esta forma el sistema realimentado tendr una ganancia a frecuencias
medias caracterizada por:

Am 1
Am
Am
f

= (4.2.3.4)
y una frecuencia inferior de:

Am 1
W
W
B
Bf

= (4.2.3.5)
donde:
CAPTULO 4 - REALIMENTACIN 189


Am: Ganancia a frecuencias medias del amplificador bsico.
1-Am: Factor de realimentacin.
Am
f
: Ganancia a frecuencias medias del sistema realimentado.
W
B
: Frecuencia de corte inferior del amplificador bsico.
W
Bf
: Frecuencia de corte inferior del sistema realimentado.
En forma similar se procede para determinar un modelo de la ganancia de
la estructura realimentada en funcin de la frecuencia, vlido para las regiones de
media y alta frecuencia. En este caso, considerando que la ganancia del
amplificador es:

A
A
W s
W
Am ) s ( A
+
= (4.2.3.6)
la ganancia del sistema realimentado se obtiene sustituyendo 4.2.3.6 en la relacin
4.1.7:

) Am 1 ( W s
AmW
AmW W s
AmW
W s
W
Am 1
W s
W
Am
) s ( A
A
A
A A
A
A
A
A
A
f
+
=
+
=
+

+
=

Af
Af
A
A
f
W s
W
Am 1
Am
) Am 1 ( W s
) Am 1 ( W
Am 1
Am
) s ( A
+
=
+


=

Af
Af
f f
W s
W
Am ) s ( A
+
= (4.2.3.7)
) Am 1 ( W W
A Af
= (4.2.3.8)
donde:
Am: Ganancia a frecuencias medias del amplificador bsico.
1-Am: Factor de realimentacin.
Am
f
: Ganancia a frecuencias medias del sistema realimentado.
W
A
: Frecuencia de corte superior del amplificador bsico.
W
Af
: Frecuencia de corte superior del sistema realimentado.
Por medio del anlisis de las relaciones 4.2.3.4, 4.2.3.5, 4.2.3.7 y 4.2.3.8
se encuentra que:
a) Cuando la ganancia de lazo, evaluada a frecuencias medias, es negativa el
ancho de banda del sistema se extiende en ambos extremos en la misma
proporcin que disminuye la respuesta a frecuencias medias. La frecuencia de
corte inferior disminuye y aumenta la superior.
b) Todo lo contrario ocurre cuando la ganancia de lazo es positiva. La ganancia
a frecuencias medias aumenta y los polos de la funcin de transferencia se
acercan entre s. Es decir, la frecuencia inferior se incrementa y la esquina de
alta disminuye; afectados ambos cambios en frecuencia por el mismo factor
que incrementa la ganancia del sistema a frecuencias medias.
190 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


La respuesta en funcin de la frecuencia para la estructura realimentada,
considerando baja y alta frecuencia queda de la forma:

Af
Af
Bf
f f
W s
W
W s
s
Am ) s ( A
+ +
= (4.2.3.9)
La influencia de la realimentacin en la respuesta de frecuencia del sistema
realimentado se puede apreciar en el grfico de la Figura 4.2.3.2, donde se muestra
el diagrama de Bode en magnitud para el sistema realimentado.

Am
f(+)
Am
f
Am
f(-)
W
Bf(-)
W
B
W
Bf(+)
W
Af(+)
W
A
W
Af(-)
0<A<1
A=0
A<0

FIGURA 4.2.3.2. Respuesta de frecuencia del sistema realimentado.

4.2.4 Efecto sobre la Linealidad
La caracterstica de transferencia de un amplificador real es continua pero
no lineal, esta no linealidad provoca distorsin de la seal de salida del
amplificador. La distorsin debido a la no linealidad no es un grave problema
cuando se trabaja en pequea seal. Sin embargo, cuando se trabaja a gran seal,
es de gran relevancia la no linealidad, ya que se introduce una distorsin en la
seal de salida al barrer una porcin significativa de la caracterstica de
transferencia, un caso donde ocurre esta situacin son los amplificadores de
potencia. En un amplificador real su caracterstica de transferencia presenta un
aspecto como el indicado en la Figura 4.2.4.1; de la cual se puede apreciar que la
ganancia posee un valor mximo en la zona central y luego disminuye hasta
alcanzar un valor nulo cuando la salida toma los valores de saturacin, los cuales
son impuestos por las condiciones de polarizacin del amplificador.
La caracterstica de transferencia de un amplificador real se puede trazar
como una aproximacin lineal a trozos, como la indicada en la Figura 4.2.4.2. Esta
caracterstica es la que emplearemos, en el amplificador bsico, para simplificar el
anlisis del efecto de la realimentacin sobre la linealidad.

CAPTULO 4 - REALIMENTACIN 191


X
o
X
e

FIGURA 4.2.4.1 Caracterstica de transferencia de un amplificador real.

X
o
X
e
A
3
A
3
A
2
A
2
A
1
A
1
Saturacin
Saturacin
Regin 3 Regin 3 Regin 2 Regin 2 Regin 1

FIGURA 4.2.4.2. Modelo lineal a trozos para la caracterstica de transferencia de
un amplificador bsico.

La Figura 4.2.4.2 presenta varias regiones con diferentes valores de
ganancia. Si la del sistema se considera constante, la ganancia realimentada para
cada una de las tres regiones donde el amplificador bsico posee diferente
ganancia es:

1
1
1 b f
A 1
A
A

= (4.2.4.1)

2
2
2 b f
A 1
A
A

= (4.2.4.2)

3
3
3 b f
A 1
A
A

= (4.2.4.3)
donde:
192 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA



j gin Re dX
dX
A |
e
o
j
= (4.2.4.4)
Al evaluar 4.2.4.4 para la regin 3 donde la ganancia es A
3
se obtiene
como resultado que la respuesta del sistema realimentado es nula; dado que la
propia ganancia del amplificador bsico es nula:
0
0 1
0
A 1
A
A
3
3
3 b f
=

=

=
El amplificador se encuentra saturado, en estas condiciones no se
obtienen cambios en la seal de salida, por lo tanto, la realimentacin no puede
hacer nada para eliminar los efectos de la saturacin del amplificador.
Un comportamiento diferente se consigue en las regiones donde la
ganancia es diferente al valor nulo. Es este caso, el cambio relativo de la ganancia
del sistema se puede evaluar por medio del cociente de las relaciones 4.2.4.1 y
4.2.4.2:

1
2
2
1
2
2
1
1
2 b f
1 b f
A 1
A 1
A
A
A
A 1
A 1
A
A
A


=


= (4.2.4.5)
La ecuacin 4.2.4.5 permite estudiar el efecto de la realimentacin en la
linealidad de la salida, dependiendo del valor de la ganancia de lazo; existiendo,
en general, tres comportamientos:
a) Sin realimentacin, el producto A
j
es nulo por ser nulo el factor . La
relacin 4.2.4.5 se convierte en una medida de la linealidad del amplificador
bsico quedando:
2
1
2 b f
1 b f
A
A
A
A
= (4.2.4.6)
Para un amplificador ideal la relacin 4.2.4.6 es unitaria dado que no presenta
cambios en su ganancia.
b) Cuando la realimentacin es negativa, el producto A
j
es menor que cero la
relacin 4.2.4.5 queda:
1
2
2
1
2 b f
1 b f
A 1
A 1
A
A
0
j
A
A
A
|
+
+
=
<
(4.2.4.7)
Dado que es constante y A
1
>A
2
, ver el grfico de la Figura 4.2.4.2, se tiene
que la relacin 4.2.4.7 es menor que 4.2.4.6; por lo tanto, la realimentacin
negativa provoca que el sistema realimentado presente mayor linealidad que
el amplificador bsico.
c) Introduciendo realimentacin positiva, el producto A
j
esta entre cero y uno
la relacin 4.2.4.5 queda:

1
2
2
1
2 b f
1 b f
A 1
A 1
A
A
1
j
A 0
A
A
|


=
< <
(4.2.4.8)
CAPTULO 4 - REALIMENTACIN 193


Para constante y A
1
>A
2
, la relacin 4.2.4.8 es mayor que 4.2.4.6; por tanto,
la realimentacin positiva acenta, en la respuesta del sistema, la no
linealidad del amplificador bsico.
La curva (a) de la Figura 4.2.4.3 muestra la caracterstica de transferencia
de un amplificador bsico. Como se indica, la caracterstica es lineal a trozos,
cambiando la ganancia de 1000 a 100 y luego a cero. Esta caracterstica de
transferencia no lineal resultar en que este amplificador genere una gran cantidad
de distorsin no lineal.

X
o
X
e
(a) m=100
m=1000
(b)

FIGURA 4.2.4.3. Caracterstica de Transferencia para ilustrar el efecto de la
realimentacin negativa en la linealidad. La curva (a) muestra la caracterstica de
transferencia del amplificador bsico sin realimentar. La curva (b) muestra la
caracterstica con realimentacin negativa (=0.01).

Para ilustracin, se aplicar realimentacin negativa con =0.01 y por
consiguiente el producto A es negativo. Al realimentar, la pendiente del
segmento ms inclinado est dado por:
9 . 90
01 . 0 1000 1
1000
A
1 b f
=
+
=
y la pendiente del segmento que sigue se expresa mediante:
50
01 . 0 100 1
100
A
1 b f
=
+
=
De esta forma el cambio de orden de magnitud en la pendiente se ha
reducido en forma considerable. La caracterstica de transferencia del
amplificador puede ser considerablemente linealizada a travs de la aplicacin de
la realimentacin negativa. No debe sorprender que esto sea posible, ya que se ha
visto que la realimentacin negativa reduce la dependencia de la ganancia total del
amplificador de lazo cerrado sobre la ganancia de lazo abierto del amplificador
bsico. De esta manera los cambios bruscos en la ganancia de lazo abierto (1000 a
100 en este caso) dan lugar a cambios correspondientes mucho ms pequeos en
194 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


la ganancia de lazo cerrado. El precio pagado, desde luego, es una reduccin en la
ganancia. S, se desea restaurarse la ganancia total, entonces debe agregarse un
preamplificador que no presente problemas de distorsin lineal.
Un procedimiento experimental para verificar si la realimentacin
negativa a beneficiado la linealidad sera aumentar la seal de entrada en la misma
cuanta en que se reduce la ganancia y s la salida permanece prcticamente la
misma entonces la realimentacin negativa a logrado su objetivo.
La distorsin no lineal del amplificado bsico provoca a su salida la
presencia de trminos armnicos de la seal de entrada, de este modo se puede
estudiar el efecto en la linealidad bajo otro punto de vista [MIL DE LA ROCA J.
M.]

4.3 Presentacin de un Mtodo para el Anlisis Sistemtico de
Circuitos Realimentados
Hay varios mtodos para analizar los circuitos con realimentacin entre
los cuales se tiene: 1) Anlisis directo del circuito, 2) Diagrama de bloques, 3)
Grficos de flujo de seales, 4) Identificacin de la topologa segn el tipo de
realimentacin, 5) Corte y 6) Desvanecimiento.
El primer mtodo consiste en sustituir los circuitos equivalentes, que
incluyen las fuentes dependientes, de los elementos activos y luego con la
aplicacin de las leyes de Kirchhoff obtener la solucin de la ganancia de lazo
cerrado del circuito. Una ventaja de este mtodo es que siempre sirve, pero
desgraciadamente, las soluciones son a menudo complicadas y muy largas de
obtener.
El mtodo de diagrama de bloque hay que identificar al bloque A y la
realimentacin , esta puede ser o no una tarea sencilla dependiendo de los niveles
de impedancia y la complejidad del circuito.
El mtodo de grficos de flujo de seal puede contener la misma
informacin que los diagramas de bloques, sin embargo, se pueden aplicar a
situaciones en las que no estn claramente definidos los caminos A y , dibujando
un detallado grfico de flujo de seales que satisfaga las ecuaciones del circuito.
Luego se aplica los procedimientos de reduccin adecuados hasta que el grfico
de flujo simplificado consista en un camino directo y otro de realimentacin,
entonces se pueden evaluar A y . Las diferentes transformaciones del grfico de
flujo pueden conducir a distintos valores de A y .
El mtodo de identificacin de la topologa segn el tipo de
realimentacin, se debe primero clasificar el tipo de amplificador (amplificador de
tensin, amplificador de corriente, amplificador de transconductancia y
amplificador transresistencia), luego identificar el tipo de circuito bsico de
realimentacin (realimentacin de tensin serie, realimentacin de corriente
paralelo, realimentacin corriente serie y realimentacin tensin paralelo) y por
ltimo proceder a la solucin segn el modelo obtenido. Este mtodo tiene un
inconveniente, ya que s el circuito es una topologa muy complicada la
CAPTULO 4 - REALIMENTACIN 195


identificacin se convierte en un proceso muy largo, adems hay diferentes
procedimientos segn la topologa.
El mtodo de corte radica en encontrar el camino de realimentacin para
establecer el corte y luego con una serie de aproximaciones, no justificadas,
encontrar la solucin.
El mtodo de desvanecimiento es un procedimiento general para el
anlisis de circuitos realimentados, no requiere de la clasificacin previa de la
estructura para modelarla y proceder de una cierta forma que dependa del modelo
obtenido para la estructura. El procedimiento propuesto es siempre el mismo y es
independiente de la topologa que posea el sistema realimentado.

4.3.1 Mtodo de Desvanecimiento para el Anlisis de Circuitos
Realimentados
El sistema bajo estudio se representa por medio de una red en forma de
cuadripolo, donde se identifican los puertos de entrada y salida del sistema, ver
diagrama de la Figura 4.3.1.1.

SISTEMA
V
i
(entrada)
V
o
(salida)

FIGURA 4.3.1.1 Sistema Realimentado bajo estudio.

En el sistema bajo estudio se debe reconocer la trayectoria de
realimentacin, para esto, se anula la seal de entrada y se inspecciona el circuito
equivalente del sistema a fin de reconocer una trayectoria cerrada por lo cual
pueda fluir informacin; en el caso de no encontrarla el sistema no estar
realimentado. Perteneciente a la trayectoria se selecciona una estructura
unidireccional y se sustituye por su modelo equivalente de tensin o de corriente.
El modelo de tensin consta de una fuente dependiente y sus impedancias de
entrada y salida; tambin se definen los puntos correspondientes al nodo donde se
aplica la variable de control, que se denomina 1 y el nodo de salida de la fuente
dependiente del modelo que se denota como 3, ver Figura 4.3.1.2a. El modelo de
corriente se caracteriza por la fuente controlada de corriente y la rama por la cual
circula la corriente de control, esta rama y la de salida se denominan 1 y 3
respectivamente, ver Figura 4.3.1.2b.
Tambin es posible que la estructura unidireccional posea una fuente de
tensin controlada por corriente o de corriente controlada por tensin, lo esencial
es la unidireccionalidad. La deduccin del mtodo para todos los modelos de
fuentes controladas es similar; en particular se deducirn las relaciones
seleccionando, reconociendo y extrayendo un modelo de tensin controlado por
tensin.
196 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


+
-
e
1
e
3
e
3
=e
1
A
Z
entrada
Z
salida
i
1
i
3
=i
1
K
i
3
3 1
3 1

(a) (b)
FIGURA 4.3.1.2. Estructuras unidireccionales. Modelos equivalentes; (a) Modelo
de tensin; (b) Modelo de corriente.

De la red que representa al sistema se reconoce el amplificador
unidireccional A
1
(ver Figura 4.3.1.3a), con un modelo correspondiente al de la
Figura 4.3.1.2a. Del modelo se extrae la fuente dependiente y los puntos definidos
1 y 3, dejando dentro la impedancia de entrada y de salida, como se muestra en la
Figura 4.3.1.3b.
Con todo esto, la red inicial que representa al sistema con una entrada y
una salida se convierte en otra equivalente que posee dos entradas y dos salidas,
observar las Figuras 4.3.1.3. En el sistema modificado el punto definido como 1
corresponde a una salida y el punto 3 es una entrada al sistema.

SISTEMA
MODIFICADO
V
i
V
o
A
1
1
SISTEMA
MODIFICADO
V
i
V
o
e
1
1
3
+
-
e
3

(a) (b)
FIGURA 4.3.1.3. Sistema Modificado.

Aplicando superposicin al sistema modificado se pueden establecer las
ecuaciones circuitales que relacionan las entradas con las salidas, por lo tanto:

o 3 3 io i o
X e X V V + = (4.3.1.1)

31 3 1 i i 1
X e X V e + = (4.3.1.2)
A e e
1 3
= (4.3.1.3)
donde:

0 e V
V
X
3 i
o
io
|
=
=
0 V e
V
X
i 3
o
o 3
|
=
=
CAPTULO 4 - REALIMENTACIN 197



0 e V
e
X
3 i
1
1 i
|
=
=
0 V e
e
X
i 3
1
31
|
=
=
dada la unidireccionalidad del modelo reconocido y extrado de la red, la tensin
de salida de la fuente e
3
puede ser nula por dos razones: por ser nula la variable
que la controla (e
1
) o por serlo la constante de proporcionalidad (A). En nuestro
desarrollo emplearemos la ltima razn, anularemos la constante de
proporcionalidad, haciendo nula la ganancia del amplificador; o sea el
amplificador se desvanece, de aqu proviene el nombre del mtodo: mtodo de
desvanecimiento.
Para resolver el sistema se sustituye la ecuacin 4.3.1.3 en 4.3.1.2 y
4.3.1.1:

o 3 1 io i o
X Ae X V V + = (4.3.1.4)

31 1 1 i i 1
X Ae X V e + = (4.3.1.5)
de la ecuacin 4.3.1.5:

1 i i 31 1
X V ) A X 1 ( e =

) A X 1 (
X
V e
31
1 i
i 1

= (4.3.1.6)
sustituyendo la relacin 4.3.1.6 en 4.3.1.4, se obtiene la salida del sistema en
funcin de la entrada.

o 3
31
1 i
i io i o
AX
) A X 1 (
X
V X V V

+ = (4.3.1.7)
ecuacin mediante la cual se puede obtener la relacin de transferencia del sistema
realimentado:

o 3
31
1 i
io
i
o
X
) A X 1 (
AX
X
V
V

+ = (4.3.1.8)
Un diagrama de bloque que representa la relacin 4.3.1.8 se muestra en la
Figura 4.3.1.4. Donde se puede ver que la estructura unidireccional reconocida en
la red original y modelada por un amplificador es totalmente equivalente al
amplificador bsico; al cual se le aadi realimentacin para formar el sistema
realimentado. El bloque X
io
que se encuentra entre la entrada y la salida representa
una va directa entre los dos puntos del sistema original, tal bloque puede no estar
presente en el sistema bajo estudio. En algunas oportunidades se pretende analizar
un sistema que no posee realimentacin; en estos casos simplemente, el bloque
que representa la red de realimentacin, X
31
es nulo.
En el desarrollo anterior las variables de entrada y de salida corresponden
a la variable tensin, adems la estructura unidireccional se modelo por medio de
una fuente controlada de tensin. En algunos casos las variables de entrada y de
salida pueden ser ambas corrientes o una combinacin de tensin-corriente o
corriente-tensin respectivamente, y en ocasiones es conveniente emplear una
fuente de corriente dependiente, controlada por tensin o corriente. El
198 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


procedimiento es totalmente anlogo, solamente cambian las dimensiones de los
parmetros X
pq
que permiten caracterizar el sistema realimentado.

V
o
X
31
V
i
X
io
A
i
X
i1
1 3 o
X
3o

FIGURA 4.3.1.4. Diagrama de bloque del sistema realimentado.

Veamos a continuacin la aplicacin de este mtodo con un ejemplo.

Ejemplo 4.3.1.1. Determinar la ganancia de tensin para el amplificador de la
Figura 4.3.1.5. Considerar h
re
=h
oe
=0.
V
o
V
i
V
cc
C
Q1
Q2
R
1
R
2
R
3
R
4
R
5
R
6
R
7

FIGURA 4.3.1.5. Amplificador del ejemplo 4.3.1.1.
Anulando la seal de entrada y analizando la estructura del amplificador
se reconoce la trayectoria de realimentacin, la cual se encuentra formada por un
divisor de tensin donde intervienen R
6
y R
7
, y completan el lazo de
realimentacin las etapas formadas por los transistores Q1 y Q2. Pertenecientes a
la trayectoria cerrada se observa la estructura unidireccional constituida por la
etapa de Q1, la cual se extrae con un modelo equivalente de tensin
correspondiente a la Figura 4.3.1.2a. El modelo equivalente unidireccional, los
puntos 1 y 3 identificados en el circuito original; as como el resto del circuito se
indica en la Figura 4.3.1.6. Notar que para los mismos nodos de los circuitos de
las Figuras 4.3.1.5 y 4.3.1.6 los niveles de las tensiones incremntales no cambian;
esto debe ser as, de otra forma los dos circuitos no seran equivalentes y los
CAPTULO 4 - REALIMENTACIN 199


clculos efectuados para la Figura 4.3.1.6 no seran validos para el circuito
original.
Los valores que caracterizan al amplificador unidireccional reconocido
son:

ie i
h R =
2 o
R R =
ie
2 fe
h
R h
A

=
V
o
V
i
Q2
R
1
R
i
R
3
R
4
R
5
R
6
R
7
+
-
Ae
1
e
1
e
3
1 3
R
o

FIGURA 4.3.1.6. Amplificador modificado del ejemplo 4.3.1.1.
Para calcular la ganancia de tensin del amplificador realimentado se
aplica la ecuacin 4.3.1.8, por lo tanto, se deben determinar los parmetros X
directamente de la Figura 4.3.1.6. Donde los trminos X son:
0 e V
V
X
3 i
o
io
|
=
=
0 e V
e
X
3 i
1
1 i
|
=
=
0 V e
V
X
i 3
o
o 3
|
=
=
0 V e
e
X
i 3
1
31
|
=
=
resolviendo cada uno de los parmetros del circuito de la Figura 4.3.1.6 queda:
......
))
1 h
R h
R ( || R R ( || R || h R
))
1 h
R h
R ( || R R ( || R || h
0 e V
V
X
fe
2 ie
4 5 6 7 ie 1
fe
2 ie
4 5 6 7 ie
3 i
o
io
|
+
+
+ + +
+
+
+ +
=
=
=


4 fe ie 2
3 fe
fe
2 ie
4 5 6
fe
2 ie
4 5
R ) 1 h ( h R
R h
)
1 h
R h
R ( || R R
)
1 h
R h
R ( || R
.......
+ + +
+
+
+ +
+
+
+


))
1 h
R h
R ( || R R ( || R || h R
))
1 h
R h
R ( || R R ( || R || h
0 e V
e
X
fe
2 ie
4 5 6 7 ie 1
fe
2 ie
4 5 6 7 ie
3 i
1
1 i
|
+
+
+ + +
+
+
+ +
=
=
=
200 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


)) h || R || R R ( || R R )( 1 h ( h R
R h
0 V e
V
X
ie 7 1 6 5 4 fe ie 2
3 fe
i 3
o
o 3
|
+ + + + +

=
=
=
......
)) h || R || R R ( || R R )( 1 h ( h R
)) h || R || R R ( || R R )( 1 h (
0 V e
e
X
ie 7 1 6 5 4 fe ie 2
ie 7 1 6 5 4 fe
i 3
1
31
|
+ + + + +
+ + +
=
=
=


7 1 ie 6
7 1 ie
7 1 ie 6 5 4
7 1 ie 6 5
R || R || h R
R || R || h
) R || R || h R ( || R R
) R || R || h R ( || R
......
+ + +
+


Sustituyendo todos los valores calculados anteriormente en 4.3.1.8 se
obtiene la ganancia de tensin del amplificador realimentado.

En muchas oportunidades la estructura unidireccional, reconocida en la
red que forma el sistema, es de dos entrada y una salida; como por ejemplo los
amplificadores operacionales o amplificadores diferenciales. En este caso se
puede extraer el amplificador de entrada dual, definiendo la entrada adicional que
posee este tipo de amplificador. El sistema modificado es como el indicado en la
Figura 4.3.1.7a; donde A
1
y A
2
son respectivamente las ganancias desde los
puertos de entrada a la salida del amplificador. El sistema modificado tambin se
puede representar como se muestra en la Figura 4.3.1.7b.

SISTEMA
MODIFICADO
V
i
V
o
A
1
1
3
A
2
2

SISTEMA
MODIFICADO
V
i
V
o
A
1
1
3
A
2
2
e
1
e
3
e
1
e
3
e
2
e
2

(a) (b)
FIGURA 4.3.1.7. Sistema Modificado con un amplificado unidireccional de dos
entradas y una salida.

Del sistema modificado donde se reconoce la estructura de la Figura
4.3.1.7 se establecen las ecuaciones circuitales que relacionan las entradas con las
salidas:

o 3 3 io i o
X e X V V + = (4.3.1.9)

31 3 1 i i 1
X e X V e + = (4.3.1.10)

32 3 2 i i 2
X e X V e + = (4.3.1.11)

2 2 1 1 3
A e A e e + = (4.3.1.12)
CAPTULO 4 - REALIMENTACIN 201


donde:

0 e V
V
X
3 i
o
io
|
=
=
0 V e
V
X
i 3
o
o 3
|
=
=

0 e V
e
X
3 i
1
1 i
|
=
=
0 V e
e
X
i 3
1
31
|
=
=

0 e V
e
X
3 i
2
2 i
|
=
=
0 V e
e
X
i 3
2
32
|
=
=
la tensin de salida e
3
puede ser nula por dos razones: por ser nula las variables e
1
y e
2
o por ser nula A
1
y A
2
. En este caso, ser cero la tensin e
3
haciendo nula la
ganancia A
1
y A
2
; desvaneciendo de esta manera el amplificador.
Para resolver el sistema se sustituye las ecuaciones 4.3.1.10 y 4.3.1.11 en
4.3.1.12:
) X e X V ( A ) X e X V ( A e
32 3 2 i i 2 31 3 1 i i 1 3
+ + + =

32 3 2 2 i i 2 31 3 1 1 i i 1 3
X e A X V A X e A X V A e + + + =
[ ] ) X A X A ( V X A X A 1 e
2 i 2 1 i 1 i 32 2 31 1 3
+ =
Despejando e
3
:
[ ]
32 2 31 1
2 i 2 1 i 1 i
3
X A X A 1
) X A X A ( V
e

+
= (4.3.1.13)
sustituyendo 4.3.1.13 en 4.3.1.9, se obtiene la salida del sistema en funcin de la
entrada.

o 3
32 2 31 1
2 i 2 1 i 1
i io i o
X
X A X A 1
) X A X A (
V X V V

+
+ = (4.3.1.14)
ecuacin mediante la cual se puede obtener la relacin de transferencia del sistema
realimentado:

o 3
32 2 31 1
2 i 2 1 i 1
io
i
o
X
X A X A 1
) X A X A (
X
V
V

+
+ = (4.3.1.15)
Si A
1
= -A
2
= A, que corresponde a un amplificador operacional, entonces:
Ae ) e e ( A e
2 1 3
= = (4.3.1.16)
sustituyendo 4.3.1.16 en 4.3.1.15 queda:

o 3
32 31
2 i 1 i
io
i
o
X
) X X ( A 1
) X X ( A
X
V
V


+ = (4.3.1.17)
La diferencia de parmetros
2 i 1 i
X X es el cociente de la diferencia de
tensin entre los puertos de entrada del amplificador unidireccional y la seal de
entrada del sistema realimentado. La diferencia
32 31
X X se puede interpretar de
manera similar; en este caso la diferencia de parmetros es la relacin de
202 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


trasferencia entre la salida del amplificador y su propia entrada. La diferencia de
los parmetros es:

i
2
i
1
2 i 1 i ie
V
e
V
e
X X X = = (4.3.1.18)

3
2
3
1
32 31 e 3
e
e
e
e
X X X = = (4.3.1.19)
la relacin de ganancia realimentada para un sistema modificado por un
amplificador operacional segn lo definido en 4.3.1.18 y 4.3.1.19 queda:

o 3
e 3
ie
io
i
o
X
) A X 1 (
AX
X
V
V

+ = (4.3.1.20)
Si A
2
=0 queda la ecuacin 4.3.1.8.
Cuando la estructura unidireccional es un amplificador diferencial se
tiene que:

d
c
1
A
2
A
A + =
d
c
2
A
2
A
A =
la relacin 4.3.1.15 en funcin de la ganancia diferencial y comn del
amplificador es:

o 3
d
c
32 d
c
31
d
c
2 i d
c
1 i
io
i
o
X
) A
2
A
( X ) A
2
A
( X 1
) A
2
A
( X ) A
2
A
( X
X
V
V
+
+ +
+ =
reagrupando:

o 3
32 31
c
32 31 d
2 i 1 i
c
2 i 1 i d
io
i
o
X
) X X (
2
A
) X X ( A 1
) X X (
2
A
) X X ( A
X
V
V
+
+ +
+ = (4.3.1.21)
colocando la definicin de las ecuaciones 4.3.1.18 y 4.3.1.19 en la ecuacin
anterior:

o 3
32 31
c
e 3 d
2 i 1 i
c
ie d
io
i
o
X
) X X (
2
A
X A 1
) X X (
2
A
X A
X
V
V
+
+ +
+ = (4.3.1.22)
Para aquellos casos en los cuales la ganancia modo comn del
amplificador se pueda despreciar se tiene:

o 3
d e 3
ie d
io
i
o
X
) A X 1 (
X A
X
V
V

+ = (4.3.1.23)
S la ganancia diferencial es muy grande basta con tomar el lmite de la
relacin 4.3.1.23 cuando A
d
tiende a infinito, resultando:
CAPTULO 4 - REALIMENTACIN 203



o 3
e 3
ie
io
d i
o
X
X
X
X
A V
V
Lim =

(4.3.1.24)

Ejemplo 4.3.1.2. Hallar la ganancia de tensin del amplificador inversor de la
Figura 4.3.1.8. El amplificador operacional es ideal.
La trayectoria de realimentacin esta formada por el divisor de tensin de
R
2
y R
1
, el lazo de realimentacin se completa a travs del amplificador
operacional, el cual es la estructura unidireccional.
V
i
V
o
R
2
R
1
+
-

FIGURA 4.3.1.8. Amplificador inversor del ejemplo 4.3.1.2
Al extraer el amplificador operacional el circuito queda como se muestra en la
Figura 4.3.1.9, donde se encuentran identificados los puntos 1,2 y 3. Los valores
que caracterizan al amplificador unidireccional reconocido son:
=
i
R 0 R
o
= = A
V
i
V
o
R
2
R
1
+
-
3
2
1

FIGURA 4.3.1.9. Amplificador modificado del ejemplo 4.3.1.2.
La ganancia de tensin de la estructura realimentada se determina
aplicando la ecuacin 4.3.1.8. Los parmetros X son:
0
0 e V
V
X
3 i
o
io
| =
=
=
2 1
2
i
2
i
1
3 i
ie
R R
R
0
V
e
V
e
0 e V
e
X |
+
= =
=
=
204 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


1
0 V e
V
X
i 3
o
o 3
| =
=
=
2 1
1
3
2
3
1
i 3
e 3
R R
R
0
e
e
e
e
0 V e
e
X |
+
= =
=
=

Sustituyendo todos los parmetros calculados en 4.3.1.8, se obtiene:

A
R R
R
1
A
R R
R
V
V
2 1
1
2 1
2
i
o
+
+
+

= haciendo A
1
2
2 1
1
2 1
2
i
o
R
R
R R
R
R R
R
V
V
=
+
+

=

En general, los circuitos electrnicos poseen mltiples realimentaciones.
Se introducen tales realimentaciones para lograr que los circuitos se comporten de
manera prefijada, independiente de las variaciones en los valores que pueden
presentar los elementos empleados. En una estructura generalmente se requiere de
un lazo de realimentacin por cada una de las caractersticas que se desea
insensibilizar con relacin a algunos de los parmetros que la definen; de esta
forma, el valor de la caracterstica depender de un nmero menor de parmetros
y seleccionndolos adecuadamente se asegura el valor deseado para la
caracterstica. El procedimiento para el anlisis de estructuras mltiplemente
realimentadas sera plantear reiteradamente el clculo de cada uno de los
parmetros X definidos, donde a su vez cada parmetro en una funcin definida en
un sistema realimentado. Pero, tambin se puede generalizar el mtodo visto para
una simple realimentacin a n realimentaciones. Este planteamiento se estudiar
ms adelante.

4.4 Impedancia de Blackman
La impedancia de Blackman es una relacin que representa la impedancia
entre dos puntos arbitrarios de un sistema realimentado. Consideremos el mismo
sistema realimentado estudiado anteriormente donde se reconoce y modela la
estructura unidireccional por un amplificador de tensin. En el sistema se definen
dos puntos arbitrarios a y a entre los cuales se desea calcular la impedancia. Los
puertos de entrada y salida del sistema se pueden colocar a condiciones arbitrarias;
por supuesto, estas son las condiciones bajo las cuales se desea conocer la
impedancia entre los puntos definidos. El sistema con los puntos a y a
identificados se reproduce en el diagrama de bloque de la Figura 4.4.1.

CAPTULO 4 - REALIMENTACIN 205


SISTEMA
MODIFICADO
V
i
A1
1
i
o
a
a'

FIGURA 4.4.1. Diagrama de bloque del sistema realimentado para determinar la
impedancia entre dos puntos arbitrarios.

Entre los puntos a y a se coloca una fuente de tensin V
i
como
excitacin, la corriente i
0
se considerar la salida del sistema. La impedancia
deseada no es mas que la relacin entre la excitacin y la salida del sistema, es
decir:
o
i
f ' aa
i
V
Z =
De una manera similar a la empleada para obtener las ecuaciones del
sistema realimentado se tiene:

o 3 3 io i o
X e X V i + = (4.4.1)

31 3 1 i i 1
X e X V e + = (4.4.2)
A e e
1 3
= (4.4.3)
donde los parmetros son:

0 e V
i
X
3 i
o
io
|
=
=
0 e V
e
X
3 i
1
1 i
|
=
=
0 V e
i
X
i 3
o
o 3
|
=
=
0 V e
e
X
i 3
1
31
|
=
=
los trminos X
io
y X
3o
poseen dimensiones de admitancia. Sustituyendo la
ecuacin 4.4.2 en 4.4.3:

31
1 i i
3 31 3 1 i i 3
AX 1
X AV
e X Ae X AV e

= + =
Sustituyendo el valor de e
3
en 4.4.1:

o 3
31
1 i i
io i o
X
AX 1
X AV
X V i

+ = (4.4.4)
De 4.4.4 se despeja:

o 3
31
1 i
io
i
o
X
AX 1
AX
X
V
i

+ = (4.4.5)
Desarrollando:
206 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


=

+
=

+ =
) AX 1 (
X
X
AX
AX 1
X X
) AX 1 ( X
AX
1 X
V
i
31
o 3
io
1 i
31
io o 3
31 io
1 i
io
i
o


) AX 1 (
)
X
X
X X ( A 1
X
31
io
o 3
1 i 31
io


=
(4.4.6)
En el sistema de la Figura 4.4.1 hagamos que la corriente de salida sea
nula, para esto dejamos los puntos a y a en circuito abierto. Del sistema se tienen
las ecuaciones:

o 3 3 io i
X e X V 0 + = (4.4.7)

31 3 1 i i 1
X e X V e + = (4.4.8)
despejando V
i
de 4.4.7:

io
o 3 3
i
X
X e
V

=
sustituyendo lo anterior en 4.4.8:

31 3 1 i
io
o 3 3
1
X e X
X
X e
e +

=

1 i
io
o 3
31
3
1
X
X
X
X
e
e
= (4.4.9)
Relacin que por definicin es X
31
, evaluada con los puntos a y a en
circuito abierto, por lo tanto:

1 i
io
o 3
31 31
X
X
X
X
abierto circuito ' a , a
X = (4.4.10)
sustituyendo 4.4.10 en 4.4.6 e imponiendo las condiciones de los puntos se tiene:

cerrado circuito en ' a , a
AX 1
abierto circuito en ' a , a
AX 1
X
V
i
31
31
io
i
o

=
al invertir se obtiene:
ca en ' a , a
AX 1
cc en ' a , a
AX 1
X
1
i
V
31
31
io o
i

= (4.4.11)
CAPTULO 4 - REALIMENTACIN 207



ca en ' a , a
AX 1
cc en ' a , a
AX 1
Z Z
31
31
' aa f ' aa

= (4.4.12)
donde:
f ' aa
Z : Impedancia entre los puntos a y a del sistema
realimentado.
' aa
Z : Impedancia entre los puntos a y a con el amplificador
A desvanecido.
cc en ' a , a
AX 1
31
: Factor de realimentacin del sistema con los puntos a y
a en corto circuito.
ca en ' a , a
AX 1
31
: Factor de realimentacin del sistema con los puntos a y
a en circuito abierto.
La ecuacin 4.4.12 representa la impedancia entre los puntos a y a del
sistema realimentado y se conoce en la teora de circuito como relacin de
Blackman.

Ejemplo 4.4.1 Determinar la resistencia de entrada del circuito de la Figura
4.3.1.5. Considerar h
re
=h
oe
=0.
Para calcular la resistencia de entrada del amplificador realimentado se
aplica la ecuacin 4.4.12, por lo tanto, se deben determinar Z
aa
el parmetro X
31

en corto circuito y en circuito abierto. La impedancia Z
aa
con el amplificador
desvanecido es:
)
h 1
R h
R ( || R R ( || R || h || R Z
fe
2 ie
4 5 6 7 ie 1 ' aa
+
+
+ + =
El parmetro X
31
en corto circuito es igual al X
31
determinado en el ejemplo 4.3.1.1:
.....
)) h || R || R R ( || R R )( 1 h ( h R
)) h || R || R R ( || R R )( 1 h (
cc en ' a , a
X
ie 7 1 6 5 4 fe ie 2
ie 7 1 6 5 4 fe
31
|
+ + + + +
+ + +
=


7 1 ie 6
7 1 ie
7 1 ie 6 5 4
7 1 ie 6 5
R || R || h R
R || R || h
) R || R || h R ( || R R
) R || R || h R ( || R
.....
+ + +
+


El parmetro X
31
en circuito abierto es igual a:
.....
)) h || R || R R ( || R R )( 1 h ( h R
)) h || R || R R ( || R R )( 1 h (
ca en ' a , a
X
ie 7 1 6 5 4 fe ie 2
ie 7 1 6 5 4 fe
31
|
+ + + + +
+ + +
=


7 ie 6
7 ie
7 1 ie 6 5 4
7 1 ie 6 5
R || h R
R || h
) R || R || h R ( || R R
) R || R || h R ( || R
.....
+ + +
+


Sustituyendo todos los valores en 4.4.12 se obtiene la resistencia de entrada.
208 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


4.5 Bibliografa
CHIRLIAN PAUL M., Anlisis y Diseo de Circuitos Electrnicos, McGraw-
Hill, 1967.

CUTLER PH., Anlisis de Circuitos con Semiconductores, McGraw-Hill, 1967.

GRAY PAUL R. & MEYER ROBERT G., Anlisis y Diseo de Circuitos
Integrados Analgicos, Prentice-Hall Hispanoamericana, S.A., Tercera Edicin.

HORENSTEIN MARK N. , Microelectrnica: Circuitos y Dispositivos,
Prentice-Hall Hispanoamericana, S.A., Segunda Edicin.

MALIK NORBERT R., Circuitos Electrnicos. Anlisis, Diseo y Simulacin,
Prentice-Hall, 1998.

MIL DE LA ROCA J. M., Desvanecimiento: Anlisis de Sistemas Electrnicos
Realimentados. EdMil., 2000.

MILLMAN J. & HALKIAS CH. C., Dispositivos y Circuitos Electrnicos,
Ediciones Anaya, S.A., 1971.

MILLMAN J. & HALKIAS CH. C., Electrnica Integrada. Circuitos y Sistemas,
Analgicos y Digitales, Editorial Hispano Europea, S.A. Cuarta Edicin.

MILLMAN J. & GRABEL A., Microelectrnica, Editorial Hispano Europea,
S.A. Sexta Edicin.

RASHID MUHAMMAD H., Circuitos Microelectrnicos anlisis y diseo,
International Thomson Editores, 2000.

SEDRA A. & SMITH K. C., Dispositivos Electrnicos y Amplificacin de
Seales, McGraw-Hill, 1991.

THORNTON R.D., SEARLE C. L., PEDERSON D.O., ADLER R.B., ANGELO
Jr. E. J., Circuitos Multietapa de Transistores, SEEC Tomo 5, Editorial Revert,
S.A., 1971.

4.6 Preguntas y Problemas Propuestos
4.6.1 Qu se entiende por realimentacin?.

4.6.2 Cules el objetivo fundamental de la realimentacin?.

CAPTULO 4 - REALIMENTACIN 209


4.6.3 Cules son algunas ventajas que puede proporcionar la realimentacin en
los sistemas electrnicos?.

4.6.4 Dibujar el diagrama de bloque de un sistema realimentado identificando
cada bloque e indicar su funcin.

4.6.5 Obtenga la relacin de ganancia de un sistema realimentado ideal e indique
cules la ganancia de lazo y el factor de realimentacin.

4.6.6 Plantear las tres suposiciones fundamentales necesarias para que se cumpla
exactamente la expresin A
fb
=A/(1-A).

4.6.7 Diga cuando un sistema es lineal o no lineal y cuando una realimentacin es
negativa o positiva. Identifique las diferentes zonas antes mencionadas en el
grfico de la ganancia de un sistema realimentado en funcin de la ganancia de
lazo.
4.6.8 Diga las caractersticas que introduce la realimentacin negativa.

4.6.9 Cules son las aplicaciones de la realimentacin positiva?

4.6.10 Cules son los bloques operacionales que se encuentran al tener un
sistema realimentado no lineal?

4.6.11 Cules son las propiedades de los circuitos realimentados?. Explquelas
brevemente.

4.6.12 Nombre los mtodos para el anlisis de circuitos realimentados.

4.6.13 Explique brevemente el mtodo de desvanecimiento para el anlisis de
circuitos realimentados.

4.6.14 Obtenga la relacin de transferencia de un sistema realimentado en el
mtodo de desvanecimiento.

4.6.15 Defina la Impedancia de Blackman.

4.6.16 Un amplificador tiene ganancia de 800. Despus de aadir realimentacin
negativa, la ganancia es 25. Obtenga el valor del factor de realimentacin y de .

4.6.17 En el amplificador de la Figura. 4.6.17.1 hallar: a) A
vf
= v
o
/v
i
. b) Z
aa
. c) Z
in
.
d)Z
out
. Sabiendo que Q1=Q2={h
fe
=50; h
ie
=2k ; h
re
=
hoe
=0}.
210 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


V
CC
10k 10k
a
15k
1k
Q2
Q1
v
o
10k
a
Z
in
v
i

FIGURA 4.6.17.1 Circuito del problema 4.6.17.

4.6.18 A frecuencias medias determinar para el circuito de la Figura 4.6.18.1:
a) Los puntos estticos de cada transistor . b) La ganancia de tensin v
o
/v
i
. c) La
impedancia entre los puntos a y a. d) La impedancia de Salida Z
out
.
Q1=Q2=Q3=Q4={V
BE
= 0.7V; ; h
ie
=2k; h
fe
=200; h
re
=h
oe
=0}.
12V
10k 10k
5.6k
v
o
10f
v
i
1.1k
18k
1.1k
1k
a
10f
6.2k
Q4
5.6k
2.7k
-12V
Q1 Q2
a
Q3

FIGURA 4.6.18.1 Circuito del problema 4.6.18.

4.6.19 En el amplificador de la Figura 4.619.1 calcular a frecuencias medias lo
siguiente: v
0
/v
i
, Z
in
y Z
o
. Q1=Q2=Q3=Q4=Q5:{ h
ie
=1k; h
fe
=100; h
re
=h
oe
=0}.
CAPTULO 4 - REALIMENTACIN 211


V
CC
-V
CC
Q1 Q2
Q3 Q4
Q5
v
i
v
o
R1
R2
R3
1k
1k
470k

FIGURA 4.6.19.1 Circuito del problema 4.6.19.

4.6.20 En el circuito de la Figura 4.6.20.1, determinar la ganancia de tensin.
Considere todos los transistores iguales: { h
ie
=R; h
fe
; h
re
=h
oe
=0}.
V
CC
Q1 v
i
v
o
R
Q2
Q3
R
R
R
R
R
R
R
R
2R
2R

FIGURA 4.6.20.1 Circuito del problema 4.6.20.

4.6.21 En el amplificador de la Figura 4.6.21.1, hallar la ganancia de tensin v
o
/v
i
.
Todos los transistores son iguales, h
fe
y h
re
=h
oe
=0.
R
V
CC1
v
o
Q1
Q2
v
i
R
R
R
R
R
R
R
R
V
CC3
V
CC2
Q3

FIGURA 4.6.21.1 Circuito del problema 4.6.21.
212 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


4.6.22 La ganancia de corriente de cada uno de los transistores de la Figura
4.6.22.1 es infinita. Hallar la ganancia de tensin (v
o
/v
i
), la resistencia de entrada y
la resistencia de salida.
v
i
v
o
Q1 Q2
Q3
R
R2
R
2R
R1
R
I
V
CC
RL
-V
CC
Q4
-V
CC

FIGURA 4.6.22.1 Circuito del problema 4.6.22.

4.6.23 Se tiene un amplificador con una seal de ruido a la salida, que se puede
modelar como se indica en la Figura 4.6.23.1a. Dibujar para el circuito de la
Figura 4.6.23.1a y 4.6.23.1b la forma de onda de la tensin de salida en funcin
del tiempo para medio periodo de la onda, cuando la seal de entrada es igual a:
-1cos(wt). El bloque A de la Figura 4.6.23.1b corresponde al amplificador de la
Figura 4.6.23.1.a. R
1
=1K, R
2
=20K, R
i
=20K, R
o
=0 y todos los diodos son
ideales. Indicar en las grficas todos los puntos de inters.
+- -100
V
CC
= 10V
-V
CC
= -10V
v
i
v
o
(10/11)V
+ -
(10/11)V
1
D
D
R
o
R
i
v
i
R
1
v
o
A
R
2

(a) (b)
FIGURA 4.6.23.1 Circuitos del problema 4.6.23.

4.6.24 En el circuito de la Figura 4.6.24.1a y 4.6.24.1b encuentre la ganancia de
corriente
i
o
i
i
aplicando el concepto de realimentacin, tomando en cuenta todos
los parmetros del transistor h
fe
, h
ie
, h
re
y h
oe
.

4.6.25 El circuito de la Figura 4.6.25.1 se quiere emplear como una fuente de
tensin controlada por corriente, sabiendo que la ganancia de corriente de los
transistores tiende a infinito responda lo siguiente: a) El circuito cumple con la
condicin para ser empleado como una fuente de tensin controlada por corriente,
b) Si la respuesta anterior es afirmativa. Calcule el valor de la constante de
CAPTULO 4 - REALIMENTACIN 213


proporcionalidad. Cambie el valor de la resistencia de 0.1R por un valor de 0.5R y
repita los punto a) y b).

R
C
R
B
V
CC
i
i
i
o

R
C
R
B
V
CC
i
i
i
o

(a) (b)
FIGURA 4.6.24.1 Circuitos del problema 4.6.24.

R
R
V
1
i
V
o
R
2R
2R 0.1R
R
2R
0.5R
Q Q Q
V
2
V
3

FIGURA 4.6.25.1 Circuito del problema 4.6.25.

4.6.26 En el circuito de la Figura 4.6.26.1, todos los transistores son iguales y la
ganancia de corriente de cada transistor tiende a infinito. Determinar: a) La
ganancia de tensin, b) La resistencia de entrada y c) La resistencia de salida.
R
R
V
CC
V
i
V
o
R
R
R
R
R
R
Q Q Q
R
C
C
R

FIGURA 4.6.26.1 Circuito del problema 4.6.26.

214 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


4.6.27 En el amplificador de la Figura 4.6.27.1, hallar la ganancia de tensin v
o
/v
i
.
Todos los transistores poseen modelos incrementales ideales.
v
i
v
o
Q1
Q2
Q3
R
R
R
2R
R
R
V
CC
R
2R
R
R
R

FIGURA 4.6.27.1 Circuito del problema 4.6.27.

4.6.28 En el amplificador de la Figura 4.6.28.1, hallar la ganancia de tensin v
o
/v
i
.
Todos los transistores son iguales, h
fe
y h
re
=h
oe
=0.
v
i
v
o
Q1
Q2
Q3
R
R
R
R
R
R
R
R
R
R
-V
CC
V
CC

FIGURA 4.6.28.1 Circuito del problema 4.6.28.

4.6.29 En la Figura 4.6.29.1 h
ie
=1K, h
fe
=50, h
re
=h
oe
=0, , V
BE
= 0.6V para
Q1, Q2 y Q3. Determinar la ganancia de tensin a frecuencias medias, la
impedancia de entrada y salida. C
V
CC
24k 8k
60k
v
o
v
i
16k
2k
C
Q1
40k
Q2 Q3
12k 8k
C
C C
30k
10
C

FIGURA 4.6.29.1 Circuito del problema 4.6.29.
CAPTULO 4 - REALIMENTACIN 215


4.6.30 Para el circuito de la Figura 4.6.30.1 todos los A.O. y el transistor son ideales;
empleando realimentacin calcular: a) La tensin de salida v
o
. b) La resistencia
entre los puntos a y b.
v
1
v
o
v
2
+
-
+
-
A1
A2
R
R
R
R
R R
R
R
R
R
R
a
+
-
A3
b

FIGURA 4.6.30.1 Circuito del problema 4.6.30.

4.6.31 Aplicando realimentacin, determinar para el filtro de la Figura 4.6.31.1 la
ganancia de tensin, factorizada de la forma:
0 1
2
2
n
0 1
2
2
n
V
b s b s b s
a s a s a s
K A
+ + + +
+ + + +
=
L
L
.
(todos los A.O. son ideales).
R
R
2
R
3
R
R
4
R
C
v
o
C
R
1
v
i
R
+
-
A
+
-
A
+
-
A
+
-
A

FIGURA 4.6.31.1 Circuito del problema 4.6.31.

4.6.32 Hallar la ganancia del circuito de la Figura 4.6.32.1, sabiendo que el A.O.
es ideal.
R/2
v
i
A v
o
R
R/2
R/2 R/2
R
R

FIGURA 4.6.32.1 Circuito del problema 4.6.32.
216 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


4.6.33 Aplicando el concepto de realimentacin, determinar la funcin de transferencia
de la Figura 4.6.33.1. A:Ideal.
+
-
A
L
+
-
A
+
-
A
R4
R3
R2
R1
R5
R6
v
i
v
o

FIGURA 4.6.33.1 Circuito del problema 4.6.33.

4.6.34 Determinar la ganancia de tensin del amplificador de la Figura 4.6.34.1.
A:Ideal.
+
-
Vcc
-Vcc
R
R
R R
R
R
R
v
o
A
+
-
Vcc
-Vcc
A
+
-
Vcc
-Vcc
A
R
v
i
R

FIGURA 4.6.34.1 Circuito del problema 4.6.34.

4.6.35 Determine la impedancia de entrada del circuito de la Figura 4.6.35.1. Los
A.O. son ideales.
R4
R1
C
v
i +
-
A
+
-
A
R2
R3

FIGURA 4.6.35.1 Circuito del problema 4.6.35.
CAPTULO 4 - REALIMENTACIN 217


4.6.36 Determinar la ganancia de tensin del amplificador de la Figura 4.6.36.1.
A:Ideal.
v
o
R R
R
+
-
Vcc
-Vcc
A
+
-
Vcc
-Vcc
A
v
i
R
R
R
+
-
Vcc
-Vcc
R
R
R
R
A
R
Vcc/4

FIGURA 4.6.36.1 Circuito del problema 4.6.36.

4.6.37 En el circuito de la Figura 4.6.37.1 demostrar que el comportamiento del
circuito es lineal y determinar la expresin de la tensin de salida en funcin de
los elementos del circuito. A:Ideal.
Vo
R1
V
R
R3
R2
R4
+
-
A
+
-
RL

FIGURA 4.6.37.1 Circuito del problema 4.6.37.

4.6.38 Para el circuito de la Figura 4.6.38.1, aplicando el concepto de
realimentacin, determine: a) Ganancia de tensin v
o
/v
i
. b) Impedancia de entrada.
Todos los A.O. ideales
v
i
v
o
A
A
A
2R
R
R
R
2R
R
2R
+
-
+
-
+
-

FIGURA 4.6.38.1 Circuito del problema 4.6.38.
218 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


4.6.39 En el circuito de la Figura 4.6.39.1, determinar si el funcionamiento del
circuito es lineal; adicionalmente encuentre la tensin de salida en funcin de los
elementos del circuito. A.O., Q1, Z1 y Z2 ideales.
I
A
A
R
R
V
o
RL
Q1
R1
R2
R3
R4
Z1
Z2
-V

FIGURA 4.6.39.1 Circuito del problema 4.6.39.

4.6.40 En el circuito de la Figura 4.6.40 hallar el valor de V
O
en funcin de todas
las fuentes y evaluarlo para V1= -6V V2=12V y v
i
=5cos(wt).
V2
R1
v
o V1
Q
R3
R2
R4
A
v
i
R1=3R2 R2=R3=R4=R
A= h
fe
=

FIGURA 4.6.40.1 Circuito del problema 4.6.40.

CAPTULO 5 - AMPLIFICADOR OPERACIONAL 219



CAPTULO 5

AMPLIFICADOR OPERACIONAL

Se denomin como amplificador operacional al modelo de los primeros
amplificadores de tubo al vaco de alta ganancia, que fueron diseados para
realizar las operaciones matemticas de adicin, sustraccin, multiplicacin,
divisin, diferenciacin e integracin y se conectaban para resolver ecuaciones
diferenciales. Por la realizacin de operaciones matemticas es que se deriva el
nombre de amplificador operacional. Las aplicaciones iniciales fueron en el rea
de computacin analgica y de instrumentacin. Con el nacimiento de los
semiconductores los primeros amplificadores operacionales se construyeron
partiendo de componentes discretos (transistores y resistencias). A la mitad de la
dcada de 1960 se produjo el primer amplificador operacional de circuito
integrado. Hoy en da, en la era moderna, todos los amplificadores operacionales
estn construidos en circuitos integrados y son considerados como un bloque
bsico de construccin en los circuitos electrnicos. El amplificador operacional
tambin se conoce como circuito integrado lineal bsico o simplemente circuito
integrado lineal (o analgico).
Una de las razones de la popularidad del amplificador operacional es su
versatilidad y bajo costo. El amplificador operacional presenta caractersticas que
prcticamente se puede considerar como un elemento ideal. Esto implica que es
bastante fcil disear circuitos con amplificadores operacionales, ya que trabajan a
niveles muy cerca del funcionamiento terico que se predice.
Los circuitos con amplificadores operacionales llevan a cabo una gran
diversidad de funciones de procesamiento de seal, incluyendo amplificacin de
tensin o corriente, amplificacin de seales diferenciales con el objeto de reducir
ruido modo comn en un sistema, filtrado analgico, acoplamiento, convertir una
seal de corriente a tensin o tensin a corriente, rectificacin, deteccin de
umbral, conmutacin digital, etc. En otras palabras, se utilizan para realizar una
amplia variedad de aplicaciones lineales y no lineales cambiando simplemente
algunos elementos externos tales como resistencias, condensadores, diodos, etc.
Las aplicaciones que estudiaremos en este captulo sern las lineales.
Antes de comenzar a estudiar cada una de las configuraciones en
particular debemos ver la simbologa y ciertas caractersticas del amplificador
operacional, as como sus condiciones de idealidad.
Desde el punto de vista de diagrama de bloque el amplificador
operacional es un bloque de dos entradas y una salida, en la Figura 5.1 muestra el
smbolo del amplificador operacional.

220 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


V
-
V
o
+
-
V
+

FIGURA 5.1. Smbolo circuital del amplificador operacional.

El terminal V
-
es la entrada inversora y el terminal V
+
es la entrada no
inversora. Ya que el amplificador operacional es un dispositivo activo, requiere de
una potencia de cd para operar. La mayora de los amplificadores operacionales
requieren de dos fuentes de poder de cd, en la Figura 5.2a se muestra los
terminales de alimentacin del operacional. En la Figura 5.2b se muestra en forma
explcita las dos fuentes de poder cd con la tierra comn, la cual es el punto de
referencia del amplificador operacional. La utilizacin de tensiones de
alimentacin positivas y negativas permite que la tensin de salida del
amplificador operacional tenga una excursin respecto a tierra en direccin tanto
positiva como negativa. En adicin a los tres terminales de la seal y a los dos
terminales de las fuentes de alimentacin, un amplificador operacional puede tener
otros terminales para propsitos especficos. Estos otros terminales pueden ser
para la compensacin de frecuencia y para anulacin de desbalance. Por
convencin y simplicidad, en las aplicaciones lineales con el amplificador ideal se
omitirn las fuentes de alimentacin, utilizando de esta manera el smbolo de la
Figura 5.1; a menos que por algn motivo sea necesario indicar las fuentes de
poder se emplear el smbolo de la Figura 5.2a.

V
-
V
o
+
-
V
+
V
CC
-V
CC
V
-
v
O
+
-
V
+
V
CC
V
CC

(a) (b)
FIGURA 5.2. Amplificador operacional. (a) Smbolo con los terminales de
alimentacin; (b) Amplificador operacional conectado a las fuentes de poder de
cd.

En ocasiones no se disponen de dos fuentes de poder cd para realizar la
conexin de la Figura 5.2b, en este caso se puede emplear una sola fuente V
DC

para generar V
CC
y V
CC
, como se muestra en la Figura 5.3a. El valor de R debe
ser suficientemente grande (por lo general, R10k) para que no consuma mucha
CAPTULO 5 - AMPLIFICADOR OPERACIONAL 221



corriente de la fuente de cd (V
DC
). Los condensadores se utilizan para el
desacoplamiento de la fuente de alimentacin de cd y el valor de C, en general,
vara de 0.01F a 10F. En vez de dos resistencias, puede usarse un
potencimetro para asegurar que |V
CC
|=|-V
CC
|, como se muestra en la Figura 5.3b.
Los diodos D
1
y D
2
impiden cualquier flujo inverso de corriente; se utilizan a
menudo para proteger los amplificadores operacionales en caso de que los
terminales positivo y negativo de V
DC
se inviertan por accidente. Igualmente,
pueden utilizarse dos diodos zener para obtener tensiones de alimentacin
simtricas, como se muestra en la Figura 5.3c. El valor de R debe ser
suficientemente pequeo para hacer que los diodos zener operen en el modo zener
o de avalancha.

D
1
0V V
DC
V
CC
-V
CC
D
2
R
R
C
C
D
1
0V
V
CC
-V
CC
D
2
R
C
C
V
DC
D
1
0V
V
CC
-V
CC
D
2
R
V
DC
D
3
D
4

(a) (b) (c)
FIGURA 5.3. Configuraciones para tensiones de alimentacin positivo y negativo.

La estructura interna del amplificador operacional es compleja y no es
necesario conocer en detalle la operacin interna para emplearlo, pero siempre es
til tener un conocimiento bsico de su estructura y de su operacin interna. La
mayora de los amplificadores operacionales disponibles en el mercado emplean la
estructura en diagrama de bloque que se muestra en la Figura 5.4. Esta
configuracin en cascada, se denomina corrientemente amplificador operacional
de dos etapas porque nicamente el amplificador diferencial y la etapa de
ganancia contribuyen a la ganancia de tensin global. El amplificador diferencial
se emplea como etapa de entrada para proveer las entradas inversoras y no
inversoras, la alta relacin de rechazo del modo comn y la gran resistencia de
entrada, as como la ganancia de tensin. La segunda etapa es un amplificador de
gran ganancia de tensin, que se emplea para tener una gran ganancia en lazo
abierto. El desplazador de nivel ajusta las tensiones en continua de forma que la
seal de tensin de salida quede con referencia a tierra, es necesario ajustar los
niveles en continua porque las etapas de ganancia estn directamente acopladas.
Los circuitos internos, del circuito integrado, quedan directamente acoplados
debido a que no se puede construir condensadores de capacidad elevada para
desacoplarlos. La baja resistencia de salida del amplificador operacional se logra
por la etapa seguidor de emisor de la salida.

222 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


V
-
V
+
Amplificador
diferencial
Entradas
Etapa de
ganancia
Desplazador
de nivel
Seguidor de
emisor
Salida

FIGURA 5.4. Diagrama de bloque de la estructura de un amplificador
operacional.

El amplificador operacional puede ser descrito por un modelo de circuito
equivalente que aparece en la Figura 5.5.

+
-
V
-
V
o
V
+
R
i
A( V
+
-V
-
)
+
-
R
o

FIGURA 5.5. Circuito equivalente del amplificador operacional.

El circuito equivalente consiste en una resistencia de entrada R
i

conectada entre los dos terminales de entrada V
-
y V
+
. El circuito de salida
consiste en una fuente de tensin controlada por tensin en serie con una
resistencia de salida R
o
. Las tensiones V
-
,V
+
y V
o
se miden en relacin a tierra, la
misma que se define como la conexin media entre las dos tensiones de
alimentacin. Como la etapa de entrada al amplificador operacional est formada
por un amplificador diferencial, el valor de la tensin de la fuente dependiente est
en funcin de V
-
y de V
+
, siendo la tensin de la fuente igual a la diferencia de V
+

y V
-
multiplicada por una ganancia de tensin A. Dado que a travs de la
resistencia de salida R
o
puede fluir corriente, la tensin en el terminal de salida del
amplificador operacional V
o
no ser necesariamente el mismo que la tensin de la
fuente dependiente; aunque en la prctica esta diferencia de tensin es tan pequea
que se puede despreciar, resultando la tensin de salida igual a:
) V V ( A V
o +
= (5.1)
El parmetro A se conoce como la ganancia de tensin a lazo abierto en
pequea seal del amplificador operacional. El valor de A es como mnimo 10
4
y
a veces tan alto como 10
6
o ms. La resistencia R
i
entre los terminales V
+
y V
-
es
grande a menudo 10
6
o ms alta, en tanto que la resistencia de salida R
o
es
pequea por lo general 100 o menos.
La ecuacin 5.1 es vlida sobre un rango de valores. El valor de V
o
no
puede nunca exceder las tensiones de alimentacin del amplificador operacional.
La tensin mxima y mnima que puede llegar la tensin de salida se conoce como
los lmites de saturacin de V
o
. En el caso ideal se extiende el rango de V
o
desde
V
CC
hasta V
CC
. En un amplificador operacional real, el rango de V
o
se extiende
desde un nivel de tensin algo por debajo de V
CC
hasta algo ligeramente por arriba
CAPTULO 5 - AMPLIFICADOR OPERACIONAL 223



de V
CC
. La consecuencia de los lmites de saturacin no ideales se estudia en los
amplificadores operacionales reales. Por ahora, consideraremos que los lmites de
saturacin de V
o
se extienden en la trayectoria desde V
CC
hasta V
CC
. Debido a los
lmites de V
o
, la ecuacin 5.1 se escribe ms precisamente de la forma:
) V V ( A V
o +
= para
CC CC
V ) V V ( A V < <
+
(5.2)

CC o
V V = para
CC
V ) V V ( A >
+
(5.3)

CC o
V V = para
CC
V ) V V ( A <
+
(5.4)
Una grfica de las ecuaciones 5.2 a 5.4 aparece en la Figura 5.6. La
porcin de la grfica entre los puntos a y b queda descrita por la ecuacin 5.2.
Esta regin de la grfica tiene una pendiente prcticamente vertical debido a que
la ganancia A es muy grande. Si la tensin diferencial (V
+
-V
-
) excede de cero
incluso en una pequea cantidad, V
o
alcanzar el nivel de saturacin positivo de
valor V
CC
. Similarmente, si (V
+
-V
-
) cae debajo de cero an en una pequea
cantidad, entonces V
o
alcanzar el lmite de saturacin negativo V
CC
. Notar que
las tensiones pueden aplicarse en forma independiente entre el terminal V
+
y la
tierra y entre el terminal V
-
y la tierra. La fuente dependiente V
o
es nicamente
sensible a la diferencia entre V
+
y V
-
.

V
o
(V
+
-V
-
)
Saturacin positiva
Saturacin negativa
V
CC
-V
CC
Regin lineal donde:
V
o
=A(V
+
-V
-
)
a
b

FIGURA 5.6. Caracterstica de transferencia de un amplificador operacional.

El comportamiento de la caracterstica de transferencia de un
amplificador operacional representado en la Figura 5.6 motiva la presencia de un
modelo mucho ms sencillo para el operacional, el cual es el modelo del
amplificador operacional ideal. El anlisis y el diseo de circuitos que emplean
amplificadores operacionales se simplifican en gran medida si se supone que los
amplificadores operacionales del circuito son ideales. Tal suposicin permite
representar de una manera aproximada el comportamiento del circuito con la
finalidad de obtener los valores aproximados de sus componentes, de modo que se
satisfagan especificaciones de diseo. Si bien las caractersticas de los
amplificadores operacionales reales se apartan de las caractersticas ideales, en la
224 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


mayora de las aplicaciones los errores introducidos por las desviaciones de las
condiciones ideales son aceptables, por lo tanto, la aproximacin del amplificador
operacional ideal da una representacin precisa del comportamiento del
amplificador operacional que resulta adecuada para muchas aplicaciones. En las
aplicaciones que se requieren resultados precisos, se utiliza un modelo del
amplificador operacional real. Las aplicaciones lineales que se estudiarn en este
captulo emplean las caractersticas de un amplificador operacional ideal,
alcanzando de esta manera unos buenos resultados del estudio a realizar. Las
caractersticas de un amplificador operacional ideal son:
La ganancia de tensin en lazo abierto es infinita (A). = A .
La resistencia de entrada es infinita. =
i
R . Por tanto no hay corriente en
ningn terminal de entrada.
La resistencia de salida es cero. 0 R
o
= .
El ancho de banda es infinito. = AB . La ganancia A permanece constante
y no depende de la frecuencia.
Equilibrio perfecto. 0 V
o
= cuando
+
= V V . La ganancia modo comn es
cero y el CMRR se aproxima a infinito. El amplificador operacional es un
amplificador diferencial y debe amplificar la seal diferencial que aparece
entre los dos terminales de entrada. Cualquier seal que sea comn a las dos
entradas (por ejemplo: ruido) no debe amplificarse y tampoco debe aparecer
en la salida. Por lo tanto, la ganancia diferencial (producida por una seal
diferencial) debe tender a infinito y la ganancia en modo comn (debida a una
seal comn) debe tender a cero. La condicin se especifica en funcin de la
relacin de rechazo en modo comn (CMRR, por sus siglas en ingls).
= CMRR .
La tensin de salida no vara con los cambios de la fuente de alimentacin.
Esta condicin casi siempre se especifica en funcin de la sensibilidad a
variaciones en la fuente de alimentacin.
Ausencia de desviacin en las caractersticas con la temperatura.
Tomando en cuenta las tres primeras caractersticas ideales, se plantea el
modelo del amplificador operacional ideal que se observa en la Figura 5.7.

+
-
V
-
V
o
V
+
A( V
+
-V
-
)
+
-
i
-
= 0
i
+
= 0
= A

FIGURA 5.7. Modelo de un amplificador operacional ideal.

CAPTULO 5 - AMPLIFICADOR OPERACIONAL 225



El funcionamiento de muchos circuitos, en las aplicaciones lineales del
amplificador operacional, se pueden analizar empleando el concepto de tierra
virtual (tambin conocido como cortocircuito virtual o corto virtual). Este
concepto de tierra virtual se basa en las caractersticas ideales del operacional,
como veremos a continuacin.

Tierra Virtual. El concepto principal de tierra virtual o cortocircuito virtual se
refiere a que la diferencia de tensin entre los puertos de entrada es cero. Para
demostrar esto se debe considerar el amplificador operacional ideal y el
procedimiento es como sigue: A partir de la definicin de la tensin de salida V
o
,
ecuacin 5.1, donde la salida es igual a la diferencia de tensiones entre los
terminales de entrada multiplicado por la ganancia A; entonces al hacer tender A
infinito y considerando a la salida en un valor finito se tiene:

+
= V V
A
V
o
cuando = A
+ +
= = V V 0 V V
Como se observa el resultado anterior se debe fundamentalmente a que la
ganancia A tiende a infinito haciendo que la tensin en el terminal positivo siga a
la tensin en el terminal negativo. Por tal razn, se habla tambin de un
cortocircuito virtual entre los dos terminales de entrada. Se debe hacer nfasis en
el trmino lingstico virtual y no debe cometerse el error de cortocircuitar
fsicamente los terminales V
+
y V
-

mientras se analiza el circuito. Un cortocircuito
virtual significa que cualquier tensin que se encuentre en V
+
automticamente
aparecer en V
-
debido a la ganancia infinita A. En algunas literaturas, sucede que
el terminal V
+
se encuentra conectado a tierra; as V
+
=0 y V
-
=0, por lo tanto, se
habla de que el terminal V
-
esta a una tierra virtual, esto es, que tiene tensin cero
pero no se encuentra fsicamente conectada a tierra; de aqu proviene el nombre de
tierra virtual.
Algo muy importante en destacar, es que para aplicar tierra virtual el
amplificador operacional debe estar operando en la regin lineal. Como se estudi
anteriormente la ecuacin 5.1 es vlida en la zona lineal del operacional dentro de
los lmites de saturacin, ver ecuacin 5.2 cuando |V
S
|=|V
CC
|, por consiguiente, al
ser analizadas las topologas con amplificadores operacionales se debe cumplir
con la linealidad, es decir, el amplificador debe estar realimentado y operando en
la zona lineal (la ganancia de lazo A<1).
El cortocircuito virtual representa una condicin a travs de la cual el
amplificador operacional, mediante operacin lineal, obliga al terminal V
-
a tener
prcticamente la misma tensin que el terminal V
+
, y al mismo tiempo evita un
flujo de corriente entre ambas. La utilidad del concepto del corto virtual se hace
evidente cuando se analiza un circuito con amplificadores operacionales ideales.
Si se puede asegurar la existencia de un estado de corto virtual, entonces al nodo
V
-
se le puede asignar la misma tensin que al nodo V
+
al mismo tiempo que
puede ser supuestas las condiciones de i
+
=0 e i
-
=0.
En resumen para aplicar tierra virtual se debe cumplir lo siguiente:
226 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


a) El amplificador operacional ideal ( = A ).
b) El amplificador operacional debe estar realimentado y operando en la zona
lineal.
El mtodo de anlisis al aplicar el concepto de tierra virtual consiste en:
1) Escribir la ecuacin de nodos de Kirchhoff en el terminal no inversor (V
+
), 2)
Escribir la ecuacin de nodos de Kirchhoff en el terminal inverso V
-
y 3) Hacer
V
+
=V
-
(condicin de tierra virtual) y resolver las ganancia de lazo cerrado que se
desean.
Con este breve estudio realizado sobre el amplificador operacional,
procedemos a un estudio de varias configuraciones de aplicaciones lineales del
amplificador operacional. Debido a la simplicidad de algunos circuitos, resulta
fcil analizarlos en forma directa con el concepto de tierra virtual, pero existen
algunas configuraciones ms complicadas, en las cuales el uso del concepto de
realimentacin como herramienta de anlisis es ms fcil y til.

5.1 Amplificador Inversor
El circuito amplificador inversor se encuentra en la Figura 5.1.1, como lo
indica su nombre, este circuito produce una versin amplificada e invertida de la
seal de entrada.

V
i
V
o
R
2
R
1
+
-

FIGURA 5.1.1. Amplificador Inversor.

Para analizar el circuito se puede aplicar el concepto de realimentacin o
tierra virtual, lo haremos por ambos mtodos.

Aplicando tierra virtual.
En la Figura 5.1.2 se observa las corrientes establecidas en el circuito para llevar a
cabo el anlisis por tierra virtual.

CAPTULO 5 - AMPLIFICADOR OPERACIONAL 227



V
i
V
o
R
2
R
1
+
-
I
1
I
2

FIGURA 5.1.2. Anlisis para el Amplificador Inversor.

La corriente I
1
es:

1
i
1
R
V V
I

= (5.1.1)
La corriente I
2
es:

2
o
2
R
V V
I

=
+
(5.1.2)
Aplicando tierra virtual, 0 V V = =
+
, las corriente I
1
e I
2
, quedan:

1
i
1
R
V
I = (5.1.3)

2
o
2
R
V
I

= (5.1.4)
La corriente I
1
pasa a travs de R
1
y R
2
, ya que el amplificador operacional ideal
presenta una impedancia infinita de entrada y por lo mismo conduce cero
corriente, por lo tanto, I
1
es igual a I
2
. Entonces igualando la ecuacin 5.1.3 y 5.1.4
se tiene:

2
o
1
i
R
V
R
V
=
La ganancia tensin es:

1
2
i
o
R
R
V
V
= (5.1.5)

Aplicando realimentacin.
Para obtener la ganancia aplicando realimentacin ver el captulo de
realimentacin, aunque de todos modos recordaremos y plantearemos de nuevo las
ecuaciones:
La relacin de ganancia realimentada para un sistema modificado por un
amplificador operacional es:
228 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA



o 3
e 3
ie
io
i
o
X
) A X 1 (
AX
X
V
V

+ =
donde:
2 1
e e e =
0 e V
V
X
3 i
o
io
|
=
=
0 V e
V
X
i 3
o
o 3
|
=
=
i
2
i
1
2 i 1 i
3
ie
V
e
V
e
X X
0 e
X | = =
=


3
2
3
1
32 31
i
e 3
e
e
e
e
X X
0 V
X | = =
=
y ) e e ( A e
2 1 3
=
La estructura a desvanecer es el amplificador operacional el circuito modificado se
muestra en la Figura 5.1.3. Los valores que caracterizan al amplificador
unidireccional reconocido son:
=
i
R 0 R
o
= = A

V
i
V
o
R
2
R
1
+
-
1
3
2

FIGURA 5.1.3. Amplificador inversor modificado para aplicar el concepto de
realimentacin.

Los parmetros X son: 0
0 e V
V
X
3 i
o
io
| =
=
=
2 1
2
i
2
i
1
3 i
ie
R R
R
0
V
e
V
e
0 e V
e
X |
+
= =
=
=
1
0 V e
V
X
i 3
o
o 3
| =
=
=
2 1
1
3
2
3
1
i 3
e 3
R R
R
0
e
e
e
e
0 V e
e
X |
+
= =
=
=
CAPTULO 5 - AMPLIFICADOR OPERACIONAL 229



Sustituyendo todos los parmetros calculados, se obtiene:
A
R R
R
1
A
R R
R
V
V
2 1
1
2 1
2
i
o
+
+
+

= haciendo A
1
2
2 1
1
2 1
2
i
o
R
R
R R
R
R R
R
V
V
=
+
+

=

Resultado que es igual al aplicar tierra virtual.
La ganancia de tensin obtenida es simplemente la razn de las dos
resistencias R
2
y R
1
, esto se puede extender a componentes no resistivos al
remplazar la resistencia por una impedancia e igualmente se obtendra la relacin
de impedancia
1
2
Z
Z
. Este resultado igualmente lo podemos generalizar al decir
que la ganancia de una configuracin inversora con amplificador operacional es
igual a la relacin de la resistencia (o impedancia) que se encuentra conectada
entre la salida del operacional y el terminal inversor sobre la resistencia (o
impedancia) que se encuentra conectada entre el terminal inversor y la entrada de
la estructura, multiplicada por 1. El signo menos significa que el amplificador en
lazo cerrado proporciona inversin de la seal. En otras palabras, la ganancia de
un amplificador inversor es igual a la relacin de la resistencia Thvenin vista
desde el terminal inversor hacia la salida sobre la resistencia Thvenin vista desde
el terminal inversor hacia la entrada, multiplicada por 1.
El hecho de que la ganancia de tensin en lazo cerrado dependa
enteramente de los componentes pasivos externos (las resistencias R
2
y R
1
) es de
por s interesante, ya que significa la posibilidad de realizar la ganancia de lazo
cerrado tan precisa como se desee, seleccionando los componentes pasivos
externos de precisin apropiada, independiente de la ganancia y de las variaciones
en los parmetros del amplificador operacional.
Con R
2
>R
1,
el circuito amplifica y con R
2
=R
1
se tiene un circuito que
simplemente invierte. La resistencia de entrada de un amplificador inversor es
igual a R
1
y la resistencia de salida es igual a 0.

5.2 Amplificador No Inversor
El circuito amplificador no inversor se representa en la Figura 5.2.1. En
el amplificador no inversor la seal de salida esta en fase con la seal de entrada,
siendo la ganancia de tensin positiva, de ah el nombre de no inversor.

230 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


V
i
V
o
R
2
R
1
+
-

FIGURA 5.2.1. Amplificador no Inversor.

Aplicando tierra virtual.
En la Figura 5.2.2 se observa la direccin de la corriente establecida en el circuito
para llevar a cabo el anlisis por tierra virtual..

V
i
V
o
R
2
R
1
+
-
I

FIGURA 5.2.2. Anlisis para el Amplificador no Inversor.

Aplicando tierra virtual,
i
V V V = =
+
, la corriente I es igual a:

1
i
R
V
I

= (5.2.1)
La corriente I pasa a travs de R
1
y R
2
, por lo tanto:

2
o i
R
V V
I

= (5.2.2)
igualando la ecuacin 5.2.1 y 5.2.2:

2
o
2
i
1
i
2
o i
1
i
R
V
R
V
R
V
R
V V
R
V
=

(5.2.3)
Desarrollando 5.2.3, la ganancia de tensin es:

1
2
i
o
R
R
1
V
V
+ = (5.2.4)

Aplicando realimentacin.
CAPTULO 5 - AMPLIFICADOR OPERACIONAL 231



La estructura a desvanecer es el amplificador operacional, el circuito modificado
se muestra en la Figura 5.1.3. Los valores que caracterizan al amplificador
unidireccional reconocido son:
=
i
R 0 R
o
= = A

V
i
V
o
R
2
R
1
+
-
1
3
2

FIGURA 5.2.3. Amplificador no inversor modificado para aplicar el concepto de
realimentacin.

Los parmetros X son: 0
0 e V
V
X
3 i
o
io
| =
=
=
0 1
V
e
V
e
0 e V
e
X
i
2
i
1
3 i
ie
| = =
=
=
1
0 V e
V
X
i 3
o
o 3
| =
=
=
2 1
1
3
2
3
1
i 3
e 3
R R
R
0
e
e
e
e
0 V e
e
X |
+
= =
=
=

Sustituyendo todos los parmetros calculados en
o 3
e 3
ie
io
i
o
X
) A X 1 (
AX
X
V
V

+ = , se
obtiene:
A
R R
R
1
A
V
V
2 1
1 i
o
+
+
= haciendo A
1
2
2 1
1 i
o
R
R
1
R R
R
1
V
V
+ =
+
=

Resultado obtenido igual a la ecuacin 5.2.4.
La ganancia de la configuracin no inversora es positiva con una
ganancia total mayor que (o igual a) la unidad. La seal de entrada se encuentra en
fase con la seal de salida de ah su nombre de no inversor. La resistencia de
232 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


entrada del no inverso es idealmente infinita, esta propiedad de alta impedancia de
entrada es una caracterstica muy deseable en la configuracin no inversora. La
resistencia de salida es igual a 0.

5.3 Seguidor de Tensin
Si en el amplificador no inversor se hace R
2
=0 resulta que la ganancia de
tensin es igual a uno y la resistencia R
1
es innecesaria. Esta etapa representada en
la Figura 5.3.1 se denomina seguidor de tensin ya que V
0
=V
i
, la resistencia de
entrada infinita (alta) y la resistencia de salida cero (baja).

V
i
V
o
+
-

FIGURA 5.3.1. Circuito seguidor de tensin.

El seguidor de tensin se utiliza a menudo como un amplificador de
aislamiento para conectar una fuente con una impedancia alta a una carga de baja
impedancia, es decir, introduce aislamiento para eliminar cargas entre circuitos. A
cualquier amplificador usado para este fin tambin se le conoce como buffer o
amplificador buffer.
Antes de seguir con el resto de aplicaciones con amplificadores
operacionales, es de hacer notar, que el amplificador no inversor y el amplificador
inversor constituyen las configuraciones bsicas para desarrollar otra serie de
aplicaciones. Por lo tanto, los resultados obtenidos sern aplicados directamente
en el clculo de algunas expresiones para las aplicaciones ms complejas.

5.4 Sumador
En determinadas ocasiones se necesita procesar ciertas seales para
sumar dos o ms tensiones. Por ejemplo, se podra querer mezclar seales o aadir
una componente de continua a una seal determinada. El amplificador sumador
realiza esta funcin, ya que se emplea para obtener una salida que sea
combinacin lineal de un cierto nmero de seales de entrada. Existen dos tipos
de sumadores que son: el amplificador sumador inversor y el amplificador no
inversor.
En la Figura 5.4.1 se muestra el sumador inversor. Se observa del circuito
que por tierra virtual V
+
=V
-
=0. Entonces, por tener un nmero n de entradas
aplicamos superposicin para resolver el problema; al tomar el efecto de una seal
de entrada anulamos el resto de las entradas, para la entrada V
1
se tiene que la
salida V
o
es igual a una configuracin inversora:
CAPTULO 5 - AMPLIFICADOR OPERACIONAL 233




1
1
f
n 3 2
o
V
R
R
0 V ... V V
V | =
= = = =

Notar que en el clculo no interviene las otras resistencias del resto de las entradas
(R
2
, R
3
,., R
n
), esto es debido a que V
-
=0 (por tierra virtual) y al anula las fuentes
de tensin no circula corriente por las resistencias. Para la entrada V
2
, se tiene:

2
2
f
n 3 1
o
V
R
R
0 V ... V V
V | =
= = = =

Sumando la contribucin de todas las entradas, la salida es igual a:

+ + + + =
n
n
f
3
3
f
2
2
f
1
1
f
o
V
R
R
....... V
R
R
V
R
R
V
R
R
V (5.4.1)

V
1
V
o
R
f
R
1
+
-
V
2
V
3
V
n
R
2
R
3
R
n

FIGURA 5.4.1. Amplificador Sumador Inversor.

Si R
1
=R
2
=R
3
=..=R
n
=R, la ecuacin 5.4.1 se reduce a:
( )
n 3 2 1
f
o
V ....... V V V
R
R
V + + + + = (5.4.2)
Resultado que indica como la salida es proporcional a la suma de las
entradas. La ventaja de esta topologa es que puede extenderse a un nmero muy
grande de entradas, necesitndose solamente una resistencia adicional para cada
nueva entrada. Si la ganancia del amplificador operacional es grande, el resultado
depende exclusivamente de las resistencias utilizadas y debido a la tierra virtual, la
interaccin entre las fuentes es mnima.
Si R
1
=R
2
=R
3
=..=R
n
=nR
f
, la ecuacin 5.4.1 se reduce a:
( )
n 3 2 1 o
V ....... V V V
n
1
V + + + + = (5.4.3)
siendo n el nmero de seales de entrada, el circuito funciona como un
promediador negativo.
En la Figura 5.4.2 se representa un amplificador sumador no inversor,
donde la salida ser una combinacin lineal de las entradas sin cambio de signo.
234 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA



V
1
V
o
R
f
R
i
+
-
V
2
V
3
V
n
R
1
R
2
R
3
R
n

FIGURA 5.4.2. Amplificador Sumador no Inversor.

Segn la ecuacin 5.2.4 la salida viene dada por:

+

+ = V
R
R
1 V
1
2
o
(5.4.4)
Donde la tensin en el terminal no inversor V
+
se halla por superposicin,
resultando:
n
1 n 2 1 n
1 n 2 1
2
n 3 1 2
n 3 1
1
n 3 2 1
n 3 2
V
R || .... || R || R R
R || .... || R || R
...... V
R || .... || R || R R
R || .... || R || R
V
R || .... || R || R R
R || .... || R || R
V

+
+
+ +
+
+
+
=

Sustituyendo la ecuacin anterior en 5.4.4 se tiene:

+
+ +
+
+
+

+ =

n
1 n 2 1 n
1 n 2 1
2
n 3 1 2
n 3 1
1
n 3 2 1
n 3 2
1
2
o
V
R || .... || R || R R
R || .... || R || R
...... V
R || .... || R || R R
R || .... || R || R
V
R || .... || R || R R
R || .... || R || R
R
R
1 V
En cada paralelo hay (n-1) resistencias, por consiguiente, si
R
1
=R
2
=R
3
=..=R
n
=R, los paralelos quedan:
1 n
R
R || .... || R || R
n 3 2

= ,
1 n
R
R || .... || R || R
n 3 1

= ,,
1 n
R
R || .... || R || R
1 n 2 1

, los factores que multiplican a cada variable de


tensin queda:

n
1
n ) 1 n ( R
R
1 n
R
R
1 n
R
=
+
=

+


La tensin de salida V
o
resulta:
( )
n 3 2 1
f
o
V ....... V V V
n
1
R
R
1 V + + + +

+ = (5.4.5)
CAPTULO 5 - AMPLIFICADOR OPERACIONAL 235



que es igual al promedio de todas las tensiones de entrada multiplicado por la
ganancia del circuito amplificador no inversor. Si el circuito se hace trabajar como
un seguidor de tensin con R
f
=0 y R
i
=, la tensin de salida es igual al promedio
de todas las tensiones de entrada. Esto es:
( )
n 3 2 1 o
V ....... V V V
n
1
V + + + + = (5.4.6)
Si la ganancia

+
R
R
1
f
se hace igual al nmero de entradas, la tensin de salida
es igual a la suma de todas las tensiones de entrada. Esto es:
( )
n 3 2 1 o
f
V ....... V V V V n
R
R
1 + + + + = =

+ (5.4.7)
Es posible efectuar adiciones y sustracciones simultneamente con un
slo amplificador operacional sustituyendo la resistencia R
i
de la Figura 5.4.2 por
las n resistencias y tensiones de entrada de la Figura 5.4.1. En la Figura 5.4.3 se
muestra esta configuracin.

V
a
V
o
R
f
+
-
V
b
V
c
V
n
R
a
R
b
R
c
R
n
V
1
R
1
V
2
V
3
V
n
R
2
R
3
R
n

FIGURA 5.4.3. Amplificador Sumador Restador.

Nuevamente se determina por superposicin la contribucin de V
o
debida a todas
las tensiones de entrada. Resultando V
o
igual a:

+
+ +
+
+
+

+ =

n
1 n b a n
1 n b a
b
n c a b
n c a
a
n c b a
n c b
1 thv
f
o
V
R || .... || R || R R
R || .... || R || R
...... V
R || .... || R || R R
R || .... || R || R
V
R || .... || R || R R
R || .... || R || R
R
R
1 V

+ + + +
n
n
f
3
3
f
2
2
f
1
1
f
V
R
R
....... V
R
R
V
R
R
V
R
R
(5.4.8)
donde R
thv1
es la resistencia Thvenin vista desde el terminal inversor hacia las
entradas.

236 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


5.5 Convertidor de Tensin a Corriente
En ocasiones se desea convertir una seal de tensin en una corriente de
salida proporcional y que sea independiente de la resistencia de carga. Si la
impedancia de carga no tiene ninguno de sus extremos a tierra (si est flotante), el
simple circuito amplificador inversor con R
2
(ver Figura 5.1.1) sustituida por la
impedancia de carga Z
L
constituye un excelente convertidor de tensin a corriente,
como se muestra en la Figura 5.5.1.

V
i
V
o
Z
L
R
1
+
-
I
I

FIGURA 5.5.1. Convertidor tensin corriente para carga flotante.

Con la entrada V
i
, la corriente en Z
L
es:
1
i
R
V
I = (5.5.1)
Observar que la corriente I es independiente de la carga Z
L
, debido a la
tierra virtual (V
+
=V
-
=0). Puesto que la misma corriente circula por la fuente de
seal y por la carga es necesario que la fuente de seal sea capaz de suministrar
esta corriente de carga, para solventar este posible problema se tiene el
amplificador de la Figura 5.5.2 (un amplificador no inversor) que necesita muy
poca corriente de la fuente de seal por la resistencia de entrada muy elevada vista
desde el terminal no inversor.

V
i
V
o
Z
L
R
1
+
-
I
I

FIGURA 5.5.2. Convertidor tensin corriente para carga flotante con entrada de alta
impedancia.
Como ejemplo de aplicacin se tiene la utilizacin en Z
L
de un voltmetro
de continua basado en un instrumento analgico de aguja con muy alta
impedancia de entrada que emplea un medidor de bobina mvil. Este es un
CAPTULO 5 - AMPLIFICADOR OPERACIONAL 237



sistema electromagntico que produce sobre la aguja una deflexin proporcional a
la corriente medida. El voltmetro mide la tensin V
i
aplacada a la entrada de la
estructura.
Si la carga Z
L
est a tierra puede emplearse el circuito de la Figura 5.5.3.
En el ejemplo 5.5.1 se determina la corriente I
L
, donde
4
i
L
R
V
I = si
4 2 3 1
R R R R = .
V
i
V
o
R
4
R
1
+
-
I
L
R
2
R
3
Z
L

FIGURA 5.5.3. Convertidor tensin corriente con carga a tierra.

Ejemplo 5.5.1. Hallar la corriente (I
L
)

en la carga del circuito de la Figura 5.5.4
cuando
4 2 3 1
R R R R = ; el amplificador operacional es ideal.
V
i
V
o
R
4
R
1
+
-
I
L
R
2
R
3
Z
L
I
i
I
i
I
4
I
3
L

FIGURA 5.5.4. Circuito del ejemplo 5.5.1.
Por tierra virtual V
+
=V
-
y la tensin en V
+
es:

L L
Z I V =
+

La corriente de entrada I
i
es:

2
o L L
1
L L i
i
R
V Z I
R
Z I V
I

=

= (5.5.2)
Aplicando la ley de Kirchhoff de corrientes en el terminal no inversor, segn el
sentido de corrientes que se indica en la Figura 5.5.4, da:
238 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA



4 L 3
I I I + =

4
L L
L
3
L L o
R
Z I
I
R
Z I V
+ =

(5.5.3)
Despejando ( )
L L o
Z I V en 5.5.2:

1
L L i
2 L L o
R
Z I V
R Z I V

=
sustituyendo lo anterior en 5.5.3:

4
L L
L
3 1
L L i 2
R
Z I
I
R R
) Z I V ( R
+ =

(5.5.4)
despejando I
L
de 5.5.4, da:

3 1
i 2
3 1
L 2
4
L
L
R R
V R
R R
Z R
R
Z
1 I =

+

1
3 1
L 2
4
L
3 1
i 2
L
R R
Z R
R
Z
1
R R
V R
I

+ = (5.5.5)
Tomando en cuenta la condicin
4 2 3 1
R R R R = de la siguiente forma
3 1
2
4
R R
R
R
1
= y sustituyndolo en 5.5.5 se tiene:

1
4
L
4
L
4
i
L
R
Z
R
Z
1
R
V
I

+ =
La corriente I
L
queda:

4
i
L
R
V
I = (5.5.6)
Resultado que es independiente de la impedancia de carga, debido a la condicin
4 2 3 1
R R R R = . El signo menos indica que la corriente es de sentido contrario al
indicado. El terminal (L) que se muestra en la Figura 5.5.4 acta como la salida de
una fuente de corriente.

5.6 Convertidor Corriente-Tensin
El circuito de la Figura 5.6.1 corresponde a un amplificador operacional
empleado a manera de convertidor de corriente a tensin. Existen dispositivos que
la informacin est disponible en corriente con una alta impedancia de salida,
como es el caso de una fotoclula, que da una corriente de salida independiente de
la carga.

CAPTULO 5 - AMPLIFICADOR OPERACIONAL 239



V
o
R
R
S
+
-
I
S
I
S
+ -

FIGURA 5.6.1. Convertidor corriente-tensin.

Debido a la tierra virtual, la corriente por R
S
es cero e I
S
circula por la
resistencia R. La tensin de salida es:
R I V
S 0
= (5.6.1)
As cualquier cambio en I
S
aparece en la salida como un cambio de la
tensin y podemos usar R
2
como parmetro de escala. Hay que tener en cuenta
que el lmite inferior de la corriente en este circuito lo fija la corriente de
polarizacin de la entrada inversora. Es frecuente colocar un condensador C en
paralelo con R a fin de reducir el ruido de altas frecuencias y la posibilidad de que
se produzcan oscilaciones. El convertidor corriente-tensin constituye un
excelente medidor de corriente, ya que es un ampermetro con tensin nula a
travs del medidor (tensin nula sobre R
S
o sobre la fuente de corriente de
entrada).

5.7 Integrador
Si la resistencia R
2
del amplificador inversor de la Figura 5.1.1 es
remplazada por un condensador C, como se indica en la Figura 5.7.1, el circuito
funciona como integrador. Los circuitos con amplificadores operacionales que
incluyan elementos de almacenamiento de energa (o elementos reactivos) pueden
llevar a cabo funciones de respuesta en frecuencia o una respuesta en el dominio
del tiempo.
En el integrador la resistencia R
1
provoca una corriente I que es
proporcional a la tensin de entrada. Esta corriente fluye por el condensador C,
cuya tensin es proporcional a la integral de la corriente I con respecto al tiempo.
Dado que la tensin de salida es igual al negativo de la tensin del condensador, la
salida es proporcional a la integral de la tensin de entrada con respecto al tiempo.
Verifiquemos esto en trminos de ecuaciones.
Como no circula corriente a la entrada del terminal inversor del amplificador
operacional, la corriente I fluye por R1 y C, entonces:
[ ]
dt
V 0 d
C
R
0 V
I
o
1
i

=

= (5.7.1)

240 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


V
i
V
o
C
R
1
+
-
I
I
+ -
V
C

FIGURA 5.7.1. Circuito Integrador.

Luego:

dt
dV
C
R
V
o
1
i
= (5.7.2)
Integrando y despejando V
o
da:

= dt V
C R
1
V
i
1
o
(5.7.3)
y por tanto el amplificador da una tensin de salida que es proporcional a la
integral de la tensin de entrada. La constante de tiempo
i
=R
1
C de la ecuacin
5.7.3 se conoce como constante de tiempo de integracin. Si inicialmente el
condensador no est cargado, V
o
ser igual a cero en t=0. Para tiempos t>0, la
ecuacin 5.7.3 se puede integrar a partir de cero para dar la salida en cualquier
momento t, por lo tanto, se escribe la ecuacin 5.7.3 en trminos de la integral
definida:

=
t
0
i
1
o
dt V
C R
1
V (5.7.4)
En caso de tener una condicin inicial en el condensador se le suma sta condicin
a la ecuacin 5.7.4. Para representar en el integrador (Figura 5.7.1) la condicin
inicial del condensador se le conecta en paralelo una fuente de tensin que su
valor sea igual a la tensin inicial del condensador y en serie a la fuente se conecta
un interruptor que se mantendr cerrado mientras se tenga la condicin inicial a la
salida. En la Figura 5.7.2 se observa el circuito con las condiciones iniciales del
condensador, aqu el interruptor se encuentra normalmente cerrado y se abre para
t>0. La fuente de tensin y el interruptor son un medio simple de establecer el
valor inicial de una variable.
Si la tensin de entrada en una constante V
i
=E, la salida ser una rampa con
C R
tE
V
1
o
= . Una de las aplicaciones del integrador es convertir una forma de
onda cuadrada en triangular, en la Figura 5.7.3 muestra las formas de onda de sta
aplicacin, suponiendo descargado inicialmente el condensador. Para el primer
CAPTULO 5 - AMPLIFICADOR OPERACIONAL 241



tiempo de T/2 el circuito integra E. Al final de este intervalo, la integral es el rea
debajo de la tensin de entrada durante el primer semiciclo, ET/2.

V
i
V
o
C
R
1
+
-
I
I
+ -
V
C
V SW
t>0

FIGURA 5.7.2. Circuito Integrador con condicin inicial.

En t=T/2, la tensin de salida es 1/RC veces esta rea o V
o
=-ET/2RC.
Esto establece la tensin pico-pico que luego integrando los sucesivos valores
constantes positivos y negativos se tiene una salida peridica. Como la conversin
cuadrado-triangular trabaja sobre un amplio margen de frecuencias, el circuito es
til en generadores de seal.

V
i
E
-E
T 2T 3T
V
o
V
omax
T 2T 3T
t
t

FIGURA 5.7.3. Conversin de una forma de onda cuadrada en triangular de un
integrador.

Nota: El integrador funcionar correctamente y reproducir la forma de onda a la
salida que se muestra en la Figura 5.7.3 slo si el amplificador operacional es
verdaderamente ideal o se acerca a la condicin idealizada. Un amplificador
operacional real introduce limitaciones al funcionamiento del integrador. Estas
limitaciones, as como las modificaciones que se requieren para su correccin se
estudia en los amplificadores operacionales reales.
242 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA



En las grficas de la Figura 5.7.4 se muestra las caractersticas de algunas
seales de entrada y de las seales de salida resultante.

V
i
1
t
t
t
V
o
t
t
t
t
t
-1
V
i
V
o
V
i
V
o
2
t
2
2
t
3
t
3

FIGURA 5.7.4. Seales de entrada y de salida de un integrador.

El circuito integrador tambin puede analizarse sustituyendo la
impedancia de C en el dominio de Laplace que es
sC
1
Z
C
= (Recordar que s=jw)
en la ecuacin 5.1.5 del amplificador inversor. Obtenindose as, la funcin de
transferencia la cual es:

C sR
1
R
Z
) s ( V
) s ( V
1 1
C
i
o
= = (5.7.5)
Al aplicar Laplace a la ecuacin 5.7.5 se obtiene en el dominio del
tiempo que la tensin de salida es la integral de la tensin de entrada, ecuacin
5.7.3.
A frecuencias bajas, la impedancia Z
C
aumenta y se realimenta menos
seal en el terminal inversor del amplificador operacional. Por consiguiente, la
tensin de salida aumenta. A frecuencias ms altas, la impedancia Z
C
disminuye,
lo que hace que se realimente ms seal al terminal inversor. Por tanto, la tensin
de salida disminuye. En consecuencia, el integrador se comporta como un filtro
pasabajo. La grfica de la magnitud de la ganancia de tensin V
0
(s)/V
i
(s) en
funcin de la frecuencia, de la ecuacin 5.7.5, tiene una caracterstica pasabajo
con una frecuencia de corte cero, como se muestra en la Figura 5.7.5.

CAPTULO 5 - AMPLIFICADOR OPERACIONAL 243



w
-20 dB/dec
) s ( V
) s ( V
i
o
(en dB)
C R
1
1

FIGURA 5.7.5. Respuesta en frecuencia del integrador.

Es importante observar en la Figura 5.7.5 que a frecuencia cero la
ganancia es muy grande, esto puede provocar que el amplificador se sature. El
fenmeno ocurre porque el condensador se carga con la pequea, aunque finita,
corriente que circula por l. Impidiendo de esta manera la realimentacin en cd.
En consecuencia, el condensador se carga continuamente y la tensin de salida
aumenta hasta que el amplificador se satura. Para resolver este problema se debe
modificar el circuito integrador de manera que la ganancia sea finita en cd, esto se
hace, conectando una resistencia de R
2
en paralelo con el condensador C, como se
muestra en la Figura 5.7.6; R
2
proporciona la realimentacin en cd y resuelve el
problema de saturacin.

V
i
V
o
C
R
1
+
-
R
2

FIGURA 5.7.6. Circuito integrador modificado.

La ganancia del circuito de la Figura 5.7.6 es
1
f
i
o
R
Z
V
V
= , donde Z
f
es la
impedancia entre el terminal inversor y la salida que es igual a:
1 sCR
R
sC
1
R
sC
R
sC 1 || R Z
2
2
2
2
2 f
+
=
+
= = (5.7.6)
244 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


sustituyendo 5.7.6 en la expresin de ganancia queda:

C R 1 s
1
C R
1
) 1 sCR ( R
R
R
1 sCR
R
A
2 1 2 1
2
1
2
2
V
+
=
+
=
+
= (5.7.7)
El diagrama de Bode en magnitud del resultado obtenido es 5.7.7 se
muestra en la Figura 5.7.7.

w
-20 dB/dec
) s ( V
) s ( V
i
o
(en dB)
C R
1
2
1
2
R
R

FIGURA 5.7.7. Respuesta en frecuencia del integrador modificado de la Figura
5.7.6.

Se observa en la grfica de la Figura 5.7.7 que se amplifica todas las
frecuencias de la seal menores que
C R
1
w
2
= en
1
2
R
R
y adems para
frecuencia cero la ganancia se encuentra acotada. A este circuito tambin se le
conoce como filtro activo de primer orden pasabajo.
Existen otros circuitos integradores de inters que se indican a
continuacin.

5.7.1 Integrador no Inversor
El circuito del integrador no inversor se encuentra en la Figura 5.7.1.1.

V
i
V
o
C
R
+
-
R
C

FIGURA 5.7.1.1. Circuito integrador no inversor.
CAPTULO 5 - AMPLIFICADOR OPERACIONAL 245



La relacin de ganancia de tensin se obtiene aplicando la ecuacin del
amplificador no inversor, resultando:

sRC
1
sRC
1
1
1 sRC
1
R
sC
1
1
sC
1
R
sC
1
V
V
i
o
=

+
+
=

+
= (5.7.1.1)
Resultado igual al circuito integrador con signo cambiado.

5.7.2 Integrador Sumador Inversor
La Figura 5.7.2.1 muestra un integrador sumador inversor.

V
1
V
o
R
1
+
-
V
2
V
3
V
n
R
2
R
3
R
n
C

FIGURA 5.7.2.1. Circuito integrador sumador inversor.

Como su estructura se parece a la del amplificador sumador inversor
usaremos la ecuacin 5.4.1 para establecer que:

+ + + + =
n
n
3
3
2
2
1
1
o
V
R
1
....... V
R
1
V
R
1
V
R
1
sC
1
V (5.7.2.1)
Esto significa que la salida es la integral negativa de la suma ponderada
de las tensiones de entrada.

5.8 Derivador o Diferenciador
La Figura 5.8.1 muestra un circuito derivador.
Por tierra virtual la corriente de entrada fluye a travs de C y R, entonces
tendremos:

[ ]
R
V
dt
dV
C
R
V 0
dt
0 V d
C I
o i o i
=

= (5.8.1)
Despejando V
o
se tiene:

dt
dV
RC V
i
o
= (5.8.2)
246 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


V
i
V
o
C
R
+
-
I
I

FIGURA 5.8.1. Circuito derivador.

obtenindose la salida proporcional a la derivada de la entrada respecto al tiempo.
En la Figura 5.8.2 se muestran las grficas caractersticas de algunas seales de
entrada y de las seales de salida resultantes. La constante de tiempo
d
=RC de la
ecuacin 5.8.2 se conoce como constante de tiempo del diferenciador. En la
Figura 5.8.3 se observa la obtencin de una forma de onda triangular a partir de
una forma de onda cuadrada empleando un derivador.
Una aplicacin habitual de los derivadores es detectar y enfatizar las
transiciones rpidas de las seales o para producir pulsos de disparo de corta
duracin para excitar otros circuitos. Por ejemplo, la Figura 5.8.2a muestra cmo
se identifican los flancos subida y bajada de la seal de entrada en la salida del
derivador. Debido al signo menos de la ecuacin diferencial 5.8.2, los picos
negativos de la salida tienen lugar para las pendientes positivas y viceversa. La
seal de salida puede usarse para sincronizar algn otro evento que tenga lugar al
comienzo o al final del pulso. Para esta aplicacin, el diseador debe elegir la
constante de tiempo RC de la derivada de tal forma que sea corta en relacin con
el ancho del pulso.

V
i
1
t
t
t
V
o
t
t
t
t
t
-1
V
i
V
o
V
i
V
o
2
t
2
1
-1

(a) (b) (c)
FIGURA 5.8.2. Seales de entrada y salida de un derivador.
CAPTULO 5 - AMPLIFICADOR OPERACIONAL 247




V
i
V
o
t
t

FIGURA 5.8.3. Conversin de una forma de onda triangular en cuadrada de un
derivador.

La ecuacin de salida del derivador (5.8.2), tambin se puede deducir a
partir del dominio de Laplace. De la ecuacin del amplificador inversor (5.1.5) se
tiene:
sRC
sRC
1
R
Z
R
) s ( V
) s ( V
C i
o
= = = (5.8.3)
Recordar que al aplicar Laplace la variable s se considera como el operador
diferencial
dt
d
s = , resultando la tensin de salida en el dominio del tiempo igual a
la ecuacin 5.8.2.
Cuando aumenta la frecuencia, la impedancia Z
C
disminuye y la tensin
de salida aumenta, comportndose el derivador como un filtro pasaalto. La grfica
de la magnitud de la ganancia de tensin V
0
(s)/V
i
(s) en funcin de la frecuencia,
de la ecuacin 5.8.3, tiene una caracterstica pasaalta con una frecuencia de corte
infinita, como se muestra en la Figura 5.8.4.

w
20 dB/dec
) s ( V
) s ( V
i
o
(en dB)
RC
1

FIGURA 5.8.4. Respuesta en frecuencia del derivador.
248 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


As, la magnitud de salida crece linealmente al crecer la frecuencia y el
circuito derivador tiene ganancia elevada a altas frecuencias. Con esto se
amplifica las componentes de alta frecuencia del ruido del amplificador lo que
puede tapar completamente la seal diferenciada. La verdadera naturaleza de un
circuito derivador causa que ste sea un aumentador de ruido. Si la tensin de
entrada V
i
experimenta un cambio brusco a causa de un ruido o una interferencia
captada, aparecern picos a la salida y el circuito se comporta como un
amplificador de ruido. Por esta razn y debido a que son inestables, los circuitos
derivadores por lo general se evitan en la prctica.
Sin embargo, el derivador tiene una pequea aplicacin a baja frecuencia
la cual consiste en la variacin lineal de V
o
con la frecuencia; al excitar al
derivador con una onda senoidal se hace que el derivador acte como un simple
convertidor frecuencia a tensin. Si la seal de entrada es V
i
=sen(wt), la salida
ser V
o
=-Rcwtcos(wt).
Una modificacin del circuito derivador para solventar la amplificacin
de seales a alta frecuencia es el que se muestra en la Figura 5.8.5, donde se
conect una resistencia en serie al condensador C para limitar la ganancia a alta
frecuencia.

V
i
V
o
C
R
+
-
R

FIGURA 5.8.5. Circuito derivador modificado.

La funcin de transferencia del circuito es:

RC 1 s
s
1 sRC
sRC
sC
1 sRC
R
A
V
+
=
+
=
+
= (5.8.4)
El diagrama de Bode en magnitud del resultado obtenido es 5.8.4 se
muestra en la Figura 5.8.6.

CAPTULO 5 - AMPLIFICADOR OPERACIONAL 249



w
20 dB/dec
) s ( V
) s ( V
i
o
(en dB)
RC
1
1

FIGURA 5.8.6. Respuesta en frecuencia del derivador modificado de la Figura 5.8.5.

Se observa que el circuito limita el rango de frecuencia alta en
RC
1
w = .
El circuito de la Figura 5.8.7 tambin funciona como un derivador, su
funcin de transferencia es:

R
sL
A
V
= (5.8.5)
la cual corresponde a la funcin de un derivador.

V
i
V
o
R
+
-
+ -
V
L
L

FIGURA 5.8.7. Circuito derivador con elemento inductivo.

Esta configuracin es menos preferible que el derivador con el elemento
capacitivo, porque rara vez es ideal el comportamiento de un inductor verdadero.
Los inductores reales tpicamente exhiben una resistencia en serie y una
capacitancia en paralelo que no son despreciables. Los inductores tambin tienden
a ser de un tamao fsico relativamente grande.

5.9 Computador Analgico
Otra aplicacin lineal del amplificador operacional es el computador
analgico que consiste en la resolucin de una ecuacin diferencial. En las
secciones anteriores se ha visto que los amplificadores operacionales se pueden
250 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


utilizar para multiplicar una seal por una constante, integrarla, diferenciarla y
sumar cierto nmero de seales. Todos estos bloques que realizan operaciones
matemticas constituyen los bloques bsicos necesarios para implementar un
computador analgico.
Para ilustrar el empleo de los amplificadores operacionales se resuelve
una ecuacin diferencial sencilla, como la siguiente:
0 v x K
dt
dx
K
dt
x d
1 2 1
2
2
= + + (5.9.1)
siendo v
1
una funcin dada en el tiempo, K
1
y K
2
son constantes reales positivas.
Lo primero en considerar es que se dispone de la derivada de mayor orden
2 2
dt x d en forma de una tensin, como se indica en la siguiente ecuacin:

1 2 1
2
2
v x K
dt
dx
K
dt
x d
+ = (5.9.2)
Por medio de un integrador se tendr una tensin proporcional a dt dx , mientras
un segundo integrador da una tensin proporcional a v. Un sumador (y cambiador
de escala) da
1 2 1
v x K ) dt dx ( K + , segn la ecuacin 5.9.2, y la salida de este
amplificador sumador se enva al terminal de entrada donde en principio se haba
supuesto que se dispona de
2 2
dt x d .
El procedimiento descrito se representa en la Figura 5.9.1. La tensin
2 2
dt x d se dispone en el terminal de entrada del bloque integrador A1, que tiene
una constante de tiempo RC=1s, y en consecuencia, la salida en el terminal 1 ser
dt dx . Esta tensin se aplica a un bloque integrador A2 similar, y la tensin en
el terminal 2 es +x. La tensin del terminal 1 se aplica al inversor y cambiador de
escala A3 y su salida en el terminal 3 es ) dt dx ( K
1
+ . Este mismo amplificador
operacional A3 se emplea como sumador, por tanto, si la tensin v
1
(t) se aplica
tambin a dicho amplificador tal como se indica, el terminal de salida 3 tendr
asimismo el trmino v
1
y la salida total ser
1 1
v ) dt dx ( K . Los terminales 2 y
3 suministran seal al sumador cambiador de escala A4, resultando en el terminal
4 una tensin igual a
1 2 1
v x K ) dt dx ( K + , igual a la ecuacin 5.9.2. El
computador estar completo al conectar el terminal 4 al terminal de entrada.
Las condiciones iniciales especificadas (el valor de dt dx y de x en el
instante t=0) deben incluirse ahora en el circuito. Observar que las tensiones en los
terminales 1 y 2 de la Figura 5.9.1 son proporcionales a dt dx y a x
respectivamente. Por tanto las condiciones iniciales se obtendrn aplicando las
tensiones correctas V
1
y V
2
a travs de los condensadores de los integradores A1 y
A2 respectivos.
La solucin se obtiene abriendo simultneamente los interruptores S
1
y S
2

y cerrando S
3
(por medio de rels) en el instante t=0 y observando la forma de
CAPTULO 5 - AMPLIFICADOR OPERACIONAL 251



onda en el terminal 2. Si se desea tambin la derivada dt dx se puede tener su
forma de onda en el terminal 1.
Se puede realizar el computador analgico que tenga derivadores en lugar
de integradores. No obstante, se prefieren los integradores a los derivadores en
aplicaciones de computacin analgica, porque, como hemos visto, la ganancia de
un integrador disminuye con la frecuencia mientras que la de un derivador crece
linealmente con la frecuencia, por lo que es ms fcil estabilizar el primero que el
segundo frente a oscilaciones de orden superior. A consecuencia de su ancho de
banda limitado, un integrador es menos sensible a las tensiones de ruido que el
derivador. Adems, si la onda de entrada cambia rpidamente, el amplificador del
derivador puede saturarse. Finalmente, en la prctica, es conveniente introducir las
condiciones iniciales en un integrador.

A1
v
1
C
R
+
-
1
+x
V
1
S
1
t=0
Entrada
2
2
dt
x d
Integrador
RC=1
A2
C
R
+
-
2
V
2
S
2
t=0
dt
dx

Integrador
RC=1
A4 R
2
+
-
4
Sumador
R
1 2 1
v x K
dt
dx
K +
2
2
K
R
R
=
R
A3 R
1
+
- 3
Sumador
R
1 1
v
dt
dx
K +
1
1
K
R
R
=
R
S
3
t=0

FIGURA 5.9.1. Circuito de un computador analgico.

Veamos a continuacin un ejemplo de un computador analgico, el cual
se resuelve utilizando un integrador sumador visto en la seccin 5.7.2.

Ejemplo 5.9.1. Resolver la siguiente ecuacin diferencial:
) wt cos( V
4
v
dt
dv
3
dt
v d
im
o o
2
o
2
= + +
donde v
o
es la tensin de salida resultante de la aplicacin de la tensin de entrada
V
im
cos(wt). Todas las condiciones iniciales son cero.
Para resolver el problema primero despejemos la segunda derivada:
252 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA



4
v
dt
dv
3 ) wt cos( V
dt
v d
o o
im
2
o
2
= (5.9.1.1)
Las operaciones matemticas necesarias para resolver esta ecuacin incluyen
adicin, integracin y multiplicacin, las cuales todas se pueden realizar
empleando los circuitos operacionales antes descritos. Integrando
2
o
2
dt v d para
hallar la primera derivada dt dv
o
y tomando en cuenta la inversin de signo en el
integrador, se tiene:


+ + =

=
t
o
t
o
o o
im
2
o
2
o
dt
4
v
dt
dv
3 ) wt cos( V dt
dt
v d
dt
dv
(5.9.1.2)
La ecuacin 5.9.1.2 se puede realizar por un integrador sumador, como se muestra
en la Figura 5.9.1.1a. Todas las resistencias estn expresadas en magahmios y los
condensadores en microfaradios. La tensin de salida v
o
se obtiene integrando
dt dv
o
e invirtiendo el resultado como se muestra en la Figura 5.9.1.1b. El
circuito completo se representa en la Figura 5.9.1.1c, el cual se obtiene
combinando las Figura 5.9.1.1a y 5.9.1.1b.

-V
im
cos(wt)
1M
+
- v
o
1f
dt
dv
o
4M
(1/3)M
dt
dv
o

(a)
1M
+
-
-v
o
1f
dt
dv
o
1M
+
-
1M
v
o

(b)
-V
im
cos(wt) 1M
+
-
v
o
1f
dt
dv
o
4M
(1/3)M
1M
+
-
-v
o
1f
1M
+
-
1M
v
o
dt
dv
o

(c)
FIGURA 5.9.1.1. Circuitos para el ejemplo 5.9.1.
CAPTULO 5 - AMPLIFICADOR OPERACIONAL 253



5.10 Amplificador Diferencial
El circuito amplificador diferencial implementado con el amplificador
operacional aparece en la Figura 5.10.1. El amplificador diferencial es un sistema
con dos entradas y un solo terminal de salida, que en ocasiones se emplea para
amplificar entradas procedentes de transductores que convierten un parmetro
fsico y sus variaciones en una seal elctrica. Estos transductores pueden ser
medidores de deformaciones (galgas extensomtricas), termopares, etc.

V
1
V
o
R
2
R
1
+
-
V
2
R
3
R
4

FIGURA 5.10.1. Amplificador Diferencial.

Se observa en la Figura 5.10.1 que el amplificador diferencial combina en
un solo circuito al amplificador inversor y no inversor analizados en las secciones
anteriores. Como veremos, el amplificador diferencial, bajo ciertas condiciones de
las resistencias, produce una tensin de salida que es proporcional a la diferencia
entre las dos tensiones de entrada V
1
y V
2
.
Aplicando el principio de superposicin, se determina el valor de la
salida V
o
en funcin de las entradas, es decir:

0 V
V
0 V
V V
1
2 o
2
1 o o
| |
=
+
=
= (5.10.1)
La tensin V
o1
es igual a:

1
1
2
1 o
V
R
R
V = (5.10.2)
La tensin V
o2
es igual a:

2
1
2
4 3
4
2 o
V
R
R
1
R R
R
V

+
+
= (5.10.3)
La tensin de salida resultante es:

2
1
2
4 3
4
1
1
2
o
V
R
R
1
R R
R
V
R
R
V

+
+
+ = (5.10.4)
254 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


En la ecuacin 5.10.4 se observa que la tensin de salida no es
directamente proporcional a la diferencia entre las dos tensiones de entrada y
adems no existe un rechazo del modo comn (o sea produzca salida cero cuando
V
1
=V
2
). Para obtener esto, se hace V
o
igual a cero y V
1
=V
2
. Entonces:

2
1
2
4 3
4
1
1
2
V
R
R
1
R R
R
V
R
R
0

+
+
+ =

2
1
2
4 3
4
1
1
2
V
R
R
1
R R
R
V
R
R

+
+
=
haciendo V
1
=V
2
:

+
+
=
1
2
4 3
4
1
2
R
R
1
R R
R
R
R

+
=
+
1
2 1
2
1
4
4 3
R
R R
R
R
R
R R


2
1
4
3
R
R
1
R
R
1 + = +

2
1
4
3
R
R
R
R
= (5.10.5)
Esto es equivalente a colocar R
3
=R
1
y R
4
=R
2
, que al sustituir en la ecuacin 5.10.4
resulta:
) V V (
R
R
V
1 2
1
2
o
= (5.10.6)
que claramente se observa la tensin de salida proporcional a la diferencia entre
las dos tensiones de entrada. El nuevo circuito del amplificador diferencial con los
nuevos valores de resistencia se muestra en la Figura 5.10.2.

V
1
V
o
R
2
R
1
+
-
V
2
R
1
R
2

FIGURA 5.10.2. Amplificador Diferencial modificado.
CAPTULO 5 - AMPLIFICADOR OPERACIONAL 255




Si todas las resistencias son iguales, esto es, R
1
=R
2
=R
3
=R
4
=R, la salida
se reduce a:

1 2 o
V V V =
y el circuito funciona como un amplificador restador de dos seales.
Una aplicacin tpica de un amplificador diferencial es la medida de la
diferencia de tensiones entre dos brazos de un puente de Wheatstone, tal como
indica la Figura 5.10.3. Nominalmente, los cuatro brazos de este puente tienen
resistencias iguales a R. No obstante, una de las ramas tiene una resistencia que
vara hasta R+R con la temperatura o con cualquier otro parmetro fsico. El
objetivo de la medicin es hallar el cambio relativo del valor de la resistencia del
brazo activo, o sea, =R/R.

V
1
V
o
R
2
R
1
+
-
V
2
R
1
R
2
V
cc
R R
R R+DR

FIGURA 5.10.3. Amplificador Diferencial conectado en un puente de
Wheatstone.

Una desventaja que presenta el amplificador diferencial es su resistencia
de entrada, en el amplificador diferencial de la Figura 5.10.1 las resistencias de
cada entrada con respecto a tierra son diferentes. La resistencia de la entrada V
1
es
R
1
y de la entrada V
2
es R
3
+R
4
. Esta asimetra en la resistencia de entrada puede
provocar la entrada de ruido de modo comn que se amplifique con la seal.
Enseguida nos preguntamos acerca de la resistencia de entrada entre los terminales
de entrada del amplificador diferencial modificado de la Figura 5.10.2, para esto
evaluemos la resistencia de entrada de la fuente diferencial como se muestra en la
Figura 5.10.4.
La resistencia de entrada diferencial R
i
se define como:

I
V V
R
1 2
i

= (5.10.7)
Por la tierra virtual, ya que V
+
=V
-
se puede escribir la siguiente ecuacin de
circuito:
256 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


I R I R V V
1 1 1 2
+ = (5.10.8)
As:

1 i
R 2 R = (5.10.9)

I
V
o
R
2
R
1
+
-
V
2
- V
1
R
1
R
2
I

FIGURA 5.10.4. Amplificador diferencial modificado para encontrar la resistencia
de entrada.

Observar que si se requiere que el amplificador tenga una ganancia
diferencial grande, entonces R
1
, por necesidad, ser relativamente pequea y la
resistencia de entrada ser tambin pequea; la cual puede introducir un efecto de
carga indeseable sobre el dispositivo conectado a su entrada, lo que representa una
desventaja del circuito. Una ligera modificacin consiste en la incorporacin de
seguidores de tensin en cada una de las entradas del amplificador diferencial
como se ilustra en la Figura 5.10.5.

V
o
R
2
R
1
+
-
V
2
R
1
R
2
V
1
+
-
+
-

FIGURA 5.10.5. Amplificador diferencial con alta impedancia de entrada.

CAPTULO 5 - AMPLIFICADOR OPERACIONAL 257



Al inconveniente de la impedancia de entrada del amplificador
diferencial debe agregarse el hecho de que el ajuste de la ganancia diferencial
depende de dos resistencias fsicamente diferentes, aunque sean del mismo valor
en el caso de R
1
o R
2
. Es decir, la ganancia de cada seal de entrada depende de
resistencias fsicamente diferentes de R
1
o R
2
. Esto provoca, que en el caso de un
diseo, se tenga que controlar perfectamente dichas resistencias para que cambien
lo menos posible su valor debido a otras condiciones externas del circuito. Por
esta razn, se propone el amplificador instrumental como una mejora del
amplificador diferencial, donde el amplificador instrumental consiste en una
amplificador diferencial con gran impedancia de entrada y cuyo ajuste de ganancia
depende de slo una resistencia.

5.11 Amplificador Instrumental
El amplificador ms til para medicin, instrumentacin o control es el
amplificador instrumental, encontrndose en la mayora de los equipos de
adquisicin de datos. Algunos equipos que emplean un amplificador instrumental
son los osciloscopios, multmetros digitales y registradores de datos. El circuito
del amplificador instrumental se encuentra en la Figura 5.11.1.

V
o
R
R
+
-
V
2
R
R
V
1
+
-
+
-
R
1
R
2
R
3
A1
A2
A3

FIGURA 5.11.1. Amplificador instrumental.

Como se observa en la Figura 5.11.1 la configuracin del amplificador
instrumental consiste en un amplificador diferencial (A3) con un acoplamiento
formado por los amplificadores operacionales A1 y A2. El amplificador
instrumental permite que la ganancia de ambos canales se ajusten
simultneamente modificando slo la resistencia R
1
, como veremos a
continuacin. Aplicando el concepto de tierra virtual, el anlisis del circuito es
sencillo, por lo tanto, la salida V
o
es igual a:
2
1
2
2
1
3
1
1
3
1
1
2
o
V
R
R
R
R
V 1
R
R
R R
R
1
R
R
V 1
R
R
R R
R
R
R
V
R
R
1
R
R
V

+ +

+ =

258 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


Desarrollando:
2
1
2
2
1
3
1
1
3
1
1
2
o
V
R
R
V 1
R
R
V
R
R
V 1
R
R
V +

+ +

+ = (5.11.1)
Agrupando se tiene:
) V V (
R
R R R
V
1 2
1
3 2 1
o

+ +
= (5.11.2)
) V V (
R
R R
1 V
1 2
1
3 2
o

+
+ = (5.11.3)
Se observa en las ecuaciones 5.11.1 y 5.11.3, que dados R
2
y R
3
fijos, y
sin importar el valor de R la ganancia diferencial se puede ajustar fsicamente con
slo la resistencia R
1
. Existen fabricantes que producen amplificadores
instrumentales donde la resistencia R
1
es externa al circuito integrado y es
seleccionada por el usuario de acuerdo a la ganancia requerida. Adicionalmente,
se puede agregar a la estructura del amplificador instrumental que las resistencias
de entrada de los terminales de entrada V
1
y V
2
son infinita.
Para finalizar este captulo, es importante destacar, que las aplicaciones
de los amplificadores operacionales son incontables, pero aqu se han analizado
varias aplicaciones que son las ms comunes y mayormente utilizadas. Recordar
que las mayoras de las aplicaciones se obtienen de las configuraciones bsicas,
amplificador inversor y no inversor.

5.12 Bibliografa
CHIRLIAN PAUL M., Anlisis y Diseo de Circuitos Electrnicos, McGraw-
Hill, 1967.

COUGHLIN R. & DRISCOLL F., Amplificadores Operacionales y Circuitos
Integrados Lineales, Prentice Hall, 1993.

GRAY PAUL R. & MEYER ROBERT G., Anlisis y Diseo de Circuitos
Integrados Analgicos, Prentice-Hall Hispanoamericana, S.A., Tercera Edicin.

HORENSTEIN MARK N. , Microelectrnica: Circuitos y Dispositivos,
Prentice-Hall Hispanoamericana, S.A., Segunda Edicin.

MALIK NORBERT R., Circuitos Electrnicos. Anlisis, Diseo y Simulacin,
Prentice-Hall, 1998.

MILLMAN J. & HALKIAS CH. C., Dispositivos y Circuitos Electrnicos,
Ediciones Anaya, S.A., 1971.

CAPTULO 5 - AMPLIFICADOR OPERACIONAL 259



MILLMAN J. & HALKIAS CH. C., Electrnica Integrada. Circuitos y Sistemas,
Analgicos y Digitales, Editorial Hispano Europea, S.A. Cuarta Edicin.

MILLMAN J. & GRABEL A., Microelectrnica, Editorial Hispano Europea,
S.A. Sexta Edicin.

RASHID MUHAMMAD H., Circuitos Microelectrnicos anlisis y diseo,
International Thomson Editores, 2000.

SAVANT C. J. Jr., RODEN M. S. & CARPENTER G. L., Diseo Electrnico.
Circuito y Sistemas. Addison-Wesley Iberoamericana. Segunda Edicin (Primera
en espaol).

SCHILLING D. L. & BELOVE CH., Circuitos Electrnicos Discretos e
Integrados, Marcombo Boixareu Editores, Segunda Edicin.

SEDRA A. & SMITH K. C., Dispositivos Electrnicos y Amplificacin de
Seales, McGraw-Hill, 1991.

5.13 Preguntas y Problemas Propuestos
5.13.1 A qu se debe el nombre de amplificador operacional?.

5.13.2 La mayor parte de los amplificadores operacionales estn alimentados por
tensiones bipolares. Cul es la ventaja principal de esta caracterstica particular?.

5.13.3 Dibujar el diagrama de bloque de un amplificador operacional y explique
brevemente la funcin de cada bloque.

5.13.4 Indicar el circuito equivalente del amplificador operacional.

5.13.5 Dibujar la caracterstica de transferencia de un amplificador operacional
indicando todos los puntos de inters.

5.13.6 Cules son las caractersticas de un amplificador operacional ideal?.

5.13.7 Qu es la tierra virtual de un amplificador operacional?.

5.13.8 Cules son las configuraciones bsicas realizadas con el amplificador
operacional?. Dibuje las topologas de estas configuraciones y obtenga para cada
una la expresin de la ganancia de tensin.

5.13.9 Cul es el seguidor de tensin y diga su ventaja?.

260 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


5.13.10 Qu es un amplificador sumador?

5.13.11 Cules son las topologas de un Convertidor de Tensin a Corriente y un
Convertidor Corriente a Tensin?.

5.13.12 Qu es la constante de tiempo de integracin?.

5.13.13 Cul es la respuesta en frecuencia de un integrador?.

5.13.14 Indique el circuito para colocar las condiciones iniciales en un integrador.

5.13.15 Cul es la respuesta en frecuencia de un derivador?.

5.13.16 Porqu se utilizan los integradores en lugar de los derivadotes en
aplicaciones de computacin analgica?.

5.13.17 Cul es el circuito del amplificador diferencial implementado con el
amplificador operacional?.

5.13.18 Qu condicin se debe cumplir en el circuito del amplificador diferencial
propuesto en el punto anterior para que existe un rechazo del modo comn?.

5.13.19 Cul es la desventaja que presenta el amplificador diferencial
implementado con el amplificador operacional?.

5.13.20 Indique la modificacin que se debe realizar a la topologa del
amplificador diferencial implementado con el amplificador operacional para
eliminar el problema de impedancia de entrada.

5.13.21 Indique la topologa de un amplificador instrumental y diga la razn de su
implementacin.

5.13.22 Un amplificador operacional en lazo abierto tiene una ganancia igual a:
A=2x10
5
. La resistencia de entrada R
i
=2 M. Las tensiones de alimentacin
V
CC
=15V y V
CC
=-15V. Determinar: a)Qu valor de la tensin diferencial
(v
d
=V
+
-V
-
) har que el amplificador se sature? Y b) Cul es el valor de la
corriente de entrada?.

5.13.23 Disee un amplificador inversor con ganancia de tensin igual a 20 y una
resistencia de entrada de 1.5k. Realizar otro diseo con ganancia de 10 y
resistencia de entrada de 100k.

5.13.24 Encuentre la ganancia del circuito que se muestra en la Figura 5.13.24.1.
El amplificador operacional es ideal.
CAPTULO 5 - AMPLIFICADOR OPERACIONAL 261



V
i
V
o
1k
+
-
10k 10k
100

FIGURA 5.13.24.1. Circuito del problema 5.13.24.

5.13.25 Disear un circuito igual al problema 5.14.24, mostrado en la Figura
5.14.24.1, que tenga una ganancia igual a 100 y una resistencia de entrada de
1M utilizando resistencias no mayores de 1M.

5.13.26 Un amplificador inversor, como el indicado en la Figura 5.1.1, tiene
R
1
=1k y R
2
=10k. El operacional est caracterizado por A=200000, R
i
=200k
y R
o
=150. Hallar la ganancia de tensin, la resistencia de entrada y la resistencia
de salida del amplificador inversor.

5.13.27 Hallar la tensin de salida del circuito de la Figura 5.14.27.1. El
amplificador operacional es ideal.
V
1
V
o
5k
+
-
V
2
10k
10k
5k

FIGURA 5.13.27.1. Circuito del problema 5.13.27.

5.13.28 Para el circuito de la fuente de corriente indicada en la Figura 5.13.28.1
calcular: a) la resistencia de salida. b) con R1=R2=R3=R4=R el valor de R5 para
el cual el circuito se comporte como una fuente de corriente ideal y c) con
R1=R2=R3=R4=R y el valor de R5 obtenido en b), hallar I
L
= f(Vi). El A.O. ideal.

5.13.29 Se dispone de un generador cuya tensin de salida es igual a f(t) y se
desea implementar el circuito que pueda resolver la siguiente ecuacin diferencial:
262 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


) t ( f y 6
dt
dy
5
dt
y d
3
dt
y d
2
2
3
3
= + + donde
0
0 t
y =
=
, 3
0 t dt
dy
=
=
y 7
0 t
dt
y d
2
2
=
=


R
2
V
i
A
R
3
R
4
R
salida
R
5 Z
L
I
L
R
1

FIGURA 5.13.28.1. Circuito del problema 5.13.28.

5.13.30 Para medir la presin en un deposito de aire comprimido, se utiliza un
transductor de presin con cuatro galgas extensomtricas conectados a modo de
puente de Wheatstone, como se muestra en la Figura 5.13.31.1, determinar la
tensin de salida Vo; sabiendo que R=120, R=3.5, R1=R2=R5=R6=R7=10k,
R3=R4=100K, R8=115k, R9=4k, RV1=500, Vref=8V, Vcc=12V y A:Ideal.
+
-
Vcc
-Vcc
+
-
Vcc
-Vcc
R R
R R+ R
R1
R2 R3
R4
R5
R6
R7
R8
R9
RV1
Vref
Vcc
Vo
A
A

FIGURA 5.13.30.1. Circuito del problema 5.13.30.



APNDICE 263


APNDICE A

TABLA PERIDICA DE LOS ELEMENTOS


FIGURA A1. Tabla Peridica de los Elementos.


264 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


APNDICE B

NOTACIONES DE LA RESISTENCIA DINMICA
DEL DIODO

TABLA B1. Notaciones de la resistencia dinmica del diodo en pequea seal y
en gran seal, segn algunas literaturas.
LITERATURA
Notacin de la
Resistencia Dinmica
en Pequea Seal
Notacin de la
Resistencia Dinmica
en Gran Seal
Boylestad R. & Nashelsky L. r
d
r
prom
Chirlian Paul M. r
p
No indica
Cutler Ph. r
f
r
f

Horenstein Mark N. r
d
No indica
Millman J . & Halkias Ch. C.,
Dispositivos y Circuitos
Electrnicos
r R
f
Millman J . & Halkias Ch. C.,
Electrnica Integrada.
Circuitos y Sistemas,
Analgicos y Digitales
r R
f
Millman J . & Grabel A. r
d
R
f

Rashid Muhammad H. r
d
No indica
Savant C. J . J r., Roden M. S.
& Carpenter G. L.
r
d
r
d
Sedra A. & Smith K. C. r
d
R
D

Schilling D. L. & Belove Ch. r
d
R

APNDICE 265


APNDICE C

NOTACIN Y SIMBOLOGA CIRCUITAL DEL
MOSFET SEGN DIFERENTES LITERATURAS

BOYLESTAD




Canal p

MOSFET DE ACRECENTAMIENTO

Canal n








Canal p

MOSFET DE VACIAMIENTO
Canal n






D
S
G
B
D
S
G
B
D
S
G
B
D
S
G
B
266 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


HORESTEIN
Simplificado




Canal p

MOSFET INCREMENTAL

Canal n








Canal p

MOSFET DECREMENTAL

Canal n










D
S
G B
D
S
G
D
S
G B
D
S
G
D
S
G B
D
S
G
D
S
G B
D
S
G
APNDICE 267


MALIK



Canal p

MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO

Canal n





Canal p
MOSFET DE DEPLEXIN No se encuentra claramente especificado

Canal n
















D
S
G
D
S
G
268 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


MILLMAN-GRABEL (Microelectrnica)




Canal p

MOSFET DE ACUMULACIN
Canal n







Canal p

MOSFET DE DEPLEXIN
Canal n












D
G B
D
S
G B
D
S
G
D
S
G B
APNDICE 269


MILLMAN-HALKIAS (Dispositivos y Circuitos Electrnicos)

Canal p
MOSFET DE ACUMULACIN
Canal n

Canal p
MOSFET DE DEPLEXIN
Canal n

Independiente del tipo de MOSFET los de canal p se simbolizan:

D
S
G B
D
S
G B
D
S
G B












270 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


MILLMAN-HALKIAS (Electrnica integrada)
Canal p
MOSFET DE ACUMULACIN
Canal n

Canal p
MOSFET DE DEPLEXIN
Canal n

Smbolos de MOSFET de canal p:
D
S
G
D
S
G B
D
S
G

(a) (b) (c)
(a) y (b) pueden representar los dos tipos: de acumulacin o de deplexin,
mientras que (c) representa especficamente el tipo de acumulacin.













APNDICE 271


RASHID
Simplificado





Canal p

MOSFET INCREMENTAL
Canal n









Canal p

MOSFET DECREMENTAL

Canal n






D
S
B
D
S
G
D
S
G
B
D
S
G
D
S
G
D
S
G
B
D
G
D
S
G
B
S
272 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA



SAVANT



Canal p

MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO

Canal n








Canal p

MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO

Canal n








D
S
G
B
D
S
G
B
D
S
G
B
D
S
G
B
APNDICE 273



SCHILLING-BELOVE
Canal p
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO
Canal n

Canal p
MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO
Canal n
El smbolo del MOSFET canal n es el siguiente:
S
G

Cuando sea importante dibujar un esquema para mostrar explcitamente la tensin
del sustrato se emplear el smbolo del MOSFET de canal n el siguiente:
D
S
G B

Los de canal p se invierte la flecha y los smbolos son independientes si son de
enriquecimiento o de empobrecimiento.




274 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA


SEDRA-SMITH



Canal p

MOSFET DE ENSANCHAMIENTO

Canal n







Canal p

MOSFET DE AGOTAMIENTO

Canal n


Los smbolos simplificados para los transistores MOS son los siguientes:
D
S
G
D
S
G

Canal n Canal p
El tipo de dispositivo (de agotamiento o de ensanchamiento) debe aclararse para
cada caso especfico.
D
S
G
B
D
S
G
B
D
S
G
B
D
S
G
B
NDICE 275


NDICE


Acumulacin, 156-169
Amplificacin, 57, 79, 101, 219, 248
inversa de tensin con circuito
abierto, 103
Amplificador, 61-123, 141, 169, 178
207, 219-258
bsico 178-193
bsico en configuracin emisor
comn, 54, 74
completamente cargado, 110-123
con condensador de desacoplo, 79
con condensador de desacoplo y de
acoplamiento, 82
diferencial, 202, 221, 222, 224,
253-257
en pequea seal empleando los
parmetros hbridos, 110
instrumental, 257, 258
inversor, 203, 226-229, 232, 239,
242, 247, 253, 258
no inversor, 229-232, 235, 236,
245, 253, 258
operacional, 201-204, 219-253
seguidor de emisor, 84
sumador, 232
inversor 232, 233, 245
no inversor 232-234
unidireccional, 196, 199, 201, 203,
228, 231
Amplificadores, 141, 142, 151, 178,
182, 219
diferenciales 200
de potencia 190
instrumentales 258
operacionales 155, 200, 219, 220,
221, 223, 225, 232, 239, 249, 250,
257, 258
reales 241
Anlisis
a pequea seal, 33, 39, 73, 110
a gran seal, 33
a frecuencias medias, 100
con beta infinito, 95, 96
de circuitos con diodo, 61
de circuitos con transistores BJT,
91
de circuitos lineales, 40
de circuitos realimentados, 195
de estructuras mltiplemente
realimentadas, 204
de los circuitos con JFET, 143
de los circuitos no lineales, 100
del efecto de la realimentacin
sobre la linealidad, 190
del punto Q, 57, 89, 92-97
en pequea seal de
amplificadores utilizando
parmetros hbridos,
57, 100, 110
grfico de los circuitos con
transistores BJT, 57, 61-73
lineal a trozos, 40
por tierra virtual, 226, 230
sistemtico de los circuitos
realimentados, 178, 194
Ancho
de banda, 178, 183, 187, 189, 224,
251
de base, 126
Anchura
del canal, 147, 150
prohibida, 4
Arrastre, 14, 15, 17, 20
Banda, 3, 4
ancha, 187, 188
de conduccin, 1, 3, 6-9, 12
de energa, 1
permitida, 1, 3
prohibida, 1
de valencia, 1, 3, 6-9, 13, 23
276 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

prohibida, 3, 4
Bandas
de energa, 1, 3, 11, 12
Bandas prohibidas, 1
Base, 58-67, 69-73, 89-97, 102, 104,
106-110, 112-117, 119, 120, 123-126
Beta, 95, 96, 109, 142, 179
Buffer (ver tambin Seguidor de
tensin), 232
Clculo
de la corriente esttica de base, 69
de las ganancias, 110
de r
d
, 39
del punto Q, 93
diferencial, 38
Caracterstica 39, 40, 42-48, 62-73,
76, 78, 88, 89, 103, 105, 107, 110,
143, 146-155, 161-169, 184, 190, 193,
204, 219, 223-225, 232, 242, 246, 247
elctrica, 21
directa, 47
de base, 104
de colector, 70, 72, 104,
de drenaje, 147, 148, 162
de JFET, 147, 149
de transferencia, 151, 152, 165,
168, 169, 190, 191, 193, 223
del amplificador, 178
del diodo semiconductor (pn),
27-34, 36, 37, 40
del transistor, 62, 88
inversa, 46, 47
lineal a trozos, 32
no lineal, 70
Caractersticas
elctricas, 4, 141,
de colector no lineales, 66
de los dispositivos, 184
de transferencia, 151, 168
del amplificador operacional, 219,
223
del colector, 72
del silicio, 30
del sistema, 183
del transistor, 58, 89
no lineales, 40
Carga, 2, 3, 5, 8, 9, 11, 13, 14, 15, 17,
18, 19, 20, 21, 23, 26, 60, 142, 145,
158, 159, 160, 167, 243
de un electrn, 3
del electrn, 5, 8, 16, 28
Cargas
descubiertas, 18, 21
inducidas 159
mviles, 8, 59, 158
Ctodo, 18
Circuito,
amplificador con condensador de
desacoplo, 79
amplificador con condensador de
desacoplo y de acoplamiento, 79,
82
amplificador diferencial, 253
amplificador inversor, 226, 236
amplificador no inversor, 229, 235
amplificador seguidor de emisor
con carga acoplada, 86
seguidor de emisor, 79, 84, 85
seguidor de tensin, 232
bsico de realimentacin, 194
colector-emisor, 79
de base, 93
de colector, 62, 97
de polarizacin, 64, 88, 89, 92, 93
de un computador analgico, 251
del amplificador bsico en
configuracin de emisor comn,
75
del amplificador instrumental, 257
derivador, 245, 246, 248
derivador con elemento inductivo,
249
derivador modificado, 248
emisor-base, 65, 92
emisor comn, 85
equivalente, 35, 40, 41, 42, 44-50,
90, 91, 101, 110, 125, 195, 222
equivalente a pequea seal, 101
NDICE 277


equivalente de Norton, 103
equivalente del transistor, 102,
103, 111
equivalente hbrido- del transistor
a baja frecuencia, 126
equivalente lineal a trozos, 32, 40,
42, 43
equivalente para seal dbil, 42
equivalente simplificado del
transistor, 112
equivalente simple, 32
equivalente Thvenin, 64, 92, 93,
103
integrado, 58, 141, 142, 156, 157,
162, 219, 221, 258
integrado lineal, 219
integrado lineal bsico, 219
integrador, 240, 242, 243, 245
integrador con condicin inicial,
240
integrador modificado, 243
integrador no inversor, 244
integrador sumador inversor, 245
lineal a trozos, 42
Circuitos,
BIFET, 141
con diodo, 32, 61
con JFET, 143
con transistores, 61, 91, 109
con transistores BJT, 57, 91
con realimentacin negativa, 182
digitales y analgicos, 141
de polarizacin, 42
derivadotes, 248
equivalentes desarrollados en
pequea seal, 100
equivalentes lineales a trozos, 42
equivalentes lineales para seales
dbiles, 42
equivalentes para seales dbiles o
pequea seal, 100
integrados, 5, 96, 142, 155, 219
integradores, 244
lineales, 100, 141
lgicos, 42
no lineales, 40, 100
realimentados, 178, 181, 183, 184,
186, 194, 195
Clasificacin de los Materiales, 1
Coeficiente
de difusin, 17
de emisin, 27
Colector, 58-126
comn, 61, 79, 84, 94, 102, 107
Compensacin, 89
de frecuencia, 220
Computacin analgica, 219, 251
Computador
analgico, 249-251
Condensador
de acoplamiento, 79, 82
de bloqueo, 69
de desacoplo, 79, 80, 81, 82
de placas planas paralelas, 156
Conductancia, 161
del MOSFET, 162
de salida, 103
Conductor, 1, 3, 4, 6, 8, 23, 24, 154
Conductores, 12
Conmutacin, 5, 149, 219
Constante
de Boltzmann, 28
de difusin para huecos, 16
de difusin para electrones, 16
de tiempo de integracin, 240
de tiempo del diferenciador, 246
de tiempo RC, 246, 250
emprica, 27
Control, 141, 177, 195, 257
Corte, 61, 67, 73, 75, 78, 79, 90, 91,
148, 150, 157, 164, 194, 195
Corriente
de base, 61-63, 65-67, 69-73, 89,
91, 92, 95, 104, 106, 107, 109, 110,
119, 120, 123
278 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

de colector, 59, 61, 62, 65, 67, 70,
73, 75, 77, 81, 83, 94-98, 100, 104,
107, 110, 119, 120
de compuerta, 150
de corte de puerta, 150
de cresta de colector, 82
de deriva, 21, 23, 25
de difusin, 15, 16, 20, 23, 25
de difusin de huecos, 16
de difusin de electrones, 16
de drenador, 148, 166, 168, 169
de drenaje, 145-147, 150, 151,
154, 158-161, 163, 164, 166, 167
de emisor, 61, 65, 92, 96
de fuga, 25
de fuga de drenaje, 150
de fuga superficial, 31
de huecos, 9
de polarizacin, 66, 239
de puerta, 148, 157
de reposo de colector, 75
de reposo de emisor, 79
de saturacin, 160
de saturacin inversa, 25, 27, 29,
30, 47, 90
del colector, 59, 61, 62, 65, 67, 70
directa, 46
en el MOSFET, 163
en pequea seal, 102
inversa, 25, 26, 30
inversa de fuente, 150
mxima de colector, 88
puerta-surtidor, 147
Cristal, 1, 6, 7, 11, 12, 13, 17, 23, 24,
26
de silicio, 6, 7, 10
Criterio
de diseo, 57
Criterios
de polarizacin, 89
Curva, 28, 31, 32, 40, 41, 52, 105,
152, 163, 164, 168, 193
caracterstica, 36, 39, 42, 43, 45,
52, 62, 89, 105, 146, 148
caracterstica de un diodo real, 27,
28
caracterstica de salida, 105
caracterstica del diodo
semiconductor (pn), 27
caracterstica i
C
-v
CE
, 70
caracterstica tensin-corriente
(v-i) de un diodo real, 27
caracterstica v-i, 32
caracterstica v-i del diodo, 28, 29,
33
caracterstica (v-i) del diodo ideal,
32
caracterstica (v-i) del diodo ideal
con tensin umbral, 33
de carga dinmica, 73
de concentracin, 16
de funcionamiento dinmico, 72
de la corriente de colector, 97, 98
de transferencia, 167
del parmetro h
FE
, 97
del parmetro , 99
dinmica, 72
exponencial, 31, 63
hiperblica, 89
no lineal, 40
real, 40
real del diodo, 45
Curvas, 67, 70, 96, 97, 100, 107, 151,
152, 167, 169
caractersticas, 76, 89, 107, 142,
147, 155, 161, 163
caractersticas de colector, 69
caractersticas de entrada, 72
de i
B
constantes, 66
Deriva, 14, 15, 20, 21, 23, 25
Derivador, 245-249, 251
Descenso, 12
en la barrera de potencial, 29
Deteccin de umbral, 219
Diagrama
de bandas de energa de un
semiconductor, 6
de bandas de energa de un
NDICE 279


semiconductor tipo n, 12
de bandas de energa de un
semiconductor tipo p, 13
de bloque, 178, 179, 180, 188,
194, 197, 204, 219, 221
de bloque de la estructura de un
amplificador operacional, 222
de bloque de un amplificador
bsico, 178
de bloque de un sistema
realimentado, 179, 180
de bloque del sistema
realimentado, 198, 205
de bloques, 194
de Bode en magnitud, 244, 248
de Bode en magnitud para el
sistema realimentado, 190
esquemtico de la formacin de la
unin pn, 19
Diagramas de bloques, 194
Diferencia
de potencial, 3, 19,
de potencial drenador-surtidor, 145
de potencial en la regin de
agotamiento, 19
entre el emisor y el colector, 58
entre el nmero de portadores
mayoritarios y el de minoritarios,
11
entre el parmetro h
fe
y

el beta ()
del transistor, 109
entre un conductor y un
semiconductor, 8
Diferenciacin, 219
Difusin, 14-20, 22, 23, 25, 58, 60,
144
Diodo, 17, 18, 21-40, 44-50, 60, 61,
145, 146
base emisor, 126
colector base, 59
con polarizacin inversa, 47, 153
de emisor, 69
de unin, 17
en gran seal, 36
en pequea seal, 37
en polarizacin directa, 33
ideal, 31, 32, 35, 41, 43, 44, 47
ideal con tensin umbral, 33
polarizado en sentido inverso, 145
real, 27, 28, 29
semiconductor, 14, 17
semiconductor (pn), 1, 17, 27, 59
Diodos, 5, 17, 22, 32, 44, 158, 219,
221
de silicio, 5, 27, 30, 31
de germanio, 27, 30, 31
ideales, 40
reales de silicio, 27
zener, 221
Diseo, 57, 61, 73, 79, 88, 110, 143,
155, 178, 183, 223, 257
Disipacin, 30, 156, 163
Dispositivo, 4, 40, 45-47, 57, 60, 61,
67, 73, 88, 89, 96, 101, 125, 141, 144,
151, 156-159, 163, 166-169, 256
activos, 4, 220
de estado slido, 141
de puerta aislada, 155
de tres terminales, 61
no lineal, 40
MOSFET, 155
semiconductor, 141
Dispositivos, 5, 40, 149, 151, 156,
157, 162, 167, 180, 184, 238
activos, 177, 178
discretos, 157, 164
integrados, 150
semiconductores, 14, 17
simtricos, 60
no lineales, 40
MOS, 141
Distorsin, 73, 190, 194
de entrada, 73
de salida, 73
no lineal, 177, 183, 193, 194
no lineal de entrada, 72
no lineal de salida, 72
280 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

Donadores, 11, 12, 14, 18, 19
Ecuaciones
diferenciales, 219
del sistema realimentado, 205
Efecto
de campo, 141
de campo de puerta aislada, 141,
157
de campo de unin, 141
de campo metal-oxido
semiconductor, 141
de carga, 256
de estriccin del canal, 147
de la corriente de colector, 107
de la difusin, 15
de la no-linealidad, 71
de la realimentacin, 185, 190,
192, 193
de la temperatura, 184
de tunelizacin, 26
del ruido, 177, 183
Early, 89, 109, 126, 164
en la linealidad, 194
sobre la Ganancia, 184
sobre la Linealidad, 190
zener, 26
Efectos
de alta frecuencia, 188
de baja frecuencia, 188
de la saturacin del amplificador,
192
de los parmetros, 125
de temperatura, 88
Electrn, 3, 5, 7-10, 12, 13, 16, 18, 20,
23, 28
de conduccin, 11
de valencia, 5, 7, 11, 12, 23
fijo, 26
libre, 7, 8, 10, 13, 23
mvil, 26
Electrn-hueco, 7, 8, 25, 26
Electrn-voltio, 2-4
Emisor, 58-61, 63, 65, 69, 70, 72, 74,
75, 84-86, 88, 89-97, 100, 107-110,
114-119, 123-126, 221
comn, 61, 62, 64, 65, 73-75, 79-
81, 85, 89, 92, 93, 102, 104, 107,
112, 126
Enlace, 5, 7, 10, 11
covalente, 5, 7, 8, 12
Enlaces, 26
covalentes, 1, 2, 5, 6, 11, 12, 26
Estabilidad, 89
del punto de operacin, 89
Estado, 41, 46, 159
de corte, 90
de corto virtual, 225
de equilibrio, 18
de equilibrio dinmico, 8
del transistor, 91
estacionario del sistema, 177
slido, 57, 141
Estados del transistor, 91
Estriccin, 146, 149, 160, 166, 167
del canal, 147, 153
Estructura
atmica de un aislante, 3
cristalina, 5, 12
de bandas de energa, 3, 4, 11
de un amplificador operacional,
222
de un cristal, 7
de un JFET, 141
de un JFET integrado planar de
canal n, 144, 152
de un MOSFET de acumulacin
canal n, 157
del cristal, 11, 12
fsica, 17, 18, 155, 156, 165, 166
fsica del diodo, 18
general de los circuitos
realimentados, 178
interna del amplificador
operacional, 221
realimentada, 186, 189, 190, 203
tridimensional, 5
unidireccional, 195, 197, 198, 200,
NDICE 281


202, 203, 204
Estructuras
de capacitores, 4
mltiplemente realimentadas, 204
realimentadas, 184
unidireccional, 196
Exceso
de electrones, 60
Extremo
de drenaje del dielctrico, 160
del canal, 142
del drenador, 167
del drenaje, 162, 163
drenaje, 154, 162, 163
drenaje del canal, 154
fuente del canal, 154
Factor
de idealidad, 27
de realimentacin, 180, 185, 189,
207
normalizado de corriente, 109
normalizado de tensin, 109
Filtro
activo de primer orden pasabajo,
244
pasaalto, 247
pasabajo, 242
Filtros
activos, 183
de precisin, 155
Frecuencia, 5, 57, 68, 79, 82, 83, 100,
125, 126, 141, 142, 186-190, 220,
224, 239, 241-244, 247, 248, 249, 251
Frecuencias medias, 73, 100, 101,
188, 189
Fuente, 9, 22-26, 31, 32, 39, 41-47,
49, 64, 68-70, 72-74, 79, 89, 90, 91,
103, 119, 120, 123, 126, 141-145,
150-159, 162, 164, 165, 168, 180,
181, 186, 194-197, 205, 220-224, 232,
233, 236, 238, 239, 240
de cargas mviles, 59
diferencial, 255
Fuentes
controladas, 178
de poder de cd, 220
de tensin constante, 40
independientes, 110
Thvenin, 110
Fuga, 25
de drenaje, 150
superficial, 31
Funcionamiento
activo, 91, 92
de un JFET integrado planar de
canal n, 152
de un MOSFET de deplexin de
canal n, 166
del amplificador, 65
del circuito, 67, 71, 89
del diodo, 32
del diodo real, 28
del diodo semiconductor, 1
del integrador, 241
del JFET, 142, 145, 146
del MOSFET, 155
del MOSFET de acumulacin de
canal n, 158
del transistor, 60
del transistor en la regin activa,
61
dinmico, 72
en la regin de ruptura, 30
lineal, 73
Funciones
de procesamiento de seal, 219
de respuesta en frecuencia, 239
Ganancia
a alta frecuencia, 248
a frecuencias medias, 188, 189
a frecuencias medias del
amplificador bsico, 188, 189
a frecuencias medias del sistema
realimentado, 189
de corriente, 84, 110, 112, 113,
115-117, 119, 120, 124-126
de corriente directa en
cortocircuito, 103
282 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

de corriente en cortocircuito, 103
de corriente en cortocircuito del
transistor, 179
de la estructura realimentada en
funcin de la frecuencia, 189
de lazo, 180-183, 189, 192, 193,
225
de lazo abierto, 193
de lazo cerrado, 180, 181, 183,
194, 226, 229
de potencia, 84
de tensin, 110, 112-116, 118,
119, 124, 125, 177, 178, 198-200,
203, 221, 222, 224, 227, 229, 230,
232, 242, 245, 247
de tensin inversa en circuito
abierto, 103
de un amplificador bsico, 184
de un amplificador inversor, 229
de un integrador, 251
del amplificador bsico, 182, 185,
192
del amplificador operacional, 233
del circuito amplificador no
inversor, 235
del sistema, 181, 183, 185, 192
del sistema realimentado, 180-183,
185, 188, 189
dependiente de la frecuencia, 187
diferencial, 202, 256, 257, 258
en lazo abierto, 221
inversa de tensin, 127
modo comn, 202, 224
realimentada, 181, 184, 185, 191,
202, 227
Ganancias, 110
Grfico
de flujo de seales, 194
del sistema realimentado, 181
Grficos de flujo de seales, 194
Impedancia, 47, 102, 121-124, 183,
194, 204, 205, 207, 227, 229, 232,
236, 242, 243, 247
a frecuencias medias, 101
de Blackman, 178, 204
de carga, 236, 238
de entrada, 48, 102, 109, 110, 120,
122, 123, 125, 127, 155, 178, 196,
232, 236, 256, 257
de entrada de los FET, 142
de entrada en cortocircuito, 103
de entrada con los terminales de
salida en cortocircuito, 103
de salida, 110, 178, 196, 238
dinmica, 48
Z, 101
Impedancias
de entrada, 110, 112, 195
de salida, 195
de Thvenin, 110
Impureza, 10, 11, 12, 18
pentavalente, 11
trivalente, 12, 13
Impurezas, 10, 11, 12, 17, 58, 144,
145, 165
aceptadoras, 13
exteriores, 5
qumicas, 10
Inductancias, 179
Inestables, 248
Integracin, 219, 240, 252
a gran escala, 142
muy grande (VLSI), 155
Inversor, 203, 226-229, 232, 233, 235,
236, 239, 242, 243, 245, 247, 250,
253, 258
Inversora, 220, 229, 232, 239
Inversoras, 221
Ion, 5, 7, 11, 13, 18
Iones, 7, 14, 18, 19, 24, 26, 158
Ioniza, 11
Lazo
abierto, 177, 193, 221, 222, 224
cerrado, 180, 181, 183, 193, 194,
226, 229
de realimentacin, 198, 203, 204
Ley
Cuadrtica, 151
NDICE 283


de corriente de Kirchhoff, 102
de Kirchhoff, 237
de Ohm, 15, 161
de tensiones de Kirchhoff, 102
Leyes de Kirchhoff, 194
Lineal, 32, 36, 40, 42, 48, 62, 63, 73,
74, 88, 100, 101, 155, 167, 181, 183,
194, 219, 225, 226, 248, 249
a trozos, 32, 36, 40, 42, 43, 48,
190, 191, 193
Lineales, 31, 32, 36, 40, 41, 43, 61,
66, 100, 141, 181, 219, 220, 224-226
a trozos, 42
Longitud
de difusin media de los
portadores minoritarios, 25
de onda de la luz visible, 18
del canal, 161, 164
Mxima
amplitud en la corriente de salida,
78
excursin, 76, 77
excursin en la tensin de salida,
77, 84
excursin no simtrica, 75
excursin simtrica, 57, 73-75, 78-
88
excursin simtrica de la corriente
de colector, 77
excursin simtrica de la tensin
de salida, 77, 78
salida simtrica pico a pico, 78
variacin simtrica de la corriente
de colector, 73
Mecanismo
de arrastre, 14
de conduccin de la electricidad, 7
de difusin, 15, 20
termodinmico de difusin, 18
Mecanismos de ruptura del diodo, 26
Medida de la linealidad del
amplificador bsico, 192
Mtodo
de anlisis lineal a trozos, 40
de corte, 195
de desvanecimiento, 195, 197
de diagrama de bloque, 194
de grficos de flujo de seal, 194
de identificacin de la topologa,
194
de polarizacin, 73
grfico, 61, 69
iterativo, 96, 97
para el anlisis sistemtico de los
circuitos realimentados, 178, 194

Modelo
de los parmetros hbridos, 128
de un diodo, 39
del diodo, 31, 36, 39, 40
del diodo ideal, 32
del transistor BJT en la regin
activa, 90
del transistor BJT en la regin de
corte, 90
del transistor BJT en la regin de
saturacin, 90
drenaje a fuente con v
GS
=0, 158
en corriente continua en la regin
activa, 89
en corriente continua en la regin
de corte, 90
en pequea seal, 100
equivalente del diodo, 36
hbrido, 126
hbrido- del transistor BJT, 57,
125, 128
lineal a trozos, 191
Modelos
circuitales equivalentes del
transistor en corriente continua, 89
de gran seal, 42
estticos, 89
para los dispositivos
semiconductores, 17
Modulacin
de longitud del canal, 164
284 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

del ancho de base, 126
del espesor de base en un BJT, 164
Multiplicacin, 219, 252
Nivel
de dopado, 59
de energa, 3, 7, 12, 13
normal de dopado, 11
Niveles
de dopado del sustrato, 159
de energa, 1, 3, 6, 9
discretos de electrones del tomo,
1
discretos de energa, 1
Notacin
de la resistencia dinmica en
pequea seal, 35
en los subndices del parmetro h,
101
la resistencia dinmica en gran
seal, 35
Operacional, 201, 202, 203, 219-229,
231-233, 235, 237-239, 241, 242, 249,
250, 252, 253, 257
Operacionales, 155, 183, 200, 219-
221, 223, 225, 232, 239, 241, 249,
250, 252, 257, 258
Oscilacin, 70
Oscilador
Osciladores senoidales, 183
Parmetro
de conductancia, 161, 162
h
FE
, 97
r
DS(ON)
, 149
, 66, 109
Parmetros
de admitancia, 101
de impedancia, 101
del transistor, 88, 96
h, 101-104, 107-109, 111
h
fe
, 104, 109
h
oe
, 104, 105
h
ie
, 105, 106
h
re
, 106
hbridos, 57, 100-102, 104, 107-
110, 128
X, 196-199
X
pq
, 198
Polarizacin
directa, 22-24, 28-30, 32, 33, 38,
41, 59, 60, 61, 90, 148
de la compuerta, 145
de la entrada inversora, 239
del amplificador, 190
del transistor, 66
inversa, 24, 25, 28, 29, 32, 33, 41,
47, 59, 61, 145, 150, 151, 153, 154

Polo
dominante en alta frecuencia, 187
simple en baja frecuencia, 187
Polos de la funcin de transferencia,
189
Portador, 10, 14, 141
de corriente, 18
de electricidad, 7
mayoritario, 10, 11, 14, 141, 166
minoritario, 11, 14
Portadores, 13-15, 18-20, 22, 23, 25,
26, 29, 59, 60, 141, 149, 158, 159
de carga, 3, 8, 14, 15, 17, 18, 23
de cargas mviles, 8
de corriente, 11
en un semiconductor, 8
intrnsecos, 8
mayoritarios, 11, 13, 18-20, 23, 25,
142, 166, 167
minoritarios, 11, 13, 20, 21, 25, 58,
59, 159
mviles, 3, 18, 153
predominante, 10
Potencia
de cd, 220
en reposo, 156
esttica, 155
Potencial
de barrera, 24
electrosttico, 20-22
NDICE 285


Producto A ,180-182, 185, 192, 193
Procedimiento
Procedimientos
de anlisis del punto Q, 97
grficos, 40
para el anlisis de estructuras
mltiplemente realimentadas, 204
Puente de Wheatstone, 255
Punto
de codo, 41, 42
de corte, 67, 75, 79
de estrangulamiento, 160
de funcionamiento, 32, 33, 38, 46,
109
de operacin, 34, 35, 37-39, 57,
62, 63, 65, 67, 71, 73-75, 81, 88,
89, 93-96, 104, 108-110, 142
de reposo, 35, 75, 83, 89, 101, 102,
105-107
de ruptura, 49, 50
de trabajo, 42, 73
esttico, 35, 65, 70, 80, 81, 83, 96,
108
saturacin, 75
Puntos de potencia mitad, 187
Quiescent point, 35
Razn de la corriente, 110
Realimentacin, 126, 177-207, 226-
228, 230, 231, 243
Recta
de carga, 62, 63, 65-75, 79, 81-83,
85-88
de carga de corriente continua, 66,
75
de carga dinmica, 74-78, 80-85
de carga esttica, 67, 74, 76, 77,
80-85, 88
dinmica, 76, 83
esttica, 76
tangente, 37, 39, 105
Rectificacin, 219
Rectificadores, 32
Red
cristalina, 12, 13
cristalina de un aislante, 3
cristalina de silicio contaminada,
11, 13
de realimentacin, 179-182, 187,
197
de transistores, 102
lineal, 101
Redes lineales de dos puertos, 100
Regin
activa, 61, 62, 67, 88-90, 126
de agotamiento, 18-21, 23, 25, 26,
145, 152-154, 163, 166
de carga espacial, 18, 22, 26
de colector, 59
de corte, 90, 150, 164
de corriente constante, 149, 150,
155
de deplexin, 145-147
de empobrecimiento, 145, 159,
160
de estriccin, 149
de funcionamiento, 91, 161
de la base, 58
de operacin, 88, 163
de operacin lineal, 181
de polarizacin directa, 28
de polarizacin inversa, 28, 29
de resistencia variable de un JFET,
149
de ruptura, 25, 28, 30, 47, 48, 149
de saturacin, 67, 90, 148, 149,
151, 160, 163, 164
de trabajo, 89
del colector, 59
del emisor, 59
lineal, 225
no lineal de operacin, 162
normal de funcionamiento, 168
hmica, 148, 149, 154, 159, 161,
162
resistiva, 155
zener, 27
Resistencia
286 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

ca, 74, 79
cd, 74, 79
controlada por tensin, 142
de carga, 82, 236
de dispersin de la base, 126
de drenaje, 149
de encendido, 149
de entrada, 73, 103, 142, 157, 207,
221, 222, 224, 229, 231, 232, 236,
255, 256, 258
de entrada del transistor, 69, 70
de la fuente, 24
de la masa del cristal, 24
de la unin emisor-base polarizada
en directo, 126
de los conductores del diodo, 24
de salida, 221, 222, 224, 229, 232
del diodo, 26, 33
dinmica, 31, 33, 35, 36, 43, 44,
46, 47
dinmica en pequea seal, 35, 37,
38, 39
dinmica en gran seal, 35, 36
directa, 31
esttica, 33, 34, 35
incremental, 31, 35, 46, 126
incremental del diodo base emisor,
126
inicial del canal, 149
inversa, 31
limitadora de corriente, 24
hmica, 148
hmica de los contactos, 31
promedio, 35
Thvenin, 229, 235
Resistencias
de carga, 180, 181
de fuente, 180, 181
en circuitos integrados, 142
Respuesta
a frecuencias medias, 73, 189
a seales dbiles, 100
a una pequea seal, 73
de frecuencia, 188, 190
de un transistor, 61
del sistema, 193
del sistema realimentado, 192
en el dominio del tiempo, 239
en frecuencia, 142, 239
en frecuencia del derivador, 247,
249
en frecuencia del integrador, 243,
244
en funcin de la frecuencia, 190
transitoria del sistema, 177
Restador, 235, 255
Ruido, 142, 177, 183, 185-187, 219,
224, 239, 248, 251, 255
Ruptura, 25, 26, 28, 30, 47-50, 147-
150, 163, 164, 168
de avalancha, 147
del diodo, 26
en avalancha, 26, 163
zener, 26
Seguidor, 84
de emisor, 61, 79, 84-86, 221
de tensin, 232, 235
Seguidores de tensin, 256
Semiconductor, 4-18, 21-23, 26, 27,
30, 31, 57, 59, 141, 144, 155-159, 161
extrnseco, 10
extrnseco tipo n, 11, 14
extrnseco tipo p, 11, 12, 14
intrnseco, 8, 10, 12, 13
puro, 12
tipo n, 11, 12, 152
tipo p, 13
Semiconductores, 1, 14, 17, 31, 58,
219
extrnsecos, 14
puros, 10
tipo n, 11, 12
Sumador, 179, 180, 187, 232, 250-252
inversor, 232, 233, 245
no inversor, 232-234
restador, 235
Temperatura
absoluta, 28
NDICE 287


ambiente, 7, 12, 38, 109
de operacin, 109
de unin, 109
Tensin
de codo, 28
de conduccin, 32
de encendido, 28, 29
de estrangulamiento, 146-148, 167
de estriccin, 146, 149, 167
de la barrera, 24
de la fuente, 25
de partida, 28
de Pinch Off, 146, 150
de polarizacin directa, 30
de ruptura, 30, 147, 148, 150
de saturacin, 74
de umbral, 159, 161, 164, 167, 169
del diodo, 28, 29
diferencial, 223
Early, 164
en el diodo, 27, 28
inversa, 25, 26, 30, 145
inversa del diodo, 25
trmica, 27
umbral, 28, 32, 33, 43, 147, 148,
167
V
D
, 28, 41
V
t
, 159
V
T
, 27, 159, 161, 167, 169
V
TN
, 159
V
TR
, 159
V

, 28, 147, 148


zener, 26
Transconductancia, 142, 194
Transistor
BC107B, 108
BJT, 57, 58, 60, 89, 90, 101, 110,
125
BJT npn, 91
BJT pnp, 92
bipolar, 57, 156
bipolar de unin, 57
bipolar planar npn, 58, 59
de acumulacin canal n, 158
de efecto de campo, 141
de efecto de campo FET, 141
de efecto de campo metal-oxido-
semiconductor MOSFET, 141
de efecto de campo de puerta
aislada IGFET, 141, 157
de efecto de campo de unin JFET,
141
de unin, 57
de unin bipolar, 57, 59
de unin bipolar BJT, 57
efecto de campo FET, 141
FET, 141
insulated-gate field-effect
transistor, 141
junction field-effect transistor, 141
metal-oxide-semiconductor field-
effect transistor, 141
npn, 58, 60, 61, 111
planar, 58
pnp, 58, 60, 61, 111
pnp de germanio, 71
unipolar, 141
Transistores
bipolares, 141, 155
BJT, 57, 60, 90, 141
de efecto de campo, 141
FET, 141
MOSFET, 155
NMOS, 157
npn, 95
PMOS, 157
pnp, 95
Transresistencia, 194
Unidireccional, 195-204, 228, 231
Unidireccionales, 196
Unidireccionalidad, 195, 197
Unin
base-colector, 89, 90
base-emisor, 89, 90
colector-base CBJ, 61
compuerta a canal, 152
de puerta, 149, 150
288 TEMARIO BSICO DE ELECTRNICA

emisor base, 59
emisor-base, 64, 126
emisor-base EBJ, 61
metalsilicio tipo n, 60
pn, 17-22, 59, 145-147, 152
pn con polarizacin directa, 22, 23
pn con polarizacin inversa, 24, 25
pn polarizada, 22
puerta-canal, 145, 146
Valor
de V
T
, 28
de la corriente de drenaje, 151, 167
de la corriente de saturacin
inversa, 29
de la tensin pinch-off, 150
de la tensin V
T
, 159
del potencial electrosttico, 21
limitador de la velocidad de
desplazamiento, 149
tpico de I
S
, 29
Valores
de los parmetros h, 107-109
de saturacin, 160
nominales de VPI, 30
Variacin
del potencial electrosttico, 20
simtrica de la corriente de
colector, 73
Voltage Peak Inverse, 30
Voltaje pico inverso, 30
Zener, 26, 27, 221
Zona
activa, 91, 94, 95, 110
de corte, 91, 150
de funcionamiento, 67, 164
de la unin, 29
de operacin, 181
de saturacin, 67, 91, 94
lineal, 225, 226
lineal del transistor, 74
lineal del operacional, 225
no lineal, 183
Zonas
de funcionamiento, 142
de operacin, 167
de realimentacin negativa, 182
de realimentacin positiva, 182
zonas de trabajo de los JFET, 148