AMPLIFICADOR OPERACIONAL

Se trata de un dispositivo electrnico (normalmente se presenta como circuito integrado)

que tiene dos entradas y una salida. La salida es la diferencia de las dos entradas
multiplicada por un factor (G) (ganancia):
Vout = G(V

! V
!
)el m"s conocido y com#nmente aplicado es el $%&'( o L)&'(.
*l primer amplificador operacional monol+tico, que data de los a-os (./0, fue el
1airc2ild 3%&04 ((./'), dise-ado por 5o6 7idlar. Le sigui el 1airc2ild 3%&0. ((./8),
tam6i9n de 7idlar, y que constituy un gran 9:ito comercial. )"s tarde ser+a sustituido
por el popular 1airc2ild 3%&'( ((./;), de <avid 1ullagar, y fa6ricado por numerosas
empresas, 6asado en tecnolog+a 6ipolar.
=riginalmente los %.=. se emplea6an para operaciones matem"ticas (suma, resta,
multiplicacin, divisin, integracin, derivacin, etc.) en calculadoras analgicas. <e a2+
su nom6re.
*l %.=. ideal tiene una ganancia infinita, una impedancia de entrada infinita, un anc2o de
6anda tam6i9n infinito, una impedancia de salida nula, un tiempo de respuesta nulo y
ning#n ruido. >omo la impedancia de entrada es infinita tam6i9n se dice que las
corrientes de entrada son cero.
*l s+m6olo de un amplificador es el mostrado en la siguiente figura:
Los terminales son:
V

: entrada no inversora
V
?
: entrada inversora
V
=$@
: salida
V
S
: alimentacin positiva
V
S?
: alimentacin negativa
Los terminales de alimentacin pueden reci6ir diferentes nom6res, por eAemplos en los
%.=. 6asados en 1*@ V
<<
y V
SS
respectivamente. Bara los 6asados en 5C@ son V
>>
y V
**
.
Da6itualmente los pines de alimentacin son omitidos en los diagramas el9ctricos por
claridad.
Comportamiento en corriente continua (DC)
Lazo abierto
Si no existe realimentacin la salida del A. O. ser la resta de sus dos entradas
multiplicada por un factor. Este factor suele ser del orden de 100.000(que se
considerar infinito en clculos con el componente ideal). Por lo tanto si la
diferencia entre las dos tensiones es de 1V la salida deer!a ser 100.000 V.
"eido a la limitacin que supone no poder entre#ar ms tensin de la que $a%
en la alimentacin& el A. O. estar saturado si se da este caso. Esto ser
apro'ec$ado para su uso en comparadores& como se 'er ms adelante. Si la
tensin ms alta es la aplicada a la patilla ( (entrada no in'ersora) la salida ser
VS(& mientras que si la tensin ms alta es la del pin ) (entrada in'ersora) la
salida ser la alimentacin VS).
Lazo cerrado o realimentado
Se conoce como la*o cerrado a la realimentacin en un circuito. Aqu! aparece
una realimentacin ne#ati'a. Para conocer el funcionamiento de esta
confi#uracin se parte de las tensiones en las dos entradas exactamente
i#uales& se supone que la tensin en la pata ( sue %& por tanto& la tensin en la
salida tami+n se ele'a. ,omo existe la realimentacin entre la salida % la pata )&
la tensin en esta pata tami+n se ele'a& por tanto la diferencia entre las dos
entradas se reduce& disminu%+ndose tami+n la salida. Este proceso pronto se
estaili*a& % se tiene que la salida es la necesaria para mantener las dos
entradas& idealmente& con el mismo 'alor.
Siempre que $a% realimentacin ne#ati'a se aplican estas dos aproximaciones
para anali*ar el circuito-
V( . V) (lo que se conoce como principio del cortocircuito virtual).
/( . /) . 0
,uando se realimenta ne#ati'amente un amplificador operacional& al i#ual que
con cualquier circuito amplificador& se me0oran al#unas caracter!sticas del mismo
como una ma%or impedancia en la entrada % una menor impedancia en la salida.
1a ma%or impedancia de entrada da lu#ar a que la corriente de entrada sea mu%
peque2a % se reducen as! los efectos de las perturaciones en la se2al de
entrada. 1a menor impedancia de salida permite que el amplificador se comporte
como una fuente el+ctrica de me0ores caracter!sticas. Adems& la se2al de salida
no depende de las 'ariaciones en la #anancia del amplificador& que suele ser
mu% 'ariale& sino que depende de la #anancia de la red de realimentacin& que
puede ser muc$o ms estale con un menor coste. Asimismo& la frecuencia de
corte superior es ma%or al realimentar& aumentando el anc$o de anda.
Asimismo& cuando se reali*a realimentacin positi'a (conectando la salida a la
entrada no in'ersora a tra'+s de un cuadripolo determinado) se uscan efectos
mu% distintos. El ms aplicado es otener un oscilador para el #enerar se2ales
oscilantes.
Comportamiento en corriente alterna (AC)
En principio la #anancia calculada para continua puede ser aplicada para
alterna& pero a partir de ciertas frecuencias aparecen limitaciones.
TRANSISTOR BJT
RESEA HISTORICA:
El transistor ipolar fue in'entado en "iciemre de 1345 en el 6ell 7elep$one
1aoratories por 8o$n 6ardeen % 9alter 6rattain a0o la direccin de 9illiam
S$oc:le%. 1a 'ersin de 0untura& in'entada por S$oc:le% en 134;& fue durante
tres d+cadas el dispositi'o fa'orito en dise2o de circuitos discretos e inte#rados.
<o% en d!a& el uso de 768 $a declinado en fa'or de la tecnolo#!a ,=OS para el
dise2o de circuitos di#itales inte#rados.
MARCO TERICO:
El 7ransistor es un dispositi'o electrnico semiconductor que cumple funciones
de amplificador& oscilador& conmutador o rectificador. El t+rmino >transistor> es la
contraccin en in#l+s de transfer resistor (>resistencia de transferencia>).
Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los enseres dom+sticos de
uso diario- radios& tele'isores& #raadores& reproductores de audio % '!deo&
$ornos de microondas& la'adoras& autom'iles& equipos de refri#eracin&
alarmas& relo0es de cuar*o& computadoras& calculadoras& impresoras& lmparas
fluorescentes& equipos de ra%os ?& tom#rafos& ec#rafos& reproductores mp@&
celulares& etc.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) % tres partes dopadas
artificialmente (contaminadas con materiales espec!ficos en cantidades
espec!ficos) que forman dos uniones ipolares& el emisor que emite portadores&
el colector que los recie o recolecta % la tercera& que est intercalada entre las
dos primeras& modula el paso de dic$os portadores (ase). A diferencia de las
'l'ulas& el transistor es un dispositi'o controlado por corriente % del que se
otiene corriente amplificada. En el dise2o de circuitos a los transistores se les
considera un elemento acti'o& a diferencia de los resistores& capacitores e
inductores que son elementos pasi'os. Su funcionamiento slo puede explicarse
mediante mecnica cuntica.
"e manera simplificada& la corriente que circula por el >colector> es funcin
amplificada de la que se in%ecta en el >emisor>& pero el transistor slo #radAa la
corriente que circula a tra'+s de s! mismo& si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la >ase> para que circule la car#a por el >colector>& se#An
el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin lo#rado entre corriente
de ase % corriente de colector& se denomina 6eta del transistor. Otros
parmetros a tener en cuenta % que son particulares de cada tipo de transistor
son- 7ensiones de ruptura de ,olector Emisor& de 6ase Emisor& de ,olector
6ase& Potencia =xima& disipacin de calor& frecuencia de traa0o& % 'arias
talas donde se #rafican los distintos parmetros tales como corriente de ase&
tensin ,olector Emisor& tensin 6ase Emisor& corriente de Emisor& etc. 1os tres
tipos de esquemas sicos para utili*acin anal#ica de los transistores son
emisor comAn& colector comAn % ase comAn.
=odelos posteriores al transistor descrito& el transistor ipolar (transistores BE7&
=OSBE7& 8BE7& ,=OS& V=OS& etc.) no utili*an la corriente que se in%ecta en el
terminal de >ase> para modular la corriente de emisor o colector& sino la tensin
presente en el terminal de puerta o re0a de control % #radAa la conductancia del
canal entre los terminales de Buente % "renador. "e este modo& la corriente de
salida en la car#a conectada al "renador (") ser funcin amplificada de la
7ensin presente entre la Puerta (Cate) % Buente (Source). Su funcionamiento
es anlo#o al del triodo& con la sal'edad que en el triodo los equi'alentes a
Puerta& "renador % Buente son De0a& Placa % ,todo.
1os transistores de efecto de campo& son los que $an permitido la inte#racin a
#ran escala que disfrutamos $o% en d!a& para tener una idea aproximada pueden
faricarse 'arios miles de transistores interconectados por cent!metro cuadrado
% en 'arias capas superpuestas.
Transistor bipolar
"el in#l+s >6ipolar 8unction 7ransistor> E687FG dispositi'o electrnico de estado
slido consistente en dos uniones PH mu% cerca entre s!& que permite controlar
el paso una corriente en funcin de otra.
Se puede tener por tanto transistores PHP o HPH. 7ecnol#icamente se
desarrollaron antes que los de efecto de campo o BE7.
1os transistores ipolares se usan #eneralmente en electrnica anal#ica.
7ami+n en al#unas aplicaciones de electrnica di#ital como la tecnolo#!a 771 o
6/,=OS.
1os =OSBE7 tienen en comAn con los BE7 su ausencia de car#as en las placas
metlicas as! como un solo flu0o de campo. Suelen 'enir inte#rados en capas de
arra%s con poli'alencia de @ a 47#. 7raa0an& normalmente& a menor ran#o que
los 6/,=OS % los P/=OS.
In transistor de unin ipolar est formado por dos Iniones PH en un solo
cristal semiconductor& separados por una re#in mu% estrec$a. "e esta forma
quedan formadas tres re#iones-
Emisor& que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada&
comportndose como un metal.
6ase& la intermedia& mu% estrec$a& que separa el emisor del colector.
,olector& de extensin muc$o ma%or.
1a t+cnica de faricacin ms comAn es la deposicin epitaxial.
En su funcionamiento normal& la unin ase)emisor est polari*ada en directa&
mientras que la ase)colector en in'ersa. 1os portadores de car#a emitidos por
el emisor atra'iesan la ase& que por ser mu% an#osta& $a% poca recominacin
de portadores& % la ma%or!a pasa al colector. El transistor posee tres estados de
operacin- estado de corte& estado de saturacin % estado de acti'idad.
Estructura
In transistor ipolar de 0untura consiste en tres re#iones semiconductoras
dopadas-
1a re#in del emisor& la re#in de la ase % la re#in del colector. Estas re#iones
son& respecti'amente& tipo P& tipo H % tipo P en un PHP& % tipo H& tipo P& % tipo H
en un transistor HPH. ,ada re#in del semiconductor est conectada a un
terminal& denominado emisor (E)& ase (6) o colector (,)& se#An corresponda.
Corte transversal simplificado de un transistor bipolar de juntura NPN. Dnde se
puede apreciar cmo la juntura base-colector es mucho ms amplia que la base-
emisor.
1a ase est f!sicamente locali*ada entre el emisor % el colector % est
compuesta de material semiconductor li#eramente dopado % de alta resisti'idad.
El colector rodea la re#in del emisor& $aciendo casi imposile para los
electrones in%ectados en la re#in de la ase escapar de ser colectados& lo que
$ace que el 'alor resultante de a se acerque muc$o $acia la unidad& % por eso&
otor#arle al transistor un #ran J.
El transistor ipolar de 0untura& a diferencia de otros transistores& no es
usualmente un dispositi'o sim+trico. Esto si#nifica que intercamiando el
colector % el emisor $acen que el transistor de0e de funcionar en modo acti'o %
comience a funcionar en modo in'erso. "eido a que la estructura interna del
transistor est usualmente optimi*ada para funcionar en modo acti'o&
intercamiar el colector con el emisor $acen que los 'alores de a % J en modo
in'erso sean muc$o ms peque2os que los que se podr!an otener en modo
acti'oG muc$as 'eces el 'alor de a en modo in'erso es menor a 0.K. 1a falta de
simetr!a es principalmente deido a las tasas de dopa0e entre el emisor % el
colector. El emisor est altamente dopado& mientras que el colector est
li#eramente dopado& permitiendo que pueda ser aplicada una #ran tensin de
re'ersa en la 0untura colector)ase antes de que esta colapse. 1a 0untura
colector)ase est polari*ada en re'ersa durante la operacin normal. 1a ra*n
por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eficiencia de
in%eccin de portadores del emisor- la tasa de portadores in%ectados por el
emisor en relacin con aquellos in%ectados por la ase. Para una #ran #anancia
de corriente& la ma%or!a de los portadores in%ectados en la 0untura ase)emisor
deen pro'enir del emisor.
El a0o desempe2o de los transistores ipolares laterales muc$as 'eces
utili*ados en procesos ,=OS es deido a que son dise2ados sim+tricamente& lo
que si#nifica que no $a% diferencia al#una entre la operacin en modo acti'o %
modo in'erso.
Peque2os camios en la tensin aplicada entre los terminales ase)emisor
#enera que la corriente que circula entre el emisor % el colector camie
si#nificati'amente. Este efecto puede ser utili*ado para amplificar la tensin o
corriente de entrada. 1os 768 pueden ser pensados como fuentes de corriente
controladas por tensin& pero son caracteri*ados ms simplemente como
fuentes de corriente controladas por corriente& o por amplificadores de corriente&
deido a la a0a impedancia de la ase.
1os primeros transistores fueron faricados de #ermanio& pero la ma%or!a de los
768 modernos estn compuestos de silicio. Actualmente& una peque2a parte de
+stos (los transistores ipolares de $etero0untura) estn $ec$os de arseniuro de
#alio& especialmente utili*ados en aplicaciones de alta 'elocidad.
uncionamiento
En una confi#uracin normal& la unin emisor)ase se polari*a en directa % la
unin ase)colector en in'ersa. "eido a la a#itacin t+rmica los portadores de
car#a del emisor pueden atra'esar la arrera de potencial emisor)ase % lle#ar a
la ase. A su 'e*& prcticamente todos los portadores que lle#aron son
impulsados por el campo el+ctrico que existe entre la ase % el colector.
In transistor HPH puede ser considerado como dos diodos con la re#in del
nodo compartida. En una operacin t!pica& la 0untura ase)emisor est
polari*ada en directa % la 0untura ase)colector est polari*ada en in'ersa. En un
transistor HPH& por e0emplo& cuando una tensin positi'a es aplicada en la
0untura ase)emisor& el equilirio entre los portadores #enerados t+rmicamente %
el campo el+ctrico repelente de la re#in a#otada se desalancea& permitiendo a
los electrones excitados t+rmicamente in%ectarse en la re#in de la ase. Estos
electrones >'a#an> a tra'+s de la ase& desde la re#in de alta concentracin
cercana al emisor $asta la re#in de a0a concentracin cercana al colector.
Estos electrones en la ase son llamados portadores minoritarios deido a que
la ase est dopada con material P& los cuales #eneran >$o%os> como
portadores ma%oritarios en la ase.
1a re#in de la ase en un transistor dee ser constructi'amente del#ada& para
que los portadores puedan difundirse a tra'+s de +sta en muc$o menos tiempo
que la 'ida Atil del portador minoritario del semiconductor& para minimi*ar el
porcenta0e de portadores que se recominan antes de alcan*ar la 0untura ase)
colector. El espesor de la ase dee ser menor al anc$o de difusin de los
electrones.
Control de tensi!n" car#a $ corriente
1a corriente colector)emisor puede ser 'ista como controlada por la corriente
ase)emisor (control de corriente)& o por la tensin ase)emisor (control de
'olta0e). Esto es deido a la relacin tensin)corriente de la 0untura ase)emisor&
la cual es la cur'a tensin)corriente exponencial usual de una 0untura PH (es
decir& un diodo).
En el dise2o de circuitos anal#icos& el control de corriente es utili*ado deido a
que es aproximadamente lineal. Esto si#nifica que la corriente de colector es
aproximadamente J 'eces la corriente de la ase. Al#unos circuitos pueden ser
dise2ados asumiendo que la tensin ase)emisor es aproximadamente
constante& % que la corriente de colector es J 'eces la corriente de la ase. Ho
ostante& para dise2ar circuitos utili*ando 768 con precisin % confiailidad& se
requiere el uso de modelos matemticos del transistor como el modelo Eers)
=oll.
El Al%a $ &eta del transistor
1a proporcin de electrones capaces de cru*ar la ase % alcan*ar el colector es
una forma de medir la eficiencia del 768. El alto dopa0e de la re#in del emisor %
el a0o dopa0e de la re#in de la ase pueden causar que muc$os ms
electrones sean in%ectados desde el emisor $acia la ase que $uecos desde la
ase $acia el emisor. 1a #anancia de corriente emisor comAn est representada
por JB o por $fe. Esto es aproximadamente la tasa de corriente cont!nua de
colector a la corriente cont!nua de la ase en la re#in acti'a directa& % es
t!picamente ma%or a 100. Otro parmetro importante es la #anancia de corriente
ase comAn& aB. 1a #anancia de corriente ase comAn es aproximadamente la
#anancia de corriente desde emisor a colector en la re#in acti'a directa. Esta
tasa usualmente tiene un 'alor cercano a la unidadG que oscila entre 0.3; %
0.33;. El Alfa % 6eta estn ms precisamente determinados por las si#uientes
relaciones (para un transistor HPH)-
Tipos de Transistor &ipolar de 'untura
NPN-
El smbolo de un transistor NPN
HPH es uno de los dos tipos de transistores ipolares& en los cuales las letras
>H> % >P> se refieren a los portadores de car#a ma%oritarios dentro de las
diferentes re#iones del transistor. 1a ma%or!a de los transistores ipolares
usados $o% en d!a son HPH& deido a que la mo'ilidad del electrn es ma%or
que la mo'ilidad de los >$uecos> en los semiconductores& permitiendo ma%ores
corrientes % 'elocidades de operacin.
1os transistores HPH consisten en una capa de material semiconductor dopado
P (la >ase>) entre dos capas de material dopado H. Ina peque2a corriente
in#resando a la ase en confi#uracin emisor)comAn es amplificada en la salida
del colector.
1a flec$a en el s!molo del transistor HPH est en la terminal del emisor %
apunta en la direccin en la que la corriente con'encional circula cuando el
dispositi'o est en funcionamiento acti'o.
PNP
El otro tipo de transistor ipolar de 0untura es el PHP con las letras >P> % >H>
refiri+ndose a las car#as ma%oritarias dentro de las diferentes re#iones del
transistor. Pocos transistores usados $o% en d!a son PHP& deido a que el HPH
rinda muc$o me0or desempe2o en la ma%or!a de las circunstancias.
El smbolo de un transistor PNP
1os transistores PHP consisten en una capa de material semiconductor dopado
H entre dos capas de material dopado P. 1os transistores PHP son comAnmente
operados con el colector a masa % el emisor conectado al terminal positi'o de la
fuente de alimentacin a tra'+s de una car#a el+ctrica externa. Ina peque2a
corriente circulando desde la ase permite que una corriente muc$o ma%or
circule desde el emisor $acia el colector.
1a flec$a en el transistor PHP est en el terminal del emisor % apunta en la
direccin en que la corriente con'encional circula cuando el dispositi'o est en
funcionamiento acti'o.
Transistor &ipolar de (etero)untura
El transistor ipolar de $etero0untura (76<) es una me0ora del 768 que puede
mane0ar se2ales de mu% altas frecuencias& de $asta 'arios cientos de C<*. Es
un dispositi'o mu% comAn $o% en d!a en circuitos ultrarpidos& #eneralmente en
sistemas de radiofrecuencia.
1os transistores de $etero0untura tienen diferentes semiconductores para los
elementos del transistor. Isualmente el emisor est compuesto por una anda
de material ms lar#a que la ase. Esto a%uda a reducir la in%eccin de
portadores minoritarios desde la ase cuando la 0untura emisor)ase est
polari*ada en directa % esto aumenta la eficiencia de la in%eccin del emisor. 1a
in%eccin de portadores me0orada en la ase permite que +sta pueda tener un
ma%or ni'el de dopa0e& lo que resulta en una menor resistencia. ,on un
transistor de 0untura ipolar con'encional& tami+n conocido como transistor
ipolar de $omo0untura& la eficiencia de la in%eccin de portadores desde el
emisor $acia la ase est principalmente determinada por el ni'el de dopa0e
entre el emisor % la ase. "eido a que la ase dee estar li#eramente dopada
para permitir una alta eficiencia de in%eccin de portadores& su resistencia es
relati'amente alta.
Re#iones operati*as del transistor
1os transistores ipolares de 0untura tienen diferentes re#iones operati'as&
definidas principalmente por la forma en que son polari*ados-
REGIN ACTIVA:
,uando un transistor no est ni en su re#in de saturacin ni en la re#in de
corte entonces est en una re#in intermedia& la re#in acti'a. En esta re#in la
corriente de colector (/c) depende principalmente de la corriente de ase (/)& de
J (#anancia de corriente& es un dato del faricante) % de las resistencias que se
encuentren conectadas en el colector % emisor. Esta re#in es la ms importante
si lo que se desea es utili*ar el transistor como un amplificador de se2al.
REGIN INVERSA:
Al in'ertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo acti'o& el
transistor ipolar entra en funcionamiento en modo in'erso. En este modo& las
re#iones del colector % emisor intercamian roles. "eido a que la ma%or!a de
los 768 son dise2ados para maximi*ar la #anancia de corriente en modo acti'o&
el parmetro eta en modo in'erso es drsticamente menor al presente en modo
acti'o.
REGIN DE CORTE:
In transistor esta en corte cuando-
Corriente de colector . corriente de emisor . 0&(!c . !e . 0)
En este caso el 'olta0e entre el colector % el emisor del transistor es el 'olta0e de
alimentacin del circuito. Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de ase . 0
(/ .0)
REGIN DE SATURACIN:
In transistor est saturado cuando-
Corriente de colector . corriente de emisor . corriente m"ima&(!c . !e . !
m"ima)
En este caso la ma#nitud de la corriente depende del 'olta0e de alimentacin del
circuito % de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en amos&
'er le% de O$m. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de ase
es lo suficientemente #rande como para inducir una corriente de colector J
'eces ms #rande. (Decordar que /c . J L /)
Teor+a $ modelos matem,ticos
MODELOS PARA SEALES FUERTES
EL MODELO EBERS-MOLL
1as corrientes continuas en el emisor % el colector en operacin normal son
determinadas por-
=odelo Eers)=oll para transistores HPH
=odelo Eers)=oll para transistores PHP
"nde-
/E es la corriente de emisor.
/, es la corriente de colector.
a7 es la #anancia de corriente directa en confi#uracin ase comAn. (de
0.3; a 0.33;)
/ES es la corriente de saturacin in'ersa del diodo ase)emisor (en el
orden de 10)1K a 10)1M amperes)
V7 es el 'olta0e t+rmico :7 N q (aproximadamente MO mV a temperatura
amiente P @00 Q).
V6E es la tensin ase emisor.
9 es el anc$o de la ase.
1a corriente de colector es li#eramente menor a la corriente de emisor& deido a
que el 'alor de a7 es mu% cercano a 1&0. En el transistor ipolar de 0untura una
peque2a 'ariacin de la corriente ase)emisor #enera un #ran camio en la
corriente colector)emisor. 1a relacin entre la corriente colector)emisor con la
ase)emisor es llamada #anancia& J o $BE. In 'alor de J de 100 es t!pico para
peque2os transistores ipolares. En una confi#uracin t!pica& una se2al de
corriente mu% d+il circula a tra'+s de la 0untura ase)emisor para controlar la
corriente entre emisor)colector. J est relacionada con a a tra'+s de las
si#uientes relaciones-
Eficiencia del emisor-
Otras ecuaciones son usadas para descriir las tres corrientes en cualquier
re#in del transistor estn expresadas ms aa0o. Estas ecuaciones estn
asadas en el modelo de transporte de un transistor ipolar de 0untura.
"nde-
i, es la corriente de colector.
i6 es la corriente de ase.
iE es la corriente de emisor.
JB es la #anancia acti'a en emisor comAn (de M0 a K00)
JD es la #anancia in'ersa en emisor comAn (de 0 a M0)
/S es la corriente de saturacin in'ersa (en el orden de 10)1K a 10)1M
amperes)
V7 ies el 'olta0e t+rmico :7 N q (aproximadamente MO mV a temperatura
amiente P @00 Q).
V6E es la tensin ase)emisor.
V6, es la tensin ase)colector.
Modelos para se-ales d.biles
MODELO DE PARMETRO H
#odelo de parmetro h $enerali%ado para un &'( NPN.)eempla%ar " con e* b o
c para las topolo$as EC* 'C + CC respectivamente.
Otro modelo comAnmente usado para anali*ar los circuitos 768 es el modelo de
parmetro $. Este modelo es un circuito equi'alente a un transistor ipolar de
0untura % permite un fcil anlisis del comportamiento del circuito& % puede ser
usado para desarrollar modelos ms exactos. ,omo se muestra& el t+rmino >x>
en el modelo representa el terminal del 768 dependiendo de la topolo#!a usada.
Para el modo emisor)comAn los 'arios s!molos de la ima#en toman los 'alores
espec!ficos de-
x . ReR deido a que es una confi#uracin emisor comAn.
7erminal 1 . 6ase
7erminal M . ,olector
7erminal @ . Emisor
iin . ,orriente de 6ase (i)
io . ,orriente de ,olector (ic)
Vin . 7ensin 6ase)Emisor (V6E)
Vo . 7ensin ,olector)Emisor (V,E)
S los parmetros $ estn dados por-
/i0 1 /ie 23 1a resistencia de entrada del transistor (correspondiente a la
resistencia del emisor re).
/r0 1 /re 23 Depresenta la dependencia de la cur'a /6TV6E del transistor
en el 'alor de V,E. Es usualmente un 'alor mu% peque2o % es
#eneralmente despreciado (se considera cero).
/%0 1 /%e 23 1a #anancia de corriente del transistor. Este parmetro es
#eneralmente referido como $BE o como la #anancia de corriente
cont!nua (J",) in en las $o0as de datos.
/o0 1 /oe 23 1a impedancia de salida del transistor. Este t+rmino es
usualmente especificado como una admitancia& deiendo ser in'ertido
para con'ertirlo a impedancia.
,omo se 'e& los parmetros $ tienen su!ndices en minAscula % por ende
representan que las condiciones de anlisis del circuito son con corrientes
alternas. Para condiciones de corriente continua estos su!ndices son
expresados en ma%Asculas. Para la topolo#!a emisor comAn& un aproximado del
modelo de parmetro $ es comAnmente utili*ado %a que simplifica el anlisis del
circuito. Por esto los parmetros $oe % $re son i#norados (son tomados como
infinito % cero& respecti'amente). 7ami+n dee notarse que el modelo de
parmetro $ es slo aplicale al anlisis de se2ales d+iles de a0as
frecuencias. Para anlisis de se2ales de altas frecuencias este modelo no es
utili*ado deido a que i#nora las capacitancias entre electrodos que entran en
0ue#o a altas frecuencias.
DATO4 O&TE5IDO4 DE LO4 MA56ALE4 DE LO4 TRA54I4TORE4
&I7OLARE4
BIPOLAR TRANSISTORS
Numb
er
Ca
e
P!"#M
a$
V%
e
V%
b
IC
V%e

a$ IC
M&
'
H(
e
Ma
)
H(
e
a$
IC
FT
a$
IC
P$!$
Su**e$
e+ Ue
A,105 C7@ HC 1K 1K 10 ) ) @0
1O
0
@ M @ ;0
1oU
Hoise
Audio
A,1MK
7O)
1
PC 1M @M 100 ) )
10
0
10
0
M 1.@ 10 M1O
Audio
"ri'er
AC89
:
TO3
8
7; 89 <9 8== 3 3
8>
=
8>
=
9 82? 8= 98:
Audio
Dri*er
A,1M5
7O)
1
HC 1M @M K00 ) )
10
K
10
K
@00 1 10 @40
Audio
ONP
AC89
@
TO3
8
7; 8: <9 8=== =2: 8=== :=
8?
A
<== 8 8= 9:=
Audio
OB7
A,1@M
7O)
1
PC 1M @M M00 0.@K M00
11
K
11
K
K0 1.@ 10 M1O
Audio
ONP
A,1;5
7O)
1
HC 1K MK M000 0.; 1000
10
0
K0
0
@00 1 10 ;00
Audio
ONP
A,1;;
7O)
1
PC 1K MK M000 0.O 1000
10
0
K0
0
@00 1 10 MM0
Audio
ONP
A"143
7O)
@
PC @0 K0 @K00 0.5 @000 @0
10
0
100
0
0.@ M00
@M00
0
CP ONP
A"1O1 P71 HC M0 @M @000 0.O 1000 ;0
@M
0
K00
0.0
M
@00 4000
Audio
amp
A"1OM P71 PC M0 @M @000 0.4 1000 ;0
@M
0
K00
0.0
M
@00 O000
Audio
amp
AB114
7O)
5
PC 1K @M 10 0 0
1K
0
1K
0
1 5K 1 5K <.B. amp
AB11K 7O) PC 1K @M 10 0 0 1K 1K 1 5K 1 5K <.B. amp
5 0 0
AB11O
7O)
5
PC 1K @M 10 0 0
1K
0
1K
0
1 5K 1 5K <.B. amp
AB115
7O)
5
PC 1K @M 10 0 0
1K
0
1K
0
1 5K 1 5K <.B. amp
AB11;
7O)
5
PC M0 50 @0 K @0 @K @K
100
0
15
K
10 @5K
V.<.B.
amp
ASV1K
7O)
@
PC O0
10
0
1000
0
0.4
1000
0
M0 KK
100
0
0.M
100
0
@000
0
<.,. sU
Terms
Humer .... 7$e t%pe numer of t$e de'ice
,ase .... ,ase st%le (su cate#ories are not included)
Pol .... Polarit% ) H.HPH P.PHP
=at .... =aterial ) C.Cermanuim S.Silicon
Vce .... 6rea:doUn 'olta#eG ,ollector to Emitter
Vc .... 6rea:doUn 'olta#eG ,ollector to 6ase
/, .... ,ollector current (in milliamps)
Vces .... Saturation 'olta#e (U$en transistor is full% on Uit$ specified current /,)
(V)
<fe .... ,urrent #ain (minimum and maximum are s$oUn at specified current /,)
B7 .... Brequenc% 7ransition ) t$e frequenc% U$ere #ain falls to unit% =<*)
Ptot .... 7otal poUer dissipation in milliUatts (at MK de#rees ,)
Ise .... 7$e intended purpose ) t$is is not a specification ut a su##estion
<.B.....<i#$ Brequenc%
<.,....<i#$ ,urrent
C.P.....Ceneral Purpose
SU....SUitc$
ONP.....Output
V.<.B.....Ver% <i#$ Brequenc%


PROBLEMAS AMPLIFICADORES OPERACIONALES
7ara el circuito mostrado a continuaci!n" determinar la corriente de car#a
IL en %unci!n de CI
DK.1Q
/
D1.MQ
D@.MQ
/a
) DM.
MQ
/d
) D4.
1Q
V
/ ( /c
(
/e
/1 D
1
Al resol'er e0ercicios que in'olucren amplificadores operacionales ideales es
necesario recordar % aplicar las si#uientes propiedades-
W 1a diferencia de potencial entre el terminal positi'o % ne#ati'o del
amplificador es 0V. en consecuencia-
Va . Vi
Vb . 0
1as corrientes de entrada tanto al terminal positi'o como al ne#ati'o del
amplificador son 0A. En consecuencia-
/b . /a (1.1)
/c . /d (1.M)
1a metodolo#!a para resol'er este tipo de
prolema paso a paso es- 1. "efinir que es lo
que pide el prolema-
/l .
V0
(1.@)
Dl
M. "efinir cada corriente en funcin de los 'olta0es en los extremos de la
resistencia por la cual circula-
/a . Vi X V01
D1
@
Prolemas resueltos de
OP)A=P
/b .
V
0
X

V
i
DK
/c .
V01
DM
/d . X
V0M
D@
/e . V0M X V0
D4
@. /#ualar aquellas corrientes que por las ecuaciones (1) % (M) son las mismas&
sustituir los 'alores de las resistencias conocidas % despe0ar los 'olta0es
desconocidos en funcin de la entrada-
Vi X V01 . V0 X Vi
MQ 1Q
V01 . XV0M
MQ MQ
"espe0ando estas ecuaciones se otiene-
Vo1 . @Vi X MVo
VoM . XVo1
4. <acer una ecuacin de nodos en la salida del circuito-
V0M X
V0
.
V0
(
V0 X
Vi
D4 Dl DK
Sustitu%endo las expresiones (4) % (K) en (O) se tiene-
1:
MVo X @Vi X Vo . DL
V
o
(

V
o
X

V
i
K. Se otiene finalmente la expresin para el 'olta0e de salida V0-
XMVi .
1
:
Vo Vo . X
MD
L
Vi DL 1:
O. Se $alla /l por la ecuacin (@)-
M
/l . X1: Vi
Otra manera de solucionar este prolema de forma ms rpida& es
recordando las expresiones para la salida de las distintas confi#uraciones
de operacionales % aplicando el principio de superposicin.
Veamos como se aplica esto en un e0emplo ms sencillo-
DM
D1
VM )
V
1
Vo
(
Primero& 'emos cual es el 'alor de V
0
cuando se coloca V
1
a tierra. En este
caso se otiene un amplificador in'ersor de #anancia X
RM
V
M
.R
1
1ue#o& reali*amos el mismo proceso pero colocando V
M
a tierra. En este caso
se otiene un amplificador
no in'ersor de #anancia (1 (
R
M
R M
entonces V
0
es simplemente la superposicin de los resultados
otenidos. V
0
. X
R1
V
M
( (1 (
R1
V
i).
Este concepto puede usarse perfectamente en el e0ercicio propuesto para as!
otener directamente la expresin (O). Si nos fi0amos ien& en este caso lo que
se quiere $allar es el 'olta0e V
01
% las entradas ser!an V
i
% V
0
oteniendo
directamente-
V
o1
. @V
i
X MV
o
>alcular la ganancia de tensin, la resistencia de entrada y la resistencia de salida del
amplificador realimentado de la figura (.(.
Vcc
+15V
Rc
R 4k7
Co
39k
10uF
Rs
10k
Q
RL
10k
2N4124
+
vo
vs
-
Ei Eo
1igura (.(. %mplificador realimentado
4oluci!n
Se resolver" el pro6lema utiliFando el )9todo Sistem"tico de %n"lisis de %mplificado?
res Gealimentados (ver material de teor+a de la c"tedra).
La fuente de se-al es la tensin vs y la carga del circuito la constituye RL, pero para el
an"lisis por el m9todo de realimentacin se de6en agrupar dentro de la carga todas
las impedancias que est9n circuitalmente en paralelo con la carga. *n este caso ser+a
la resistencia Rc.
*l pro6lema pide calcular la ganancia de tensin, por lo tanto las varia6les de inter9s
son vs y la tensin vo so6re la resistencia de carga RL.
RM
V
i). R
1
La impedancia de entrada se de6e calcular entre la 6ase de H y masa, y la impedan?
cia de salida entre el colector de H y masa.
Identificar la configuracin de realimentacin:
0 Se o6serva que al cortocircuitar la carga (Rc//RL) desaparece la realimentacin,
por lo tanto la varia6le muestreada es la tensin.
( La se-al realimentada entra al amplificador en el mismo punto que la se-al de
entrada, es decir en paralelo, entonces se realimenta corriente.
*s una configuracin paralelo?paralelo y corresponde calcular az y ,y
*n este caso se de6e reemplaFar la fuente vs por su modelo de Jorton, ya que la con?
figuracin a la entrada es en paralelo.
/. La red de realimentacin est" conformada por la resistencia R.
&. Geordenar el circuito de modo que quede de manifiesto la intercone:in de los dos
cuadripolos seg#n la configuracin 2allada en el punto '. *l resultado se muestra en
el circuito de la figura (.4.
Q1
i
Rc RL vo
Rs
(vs/Rs)
R
1igura (.4. >ircuito en se-al
.. <eterminar las impedancias con que la red de realimentacin carga al amplificador
(ver figura (.K):
% la entrada: como la salida es en paralelo, se de6e cortocircuitar el lado de la
salida de la red de realimentacin. Luego o6tener la impedancia vista desde la
entrada, (ver figura(.Ka).
% la salida: como la entrada es en paralelo, se de6e cortocircuitar el lado de la
entrada de la red de realimentacin. Luego o6tener la impedancia vista desde la
salida (ver figura(.K6).
Gecordar que en todos los casos se est" anulando la varia6le com#n a am6os
cuadripolos del lado contrario a aqu9l del cual se o6tendr" la impedancia.
R R
Ei6 = G Eo6 = G
(a) (6)
1igura (.K. Impedancias de la red de realimentacin.
(a) >arga a la entrada. (6) >arga a la salida.
(0. Gestituir impedancias: a tal efecto redi6uAar el amplificador 6"sico con el agregado
de las impedancias anteriores y las de la fuente de se-al y la carga seg#n corres?
ponda. @anto a la entrada como a la salida, si la cone:in es en serie, las impedan?
cias se agregan en serie, y si es en paralelo, se agregan en paralelo. *n el caso anali?
Fado las mismas se agregan en paralelo en am6os e:tremos (ver figura (.'.)
Q1
vo R Rc RL
i Rs R
F( F4
1igura (.'. %mplificador 6"sico con impedancias restituidas
((. >alcular la ganancia az, la impedancia de entrada z1 y la impedancia de salida z2 en
la versin del amplificador 6"sico con las impedancias restituidas.
<e la 1igura (.'
az =
v
o
= X icR L L
=
X h fe ib R L L
= X h fe R L LR sL ((?()
i i i RsL+hie
z( = RsLMM hie = (,/kY
z4 = RLL= 4,./kY
donde
RLL= RL MM Rc MM R = 4,./kY
RsL= Rs MM R = &,./kY
reemplaFando en la ecuacin ((?() se o6tiene
az = X4;K,.kY >on, hie = 4kY N Ic Z 4mA
Bara los c"lculos se despreciaron los par"metros hoe y hre del transistor, ya que
hoe
X(
= //,&kY >> RLL
hre = (0
X'
*ste #ltimo se desprecia ya que la realimentacin a trav9s de R es muc2o mayor que
la que se produce a trav9s de hre.
6
12. >alcular la realimentacin , como cociente entre la varia6le de entrada y la varia6le
de salida. Bara ello e:citar la red de realimentacin, desde la salida, con una fuente
de corriente si la salida es en serie, o con una fuente de tensin si es en paraleloO y
calcular, a la entrada, la tensin en vac+o si la entrada es en serie, o la corriente en
cortocircuito si la entrada es en paralelo.
*stas reglas aseguran que se est9 calculando el par"metro de transferencia inversa
correspondiente a la configuracin que se est" analiFando.
*n nuestro caso se de6e e:citar a la salida de la red de realimentacin con una
fuente de tensin, y calcular a la entrada la corriente en cortocircuito, o6teni9ndose:
Jy = X
(
= X
(
((?4)
R K.kY
Bara este punto tomar siempre la polaridad de la fuente a la salida coincidente con la
polaridad de la se-al muestreada (vo), y la polaridad a la entrada de forma tal que se
reste al efecto de la fuente de se-al vs.
(K. GealiFar los c"lculos correspondientes al amplificador realimentado:
Az =
az
= XK',4kY ,
( +
azJy
Z( =
z(
=
(,/kY
= (.K,48Y
( +
azJy ;,4;
Z 4 =
z4
=
4,./kY
= K8&,8Y
( +
azJy ;,4;
('. >onvertir a los par"metros de inter9s. <e las figuras (.4
y (.' se o6tienen:
Av =
vo
=
vo
=
Az
=
X K',4 k Y
= XK,'4
iRs (0[Y vs Rs
Z( = Rs MM Zi
Z 4 = RL MM Zo
por lo tanto,
Zi =
Z(Rs
= (.&Y
Rs X Z(
Zo =
Z 4RL
= K&0,;Y
RL X Z 4