BIESTABILIDAD EN DISPOSITIVOS

DE COMUNICACIONES PTICAS
A. Hurtado Villavieja, A. Gonzlez Marcos, J. A. Martn Pereda
Departamento de Tecnologa Fotnica
Universidad Politcnica de Madrid
e-mail : hurtado@tfo.upm.es

Abstract- Optical Bistability has been a well developed
research area due to the very huge applications of the
devices having this particular bistable behaviour.
These devices have been successfully used in the field
of optical signal processing, optical switching in
telecommunications, optical computing and other
fields of technology. Optical bistability is produced by
two simultaneous factors, non-linearity and feedback,
both can be obtained in optics placing a nonlinear
material within a Fabry-Perot cavity. In this paper is
presented a simulated study of two photonic bistable
structures, based respectively in Saturable Absorbers
Fabry-Perot cavities and Fabry-Perot lasers. Both
schemes will be operated at the wavelength of 1550nm,
characteristic of the actual optical communications
systems. The configurations of the structures object of
study will be described as well as the influence of
critical parameters in the bistable behaviour of the
devices. Finally, some applications of these optical
bistable structures, in the field of optical digital signal
processing, will be demonstrated.

I. INTRODUCCIN
Desde su primera observacin experimental, all por
el ao 1976[1], la biestabilidad ptica ha sido objeto de
amplio estudio, por sus potenciales y amplias aplicaciones
que con su descubrimiento se abran en el campo del
procesamiento totalmente ptico de seales digitales. La
biestabilidad ptica surge cuando se combinan de modo
conjunto dos fenmenos: realimentacin y no linealidad.
De este modo, cuando se introduce una no linealidad
ptica dentro de una cavidad resonante, se puede producir
una conmutacin rpida y abrupta entre dos estados
diferenciados de salida, que junto con la aparicin de un
ciclo de histresis asociado, caracterizan el
comportamiento biestable ptico.
La primera prediccin terica del fenmeno de la
biestabilidad ptica se defini en medios de absorcin
saturable, sin embargo su primera demostracin
experimental se debi a otro fenmeno no lineal, como es
la no linealidad del ndice de refraccin en funcin de la
intensidad ptica[1]. Desde esa primera observacin
experimental hasta el da de hoy, muchos y diversos, han
sido los medios en los cuales ha sido posible la
observacin de este comportamiento, etalones de Fabry-




Perot rellenos de materiales pticos no lineales[2],
dispositivos electropticos[3], lseres de semiconductor
[4], etc.
Particularmente interesantes son los dispositivos
pticos biestables basados en lseres de semiconductor,
tanto Fabry-Perot, como de realimentacin distribuida
(DFBs) o de cavidad vertical (VCSELs), por los bajos
niveles de potencia ptica incidente que requieren para la
observacin del comportamiento biestable, por la
presencia de ganancia y por las altas velocidades de
procesamiento de seales que alcanzan y que prometen
alcanzar[4].
A lo largo de este trabajo se estudia el
comportamiento biestable ptico de dos estructuras
diferentes, en un lser de semiconductor del tipo Fabry-
Perot que emite en el rango de longitudes de onda de
1550nm y en un absorbedor saturable. En ambos casos la
biestabilidad ptica se estudiar a la longitud de onda de
1550nm, por ser sta la ms desarrollada en los sistemas
de comunicaciones pticas actuales. Estos estudios se
realizan con el nimo de profundizar en el estudio de
estructuras fotnicas biestables para la modelizacin de
los componentes fundamentales de la Clula Lgica
pticamente Programable (CLOP) diseada por los
autores y descrita en trabajos anteriores[5] y que presenta
una gran gama de aplicaciones tanto en el campo de la
computacin como en el campo de las comunicaciones
pticas[6].

II. DESCRIPCIN DE LOS EXPERIMENTOS

Para llevar a cabo los experimentos que se describen
en el presente trabajo se ha hecho uso de la herramienta
software VPIComponentMaker_ActivePhotonics.

A. Lser Fabry-Perot a 1550nm

Como ya se ha comentado en la introduccin de este
trabajo varias son las ventajas inherentes al uso de lseres
de semiconductor como dispositivos biestables pticos.
Las ms importantes de todas ellas son el bajo nivel de
potencia ptica que necesitan para mostrar un
comportamiento biestable y la presencia de ganancia
ptica. La potencia ptica necesaria se reduce hasta
niveles inferiores a la decena de microwatios. En nuestro
trabajo nos centraremos en el estudio del comportamiento
biestable de un lser de Fabry-Perot configurado para
emitir a 1550nm.
VOLVER
Segn el modelo propuesto por Adams[7] para el
estudio del fenmeno de la biestabilidad dispersiva en
lseres de semiconductor, se asume que la intensidad
ptica es uniforme a lo largo de toda la cavidad y que la
emisin espontnea es despreciable en comparacin con
la intensidad ptica incidente. A partir del desarrollo de
este modelo, se obtiene que la relacin entre la intensidad
ptica transmitida y la de entrada es:

I
trans
/I
in
= [(1-R)
2
e
gL
]

/ [(1-Re
gL
)
2
+ 4Re
gL
sen
2
] (1)

donde R corresponde a la reflectividad de las caras del
lser (considerando reflectividades iguales en ambas
caras), L es la longitud de la cavidad, g es la ganancia por
unidad de longitud y indica el cambio de fase que
experimenta la seal en una travesa a lo largo de la
cavidad. En estado estacionario g y vienen expresadas
por:

gL = [(g
0
L) / (1+I
av
/I
s
)] -L (2)

=
0
+ (0.5g
0
Lb)[ (I
av
/I
s
) / ( 1+ I
av
/I
s
) ] (3)

donde
0
es el desfasaje inicial, b es el factor de
ensanchamiento de lnea del material, I
av
es la intensidad
ptica promediada a lo largo de la cavidad, I
s
es la
intensidad de saturacin y g
0
es la ganancia no saturada
del material por unidad de longitud. Por ltimo la
intensidad promediada que atraviesa la cavidad est
relacionada con la intensidad ptica transmitida por:

I
av
= I
trans
[(1+Re
gL
)
2
(1-e
gL
)] / [(1-R)gL] (4)

De las ecuaciones (1), (2) y (3) se deduce que la
intensidad ptica transmitida por el lser depende de la
ganancia ptica por unidad de longitud y del cambio de
fase que experimenta la seal al atravesar la cavidad,
magnitudes que dependen a su vez de la intensidad que
atraviesa la cavidad, que asimismo est relacionada por
(4) con la intensidad ptica transmitida. La intensidad
ptica transmitida es funcin de s misma, lo que da lugar
a la existencia de un comportamiento biestable en su
funcin de transferencia. Por lo tanto, debido a la
combinacin de los efectos de la saturacin de la
ganancia y de la variacin en el ndice de refraccin como
consecuencia de la inyeccin de potencia ptica aparecer
el fenmeno de la biestabilidad ptica.
La variacin del ndice de refraccin en el material en
funcin de la intensidad ptica viene descrita en (3) por el
parmetro b, factor de ensanchamiento de lnea del
material, cuyo valor viene expresado por:

b = (-4/) [(dn/dN) / (dg/dN)] (5)

donde es la longitud de onda, n es el ndice de
refraccin, N corresponde al nmero de portadores y
dg/dN es la ganancia diferencial. La magnitud dn/dN
representa la variacin del ndice de refraccin en funcin
del nmero de portadores que a su vez depender de la
potencia ptica inyectada al lser. De (5) se desprende la
dependencia del parmetro b con la variacin del ndice
de refraccin en funcin de la intensidad ptica inyectada
que afectar en (3) a la variacin de la fase que
experimentar la seal que atravesar la cavidad del lser
y que le conferir el comportamiento biestable objeto de
estudio.
Para el desarrollo del experimento se ha modelado el
esquema de la figura 1. En ella se observa que el lser es
usado como amplificador, esto es, presenta una entrada
ptica por la cual se har incidir una seal ptica
previamente generada. El lser estudiado es del tipo
Fabry-Perot y con estructura de Mltiples Pozos
Cunticos (MQW), y los parmetros configurados para la
modelizacin del mismo, aparecen listados en la tabla 1.
Adems del lser, el esquema experimental consta de una
etapa generadora de seal, en la cual un modulador de
Mach-Zender modula externamente a un lser
sintonizable con una seal sinusoidal elctrica. Con todo
ello se obtiene una seal ptica sinusoidal, que ser la que
incida al lser y que se utilizar para la evaluacin de su
comportamiento biestable. Por ltimo existe un bloque
destinado a la representacin de resultados en un
diagrama XY.









Figura 1. Esquema de simulacin

Parmetros utilizados
en el modelo
Valor
Longitud de la cavidad m 370
ndice Efectivo de Grupo 3.7
Reflectividades de las caras 0.32
Eficiencia de acoplamiento ptico 1
Prdidas internas fijadas 1/m 3000
ndiceRefrDiferencial_MQW m
3
-1.11x10
-26
ndiceRefrDiferencial_SCH m
3
-1.50x10
-26

Coef.RecombinacinLineal 1/s 10
8

Coef.RecombinacinMolecular m
3
/s 10
-16

Coef.RecombinacinAuger m
6
/s 1.3x10
-41

Coef.GananciaLinealMaterial m
2
3x10
-20

Factor Ensanchamiento de Lnea 3
Factor de confinamiento SCH 0.56
Factor de Confinamiento MQW 0.07
Tabla 1. Parmetros utilizados para la modelizacin del lser de Fabry-
Perot.

Antes de comenzar a evaluar el comportamiento
biestable del lser, ste es caracterizado. Tras este proceso
se observa que la corriente umbral del mismo es de
20.5mA, que emite en el rango de 1550nm con una
separacin entre modos aproximadamente igual a 0.9nm
y que presenta un pico de emisin, a la longitud de onda
de 1551,06nm (193.284Thz). Una vez obtenidos estos
valores se procede a comenzar el experimento. Para ello se
polariza el lser por debajo de su corriente umbral, pero
con un valor lo suficientemente prximo al antedicho.
Polarizamos al lser con una corriente igual a 0.98Ith
(20.09mA). Acto seguido se hace incidir la seal
0
50
100
150
200
250
-2,5 -5 -7,5 -10 -12,5 -15 -20 -25
(Ghz)
(
M
i
c
r
o
W
)
Ipol=1.02Ith Ipol=0.98Ith
generada, la cual presenta una desintonizacin de
frecuencia hacia las longitudes de onda mayores con
respecto al modo de emisin del lser, necesaria para la
observacin del comportamiento biestable[8]. La
desintonizacin inicial configurada es de 20Ghz, de modo
que la frecuencia del lser sintonizable ser igual a
193.264Thz. La incidencia de potencia ptica externa
modifica tanto las caractersticas de emisin espectral del
lser, como el cambio de fase que experimenta la seal
que lo atraviesa. Todo ello como consecuencia del
comportamiento no lineal del ndice de refraccin en
funcin de la potencia ptica incidente, tal y como viene
expresado en (3) y (5). El resultado final se traduce en que
a medida que aumenta la potencia ptica, los picos o
modos de emisin, sufren un desplazamiento en
frecuencia hacia longitudes de onda mayores (frecuencias
menores). Para un determinado valor de potencia
incidente, se producir el acoplo de las frecuencias de
emisin del lser y la propia de la seal ptica sinusoidal
incidente, experimentndose para dicho valor, un
incremento abrupto en la potencia de salida del lser. Este
incremento brusco, es el que configura la conmutacin
entre los dos estados alto y bajo de salida, caracterstica de
los dispositivos biestables pticos. Posteriormente se
repite el experimento para una corriente de polarizacin
por encima del valor umbral e igual a 20.91mA (1.02Ith).
Las figuras 2(a) y 2(b), representan las relaciones entre las
potencias de entrada y las potencias de salida al lser, para
una desintonizacin de 20Ghz. En ambos casos, se
observa claramente la conmutacin entre estados bajo y
alto de salida, as como la existencia del ciclo de histresis
asociado al comportamiento biestable. En dicho rango de
valores pertenecientes al ciclo de histresis, el nivel de la
potencia de salida del lser depende de la historia del
mismo, esto es, de los valores anteriores, lo que permite
la aplicacin de este tipo de dispositivos como memorias
rpidas o de corto plazo. Por ltimo, la desintonizacin de
frecuencia entre la seal ptica incidente y la propia de
emisin del lser, es un parmetro relevante en la
actuacin del mismo como dispositivo biestable. Esta
influencia de la desintonizacin de frecuencias queda
reflejada en la figura 3, donde se presentan los valores de
potencia ptica incidente necesarios para alcanzar la
conmutacin biestable para distintos valores de
desintonizacin, tanto para polarizacin por debajo como
por encima de umbral.

(a)


(b)

Figura 2. Funcin de transferencia del lser para corrientes de
polarizacin (a) 0.98Ith y (b) 1.02Ith. y desintonizacin de 20Ghz.
(Potencia en microW).










Figura 3. Potencia necesaria para la conmutacin biestable en funcin de
la desintonizacin de frecuencia.

B. Absorbedor Saturable

Un absorbedor saturable es un dispositivo que
proporciona atenuacin a la intensidad de luz que lo
atraviesa, con la particularidad de que el coeficiente de
atenuacin del dispositivo experimenta una saturacin
para un determinado valor de intensidad ptica. De este
modo, la atenuacin que proporciona el dispositivo, como
consecuencia de la absorcin, es mayor para valores
pequeos de potencia y disminuye cuando los valores de
potencia que atraviesan el dispositivo son suficientemente
elevados. Para la realizacin de este estudio se modela un
absorbedor saturable cuyos parmetros aparecen en la
tabla 2 (una vez modelada la cavidad resonante). La figura
4 muestra la funcin de transferencia del dispositivo ante
la incidencia de potencia externa, para el caso de
reflectividades en las caras iguales a cero, y cmo la
atenuacin disminuye segn aumenta la potencia de
entrada al dispositivo. De la figura 4 se desprende el
comportamiento altamente no lineal del dispositivo, de
modo que si se consigue cierta realimentacin se podr
conseguir una funcin de transmitancia que haga que la
potencia ptica de salida dependa de s misma, dando
lugar al comportamiento biestable[2]. Para ello,
modelamos una cavidad resonante de Fabry-Perot
igualando los valores de las reflectividades de las caras del
absorbedor saturable a 0.7. Una vez hecho esto, mediante
la inyeccin de potencia ptica externa se calcula la
funcin de transferencia de la estructura modelada. Se
consigue en efecto el comportamiento biestable del
dispositivo, tal y como se aprecia en la figura 5.


Parmetros utilizados
en el modelo
Valor
Longitud de la cavidad m 50
ndice Efectivo de Grupo 3.7
Reflectividades de las caras 0.7
Prdidas internas fijadas 1/m 3000
ndiceRefrDiferencial_MQW m
3
-1.11x10
-26
ndiceRefrDiferencial_SCH m
3
-1.50x10
-26

Coef.RecombinacinLineal 1/s 10
10

Coef.GananciaLinealMaterial m
2
9x10
-19

Factor Ensanchamiento de Lnea 3
Factor de confinamiento SCH 0.56
Factor de Confinamiento MQW 0.07
Tabla 2. Parmetros utilizados para la modelizacin del resonador con
absorbedor saturable.


Figura 4. Funcin de transferencia del absorbedor.


Figura 5. Funcin de transferencia de la cavidad resonante absorbedora.

Por ltimo, a modo de ejemplo de una posible
aplicacin de estos dispositivos biestables, se hace incidir
al absorbedor saturable una seal de datos que aparece en
la figura 6(a), resultante de la suma de dos seales de bits
individuales. Ambas seales individuales son idnticas en
potencia, frecuencia y tasa de bit, con unos valores
respectivos de 8mW, 193.1THz y 1Gbps. La seal est
configurada de tal modo que nicamente para el caso de
que ambas seales individuales sean 1 al unsono, la
seal suma resultante tendr un valor de potencia superior
al de conmutacin del dispositivo biestable creado (ver
figura 5), y ser inferior a dicho valor para cualesquiera
combinaciones restantes. El resultado de hacer incidir
dicha seal de entrada al absorbedor saturable se muestra
en la figura 6(b), donde se aprecia que el dispositivo
nicamente conmuta a estado alto para el caso en que
ambas seales de entrada fueran 1, y se mantiene en el
nivel bajo para los restantes casos. Con esto se consigue
que el dispositivo biestable modelado realice la funcin
lgica AND operando directamente con seales pticas de
alta velocidad a frecuencias de comunicaciones pticas.




Figura 6. (a) Seal de entrada de datos (b) Respuesta del dispositivo.
Funcin AND.

III. CONCLUSIONES

La biestabilidad ptica es un fenmeno que presenta
gran cantidad de aplicaciones en el procesamiento de
seales digitales pticas de alta tasa de bit, sin necesidad
de procesos de conversin ptico-electrnico-ptico. En el
caso de los lseres de semiconductor, se reducen
notablemente los requerimientos de potencia ptica
necesarios para alcanzar la biestabilidad ptica, siendo
este fenmeno sensible a la corriente de polarizacin
aplicada y a la desintonizacin de frecuencia inicial de la
seal con respecto a la de resonancia del lser. La potencia
necesaria para el caso de absorbedores saturables es mayor
para la consecucin de biestabilidad, si bien es capaz de
alcanzar mayores velocidades de conmutacin.

REFERENCIAS

[1] H.M. Gibbs, S.L. McCall y T.N.C. Venkatesan, Differential gain
and bistability using a sodium-filled Fabry-Perot interferometer,
Phys. Rev. Lett, vol.36, pp 1135-1138, 1976.
[2] H.M. Gibbs, Optical Bistability: Controlling Light with Light.
Orlando. Fl: Academic, 1985, Cap.2, pp. 19-93.
[3] D.A.B. Miller, D.S. Chemla, T.C. Damen, T.H. Wood, C.A.
Burrus, A.C. Gossard y W.Wiegmann, The Quantum Well Self-
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[4] H. Kawaguchi, Bistable Laser Diodes and Their Applications:
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[5] A. Gonzlez-Marcos, J.A. Martn Pereda, Meted to analyze the
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Enginnering, 40, 2371-2385, 2001.
[6] A. Gonzlez-Marcos, J.A. Martn Pereda, Coder/Decoder with an
optical programmable logic cell, SPIEs 47th Annual Meeting.
Seattle, WA-USA, 7-11 Jul 2002.
[7] P. Pakdeevanich y M.J. Adams, Measurements and Modeling of
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Quantum Electron. Vol. 35, No. 12, Dec 1999.