CENTRO DE ENSEANZA TCNICA Y SUPERIOR

ESCUELA DE INGENIERA
PROPIEDADES DE LOS MATERIALES
Captulo 4: Imperfecciones en arreglos atmicos e inicos
SERGIO BALLESTEROS ELIZONDO
SUSANA LUZ LU ZHEN 18253
SEMESTRE II
Tijuana, B. C. a 29 de Abril del 2014.
CONTENIDO
Defectos puntuales
Vacancia
Defecto intersticial
Impureza en slido
Otros defectos puntuales
Defecto de Frenkel
Defecto de Schottky
Dislocaciones
Dislocacin de cua
Dislocacin helicoidal
Dislocacines mixtas
Significado de dislocaciones
Ley de Smich
DF!"OS I#$%F!!IO&S !%IS"'LI&'S
%ealmente no existen cristales perfectos sino (ue contienen )arios tipos de imperfecciones y
defectos* (ue afectan a muchas de sus propiedades f+sicas y mec,nicas y tam-i.n influyen en
algunas propiedades de los materiales a ni)el de aplicacin ingenieril tal como la capacidad de
formar aleaciones en fr+o* la conducti)idad el.ctrica y la corrosin/
Las imperfecciones se clasifican seg0n su geometr+a y forma as+1
Defectos puntuales o de dimensin cero
Defectos lineales o de una dimensin llamados tam-i.n dislocaciones
Defectos de dos dimensiones
"am-i.n de-en incluirse los defectos macroscpicos tales como fisuras* poros y las inclusiones
extraas/
DF!"OS $2&"2'LS
VACANTE
!onstituye el defecto puntual m,s simple/ s un hueco creado por la perdida de un ,tomo (ue
se encontra-a en esa posicin/ $uede producirse durante la solidificacin por pertur-aciones
locales durante el crecimiento de los cristales/ "am-i.n puede producirse por reordenamientos
atmicos en el cristal ya formado como consecuencia de la mo)ilidad de los ,tomos/
l n0mero de )acantes en e(uili-rio &) para una cantidad dada de material* se incrementa con
la temperatura de acuerdo a la ecuacin1
Qv
Nv 3 N
KT
Donde &) es el n0mero de )acantes por metro c0-ico &
es el n0mero de puntos en la red por metro c0-ico
4) es la energ+a re(uerida para producir una )acancia
567,tomo8 " es la temperatura en 9
9 es la constante de :oltzmann de los gases 5;/<= x ;>
?@<
67,tomoA98 =/B@ x
;>
?C
eV7,tomoA9
Son las imperfecciones m,s comunes en los cristales/ Se dan hasta una por cada ;>>>>
,tomos/
Las )acantes de no e(uili-rio tienen tendencia a agruparse formando clusters* (ue forman
di)acantes o tri)acantes/
Las )acantes pueden transladarse cam-iando su posicin con sus )ecinos/ ste proceso es
importante en la migracin o difusin de los ,tomos en el estado slido* so-re todo a altas
temperaturas donde la mo)ilidad de los ,tomos es mayor/
Figura ;/ Vacante
DF!"OS I&S"%S"I!I'LS
'lgunas )eces* un ,tomo extra se inserta dentro de la estructura de la red en una posicin (ue normalmente
no est, ocupada formando un defecto llamado D Defecto intersticialE / Feneralmente este tipo de defecto
introduce relati)amente grandes distorsiones en los alrededores puesto (ue normalmente el ,tomo es
sustancialmente m,s grande (ue la posicin intersticial en la (ue se sit0a/ !onsecuentemente la formacin de
este defecto no es muy pro-a-le/ Se pueden introducir en una estructura por radiacin/ 5Figura @8
Figura @/ Defecto Intersticial
I#$2%G'S & SHLIDOS
ste defecto se introduce cuando un ,tomo es reemplazado por un ,tomo diferente/ l ,tomo sustituyente
puede ser m,s grande (ue el ,tomo original y en ese caso los ,tomos alrededor est,n a compresin puede
ser m,s pe(ueo (ue el ,tomo original y en este caso los ,tomos circundantes estar,n a tensin/ ste
defecto puede presentarse como una impureza o como una adicin deli-erada en una aleacin/ 5Figura <8
Figura </ Impurezas o reemplazamientos
Dependiendo de la clase de impureza (ue se halle en el cristal* de su concentracin y de la temperatura se
formar, en el cristal una SOL2!IH& SHLID'/ !uando se ha-la de solucin slida hay (ue hacer claridad
so-re algunos t.rminos1
Soluto1 s el elemento o compuesto dentro de la solucin slida* (ue se encuentra en menor concentracin
- Sol)ente1 s el elemento dentro de la solucin slida* (ue se encuentra en mayor
concentracin/
2na solucin slida se forma cuando ,tomos de soluto se adicionan al material y la estructura cristalina
original se mantiene/ Se puede asimilar a una solucin l+(uida en la (ue tam-i.n los ,tomos (ue constituyen
las impurezas 5soluto8 est,n distri-uidos al azar y uniformemente dispersos dentro del slido/
Los defectos puntuales de impurezas dentro de las soluciones slidas pueden generarse por dos
mecanismos1
? Sustitucin1 '(u+ el soluto o las impurezas reemplazan a ,tomos originales/ sto se da cuando los
,tomos (ue constituyen el soluto y el sol)ente cumplen los siguientes re(uerimientos 5%eglas de
Iume?%othery81
o Los radios atmicos no difieran m,s del ;CJ o Las estructuras
cristalinas de-en ser las mismas
o Las electronegati)idades de-en ser similares ya (ue de otra manera reaccionar+an y se
formar+an nue)os compuestos
o De-en tener la misma )alencia
2n eKemplo de solucin slida en metales lo constituyen el !o-re y el &+(uel/ 5Figura <8
Figura </ Solucin slida por sustitucin de !o-re y &+(uel
- Intersticial1 '(u+ los ,tomos de las impurezas llenan los )ac+os o intersticios dentro
del material original/

n
la
mayor+a de
los materiales met,licos
el
empa(uetamiento
atmi
co
e
s
alt
o y los
interstici
os
so
n
pe(ueo
s/
!onsecuentemente los di,metros de los ,tomos (ue constituyen las impurezas intersticiales de-en ser
sustancialmente m,s pe(ueas (ue los del material original* razn por la cual este defecto es mucho
menos com0n/ 2n eKemplo de este tipo de impureza por sustitucin lo constituyen el car-n y el hierro/
n una solucin slida de estos dos elementos* el car-n puede sustituir al hierro en no mas del @J/
5Figura L8
Figura L/ Impurezas intersticiales de !ar-n en hierro
O"%OS DF!"OS $2&"2'LS
DF!"O F%&9L
s una imperfeccin com-inada Vacancia M Defecto intersticial/ Ocurre cuando un ion salta de un punto
normal dentro de la red a un sitio intersticial deKando entonces una )acancia/ 5Figura C8
Figura C/ Defecto Frenkel
DF!"O S!IO""9N
s un par de )acancias en un material con enlaces inicos/ $ara mantener la neutralidad* de-en perderse de
la red tanto un catin como un anin/ 5Figura B8
Figura B/ Defecto Schottky
Otro defecto puntual importante ocurre cuando un ion de una carga reemplaza otro ion de diferente carga/ $or
eKemplo un ion de )alencia O@ reemplaza a un ion de )alencia O;/ n este caso una carga extre positi)a se
introduce dentro de la estructura/ $ara mantener un -alance de carga* se de-e crear una )acante de una
carga positi)a 5nlaces inicos8/ Figura P
Figura P/ Defecto por reemplazamiento por iones de diferente carga
DF!"OS D LI&' 5DISLO!'!IO&S8
Son defectos (ue dan lugar a una distorsin de la red centrada en torno a una l+nea/ Se crean durante la
solidificacin de los slidos cristalinos o por deformacin pl,stica* por condensacin de )acantes/
Iay dos tipos de dislocaciones* las de cua y las helicoidales/ "am-i.n puede darse una com-inacin de
am-as* denominada dislocacin mezcla
DISLO!'!IH& D !2Q'
Se crea por insercin de un semiplano adicional de ,tomos dentro de la red/ Los ,tomos a lado y lado del
semiplano insertado se encuentran distorsionados/ Los ,tomos por encima de la l+nea de dislocacin* (ue se
encuentra perpendicular al plano de la p,gina* en el punto donde termina el semiplano insertado* se
encuentran comprimidos y los (ue est,n por de-aKo se encuentran apartados/ sto se refleKa en la le)e
cur)atura de los planos )erticales de los ,tomos mas cercanos del extra semiplano/ La magnitud de esta
distorsin decrece con la distancia al semiplano insertado/
Figura =/ Dislocacin de cua
La distancia de desplazamiento de los ,tomos en torno a una dislocacin se llama DSLIG'#I&"O o )ector
de :urgers y es perpendicular a la l+nea de dislocacin de cua/
DISLO!'!IH& ILI!OID'L
sta dislocacin se forma cuando se aplica un esfuerzo de cizalladura en un cristal perfecto (ue ha sido
separado por un plano cortante/ Figura R/
Figura R/ Dislocacin helicoidal
'(u+ el )ector de :urgers o de desplazamiento es paralelo a la l+nea de dislocacin/
DISLO!'!IO&S #IS"'S
!on frecuencia los cristales exhi-en mezcla de las dislocaciones anteriores/ Su )ector de :urgers no es ni
perpendicular ni paralelo a la l+nea de dislocacin* pero mantiene una orientacin fiKa en el espacio/ La
estructura atmica local en torno a la dislocacin mixta es dif+cil de )isualizar* pero el )ector de :urgers
proporciona una descripcin con)eniente y sencilla/ 5Figura ;>8
Figura ;>/ Dislocacin mixta
SIF&IFI!'DO D L'S DISLO!'!IO&S
'un(ue los deslizamientos o desplazamientos atmicos pueden ocurrir en cer,micos y pol+meros* estos
procesos son particularmente 0tiles para entender el comportamiento mec,nico de los metales/ $rimero (ue
todo* el deslizamiento atmico explica por (ue la resistencia de los metales es mucho mas -aKa (ue el )alor
terico predicho de los enlaces met,licos/ !uando los deslizamientos ocurren* solo una pe(uea fraccin de
todos los enlaces met,licos a lo largo de la interfase necesita ser roto y la fuerza re(uerida para
deformar el metal es pe(uea/ Segundo* los deslizamientos pro)een ductilidad en los metales/ Si no
estu)ieran presentes las dislocaciones* una -arra de hierro ser+a fr,gil y los metales no podr+an ser
moldeados por )arios procesos tales como forKado/ "ercero* es posi-le controlar las propiedades mec,nicas
de un metal o aleacin interfiriendo con el mo)imiento de las dislocaciones/ 2n o-st,culo introducido dentro
del cristal e)ita (ue una dislocacin se deslice a menos de (ue se apli(ue una fuerza muy grande/
s posi-le encontrar un gran n0mero de dislocaciones en los materiales/ La densidad de las dislocaciones o
longitud total de las dislocaciones por unidad de )olumen* se usa generalmente para representar la cantidad
de dislocaciones presentes/ Densidades de dislocaciones de ;> m / mm
?<
son t+picas de los metales m,s
sua)es* mientras (ue densidades de dislocaciones superiores a ;>>> 9m / mm
?<
se pueden conseguir
deformando el material/
LN D S!I#ID
Se puede entender las diferencias en el comportamiento de los metales (ue tienen diferentes estructuras*
examinando la fuerza re(uerida para iniciar el proceso de deslizamiento/ Suponga (ue se aplica una fuerza
unidireccional F a un cilindro de metal (ue es un cristal simple o monocristal 5Figura ;;8/
$ara (ue la dislocacin se mue)a en el sistema de deslizamiento* se necesita (ue act0e una fuerza de
cizalladura en la direccin del desplazamiento* producida por la fuerza aplicada/ La resultante de esta fuerza
de cizalladura* Fr* est, dada por
Fr 3 F cos
Si esta ecuacin se di)ide por el ,rea del plano de deslizamiento*
A 3
Ao
* se o-tiene
la
co
s
DF!"OS I&"%F'!I'LS O S2$%FI!I'LS
Los defectos superficiales son los l+mites o -ordes o planos (ue di)iden un material en regiones* cada una de
las cuales tiene la misma estructura cristalina pero diferente orientacin/
S2$%FI!I S"%&'
Las dimensiones exteriores del material representan superficies en las cuales la red termina a-ruptamente/
Los ,tomos de la superficie no estan enlazados al n0mero m,ximo de )ecinos (ue de-er+an tener y por lo
tanto* esos ,tomos tienen mayor estado energ.tico (ue los ,tomos de las posiciones internas/ Los enlaces de
esos ,tomos supericials (ue no estan satisfechos dan lugar a una energ+a superficial* expresada en unidades
de energ+a por unidad de ,rea 567m
@
o rg7cm
@
8/ 'dem,s la superficie del material puede ser rugosa* puede
contener pe(ueas muescas y puede ser mucho mas reacti)a (ue el resto del material/
:O%DS D F%'&O
Se puede definir como la superficie (ue separa los granos indi)iduales de
diferentes orientaciones cristalogr,ficas en materiales policristalinos/
l l+mite de grano es una zona estrecha en la cual los ,tomos no est,n
uniformemente separados* o sea (ue hay ,tomos (ue est,n muy Kuntos
causando una compresin* mientras (ue otros est,n separados
causando tensin/ De cual(uier forma los limites de grano son ,reas de alta
energ+a y hace de esta regin una mas fa)ora-le para la nucleacin y el
crecimiento de precipitados
#'!L'S
2na macla es un tipo especial de l+mite de grano en el cual los ,tomos de un lado del l+mite est,n localizados
en una posicin (ue es la imagen especular de los ,tomos del otro lado/
!ristales de yeso sin maclar #acla de yeso
Referencias
T;U'skeland D/* $hul. $/ 5@>>L8 Ciencia e Ingeniera de los Materiales. "hompson1 #.xico/ 5B7><7@>;L8
T@U!a-allero* 6// 5@>;<8 DEFECTOS E IMPEFECCIONES CISTA!INAS. %ecuperado de1 http177VVV/)?
espino/com7Wtecnologia7tecnoII7;materiales7defectosJ@>eJ@>imperfeccionesJ@>redJ@>cristalina/pdf
5@R7>L7@>;L8