DIODOS VARACTORES (VARICAP)

Los diodos varactores, también llamados varicap, VVC (capacitancia

variable con el voltaje) son capacitores de semiconductores variables
y dependientes del voltaje. Su modo de operación depende de la
capacitancia que existe en la unión p-n cuando el elemento se
polariza de forma inversa. Bajo condiciones de polarización inversa se
estableció que existe una región de carga no cubierta sobre ambos
lados de la unión, que junto con las regiones forman la región de
agotamiento y define el ancho del agotamiento Wd. La capacitancia
de transición (CT) establecida por las cargas aisladas no cubiertas
está determinada por:

CT=εAWd

Donde ε es la permitividad de los materiales semiconductores, A es el

área de la unión p-n y Wd es el ancho de agotamiento.
Conforme el potencial de polarización inversa se incrementa, el ancho
de la región de agotamiento se incrementa, lo que a su vez reduce la
capacitancia de transición. En la figura 19.7 se presentan las
características de un diodo varicap típico, disponible comercialmente.
Observe el declive agudo inicial en CT con el incremento en la
polarización inversa. El rango normal de VR para los diodos VVC se
limita a cerca de 20V. En términos de la polarización inversa aplicada,
la capacitancia de transición está dada de forma aproximada por:

CT=KVT+VRn

Donde K = constante determinada por el material semiconductor y la

técnica de fabricación
VT = potencial en punto de inflexión
VR = magnitud del potencial de polarización inversa aplicado
n = ½ para uniones de aleación y 1/3 para uniones de difusión
En términos de la capacitancia en la condición de cero polarización
C(0), la capacitancia como una función de VR está dada por:

CTVR=C(0)1+VRVTn

En la figura 19.8 se muestran los símbolos que se utilizan con mayor

frecuencia para el diodo varicap, así como una primera aproximación
a su circuito equivalente en la región de polarización inversa.

Dado que nos encontramos en esta región de polarización inversa, la

resistencia en el circuito equivalente es muy grande en magnitud (por
lo regular de 1MΩ o mayor), mientras que RS la resistencia geométrica
del diodo, es, como se señala en la figura 19.8 muy pequeña. La
magnitud de CT variará desde cerca de 2 hasta 100 pF, según el
varicap considerado. Para asegurar que RR es lo más grande posible
(para un mínimo de corriente de fuga), se utiliza normalmente silicio
en los diodos varicap. EL hecho de que el dispositivo se utilizará a
frecuencias muy altas requiere que se incluya la inductancia Ls incluso
cuando ésta se mida en nanohenrios. Recuerde que XL =2πfL y una
frecuencia de 10 GHz dará por resultado que XLS = 2πfL = (6.28)(1010
Hz)(10-9F)= 62.8Ω. Obviamente existe un límite de frecuencia
asociado con el uso de cada diodo varicap.
Al asumir el rango de frecuencia apropiado y un valor bajo para R S y
XLS en comparación con los otros elementos en serie, entonces el
circuito equivalente para el varicap de la figura 19.8.a puede
remplazarse sólo por el capacitor variable. La hoja de especificaciones
completas y sus curvas características se presentan en las figuras
19.9 y 19.10, respectivamente. La relación C3/C25 en la figura 19.9 es
la proporción de los niveles de capacitancia a los potenciales de
polarización inversa de 3 y 25 V, ésta proporciona un rápido estimado
acerca de qué tanto cambiará la capacitancia con el potencial de
polarización inversa. La figura de mérito es una cantidad de
consideración en la aplicación del dispositivo y es una medida de la
relación de energía almacenada por el dispositivo capacitivo por ciclo
a la energía disipada (o perdida) por ciclo. Dado que la pérdida de
energía rara vez se considera como un atributo positivo, mientras
mayor sea su valor relativo será mejor. La frecuencia resonante del
dispositivo se encuentra determinada por fo=12πLC y afecta el rango
de aplicación del dispositivo.
En la figura 19.10 la mayoría de las cantidades se explican por sí
mismas, sin embargo el coeficiente de de temperatura de
capacitancia está defino por:

TCC=∆CC0(T1-T0)x 100%

Donde ∆C es el cambio en la capacitancia debido al cambio de

temperatura T1-T0 y C0 es la capacitancia a T0 para un potencial
particular de polarización inversa. Por ejemplo la figura 19.9 indica
que C0 = 29pF con VR = 3V y T0 = 25ºC. un cambio en la capacitancia
∆C se podría entonces determinar por la ecuación ya menciona
simplemente al sustituir la nueva temperatura T1 y el TCC como lo
determina la gráfica (=0.013). Para un VR nuevo, el valor de TCC
cambiará en consecuencia. De regreso a la figura 19.9 observe que la
frecuencia máxima que aparece es 600 MHz. A esta frecuencia, XL =
2πfL = (6.28)(600x106 Hz)(2.5x10-9F)= 9.42Ω, normalmente una
cantidad suficientemente pequeña para ser ignorada.
Algunas de las áreas de aplicación de alta frecuencia (según la
definen los bajos niveles de capacitancia) incluyen modulares de FM,
dispositivos de control automático de frecuencia, filtros pasabandas
ajustables y amplificadores paramétricos.