Universidad Nacional de Colombia. Calvera Juan, Daz Kevin, Villamizar Csar. Caracterizacin del diodo.

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ResumenUno de los elementos electrnicos ms
ampliamente usados es el diodo simple, mediante el cual se puede
tener control de variables como el voltaje y la corriente en un
circuito. Por tal motivo es importante conocer el comportamiento
que tiene ste ante diferentes situaciones y la forma de tomar
control de estas. Se llevar a cabo un estudio sobre
comportamiento del diodo ante diferentes voltajes y cmo este
comportamiento vara en funcin de la temperatura. Esto llevar
a analizar las posibles implicaciones que un pequeo cambio en
un factor ambiental puede generar sobre los parmetros de un
circuito. A partir de mediciones experimentales de corriente y
voltaje sobre un diodo se calcularn los valores aproximados de
constantes inherentes al mismo, como son la corriente de
saturacin y el coeficiente de emisin. Con el fin de poder
predecir el funcionamiento de un diodo es importante conocer los
efectos que tienen diferentes frecuencias sobre ste. Se medir el
tiempo de recuperacin inversa caracterstico de dos diodos
diferentes y se observar el efecto que tiene el mismo sobre la
seal de voltaje sobre el elemento, analizando a su vez las
consecuencias que la omisin de esta propiedad puede producir.

Palabras ClaveDiodo, Voltaje, Temperatura, Corriente,
Saturacin, Coeficiente de emisin, Frecuencia, Tiempo de
recuperacin.

AbstractOne of the most widely used electronic devices is
the simple diode, by which there is control of variables such as
voltage and current on a circuit. For this reason it is important to
know the behavior of the diode in front of different situations and
the way of taking control of these. A study about the diodes
behavior under different voltages will be realized, and how this
behavior changes in function of the temperature. This will lead to
analyze the possible implications that a little change on an
environmental factor would generate on the parameters of a
circuit. From the experimental measuring of voltage and current
on a diode, approximated values of inherent constants of the
diode, such as saturation current and emission coefficient, will be
calculated. In order to predict the functioning of a diode, it is
important to know the effects that different frequencies have on
it. The Inverse recuperation time will be measured in two
different diodes, and the effect of it on the voltage signal on the
device, analyzing the consequences that the omission of it may
produce.

Key WordsDiode, Voltage, Temperature, Current,
Saturation, Emission coefficient, Frequency, Recuperation time.

I. INTRODUCCIN
El objetivo de este informe es dar a conocer los
resultados de pruebas realizadas con el fin de
comprender el comportamiento de un diodo.
A diferencia de un diodo ideal, un diodo real no es
capaz de restringir el flujo de corriente por
completo al encontrarse conectado inversamente ni
tampoco, permitirlo como un corto circuito al
conectarse de manera directa.
La curva de voltaje Vs corriente en un diodo
presenta un comportamiento exponencial que se ve
afectado por diferentes variables y constantes que
deben ser tenidas en cuenta al predecir el
funcionamiento del mismo.
Al igual que todos los componentes electrnicos,
la respuesta del diodo depende del tiempo, por lo
cual no es de esperarse que responda de la misma
forma al cambiar rpidamente su voltaje que al
cambiarlo de manera gradual. Propiedades como el
tiempo de recuperacin inversa deben ser tenidas en
cuenta a la hora de escoger un diodo para un uso
especfico.

II. MATERIALES USADOS
En la Tabla I. se encuentran listados los
materiales e instrumentos usados en la prctica.

TABLA I
MATERIALES E INSTRUMENTOS NECESARIOS
Cantidad Descripcin
1 Osciloscopio de 2 canales
1 Generador de seales
1 Multmetro digital
1 Fuente de alimentacin DC
3 Sondas
3 Resistencias de 560 (1W)
3 Diodos 1N4004
1 Diodo 1N4148
1 Cautn

III. MARCO TERICO
Curva caracterstica del Diodo A.
La figura 1 presenta la curva caracterstica i-v real
de un diodo de unin PN. Se pueden distinguir
principalmente tres regiones.
Caracterizacin del diodo
(Marzo 2014)
Calvera Durn Juan Camilo, DazGmez Kevin Enrique, Villamizar Castellanos Csar Augusto
{jccalverad, kediazg, cavillamizarc}@unal.edu.co
Universidad Nacional de Colombia




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2

Figura 1: Curva caracterstica del diodo.[2]

1) Regin polarizada directamente
En esta regin se cumple que

, y la relacin
entre la corriente y el voltaje en el diodo est dada
por la ecuacin (1) [1]

)

Donde

es la corriente de saturacin que depende

de de la temperatura del diodo y el rea de la
seccin transversal del dispositivo. es un valor
que depende del diodo, si este est en un circuito
integrado entonces si se trata de un diodo
discreto .

es el voltaje trmico, y est dado

por (2)

Con la constante de Boltzmann, la
temperatura en Kelvin, y la carga del electrn. A
temperatura ambiente (20C-25C) el valor de

es
cercano a 25 mV. Para el anlisis terico existen
varios modelos de aproximacin al modelo
exponencial (real) del diodo, algunos son el modelo
Lineal por partes, el modelo de Cada de voltaje
constante (modelo de 0,7V). El ms utilizado es el
modelo de 0,7 ya que es simple y produce valores
cercanos a los reales; como se observa en la figura 1
para voltajes menores a 0,5 V la corriente es
prcticamente 0 (Diodo OFF) y la corriente se
empieza a apreciar y a crecer rpidamente entre 0,6
V y 0,8 V; por esto el modelo de 0,7 consiste en
asumir que el diodo se enciende (circuito cerrado) al
superar los 0,7 V y se apaga (circuito abierto) para
valores menores a 0,7.

2) Regin polarizada inversamente
Es la regin en la que el voltaje est comprendido
entre

y 0, analizando la ecuacin (1) se deduce

que si

tiene valores negativos y mayor a

el
trmino exponencial se hace 0 y se cumple que

En general los diodos reales exhiben corrientes
inversas mayores a la corriente de saturacin, y
tambin se observa en la figura 1 que la corriente
inversa es proporcional al voltaje inverso. La
corriente inversa no es totalmente cero debido a
efectos de fuga. Las corrientes de fuga son
proporcionales al rea transversal de unin por ello

depende de esto.

3) Regin de ruptura.
Se da cuando el voltaje inverso del diodo excede
un valor de umbral especfico del dispositivo, este
valor se denomina Voltaje de ruptura

. El
valor de la corriente inversa aumenta rpidamente
en esta zona, y el diodo est seguro siempre que la
potencia disipada por el diodo se encuentra bajo un
valor lmite especificado por la corriente inversa
mxima del diodo. La regin de ruptura es el rea
de trabajo de los diodos Zener, que son utilizados en
aplicaciones de regulacin de voltaje.

4) Relacin Temperatura-i-v

Un anlisis a las ecuaciones (1) y (2) indica que la
curva i-v del diodo depende directamente de la
temperatura a la que se est trabajando. Se deduce
tambin que a una corriente constante, el valor del
voltaje del diodo es inversamente proporcional al de
la temperatura.
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3

Figura 2: Corrimiento de la curva con temperatura.[3]

La figura 2 ilustra esto, al aumentar la temperatura
la grfica de i-v del diodo se comprime
mostrando que a una corriente constante hay menor
voltaje mientras mayor temperatura haya.
Generalmente por cada dos grados Celsius de
aumento en la temperatura, se disminuye el voltaje
del diodo en aproximadamente 2 mV. [1]

Tiempo de recuperacin en inversa B.
Al utilizar diodos para aplicaciones de
rectificacin de ondas AC, estos cambian
continuamente de polarizacin, de directa a inversa.
El cambio de la polarizacin no es instantneo, es
decir el diodo no se apaga inmediatamente sino que
tarda un tiempo en hacerlo, esto se debe al tiempo
que tardan los portadores mayoritarios en cambiar
de sentido en el diodo. Este tiempo de retraso se
denomina tiempo de recuperacin en inversa, y
depende de la composicin de cada diodo. Este
tiempo se hace ms notorio si la onda a rectificar
vara ms rpido (tiene una frecuencia ms alta). El
tiempo de recuperacin en inversa no suele ser
tenido en cuenta al trabajar a bajas frecuencias, pero
para aplicaciones de alta frecuencia, es muy
importante escoger el diodo ms adecuado para el
trabajo.[4]
IV. RESULTADOS ESPERADOS
Curva caracterstica del diodo A.
A partir del modelo exponencial del diodo se sabe
que el comportamiento de las variables de voltaje y
corriente sobre el mismo viene dado,
aproximadamente, por la ecuacin (1).

Al analizar el comportamiento de la ecuacin se
puede afirmar que para un mismo voltaje se
obtendr mayor corriente a medida que la
temperatura aumente, por lo cual se espera que, para
una temperatura de 50C se obtengan mayores
valores de corriente que a una temperatura de 20
manteniendo el voltaje sobre el diodo constante.

Obteniendo el logaritmo natural a cada lado de
(1), se define la siguiente expresin equivalente:

Al realizar unos cambios de variables se puede
observar que la ecuacin (4) describe una recta con
pendiente K y punto de interseccin con el eje Y en
Y
0
.

Se puede esperar por tanto que, al graficar los datos
de voltaje en el diodo Vs. Logaritmo natural de su
corriente, se visualice una recta en la cual los
valores de pendiente e interseccin con el eje
cumplen:

Simulaciones:
Haciendo uso del software simulacin de circuitos
PSpice, se simularon los resultados esperados de
voltaje y corriente sobre el diodo 1N4004 a
temperaturas de 20C y 50C
Los datos obtenidos fueron tabulados y con estos se
obtuvo la Grfica 1.

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Grfica 1: Voltaje(mV) Vs. Corriente(mA) en el diodo
1N4004 a diferentes temperaturas (simulacin).


Figura 3: Circuito simulado en PSpice para medicin de
voltajes y corrientes a diferente temperatura.

Tiempo de recuperacin en inversa B.

Haciendo uso del software de diseo y simulacin
de circuitos Proteus, de Labcenter electronics, se
simularon los resultados esperados para las grficas
de voltaje Vs. Tiempo sobre el diodo a diferentes
frecuencias.


Figura 4: Circuito simulado en Proteus para anlisis te
seales y medicin de tiempo de recuperacin inversa.


Figura 5: Seales de voltaje de entrada (Vi) y voltaje sobre
el diodo (Vd) a una frecuencia de 100KHz..
Tiempo unitario en eje horizontal: 1us

Como se puede observar en la Figura 5, el tiempo
de recuperacin en inversa para el diodo 1N4004
resulta ser aproximadamente igual a 2us, mientras
que el del diodo 1N4148 es tan pequeo que no es
apreciable.
V. RESULTADOS
Curva caracterstica del diodo A.
En la Tabla 1 se muestran los resultados de
voltaje y corriente sobre el diodo a temperaturas de
20C y 50C.
TABLA II
VOLTAJES Y CORRIENTES SOBRE EL DIODO A DIFERENTE TEMPERATURA
Temperatura=20C Temperatura=50C
VD(mV) ID(mA) VD(mV) ID(mA)
613 5 469 1,01
652 10 511 2,73
676 15 530 4,44
694 20 549 6,32
708 25 563 8,01
718 30 572 9,83
727 35 584 11,53
594 13,31
602 15,07
608 16,9


-2
0
2
4
6
8
10
0 500 1000
C
o
r
r
i
e
n
t
e

D
i
o
d
o

(
)
m
A

Voltaje Diodo (mV)
Curva caracterstica simulada del
diodo 1N4004 para diferentes
temperaturas
Temp=20
Temp=50
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Grfica 2: Voltaje(V) Vs. Corriente(mA) en el diodo 1N4004
a diferentes temperaturas

A partir de los datos obtenidos se calculan los
valores del logaritmo natural de la corriente sobre el
diodo para cada voltaje.

TABLA II
VOLTAJES Y CORRIENTES SOBRE EL DIODO A DIFERENTE TEMPERATURA
Temperatura=20C Temperatura=50C
VD(mV) Ln (ID) VD(mV) Ln (ID)
613 -5,30 469 -6,90
652 -4,61 511 -5,90
676 -4,20 530 -5,42
694 -3,91 549 -5,06
708 -3,69 563 -4,83
718 -3,51 572 -4,62
727 -3,35 584 -4,46
594 -4,32
602 -4,20
608 -4,08



Grfica 3: Voltaje(V) Vs. Logarimo natural de la corriente en
el diodo a temperatura de 20C.

Al realizar una regresin lineal sobre la recta
obtenida con los datos de voltaje y logaritmo natural
de la corriente, se obtienen los valores de la
pendiente y el punto de interseccin con el eje de
coordenadas Y.
Para 20C:

Pendiente (K) = 16,93
Interseccin con eje Y (Y
0
)= -15,66

Para 50C:
Pendiente (K) = 19,84
Interseccin con eje Y (Y
0
)= -16,05

Mediante el uso de las ecuaciones (6) y (7), y con
los datos obtenidos se despejaron y calcularon los
valores aproximados de los parmetros I
s
y n para el
diodo usado en la prctica.
A 20C:

A 50C

0
5
10
15
20
25
30
35
40
0,4 0,6 0,8
C
o
r
r
i
e
n
t
e

D
i
o
d
o

(
m
A
)

Voltaje Diodo (V)
Curva caracteristica a diferente
temperatura
T=20
T=50
-8,00
-7,00
-6,00
-5,00
-4,00
-3,00
-2,00
-1,00
0,00
0,45 0,55 0,65 0,75
Y

=

L
n
(
I
D
)

Voltaje Diodo (V)
Curva de voltaje Vs. Logaritmo de
corriente
T=20
T=50
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Tiempo de recuperacin en inversa B.
Las Figuras 6 y 7 muestran las seales de voltaje
obtenidas para los diodos 1N4004 y 1N4148 a
diferentes frecuencias. A partir de estas seales se
realiza el clculo del tiempo de recuperacin
inversa de cada diodo.


Figura 6: Seal de voltaje de entrada y seal de voltaje
sobre el diodo 1N4004 a diferentes frecuencias.


Figura 7: Seal de voltaje de entrada y seal de voltaje
sobre el diodo 1N4148.

Nota: Al diodo 1N4148 le fueron aplicadas las mismas seales que al 1N4004,
obtenindose en cada caso comportamientos iguales al apreciado en la Figura
7.

Al analizar las seales obtenidas para los diodos
evaluados se realizan las mediciones sobre el
tiempo de recuperacin en inversa para cada uno,
las cuales son almacenadas en la Tabla III.

TABLA III
VOLTAJES Y CORRIENTES SOBRE EL DIODO A DIFERENTE TEMPERATURA
Frecuencia(Hz)
Tiempo de recuperacin inversa (us)
Diodo 1N4004 Diodo 1N4148
200 No apreciable No apreciable
600 No apreciable No apreciable
15K ~9 No apreciable
20K ~7.5 No apreciable
50K ~7 No apreciable
100K ~3.6 No apreciable
20K (Cuadrada) ~7 No apreciable
200K (Cuadrada) N/A ~0.5

VI. ANLISIS DE RESULTADOS
Curva caracterstica del diodo A.
Como era de esperarse, la curva
caracterstica del diodo 1N4004 resulta tener un
comportamiento diferente a temperatura ambiente y
a 50C.
A 50C la curva presenta un corrimiento
hacia la izquierda de poco menos de 100mV junto
con un cambio en su comportamiento exponencial,
apreciable en la variacin de la pendiente en la
Grfica 3.
Para una temperatura de 20C se puede
apreciar un comportamiento casi lineal en la grfica
de Voltaje Vs Corriente del diodo a partir de
tensiones mayores a 0,7V.
Al calcular el valor de la constante n, a partir
de la linealizacin de los resultados, se obtuvieron
valores cercanos a 2, el cual es el valor esperado
coeficiente de emisin en el modelo de diodos
discretos.
La corriente de saturacin calculada resulta
ser un valor muy pequeo, lo cual concuerda con el
resultado esperado.


Tiempo de recuperacin en inversa B.
El tiempo de recuperacin en inversa para el
diodo 1N4004 no resulta ser apreciable a
frecuencias bajas
A pesar de ser bajo, el tiempo de
recuperacin inversa del diodo 1N4004 no
concuerda con el esperado segn la simulacin
realizada.
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Solamente a una muy alta frecuencia se
consigui observar el tiempo de recuperacin en
inversa para el diodo 1N4148, resultando este ser
muy pequeo.
VII. PREGUNTAS SUGERIDAS
Cul frecuencia es mejor para trabajar el
tiempo de recuperacin inversa para cada uno
de los diodos y por qu? Justifique su respuesta
Para poder visualizar el tiempo de
recuperacin inversa se requiere trabajar
con altas frecuencias, en la tabla 3 se ve
que el valor del tiempo de recuperacin en
inversa del diodo 1N4004 es
aproximadamente 7.6 (ignorando el dato
3.6), esto demuestra que el tiempo de
recuperacin depende del diodo y no de la
frecuencia de la seal, sino que a una
mayor frecuencia se hace ms notorio. En
el diodo 1N4148 no es apreciable hasta
una frecuencia de 200 KHz, en el que es
an as, muy pequeo, esto indica que el
diodo 1N4148 es ms rpido que el
1N4004
Qu cambio se obtuvo al variar la temperatura
en la primera parte de la prctica?
Como se puede observar en la grfica 2,
los datos de las curvas i-v de los diodos al
variar la temperatura concuerdan con los
esperados en la grfica 1, al aumentar la
temperatura el voltaje disminuye para una
misma corriente, haciendo que la grfica
se comprima, como se determin en el
marco terico, el voltaje disminuye 2 mV
por cada 1C de aumento en la
temperatura.
Concuerdan los valores de la hoja de
especificaciones del fabricante con los
encontrados experimentalmente? Haga un
anlisis de la respuesta
Los valores correspondientes a voltajes y
corrientes del diodo obtenidos concuerda
en gran medida con los datos especificados
por el fabricante ya la curva caracterstica
del diodo, con pequeas variaciones que
pueden deberse a factores humanos o de
inexactitud en la temperatura.
Los valores tales como el coeficiente de
emisin, la corriente de saturacin y el
tiempo de recuperacin inversa
generalmente no son especificados por el
fabricante, sin embargo estos valores
obtenidos tericamente concuerdan con el
comportamiento esperado para los diodos
evaluados.
Los resultados de la simulacin y los
obtenidos en la prctica son iguales?, haga un
anlisis de su respuesta.
S concuerdan, como ya se dijo el voltaje
vara con la temperatura como se esperaba
(comprimiendo la grfica), se puede
observar que las simulaciones realizadas
de la parte 2 de la prctica (Figura 5) son
similares a las obtenidas en la prctica con
el osciloscopio (Figura 6) con el diodo
1N4004 evidenciando as el tiempo de
recuperacin en inversa. El tiempo de
recuperacin en inversa no viene incluido
en las hojas de datos de los diodos, pero s
es tomado en cuenta por el simulador
aunque no coincida exactamente con los
valores reales.

VIII. CONCLUSIONES
Al aumentar la temperatura en un diodo se
pueden obtener menores voltajes para los
cuales una misma corriente es permitida.
Para el uso en un circuito es importante
considerar las temperaturas a las que el diodo
estar expuesto ya que variaciones pequeas
en la temperatura pueden llevar a que para un
cierto voltaje en el diodo se obtenga una
corriente mucho mayor a la esperada.
Luego de un cierto voltaje, la relacin entre la
tensin sobre el diodo y su corriente es
aproximadamente lineal, por lo que se lo
puede comparar con una resistencia y una
fuente de voltaje en serie.
Los diodos discretos poseen un coeficiente de
emisin que puede ser aproximado a 2.
El valor de la corriente de saturacin de un
diodo es bastante bajo, por lo cual la ecuacin
(1) puede ser igualada aproximadamente a la
siguiente expresin:
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8

)
Los tiempos de recuperacin inversa y otros
parmetros obtenidos mediante una
simulacin pueden diferir de los valores
reales debido al uso de modelos que no
corresponden perfectamente a los de diodos
usados en la prctica.
El tiempo de recuperacin inversa es
independiente de la frecuencia, pero sus
efectos sobre la seal resultan ms notables a
medida que esta aumenta.
La variacin entre los resultados de
mediciones para el tiempo de recuperacin
inversa del diodo a diferentes frecuencias es
justificada por la incertidumbre que este tipo
de instrumentos tienen debido al factor
humano.
El tiempo de recuperacin en inversa de un
diodo puede ser ignorado para aquellos casos
en los que se tengan seales de baja
frecuencia y por tanto este no genere cambios
significativos.
Dependiendo del uso pensado para un diodo
debe considerarse la frecuencia la que este
trabajar ya que su respuesta puede ser
diferente a la esperada.

IX. REFERENCIAS
[1] A. S. Sedra, "Circuitos Microelectrnicos", Cuarta edicin,
1900, Paris.
[2] A. S. Sedra, "Circuitos Microelectrnicos", Quinta edicin,
1900, Paris. Pg. 132
[3] A. S. Sedra, "Circuitos Microelectrnicos", Quinta edicin,
1900, Paris. Pg. 135
[4] Universidad de Valencia. Diodos de Potencia. Online,
disponible en: http://www.uv.es/marinjl/electro/diodo.html



Autores:

Juan C. Calvera D.
Estudiante Ingeniera Mecatrnica
Universidad Nacional de Colombia - Sede Bogot
2014

Kevin E. Daz G.
Estudiante Ingeniera Mecatrnica
Universidad Nacional de Colombia - Sede Bogot
2014

Csar A. Villamizar C.
Estudiante Ingeniera Mecatrnica
Universidad Nacional de Colombia - Sede Bogot
2014