Infinformeorme E6

2
ANEXO VI. INFORME VALIDACIN

CONVERTIDOR
PROYECTO B2B (IPT-120000-2010-013)

DESARROLLO DE UN CONVERTIDOR DE POTENCIA BACK TO
BACK BASADO EN COMPONENTES ACTIVOS DE CARBURO
DE SILICIO

Sevilla, 24 de junio de 2013

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2

1. OBJETIVOS ................................................................................................................. 7
2. CARACTERSTICAS PRINCIPALES DEL SISTEMA .................................................. 9
2.1. Descripcin Bsica de la Arquitectura ............................................................... 9
2.2. Especificaciones Generales del Sistema ........................................................... 9
3. BANCADA DE PRUEBAS DE CONMUTACIN ........................................................ 10
3.1. Descripcin ........................................................................................................ 10
3.1.1. Objetivo de las Pruebas ............................................................................................... 10
3.1.2. Descripcin de la Bancada ........................................................................................... 10
3.1.3. Instrumentos y Sistemas de Medida ............................................................................ 11
3.2. Pruebas con IGBTs ............................................................................................ 12
3.2.1. Condiciones del ensayo ................................................................................................ 1
3.2.2. !esultados.................................................................................................................... 1"
3.3. Pruebas con MOSFETs y Driver Powerex ........................................................ 14
3.3.1. Condiciones del ensayo ................................................................................................ 1#
3.3.2. !esultados.................................................................................................................... 1$
3.3.3. Problemas con el driver de Po%ere&. ........................................................................... 1'
3.4. Pruebas con MOSFETs y Driver de Semikron SKYPER 32PRO R .................. 19
3.4.1. Condiciones del ensayo ................................................................................................ 1(
3.4.2. !esultados.................................................................................................................... 1(
3.5. Comparativa de Tecnologas............................................................................. 22
4. BANCADA DE PRUEBAS CONVERTIDOR .............................................................. 24
4.1. Objetivos ............................................................................................................ 24
4.2. Componentes ..................................................................................................... 24
4.3. Condiciones de ensayo ..................................................................................... 25

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2
4.4. Instrumentos ...................................................................................................... 26
4.4.1. Sistema de Monitori)acin .......................................................................................... *
4.4.2. Sistema de Medidas ..................................................................................................... +
4.5. Medidas de Rendimiento ................................................................................... 28
4.6. Medida de Distorsin Armnica (THD) ............................................................. 29
4.7. Medidas de calentamiento ................................................................................. 29
4.7.1. ,ermopar -lu.e y sondas /,C ..................................................................................... (
4.7.2. C0mara termo12r03ica ................................................................................................. "0
5. CONVERTIDOR B2B CON TECNOLOGA IGBT....................................................... 31
5.1. Resultados medidas osciloscopio .................................................................... 31
5.2. Resultados medidas del Yokogawa .................................................................. 33
5.3. Resultados de rendimiento ............................................................................... 33
5.4. Resultados registros del THD ........................................................................... 34
5.5. Prueba de Calentamiento en Rgimen Permanente ........................................ 34
5.5.1. !esultados Obtenidos Sensores /,C ............................................................................ "#
5.5.2. !esultados Obtenidos Sensor ,ermopar -lu.e ............................................................ "$
5.5.3. !esultados Obtenidos por la C0mara ,ermo14r03ica .................................................. "*
6. CONVERTIDOR B2B CON TECNOLOGA MOSFET ................................................ 37
6.1. Resultados medidas osciloscopio .................................................................... 37
6.2. Resultados medidas del Yokogawa .................................................................. 38
6.3. Resultados de rendimiento ............................................................................... 38
6.4. Resultados registros del THD ........................................................................... 39
6.5. Prueba de Calentamiento en Rgimen Permanente ........................................ 40
6.5.1. !esultados Obtenidos Sensores /,C ............................................................................ #0
6.5.2. !esultados Obtenidos Sensor ,ermopar -lu.e ............................................................ #0
6.5.3. !esultados Obtenidos por la C0mara ,ermo14r03ica .................................................. #1
7. COMPARATIVA DE TECNOLOGAS DE MDULOS DE POTENCIA ...................... 42

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2
7.1. Resultados obtenidos de Tensin y Corriente ................................................. 42
7.2. Resultados obtenidos de Rendimiento ............................................................ 43
7.3. Resultados de THD ............................................................................................ 45
7.4. Resultados de Temperatura obtenidos ............................................................ 45
7.4.1. Sensores /,C y termopar ............................................................................................. #*
7.4.2. C0mara ,ermo14r03ica ................................................................................................ #*
7.4.3. Comparativa de tecnolo25as ........................................................................................ #'
8. CONCLUSIONES ....................................................................................................... 49
FIGURAS
Figura 1. Topologa del Sistema. ....................................................................................................... 9
Figura 2. Topologa de la Bancada................................................................................................... 11
Figura 3. onta!e de "ancada de conmutaci#n. ............................................................................ 11
Figura 4. $omparaci#n entre tecnologas %&BT 'Si( ) *SF+T 'Si$(. .............................................. 22
Figura 5. +s,uema de la "ancada de prue"as. ................................................................................ 25
Figura 6. %nter-a. del usuario para el control del e,uipo B2B. ........................................................ 27
Figura 7. /,uina de +stados del e,uipo B2B. ............................................................................... 27
Figura 0. Topologia de la "ancada de prue"as con el 1o2oga3a. ................................................... 20
Figura 9. Sondas 4isipadores Stac2 de 5otencia. ............................................................................ 29
Figura 16. +7oluci#n de la temperatura. 8T$ %&BT. ........................................................................ 35
Figura 11. +7oluci#n temperatura termopar Flu2e *SF+T .......................................................... 35
Figura 12. +7oluci#n de la temperatura. 8T$ *SF+T. .................................................................. 46
Figura 13. +7oluci#n temperatura termopar Flu2e *SF+T .......................................................... 46

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2
TABLAS
Ta"la 1. $aractersticas de la Bancada con %&BT. ............................................................................ 12
Ta"la 2. $orriente nominal con %&BT ) dri7er de Semi2ron. ........................................................... 13
Ta"la 3. Tensi#n nominal con %&BT ) dri7er de Semi2ron. .............................................................. 14
Ta"la 4. $aractersticas de la "ancada con *SF+T ) 5o3ere9. .................................................... 14
Ta"la 5. $orriente nominal con *SF+T ) dri7er de 5o3ere9. ...................................................... 15
Ta"la 6. Tensi#n nominal con *SF+T ) dri7er de 5o3ere9. ......................................................... 16
Ta"la 7. $orriente nominal con *SF+T ) dri7er de 5o3ere9 a -recuencia de 26 2:.. ................. 17
Ta"la 0. $aracteri.aci#n del ruido o"tenido con el dri7er de 5o3ere9. ......................................... 10
Ta"la 9. $orriente nominal con *SF+T ) el dri7er 0de Semi2ron. ............................................... 26
Ta"la 16. $omparati7a entre los dos dri7ers pro"ados con el *SF+T. ........................................ 21
Ta"la 11. ;e)enda de los -iltros utili.ados< e,uipo %&BT ) *SF+T................................................ 25
Ta"la 12. =esultados osciloscopio %&BT .......................................................................................... 32
Ta"la 13. =esultados 1o2oga3a %&BT ............................................................................................. 33
Ta"la 14. $/lculos de rendimiento con 066 >
4$
?lin2 %&BT. ............................................................. 34
Ta"la 15. Ta"la de edidas de T:4 red 066 >
4$
%&BT. ................................................................... 34
Ta"la 16. Temperatura r@gimen permanente c/mara termogr/-ica %&BT. .................................... 36
Ta"la 17. =esultados osciloscopio *SF+T .................................................................................... 37
Ta"la 10. =esultados 1o2oga3a *SF+T ....................................................................................... 30
4$
?lin2 *SF+T......................................................... 39
4$
*SF+T. ............................................................. 39
Ta"la 21. Temperatura r@gimen permanente c/mara termogr/-ica *SF+T. .............................. 41
Ta"la 22. $omparati7a en condiciones nominales de -uncionamiento. ......................................... 43

6/49
2
Ta"la 23. $omparati7a %&BT 9 *SF+T< caractersticas generales de rendimiento. ...................... 44
Ta"la 24. $omparati7a T:4. ............................................................................................................ 45
Ta"la 25. $omparati7a de e7oluci#n de temperatura. ................................................................... 46
Ta"la 26. $omparati7a c/mara termogr/-ica .................................................................................. 47

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Innovacin y Tecnologa
Memoria Tnia !u"#i$ia#iva del %ro&e#o I%T'120000'2010'013
Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"
1) +B!,TI-+S
+l o"!eti7o -undamental es 7alidar el@ctrica ) t@rmicamente un con7ertidor cu)o m#dulo de
potencia est/ "asado en tecnologa de car"uro de silicio con semiconductores *SF+T. Adem/s<
tam"i@n se 7alidar/n una serie de componentes pasi7os ,ue Ban sido diseCados espec-icamente
para esta aplicaci#n por los socios &rupo 5=+* ) T4D?+5$*S. Tanto el con7ertidor como los
citados componentes pasi7os Ban sido dimensionados para las ele7adas e9igencias de operaci#n
,ue se re,uieren para el uso de esta nue7a tecnologa.
+l e,uipo tiene como o"!eti7o principal alcan.ar una potencia nominal de 76 2E a una
-recuencia de conmutaci#n de 26 2:. usando los -iltros proporcionados.
4e"ido a ,ue la tecnologa de Si$ es una tecnologa aun en 7as de desarrollo se Ba optado por
reali.ar un primer monta!e del con7ertidor con semiconductores con7encionales de silicio para
7alidar todos los elementos del con7ertidor antes de reali.arse los ensa)os en el con7ertidor
completo.
5ara poder cumplir con el o"!eti7o de 7alidar el con7ertidor ) los -iltros diseCados es necesario
lle7ar a ca"o las siguientes tareasF
1. >alidaci#n de los siguientes elementosF
$omunicaciones
:ard3are ) so-t3are de control
5rotecciones :ard3are ) So-t3are
Sistema de controlF m/,uina de estados ) algoritmos de control
So-t3are de monitori.aci#n
Sistema de adaptaci#n de medidas
Alimentaci#n del e,uipo
Sistema de precarga
Filtro de =ed

0/49
Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"
2. &enerar los principales resultados ) caracteri.ar el con7ertidor de potencia para la
tecnologa de Si '%&BT(< con o"!eti7o de utili.ar los resultados como comparaci#n con la
nue7a tecnologa Si$. Adem/s de pro"ar la "ancada de prue"a ,ue se usar/ con los
*SF+Ts.
3. >alidar el -uncionamiento de la "ancada ) el con7ertidor reali.ado para el stac2 de
potencia "asado en semiconductores de Si$.
4. $ompro"ar el correcto -uncionamiento de los dri7ers diseCados ) -a"ricados
espec-icamente para la tecnologa Si$ en una "ancada de prue"as de conmutaci#n. +ste
monta!e proporcionar/ tam"i@n una primera comparati7a entre las tecnologas %&BT/Si$.
5. $ompro"ar la ro"uste. del diseCo mec/nico del armario ) monta!e del mismo.

9/49
Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"
2) .ARA.T,R/STI.AS %RI0.I%AL,S 1,L SIST,MA
2)1) 1e"ri2i3n B4"ia de la Ar5ui#e#ura
+l con7ertidor de electr#nica de potencia utili.ado para reali.ar las prue"as de e-ecti7idad de la
nue7a tecnologa es compuesto por dos in7ersores tri-/sicos "ini7el en con-iguraci#n espalda
contra espalda 'bac. to bac.(. +n la Figura 1 se muestra un es,uema de la con-iguraci#n
seleccionada.

Figura 1. Topologa del Sistema.
A am"os lados del con7ertidor se incorpora un -iltro compuesto por componentes pasi7os. +n el
lado del recti-icador se incorpora una inductancia tri-/sica< mientras ,ue en el lado del in7ersor
se incorpora un -iltro ;$;. Am"os -iltros permiten reducir el ni7el de arm#nicos en la corriente
in)ectada por el con7ertidor.
;as caractersticas de los -iltros pasi7os ; ) ;$; ser/n distintas para las tecnologas Si ) Si$< de esta
manera los 7alores de los -iltros pasi7os son presentados en el apartado de cada tecnologa.
2)2) ,"2ei$iaione" Generale" del Si"#ema
+l e,uipo -unciona a una potencia acti7a de 76 2E.
;a tensi#n del con7ertidor de entrada ) salida sonF 466 >A$.
Am"os e,uipos con tecnologa Si ) Si$< son alimentados por una -uente tri-/sica.

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Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"
3) BA0.A1A 1, %RU,BAS 1, .+0MUTA.I60
3)1) 1e"ri2i3n
3)1)1) Objetivo de las Pruebas
;a "ancada tiene como o"!eti7o testear parte del e,uipo< pro"ando el disparo de uno de los
componentes de potencia ) su correspondiente dri7er< para as 7eri-icar su correcto
-uncionamiento antes de implmetarlos en el con7ertidor tri-/sico completo.
Adem/s< estas prue"as proporcionar/n in-ormaci#n acerca de las conmutaciones< p@rdidas )
ruido producido en el sistema completo de control.
5ara esto se lle7an a ca"o prue"as de disparos a corriente ) tensi#n nominales del e,uipo so"re
una "ancada con am"as tecnologas Si/Si$. Adem/s de 7alidar el -uncionamiento de los
componentes< estas prue"as permiten esta"lecer una comparati7a entre las dos tecnologas.
Se reali.ar/n tres tipos de prue"asF
1. $onmutaci#n semiconductor %&BT S+iG363&B12+4s de Semi2ron con dri7er SD15+=
325=* = de Semi2ron.
2. $onmutaci#n semiconductor *SF+T HI41216667 de 5o3ere9 con dri7er B&2B J
>;A564?61 de 5o3ere9.
3. $onmutaci#n semiconductor *SF+T HI41216667 de 5o3ere9 con dri7er SD15+= 325=*
= de Semi2ron.
Todas las prue"as se reali.aran a temperatura am"iente ) a condiciones nominales de potencia.
3)1)2) Descripcin de la Bancada
;a "ancada para reali.ar las prue"as de conmutaci#n est/ compuesta por una pastilla de Si/Si$
con una carga resisti7a en la salida.
+n la Figura 2 se muestra un es,uema de la con-iguraci#n seleccionada para la "ancada. Se
detallan los elementos de medida ) los instrumentos utili.ados.

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Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"

Figura 2. Topologa de la Bancada.

+n la siguiente imagen se muestra el monta!e ,ue se Ba reali.adoF

Sistema de
Proteccin
Resistencia
R

Bobina
L
DC-LINK
Semiconductor
+ driver
Sonda de
Corriente
Sonda de
Tensin
Sistema
de Control

Sistema de
Ventilacin

Figura 3. onta!e de "ancada de conmutaci#n.
3)1)3) Instrumentos y Sistemas de Medida
5ara reali.ar las prue"as con la "ancada se Ban usado los instrumentos de medidas como se
muestran en detalle en la Figura 2 ) 7,rror8 0o "e enuen#ra el ori9en de la re$erenia).

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Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"
5ara la 7alidaci#n de las prue"as de la "ancada se Ban utili.ado los siguientes instrumentos )
e,uiposF
Kn 5$ para el control de la "ancada a ensa)ar< con -unci#n de coordinar los disparos ) de
programar el 4S5 ) la F5&A utili.ados en las prue"as de la "ancada.
Kn polmetro con capacidad para medir Basta 1666 >4$. edir/ la tensi#n en el 4$?;%8D.
Kn osciloscopio Te2troni9< odelo T5S 2624 de cuatro canales aislado con tensi#n de
aislamiento a tierra mnima de 1666 >.
Kna sonda de alta tensi#n para osciloscopio.
Kna sonda de corriente de Basta 366 A de pico con tensi#n de aislamiento mnima de
1666 >.
Fuentes de potencia 4$.
3)2) %rue*a" on IGBT"
3)2)1) Condiciones del ensayo
;as caractersticas t@cnicas del %&BT ) del ensa)o se muestran en la Ta"la 1.
%ar4me#ro -alor Unidad
Ten"i3n m4:ima en on#inua 1266 >
.orrien#e de 2io m4:ima 966 A
Ten"i3n 1. 066 >
Freuenia onmu#ai3n 1 :.
1u#&'&le 6<661 L
Ta"la 1. $aractersticas de la Bancada con %&BT.

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Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"
3)2)2) Resultados

Pruebas a corriente nominal:
+n la siguiente ta"la se muestran los resultados o"tenidos a corriente nominal !unto con la
le)enda de las seCales representadas.
%rue*a" a orrien#e nominal 1 ;<
.a2#ura de o"ilo"o2io Le&enda de "=m*olo"

.anal .olor Medida
.;1 8aran!a
SeCal de disparo en
dri7er
.;2 $)an
$ada de tensi#n en la
resistencia
.;3 >ioleta
$ada de tensi#n en
%&BT
.;4 >erde $orriente por el %&BT

Ta"la 2. $orriente nominal con %&BT ) dri7er de Semi2ron.
Se o"ser7a un retraso entre la seCal $:1 'Sonda de tensi#n< comando inicial del disparo( ) $:3
'Sonda de tensi#n< disparo e-ecti7o en el %&BT( de 3<75 Ms. +sto es de"ido al tiempo de respuesta
del %&BT. Se o"ser7a tam"i@n en la seCal $:4 'Sonda de corriente( un pico de corriente a -inali.ar
el disparo de la seCal $:3 'Sonda de tensi#n en el %&BT(< de"ido a las p@rdidas propias del %&BT.
Pruebas a tensin nominal:
+n la Ta"la 3. Tensi#n nominal con %&BTse muestra en detalle un disparo del %&BT a -recuencia de
1 :.< en la cual se emula la tensi#n nominal del e,uipo de potencia. +ste resultado comprue"a
,ue el con!unto %&BT ) dri7er< es capa. de suministrar la tensi#n necesaria para el e,uipo.

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Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"
%rue*a" a #en"i3n nominal 1 ;<

.anal .olor Medida
.;1 8aran!a
SeCal de disparo en
dri7er
.;2 $)an
$ada de tensi#n en la
resistencia
.;3 >ioleta
$ada de tensi#n en el
%&BT
.;4 >erde $orriente por el %&BT

Ta"la 3. Tensi#n nominal con %&BT ) dri7er de Semi2ron.
3)3) %rue*a" on M+SF,T" & 1river %o(ere:
;as caractersticas t@cnicas del *SF+T ) de los dos ensa)os a distinta -recuencia se muestran en
la Ta"la 1 ta"laF
%ar4me#ro -alor Unidad
Ten"i3n m4:ima en on#inua 1266 >
.orrien#e de 2io m4:ima 256 A
Ten"i3n 1. 066 >
Freuenia onmu#ai3n 1 26D :.
1u#&'&le 6<661 6<61 L
Ta"la 4. $aractersticas de la "ancada con *SF+T ) 5o3ere9.

15/49
Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"
3)3)2) Resultados
,n"a&o 1

Pruebas a corriente nominal:
+n la siguiente ta"la se muestra en detalle un disparo del *SF+T a -recuencia de 1 :.< en la cual
se emula la corriente nominal del e,uipo de potencia. +ste resultado comprue"a ,ue el con!unto
*SF+T ) dri7er< es capa. de suministrar la corriente necesaria para el e,uipo.
%rue*a" a orrien#e nominal 1 ;<

.anal .olor Medida
.;1 8aran!a
SeCal de disparo en
dri7er
.;2 $)an
%&BT
.;3 >ioleta $orriente por el %&BT

Ta"la 5. $orriente nominal con *SF+T ) dri7er de 5o3ere9.
Se o"ser7a un retraso entre la seCal $:1 'Sonda de tensi#n< comando inicial del disparo( ) $:3
'Sonda de tensi#n< disparo e-ecti7o en el *SF+T( de 1<25 Ms. +sto es de"ido al tiempo de
respuesta del *SF+T. Se o"ser7a tam"i@n en la seCal $:3 'Sonda de corriente( un pico de
corriente a -inali.ar el disparo de la seCal $:3 'Sonda de tensi#n en el *SF+T(< de"ido a las
p@rdidas propias del *SF+T.

16/49
Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"
Pruebas a tensin nominal:
+n la siguiente ta"la se muestra en detalle un disparo del *SF+T a -recuencia de 1 :.< en la cual
se emula la tensi#n nominal del e,uipo de potencia. +ste resultado comprue"a ,ue el con!unto
*SF+T ) dri7er< es capa. de suministrar la tensi#n necesaria para el e,uipo.
%rue*a" a #en"i3n nominal 1 ;<

.anal .olor Medida
.;1 8aran!a
SeCal de disparo en
dri7er
.;2 $)an
*SF+T
.;3 >ioleta
$orriente por el
*SF+T

Ta"la 6. Tensi#n nominal con *SF+T ) dri7er de 5o3ere9.
,n"a&o 2
+n la se muestra en detalle un disparo del *SF+T a -recuencia de 26 2:.< en la cual se emula la
corriente nominal del e,uipo de potencia a su disparo nominal. +ste resultado comprue"a ,ue el
con!unto *SF+T ) dri7er< es capa. de suministrar la corriente a disparo nominal necesaria para
el e,uipo.

17/49
Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"
%rue*a" a orrien#e nominal 20 >;<

.anal .olor Medida
.;1 8aran!a
SeCal de disparo en
dri7er
.;2 $)an
4isparo de otro *SF+T
en 7aco
.;3 >ioleta
*SF+T
.;4 >erde
$orriente por el
*SF+T

Ta"la 7. $orriente nominal con *SF+T ) dri7er de 5o3ere9 a -recuencia de 26 2:..
Se o"ser7an dos disparos consecuti7os so"re el *SF+T. +n la seCal $:1 'Sonda de tensi#n<
comando inicial del disparo( ) $:3 'Sonda de tensi#n< disparo e-ecti7o en el *SF+T( el tiempo
entre un disparo ) otro es de 56 Ms< compro"ando ,ue la -recuencia del disparo es de 26 2:.
siendo el sistema *SF+T N dri7er apto para los re,uerimiento del e,uipo.
Se o"ser7a tam"i@n en la seCal $:2 'Sonda de tensi#n( un pe,ueCo pico al cierre del disparo del
*SF+T. +sto es de"ido al ruido inducido de un con!unto dri7er?*SF+T so"re el otro con
disparos a alta -recuencia. +ste ruido es su-iciente para a-ectar al -uncionamiento del sistema< por
lo ,ue se "usca una soluci#n de los dri7ers?*SF+Ts para el correcto -uncionamiento del e,uipo.
3)3)3) Problemas con el driver de Powerex

$omo se o"ser7a en la ta"la anterior< se o"tiene un alto ni7el de ruido con la -recuencia de
conmutaci#n a 26 2:.. +s comOn ,ue para sistemas con gran -recuencia de conmutaci#n se
o"tengan altos ni7eles de ruido. 8o o"stante< todo el sistema de adaptaci#n de la seCal desde del
comando de la F5&A Basta el disparo -inal producido por el dri7er< tiene componentes
responsa"les de e7itar la propagaci#n del ruido.

10/49
Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"
A continuaci#n se presentan una serie de capturas con el o"!eti7o de detallar los pro"lemas de
ruido ,ue se presentan al conmutar a alta -recuenciaF
Ima9en 1 ? 1i"2aro 9eneral Ima9en 2 ? 1i"2aro en de#alle

Ima9en 3 ? Ruido induido "o*re o#ro driver Le&enda de "=m*olo"
.anal .olor Medida
.;1 8aran!a
*SF+T
.;2 $)an
$orriente por el
*SF+T
.;3 >ioleta
SeCal de disparo en
otro dri7er
.;4 >erde
4isparo de otro
*SF+T en 7aco

Ta"la 0. $aracteri.aci#n del ruido o"tenido con el dri7er de 5o3ere9.

+n la %magen 1 se puede o"ser7a un disparo en el *SF+T con el dri7er de 5o3ere9< se aprecia
,ue el ruido generado a-ecta a la seCal de apertura< pro7ocando un mal -uncionamiento en el
m#dulo de potencia.

19/49
Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"
+n la %magen 2 se o"ser7a en detalle el ruido producido< se o"ser7a como el comando de
apertura del *SF+T no es instant/neo< generando una oscilaci#n en la seCal de apertura del
m#dulo de potencia< esta oscilaci#n puede a-ectar tam"i@n a otras seCales de disparo de otros
dri7ers< siendo la amplitud alcan.ada capa. de acti7ar otros m#dulos< con el incon7eniente ,ue
esto conlle7a 'daCos en el e,uipo ) en los *SF+Ts(. +ste detalle se puede o"ser7ar en la seCal
$:4 de la %magen 3< donde se monitori.a la salida del disparo de otro dri7er ,ue se 7e a-ectado.
4e"ido a la cantidad de ruido o"tenida en un disparo e-ecti7o ) la constataci#n de ,ue este ruido
es capa. de a-ectar al dri7er de otra pastilla< se decide por cam"iar el dri7er propuesto de
5o3ere9 espec-ico para el *SF+T por el dri7er de Semi2ron SD15+= 325=* = con adaptaciones
para el *SF+T.
Se selecciona este dri7er de"ido a ,ue proporciona protecciones -rente a los tipos de errores ,ue
se Ban encontrado. ;as protecciones ,ue tiene el SD15+= 325=* = de Semi2ron ,ue son Otiles
para la aplicaci#n sonF
Supresi#n de 5ulso nimoF 5rotege el *SF+T contra disparos espurios 'ruido(.
Tratamiento de FallosF 5rotege contra disparos inde"idos< imposi"ilitando ,ue en un
m#dulo de potencia se accione por un disparo el T*5 ) el B*TT* a la 7e..
5rotecci#n contra $orto $ircuitoF Blo,uea el dri7er por cual,uier corto circuito<
protecci#n por so"recorriente.
$on estas protecciones del dri7er ) con -erritas puestas en el e,uipo se pretende reducir el e-ecto
generado por el ruido.
3)4) %rue*a" on M+SF,T" & 1river de Semi>ron S@A%,R 32%R+ R
+n este nue7o estudio del *SF+T con el dri7er de SD15+= 325=* = se pretenden repetir las
prue"as anteriormente reali.adas en el ensa)o 2 con el dri7er de 5o3ere9< ,ue se puede 7er en
el apartado 3.3.1< de tal -orma ,ue se pueda garanti.ar ,ue el pro"lema re-erente al ruido es
su"sanado.
3)4)2) Resultados
+n la Ta"la 97,rror8 0o "e enuen#ra el ori9en de la re$erenia) se muestra en detalle un disparo
del *SF+T para una -recuencia de 26 2:.< en la cual se emula un disparo del e,uipo de
potencia.

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Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"
%rue*a" a orrien#e nominal 20 >;<

.anal .olor Medida
.;1 8aran!a
$ada de tensi#n
en el *SF+T
.;2 $)an
$orriente por el
*SF+T
.;3 >ioleta
SeCal de disparo
en otro dri7er
.;4 >erde
4isparo de otro
*SF+T en 7aco

Ta"la 9. $orriente nominal con *SF+T ) el dri7er 0de Semi2ron.
Teniendo en cuenta ,ue el ruido es proporcional a la tensi#n aplicada so"re los m#dulos de
potencia< se pretende con esta prue"a compro"ar ,ue el ruido )a no a-ecta directamente al
-uncionamiento del e,uipo.
5ara esto se reali.a una comparaci#n directa entre los dos dri7ers pro"ados con el *SF+T< dicBa
comparaci#n se muestra en la Ta"la 16.

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Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"
.olumna 1 ? 1i"2aro 9eneral .olumna 2 ? 1i"2aro en de#alle
1RI-,R %+B,R,C

1RI-,R %+B,R,C

1RI-,R S,MI@R+0

1RI-,R S,MI@R+0

Ta"la 16. $omparati7a entre los dos dri7ers pro"ados con el *SF+T.
+n la imagen anterior se o"ser7a una gran me!ora con los dri7ers de Semi2ron en el ruido
producido por la apertura del m#dulo de potencia en alta tensi#n. +sto es de"ido a ,ue el nue7o
dri7er tiene un me!or aislamiento -rente al ruido para disparos de alta -recuencia< estas
caractersticas Ban ,uedado e9plicadas anteriormente en el apartado 3.3.3.
$a"e destacar el uso de -erritas en este segundo ensa)o< instal/ndose en todos los disparos de
los m#dulos de potencia< lo ,ue -a7orece los resultados o"tenidos atenuando la propagaci#n de
ruidos por el sistema.

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Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"
Finalmente se o"ser7a ,ue persiste un pe,ueCo ruido tras las modi-icaciones aplicadas<
compro"/ndose c#mo este no es su-iciente para a-ectar al -uncionamiento del sistema< por lo
,ue se comprue"a ,ue el grupo de dri7ers S+%D=*8?*SF+Ts es apto para el -uncionamiento
en el e,uipo.
3)D) .om2ara#iva de Tenolo9=a"
5ara comparar las tecnologas se utili.ar/n los resultados o"tenidos en los apartados anteriores.
+s importante resaltar ,ue utili.amos los mismos componentes pasi7os para ,ue la comparaci#n
sea 7/lida.
+n la Figura 4 se muestra en detalle el disparo de am"as tecnologas a -recuencia de 1 :.< en la
cual se emula la corriente nominal del e,uipo de potencia.

IGBT

M+SF,T
Figura 4. $omparaci#n entre tecnologas %&BT 'Si( ) *SF+T 'Si$(.
+n las dos im/genes se pude o"ser7ar un retraso entre la seCal $:1 'Sonda de tensi#n< comando
inicial del disparo( ) $:2 'Sonda de tensi#n< disparo e-ecti7o(< siendo signi-icati7amente menor
el retraso en la tecnologa *SF+T 'retraso de %&BT de 3<6 Ms ) *SF+T de 1<25 Ms(. +sto es
de"ido al tiempo de respuesta del semiconductor< compro"ando como esper/"amos ,ue la
tecnologa *SF+T -uera menor. +ste tiempo de respuesta a-ecta directamente a la e-iciencia del
e,uipo.
Se o"ser7a tam"i@n en la seCal $:4 'Sonda de corriente( como la corriente tarda un tiempo en
ponerse a cero tras -inali.ar el disparo de la seCal $:3 'Sonda de tensi#n(< esta corriente est/
relacionada directamente con la potencia disipada en la conmutaci#n< ) por tanto con las

Re#ra"o

%rdida"

Re#ra"o

%rdida"

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Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"
p@rdidas del semiconductor. Se comprue"a como para la tecnologa *SF+T las p@rdidas son
menores ) se pretende o"tener un me!or rendimiento general del e,uipo.

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((()*2*'"i)e"
4) BA0.A1A 1, %RU,BAS .+0-,RTI1+R
4)1) +*je#ivo"
>alidaci#n el@ctrica ) t@rmica tanto de la parte del recti-icador como del in7ersor -uncionando a
una potencia nominal de 76 2E< usando tecnologa con7encional de Si ) en Si$. $
$omunicaciones
:ard3are ) so-t3are de control
5rotecciones :ard3are ) So-t3are
Sistema de controlF m/,uina de estados ) algoritmos de control
So-t3are de monitori.aci#n
Sistema de adaptaci#n de medidas
Alimentaci#n del e,uipo
Sistema de precarga
Stac2 de potencia
Filtros
4)2) .om2onen#e"
;a "ancada de prue"as empleada para la 7alidaci#n del e,uipo se puede o"ser7ar en la 7,rror8
0o "e enuen#ra el ori9en de la re$erenia). ;os elementos empleados son los siguientesF
$on7ertidor espalda contra espalda 'Bac2 to Bac2(.
Filtro ; ) Filtro ;$;.
+l e,uipo "a!o prue"as se encuentra conectado a la -uente tri-/sica< ,ue emula una red
el@ctrica.
Se emplea como protecci#n de la "ancada un magnetot@rmico.

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Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"

Figura 5. +s,uema de la "ancada de prue"as.
IGBT M+SF,T
L1 6<42 m: 6<7 m:
L2 6<42 m:
-
L3 6<75 m: 6<5 m:
L4 6<1 m: 6<65 m:
.F 226.6 MF 56.6 MF
Ta"la 11. ;e)enda de los -iltros utili.ados< e,uipo %&BT ) *SF+T.
4)3) .ondiione" de en"a&o
;as condiciones nominales de ensa)o se e9ponen a continuaci#nF
Temperatura am"iente.
5otencia 8ominalF 76 2E.
Tensi#n de A$ entradaF 466>rms.
Tensi#n de A$ salidaF 466>rms.
Tensi#n de 4$F 066 >4$.
*sciloscopio Te2troni9< odelo T5S 2624.
$a"les conectados en =ecti-icadorF Tensi#n de Fase = ) $orriente de Fase =.

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Anualidad 2012 2
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$a"les conectados en %n7ersorF Tensi#n de Fase T ) $orriente de Fase T.

4)4) In"#rumen#o"
5ara la reali.aci#n de las prue"as de 7alidaci#n se utili.# los siguientes instrumentos ) e,uiposF
4os 5$ para la monitori.aci#n 'so-t3are de ;a"7ie3( ) control del e,uipo a ensa)ar
'$ontrol 4S5(.
Kn polmetro con capacidad de medir Basta 1666 >4$.
Kn osciloscopio de al menos dos canales aislados< tensi#n de asilamiento a tierra mnima
1666 >.
$uatro sondas de alta tensi#n para osciloscopio.
edici#n de temperaturaF
Kn medidor de temperatura F;KD+ con termopar integrado< modelo 109/F>F2
ultmetro F;KD+< con so-t3are integrado Flu2e?>ie3 3.2.
4os sensores 8T$< modelo 8T$AS$E+3162I< >isBa)< integrados en el e,uipo.
$/mara termo?gr/-ica< modelo F;KD+ Ti9< TBermal %mager.
4os 5in.as amperim@tricas para A$ ) 4$ con rango de medida de Basta 366 A.
Aislamiento mnimo re,ueridoF 1666 >.
Kn anali.ador de red de alta precisi#n 'clase 6<2 m/9imo(< con 6 canales de medida<
modelo 1o2oga3a ET1666< con sus pin.as de corriente ) tensiones.
Sensores de corriente de Basta 366 A de pico< clase 6.2< tensi#n de aislamiento mnima
1666>.

4)4)1) Sistema de Monitori!acin
5ara el sistema de monitori.aci#n se utili.a el so-t3are de ;AB>%+E< con un programa generado
especialmente para el control ) mane!o del e,uipo de B2B.
+n la Figura 6 se muestra en detalle la inter-ace del usuario implantada para el control del e,uipo
de potencia.

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Anualidad 2012 2
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Figura 6. %nter-a. del usuario para el control del e,uipo B2B.
+l e,uipo B2B tiene distintas operaciones necesarias para su -uncionamiento< en la Figura 7 se
muestra en detalle las etapas necesarias para el control del e,uipo.
$on $ontrol
Sin $ontrol
+==*=
%niciali.aci#n
=+A=+
+8$;A>A4*
,rrore"
+stado =eposo
5recarga A$
=+4
5recarga 4$
BKS
arcBa
=ecti-icador
arcBa
%n7ersor
%niciali.aci#n
+stado =eposo
5recarga A$ =+4
5recarga 4$ BKS
=ecti-icador *8
%n7ersor *8
=K8
"stados #$ Salidas
+stado =eposo

Figura 7. /,uina de +stados del e,uipo B2B.

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Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"
4)4)2) Sistema de Medidas
5ara las medidas de rendimiento< T:4 ) -actor de potencia se precisa del monta!e de dos
anali.adores de red< el es,uema general de cone9ionado del mismo es el siguienteF

Figura 0. Topologia de la "ancada de prue"as con el 1o2oga3a.
+l cone9ionado del anali.ador de red reali.ado est/ de acuerdo a la Figura 0. Se Ban medido las
tensiones ) corrientes =< S ) T a la salida ) entrada del con7ertidor "ac2 to "ac2 con el 1o2oga3a
ET1666.
4)D) Medida" de Rendimien#o
+l o"!eti7o de esta medida es la determinaci#n de la e-iciencia de la con7ersi#n de potencia de
corriente alterna del generador a corriente continua ) de esta a corriente alterna a distintos
7alores de tensi#n 4$. +l tanto por ciento de la potencia de salida en -unci#n de la potencia de
entrada es el rendimiento total de la m/,uina.
EFG H 100IE%o#enia Salida A.J%o#enia A. ,n#radaG
+l c/lculo de rendimiento europeo '
e
( se reali.a mediante una serie de medidas de rendimiento
a distintos ni7eles de potencia segOn la siguiente -#rmulaF

e
H E0)03I EDFGK0)0LI E10FGK0)13I E20FGK0)1I E30FGK0)4MI ED0FG K0)2I E100FGGI100

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Anualidad 2012 2
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+l c/lculo del rendimiento de cali-ornia '
e
( se reali.a mediante una serie de medidas de
rendimiento a distintos ni7eles de potencia segOn la siguiente -#rmulaF

.,.
H 0)04I E10FGK0)0DI E20FGK0)12I E30FGK0)21I ED0FG
K0)D3I ENDFGK0)0DI E100FGGI100

4)L) Medida de 1i"#or"i3n Arm3nia ET;1G
Se Ban reali.ado las medias del T:4 de las corrientes alternas de las tres -ases de la parte de
salida 'red(. +l T:4 se limita en orden de arm#nicos a 46.

4)N) Medida" de alen#amien#o
4)N)1) %ermopar &lu'e y sondas (%C
ediante las 8T$ se calcular/n las temperaturas en los semiconductores mientras con el
termopar se o"tendr/ la del 4$?lin2 tal ) como se muestra en la siguiente -iguraF

NTC - Visa!
Termo"ar #lu$e%

Figura 9. Sondas 4isipadores Stac2 de 5otencia.

4urante la prue"a se Ban monitori.ado el 7alor de las resistencias 8T$ situadas en cada
uno de los stac2s.

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Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"
+l terminal del termopar se sitOa Baciendo contacto con el dispositi7o del cual se ,uiere medir la
temperatura. +n este caso< se Ba situado en el terminal de uno de los semiconductores de la
parte del in7ersor ) del recti-icador.

4)N)2) C)mara termo#*r)+ica
ediante el uso de la c/mara termo?gr/-ica se monitori.ar/ la temperatura de los siguientes
elementosF
;a super-icie de los semiconductores de cada stac2 de potencia para la prue"a< desde el
momento inicial Basta el -inal de la prue"a de potencia< las -otos ser/n sacadas cada 36
minutos.
;a super-icie general del Armario< o"teniendo la e7oluci#n de la temperatura por toda la
super-icie del $on7ertidor.

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Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"
D) .+0-,RTI1+R B2B .+0 T,.0+L+G/A IGBT
+l con7ertidor con el stac2 de potencia "asado en tecnologa %&BT se Ba puesto en marcBa para
poder 7alidar los elementos :E P SE para el con7ertidor diseCado< la "ancada de prue"as ,ue
Ba sido construida ) tam"i@n para poder comparar una tecnologa de semiconductores ,ue )a
est/ implementado con otra tecnologa ,ue se Bar/ rele7ante a medio pla.o.
D)1) Re"ul#ado" medida" o"ilo"o2io
+n la siguiente ta"la se presentan las capturas o"tenidas en condiciones nominales de
-uncionamientoF

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Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"
Re"ul#ado" en ondiione" nominale" de $unionamien#o
Le&enda de "=m*olo"

.anal .olor Medida
.;1 8aran!a Tensi#n -ase recti-icador
.;2 $)an $orriente in7ersor
.;3 >ioleta $orriente en recti-icador
.;4 >erde Tensi#n -ase in7ersor
.a2#ura" lado inver"or .a2#ura" lado re#i$iador

Ta"la 12. =esultados osciloscopio %&BT

4e las gr/-icas anteriores se puede compro"ar ,ue se alcan.a apro9imadamente unos 69 2E de
potencia.

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Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"
D)2) Re"ul#ado" medida" del Ao>o9a(a
A continuaci#n se muestran las capturas o"tenidas en el anali.ador de red para condiciones
nominales de -uncionamientoF
.a2#ura" de Ao>o9a(a en ondiione" nominale" de $unionamien#o
-alore" medido" Forma" de onda 2or $a"e

Ta"la 13. =esultados 1o2oga3a %&BT

D)3) Re"ul#ado" de rendimien#o
+n la siguiente ta"la se muestra el resultado para las prue"as de rendimiento reali.adas al
con7ertidorF

%o#enia
re$erenia
%o#enia
e5ui2o
M00 -
1.

Rendimien#o #o#al O#o#al EFG
N0 60<2 97<6573L
D2,D 52<0 96<4661L

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Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"
3D 35<1 96<3356L
21 21<4 96<1272L
14 14<4 95<7664L
N 7<2 93<6616L
3,D 3<04 91<2212L
O#o#alP.,.
EFG
QL,2DF
O#o#alP, EFG
QL,3MF
4$
?lin2 %&BT.

D)4) Re"ul#ado" re9i"#ro" del T;1

+l c/lculo del T:4 para condiciones nominales con 066 > en 4$?lin2 se muestra en la siguiente
ta"la para condiciones nominales de -uncionamiento. ;os dem/s resultados se muestran en el
ane9o % en el punto 7,rror8 0o "e enuen#ra el ori9en de la re$erenia).

M00-
1.
R S T
.orrien#e
EFG
.orrien#e
EFG
.orrien#e
EFG
T;1 EFG 4,N4 4,QL 4,02
4$
%&BT.

D)D) %rue*a de .alen#amien#o en R9imen %ermanen#e
D)D)1) Resultados Obtenidos Sensores (%C

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Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"
4urante la prue"a se Ba monitori.ado el 7alor de las resistencias 8T$ situadas en cada uno de los
stac2s. Se Ban tomado 7alores cada 36 minutos. A partir de estos 7alores se puede sacar la
temperatura ,ue corresponde a cada 7alor #Bmico mediante una relaci#n proporcionada por el
-a"ricante. ;a e7oluci#n temporal de la temperatura se muestra en la siguiente gr/-icaF

Figura 16. +7oluci#n de la temperatura. 8T$ %&BT.

D)D)2) Resultados Obtenidos Sensor %ermopar &lu'e
+n la siguiente ta"la se muestran las mediciones de temperaturas ,ue Ban sido reali.adas con el
termopar del Flu2e.

Figura 11. +7oluci#n temperatura termopar Flu2e *SF+T

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Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"
D)D)3) Resultados Obtenidos por la C)mara %ermo#,r)+ica
;os resultados ,ue se muestran son para las temperaturas en r@gimen permanente< con el
e,uipo a 76 2E despu@s de un tiempo de -uncionamiento de 126 minutos.

Tem2era#ura r9imen 2ermanen#e 4mara #ermo9r4$ia
,5ui2o om2le#o Lado re#i$iador

Lado inver"or

Ta"la 16. Temperatura r@gimen permanente c/mara termogr/-ica %&BT.

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Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"
L) .+0-,RTI1+R B2B .+0 T,.0+L+G/A M+SF,T
L)1) Re"ul#ado" medida" o"ilo"o2io
+n la siguiente ta"la se presentan las capturas o"tenidas en condiciones nominales de
-uncionamientoF
Le&enda de "=m*olo"

.anal .olor Medida
.;1' I<5uierda 8aran!a Tensi#n de -ase in7ersor
.;2'I<5uierda >erde $orriente in7ersor
.;1' 1ereRa 8aran!a Tensi#n de lnea recti-icador
.;2' 1ereRa >erde $orriente recti-icador
.a2#ura" lado inver"or .a2#ura" lado re#i$iador

Ta"la 17. =esultados osciloscopio *SF+T

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Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"
L)2) Re"ul#ado" medida" del Ao>o9a(a
A continuaci#n se muestran las capturas o"tenidas en el anali.ador de red para condiciones
nominales de -uncionamientoF
.a2#ura" de Ao>o9a(a en ondiione" nominale" de $unionamien#o
-alore" medido" Forma" de onda 2or $a"e

Ta"la 10. =esultados 1o2oga3a *SF+T

L)3) Re"ul#ado" de rendimien#o
+n la siguiente ta"la se muestra el resultado para las prue"as de rendimiento reali.adas al
con7ertidorF

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Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"

%o#enia
re$erenia E>BG
%o#enia
e5ui2o E>BG
1.'Lin>S M00 -
1.

Rendimien#o #o#al O#o#al EFG
N0 67<9 99<20 L
D2,D 51<0 90<97 L
3D 34<1 90<13 L
21 26<0 97<72 L
14 13<9 96<27 L
N 6<7 94<01 L
3,D 3<4 93.25 L
O#o#alP.,.
EFG
QM,3LF
O#o#alP, EFG
QM,D0F
4$
?lin2 *SF+T.

L)4) Re"ul#ado" re9i"#ro" del T;1
+l c/lculo del T:4 para condiciones nominales con 066 > en 4$?lin2 se muestra en la siguiente
ta"la para condiciones nominales de -uncionamiento.
M00-
1.
R S T
.orrien#e
EFG
.orrien#e
EFG
.orrien#e
EFG
T;1 EFG L,D4 L,LL L,N2
4$
*SF+T.

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Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"
L)D) %rue*a de .alen#amien#o en R9imen %ermanen#e
L)D)1) Resultados Obtenidos Sensores (%C
4urante la prue"a se Ba monitori.ado el 7alor de las resistencias 8T$ situadas en cada uno de los
stac2s. Se Ban tomado 7alores cada 36 minutos. A partir de estos 7alores se puede sacar la
temperatura ,ue corresponde a cada 7alor #Bmico mediante una relaci#n proporcionada por el
-a"ricante. ;a e7oluci#n temporal de la temperatura se muestra en la siguiente gr/-icaF

Figura 12. +7oluci#n de la temperatura. 8T$ *SF+T.

L)D)2) Resultados Obtenidos Sensor %ermopar &lu'e
+n la siguiente -igura se muestra la e7oluci#n de la temperatura usando el termopar de Flu2eF

Figura 13. +7oluci#n temperatura termopar Flu2e *SF+T

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Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"
L)D)3) Resultados Obtenidos por la C)mara %ermo#,r)+ica
;os resultados ,ue se muestran son para las temperaturas en r@gimen permanente< con el
e,uipo a 76 2E despu@s de un tiempo de -uncionamiento de 126 minutos.
Tem2era#ura r9imen 2ermanen#e 4mara #ermo'9r4$ia
,5ui2o om2le#o Lado re#i$iador

Lado inver"or

Ta"la 21. Temperatura r@gimen permanente c/mara termogr/-ica *SF+T.

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Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"
N) .+M%ARATI-A 1, T,.0+L+G/AS 1, M61UL+S 1, %+T,0.IA
+n este apartado se pretende comparar los resultados o"tenidos de las prue"as de las dos
tecnologas de semiconductores ,ue Ban sido implementadas en el con7ertidor< %&BT 'Si( )
*SF+T 'Si$(.
N)1) Re"ul#ado" o*#enido" de Ten"i3n & .orrien#e
+n la siguiente ta"la se muestra un resumen de los resultados o"tenidos con el osciloscopio ) con
el anali.ador de redF
.a2#ura" o"ilo"o2io IGBT .a2#ura" o"ilo"o2io M+SF,T

.a2#ura" Ao>o9a(a IGBT .a2#ura" Ao>o9a(a M+SF,T

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Anualidad 2012 2
((()*2*'"i)e"

Ta"la 22. $omparati7a en condiciones nominales de -uncionamiento.
A continuaci#n se reali.ar/ una comparati7a de los resultados o"tenidos con las distintas
tecnologasF
.om2ara#iva en#re #en"ione"S
5ara las dos tecnologas se puede o"ser7ar ,ue las conmutaciones de los m#dulos de potencia
generan arm#nicos ) p@rdidas en las transiciones superiores e in-eriores de la onda sinusoidal.
Se destaca la reducci#n de tamaCo de los -iltros empleados en el e,uipo con *SF+T< ,ue Ban
sido construidos espec-icamente para este pro)ecto.
.om2ara#iva en#re orrien#e"S
;a corriente generada por el *SF+T es de m/s calidad ,ue la generada con la tecnologa %&BT<
destacando un menor ri.ado en la tecnologa del *SF+T. 5ara este dato Ba) ,ue destacar ,ue
estas corrientes generadas son las in)ectadas a la =+4 tri-/sica.
+n la onda de corriente generada por el *SF+T se o"ser7a una pe,ueCa discontinuidad de"ida
a los tiempos muertos impuestos ) la seguridad implementada en los dri7ers utili.ados para
Bacer una transici#n m/s lenta.

N)2) Re"ul#ado" o*#enido" de Rendimien#o
+n la siguiente ta"la se muestra un resumen de los c/lculos de rendimiento ,ue se Ban o"tenido
en los ensa)osF

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((()*2*'"i)e"
%o#enia de
re$erenia E>BG
1.'Lin>S M00 -
1.

=endimiento total Qtotal 'L(

IGBT M+SF,T
N0 QN,0DN3F QQ,2M F
D2,D QL,4LL1F QM,QN F
3D QL,33D0F QM,13 F
21 QL,12N2F QN,N2 F
14 QD,N004F QL,2N F
N Q3,0L10F Q4,M1 F
3,D Q1,2212F Q3)2D F
O#o#alP, EFG QL,3MF QM,D0F
O#o#alP.,. EFG QL,2DF QM,3LF
Ta"la 23. $omparati7a %&BT 9 *SF+T< caractersticas generales de rendimiento.

$omo se Ba mostrado anteriormente< e9isten 7arios moti7os ,ue nos lle7an a un me!or
rendimiento con la tecnologa *SF+T 'Si$(. +stos se destacan en los siguientes puntosF
$alidad del controlR de"ido a la gran 7elocidad de conmutaci#n< se consigue un control
m/s preciso ) de me!ores prestaciones.
e!or respuesta de corriente o"tenida en relaci#n a la re-erenciaR este punto est/
ntimamente relacionado con el anterior< el incremento de precisi#n en el control Bace
,ue la cur7a de corriente tenga un menor ri.ado.
4e los resultados dados por 1o2oga3a a potencia nominal se o"ser7a como el
rendimiento de la tecnologa %&BT es del 97<43L< -rente a los 99<20L o"tenidos con los
*SF+T< esto corro"ora una de las principales 7enta!as esperadas con la nue7a
tecnologa de *SF+T 'Si$(.

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;as altas 7elocidades de conmutaci#n alcan.adas con esta tecnologa '26 2:.(< generan
un me!or rendimiento del e,uipo< sin o"tener so"recalentamiento de los m#dulos de
potencia. +s importante resaltar ,ue para las dos tecnologas se utili.# la misma
estrategia de control< por lo tanto la comparaci#n de rendimiento ,ue se o"tiene est/
directamente proporcional a la 7elocidad de conmutaci#n del e,uipo ) a las
caractersticas de las tecnologas implementadas.
Tanto el m@todo de c/lculo del rendimiento cali-orniano '
.,.
( o europeo '
e
(< muestra
,ue la tecnologa Si$ es superior -rente al con7encional Si< +ste BecBo lo Bace mu)
atracti7o para su uso en -uturos aplicaciones industriales

N)3) Re"ul#ado" de T;1
Se presentan los resultados de T:4 o"tenidos para una tensi#n de 4$?lin2 de 066 >.
T,.0+L+G/A R S T
.orrien#e
EFG
.orrien#e
EFG
.orrien#e
EFG
IGBT
4,N4 4,QL 4,02
M+SF,T
L,D4 L,LL L,N2
Ta"la 24. $omparati7a T:4.

+n relaci#n a las corrientes ,ue se o"tiene con *SF+T< como se o"ser7a en la Ta"la 17<
en la transici#n por cero se tiene una e9cesi7a distorsi#n de"ida a un e9ceso de tiempo
muerto ) seguridad en relaci#n al dri7er< de esta -orma se garanti.a el correcto
-uncionamiento del e,uipo a alta 7elocidad de conmutaci#n< pero por otro lado< aumenta
considera"lemente el 7alor del T:4.
+st/ transici#n lenta en el paso por cero es directamente proporcional al 7alor e9cesi7o
,ue se o"tiene de T:4.

N)4) Re"ul#ado" de Tem2era#ura o*#enido"
5ara la comparati7a de temperatura se Ba reali.ado tres di-erentes ensa)os dependiendo del
material de instrumentaci#n usadoF sensores 8T$< termopar del Flu2e ) $/mara Termo?gr/-ica

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N)4)1) Sensores (%C y termopar
+n la siguiente ta"la se presentan los resultados ,ue Ban sido o"tenidos en las prue"as de
temperatura reali.adas en apartados anterioresF
Re"ul#ado" de #em2era#ura) ,volui3n #em2oral en am*a" #enolo9=a")
,volui3n 0T. IGBT ,volui3n 0T. M+SF,T

,volui3n #ermo2ar Flu>e IGBT ,volui3n #ermo2ar Flu>e M+SF,T

Ta"la 25. $omparati7a de e7oluci#n de temperatura.

N)4)2) C)mara %ermo#,r)+ica
A continuaci#n se 7an a representar simult/neamente las im/genes ,ue Ban sido capturadas con
la c/mara termo?gr/-ica para condiciones de r@gimen permanente de temperatura.

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Re"ul#ado" de #em2era#ura) R9imen 2ermanen#e en am*a" #enolo9=a")
Lado inver"or IGBT Lado inver"or M+SF,T

Lado re#i$iador IGBT Lado re#i$iador M+SF,T

Ta"la 26. $omparati7a c/mara termogr/-ica
N)4)3) Comparativa de tecnolo*-as
Sonda" de #em2era#uraS
5ara comparar am"as tecnologas resulta imprescindi"le el recalcar ,ue los mientras ,ue los
m#dulos *SF+Ts esta"an tra"a!ando a una potencia cercana a la nominal< los %&BTs se
encontra"an tra"a!ando a apro9imadamente un 26L de su capacidad.
Adem/s< el *SF+T tra"a!a a una 7elocidad de conmutaci#n 4 7eces ma)or ,ue el %&BT< por lo
tanto se de"era esperar ,ue la temperatura aumentase casi de -orma proporcional.
4e"ido a este BecBo< la temperatura en los *SF+Ts es superior a las de los %&BTs< pero se
puede constatar ,ue este incremento no es proporcional al porcenta!e de potencia de tra"a!o

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con respecto a la nominal ni al aumento esperado por multiplicar por 4 la -recuencia de
conmutaci#n.
.4maraS
;a c/mara al -uncionar con tecnologa de in-rarro!os solo puede proporcionar la in-ormaci#n de
temperatura de las super-icies ,ue se encuentran -rente a ella. +n el caso de los *SF+TS< los
dri7ers se encuentran entre la c/mara ) el semiconductor. 5or lo tanto< no sera con7eniente el
reali.ar una comparati7a al no disponer de las mismas condiciones.
5or otra parte< con esta tecnologa s se puede estudiar la di-erencia de temperatura entre los
semiconductores segOn su disposici#n en el stac2. 5ara am"as tecnologas< la temperatura en el
componente ,ue se encuentra m/s pr#9imo al 7entilador es menor. ;o ,ue muestra el correcto
-uncionamiento del sistema de re-rigeraci#n del e,uipo.

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M) .+0.LUSI+0,S
+n este apartado se presentan las conclusiones ,ue se Ban e9trado gracias a la e9periencia
o"tenida. +l estudio del -uncionamiento de los m#dulos *SF+Ts< del :E de control ) de los
dri7ers en la "ancada de conmutaci#n a ele7adas -recuencia< se pueden constatar o"ser7ar los
siguientes -actoresF
Se produce un considera"le aumento de ruido en todo el con!unto anterior ,ue de"e de
ser tenido en cuenta ) reparado para garanti.ar el correcto -uncionamiento del
con7ertidor. Kna de las opciones para su"sanar este error pasa por el uso de -erritas.
+s necesario dimensionar el dri7er ,ue 7a)a a ser utili.ado para tra"a!ar a altas -recuencia
con-igurando los sistemas de protecci#n de -orma m/s conser7adora ,ue cuando se
tra"a!a con -recuencias m/s con7encionales.
$on respecto al sistema de control< este de"e estar desarrollado para tra"a!ar a altas
-recuencias. ;os componentes :E de"en ser su-icientemente ro"ustos como para no
7erse a-ectados e9cesi7amente por el ruido ) tanto el programa de control como el
procesador ,ue lo e!ecutan de"en resultar aptos para tra"a!ar a una alta 7elocidad.
Se Ba o"tenido un me!or rendimiento ) comportamiento del sistema con m#dulos
*SF+Ts "asada en Si$ con respecto a la tecnologa con7encional.
+l uso de la tecnologa *SF+T me!ora en un -actor "astante ele7ado el comportamiento
t@rmico. +n las prue"as se o"ser7a el poco calentamiento ,ue su-ren estos dispositi7os
con respecto a los %&BTs a pesar de tra"a!ar a una -recuencia de conmutaci#n cinco 7eces
ma)or ) a unas condiciones de porcenta!e de potencia nominal apro9imadamente 4
7eces ma)or.
+l con7ertidor diseCado !unto con los -iltros -a"ricados Ba resultado un @9ito si
comparamos la calidad de la onda senoidal de salida a red con respecto a la ,ue se
o"tena con los %&BTs.
Se Ba demostrado ,ue el uso de la tecnologa *SF+T produce me!ores rendimientos
,ue la "asada en %&BTs. +stos resultados de"eran producir un cam"io en la tendencia a
la Bora de seleccionar la tecnologa de semiconductores en un -uturo a corto?medio
pla.o.
Se Ba 7alidado esta tecnologa en un e,uipo para un uso en aplicaciones e#licas.

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ANEXO VI. INFORME VALIDACIN

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