PRCTICAS DE ELECTRNICA DE POTENCIA

Prctica 2: Caractersticas estticas y dinmicas de un

diodo de potencia.
Alumno: FELIX LAU MARQUEZ 50197
Grupo: A-302
Grupo de Laboratorio: Grupo Lunes 17.00-19.00








2014/2015
DEPARTAMENTO DE ELECTRNICA,
AUTOMTICA E INFORMTICA INDUSTRIAL
ESCUELA TCNICA SUPERIOR DE INGENIERA Y DISEO INDUSTRIAL
UNIVERSIDAD POLITCNICA DE MADRID



RESUMEN
La experiencia de laboratorio consisti en realizar el estudio del comportamiento de 2 diodos de potencia,
un diodo rectificador de silicio 1N4007 y un diodo doble Schottky en ctodo comn SPTS1545CT. Para ello
se procedi al montaje de una serie de configuraciones elctricas en la protoboard, con el objetivo de
medir los parmetros necesarios (corriente y tensin) para poder calcular las curvas que se exigen en el
guin.
REALIZACIN DE LA PRCTICA
Tabla de medidas
CARACTERSTICAS ESTTICAS
1N4007
uAK (mV) uAK medido (mV) iF medido (mA)
500 mV
499 0,176
550 mV
532 0,348
600 mV
540 0,412
650 mV
578 0,9
700 mV
640 3,23
750 mV
663 5,34
800 mV
685 8,48
850 mV
699 11,45
900 mV
710 14,91
iF
50 mA 763 49,99
100 mA 792 100,01
150 mA 806 149,98
VT(200mA) - 789,68mV
rd(200mA) - 0.24






Curva I-V

A continuacin se procede obtener los parmetros del modelo linealizado de los diodos ( tensin umbral y
resistencia dinmica ( para if=200mA).
Por lo que se procede a calcular el valor de la tensin para una corriente de 200mA.
200=510
-6
e
0,0209V
; despejando se obtiene V= 837,53 mV.
Posteriormente se procede a calcular la derivada de la funcin en el punto en el cual la tensin es igual a
837,53mV. Obteniendo 4,18, dicho valor es la pendiente de la recta que nos permite realizar una
aproximacin lineal en conduccin directa del diodo.
La ecuacin general de la recta es : Y=mx + n, donde el valor desconocido es la n, que se procede a calcular
obteniendo un valor de -3300,88.
Quedando la ecuacin de la recta de la siguiente manera:
I(mA)=4,18V(mV) -3300,88 ; Para una I=0A , se tiene que V= 789,68mV , tensin umbral del diodo.
La resistencia dinmica se calcula como la inversa de la pendiente, por tanto:
Rd=1/4,18 = 0,24

Potencia disipada
P
disipada
= V
T
i
f
+ r
d
i
f
2
= 789,68if + 0,24if
2


y = 5E-06e
0,0209x

R = 0,9999
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0 200 400 600 800
I
(
m
A
)

V(mV)




SPTS1545CT
uAK (mV) uAK medido (mV) iF medido (mA)
500 336 60,7
550 341 74,3
600 347 91
650 351 106,5
700 355 126
750 361 155,5
800 362 166,1
850 364 189
iF -
50 mA 326 49,9
100 mA 345 99,8
150 mA 356 150,01
VT(200mA) - 344,61 mV
rd(200mA) - 0,128







y = 0,8124x - 0,1209
R = 0,9999
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0 20 40 60 80 100 120
P
(
m
w
)

I(mA)
Curva I-V del diodo


Se procede a calcular de manera anloga, los parmetros del modelo linealizado:
Mediante la ecuacin de la grfica se tiene que para una corriente de 200mA, se obtiene un valor de
370,12mV.
Derivamos la ecuacin de la grfica en dicho punto y obtenemos la pendiente de la recta de aproximacin
lineal, que resulta 7,84. Calculamos la ordenada en el origen (n), se obtiene un valor de -2701,74
Por tanto la ecuacin de dicha recta es: I(mA)=7,84x(mV) 2701,74
Para I=0, se obtiene V=344,61mV (tensin umbral)
La resistencia dinmica es 0,128 (calculada como la inversa de la pendiente).
Potencia disipada
P
disipada
= V
T
i
f
+ r
d
i
f
2
= 344,61if + 0,128if
2


y = 0,0001e
0,0392x

R = 0,9964
0
50
100
150
200
0 50 100 150 200 250 300 350 400
I
(
m
A
)

V(mV)
y = 0,4102x - 4,5147
R = 0,9997
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0 50 100 150 200
P
(
m
W
)

I(mA)
Caractersticas dinmicas:
R=50,6
Irr=Vrr/R=3,5/50,6=88,93mA
1N4007
PARAMETRO VALOR MEDIO
Irr 88,93
ts 1,2 s
tf 0,8 s
trr 2 s
En la siguiente imagen se puede apreciar los tiempos pedidos anteriormente:

No se pudieron medir los tiempos en el diodo Schotty, debido a que los valores muy bajos.
CONCLUSIN
Durante la realizacin de la prctica se pudo estudiar el comportamiento de ambos diodos(1N4007 y el
diodo Schotty), mediante la obtencin de sus parmetros tanto aquellos pertenecientes a caractersticas
estticas como dinmicas.
Como se puede apreciar comparando ambas potencias disipadas, la potencia perdida en conduccin en el
diodo Schotty es menor. Adems la recuperacin inversa de dicho diodo es mucho ms rpida que en el
diodo de silicio, por lo tanto el diodo Schotty es el ms adecuado para frecuencias altas.

ts
tf