FISICA DE SEMICONDUCTORES

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UNAD ECBTI
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/ Attempt 1

Act 9: Quiz 2
Question1
Marks: 1

Si tres quarks constituyen el sistema al que se le asocia una funcin de onda, y
el potencial de la fuerza fuerte es 10 veces la electromagntica
Choose one answer.

a. La ecuacin resultante tiene un hamiltoniano donde hay tres trminos de
energa cintica y tres de potencial


b. La ecuacin resultante tiene un hamiltoniano donde hay un trmino de
energa cintica y uno de potencial


c. La ecuacin resultante tiene un hamiltoniano donde hay un trmino de
energa cintica y tres de potencial.


d. La ecuacin resultante tiene un hamiltoniano donde hay tres trminos de
energa cintica y uno de potencial

Question2
Marks: 1

La corriente de arrastre I
S
, a veces llamada corriente de saturacin (aunque
este trmino no expresa bien su naturaleza), depende,
Choose one answer.

a. Directamente de la temperatura


b. Indirectamente de la temperatura, porque sta modifica la cantidad de
portadores


c. Indirectamente de la temperatura, porque sta modifica el campo elctrico
subyacente


d. Indirectamente de la temperatura, porque sta modifica el ancho de la Base

Question3
Marks: 1
En una unin PN
Choose one answer.

a. No hay carga neta, sino electrones libres o huecos en la ltima rbita atmica


b. Hay portadores Minoritarios o hay portadores Mayoritarios, pero no los dos


c. Hay carga neta producida por electrones libres o huecos en banda de
conduccin


d. Los portadores Mayoritarios son electrones y los minoritarios son huecos

Question4
Marks: 1
En un diodo, antes de superar los 0.7 Volts
Choose one answer.

a. Existe una gran corriente a travs de la unin PN


b. No se establece corriente elctrica apreciable


c. No puede haber ningn efecto tnel a travs de la barrera de potencial de
la regin de agotamiento


d. No existe regin de agotamiento

Question5
Marks: 1
La relacin entre la corriente de base y la corriente de emisor en un transistor
BJT NO depende de:
Choose at least one answer.

a. La polarizacin de las uniones


b. La corriente del colector


c. El ancho de la base


d. La concentracin de portadores mayoritarios en la regin P

Question6
Marks: 1
Mientras un electrn pasa del estado base a un estado excitado
Choose one answer.

a. Emite un fotn


b. Ni absorbe ni emite fotones


c. Absorbe un fotn


d. Se convierte en un fotn

Question7
Marks: 1

El laplaciano se calcula siempre
Choose one answer.

a. Con respecto a coordenadas espaciales


b. Con respecto a coordenadas espaciales y temporales, ya que el tiempo es
tambin una dimensin


c. Al mismo tiempo que se calcula la derivada temporal


d. Con respecto a x, y z

Question8
Marks: 1
La relacin entre la corriente de base y la corriente de emisor en un transistor
DEPENDE de
Choose one answer.

a. La corriente de las junturas


b. El ancho de la base


c. La corriente de colector


d. La polarizacin de las uniones

Question9
Marks: 1
La razn por la que no se comprueba el principio de incertidumbre en la vida
diaria macroscpica que experimentamos es que
Choose one answer.

a. El efecto siempre es despreciable


b. El momento de las partculas macroscpicas es tan alto que genera una funcin
de onda de frecuencia tan alta que no es observable el comportamiento cuntico


c. Cuando las molculas se asocian, desaparece el efecto


d. En realidad es un efecto aparente

Question10
Marks: 1
Una partcula de movimiento unidimensional se encuentra asociada a una
funcin de onda compleja, que es igual a Aexp(-ikx), con A,k=constantes, i=raz de
-1, x: posicin. Se puede decir que:
Choose one answer.

a. El estado de la partcula es estacionario


b. X puede tomar todos los valores entre menos infinito y ms infinito


c. La partcula est quieta


d. No hay fuerza actuando sobre ella

Question11
Marks: 1
El semiconductor A est a 500 grados centgrados y el semiconductor B a 1
grado Kelvin. Lo que ms probablemente se puede decir es que
Choose one answer.

a. El primero funciona como semiconductor an


b. El primero funciona como resistor


c. El segundo funciona como conductor


d. El segundo funciona como semiconductor an

Question12
Marks: 1

La diferencia entre los diferentes mtodos de deposicin se encuentra
principalmente en (escoja slo una),
Choose one answer.

a. El mtodo de volatilizacin del material


b. El mtodo de calentamiento del material


c. Los materiales que se usan en el proceso


d. El sustrato utilizado

Question13
Marks: 1
La razn que explica por qu el Mosfet tiene corriente de compuerta = 0 es
Choose one answer.

a. El semiconductor es de mayor calidad


b. No tiene elementos resistivos internos


c. Entre el electrodo y el semiconductor hay un aislante


d. Los portadores mayoritarios se concentran en el extremo opuesto

Question14
Marks: 1

En un Mosfet canal N, si la Compuerta est ms positiva que la Fuente,
Choose one answer.

a. Hay corriente de drenaje sin importar el voltaje de Drenaje


b. NO hay corriente de drenaje dependiendo del voltaje de Drenaje


c. Hay corriente de drenaje dependiendo del voltaje de Drenaje


d. NO hay corriente de drenaje sin importar el voltaje de Drenaje

Question15
Marks: 1

Los portadores mayoritarios son electrones. Entonces,
Choose one answer.

a. Es un material N


b. Estos portadores se encuentran en la banda de conduccin


c. Es un material P


d. La carga neta es igual a dos veces el nmero de electrones multiplicado por
carga de cada electrn

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