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MDULO
FSICA DE SEMICONDUCTORES
MANUEL JULIN ESCOBAR DAZ
UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD
BOGOT
2008
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CAPlTULO 0. lNTRODUCClN Y PRESABERES
El curso de Fsica de Semiconductores es de carcter terico y corresponde a un
segmento primordial de los fundamentos en Ciencias Bsicas sobre los que se
construye la tcnica electrnica. Es un curso a distancia y de dos (2) crditos
acadmicos. Durante este curso, se tratarn temas fundamentales de la Fsica y
la Ingeniera relacionadas. A continuacin se resumen diversos aspectos.
Se aborda brevemente la enunciacin de los mtodos y objetivos de la Ingeniera
Electrnica, a fin de establecer el vnculo entre lo temas visto y la carrera
propiamente dicha.
El tratamiento del curso no tendr formalidad matemtica al 100%. Se espera que
el curso sirva slo como un marco conceptual y operativo respecto a la fsica
fundamental de los semiconductores y las estrategias de investigacin que la
vinculan con la Ingeniera Electrnica.
Ser muy til si el estudiante est previamente familiarizado en alguna medida con
una serie de conceptos provenientes de diversas reas; algunos de ellos
realmente se espera que sean ya manejados rutinariamente por los estudiantes
(sobre todo los referentes a fsica), fruto de anteriores cursos. Se listan a
continuacin algunos de ellos:
FSICA:
Vibracin, Onda, Energa, Carga Elctrica, Potencia, Campos, Campo Elctrico y
Magntico, Potencial, Semiconductores.
INGENIERA:
Electrnica, Dopado, Materiales conductores y no conductores, transistores,
Diseo, Componentes Elctricos, Leyes de Ohm y Kirchoff, conductividad y
uniones.
Las dos unidades del curso son, explcitamente:
PRIMERA UNIDAD, Fundamentos Tericos, se remite casi exclusivamente a
postulados, leyes o principios fsicos y procedimientos o formulaciones
matemticas aplicadas a fsica fundamental; se hace nfasis en que los
captulos tendrn profundidad y extensin MUY VARIABLE, ya que se
considera que ciertos temas de la Fsica de Semiconductores, asociados
fuertemente a fenmenos elctricos, son DE MUCHO MYOR INTERS
PARA EL INGENIERO ELECTRNICO que otros, importantes en Fsica de
Semiconductores, pero no siempre relevantes en Ing. Electrnica.
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SEGUNDA UNIDAD, Ingeniera y Tecnologa de semiconductores, es una
introduccin al campo tecnolgico de los dispositivos usados en sistemas
electrnicos basados en semiconductores simples y las tcnicas empleadas
para su empleo, anlisis y diseo (aclarando que el curso no se remite a
configuraciones especficas para determinadas aplicaciones a partir de
componentes semiconductores, sino a un esbozo conceptual
contextualizado). Esto incluye un acercamiento al diseo y la investigacin
en semiconductores.
Durante el curso las temticas sern oportunamente desarrolladas, pero cabe la
posibilidad que desde ya el estudiante intente responder estas preguntas:
Qu es Semiconductor?
Cul es la diferencia entre semiconductores, conductores y aislantes?
Qu principios fsicos gobiernan el comportamiento de un semiconductor?
Por qu es importante saber Fsica de Semiconductores en Electrnica?
En qu consisten las investigaciones adelantadas en Semiconductores y las
aplicaciones ms avanzadas que de esta tecnologa se conocen?
De qu forma se definen qu estndares elctricos se requiere que tenga un
semiconductor, y qu principios fsicos se relacionan directamente?
Qu significa disear un Semiconductor?
Qu matemtica puede usarse en el terreno de la Fsica de Semiconductores?
Dentro de las actividades planeadas para la aprehensin de conocimientos, se
encuentra la lectura de textos guas, el desarrollo de investigaciones cien por
ciento libres y la revisin de artculos. Se espera que el estudiante se sienta
motivado a realizar algunas experimentaciones basadas en el contenido terico
del curso.
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PRIMERA UNIDAD DIDCTICA
FSICA FUNDAMENTAL DE SEMICONDUCTORES
CAPlTULO 1.1 FUNDAMENTOS DE LA MECNlCA CUNTlCA
1.1.1 Dualidad Onda Partcula
A principios del siglo pasado (1895-1905) diversas revoluciones conceptuales en
fsica comenzaron a hacer carrera en la fsica mundial. Particularmente, el artculo
del Efecto Fotoelctrico de Einstein (1905) fue abriendo la posibilidad para un
desarrollo justificado de la mecnica cuntica.
Por qu tan nombrada la Mecnica Cuntica? Porque su revolucin conceptual
es tan fuerte que se vuelve una revolucin de Paradigmas, y como tal tiene
repercusiones filosficas inmediatas. Las contribuciones de Bohr, Schrdinger, De
Broglie, Dirac, Pauli y Heisenberg fueron realmente las que construyeron la
mecnica cuntica; aunque Einstein hubiese colaborado en su precursin, el
formalismo de la mecnica cuntica es debido realmente a los anteriores nombres
mencionados.
Particularmente, De Broglie propuso esta interesante hiptesis, que luego se
comprob y fue convertida en teora (la siguiente no es una cita textual, ni mucho
menos):
As como la luz puede verse como una onda electromagntica, pero al
interactuar con la materia la entendemos mejor cuando suponemos que est
compuesta por partculas (llamadas fotones, los cuantos de la luz), una
partcula puede ser entendida como una onda: en otras palabras, se puede
asociar una onda a cada partcula, para entender ciertas de sus propiedades.
Y lo anterior es cierto SIEMPRE. Siempre puede asignarse una Ecuacin de
Onda a una Partcula, como si no se propagara una trayectoria de esa partcula,
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sino unos FRENTES DE ONDA que corresponde a esa realidad fsica que
llamamos partcula.
Es importante hacer nfasis en que el TODO el universo sigue las leyes de la
mecnica cuntica (y la dualidad onda partcula). El asunto es que los objetos
macroscpicos, debido al orden de magnitud de sus variables fsicas (de hecho,
una variable fsica en particular), no demuestran su carcter ondulatorio
fcilmente. Cabe entonces preguntar, cmo reconocemos el carcter
ondulatorio?
Figura 1. Barrera con orificios (negro) y pantalla (rojo)
Vase la figura 1. Una barrera se interpone entre el flujo de partculas que,
viajando de izquierda a derecha, se dirigen hacia la barrera en rojo. Para
partculas lo suficientemente pequeas, se puede pensar que es extremadamente
improbable que colisionen entre s, as que, si el grupo de partculas es
suficientemente grande, veremos dos posibilidades:
6
A. Partculas en completa Lnea Recta: si las partculas describen lnea recta
entre la barrera y la pantalla, diremos que VENAN en lnea recta, desde
antes de la barrera.
B. Partculas en todas direcciones: si las partculas aparecen por todos lados,
podremos decir que las partculas, de alguna forma, venan de todas
direcciones cuando pasaron por los orificios de la barrera.
En ambos casos visualizaremos lo que esperamos que quede marcado en la
pantalla de choque (la lnea roja de los anteriores diagramas), como resultado de
las colisiones. En el caso A:
Figura 2. Por cada rendija ha atravesado un grupo grande de partculas en lnea recta.
En el caso B, se esperara que hubiese una distribucin aproximadamente igual de
aleatoria a lo aleatorias que sean las direcciones antes de atravesar las ranuras.
Algo as:
Figura 3. Las partculas tenan direcciones ligeramente diferentes, por lo que se esparcen.
Donde es evidente que haya ms concentracin en el centro, debido a que las
ranuras estn en el centro (las grficas son aproximaciones ilustrativas, no
simulaciones).
Ahora, escogeremos el caso B como el real, ya que en experimentos es imposible
hacer que todas las partculas viajen en lnea recta (mejor dicho, alinear
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perfectamente las partculas), y el tamao de las ranuras es muy grande
comparado con el de los electrones. Esto se resume en que si los electrones,
iones o cualquier otra entidad se comportan como partculas, en un
experimento de doble rendija debemos ver una distribucin aleatoria
centrada en el medio de las dos rendijas, seguramente con una distribucin
aproximadamente Normal. Para ser exactos, podemos esperar una distribucin
normal para cada rendija y para la suma de las dos:
Figura 4. Distribucin de los puntos segn la distancia, centrada en la posicin donde se encuentre
la rendija
8
Figura 5. Dos normales superpuestas daran la distribucin central mostrada en rojo ms los
perifricos azules de cada distribucin
Es decir, la aleatoriedad de todas formas presenta ms casos sobre la regin
donde est la rendija, y, al ser dos, vemos el patrn sealado en rojo en el espacio
entre las rendijas. ES AS COMO SE COMPORTAN PARTCULAS.
Ahora, la realidad es que este experimento fue realizado y el verdadero
comportamiento visto en pantalla fue aproximadamente:
Figura 6. Verdadero comportamiento de electrones en experimento doble rendija.
Es decir, un PATRN DE INTERFERENCIA ONDULATORIA: LAS
PARTCULAS INTERFERAN COMO ONDAS, lo que ha sido posteriormente
constatado en innumerables experimentos y demostraciones.
Esto querr decir que el estado de una partcula en un tiempo t y posicin x se
puede describir definiendo su ecuacin de onda en el tiempo t y posicin x.
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La hiptesis de De Broglie se comprob experimentalmente, en 1927 en los
laboratorios Bell, cuando Joseph Davisson y Lester Halbert Germer observaron la
difreccin de electrones en una pelcula metlica. Por este trabajo, Davisson y
Germer recibieron el premio Nobel de Fsica en 1937.
1.1.2 Ecuacin de Schrdinger y solucin para partcula libre
INTRODUCCIN
Erwin Schrdinger utiliz una formulacin ya antigua en teora de mecnica clsica
para definir una importante ecuacin de la mecnica cuntica. En principio, es
definir el Hamiltoniano de un sistema como la suma de su energa cintica y
potencial, sean los potenciales que fuesen; lo siguiente es entender que tal
definicin de Hamiltoniano obliga a que ste cumpla ciertas propiedades y
relaciones. Siendo este un tema de una carrera de Pregrado en Fsica, no se
entrar en detalles al respecto, pero s se har nfasis que la ecuacin de
Schrdinger no es compleja de entender en el plano clsico (no cuntico ni
relativista) y resulta anloga a la que usaremos para conceptualizar la mecnica
cuntica bsica que abordaremos.
Entendiendo que las partculas pueden describirse como ondas (y que un
fenmeno ondulatorio puede entenderse como partcula), el planteamiento
fundamental se hace con una Funcin de Onda (la ecuacin de Schrdinger es
una ecuacin de onda), y requiere comprender el siguiente principio de la
mecnica cuntica, el PRINCIPIO DE INCERTIDUMBRE DE HEISENBERG:
Es imposible conocer al mismo tiempo la ubicacin y el momento de una
partcula.
Lo anterior se debe a que se descubri en la naturaleza una interesante propiedad
de impredictibilidad que pareca aplicarse a TODO. En otras palabras, se
encontr que las partculas estn en continua oscilacin respecto a casi cualquiera
de los parmetros fsicos de inters. Una multitud de experimentos ha mostrado
que las partculas NO SIEMPRE HACEN LO MISMO. Cuando se repite un
experimento de escala cuntica (es decir, una prueba con tomos individuales o
partculas subatmicas, en la que pueda verificarse algn aspecto especfico de
cada partcula), NO SE OBTIENEN LOS MISMOS RESULTADOS, por ms que
se reproduzcan exacta y precisamente las mismas condiciones. Entonces,
cmo puede hablarse de Ciencia Fsica?
Sencillo. Al ver la imposibilidad de acertar predicciones, los Fsicos intentaron
estudiar estadsticamente los experimentos, y finalmente notaron que haba
comportamientos ms probables que otros. A nivel de porcentajes de ocurrencia,
10
S SE PODAN PREDECIR RESULTADOS. Por esto, la ecuacin de Schrdinger
funciona si se interpreta de manera estadstica.
PLANTEAMIENTO
As pues, la interpretacin estadstica es suponer que la partcula en cuestin se
est representando con una funcin de onda cuyo significado ser, de alguna
forma, estadstico. Aqu el detalle sutil: LA PROBABILIDAD DE ENCONTRAR
UNA PARTCULA EN UN ESPACIO DADO ES IGUAL A LA NORMA DE LA
FUNCIN DE ONDA AL CUADRADO, INTEGRADA EN EL INTERVALO
ESPACIAL MENCIONADO. Esto no resulta claro a primera vista, pero quiz en
los siguientes prrafos se dilucide.
Ahora bien, la ecuacin de Schrdinger se aplicar sobre una funcin de onda tipo
senos y cosenoseste tipo de funciones tienen su forma ms general en:
]) [ exp( ) , ( ) , ( wt r k i t r A t r =

(1)
Donde el nmero i es la base de los nmeros imaginarios, la raz cuadrada de -1,
y la funcin de onda (psi) depende del vector de posicin r y el tiempo t, por lo
que, en caso general, suponemos que as mismo ocurre con su parte exponencial
y la amplitud A. Es importante que el estudiante recuerde que las exponenciales
complejas se pueden expandir mediante la Identidad de Euler
1
(propiedad
matemtica que se deduce a partir de la definicin formal de exponencial,
senoidales y cosenoidales) de la siguiente forma:
) ( ) cos( ]) [ exp( wt r k isen wt r k wt r k i + =

(2)
Y entonces es evidente que la ecuacin ondulatoria de Schrdinger tiene sentido
con este tipo de funciones. Ahora, si restringimos el conjunto de funciones de
onda a aquellas cuya amplitud no vare, A = constante hace que la derivada
temporal y la derivada espacial cumplan, teniendo en cuenta un caso
unidimensional (por simplicidad):
, ) , ) ) , ( ) , (
2
2
2
t x
x
t x
t
i
c
c
=
c
c

Si se escoge correctamente k y w. Es esta escogencia arbitraria? NO.
Realmente, teniendo en cuenta la forma (1) con A constante, y la identidad (2),
resulta que una funcin de ONDA ESTACIONARIA puede ser descrita
1
Respecto a esto se sugiere que se consulte un buen libro de matemticas, que contenga, claro, series
infinitas. A partir de las definiciones en forma de serie infinita es sencillo entender la identidad de Euler
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especificando los nmeros k y w, que para cualquier onda estacionaria estn
relacionados de una manera bien definida, y que representan conceptos fsicos.
Entonces:
k: Nmero de Onda
w: Frecuencia Angular
De manera que k y w guardarn una relacin intrnseca. A partir de esta relacin,
es que podemos decir:
, ) , ) ) , ( ) , (
2
t x
x
t x
t
i
c
c
=
c
c

Siempre y cuando la funcin de onda sea una onda estacionaria. El valor
constante que se representa como una h ms una barra cruzada es llamado h
barra y es igual a una constante h dividida entre dos veces el nmero pi.
t 2
h
=
Y, como el estudiante imaginar, esta h S TIENE UN SIGNIFICADO FSICO bien
definido, particular y explcito: es la constante de proporcin entre la energa
mnima que una onda de luz puede transmitir y la frecuencia de sta luz.
Ms tarde se entender mejor el significado de h y se abordar con detalle el
fenmeno de la luz y su interaccin con el medio.
Retomando el hecho de que, para ondas estacionarias:
, ) , ) ) , ( ) , (
2
2
2
t x
x
t x
t
i
c
c
=
c
c

Extenderemos este resultado a tres dimensiones:
, ) , ) ) , ( ) , (
2
t x t x
t
i A =
c
c

Donde el tringulo representa el Laplaciano k
z
j
y
i
x

2
c
c
+
c
c
+
c
c
= V = A , y no es
ms un operador que slo pretende significar que se hace la segunda derivada
con respecto a cada eje de coordenadas y luego se suman los resultados. Esta
ecuacin no slo es vlida para ondas estacionarias, pero el nivel de un curso de
12
pregrado en Ingeniera no permite ahondar ms en su razn de ser, por lo que
simplemente se consignar la siguiente definicin y ecuacin:
Toda partcula, sin entrar en consideraciones de spn
2
, puede ser descrita por una
funcin de onda (r,t) que cumple la ecuacin de Schrdinger:
, ) , ) ) , ( ) , ( t r i t r
t

A =
c
c
Donde el cuadrado de la funcin de onda representa una funcin de densidad de
probabilidad.
Y la ecuacin de Schr. (desde ahora utilizaremos esta sigla) se usar en el
siguiente captulo al encontrar la solucin ms simple de mecnica cuntica, con
fines ilustrativos.
1.1.3 Principio de Equivalencia.
ACLARACIONES FUNDAMENTALES
Primero que nada, es necesario aclarar que en Relatividad General existe un
Principio de Equivalencia fundamental que NO ES EL QUE SE EXPLICAR A
CONTINUCACIN, YA QUE EL NOMBRE DE ESTA LECCIN ES SLO UNA
FORMA EFICIENTE Y RPIDA DE RESUMIR EL PROPSITO DE ELLA.
Teniendo en cuenta esto, enunciamos el propsito de la leccin, que es responder
a esta pregunta:
Cmo puede ser coherente la mecnica cuntica con el mundo
macroscpico cotidiano?
Esta respuesta es anloga a una pregunta que suele hacerse en relatividad
especial:
Cmo puede ser coherente la relatividad especial con el mundo cotidiano?
La razn de esta ltima (como introduccin a la pregunta en negrilla, que es la que
nos interesa), es que los efectos de la relatividad no son importantes si la
2
Para definicin y manejo de San remitirse a un libro bsico en conceptos de Mecnica Cuntica. Por ahora
se dir que es una propiedad fundamental de toda partcula, que tiene que ver con cmo se comporta en
colisiones , rbitas y otros fenmenos.
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velocidad de los objetos y fenmenos es muy pequea comparada con la de la
luz.
Por ejemplo, si se viaja a una velocidad igual al 80% de la velocidad de la luz, la
dilatacin del tiempo experimentada al viajar equivale a que, por cada 10 minutos
transcurridos para observadores inmviles, transcurren slo 6 minutos para el
viajero. El problema es que el 80% de la velocidad de la luz son 240.000 km/s!!!
Esta velocidad no ha sido siquiera remotamente alcanzada. Se recuerda que un
avin supersnico maneja velocidades slo alrededor de Match3, que equivale
aproximadamente a 1km/s, 240.000 veces menos que el ejemplo.
CMO SE HACE COHERENTE LA MECNICA CUNTICA CON EL MUNDO
MACROSCPICO COTIDIANO?
La razn se encuentra en la dualidad onda-partcula de la materia, propuesta por
Louis De Broglie: el que a cada partcula se le asigna una onda, y las propiedades
de stas definen su comportamiento cuntico.
Ahora bien, la relacin entre comportamiento y nmeros ondulatorios es bastante
sencilla: simplemente ha de considerarse la frecuencia de la onda asociada,
debido a la siguiente caracterstica fenomenolgica:
Cualquier onda de frecuencia suficientemente alta, puede tener una
oscilacin tan rpida que sus interacciones con el universos no tengan
efectos ondulatorios observables: por ejemplo, una mano que golpea una
pared de manera ondulatoria, pero cuya frecuencia es ms alta que la
velocidad de captura del ojo humano, no se ver como un objeto en
movimiento sino como un objeto esttico (si la frecuencia es apropiada).
Y esto es vlido para otros fenmenos fsicos diferentes a la visin. Como otro
ejemplo, la propia luz que recibimos es una onda, pero resulta imposible que el ojo
la aprecie como un fenmenos en el que le llega o no le llega energa, sino como
un continuo de partculas. An ms: pinsese que si un resorte es presionado por
una fuerza que oscila de forma sinusoidal pero de manera tremendamente
rpida, el resorte no tiene tiempo suficiente para volver a (o salir de) su posicin
de equilibrio en los intervalos de fuerza negativa. Como ltimo ejemplo, EL
PROPIO CONDENSADOR FUNCIONA AS EN UN CIRCUITO CONVERTIDOR
DE VOLTAJE AC EN DC: SE ESCOGE EL VALOR DE LA CAPACITANCIA DE
MANERA QUE SU TAO SEA TAL QUE NO PUEDE SEGUIR SU PROCESO DE
DESCARGA, DEJANDO PASAR UN VOLTAJE CONSTANTE.
Si se entiende la validez de los anteriores ejemplos simples, es posible
comprender que una alta frecuencia de la Onda de De Broglie nos hace ver la
onda como un proceso continuo, como una partcula u objeto discreto con
propiedades definidas.
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Ahora, cmo se halla la frecuencia de una onda asociada a tal objeto? De
Broglie encontr que la onda que describe el estado de un objeto tiene que estar
relacionada de esa forma:
Energa del objeto = h*frecuencia
Momento del objeto = h*k/2*3,141592
Es decir, la energa es proporcional a la frecuencia por el factor h, que es llamado
CONSTANTE DE PLANCK, y que ya mencionamos anteriormente, mientras
que el momento del objeto es proporcional al vector de onda k, mediante la
constante de proporcin h/(2), el h barra que tambin se mencion.
A partir de las dos relaciones de energa y momento, entonces queda claro que:
p
h

= i (1.3.1)
Lo que entrega la respuesta que necesitbamos, ya que Altas Frecuencias
corresponden a Longitudes de onda Cortas, y precisamente este es caso, si
tenemos en cuenta que
h = 6.62618 x 10
-34
Joule Segundo
De manera formal, podemos resumir todo lo anterior en un prrafo:
La constante de Planck tiene un valor tan bajo que en el mundo
microscpico de partculas la longitud de onda producida por los momentos
de dichas partculas (mediante ecuacin 1.3.1) es lo suficientemente grande
(frecuencia suficientemente baja de la onda asociada) como para que sea
observable mediante efectos fsicos. En cambio, en mundo macroscpico,
los valores de momento de objetos multimoleculares son demasiado
grandes (comparados con el caso anterior), y las longitudes asociadas a
estos fenmenos son demasiado cortas (frecuencias altas de las ondas
asociadas).
Como ejemplo, supngase una pelota lenta, de masa 100gr y velocidad 0,1 metros
por segundos, comparada con un electrn a 0,5 veces la velocidad de la luz.
MOMENTO PELOTA: (0,1 Kg) * (0,1 m/s ) = 1 x 10
-2
Kgm/s
MOMENTO ELECTRN: (9,1x10
-31
Kg) * (3x10
8
m/s) = 2,7 x 10
-22
Kgm/s
Donde se observa la diferencia de 20 rdenes de magnitud entre los dos
momentos analizados.
15
1.2 POZOS Y BARRERAS DE POTENClAL
INTRODUCCIN
EN esta seccin se intentar esbozar los ejemplos ilustrativos iniciales de la
mecnica cuntica, para que el estudiante se vaya familiarizando con cierto tipo de
grficas y funciones que sern utilizados posteriormente (de manera ms sencilla)
en el tratamiento de la fsica de los Semiconductores.
Cuando se examina el movimiento de una partcula, es posible generalizar ste
como el resultado de la accin de diversas fuerzas. Como las fuerzas
conservativas son realmente las de importancia a escala microscpica y estas
fuerzas pueden asociarse a potenciales, tenemos que el movimiento de las
partculas puede ser determinado por la forma e intensidad de los potenciales que
experimenta.
En Mecnica Cuntica la primera aproximacin al tratamiento de partculas
sometidas a fuerza son los diagramas unidimensionales de potencial, por
simplicidad. El caso prctico ms sencillo (y quiz ms relevante en trminos de
electrnica) podra ser el potencial que un electrn experimenta en presencia de
un ncleo atmico. Sin embargo, ocurre que la forma de este potencial es
matemticamente compleja, debido a que la fuerza electromagntica en s misma
depende de las distancias de separacin y las velocidades, por un lado; y por el
otro la distribucin de cargas dentro de un ncleo atmico realmente NO es
uniforme (el modelo representativo puntual es slo una aproximacin, bastante
burda pero a veces til).
Por todo lo anterior, el primer tema a tratar en un estudio conceptual de funciones
de onda, potenciales, movimientos, tomos y mecnica cuntica, es
necesariamente una simplificacin de potenciales realmente existente. Desde la
matemtica, se encuentra indicado iniciar con unos niveles de potencial
constantes en un intervalo y cero fuera de l.
1.2.1 Potencial infinito y escaln. Relacin con los pozos de potencial
Esta seccin ser una de las ms largas de toda la unidad, debido a que no slo
se analiza el caso particular de los potenciales infinitos y escalones, sino que se
expone el sustento matemtico de estos mtodos; y de hecho la mayor parte del
16
contenido que se tratar aqu ser utilizado por las siguientes lecciones, de
manera que lo extenso de sta redundar en una reduccin de la longitud de
posteriores secciones.
INTRODUCCIN
Las barreras y los pozos de potencial simplemente representan la situacin en que
una partcula libre (que no experimenta ningn potencial) se ve sometida a la
accin de una fuerza en un rango determinado. Un potencial positivo representa
una fuerza repulsiva, mientras que un potencial negativo representa una fuerza
atractiva.
El asunto de si es o no vlido decir que una fuerza acta SLO en un determinado
rango tiene que ver con la forma matemtica de la SUMATORIA DE EFECTOS
DINMICOS: es decir, no basta con conocer la forma matemtica de la fuerza,
sino si sta es la nica realmente presente, o si algn efecto referente a la historia
cinemtica (qu estado de movimiento tena la partcula antes de experimentar la
fuerza) podra alterar la manera como la partcula responde a la fuerza neta sobre
ella.
Finalmente, aqu asumiremos que en algunos casos el modelo de barreras y
pozos es una aproximacin suficientemente exacta.
Consideremos primero las grficas que corresponden a cada caso:
17
D JDD 2DD SDD 4DD 5DD 6DD 7DD SDD 9DD JDDD
D
D.J
D.2
D.S
D.4
D.5
D.6
D.7
D.S
D.9
J
Figura 7. Tpica barrera de potencial positivo
18
D JDD 2DD SDD 4DD 5DD 6DD 7DD SDD 9DD JDDD
-J
-D.9
-D.S
-D.7
-D.6
-D.5
-D.4
-D.S
-D.2
-D.J
D
Figura 8 Barrera de potencial negativo, equivalente aun pozo de potencial
Dejando esto totalmente claro, se puede ahora pasar a tratar de entender cmo
articula la ecuacin de Schrdinger una solucin para casos en los que existe un
potencial infinitamente grande o un escaln positivo.
19
D JDD 2DD SDD 4DD 5DD 6DD 7DD SDD 9DD JDDD
D
D.J
D.2
D.S
D.4
D.5
D.6
D.7
D.S
D.9
J
Figura 9 Escaln de potencial. Corresponde a un caso en que la regin de accin se extiende
infinitamente en una direccin.
En la figura 7 identificamos un potencial positivo, mientras que en la 8 es claro que
el potencial en mencin es negativo (la magnitud del potencial se ha
estandarizado a 1 por simplicidad; la escala de longitud del eje X tampoco es
relevante para la explicacin conceptual). Como resulta evidente, es ms fcil
hablar en trminos de barrera y pozo, ya que con esto queda especificado el
signo del potencial y la forma de la grfica.
En cuanto la figura 9, analizamos una barrera que cubre infinitos rangos de
longitud. Esta barrera es realmente correspondiente a la funcin matemtica
Escaln, as que es conveniente llamar a la situacin ESCALN DE
POTENCIAL. Los escalones tambin puedes ser negativos o de forma inversa (y
siguen siendo escalones), como puede verse en estas figuras:
20
D JDD 2DD SDD 4DD 5DD 6DD 7DD SDD 9DD JDDD
-J
-D.9
-D.S
-D.7
-D.6
-D.5
-D.4
-D.S
-D.2
-D.J
D
Figura 10. Escaln de potencial negativo
21
D JDD 2DD SDD 4DD 5DD 6DD 7DD SDD 9DD JDDD
-J
-D.9
-D.S
-D.7
-D.6
-D.5
-D.4
-D.S
-D.2
-D.J
D
Figura 11. Escaln de potencial negativo en los valores negativos de x
22
D JDD 2DD SDD 4DD 5DD 6DD 7DD SDD 9DD JDDD
D
D.J
D.2
D.S
D.4
D.5
D.6
D.7
D.S
D.9
J
Figura 12. Escaln de potencial positivo en los valores negativos de x
Donde vemos que en el caso de las figuras 11 y 12 es necesario especificar hacia
qu valores del eje espacial observamos la presencia del potencial. Tambin se
puede decir Un escaln de potencial en el eje positivo/negativo de las x (o de la
coordenada espacial), pero en este caso resultara ms prctico colocar el marco
de referencia en el punto de discontinuidad. Esto quiere decir que la forma usual
de escribir un escaln de potencial es as:
23
-5DD -4DD .SDD .2DD -JDD D JDD 2DD SDD 4DD 5DD
-J
-D.9
-D.S
-D.7
-D.6
-D.5
-D.4
-D.S
-D.2
-D.J
D
Figura 13. Escaln de potencial de la figura 9 despus del ajuste de coordenadas que usualmente
se realiza para encarar mejor el problema
SOLUCIN DE LA ECUACIN DE SCHRDINGER PARA ESCALN DE
POTENCIAL
Como la funcin de onda que representa el movimiento de la partcula a estudiar
debe depender de su energa, podemos tratar de evadir la solucin de la evolucin
temporal separando la ecuacin de SCH (se abreviar de ahora en adelante el
nombre de esta manera), ya que la Energa ser para nosotros simplemente un
parmetro conocido que obtenemos respecto a una partcula que viene
desplazndose desde el espacio libre. Observemos una grfica explicativa de la
situacin inicial del problema:
24
Figura 14. Partcula libre en el medio descrito por el escaln de potencial.
La energa de la partcula puede tener diferentes valores (es un simple parmetro),
pero en todo caso est relacionada con su masa y su velocidad. La ecuacin de
SCH en ausencia de potencial:
, ) , ) ) , ( ) , (
2
t x t x
t
i A =
c
c

Conviene sea separada de manera que se encuentre una ecuacin que involucre
a la funcin de onda pero NO dependa del tiempo, pues entonces desaparece una
derivada (la del lado izquierdo), y nos quedamos con una ecuacin mucho ms
fcil de solucionar. Especficamente, si la onda solucin es estacionaria:
) / exp( ) ( ) , ( iEt x t x =
Y, de hecho, la anterior condicin permite separar la ecuacin diferencial
respecto a sus dos variables, x y t. Recapitulemos el procedimiento:
1. Es ms fcil resolver el problema si se pudiera separar la ecuacin en parte
espacial y parte temporal, porque as es ms fcil encontrar la funcin de
onda ) , ( t x
25
2. Si la onda es estacionaria, la forma matemtica de ) , ( t x es tal que la
teora de Ecuaciones Diferenciales especfica que la Ecuacin S ES
SEPARABLE.
3. Como conclusin, una funcin de onda estacionaria permite hallar con
facilidad la Funcin de Onda que nos permitir conocer el estado
cinemtico y dinmico de la partcula en presencia del escaln de potencial.
Es por eso que el siguiente principio fsico, que no se demostrar o enunciar con
toda la formalidad matemtico-fsica del caso pero que en la aproximacin que se
dar es suficiente para brindar un marco conceptual para posteriores anlisis, es
radicalmente importante:
Una funcin de onda estacionaria est asociada a una partcula en un
estado estable
Ahora, el concepto de estabilidad en Mecnica Cuntica requiere una enunciacin
muy cuidadosa, que ser examinada posteriormente. Por ahora nos
conformaremos con concluir que nuestro mtodo de solucin, basado en analizar
slo el aspecto espacial de la ecuacin de onda, NOS ENTREGAR COMO
RESULTADO LAS FUNCIONES DE ONDA ESTABLES DEL SISTEMA.
A partir de la teora de Ecuaciones Diferenciales se llega a la ECUACIN DE SCH
INDEPENDIENTE DEL TIEMPO:
, ) , ) ) ( ) (
2
) (
2
x x V
m
x E
1
]
1

+ A
|
|
.
|

\
|
=

(1.2.1.1)
Donde m es la masa y E la energa, ambas cosas respecto a la partcula. V(x) es
el potencial presente en la regin de anlisis, y se incluye sin ningn problema,
simplemente aadindolo al Laplaciano, ya que hemos supuesto que el potencial
no depende del tiempo, sino slo de x. Si el potencial fuera variable en el
tiempo, tendra que suponerse que ste potencial fuera separable en las variables
x y t.
Formalmente se escribe de una manera mucho ms sinttica de esta forma:
, ) , ) E x x V
m
x E = H =
1
]
1

+ A
|
|
.
|

\
|
=

) ( ) (
2
) (
2

(1.2.1.2)
Y para resolverla, resolvemos la ecuacin de SCH en dos diferentes subespacios:
26
Figura 15. Las dos regiones a analizar
En la regin 1 el potencial es cero, y entonces la ecuacin 1.2.1.2 se reduce a
decir La segunda derivada de la Funcin es igual a La funcin multiplicada por
una constante. Este es uno de los casos ms simples de ecuaciones
diferenciales, de manera que la solucin ser:
) exp( ) exp( ) (
1
ikx B ikx A x + = (1.2.1.3)
Donde k es la raz cuadrada de lo que acompaa a la funcin en el lado derecho
de la ecuacin ya despejada (el resultado tpico y simple de Ecuaciones
diferenciales que fue mencionado):
) (
2
) (
2 2
2
x
mE
x
dx
d

= (1.2.1.4)
Es decir,

mE
k
2
= (1.2.1.5)
27
Las constantes A y B se encuentran mediante comprobacin de condiciones en la
frontera entre regiones 1-2 que son necesarias para poder usar la funcin de onda
como representacin de un estado fsico.
Para la regin 2, s existe potencial. La ventaja es que, al ser un potencial
constante, la ecuacin 2.1.1.4es prcticamente igual a la que se produce en este
caso:
) (
) ( 2
) (
2 2
2
x
V E m
x
dx
d

= (1.2.1.6)
Produciendo dos tipos de soluciones para cada uno de estos casos:
1. Energa de la partcula mayor que el potencial
2. Energa de la partcula menor que el potencial
Figura 16. La energa de la partcula se suele representar en los diagramas de potencial mediante
lneas rectas
28
Por ejemplo, en la figura 16 se observa una lnea roja que identifica una partcula
con energa mayor que el potencial de la fuerza repulsiva que experimenta,
mientras que la lnea amarilla representa una partcula con energa menor.
Como el trmino E - V en la ecuacin 1.2.1.6 cambia de signo segn sea uno de
estos dos casos, entonces tenemos:
CASO 1. Energa Mayor
) exp( ) exp( ) (
2
x i B x i A x o o + = (1.2.1.3)
CASO 2. Energa Menor
) exp( ) exp( ) (
2
x D x C x o o + = (1.2.1.7)
Donde, para la ecuacin 1.2.1.7, alfa es tambin obtenida de la ecuacin
fundamental, mientras que C y D tienen que ver con las condiciones de frontera a
cumplir. Tambin es importante notar que estos A y B no tienen necesariamente
que ser iguales a los A y B de la zona 1 de anlisis.

) ( 2 E V m
= o
Las condiciones de frontera son:
1. La funcin de onda debe estar definida y ser continua en todo punto del
espacio. De otro modo, no podra identificarse como una funcin de
densidad de probabilidad
2. Su derivada espacial debe tambin estar definida y ser continua, ya que se
supone que la segunda derivada existe.
3. Tambin debe existir la derivada temporal, en todo momento.
Sin embargo, an existen otras condiciones que debes satisfacerse para tener una
funcin de densidad de probabilidad. Esto es, la funcin de densidad de
probabilidad no debe ser infinita en ningn punto, sino ms bien tender a 0 en el
infinito, ya que cualquier funcin de densidad es tal que:
}

= e convergent dx x f ) (
(1.2.1.8)
29
A partir de esto, es posible resolver el sistema de ecuaciones que hemos
planteado, si tenemos en cuenta que el punto de inflexin de la funcin de onda es
donde debemos plantear y resolver el sistema de educaciones:
-5DD -4DD .SDD .2DD -JDD D JDD 2DD SDD 4DD 5DD
-J
-D.9
-D.S
-D.7
-D.6
-D.5
-D.4
-D.S
-D.2
-D.J
D
Figura 17. Escaln de potencial estandarizado.
Aplicando las condiciones en la frontera (se recomienda que el estudiante lo
verifique), se obtiene que los valores de las funciones de onda que conforman la
solucin son:
|
.
|

\
|

+
+ = ) exp( ) exp( ) (
1
ikx
ik
ik
ikx A x
o
o
(1.2.1.9)
|
.
|

\
|

= ) exp(
2
) (
2
x
ik
ik
A x o
o
(1.2.1.10)
Con A como una constante que respeta 1.2.1.8 y adems la siguiente
normalizacin, que proviene tambin del concepto de funcin de densidad de
probabilidad (recurdese que una probabilidad es un nmero entre 0 y 1, por
definicin):
30
}

=1 ) ( ) ( * dx x x
(1.2.1.10)
Donde el asterisco quiere decir complejo conjugado, ya que la norma de una
funcin compleja es el resultado de multiplicar el complejo conjugado de la funcin
por ella misma y sacar raz cuadrada a este trmino Real.
A partir de todo lo anterior, se conoce la probabilidad de que una partcula se
encuentre en el intervalo (por ejemplo) que va desde 0 hasta x:
} }
= = =
x x
dx x x dx x x ob
0 0
2
) ( ) ( * ) ( ) 0 ( Pr Nmero
Ya que la funcin de onda es bien conocida.
Como el objeto de este curso es entender la fsica de los semiconductores desde
una perspectiva de Ingeniera, no es necesario realizar ms aclaraciones respecto
a los detalles de la derivacin, que es slo una muestra de cmo puede hacerse
un clculo en Mecnica Cuntica (para este ejemplo se escogi, de hecho, el ms
simple de los clculos posibles con el ms simple de los ejemplos de
utilidad, de modo que el estudiante pueda entender y extrapolar la idea a otros
contextos).
En el caso de Potencial Infinito, simplemente el nmero alfa ser un valor
infinito, de manera que la funcin de onda en la zona 2 cae a 0 desde el inicio.
Cabe anotar que los potenciales infinitos puede corresponderse a, por ejemplos,
soluciones de situaciones reales en las que una partcula (por ejemplo, un
electrn) tiene una energa miles o decenas de miles de veces menor que el
potencial repulsivo que experimenta.
Finalmente, en la figura 18 se observa la grfica de norma de la funcin de onda
(rojo) superpuesta a la grfica del escaln de potencial (azul), de una manera
aproximada y en el caso en que la Energa de la partcula es menor que el
potencial repulsivo que se le impone. En verde se seala el punto en el que, a
pesar de que el potencial de la fuerza es discontinuo, la funcin de onda sigue
siendo continua.
31
Figura 18. Comportamiento de la norma de la Funcin de Onda ante el escaln de potencial. En
verde se resalta que la funcin de onda es continua.
Dos puntos es imperioso mencionar:
- Aunque la funcin de onda parece tener zonas prohibidas donde la
probabilidad es cero o casi cero, la realidad es que una funcin de onda
realmente es una funcin del tiempo, por lo que los espacios posibles a la
izquierda del potencial no tienen probabilidad completamente constante de
ser ocupados por la partcula: su probabilidad cambia con el tiempo.
- En mecnica clsica, cualquier partcula que tenga energa menor que un
potencial repulsivo simplemente rebotar contra la barrera de potencial que
se le impone. La mecnica cuntica, en cambio, establece que una
partcula de energa menor que una barrera de potencial repulsivo que
la bloquea S TIENE UNA PROBABILIDAD DE PENETRARLA, AUNQUE
PUEDA SER BAJA.
1.2.2 Barrera de potencial. Pozo infinito y finito
En esta seccin se utilizan todos los resultados de la seccin anterior. Para la
barrera de potencial, la funcin de onda tiene un comportamiento que puede
visualizarse aproximadamente de la siguiente forma:
32
Figura 19. Comportamiento de la Barrera de potencial. Tomado de www.wikimedia.org
Bsicamente la Figura 19 significa que existe una probabilidad de atravesar una
barrera de potencial ms alta que la energa disponible (un resultado francamente
en contra del concepto Clsico). Este fenmeno es conocido como EFECTO
TNEL, y es la base de la operacin de algunos dispositivos, tales como el
Microscopio que lleva su nombre.
La solucin de la ecuacin se basa simplemente en los pasos anteriormente
detallados. Para mayor claridad, se resumen de nuevo:
1. Incluir en el Hamiltoniano el potencial respectivo.
2. Para primeras aproximaciones, afrontar slo la parte Espacial de la
Ecuacin de SCH.
3. Encontrar la Ecuacin Diferencial Equivalente.
33
4. Resolverla; esto equivale a hallar los valores de las constantes que se
encuentran en las exponenciales, que SIEMPRE son funcin de la energa
incidente y la energa de la barrera.
5. Trasladar el origen del sistema de coordenadas (para poder realizar
rpidamente el paso 6).
6. Aplicar las condiciones de continuidad en los dos puntos de la barrera
donde el potencial de discontinuo: as se obtienen las condiciones de las
constantes.
7. Verificar las condiciones de Normalizacin de la Funcin de Onda.
Tanto para una barrera como para un pozo de potencial, se deben haber definido
tres zonas claramente:
Figura 20. Pozo de potencial y sus zonas relevantes
Lo que simplemente quiere decir que la partcula se encuentra ante un potencial
atractivo. A la luz de lo anterior, el resultado de solucionar la ecuacin de SCH
correspondiente se resume en:
34
Figura 21. Comportamiento de la funcin de onda en una caja de potencial.
Es decir, aunque una caja de potencial mayor que la energa de la partcula S
CONFINA LA PARTCULA, no es posible restringir absolutamente su movimiento:
slo limitarlo. Esta tipo de inseguridades son comunes en la mecnica cuntica,
debido a que la NATURALEZA MISMA de la Mecnica Cuntica est relacionada
intrnsecamente con la no certeza (Principio de Incertidumbre de Heisenberg). De
hecho, la definicin de la diferencia de la Mecnica Cuntica con la Mecnica
Clsica es que La mecnica cuntica incluye el principio de incertidumbre,
y la clsica no
3
.
De nuevo, EN EL CASO DE UN POZO INFINITO, LA PARTCULA EST
PERFECTAMENTE CONFINADA Y LA SITUACIN ES LA PREDICHA
CLSICAMENTE. Qu tanto el potencial real en anlisis sea realmente
infinito, define qu tanto es vlida una aproximacin clsica, que no maneje
funciones de onda ni tenga en cuenta efectos tnel.
1.2.2.3 Barreras de potencial y estudio de caso: Molcula de Amonaco
La siguiente es una ilustracin a cmo una situacin real es modelada por la
Mecnica Cuntica.
3
Sin embargo, es conveniente anotar que existe una definicin ampliada de Mecnica Clsica en la que se
complementa el anterior enunciado, as: La mecnica Clsica es aquella que no tiene en cuenta ni el
principio de incertidumbre ni efectos relativistas (velocidades cercanas a la de la luz)
35
La molcula de Amonaco es NH
3
, lo que significa que tiene tres tomos de
hidrgeno y un tomo de Nitrgeno. Los enlaces, como se ve en bachillerato,
pueden ser en generalcovalentes o inicos, principalmente; en la molcula de
Amonaco lo importante es la forma de esta molcula: una pirmide triangular.
La pirmide triangular es un poliedro cuyas caras son tringulos:
Figura 22. Pirmide triangular o tetraedro, en una vista superior. Tomado de
www.gaussianos.com
Figura 23. Posible lista lateral de la anterior. Tomado de la pgina de la Universidad Politcnica de
Catalua
36
De manera que un grfico que incluya los tomos de la molcula de Amonaco
puede ser este:
Figura 24. Esquematizacin de la ubicacin de cada uno de los tres tomos de hidrgeno y el de
nitrgeno dentro de la estructura de la molcula de Amonaco. Recordar que en el grfico hay una
perspectiva presente.
La figura 24 es una representacin bastante exacta: slo con esta geometra el
Amonaco podra ser una estructura estable, as que es realmente sta la forma
que la naturaleza adopta. Notar que el hecho de que los tringulos sean
equilteros obliga a que haya simetra en los ngulos existentes entre las lneas
que unen un tomo con otro (indicadores de trayectorias de enlace)
Ahora, para entender cmo la molcula de Amonaco puede conservando parte
de la simetra para permitir cierta estabilidad oscilar de algn modo, sera de
mucha ayuda si fusemos capaces de aplicar mecnica cuntica y encontrar una
funcin de onda asociada a este movimiento.
Analizar el comportamiento de la molcula puede corresponder a analizar el
movimiento de:
a.) Los tres tomos de hidrgeno, como si fueran una entidad rgida, ya que la
simetra entre ellos puede que se conserve y la figura que forman entre s
(tringulo equiltero) nunca cambie.
b.) El tomo de Nitrgeno.
Realmente, si tenemos en cuenta que obviamente el movimiento absoluto no es
interesante (la molcula en realidad de todas maneras est fluctuando de muchas
formas y desplazndose constantemente), sino ms bien el relativo, podemos
37
plantear el problema en trminos del Movimiento del Nitrgeno CON RESPECTO
al plano conformado por los tres hidrgenos, o viceversa. Entonces podemos
hablar de este sistema de coordenadas:
Figura 25. Eje de coordenadas seleccionado por conveniencia, a sabiendas de la estructura que
tendr el planteamiento de la Ecuacin de SCH
Entonces, el V(y) relacionado con las fuerzas interatmicas tiene una dependencia
con la distancia que se extrae de la naturaleza de las fuerzas interatmicas: las
fuerzas electromagnticas entre un tomo y otro. Claramente, V(y) ser mayor en
tanto ms negativo sea y, para luego decrecer a medida que se aleje de los
tomos de Hidrgeno.
Por supuesto, tambin podemos pensar en que el sistema de coordenadas es otro
que funcione de la anterior manera para valores positivos de y:
38
Figura 26. Otro sistema de coordenadas
Finalmente, suponemos que el tomo de Nitrgeno quiz pueda oscilar de la
siguiente forma:
39
Figura 27. Posible oscilacin del N, entre la posicin en A y la posicin B; ambas son vrtice de un
tetraedro (pirmide triangular), as que ambas son estables.
Ya que las posiciones finales (en un vrtice de la pirmide) son estables. Esta
suposicin tiene ciertas prohibiciones clsicas que se ven cuando se examina la
forma del potencial. A la vista de esta posible oscilacin, lo mejor es colocar el
origen del eje de coordenadas en la base del tetraedro:
40
Figura 28. SISTEMA DE COORDENADAS FINAL ESCOGIDO PARA EL ANLISIS DE LA
POSIBLE OSCILACIN
Entonces el potencial electromagntico, ya que se sabe que normalmente el
Amonaco haya estabilidad en la configuracin de un tetraedro, tiene una
forma que se puede representar as:
Figura 29. Grfica del potencial electromagntico entre los hidrgenos y el Nitrgeno, asociado a
las fuerzas interatmicas. Este comportamiento no es simplemente el de una fuerza atractiva o
repulsiva: la regin en azul representa la barrera de potencial repulsiva, mientras que las zonas
amarillas son zonas estables.
En la figura 29, cules son las zonas estables? Por supuesto, las que tengan el
mnimo de energa potencial. Corresponden a los puntos mnimos encerrados en
crculos rojos. Si a la altura de la pirmide le llamamos h, la grfica completa es:
41
Figura 30. Potencial de fuerzas interatmicas y puntos estables en la molcula de amonaco.
Donde los puntos rojos son los puntos estables. Si necesidad de resolver el caso
particular exacto, se puede aproximar este potencial una suma de los casos
barrera de potencial y pozo de potencial:
Figura 31. Modelo de pozos y barreras de potencial superpuesto al real.
42
Figura 32. Modelo esquemtico de pozos y barreras de potencial
As que es posible proceder de una manera aproximada con anlisis anlogos a
las anteriores secciones. De hecho, la conclusin de la posibilidad del
EFECTO TNEL, hace que se pueda decir que s existe una oscilacin.
Especificando las zonas de inters:
43
Figura 33. Zonas de inters
Se ve que la solucin de este problema es exactamente juntar las soluciones de
barreras y pozos de potencial. Las zonas 1 y 5 finalmente se pueden tratar como
de energa infinita, por tener una probabilidad de penetracin muy baja a
distancias mensurables, pero la zona 3 es definitivamente lo suficientemente baja
como para que ciertos estados energticos puedan tener una probabilidad de
atravesarla. Las ecuaciones son las mismas que fueron analizadas anteriormente.
Aunque el tratamiento matemtico de la molcula de Amonaco es un poco
complejo, con la exposicin meramente conceptual pero cercana al proceso
matemtico, el estudiante puede tener una idea del enfoque con que se puede
afrontar problemas de este tipo. De hecho, muchas de las conclusiones que se
obtienen a partir del modelo rectangular de pozos y barreras para la
molcula de Amonaco son CIERTAS. Los experimentos lo han
comprobado.
Una de las conclusiones ms importantes del la resolucin de la ecuacin de
SCH modelada con un potencial rectangular es que existen dos niveles
principales de energa posible para la Energa, que en realidad corresponden
cada uno a dos niveles de energa muy cercanos, si se examina ms
detenidamente el espectro.
44
Como nota final, se enuncia que para poder hallar el valor esperado de una
variable observada a partir de la funcin de onda encontrada, se usa el siguiente
mtodo operativo:
, ) ) ( ) ( *
int
x Observable x Observable ervable adodeunObs ValorEsper
ervalo

}
= ) (
Esto es, que el valor esperado de un observable es igual a la integral de el
conjugado de la funcin de onda por el observable por la funcin de onda,
evaluado sobre el intervalo que quiere tomarse para hallar el valor esperado (ste
puede ser el infinito, para hallar un valor esperado total).
Como las fluctuaciones son aleatorias y gobernadas por el principio de
incertidumbre, slo podemos hablar del valor esperado y del resultado concreto
obtenido en una medicin, pero no podramos predecir con exactitud qu resultado
tendremos, hacia futuro. En otras palabras, no se puede hacer qu valor
energtico tendr una molcula de NH
3
que no conocemos, pero s podemos decir
qu valores son posibles, y con qu probabilidad: esto quiere decir que, si
tenemos un grupo de un milln de molculas de NH
3
, es muy posible que S
podamos predecir en qu proporcin se presentan los resultados de energa.
Una prediccin estadstica.
1.3 APROXlMAClN AL COMPORTAMlENTO CUNTlCO DE
SEMlCONDUCTORES
1.3.1 Fenomenologa Elctrica de Semiconductores
Un semiconductor tiene la posibilidad de comportarse como aislante o conductor,
en principio. Los lmites de cuando se comporta en uno u otro caso estn definido
por una multitud de factores.
En este captulo se tratar de abordar la caracterizacin de semiconductores
desde diferentes puntos de vista; una de las definiciones ms exactas, dada por J.
P. McKelvey, es (no se consigna textualmente):
Un semiconductor es una sustancia cristalina cuyos electrones tienen un intervalo
de energa (Banda de Energa) prohibida, que no pueden ocupar, entre su regin
45
energtica de valencia y la regin energtica de conduccin, siendo posible que
sus electrones salten de una a otra regin
En trminos de teora de bandas, se dira simplemente que existe una banda
angosta prohibida entre las bandas de valencia y conduccin, pero esta
terminologa an no nos es familiar. Durante el desarrollo de este captulo se har
claridad sobre esto.
Un semiconductor presenta diferente comportamiento elctrico (aislante o
conductor) dependiendo de:
1. Temperatura.
2. Nivel de voltaje al que se haya sometido.
3. Cantidad de impurezas que lo conforman.
4. Tipo de impurezas que lo conforman.
5. Estructura cristalina.
6. Estructura macroscpica, si es que est conformado por un arreglo de
materiales.
De lo anterior, un semiconductor podra dejar de comportarse como aislante para
paulatinamente conducir ms y ms corriente si un voltaje aplicado sobre l vara
de la manera correcta, suponiendo que sus impurezas y estructura general lo han
preparado para ello. ste es una de las manipulaciones ms comunes en
Ingeniera. Junto con sta, tambin aparece el efecto de AUMENTO de la
conductividad al incrementarse la temperatura del material como un fenmeno til
en multitud de sistemas usados en Ingeniera.
El por qu los semiconductores responden de las formas anteriormente descritas
est directamente relacionado con la Teora de Bandas mencionada
anteriormente. En el caso de la respuesta a cambios de temperaturas, la relacin
directa se debe a que la temperatura es simplemente el aumento de energa
cintica molecular y electrnica, por lo que una mayor temperatura trae como
consecuencia una mucha mayor probabilidad de salto de electrones desde la
banda de valencia a la de conduccin.
Entender los mecanismos fsicos que permiten los efectos semiconductores
requiere, como mnimo, comprender la estructura de la materia. La siguiente
leccin se refiere a esto.
46
1.3.2. Estructura atmica e iones
INTRODUCCIN
Los tomos, constituyentes fundamentales de la materia, estn formados por un
ncleo (compuesto de protones y neutrones) cubierto de un cmulo de nubes de
electrones orbitando alrededor de l en trayectorias no completamente constantes
en el tiempo. Cada electrn no tiene una trayectoria definida, pero s tiene una
REGIN de rbitas bien definida. Cada regin identifica un Nivel Energtico: la
nica forma de que un electrn pase de una regin de rbitas permitidas a otra es
que cambie su energa.
Adicionalmente a esto, en el modelo de la mecnica cuntica, sabemos que en
presencia de un potencial, todos los niveles Energticos de una partcula
estn cuantizados: esto quiere decir que los niveles posibles son mltiplos
enteros de una cantidad determinada. Esto es igualmente vlido para
molculas, tomos y cualquier situacin microscpica en la que una o ms
partculas experimentan una fuerza, asociada a un potencial, si esto tiene como
efecto estados ligados (estados donde la partcula no tiene completa libertad de
movimiento).
De aqu que exista la llamada BANDA PROHIBIDA (GAP). Los electrones en un
tomo tienen un ltimo nivel de suma importancia para la teora de enlaces
moleculares: los electrones ubicados en el ltimo nivel energtico son los
Electrones de Valencia, y son los que son transferidos de un tomo a otro o
compartidos entre los tomos, formando los enlaces que dan estructura a las
molculas.
Existen dos tipos de enlaces principales:
- INICOS: Los electrones de un tomo son totalmente atrados y
prcticamente transferidos a otro tomo, vctima de la fuerza
electromagntica atractiva que ejerce sobre l ese ncleo.
- COVALENTES: Los electrones de un tomo son tambin atrados por el
otro tomo, pero en este caso no es suficiente la fuerza de atraccin y
se genera un estado estable orbital para ambos tomos con el mismo
nico electrn. El electrn se dice entonces que es compartido.
Realmente, no son slo las fuerzas electromagnticas las que gobiernan los
enlaces y fenmenos atmicos. Como se vio en la breve conceptualizacin de
anlisis del Amonaco, ni siquiera el potencial interatmico tiene una forma simple.
Asimismo, se sabe que existe la llamada REGLA DEL OCTETO:
47
Los enlaces entre tomos tienden a darse de tal manera que cada tomo tienda a
completar 8 electrones en su nivel de valencia, o, si slo tiene un nivel de energa,
2 electrones en su nivel de valencia.
Otro efecto bastante significativo es que un par de electrones en enlace covalente
siempre tienen su espn antiparalelo al otro. El espn es uno de los nmeros
cunticos relevantes. Esto nos lleva a la necesidad de entender ciertos aspectos
sobre la Mecnica Cuntica en tomos y Molculas.
MECNICA CUNTICA EN TOMOS
Para la ilustracin de lo anterior, conviene estudiar el tomo de Hidrgeno: ste
tiene slo un electrn orbitando alrededor de un protn. Por tanto, no es muy
difcil describir una versin simplificada del potencial, donde ste siga a la ley de
Coulomb con toda exactitud y usemos como distancia R de separacin entre
electrn y protn el radio de un supuesta rbita circular. Este modelo es slo
aproximado debido a la existencia de ciertos efectos, de los cuales algunos son
pequeos y otros no tanto:
1. Como el electrn movindose corresponde a una corriente elctrica, la
presencia de un campo magntico lo afecta y altera el potencial.
2. Si existiera un efecto de giro en el electrn, tambin habra un momento
magntico que interactuara con la corriente elctrica conformada por el
electrn girando (de hecho, esto se ver ms adelante).
3. Una rbita estable puede ser elptica: entonces R no sera constante.
La aproximacin comentada es suficientemente buena. Entonces el potencial del
Hamiltoniano que usaremos es:
r
Ke
r V
2
) ( =
Donde e es el valor absoluto de la carga del electrn (o del protn, ya que su
carga es igual: todo tomo natural es elctricamente neutro) y K es una constante
que ajusta unidades. Usualmente en el Sistema Internacional de Unidades se
toma que K=1/(4
0
). Como este potencial no es constante, podemos intuir desde
ya que la solucin de la Ecuacin de SCH no ser tan sencilla como la de pozos y
barreras.
De hecho, para resolver la ecuacin resultante (la letra griega Mi [] representa la
masa reducida: una transformacin de las masas de protn y electrn que hace
que el trmino asociado represente la energa cintica total, incluyendo los
posibles movimientos del protn):
48

1
]
1

=
r
e
E H
2 2
2

1.3.2.1
Es necesario separar de nuevo variables, pero ahora respecto a cada coordenada
de anlisis (el mejor mtodo a escoger es un sistema de coordenadas esfricas,
debido a que el potencial es puramente radial: depende de la distancia al centro
pero no de en qu direccin est el electrn). Antes de proseguir es necesario
especificar en qu consisten los procedimientos descritos:
2 1
2 1
m m
m m
+
=
Es la masa reducida de la que se habl. La expresin de la energa cintica
usada en el Hamiltoniano es fruto de un anlisis puramente matemtico y usual.
Ahora, la energa potencial tiene la exacta definicin que se conoce del
electromagnetismo clsico. Entonces se puede suponer una solucin de variables
separables (ecuaciones diferenciales), identificada como ) , , (
, ,
0 | r
m l n
+ por ser
realmente una familia de soluciones (cada solucin se diferencia de las otras por
los valores de su trada n, l, m):
) ( ) ( ) ( ) , , (
, , , ,
| 0 0 |
m m l l n m l n
r R r u O = +
donde los tres factores multiplicativos corresponden a la solucin partida en sus
tres componentes (cada una dependiente de una coordenada). Ntese que las
soluciones son infinitas: la primera es ) , , (
0 , 0 , 1
0 | r + y corresponde a una forma
matemtica diferente a la siguiente solucin. Los nmeros n, l y m son parmetros
dentro de la solucin (de ahora en adelante bautizados como Nmeros
Cunticos), y deben cumplir las siguientes restricciones:
1.) n es un nmero entero mayor que 0.
2.) l es mayor o igual a 0 pero, como mximo, igual a n-1.
3.) m es un entero cuyo valor absoluto es, como mximo, igual a l.
Los tres puntos anteriores se desprenden de que, si en las frmulas que dictan
cmo se resuelve la ecuacin del tomo de hidrgeno se introducen otros
nmeros que no cumplan 1.), 2.) y 3.), el resultado es una funcin imposible
fsicamente. Entonces, por ejemplo, NO podemos tener:
) , , (
2 , 3 , 1
0 | r +
Pero S podemos tener:
49
) , , (
500 , 800 , 1000
0 | r

+
Sin embargo, el hecho de que estos nmeros cumplan las restricciones no es
suficiente para poder entender qu significan. Como la ecuacin de Schrdinger
est basada en leyes fsicas, cada Nmero Cuntico debe tener significado fsico.
Analizando lo que estas funciones significaban, se entendi a qu se referan;
antes de pasar a este punto, primero debemos ver explcitamente las funciones
que son solucin de la ecuacin.
Uniendo los dos factores direccionales (los que no dependen del radio),
encontramos la siguiente solucin general dependiente de la direccin
(representada con la letra Y en mayscula:):
con
Por lo que la solucin entonces debe escribirse (r,,) = R ( r ) * Y (,). Por
supuesto, la forma de R y Y dependen de Nmeros Cunticos SIEMPRE. La parte
radial de la funcin de onda es:
50
donde
son los polinomios de Laguerre, similares a los polinomios de Legendre
mencionados anteriormente, con su smbolo P
l
m
. Ya conociendo las funciones
que conforman el conjunto de soluciones que satisfacen las leyes fsicas que
representa la Ecuacin de Schrdinger, se procede a interpretar estos parmetros
llamados Nmeros Cunticos. Finalmente se encuentra que:
n representa el nmero cuntico principal, que da la contribucin principal, la
energa base que tiene un electrn girando alrededor del ncleo, y que por ello
est relacionado con el radio de la trayectoria orbital. Se entiende que la rbita
NO es estacionaria: sta puede cambiar y existir una regin orbital y no una
rbita exacta definida.
l es el nmero cuntico de momento angular, que representa qu tanto se puede
hablar de un momento angular neto, y en qu direccin, ya que el concepto de
regin orbital hace que sea posible que, si sacamos un promedio de cmo se
comporta el momento angular en un intervalo de tiempo, este sea cero. De hecho,
l = 0 corresponde a un momento angular cero porque la fluctuacin de la rbita es
esfricamente simtrica: no hay una direccin o plano sobre el que orbite
preferentemente el electrn, sino que aleatoriamente su rbita cambia de plano
describiendo algo similar a lo que se ve en la figura 34.
Figura 34
m es el nmero cuntico de ORIENTACIN del momento angular con respecto al
eje z (escogido como se quiera), as que corresponde a qu tanto del momento
angular se concentra en una sola direccin. Pero, como la direccin de z es
arbitraria, puede decirse que la informacin de m es relevante cuando se
51
comparan momentos angulares, pues para un solo electrn siempre puede decirse
que, SI EXISTE MOMENTO ANGULAR (l 0), la direccin del vector momento
angular se define como el eje Z. Por supuesto, si l = 0, entonces m = 0; no hay
componente en direccin z.
Lo anterior puede revelar su importancia cuando ya se sabe que la energa total
disponible en el tomo (en los electrones) depende del radio de la rbita Y DEL
MOMENTO ANGULAR, debido a que ste genera un campo magntico que
interacta con el ncleo. Sin embargo, la contribucin a la energa que tiene que
ver con el momento angular es mucho menor.
As mismo, las partculas fundamentales presentan otra propiedad asociada con
un nmero cuntico: El spn (nombre en ingls que usaremos para ajustarnos a la
literatura al respecto, que es ms abundante en este idioma). Esta propiedad se
refiere al hecho de que cualquier partcula cargada genera un pequeo campo
magntico an en reposo. Esto quiz pueda pensarse que se debe a que la
partcula gira (si est cargada, esto genera campo magntico porque constituye un
equivalente a corriente), pero la realidad es que no se puede suponer esto:
cuando se calcula el momento angular intrnseco de un electrn y se tiene en
cuenta su carga y su masa (ya muy conocidas), encontramos que el giro que en
realidad tendra un electrn en realidad no generara ese campo magntico. Por
esto es que se asegura que el espn no representa Momento Angular Intrnseco,
aunque se pueda usar la matemtica de momento angular para trabajar con l.
Teniendo en cuenta lo explicado, a continuacin profundizamos sobre la estructura
atmica y el concepto de ionizacin.
ESTRUCTURA ATMICA E IONES
Por lo anterior, podemos establecer un modelo de Capas del tomo. Cada capa
se identifica por sus nmeros cunticos n y l, de tal modo que electrones con
diferentes valores de nmero cuntico m se encuentran en la misma capa: si
tienen el mismo nmero n y nmero l, el sector donde orbitan ser el mismo, visto
como una regin del espacio semejante a un cascarn esfrico de algn grosor
bien definido y mucho menor que el radio medido desde el centro del tomo hasta
la rbita. Se puede decir que las regiones identificadas por el nmero cuntico de
momento angular l ( L) tienen una forma especfica para cada valor que toma
este nmero, por lo que se puede pensar en cada grupo de electrones que con un
mismo l y n como pertenecientes a una subcapa. Haciendo claridad sobre esto,
vemos la figura 35.
52
Figura 35. Orbitales atmicos segn la informacin de la pgina de la Universidad de Huelva,
www.uhu.es
Donde los orbitales sern siempre: s los de l = 0, p los de l = 1, d los de l = 2, etc.
Se aprecia la aleatoriedad que exhibe el orbital s, siendo representado con un
cascarn esfrico que abarca las posibles trayectorias de los electrones de tal
nmero cuntico. Para el orbital 2s (n=2, l=0), entendemos que el dibujo que lo
representa es simplemente un cascarn esfrico de menor tamao. La notacin
p
x
, p
y
, p
z
tiene que ver con el nmero cuntico m, como se ve en la explicacin
dada en el siguiente prrafo.
Adicional a lo anterior, el principio de exclusin de Pauli establece que ningn
fermin puede tener los mismos nmeros cunticos que otro fermin
idntico en el mismo sistema. Como el electrn es un fermin, esto quiere decir
que si dos electrones tienen sus nmeros cunticos principales idnticos,
entonces la orientacin del spn debe ser diferente. Para electrones, la
orientacin spin es o -; como slo existen dos posibilidades, se les llama spin
arriba (up) o spin abajo (down). Esta orientacin se asocia con el nmero cuntico
de orientacin del spn, m
s
. De esta forma, en cada orbital l = 0 slo existen
electrones con m=0, por lo que slo hay dos electrones en total (uno con spin up y
otro con spin down). Anlogamente, si l=1, entonces m puede ser -1, 0 o 1: tres
diferentes valores de m estn contenidos en este nico orbital. Como para cada
valor de m puede haber un par de electrones entonces el orbital don l = 1 puede
tener 2x3 = 6 electrones. Entendemos entonces el significado de p
x
, p
y
, p
z
y por
qu hay como mximo dos electrones en cada uno.
Una vez comprendido lo anterior, debemos hacer un breve resumen de lo visto
sobre la estructura, para poder dar una simple y corta definicin de iones:
53
1. La mecnica cuntica gobierna el comportamiento fsico de cualquier
partcula, lo que incluye a los constituyentes del tomo.
2. tomos y molculas entonces siguen la ecuacin de Schrdinger como ley
a cumplir, pero la compleja estructura e interacciones existentes entre los
constituyentes del tomo y entre los mismos tomos hacen frecuentemente
imposible la solucin exacta de la ecuacin, aunque s permiten
aproximaciones suficientemente buenas como para entender la base de su
comportamiento.
3. Pozos y barreras de potencial son aproximaciones a los verdaderos
potenciales que la naturaleza presenta, adecuados porque pueden
resolverse de manera exacta y porque lo que se puede concluir de las
suposiciones ideales aplican bastante bien en la realidad.
4. El tomo de hidrgeno se resuelve de manera exacta y su familia de
soluciones nos permite entender que un mismo sistema puede hallarse
en sus estado base (n=1 y l=0) o estar en cualquier estado excitado de
nmeros cunticos superiores, de manera que se tienen otras
funciones solucin.
5. El nmero n define el radio caracterstico de la regin de rbitas, su
distancia desde el ncleo, mientras que el l la FORMA de la rbita.
6. En cada subcapa hay un cantidad mxima diferente de electrones que
pueden existir, debido a que entre mayor sea l son ms los posibles valores
que puede tomar m.
7. Para cada trada n, l, m pueden haber dos electrones: uno con espn down
y otro con espn down.
8. Para cada uno de estos electrones hay una funcin de onda diferente
que describe completamente su movimiento y energa. Si acercamos
un tomo a otro, los potenciales experimentados por el electrn cambian y
hay que replantear la ecuacin de Schrdinger para hallar la nueva funcin
de onda que cumple el electrn.
9. Lo mismo ocurre en tomos multielectrnicos: el potencial se deber, por
un lado, a un ncleo mayor; y por el otro, a la existencia de otros
electrones que, al estar cargados, interactan con los otros electrones,
trayendo como consecuencias que la funcin de onda hallada para el
electrn del hidrgeno no sea vlida para estos tomos.
De todos los puntos anteriores queda completamente claro que una molcula en la
dos tomos estn cercanos, fcilmente puede haber electrones cuyas rbitas
pasen por ambos ncleos. A esto llamamos un ENLACE COVALENTE. Por
ejemplo, veamos cmo pueden solaparse dos orbitales s:
54
Figura 36. Extrada de www.textoscientificos.com
Existiendo el orbital p an, ste puede no interferir con el s. Examinando el
proceso de manera ms general:
Figura 37. Extrada de www.textoscientificos.com
Debido a que nuestro inters en la mecnica cuntica de los enlaces moleculares
es puramente molecular, se dejar la explicacin hasta ac, con objetivo
meramente ilustrativo. Entendiendo la idea general de enlaces covalentes, resulta
sencillo entender la definicin de enlaces inicos:
55
En un enlace inico un electrn de un tomo es transferido completamente a
otro tomo, debido a que las fuerzas de atraccin con ste ltimo han sido
mayores. Una vez es transferido, el tomo receptor queda cargado
elctricamente (con la carga elctrica negativa que le proporciona el nuevo
electrn), al igual que el donador (que al perder el electrn queda con carga
positiva)ambas cargas son siempre opuestas, por definicin del proceso
anterior. Por esto, ambos tomos estarn probablemente adheridos (si el
enlace se rompe no estarn adheridos pero an tendrn carga) por la fuerza
electrosttica que sus cargas opuestas generan. Cada tomo es llamado
IN.
Queda claro cmo funciona el sistema, y cmo ste electrn tender a cumplir la
funcin de onda que le corresponde en orden en su nuevo tomo, aunque no
exactamente debido a que est presente el potencial del otro tomo. A efectos
prcticos, nos interesa el concepto general y el entendimiento que el proceso de
IONIZACIN no es ms que la creacin de Iones.no siempre esto termina en un
enlace inico, ya que en un Gas Ionizado existen iones que se mantienen
separados debido a la baja densidad del conjunto.
1.3.3 Teora de bandas
Una vez entendida aunque en una primera aproximacin conceptual la
naturaleza de la estructura molecular de la materia, se puede pasar a estudiar
estadsticamente los materiales de inters.
En un material cualquiera siempre existirn rutas de viaje de los electrones.
Podemos esperar que un electrn se mantenga en rbita relativamente aleatoria
alrededor de su ncleo o que se transfiera a otro tomo en razn a diferentes
causas:
1.) Mucha energa trmica: se mueve tan rpido la molcula que en algn
momento el electrn puede saltar a otro tomo.
2.) Campo elctrico: una fuente de carga lo atrae o lo repele muy fuertemente
de un momento a otro (puede ser entendido como un voltaje)
3.) Campo Magntico: igual a lo anterior, pero por causa de un imn.
4.) Energa mecnica macroscpica: un golpe macroscpico de gran impacto
puede alterar la estructura interna de un slido (por ejemplo, chocar dos
metales puede sacar chispas)
Entre otras. La teora de bandas modela la manera como se distribuyen los
estados electrnicos segn se alteran los parmetros relevantes del sistema. As,
una banda no es ms que un intervalo de energas asociadas como es natural
56
a un intervalo de estados posibles. Para el anlisis del comportamiento
electromagntico de los semiconductores lo ms importante es entender lo
referente a las bandas de valencia y conduccin:
Si analizamos el comportamiento de un electrn que se mueve a travs de un
slido saltando de tomo a tomo, entenderemos que el potencial que
experimenta (el potencial que ve) el electrn es tan peridico como la disposicin
de los tomos lo sea. Si tenemos una sucesin de cien tomos, el electrn
experimenta un decrecimiento de fuerza elctrica que le ejerce el tomo del que
se est alejando mientras se incrementa la fuerza elctrica ejercida por el tomo al
que se est acercando. El potencial debido a cada tomo es de la misma forma
(el potencial electrosttico decrece como 1/ r y cada tomo funciona como un in
visto desde la perspectiva del electrn) y por esto tendramos un potencial
peridico en el caso de un material compuesto por N tomos de algn elemento
especfico.
Grficamente tendramos:
Figura 38. Potencial experimentado por un electrn: la lnea horizontal es donde se encuentran los
tomos de inters, que el eje vertical representa la energa potencial experimentada en cada punto.
Recurdese que el mximo de energa potencial (en valor absoluto) se experimenta cuando se
encuentra justo en el punto donde est la fuente del campo elctrico.
Ahora, ste electrn viajero (como hemos visto) no debe estar muy fuertemente
atado a ninguno de los tomos. Su energa cintica debe ser mayor que la
magnitud de energa potencial que lo atrae a cada tomo. Es por esto que el
modelo de energa potencial usado para cualquier estado en el que una partcula
se encuentra de alguna manera oscilando en una zona definida (rbitas,
vibraciones, etc.) es definido con SIGNO NEGATIVO. As como la energa
potencial Gravitacional que la tierra tiene al girar alrededor del sol es un nmero
negativo, la energa potencial electromagntica del electrn alrededor de un centro
de carga positiva es siempre negativa, para usar este hecho en el clculo de la
energa total y definir un criterio que especifique cundo es posible que el
57
electrn escape de la atraccin y cuando no; en ste ltimo caso hablamos
de un ESTADO LIGADO. Para entender lo anterior se consignan las ecuaciones:
R
Q
E E E E
C potencial cintica total
0
4tc
= + =
Donde hablamos de la carga Q del ncleo, la distancia R y psilon sub cero, la
permitividad del espacio libre.
Y si recordamos que si la magnitud de energa potencial almacenada es mayor
que la energa cintica entonces tenemos un estado ligado, podemos decir que un
estado ligado tiene energa total menor que cero. Esto tiene sentido porque la
energa potencial siempre se define arbitrariamente con respecto a un nivel de
referencia, as que podemos entenderla como negativa y en ese caso la energa
total puede ser tambin as. Es la ENERGA CINTICA la que no puede ser
menor que cero. Con todo, es muy claro que si el valor absoluto (la magnitud) de
la energa potencial es mayor que la energa cintica del electrn (es decir, est
orbitando o en estado ligado), es cierto que la Energa total hallada como se
mencion anteriormente es menor que cero.
Ahora, como el electrn ligado es muy diferente al electrn libre, se definen
Bandas para Electrones Ligados y Banda para Electrn Libre. Primero
enunciamos cul es cada una e inmediatamente justificamos el porqu:
BANDA DE CONDUCCIN: Es el intervalo que corresponde a las energas de los
electrones que pueden ser los electrones libres. Estas energas deben
corresponder a la ltima banda de energas del sistema atmico que NO EST
LLENA; es decir, el intervalo de energas que no tiene electrones o no tiene el
nmero mximo de electrones posibles para esa banda. Con la definicin de
Banda de Valencia se aclara la razn de esto.
BANDA DE VALENCIA: Es la Banda asociada a los Electrones Ligados y es la
ltima banda que est llena. Por qu? Porque es claro que, los electrones libres
ocupan un nivel de energa en el que haya posibilidad de perder y ganar
electrones. Si el electrn pasa por un sistema cuya ltima capa est llena (segn
lo que se discuti sobre el principio de exclusin de Pauli), se deduce que tomar
los valores energticos de la siguiente banda. Por otro lado, si existe una banda
parcialmente llena, estos electrones pueden ser removidos fcilmente porque toda
la capa es susceptible de interactuar con los electrones de conduccin. De hecho,
se puede decir sin entrar en las razones exactas de esto que las bandas
llenas estn blindadas contra la conduccin. Esto tiene ciertas sutilezas que
pueden constituirse en una especie de excepcin, pero tal efecto lo revisaremos
en el siguiente apartado, al hablar de Solapamiento de Bandas.
58
1.3.4 Caractersticas trmicas y electromagnticas generales
Existe una dependencia de la temperatura y de la distancia en las grficas de las
bandas energticas que existen en los materiales. Como se mencion cuando se
describieron inicialmente los semiconductores, las formas como existen y
evolucionan las bandas en cada material definen la clasificacin de stos. A la
luz de los conceptos anteriormente explicados, podemos comprender la siguiente
figura esquemtica:
Figura 39. Bandas de conduccin y de valencia, extrado de www.wikimedia.org
Como puede verse en la figura 39, existe el solapamiento de bandas. Es decir, los
estados energtico pueden que estar solapados (superpuestos), de manera que,
aunque la banda de valencia est llena, parte de sus energas son tambin parte
de los intervalos de la banda de conduccin, de manera que un mismo electrn en
cierta forma pertenece a cualquiera de las dos bandas. Esto proviene de la
resolucin de las ecuaciones de Mecnica Cuntica pertinentes en cada caso,
como revisamos en anteriores apartados.
En la figura 39 tambin se aprecia que la superposicin de estados del silicio
(grfica a la izquierda) ocurrir en un punto especfico del diagrama. La flecha
que seala el orden A, B, C indica un proceso de compresin. La forma de la
grfica de las bandas del carbono es casi exactamente igual al del silicio, como
quiera que ambos elementos tienen cuatro electrones en su ltima capa. Los
subndices S y P diferencian las energas de los orbitales s de la de los orbitales
p, que son los asociados a cada banda. Para la correcta finalizacin de este
curso es suficiente entender las dependencias y significado de las bandas de
59
energa correspondientes a electrones libres (conduccin) y ligados (valencia), por
lo que no se ahondar sobre la forma matemtica exacta. Sin embargo, s es
necesario dar una definicin adicional:
GAP: Banda que corresponde al intervalo de energa existente entre el nivel ms
bajo de la banda de conduccin y el nivel ms alto de la banda de valencia. SU
nombre proviene del ingls. La figura 40 Ilustra lo anterior.
Figura 40. Tomado de www.kalipedia.org
Ahora tenemos una comprensin y terminologa acordes con la temtica de los
semiconductores. Examinando la figura 39 de nuevo, las grficas de la derecha
dan la definicin de semiconductores, metales y aislantes, desde el punto de vista
de teora de bandas. El GAP del aislante de la figura es 6eV. Obsrvese la figura
41 como ejemplos.
Figura 41. Ejemplos de algunos GAP de energa.
60
Por otro lado, las bandas de energa de un metal no siempre estn superpuestas
(ver figura 39): tambin es posible que simplemente la ltima banda est
parcialmente llena.
Debido a que en el cero absoluto no existe energa cintica que pueda producir el
salto del GAP, un semiconductor en el cero absoluto debe tener
conductividad cero. A medida que aumenta su temperatura, su
conductividad aumenta hasta que, en determinada temperatura
caracterstica, se comporta como un conductor. Electromagnticamente un
semiconductor es susceptible a los campos magnticos o campos elctricos de
una manera correspondiente a la Regin de comportamiento donde se
encuentra: si por densidad o por temperatura se comporta como conductor, ser
influenciado por los campos electromagnticos tal como le sucede a un conductor.
Lo mismo aplica en el caso que est en su modo aislante.
Si un semiconductor tuviera iones portadores de cargas o un flujo especfico de
electrones en una u otra direccin, el cambio en las concentraciones de cargas
puede verse asociado a un posible voltaje efectivo. Esto ser ms claro cuando
se explique el comportamiento de semiconductores dopados, en la seccin 1.5.
1.3.5 Cinemtica del electrn en Semiconductores
Para entender el movimiento del electrn hay que remitirnos a los casos ms
fundamentales y modelos ms simples, estudiados en cualquier curso de fsica
electromagntica. A partir de este sinttico repaso se espera que sea ms
entendible la explicacin conceptual sobre su comportamiento en
semiconductores.
Si existe una corriente de electrones, es natural que microscpicamente esto
corresponda a un movimiento nada simple del conjunto de electrones: cada
electrn sigue su trayectoria con velocidad no constante y sujeto a choques con
otros electrones. Tambin es posible incluso que algn factor externo o interno
relativamente aleatorio lo haga intercambiar energa al punto de saltar el GAP y
bajar a la banda de Valencia. Probablemente algn electrn de capa de Valencia
har el mismo salto en sentido contrario y se convertir en electrn de conduccin.
Lo anterior lleva inmediatamente a la conclusin de que el movimiento electrnico
debe estudiarse estadsticamente. Como la carga del electrn es
macroscpicamente indetectable debido a que es muy pequea, finalmente lo que
nos interesa es el movimiento del grupo de electrones del slidopinsese que
cuando se miden microamperios (una de las unidades ms bajas de corriente
61
macroscpica), se est midiendo el flujo de 1x10
-6
Coulombs por segundo,
mientras que la carga del electrn es 1.602x10
-19
Coulombs, ms de diez millones
de millones de veces la carga que fluye en cuando se habla del microamperio. Es
por esto que fluctuaciones de un solo electrn e incluso de unos cientos de
electrones, suelen ser irrelevantes; es ms, aunque estos cambios de carga
tuviesen importancia, suelen compensarse por su carcter aleatorio (unos suben,
otros bajan) y por la velocidad con que ocurren (mucho menor a un
microsegundo).
Definimos la VELOCIDAD DE DERIVA como la velocidad promedio de los
electrones en el material, el CAMINO LIBRE MEDIO como el promedio de la
distancia que puede recorrer un electrn antes de chocar y el TIEMPO DE
DERIVA como el tiempo promedio entre colisiones. La ley de Ohm se mantiene
para todo material con una resistencia bien caracterizada y constante: V = IR, pero
para semiconductores su carcter dinmico (a veces ms conductor que otras
veces) esta ley debe verificarse con cuidado. Entonces, los conceptos de
Velocidad y Tiempo de Deriva, as como el Camino Libre Medio, son ms
exactamente relacionables con las variables macroscpicas de voltaje y corriente
en CONDUCTORES.
1.4 CRlSTALOGRAFlA
1.4.1 Slidos amorfos y cristalinos
Hemos hablado ya de sucesiones de tomos, slidos, materiales y
comportamiento cuntico y electromagntico. Tambin se ha comentado sobre la
estructura atmica y molecular general; ahora introduciremos algunas ideas
fundamentales sobre la forma como se dispone una multitud de tomos
conformando un objeto macroscpico.
Cuando los tomos se aglomeran para conformar una estructura mayor,
frecuentemente presentan alguna estructura regular. Para ser exactos, existen
patrones de configuracin an microscpicos que definen, caracterizan y de hecho
pueden identificar inequvocamente la estructura y propiedades del slido
macroscpico que conforman en total.
Se define al slido como una estructura no fluida: un material en estado fluido
(lquido, gaseoso) slo reacciona como un todo en respuesta a fuerzas
hidrostticas o hidrodinmicasun ejemplo es el agua contenida en un recipiente,
sobre la que no podemos definir algo como esfuerzo cortante, a diferencia de un
62
pedazo metal, sobre el cual es claro que podemos verle reaccionar ante un objeto
que ejerza presin sobre l: hablando formalmente, un slido exhibe
comportamiento elstico y es rgido. En general, se sabe que un slido
presenta una estructura u organizacin molecular bien definida, y en la
mayora de los casos es de tipo red cristalina. Una Red Cristalina es una
conglomeracin de molculas o tomos que sigue una geometra determinada.
Aqu el mejor ejemplo es un tablero de ajedrez. Si los cuadros representan una
molcula que se encuentra en cada centro, entonces las molculas negras y las
molculas blancas de este tablero siempre se encuentran espaciadas de la misma
forma y con los mismos ngulos. Por supuesto, podemos pensar que esta
estructura cristalina se puede complejizar imaginando que cubre las tres
dimensiones.
Un slido amorfo hace parte de la minora, y presentan un comportamiento
semifluido y semislido, respondiendo de una forma intermedia ante excitaciones
varias. Las molculas de un slido amorfo pueden tener alguna periodicidad
(alguna geometra que se repita peridicamente), pero sta ser imperfecta y en la
mayor parte de los segmentos de slido que se tomen no podr prcticamente ser
diferenciada de un conglomerado aleatorio y sin forma. Para aclarar aspectos
sutiles sobre esta diferenciacin, lo mejor es observar la figura 42.
Figura 42. Slido amorfo y cristalino.
Como puede observarse, la figura 42 (izquierda) no parece tener un orden tan slo
contemplando este pequeo nmero de tomos. Sin embargo, an se puede
establecer algunas periodicidades parciales, y equidistancias entre algunos pares
de tomos. Esto, por supuesto, no lo convierte en cristalino: es un slido amorfo
sin lugar a dudas.
Ms interesante es notar que el slido de la derecha es aproximadamente
cristalino si se quiere ser muy estricto en la definicin, o simplemente Cristalino, si
se es amplio. Como los modelos perfectamente simtricos no tienen sentido, ya
que los tomos y molculas estn siempre en movimiento, las pequeas
asimetras que son visibles en la estructura cuadriculada que aqu suponemos es
la fotografa de la red cristalina que conforma algn slido pueden deberse al
movimiento natural de cada partcula o a pequeos desperfectos de la red. En
general, durante el curso hemos de tener en cuenta que la perfeccin en las redes
cristalina es relativa, y que para efectos prcticos el anlisis aproximado es muy
fiable.
63
Por ltimo, se le recuerda al estudiante que 1.) los slidos a estudiar son los
cristalinos, ya que los amorfos pueden modelarse prcticamente como fluidos en
condiciones especiales; y 2.) Los slidos pueden estar formados por distintas
clases de tomos y molculas, adems de posibles impurezas.
1.4.2 Redes de Bravais
Ahora estudiaremos las formas en que pueden existir los Cristales (por cristal
entendemos una agrupacin de molculas/tomos que conforman un slido de
manera peridica).
Geomtricamente slo hay 14 posibles formas de acomodar peridicamente las
partculas que forman un slido:
1. Cbica simple,
2. Cbica centrada en la cara,
3. Cbica centrada en el cuerpo,
4. Tetragonal simple,
5. Tetragonal centrada en el cuerpo,
6. Ortorrmbica simple,
7. Ortorrmbica centrada en cara,
8. Ortorrmbica centrada en el cuerpo,
9. Ortorrmbica centrada en las bases,
10. Monoclnica simple,
11. Monoclnica centrada en las bases,
12. Triclnica,
13. Trigonal,
14. Hexagonal.
Cuya correspondencia podemos explicar mediante la grfica y tabla empotrada del
Colegio de Bachilleres del Estado de Sinaloa, en Mxico:
64
Figura 43. Tomada de www.cobaes.edu.mx :
Donde podemos observar la mayor parte de las diferencias geomtricas
visualmente. Por supuesto, varias de las redes parecen pertenecer a la misma
familia por sus condiciones angulares y de aristas. Ms all de esto, es
demostrable geomtricamente que estas redes cumplen algunas simetras que las
clasifican en subgrupos.
Las simetras son propiedades definidas sobre cualquier objeto de estudio y que
tienen que ver con invariabilidad del algn resultado a pesar de cambiar alguno de
los aspectos de su operacin: dicho de manera prctica: un objeto de estudio (un
cuerpo fsico, una funcin matemtica, un fenmeno de la naturaleza, una figura o
una partcula) se dice que cumple una simetra o TIENE una simetra bajo
determinada operacin cuando, al hacer esta operacin sobre l, ALGO
permanece igual. Previendo que el estudiante no est familiarizado con el
concepto, aqu hay algunos ejemplos:
1.) La esfera es simtrica bajo rotaciones sobre su eje: si un globo
perfectamente esfrico se gira, el resultado es una figura exactamente
igual.
2.) El cilindro es simtrico bajo rotaciones sobre su eje
65
3.) La operacin Elevar al cuadrado es simtrica bajo cambios de signos de
la base: si cambiamos el signo de la base que se va a elevar al cuadrado,
de todas maneras es resultado es igual (y positivo, dicho sea de paso)
4.) La operacin Elevar a la cuatro es simtrica bajo cambios de signos de la
base.
Habiendo aclarado lo anterior, se resume que existen las 14 redes anteriores se
agrupan en SIETE SISTEMAS CRISTALINOS, debido a sus propiedades de
simetra:
Sistema Cristalino Ejes ngulos entre ejes
Cbico a = b = c = = = 90;
Tetragonal a = b c = = = 90
Ortorrmbico a b c a = = = 90
Hexagonal a = b c = = 90; = 120
Trigonal (o Rombodrica) a = b = c = = 90
Monoclnico a b c a = = 90; 90
Triclnico a b c a (Todos distintos de
90)
Donde cada eje lo asimilamos a cada arista de la figura geomtrica. Para mayor
claridad:
Figura 44. ngulos y ejes, extrado de www.wikipedia.org
1.4.3 lndices de Miller
Las figuras geomtricas que identifican cada red de Bravais se pueden pensar
como unidades bsicas. De hecho, una Celda Unitaria est definida como una
regin del cristal especificada por los tres vectores a, b y que corresponden a los
ejes mencionados anteriormente; para ser realmente una celda unitaria, esta
regin debe producir cualquier otra regin del cristal (aproximadamente) al
trasladarse espacialmente mediante la multiplicacin por un nmero entero.
66
Los vectores a, b, c deben ser linealmente independientes y son llamados
Vectores Base. Segn las anteriores definiciones, es claro que pueden existir
diferentes Celdas Unitarias (el slido peridico que es la sucesin de cuadrados
de un centmetro cuadrado de rea tambin es la sucesin infinita de rombos de
un centmetro cuadrado de rea, o cuadrados de cuatro centmetros cuadrados de
rea). Por lo anterior, se define la Celda Unitaria Primitiva como la celda unitaria
de menor volumen que es posible definir. As, los Vectores Base Primitivos son
los vectores linealmente independientes que la definen.
La ubicacin de dada tomo existente en una red se puede representar entonces
de sta forma:
c l b k a h r
tomo

+ + =
Por supuesto, una estructura que sigue esta forma tiene tal regularidad que puede
entenderse como una sucesin de planos compuestos por redes bidimensionales
de tomos. La orientacin de estos planos bidimensionales tiene mucha
relevancia fsica debido a que debe estar intrnsecamente relacionada con la
manera como el slido se cohesiona y las direcciones de conduccin elctrica
preferidas, entre otras muchas propiedades (la multitud de factores, sin embargo,
hace que la relacin entre muchas de estas propiedades fsicas y los planos no
sea muy directa). Se puede demostrar que la orientacin de los planos queda
definida de una manera muy prctica realizando ciertas operaciones simples. Al
resultado se le llama ndices de Miller. Este es el procedimiento:
1.) Definir correctamente los Vectores Base
2.) Se calculan las intersecciones de stos con un plano del sistema de
manera que estos puntos estn descritos en funcin de mltiplos enteros de
los vectores base.
3.) Se invierten estos nmeros. La proporcin entre ellos es la que debe
mantenerse, as que los ndices de Miller son los enteros ms pequeos
que guarden esa proporcin.
Veamos la grfica del departamento de Cristalografa del Consejo Superior de
Investigaciones Cientficas de Espaa:
67
Figura 45. Plano abc que corta los vectores direccionales (el plano mayor, definido por las lneas
verdes, es paralelo al plano menor)
Como se aprecia, los vectores direccionales cortan infinitos planos paralelos si son
extendidos de manera infinita. Sin embargo, si se les da la longitud mnima d que
los hace constituir la celda unitaria primitiva, slo cortarn un plano adecuando
correctamente la amplificacin de esto (multiplicacin por nmeros enteros).
Como no es de todo relevante el entendimiento profundo de Cristalografa para un
curso de Fsica de Semiconductores dirigido a ingenieros, terminamos este
captulo con un ejemplo:
1. Un plano especfico est conformado por diversos tomos.
2. Los tomos que se encuentran en direccin a los vectores mencionados
anteriormente son slo tres.
3. Si las distancias reticulares de la red son las longitudes de los vectores, es
decir, a, b y c, ubicamos los tres tomos de interseccin por sus distancias
desde el origen que escogimos para el sistema de coordenadas.
Supongamos que estas distancias son 5a, 6b y 3c.
4. Entonces los inversos son 1/5, 1/6 y 1/3.
5. Utilizando el mnimo comn mltiplo, obtenemos que debemos amplificar
estos nmeros por 30 para obtener los menores enteros posibles sin perder
la proporcin. Entonces los ndices de Miller correspondientes son 6, 5
y 10: hkl = 6,5,10
68
1.5 SEMlCONDUCTORES Y DOPADO
1.5.1 Tipos de dopado y semiconductores
Los semiconductores que hemos revisado brevemente son semiconductores
puros, aproximadamente. Con esto queremos decir que son semiconductores
naturales, sin impurezas o con una cantidad nfima de ellas, si la comparamos con
el nmero total de tomos. Las caractersticas intermedias entre conductores y
aislantes exhibidas por ellos se refieren a su configuracin de bandas general, y
es tambin la que produce su dependencia fuerte la temperatura y su resistencia
elctrica tpicamente intermedia entre la de los aislantes y la de los conductores,
en general. Estos semiconductores son llamados Intrnsecos.
Los semiconductores Extrnsecos son aquellos que presentan impurezas en su
estructura. En otras palabras, algunos tomos de un material externo se
encuentran en su estructura cristalina.
En los semiconductores intrnsecos cualquier fenmeno de conductividad se debe
siempre a los efectos trmicos. Por tanto, lo que hemos referido acerca de las
bandas electrnicas lleva a la ineludible consecuencia de que, por cada electrn
libre de conduccin, hay necesariamente un hueco en bandas inferiores, y ste
salto ha sido producto de la energa cintica molecular (asociada directamente con
la temperatura). Este hueco es portador de carga positivo, e incrementa la
conductividad.
Obviamente, un semiconductor Intrnseco entonces tiene la misma cantidad de
huecos que de electrones libres. El semiconductor extrnseco, en cambio, no
presenta tal comportamiento porque LA IMPUREZA ALTERA LA ESTRUCTURA
DE BANDAS. De hecho, la valencia (electrones en el ltimo nivel) de las
impurezas simula una partcula cargada, como se ver ms adelante.
Los tipos de dopado son:
- TIPO N: El tomo de impureza tiene ms electrones en la capa de
valencia que los tomos de material semiconductor que lo rodean. El
caso tpico es el de las impurezas del grupo V de la tabla peridica que
se encuentran comnmente en semiconductores de Silicio o Germanio.
Como los cuatro electrones de valencia de los semiconductores se
asocian con enlaces covalentes, el quinto electrn de la impureza queda
como sobrante y no forma parte de enlace alguno. El resultado es
que, aunque el tomo de impureza es neutro incluyendo a este electrn,
69
la fuerza con la que ste se liga al tomo es bajsima (banda de
conduccin).
- TIPO P: Justo lo opuesto. Los tomos de impurezas son del grupo III,
haciendo que FALTE un electrn para completar la valencia, hablando
en trminos de enlaces y estructura cristalina. Esto puede verse como
un hueco, y en el sentido anteriormente descrito ste contribuye a la
conduccin elctrica.
En ambos casos existe un aumento de conductividad. En la prxima seccin
veremos cmo funcionan los semiconductores extrnsecos.
1.5.2 Anlisis de materiales p y n
Los materiales p y n son los semiconductores utilizados comnmente en
electrnica. Mediante ellos se pueden construir diodos, transistores y otros
dispositivos. La diferencia entre uno y otro en tanto la viabilidad de su
construccin tiene que ver con las caractersticas atmicas de los elementos del
grupo III y V, ya que son los que ms fcilmente pueden inmiscuirse en una red
semiconductora pura.
Los semiconductores en general siguen la estadstica de Fermi Dirac en cuanto
sus portadores de carga. Esto quiere decir que, en cuanto a las concentraciones
de huecos y electrones, hay una herramienta estadstica que permite entender el
comportamiento elctrico total.
Los semiconductores tipo p y tipo n siempre tienen una mayor concentracin de
huecos o electrones que un semiconductor intrnseco, por supuesto, hay que
entender que los semiconductores tipo n y tipo p simplemente AADEN electrones
o huecos a la configuracin natural de los semiconductores. De esta forma, para
diferenciar uno de otro, se define:
Electrones o huecos trmicos: los generados naturalmente en cualquier
semiconductor por efecto de que su temperatura sea mayor a la del cero absoluto,
debido al salto de electrones a travs del GAP.
Para aclarar sta seccin y la interior, se consignan las siguientes grficas,
extradas de www.pcaudio.com:
70
Figura 46. Red de silicio, semiconductor Intrnseco
Figura 47. Red de silicio Dopado. Existe un hueco que corresponde a una ausencia de electrn.
El tomo de abajo podra ser Boro, por ejemplo.
71
Figura 48. Red de silicio dopado. Existe un electrn por fuera de red, as que el tomo de abajo es
del grupo V, como el fsforo.
Como puede verse, las ltimas dos figuras deben ser semiconductores
extrnsecos. Tambin podemos identificar que la figura 47 corresponde a un
semiconductor tipo P y la figura 48 a un semiconductor tipo N.
La estadstica de Fermi Dirac simplemente relaciona las posibles energas de los
electrones con la probabilidad de que un electrn tenga esas energas: en otras
palabras, aclara cuntos electrones (o qu intervalo de nmero de electrones)
podemos tener con ciertas caractersticas. Es claro que lo anterior se puede decir
de los huecos de igual forma. Las ecuaciones de corriente y voltaje que
estudiaremos ms adelante slo son posibles a travs del uso de la informacin
estadstica de los portadores de carga. Las figuras ilustran la estructura
electrnica de impurezas dentro de los cristales.
72
Figura 49. Arsnico como impureza, de www.autocity.com
Figura 50. Boro como impureza, de www.autocity.com
73
1.5.3 Unin PN y recombinacin
Cuando unimos un semiconductor n con uno p estamos creando una zona
fsicamente diferente en la juntura. Entendamos la unin de los dos materiales
como la unin en una cadena tridimensional de dos diferentes estructuras.
De un lado tenemos una sucesin geomtrica de enlaces covalentes donde
encontramos ocasionalmente impurezas con un electrn de menos sobre la red,
mientras que del otro la situacin es anloga, a excepcin del electrn
SOBRANTE en vez de FALTANTE, sobre la estructura de la red. Supondremos
que la red es de silicio.
Del lado izquierdo (p) imaginamos entonces concentraciones de huecos, mientras
que del lado derecho (n) imaginamos concentraciones de electrones. Si los
huecos y electrones fueran resultado de una simple ionizacin trmica (es decir, si
no existieran impurezas), el nmero de huecos sera igual al de electrones, en
cada uno de los sectores. Esta concentracin intrnseca de portadores de carga
(sean electrones o huecos) es:
) / exp(
3 2
kT E BT n
G i
=
donde T es temperatura, E
G
la energa del GAP, k la constante de Boltzmann, B es
el parmetro del material (4.4x10
31
en el caso del silicio) y n
i
el nmero de
portadores. Si sabemos el nmero de portadores disponibles, podemos intentar
calcular la corriente que stos pueden producir.
El factor que hace falta es conocer cmo se presenta el fenmeno fsico de
conduccin en esta regin. La corriente puede responder a dos procesos
diferentes:
- Corriente por Difusin: Es la ocasionada por simple dilucin de una
impureza en un material. Lo que esto quiere decir es que simplemente
los huecos se mueven hacia donde hay menor concentracin de huecos
y los electrones a donde hay menor concentracin de electrones. Se
debe a la agitacin trmica y movimiento aleatorio natural del mundo
microscpico.
- Corriente por Drift (no se usa la traduccin para ajustarse mejor a la
terminologa internacional): Es la corriente tradicional esperada por la
aplicacin de un campo elctrico. Como huecos y electrones no son
completa y puramente libres, la simple ecuacin de campo elctrico no
es suficiente.
74
De hecho, existe la difusin porque existe un gradiente de concentracin. Sin este
requisito, no puede ocurrir. Cuando se da este movimiento de cargas, llega el
momento en que los huecos y los electrones puedan encontrarse, en la unin pn.
Este es el proceso de Recombinacin, mediante el cul se agotan los portadores
disponibles porque, a la luz de lo que se ha explicado, un encuentro de un electrn
y un hueco no es ms que el llenado de ese hueco.
La regin en la que se da la recombinacin es denominada Zona de Agotamiento
y este proceso est estrechamente relacionado con las concentraciones de
portadores que existan. En un semiconductor extrnseco estas concentraciones
estn relacionadas con la razn de ionizacin trmica: cuntos electrones saltan
por intervalo de tiempo, originando el par electrn-hueco.
En semiconductores extrnsecos encontramos todo lo anterior de la misma
manera, entendiendo que los tomos de impureza pueden ser de dos clases:
donadores y receptores. La independencia de las dos regiones a lado y lado de la
unin PN puede llevar, entonces, a una manipulacin de las razones de ionizacin
y de las concentraciones; esto alterar profundamente la respuesta elctrica del
material al campo elctrico.
La concentracin de impurezas equivale a concentracin de electrones o huecos,
y el producto de multiplicar las concentraciones de electrones por las de huecos
siempre es igual a una constante, siempre y cuando se est en equilibrio
trmicoaqu el estudiante podr notar entonces que los semiconductores
dopados no tienen igual cantidad de huecos que de electrones, en ningn
caso: habr portadores mayoritarios y portadores minoritarios. Obviamente,
los portadores mayoritarios de materiales tipo n son electrones y los portadores
mayoritarios de materiales tipo p son huecos.
En las siguientes grficas se aclara parte de lo explicado hasta el momento con
relacin a la regin semiconductora PN.
75
Figura 51. Tomado del Departamento de Ingeniera de Harvey Mudd College. www.hmc.edu
Figura 52. Op. Cit. Muestra la carga elctrica como funcin de la ubicacin dentro del material pn
completo. Obsrvese en el centro la regin de agotamiento.
76
1.6 RELAClN CON EL CONTEXTO
1.6.1 Descripcin general de un semiconductor: casos prcticos
El contexto de nuestro estudio es puramente de ingeniera; toda la fsica revisada,
a los niveles que sea, debe enmarcarse en el objeto de la carrera que se cursa.
Por tanto, a continuacin tratan de vincularse los aspectos tericos con su utilidad
prctica.
Para describir un semiconductor pensamos en sus propiedades fsicas. Qu es
importante saber si se desea construir algn dispositivo para una posterior
aplicacin electrnica?
1.) Conductividad a una temperatura dada.
Si se especifica la conductividad del semiconductor a una temperatura dada,
es posible hacer proyecciones de cul ser su resistencia elctrica en otras
temperaturas. Siempre es posible realizar pruebas que especifiquen el
comportamiento trmico de un semiconductor mediante curva experimental.
2.) Concentracin de impurezas
Actualmente, en el proceso de fabricacin de un material semiconductor, es
posible conocer con gran precisin la proporcin con que se encuentran
impurezas en un semiconductor.
3.) Defectos de red
En la fabricacin de cualquier cristal se presentan diversas imperfecciones.
Estas son inevitables: tambin en la naturaleza se presentan estos fenmenos,
como se mencion en parte de lo estudiado anteriormente. Entre estos
defectos estn las dislocaciones: deformaciones en la estructura cristalina que
se ven con ngulos alterados y que afectan slo a una fila de tomos.
4.) Comportamiento frente al campo elctrico
Como un material semiconductor puede pertenecer a diferentes perodos de la
tabla peridica, es natural que sus propiedades fsicas puedan variar segn el
semiconductor sea de un material u otro. Particularmente, la respuesta a
campos elctricos vara y es de crucial importancia, pudiendo definirse tambin
con el trazado de grficas experimentales, y relacionada siempre con aspectos
77
circuitales. Es decir, la resistencia elctrica y otros fenmenos sern
cualidades que caracterizan el sistema semiconductor, recordando que en
circuitos aplicar campo elctrico equivale a aplicar voltaje. Adems es
importante recordar que el hecho de que el incremento de la corriente elctrica
genere tambin un aumento en temperatura debe considerarse en el
entendimiento cualitativo y cuantitativo del comportamiento de la resistencia al
paso de corriente a travs del semiconductor.
5.) Caractersticas mecnicas
La resistencia a la deformacin y otros aspectos meramente mecnicos
pueden ser tiles en multitud de situaciones, ya que algunas aplicaciones de
ingeniera exigen ciertas caractersticas especficas. Cabe anotar que el uso de
semiconductores en aplicaciones que no tengan que ver con optoelectrnica o
transductores (como se ver en la segunda parte del curso) se remite
generalmente al diseo de semiconductores a escala microscpica, en
circuitos integrados, transistores o diodos.
1.6.2 Estado del arte
Por primera vez hablaremos especficamente de los semiconductores. Estos son:
ELEMENTO GRUPO ELECTRONES LTIMA
CAPA
Cd IIB 2
Al, Ga, B, In IIIA 3
Si, Ge IVA 4
P, As, Sb VA 5
Se, Te, S VIA 6
Ya hemos entendido que la clave para el comportamiento semiconductor son los
enlaces covalentes, por lo que entendemos que son necesarias combinaciones
que produzcan cuatro (4) electrones de valencia. Esto sabemos que ocurre
naturalmente con el Silicio y el Germanio, elementos ambos del grupo IV. Si
combinamos en una molcula un elemento del grupo II con otro del VI o del III con
del V, obtenemos tambin comportamiento semiconductor.
El azufre es de utilizacin ms reciente y el Silicio es el ms fcil de construir, por
lo que fue el primero en utilizarse, histricamente hablando. Veamos cmo se ve
una red donde la unidad principal no es un tomo sino una molcula, en ste caso
correspondiente al compuesto qumico GaAs, Arseniuro de Galio:
78
Figura 53. Segmento de Arseniuro de galio, donde se observa que un galio se enlaza con ms de
un germanio. Tomado de la pgina de la universidad de Waterloo, www.uwaterloo.ca
1.6.3 Anlisis de un posible diseo de semiconductor
En esta seccin el estudiante debe investigar por su cuenta con miras al trabajo
colaborativo propuesto. A continuacin se consignan algunos aspectos
referenciales acerca de cmo enfocar sus lecturas libres.
Debe entenderse que entre los aspectos importantes a definir, estn los
siguientes:
- Elementos qumicos a usar.
- Tipo de impureza a emplear.
- Concentracin de impurezas.
- Pureza del semiconductor, respecto a imperfecciones de la red.
- Caractersticas Mecnicas externas como consecuencias de los
anteriores puntos.
- Caractersticas Elctricas externas como consecuencias de los
anteriores puntos.
79
Y los dos puntos anteriores deben responder a especficos requerimientos de
diseo que la aplicacin electrnica final exija.
Es necesario tener en cuenta que el diseo de semiconductores se refiere
bsicamente a crear elementos slidos capaces de responder electromagntica y
trmicamente de un modo especfico. El diseo de COMPONENTES electrnicos
es una etapa posterior y consiste en USAR los semiconductores ya disponibles
para construir una estructura que, debido a su arquitectura, funciona como uno u
otro dispositivo electrnico (diodos, transistores, etc.).
1.7 FENMENOS Y FORMULAClONES RELEVANTES EN TEORlA DE
SEMlCONDUCTORES
1.7.1 Fonones y vibraciones
En general cualquier slido puede verse afectado por una onda mecnica. La
incidencia de la onda mecnica sobre el medio se traduce microscpicamente en
algn tipo de colisin entre las molculas del medio y las del slido. Siendo ms
especficos, las ondas mecnicas no son ms que vibraciones que son
comunicadas de una molcula a otra: es natural que tales vibraciones puedan
pasar a un slido.
Como se vio anteriormente, los slidos cristalinos tienen una estructura tan
especfica y geomtrica, que puede esperarse que la reaccin a las colisiones sea
similar en toda la red. Por esto, cuando existe una excitacin vibratoria en algn
punto de la red, sta puede fcilmente extenderse a los dems justo de la misma
forma como se provocan ondas de sonido en el aire; recurdese que cuando un
tambor es golpeado es la vibracin de su membrana la que produce la onda
sonora en el aire: su peridica (rtmica, podra decirse) oscilacin en uno y otro
sentido comprime y descomprime el aire acompasadamente, de manera que estas
diferencias de presin afectarn las molculas contiguas del aire, haciendo que
stas ltimas tambin presentes cambios similares de presin. Esto es el sonido.
A la luz del anterior prrafo, resulta comprensible que en una red cristalina, donde
los tomos estn a distancias iguales de sus compaeros, cualquier cambio en el
movimiento de uno de sus componentes se traduzca en un radical cambio en la
fuerza que ste ejerce sobre sus compaeros, ya que las fuerzas dependen de la
80
distancia entre partculas. Estas alteraciones de fuerzas son experimentadas por
los vecinos: finalmente, un proceso ondulatorio se presenta en todo el slido.
Ahora bien, no necesariamente la onda podr verse como un fenmeno
completamente simtrico. Segn la organizacin de la red, es posible que existan
ciertas direcciones preferenciales a travs de las cuales la vibracin se comunica
ptimamente y otras en las que la vibracin se atena con rapidez a travs del
slido. Esto se vera como dos tipos de ondas: una sin atenuacin medible y otra
cuya amplitud va decreciendo rpidamente, exhibiendo un comportamiento que
muchas veces es rotulado como Oscilacin Amortiguada.
Figura 54 Oscilador Amortiguado, grfica de la amplitud de oscilacin de cada elemento de la red
en funcin a la distancia a partir del punto de origen de la onda (en alguna unidad relacionada con
la constante de red). En este caso la atenuacin de la vibracin en verde es mucho mayor que la
azul.
La transmisin de la onda supone una transmisin de energa. Medir esta energa
puede ser objeto de estudios interesantes; de hecho, la energa que se transmite
puede verse como un paquete debido a que la transmisin no se da de forma
continua sino discreta. En otras palabras: no se transmite cualquier cantidad de
energa cuando se hace vibrar la red, sino un mltiplo entero de una cantidad
mnima de energa definida por algunas condiciones fsicas. Un fonn es el
cuanto de energa (la mnima cantidad posible de transmitir) en la red
cristalina. Entonces un fonn viajando representa la propagacin de una
onda en la direccin de su trayectoria de viaje.
81
El tratamiento de Cuantos en fsica es un poco ms delicado que simplemente
entenderlos como representantes de ondas. El fonn es una especie de energa
viajera que se comporta exactamente igual a una partcula cuando colisiona con
otra partcula (sean fermiones u otro fonn, por ejemplo), pero que sigue las
propiedades de las ondas en otras situaciones (recurdese la dualidad onda-
partcula estudiada al inicio de la unidad).
A continuacin se estudiar el problema de la dualidad de los cuantos con una
partcula mucho ms usada en el contexto de la ingeniera Electrnica: El Fotn.
1.7.2 Efecto fotoelctrico y cuantizacin de la energa.
Ciertos materiales, al recibir cierto tipo de luz, alteran su respuesta elctrica.
Microscpicamente hablando, la luz puede hacer que aumenten los electrones
disponibles para conduccin. De hecho, puede establecerse una corriente
elctrica espontnea si la trayectoria es cerrada (circuito cerrado).
Este fenmeno es conocido como Efecto Fotoelctrico. Su definicin exacta ha
variado con el transcurso de los aos, los experimentos, la teorizacin al respecto
y las investigaciones formales. Aunque existe una manera de explicarlo
formalmente haciendo uso de la Mecnica Cuntica, nosotros haremos una
simplificacin de sta para poder abordar sus aspectos fundamentales
brevemente.
A continuacin se consigna separadamente el aspecto microscpico de las
partculas involucradas y el aspecto macroscpico del cmulo total que conforma
el slido. Posteriormente se encuentra el concepto global que une ambos puntos
de vista.
Aspecto Microscpico
- Los electrones orbitan alrededor de los ncleos debido a la fuerza
electromagntica atractiva: cambios en su energa cintica pueden
desencadenar que los electrones salgan de sus rbitas.
- La luz es una onda electromagntica. Cualquier flujo lumnico a travs
de un tomo o molcula es experimentado por los electrones como un
campo electromagntico que los excita.
- La excitacin electromagntica para un electrn ligado es simplemente
una adicin a su energa total equivalente justamente a la energa que
la onda electromagntica pierda: exactamente igual a como funciona un
colador, si un material (por ejemplo, un vidrio) parece bloquear la luz,
82
es posible que no sea porque sta se refleje, sino porque haya sido
ABSORBIDA por l.
- La onda electromagntica transfiere energa en cuantos llamados
FOTONES. Los fotones son la mnima cantidad de energa transferible
al electrn y su valor numrico (es decir, su tamao, usando una
metfora) depende de la frecuencia de la onda.
Un cuanto de luz, un fotn, tiene una energa E = hf, donde h es la constante de
planck y f la frecuencia de la onda electromagntica incidente. De lo anterior,
entonces:
e = E
Aspecto Macroscpico
- Cuando se suministra luz a diversos materiales en cortocircuito, slo
algunos establecen una corriente elctrica.
- Al variar la frecuencia de la luz incidente, se observa mayor o menor
efecto fotoelctrico. Particularmente, existe una frecuencia de corte a
partir de la cual se presenta el efecto Fotoelctrico.
- La cantidad de electrones desprendidos por causa de la luz es
proporcional a la Intensidad Luminosa (relacionada con la amplitud de la
onda electromagntica), pero NO GUARDA RELACIN con la
frecuencia. LA FRECUENCIA DE LA LUZ SLO DETERMINA SI SE
PRESENTA O NO EL EFECTO.
- Con mayor detalle, se encuentra que, ms all de la frecuencia de corte
hay frecuencias especficas donde, para una misma intensidad, parece
haber una mejor respuesta del material.
Se modela el fenmeno comprendiendo que la luz suministra energa para dos
aspectos:
1.) Que el electrn del material se libere (electrn libre).
2.) Que se electrn libre se acelere.
De donde ya podemos deducir que el efecto fotoelctrico se presenta en
SEMICONDUCTORES con gran claridad; en otros materiales algunas veces no
pueden diferenciarse con tanta facilidad los electrones provenientes de este efecto
(llamados fotoelectrones en argot tcnico) de los libres comunes que pueda tener
el material. Por supuesto, en metales este efecto se puede presentar y exhibirse
mediante un nodo que atraiga los electrones liberados. La energa del electrn
liberado es:
| e =
electrn
E
83
Donde phi () es la energa necesaria para liberar el electrn, nombrada
comnmente como Funcin Trabajo. Como puede verse, ste es un modelo
eminentemente cuntico: la energa electromagntica est cuantizada respecto a
su interaccin con la materia, y en general colisiona como partcula.
En general un electrn absorbe energa electromagntica en mltiplos
enteros de la cantidad mnima posible E
f
, es decir, absorbe fotones de
energa. Si la fuente de luz tiene varias frecuencias, entonces absorbe
diferentes fotones.
Para aclarar lo anterior se suele decir que un fotn tiene distinto color que otro:
as, el fotn de la onda electromagntica de mayor frecuencia tiende a ser ms
violeta. Esto, por supuesto, no es ms que notacin y nemotecnia, ya que el
color es una construccin cerebral sin otra realidad fsica que la frecuencia de
oscilacin de la onda; se puede decir que una onda tiene mayor o menor longitud
de onda o frecuencia de oscilacin, pero hablar de color no es fsicamente exacto,
ya que la percepcin del color es relativa.
En un tomo, a primer orden de aproximacin, las transiciones en estados
electrnicos slo ocurren entre estados adyacentes de energa: el nmero
cuntico n del nuevo estado al que evoluciona un electrn debe ser consecutivo
al anterior, por defecto o por exceso; por ejemplo, si el electrn est en una rbita
correspondiente a n=2, slo puede pasar a una rbita n=1 o n=3 cuando mucho.
Por esto, slo fotones del tamao (o color, ya que en todo caso estas son slo
metforas) suficiente como para proveer esta energa pueden provocar estos
cambios. Si el fotn es ABSORBIDO, salta a n=3; si el fotn es EMITIDO por
el electrn, esto corresponde a un salto a un nivel inferior n=2. Es importante
recordar que un electrn tambin puede emitir espontneamente fotones, si su
decaimiento a niveles inferiores es tambin espontneo.
1.7.3 lntroduccin a la estadstica de Fermi-Dirac
ESTADOS ENERGTICOS Y ESTADSTICAS
En general sera ideal conocer todos los aspectos fsicos de un sistema para
realmente poder construir un modelo de su comportamiento. Como hay miles y
miles de tomos en un material, y adems cada tomo es tan pequeo que es
difcil medir variables sobre un nico tomo, es natural que este proceso sea
complicado; quiz imposible. Teniendo en cuenta que la naturaleza misma de los
componentes del universo los fermiones, bosones, tomos y molculas est
regida por una teora probabilstica (La Mecnica Cuntica), es comprensible que
el estudio de un slido deba recurrir a herramientas estadsticas para poder vencer
84
la ineludible aleatoriedad en el comportamiento individual de cada tomo,
molcula, electrn, etc.
La energa de un electrn est dada principalmente por el nmero cuntico n
debido a que las contribuciones a la energa provenientes de cambios en el
momento angular (como se vio anteriormente) es decir, en el nmero cuntico
l son muy pequeas: la cantidad ms importante de energa que tendr el
electrn responde a qu valor de n tiene su funcin de onda. La energa total
tambin est relacionada con otros aspectos del electrn (rbita, velocidad, etc.),
de modo que especificar la energa de un electrn en particular se hace decisivo a
la hora de entender su estado cuntico. De hecho, en la teora estadstica que
expondremos a continuacin se entender que un estado cuntico est
completamente determinado al especificar a qu energa corresponde; dicho de
otro modo, hablaremos de estados cunticos energticos como los estados
de inters para la comprensin del comportamiento de los slidos.
Especficamente, en la prxima unidad, abordaremos los temas de la fsica de
semiconductores que realmente son relevantes para la Ingeniera Electrnica.
Estos, por supuesto, son los referentes a la respuesta elctrica, magntica y
trmica de los semiconductores.
ESTADSTICA DE FERMI-DIRAC
En este contexto las estadsticas son entonces modelos matemticos de cun
probable es que una partcula se encuentre en determinado estado energtico.
Bsicamente, esto corresponde a especificar, en un slido, cul es la proporcin
de partculas en cada estado: usar la descripcin matemtica de la probabilidad
para calcular cuntas hay en cada estado energtico se hara sencillo.
La estadstica de Fermi-Dirac es una excelente aproximacin al comportamiento
exacto de fermiones en general, desde un punto de vista cuntico.cabe recordar
que decir un punto de vista cuntico es equivalente a decir desde el punto de
vista real y exacto de las partculas, pues el universo en general es cuntico. Sin
embargo, para muchsimos problemas son utilizados modelos clsicos. Por
ejemplo, la distribucin de Maxwell-Boltzmann es aplicada para el estudio de
multitud de fenmenos macroscpicos compuestos por la interaccin y evolucin
de trillones de trillones de partculas, funcionando de una manera muy satisfactoria
Por qu? Porque muchos fenmenos fsicos (como se discuti al inicio de esta
unidad) se comportan de manera clsica en multitud de circunstancias (sea
porque el nmero de partculas provoca este efecto, sea porque las temperaturas
lo posibilitan, o sea por la razn que sea), permitiendo un anlisis que no requiere
utilizar principios de Mecnica Cuntica. La Estadstica de Fermi-Dirac S utiliza la
mecnica cuntica de electrones que hemos aprendido hasta ahora. Debido a su
complejidad y el poco uso que se hace en Ingeniera al proceso de estas
85
demostraciones, se explicar muy brevemente y en la prxima unidad se utilizarn
directamente frmulas finales y conceptos.
La distribucin de Maxwell-Boltzman es, aproximada y bsicamente, una
exponencial decreciente. Es decir, a medida que revisamos energas superiores,
encontramos que hay menos electrones con tal energa. Cualquier fermin
siempre tender a ocupar ms bien los estados de menor energa que los de
mayor energa. Hablando de manera exacta, la distribucin de Maxwell-Boltzman
es una exponencial decreciente alterada, de forma que su mximo valor no ocurre
para energa cero sino para alguna energa baja comparada con el resto de
energas mayores que ella que tengan alguna probabilidad significativa.
La distribucin de Fermi-Dirac funciona un poco diferente: primero que nada, las
suposiciones de ambas estadsticas son diferentes. En la vida real, los electrones
son indistinguibles y cumplen el principio de exclusin de Pauli; estos dos
aspectos son completamente ignorados en la derivacin de la distribucin de
Maxwell-Boltzman.
Si tenemos un estado identificado por la energa , podemos tratar de deducir
cuntos electrones pueden ocupar ese estado, para construir una funcin de
distribucin de probabilidad segn la energa de cada estado. Como deben
cumplir el principio de exclusin de Pauli, lo que se hace es contar cuntos
estados electrnicos contiene cada nivel de energa. Esto quiere decir que
cada estado electrnico de energa de un mismo nmero n tiene muchos
subestados, como lo vimos al inicio de esta unidad. Si existen 6 electrones en un
nivel n
1
, sabemos que esos 6 electrones estn cada uno en un estado cuntico
diferente del resto de electrones, por el principio de exclusin de Pauli. As,
podemos revisar cuntas configuraciones diferentes corresponden al mismo
estado energtico n
1
de esos seis electrones. Esquemticamente podemos ver
los conceptos que hemos explicado hasta ahora en las siguientes figuras.
Figura 55. Electrones en distintos estados energticos.
En la figura 55 se aprecian 6 niveles, de manera que el ltimo est vaco. Esta
grfica puede representar estados energticos: de esta forma, los niveles
superiores tienen energa ms alta, y por lo menos existen 2 estados cunticos
86
posibles para los dos primeros niveles: tienen que haber por lo menos dos estados
diferentes para que dos electrones estn en ese nivel energtico. Es posible
encontrar una configuracin diferente de los mismos 6 electrones:
Figura 56. De nuevo los 6 electrones de la figura anterior.
Ac es claro que ste es un estado energtico de menor energa: ahora el electrn
naranja se encuentra con una energa inferior (de hecho, la ms baja del
diagrama), y de paso esto obliga a que en realidad se estado base debe tener
mnimo tres estados cunticos posibles. Sin embargo, es posible tambin que
distintas configuraciones produzcan la misma energa total. Supongamos que los
5 niveles de los diagramas anteriores no son energticos, sino de otro tipo. De
hecho, pensemos que n=2: entonces l=0,1 y m = -1,0,1, mientras que los espines
son . Existen entonces muchas ms posibilidades:
L=0 m=0 Un solo estado
L=1 m=-1,0,1 Tres estados
As vistos, pueden haber 4 electrones en el nivel de energa 2 sin necesidad de
acudir al espn. Sin embargo, como la realidad es que el espn existe, contemos:
L=0 m=0 Pero dos espines posibles Dos estados
L=1 m=-1,0,1 Pero dos espines posibles Seis estados
Entonces grafiquemos los niveles que corresponden a Energa = E
2
:
87
Figura 57. Estados para n=2. En amarillo los posibles estados para l=1 y en morado los posibles
estados para l=0.
Donde el concepto de subnivel tiene un sentido independiente de la energa en
este contexto: nuestra aproximacin especifica que la energa de todos los
subniveles (los amarillos y el morado) es la misma, la E
2
. En amarillo
encontramos los seis estados que corresponde a l=1, debido a los tres posibles
valores de m y el spin. El ltimo subnivel est vaco.
El nmero de estados cunticos correspondientes a una misma energa se llama
DEGENERAMIENTO DEL NIVEL. La distribucin de Fermi-Dirac responde a la
siguiente descripcin matemtica:
1
) (
+
=

T K
i
i
B
i
e
g
n
c
Donde n
i
es el nmero promedio de partculas en el estado de energa
i
c , g
i
es la
degeneracin del estado i-simo y es una constante que representa el estado
frontera a partir del cual no se espera tener partculas; es el llamado Nivel o
Energa de Fermi, E
f
.
88
SEGUNDA UNIDAD DIDCTICA
SEMICONDUCTORES EN INGENIERA ELECTRNICA
2.1 UNlONES
2.1.2 Aproximacin conceptual a las consecuencias elctricas de la regin
de agotamiento
Como se coment en las ltimas secciones de la unidad anterior, una unin PN
tiene una zona de recombinacin de portadores en donde hay un trnsito de
cargas a travs de la juntura misma. La regin P, con portadores positivos, tiende
a atraer hacia s los portadores negativos de la regin N. De hecho, esta atraccin
permite que muchos portadores crucen la juntura, dirigindose a la zona contraria
y permaneciendo ah sin llegar a recombinarse (recurdese que la recombinacin
es un proceso parcial, que requiere cierta coincidencia aleatoria entre la ubicacin
de los huecos y los electrones).
Figura 58. Regin de agotamiento
En la figura 58 podemos observar que en la regin P se acumulan portadores
negativos, mientras que en la N ocurre lo contrario. Esto se puede ver como una
barrera de potencial (o voltaje) ubicada cerca de la juntura, o como un campo
elctrico atravesndola. Como es evidente, el campo elctrico va en sentido
89
contrario al existente naturalmente en las zonas PN, como vemos en la figura
nmero 59.
Figura 59. La flecha roja es el campo en la regin de agotamiento y la derecha indica el sentido
natural de la corriente de difusin
De este modo, este campo elctrico debe asociarse a una barrera de potencial
que entorpece la circulacin de la corriente de difusin. Por supuesto, esto
significa que debemos modificar cualquier modelo simple para encontrar
numricamente el valor de la corriente de difusin, incorporando el efecto de la
regin de agotamiento. Si polarizamos de ciertas maneras, el ancho de la regin
de agotamiento se ve afectado:
Figura 60. Polarizacin Inversa
En la figura 60 se aprecia la definicin de Polarizacin Inversa: se coloca el
terminal N ms positivo que el terminal P con una fuente de voltaje. Debido a
esto, la regin de agotamiento se ensancha (los extremos de cada zona atraen los
portadores de la zona contraria), trayendo como consecuencia una reduccin de la
corriente de difusin.
En realidad, una mejor manera de mostrar la consecuencia elctrica es polarizar
mediante una fuente de Corriente en sentido INVERSO a la corriente de difusin
(en amarillo en la grfica); en este caso aparecera espontneamente un voltaje a
travs del material PN, correspondiente exactamente a la barrera de potencial de
90
la regin de agotamiento (voltaje inverso). La fuente de corriente tendra un valor
tambin exactamente igual a I
S
- I
D
(recurdese la notacin y descripcin usada en
la unidad anterior).
Entendiendo estos bsicos efectos, es mucho ms sencillo afrontar la tarea de
deducir el comportamiento de los materiales de los que estn hechos los
dispositivos semiconductores. El anterior por ejemplo es un DIODO. Cualquier
unin PN se constituye en un Diodo, cuyo comportamiento elctrico se puede
resumir en, bsicamente, impedir el flujo de corriente en una direccin y permitirlo
en la otra, admitiendo todo tipo de valores de corriente mientras el voltaje a travs
de sus terminales permanece aproximadamente fijo.
2.1.2 Semiconductores con varias uniones: generalidades
Antes de emprender la tarea de entender ecuaciones relacionadas con las uniones
PN, daremos un vistazo a los semiconductores en general.
Como se dijo anteriormente, una unin PN constituye un diodo. Estos diodos se
pueden construir con diferentes materiales y especificaciones fsicas,
consiguiendo que sus funcionamientos varen bastante. As mismo, la
configuracin y materiales de dispositivos de dos uniones o ms hacen que su
funcionamiento tenga muchas ms variantes que los de los diodos.
Ajustando las dimensiones del dispositivo semiconductor, en general se puede
manipular la corriente tpica (o la mxima o mnima posible) que puede atravesar
el semiconductor. De hecho, es lgico pensar que a mayor ancho de seccin
transversal (que sera tambin el ancho de las junturas PN), habr ms corriente
disponible, como quiera que la cantidad de portadores aumentar.
Con varias uniones pueden construirse transistores bipolares: estos pueden ser
NPN o PNP. Como puede suponerse, la polarizacin para lograr que estos
transistores funcionen de una u otra forma ser exactamente inversa, ya que la
regin de agotamiento de cada juntura tiene una barrera potencial de signo
contrario.
91
Figura 61. Semiconductor PNP
Otras caractersticas tendrn un anlogo similar. De hecho, en la construccin de
cualquier dispositivo electrnico basado en semiconductores siempre intervienen
los mismos aspectos:
- Materiales P y N
- Uniones
- Diseo de las dimensiones para controlar las corrientes
- Diseo de dopado (semiconductores extrnsecos)
- Terminales metlicas a travs de las cuales se conectan fuentes de
corriente o voltaje para poner a funcionar el dispositivo
- Derivacin de ecuaciones de corriente y voltaje que dependen de la
corriente y el voltaje forzado a travs de las terminales
- Posibilidad, para un mismo dispositivo electrnico, de diversas opciones
de funcionamiento.
Existe un tipo ms complicado de transistor: el MOSFET, Metal-Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor (luego se ver el significado de su sigla),
para cuya construccin se usan tcnicas diferentes y cuya estructura es ms
compleja. Si se cuentan las uniones, resultan ser muchas: en realidad parte de
sus zonas P o N no cumplen exactamente la funcin de proveer portadores sino
ms bien de CATALIZAR procesos, hacer que ciertos fenmenos ocurran
fcilmente. Su operacin es diferente a un transistor PNP o NPN (estos ltimos
son llamados BJT, Bipolar Junction Transistor).
92
Figura 62. Mosfet y sus partes
Un transistor puede para usarse de varias maneras:
1.) Amplificador: Es capaz de tomar una seal elctrica y aumentar su
amplitud. Para que realice esta funcin existen siempre varias maneras de
conectar el transistor a fuentes de seal y polarizacin.
2.) Conmutador: Capaz de dejar o no pasar seal (esta es una definicin muy
simple, pero da la idea general)
3.) Fuente de corriente o voltaje: Grupos de transistores configurados
correctamente pueden suministrar una corriente o voltaje estable, para
dispositivos a polarizar.
En las siguientes secciones se entender la operacin bsica de los dispositivos
electrnicos.
2.1.3 Obtencin de ecuaciones
En esta seccin se trata de explicar algunos aspectos acerca de las ecuaciones de
juntura, su derivacin y compresin, no con el objeto de dejar demostraciones en
claro, sino con la intencin de que el estudiante comprenda la mecnica general
de estudio que permite comprender el SIGNIFICADO de una ecuacin y las
principales leyes que llevaron a su deduccin o aceptacin. Si el estudiante
decidiera profundizar, se recomiendas los libros de la bibliografa.
En una unin PN en circuito abierto no puede haber corriente. Esto es
elctricamente evidente: sin cerrar el circuito, la corriente es cero. Debido a esto,
se plantea la primera y ms sencilla ecuacin: I
D
= I
S
, recordando que estas
corrientes van en sentido contrario.
93
Algunas ecuaciones son ms profundas en su demostracin. Por ejemplo, la
existencia del voltaje de barrera en ausencia de polarizacin externa TIENE que
relacionarse con los portadores de cargapero cmo? Esta ecuacin implica
formar otros conceptos adicionales, que requieren fsica ms profunda. Usando
las constantes definidas apropiadamente:
D
P
= Difusividad de Huecos (una N significara de electrones)

P
= Mobilidad de Huecos (una N significara de electrones)
Se puede definir V
T
= D
P
/
P
, el llamado Voltaje Trmico (como ejercicio el
estudiante puede constatar exactamente que sus unidades son de voltaje). Este
voltaje es un parmetro fundamental y entrar en multitud de ecuaciones de
semiconductores. La idea de trmico proviene del que la difusividad y movilidad
de los huecos cambia con la temperatura: si especificamos V
T
, habremos
especificado el comportamiento de la Barrera de Potencial de la juntura. De
hecho, la ecuacin que se extrae (Ver el libro de Streetman) es
|
|
.
|

\
|
=
2
0
ln
i
N P
T
n
N N
V
V
Donde V
0
es la Barrera de Potencial en la juntura y las N representan las
concentraciones de dopado y n
i
fue definido en la unidad anterior. Esto se reduce
simplemente a decir que la relacin entre las concentraciones vara de manera
exponencial con el voltaje de juntura. Para temperatura ambiente, el voltaje
trmico est alrededor de los 25 mV y la barrera de potencial entre los 0.6 y 0.8
Volts. Esta barrera de potencial hay que recordar que NO APARECE A TRAVS
DE LOS TERMINALES EXTERNOS, PUES ES UN EFECTO INTERNO que es
compensado por el dispositivo completo.
El ancho de la regin de agotamiento es la suma del ancho en la regin n y la
regin p (representaremos el ancho por letras W). Si la carga es q entonces:
n n p p
N qW N qW =
Ya que la regin de agotamiento es elctricamente simtrica respecto a la juntura.
Debido a esta ecuacin se deduce inmediatamente que el producto entre ancho y
concentracin es constante para ambos lados. De aqu se deduce que:
0
1 1 2
V
N N q
W W W
n p
s
p n
|
|
.
|

\
|
+ = + =
c
94
Donde
s
c es la permitividad elctrica del Silicio, produciendo como consecuencia
que W vaya de 0.1 a 1 micrmetro.
Anlogamente se pueden encontrar relaciones exponenciales similares. La
concentracin de portadores minoritarios (p
n
para la zona p y n
p
para la zona n del
semiconductor) sigue la ecuacin:
T
V
V V
n n n
e p W p
/
0
) ( =
Donde V es el voltaje conectado a travs de los terminales de una regin PN, en
polarizacin directa. Entonces la densidad de corriente de difusin de huecos
asociada (en unidades de corriente por unidad de rea) es:
, )
, )
P n T
L w x V V
n
P
P
P
e e p
L
D
q J
/ /
0
1

=
Donde x es la distancia medida desde la juntura y L
P
es la constante que
determina el decrecimiento exponencial.
Es posible derivar una ecuacin final de la I
S
mediante consideraciones similares a
las anteriores y relaciones de proporcionalidad basadas en principios fsicos. La
ecuacin de la densidad de corriente, por ejemplo, es fcilmente comprensible si
se expresan las ecuaciones en trminos de proporcionalidad. Por ejemplo, la
segunda exponencial habla simplemente del decrecimiento exponencial de la
densidad de corriente a medida que la distancia a la regin de agotamiento
aumenta. La primera exponencial se refiere a que la densidad es corriente
aumenta si se le suministra mayor voltaje de polarizacin externos: ambas
exponenciales representan efectos lgicos y comprensibles.
La ecuacin para I
S
es:
|
|
.
|

\
|
+ =
n N
N
p P
P
i S
N L
D
N L
D
Aqn I
2
Si algn estudiante quisiera profundizar en el tema, puede referirse a los libros de
la bibliografa consignada en el Protocolo Acadmico.
95
2.2 PRlNClPALES DlSPOSlTlVOS USADOS EN ELECTRNlCA
2.2.1 Usos comunes de semiconductores. Configuraciones de diodos,
transistores y dispositivos relacionados
Los semiconductores se utilizan en toda la electrnica moderna. Una lista
(incompleta) de dispositivos basados en semiconductores podra ser sta:
- Diodos rectificadores
- Diodos Zener
- Diodos Varicap
- Diodos Gunn Impatt
- Diodos supresores de tensin
- Diodos de corriente constante
- Diodos tnel
- Diodos Shottky
- Diodos Led
- Diodos Pin
- Diodos sensibles a temperatura
- Fotodiodos
- Transistores NPN y PNP simples
- Transistores NPN y PNP con colector unido a cubierta
- Transistores UJT
- Transistores de avalancha
- Transistores Shottky
- Transistores JFET canal n y p
- Transistores multiemisores
- Transistores Darlington
- Tiristores simples
- Tiristores de conduccin inversa
- Triac
- Diac
96
- Transistores MOSFET tipo empobrecimiento o enriquecimiento
- Transistores MOSFET en general
Donde algunos de los listados anteriormente corresponden a aplicaciones de
potencia, donde el material semiconductor tendr que soportar altas corrientes.
Muchos de estos dispositivos se usan para controlar el paso de corriente o voltaje
a otras partes del circuito. Por otro lado, los fotodiodos aprovechan el efecto
fotoelctrico que se estudi anteriormente.as mismo pueden aprovecharse
efectos normalmente no deseados para construir aplicaciones especficas. De
hecho, la sensibilidad en temperatura normalmente indeseada es una
caracterstica que se busca reforzar en diodos sensibles a temperatura,
probablemente con el objetivo que lograr que el diodo registre cambios anmalos
en la operacin de alguna mquina elctrica que corra riesgo de averiarse, bajar
su rendimiento u ocasionar daos si opera a temperaturas no permitidas por el
fabricante.
A continuacin se tratar de mostrar rpidamente algunas de las ms simples
configuraciones de transistores, diodos y tiristores en Ingeniera Electrnica, con el
fin de que el estudiante encuentre motivacin para su estudio del funcionamiento
fsico de estos.
Los diodos y transistores se representan por la siguiente simbologa:
Figura 63. Diodos y transistores
Donde D2 es un diodo rectificador normal, Q4 es un TRIAC, Q1 es npn, Q2 es
pnp, Q3 es un MOSFET de canal N y Q4 uno de canal P. Existen muchos otro
smbolos para otros dispositivos; de hecho, puede haber varios diferentes
smbolos que representan el mismo elemento, dependiendo del standard o
convencin que se use para nombrarlos/dibujarlos.
Un diodo puede montarse en un circuito de esta forma:
97
Figura 63. Diodo conduciendo
El tringulo marca la regin p, mientras la raya indica la regin n. De aqu se
deriva que est polarizado DIRECTAMENTE. Entonces habr una corriente a
travs de l apreciable y su cada de potencial ser aproximadamente constante.
Si el voltaje B1 cambia de sentido, la polarizacin es inversa y NO HAY FLUJO DE
CORRIENTE HACIA la resistencia R1. ste es uno de los usos del diodo:
bloquear voltajes inversos a los esperados.
Veamos otro caso muy sencillo, esta vez son transistores.
Figura 65. Transistor en modo amplificador.
La flecha hacia fuera indica que es npn: la terminal con la flecha y la opuesta a ella
son de regiones n, mientras que la tercera terminal es la conexin a la regin p.
En la figura 65 observamos una polarizacin de transistor npn para modo
amplificador. En realidad esta configuracin no es del todo funcional, ya que las
resistencias R2, R3 y R4 cumplen funciones diferentes, especialmente la R4 con
respecto a las otras. Si estos valores de resistencia realmente hubiesen sido
correctamente calculados y el valor de B1=10Volts fuese correcto, entonces
98
cualquier pequea seal de voltaje (es decir, una especie de onda perturbativa)
que fuera introducida al circuito por la base (la terminal p) saldra amplificad un
cierto valor al salir por el Colector (la terminal n superior, conectada a la R2).
Cuando a un diodo rectificador se le somete a un gran voltaje inverso, su funcin
bloqueadora de voltajes de este tipo no puede mantenerse. Inevitablemente
dejarn pasar una corriente despus que se les ha polarizado ms all de su
lmite, y de hecho resultarn averiados muy probablemente. En esta regin el
diodo ZENER presenta a travs de sus terminales un voltaje constante an para
grandes polarizaciones, porque ha sido diseado especficamente no para que
bloquee voltajes inversos sino para mantener un voltaje constante. Como
consecuencia, un Zener puede conectarse as:
Figura 66. Ejemplo de uso del zener
En este caso vemos que el diodo est conectado al revs de lo que esperaramos,
y sin embargo la corriente fluir a travs de l, desde la parte superior del
diagrama hacia el nodo resaltado en verde (se colocan dos puntos para recordar
que elctricamente la lnea es un solo punto, un nodo elctrico). La mayor parte
de la corriente que sale de la fuente va hacia el Zener porque su resistencia
interna es baja.
Ms adelante se vern detalles respecto a la operacin interna de estos
semiconductores.
2.2.2 Diodos Rectificador y Zener
Un diodo trabaja siguiendo el siguiente par de ecuaciones:
R
V V
I
e I I
D DD
D
nV V
S D
T D

=
=
/
Donde I
D
es la corriente que atraviesa el diodo en un momento dado en el que el
voltaje a travs de sus terminales es V
D
, R es una resistencia en serie con el diodo
99
(normalmente se colocan resistencias en serie o paralelo con el diodo; a veces
son resistencias de carga inherentes a dispositivos conectados al diodo), V
DD
es el
voltaje de polarizacin general (ver figura 67) y n es un parmetro de construccin
del diodo (probando cmo cambia I
D
con V
D
en un laboratorio se puede trazar una
exponencial y calcular n, fcilmente).
Figura 67. Circuito tpico, correspondiente a las ecuaciones mencionadas
En la figura 67 se ve que, suponiendo un voltaje de operacin tpico de 0.7Volts
para el diodo, todo el sistema tiene una corriente definida por la segunda de las
ecuaciones mencionadas. Esta segunda ecuacin slo es vlida para este tipo de
circuito, ya que uno con, por ejemplo, un arreglo de resistencias corresponder a
diferentes ecuaciones, aunque tambin sean estas consecuencias de aplicar las
leyes de Ohm y Kirchoff.
La juntura PN tiene un cmulo de ecuaciones bastante grande. Sedra y Smith, en
su libro Microelectronics Circuits consigna la siguiente tabla:
100
Figura 68. Tabla de ecuaciones de la unin PN, extrado Sedra y Smith: Microelectronics Circuits
Es importante notar que cuando especificamos que el voltaje a travs del diodo
est fijo en 0.7, estamos realizando una aproximacin y descartando la
101
primera de las ecuaciones, que incluye una exponencial. Es decir,
suponemos que la corriente y el voltaje tienen una relacin mucho ms simple que
la exponencial. El comportamiento real de la corriente en el diodo con relacin al
voltaje que se presenta en l es una exponencial MUY inclinada, por lo que la
primera aproximacin (la ms cercana a la realidad) que podemos hacer es:
Figura 69. Aproximacin de lneas rectas a la corriente en el diodo como funcin del voltaje.
La figura 69 es muy parecida a una exponencial creciente. Esta grfica implica
que el modelo cambia para regirse por, en vez de la primera ecuacin, por esta
otras:
1.) Si el voltaje en el diodo es menor a cierto voltaje umbral (la inflexin de la
grfica, el punto donde la lnea horizontal y la inclinada se unen),
simplemente la corriente es 0.
2.) De lo contrario, el diodo funciona como una resistencia muy pequea, con
la salvedad de que slo puede conducir corriente en un sentido
determinado (polarizacin directa).
Esto equivale a pensar en el DIODO REAL como un DIODO IDEAL y una
RESISTENCIA conectados en serie.
102
Figura 70. Modelo de lneas rectas
An es posible modelar el diodo de una forma ms simple. Si el hecho de tener
0.6Volts o 0.8Volts en el diodo no es importante (quiz porque el voltaje disponible
B1 es mucho mayor y esa pequea prdida es insignificante), podemos pensar
que simplemente se mantiene constante en 0,7Volts y la aproximacin es
simplemente considerar que el diodo es IDEAL. La grfica entonces es:
Figura 71. Modelo simple de diodo ideal
Ahora bien, si el voltaje aplicado es inverso el comportamiento en el lado negativo
del eje de las abcisas no es completamente simtrico con relacin al eje y (es
decir, la forma que la grfica para V
D
positivo es diferente a la forma de la grfica
para V
D
negativo. Cuando se le aplica voltaje inverso pequeo el diodo real
bloquea el flujo de corriente bastante bien, pero si el voltaje se incrementa su
103
comportamiento empieza a alejarse de lo ideal y en un momento dado entra a la
Regin de Ruptura, definida como la regin de la grfica corriente-voltaje en la que
el diodo ya no se comporta en absoluto de forma ideal. En la siguiente figura de la
Universidad de la Frontera de Chile puede verse la explicacin detallada:
Figura 72. Grfica real de diodo
De esta grfica podemos mencionar varios puntos:
1.) Corresponde al modelo de lneas rectas, como resulta obvio.
2.) La conduccin se logra antes del voltaje de operacin (sea 0.6 o 0.8), pero
como no alcanza un alto nivel hasta que pasa este intervalo, se considera
que la baja corriente es aproximadamente cero.
3.) Cuando se le somete a un voltaje negativo (polarizacin inversa) S existe
una corriente inversa, tambin aproximadamente igual a cero hasta que
pasa un umbral de voltaje inverso ms all del cual el diodo conduce en
sentido inverso.
La regin de Ruptura por Avalancha corresponde entonces al lugar elctrico en
el que ocurre el efecto avalancha, que se traduce en avera si estamos hablando
de Diodos Semiconductores normales. El diodo Zener est construido
especficamente para operar la regin de ruptura por avalancha. Como puede
verse en la grfica, el Zener puede manejar muy altas corrientes sin alterar en un
nivel apreciable su voltaje.
Un mecanismo de ruptura usual, a nivel fsico, es la simple liberacin de
electrones libres adicionales debido al choque de electrones libres con los enlaces
de la red. Este choque es capaz de liberar un electrn enlazado slo una vez su
energa cintica proveniente del campo elctrico es lo suficientemente grande
como para soltar el enlace.
104
2.2.3 Transistores BJT
Ya hemos comentado varios aspectos directamente relacionados con los
transistores de unin bipolar. Como se vio anteriormente, los npn y pnp son
simplemente dos versiones de un mismo principio de construccin
semiconductora.
Como existen dos uniones, podemos definir ms modos de operacin. Haremos
la descripcin y el anlisis de un transistor npn para luego establecer el paralelo
con los pnp.
En un transistor npn decimos que la regin p es la BASE. Las dos regiones n se
llamarn EMISOR y COLECTOR. Entonces disponemos de dos unones: La de
Colector-base (CBJ) y la de Emisor-Base (EBJ). Los modos de operacin siguen
entonces la indicacin de esta tabla, segn la manera como se polarizan cada una
de las uniones:
Modo EBJ CBJ
Corte Inversa Inversa
Activo Directa Inversa
Saturacin Inversa Directa
ACTIVO
La corriente I
D
es despreciada en este modo de operacin. La EBJ directa trae
consigo un flujo de corriente desde la Base hacia el Emisor. El flujo de corriente,
por supuesto, se compone de un flujo de electrones en una direccin y un flujo de
huecos en direccin contraria: esto finalmente se refiere a un flujo de carga, un
cambio de estructura del campo elctrico. De esta manera sa es la corriente que
se espera salga de la terminal del Emisor, I
e
. Es deseable que la corriente se
deba a flujo de electrones ms que a flujo de huecos, por lo que se espera que el
dopado n sea mucho mayor que el p.
Como la corriente es Base-Emisor, entonces los electrones del emisor se dirigen
hacia la base (su carga es negativa): estos portadores minoritarios siguen como
distribucin una lnea recta decreciente (aproximadamente), siempre y cuando la
base sea de un ancho suficientemente pequeo. La concentracin n
p
(0) de estos
electrones en la EBJ sigue:
T BE
V v
p p
e n n
/
0
) 0 ( =
Donde n
p0
es la concentracin en la EBJ, todo suponiendo equilibrio trmico. La
cada completa de la concentracin (lnea recta decreciente) responde a la
105
polarizacin suministrada a CBJ. Las siguientes son grficas del libro de Sedra-
Smith mencionado anteriormente:
Figura 73. Concentracin de portadores en funcin de la distancia, grfica extraida de SEDRA-
SMITH, Microelectronics Circuits.
Figura 74. Flujo de corriente en el npn. Op. Cit.
La corriente de difusin desde la base al colector TIENE que depender de alguna
forma de la concentracin de electrones. La ecuacin exacta es:
|
|
.
|

\
|
= =
W
n
qD A
dx
x dn
qD A i
p
N E
p
N E n
) 0 ( ) (
106
Donde A
E
es el rea de la seccin transversal de la EBJ y las otras variables
fueron especificadas anteriormente.
La corriente de colector sigue
T BE
V v p n E
c
e
W
n qD A
I
/ 0
|
|
.
|

\
|
=
Donde la cantidad entre parntesis corresponde a I
S
, pero n
p0
= n
i
2
/N
A
, as que
estas corrientes pueden ponerse en trminos equivalentes.
La corriente de base sigue:
T BE
T BE
V v
b n
i E
B
V v
p p
i n E
B
e
N
qWn A
I
e
L N
n qD A
I
/
2
2
/
2
1
2
|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
=
t
Donde la primera es la corriente debida a los huecos que fluyen de la base al
emisor, mientras que la segunda se refiere a los huecos suministrados por el
circuito exterior de polarizacin (pero recurdese que todos los puntos se
conectan formando un sistema completo, por lo que huecos y electrones del
circuito exterior se relacionan con la recombinacin y abundancia de portadores en
el interior del semiconductor).
b
t es el tiempo promedio que le toma en la base a
un hueco mayoritario combinarse con un electrn minoritario.
Finalmente encontramos que la suma de las corrientes de base difiere de la
corriente de colector en un producto y cociente de parmetros; es decir, difieren en
un largo trmino constante. Entonces la ecuacin simplificada es:
B C E
b n p p n
n p
B C
I I I
D
W
L N D
W N D
I I
+ =
|
.
|

\
|
+
|
.
|

\
|
=
=
t
|
|
2
1
2
Donde la ltima es una ecuacin elctrica que se extrae nicamente de la Ley de
Conservacin de Corriente de Kirchoff, en el nodo de confluencia de las
conexiones.
107
2.2.4 Transistores MOSFET
Los transistores de Efecto de Campo de Metal-xido Semiconductor funcionan
diferente a los BJT, pero los materiales que lo componen y su efecto sobre los
circuitos final una vez se emplean suele ser igual.
El diseo estructural es el siguiente:
Figura 75. Estructura de un MOSFET canal n, basado en el libro de SEDRA.
Otro nombre con el que es conocido el Mosfet canal N es IGFET (Isolated Gate
FET), debido a que la compuerta (Gate) se encuentra aislada del sustrato P por
una capa de xido de Silicio.
VOLTAJE V
GS
Y CANAL N.
El MOSFET de canal n requiere para operacin diferente a modo de corte, es
decir, modos en los que exista corriente circulante aprovechable, que la
polarizacin sea directa entre compuerta (Gate) y fuente (Source), y esta
diferencia de potencial V
GS
sea mayor que un voltaje de umbral igual a una
constante de voltaje, V
t
. Este lmite est relacionado con el concepto mismo del
voltaje trmico, ya que la idea de operacin (lo que en el BJT llambamos activo,
saturacin) est asociada a la existencia de una regin con exceso de electrones
108
entre las dos regiones n y muy cerca de la capa de dixido de silicio. Esta regin
es llamada canal n, ya que intercomunica las regiones n justo como un canal.
Si no existe voltaje V
DS
entre las terminales del diodo, por supuesto no hay razn
para tener una I
DS
, pero el canal n s puede presentarse, tan solo asegurando que
el potencial aplicado en la compuerta repele lo suficiente los huecos el sustrato p
como para que se cree la regin n inducida por este voltaje de compuerta. Para
esto se debe superar el hecho de que naturalmente los electrones colisionan
aleatoriamente entre ellos cuando se les atrae con una fuente de voltaje: estas
colisiones tambin se pueden representar por el Voltaje Trmico V
t
(diferente al
Voltaje Trmico de los BJTs). Para no confundir los dos Voltajes trmicos, el del
BJT es el nico que es llamado de esta forma (Voltaje Trmico), mientras que el
Voltaje Trmico del Mosfet (ya que tiene un significado elctrico adicional como
nivel mnimo de voltaje necesario para la creacin de canal n) es llamado Voltaje
de umbral.
FLUJO DE CORRIENTE
Una vez creado el canal n, los huecos que son desplazados hacia el fondo del
sustrato constituyen una concentracin de carga positiva aparente, o campo
elctrico positivo (como se quiera expresar). Este campo elctrico har que las
regiones n pierdan electrones hacia la regin p: estos electrones fluyentes crean la
regin de agotamiento caracterstica, como se observa en la figura 76.
Figura 76. Regin de agotamiento y Canal N.
109
El canal n, por su parte, es un camino de electrones que provee un camino
circuital que se puede cerrar externamente. De esta manera, cualquier diferencia
de potencial V
DS
crear un flujo de corriente de Drain a Source (Drenaje a Fuente)
siempre y cuando exista el canal n, como efecto de un V
GS
aplicado (recurdese
que decir que hay corriente positiva de drenaje a fuente es decir que los
electrones van desde la fuente al drenaje).
OPERACIN DEL MOSFET
Como puede verse, el procedimiento de conduccin es muy diferente al presente
en el BJT. Como primera medida, observamos que no hay corriente de
Compuerta, rompiendo la analoga con la Base de los transistores BJT. El
hecho de no tener esta corriente de compuerta implica que la corriente de Drenaje
es tambin la corriente de Compuerta: no hay prdidas de potencia en la base.
Esto supone una gran ventaja respecto al BJT; el nico reside en la alta
susceptibilidad de los Mosfet a daos por descargas electrostticas (el
comportamiento del canal n es muy sensible a cambios en las caractersticas
electrostticas del medio).
Debido a que las curvas corriente-voltaje del Mosfet son muy diferentes, el nombre
de las regiones tambin lo es:
Saturacin
t GS DS
V V V > .
Trodo
t GS DS
V V V <
Apagado
t GS
V V <
2.2.5 Montaje en Baquelita
Se puede construir un circuito de muchas formas. Tambin existen varias
categoras bajo las cuales se pueden clasificas estos mtodos. Todo lo que viene
a continuacin se referir a diseo, construccin y montaje de, o bien
semiconductores, o bien aplicaciones electrnicas basadas en componentes
discretos que pueden incluso adquirirse en el mercado. Veamos los tipos de
clasificaciones del proceso de uso de un semiconductor en una aplicacin
electrnica:
110
SEGN EL NIVEL DE AUTOMATIZACIN:
- Artesanal: Diseado y construido completamente por una o ms
personas, sin uso de dispositivos o equipos automticos.
- Artesanal asistido: Construido por una o ms personas, pero con la
asistencia de hardware o software de ayuda en alguna de las tareas,
aunque no todas. Por ejemplo, el uso de CAD para electrnica o de
equipos automticos perforadores.
- Semiautomtico: El proceso fundamental es automtico, aunque haya
aspectos que se dejen a la mano de obra humana.
- Automtico: No interviene mano de obra humana excepto en la fase de
diseo, y probablemente parte del diseo lo hace un software
encargado de calcular secciones transversales, valores de resistencias
y otros.
SEGN EL OBJETIVO:
- Industrial nica: Cuando se configuran y usan las mquinas de
construccin para la elaboracin de un nico prototipo.
- Industrial en serie: Cuando se configuran y usan las mquinas de
construccin para la elaboracin en serie de muchos dispositivos, que
debi ya haber sido probado.
- No industrial de investigacin o desarrollo: Cuando un investigador
construye un circuito o dispositivo de prueba en su formato no final, slo
para constatar el funcionamiento elctrico.
- No industrial en serie: Cuando un Ingeniero o Tcnico construye, una
por una, el nmero de piezas que necesita de un dispositivo que ya
prob, sin usar mquinas industriales sofisticadas.
SEGN LA TCNICA:
Son muchas, y se distingue ampliamente la tcnica para desarrollar circuitos
integrados de la tcnica para investigar en semiconductores, al tiempo que estas
dos resultan muy diferentes de los mtodos usuales (industrial y artesanalmente)
de construccin de circuitos y aplicaciones electrnicas basadas en componentes
discretos (los ya construidos).
A continuacin expondremos, slo como ejemplo orientativo, el Montaje en
Baquelita en sus rutas ms usadas.
Se pueden montar componentes tales como transistores, diodos, condensadores y
resistencias para armar un circuito electrnico para una aplicacin especfica. La
superficie sobre la que se monta debe tener cierta resistencia trmica y elctrica,
excepto en las rutas de conexin entre los puntos que deben estar conectados
(segn el diseo previo). El montaje en general se puede hacer de tres maneras
bsicas:
111
- Baquelitas. Material fenoplstico que puede fabricarse en diferentes
formas geomtricas, pero que no es modificable por segunda vez.
En electrnica, Baquelita se le llama al la estructura formada por
verdadera baquelita y una capa de metal (cobre) que, bajo la accin
del cido frrico, se vuelve dielctrico. Si se imprimen los caminos
de conduccin elctrica sobre la baquelita con una substancia que la
proteja de la accin del cido frrico (cloruro frrico), al final se tiene
una tarjeta sobre la que se pueden soldar los dispositivos. Hay
diversas tcnicas para lograr la impresin mencionada, y otros
sustratos de composicin similar que sustituyen la baquelita en
aplicaciones industriales (produccin en fbricas)
- Tarjeta universal: es una especie de baquelita llena de huecos,
similar a una protoboard, donde se pueden colocar los elementos a
soldar, sin necesidad de tener que hacer la operacin de taladro y
construccin de pistas que s hace falta en el mtodo anterior.
- Elementos Modulares Al aire. Si el circuito tiene suficientemente
pocos elementos, es posible fijar cada uno a las superficies
disponibles dentro de la carcaza, de manera que los cables (al aire)
se fijarn con silicona, ganchos o tornillos, para que el circuito
guarde un orden comprensible. Si hay ms de cinco o seis
elementos en el circuito, es mejor no utilizar esta alternativa. Incluso
en algunos contextos resulta del todo desaconsejable, aunque el
circuito sea solo un integrado y su polarizacin.
Las tcnicas que permiten la construccin sobre la baquelita (o, en el caso de
produccin en masa, de la construccin sobre el sustrato) son, en cuanto a
principios fsicos, bsicamente iguales para construccin automatizada en gran
escala y manufactura de prototipos. La tcnica, sin embargo, difiere mucho.
Un estudiante o tcnico independiente usar seguramente un perforador si desea
hacer los agujeros del circuito donde irn los componentes; una empresa utilizar
una mquina que automatice el proceso, cuya entrada en computador son
matrices de puntos sobre los que se ordena taladrar (la alineacin de la mquina
es fundamental).
As mismo, los mtodos de impresin del circuito (transferencia trmica,
serigrfico, flmico y cualquier otro similar) se hacen diferentes slo en tanto la
tecnologa de aplicacin es diferente: mientras un estudiante aplicar el mtodo de
transferencia flmica mediante una Impresora Lser que impregna de polvo negro
una lmina de Press N-Peel (tipo de hoja de papel que reacciona
convenientemente a la temperatura), este proceso en una fbrica corresponder a
la labor de una mquina especializada en impresin para circuitos integrados. Es
posible que esta mquina haga las otras funciones de impresin tambin.
112
TIPOS DE MONTAJE EN TARJETA
El montaje en tarjeta puede ser superficial o through hole. El primero es tal que en
realidad no es necesario hacer huecos, ya que se suelda SOBRE la tarjeta. Este
montaje es caracterstico de circuitos integrados modernos y trae complicaciones
en el proceso de soldado, aunque tiene mltiples ventajas relacionadas con peso,
tamao, automatizacin del proceso, etc.
El segundo, el through hole, es del que hemos hablado hasta ahora: se atraviesa
la tarjeta para luego soldar por detrs de ella.
Tambin es posible definir una clasificacin del montaje segn el nmero de capas
utilizadas. Una capa es exactamente eso: una capa de cobre. En una misma
baquelita se puede incluir varias capas intermedias, de modo que se multiplican
las posibilidades de conexin.
113
2.3 APLlCAClONES DE POTENClA Y APLlCAClONES DE SEAL
2.3.1 Similitudes y diferencias entre los dispositivos usados en aplicaciones
de potencia y de seal. Triac, Tiristor, Schokty.
Una aplicacin de Seal es aquella en la que se busca algn tipo de procesado
(amplificacin, filtrado en frecuencia, etc.) sobre la seal de entrada, pero que no
se espera que la seal de salida sea requerida por la carga. A qu se refiere
ser requerida por la carga? Esto es no ser conectada una carga; es decir, el
procesado tiene como resultado que las dos terminales de salida exhiben un
voltaje exactamente igual al que se esperaba (por ejemplo, una onda seno igual a
la de la entrada pero cuya amplitud es el doble), pero que se mantiene solamente
en circuito abierto.
Cuando se conecta una carga existe un consumo de corriente, ya que se cierra
el circuito, y elctricamente lo normal es que el nivel de voltaje de salida caiga.
Una aplicacin de potencia es capaz de compensar de alguna forma este efecto,
al punto de poder sostener la forma de onda de salida y su amplitud, sin una
disminucin apreciable del nivel de voltaje, para un determinado rango de
resistencias de carga equivalentes.
En cuanto a diseo electrnico cualquier etapa de potencia puede ser bastante
similar a una de seal. Slo en sistemas que aadan elementos de seguridad no
semiconductores (por ejemplo fusibles o acoplamiento por transformadores)
pueden verse grandes diferencias morfolgicas en los circuitos, ya que la
diferencia fundamental suele caer en qu semiconductores son usados. Un
transistor 2n2222, por ejemplo, no puede siquiera soportar una corriente de
colector ms alta que 0.8 A, tpicamente. En cambio, un transistor MOSFET
IRFP450 puede soportar hasta 14 A y un TIP41D (npn) puede soportar hasta 6 A
de corriente continua en el colector, o 10 A de amplitud pico. La diferencia en la
corriente mxima que puede soportar un dispositivo se define desde su
construccin.
Examinemos como ejemplo tres dispositivos semiconductores utilizados en
rectificacin y control de seales AC (Corriente Alterna):
TIRISTOR
114
Formado por cuatro regiones semiconductoras intercaladas: pnpn. Cuenta con
tres terminales (nodo, ctodo y compuerta) y equivale aproximadamente a
conectar dos transistores npn y pnp por las dos regiones comunes. La compuerta
controla el paso de corriente, de manera que se hace posible modular cuanta
corriente pase segn sea la seal de voltaje/corriente en compuerta. Una seal
aplicada a la compuerta (ver figura 77), como un pulso de corriente, posibilita el
paso de corriente a travs del tiristor, para voltajes nodo-ctodo bajos. Para
voltajes nodo-ctodo muy altos, se da un fenmeno de ruptura espontneo en el
tiristor. Tambin puede darse conduccin como efecto de incrementos de
temperatura, efecto fotoelctrico sobre el silicio o gradiente de voltaje demasiado
alto.
En realidad el dispositivo que se acaba de describir en el prrafo anterior no
siempre se conoce como la definicin de Tiristor, debido a que algunos autores
consideran que el Triac y otros dispositivos (como el Diac) no son ms que
diferentes versiones de lo que debe llamarse Tiristor. De esta forma, dentro de los
Tiristores ubican a estos dos y al que se acaba de explicar, que es llamado SCR
(Silicon-Controlled Rectifier).
Figura 77. Tiristor.
TRIAC
Toma su nombre de Triode for Altern Current. Como se mencion, algunas veces
es catalogado tambin como Tiristor. La razn es que su comportamiento es casi
115
exactamente igual, a excepcin del hecho de poder operar en ambas direcciones;
es evidente, entonces, que su estructura fsica es mucho ms compleja, como
puede verse en la figura 78 (Universidad de la Frontera, Chile).
Figura 78. Estructura fsica de un Triac, de http://www.inele.ufro.cl/
El TRIAC puede entenderse como dos tiristores (SCR) conectados en paralelo, en
sentido contrario, y con sus compuertas cortocircuitadas. Si se analiza el
funcionamiento del SCR, se entiende inmediatamente que esto permitira el paso
de corriente en ambos sentidos.
SCHOKTTY
Es un diodo que en vez de tener una capa de material semiconductor p, posee
una capa de metal. De hecho, la capa ms bien constituye un electrodo; la
inexistencia de la capa p trae como consecuencia un cada de voltaje (en la regin
de conduccin) mucho menor a la que se tiene con diodos pn convencionales. De
esta manera, un Metal-Semiconductor Diode (el Schokkty) ofrece menores
116
prdidas de potencia y alta velocidad de conmutacin, pero no es capaz de
soportar uso en aplicaciones de potencia (sino ms bien de seal).
Hay, sin embargo, ciertos Diodos Schoktty de potencia disponibles en el mercado,
que sin embargo no resultan ser los indicados para una variedad de aplicaciones:
la capacidad para manejo de potencia depende en gran medida del tamao del
dispositivo, as como indirectamente del nmero de capas que este tiene, como
puede verse.
2.3.2 Anlisis elctrico detallado de transistores
Elctricamente se puede representar cualquier dispositivo electrnico en trminos
de resistencias internas, condensadores, inductancias y amplificadores. La razn
de esto es que las transformaciones que puede sufrir una seal constituyen un
grupo de categoras (es decir, estn divididas en clases) que no son infinitas.
Dicho de otra forma, a cualquier transformacin de seal producto de la accin de
un dispositivo electrnico se le puede tipificar en una categora, y estas categoras
no son infinitas. Por ejemplo, un BJT funciona de muchas maneras y puede
trabajar en infinitas configuraciones, ya que siempre puede inventarse una nueva
configuracin aadiendo otro BJT o cambiando valores de las resistencias de
configuracin; pero podemos agrupar su modo de operacin en Corte, Activo y
Saturacin. As mismo, las configuraciones posibles (la estructura del circuito al
que est conectado el BJT para que trabaje) pueden agruparse en clases; de
hecho, stas existen y son bien conocidas: Emisor Comn, Colector Comn, Base
Comn.
Por todo lo anterior, resulta conveniente usar como modelo elctrico del transistor
un grupo de ecuaciones sencillo, en parte extrado de las ecuaciones
elctricamente relevantes de la seccin 2.2.3. Estas ecuaciones son
elctricamente relevantes dependiendo de la aplicacin en la que se usa: el
modelo elctrico para aplicaciones DC diferir del modelo para aplicaciones AC.
En particular, las ecuaciones fundamentales para DC en el caso del BJT npn
(tommoslo como ejemplo), activo o en saturacin, seran:
B C E
E C
BE
B C
I I I
I I
V
I I
+ =
+
= =
>
=
1
,
7 . 0
|
|
o o
|
Mientras que las ecuaciones AC deben responder a un modelo que representa
qu efecto tiene el transistor sobre la seal de entrada. Suponiendo que
117
hayamos asegurado la polarizacin correspondiente a modo activo en el transistor,
tendremos un modo de amplificacin; es decir, la seal sufrir una transformacin
en su amplitud segn la constante y la configuracin especfica seleccionada.
Para modelar cmo se comporta el transistor, podemos usar la siguiente
representacin del funcionamiento interno de ste:
Figura 79. Modelo Hbrido para pequea seal
Donde la fuente dependiente debe representar la ganancia: es natural que su valor
sea I
B
y que las resistencias representen el comportamiento no ideal de un
transistor: que existen prdidas inevitables. Se puede usar tambin otro modelo,
como el modelo T, pero el estudio especfico de cada uno suele realizarse en un
curso de electrnica anloga, por lo que (para nuestros intereses) es suficiente
con comprender dos aspectos sobre el estudio del comportamiento elctrico de los
transistores:
1.) La forma como se polariza el transistor en DC determina su operacin: es
decir, es necesario colocar los niveles de voltaje requeridos para estar
seguros que el transistor se operar en la zona de funcionamiento
deseada, durante todo el tiempo que se espera que eso ocurra (la seal a
amplificar, por ejemplo, puede verse como un voltaje que vara, pero debe
existir un nivel de DC en todo momento que asegure que la polarizacin de
las uniones es la correcta).
2.) Cuando se desea disear un circuito basado en transistor, es necesario
asegurar lo anterior con un modelo simplificado al que le suministramos
parmetros como , corriente mxima permitida, V
BE
mnimo, etc.; y luego
disear el resto de condiciones requeridas con un modelo de AC
(pequea seal) sobre el que representamos con ms detalle la estructura
interna del semiconductor, aunque de una manera simple y prctica, de
manera que aseguremos el resultado que se exige al disear.
Otro efecto interno de los transistores en general es el comportamiento capacitivo
de las junturas. Siguiendo un esquema similar al presentado anteriormente, esto
puede representarse en el siguiente modelo (en este caso para un MOSFET):
118
Figura 80. Modelo complementado con la incorporacin de los efectos capacitivos de juntura en
transistor MOSFET (Sedra)
Como se estudia en cualquier curso de circuitos AC, los capacitares presentan
una respuesta a las seales que vara con la frecuencia (como consecuencia de la
natural imposibilidad para cargarse instantneamente). El resultado de introducir
una capacitancia en un circuito amplificador es que ste tendr una banda de
frecuencias en las que responde mejor (la amplificacin es posible), mientras que
otras tender a rechazarlas. Ajustando las conexiones externas y la configuracin
y valores de dispositivos como resistencias, se puede manipular la respuesta en
frecuencia, al menos dentro de ciertos lmites.
La resistencia R
0
representa el carcter no ideal del transistor: las prdida entre
drenaje y fuente.
119
2.4 FlSlCA DE DlSPOSlTlVOS ELECTRNlCOS ESPEClALlZADOS
2.4.1 Comportamiento elctrico de clulas solares, centelladores y tubos
Fotomultiplicadores
En general los transductores optoelectrnicos funcionan a partir del efecto
fotoelctrico o el de Emisin Espontnea. ste ltimo se refiere a la emisin de
energa electromagntica debido a un cambio estructural interno de un material.
Para ser exactos, cada fotn es emitido por un electrn que cambia su estado
cuntico a uno de menor energa. Como vimos en la primera parte del curso, esto
slo ocurre en intervalos de energa bien determinados (cuantizacin de los saltos
energticos).
Por tanto, la INTENSIDAD (no confundir con la frecuencia o energa por fotn) de
la radiacin electromagntica siempre est directamente relacionada con el
nmero de electrones causantes de la emisin espontnea. Por otro lado, la
FRECUENCIA de la onda emitida est relacionada con el cambio de energa que
sufren los electrones. Esto obedece a la ecuacin:
e = E
Teniendo en cuenta lo anterior, podemos entender la Emisin Espontnea como el
proceso aproximadamente inverso al efecto fotoelctrico. Esto ser bsico para
asociar los tres elementos mencionados bajo una misma categora: la
optoelectrnica.
CLULAS SOLARES
Cuando el silicio recibe radiacin, el efecto fotoelctrico obliga a que cada electrn
aumente su energa; sin embargo, esta energa puede no ser aprovechada en
forma de corriente elctrica sino como simple energa trmica.
Si en vez de tomar silicio se usa una unin PN, el exceso de energa por electrn
trabaja a favor del efecto la aparicin de huecos y electrones de conduccin que
ya hemos revisado en secciones anteriores. De hecho, cuando luz de las
longitudes de onda correctas incide sobre la regin de agotamiento, los electrones
120
atraviesan la barrera de potencial caracterstica y se produce corriente; la
suficiente para asegurar un flujo permanente (salvando las prdidas resistivas
naturales de todo circuito). Para el silicio monocristalino la eficiencia terica
mxima en cuanto a la conversin de energa lumnica en energa elctrica es del
26%, frente a la mxima alcanzada en laboratorio de un 25%. Otros materiales
manejan eficiencias superiores: el Arseniuro de Galio, por ejemplo, ya en 1996
produca una eficiencia del 35% usado con concentradores (vase prximo
prrafo) y en 2006 del 40.7%, usando multicapas de arseniuro de galio sobre
obleas de Germanio.
Es necesario diferenciar el concepto de unin pn a lo que comnmente se
denomina Celda Solar. Una Celda Solar normalmente se compone, adems del
material semiconductor bsico, de dispositivos que optimizan el desempeo. Por
ejemplo, se recubre el semiconductor de un material antireflectivo para mejorar la
absorcin de luz; otra solucin que ya es exterior a la celda solar misma es el uso
de estructuras transparentes que funcionen como lentes, concentrando los rayos
solares hacia la celda, aprovechando en fenmeno de refraccin.
Elctricamente la celda solar se identificar por su corriente de corto circuito,
voltaje a circuito abierto, el factor de forma del diagrama de Voltaje-Corriente y un
punto de ste. La eficiencia (obviamente) disminuye con la temperatura, ya que la
agitacin trmica estorbar el normal desarrollo del efecto fotoelctrico en la celda
solar. Esta eficiencia SIEMPRE est relacionada con el hecho de que la absorcin
de fotones se hace para ciertos intervalos de frecuencia de luz, que son los
correspondientes a las transiciones atmicas posibles en el material.
CENTELLADORES
Aprovechan tanto el efecto fotoelctrico como la emisin espontnea. Un
Centellador est hecho de materiales que puedan ser excitados por el paso de
particulas cargadas o radiacin gamma (radiacin electromagntica, o fotones,
como quiera pensarse), o en otras palabras, que experimenten colisiones desde el
punto de vista cuntico (recurdese que a nivel cuntico no se espera un choque
entre partculas sino una interaccin entre ellas). Como consecuencia de esto, las
partculas que se radian sobre el centellador pierden algo de velocidad y la
radiacin gamma es absorbida: los estados atmicos del centellador sern
estados excitados (en cierta proporcin), en razn a las colisiones partcula-
partcula o partcula-fotn (sta ltima es una absorcin). Los estados excitados
presentan emisin espontnea, produciendo finalmente fotones (radiacin gamma)
que puede ser usada para identificar qu tipo de radiacin fue la que provoc la
excitacin inicialmente.
La respuesta del centellador a rayos gamma puede no deberse nicamente al
efecto fotoelctrico, sino tambin al efecto Compton, que es la dispersin de un
fotn al cruzarse con un electrn, perdiendo energa en el proceso (cambiando su
121
frecuencia y alterando el estado del electrn). El funcionamiento del centellador
como detector se complementa con algn material fotoelctrico que presente una
intensidad de corriente directamente proporcional a la intensidad de luz incidente.
Puede verse la representacin de la deteccin de fotones centellados en la figura
81.
Figura 81. Cuentas de fotones centellados contra una variable indicadora de su frecuencia o
energa asociada (llamada aqu canal). La imagen proviene de http://bibliotecadigital.ilce.edu.mx
Los centelladores pueden ser de diversos materiales, como compuestos de sodio
o GeLi; ste ltimo corresponde a la figura 81.
TUBOS FOTOMULTIPLICADORES
Los tubos fotomultiplicadores bsicamente funcionan mediante la amplificacin de
efecto fotoelctrico inicial. La forma como esto se consigue se puede entender
fcilmente si se separa la accin de sus componentes:
- Fotoctodo: Es el material (con baja funcin trabajo) que recibe la luz
para generar electrones libres a su superficie
122
- Fuente de voltaje: se encarga de suministrar la diferencia de
potencial base a travs de la cual se aceleran, a lo largo del tubo, los
electrones emitidos.
- Dnodo: es un material que sirve a la vez como nodo y ctodo, ya
que los electrones que incidan sobre l producirn a su vez emisin
de una mayor cantidad de electrones. Entre ms dnodos haya,
mayor es la amplificacin de seal que realiza el fotomultiplicador.
- nodo: es la terminal final que sirve como electrodo o contacto de
salida, desde donde se registra la corriente medida.
La disposicin de los dnodos puede seguir diferentes geometras que se intenta
adecuar a un ptimo desempeo del tubo fotomultiplicador, mientras que los
materiales escogidos para el fotoctodo presentan respuesta fotoelctrica siempra
a bandas de frecuencia especficas. Con diez dnodos se puede obtener una
amplificacin hasta de 10
5
veces lo detectado, pudindose lograr sensibilidades
extremas.
2.4.2 Transductores lser, termoelctricos y piezoelctricos
LSER
Quiere decir Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation, Amplificacin
de Luz por Emisin Estimulada de Radiacin. Como su nombre lo indica, difiere
de la Emisin Espontnea en que el efecto de emisin no se debe a la relajacin
simple de un estado excitado, sino a alguna manipulacin externa.
El efecto Lser se produce nicamente cuando la alguna pre-estimulacin crea el
estado de excitacin artificial mencionado anteriormente y posteriormente se da un
efecto de amplificacin como consecuencia de la Emisin Estimulada y la reflexin
de esta dentro de una cavidad preparada para ello (espejos). Examinemos punto
a punto el proceso del lser:
1.) Se excitan los tomos mediante luz (mayores o iguales frecuencias a la
del lser) o campos elctricos adecuados (son posibles las colisiones) con
objeto de incrementar su energa. Este proceso es llamado Inversin de la
Poblacin, debido a que los estados excitados se convierten
prcticamente, por su abundancia estadstica, en los nuevos estados
base.
2.) Se bombardea con luz de la frecuencia del Lser. Einstein demostr que
cuando un fotn golpea el estado excitado, se desprenden dos fotones
idnticos (es decir, de la misma frecuencia) en la misma direccin: uno es
el incidente y otro es el liberado.
123
3.) Son usados espejos ubicados en lnea recta y en la direccin de enfoque
del lser. Como consecuencia de esto, los fotones que permanecen
encerrados son solamente los fotones que van en esa direccin, de
manera que llega el momento en que slo estos fotones inciden sobre los
electrones excitados, producindose solamente luz en la direccin
escogida.
Como consecuencia de su mtodo de elaboracin, el lser tiene las siguientes
caractersticas:
1. Coherencia.
La Luz emitida tendr una nica fase a nivel direccin. Esto puede verse por el
hecho de que la emisin de los fotones se hace en la exacta misma direccin
para cada electrn emisor, ya que la dualidad onda-partcula implicara que la
onda asociada a cada fotn es de igual fase.
2. Monocromatismo
Se puede alcanzar una emisin de luz potente y bastante restringida en cuanto
a intervalo de frecuencias posibles (casi de una sola frecuencia), segn se
haya escogido una fuente inicial de luz con espectro de frecuencias lo ms
acotado posible.
3. Concentracin de haz
Los espejos permiten escoger el ancho del haz, ya que la cantidad de fotones
por unidad de rea en el proceso de rebote ser la que produzca el haz final
proyectado a travs del espejo semitransparente.
Los lseres no slo se hacen con semiconductores. Por ejemplo, el lser de Helio-
Nen es excitado mediante la aplicacin de voltajes de alrededor de 100 volts y
trabaja a una longitud de onda de 632.8 nm.
TRANSDUCTORES TERMOELCTRICOS
Como se ha visto en diferentes momentos del curso, la energa cintica de un
electrn individual (partcula) puede afectar diversas variables macroscpicas de
un material especfico (red): especficamente la temperatura y la corriente
elctrica. La razn de lo anterior viene de las propias definiciones de temperatura,
corriente y energa cintica por tomo o electrn.
En un transductor termoelctrico la cantidad de electrones libres est directamente
relacionada con la temperatura del material: esto se deduce inmediatamente si
tenemos en cuenta que un semiconductor (ejemplo de posible transductor de este
tipo) la resistencia disminuye con la temperatura. Por otro lado, no slo el
incremento de una corriente dada puede ser indicadora de cambios en la
124
temperatura: la termocupla en general es construida uniendo metales diferentes, o
aleaciones de estos, lo que quiere decir que el efecto trmico de los
semiconductores no es realmente el usualmente escogido.
La termocupla o termopar en realidad aprovecha el efecto Seebeck: si un extremo
de un metal se encuentra a diferente temperatura que el otro extremo, ste exhibe
un cambio en el potencial elctrico que aparece en el extremo de referencia
trmico; ese cambio en el potencial es diferente segn cada material, as que si se
establece una misma diferencia de temperaturas T entre los extremos de cada
uno de los dos metales, se puede leer una diferencia de potencial entre un
extremo de referencia de un material y el del otro material (los que estn a la
misma temperatura de referencia, que puede ser la ambiente o 0 grados Celsius,
dependiendo de la aplicacin).
Como los materiales de las termocuplas con el Platino, Rodio, Cobre, Hierro y
otros metales, no es objeto de nuestro estudio profundizar en esto.
TRANSDUCTORES PIEZOELCTRICOS
Presentan un efecto similar al fotoelctrico en cuanto a resultados, pero
relacionado con la presin ejercida por el material, en vez de la luz.
Los transductores piezoelctricos pueden estar hechos de materiales diferentes,
como el Titanato de Bario o el Dixido de Silicio; en estos casos no se debe
confundir estos compuestos con un semiconductor, ya que los oxgenos presentes
cambian mucho las propiedades elctricas del material en la red cristalina (lo
convierte en un dielctrico muy eficiente). El efecto piezoelctrico es,
fundamentalmente, la aparicin de una diferencia de potencial como resultado de
la creacin de dipolos elctricos bien definidos en la estructura cristalina, como
efecto de la presin ejercida.
2.4.3 Estudio de caso: uso de transductores en electrnica avanzada.
Los transductores en general son usados en una gran cantidad de aplicaciones.
Adems de las celdas solares usadas en los equipos espaciales (satlites,
exploradores, etc), se pueden contar numerosas aplicaciones sofisticadas de
semiconductores, en sistemas en los que tpicamente la electrnica es mucho ms
compleja que la usual.
Entre las aplicaciones fundamentales estn los lseres de alta precisin, potencia,
monocromatismo o coherencia y los centelladores y tubos fotomultiplicadores de
125
los detectores o aceleradores de partculas. A continuacin se consigna el papel
de los semiconductores en cada uno, as como su propsito.
DETECTORES
Son centros creados para medir o identificar radiacin csmica: luz, positrones,
muones, neutrinos y otros. Los neutrinos, por ejemplo, son partculas de casi nula
masa y sin carga, por lo que no interaccionan mucho con la materia. Como
consecuencia de esto su deteccin es indirecta, y toda deteccin indirecta trae
lugar a mayores posibles errores; sin el uso de tubos fotomultiplicadores, las
seales lumnicas detectadas (absorbidas por un transductor fotoelctrico menos
elaborado) seran demasiado dbiles y confusas para ser consideradas fiables.
El detector de neutrinos Super Kamiokande de Japn funciona detectando la
radiacin que emiten 50.000 toneladas de agua pura al interactuar con neutrinos
del espacio. Para ello se ubica una capa exterior de ms de 1800
fotomultiplicadores encima de una capa interior de ms de 9000
fotomultiplicadores, con el objeto de discriminar mejor la seal (direcciones de
incidencia, etc.).
La comprensin de cmo la informacin de recepcin de los multiplicadores puede
dar informacin acerca del neutrino (estos tienen diferentes energas cinticas y
son de diversos tipos) requiere un nivel de conocimientos fsicos mayor al de un
ingeniero no especializado en ello, por lo que no se abordar. En la figura 82 se
muestra cmo se observa el registro de deteccin en una visualizacin grfica de
la superficie interna del tanque de agua, tomada de la pgina oficial del detector.
En particular, representa un Mun atravesando la masa de agua, entrando por la
parte inferior del tanque y saliendo por el costado. Cada partcula deja una huella
dactilar lumnica cuando atraviesa la masa de agua, produciendo la deteccin de
radiacin en los tubos fotomultiplicadores a diversas frecuencias. Los colores
representan el tiempo, siendo el azul anterior al verde.
Un neutrino munico puede descomponerse al atravesar la masa de agua: sta es
la nica forma de detectarlo efectivamente: por las partculas en las que se ha
descompuesto. Particularmente, en la figura 83 observamos cmo el mun que
un neutrino a producido emite cierta huella luminosa. Despus que el mun a su
vez decae en electrn, ste tambin puede ser detectado.
ACELERADORES DE PARTCULAS
El objeto de los aceleradores de partculas es realmente colisionarlas. Cuando se
colisionan un par de antipartculas, por ejemplo, stas se aniquilan y se
transforman en energa pura. Sin embargo, la energa en que se transforman es
126
demasiado alta (la suma de sus energas cinticas ms la energa de sus masas,
por la relacin E=mc
2
), as que tienen a formarse espontneamente partculas que
pueden entenderse como la decantacin o solidificacin de la energa liberada.
Normalmente las partculas que se espera de estas colisiones son de muchos
tipos, entre neutrinos, muones, electrones, positrones y otros, por lo que es
necesario una fsica de detectores muy avanzada y precisa.
Figura 82. Huella de un mun, tomada de la pgina oficial del Superkamiokande
127
Figura 83. Huella de un mun, tomada de la pgina del SuperKamiokande
El LHC (Large Hadron Collider) es un colisionador de cierto tipo de partculas (los
hadrones) de 27 Km de largo dispuesto en forma de circunferencia para acelerar
las partculas hasta colisionalas en el detector ATLAS (A Toroidal LHC
ApparatuS), donde se encuentra la electrnica de deteccin requerida.
El detector ATLAS se componte de varios subdetectores; cada uno con mltiples
capas, como se ve en la figuras 84.
128
Figura 84. Detector Atlas, LHC, CERN:
El papel de los semiconductores en este detector es muy importante: por ejemplo,
el detector de pixels (Pixel Detector) usa silicio de 250 micrmetros.
129
2.5 TPlCOS AVANZADOS EN SEMlCONDUCTORES
2.5.1 Tcnicas para la elaboracin de circuitos integrados
Actualmente los circuitos integrados se fabrican por medio de procesos de
crecimiento de pelculas delgadas basados en semiconductores como el silicio
(Si), el germanio (Ge) y el arseniuro de galio (GaAs). El material ms usado para
la fabricacin de los circuitos integrados es el silicio porque se puede encontrar
fcilmente en la naturaleza, ya que es el elemento principal que compone la arena.
El proceso de fabricacin tradicional (estandarizado) comienza con el crecimiento
de un cristal de silicio de alta pureza en forma de cilindro de 10 a 30 cm de
dimetro y un metro de longitud. Este cilindro es luego cortado en lminas de 400
a 600 micrmetros de espesor; estas lminas se pulen hasta tener un acabado de
espejo, mediante tcnicas qumicas y mecnicas de pulido (este CMP, por sus
siglas en ingls, es un proceso que utiliza un compuesto acuoso abrasivo
conjuntamente con una almohadilla de pulido). Las lminas se presionan contra la
almohadilla y se rotan de tal manera que se eliminan todas las impurezas, dejando
la lmina completamente plana y limpia.
Una vez que las lminas estn preparadas, se recubren algunas zonas con
dixido de silicio (
2
SiO ), esto se lleva a cabo calentando las lminas a 1000
1200 C hasta que se genera una capa de xido en la superficie del material. Las
partes de la lmina que no estn recubiertas se someten a un proceso de difusin
que dopa el silicio (tipo p) con impurezas que contengan electrones creando una
capa de silicio tipo n (Figuraa.). Las impurezas usadas ms comunes son
dopantes como el fsforo, el boro y el arsnico.
El siguiente paso es definir la regin activa, o la regin donde los transistores
sern ubicados, esto se hace usando una tcnica llamada de oxidacin local, en la
que una capa de nitruro de silicio (
4 3
N Si ) es depositada sobre la superficie de la
lmina en patrones, de tal forma que protege las regiones con el nitruro de la
oxidacin (Figurab.). Este proceso de oxidacin se lleva a cabo mediante un
proceso llamado oxidacin hmeda que consiste en un proceso qumico de
oxidacin con vapor de agua. Despus de este proceso aparecen regiones con
dixido de silicio entre los transistores (Figurac.). Luego se procede con la
formacin de una compuerta de polisilicio, esto se hace cuando una delgada capa
de xido es removida de la regin activa seguida por el crecimiento de una
compuerta de xido de alta calidad (Figurad.). La geometra de la superficie se
define mediante un proceso llamado fotolitografa, que consiste en usar la luz para
130
transferir un patrn geomtrico a un material sensible a la luz en el sustrato, este
material es llamado fotoresistivo (Figurae.). Cuando el material se expone a la
luz a travs de una placa fotogrfica que contiene el patrn, las zonas
fotoresistivas se ablandan imprimiendo el patrn o la mscara en la superficie del
material. Una vez que se haya depositado el material fotoresistivo, se pone otra
capa de polisilicio, usualmente dopado con arsnico (tipo n). El proceso re repite
una vez ms pero esta vez se dopa el material son boro (tipo p) (Figuraf.). Antes
de que los contactos sean hechos, se deposita una delgada capa de dixido de
silicio mediante el proceso (CVD) o deposicin qumica de vapor, que es un
proceso en el cual gases reaccionan qumicamente permitiendo la formacin de un
slido sobre un sustrato (Figurag.). El xido CVD se deposita usando una
mscara fotosensible, de tal manera queden hechos los orificios para los
contactos metlicos. Por ltimo, estos contactos se hacen mediante el proceso de
metalizacin que consiste en evaporar por medio de calor una capa de aluminio
que luego se deposita sobre la superficie del sustrato (Figura 85, siguiente
pgina).
2.5.2 Control del crecimiento de semiconductores: Fsica de materia
condensada
Desde la poca del inicio de la construccin de circuitos y dispositivos electrnicos
a escalas nanomtricas, se empezaron a desarrollar tcnicas para el crecimiento
de pelculas delgadas (lminas de varios micrmetros de espesor) de diferentes
materiales, ya fueran metales, aislantes o semiconductores. Los procesos de
crecimiento de materiales generalmente son de origen qumico o fsico, y
consisten en controlar la manera como las redes cristalinas se enlazan entre s.
Estos procesos son llamados deposiciones, lo que textualmente significara
depositar una lmina delgada de algn material sobre un sustrato (material con
forma no laminar). Los procesos que son de origen qumico generalmente son
utilizados para el crecimiento de pelculas metlicas, debido a que se llevan a
cabo de esta forma, como por ejemplo los baos de plata y oro.
En el caso de los materiales semiconductores se utilizan procesos fsicos para el
crecimiento de las pelculas delgadas; estos son:
- Evaporador de haz de electrones.
- Sputtering.
- Deposicin por pulsos lser.
- Haz molecular epitaxial.
131
Los procesos se diferencian en la forma como los tomos son desprendidos del
material que se desea crecer; el resto del proceso suele ser muy similar, como
veremos a continuacin.
132
Figura 85. Proceso tpico de fabricacin de un Mosfet Complementario (CMOS), tomado de
SEDRA.
EVAPORADOR DE HAZ DE ELECTRONES
133
Es una forma de deposicin por vapor en el cual un objetivo es bombardeado por
un haz de electrones generado a partir un filamento de tungsteno previamente
calentado en una cmara de alto vaco. El haz de electrones evapora el objetivo
(que contiene el material deseado), que luego se precipita sobre el sustrato,
cubrindolo en forma de pelcula delgada.
SPUTTERING
Este sistema de crecimiento de pelculas semiconductoras consiste en que los
tomos del material que se desea crecer se disparan hacia un sustrato para que
sean depositados en ste y formen la lmina delgada. Esto es logrado por las
cmaras evaporadoras: emiten un gas inerte ionizado (como el argn) hacia un
objetivo que contiene el material que se desea crecer, haciendo que los tomos
del objetivo sean expulsados al colisionar con el gas inerte, para despus
depositarse sobre el sustrato. Para que esto funcione bien, es necesario que los
iones sean de un tamao comparable a los tomos del material a crecer; por lo
tanto, tambin se utilizan otros gases inertes como el nen, el kriptn y el xenn.
DEPOSICIN POR PULSOS LSER
Este sistema consiste en un pulso de luz localizado que evapora la superficie del
material deseado para luego depositarse en el sustrato. Generalmente este
proceso es llevado a cabo en una cmara de alto vaco.
HAZ DE MOLCULAS EPITAXIAL
Este mtodo consiste en un sistema que calienta materiales cono el galio o el
arsnico hasta el punto de sublimacin, para luego condensarse sobre el sustrato.
Una de las caractersticas principales de este mtodo es la baja tasa de
deposicin (aproximadamente 1000 nm/h), lo que permite que la lmina crezca
epitaxialmente, es decir, se hace crecer una capa monocristalina sobre un sustrato
tambin monocristalino, pero de otro material. Por este motivo, el proceso debe
llevarse a cabo en una cmara de alto vaco donde no haya impurezas de ninguna
naturaleza. De esta forma se pueden crecer pelculas delgadas de arseniuro de
galio (GaAs) para este caso.
La fsica de la materia condensada estudia bsicamente los problemas que se
refieren a estados coloides, estados slidos (amorfos o cristalinos), fluidos y
cualquier otro estado intermedio de la materia que en el que las partculas puedan
estudiarse como un conjunto estadstico. A continuacin se brinda una breve
134
explicacin de un tpico de investigacin de frontera en Materia Condensada: los
puntos cunticos.
PUNTOS CUNTICOS
En la primera mitad de los aos 80, un fsico-qumico de los laboratorios Bell
(Louis E. Brus) descubri que cuando existe contacto directo entre dos
semiconductores crecidos epitaxialmente, se crea un confinamiento cuntico para
los excitones (pares electrn - hueco) en las tres dimensiones espaciales. Este
confinamiento da como resultado un espectro discreto de energas posibles que
da lugar a estados ligados similares a los de los tomos; es por esto que los
puntos cunticos tambin son conocidos como tomos artificiales.
El confinamiento cuntico de los puntos se crea cuando dos semiconductores que
tienen diferentes GAPs de energa se acoplan. Estas diferencias de energas
crean pozos de potencial que confinan los electrones y los huecos espacialmente,
dando como resultado el espectro discreto de energas.
Los puntos cunticos se han estudiado con gran inters desde su descubrimiento
hasta la actualidad debido a sus propiedades pticas no lineales y sus
aplicaciones en el desarrollo de dispositivos tecnolgicos de nanoescala, ya que el
tamao de los puntos cunticos vara generalmente entre 10 y 50 nm. Una de las
propiedades pticas ms destacadas es que puntos cunticos del mismo material
pero con diferente tamao emiten luz de diferente color. Por esta razn, las
aplicaciones ms importantes son los dispositivos emisores de luz, como los
lseres.
En la figura 86 podemos ver cmo se registra la apariencia de estos puntos
cunticos.
2.5.3 lnvestigacin en semiconductores y la aproximacin Hartree-Fock-
Funcional de Densidad
La investigacin en semiconductores es una rama de la fsica aplicada cuyas
consecuencias en el diseo y construccin de circuitos integrados pueden ser
inmediatas. El diseo de circuitos integrados, por su parte, puede darse a nivel de
semiconductores o a nivel de circuito: el primero se refiere a la elaboracin de
nuevos materiales idneos para aplicaciones de electrnica y el segundo se
refiere al ajuste de los parmetros geomtricos y elctricos del circuito integrado
(como puede ser, por ejemplo, el ancho del canal de un Mosfet).
135
Figura 86. Puntos cunticos nanocristalinos de CdSe. Emiten luz de diferente color dependiendo el
tamao de los puntos cuando se irradian con luz ultravioleta. V. I. Klimov. Nanocrystal quantum
dots: From fundamental photophysics to multicolor lasing. Los Alamos Science 28 214 (2003).
Dentro del nivel ms fundamental encontramos numerosos estudios tenientes a
mejorar la manera como se estiman las caractersticas cunticas de redes
semiconductoras que son creadas para determinada aplicacin. La importancia
de conocer esta informacin mecano-cuntica (conocer el hamiltoniano y la
funcin de onda del sistema de partculas) radica en que los procedimientos de
construccin de circuitos integrados VLSI (Very Large Scale Integration) requieren
la manipulacin de una cantidad cada vez menor de tomos (nanotecnologa), de
manera que aproximaciones no muy exactas acerca de cmo se comportan los
materiales que desprecien los aspectos cunticos resultan inadecuadas: las
predicciones de lo que debera pasar con un determinado material al aplicar
determinada tcnica de manipulacin fallan.
Es por esto que el estudio de la fsica de semiconductores de la forma ms exacta
posible hoy adquiere ms importancia que en el pasado (aos 50s, por ejemplo),
cuando la tecnologa no poda siquiera detectar muchos de los efectos cunticos
ms sorprendentes, como la condensacin de Bose-Einstein (un cuarto estado de
la materia que slo se consigui en 1996 y era predecido por clculos combinados
de Albert Einstein y Satyendra Nath Bose). Adems del proceso de fabricacin de
circuitos integrados, una correcta estimacin de las propiedades cunticas de
semiconductores (y otros compuestos inorgnicos y orgnicos) puede finalizar en
el desarrollo de dispositivos de alta tecnologa (de hecho, ya ha ocurrido en
diferentes momentos de la historia como, por ejemplo, la invencin del
microscopio de efecto tnel) en campos tan dismiles como la medicina, la
exploracin espacial, la industria de electrnica de consumo y la informtica de
alto nivel.
136
Una de las aproximaciones al clculo exacto de una funcin de onda de muchas
partculas es la Hartree-Fock.
El problema del caso de muchas partculas es que la forma usual de encontrar la
funcin de onda (usar el hamiltoniano conocido, aplicar condiciones de frontera y
ver qu funciones cumplen las leyes fsicas que se sabe son inherentes al
sistema) se vuelve extremadamente compleja, al punto de hacerse irrealizable.
Esto se debe principalmente a la interaccin entre partculas: si el conjunto que se
examina es, por ejemplo, diez electrones girando alrededor del ncleo, la solucin
completamente exacta tendra que tener un hamiltoniano que depende de todas la
coordenadas relativas, ya que la energa potencial electromagntica del sistema
depende de las distancias de separacin entre los electrones y su posicin
respecto al ncleo. Ahora, si queremos escribir el hamiltoniano de un sistema de
10
23
tomos (lo que es apenas unos pocos gramos), la tarea es prcticamente
imposible.
Aunque las aplicaciones de nanotecnologa manejan unos rdenes de magnitud
en la cantidad de partculas mucho menores que 10
23
, an as la tarea es
completamente imprctica, sobretodo si se consideran TODAS las interacciones
posibles, debido a cualquiera de las cuatro fuerzas fundamentales (la gravedad,
sin embargo, siempre se puede despreciar, al igual que efectos relativistas que a
estas velocidades no suelen ser importantes).
En el caso de materiales cristalinos, la aproximacin de Hartree-Fock usa trminos
aproximados en el hamiltoniano y aqu la contribucin del mtodo la
suposicin que la funcin de onda total del sistema es igual a la combinacin lineal
de productos de funciones de onda orbitales. Dicho ms claramente, se asume
que la funcin de onda real del sistema es una suma de productos de funciones de
ondas ms simples, que a efectos prcticos terminan siendo las funciones de onda
correspondientes a los orbitales atmicos, explicados en la unidad 1. La razn de
que cada sumando sea un producto de varios funciones es que cada funcin
representa el estado de cada partcula, de manera que el producto de ellas es el
estado total del sistema cuando cada partcula est en el orbital atmico
correspondiente.
La teora del Funcional de Densidad puede usar resultados de aproximaciones de
Hartree Fock: esta teora intenta usar un Funcional de Densidad (una especie de
funcin de funciones) en vez de la funcin de onda previamente dicha. Siendo
explcitos:
137
Representa la ecuacin de Schrdinger independiente del tiempo para un
sistemas de N partculas (en la aproximacin Bohn-Oppenheimer), donde U es la
energa de interaccin entre esas partculas. An en el caso de que sean todos
electrones, esta interaccin electromagntica es difcil de determinar, porque la
energa electromagntica depende en realidad de las posiciones de cada par de
partculas que se est analizando (y, he hecho, de su velocidad, si se quiere tener
toda la energa de manera muy exacta). Inclusive esta complicada ecuacin es
slo una estimacin, ya que en realidad:
+ = + ) .... , , , ..... , , (

3 2 1 3 2 1 N N
v v v v r r r r U U

Y la sumatoria de V(r
i
) tambin debiera depender de las velocidades, si el clculo
fuera exacto. A pesar de todo, la ecuacin que asume las energas totales como
sumatorias de energas parciales es una aproximacin casi exacta, debido a que
las energas que se calculan considerando las velocidades son las magnticas, y
normalmente estas son de una magnitud mucho menor, as que pueden ser
despreciadas sin que los clculos de energa o las funciones de onda halladas
difieran mucho.
La ecuacin de Schrdinger independiente del tiempo que hemos llamado de la
aproximacin Bohn Oppenheimer (en realidad esta aproximacin se refiere a
considerar el ncleo como esttico y las aproximaciones de energa sin
dependencia de velocidad son ms bien usuales a todos los mtodos) podra
utilizarse para, sabiendo cmo debe ser las funciones de energa y esto se
conoce en gran proporcin, debido a que las leyes fsicas estn bien
establecidas hallar cul es la funcin de onda que identifica el sistema de
partculas que analizamos (por ejemplo, este sistema podran ser un milln de
tomos de silicio, slo 10
6
tomos, comparados con los 10
23
de los que hablamos
anteriormente).
El problema reside en que 10
6
tomos de silicio, por ejemplo, a pesar de constituir
menos de una millonsima de nanogramo (una cantidad que slo se puede
manipular en laboratorio), convierten la ecuacin de Schrdinger asociada en una
ecuacin imposible de resolver. Por esto se usa la teora del Funcional de
Densidad, que expresa la fsica de la Ecuacin de Schrdinger en otra ecuacin,
que adems acta sobre una funcin diferente a la funcin de onda: la densidad
de partculas, definida como sigue:
Y el valor esperado de un observable O (recordando la unidad 1) se escribe, para
toda teora de mecnica cuntica, en la notacin de Dirac, que es sta:
138
Donde O[n
0
] es el observado para una densidad de partculas n
0
, es decir, del
estado base. Entindase entonces que n
i
ser otra densidad, de un estado i que
bsicamente se refiere a otra configuracin, muy probablemente con observables
con valores esperados completamente diferentes, incluyendo a la energa (si tiene
dudas respecto al concepto de observables y cmo se calculan, refirase a los
prrafos finales de la seccin 1.2.2.3). El estado base entonces tiene energa:
Y la contribucin de energa que hace el potencial externo V se calcular de
manera anloga, en el caso de que se trabaje la densidad de partculas en vez de
la funcin de onda, as:
La de energa de intercambio entre los electrones se halla de manera idntica:
Como las expresiones son ms simples, se puede tratar el sistema como un todo,
aunque no se pueden evitar las complicaciones matemticas del todo.