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Donde
Dnde:
=Campo elctrico en x
= Conductividad elctrica en el
vaco.
La conductividad elctrica depende
de la concentracin de portadores y
est dada por la siguiente funcin.
La resistencia Hall depende de la
densidad de portadores, de la
intensidad del campo magntico y
de la anchura de la lmina y est
dada por:
5. EFECTO HALL
CUANTICO
A diferencia del efecto hall clsico,
que se necesit una lmina muy
delgada de material conductor, sin
embargo la aplicacin ms
importante ha sido la determinacin
de la densidad de portadores de
carga en materiales
semiconductores. El efecto hall
cuntico se produce bajo distintas
circunstancias:
Muestra material
semiconductor.
Crear un gas de electrones
bidimensional.
Campo magntico muy
intenso cerca de 15 Teras.
Temperaturas muy bajas del
orden de los 2 grados Kelvin.
Campo magntico
perpendicular.
RESISTIVIDAD HALL
Lo ms sorprendente es que al
analizar en estas condiciones la
resistencia hall los resultados no
fueron como esperaban que la
resistencia cambie linealmente. si
no que se comportaba constante en
unos rangos de tiempo y despus
aumentaba dando forma de meseta
a su comportamiento.
En conclusin la resistividad
apareca cuantiZada como un
mltiplo entero de:
Donde
y es lacarga del electron
A continuacin se muestra la grfica
de la resistividad con respecto al
campo magntico.
Figura 4. Campo magntico vs Resistividad
De ac podemos concluir que
primero que todo necesitamos
campos magnticos altos para
alcanzar esta condicin y que las
mesetas estn separadas por
intervalos de comportamiento
normal.
En los intervalos correspondientes a
las mesetas el tensor de
conductividad es:
Donde i= 1,2,3..n
Y de aqu se obtuvo la resistividad
mxima es de:
Cuando i=1.
Cuando los electrones libres estn
totalmente coalicionados y llenan un
nivel generan un flujo magntico
total. Para cada cambio de
resistencia en la meseta se genera
el pico en el nivel de densidad.
Figura 5. Densidad magntica vs niveles de
energa
Podemos observar los picos y por lo
tanto para valores enteros, para un
nivel tenemos el pico ms alto y
vamos aumentado el nivel y se
disminuye la resistencia son
inversamente proporcionales
La cuantizacin de la resistencia
ocurre variando el campo magnetico
externo H. Ya que con este se
puede variar los niveles de landau a
trabajar:
L L
n
n
N
N
hc
eH
n
L
6. APLICACIONES
METROLOGICAS.
La ventaja de las constantes
fundamentales:
No dependen de las
condiciones ambientales.
Se pueden realizar en
cualquier parte del mundo.
Una de las aplicaciones ms
importantes es el nivel de
resistencia para la medicin
del pico de la meseta
cuando n=1, esta norma es la
constante de Von Klitzing:
Este nuevo valor fue escogido en
1998 despus de exhaustivas
pruebas el cual tiene una mejora de
aproximacin de tres rdenes de
magnitud con respecto a la primea
norma de 1990.
Esta por su parte posee mejor
resolucin el orden de una pocas
partes de 1010, por lo que su
precisin aumento en un orden de
10-9.
Importante que la resistencia Rk no
dependa de las propiedades del
material, gracias a esta condicin en
la prctica se utilizan dos muestras
uno basado en el Si-mosfet y otro
en heteroestructuras.
A pesar de estas no depender de
formas geomtricas se debe tener
cuidado en no exceder el valor
crtico de la densidad de corriente o
de lo contrario ocurrir la ruptura del
IQHE
7. CONCLUSIONES
El efecto Hall cuntico servir para
la nanotecnologa de tal forma que
mediciones para procesos electicos
puedan ser ms exactas debido a
cambios muy pequeos. Tambin
gracias a sus caractersticas est
basado en clculos que requieren
constantes y no dependen del
material.
8. BIBLIOGRAFIA
J.M Martinez- Duart, R.J Martin-
Palma. Microelectronics and
Optoelectronics, pp. 173-195.
es.wikipedia.org/wiki/Efecto_
Hall
www.profesorenlinea.cl/fisica/
EfectoHall.htm
es.scribd.com/doc/5019646/E
fecto-Hall
www.uam.es/gruposinv/nano
phot/Web.../Quantum_Hall_E
ffect.ppt
campus.usal.es/~mpg/Gener
al/TesisMarina.pdf