Universidad Tcnica de Ambato

2011
Marcela Crdova
Quinto Industrial
18/04/2011
DIODO DE POTENCIA
1. DATOS INFORMATIVOS
Nombre: Marcela Crdova
Curso: Quinto Industrial
Mdulo: Electrnica de Potencia
Fecha de Realizacin: 11 de abril del 2011
Fecha de Entrega: 18 de Abril del 2011
2. TEMA



3. OBJETIVOS

a. OBJETIVO GENERAL

Analizar las caractersticas y funcionamiento del Diodo de Potencia.

b. OBJETIVOS ESPECIFICOS

Reconocer visualmente al Diodo, y determinar sus terminales nodo Y
Ctodo.
Analizar el funcionamiento del Diodo durante el paso de Corriente
aplicando en un circuito determinado, estudiar tanto mnima como
mxima corriente que soporta el diodo de potencia.
Verificar su funcionamiento mediante la aplicacin en un circuito con la
carga de un motor DC.
Disear y armar el circuito propuesto
Investigar las caractersticas del Diodo de Potencia, uso del Data Sheet.
Analizar las grficas de sus propiedades ms importantes como voltaje,
corriente, temperatura, y mxima potencia.

4. MATERIALES Y EQUIPO
1 diodo de Potencia 1N5393 (2A)




Multmetro



Fuente C.C.



Fuente C.A



Osciloscopio



Motor DC ( 24 Voltios)


1 transformador (120 V 24 V )


5. FUNDAMENTO TERICO

Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los
diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones: son dispositivos
unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de
conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo
y ctodo.
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben
ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin.
En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa
de nodo con una pequea intensidad de fugas.


El diodo responde a la ecuacin:


La curva caracterstica ser la que se puede ver en la parte superior, donde:
V
RRM
: tensin inversa mxima
V
D
: tensin de codo.
A continuacin vamos a ir viendo las caractersticas ms importantes del diodo,
las cuales podemos agrupar de la siguiente forma:
Caractersticas estticas:

o Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa).
o Parmetros en conduccin.
o Modelo esttico.

Caractersticas dinmicas:
o Tiempo de recuperacin inverso (t
rr
).
o Influencia del t
rr
en la conmutacin.
o Tiempo de recuperacin directo.

Potencias:
o Potencia mxima disipable.
o Potencia media disipada.
o Potencia inversa de pico repetitivo.
o Potencia inversa de pico no repetitivo.
o
Caractersticas trmicas.

Proteccin contra sobreintensidades.

Caractersticas estticas


Parmetros en bloqueo
Tensin inversa de pico de trabajo (V
RWM
): es la que puede ser soportada
por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura
por avalancha.
Tensin inversa de pico repetitivo (V
RRM
): es la que puede ser soportada
en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada.
Tensin inversa de pico no repetitiva (V
RSM
): es aquella que puede ser
soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o ms.
Tensin de ruptura (V
BR
): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante
10 ms el diodo puede destruirse o degradar las caractersticas del
mismo.
Tensin inversa contnua (V
R
): es la tensin continua que soporta el diodo
en estado de bloqueo.
Parmetros en conduccin
Intensidad media nominal (I
F(AV)
): es el valor medio de la mxima
intensidad de impulsos sinusuidales de 180 que el diodo puede soportar.
Intensidad de pico repetitivo (I
FRM
): es aquella que puede ser soportada
cada 20 ms , con una duracin de pico a 1 ms, a una determinada
temperatura de la cpsula (normalmente 25).
Intensidad directa de pico no repetitiva (I
FSM
): es el mximo pico de
intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms.
Intensidad directa (I
F
): es la corriente que circula por el diodo cuando
se encuentra en el estado de conduccin.
Modelos estticos del diodo

Los distintos modelos del diodo en su regin directa (modelos estticos) se
representan en la figura superior. Estos modelos facilitan los clculos a
realizar, para lo cual debemos escoger el modelo adecuado segn el nivel de
precisin que necesitemos.
Estos modelos se suelen emplear para clculos a mano, reservando modelos ms
complejos para programas de simulacin como PSPICE. Dichos modelos suelen
ser proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en las libreras
del programa.

Tiempo de recuperacin inverso

El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se efecta
instantneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad I
F
, la
zona central de la unin P-N est saturada de portadores mayoritarios con
tanta mayor densidad de stos cuanto mayor sea I
F
. Si mediante la aplicacin
de una tensin inversa forzamos la anulacin de la corriente con cierta
velocidad di/dt, resultar que despus del paso por cero de la corriente existe
cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y
permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. La
tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus del tiempo
t
a
llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a
escasear y aparece en la unin la zona de carga espacial. La intensidad todava
tarda un tiempo t
b
(llamado tiempo de cada) en pasar de un valor de pico
Caractersticas dinmicas
negativo (I
RRM
) a un valor despreciable mientras van desapareciendo el exceso
de portadores.
o t
a
(tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por
cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo.
o t
b
(tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de
intensidad hasta que sta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad
de la unin polarizada en inverso. En la prctica se suele medir desde el valor
de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de ste.
o t
rr
(tiempo de recuperacin inversa): es la suma de t
a
y t
b
.
o Q
rr
: se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea
negativa de la caracterstica de recuperacin inversa del diodo.
o di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
o I
rr
: es el pico negativo de la intensidad.
La relacin entre t
b
/t
a
es conocida como factor de suavizado "SF".
Si observamos la grfica podemos considerar Q
rr
por el rea de un tringulo :

De donde:

Para el clculo de los parmetros I
RRM
y Q
rr
podemos suponer uno de los dos
siguientes casos:
o Para ta = tb trr = 2ta
o Para ta = trr tb = 0
En el primer caso obtenemos:


Y en el segundo caso:

Influencia del trr en la conmutacin
Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable:
o Se limita la frecuencia de funcionamiento.
o Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de
recuperacin inversa.
Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperacin rpida.
Factores de los que depende t
rr
:
o A mayor I
RRM
menor t
rr
.
o Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo
mayor ser la capacidad almacenada, y por tanto mayor ser t
rr
.
Tiempo de recuperacin
directo
t
fr
(tiempo de recuperacin
directo): es el tiempo que
transcurre entre el
instante en que la tensin
nodo-ctodo se hace
positiva y el instante en que
dicha tensin se estabiliza
en el valor V
F
.
Este tiempo es bastante
menor que el de
recuperacin inversa y no
suele producir prdidas de potencia apreciables.

Disipacin de potencia
Potencia mxima disipable (P
mx
)
Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos
confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento,
llamada sta potencia de trabajo.
Potencia media disipada (P
AV
)
Es la disipacin de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en
estado de conduccin, si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente
de fugas.
Se define la potencia media (P
AV
) que puede disipar el dispositivo, como:

Si incluimos en esta expresin el modelo esttico, resulta:

y como :
es la intensidad media nominal
es la intensidad eficaz al cuadrado
Nos queda finalmente:


Generalmente el fabricante integra en las hojas de caractersticas tablas que
indican la potencia disipada por el elemento para una intensidad conocida.
Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia
media con la intensidad media y el factor de forma (ya que el factor de forma
es la intensidad eficaz dividida entre la intensidad media).
Potencia inversa de pico repetitiva (P
RRM
)
Es la mxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo.
Potencia inversa de pico no repeptitiva (P
RSM
)
Similar a la anterior, pero dada para un pulso nico.
Temperatura de la unin (T
jmx
)
Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la
unin del dispositivo si queremos evitar su inmediata destruccin.
En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unin se nos da la "operating
temperature range" (margen de temperatura de funcionamiento), que significa
que el dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de
temperaturas comprendidas entre dos valores, uno mnimo y otro mximo.
Temperatura de almacenamiento (T
stg
)
Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica
ninguna potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta
temperatura.
Resistencia trmica unin-contenedor (R
jc
)
Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el encapsulado del
dispositivo. En caso de no dar este dato el fabricante se puede calcular
mediante la frmula:
R
jc
= (T
jmx
- T
c
) / P
mx
siendo T
c
la temperatura del contenedor y P
mx
la
potencia mxima disipable.
Resistencia trmica contenedor-disipador (R
cd
)
Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador
(aleta refrigeradora). Se supone que la propagacin se efecta directamente
sin pasar por otro medio (como mica aislante, etc).

Caractersticas trmicas
Principales causas de sobreintensidades
La causa principal de sobreintensidad es, naturalmente, la presencia de un
cortocircuito en la carga, debido a cualquier causa. De todos modos, pueden
aparecer picos de corriente en el caso de alimentacin de motores, carga de
condensadores, utilizacin en rgimen de soldadura, etc.
Estas sobrecargas se traducen en una elevacin de temperatura enorme en la
unin, que es incapaz de evacuar las caloras generadas, pasando de forma casi
instantnea al estado de cortocircuito (avalancha trmica).
rganos de proteccin
Los dispositivos de proteccin que aseguran una eficacia elevada o total son
poco numerosos y por eso los ms empleados actualmente siguen siendo los
fusibles, del tipo "ultrarrpidos" en la mayora de los casos.
Los fusibles, como su nombre indica, actan por la fusin del metal de que
estn compuestos y tienen sus caractersticas indicadas en funcin de la
potencia que pueden manejar; por esto el calibre de un fusible no se da slo
con su valor eficaz de corriente, sino incluso con su I
2
t y su tensin.
Parmetro I
2
t
La I
2
t de un fusible es la caracterstica de fusin del cartucho; el intervalo de
tiempo t se indica en segundos y la corriente I en amperios.
Debemos escoger un fusible de valor I
2
t inferior al del diodo, ya que as ser el
fusible el que se destruya y no el diodo.

5. ROCEDIMIENTO
CIRCUITO


Proteccin contra sobreintensidades
a. DISEO


b. Conexin de los instrumentos de medida (Multmetro,
Osciloscopio)



c. Toma de Medidas




d. CALCULOS
-24 sen t + 3V + L.

= 0

(-24)

+ Ls I (s) = 0

+ Ls I (s) = 0

LsI(s) =

I(s) =

I(s) =

= As

+ B

+ (Cs +D)

= A

24 s - 3

- 3

(A+C) +

(B+D) + s (A

) +B

0 = A+C
-3 = B+D
24 = A

-3

= B

Resolviendo las ecuaciones.
B = -3

A =

C =

D = 0

I (t) =

)

e. SIMULACIONES


f. MEDICIN
Valores Calculados
I V P
Diodo 76 mA 3 V 0,228 W
Motor 1000 mA 30 V 30 W

Valores Medidos
V pico pico 1,56 V

-2,57 V

-1.82 V

-
T bajada 11,92 ms
I 270 mA

Valores Simulados
I V
Motor 834,09 mA 27,48 V
Diodo de
Potencia
834,09 mA 961,48 mV

6. CONCLUSIONES

M El diodo de potencia es uno de los dispositivos ms importantes de los
circuitos de potencia
M Su fin de control es invertir el voltaje entre nodo y ctodo.
M En la actualidad la conversin de potencia de corriente alterna en
corriente continua principalmente se realiza por medio de diodos
construidos con semiconductores de silicio
M Los diodos de potencia presentan dos estados contrapuestos. En estado
de conduccin deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una
pequea cada de tensin, mientras que en sentido inverso, deben ser
capaces de soportar una fuerte tensin inversa con una pequea
El diodo de potencia tambin es sensible a la temperatura.
M Expuesto el diodo al calor la resistencia medida tiende a disminuir.
M El diodo al ser sensible a la temperatura puede funcionar como un sensor
de temperatura.
M Los elementos rectificadores tambin son sensibles a las sobretensiones
transitorias que aparecen durante las conmutaciones
M Los regmenes de trabajo para los diodos de potencia se establecen y
expresan en las recomendaciones del fabricante acerca de las mximas
solicitaciones a que pueden someterse los mismos, sin hacer peligrar su
capacidad de funcionamiento.
M La conduccin de corriente en sentido directo determina la mayor parte
de las prdidas de potencia en el diodo
M El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se efecta
instantneamente


7. RECOMENDACIONES

Verificar que la fuente trabaje correctamente.
Verificar todas las conexiones realizadas en la protoboard para evitar
destruir los dispositivos o tener variaciones en las mediciones obtenidas.
Determinar previamente los terminales de cada dispositivo para conectarlo
correctamente en la polarizacin requerida para que este funcione.
No jugar con la fuente ya que puede ser perjudicial tanto para el material
como para al operario.
Se debe limitar la corriente en el diodo para evitar su destruccin.
Verificar que el paso de corriente supere el valor mnimo para que el motor
pueda funcionar.
Si no se tiene conocimiento de cmo obtener las medidas requeridas se
debe pedir informacin, para evitar daar los instrumentos de medicin.


8. FE DE ERRATAS

Durante la prctica los problemas que se presentaron fue que no se tena en
claro cul era el mtodo de conexin del transformador con el motor, pero
despus de analizar el circuito pudimos estudiar el circuito de mejor
manera y analizar su funcionamiento para poder realizar las conexiones de
mejor manera.

Otro inconveniente fue que existen algunas falencias en las conexiones del
osciloscopio, se debera instruir ms a los estudiantes sobre el manejo de
este importante instrumento, para evitar posibles equivocaciones en su uso
y provocar un desperfecto del equipo.

9. BIBLIOGRAFA

http://www.monografias.com/trabajos58/diodo/diodo2.shtml
es.wikipedia.org/wiki/Diodo_de_Potencia.unicrom.com/Tut_diodoZener_.as
persa. ...
www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/.../Pagina1.htm
http://enciclopedia.us.es/index.php/Diodo_Potencia