E.T.S.I.

de Telecomunicacin Universidad de Vigo

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS I CUESTIONES
APELLIDOS: NOMBRE: SEPTIEMBRE 2010

(0,4) 1) Clasificacin de los resistores fijos.


RESISTORES
FIJ OS
NO BOBINADOS
BOBINADOS
Aglomeradoso de composicin
Capa de carbn
Capa metlica
xidos metlicos
Pelcula delgada
Pelcula gruesa
Potencia
Precisin










(0,4) 2) Se tiene un condensador de mica realizado con lminas de 35 micras de espesor, superficie de 1 cm
2
y una constante
dielctrica relativa de 7,5. Cul es la capacidad del condensador si se apilan 200 lminas metalizadas de mica?.
DATO:
0
= 8,854 10
-14
F/cm

Los condensadores de mica estn construidos apilando lminas de mica y de metal alternativamente, lo que supone que la capacidad
total del condensador es equivalente al paralelo de las capacidades de cada capa de mica y sus correspondientes metalizaciones, es decir,
a la suma de las capacidades de cada uno de los condensadores que forma cada capa de mica metalizada.

La capacidad de cada capa de mica metalizada ser:

F
cm
cm
cm
F
d
S
d
S
C
r
10
4
2
14
0
10 897 , 1
10 35
1
10 854 , 8 5 , 7

= = =

Como se apilan 200 lminas metalizadas de mica, la capacidad total del condensador ser la de 200 condensadores en paralelo con
una capacidad cada uno de 1,89710
-10
F, es decir:

nF F F F C C
T
94 , 37 10 94 , 37 10 4 , 379 10 897 , 1 200 200
9 10 10
= = = = =





C
T
=37,94 nF





+
(0,4) 3) Dibujar un regulador de tensin que debe entregar una tensin constante de 50 V a una carga. El diodo zener que se
tiene disponible para este diseo tiene una tensin zener de 50 V y en su zona de regulacin tiene una corriente mnima de 5 mA
(por debajo de este valor entrara en corte) y una corriente mxima de 40 mA (por encima se quemara ya que se sobrepasara la
potencia mxima que es capaz de disipar).
Si el valor de la resistencia limitadora de corriente necesaria en el circuito es de 3,75 k, calcular los lmites de la tensin de
entrada para no perder la regulacin del circuito si se conecta a una carga de 2 k.
V
i
_
+
R
R
L
V
Z
= 50 V Cte
_
+
I
Z
I
L

= + = + =
= + = + =
+ =

= + = + =
= + = + =
+ =
= = = = =
V V K mA V R I V
V V K mA V R I V
V R I V
mA mA mA I I I
mA mA mA I I I
I I I
Cte mA
K
V
R
V
I K R
Z R i
Z R i
Z R i
L Z R
L Z R
L Z R
L
Z
L L
5 , 162 50 75 , 3 30
75 , 293 50 75 , 3 65
30 25 5
65 25 40
25
2
50
2
min min
max max
min min
max max



162,5V V
i
293,75V



(0,4) 4) Dibujar la seal de salida del circuito de la figura si la seal de entrada V
i
es una seal triangular de 8 V
PP
con 1 V
de nivel de continua (RC >> T).
2V
V
o
+
_
R
V
i
+
_
D
C


t
V
o
(V)
10
2




(0,4) 5) Cul es la regin de funcionamiento de los siguientes transistores?

a) Un JFET de canal n con V
P
= -4 V y que tiene V
GS
= -5 V y V
DS
= 5 V

Como V
GS
es negativa y |V
GS
| >|V
P
| =>El transistor est en corte








b) Un MOSFET de canal N con V
TH
= 2 V y que tiene V
GS
= 3 V y V
DS
= 0,5 V

Como V
GS
>V
TH
el MOSFET conduce y como V
DS
<V
GS
V
TH
el transistor estara en la regin hmica








c) Un transistor BJT npn de silicio con = 100 y que tiene V
CE
= 10 V y I
B
= 20 A (considerar corrientes positivas como
corrientes entrantes)

Como I
B
es positiva (considerando positiva una corriente entrante) quiere decir que la unin de emisor y base est polarizada en
directo y el transistor conduce. Como V
CE
es positiva y mayor que la V
CE sat
0,2 V entonces el transistor estara en activa







d) Un transistor BJT pnp de silicio con = 100 y que tiene V
CE
= -10 V y V
BE
= -0,2 V

Como |V
BE
|<|V
BE
| 0,5 V =>la tensin de polarizacin de la unin de emisor no es suficiente para polarizar en directo dicha unin y
entonces el transistor estara en corte