Libro de Electronica

CAPITULO 1
GENERALIDADES SOBRE CIRCUITOS DE CORRIENTE DIRECTA

4. INTRODUCCION: La teora de circuitos es la herramienta bsica y
fundamental para iniciarse en el conocimiento de la electricidad y la
electrnica, as como los conceptos fsicos, y su formulacin
matemtica por eso se pretende desarrollar un estudio breve, pero
riguroso de esta teora en este primer captulo.

5. OBJETIVOS

6. CARGA ELECTRICA:

Vamos a comenzar por definir el concepto de carga elctrica: Es muy
comn escuchar que los electrones tienen carga, pero que es carga?
Esta respuesta la podemos comprender por medio de la siguiente
experiencia:
Tomemos unos pedacitos de papel, acerqumosle una peinilla, y
veamos que ocurre:

OBSERVACION: No ocurre nada en especial como se puede ver en la
figura 1-1:

FIGURA 1-1 Efecto de una peinilla sin frotar sobre los papeles.

Ahora frotamos la peinilla con el pelo, y nuevamente acercamos la
peinilla a los papeles veamos que ocurre:
Proporcionar al lector informacin de primera mano, que le
permita interpretar los planos, circuitos, y conceptos varios
que son necesarios para comprender el funcionamiento de los
diferentes circuitos y aplicaciones de la electrnica.

OBSERVACION: Ocurre que los pedacitos de papel son atrados por la
peinilla, y a este fenmeno se le conoce como carga elctrica, como
se puede ver en la figura 1-2.

FIGURA 1-2 efecto de la carga elctrica.

De acuerdo a lo observado en esta experiencia, podemos decir que
cuando un cuerpo est cargado tiene energa, por lo tanto podemos
asociar el concepto de carga con energa, y adems cuando un
cuerpo est cargado cuando gana o pierde electrones, el efecto de la
carga se visualiza por la atraccin o repulsin.
Ahora vamos a mejorar nuestro experimento y para ello utilizaremos
unas bolitas muy livianas de icopor, las cuales se encuentran
suspendidas sobre una superficie. En vez de la peinilla vamos a
utilizar una barra de ebonita, y un pedazo de bayetilla, como se
puede ver en la figura 1-3.

FIGURA 1-3 experimento con ebonita y bayetilla.

Desarrollo de la experiencia: Frotamos la barra de ebonita con la
bayetilla, y acercamos la ebonita a una bolita de icopor,
seguidamente frotamos la barra de ebonita nuevamente con la
bayetilla y la acercamos a la otra bolita de icopor. QUE SE
OBSERVA?

FALTA FIGURA

FIGURA 1-4 BOLITAS DE ICOPOR FROTADAS CON LA BARRA DE
EBONITA

OBSERVACION: OCURRE QUE LAS BOLITAS DE ICOPOR SE REPELEN.
QU SE PUEDE CONCLUIR?
SE CONCLUYE QUE LAS CARGAS SON IGUALES, Y QUE LAS CARGAS
IGUALES SE REPELEN.

Ahora a nuestro experimento anterior le vamos a aadir bien puede
ser una piel de conejo o un trozo de vidrio, y procedemos a realizar la
siguiente experiencia como se muestra en la figura 1-5:

FALTA FIGURA

FIGURA 1-5 BOLITAS DE ICOPOR FROTADAS CON LA BAYETILLA, Y
CON LA PIEL DE CONEJO.

Desarrollo de la experiencia: Frotamos la barra de ebonita con la
bayetilla, y se la acercamos a una bolita de icopor. Seguidamente
frotamos la barra de ebonita con la piel de conejo (tambin puede ser
vidrio), y se la acercamos a la otra bolita de icopor.QUE SE
OBSERVA?
OBSERVACION: OCURRE QUE LAS BOLITAS DE ICOPOR SE ATRAEN.
QU SE PUEDE CONCLUIR?
SE CONCLUYE QUE LAS CARGAS SON CONTRARIAS, Y QUE LAS
CARGAS CONTRARIAS SE ATRAEN.

7. LEY DE COULOMB

Agustn de Coulomb en 1784 formul la expresin para hallar la
fuerza de atraccin o de repulsin entre dos cargas, esta se conoce
como ley de Coulomb, la cual se expresa mediante la siguiente
frmula:

Donde es una constante de proporcionalidad, son las cargas y
la distancia entre las cargas.
Esta ley dice que: La fuerza de atraccin o de repulsin entre dos
cargas es directamente proporcional al producto de las cargas e
inversamente proporcional al cuadrado de la distancia que las separa
La unidad de carga es el Coulomb, se denota por la letra .
La carga de un electrn se expresa por la letra ,
por lo tanto un Coulomb representa el negativo de la carga total que
transportan aproximadamente

8. ENERGIA

Ahora estamos interesados en comprender el concepto de energa:
Se define la energa como la capacidad que tiene un cuerpo para
realizar un trabajo.

Entonces se hace necesario comprender primero el concepto de
trabajo: Se define trabajo como el producto de la fuerza por la
distancia.

Esto quiere decir que si a un cuerpo de masa m, le aplico una fuerza,
y el cuerpo experimenta un desplazamiento, entonces hay un trabajo,
como se muestra en la figura 1-6.

FIGURA 1-6 representacin del trabajo.

La expresin matemtica para el trabajo es: W=F.D
Las unidades correspondientes son: Newton.Metro = [Joulio].
DINA.Cm = [Ergio]

Las unidades de trabajo son el Joule y el Ergio, en electrnica nos
vamos a hacer a la idea de que hay trabajo cuando hay un
desplazamiento de un cuerpo, por ejemplo cuando se mueven los
electrones, es porque algo o alguien efecto un trabajo.

Volviendo a retomar la definicin de energa, nos podemos dar cuenta
que hablar de energa, es lo mismo que hablar de trabajo, y por lo
tanto la energa y el trabajo tienen las mismas unidades.

Existen muchos tipos de energa, en electrnica nos interesa conocer
por ahora principalmente lo referente a energa cintica y energa
potencial.

Se define Energa cintica como la capacidad que tiene un cuerpo
para realizar un trabajo en virtud del movimiento, su expresin viene
dada por:
2
2
1
mv E
C
Esto quiere decir en palabras sencillas que un
cuerpo que est en movimiento tiene energa cintica.

Se define energa potencial como la capacidad que tiene un cuerpo
para realizar un trabajo en virtud de la posicin, su expresin viene
dada por: mgh E
P
Esto quiere decir en palabras sencillas que un
cuerpo que tenga cierta altura con respecto a su posicin, entonces
este cuerpo, posee energa potencial, otros cuerpos que normalmente
poseen energa potencial, son los sistemas que tienen que ver con
resortes, bien sea resortes comprimidos o resortes estirados, pero en
general podemos asociar la energa potencial, con cuerpos o sistemas
que como su nombre lo indica potencialmente puedan realizar un
trabajo.
Como habamos dicho anteriormente, existen otros tipos de energa,
y el objetivo de este captulo no es el de tratar todos los tipos de
energa, pero si es de inters finalizar esta parte, recordando el
principio de la conservacin de la energa que dice: LA ENERGIA NI
SE CREA NI SE DESTRUYE, SE TRANSFORMA.
Este principio es de vital importancia para la electrnica, porque en
cualquier circuito o aplicacin necesariamente hay que hablar de
energa.

9. CORRIENTE ELECTRICA

Con estos conocimientos adquiridos hasta el momento, ya podemos
dar una definicin intuitiva de corriente, que viene de correr, como
puede ser el movimiento del agua de un rio, el movimiento del aire,
etc.
En electrnica podemos pensar que corriente es:

CORRIENTE = FLUJO DE ELECTRONES

Esta idea la podemos visualizar por medio de la siguiente figura:

FALTA FIGURA

FIGURA 1-7 Varilla de cobre con electrones.

Si a la varilla de cobre le aplico calor, ocurre que se desplazan, o se
mueven electrones, por lo tanto podemos adoptar la definicin
propuesta anteriormente, porque en realidad hay un movimiento de
electrones.

La expresin matemtica para la corriente es:

t
q
i

De donde: i

= Es la letra que denota la corriente.
q

= Es la carga del electrn en Culombios
= Coulumbios X
19
10 602 , 1
t

= Es el tiempo en segundos.

Esta expresin matemtica nos dice que la corriente es el movimiento
de carga (electrones) en la unidad de tiempo.
La unidad de corriente es el Amperio y se denota con la letra A.
Por lo tanto
segundo
Coulombio
= Amperio, y su smbolo es: [A]
Una forma de representar grficamente la corriente, es por medio de
una flecha, la cual da a entender que hay flujo de electrones, como
se puede ver en la siguiente figura.

FIGURA 1-8 FORMA DE REPRESENTAR UNA CORRIENTE.

10. RESISTENCIA

Asociado al concepto de corriente, aparece el concepto de
Resistencia.
Como su nombre lo indica resistencia se refiere a resistir, a soportar
algo.
En fsica es muy comn encontrar los fenmenos de resistencia
asociados con el rozamiento, friccin etc. Por ejemplo se habla de la
resistencia del aire, la resistencia que opone el piso cuando
caminamos, y as muchos ejemplos ms.

Teniendo encuenta estos conceptos fsicos, y relacionndolos con la
corriente, o sea el movimiento de los electrones, nos podemos dar
cuenta, que cuando estos se mueven, chocan unos con otros ,y esto
hace que exista una oposicin al movimiento de los electrones.
Entonces podemos definir la resistencia como:
RESISTENCIA = OPOSICION AL PASO DE LA CORRIENTE
Debemos tener muy en cuenta que la resistencia es necesaria para
que circule la corriente, ya que si no existiera la resistencia entonces
ocurrira un sobrecalentamiento, y no se podra controlar el flujo de
los electrones.
La resistencia se representa grficamente por medio del siguiente
smbolo:

Figura 1-9 Smbolo de la resistencia.

La unidad de resistencia es el Ohmio en honor a Simon Ohm, su
smbolo es: y se denota por la letra
Teniendo en cuenta las caractersticas de los materiales, la resistencia
est dada como:
A
L
R , donde:
rea A
longitud L
material del propia sistencia .. .. .. Re

11. CONDUCTANCIA

Otro concepto muy utilizado es el de conductancia:
Se define conductancia como el inverso de la resistencia, y se denota
con la letra G
R
G
1
.La unidad correspondiente para la
conductancia es el Siemens, representado por la letra S , tambin se
utiliza como unidad l mho, que es ohmio escrito al revs, y su
smbolo es la letra omega invertida. El smbolo de la conductancia es
el mismo que corresponde a la resistencia.

12. VOLTAJE O DIFERENCIA DE POTENCIAL

Cabe destacar que para que los electrones se muevan o se desplacen
es necesario, aplicarles una fuerza o realizar un trabajo, por ejemplo
en la varilla de cobre el calor es el encargado de realizar el trabajo
para que los electrones se muevan.
Esta fuerza o trabajo, la vamos a asociar como voltaje, entonces
podemos decir que:

VOLTAJE ES: LA FUERZA O TRABAJO ENCARGADO DE HACER
QUE SE MUEVAN LOS ELECTRONES.

Esta definicin nos sugiere que cuando hablemos de voltaje,
pensemos en algn agente que realiza un trabajo, y para nuestro
caso ese trabajo es el de mover electrones.

Al voltaje normalmente se le asocia con diferencia de potencial,
potencial, fuerza electromotriz, etc, lo importante es que para
cualquiera de estos conceptos, est implcito que se trata de una
fuerza o de un trabajo que se puede realizar.

La expresin matemtica para el voltaje es:

Voltaje=
Q
W
a C
Trabajo
arg
=
Coulombio
Joulio
= [voltio]

La expresin anterior nos muestra que efectivamente el voltaje est
relacionado con el trabajo necesario para desplazar una carga, y su
unidad de medida es el voltio, en honor al fsico Volta inventor de la
pila.
El smbolo utilizado para representar el voltaje viene dado por la
siguiente figura:

FIGURA 1-10 Smbolo del voltaje.

Cabe destacar que vamos a utilizar normalmente fuentes de voltaje
ideales, y podemos entender como fuente de voltaje ideal, aquella
cuya salida de voltaje es la misma, sin importar la resistencia que se
le conecte, esto quiere decir que si la resistencia es cero, la salida de
voltaje de la fuente no cae a cero voltios, y adems la resistencia de
salida de la fuente ideal es de cero ohmios.

Por fuente ideal de corriente podemos entender aquella que nos
proporciona el mismo flujo de corriente tratndose de una resistencia
baja o de una resistencia infinita, se considera que una fuente ideal
de corriente tiene una resistencia infinita y se representa por medio
del siguiente smbolo:

FIGURA 1-11 Smbolo de una fuente ideal de corriente.

13. POTENCIA

Otro concepto muy importante en electrnica, y que est muy
relacionado con los anteriores es el de potencia.
Normalmente estamos acostumbrados a identificar la potencia como
poder o fuerza.

En fsica por potencia se entiende como la rapidez con que se
realiza un trabajo, esta es una definicin muy adecuada, y muy
vlida para la electrnica.

La expresin matemtica para la potencia es:
Potencia=
Tiempo
Trabajo
=
t
W
=
segundo
Joulio
, cuya unidad
correspondiente es el vatio watt [w] en honor a James Watt.

14. LEY DE OHM

Con los conocimientos adquiridos hasta ahora, ya podemos enunciar
la Ley de Ohm.
El fsico alemn Simon Ohm descubri que exista una relacin entre
el voltaje y la corriente, esta primera aproximacin la escribi como:

V I

Para poder establecer una igualdad, entonces introdujo una constante
de proporcionalidad, llamada resistencia. Con esta consideracin, la
expresin anterior se puede escribir nuevamente como:

R I V La cual se conoce como ley de OHM.

Esta expresin quiere decir que el voltaje es directamente
proporcional al producto de la corriente por la resistencia.En palabras
sencillas quiere decir lo siguiente:
Si el voltaje aumenta, la corriente aumenta
Si el voltaje disminuye, la corriente disminuye y Viceversa.
Tambin quiere decir que a mayor voltaje mayor resistencia, a menor
voltaje menor resistencia y viceversa.
Si en la expresin anterior despejamos la corriente as:
R
V
I
Se deduce que la corriente y la resistencia tienen una relacin
inversamente proporcional.
Esto quiere decir que:
A mayor corriente menor resistencia, a menor
Corriente mayor resistencia y viceversa.

La ley de Ohm se puede representar grficamente por medio de la
siguiente figura:

FIGURA 1-12 Representacin grfica de la ley de Ohm.

A los circuitos y elementos que tienen un comportamiento similar a la
ley de Ohm, se dice que son circuitos lineales, en palabras sencillas
podemos entender lineal como: las variaciones de la salida son
proporcionales a las variaciones de la entrada.

Una vez conocida la ley de Ohm podemos hallar unas expresiones
muy tiles en el desarrollo de circuitos as:
Potencia =
t
W
Tiempo
Trabajo
, pero sabemos que :
q
W
V qV W
Reemplazando nos queda: Potencia=
t
qV
,pero
t
V it
P it q ,de
donde obtenemos que: I V P ,la cual es la frmula usual para
encontrar el valor de la potencia en la mayora de circuitos elctricos
y electrnicos.
Si tomamos las expresiones: I V P , R I V , despejando:
R
V
I , y
reemplazndola en I V P ,se obtiene:
R
V
P
R
V
V P
2
.
Si la expresin: R I V , la reemplazo en : I V P , entonces se
obtiene:
I R I P , de donde tenemos que: R I P
2
.

15. CIRCUITOS ELECTRICOS:
Se entiende por circuito elctrico como una trayectoria cerrada, la
cual contiene fuentes, resistencias, elementos elctricos y/o
electrnicos.
Existen varios tipos de circuitos, los ms usados son:
Circuito serie, circuito paralelo, circuitos mixtos.

a. CIRCUITO SERIE: Se caracteriza porque los elementos se
encuentran enlazados unos a continuacin de otros, y esto hace que
por todos los elementos circule la misma corriente. Se ha tomado
como sentido de la corriente del polo negativo (-) al polo positivo
(+)de la batera. Cuando la corriente circula por una resistencia, hace
que aparezca en ella una cada de voltaje, con polaridad positiva (+)
por donde entra la corriente , y polaridad negativa (-) por donde sale
la corriente, la razn de esta polaridad se debe a que el punto
positivo(+),tiene un potencial ms alto con relacin al punto
negativo(-),el cual es tomado normalmente como potencial cero o de
referencia, o como tierra.

Un circuito serie lo podemos representar por medio de la siguiente
figura:

Figura 1-13 representacin de un circuito serie.

En la figura se puede observar una fuente de voltaje V, la cual es la
encargada de hacer que circule una corriente a travs de todos los
elementos, (para nuestro caso resistencias),y cuando circula una
corriente por una resistencia, aparece una cada de voltaje en cada
una de las resistencias.
Cuando la corriente circula por
1
R , hace que aparezca un voltaje
1
V
en
1
R ,( esto debido a la ley de Ohm),igual ocurre en la resistencia
2
R ,apareciendo un voltaje
2
V en ella, y un voltaje
3
V en
3
R ,con la
polaridad indicada.

(1). CARACTERISTICAS PRINCIPALES DE UN CIRCUITO EN
SERIE.

(a) La corriente es la misma para todos los elementos del circuito.

(b) El voltaje total se reparte en cada uno de los elementos
(resistencias), y el valor de este depende del valor de la resistencia.

(c) Las resistencias de un circuito en serie se suman.

(d) En todo circuito serie se cumple la ley de voltajes de Kirchof.

(e) Las fuentes de tensin se suman algebraicamente.

(f) Se puede aplicar el divisor de voltaje.

Ejercicio de aplicacin:

En el siguiente circuito se pide hallar: el voltaje en cada resistencia,
la corriente del circuito, la resistencia equivalente, y la potencia
disipada por cada resistencia.

Figura 1-14 ejercicio de aplicacin circuito serie.

Desarrollo: Como las resistencias estn en serie entonces puedo
hallar una resistencia equivalente

5 4 3 2 1
R R R R R R
eq eq
R 2
K R K K K K K
eq
15 5 4 1 3

Ahora puedo encontrar el valor de la corriente por medio de la ley de
Ohm as: mA I mA
K
V
R
V
I
eq
1 1
15
15

Una vez conocido el valor de la corriente, se puede encontrar el
voltaje que cae en cada resistencia as:

V K mA R I V
V K mA R I V
V K mA R I V
V K mA R I V
V K mA R I V
R
R
R
R
R
5 5 1
4 4 1
1 1 1
3 3 1
2 2 1
5 5
4 4
3 3
2 2
1 1

La potencia en cada resistencia la hallo de la siguiente manera:

mW K mA mA R I P
R
5 5 1 1
5
2
5

Cabe destacar que la disipacin de potencia en una resistencia, se
manifiesta en forma de calor.

(2). DIVISOR DE VOLTAJE

Es una herramienta muy til, la cual me permite hallar rpida y
fcilmente un voltaje desconocido en un circuito serie, sin necesidad
de conocer la corriente que circula por el circuito.
Para su comprensin y deduccin vamos a valernos de la siguiente
figura:

Figura 1-15 divisor de voltaje

Supongamos que en la figura anterior, no se conoce el valor de la
corriente, y estamos interesados en encontrar el voltaje en la
resistencia
3
R .
DESARROLLO:
La resistencia equivalente es:
4 3 2 1
R R R R R
eq

El valor de la corriente I del circuito es:
4 3 2 1
R R R R
V
I
El voltaje en la resistencia
3
R es:
3 3
R I V
R

Reemplazando el valor hallado anteriormente de corriente
obtenemos:

3
4 3 2 1
3
R
R R R R
V
V
R

Esta expresin nos muestra que para hallar el voltaje en alguna
resistencia, no es necesario encontrar el valor de la corriente.
Podemos generalizar la expresin anterior de la siguiente forma:

. Re .. .. ... sistencias las de Suma
R V
V
X
RX

Mentalmente nos podemos aprender esta frmula as:

as resistenci las todas de suma La
eresa me que sistencia La Total Voltaje
eresa me que a resistenci una en Voltaje
. .. .. .. ..
int . . .. Re . .
int . . . . . .

Como ejercicio de aplicacin podemos encontrar los valores de voltaje
en el circuito anterior numricamente as:
Colocar el circuito.

V V
K
K V
V
V V
K
K V
V
V V
K
K V
V
V V
K
K V
V
R R
R R
R R
R R
16
20
8 40
4
20
2 40
8
20
4 40
12
20
6 40
4 4
3 3
2 2
1 1

En el ejercicio anterior se observa que no hubo necesidad de
encontrar el valor de corriente, para hallar los voltajes requeridos.

(3). LEY DE VOLTAJES DE KIRCHOOFF (LKV)

La ley de voltajes de Kirchooff (LKV) es una consecuencia del
principio de la conservacin de la energa.
Esta ley dice: En una malla o circuito cerrado la suma algebraica de
los voltajes es igual a cero.
0 V
.Se entiende por malla un
circuito cerrado que no tiene ningn elemento por dentro.
En palabra sencillas podemos entender esta ley de la siguiente
manera: En una malla o circuito cerrado, el voltaje aplicado se
distribuye en todos y cada uno de los diferentes elementos que lo
constituyen, y si sumo los voltajes aplicados (fuentes), con las cadas
de tensin del los diferentes elementos, esta suma debe ser igual a
cero.
Ejemplo: En el circuito de la siguiente figura comprobar la (L K V).

FIGURA 1-16 CIRCUITO PARA COMPROBAR LA (L K V)

Desarrollo: del circuito tenemos que: esto quiere decir
que el voltaje aplicado es igual a la suma de las cadas de voltaje en
cada una de las resistencias.
Ahora: 0
3 2 1
V V V V = (L K V) =La suma algebraica de las subidas
y cadas de voltaje en una malla es igual a cero.
Numricamente tenemos:
K R K K K R
eq eq
30 20 6 4 , mA I
K
V
R
V
I 1
30
30

) .( .. , 0 20 6 4 30 . : .. .
20 6 4 30 . : .. .
20 20 1
6 6 1
4 4 1
3 3 3
2 2 2
1 1 1
LKV cumple Se V V V V que observa Se
V V V V que observa Se
V V K mA R I V
V V K mA R I V
V V K mA R I V
R R
R R
R R

(4). RESISTENCIA EQUIVALENTE DE UN CIRCUITO SERIE

Tomando como referencia la figura 1-17 podemos escribir:

Figura 1-17: circuito para hallar resistencia equivalente.

eq
R
I
V
a Llamamos Si R R R
I
V
Ahora
R R R I V R I R I R I V tenemos emplazando
R I V R I V R I V Pero
V V V V
: , .. ... :
) ( , : , Re
, , 1 :
3 2 1
3 2 1 3 2 1
3 3 2 2 1
3 2 1

Entonces obtenemos la expresin para la resistencia equivalente as:
3 2 1
R R R R
eq
, lo cual quiere decir que las resistencias en serie se
suman, y tambin se observa que las fuentes de tensin en serie se
suman algebraicamente.

(5). CONDUCTANCIA EQUIVALENTE DE UN CIRCUITO SERIE:

Tomando como referencia el circuito de la figura 1-18 podemos
escribir:

Figura 1-18 circuito serie con tres conductancias.

,
3 2 1
V V V V

Teniendo en cuenta la ley de Ohm:
, 3 2 1
IR IR IR V En trminos de conductancias:
,
3 2 1
G
I
G
I
G
I
V Factorizando:
3 2 1
1 1 1
G G G
I V
Ahora: ,
1 1 1
3 2 1
G G G I
V
aplicando el inverso a ambos miembros de la
expresin:
3 2 1 3 2 1
1 1 1
1
1 1 1
1
G G G
G
G G G
V
I
EQ

(6). DIVISOR DE VOLTAJE CON CONDUCTANCIAS:

Teniendo en cuenta el circuito de la figura 1-19:

Figura 1-19 divisor de voltaje con conductancias.

De la figura 1-19 podemos escribir:

2 1
2
1
1 2 1
2 1
1
2 1
2 1
2 1
2 1
,
G G
V G
V
G
V
G G
G G
V V
G G
G G
I
G G
G G
G
T

(7). EJERCICIOS SOBRE CIRCUITO SERIE

Ejercicio No. 1

En el circuito se pide hallar:

Figura 1-20 ejercicio sobre circuito serie.

Desarrollo:

Primero se suman algebraicamente las fuentes de tensin y se
encuentra el valor de la resistencia equivalente el nuevo circuito
nos queda de la siguiente forma:

FIGURA 1-21 ejercicio sobre circuito serie.

Por lo tanto la direccin de la corriente es la indicada en la figura de
(-) a (+) y su valor es:
Esta corriente de circula por el circuito original y polariza las
resistencias de la siguiente forma (+) (-), y hace que aparezca en
cada resistencia una cada de voltaje


El voltaje es la es la suma algebraica de los voltajes de
Asi:
El voltaje es la suma algebraica de los voltajes de
As: por lo tanto el voltaje

Ejercicio No 2: en el siguiente circuito el voltaje entre es ,
se pide hallar el valor de la resistencia desconocida.


Desarrollo:

Si entre (a, b) cae 1 voltio, en las otras resistencias deben caer 19
por Tomando la ley de para estas resistencias

Para encontrar el valor de aplicamos ley de asi:

Ejercicio No 3: en el siguiente circuito se pide hallar el valor de la
resistencia desconocida.

Figura 1-24 ejercicio sobre circuito serie. Figura 1-25

Desarrollo:
Sobre la resistencia de caen entonces el valor de la corriente
del circuito es aplicando ley de sobre la
resistencia desconocida tenemos:

Ejercicio No 4: en el siguiente circuito se pide hallar el voltaje
entre aplicando el divisor de tensin


Desarrollo:

Ejercicio No 5: En el siguiente circuito se pide hallar los voltajes
desconocidos

Y el valor de la resistencia desconocida


Desarrollo:

Del circuito tenemos que en caen 5 voltios con la polaridad
indicada por lo tanto el valor de es:
El voltaje
El voltaje

Ejercicio No 6: en el siguiente circuito se pide hallar la potencia en
cada resistencia y la potencia total.

Desarrollo:
Primero reduzco las fuentes de voltaje y las resistencias a una sola
equivalente y con estos valores hallo el valor de la corriente del
circuito as:

Ahora:
La potencia en cada resistencia es igual a:

Potencia total=

La potencia total tambin la podemos obtener a partir de
la formula

Ejercicio No 7: se tiene una calculadora que trabaja con 3 voltios,
y consume una potencia de 0,00043 w, que valor de resistencia
se necesita colocarle para que la misma calculadora pueda
trabajar con una fuente de 12 voltios sin que sufra dao la
calculadora.
Desarrollo: Grficamente el problema lo podemos plantear de la
siguiente manera:


Es importante conocer el valor de la corriente que circula por la
calculadora (para que no se dae). Este valor lo podemos calcular de
la potencia que consume la calculadora.

Ahora sobre caen , entonces el valor de es:

Ejercicio No 8: en el siguiente circuito se pide hallar la potencia
sobre la resistencia desconocida y la resistencia equivalente.

Desarrollo: Aplicando el divisor del voltaje sobre la resistencia
desconocida, tenemos:

La potencia sobre esta resistencia es:

La resistencia equivalente del circuito es:

Ejercicio No 9: en el siguiente circuito se pide hallar la resistencia
equivalente el voltaje sobre cada resistencia, la potencia sobre
cada resistencia.


Desarrollo:
El circuito equivalente con resistencia es:


El valor de la resistencia es:
La corriente del circuito es:
El voltaje sobre cada resistencia es:

La potencia sobre cada resistencia es

Ejercicio No 10: describa con sus propias palabras las principales
caractersticas de un circuito serie
Caractersticas principales de un circuito serie:
La corriente que circula por el circuito es la misma para todos los
elementos.
El voltaje se divide en cada una de las resistencias de acuerdo al
valor de las resistencias.
Se puede aplicar el divisor voltaje en las respectivas resistencias.
Se pueden sumar las resistencias para encontrar una resistencia
equivalente.
Se puede aplicar

b. CIRCUITO PARALELO

En un circuito paralelo los elementos (Resistencias) se encuentran
Conectadas en ramas, lo cual hace que por cada elemento o
resistencia circule una determinada corriente, y el voltaje aplicado
sea el mismo para todos los elementos(Resistencias).
Un circuito paralelo lo podemos representar por medio de la siguiente
figura:

Figura 1-33 representacin de un circuito paralelo.

En la figura se observa que la fuente de voltaje V , se encarga de
alimentar a las resistencias, y hace que por ellas circule una
corriente, igualmente se nota que este fuente de voltaje( ) V ,esta
conectada de la misma forma a todas las resistencias, por lo tanto el
voltaje en todas las resistencias es el mismo ,y la corriente total se
divide en cada una de las resistencias.

EJERCICIO DE APLICACIN:

Figura 1-34 ejercicio de aplicacin circuito paralelo.

Supongamos que en el circuito anterior nos piden hallar los valores
de las corrientes
. 3 2 1
, , I I I Igualmente hallar la potencia disipada por las
resistencia y el voltaje en cada resistencia
Desarrollo: Aplicando ley de Ohm tenemos:
mA I
K
V
R
V
I
mA I
K
V
R
V
I
mA I
K
V
R
V
I
20
6 , 1
32
16
2
32
4
8
32
3
3
3
2
2
2
1
1
1

La potencia en cada resistencia la puedo hallar as:

mW P K mA mA P R I P
R R R
R R R
R R R
640 6 , 1 20 20
512 2 16 16
128 8 4 4
3 3 3
2
3 3
2 2 2
2
2 2
1 1 1
2
1 1

Ahora podemos nuevamente encontrar el valor del voltaje en cada
resistencia, aplicando Ley de Ohm:
V V K mA V R I V
V V K mA V R I V
V V K mA V R I V
R R R
R R R
R R R
32 6 , 1 20
32 2 16
32 8 4
3 3 3 3 3
2 2 2 2 2
1 1 1 1 1

Estos resultados comprueban que el voltaje en cada una de las
resistencias es el mismo.(para circuito en paralelo).

(1). LEY DE CORRIENTES DE KIRCHOFF (LKI)
La Ley de corrientes de Kirchooff, es una consecuencia del principio
de la conservacin de la energa.
Esta Ley dice: La suma algebraica de las corrientes que entran y
salen de un nodo es igual a cero. 0 I (Se entiende por nodo un
punto de conexin de dos o ms elementos).
En palabras sencillas esta ley quiere decir que la corriente que entra
a un nodo es igual a la corriente que sale.(la corriente no se pierde).
Por ejemplo: si una fuente produce A 10 ,estos A 10 se reparten en
todos y cada uno de los diferentes elementos (resistencias del
circuito)
La figura 1-35 aclara estas ideas:

Figura 1-35: circuito explicativo (LKI).
En la figura se observa que:
0
3 2 1
3 2 1
I I I I
I I I I
T
T

Lo cual quiere decir que: 0 I .

(2).RESISTENCIA EQUIVALENTE DE UN CIRCUITO EN
PARALELO:

Figura1-36: circuito para hallar la resistencia equivalente.

Tomando como referencia el circuito de la figura 1-36 podemos decir
lo siguiente:
: . .. Re , , , :
3
3
2
2
1
1
3 2 1
T
T
I en emplazando
R
V
I
R
V
I
R
V
I Pero
I I I I

3 2 1
R
V
R
V
R
V
I
T
,factorizando tenemos: )
1 1 1
(
3 2 1
R R R
V I
T

Ahora:
3 2 1
1 1 1
R R R V
I
T
,aplicando el inverso a ambos miembros de la
expresin anterior obtenemos:
3 2 1
1 1 1
1
R R R
I
V
T
,si llamamos a
3 2 1
1 1 1
1
R R R
R R
I
V
eq eq
T

Hay un caso particular cuando son dos resistencias solamente,
entonces para este caso la resistencia equivalente viene dada por:
Resistencia equivalente =
2 1
2 1
R R
R R
R
eq
, y una forma fcil de
memorizar esta frmula para dos resistencias en paralelo es la
siguiente:
sistencias dos las de Suma
sistencias dos las de oducto
R R
R R
R
eq
Re . . .. .
Re . .. .. . Pr
2 1
2 1

Para denotar que dos resistencias
1
R , y
2
R estn en paralelo, se
utiliza la notacin
. 2 1
// R R

(3). CONDUCTANCIA EQUIVALENTE DE UN CIRCUITO
PARALELO:

FIGURA 1-37 circuito para hallar la conductancia equivalente.

Tomando como referencia el circuito de la figura 1-37 podemos
escribir:
, 3 2 1
I I I I
T
En trminos de conductancias podemos escribir:
), ( ,
3 2 1 3 2 1
G G G V I V G V G V G I
T T
ahora:
3 2 1
G G G
V
I
T
3 2 1
G G G G
T

(4). DIVISOR DE CORRIENTE:
Es una herramienta muy til y prctica, que permite hallar
rpidamente el valor de una corriente en un circuito paralelo. Para su
deduccin y comprensin nos valemos de la figura 1-38:

Figura 1-38: circuito para el divisor de voltaje.

Supongamos que en la figura anterior no se conoce el valor del
voltaje, y se desea encontrar los valores de las corrientes ,
1
I e
. 2
I
DESARROLLO:
En la figura se observa que:
2 1
2 1
R R
R R
R
eq
,
eq T
R I V ,
2 1
2 1
R R
R R I
V
T

Ahora:
1
1
R
V
I ,reemplazando el valor anteriormente obtenido de
V ,tenemos:
2 1
2
1
2 1 1
2 1
1
1
2 1
2 1
1
) ( R R
R I
I
R R R
R R I
I
R
R R
R R I
I
T T
T

De manera similar obtenemos el valor de la corriente
2
I :
2 1
1
2
R R
R I
I
T

Normalmente el divisor de corriente se utiliza para dos resistencias en
paralelo, pero se puede aplicar para ms resistencias en
paralelo.Mentalmente podemos aprender estas frmulas de la
siguiente manera:(para dos resistencias en paralelo).
sistencias las de suma La
eresa me no que sistencia La Total Corriente
sistencia una por circula que Corriente
Re .. .. .. ..
int .. .. . . Re . .. ..
Re .. .. .. . ..
EJERCICIO DE APLICACIN: En la figura 1-39 se pide hallar el valor
de las corrientes
1
I ,e
2
I .
FIGURA 1-39 EJERCICIO DE APLICACIN DIVISOR DE CORRIENTE:

Figura 1-39 ejercicio de aplicacin divisor de corriente.

DESARROLLO:De la figura tenemos:

mA I
K K
K mA
I
R R
R I
I
mA I
K K
K mA
I
R R
R I
I
T
T
4
8 2
2 20
16
8 2
8 20
2 2
2 1
1
2
1 1
2 1
2
1

En el ejercicio anterior se observa, que no hubo necesidad de
encontrar el voltaje, para hallar los valores de corriente
desconocidos, y se evidencia tambin, que se cumple (LKI).

(5).DIVISOR DE CORRIENTE CON CONDUCTANCIAS:

La figura 1-40 nos muestra un circuito paralelo con dos conductancias
:
1
G ,y
2
G

Figura 1-40 circuito paralelo con conductancias.

Sabemos que:
, IR V , IG V
2 1
2 1
2 1
2 1
2 1
) (
,
G G
I G G
V
G G
G G
I
V G G G
T

Ahora:
2 1
1 2 1
1 1 1
) (
G G
I G G G
I V G I ,como
2 1
G G
I
V
G
I
V
T

Podemos escribir :
2 1
2
2 2 2
2 1
1
1 1 1
G G
IG
I V G I
G G
IG
I V G I

(6). EJERCICIOS SOBRE CIRCUITO PARALELO

resistencia equivalente.

Figura 1-41 ejercicio circuito paralelo.

Desarrollo:

Ejercicio No 2: en el siguiente circuito: se pide hallar: La potencia
sobre la resistencia desconocida, la resistencia equivalente, la
corriente total del circuito.


Desarrollo: Como en caen sobre la resistencia de caen ,
y por lo tanto el valor de la corriente de esa rama es ,
con este valor puedo encontrar el valor de la resistencia desconocida
.La potencia sobre , la
resistencia equivalente del circuito es:

La corriente total de circuito es:

Ejercicio No 3: la resistencia equivalente de 4 resistencias en paralelo
es de los valores de las resistencias son:
. Se pide hallar el valor de la resistencia
desconocida .

Desarrollo: Partiendo de la formula:
despejo el valor de asi:

Ejercicio No 4: en el siguiente circuito se pide hallar los valores de
las corrientes


Desarrollo:
Aplicando el divisor de corriente tenemos:

Ejercicio No 5: en el siguiente circuito se pide hallar los valores de
las corrientes


Desarrollo: Aplicando el divisor de corriente tenemos:

Ejercicio No 6:en el siguiente circuito la resistencia equivalente
es de , se pide hallar el valor de la corriente que circula
por igualmente la potencia en


Desarrollo: Para hallar el valor de

Ejercicio No 7:describa las principales caractersticas de un circuito
paralelo.
Desarrollo: Las principales caractersticas de un circuito paralelo so n:
El voltaje es el mismo para todas las resistencias del circuito.
La corriente se divide (se reparte), para cada una de las resistencias,
dependiendo del valor de las mismas.
Puedo aplicar el divisor de corriente.

Ejercicio No 8: En el siguiente circuito el valor de la corriente total es
, se pide hallar el valor de:

Figura1-46 ejercicio circuito paralelo.

Desarrollo:

Ejercicio No 9: a partir de los dos siguientes circuitos:

Se pide hallar los valores de

DESARROLLO: Este ejercicio tiene muchas posibles soluciones:
optamos por la siguiente:

La corriente total por el circuito serie es:

Ahora tomo el circuito paralelo y establezco una relacin donde se
cumpla que:

De igual manera:

Ejercicio No 10: compruebe en el siguiente circuito que: .

Figura 1-48: ejercicio circuito paralelo.
DESARROLLO:
ojo
Ahora:

c. CIRCUITO MIXTO:

Por circuito mixto se entiende aquel que tiene combinaciones de
resistencias en serie, y resistencias en paralelo, y puede contener una
o ms fuentes.
Son innumerables las posibles configuraciones de circuitos mixtos,
para su comprensin vamos a tomar como ejemplo el circuito de la
figura 1-49:

Figura 1-49: circuito mixto
Supongamos que en el circuito de la figura 1-49 se pida hallar:
La corriente
1
I =?
La corriente
2
I =?
El voltaje ?
ab
V
El voltaje ?
cd
V

DESARROLLO: Dado que es requisito indispensable conocer el valor
de la corriente total ,el primer paso consiste en simplificar el circuito,
para ello encontramos una resistencia equivalente, convirtiendo las
resistencias que estn en paralelo, y se la sumamos a las resistencias
que estn en serie, por lo tanto:

K R R
R R R R R R R R R R R
eq eq
eq
6 2100 900 1200 800 1600 400
) // ( ) // // ( ) // ( 1
10 9 8 7 6 5 4 3 2

Como hay varias fuentes de tensin, y estn en serie las sumo
algebraicamente y encuentro una fuente equivalente:

Con estos valores de voltaje y resistencia puedo reemplazar el
circuito inicial por el circuito de la figura 1-50:

Figura 1-50: circuito equivalente.

En este nuevo circuito hallo el valor de la corriente total aplicando Ley
de Ohm. . 10 ..
6
60
mA I
K
V
R
V
I
T
eq
T

Vale la pena resaltar que el sentido de la corriente lo proporciona la
fuente resultante de 60 voltios, y esta corriente va de menos (-) a
mas(+) , y se encarga de polarizar a todas las resistencias del
circuito as: mas (+) por donde entra, menos (-) por donde sale. Para
hallar el valor de la corriente
1
I aplico el divisor de corriente:
mA I
K K
K mA
I 7
3 7
7 10
1 1

Para hallar el valor de la corriente :
2
I Encuentro la resistencia
equivalente de: K R R R 2 , 1 // //
7 6 5
.El voltaje que cae sobre esta
resistencia equivalente es: V mA K 12 10 2 , 1 , y como estas tres
resistencias estn en paralelo, sobre ellas cae el mismo voltaje (12
voltios),por lo tanto ahora es posible hallar el valor de la corriente
2
I aplicando la Ley de Ohm mA I
K
v
R
V
I 2
6
12
2 2
OJO

Para encontrar el valor del voltaje
ab
V : Primero hallo la resistencia
equivalente entre K R R R R 6 , 1 // ,
3 2 3 2
.
Una vez conocido el valor de esta resistencia equivalente, encuentro
la cada de voltaje sobre ella, aplicando la Ley de Ohm
V V K mA V
ab ab
16 6 , 1 10 .
El voltaje
cd
V se calcula, sumando algebraicamente todas las cadas
de voltaje desde d hasta c .. ,.. ,por lo tanto V V
cd
29 ,el signo negativo
indica polaridad.
Al circuito se le puede aplicar (LKV),(LKI),para comprobar que los
resultados son correctos.
Se finaliza este ejercicio diciendo que hay diversas formas de resolver
un circuito mixto, en este desarrollo del ejercicio se ha hecho nfasis
en la lgica y se ha procurado su facilidad para una mejor
comprensin.

(1). EJERCICIOS SOBRE CIRCUITO MIXTO:

Ejercicio No 1:en el siguiente circuito se pide hallar:

Figura 1-51: circuito mixto

DESARROLLO:
El primer paso consiste en hallar la resistencia equivalente del
circuito, y reducir las fuentes de tensin a una sola. En estas
condiciones tenemos que:

Ahora:

Con estos valores podemos encontrar el valor de la corriente total
as:

Del circuito se deduce que
Por lo tanto el voltaje en
En el ramal de las tres resistencias en paralelo tenemos que:

Nota: el signo menos indica que las corrientes van en sentido
contrario al mostrado en la figura.
El voltaje

Ejercicio No 2:en el siguiente circuito se pide hallar:

Figura1-52 circuito mixto.

DESARROLLO:

.

corriente .

Figura 1-53 circuito mixto.

PRIMER PASO: Hallo el valor de la resistencia equivalente

Ahora dibujo el nuevo circuito

Figura1-54: circuito mixto.

El valor de la corriente total es:


Conocido el valor de la corriente puedo encontrar los voltajes en
las resistencias de:

Por lo tanto:

Ejercicio No 4:en el siguiente circuito se pide hallar el valor de


Desarrollo: Simplificando el circuito tenemos:


Ejercicio No 5: en el siguiente circuito se pide hallar el valor de
, el valor de
Sabiendo que : .


DESARROLLO:
11k+3k+600(

Ejercicio No 6:encontrar la resistencia equivalente entre (a ,b)

FIG 1-59


DESARROLLO: Para encontrar la resistencia equivalente entre a
y b, lo hacemos desde el extremo opuesto y vamos
desarrollando el circuito paso como se muestra en la figura 1-
59,hasta llegar a la resistencia equivalente de .

Entonces

Ejercicio No 7: en el siguiente circuito se pide encontrar el
voltaje sobre la resistencia de 3k.


Desarrollo: El circuito presenta dos incgnitas que son:
Por lo tanto se hacen necesarias dos ecuaciones con dos
incgnitas, para poder encontrar la respuesta del requerimiento
solicitado.
Aplicando LKV a la malla de entrada tenemos:

Aplicando el divisor de corriente tenemos:

Reemplazando esta ecuacin en la malla de entrada tenemos:

Resolviendo se obtiene que:
Ahora:

Ejercicio No 8: en el siguiente circuito se pide encontrar el valor
del voltaje aplicado


En el circuito tenemos que la corriente que circula por la
resistencia de 1k
es :
La cada de voltaje en el paralelo de 2k es:
La cada de voltaje en el paralelo de

El voltaje en la resistencia de 800 es 6,4V .
La suma de todos estos voltajes es:
La resistencia equivalente de estas resistencias es 4k , y
podemos encontrar un circuito equivalente as:

FIG 1-62


Del circuito se deduce que
Por lo tanto

Ejercicio No 9: la resistencia equivalente entre los terminales
(a, b) es 500 , se pide hallar el valor de la resistencia
desconocida .


Desarrollo: La resistencia equivalente entre (a, b) o sea la
de es igual a

+20
+20

480= .

Ejercicio No 10: en el siguiente circuito se pide hallar el valor
de la corriente total, .


DESARROLLO: la resistencia equivalente del ramal de la malla
izquierda es:
.

La resistencia equivalente del ramal de la malla derecha es:

La resistencia equivalente total es:

La corriente total es:
La corriente del ramal de la malla izquierda es:

El valor de la corriente
La corriente del ramal de la malla derecha es:
La corriente

d. RED EN ESCALERA:
Esta es una configuracin muy utilizada, en circuitos, y est incluida
dentro de los circuitos mixtos:
Una forma muy comn de representar esta red aparece en la figura
1-65

Figura 1-65 red en escalera.

Supongamos que en la figura anterior nos piden encontrar los valores
de:
5 , 2 , 3 2 , 1
,
R R
V V I I I
Desarrollo: Es requisito indispensable conocer el valor de la corriente
total, por lo tanto primero se hace necesario encontrar el valor de la
resistencia equivalente, esta la hallo mirando desde la ltima
resistencia hacia la fuente as:
. 4
20
80
20 10 10
) ( ] // ) [( ] // ) [(
3 1 2 6 4 5 9 8 7
mA I
K
V
R
V
I
K R K K R
R R R R R R R R R R
T T
eq eq
eq

Esta corriente total, hace que aparezca una cada de voltaje en
1
R ,y
en
3
R de:
. 8 2 4
32 8 4
3 3
1 1
V V K mA V
V V K mA V
R R
R R

Para hallar el voltaje
2 R
V ,aplico (LKV) a la respectiva malla as:
V V V V V V V V V V
R R R
40 8 32 80 , 8 32 80
2 2 2
.
Por consiguiente el valor de la corriente
1
I es :
mA I
K
V
R
V
I
R
2
20
40
1
2
2
1

Aplicando(LKI) al nodo
tenemos: . 2 2 4
2 2 1 2 2 1
mA I mA mA I I I I I I I
T T

Esta corriente
2
I de mA 2 hace que aparezca una cada de tensin en
las resistencias
4
R y
6
R :
V V V K mA R I V
V V V K mA R I V
R R
R R
10 10 5 2
20 20 10 2
6 6 2 6
4 4 2 4

Para encontrar el voltaje de la resistencia
5
R , aplico (LKV) a la
respectiva malla:
V V V V V V V V V V V V V V
R R R R R R R
10 10 20 40 10 20 40
5 5 5 6 5 4 2

El valor de
3
I es igual a: . 1
10
10
3
5
5
mA I
K
V
R
V
R

Aplicando (LKI) al nodo
tenemos: mA I mA mA I I I I I I I 1 1 2
4 4 3 2 4 4 3 2

Esta corriente
4
I de mA 1 , hace que aparezca una cada de tensin en
las resistencias
9 8 , 7
, R R R as :
. 1 1 1
3 3 1
6 6 1
9 9
8 8
7 7
V V K mA V
V V K mA V
V V K mA V
R R
R R
R R

Si aplicamos (LKV) a cada malla, se puede comprobar que el ejercicio
se ha desarrollado correctamente.

(1). EJERCICIOS SOBRE RED EN ESCALERA:

En el siguiente circuito se pide hallar:
:

Figura 1-66 red en escalera
DESARROLLO. El primer paso consiste en hallar la resistencia
equivalente, esto para poder encontrar el valor de la corriente total.

Figura 1-67 red en escalera.

La corriente total de circula por las resistencias de y ,
produciendo sobre ellas una cada de tensin de :

Por lo tanto en la resistencia de caen .
En estas condiciones el valor de la corriente

Ahora: como la corriente total es , y como por la resistencia de
circulan por la resistencia de circulan los
restantes, y estos circulan de igual manera por la resistencia de
, por estar en serie con la resistencia de .
En estas condiciones el voltaje que cae sobre las resistencias de
es:

Teniendo en cuenta esta situacin, entonces en la resistencia de
caen de acuerdo a .
El valor d la corriente

Respuestas:

e. ANLISIS DE MALLAS
Hay circuitos que no se pueden resolver con la informacin
proporcionada anteriormente, porque no corresponden ni al circuito
serie, ni al circuito paralelo, ni al circuito mixto.
En la figura B1aparece representado un circuito con dos mallas, dos
fuentes de tensin y 5 resistencias.

Figura 1-68 circuito con dos mallas.

A las corrientes
1
I e
2
I se les llama corrientes de malla, y son las
incgnitas bsicas que permiten resolver cualquier requerimiento
acerca del circuito, por lo tanto el anlisis de mallas tiene como
objetivo fundamental encontrar los valores correspondientes de las
corrientes de malla
1
I e
2
I .
Para hallar los valores de estas corrientes aplicamos (LKV) a ambas
mallas y podemos escribir las siguientes expresiones:

Para la malla 1:
2 2 1 3 2 1 1
3 1 2 2 2 1 1 1 1
3 1 2 2 1 1 1 1
) (
) (
I R I R R R V
R I R I R I R I V
R I R I I R I V

Para la malla 2:
) (
) (
5 4 2 1 2 2
5 2 2 2 2 1 4 2 2
5 2 2 2 1 4 2 2
R R R I R V
R I R I R I R I V
R I R I I R I V

Escribiendo nuevamente las ecuaciones anteriores tenemos:

2 5 4 2 1 2 2
2 2 1 3 2 1 1
) ( ......... ..........
) (
I R R R I R V
I R I R R R V

Estas expresiones corresponden a dos ecuaciones de primer grado on
dos incgnitas, cuya solucin la brinda el clculo, resolviendo por el
mtodo de determinantes tenemos:
) (
) (
) (
5 4 2 2
2 3 2 1
5 4 2 2
2 1
1 1
R R R R
R R R R
R R R V
R V
I I

) (
) (
) (
5 4 2 2
2 3 2 1
2 2
1 3 2 1
2 2
R R R R
R R R R
V R
V R R R
I I

Este mtodo se puede hacer ms sencillo ,para ello tomemos el
circuito tomado en la figura 1-69.

Figura1-69 circuito de dos mallas mtodo simplificado.

Supongamos que en el anterior circuito nos piden hallar los valores
de las corrientes de mallas.
DESARROLLO:
Primer paso: Asigno las corrientes de malla:
1
I e
2
I ,con cualquier
sentido, para las respectivas mallas.

Segundo paso: Escribo (LKV) para cada malla as:
Malla 1:
2 1
2 6 34 I I V

Explicacin: Se suman algebraicamente todas las fuentes de la malla
(1) y este valor se iguala a: La suma de todas las resistencias
PROPIAS de la malla (1) MULTIPLICADAS POR LA CORRIENTE
1
I , +/-
La resistencia compartida con la otra malla MULTIPLICADA POR LA
CORRIENTE
2
I .
Cabe destacar que el signo +/- , depende de las corrientes
1
I e
2
I
Si se refuerzan,(entonces se suman) y si tienen sentidos
contrarios,(entonces se restan).
Efectuamos anlisis similar para la malla 2.
Malla 2:
2 1
9 2 28 I I V
Escribindolas nuevamente:
2 1
2 1
9 2 28
2 6 34
I I V
I I V

Resolviendo para :
1
I A I I I 5
9 2
2 6
9 28
2 34
1 1 1

Resolviendo para :
2
I A I I I 2
9 2
2 6
28 2
34 6
2 2 2

(1). EJERCICIOS SOBRE MALLAS:
En el siguiente circuito se pide hallar el voltaje

Figura 1-70 ejercicio sobre mallas.

Desarrollo:

= +

El voltaje es igual a:

.

f. ANLISIS DE NODOS:

Cuando en una red las incgnitas son los voltajes, el anlisis de
nodos se constituye en herramienta fundamental para encontrar el
valor de los voltajes desconocidos.
Se entiende por nodo un punto de conexin de dos o ms elementos.
Para comprender este mtodo de anlisis nos valemos de la figura 1-
71

Figura 1-71 circuito para el anlisis de nodos.

En la figura 1-71 ,podemos notar que en ella tenemos tres nodos que
son:
, 2 1
, v v y el nodo de referencia (tierra).

Aplicamos (LKI) a los nodos
2 1
, v v .
Para el nodo
1
v tenemos:
2
2 1
1
1
2 1
R
v v
R
v
I i i I
Escribiendo nuevamente esta expresin en trminos de la
conductancia tenemos:
I v G v G G
I v G v G v G
I v v G v G
2 2 1 2 1
2 2 1 2 1 1
2 1 2 1 1
) (
) (

Para el nodo
2
v tenemos:
3
2
2
2 1 /
3 2
/ /
3 2
R
v
R
v v
I i i I I i i
Escribiendo nuevamente esta expresin en trminos de la
conductancia tenemos:
/
2 3 2 1 2
/
2 3 2 2 1 2
/
2 3 2 1 2
) (
) (
I v G G v G
I v G v G v G
I v G v v G

Ordenando estas dos ecuaciones tenemos:
/
2 3 2 1 2
2 2 1 2 1
) (
) (
I v G G v G
I v G v G G

Resolviendo por determinantes tenemos:
) (
) (
) (
) (
) (
) (
3 2 2
2 2 1
/
2
2 1
2 2
3 2 2
2 2 1
3 2
/
2
1 1
G G G
G G G
I G
I G G
v v
G G G
G G G
G G I
G I
v v

Ejercicio de aplicacin: En la figura 1-72 se pide hallar los valores de
los voltajes
3 2 1
, , v v v .

Figura 1-72 ejercicio de aplicacin.
Desarrollo: Escribiendo las ecuaciones para los nodos
( ) , ,
3 2 1
v v v tenemos:
3 2 3 3 3 2
3 2 1 3 2 2
2 1 2 1 1
7 2 17 4 17 ) ( 2
2 6 5 ) ( 2 3 5
4 2 ) ( 3 2
v v v v v v
v v v v v v I
v v v v v

Resolviendo para
1
v tenemos:
Los valores de
3 2
, v v los obtengo de las ecuaciones:
V v v v
V v v v
3 7 2 17
2 4 2
3 3 2
2 2 1

g. TEOREMA DE THEVENIN Y NORTON
Los teoremas de Thvenin y Norton son una herramienta muy til en
circuitos lineales con fuentes DC, y permiten reemplazar un circuito
complejo, por uno ms sencillo que consiste en una fuente de voltaje
con resistencia en serie, o una fuente de corriente con resistencia en
paralelo a los cuales se les puede conectar una o varias cargas, sin
que el nuevo circuito sufra alteraciones de voltaje o corriente.
Para su comprensin nos vamos a valer del siguiente circuito:
FIGURA 1-73: CIRCUITO PARA EXPLICAR EL TEOREMA DE THEVENIN.

Figura 1-73 circuitos explicativos Teorema de Thevenin.

En la figura 1-73(a) tenemos que el voltaje entre los terminales (a,b)
es:
mA I
K
V
I V V
K
K V
V
R R ab ab
1
4
4
, 4
10
4 10
2 2

Ahora coloquemos una carga K R
L
4 entre los terminales (a,b) y
hallemos el nuevo voltaje y la corriente en la carga, como se muestra
en la figura 1-73 (b).

Figura 1-73 (b) circuito con carga . 4K R
L

Del circuito de la figura 1-73(b) tenemos: K
R R
R R
R
L
L
EQ
2
2
2

mA I
K
V
I
V V V
K
K V
V
RL RL
ab RL RL
625
4
5 , 2
5 , 2
8
2 10

Nuevamente colocamos otra carga K R
L
6 entre los terminales (a,
b) y encontramos los nuevos valores de voltaje y corriente en la
carga.
Figura 1-73 (c ) circuito con carga K R
L
6

En la figura 1-73(c ) tenemos:
mA I
K
V
I
V V
K
K V
V
K R
R R
R R
R
RL RL
RL RL
EQ
L
L
EQ
476
6
85 , 2
85 , 2
4 , 8
4 , 2 10
6 , 2
2
2

Podramos continuar cambiando de cargas, y el proceso se volvera
bastante engorroso, para evitar eso se utiliza el teorema de Thevenin
el cual dice: UNA RED CON ELEMENTOS LINEALES Y FUENTES DC
ENTRE DOS TERMINALES (a, b) se puede reemplazar por una fuente
de tensin y una resistencia en serie entre esos dos mismos
terminales, sin que el circuito sufra variaciones de voltaje o corriente.
Al voltaje se le llama voltaje Thevenin
TH
V , y es igual al voltaje de
circuito abierto entre los terminales (a, b), a la resistencia se le llama
resistencia Thevenin
TH
R ,y es igual a la resistencia vista entre los
terminales (a, b) con las fuentes de DC llevadas a cero, retirando la
carga. Grficamente lo podemos ilustrar as:

Figura 1-74 ilustracin del teorema de Thevenin.
Si aplicamos el teorema de Thevenin al circuito de la figura 1-73 (a)
(b) (c ) tenemos:
V V
K
K V
V
TH TH
4
10
4 10
= voltaje de circuito abierto entre los
terminales (a, b ).
K
R R
R R
R
TH
4 , 2
2 1
2 1
=Resistencia entre (a, b ) con la fuente DC en
corto.
El equivalente Thevenin nos queda:

FIGURA 1-75 Equivalente thevenin para el circuito de la fig 1-
73 (a) (b) (c).
Ahora vamos a colocar las cargas de 4 K y 6K , y verificamos si el
nuevo circuito se comporta igual que el circuito inicial.

Figura 1-76 equivalente Thevenin con carga K R
L
4

mA
K
V
I
V V
K
K V
V
RL
RL K R
625
4
5 , 2
, 5 , 2
4 , 6
4 4
4

Se observa que el circuito de Thevenin , cumple con los mismos
requerimientos de voltaje y corriente que el circuito inicial de la figura
1-73 (b).
Nuevamente colocamos la otra carga
L
R de K 6 y verificamos si el
circuito equivalente se comporta de igual forma, que el circuito inicial.

Figura 1-77 equivalente Thevenin con carga K R
L
6

. 476
6
85 , 2
85 , 2
4 , 8
6 4
6 6
mA I
K
V
I
V V V
K
K V
V
RL RL
RL K R K R

Se observa que el circuito equivalente de Thevenin, cumple con los
mismos requerimientos de voltaje y corriente que el circuito inicial
de la figura 1-73 (c).

(1). TEOREMA DE NORTON:
El teorema de Norton establece que: Dada una red con elementos
lineales y fuentes DC, entre dos terminales (a,b),se puede
reemplazar por una fuente de corriente y una resistencia en paralelo,
a la fuente de corriente se le llama Corriente Norton
N
I , y se halla
con los terminales (a,b) en cortocircuito, a la resistencia se llama
resistencia Norton,y se halla abriendo las fuentes de corriente ,y
encontrando la resistencia equivalente entre los terminales (a,b),
retirando la carga.
Grficamente se ilustra de la siguiente manera:

Figura 1-78 ilustracin del teorema de Norton.
Existe una relacin entre el equivalente Thevenin , y el equivalente
Norton (DUALIDAD) la cual podemos comprobar por medio de los
siguientes circuitos:

Figura 1-79 principio de dualidad (teorema de Thevenin-
Norton).

Del circuito Thevenin ,y del circuito Norton podemos escribir:

TH TH
TH TH
iR V v
v iR V

N N N
N N N
N
N
N
N
N
iR R I v
iR v R I
R
iR v
I
i
R
v
I

Como el voltaje v entre los terminales (a,b) es el mismo para los dos
circuitos
N N N
TH TH
iR R I v
iR V v

Entonces igualando estas dos expresiones tenemos:
N N N TH TH
iR R I iR V

Esta expresin es cierta si:
N TH
N N TH
R R
R I V

De lo anterior podemos deducir que el circuito de Thevenin, es el dual
del circuito Norton, y viceversa, esto quiere decir que puedo partir del
circuito Thevenin y llegar al circuito de Norton, o partir del circuito de
Norton, y llegar al circuito de Thevenin.
Observando la configuracin de ambos circuitos tambin se puede
concluir que:
FUENTE DE VOLTAJE CON RESISTENCIA EN SERIE, ES
EQUIVALENTE A FUENTE DE CORRIENTE CON RESISTENCIA EN
PARALELO Y VICEVERSA.
Para comprender mejor este principio de dualidad, vamos a valernos
del siguiente ejemplo:
Para el circuito de la figura 1-80 se pide hallar el equivalente Norton

Figura 1-80 ejercicio de aplicacin:
mA
K
V
R
V
I
TH
TH
N
4
5
20

Por lo tanto el circuito equivalente Norton es:

FIGURA 1-81 equivalente Norton

h. TEOREMA DE MAXIMA TRANSFERENCIA DE POTENCIA:
Es muy frecuente encontrar circuitos que estn conectados a una
carga (por ejemplo un parlante), y es muy usual que este parlante
necesite consumir la mxima cantidad de potencia, la cual se ve
reflejada en el volumen.
Para esta y otras aplicaciones es donde adquiere gran importancia el
teorema de la mxima transferencia de potencia el cual procedemos
a explicar a continuacin:
En la figura 1-82 tenemos un circuito, al cual le vamos a colocar una
carga
L
R entre los terminales (a, b).

Figura 1-82 circuito explicativo teorema de mxima
transferencia
El valor de la corriente del circuito es:
L
R R
V
I

La potencia en la carga es:
L
R I P
2

2 2
2
2
2
L L
L
L
L
R RR R
R V
P R
R R
V
P
Si en la expresin anterior hacemos
R
V
P R R
L
4
2
entonces la
potencia en la carga alcanza el valor mximo, y el rendimiento es del
50%.

Lo cual quiere decir que para que haya la mxima transferencia de
potencia, el valor de la resistencia de carga debe ser igual al
valor de la resistencia de salida del circuito.
Comprobacin: Partiendo del siguiente circuito, vamos a encontrar
la potencia en la carga para: R R
L
, R R
L
, R R
L

Figura 1-83 comprobacin del teorema de mxima
transferencia de potencia.
a) R R
L
.
7
10
7
10
A I
V
I
Ahora: wattios P A P R I P
L
12 , 6 3
49
100
2 2

b) R R
L
.
9
10
9
10
A I
V
I
Ahora: watttios P A P R I P
L
17 , 6 5
81
100
2 2

c) .
8
10
8
10
A I
V
I R R
L

Ahora:
. 25 , 6 4
64
100
2 2
wattios P A P R I P
L

Se observa que cuando R R
L
, la potencia en la carga
L
R es mxima.

i. TEOREMA DE SUPERPOSICIN:
El teorema de superposicin tiene como fundamento la naturaleza
lineal de los circuitos.
Podemos enunciar el teorema de superposicin de la siguiente
manera:
En un circuito lineal con varias fuentes DC de voltaje o corriente, la
respuesta total sobre alguna parte del circuito es igual a la suma
algebraica de las respuestas parciales para esa parte del circuito
teniendo en cuenta una sola fuente a la vez, y anulando todas las
dems.
Esto lo podemos ilustrar por medio del siguiente ejemplo:
En el circuito de la figura 1-84 se pide hallar el voltaje
ab
V
, utilizando
el teorema de superposicin.

Figura 1-84 circuito para el teorema de superposicin.
Teniendo en cuenta una sola fuente, y llevando la otra fuente a cero
(cortocircuito) obtenemos el siguiente circuito:

FIGURA 1-85 CIRCUITO EQUIVALENTE TENIENDO EN CUENTA UNA
FUENTE, Y LA OTRA A TIERRA.

Figura 1-85 circuito equivalente teniendo en cuenta una
fuente ,y la otra en tierra.

En el circuito las resistencias de 2 y 3 , estn en paralelo y su
resistencia equivalente es
5
6
.El voltaje
1 ab
V es igual
a: V V
V
ab
6
1
5
6
5
6
11
1

Teniendo en cuenta la fuente del lado izquierdo, y llevando la otra
fuente a tierra obtenemos el circuito de la figura 1-86

Figura 1-86 circuito equivalente teniendo en cuenta la fuente
del lado izquierdo y llevando la otra a tierra.
En el circuito las resistencias de 1 y 3 estn en paralelo, y su
resistencia es
4
3
.El voltaje
2 ab
V es igual a: V V
V
ab
3
2
4
3
4
3
11
2

La respuesta total es la suma algebraica de las dos respuestas
entonces: V V V V V V V V
ab ab ab ab ab
9 3 6
2 1
.
Cabe destacar que este ejercicio se ha podido desarrollar por
cualquier otro mtodo, y de igual forma se llega al mismo resultado.

j. PUENTE DE WHEATSTONE.
El puente de Wheatstone es un instrumento de medida que se utiliza
para medir resistencias desconocidas, mediante el principio del
equilibrio de los brazos del puente.
Los brazos del puente estn constituidos por cuatro resistencias,
siendo una de ellas la resistencia desconocida que se va a medir.
El diagrama correspondiente se puede apreciar en la siguiente figura:

Figura1-87 puente de Wheastone

En la figura: son resistencias de valores conocidos ,y es
ajustable.
Si la relacin entre las dos resistencias del brazo conocido: es igual
a la relacin del brazo desconocido el voltaje entre los puntos
medios ser cero, y no circulara corriente por el galvanmetro sensor
entre estos dos puntos.
Cuando esta condicin ocurre entonces se dice que el puente est
equilibrado, la resistencia ajustable se usa para lograr este
propsito.

Cuando el puente est equilibrado se puede afirmar que:

Pero:

Igualando los valores de se tiene que:

= frmula que permite hallar el valor
de la resistencia desconocida

Ejemplo: El puente de Wheastone de la figura 1-88 se encuentra
equilibrado y tiene los siguientes
valores: K R K R K R V V
G
2 , 4 , 6 , 20
2 4 1
, se pide hallar el valor
de la resistencia desconocida
3
R .

Figura 1-88 ejemplo del puente de Wheastone.

SOLUCIN: Como el puente esta equilibrado entonces se cumple
que: K R
K
K K
R
R
R R
R R R R R 12
2
4 6
3 3
2
4 1
3 3 2 4 1

k. TRANSFORMACIN ESTRELLA TRIANGULO

Existen unas configuraciones especiales ,para las cuales no es posible
hallar la resistencia equivalente por medio de conversiones serie
paralelo.
En la figura 1-89 se muestran estas configuraciones llamadas estrella
triangulo o Y delta.

Figura 1-89 configuracin estrella triangulo.
Para poder pasar de la estrella al triangulo, las dos configuraciones
deben ser equivalentes, y la resistencia entre los terminales 1-2, 2-3,
3-1 deben ser las mismas para ambas configuraciones ,y podemos
relacionarlas por medio de la siguiente figura:

Figura 1-90 equivalencia entre la configuracin estrella y
triangulo.

Para encontrar los valores equivalentes de
1
R ,
2
R ,
3
R de la
configuracin estrella , entre los terminales 1-2,2-3,3-1en funcin de
la configuracin triangulo, procedemos de la siguiente manera:
Para los terminales 1-2 tenemos:

Figura 1-91 circuito equivalente terminales 1-2:

Del circuito podemos escribir:
31 23 12
31 23 12
2 1
31 23 12 2 1
) //(
R R R
R R R
R R
R R R R R


Figura 1-92 circuito equivalente terminales 2-3

31 12 23
31 12 23
3 2
31 12 23 3 2
) //(
R R R
R R R
R R
R R R R R


Figura 1-93 circuito equivalente terminales 3-1
12 23 31
12 23 31
3 1
12 23 31 3 1
) //(
R R R
R R R
R R
R R R R R

Ahora: Si los valores de las resistencias del triangulo
12
R ,
23
R ,
31
R son
conocidos, entonces los valores de las resistencias
1
R ,
2
R ,
3
R de la
configuracin estrella son:

31 23 12
23 31
3
31 23 12
12 23
2
31 23 12
31 12
1
R R R
R R
R
R R R
R R
R
R R R
R R
R

Si estamos interesados en pasar de la configuracin triangulo a la
configuracin estrella, y conocemos los valores de las resistencias
1
R ,
2
R ,
3
R de la estrella, entonces los valores de las resistencias
12
R ,
23
R ,
31
R de la configuracin triangulo son:

2
3 1 3 2 2 1
31
1
3 1 3 2 2 1
23
3
3 1 3 2 2 1
12
R
R R R R R R
R
R
R R R R R R
R
R
R R R R R R
R

CAPITULO 2

GENERALIDADES SOBRE EL ATOMO

16. INTRODUCCION

El conocimiento del tomo es de vital importancia para el desarrollo
de la humanidad, gracias al aporte de los fsicos y sus estudios sobre
el tomo y el electrn, pasando desde la fsica clsica, a la mecnica
cuntica y teora de la relatividad, es que ha podido emerger la
electrnica como ciencia con sus infinitas aplicaciones en todos los
campos, constituyndose hoy en da como una ciencia que tiene que
ver con la mayora de las actividades del ser humano.

17. OBJETIVOS

18. ESTRUCTURA DEL ATOMO

a. DEFINICIN: Los griegos definieron el tomo como indivisible,
podemos definir el tomo como la partcula ms pequea en
que se puede dividir un elemento y conservar sus propiedades
originales.

La estructura del tomo es muy similar al sistema solar planetario, el
tomo consta de un ncleo donde se encuentran los protones y los
Destacar las principales propiedades del tomo.
Determinar la importancia de los electrones en la electrnica.
Clasificar los diferentes tipos de materiales.

neutrones, alrededor se encuentran girando los electrones en rbitas
elpticas.

El tomo es elctricamente neutro, lo cual quiere decir que el nmero
de electrones es igual al nmero de protones, si un tomo pierde
electrones queda cargado positivamente, y si un tomo gana
electrones queda cargado negativamente.

Los electrones tienen carga negativa, los protones carga positiva y los
neutrones neutra. En lo referente a la masa los protones son mucho
ms pesados que los electrones y por esto se considera que todo el
peso del tomo se encuentra concentrado en el ncleo. Debido a que
los electrones son livianos estos giran alrededor del ncleo, por efecto
de la energa cintica que poseen y a pesar de la atraccin que ejerce
el ncleo sobre ellos, estos no caen hacia el centro. La forma ms
comn de representar un tomo es:

+

FIGURA 2-1: EL TOMO

Los protones y los neutrones se encuentran en el ncleo, los
electrones se encuentran girando alrededor del ncleo.

A los electrones de un tomo que se encuentran el la ltima rbita se
les llama electrones de valencia, estos electrones son muy
importantes en electrnica porque determinan las propiedades
elctricas del tomo. A las rbitas que se encuentran por encima
de las rbitas de valencia se les llaman niveles de excitacin, y
cuando los electrones se encuentran en estos niveles de excitacin se
hallan muy dbilmente ligados al tomo. Para nosotros estos
electrones son muy importantes porque estn libres y los podemos
utilizar aplicndoles un campo elctrico.

b. TEORIA DE LAS BANDAS DE ENERGIA: AISLADORES,
SEMICONDUCTORES, CONDUCTORES.

En un tomo un electrn puede pasar de la capa de valencia a un
primer nivel de excitacin por efecto de la temperatura como se
puede ver en la siguiente figura:

+
+
+
Electrn en primer
nivel de excitacin
Banda de valencia
Ncleo
+++

Figura 2-2 Niveles de excitacin en un tomo

En la figura anterior se puede ver que un electrn pas de la banda
de valencia a un primer nivel de excitacin, por efecto de la
temperatura. Si tenemos varios tomos tenemos la siguiente
situacin.

+++
-
+++
-
+++
-
+++
-
+++
-
Electrones en los primeros
niveles de excitacin
Banda de valencia
Ncleo

Figura 2-3 Niveles de excitacin en varios tomos

Ocurre que los electrones que se encuentran en las capas de valencia
van a pasar a los primeros niveles de excitacin por efecto de la
temperatura; es decir, se van a ubicar electrones libres en esos
primeros niveles de excitacin. Ahora ocurre que si son millones de
tomos los que se encuentran interactuando entonces se va a formar
una densa capa de electrones que se encuentran en la capa de
valencia, y una densa capa de electrones que se encuentran en los
primeros niveles de excitacin.

En vez de hablar de una capa densa de electrones vamos a hablar de
una BANDA.

Esto lo podemos representar de la siguiente manera:

Banda de conduccin
Ncleos
Banda de valencia

Figura 2-4 Formacin de las bandas de valencia y de conduccin en
un tomo

En la figura se puede observar que la banda de valencia corresponde
a los millones de electrones de los tomos que estn ubicados en las
ltimas capas. (capas de valencia).

La banda de conduccin corresponde a los millones de electrones de
los tomos que han saltado a los primeros niveles de excitacin y se
encuentran libres. Pero para que un electrn pase de la banda de
valencia, a la banda de conduccin, se necesita efectuar un trabajo o
un intervalo de energa.

Entonces de acuerdo a la cantidad de energa necesaria para que
un electrn pase de la banda de valencia a la banda de conduccin,
los materiales se clasifican en aisladores, semiconductores,
conductores as como se puede observar en la siguiente figura:

AISLADORES SEMICONDUCTORES CONDUCTORES

Intervalo de
Energa EG

Intervalo de
Energa EG

BANDA DE
CONDUCCION
BANDA DE VALENCIA
BANDA DE
CONDUCCION
BANDA DE
CONDUCCION
EL INTERVALO DE ENERGIA ES
MUY GRANDE PARA LLEVAR
UN ELECTRN DE LA BANDA
DE VALENCIA A LA BANDA DE
CONDUCCIN.
EL INTERVALO DE ENERGIA
PARA LLEVAR UN ELECTRN
DE LA BANDA DE VALENCIA A
LA BANDA DE CONDUCCIN
ES MUCHO MENOR,
LA BANDA DE VALENCIA Y LA
BANDA DE CONDUCCIN
ESTAN TRASLAPADAS.
BANDA DE VALENCIA BANDA DE VALENCIA
Figura 2-5 Clasificacin de los materiales

19. PREGUNTAS:

(a). Defina las principales caractersticas de materiales aisladores,
semiconductores, conductores.

Desarrollo:

Aisladores: el intervalo de energa para llevar un electrn de la banda
de valencia, a la banda de conduccin es muy grande.

Semiconductores: el intervalo de energa para llevar un electrn de la
banda de valencia, a la banda de conduccin es ms pequeo.

Conductores: el intervalo de energa para llevar un electrn de la
banda de valencia, a la banda de conduccin es nulo.

(b). Que quiere decir elctricamente neutro?

Quiere decir que el tomo esta equilibrado. El nmero de electrones
igual al nmero de protones.

(c ). Que es un nivel de energa?

Nivel de energa es el valor de energa que tiene un electrn con
relacin a la distancia del ncleo.

(d). De donde cree que proviene la energa cintica de un
electrn?

Esta energa cintica proviene del calor que nos llega del sol.

(e). Que entiende por nivel de excitacin.

Se entiende el lugar donde el electrn se encuentra desligado o libre.

CAPITULO 3

SEMICONDUCTORES

20. INTRODUCCION

La aparicin de los semiconductores trae consigo muchos cambios
relacionados con la electrnica, los ms importantes de ellos son la
miniaturizacin de los equipos electrnicos, el mejoramiento de la
eficiencia, menor consumo de potencia y la prolongacin de la vida
til de los mismos.

21. OBJETIVOS

OBJETIVOS

22. CARACTERISTICAS DEL GERMANIO Y EL SILICIO:

El Germanio y el Silicio son los elementos por excelencia utilizados
como semiconductores, pertenecen al grupo IV de la tabla peridica,
por lo tanto tienen cuatro electrones en la capa de valencia.
Como nicamente nos interesan los electrones de valencia, entonces
vamos a representar un tomo de Germanio o de Silicio de la
siguiente forma:

Conocer las principales propiedades y caractersticas de los
semiconductores.

Desarrollar un breve estudio sobre el Germanio y el Silicio.

Si

Figura 3-1 Representacin de un tomo de Silicio.

En esta figura se representa un tomo de Germanio, o de Silicio, por
medio de un ncleo, y cuatro lneas, donde las cuatro lneas
representan los cuatro electrones de la capa de valencia.
El germanio y el silicio se encuentran en estado puro en la naturaleza
formando enlaces covalentes. Esto quiere decir compartiendo sus
cuatro electrones de valencia para formar la ley octeto (ocho
electrones en la ltima rbita).
Al efectuar estos enlaces covalentes los tomos adquieren una
estructura cristalina de forma geomtrica parecida a cubos de hielo.
Esta estructura la podemos dibujar de la siguiente manera en forma
plana:

Figura 3-2 Germanio en estado natural

En la figura anterior se observa que cada tomo de germanio queda
con 8 electrones en la ltima orbita y su estructura es cristalina. En
estas condiciones el sistema es estable, o sea elctricamente neutro.

(a). CONDUCCION INTRINSECA EN EL GERMANIO Y EN EL
SILICIO: El silicio y el germanio se encuentran en la naturaleza en
estado puro formando enlaces covalentes, y ocurre que por efecto de
la temperatura, se rompen enlaces (debido a la energa cintica de
los electrones), cuando este rompimiento de enlaces se produce un
electrn salta a un nivel de excitacin, quedando libre este electrn.
El lugar que estaba ocupado por el electrn queda vaco, o vacante, y
a esta vacante se le llama hueco.

Se puede deducir fcilmente que este hueco tiene una carga positiva,
porque se acaba de perder un electrn, y la vacante o hueco, que
deja este electrn queda cargada positivamente, por lo tanto este
hueco se puede considerar como un portador de corriente con carga
positiva.
Al producirse el rompimiento de enlaces generando un electrn libre y
un hueco, como debe cumplirse la ley del octeto, un electrn de un
tomo vecino llena el hueco dejado por el electrn anterior, y este
nuevo electrn deja en su lugar otro hueco, que ser llenado por otro
electrn de otro tomo vecino, y as sucesivamente.

De este efecto podemos observar que se genera una corriente de
electrones en un sentido, y se genera una corriente de huecos en el
otro sentido.
Observacin: se crea una corriente de huecos porque el hueco se
mueve a medida que los electrones van llenando los huecos. A esta
generacin de un par electrn hueco se le llama conduccin
intrnseca.

IMPORTANTE: de lo visto anteriormente se puede concluir que en un
semiconductor vamos a tener dos portadores de corriente: el electrn
y el hueco. Podemos representar o ayudarnos a comprender lo
expuesto anteriormente por medio de la siguiente grfica:

Figura 3-3 Representacin de la conduccin intrnseca escribir la
palabra hueco en el dibujo.

En la figura se observa como un electrn rompe su enlace, dejando
en su lugar un hueco, el cual es llenado con otro electrn y as
sucesivamente. Estadsticamente se ha establecido que hay
aproximadamente 1 electrn libre por cada
12
10 tomos de Germanio
o de Silicio.

Esto nos lleva a afirmar que el germanio y el silicio en estado puro
son malos conductores porque hay muy pocos electrones libres. Lo
ideal sera que existieran muchos electrones libres, para lograr esto,
entonces tenemos que hablar de los semiconductores dopados
(impuros) o extrnsecos.
Con el aumento de la temperatura, es mayor la cantidad de
electrones que pueden romper enlaces covalentes, y aumentar el
nmero de electrones libres. Al haber mayor cantidad de electrones
libres, aumenta la conductividad del material semiconductor, y
disminuye la resistencia del mismo. A esto se le llama coeficiente
negativo de temperatura por lo tanto se dice que el Germanio y el
Silicio tienen coeficiente negativo de temperatura. (NTC)

23. SEMICONDUCTORES DOPADOS: (EXTRINSECOS LIGADOS)

(a). MATERIAL TIPO N:

Si a un material bsico de germanio, o de silicio le agrego una
impureza del grupo V (Fsforo cinco electrones en la ltima rbita)
sucede que la impureza realiza enlaces covalentes con el material
bsico, compartiendo electrones (para formar la ley del octeto),
cuando esto ocurre queda un electrn libre de la impureza de fsforo,
el cual no tiene con quien unirse, y este se encuentra dbilmente
ligado al tomo (electrn libre). De acuerdo a la proporcin de
impurezas mezcladas obtendremos mayor o menor cantidad de
electrones libres.

A este material se le llama material tipo N o rico en electrones y se
dibuja de esta forma:

Figura 3-4 Material tipo N

Donde la lnea con la bolita indica los electrones libres aportados por
la impureza. A este tipo de impureza se le llama donador, por que la
impureza ha donado electrones.
Tambin podemos representar el material tipo N por medio de la
siguiente figura, donde las lneas punteadas representan los
electrones libres aportados por la impureza.

-
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-
-
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-
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-
-
-
-
-
-
-

Figura 3-5 material tipo N.

Hay que tener en cuenta que por efecto de la temperatura se rompen
enlaces produciendo electrn libre y un hueco. Entonces la manera
completa de representar un material tipo N es de la siguiente forma:

+
+
+

Figura 3-6 Material tipo N teniendo en cuenta el efecto de la
temperatura

Donde los signos ms indican los huecos generados trmicamente y
los signos menos indican los electrones aportados por las impurezas.

A los electrones se les llama portadores mayoritarios porque son la
mayora.
A los huecos se les llama portadores minoritarios porque son la
minora, cabe destacar que el material en su conjunto sigue siendo
elctricamente neutro.

(b). MATERIAL TIPO P: Si ahora al germanio base le agrego una
impureza del grupo III (Aluminio tres electrones en la ltima rbita)
sucede que esta impureza se enlaza con los tomos vecinos, los tres
electrones de la impureza comparten enlaces con los tomos vecinos,
quedando un espacio vaco o vacante o hueco esperando que llegue
un electrn para completar la ley del octeto.

A esta impureza se le llama aceptora porque acepta un electrn.

Ge Ge Ge Ge Ge Ge
Ge Ge Ge Ge Ge
Ge Ge Ge Ge Ge Ge
Ge Ge Ge Ge Ge Ge
Al
Hueco libre
debido a la
impureza

Figura 3-7 Atomos de Ge con impurezas del grupo III

El material en su conjunto es elctricamente neutro. El material tipo P
lo puedo representar de la siguiente forma:

+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+ +
+
+
+ +
+
+

Figura 3-8 Material tipo P

Donde las cruces indican los huecos o espacios libres aportados por la
impureza espacios libres para recibir electrones.

Debido al efecto de la temperatura se produce rompimiento de
enlaces (electrones libres) entonces al material tipo P lo vamos a
representar de la siguiente manera:

+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+ +
+
+
+ +
+
+

Figura 3-9 Material tipo P teniendo en cuenta los efectos de la
temperatura

Donde las cruces indican los huecos o portadores mayoritarios
aportados por la impureza las lneas punteadas indican los electrones
generados por efecto de temperatura = portadores minoritarios por
que son la minora.

Observacion: al agregar impurezas, y formar material tipo P o N lo
que se ha logrado es modificar las propiedades elctricas del
material, es decir hacerlo conductor o sea tener portadores libres, ya
sea electrones o huecos. En palabras sencillas esto quiere decir que el
Ge y el Si pasaron de ser aisladores a buenos conductores, pero en el
fondo se siguen comportando como si se tratara de germanio o silicio
puro.

La diferencia principal entre el Ge y el Si es el intervalo de energa
que hay que aplicar para llevar un electrn de la banda de valencia, a
la banda de conduccin. Esto quiere decir que a una temperatura
dada, el Si tiene menos portadores libres que el Ge.
Es decir el efecto de la temperatura es menor en el silicio que en el
germanio.
En electrnica lo importante es tener portadores libres bien sean
electrones o huecos, para poder desplazarlos despus por medio de
un campo elctrico, de ah la importancia de los materiales tipo N y
tipo P.

24 .PREGUNTAS:

(a) Cual es la diferencia entre portadores mayoritarios y
minoritarios?

Los portadores mayoritarios son colocados o proporcionados por la
impureza.

Los portadores minoritarios son generados trmicamente por efecto
de la temperatura.

(b). Dibuje un material tipo P y un material tipo N y explique sus
caractersticas.

+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
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+
+ +
+
+
+
+
+
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+
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+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+ +
+
+
+ +
+
+
+
+
+

Figura 3-10 Material tipo p, material tipo N

El material tipo P es rico en huecos debido a que la impureza es
trivalente. El material tipo N es rico en electrones debido a que la
impureza es pentavalente.

CAPITULO 4

DIODO SEMICONDUCTOR

25. INTRODUCCIN

El conocimiento y desarrollo de la teora de los semiconductores, ha
permitido implementar la mayora de dispositivos electrnicos en
forma de estado slido, aprovechando sus innumerables ventajas.
Cabe destacar que estamos prximos al uso e implementacin de
superconductores en electrnica, los cuales mejorarn en grandes
proporciones las caractersticas de los semiconductores.

26. OBJETIVOS

27. CONSTRUCCIN DEL DIODO SEMICONDUCTOR

Para comprender como funciona el diodo semiconductor, lo hacemos
a partir de su constitucin interna, como se muestra a continuacin:

Vamos a tomar dos partes de material tipo P y material tipo N, como
se muestra en la siguiente figura:

+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
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+
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+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
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+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+ +
+
+
+ +
+
+

+
+
+

Conocer las principales propiedades y caractersticas del diodo
semiconductor

Figura 4-1 Material tipo P y tipo N
A continuacin las unimos y observamos lo que ocurre, en ese preciso
instante:

+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+ +
+
+
+ +
+
+
+
+
+

Figura 4-2 Material tipo P y tipo N unidos

Cuando se unen los dos materiales, se presenta un efecto llamado
corriente de recombinacin consistente en que los electrones del
material tipo N, van a ocupar los huecos que existen en el material
tipo P, y los huecos que hay en el material tipo P, se van a
recombinar con los electrones del material tipo N. Este efecto se
produce debido a un gradiente de potencial, que se presenta
internamente.
Podra pensarse que todos los electrones del material N se
recombinan con los del material P, y viceversa, pero esto no ocurre,
por lo siguiente: Ver figura.

+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+ +
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+ +
+
+ +
+
+ +
+ +
+ +
+
+ +
++
+ +
P N

Figura 4-3 Formacin de la barrera de potencial
Escribirle Vb

Cuando un electrn de la regin N cercano a la unin, la atraviesa
para recombinarse con un hueco de la regin P, se produce una
ionizacin ,y este electrn deja en el lugar que estaba ocupando una
carga que se llama carga descubierta, la cual se simboliza con un
signo mas y una bolita, (+) esta carga descubierta tiene la
caracterstica que es pesada, esto quiere decir que no se mueve y por
lo tanto no se recombina nuevamente, lo mismo ocurre con el hueco
del material P cuando este se recombina con el electrn del material
tipo N, en su lugar deja una carga ionizada pesada, y se representa
con un signo menos y una bolita (-) Estas cargas descubiertas
producidas durante la ionizacin, presentan la caracterstica que no
se mueven para recombinarse contrario a los electrones y huecos
que si son livianos y se pueden mover para recombinarse.

Observando la figura podemos darnos cuenta que esta recombinacin
inicial da lugar a la formacin de un campo elctrico, conformado por
las cargas descubiertas, este campo elctrico se denomina VB o
barrera de potencial, o regin de vaciamiento, la cual una vez
formada no permite el paso de portadores de un lado a otro de la
unin.

Esto quiere decir No circulan electrones del material N P
No circulan huecos del material P N

Si estamos interesados en que haya circulacin de portadores, se
hace necesario aplicar un campo elctrico o voltaje con polaridad
contraria a la barrera de potencial. Se ha encontrado que el valor de
voltaje que hay que aplicar para que haya circulacin de portadores
es:

En el Silicio 0,7 V, en el Germanio 0,3 V. Valores de voltaje
necesarios para que haya circulacin de portadores y se le llama
voltaje de disparo, o voltaje umbral . A continuacin vamos a
graficar todas las corrientes que circulan en el diodo, en el justo
momento en que se unen los dos materiales las cuales son: Corriente
de recombinacin y Corriente generada por la temperatura as:
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+ +
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+ +
+
+ +
+
+ +
+ +
+ +
+
+ +
++
+ +
P N

rp
I

GP
I
gn
I

rn
I

Figura 4-4 Corrientes en un diodo semiconductor

Como finalmente no hay corriente, debido a la barrera de potencial,
entonces podemos escribir las siguientes expresiones para el instante
justo en que se unen los dos materiales P y N.
0
g r
g r
gn rn
gn gp rn rp
gp rp
I I
I I
I I
I I I I
I I

Se observa que hay corriente de recombinacin y corriente generada
trmicamente (portadores minoritarios), y que en estas
circunstancias ambas corrientes son iguales.
En este preciso momento, ya tengo construido lo que es un diodo
semiconductor, o sea bsicamente una unin P, N, con su
barrera de potencial interna.

Si ahora se aplica voltaje al diodo semiconductor construido
anteriormente, se vence la condicin de equilibrio, y la corriente de
recombinacin es mayor que la corriente generada trmicamente,
esto lo podemos escribir mediante la siguiente expresin:

g r
I I

Sin voltaje aplicado el resultado es que no hay corriente en la unin,
en estas condiciones la barrera de potencial asumir un valor tal, que
permita que la corriente de recombinacin sea igual a la corriente
generada trmicamente, esto lo podemos escribir mediante la
siguiente expresin:

g r
g r
I I
I I 0

Resumiendo: en palabras sencillas cuando se construye el diodo,
inicialmente circulan unas corrientes internas debido a la
recombinacin, y otras debido a la agitacin trmica, la corriente de
recombinacin es la encargada de crear internamente una barrera de
potencial, la cual hace que estas corrientes que se generaron
inicialmente se extingan al final. A esta estructura se le ha asignado
el siguiente smbolo para facilitar su representacin en los respectivos
diagramas electrnicos.

Anodo
Ctodo

Figura 4-5 Smbolo del diodo

El nodo corresponde al material P donde estn los huecos y el
ctodo corresponde al material N donde estn los electrones.

28. POLARIZACION DEL DIODO

(a).POLARIZACION DIRECTA:

Si estamos interesados en que haya un flujo constante de portadores,
es necesario disminuir la barrera de potencial.
Esto lo logramos aplicando un voltaje que tenga polaridad opuesta a
la barrera de potencial. En un circuito lo vemos as:

-
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+ +
+
+
+ +
+
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+
+
+
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- -
-
-
-
-
+
+
+ +
+ +
+
+ +
+
+ +
+ +
+ +
+
+ +
++
+ +
P
N
I
V
VB

Figura 4-6 Polarizacin directa del diodo

Aplicando este voltaje lo que se hace internamente es disminuir la
anchura de la barrera, al ocurrir esto pueden fluir con facilidad
portadores (recombinarse electrones y huecos). Cuando esto ocurre
entonces decimos que el diodo se encuentra polarizado directamente,
esto quiere decir que el nodo est conectado al (+) de la batera, y
el ctodo est conectado al (-) de la batera. Y la corriente que fluye
es la corriente de recombinacin, en estas condiciones podemos
escribir la siguiente expresin:

g r
I I

Finalizamos esta parte recordando que: un diodo est polarizado
directamente cuando el nodo del diodo est conectado al (+) de la
batera y el ctodo del diodo esta conectado al (-) de la batera. Esta
polarizacin hace que exista una gran circulacin de corriente
portadores mayoritarios debido a la recombinacin.

(b).POLARIZACION INVERSA

-
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+ +
+
+
+ +
+
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+
+
+
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-
+
+
+ +
+ +
+
+ +
+
+ +
+ +
+ +
+
+ +
++
+ +
P
N
I=0
V
VB

Figura 4-7 diodo polarizado inversamente

Se dice que un diodo se encuentra polarizado inversamente
cuando el nodo del diodo se encuentra conectado al (-) de la
batera, y el ctodo del diodo se encuentra conectado al (+) de la
batera.
Al tener esta conexin lo que ocurre es que la batera exterior hace
que la anchura de la barrera aumente y si esta aumenta, entonces no
hay flujo de portadores. En estas condiciones

Ir << Ig.

Lo cual quiere decir que cuando el diodo est polarizado
inversamente la corriente es cero, solo hay corriente de fuga.

29. ECUACION DEL DIODO:

Si aplicamos una fuente externa polarizando directamente al diodo,
esta fuente se encarga de que haya una circulacin de portadores.

Si Iro es la corriente que representa el nmero neto de portadores
que inician el camino a travs de la unin, entonces el nmero real de
los que sobrepasan la barrera es Ir

q KT
V
ro r
B
e I I
/

De donde:

VB= altura de la barrera en voltios

q = carga del electrn = Coulombios
19
10 * 602 . 1

K = constante de Boltzman = K erg / 10 * 38 . 1
16

T = temperatura en K

Si no hay tensin aplicada entonces

g r
I I
q KT
V
ro g
B
e I I
/

Si aplicamos tensin V entonces el voltaje resultante es VB V

q KT
V
q KT
V
q KT
V
ro r
q KT
V V
ro r
Ige Ir
e I I
e I I
B
B
/
/ /
/

Ahora: la corriente neta en la unin debida a la recombinacin y a la
temperatura es:

1
/ q KT
V
g
r
e I I
Ig I I

Importante: normalmente a Ig se le llama corriente de fuga o
corriente de saturacin.

Vamos a reemplazar Ig por Is

= Frmula que corresponde a la ecuacin del diodo

30. CURVA CARACTERISTICA DEL DIODO:

1
/ q KT
V
s
e I I

Figura 4-8 Curva caracterstica del diodo

Esta curva nos muestra el funcionamiento del diodo, cuando se
encuentra polarizado directamente (primer cuadrante), y en ella se
observa que cuando el voltaje aplicado es menor de 0,7V el diodo se
encuentra abierto (no conduce), porque la barrera de potencial es
muy grande y no permite el paso de portadores, cuando el voltaje
aplicado es cercano a 0,7V el flujo de portadores es grande. (Gran
circulacin de corriente debido a que la barrera de potencial es
angosta)

Cuando el diodo se encuentra polarizado inversamente (tercer
cuadrante), la corriente es cero, y solo se debe a la temperatura, si
se aumenta el voltaje aplicado, es posible que electrones rompan
enlaces y se constituyan en una corriente, produciendo la avalancha.

(a).EFECTO AVALANCHA: Existen dos mecanismos por los cuales
se produce la avalancha cuando la tensin inversa aumenta:
PRIMERO: Consideremos que un portador generado trmicamente
adquiere suficiente energa con la tensin inversa que se le aplica,
estos portadores chocan con los iones del cristal y rompen enlaces
covalentes, liberando otro electrn, estos electrones liberados
adquieren suficiente energa y liberan otros electrones, por lo tanto
cada electrn nuevo puede producir otro y as sucesivamente,
produciendo una gran corriente inversa.

(b).RUPTURA ZENER: Si los portadores asequibles no adquieren
suficiente energa para romper enlaces, se puede iniciar la avalancha
con una ruptura directa de los enlaces, la existencia de un campo
elctrico en la unin, hace que este campo ejerza una fuerza elevada
sobre un electrn, de tal forma que rompa un enlace covalente, esto
aumenta la corriente inversa pero no implica la colisin y
subsiguiente rompimiento de enlaces.
La avalancha zener se alcanza para tensiones por debajo de 6 voltios,
con diodos fuertemente dopados.
Para diodos ligeramente dopados, la tensin de avalancha es ms
alta, y la multiplicacin por avalancha es el hecho predominante.

Para recordar: efecto zener hay rompimiento de enlaces, pero no hay
efecto multiplicativo, y aumenta la corriente inversa.
Efecto avalancha: hay rompimiento de enlaces, hay efecto
multiplicativo, y aumenta la corriente inversa.

En los diodos de Ge la corriente generada trmicamente Is, es del
orden de A y se duplica cada 10 C
En los diodos de Si la Is es del orden del pA y se duplica cada 5C
Esto hace que el silicio sea ms estable con la temperatura.

31. RESISTENCIA ESTATICA DEL DIODO (resistencia de
corriente directa).

Cuando se aplica un voltaje de corriente directa a un diodo, tiene
como resultado un punto de operacin en la curva caracterstica. La
resistencia en ese punto de operacin se conoce como resistencia
esttica del diodo, y su valor se encuentra dividiendo el valor del
voltaje entre la corriente que circula por el diodo en ese momento .La
frmula es:
Los valores de voltaje y corriente se localizan en la curva
caracterstica del diodo, como se puede observar en la siguiente
grfica:

Figura 4-9 Curva del diodo para un punto dado de trabajo

Para el punto VD, ID corresponde una resistencia esttica de:

Ejemplo: de acuerdo a la informacin suministrada en la grfica se
pide hallar la resistencia esttica para:

Figura 4-10 curva para el ejemplo

a)

b)

c)

Desarrollo:

a) Para
b) Para
c) Para

32. RESISTENCIA DINAMICA DEL DIODO (Resistencia de
corriente alterna).

La aplicacin de una seal alterna a un circuito que contenga un
diodo, desplazar inmediatamente el punto de operacin hacia arriba
y hacia abajo, trayendo como resultado un cambio en la corriente y el
voltaje del diodo .Al cociente de este cambio de voltaje sobre el
cambio de corriente se le llama resistencia dinmica, podemos
observar esto mediante la siguiente grfica:

Figura 4-11 Resistencia de corriente alterna curva correspondiente.

Para encontrar el valor de esta resistencia de corriente alterna o
resistencia dinmica se hace ms fcil por medio del clculo
diferencial, partiendo de la corriente del diodo as:

D
AC
AC
q KT
V
s
q KT
V
s
q KT
V
s
I
mv
R
mv q KT ambiente a temperatur a Nota
I
q KT
R rf entonces
q KT
I
gf
e I I Haciendo
rf
gf
q KT
e I
dV
dI
V
I
e I I
26
26 / :
/
/
1
/
1
/
/
/

Esta es una frmula de mucha utilidad, para encontrar el valor de la
resistencia del diodo, cuando ste se encuentra activado por una
seal alterna.
33. CAPACIDADES EN LOS DIODOS

Un diodo se puede considerar como un condensador.
Considerando la regin de vaciamiento como el dielctrico, y el
material P, y el material N como conductores. Dependiendo de la
polarizacin (directa o inversa) esta capacitancia se va a hacer mayor
o menor con relacin al voltaje aplicado.

5
10
-30 -25 -20 -5 -10 -15
CT
CD
CPF
(V)
0,25 0,5

Figura 4-12 Capacitancia de transmisin y difusin para un diodo

Cuando el diodo esta polarizado en directo se presenta una
capacitancia CD.
Cuando el diodo esta polarizado en inverso se presenta una
capacitancia C
T
.
Esta capacitancia CT es muy importante en la elaboracin de diodos
varicap (diodos de capacitancia variable).

34. TIEMPO DE RECUPERACION EN INVERSO:(trr)

El tiempo de recuperacin en inverso se refiere a la rapidez que tiene
el diodo para pasar de on a off (conmutar)
Esto es muy importante cuando se manejan seales digitales.
Se entiende por conmutar el paso de ON OFF de un dispositivo.

Explicacin del tiempo de recuperacin: trr

Si tenemos polarizado un diodo en directo, y luego lo polarizamos en
inverso observamos que no va a dejar de conducir instantneamente,
veamos porque?
Ver
figuras:
+
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+ +
++
+ +
P N
I
V
VB
+
P N
I
V
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+ +
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
++
+
+
+
+
+
+
+
+
+
VB
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+ +
+
+ +
+
+ +
+ +
+ +
+
+ +
++
+ +
P N
I = 0
V
VB
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
(a)
(b)

Figura 4-13 Graficas explicativas del tiempo de recuperacin en
inverso

Explicacin: El diodo en (a) est directamente polarizado y hay una
corriente de recombinacin (electrones se mueven de N P, huecos
se mueven de P N).

En (b) debido a la recombinacin la parte P queda llena de electrones
y la parte N llena de huecos.
En estas condiciones al aplicar un voltaje inverso sigue circulando
temporalmente una corriente en sentido contrario (debido al estado
de portadores en la pastilla).

En (c) los electrones y los huecos se han ubicado como corresponde
a la pastilla y en esta condicin no hay circulacin de corriente.
La siguiente grfica ilustra el proceso mencionado anteriormente.

ID
IDIRECTA
IINVERSA
RESPUESTA DESEADA I = 0
t
tS tr
trr

Figura 4-14 Definicin del tiempo de recuperacin en inverso
En la figura se observa que el diodo no pasa instantneamente del
estado de conduccin a bloqueo ,hay un tiempo en el cual fluye una
corriente inversa, y luego ocurre un intervalo de transicin y el
diodo llega al estado de no conduccin.

35. ESPECIFICACIONES DE LOS DIODOS:

Las especificaciones son valores mximos y mnimos para los cuales
el fabricante garantiza el correcto funcionamiento del dispositivo.

Principales especificaciones:
Temperatura:
Voltaje directo VF (a una corriente y temperatura especificada).
Corriente directa mxima If (a una temperatura especificada).
Voltaje pico inverso PRV o PIV VBR
El nivel mximo de disipacin.
Los niveles de capacitancia.
El tiempo de recuperacin trr
Frecuencia

Estas especificaciones vienen en hojas que proporciona el fabricante.

36. COMO PROBAR UN DIODO:

Por medio de un multmetro, seleccionado en la escala de diodo,
coloco las puntas en los extremos del diodo, y luego las invierto.
Debo observar que el multmetro indique conduce y abierto, o sea
baja resistencia y alta resistencia.

Cuando hay conduccin, el multmetro muestra un valor que es el
voltaje de conduccin del diodo de Silicio o de Germanio.
Cuando hay bloqueo marca infinito (resistencia infinita).
Para saber cul es el nodo y cul es el el ctodo, busco el estado de
conduccin con las puntas, donde queda la punta roja corresponde al
nodo y donde queda la punta negra corresponde al ctodo del diodo.

37. PREGUNTAS:

(a). Con sus propias palabras que cree que es un diodo?

Un diodo es un dispositivo que conduce en una sola direccin,
parecido a una llave, que permite que el agua circule, o que no
circule. .

(b)Qu entiende por especificaciones de un diodo?

Especificaciones son valores mximos y mnimos proporcionados
por el fabricante, que me garantizan el correcto funcionamiento de
un dispositivo (diodo) dentro de ese rango.

(c).Mencione dos especificaciones importantes de un diodo.

Dos especificaciones importantes de un diodo:

PRV= Voltaje pico inverso; es el mximo voltaje que se le puede
aplicar a un diodo cuando el diodo est polarizado en inverso, sin
que este se deteriore.

If= corriente de trabajo, me dice cual es la mxima corriente que
le puedo aplicar a un diodo, sin que este se deteriore.

(d)Cuando corre ms peligro un diodo para destruirse?

Un diodo corre ms peligro de destruirse cuando se encuentra
polarizado inversamente.

(e)Qu entiende por un diodo rpido?

Un diodo rpido es un dispositivo de conmutacin donde el trr es
muy pequeo.

(f) Usted cree que el comportamiento del diodo es lineal? Justifique
su respuesta.

El comportamiento del diodo se puede tomar como lineal, si se
analiza su comportamiento por tramos, o por pedazos.

(g) Mencione dos diferencias entre un diodo y una resistencia.

Diferencias entre diodo y resistencia: el diodo es unidireccional, la
resistencia es bidireccional .El comportamiento de la resistencia es
lineal, mientras que el comportamiento del diodo no.

(h) Es posible destruir totalmente la regin de vaciamiento de un
diodo?

No es posible, la barrera se puede disminuir bastante, pero no se
puede destruir, o eliminar totalmente.

(i) En el siguiente circuito seale la respuesta correcta:

Figura 4-15

Ejercicio

a) D1 y D2 conducen.
b) D2 no conduce.
c) D2 conduce pero D1 no conduce.
d) D1 conduce pero D2 no conduce.
e) Ninguna de las anteriores.

Respuesta: (a)

(j).En el siguiente circuito seale la respuesta correcta:

FIG 4-16

Ejercicio.

a) El voltaje en el diodo de Silicio es 20v
b) El voltaje en el diodo de Germanio es de 0,3v
c) a y b son correctas.
d) a y b son falsas.

Respuesta: (d)

(k) En un circuito con diodos, usted cree que es correcto aplicarle el
teorema de superposicin? Justifique su respuesta.

No es correcto aplicar el teorema de superposicin en circuitos con
diodos, porque el comportamiento del diodo no es lineal, y
tampoco es bidireccional.

(l). Que ocurre primero: el efecto avalancha o el efecto zener?
Ocurre primero el efecto zener.

(m). Seleccione la respuesta correcta:

Un portador minoritario

a) Es una carga pesada.
b) Es debido a la impureza.
c) a y b son correctas.
d) Es debido a la temperatura.
Respuesta: (d)

(n).Seleccione la respuesta correcta:

Un portador mayoritario...

a) Es una carga pesada.
b) Es debido a la impureza.
c) a y d son correctas.
d) Es debido a la temperatura.
Respuesta: (b)

(o). En el siguiente circuito seale la respuesta correcta:

Figura 4-17

Ejercicio.

a) D1 y D2 conducen.
b) Hay cada de voltaje en la resistencia de 2 Kiloohmios.
c) No hay cada de voltaje en la resistencia de 100 ohmios.
d) L1 Alumbra.

Respuesta: (d).

(p). Que entiende por regin de vaciamiento
Es una zona que est vaca donde no hay electrones ni huecos no
hay portadores en esa regin.

(q). Que se entiende por un diodo polarizado directamente, e
inversamente.

Diodo polarizado directamente
nodo al (+) de la batera
Ctodo al (-) de la batera
Diodo polarizado inversamente
Anodo al (-) de la batera
Ctodo al (+) de la batera

Figura 4-18 Polarizacin directa e inversa del diodo

(r). Que se entiende por corriente de fuga

Es la corriente debida a la temperatura por rompimiento de
enlaces.
Es la misma corriente de minoritarios.

(s) Cual es el valor del voltaje de umbral para silicio y para el
germanio?

Voltaje umbral Silicio = 0.7 V
Voltaje umbral Germanio = 0.3 V

(t).
Porque se puede considerar el diodo como un condensador?
Porque tiene una regin de vaco que acta como un dielctrico
Y a los lados quedan ubicados portadores (electrones y huecos).

(u). Que tipo de curva resultar al tabular valores en la ecuacin:

1
/ q KT
V
s
e I I

Respuesta una exponencial.

CAPITULO 5

DIODO SEMICONDUCTOR CON CORRIENTE DIRECTA.

38. INTRODUCCION

El diodo semiconductor es un dispositivo que se utiliza para trabajar
con corriente directa o corriente alterna, el inters de este captulo se
basa en las aplicaciones del diodo con corriente directa y podemos
decir que la principal es la de operar como un interruptor o sea que
deja pasar o no deja pasar seal en determinada direccin.

39. OBJETIVOS

40. APLICACIONES DEL DIODO EN DC

Hasta ahora nos hemos encargado de describir las caractersticas y la
estructura del diodo. Eso est muy bien, pero fundamentalmente nos
interesa utilizar el diodo en circuitos para aplicaciones prcticas. Para
lograr este propsito, se hace necesario desarrollar un circuito
equivalente del diodo.
Un circuito equivalente consiste en una combinacin de elementos los
cuales representan la caracterstica de un dispositivo.
Cuando se define el circuito equivalente de un dispositivo, el smbolo
del dispositivo se puede eliminar, y en el circuito se coloca el circuito
equivalente, sin que se afecte el funcionamiento real del sistema.
Tomando la curva del diodo semiconductor, sabiendo que el diodo
presenta un voltaje de disparo de y teniendo en cuenta la
resistencia dinmica promedio, podemos encontrar un primer modelo
aproximado para el diodo a partir de la curva caracterstica, como se
muestra en la siguiente figura:
Donde la fuente de me indica, que debe haber una fuente de
Para que el diodo pase del estado de bloqueo a conduccin, la
represente la resistencia de corriente alterna promedio.

Desarrollar las principales aplicaciones del diodo como interruptor.

FIGURA 5-1 DEL CIRCUITO EQUIVALENTE DEL DIODO.

Normalmente es muy pequea y se puede despreciar, lo cual da
como resultado el siguiente circuito equivalente:

FIGURA 5-2 DEL CIRCUITO EQUIVALENTE SIMPLIFICADO.

CIRCUITO EQUIVALENTE IDEAL:

Comparando los valores de disparo del diodo: con los
valores de las fuentes aplicadas se observa que estos valores de
disparo son muy pequeos con relacin a las fuentes, por lo tanto se
pueden despreciar, llegando a la siguiente curva, que nos muestra el
funcionamiento del diodo ideal.
ID
VD
CORTOCIRCUITO
CIRCUITO
ABIERTO

FIGURA 5-3 Curva de funcionamiento del diodo ideal.

De la figura podemos concluir que: cuando el diodo se encuentra
polarizado directamente se comporta como un cortocircuito
( ), y cuando el diodo se encuentra
polarizado inversamente, se comporta como un circuito abierto
( )
En palabras sencillas esto quiere decir que si el diodo conduce
entonces deja pasar seal hay corriente y si no conduce
entonces no deja pasar seal no hay corriente.
Del funcionamiento de la curva ideal se toma como modelo del diodo
ideal el siguiente:

Anodo
Ctodo

Figura 5-4 Modelo ideal del diodo

Para efectuar clculos rpidos, se utiliza el circuito equivalente
simplificado, esto quiere decir que cuando el diodo est polarizado
directamente, lo podemos considerar como una fuente de voltaje de
0,7 voltios. Y cuando el diodo esta polarizado inversamente, lo
podemos considerar como un circuito abierto.

41. CIRCUITOS DE DC CON DIODOS:

Ejemplo1: En el siguiente circuito se pide hallar el valor de la
corriente.

Si
1K
V= 10 v

Figura 5-5 Circuito DC con diodo.

Desarrollo:
Primer paso: observo si el diodo esta polarizado directamente, o
inversamente. Si el diodo est polarizado directamente entonces lo
reemplazo por una fuente de voltaje de 0.7 Voltios. Y en estas
condiciones digo que hay circulacin de corriente.

Segundo paso: aplico LKV, y Ley de Ohm, o Teora de circuitos para
hallar el valor de la corriente. Entonces como en el diodo hay una
cada de 0.7 voltios en la resistencia caen 9.3 voltios, por lo tanto se
puede hallar el valor de la corriente.

mA I
V
I
k
V V
I 3 . 9
1000
3 . 9
1
7 . 0 10

Ejemplo: 2 En el siguiente circuito se pide hallar el valor
Hallar Vab=?

a
b
2 K
5 V
3 K
10,7 V

Figura 5-6 Circuitos DC con diodo

Desarrollo:

1) Se observa que el diodo est polarizado directamente.
2) Sumo las fuentes de voltaje, y las resistencias.

Entonces 10,7 V 0,7V + 5V = 15 voltios

Entonces 15 voltios caen sobre la resistencia de 5 K


mA I
K
V
I 3
5
15

El voltaje sobre cada resistencia es:

VR2K = 3 mA (2 K ) = 6V

VR3K = 3 mA (3 K ) = 9V

El voltaje de a, b es: - 5V + 6V + 9V entonces Vab = 10 voltios

Ejemplo3: En el siguiente circuito se pide hallar el valor de:

I1=?
I2=?

10,7 V
5K
I1
I2
1 K
Si

Figura 5-7 Circuito DC con diodo

Desarrollo: el diodo esta polarizado directamente

mA I
mA I mA mA I
I I I
mA I
K
V
I
mA I
K
V
I
K
V V
I
T
T T
T
7 . 12
7 . 12 7 . 10 2
7 . 10
1
7 . 10
2
5
10
5
7 . 0 7 . 10
2 1
2 2
1 1 1

Ejemplo4:

En el siguiente circuito se pide hallar el valor de:
I=?

Si
15,3 v
Ge
5 K
I

Figura 5-8 Circuito DC con diodos

Desarrollo:

El diodo de Germanio es el que conduce entonces el diodo de Silicio
se abre, pero en el caen 0.3 V


mA I
K
V
I
K
V V
I
3
5
15
5
3 . 0 3 . 15

Ejemplo5: En el siguiente circuito se pide hallar el valor de:

I1=?
I2=?

30,3 v
1 K
2 K
I1 I2


Desarrollo: I1 = 0 porque el diodo esta polarizado inversamente
entonces I1 = 0

mA I
K
V
I
K
V V
I 15
2
30
2
3 . 0 3 . 30
2 2 2

Ejemplo6: En el siguiente circuito se pide hallar el voltaje sobre cada
resistencia, y el voltaje sobre el diodo de Silicio.

Si
10 v 30 v
2K
4K


Desarrollo:

(1) Sumo las fuentes, la fuente de 30 V hace que el diodo este
inversamente polarizado, entonces no circula corriente por el
circuito.

Voltaje sobre cada resistencia = 0 (cero) Voltios

Voltaje en el diodo = 10V 30V = - 20 voltios

El circuito se puede dibujar de la siguiente forma:

20 v
2K
4K

Figura 5-11 Circuito DC con diodo

42. TALLER CAPITULO 5

Ejercicio No 1: En el siguiente circuito se pide hallar Vo=?, I =?

Si Ge
5,6 K 12 V
Vo
II


Desarrollo: Ambos diodos conducen Vo = 12V 0.7V 03V entonces
Vo = 11 voltios

mA I
K
V
R
V
I 96 . 1
6 . 5
11

Ejercicio No 2: En el siguiente circuito se pide
hallar:

Si
2,2 K
5 V
Vo
4,7 K
10 V
V2
+V1 -
+
-


Desarrollo:

En el circuito se observa que los diodos estn polarizados
directamente:

mA I
K
V
I
K K
V V V
I
07 , 2
9 . 6
3 . 14
2 . 2 7 . 4
7 . 0 5 10

V1 = I1 R1 = 2,07mA (4,7 K) entonces V1 = 9,73V

V2 = I1 R2 = 2,07mA (2,2 K) entonces V2 = 4,55 V

V0= V2 5 V entonces V0 = 4,55V 5 V

Entonces V0 = - 0,45 V

Ejercicio No 3: En el siguiente circuito se pide hallar:

I2
Vo
0,33 K
10 V
Si Si
I1


Desarrollo:

V0 = 0.7 voltios, porque es un diodo de Si que est polarizado
directamente.

mA I
mA I
iguales son diodos dos los porque
I
I
mA I
K
V V
I
09 . 14
09 . 14
2
18 . 28
33 . 0
7 . 0 10
1
2
1
2

Observacin: Las corrientes son iguales porque los diodos son de
silicio.

Ejercicio No 4:En el siguiente circuito se pide hallar:

Si
I
4 v
12 v
2,2 K

Desarrollo:

mA I
K
V V V
I 95 . 6
2 . 2
7 . 0 4 12

Ejercicio No 5: En el siguiente circuito se pide hallar: ID2 =?

Si
Si
20 v
ID2
IT
I1
3,3 K
5,6 K


Desarrollo:

mA I
mA mA I T I I I I I
mA I
K
V
K
V V V
I
mA I
K
V
I
D
D T D D T
T
108 . 3
212 . 0 32 . 3
32 . 3
6 . 5
6 . 18
6 . 5
7 . 0 7 . 0 20
212 . 0
3 . 3
7 . 0
2
2 1 2 1 2
2
1 1

Ejercicio No 6: En el siguiente circuito se pide: hallar el voltaje en el
diodo de Silicio y en el diodo de Germanio.


Desarrollo:

V diodo Silicio = 0 voltios

V diodo Germanio = 30 voltios porque esta abierto.

43. EJERCICIOS SOBRE DIODOS EN D.C

Ejercicio No 1: En el siguiente circuito se pide hallar el valor de .

Figura 5-18 circuito DC con diodos.

El circuito se puede dibujar nuevamente as:

FIGURA 5-19 circuito DC con diodos.

= = =

= = =

=

+

= + =

Ejercicio No 2: hallar la corriente sobre el diodo de silicio y el diodo
de germanio.

FIGURA 5-20 circuito DC con diodos

=100 ( )+0,3 = = = = = corriente sobre el diodo de
Germanio.

=100 ( )+ 0,7= = = = =corriente sobre el diodo de
Silicio.

Ejercicio No 3: hallar =?


Como las fuentes estn en serie entonces se pueden sumar
algebraicamente.

= = =

= + 0.7 = = + = =

Ejercicio No 4: hallar =?


Desarrollo:

=

Porque el diodo esta polarizado inversamente.

30,7 0.7 = * 10
=
=3 .

Ejercicio No 5: en el siguiente circuito se pide hallar


Las fuentes estn en serie, la fuente resultante es 10+5=
En estas condiciones el valor de la corriente es:

= = =9,33

El voltaje de salida es la suma de la cada, en la resistencia de
0,5k con la cada en el diodo de germanio.

= + 0.3V

=9,33 +0.3V

= 4,96

Ejercicio No 6: en el siguiente circuito se pide hallar la corriente que
circula por el diodo de Si.


Como la resistencia de 1 est paralelo con el diodo de Si en ella
caen 0,7 y la corriente que circula por ella es = , = 0,7 .

Con esta informacin y aplicando en la resistencia de 2 caen
9 . La corriente que circula por esa malla es = 4,5 .

Aplicando LKI en el nodo superior, tenemos:

4,5 =0,7 + diodo silicio

Diodo silicio=4,5 -0,7

Diodo silicio=3,8

Ejercicio No 7: en el siguiente se pide hallar el voltaje entre


Desarrollo: como las fuentes estn en serie, se suman
algebraicamente, esto da como resultado que el diodo se encuentra
bloqueado, por lo tanto no hay circulacin de corriente y = 0.

Ejercicio No 8: hallar el valor de la corriente total del circuito.


Desarrollo:

= =

=

Ejercicio No 9: en el siguiente circuito se pide comprobar .


Desarrollo:

El voltaje aplicado es

El valor de la corriente que circula por el circuito es:

El voltaje que cae sobre cada una de las resistencias es:

Aplicando tenemos:

Se observa que se cumple .

Ejercicio No 10: en el siguiente circuito se pide hallar el voltaje


Desarrollo:

Como el diodo esta polarizado directamente conduce

El valor de la corriente es:

El voltaje sobre la resistencia de es

El voltaje de

CAPITULO 6

DIODO SEMICONDUCTOR CON CORRIENTE ALTERNA.

44. INTRODUCCION

Debido a la gran cantidad de aparatos y electrodomsticos que
trabajan con corriente directa, se hace muy necesario convertir la
corriente alterna en corriente directa, y es aqu donde el diodo resulta
muy efectivo en la consecucin de este logro.

45. OBJETIVOS

Conocer la respuesta del diodo a una seal alterna.
Identificar las aplicaciones y ventajas de la rectificacin.

46. APLICACIONES DEL DIODO EN AC
(a).RECTIFICACION DE MEDIA ONDA

Es una aplicacin del diodo cuando este se encuentra alimentado con
corriente alterna.
Para comprender esta aplicacin utilizamos el siguiente circuito:

RL
e=Em sen wt

Figura 6-1 Circuito rectificador de media onda

Vamos a aplicar una seal alterna al diodo, y observamos la seal de
salida sobre la carga por medio del osciloscopio.

La seal alterna de entrada consta de dos semiciclos:
Un semiciclo positivo, un semiciclo negativo

+ +
++ +
+ + + +
++
+ +
+
+
+
++
+
+
+
+
+
+ +
+ ++ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+ + + + +
+
+ + +
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
--
-
-
-
-
-
-
-- -

Figura 6-2 Forma de onda de la seal AC

Funcionamiento: cuando el circuito es alimentado con AC ocurre que:
Primero aparece el semiciclo positivo
RL
+
-
Vp

Figura 6-3 operacin con el semiciclo positivo de la seal AC
Esa seal o sea el semiciclo positivo la podemos interpretar como una
seal DC, (instantneamente) la cual polariza al diodo directamente
y hace que este conduzca, y permita el paso de seal, a la salida se
observa toda la seal de entrada as:

RL
+
-
Vp
Vo
t

Figura 6-4 Interpretacin del semiciclo positivo, donde la fuente DC
equivale al semiciclo (+) de la seal de entrada.

Inmediatamente aparece el semiciclo negativo

RL
+
-
Vp

Figura 6-5 operacin con el semiciclo negativo de la seal AC

Este semiciclo negativo lo podemos interpretar como una seal DC,
(instantneamente) el cual polariza al diodo inversamente y hace que
este se bloquee, y no permite el paso de seal, a la salida no se
observa nada (no hay voltaje) as:

RL
+
-
Vo
t
Vp

Figura 6-6 Interpretacin del semiciclo negativo, donde la fuente DC
equivale al semiciclo (-) de la seal de entrada.
Finalmente teniendo en cuenta todo el proceso podemos dibujar la
seal de salida de la siguiente forma:

Vo
t
Vp Vp

Figura 6-7 Seal de salida

Se observa que el circuito lo que hizo fue eliminarle el semiciclo
negativo a la seal de entrada.

En palabras sencillas podemos decir que:

LA RECTIFICACION CONSISTE EN TOMAR UNA SEAL AC
Y VOLVERLA DC

Esto es muy til porque hoy en da la mayora de dispositivos
trabajan con DC, entonces se hace necesario convertir una seal AC
en DC para poder operar los diferentes dispositivos y aparatos de la
vida moderna.

Veamos que ocurre si colocamos el diodo al contrario.

RL
Vo
Vo
t

Figura 6-8 Rectificador de media onda

Observemos las diferentes formas de onda del siguiente circuito:

RL
Vo
Vo
t

Figura 6-9 Rectificador de media onda

En las grficas anteriores se puede observar que la seal de salida no
es una seal DC pura, a este tipo de seal se le dice pulsante.

Veamos la forma de onda de salida a continuacin:

Vo
t
Vp

Figura 6-10 Seal rectificada de media onda

IMPORTANTE: si queremos medir el voltaje de salida de esta seal
tenemos que hallar el valor promedio.

Se define el valor promedio de una seal como:

dt t f
T
Vm
T
0
1

Llevando esta frmula a la seal de salida tenemos:

vp
Vm
Em
Vm
Em
Vm
Cos Cos
Em
Vm
wt Cos
Em
Vm
dt wt Sen Em Vm
Em de lugar en Vp utilizar a Vamos caso nuestro En
1 1
2
0
2
2
2
1
0
0

=valor promedio de una seal rectificada de media onda.

(b).RECTIFICACION DE ONDA COMPLETA

Existen dos formas de lograr la rectificacin de onda completa:

(1). RECTIFICACION DE ONDA COMPLETA CON
TRANSFORMADOR CON DERIVACIN CENTRAL.

D1
D2
RL

Figura 6-11 Rectificador de onda completa con transformador con
derivacin central.

Funcionamiento: Cuando aparece el semiciclo positivo, lo hace a
travs de los diodos D1, D2, RL pero nicamente conduce D1 por
estar directamente polarizado, y D2 se bloquea por estar
inversamente polarizado.

Las flechas indican la direccin de la seal.

Observemos grficamente:

RL
+
-
+
-
-
+

Figura 6-12 funcionamiento con el semiciclo positivo de la seal AC

Cuando aparece el semiciclo negativo, lo hace a travs de los diodos
D1 Y D2, pero nicamente conduce D2, por estar directamente
polarizado, y D1 se bloquea por estar inversamente polarizado.
Observemos grficamente:

+
-
-
+
+
-
5.13

Figura 6-13 funcionamiento con el semiciclo negativo de la seal AC

La seal de salida es:

VP
Vo
t


El voltaje promedio para la seal de salida es:

T
dt t f
T
Vm
0
1

(2). RECTIFICACION DE ONDA COMPLETA CON PUENTE:

Un circuito muy utilizado para la rectificacin es el circuito en puente
que se presenta a continuacin:

.
.
.
.
D1
D2
D3
D4
RL

Figura 6-15 Rectificador de onda completa con puente

Funcionamiento: Cuando aparece el semiciclo positivo los diodos D1
Y D2 conducen, y los diodos D3 y D4 se abren, debido a que
se encuentran polarizados directamente, y se encuentran
polarizados inversamente.

Vp
Vm
2


.
.
.
.
RL
+
-

Figura 6-16 Funcionamiento con el semiciclo positivo de la seal AC

Cuando aparece el semiciclo negativo los diodos D3 Y D4 conducen
y los diodos D1 Y D2 se abren, debido a que D3 y D4. Se
encuentran directamente polarizados, y D1 y D2 se encuentran
inversamente polarizados.

Las flechas indican la direccin de la seal en cada caso.

.
.
.
.
RL
+
-

Figura 6-17 Funcionamiento con el semiciclo negativo de la seal AC

La forma de onda de la seal de salida es:

VP
Vo
t

El valor promedio de la seal es:

T
dt t f
T
Vm
0
1

Observacin: Como esta seal de salida no es una seal DC pura,
entonces se hace necesario filtrarla, lo cual se logra colocando un
condensador en paralelo con la resistencia.

(c). FILTROS DE CONDENSADOR

El filtraje de una seal se lleva a cabo colocando un condensador en
paralelo con la carga, esto lo podemos apreciar por medio de la
siguiente figura:

Figura 6-19 condensador como filtro

FUNCIONAMIENTO: Cuando los diodos conducen el condensador se
carga (almacena energa).Cuando los diodos no conducen el
condensador libera esta energa sobre la carga .Por lo tanto en estas
condiciones el tiempo durante el cual la corriente pasa a travs de la
carga se prolonga, y el rizado disminuye considerablemente.

En la figura 6-19 se observa que al condensador le llega una seal de
salida sin filtrar, cuando esto ocurre el condensador se carga con el
pico de subida de la seal de salida, y se descarga con el pico de
bajada de la seal de salida. Debido a que normalmente el del
condensador es mucho menor que el perodo de la seal de salida (
,
entonces el condensador se descarga ms rpido, vuelve y se carga
con el pico de subida, luego nuevamente se descarga, y as
sucesivamente.

Vp
Vm 2
(d). RECORTADORES

Otra aplicacin de los diodos son los circuitos llamados recortadores.
Como su nombre lo indica son circuitos que se utilizan para recortar
una parte de la seal de entrada, dejando intacta la otra parte de la
seal de entrada.

Existen dos tipos de circuitos recortadores bsicos que son:

Recortador serie

Recortador paralelo.

(1).RECORTADOR SERIE: La caracterstica del recortador serie, es
que el diodo va conectado en serie con la carga ,como se puede ver
en la figura 6-20, 6-21 en esta figura se observa que la seal de
salida aparece recortada medio ciclo, dependiendo de la posicin del
diodo.

RL
Vo
Vo
t

Figura 6-20 Recortador serie y seal de salida.

RL
Vo
Vo
t

Figura 6-21 Recortador serie y seal de salida

(2).RECORTADOR PARALELO: la caracterstica del recortador
paralelo, es que el diodo est asociado en paralelo a la carga, como
se puede ver en la figura 6-22,6-23 en esta figura se observa que la
seal de salida aparece recortada medio ciclo, dependiendo de la
posicin del diodo.

RL
Vo
Vo
t
Figura 6-22 Recortador paralelo y seal de salida.

Vo
t
RL
Vo
Vp
Vp

Figura 6-23 Recortador paralelo y seal de salida.

Una aplicacin bastante interesante consiste en colocarle una fuente
adicional a los recortadores vistos anteriormente
Las figuras siguientes nos muestran las respectivas curvas de entrada
y salida para cada recortador.
(3). RECORTADOR SERIE CON FUENTE ADICIONAL

Figura 6-24 Recortador serie con fuente adicional

(4).RECORTADOR PARALELO CON FUENTE ADICIONAL.

Figura 6-25 recortador paralelo con fuente adicional.
(e).MULTIPLICADORES DE VOLTAJE

Se llaman multiplicadores de voltaje a los circuitos que duplican,
triplican, cuadruplican el voltaje de entrada

(1).DOBLADOR DE TENSION:

FIGURA 6-26 DOBLADOR DE TENSION.
En la figura se muestra un circuito doblador de tensin:
FUNCIONAMIENTO: Cuando aparece el semiciclo positivo de la seal
de entrada ,hace que el condensador se cargue con la polaridad
indicada al voltaje , el diodo conduce y el diodo se abre,
como se puede apreciar en la siguiente figura:

FIGURA 6-27 funcionamiento cuando aparece el semiciclo positivo.

Cuando aparece el semiciclo negativo, el diodo se abre, el diodo
conduce, y el condensador se carga al voltaje con la
polaridad indicada, como se puede ver en la siguiente figura.

Figura 6-28 funcionamiento cuando aparece el semiciclo negativo

La expresin para hallar el voltaje de salida es:

Si no hay carga conectada a travs de , el condensador se carga
a , y el condensador se carga a 2 .
Por lo tanto el voltaje de salida es
(2).TRIPLICADOR Y CUADRUPLICADOR DE VOLTAJE:
En la siguiente figura podemos observar un circuito en el cual se
duplica, triplica y cuadruplica el voltaje de entrada .

C4
D4 D2
C3
D3 D1
C1
C2
Vm

Figura 6-29 Multiplicador de voltaje.

FUNCIONAMIENTO: Cuando aparece el semiciclo positivo de la seal
de entrada, el diodo conduce , el condensador se carga al voltaje
, y el diodo se abre como se ve en la siguiente figura:

Figura 6-30 funcionamiento cuando aparece el semiciclo positivo.

Cuando aparece el semiciclo negativo de la seal de entrada, el diodo
se abre,
el condensador continua cargado con la misma polaridad, el diodo
conduce , y el condensador se carga con la polaridad indicada,
como se puede ver en la figura siguiente:

Figura 6-31 funcionamiento cuando aparece el semiciclo negativo.
El voltaje de lo encontramos a partir de la siguiente expresin:

0

Durante el semiciclo positivo el diodo conduce y el condensador
se carga con la polaridad indicada

Figura 6-32 funcionamiento cuando aparece el semiciclo positivo.
El voltaje de lo enc os a partir de la siguiente expresin:

Durante el semiciclo negativo , el diodo conduce, el condensador
se carga con la polaridad indicada.

Figura 6-33 funcionamiento durante el semiciclo negativo.
El voltaje de lo encontramos a partir de la siguiente expresin:

Conectando diodos y condensadores adicionales , se puede lograr que
el voltaje de salida sea de: dos, tres ,cuatro ,cinco, y as
sucesivamente veces el voltaje de entrada como lo muestra la
siguiente figura.

C4
D4 D2
C3
D3 D1
C1
C2
+
-
Vm
Triplicador 3Vm
2Vm
Doblador 2Vm
Cuadruplicador 4Vm
2Vm 2Vm
-
+
+
- +
-

Figura 6-34 Multiplicador de voltaje con sus valores

47. TALLER CAPITULO 6

Ejercicio No 1: en el siguiente circuito se pide hallar el voltaje DC de
salida , y la corriente que circula por la carga.
Figura 6-35 Ejercicio con seal AC

Vi
0
10 v
10 v
.
.
.
.
+
-
2K
2K
2K
-
+
Vo


.
.
.
.
+ -
2K
2K
2K
-
+
Vo
10 v
Vi
t
.
.
.
.
.
.
2K
2K
2K
+ +
+
- -
-
Vo
Vi

Figura 6-36 Desarrollo para la seal de salida

Desarrollo:el voltaje DC es:

V Vm
Vp
Vm 18 . 3
14 . 3
5 2 2

Ahora la corriente en la carga es:

mA I
K
V
I
R
Vm
I 09 . 1
2
18 . 3

Ejercicio No 2: Dibuje Vo para la entrada que se indica:

Vo
t
.
20 v
t
2K
Vi
20 v
20 v
Vi

Figura 6-37 Ejercicio con seal AC Seal de salida
para la figura 6-37

Ejercicio No 3: Dibuje Vo para la red indicada:

Vi
. .
.
2,2K
2,2K
2,2K
Vo
. .
.
170 v
170 v
t
Vi
+
-


Vo
t
85 v

Figura 6-39 desarrollo del ejercicio:

Ejercicio No 4: en el siguiente circuito se pide hallar la corriente que
circula por la carga.

20 v
- 20 v
-
t
+
Vi
2,2K


Desarrollo:

Vo
t
20 v


La corriente que circula por la carga es:

mA I
K
V
I 8 . 2
2 . 2
36 . 6

48. EJERCICIOS DE APLICACION SOBRE DIODOS EN AC

Ejercicio No 1:hallar la corriente sobre la carga.


Desarrollo:

Ejercicio No 2: hallar la corriente por la carga:


Ejercicio No 3: en el siguiente circuito se pide hallar el voltaje de
corriente continua sobre la resistencia de 1 .

Desarrollo:

Ejercicio No 4: hallar el sobre la carga por el siguiente
circuito con diodos ideales.


Desarrollo:
Se tiene rectificacin de onda completa, la seal de salida es:

Igual ocurre para el semiciclo negativo:

El voltaje

Ejercicio No 5: por medio de un diodo disee un circuito que le vare
la velocidad a un motor de corriente alterna.
Desarrollo:


Llevando la lnea de alimentacin a la posicin 2 el motor trabaja
durante todo el ciclo (ms rpido), llevando la lnea de alimentacin
a la posicin 1 el motor trabaja solo durante medio ciclo (ms
despacio.)

Ejercicio No 6: en el siguiente circuito se pide dibujar el voltaje sobre
la carga y sobre el diodo. Considere un diodo ideal.

Figura 6-47 ejercicio de aplicacin curvas de salida.

Ejercicio No 7: explique en qu consiste el de un diodo?
Quiere decir voltaje pico inverso, y se refiere al voltaje que
soporta cuando esta polarizado inversamente por ejemplo si tenemos
un diodo conectado a la red cuando aparece el semiciclo
negativo, el diodo soporta , este es su , (para que el diodo
no se dae debo conseguir un diodo con un PRV 110 .
Sera aconsejable conseguir el diodo con un PRV de 400V.

Ejercicio No 8: en el siguiente circuito la corriente de salida es
, se pide hallar el de entrada, considere el diodo ideal.


Desarrollo:

Ahora:

Ejercicio No 9: en el siguiente circuito se pide hallar la potencia
consumida por la carga.

Desarrollo:

Como el diodo es de Silicio el voltaje en la carga es:

El sobre la carga es:
La corriente sobre la carga es:
La potencia en la carga es:

Ejercicio No 10:para una misma entrada en un circuito con
transformador con derivacin central y otro circuito con puente, en
cual circuito es menor el ?

F 6-50 ejercicio de aplicacin.
Desarrollo: el PRV =voltaje pico inverso se presenta en los diodos
durante el semiciclo negativo (cuando un diodo est abierto) .En la
figura 6-50 se observa que el PRV para el circuito en puente es igual
a por lo tanto es menor para el circuito en puente.

49.DIODO ZENER

El diodo zener es un diodo que est diseado para trabajar cuando
esta polarizado inversamente, como lo muestra la curva caracterstica
del diodo, y son diodos fuertemente dopados.

Smbolo:
Ctodo
Anodo

Figura 6-51 Smbolo del diodo Zener
Como se dijo anteriormente el diodo zener conduce en inverso para
un voltaje determinado.

Esto quiere decir por ejemplo que si el diodo zener es de:

5 voltios entonces comienza a conducir a partir de 5 voltios
10 voltios entonces comienza a conducir a partir de 10 voltios

El circuito utilizado para su funcionamiento es:

V 10v z =
1K
Vi

Figura 6-52 Circuito explicativo funcionamiento del diodo zener

Supongamos que Vz = 10V entonces

Para valores de menores de 10 V el circuito se encuentra abierto
no hay corriente en el circuito.

Si Vi = 11 voltios entonces Vz = 10 V VR = 1 V




Si Vi = 30 voltios entonces Vz = 10 V VR= 20 V

En estas condiciones circula corriente por el circuito

Ejemplo en el siguiente circuito se pide hallar la corriente que circula
por el diodo zener.

V 12v z =
2K
20v

Figura 6-53 Ejercicio de aplicacin

Desarrollo:

mA I
V
K
V
I
Voltios V V V V
R
R R
4
K 2
8
2
8 12 20

Quiere decir que el circuito funciona y que por el circulan 4 mA, por
lo tanto
Una de las principales aplicaciones del diodo zener es como regulador
(mantiene el voltaje fijo).
Esto es muy til porque se puede utilizar en circuitos donde la seal
de entrada es variable, y se necesita que el voltaje sobre la carga
permanezca igual ,independiente de las variaciones de la entrada,
esto es lo que se entiende por regulacin.

Ejemplo:
Disear un circuito con diodo zener que alimente una carga de 12
voltios, y que por ella circule una corriente de 10 mA.

Desarrollo:
Debo utilizar un diodo zener de 12 voltios como se puede ver en la
siguiente figura:

V 12v z =
RZ
Vi
RL
10 mA

Figura 6-54 Diseo del circuito

Efectuando clculos:
K R
mA
V
I
V
R
L
Z
L
2 . 1
10
12000
10
10 * 12
10
12
3

Asumo que por el zener circulan 5 mA
La corriente total es de 15 mA
Asumo RZ = 500
entonces VRZ = 15 mA ( 500 ) entonces VRZ = 7,5 voltios

Vi = 7,5 voltios + 12

entonces Vi = 19,5 voltios
El circuito funciona correctamente.

EJEMPLO: en el siguiente circuito se pide hallar el valor de .

Figura 6-55 ejercicio de aplicacin

DESARROLLO: en caen la corriente en la carga de es:

Ahora:
Prueba:

EJEMPLO: disee un circuito para que produzca una salida fija
de12voltios, y una corriente de por la carga, la corriente
mxima del zener es de

DESARROLLO:
El circuito correspondiente es:


Si hago que circulen por el diodo zener +10mA
Ahora :

EJEMPLO: en el siguiente circuito se pide hallar el valor de


Desarrollo:
Lo cual quiere decir que el diodo zener no est trabajando.
Ahora :

EJEMPLO:
Para el siguiente circuito se pide hallar:

Desarrollo:

Ahora :

CAPITULO 7

EL TRANSISTOR.

50. INTRODUCCIN.

Con la aparicin de las comunicaciones por medio de la radio se
desarrolla la amplificacin de seales utilizando el trodo de vaco y la
tecnologa de tubos de vaco cumpli un papel importante en la
electrnica, de aquella poca.
A mediados del siglo XX aproximadamente la tecnologa de los
semiconductores desplaza a la tecnologa de los tubos de vaco,
permitiendo que el transistor aparezca como el principal dispositivo
utilizado en la amplificacin de seales.

51. OBJETIVOS:

52.TRANSISTOR

Las principales ventajas del transistor son:
Tamao ms pequeo.
Menos disipacin de calor.
No necesita calentamiento previo.
Materiales de fcil obtencin en la naturaleza.
Trabaja con voltajes ms bajos.
Versatilidad de uso.
Su construccin es ms eficiente y resistente.
Vida til mas larga.

Existen dos tipos de transistores:
Transistor NPN, y Transistor PNP, cuyos smbolos son:

SMBOLOS DEL TRANSISTOR

Desarrollar la teora de funcionamiento del transistor.
Desarrollar e implementar circuitos de propsito general con
transistores.
Identificar el funcionamiento del transistor en circuitos electrnicos.
Transitor NPN
Emisor
Base
Colector
Transitor PNP
Colector
Base
Emisor

Figura 7-1 Smbolos del transistor

Donde los terminales son: EMISOR , BASE, COLECTOR.

El emisor se encarga de emitir electrones o portadores.
La base se encarga de regular el paso de electrones o portadores
emitidos por el emisor. El colector se encarga de recoger (recolectar)
los electrones o portadores que emite el emisor, y que han sido
regulados por la base.
El smbolo de la flecha entrando o saliendo (en el emisor), indica el
sentido en que circula la corriente.

CONSTRUCCION:
Vamos a construir el transistor a partir de una unin PN polarizada
inversamente.
As:

P

N

+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+ +
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+ +
+
+ +
+
+ +
+ +
+ +
+
+ +
++
+ +
I = 0

Figura 7-2 Unin PN inversamente polarizada

Si polarizo esta unin inversamente, no hay flujo de portadores
mayoritarios.(nicamente hay flujo de portadores minoritarios).

(a) I = O

Ahora supongamos que tengo una gran cantidad de electrones y
quiero movilizarlos entonces llego a esta situacin:

(b)

+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
N
P
N
Emisor
Colector
Base
VEB VCB

Figura 7-3 Electrones que se le aaden a la unin PN polarizada
inversamente

A este arreglo se le llama transistor NPN , tambin existe el transistor
PNP
Se puede considerar como un emparedado NPN o como un
emparedado PNP

Funcionamiento:

En (a) no hay flujo de corriente I=0 por estar polarizada
inversamente la unin colector base.
En (b) se le aadi un trozo de material N y se polariza directamente
la unin emisor base para que haya flujo de portadores desde el
emisor.
Como el diodo emisor base est directamente polarizado entonces
hay un flujo de portadores mayoritarios (electrones) de N a P.
Al pasar los electrones de N a P o sea a la base, ocurre que estos se
convierten en portadores minoritarios (porque en la base P los
portadores mayoritarios son huecos).
Ahora: como la unin base colector esta inversamente polarizada ,el
electrn o electrones que lleguen a la base se van a desplazar a lo
largo de la unin colector base ,cosa que al principio no ocurra tal
como se mostr en la figura (a).

En esto consiste el efecto transistor.

Obsrvese como finalmente hay flujo de electrones, a travs de una
unin polarizada inversamente a pesar de que inicialmente no haba
flujo de electrones.

Esta es la idea bsica que vamos a tener del transistor.
Nemotecnicamente vamos a imaginarnos el transistor como:
transistor=
Fuente de corriente = flujo de electrones que se desplazan a travs
de una impedancia infinita.

Esa es la idea que vamos a tener mentalmente para el transistor.

ANALISIS DE CORRIENTES:

+
+ +
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
P N P
Emisor
Colector
IE IC
IB
VEB
VCB
IC0

Figura 7-4 Anlisis de corrientes del transistor

Como vimos inicialmente en la unin CB la corriente que fluye es la
de portadores minoritarios, por estar inversamente polarizada, esta
corriente se denota: ICO = Is = corriente de fuga 0.
Cuando conecto el emisor entonces hay flujo de electrones, algunos
salen hacia la base y los otros llegan al colector. Esto se puede
escribir as:

Normalmente:
IE es del orden de mA
IB del orden de A

Nota:
En definitiva: la corriente que llega al colector es:

Esta expresin significa que en la unin hay flujo de portadores
originado por los portadores mayoritarios (debidos a la impureza) Y
portadores minoritarios (debidos a la temperatura).
Finalmente esta expresin se puede escribir como:

IC = IC mayoritarios + IC0 minoritarios
IC= IE + Ico

Como se pudo evidenciar en la construccin del transistor ,para que
este funcione, la unin emisor base debe estar polarizada
directamente ,y la unin colector base debe estar polarizada
inversamente la polarizacin anterior es una estructura bsica para
que el transistor funcione correctamente, y adems de eso
amplifique.

AMPLIFICACION DEL TRANSISTOR

En el tem anterior vimos la polarizacin del transistor para que haya
flujo de electrones, y vimos las expresiones para la corriente as:

IE = IB + IC

IC = I mayoritarios + I minoritarios

IC= IC mayoritarios + IC0 minoritarios

Ahora vamos a analizar que ocurre cuando a la entrada del transistor
tenemos una seal variable con el tiempo, y estamos interesados en
conocer la seal de salida. Para ello tomemos el siguiente circuito:
donde se ha omitido la polarizacin.

10K
Vo

Figura 7.5 Circuito para observar amplificacin del transistor

Si aplicamos a la entrada una seal alterna de del circuito se
sabe que : El circuito de entrada corresponde a una unin polarizada
directamente, por lo tanto la corriente de entrada es:

IMPORTANTE: la resistencia de la unin base emisor es 10 porque
la unin esta polarizada directamente, y esta resistencia es baja.
Como la corriente de salida IC = IE entonces Ic = 2 mA
Voltaje de salida: VO = IO Rc entonces VO = 2 mA (10K)
Entonces VO = 20 voltios.

Se observa que el voltaje de salida es ms grande que el voltaje de
entrada.
A esto se le llama amplificacin.
Veamos de cuanto fue esta ganancia.

1000
2
10 * 20
10 * 20
20
3
3
V
V
V
A
i
O
V

Observamos que hubo una ganancia de 1000.
A que se debi la ganancia?

Ntese que: El circuito de entrada tiene baja resistencia.
El circuito de salida tiene alta resistencia.
Por lo tanto la alta impedancia de salida hace que el voltaje de salida
sea alto.

A eso se debe la accin amplificadora del transistor o sea que hay
una transferencia de resistencia

Esto es TRANSISTOR = Transferencia de Resistencia.
IMPORTANTE: El efecto amplificador del transistor se puede asimilar a
una prensa hidrulica, donde una pequea fuerza a la entrada, hace
que se produzca una gran fuerza a la salida.
Debido a la diferencia de rea en la prensa.
Debido a la diferencia de resistencia en el transistor.

CONFIGURACIONES BASICAS DEL TRANSISTOR

Existen tres configuraciones bsicas que permiten operar el transistor
en sus diferentes aplicaciones:
Estas configuraciones son:

Emisor comn

Base comn

Colector comn

CONFIGURACION BASE COMUN:

Emisor Colector
Entrada Salida
Base

Figura 7-6 Figura configuracin base comn

Se llama base comn porque la base es comn al circuito de entrada
y de salida.

Para que funcione correctamente, la unin emisor base debe estar
polarizada directamente, y la unin colector base debe estar
polarizada inversamente, como se puede observar en la siguiente
figura:

Emisor
Colector
Base

Figura 7-7 Configuracin base comn con sus fuentes

Para comprender el funcionamiento de esta configuracin recurrimos
a dos conjuntos de curvas:

Curva para el circuito de entrada.
Curva para el circuito de salida.

CURVAS DEL CIRCUITO DE ENTRADA:

Figura 7-8 Curva del circuito de entrada

Corresponde a la curva caracterstica de un diodo polarizado
directamente, en este caso el diodo (base emisor).

CURVA DEL CIRCUITO DE SALIDA:

Figura 7-9 Curva del circuito de salida base comun

Corresponde a la curva de un diodo polarizado inversamente.
Se toma el voltaje colector base aplicado VS IC, de acuerdo a
valores que va tomando IE.

Se nota en la figura que: IE IC. La corriente de colector es
aproximadamente igual a la corriente de emisor.

En esta curva se definen tres regiones de funcionamiento para el
transistor que son:

Regin Activa: en esta regin se observa que la corriente de colector
sigue a la corriente de emisor, y el dispositivo amplifica voltaje.
Regin de Corte: en esta regin se observa que no hay corriente en
el transistor , cuando IE = o entonces IC = o, el dispositivo no
amplifica voltaje
Regin de Saturacin: en esta regin se observa que la corriente de
colector es mxima, y no sigue a la corriente de emisor.
El dispositivo no amplifica voltaje.

CARACTERISTICAS DE LA CONFIGURACION BASE COMUN:

Ganancia de corriente unitaria Ai 1, IE IC.
Ganancia de voltaje altsima Av >>.
Regin Activa: Hay amplificacin de voltaje.
Diodo base emisor polarizado directamente.
Diodo colector base polarizado inversamente.

Regin de corte: El diodo base emisor polarizado inversamente ,diodo
colector base polarizado inversamente.
No hay corriente en el circuito.

Regin de saturacin: El diodo base emisor polarizado directamente.
El diodo base colector polarizado directamente.
La corriente de salida es mxima.

Se define = ganancia de corriente en base comn.

C E
E
C
I I porque
I
I
1

CONFIGURACION EMISOR COMUN

En esta configuracin, el emisor es comn al circuito de entrada y al
circuito de salida ,como se puede observar en la figura.

Base
Colector
Emisor
Entrada
Salida

Figura 7-10 Configuracin de emisor comn

Para que funcione el transistor , la unin base emisor debe estar
polarizada directamente, la unin colector emisor debe estar
polarizada inversamente.

Como se puede apreciar en la siguiente figura:
VBE
VCE
Base
Colector
Emisor
Emisor
Colector
Base
VBE
VCE
E
C
B
C
B
E

Figura 7-11 Configuracin de emisor comn con sus fuentes

En la configuracin emisor comn se define la ganancia de corriente

B
C
I
I
.
Lo cual quiere decir que aplicando una pequea seal en la base
vamos a obtener una gran seal en el colector.

CURVAS CARACTERISTICAS

Tenemos dos curvas caractersticas:
Una correspondiente al circuito de entrada diodo base emisor.
Una correspondiente al circuito de salida diodo colector emisor.

CIRCUITO DE ENTRADA

Figura 7-12 Curva del circuito de entrada.

Esta curva corresponde a la curva caracterstica de un diodo.

CIRCUITO DE SALIDA

Figura 7-13 Curva del circuito de salida emisor comun

La curva del circuito de salida corresponde al VCE contra IC
Para diferentes valores de IB

Por ejemplo para IB = 10 A, IC = 1 mA.
IB = 20 A, IC = 2 mA.
IB = 30 A, IC = 3 mA.
Se observa que hay una amplificacin de corriente.
La corriente de entrada es pequea, mientras que la corriente de
salida es grande.
Tambin tenemos las tres regiones:

Regin Activa: Diodo base emisor directamente polarizado.
Diodo colector emisor inversamente polarizado.
El dispositivo amplifica voltaje.

Regin de Corte: Diodo base emisor inversamente polarizado.
Diodo colector emisor inversamente polarizado.
No hay corriente en el dispositivo.

Regin de Saturacin: Diodo base emisor directamente polarizado.
Diodo colector emisor directamente polarizado.
La corriente es mxima.

RELACION ENTRE y

Partiendo de la expresin: IE = IB + IC

1 1
1
,
E
C
C
E
E
C
E
C B E
B
C
E
C
I
I
I
I
I
I
I
I I I
I
I
I
I

1

CONFIGURACION COLECTOR COMUN:

En esta configuracin, el colector es comn a la entrada y a la salida,
como lo muestra la siguiente grfica:

Salida
Colector
Base
Emisor
Colector
Base
Emisor
Entrada
Salida

Figura 7-14 Configuracin colector comn

Como su nombre lo indica, el colector es comn a la entrada y la
salida.

Emisor
Base Base
Emisor
Colector Colector

Figura 7-15 Configuracin colector comn

Las curvas caractersticas son las mismas que corresponden al
circuito de emisor comn, tanto para el circuito de entrada, como
para el circuito de salida.
Tambin tiene las tres regiones de operacin.
Regin Activa: Diodo base colector directamente polarizado.
Diodo emisor colector inversamente polarizado.
El dispositivo amplifica voltaje.

VBC
VEC
VBC

Figura 7-16 Configuracin colector comn con sus fuentes

Regin de Corte: Diodo base colector inversamente polarizado.
Diodo emisor colector inversamente polarizado.
No hay corriente en el dispositivo.
No hay amplificacin de voltaje.

Regin Saturacin: Diodo base colector directamente polarizado.
Diodo emisor colector directamente polarizado.
La corriente es mxima.

ESPECIFICACIONES DE LOS TRANSISTORES:

Existen hojas proporcionadas por el fabricante, donde aparecen todas
las especificaciones.
Para nuestro caso son muy importantes las siguientes
especificaciones:
Corriente de colector Ic me dice cual es la corriente mxima que
puede manejar el transistor.
Va del orden de mA hasta amperios, dependiendo de la arquitectura
del dispositivo.
Beta: = = factor de amplificacin de corriente este parmetro
vara con la temperatura y tiene valores aproximadamente desde 30
hasta 300 veces.

Potencia se refiere a la cantidad mxima de disipacin que puede
soportar el dispositivo.
Su valor est comprendido desde el orden de miliwatios hasta watios,
dependiendo de la geometra del dispositivo.

Voltaje: VCE = se refiere al mximo voltaje que puede soportar entre
colector y emisor el dispositivo.

Frecuencia: se refiere a la mxima y mnima frecuencia de trabajo.
Por ejemplo: Audio
Radiofrecuencia.

Temperatura: se refiere a los rangos mximos y mnimos que puede
soportar la juntura. 55 C 150 C

VBE= voltaje entre base y emisor mximo que puede soportar sin
que se deteriore el dispositivo.
Normalmente 0.7 voltios, si el transistor es de Silicio, 0,3 voltios si
el transistor es de Germanio.

PRUEBA DE LOS TRANSISTORES

Dado que un transistor son dos uniones P N, se puede considerar
que esta compuesto por dos diodos y la prueba consiste en probar
estos dos diodos.
Para ello procederemos de la siguiente manera:
Tomo un VOM Digital y lo coloco en la escala de diodo.
Asumo que cualquier terminal del dispositivo es la base esto lo
compruebo midiendo con los otros dos terminales.
Y debo medir:
Conduce----Conduce
Abierto------Abierto

IMPORTANTE: en conduce- conduce me mide el V =0.7 V
En abierto-abierto me mide infinito.
Una vez identificada la base identifico el colector.
As: busco donde me mida conduce-conduce y donde mida el menor
valor. Ese terminal corresponde al colector.
Para saber si el transistor es NPN, o PNP mido donde conduce-
conduce y miro que punta tiene conectada la base
Si tiene conectada la punta negra entonces el transistor es PNP.
Si tiene conectada la punta roja entonces el transistor es NPN.
Vale la pena destacar que hoy en da la mayora de instrumentos de
medida traen incorporada una prueba muy sencilla para identificar los
transistores.

TALLER CAPITULO 6

(1) Qu entiende por fuente de corriente?
Es un flujo de electrones en un dispositivo y se representa as:

I

En un transistor concretamente fluyen electrones a travs de
una impedancia infinita.

Figura 7-17 Fuente de corriente

(2) Por qu amplifica un transistor?
Por la transferencia de resistencia:
Conjunto de entrada = resistencia baja
Conjunto de salida = resistencia alta.

(3) Escriba la principal ecuacin de corriente del transistor y
explquela.
IE = IB + IC

Quiere decir que la corriente de emisor es igual a la corriente de
base ms la corriente de colector, o que la corriente de emisor se
reparte una para la base y otra para el colector.

(4) Cmo se deben polarizar las dos uniones del transistor para una
Operacin de amplificacin correcta?

Se deben polarizar as:

Base emisor directamente
Base comn
Colector base inversamente

Base emisor directamente
Emisor comn
Colector emisor inversamente

Base colector directamente
Colector comn
Emisor colector inversamente

(5) Dibuje los smbolos de transistores NPN, PNP

Transitor PNP Transitor NPN
Emisor
Base
Colector Colector
Base
Emisor

Figura 7-18 Smbolos del transistor

(6) Por que se le llama transistor bipolar BJT?
Porque se tiene en cuenta que hay dos tipos de portadores huecos y
electrones.

(7) Cual de las corrientes del transistor es siempre la mayor?
Cul siempre la menor?
Cules de las dos corrientes son relativamente cercanas en
magnitud?

IE = IB + IC IE es la corriente mayor

IB es la corriente menor

IE IC son muy cercanas

(8) Si la corriente de emisor de un transistor es:

C
I es I e mA
100
1
8

Hallar IB = ?

Hallar IC = ?

mA I I I como
A I
A
mA
I
C C E
B
B
8
80
80 10 * 8
100
8
5

(9) Escriba las expresiones de ,

1
,
1

10)Mencione dos caractersticas de la configuracin base comn.
Ganancia de voltaje alta
Ganancia de corriente unitaria

11) En un transistor cortado:
a) Ic= Ic max
b) VBE = 0,7v
c) VRE=0
d) Ninguna de las anteriores.

Respuesta c).

12) En una configuracin emisor comn:
a) La corriente es mxima.
b) Se encuentra en corte.
c) El diodo base emisor esta polarizado inversamente.
d) El diodo colector emisor esta polarizado directamente.
Respuesta e).

13) Que ocurre si las dos uniones de un transistor se encuentran
polarizadas directamente?
Respuesta el transistor se satura.

14) Qu ocurre en un transistor si ambas uniones se polarizan
inversamente?
Respuesta: el transistor se bloquea.

15) Si en un transistor el voltaje colector emisor es cero VCE=0.
a) El transistor amplifica voltaje.
b) El transistor no amplifica voltaje.
c) El transistor se encuentra bloqueado.
d) Ninguna de las anteriores.
Respuesta b).

POLARIZACION DEL TRANSISTOR

Hasta ahora nos hemos ocupado de conocer las caractersticas y el
funcionamiento general del transistor, sin tener en cuenta como
debe estar polarizado para que pueda operar correctamente.
Demos una idea de que es polarizar un transistor:

Polarizar un transistor es buscarle un punto adecuado de
trabajo.
Esto tiene que ver con los voltajes DC aplicados para lograr
esto.
Veamos por medio de una grfica que es lo que se quiere dar a
entender.

REGION DE SATURACION
REGION DE CORTE
I (mA) C
VCE
A
B
C

Figura 7-19 Punto de trabajo del transistor

En la curva anterior tengo tres posibles puntos de trabajo A, B, C.
El punto A esta muy cerca de la regin de saturacin.
El punto C esta muy cerca de la regin de corte.
El punto B esta en la regin activa, como un punto intermedio que no
se acerca ni al corte, ni a la saturacin.
IMPORTANTE: en la regin activa hay amplificacin de voltaje y hay
buena corriente de colector, por lo tanto el punto B ,es un punto
optimo para trabajar el transistor.
Adems el transistor en ese punto no se encuentra ni saturado, ni
cortado.
Esto quiere decir que la unin base emisor debe estar directamente
polarizada.
La unin colector emisor debe estar inversamente polarizada.
Esto si se trata de una configuracin emisor comn, y teniendo en
cuenta el punto de trabajo del transistor.
Existen varios circuitos de polarizacin veamos algunos de ellos:

CIRCUITO DE POLARIZACION FIJA

Figura 7-20 Circuito de polarizacin fija

Es un circuito muy sencillo y de fcil manejo para su anlisis
utilizamos el mtodo de anlisis de mallas.

Malla de entrada
A ambas mallas le aplicamos LKV
Malla de salida

Malla de entrada

BE B B CC
BE RB CC
V R I V
V V V

Pero VBE = 0.7V porque esta en la regin activa, el diodo base
emisor est polarizado directamente.

B
BE CC
B
B B BE CC
R
V V
I
R I V V

Expresin que me permite encontrar el valor de la corriente de
entrada IB.
La corriente de salida es: Ic = IB

IMPORTANTE

E C
E C
I I
prcti casos para luego I I : cos

Malla de salida:

CE C C CC
C C RC
CE RC CC
V R I V
R I V
como
V V V

La polarizacin se refiere a voltajes DC pero la seal de entrada es
AC, y la salida AC.

IMPORTANTE: Con estas formulas es posible obtener cualquier
informacin acerca del transistor.
Por ejemplo si encuentro la corriente de base, entonces puedo hallar
la corriente de colector, y con esta corriente, puedo encontrar
cualquier requerimiento.

Ejemplo: en el siguiente circuito se pide hallar:

IC =? VB =?
VBC =?
VCE =? VC =?


Desarrollo:

Voltios V
V V V
V V V
Voltios V V
activa regin la en estar por V V V
V V
K mA V V
V V V V V V
mA I
A I I I
I hallo Ahora
A I
K
V V
I
R
V V
I
I hallo imero
BC
BC
C B BC
CE C
BE B
CE
CE
RC CC CE CE RC CC
C
C B C
C
B B
B
BE CC
B
B
13 . 6
83 . 6 7 . 0
83 . 6
7 . 0
83 . 6
2 . 2 35 . 2 12
35 . 2
08 . 47 50
08 . 47
240
7 . 0 12
Pr

RECTA DE CARGA

Para el circuito:

Le corresponden las siguientes expresiones:
C C CC CE
C CC CE
CE C CC
R I V V
VR V V
V VR V

Si tomamos la curva caracterstica del transistor:
La recta de carga es una recta que montamos sobre la curva
caracterstica del transistor, y nos permite observar las variaciones
del punto Q, como se puede ver en la siguiente figura:

IC
VCE
RECTA DE CARGA

Figura 7-23 Recta de carga

En esta curva podemos considerar dos condiciones extremas, a partir
de la expresin:

C C CC CE
R I V V

C
CC
C
C C CC CE
CC CE C
R
V
I
R I V o V
Tambin
V V o I
considerar Podemos

Con esta informacin puedo ubicar dos puntos y trazar una recta que
se llama recta de carga.
Si variamos el nivel de
B
I , por medio de RB vamos a obtener una
variacin del punto Q hacia arriba o hacia abajo.
Si variamos el valor de Ic por medio de Rc. Vamos a obtener un
desplazamiento del punto Q as:

IC
VCE
VCC
RC
VCC
VCC
PUNTO Q
PUNTO Q
IB2
PUNTO Q
IB3
IB1
IC
VCE
VCC
RC3
VCC
R
VCC
RC2
VCC
RC1
VCC
RC1
punto Q punto Q
punto Q
Vcc

Figura 7-24 Recta de carga, desplazamiento del punto Q

En palabras sencillas: vamos a obtener un desplazamiento del punto
Q, variando I
B
o variando Ic. Dependiendo de que para ello lo haga
travs de RB o RC.

SATURACION DEL TRANSISTOR

El transistor se encuentra saturado, cuando ambas uniones se
encuentran polarizadas directamente, veamos:

Figura 7-25 Circuito para saturacin
En estas condiciones la corriente es mxima y el dispositivo no
amplifica voltaje. Si el transistor se encuentra saturado es porque

IC = Ic
mx.
VCE = 0

Ejemplo:

FIG 7-26 nombre de la figura


CIRCUITO DE POLARIZACION ESTABILIZADO EN EMISOR

En el circuito de polarizacin fija estudiado anteriormente ocurre que
si la temperatura aumenta o disminuye, esto va a hacer que el
vari, y al variar este parmetro, va a traer como consecuencia un
desplazamiento del punto Q.

Al desplazarse el punto Q, es posible que me lleve el dispositivo
hacia la saturacin o hacia el corte. Por lo tanto este circuito es muy
inestable (variaciones muy pronunciadas del punto Q.) Para mejorar
este inconveniente, se coloca una resistencia en el emisor, veamos:

Figura 7-27 Circuito estabilizado en emisor

ANALISIS:

Malla de entrada:

E B
BE CC
B
E B B BE CC
E B B B BE CC
E B BE B B CC
RE BE B R CC
R R
V V
I
R R I V V
R I R I V V
R I V R I V
V V V V
1
1
1
1

Malla de salida:

Ejemplo: para el siguiente transistor , se va a analizar la
estabilidad.

Figura 7-28 Ejercicio de aplicacin, anlisis de estabilidad.

Desarrollo:

B B CC B
RE BE B
C C CC C
E C CE C
E C C CC CE
E C C CE CC
E C
E C CE C C CC
RE CE RC CC
R I V V
V V V
R I V V
R I V V
R R I V V
R R I V V
I I
R I V R I V
V V V V
V V
V V V
V V V
V V V
V V
V V V
V V V
V V
V V V
V V V
V V V
Ahora
V V
K mA V
R I V V
V V
K mA V
R R I V V
mA I
mA I
I I
A I
K K
I
R R
V V
I
CB
CB
BE CE CB
CE BE CB
B
B
RE BE B
RE
RE
CE C RE
RE CE C
C
C
C C CC C
CE
CE
E C C CC CE
C
C
B C
B
B
E B
BE CC
B
27 . 13
7 . 0 97 . 13
71 . 2
01 . 2 7 . 0
01 . 2
97 . 13 98 . 15
:
98 . 15
) 2 ( 01 . 2 20
97 . 13
) 3 ( 01 . 2 20
01 . 2
1 . 40 50
1 . 40
) 1 ( 51 430
7 . 0 20
1

Ahora analicemos la estabilidad del circuito si ocurren variaciones de
la temperatura es decir de :

IB( A) IC (mA) VCE (V)
50 40.1 2.01 13.97
100 36.3 3.63 9.11
25 42.32 1.05 16.82

Figura 7-29 tabla para anlisis de estabilidad con

Si ahora tomamos el mismo circuito pero sin la resistencia de emisor
obtenemos los siguientes valores:

IB( A) IC (mA) VCE (V)
50 44.88 2.24 15,51
100 44.88 4.48 11,02
25 44.88 1.12 17.75

Figura 7-30 tabla para anlisis de estabilidad sin

Comparando las dos tablas se observa que en la primera tabla
(circuito estabilizado) las variaciones de la corriente de colector son
menores e igualmente lo mismo ocurre con las variaciones de VCE.
Lo cual hace que el punto Q se mantenga ms estable en el primer
circuito con respecto al segundo.

Importante: Cuando se trate de escoger un circuito es preferible con
resistencia de emisor, por que es ms estable desde el punto de vista
de la temperatura, lo cual no quiere decir que el circuito sin
resistencia de emisor no se pueda usar.

RECTA DE CARGA

Para el circuito:

Figura 7-31 Circuito estabilizado en emisor

Podemos escribir las siguientes expresiones:

E C
CC
C
E C C CC CE
CC CE C
E C C CC CE
E C C CE CC
E C CE C C CC
RE CE RC CC
R R
V
I
R R I V V Si
V V I Si
Nota
R R I V V
R R I V V
R I V R I V
V V V V
0
0
:

Y con estos valores podemos elaborar la recta de carga, como se
muestra a continuacin.
IC
VCE
RECTA DE CARGA
VCC
VCC
R R C+ E

Figura 7-32 Recta de carga para circuito estabilizado en el emisor

CIRCUITO DE POLARIZACION UNIVERSAL

Es un circuito que mejora ms la estabilidad, porque se hace
insensible a las variaciones de , el diagrama correspondiente se
muestra a continuacin.

Figura 7-33 Circuito de polarizacin universal

Existen dos formas de estudiar el circuito:

(1) Anlisis aproximado.
(2) Anlisis exacto.

ANALISIS APROXIMADO:

Se parte del supuesto de que IB = o (debido a que su valor es muy
pequeo). En estas condiciones podemos hallar VB

E C C CC CE
C E
E
RE
E
BE B RE
RE BE B
B B
B CC
B
R R I V V
I I
R
V
I
V V V
V V V
R R
R V
V
,
2 1
2

Obsrvese que para los clculos no se hace necesario conocer el valor
de .

IMPORTANTE: Adems de lo dicho anteriormente, un circuito
independiente de se puede entender como un circuito donde el
usuario pueda cambiar un transistor por su reemplazo, y el no
afecte el funcionamiento del circuito.

ANALISIS EXACTO

Al circuito:

Figura 7-34 Circuito de polarizacin universal

Le puedo aplicar el teorema de Thevenin en el punto a con respecto
a tierra y encuentro que:

2 1
2 1
2 1
2
B B
B B
TH
B B
B CC
TH
R R
R R
R
R R
R V
V

Entonces el circuito se puede dibujar as: Pendiente del circuito

Figura 7-35 Equivalente Thevenin

Y encuentro las siguientes expresiones:

E C C CC CE
B C
E TH
BE TH
B
E TH B BE TH
E B TH B BE TH
E B BE TH B TH
R R I V V
I I
R R
V V
I
R R I V V
R I R I V V
R I V R I V
1
1
1
1

Ejemplo: para el siguiente circuito hallar IC, VCE por ambos mtodos
y comparar, del transistor =50. Colocar valores y borrar el otro


METODO EXACTO: Aplicando el teorema de Thevenin tenemos que:

K
K
K K
R
V
K
K V
V
TH
TH
43 . 17
104
22 * 82
8 . 3
104
22 . 18

El circuito correspondiente es:

Figura 7-37 Ejercicio de aplicacin equivalente Thevenin

Voltios V
K mA V V
R R I V V
mA I
I I
A
K K
V V
I
CE
CE
E C C CC CE
C
B C
B
58 . 4
) 8 . 6 ( 97 . 1 18
) (
97 . 1
47 . 39
) 2 , 1 ( 51 34 . 17
7 . 0 8 . 3

METODO APROXIMADO:

V V
K mA V V
R R I V V
mA I
K
V
I
R
V
I
V V V V
V V
K
K V
V
CE
CE
E C C CC CE
E
E
E
RE
E
RE
B
B
43 . 0
) 8 . 6 ( 5 . 2 18
8 5 . 2
2 . 1
1 . 3
1 . 3 7 . 0 8 , 3
8 . 3
104
) 22 ( . 18

En este ejercicio hay una gran diferencia en los resultados obtenidos
por ejemplo:

IC = 1,97 mA IC = 2,58 mA
Existe gran diferencia.
VCE = 4,58 V VC = 0,43 V
METODO EXACTO METODO APROXIMADO.

En este caso no sera aconsejable aplicar el mtodo aproximado; para
estar seguros de que el mtodo aproximado se puede utilizar, hay
que aplicar el criterio de:

RE > 10 RB2

Comprobndolo para el ejercicio anterior tenemos que:

50 (1.2K ) > 10 (22K )

60K > 220 K No se cumple.

Ejemplo para el siguiente circuito el del transistor es 140; Hallar
IC, VCE por el mtodo exacto y aproximado y comparar. Colocar
valores y borrar el otro


METODO EXACTO

V V
K K mA V V
R R I V V
mA I
I I
A
K K
V V
I
K R
K K
K K
R
V V
K K
K V
V
CE
CE
E C C CC CE
C
B C
B
TH
TH
TH
TH
26 . 12
5 . 1 10 85 . 0 22
85 . 0
05 . 6
5 . 1 141 55 . 3
7 . 0 2
55 . 3
9 . 3 39
9 . 3 39
2
9 . 3 39
9 . 3 22

METODO APROXIMADO:

V V
K mA V V
R R I V V
mA I
K
V
I
V V
V V V
V V
K K
K V
V
CE
CE
E C C CC CE
E
E
RE
RE
B
B
03 . 12
5 . 11 86 . 0 22
86 . 0
5 . 1
3 . 1
3 . 1
7 . 0 2
2
9 . 3 39
9 . 3 22

Se observa que son muy similares los valores de corriente de colector
0,84 mA VS 0,86 mA y VCE 12,26 V VS 12,03 V. Veamos si cumple
con el criterio de:

condicin la Cumple K K
K K
R R
B BE
20 210
2 10 5 . 1 140
10
2

Ejercicio: Ahora analicemos que ocurre con IC, VCE, Si tiende 2
y cuando tiende a /2 por ambos mtodos.

METODO EXACTO:

V V
K mA V V
R R I V V
A I
K K
V V
I
K R
V V
V V
K mA V V
R R I V V
mA I I I
A
K K
V V
I
K R
V V
CE
CE
E C C CC CE
B
B
TH
TH
CE
CE
E C C CC CE
C B C
B
TH
TH
15 . 12
5 . 11 85 . 0 22
05 . 3
5 . 1 281 55 . 3
7 . 0 2
55 . 3
2
2
4 . 12
5 . 11 82 . 0 22
82 . 0
81 . 11
5 . 1 71 55 . 3
7 . 0 2
55 . 3
2
2 /

METODO APROXIMADO:

V V
K K mA V V
R R I V V
mA I
K
V
I
V V V V V
V V
K K
k V
V
CE
CE
E C C CC CE
E
E
RE RE
B B
03 . 12
) 5 . 1 10 ( 86 . 0 22
86 . 0
5 . 1
3 . 1
3 . 1 7 . 0 2
2
39 9 . 3
9 . 3 22
2 , 2 /

Nota:
se observa que los resultados obtenidos con el mtodo exacto y el
mtodo aproximado son muy similares.
Adems se observa que el circuito es muy estable trmicamente,
porque cuando tiende a /2 y a 2 los valores de IC, VCE se
mantienen sin mayor modificacin.
El circuito de polarizacin universal es muy sencillo y confiable para la
mayora de aplicaciones de propsito general.

POLARIZACION POR RETROALIMENTACION DE VOLTAJE

El circuito utilizado se muestra a continuacin e igualmente el anlisis
respectivo.

Figura 7-39 Circuito retroalimentado

Del circuito tenemos que:

E C B
BE CC
B
B E C B BE CC
E B BE B B C B CC
RE BE RB RC CC
B C
B B C
C B C
R R R
V V
I
R R R I V V
R I V R I R I V
V V V V V
I I
I I I
I I I
1
1
1 1
1 '
'
'

La malla colector emisor es igual.

E C C CC CE
R R I V V

Ejemplo en el siguiente circuito:

Hallar IC =?
VCE =?

Desarrollo:
V V
K K mA V V
R R I V V
mA I
I I
A I
K K
V V
I
CE
CE
E C C CC CE
C
B C
B
B
72 . 3
2 . 1 7 . 4 06 . 1 10
06 . 1
81 . 11
9 , 5 91 250
7 . 0 10

TALLER CAPITULO 7

Por medio de este taller se pretende que el estudiante adquiera la
suficiente destreza para resolver problemas de circuitos electrnicos.

Esto es importante porque logrando este objetivo el estudiante
prcticamente esta en la capacidad de comprender el funcionamiento
de cualquier circuito electrnico.

1) Qu es polarizar un transistor?

R. Polarizar un transistor es buscarle un punto de funcionamiento
adecuado de trabajo y colocarle para ello alimentacin D.C.

2) Dibuje un circuito de polarizacin universal.

Figura 7-41 circuito de polarizacin universal.

4) Para que se utiliza la recta de carga del transistor?

R. Para conocer el punto de trabajo y las condiciones extremas de
funcionamiento como el corte y la saturacin.

5) En el siguiente circuito se pide hallar:


DESARROLLO:

VB = VBE - 9V ? VB = 0,7 - 9V 9V - IB . RB - 0,7 = 0

9V - 0,7 = IB . RB IB =
k 100
7 , 0 9
IB =
k
V
100
3 , 8

uA I I I
C B C
3 , 8 45

V V V
mA V V
V V mA V V R I
V V VR
CE
CE
CE CE C C
CE C
48 , 4 9
2 , 1 73 , 3 9
0 9 2 , 1 73 , 3 0 9 .
0 9

9 52 , 4 9 V V V V
CE CE C

6) En el siguiente circuito se pide hallar: Ic=?,
V V
B
3 , 8

IB = 83uA
mA I
C
73 , 3

V V
CE
52 , 4

V V
C
47 , 4

Figura 7-43 Ejercicio de aplicacin.
Desarrollo:

7 , 4 121 680
07 20
1
V V
I
R R
V V
I
B
C B
BE CC
B

B C
I I

RC CC CE CE RC CC
V V V V V V

) 7 , 4 ( 85 , 1 20 mA V V
CE

7) En el siguiente circuito se pide hallar :

V V
CE
3 , 11

mA I
C
85 , 1

Figura 7-44: Ejercicio de aplicacin.

Desarrollo.
BE B B CC
V R I V .

K
V V
I I
R
V V
B B
B
BE CC
500
7 , 0 12

B C
I I

) 2 ( 26 , 2 12 K mA V V R I V V
C C C CC C

8) En el siguiente circuito se pide

Hallar: ?
CE
V


DESARROLLO:

E B B
B B BE B B
E E BE B B
R R I V V
R I V R I V
R I V R I V
) 1 ( 7 , 0 20
. ) 1 ( . 20
. . 20

) 2 ( 91 240
7 , 0 20 V V
I
B

A I
B
6 , 22

mA I
C
26 , 2

voltios V
C
48 , 7

A I
B
73 , 45

E B C
I I I .

) 2 .( 11 , 4 20
20 .
A V V
R I V
CE
E E CE

9) Para el siguiente circuito se pide hallar:


DESARROLLO

1200
7 , 0 4
. 2 , 1 7 , 0 4
0 . 2 , 1 7 , 0 4
V V
I I K V V
I K V V
E E
E

60
75 , 2 A I
I
C
B

Para hallar ?
CB
V

) 75 , 2 ( 2400 10
. 4 , 2 10
mA V V
V I K V
CB
CB E

10) Para el siguiente circuito se pide hallar:

mA I
E
11 , 4

VOLTIOS V
CE
76 , 11

mA I
E
75 , 2
A I
B
83 , 45

VOTIOS V
CB
4 , 3


DESARROLLO:

K K
K K
R R R R
TH B B TH
2 , 2 2 , 8
) 2 , 2 .( 2 , 8
2 1

K
V
I
K K
V
I
R R
V V
I
B B
EE CC
4 , 10
40
2 , 2 2 , 8
40
2 1

V K mA V V R I V
TH B TH
20 ) 2 , 2 ( 85 , 3 20 .
2

Ahora dibujo en el nuevo circuito:

K R
TH
73 , 1

mA I 85 , 3

V V
TH
53 , 11

Figura 7-48: circuito redibujado.

K
V
I
R R
V V V
I
R I V R I V V
B
E TH
B
E B BE TH B
53 , 219
77 , 7
) 1 (
7 , 0 53 , 11 20
. ) 1 ( . 53 , 11 20

) 39 , 35 ( 120 . A I I I
C B C

) 7 , 2 )( 25 , 4 ( 20
.
K mA V V
R I V V
C
C C CC C

) 73 , 1 ( 39 , 35 53 , 11 K A V V
B

11) En el siguiente circuito:
A I
B
39 , 35

mA I
C
25 , 4

Voltios V
C
53 , 8

V V
B
59 , 11

Figura 7-49: Ejercicio de aplicacin.

Dado:
Voltios V
mA I
CE
C
10
2
Hallar:
?
?
1
C
R
R

DESARROLLO:

V V V
K mA V V
B
B
4 , 2 7 , 0
) 2 , 1 ( 2 7 , 0

v v v V
V V V V
V V V V
V V V V V
RC
RE CE CC RC
RE RC CC CE
RE CE RC CC CE
4 , 2 10 18
10

Ahora:
C C RC
R I V .
mA
V
R
C
2
6 , 5

K R
K
V
K R
K V
V
CC
B
18
) 18 ( 18
1 , 3
18
) 18 (
1 1

Voltios V
B
1 , 3

V V
RE
4 , 2

Voltios V
RC
6 , 5

K R
C
8 , 2

K R 52 , 86
1

12) En este circuito se tiene:

mA SAT I SAT I I
C C C
8 ,
2
1
V V
C
18
110


Hallar: ?
C
R ?
E
R ?
B
R

mA I
C
4

mA
V
R V V
C RC
4
10
10

K K R
R K R
K R R
mA
V
R R
SAT I
V
R R
R R
V
SAT I
E
C E
E C E C
C
CC
E C
E C
CC
C
5 , 2 5 , 3
5 , 3
5 , 3
8
28

Ahora:
110
4mA
I
I
I
B
C
B

K R
C
5 , 2

K R
E
1

A I
B
36 , 36

FIG.009
EJERCICIO
DE
APLICACIO
N
K
A
V
R K
A
V V
R
R
I
V V
R
I
V V
R R
R R
V V
I
B B
E
B
BE CC
B
B
BE CC
E B
E B
BE CC
B
111
36 , 36
3 , 27
) 1 )( 111 (
36 , 36
7 , 0 28
) 1 (
) 1 (
) 1 (

13) en el siguiente circuito:


a) Se incrementa o disminuye
C
V si
B
R se aumenta?
b) Se incrementa o disminuye
C
I si se incrementa?
c) Se incrementa o disminuye
C
I si
CC
V se disminuye?

DESARROLLO

a.
C
I depende de ,
B
I hallo
B
I

C B B
E B
BE CC
B
I I R SI
R R
V V
I
). 1 (

C
V depende de
C
I

K R
B
8 , 639

B C
I I .

C C
CC C
C C CC C
V I Si
V I Si
R I V V
.

Finalmente

Como
B
R se aumento
C
I
y como
C C
V I

Respuesta si
B
R aumenta
C
V aumenta

b.
C
I es directamente proporcional a
si se incrementa
C
I aumenta.

c.
C
I es directamente proporcionalmente a
CC
V
si
CC
V disminuye,
C
I disminuye.

14) En el siguiente circuito:

a)Que le sucede a
C
V si el resistor
B
R se abre?
b)Que le pasa al
CE
V si aumenta debido a la temperatura?
c) Como se vera afectado
E
V cuando se reemplace el resistor de
colector con uno, cuya resistencia esta en el extremo inferior del
rango de tolerancia?

DESARROLLO:

a) Si
B
R se abre no hay corriente de base, y por lo tanto no hay
corriente de colector, el transistor se abre y
CC C
V V .

b)
) ( . .
E C C CC CE CE E C C C CC
RE CE RC CC
R R I V V V R I R I V
V V V V

Si
CE C
CE C
V I
V I

Como
C
I es directamente proporcional a

Si aumenta
C
I
Si disminuye
C
I

Finalmente podemos decir que
C
I , por lo tanto
CE
V

c) Si
C
R disminuye
C
I aumenta.
Si
C
I aumenta
E
V aumenta

15) Las mediciones del siguiente circuito indican que la red no esta
funcionando correctamente enumere las posibles razones por lo
ocurrido.

Figura 7-53 Ejercicios de aplicacin

Respuesta: La razn por la cual se miden 0 voltios en emisor es que
el resistor de emisor esta en cortocircuito.

FALTA GRAFICA

DISEO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

Para nosotros en electrnica, el diseo parte de una red bsica, y el
trabajo consiste en encontrar el valor de los elementos (bsicamente
resistencias) que permiten al circuito operar bajo determinadas
condiciones de voltaje, corriente, potencia.

NOTA: el objetivo nuestro es armar un circuito que cumpla con unos
requerimientos exigidos, de tal forma que el diseo se convierta en
una ayuda efectiva y no en una tortura, finalmente debemos ser
capaces de ofrecer uno o varios circuitos que cumplan con los
requerimientos exigidos.

Ejemplo1: Disear el siguiente circuito de tal forma que: mA I
C
2

Figura 7-54 Circuito para diseo.

Desarrollo:

Asumo el valor de Vcc, voy a tomar 20Voltios pero se ha podido
tomar otro valor.

Vc se ubica en la mitad de Vcc por Criterio:

Razones:

Que la seal de salida en AC no se recorte si ocurren desplazamientos
del punto Q por efecto de la temperatura.

VE se toma bien bajo

Criterio:

Para que no tumbe mucho voltaje a la seal AC de salida.

Un criterio excelente es:

CC E
V V
10
1

Ahora:
mA
Voltios
I
V
R
C
E
E
2
2

Voltios V
E
2
K R
E
1

Ahora:
V V V V V V V V V V V V
RC E CE CC RC E CE RC CC
2 10 20

A
Voltios
R
C
2
8

Para hallar .
B
R

A
V V V
R
I
V
R
B
B
RB
B
33 , 13
1 7 , 0 20

A I
mA I
I
B
C
B
33 , 13
150
2

Figura 7-55 circuito diseado con los valores.

NOTA: Para saber si el diseo ha sido correcto hallo
B
I , luego
C
I y
verifico LKV y estos clculos me mostraran si el diseo se elaboro
correctamente.

Importante: un diseo no es necesariamente una camisa de fuerza,
es muy importante tener en cuenta que los juicios del observador son
muy validos, si son aplicados de una forma lgica adecuada.
Voltios V
RC
8
K R
C
4
M R
B
3 , 1

El anterior circuito no funciona nicamente con los criterios
anteriores, pues se han podido tener en cuenta otros criterios o
juicios del diseador.

Ejemplo 2: Disear esta red para una mA I
C
10

Figura 7-56 Circuito para disear.

Desarrollo:

Asumo voltios V
CC
24
C
V lo ubico en Voltios V
V
C
CC
12
2

mA
V
R
I
V
R
C
C
RC
C
10
12

Asumo: Voltios V
V
V
E
CC
E
4 , 2
10
1

mA
Voltios
R
I
V
R
E
E
E
E
10
4 , 2

1200
C
R

240
E
R
Para hallar
2 , 1 B B
R R

100
10
10
1 , 3
10
1 , 3
1 , 3 4 , 2 7 , 0
2 2
2 2
mA
V
R
I
V
R
V V V V V
B
B
B
RB RB
1

Figura 7-57 Criterio de diseo corriente de base:

mA
V
R
I
V V
R
B
B
B
10 .
100
11
9 , 20
11
1 , 3 24
1 1

El circuito queda as:

3100
2 B
R
K R
B
19
1

Figura 7-58 Circuito con los valores de diseo.

Nota: para probar que el circuito fue bien diseado hacemos anlisis
de mallas, encontramos Ic, y verificamos los valores.

Veamos:

Voltios V
K
V
V
R R
R V
V
B B
B B
B CC
B
36 , 3
3100 19
) 3100 .( 24 .
2 1
2

El cual es muy cercano al valor de: Voltios VR
B
1 , 3
2

Hallo
240
7 , 0 36 , 3
:
V
I I
E E

Muy cercano al valor de 10mA, se observa que el circuito ha sido bien
diseado.

Ejemplo3: disear un circuito con polarizacin universal de tal forma
que:

Voltios V
CE
5 y Voltio V
RB
1
2

Desarrollo: El circuito deseado es:

A I
E
11 , 11


Tomamos el transistor 2N2222
mA I
CMAXIMA
800
120

Tomo Voltios V Voltios V
RC CC
6 12

Tomo Voltios V Voltios V
RC CC
6 12

Asumo
mA
V
R
I
V
R mA I
C
C
RC
C C
5
6
5

mA
V
R
E
5
1

120
) 5 ( 10
7 , 1
7 , 1 1 7 , 0
2
2 2
mA
V
R
Voltios V Voltio Voltios VR
B
RB B

120
) 5 ( 11
7 , 1 12
1
mA
V V
R
B

1200
C
R

200
E
R

4080
2 B
R
K R
B
472 , 22
1

1200
C
R

El circuito queda de la siguiente manera:


Ejemplo 4disear el siguiente circuito a partir de la informacin
dada:
V V
CC
10 V V
CE
2 100


Desarrollo: Como V V
CC
10
mA I
C
2

mA I
C
2

K R
mA
V
R
mA I Asumo
V V Asumo
V V
C C
C
RC
CE
5
1
5
1 ....
3
2

mA
V
R
E
1
3

100
1mA
I
B

V V V
RB
7 , 3 10

A
V
R
I
V
R
B
B
RB
B
10
3 , 6


TALLER SOBRE DISEO CON TRANSISTORES.

1 Disear el siguiente circuito de tal forma que VCE=4 voltios (Mida o
consulte el del transistor).
K R
E
3
A I
B
10

Voltios V
RB
3 , 6

K R
B
630

Figura 7-63 Diseo de circuitos con transistores.

1 Asumo Vcc=10 voltios.Ic=1mA, tomo =100.

Con esas condiciones: . 5
1
5
5 K R
mA
V
R V V
C C RC

V V
CE
4 K R
mA
V
R V V
E E RE
1
1
1
1

V V V V V V
RB RB
3 . 8 1 7 . 0 10

A I
mA
I
Ic
I
B B B
10
100
1

K R
A
V
R
I
V
R
B B
B
RB
B
830
10
3 . 8

El circuito queda:


2 Disear el siguiente circuito de tal forma que Ic=100 mA, (mida o
consulte el del transistor)

Figura 7-65 diseo de circuitos con transistores.

2 Asumo Vcc=20 voltios. Ic=100mA.
mA
V
R Voltios V
C RC
100
10
10

100
C
R
10
100
1
., 1
10
1
E E RE RE
R
mA
V
R V V Vcc V

18300
1
3 . 18
. 1
100
100
. 3 . 18 10 7 , 0 20
B B
B B B
RB RB
R
mA
V
R
mA I
mA
I
Ic
I
V V V V V V

.

Figura 7-66 circuito con los valores de diseo.

3 Disear el siguiente circuito de tal forma que VCE=4 voltios. (Mida
o consulte el del transistor)


3 Asumo Vcc=12 voltios, Ic =1mA
K R
mA
V V
R
K R
mA
R
K R
mA
V
R
V V V V
K R
mA
V
R V V
B B
B B
E E
RE CE
C C RC
102
100
1
11
7 . 0 12
27
100
1
10
7 . 2
2
1
2
. 2 4
. 6
1
6
6
1 1
2 2



4 Disear el siguiente circuito de tal forma que VB=5 voltios. (Mida o


VB=5V, asumo
K R
mA
V V
R
K R
mA
V
R
R
mA
V
R V V
K R
mA
V
R V V
B B
B B
E E RE
C C RC
63 , 63
100
1
11
5 12
50
100
1
10
5
4300
1
3 , 4
3 . 4
6
1
6
6
1 1
2 2

El circuito queda de la siguiente forma:


5 Disee el siguiente circuito de tal forma que Av=-24. (Mida o


5 Se pide
Asumo: K R
C
5 , . 125 , 0 mA I
C
. Conociendo el valor de la corriente
de colector entonces puedo hallar: 208
125 , 0
26
re
mA
mV
re
24
208
5000
V V
A A , lo cual es correcto
C C RC
R I V V V mA K V
RC RC
625 , 0 125 , 0 5
Ahora: , 25 , 1 A I
I
I
B
C
B
M R
A
V V
R
B B
04 , 1
25 , 1
7 , 0 2

Con estos valores hallados puedo tomar . 2V V
CC

El circuito final queda de la siguiente forma:


6 Disee el siguiente circuito de tal forma que Av=-4(mida o


4
V
A Entonces
K R
K
R
A
R
R
R
R
A
K R
mA
V
R
mA I voltios V
voltios AsumoV
E E
V
C
E
E
C
V
C C
C RC
CC
1
4
4
4
1
4
1 , 4
8

Ahora:
K R
A
V
R
A
V V
R
K R
A
V
R V V V
V V K mA V
A I
mA I
I
B B B
B B RB
RE RE
B
C
B
27 , 57
10 11
3 , 6
10 11
7 , 1 8
17
10 10
7 , 1
7 , 0 1
1 1 1
10
100
1
1 1 1
2 2 2

El circuito se puede dibujar con los nuevos valores as:


7 Disee el siguiente circuito de tal forma que Av=-10. (Mida o


7) Partimos de
10
V
A
. 300
10
3
10 :
3
2
6
2 , 6
12
E
V
C
E
E
C
V V
C C
C RC
CC
R
K
A
R
R
R
R
A A Como
K R
mA
V
R
mA I V V
V V

Ahora:
K R
A
V V
R
A I
mA I
I
V V V V V
V V mA V
B B
B
C
B
B B
RE RE
535
20
3 , 1 12
. 20
100
2
3 , 1 6 , 0 7 , 0
6 , 0 300 2

El circuito se puede dibujar con los nuevos valores as:


8 Disee el siguiente circuito de tal forma que Av=-2 (mida o


Desarrollo 2
V
A
K R
K R
mA
V
R
mA I voltios V V V
E
C C
C RC CC
1
2
5
10
5 , 10 , 20

Con este valor de 1000 ohmios se cumple que 2
V
A
V V K mA V
RE RE
5 ) 1 ( 5

K R
mA
V V
R
R
mA
V
R
V V V V V
B B
B B
B B
26
100
5
11
7 , 5 20
11400
100
5
10
7 , 5
7 , 5 7 , 0 5
2 1
2 2

El nuevo circuito queda de la siguiente manera:


9 Disee el siguiente circuito de tal forma que: Ic=2 mA, Av=-10


Desarrollo:el diseo nos pide que 10 , 2
V C
A mA I

ASUMO:
V V
V V
RC
CC
7
15

350
10
3500
5 , 3
2
7
E
V
C
E
E
C
V
C C
R
A
R
R
R
R
A
K R
mA
V
R

K R
mA
V V
R
K R
mA
V
R
V V V V V
V V mA V
B B
B B
B B
RE RE
81 , 61
100
2
11
4 , 1 15
7
100
2
10
4 , 1
4 , 1 7 , 0 7 , 0
7 , 0 ) 2 .( 350
1 1
2 2



Prueba:
V
K K
K
V
B
52 , 1
7 81 , 61
) 7 ( 15
Lo cual es correcto

CAPITULO 8

FET

INTRODUCCION

Los transistores de efecto de campo son bastante utilizados en
muchas aplicaciones electrnicas, y presentan algunas ventajas con
respecto al transistor BJT, sobretodo cuando es considerable el ruido.

OBJETIVOS:

TRANSITORES DE
EFECTO DE CAMPO (FET)

El transistor de efecto de campo es un dispositivo de tres terminales
controlado por voltaje, quiere decir esto que se basa en el campo
elctrico para controlar la conductividad de un canal, o lo que es lo
mismo, la corriente se controla mediante un voltaje, mientras que el
transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, veamos
estas caractersticas grficamente por medio de la siguiente figura:

Desarrollar la teora del funcionamiento del FET, sus curvas
caractersticas , polarizacin y aplicaciones.
FET
ID
VGS
VGS= VOLTAJE DE CONTROL
-
+
BJT
IC
IB
IB= CORRIENTE DE CONTROL
+

Figura 8-1 caractersticas del transistor de efecto de campo

En la figura anterior se observa que en el FET la corriente viene
controlada por un voltaje, ,mientras que en el transistor bipolar la
corriente de colector est controlada por la corriente de base.

Otra notoria diferencia consiste en que el transistor es un dispositivo
bipolar (la conduccin es llevada a cabo por huecos y electrones),
mientras que el fet es un dispositivo unipolar la conduccin es llevada
a cabo ya sea por electrones, o bien sea por huecos .eso dependiendo
del canal.
Entre otras diferencias tenemos:
Tamao: el fet es ms pequeo que el transistor, lo cual redunda en
ahorro de espacio en la elaboracin de equipos electrnicos.
Impedancia de entrada: la impedancia de entrada del FET es muy
alta en comparacin con la del transistor, lo cual lo hace muy
adecuado para el diseo de etapas en cascada.
Ganancia : la ganancia de voltaje del FET es ms pequea que la del
transistor, lo cual se convierte en una pequea desventaja para la
amplificacin.
Otra gran diferencia es que el FET es menos ruidoso que el
transistor, por eso se usan mucho los FETS en las primeras etapas.

SIMBOLO:
S
G
D
ID
VDS
FET canal- n
G
D
VDS
ID
S
FET canal- p

Figura 8-2 smbolo del FET

Donde los terminales son: D= SUMIDERO= DRAIN= es el terminal
por el cual, los portadores mayoritarios salen del dispositivo.
S= FUENTE = SOURCE = es el terminal a travs del cual los
portadores mayoritarios entran al dispositivo.
G= PUERTA=GATE = es el terminal que se forma con dos trozos de
material tipo N o P ,para formar dos uniones PN.

ESTRUCTURA Y FUNCIONAMIENTO DEL FET:

Compuerta (G)
Drenaje (D)
n
p
p
Fuente (S)

Figura 8-3 Estructura del FET

En la figura anterior se observa que la mayor parte de la estructura
es de material tipo n, la cual forma el canal, junto con las otras capas
de material tipo p. La parte superior se conecta al drenaje y la parte
inferior al source (fuente).

Los dos materiales tipo p se encuentran interconectados entre s,
formando el tercer terminal llamado compuerta. Si no hay
polarizacin el FET tiene dos uniones PN estas dos uniones PN forman
una regin de agotamiento de cada unin, y por lo tanto se forman
dos barreras de potencial estas muy parecidas a la que se forma en
un diodo semiconductor por eso no hay conduccin cuando

Para que haya conduccin hay que polarizar el circuito como se
muestra a continuacin en la siguiente figura:

Figura 8-4 FET con la fuente con

Si aplico un voltaje entre (
Entonces el borne positivo de la fuente atrae los electrones del canal
n establecindose una corriente (convencional) y se cumple que
. Esta polarizacin de hace que la regin de vaciamiento
aumente, y quede polarizada inversamente como se muestra en la
figura +++ hacia la parte n, ----hacia la parte p. En la parte ++++
habr un potencial cercano a 1.5v en la parte--- existir un potencial
cercano a 0V.
Esto hace que:

Figura 8-5: potenciales de polarizacin a travs del FET.

A medida que aumenta aumenta la corriente esta aumenta
aproximadamente de acuerdo a la ley de OHM, pero cuando se
acerca al valor llamado ,las regiones de agotamiento llegan a su
valor mximo, haciendo que se reduzca el ancho del canal ,y esto
hace que se aumente la resistencia.

Figura 8-6 en funcin de para

El voltaje aplicado hace que empieze la conduccin en el
dispositivo, porque la fuente atrae los electrones del canal N, esta
corriente de electrones tiene un comportamiento aproximadamente
lineal, a medida que el voltaje va en aumento, y simultneamente
ocurre que las barreras de potencial de las uniones PN aumentan de
tamao ,lo cual trae como consecuencia que , pero existe
corriente de drenaje ,la cual toma un valor llamado
, esta situacin ocurre cuando est
cercano a un valor llamado ,que corresponde a un estrechamiento
del canal, lo cual no significa que deje de fluir corriente de drenaje
,por el contrario esta corriente es mxima y se mantiene en ese
valor, independiente de que se haga mayor.

Figura 8-7 Estrechamiento del canal.
Observacin: el canal no es que se cierre del todo y no permita que n
o pase la corriente, sino que realmente existe un pequeo canal con
una corriente de densidad muy alta.

A pesar de que se incremente mas all de el valor de
permanece constante.
Una vez que el FET tiene las caractersticas de una fuente de
corriente

IMPORTANTE: es la corriente mxima de drenaje para un FET y
esta definida por las condiciones.

=0V, >
La expresin para la corriente viene dada por la ecuacin de
Shocley:

En esta expresin se observa que el voltaje , es la variable de
control, porque de este valor depende el valor de la corriente de
salida

FUNCIONAMIENTO CON 0: Como habamos dicho anteriormente
es el voltaje de control del FET, lo cual quiere decir que la
corriente Si ahora
a medida que se hace ms negativo,
el nivel de corriente de saturacin para se va reduciendo.
Cuando
A continuacin se representa el circuito correspondiente, y la grfica.

n
p p p
VDS
ID
VGS

Figura 8-8 funcionamiento del FET 0

2 mA
1 mA
4 mA
8 mA
ID (mA)
V 0v GS=
V v GS= -1
V 0v GS=
V 2 v GS=-
V v GS= -3
V v GS= -4
VDS
0

Figura 8-9 Curva caracterstica de salida arreglar esta curva abajo.

En la grfica se puede observar que para .
Para
Para
Para
Para

RESUMEN OPERACIN FET CANAL N

G
D
S
+
-
VGS
VDS
G
D
S
+
-
VGS
VDS
ID= 0
G
D
S
VGS
VDS
V 0
= =
V V => SATURACION
GS =
D DSS mx.
DS
I I I
P
>
V es menor que Vp => Corte GS
0 mA < I I D < DSS
I
I
D
DSS GS
se incrementa entre 0 A
e , cuando V es < 0, y >Vp

Figura 8-10 Resumen operacin del FET

FET canal p:

Tiene la misma construccin del FET canal n, la diferencia
consiste en que para el FET de canal P, como su nombre
lo indica el canal es de material tipo P, y la compuerta de
material tipo N.
Las polaridades de las fuente de alimentacin son
contrarias a las utilizada en el FET de canal N , y las
direcciones de las corrientes son invertidas, como se
pueden apreciar en la siguiente figura:

p
p n n
IS
VGS
VDS G
S
D
ID

Figura 8-11Estructura FET canal P

CURVAS CARACTERISTICAS :La siguiente es la curva
caracterstica para el FET de canal P.

Figura 8-12 Caracterstica FET canal P.

En esta grfica podemos observar que la curva
caracterstica es muy similar a la del FET canal N.
Las subidas verticales repentinas y bruscas indican que
ha habido una ruptura a travs del canal, para que esto
no ocurra el valor de debe ser menor que el valor
mximo para todos los valores de , esta situacin
igualmente ocurre para el FET canal N.

CARACTERISTICAS DE TRANSFERENCIA

Se puede obtener la curva de transferencia utilizando la ecuacin de
Shockley, o a partir de las caractersticas de salida. A continuacin se
presentan dos grficas: una grfica corresponde a en funcin de
y la otra corresponde a en funcin de , teniendo en cuenta
que:
Cuando
Cuando

Figura 8-13 caractersticas de transferencia.

MOSFET

El MOSFET es un transistor de efecto de campo METAL
OXIDO SEMICONDUCTOR.
MOSFET quiere decir METAL OXIDO SEMICONDUCTOR.
Los MOSFET son de dos tipos: TIPO DECREMENTAL, Y
TIPO INCREMENTAL.

MOSFET TIPO DECREMENTAL CANAL N:

En la siguiente figura se puede apreciar la estructura de
un MOSFET DECREMENTAL CANAL N

n
n
n
p
D
G
S
SS
(Fuente)
Substrato
Substrato
Canal n

Figura 8-14 MOSFET TIPO DECREMENTAL

Esta construido de un pedazo de material de Silicio tipo P,
el cual se llama substrato, sobre este substrato se
construye el dispositivo.
Los terminales de fuente drenaje y compuerta estn
conectados por medio de contactos metlicos. La fuente
(S), y el drenaje (D) estn conectados a las regiones
dopadas n.
La compuerta permanece aislada del canal n por medio
de una capa aislante de
No hay conexin elctrica entre la compuerta y el canal,
esto hace que la impedancia de entrada del MOSFET sea
muy elevada.

FUNCIONAMIENTO DEL MOSFET TIPO DECREMENTAL
CANAL N.
Para que el MOSFET funcione, le aplicamos un voltaje ,
entre como se puede ver en la siguiente figura:

n
n
n
p
D
G
S
SS
e
-
VDS
VGS= 0v
I I D= DSS

Figura 8-15 Funcionamiento MOSFET

Arreglarle el source le falta una lnea.

Cuando aplico voltaje a travs del drenaje y la fuente,
con a 0 voltios el terminal positivo de la batera
atrae electrones libres del canal n, y hay una corriente
similar a la producida en iguales circunstancias en el FET,
a esta corriente se le sigue llamando

Si aplico un voltaje negativo a la compuerta, esta repele
los electrones del canal N, y atrae a los huecos del
substrato P, haciendo que estos electrones y huecos se
recombinen, lo que trae como consecuencia que
dependiendo del valor de esta recombinacin, as mismo
va a ser el valor de la corriente de drenaje, mientras ms
negativa sea la compuerta, mayor es la recombinacin y
menor el valor de la corriente de drenaje.

En pocas palabras: La corriente de drenaje depende del
valor negativo de
Para valores positivos de , el terminal positivo de la
fuente atrae electrones adicionales del canal N,
mientras este voltaje siga aumentando, la corriente de
drenaje se sigue incrementando.

Este modo de operacin se comprende mejor por medio
de la siguiente grfica:

Figura 8-16 Curvas caractersticas
En esta grfica se observa que cuando

Cuando toma valores negativos el valor de la
corriente empieza a decrecer. Cuando toma valores
positivos,
,por lo
tanto hay que tener mucho cuidado y conocer el mximo
valor de la corriente de drenaje.
A la regin de voltajes positivos aplicados en la
compuerta se conoce como regin incremental, porque la
corriente incrementa (el numero de portadores).
A la regin comprendida entre el corte y la saturacin de
se conoce con el nombre de regin de agotamiento.

MOSFET TIPO DECREMENTAL CANAL P:

Un MOSFET TIPO DECREMENTAL CANAL P se muestra en
la siguiente figura , su construccin consta de un
substrato de material tipo N, y un canal tipo P.

Figura 8-17 MOSFET tipo decremental canal P.
FUNCIONAMIENTO: Para su funcionamiento aplicamos un
voltaje entre los terminales con la polaridad
mostrada, y llevamos el voltaje de compuerta a cero
voltios, como se puede ver en la siguiente figura:

Figura 8-18 funcionamiento mosfet decremental canal P

En estas condiciones de polarizacin el borne negativo de
la fuente atrae huecos libres y se genera una
corriente muy similar a la descrita anteriormente en el
MOSFET de tipo decremental canal N.
Cuando aplico voltaje positivo a la compuerta, esta repele
los huecos del canal P, y atrae electrones del substrato N,
esto trae como consecuencia una disminucin de la
corriente .
Mientras ms positiva sea la compuerta, mayor es la
recombinacin y menor el valor de la corriente de
drenaje.
Para valores negativos de , el borne negativo de la
fuente atrae huecos adicionales del canal P.
Mientras este voltaje siga aumentando, la corriente de
drenaje se sigue incrementando.
Este modo de operacin lo podemos observar por medio
de la siguiente grfica:

Figura 8-19 grafica caracterstica.

En esta grfica se observa que cuando

Cuando toma valores positivos, el valor de la corriente
empieza a decrecer. Cuando toma valores negativos,
la corriente de drenaje se incrementa velozmente.

MOSFET DE TIPO INCREMENTAL CANAL N

El MOSFET de tipo incremental est constituido de una
base de silicio substrato material tipo P.
Los terminales de la fuente y drenaje se conectan por
medio de contactos metlicos a regiones dopadas N.
No existe canal entre estas regiones dopadas N, esta se
convierte en una diferencia con el MOSFET de tipo
decremental. La capa de aisla a la compuerta del
substrato.
Esto lo podemos observar en la siguiente figura:

Figura 8-20 estructura MOSFET incremental canal N.

FUNCIONAMIENTO: Para que el MOSFET funcione
aplicamos una fuente de voltaje entre .
Si debido a la ausencia de canal no hay corriente
de drenaje, debido a que las uniones P,N estn
polarizadas inversamente formando la zona de deplexin.
(Regin de vaciamiento).
Para que haya corriente de drenaje debe tener
algn valor positivo.
Cuando estn en algn voltaje positivo, el voltaje
positivo de la compuerta rechaza a los huecos del
substrato P, esto se puede observar en la siguiente
figura:

Figura 8-21 funcionamiento formacin del canal

Los portadores minoritarios del substrato P sern atrados
por el terminal positivo de .
La capa aislante de evita que los electrones sean
absorbidos por la compuerta.
A medida que aumenta, se incrementa la corriente de
drenaje
Al nivel de que hace que el incremento de corriente
sea significativo, se le llama voltaje de umbral y se
denota con el smbolo de
Cuando , el canal no existe este canal se forma al
incrementar , por eso se llama MOSFET de tipo
incremental.
Cuando se incrementa ms all del nivel de umbral,
aumenta la cantidad de electrones en el canal inducido
produciendo una corriente mayor.
Pero si se mantiene constante y solo se aumenta el
nivel de , la corriente de drenaje alcanza un nivel
de saturacin como en el caso del FET.
Cuando alcanza el valor de saturacin, el canal se
estrecha, como se puede ver en la siguiente figura:

Figura 8-22 funcionamiento.

Aplicando Ley de voltajes de Kirchoof tenemos:

CARACTERISTICAS DE DRENAJE:

Figura 8-23 caractersticas de drenaje

Que con , la
saturacin ocurri con , esto se puede generalizar por
medio de la siguiente expresin:

Entre ms alto sea el nivel de , mayor ser el nivel de
saturacin para .
Para valores de , la corriente de
drenaje es de

Ojo con los recuadros de texto no se puede eliminar
por que tiene informacin, es mejor escribir y no
copiar con recuadros

Para valores de , la corriente de drenaje viene
dada por la expresin:

Tomando los valores de la grfica 8-23 tenemos que:

Tomando la expresin:

Se observa que para:

MOSFET DE TIPO INCREMENTAL CANAL P:

El MOSFET incremental est constituido de una base de
silicio substrato material tipo N.
Los terminales de la fuente y drenaje se conectan por
medio de contactos metlicos a regiones dopadas P.
No existe canal entre estas regiones dopadas, esta es una
diferencia con el MOSFET de tipo decremental.
Esta estructura la podemos ver en la siguiente figura:

Figura 8-24 estructura mosfet incremental canal P

FUNCIONAMIENTO: Para que el MOSFET funcione se
invierten todas las polarizaciones de voltaje y los sentidos
de corriente, con relacin a la del MOSFET incremental de
canal N. Las polaridades se muestran en la siguiente
figura:

Figura 8-25 funcionamiento mosfet incremental canal P

Las caractersticas de transferencia para el MOSFET
incremental se pueden observar por medio de la siguiente
grfica:

Figura 8-26 caracterstica de transferencia

CMOS BUSCAR INFORMACION

POLARIZACIN DEL FET:
As como en el transistor, para el FET existen varios
circuitos de polarizacin:
Las expresiones que me permiten analizar estos
diferentes circuitos de polarizacin del FET son:
2
1
0
P
GS
DSS D
S D
G
V
V
I I
I I
A I

Para Mosfet de tipo
Incremental

Estas expresiones se utilizan en las diferentes
configuraciones o tipos de polarizacin del FET, para
realizar clculos.
Vamos ahora a analizar inicialmente un circuito de
polarizacin fija del FET, como el que se muestra a
continuacin.

CIRCUITO DE POLARIZACION FIJA:

VGG
RG
Vi
VDD
RD
VO

Figura 8-27 Polarizacin fija

Como no hay corriente de compuerta puedo escribir las
siguientes expresiones:

GS GG
OV RG GRG RG
G
V V
V I V
A I 0

2
) (
T GS D
V V K I

Debido a que el circuito puede dibujarse
nuevamente as:

VGG
VDD
RD
+
VGS
-

Figura 8-28 Circuito redibujado nuevamente

Las expresiones para este circuito son:
ecuacin la en reemplazar puede se entonces conoce se V como
V
V
I I
V V
V V
GS
P
GS
DSS D
GS GG
GS GG
2
1
0
,

Ejemplo:

2 v
16 v
2 K
1 M
2 k


Hallar: VGS=?
ID=?
VDS=?

Desarrollo:

V V
K mA V V
V R I V
mA I
mA I
mA I
V
V
I I
V V
DS
DS
DS D D DD
D
D
D
P
GS
DSS D
GS
75 . 4
) 2 ( 625 . 5 16
625 . 5
4
3
10
8
2
1 10
1
2
2
2
2

CURVA:

ID (mA)
- 8 - 6 - 4 - 2
VGS
2
2.5
4
6
8
10

Figura 8-30 Curva caracterstica

POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE.

De manera similar al transistor, para el FET tambin
existe este circuito universal

Figura 8-31 Circuito por divisor de voltaje

Del circuito tenemos:
S D G GS
S D GS G
DD
G
R I V V
R I V V
R R
R V
V
2 1
2

A partir de la expresin: podemos trazar
una recta de carga haciendo:

, y con estos dos valores puedo dibujar la
recta de carga, y hallar los valores para: .
De la malla puedo escribir las siguientes ecuaciones:

Nuevamente hago observacin con los cuadro de texto no se
pueden corregir para lo cual sugiero revisin por parte del autor para
corregir esto.
R1
VDD
RD
VO
Vi
R2 RS
+
VGS
-
IDSS
ID
ID = 0
Vp
Punto Q
V = 0 GS
ID=
RS
VGS
VG
VGS VG
=

Figura 8-32 Recta de carga

EJEMPLO: En el siguiente circuito se pide hallar:

Fig 8-34 ejercicio de aplicacin.

Desarrollo:

CAPITULO 9

ANLISIS DE CIRCUITOS EN AC

INTRODUCCION:
Hasta ahora nos ha interesado el funcionamiento del
transistor en condiciones estticas es decir polarizado con
corriente directa. Pero la mayora de aplicaciones del
transistor tienen que ver con la amplificacin del mismo,
esto se refiere a la condicin cuando la seal de entrada
es una seal alterna por ejemplo la voz.
Para poder operar el transistor como amplificador
tenemos que acudir al anlisis en AC del transistor.

OBJETIVO:

Ahora nos interesa conocer la respuesta en AC del
transistor cuando inyectamos una pequea seal de
entrada en la base.
Para poder encontrar estos valores de amplificacin, se
ha recurrido a un anlisis por medio de los parmetros
del transistor.

PARAMETROS Z

Supongamos que el elemento para el que queremos
obtener el circuito equivalente, se encuentra encerrado
en una caja (cuyo contenido se desconoce)

+
-
+
-
E1
E2
I1 I2

Figura 9-1 Circuito equivalente con parmetros
Conocer y desarrollar las tcnicas que me permitan manejar el transistor
como amplificador.
La caja tiene un par de terminales de entrada (1.1) y un
par de terminales de salida (2.2)

Ahora podemos decir que: Una fuente de corriente
externa impulsa una corriente
1
I , por las terminales 1,1
al mismo tiempo que por los terminales de salida una
fuente de corriente impulsa una corriente
2
I .

En estas condiciones las salidas dependern de
y del contenido de la caja.
El comportamiento del circuito, en trminos de voltaje y
corriente lo puedo escribir por medio de las siguientes
funciones:

) , (
) , (
2 1 2 2
2 1 1 1
I I f E
I I f E

Esto en el clculo es equivalente a decir:

2 1 1 1
, I I f E
Lo que quiere decir que es una funcin que depende de dos
variables.

) , (
2 1 2 2
I I f E
Es otra funcin que depende de dos variables.

Estas expresiones son parecidas a la funcin:

Por ejemplo: Z = 3x + 5y.
El clculo diferencial nos dice:

dy
y
z
dx
x
z
dz

Esta expresin quiere decir que: Si las variables
independientes x, y, tienen unos pequeos incrementos
dx, dy.
El incremento obtenido en z anotado dz es igual a la
proporcin en que z varia con respecto a x solamente
designado como:
x
z
multiplicado por dx, ms la
proporcin en que z varia con respecto a y solamente,
designada como
y
z
multiplicada por dy.
En palabras sencillas: el cambio resultante en z es la
suma de los cambios individuales en x, y en y.

Ejemplo: Z= 3x+5y

Supongamos que partimos de los siguientes valores:

El valor de la funcin calculada para estos valores es:

2
5 7
1 2
1
4 3
1 2
7
37 44
1 2
44 2
35 9 2
) 7 ( 5 ) 3 ( 3 2
7 2
3 2
37 1
) 5 ( 5 ) 4 ( 3 1
Y
Y
Y Y Y
X
X
X X X
f orma otra de Veamoslo
dZ
dZ
Z Z dZ
Z
Z
Z
Y
X
Z
Z

Observaciones: se debe cuadrar mrgenes,y las observaciones
antes escritas.

Tomemos primero el incremento en x:

3
3
3
5 3 3 5 3
5 3 3
5 ) ( 3
5 3
X
Z
X
Z
X Z
Y X X Z Y X
Y X X Z Z
Y X X Z Z
Y X Z

Tomemos ahora el incremento en y

5
5
5
5 3 5 5 3
5 5 3 5 3
) ( 5 3
5 3
Y
Z
Y
Z
Y Z
Y X Y Y X Z
Y Y X Z Y X
Y Y X Z Z
Y X Z

Ahora:

7
10 3
) 2 ( 5 ) 1 ( 3
dz
dz
dz
dy
y
z
dx
x
z
dz

Coincide con el resultado anterior.

Ahora aplicando el procedimiento anterior a nuestras expresiones de
voltaje.
) , (
) , (
2 1 2 2
2 1 1 1
I I f E
I I f E
f

Nos queda:

2
2
2
1
1
2
2
2
2
1
1
1
1
1
dI
I
E
dI
I
E
dE
dI
I
E
dI
I
E
dE

Nota: , significa un cambio pequeo en
significa un cambio pequeo en
Teniendo en cuenta estas pequeas variaciones, podemos escribir:

en vez de
en vez de
en vez de
en vez de

Obsrvese que:

s impedancia de relacin una a e Correspond
I
E
1
1

I
E
2
1

I
E
1
2

I
E
2
2

Por la tanto puedo reemplazar:

22
2
2
21
1
2
12
2
1
11
1
1
porZ
I
E
porZ
I
E
porZ
I
E
porZ
I
E

Teniendo en cuenta todo este proceso del clculo y su
respectivo desarrollo, se puede escribir la expresin
matemtica general para los parmetros as:
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
i Z i Z e
i Z i Z e

A estas expresiones se les llama ecuaciones con
parmetros z.
Por medio de estas ecuaciones con parmetros , puedo
dibujar un circuito equivalente, que era lo que se quera
lograr desde el comienzo cuando se dibujo el cuadripolo
as:

+
-
+
-
e1
e2
i1 i2
Z11
Z12i2
Z22
Z21i1 -

Figura 9-2 Circuito con parmetros Z

A continuacin se explican las ecuaciones anteriores, y se
demuestra porqu a estas ecuaciones le corresponde ese
circuito elctrico as:

2 12 1 11 1
i z i z e

Es una ecuacin de voltajes en donde:

1 11
i z Es un voltaje, su valor se encuentra multiplicando
1
i
por
11
z

2 12
i z es un voltaje, este voltaje es una fuente controlada
de voltaje porque depende de
2
i

2 22
i z es un voltaje, su valor se encuentra multiplicando
2
i
por
2
z

1 21
1
i .

En donde los subndices
22 , 21 , 12 , 11
z z z z corresponden a los
parmetros Z.
En el circuito se observa que:

Si 0
1
i
0
0
1
2
2
22 2 22 2
1
2
1
12 2 12 1
i
i
e
Z i Z e
i
i
e
Z i Z e

0
0
2
1
2
21 1 21 2
2
1
1
11 1 11 1
i
i
e
Z i Z e
i
i
e
Z i Z e

Observacin: como la corriente se hizo igual a cero a los
parmetros z se les llama parmetros de circuito abierto.

0
0
0
0
1
2
2
22
1
2
1
12
2
1
2
21
2
1
1
11
i
i
e
Z
i
i
e
Z
i
i
e
Z
i
i
e
Z

Ejemplo: Hallar los parmetros z para la siguiente red:

(Espacio destinado para cinco grficos hoja 90)

1
1
2
2
6 K
3 K
i1
6 K
+
-
e2
3 K
i = 0 2
i =0 1
6 K
3 K
e1
+
-
i2
i =0 1
6 K
3 K
e1
+
-
i2
e2
i1
6 K
+
-
e1
3 K
i = 0 2


ESPACIO PARA FORMULAS

' 11
Z =
1
1
i
e
0
2
i = K Z
i
i K
Z K Z 3
3
, 9
21
1
1
21
11

0
1
2
1
12
i
i
e
Z K Z
i
Ki
Z 3
3
12
2
2
12

K
i
i K
Z i
i
e
Z 3
3
0
2
2
22 1
2
2
22

PARAMETROS Y.

En el apartado anterior para el cuadripolo se tenan las
funciones:
) , (
2 1 1 1
E E f E
) , (
2 1 2 2
I I f E
Las cuales establecen que las tensiones son la variable
dependiente.
Tambin puedo escribir una expresin donde la variable
dependiente sea entonces las expresiones para
las funciones son:
) , (
2 1 1 1
E E f I
) , (
2 1 2 2
E E f I
Habamos visto que:
2
2
2
1
1
2
2
2
2
1
1
1
1
1
dE
E
I
dE
E
I
dI
dE
E
I
dE
E
I
dI
dy
y
z
dx
x
z
dz

Y como representan cambios muy
pequeos, se pueden aproximar las siguientes
cantidades:

22
2
2
21
1
2
12
2
1
11
1
1
2
1
1
2
2
2
1
1
sen , , ,
Y
E
I
Y
E
I
Y
E
I
Y
I
s Admitancia tan epre R
E
I
E
I
E
I
E
I
E


2 12 1 11 1
e y e y i
2 22 1 21 2
e y e y i

parmetros
as:

i1
Y11
e1
Y12e2 Y21e1
Y22
e2
2
2
+
-
-
+

Figura 9-4Circuito equivalente con parmetros Y
0
2
1
1
11
e
e
i
Y 0
1
2
1
12
e
e
i
Y 0
2
1
2
21
e
e
i
Y
0
1
2
2
22
e
e
i
Y

A los parmetros Y se les llama parmetros de corto
circuito.

PARAMETROS HIBRIDOS.

En los apartados anteriores hemos introducido el
concepto de parmetros , y parmetros .

Esto lo hicimos a nivel de introduccin para que el lector
sepa de donde provienen estos parmetros, para que
sirven, y cual es su tratamiento matemtico.

Cuando estamos interesados en trabajar con transistores
para ciertos voltajes no es fcil el desarrollo con los
parmetros , ni con los parmetros .

Razones: No es conveniente hacer cortos con circuitos
que contengan transistores e inductancias.

Entonces se trata de escribir las expresiones de voltaje y
corriente de tal forma que se evite hacer cortocircuitos.

Para ello se ha acudido a los parmetros hbridos, y los
parmetros , los cuales son una herramienta fabulosa
para el anlisis de circuitos en AC.

Esto lo logramos de manera similar, como se trataron los
parmetros a partir del siguiente cuadripolo.

+
-
+
-
Io
Vi
Ii
1
1
Vo
2
2

Figura 9-5 Cuadripolo con Parmetros hbridos

Para el cuadripolo se puede escribir una expresin de la
siguiente forma:

o i i
V I f V ,
1
para que no sea igual a cero pero si que lo
sea .

para que sea igual a cero pero que no lo
sea .
Teniendo en cuenta todo el proceso del clculo y su

o i i
V h I h V
12 11

o i o
V h I h I
22 21

parmetros
lograr desde el comienzo cuando se parti del cuadripolo
as:

Figura 9-6 Circuito equivalente con parmetros hbridos.
Ahora:
0
11
Vo
Ii
Vi
h

0
0
0
22
21
12
Ii
Vo
Io
h
Vo
Ii
Io
h
Ii
Vo
Vi
h

De donde:

Existe una manera ms til de escribir los subndices,
para ello se hacen los siguientes cambios:

i
h h
11
resistencia de entrada
r
h h
12
relacin voltaje de transferencia inversa
f
h h
21
relacin de corriente de transferencia directa
o
h h
22
conductancia de salida

Con esta informacin se puede tratar el transistor por
medio de los parmetros hbridos para las
configuraciones: emisor comn, base comn, colector
comn.

MODELO EQUIVALETE HIBRIDO DEL TRANSISTOR
EN EMISOR COMUN
Para la configuracin en emisor comn los subndices de
los parmetros se van a escribir de la siguiente manera:

Nota: el subndice al lado derecho quiere decir que el
emisor es comn, el mismo criterio se tiene en cuenta
para base comn y colector comn.

IB
IC
IE
+
-
VBE
hoe
VCE
+
-
+
-
-
+
VBE
IB
hie
h V re CE
IC
VBE
hfeIB

Figura 9-7 equivalente hbrido en emisor comn

Modelo aproximado equivalente del transistor en emisor
comn.

IB B
hie
C
E
hf I e B

Figura 9-8 Modelo aproximado equivalente hbrido en emisor comn

Se elimina porque es un valor muy bajo debido
a que es una ganancia inversa.

Se elimina porque es una conductancia, es del
orden de S,y el inverso de =
hoe
1
es de un valor muy
alto, del orden de M
, por eso

se deja como un circuito abierto.

MODELO EQUIVALENTE HIBRIDO DEL TRANSISTOR EN
BASE COMUN.
Tomando como referencia el modelo visto anteriormente
para el emisor comn se puede dibujar el circuito
equivalente para la configuracin en base comn, como
se muestra a continuacin

E C
B

Figura 9-9 equivalente hbrido en base comn normal y aproximado.

MODELO EQUIVALENTE HIBRIDO DEL TRANSISTOR
EN COLECTOR COMUN.
para el emisor comn y base comn se puede dibujar el
circuito equivalente para la configuracin en colector
comn, como se muestra a continuacin

B
E
C
C
h V rc BC
B
E
hic
hfcIB
hoc
+
-

Figura 9-10 modelo equivalente hbrido en colector comn

MODELO
Circuito equivalente del transistor en base
comn:
El modelo , es un modelo muy til en el diseo y
resolucin de circuitos con transistores.
Fcilmente puedo pasar del modelo hbrido al modelo y
viceversa.
Veamos como se desarrolla el modelo para la
configuracin base comn.

Tomemos una configuracin base comn:

E C
B

Figura 9-11 Configuracin base comn

Como se puede observar el circuito de entrada
corresponde a un diodo y como a este diodo se le aplica
una seal alterna se encuentra que su equivalente es una
resistencia dinmica .

Ahora:el circuito base comn lo podemos dibujar como:

Figura 9-12 Modelo equivalente para base comn

= Resistencia dinmica del diodo, representa la
impedancia de entrada del circuito ,
El circuito de salida corresponde a una fuente de corriente
porque la corriente de salida es la corriente de
colector:

Circuito equivalente del transistor en emisor
comn:

Tomemos ahora una configuracin emisor comn, y
dibujemos su circuito equivalente
Como se puede ver el circuito de entrada corresponde a
un diodo, y la corriente de entrada es .
Ojo al dibujo falta transistor en emisor comn.arriba

Figura 9-13 Emisor comn y su modelo re equivalente

Para el circuito anterior se obtienen los siguientes
clculos:
re Zi
Ib
re I
I
V
Zi
re I re I V Vi
I
V
Ii
Vi
Zi es entrada de impedancia La
I I
I I
I I I I I
I I I
B
B
BE
B E BE
B
BE
B B E
B E
B E B E
C B E
:
) 1 (

Con esta informacin, el circuito equivalente en el modelo
para el emisor comn es:

Figura 9-14 Circuito equivalente para emisor comn.

RELACIN ENTRE:

EQUIVALENTE HIBRIDO Y EQUIVALENTE para emisor
comn, y base comn:

Figura 9-15 Relacin entre circuito hbrido y circuito , para emisor
comn y base comn.

TABLA DE PARAMETROS HIBRIDOS (TRANSISTOR)

Siemens
V
i
V
i
Vo
io
hoe
sional en A
i
i
i
i
ii
io
hf e
ensional A
V
V
V
V
Vo
Vi
hre
ohms
i
V
i
V
ii
Vi
hie
cte IB
CE
C
CE
C
cte vce
B
C
B
C
cte I
CE
BE
CE
BE
cte VCE
B
BE
B
BE
B
dim
dim

PARA QUE SIRVEN LOS PARAMETROS HIBRIDOS?

Es una herramienta importante para el diseo en AC,
para acoplar varias etapas en cascada.

Para distinguir y manipular internamente el transistor.

En este captulo con el nimo de disear nos va a
interesar fundamentalmente del transistor:
Impedancia de entrada
Impedancia de salida
Ganancia de voltaje
Ganancia de corriente

Los parmetros me permiten
hallar estos requerimientos
importantes para el diseo.

ANLISIS DE PEQUEA SEAL DEL TRANSISTOR.

Vamos a tomar un transistor, cuya entrada es una seal
alterna ,y a ese circuito se le van a encontrar los
siguientes parmetros.

Por medio del siguiente circuito se va a mostrar la
manera tcnica de cmo se calculan estos parmetros,
por medio del anlisis.

Ojo escribir , mostrarlos.

CIRCUITO DE EMISOR COMUN CON POLARIZACION FIJA.
RB
VCC
RC
VO
Vi

Desarrollo:

Primer paso:
Llevo las fuentes de DC a tierra, esto lo puedo hacer
porque la DC se comporta como la referencia o el nivel 0,
ante la AC. Los condensadores se comportan como un
corto ante la AC.
Segn este comportamiento el circuito se puede dibujar
de la siguiente forma:

Figura 9-17 Equivalente con fuentes DC a tierra
Segundo paso:
Reemplazo el transistor por su circuito hbrido
aproximado equivalente.
En el diagrama se observan:
Dibujarlos.

Ii
+
-
-
Vi
+
RB
IB
hie
hf I e B
RC
I0
V0
Zi Z0

Figura 9-18 Circuito hbrido aproximado

Tercer paso:

Encuentro los valores de , en la figura se
observa que:

C
B
R Zo
hie R Zi

Toda esta informacin la proporciona el modelo hibrido
aproximado.
Del diagrama hibrido equivalente se calcula el valor de
como se muestra a continuacin:

re
hf eR
Av
re hie pero
hie
hf eRc
Av
hie I
R hf eI
Vi
Vo
A hie I Vi
R hf eI Vo
R I Vo
Vi
Vo
Av
C
B
C B
V B
C B
C O

Es una formula aproximada, y es de un valor alto,
porque:

.
, :
) , (
aproximada f ormula una Es hf e Ai
I Ii hf eI Io
Ii
Io
Ai corriente de Ganancia
pequeo valor de re alto valor es Rc re Rc
B B

OTRO ANLISIS: Teniendo en cuenta
hoe
1
= impedancia
de salida
El circuito hbrido correspondiente es el siguiente:

Ii
-
Vi
+
RB hie
Zi
+
-
hf I e B
RC
Vo
hoe
Zo
1
IB

Figura 9-19 Circuito teniendo en cuenta
hoe
1

Analizando el diagrama equivalente se obtienen los
siguientes clculos:
re
Rc
Av

) ( ) 1 (
) (
1
) (
1
1
.
1
) 1 (
1
1
1
hie R hoeR
hf eR
Ai
R
hie R I
hoeR
hf eI
Ii
Io
Ai
R
hie R I
Ii
hie R
IiR
I
hallarIi Para
hoeR
hf eI
Io
R
hoe
hoe
hf eI
Io
Ii
Io
Ai
Ai corriente de Ganacia
hoeR
R
Zo
hoeR hoe
hoe R
Zo
hoe
hoeR
hoe
R
Zo
hoe
R
hoe
R
R
hoe
Zo
B C
B
B
B B
C
B
B
B B
B
B
B
C
B
C
B
C
C
C
C
C
C
C
C
C

2
2
2
) 1 (
) 1 (
1
) 1 (
) (
) (
1
*
1
1
10 , 10
1
hoeRc re
hf eRc
Av
hoeRc hie I
Rc hf eI
Av
hie I
hoeRc
Rc hf eI
Vi
Vo
Av
hie I Vi
hie R R
hie R hie R I
Vi
IiZi Vi
hoeRc
Rc
hoeRc
hf eI
Vo
IoZo Vo
Vi
Vo
Av
re
hoe
Rc
Av
Rc
Zi
Av Ai
re R Rc
hoe
cuando Ai
B
B
B
B
B
B B
B B B
B
B

= Formula exacta sin aproximaciones.

Para el siguiente circuito:

2
) 1 ( hoeRc re
Rc
Av

470 K
12 v
3 K
VO
Vi
1
hOe
= 50 K
+

Se pide hallar:
hoe
cuando Ai
hoe
cuando Av
re
hoe
cuando Zo
hoe
cuando Zi
1
?
1
?
?
1
?
1
?

Hallar:

K
hoe
cuando Zo
K
hoe
cuando Ai
K
hoe
cuando Av
50
1
?
50
1
?
50
1
?

Tomemos primero el incremento en x:

3
3
3
5 3 3 5 3
5 3 3
5 ) ( 3
5 3
X
Z
X
Z
X Z
Y X X Z Y X
Y X X Z Z
Y X X Z Z
Y X Z

Tomemos ahora el incremento en y

5
5
5
5 3 5 5 3
5 5 3 5 3
) ( 5 3
5 3
Y
Z
Y
Z
Y Z
Y X Y Y X Z
Y Y X Z Y X
Y Y X Z Z
Y X Z

Ahora:

7
10 3
) 2 ( 5 ) 1 ( 3
dz
dz
dz
dy
y
z
dx
x
z
dz

Coincide con el resultado anterior.

Ahora aplicando el procedimiento anterior a nuestras expresiones de
voltaje.
) , (
) , (
2 1 2 2
2 1 1 1
I I f E
I I f E
f

Nos queda:

2
2
2
1
1
2
2
2
2
1
1
1
1
1
dI
I
E
dI
I
E
dE
dI
I
E
dI
I
E
dE

Nota: , significa un cambio pequeo en
Teniendo en cuenta estas pequeas variaciones ,podemos escribir:

en vez de
en vez de
en vez de
en vez de

Obsrvese que:

I
E
1
1

I
E
2
1

I
E
1
2

I
E
2
2

Por la tanto puedo reemplazar:

22
2
2
21
1
2
12
2
1
11
1
1
porZ
I
E
porZ
I
E
porZ
I
E
porZ
I
E

2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
i Z i Z e
i Z i Z e

parmetros z.
as:

+
-
+
-
e1
e2
i1 i2
Z11
Z12i2
Z22
Z21i1 -

Figura 9-2 Circuito con parmetros Z

A continuacin se explican las ecuaciones anteriores, y se
demuestra porqu a estas ecuaciones le corresponde ese
circuito elctrico as:

2 12 1 11 1
i z i z e

Es una ecuacin de voltajes en donde:

1 11
1
i
por
11
z

2 12
2
i

2 22
2
i
por
2
z

1 21
1
i .

En donde los subndices
22 , 21 , 12 , 11
z z z z corresponden a los
parmetros Z.
En el circuito se observa que:

Si 0
1
i
0
0
1
2
2
22 2 22 2
1
2
1
12 2 12 1
i
i
e
Z i Z e
i
i
e
Z i Z e

0
0
2
1
2
21 1 21 2
2
1
1
11 1 11 1
i
i
e
Z i Z e
i
i
e
Z i Z e

Observacin: como la corriente se hizo igual a cero a los
parmetros z se les llama parmetros de circuito abierto.

0
0
0
0
1
2
2
22
1
2
1
12
2
1
2
21
2
1
1
11
i
i
e
Z
i
i
e
Z
i
i
e
Z
i
i
e
Z

Ejemplo: Hallar los parmetros z para la siguiente red:

(espacio destinado para cinco grficos hoja 90)

1
1
2
2
6 K
3 K
i1
6 K
+
-
e2
3 K
i = 0 2
i =0 1
6 K
3 K
e1
+
-
i2
i =0 1
6 K
3 K
e1
+
-
i2
e2
i1
6 K
+
-
e1
3 K
i = 0 2


ESPACIO PARA FORMULAS

' 11
Z =
1
1
i
e
0
2
i = K Z
i
i K
Z K Z 3
3
, 9
21
1
1
21
11

0
1
2
1
12
i
i
e
Z K Z
i
Ki
Z 3
3
12
2
2
12

K
i
i K
Z i
i
e
Z 3
3
0
2
2
22 1
2
2
22

PARAMETROS Y.

En el apartado anterior para el cuadripolo se tenan las
funciones:
) , (
2 1 1 1
E E f E
) , (
2 1 2 2
I I f E
Las cuales establecen que las tensiones son la variable
dependiente.
Tambin puedo escribir una expresin donde la variable
dependiente sea entonces las expresiones para
las funciones son:
) , (
2 1 1 1
E E f I
) , (
2 1 2 2
E E f I
Habamos visto que:
2
2
2
1
1
2
2
2
2
1
1
1
1
1
dE
E
I
dE
E
I
dI
dE
E
I
dE
E
I
dI
dy
y
z
dx
x
z
dz

Y como representan cambios muy
pequeos, se pueden aproximar las siguientes
cantidades:

22
2
2
21
1
2
12
2
1
11
1
1
2
1
1
2
2
2
1
1
sen , , ,
Y
E
I
Y
E
I
Y
E
I
Y
I
s Admitancia tan epre R
E
I
E
I
E
I
E
I
E


2 12 1 11 1
e y e y i
2 22 1 21 2
e y e y i

parmetros
as:

i1
Y11
e1
Y12e2 Y21e1
Y22
e2
2
2
+
-
-
+

Figura 9-4Circuito equivalente con parmetros Y
0
2
1
1
11
e
e
i
Y 0
1
2
1
12
e
e
i
Y 0
2
1
2
21
e
e
i
Y
0
1
2
2
22
e
e
i
Y

A los parmetros Y se les llama parmetros de corto
circuito.

PARAMETROS HIBRIDOS.

En los apartados anteriores hemos introducido el
concepto de parmetros , y parmetros .

Esto lo hicimos a nivel de introduccin para que el lector
sepa de donde provienen estos parmetros, para que
sirven, y cual es su tratamiento matemtico.

Cuando estamos interesados en trabajar con transistores
para ciertos voltajes no es fcil el desarrollo con los
parmetros , ni con los parmetros .

Razones: No es conveniente hacer cortos con circuitos
que contengan transistores e inductancias.

Entonces se trata de escribir las expresiones de voltaje y
corriente de tal forma que se evite hacer cortocircuitos.

Para ello se ha acudido a los parmetros hbridos, y los
parmetros , los cuales son una herramienta fabulosa
para el anlisis de circuitos en AC.

Esto lo logramos de manera similar, como se trataron los
parmetros a partir del siguiente cuadripolo.

+
-
+
-
Io
Vi
Ii
1
1
Vo
2
2

Figura 9-5 Cuadripolo con Parmetros hbridos

Para el cuadripolo se puede escribir una expresin de la
siguiente forma:

o i i
V I f V ,
1
para que no sea igual a cero pero si que lo
sea .

para que sea igual a cero pero que no lo
sea .
Teniendo en cuenta todo el proceso del clculo y su

o i i
V h I h V
12 11

o i o
V h I h I
22 21

parmetros
lograr desde el comienzo cuando se parti del cuadripolo
as:

Figura 9-6 Circuito equivalente con parmetros hbridos.
Ahora:
0
11
Vo
Ii
Vi
h

0
0
0
22
21
12
Ii
Vo
Io
h
Vo
Ii
Io
h
Ii
Vo
Vi
h

De donde :

Existe una manera ms til de escribir los subndices,
para ello se hacen los siguientes cambios:

i
h h
11
resistencia de entrada
r
h h
12
relacin voltaje de transferencia inversa
f
h h
21
relacin de corriente de transferencia directa
o
h h
22
conductancia de salida

Con esta informacin se puede tratar el transistor por
medio de los parmetros hbridos para las
configuraciones: emisor comn, base comn, colector
comn.

MODELO EQUIVALETE HIBRIDO DEL TRANSISTOR
EN EMISOR COMUN
Para la configuracin en emisor comn los subndices de
los parmetros se van a escribir de la siguiente manera:

Nota: el subndice al lado derecho quiere decir que el
emisor es comn, el mismo criterio se tiene en cuenta
para base comn y colector comn.

IB
IC
IE
+
-
VBE
hoe
VCE
+
-
+
-
-
+
VBE
IB
hie
h V re CE
IC
VBE
hfeIB

Figura 9-7 equivalente hbrido en emisor comn

Modelo aproximado equivalente del transistor en emisor
comn.

IB B
hie
C
E
hf I e B

Figura 9-8 Modelo aproximado equivalente hbrido en emisor comn

Se elimina porque es un valor muy bajo debido
a que es una ganancia inversa.

Se elimina porque es una conductancia, es del
orden de S,y el inverso de =
hoe
1
es de un valor muy
alto, del orden de M
, por eso

se deja como un circuito abierto.

MODELO EQUIVALENTE HIBRIDO DEL TRANSISTOR EN
BASE COMUN.
para el emisor comn se puede dibujar el circuito
equivalente para la configuracin en base comn, como
se muestra a continuacin

E C
B

Figura 9-9 equivalente hbrido en base comn normal y aproximado.

MODELO EQUIVALENTE HIBRIDO DEL TRANSISTOR
EN COLECTOR COMUN.
para el emisor comn y base comn se puede dibujar el
circuito equivalente para la configuracin en colector
comn, como se muestra a continuacin

B
E
C
C
h V rc BC
B
E
hic
hfcIB
hoc
+
-

Figura 9-10 modelo equivalente hbrido en colector comn

MODELO
Circuito equivalente del transistor en base
comn:
El modelo , es un modelo muy til en el diseo y
resolucin de circuitos con transistores.
Fcilmente puedo pasar del modelo hbrido al modelo y
viceversa.
Veamos como se desarrolla el modelo para la
configuracin base comn.

Tomemos una configuracin base comn:

E C
B

Figura 9-11 Configuracin base comn

Como se puede observar el circuito de entrada
corresponde a un diodo y como a este diodo se le aplica
una seal alterna se encuentra que su equivalente es una
resistencia dinmica .

Ahora:el circuito base comn lo podemos dibujar como:

Figura 9-12 Modelo equivalente para base comn

= Resistencia dinmica del diodo, representa la
impedancia de entrada del circuito ,
El circuito de salida corresponde a una fuente de corriente
porque la corriente de salida es la corriente de
colector:

Circuito equivalente del transistor en emisor
comn:

Tomemos ahora una configuracin emisor comn, y
dibujemos su circuito equivalente
Como se puede ver el circuito de entrada corresponde a
un diodo, y la corriente de entrada es .
Ojo al dibujo falta transistor en emisor comn.arriba

Figura 9-13 Emisor comn y su modelo re equivalente

Para el circuito anterior se obtienen los siguientes
clculos:
re Zi
Ib
re I
I
V
Zi
re I re I V Vi
I
V
Ii
Vi
Zi es entrada de impedancia La
I I
I I
I I I I I
I I I
B
B
BE
B E BE
B
BE
B B E
B E
B E B E
C B E
:
) 1 (

Con esta informacin, el circuito equivalente en el modelo
para el emisor comn es:

Figura 9-14 Circuito equivalente para emisor comn.

RELACIN ENTRE:

EQUIVALENTE HIBRIDO Y EQUIVALENTE para emisor
comn,y base comn.:

Figura 9-15 Relacin entre circuito hbrido y circuito ,para emisor
comn y base comn.

TABLA DE PARAMETROS HIBRIDOS (TRANSISTOR)

Siemens
V
i
V
i
Vo
io
hoe
sional en A
i
i
i
i
ii
io
hf e
ensional A
V
V
V
V
Vo
Vi
hre
ohms
i
V
i
V
ii
Vi
hie
cte IB
CE
C
CE
C
cte vce
B
C
B
C
cte I
CE
BE
CE
BE
cte VCE
B
BE
B
BE
B
dim
dim

PARA QUE SIRVEN LOS PARAMETROS HIBRIDOS?

Es una herramienta importante para el diseo en AC,
para acoplar varias etapas en cascada.

Para distinguir y manipular internamente el transistor.

En este captulo con el nimo de disear nos va a
interesar fundamentalmente del transistor:
Impedancia de entrada
Impedancia de salida
Ganancia de voltaje
Ganancia de corriente

Los parmetros me permiten
hallar estos requerimientos
importantes para el diseo.

ANLISIS DE PEQUEA SEAL DEL TRANSISTOR.



Ojo escribir , mostrarlos.

CIRCUITO DE EMISOR COMUN CON POLARIZACION FIJA.
RB
VCC
RC
VO
Vi

Desarrollo:

Primer paso:
Llevo las fuentes de DC a tierra, esto lo puedo hacer
porque la DC se comporta como la referencia o el nivel 0,
ante la AC. Los condensadores se comportan como un
corto ante la AC.
Segn este comportamiento el circuito se puede dibujar
de la siguiente forma:

Figura 9-17 Equivalente con fuentes DC a tierra
Segundo paso:
Reemplazo el transistor por su circuito hbrido
aproximado equivalente.
En el diagrama se observan:
Dibujarlos.

Ii
+
-
-
Vi
+
RB
IB
hie
hf I e B
RC
I0
V0
Zi Z0

Figura 9-18 Circuito hbrido aproximado

Tercer paso:

Encuentro los valores de , en la figura se
observa que:

C
B
R Zo
hie R Zi

Toda esta informacin la proporciona el modelo hibrido
aproximado.
Del diagrama hibrido equivalente se calcula el valor de
como se muestra a continuacin:

re
hf eR
Av
re hie pero
hie
hf eRc
Av
hie I
R hf eI
Vi
Vo
A hie I Vi
R hf eI Vo
R I Vo
Vi
Vo
Av
C
B
C B
V B
C B
C O

Es una formula aproximada, y es de un valor alto,
porque:

.
, :
) , (
aproximada f ormula una Es hf e Ai
I Ii hf eI Io
Ii
Io
Ai corriente de Ganancia
pequeo valor de re alto valor es Rc re Rc
B B

OTRO ANLISIS: Teniendo en cuenta
hoe
1
= impedancia
de salida
El circuito hbrido correspondiente es el siguiente:

Ii
-
Vi
+
RB hie
Zi
+
-
hf I e B
RC
Vo
hoe
Zo
1
IB

Figura 9-19 Circuito teniendo en cuenta
hoe
1

Analizando el diagrama equivalente se obtienen los
siguientes clculos:
re
Rc
Av

) ( ) 1 (
) (
1
) (
1
1
.
1
) 1 (
1
1
1
hie R hoeR
hf eR
Ai
R
hie R I
hoeR
hf eI
Ii
Io
Ai
R
hie R I
Ii
hie R
IiR
I
hallarIi Para
hoeR
hf eI
Io
R
hoe
hoe
hf eI
Io
Ii
Io
Ai
Ai corriente de Ganacia
hoeR
R
Zo
hoeR hoe
hoe R
Zo
hoe
hoeR
hoe
R
Zo
hoe
R
hoe
R
R
hoe
Zo
B C
B
B
B B
C
B
B
B B
B
B
B
C
B
C
B
C
C
C
C
C
C
C
C
C

2
2
2
) 1 (
) 1 (
1
) 1 (
) (
) (
1
*
1
1
10 , 10
1
hoeRc re
hf eRc
Av
hoeRc hie I
Rc hf eI
Av
hie I
hoeRc
Rc hf eI
Vi
Vo
Av
hie I Vi
hie R R
hie R hie R I
Vi
IiZi Vi
hoeRc
Rc
hoeRc
hf eI
Vo
IoZo Vo
Vi
Vo
Av
re
hoe
Rc
Av
Rc
Zi
Av Ai
re R Rc
hoe
cuando Ai
B
B
B
B
B
B B
B B B
B
B

= Formula exacta sin aproximaciones.

Para el siguiente circuito:

2
) 1 ( hoeRc re
Rc
Av

470 K
12 v
3 K
VO
Vi
1
hOe
= 50 K
+

Se pide hallar:
hoe
cuando Ai
hoe
cuando Av
re
hoe
cuando Zo
hoe
cuando Zi
1
?
1
?
?
1
?
1
?

Hallar:

K
hoe
cuando Zo
K
hoe
cuando Ai
K
hoe
cuando Av
50
1
?
50
1
?
50
1
?

Desarrollo:

Primer paso: es muy importante conocer , para esto es
necesario hallar .

A I
K
V V
I
R
V V
I
B
B
B
BE CC
B
04 . 24
470
7 . 0 12

K hie
re hie
re
mA
mV
I
mV
r
I I
mA I A I I I
E
e
E C
C C B C
071 . 1
) 71 . 10 ( 100
71 . 10
428 . 2
26 26
428 . 2 ) 04 . 24 ( 100

Segundo paso: Dibujo el circuito hbrido equivalente como
se muestra a continuacin:

RB
RC
Zi
+
-
-
Vi
+
RB
IB
hie
hf I e B
RC
Z0
V0

Figura 9-21 Circuito hbrido equivalente

Del anlisis correspondiente al circuito hbrido equivalente
se obtienen los siguientes clculos:
100
11 . 280
71 . 10
3
3
069 . 1
07 . 1 470
Ai
Ai
Av
K
Av
re
R
Av
K Zo
R Zo
K Zi
K K Zi
hie R Zi
C
C
B

Ahora teniendo en cuenta:
hoe
1

13 . 94
) ( ) 1 (
83 . 2
3 50
1
24 , 264
71 . 10
3 50
1
:
1
Ai
hie R hoeRc
hf eR
Ai
K Zo
K K Zo
hoe
Rc Zo
A
K K
Av
re
Rc
hoe
Av
hoe
B
B
v

IMPORTANTE: Se observa como disminuyen los valores
de, al tener en cuenta: K
hoe
50
1


alterna, y a ese circuito se le van a encontrar los


Figura 9-22 Ejercicio de anlisis

Primer paso: llevo las fuentes de DC a tierra.

Figura 9-23 Circuito con fuentes de DC a tierra

Segundo paso: Reemplazo el transistor por el modelo
hbrido equivalente:

Figura 9-24 Equivalente hbrido
se obtienen los siguientes valores:

C
BB
R Zo
hie R Zi
Zi ?

Ai
hoe
cuenta en tener Sin
hoe
cuenta en teniendo exacta Formula
R
hie R I
Ii
hie R
IiR
I
hoeR
hf eI
Io
Ii
Io
Ai
re
R
Av
hie I
R hf eI
Vi
Vo
Av
Rc hf eI Vo R I Vo
Vi
Vo
Av
BB
BB B
BB
BB
B
C
B
C
B
C B
B C O
1
1
) (
1

) ( ) 1 ( hie R R hoe
R hfe
Ai
BB C
BB

IMPORTANTE: Se observa que este circuito tiene las
mismas expresiones obtenidas en el circuito de
polarizacin fija (bsicamente).

CIRCUITO DE POLARIZACION FIJA CON
RESISTENCIA DE EMISOR.




Primer paso:
Llevamos las fuentes de DC a tierra como se muestra en
el siguiente circuito:


Segundo paso:
Reemplazo el transistor por el circuito hbrido
equivalente.


Primero se halla el valor de, a partir de los siguientes
clculos:
aproximada Formula
R
R
Av
R hf e hie
hf eRc
Av
R hf e hie I
R hf eI
Vi
Vo
Av
R hf e hie I Vi
R hf eI Vo
IoRc Vo
Vi
Vo
Av
R Zo
Z R Z aproximada Formula R Z
exacta Formula R hf e hie Z
R hf e hie Z
I
Vi
Ahora
R hf e hie I Vi
R I hf e hie I Vi
E
C
E
E B
C B
E B
C B
C
B B i E B
E B
E B
B
E B
E B B
) 1 (
) 1 (
) 1 (
,
) 1 (
) 1 (
) 1 (
) 1 (

Ganancia de corriente:

B
B B B
B
B
B B B
B B
B
B
B
R
Z R I
hf eI
Ii
Io
Ai
R
Z R I
Ii
Z R
IiR
I
hf eI Io
Ii
Io
Ai
) (
1
) (

) (
B B B
B B
Z R I
Z hfeI
Ai


B B
B
Z R
hfeR
Ai


Desarrollo:

99 .. 5
34 . 4
26
34 . 4
89 . 35 ( 121
) 1 (
89 . 35
) 56 . 0 ( 121 470
7 . 0 20
) 1 (
re
mA
mV
re
mA I
A I
I I
A I
K K
V V
I
R R
V V
I
E
E
B E
B
B
E B
BE CC
B

Para hallar:

92 . 104
2 . 2
) 34 . 59 ( ) 9 . 3 (
9 . 3
50 . 0
2 . 2
2 . 2
34 . 59
92 . 67 470
92 , 67 ) (
Ai
K
K
Ai
Rc
AvZi
Ai
Av
K
K
R
R
Av
K R Zo
K Zi
K K Z Z R Zi
K Z R re Z
E
C
C
i B B
B E B

CONFIGURACION EMISOR SEGUIDOR

alterna,y a ese circuito se le van a encontrar los


Figura 9-29 Ejercicios de anlisis

Desarrollo:
Primer paso: llevamos las fuentes de DC a tierra


Segundo paso: Reemplazo el transistor por el circuito hbrido
equivalente:


A partir del circuito hbrido equivalente obtengo los siguientes
clculos:

E
E
E
E
E
E
E
E
B
B
B E
B
B
B B
E B
R re
Vi
I
Haciendo
R
re
Vi
I
R re
Vi
I
R hie
Vi
I
Z
Vi
I
I I que Sabemos
Z
Vi
I
Z I Vi
R hf e hie Z
) 1 (
1
) 1 (
) 1 (
) 1 (
) 1 (
) 1 (
) 1 (
) 1 (
) 1 (
) 1 (
.

Si a partir de esta expresin construyo un circuito obtengo:

Figura 9-32 Circuito para la expresin Vi=IE (re+RE)

Para hallar se hace entonces

Como < re Z
O

Para hallar :

Del circuito:

Figura 9-33 Circuito para la expresin

E
E
E
R re porque Av
Vi
Vo
Av
R re
ViR
Vo
1

re R
R
A
E
E
V

Ganancia de corriente Ai:

1
) (
) 1 (
) (
) 1 (
Haciendo
R
Z R I
I
Ii
Io
Ai
R
Z R I
Ii
I I Io
Z R
IiR
I
B
B B B
B
B
B B B
B E
B B
B
B

Para el siguiente circuito hallar:

B B
B
Z R
R
Ai

E
v
R
Zi
A Ai

Figura 9-34 Circuito seguidor de emisor

Desarrollo:

K Zi
K K Zi Z R Zi
Ai
K K
K
Ai
K Z K Z
R hie hie Z
Z R
R
Ai
Av
K
K
Av
R re
R
Av
re
mA
mV
re
mA I
mA I I I
A I
K K
V V
I
R R
V V
I
B B
B B
E B
B B
B
E
E
E
E B E
B
B
E B
BE CC
B
72 . 132
563 . 334 220
67 . 39
56 . 334 220
) 220 ( 100
56 , 334 ), 3 . 3 ( 101 ) 61 . 12 ( 100
) 1 (
1 99 . 0
61 . 12 3 . 3
3 . 3
61 . 12
062 . 2
26
062 . 2
) 42 . 20 ( 101 ) 1 (
42 . 20
) 3 . 3 ( 101 220
7 . 0 12
) 1 (

CONFIGURACIN BASE COMN (con parmetros )



Figura 9-35 Circuito en base comn

Desarrollo: primer paso: llevamos las fuentes de D.C. a tierra, como
se muestra en el siguiente circuito:

Figura 9-36 Circuito con fuentes DC a tierra

Segundo paso : Reemplazamos el transistor por su circuito
equivalente como se muestra a continuacin:
Arreglar el cto.

Zi
-
Vi
+
RE
IE
RC
Z0
re

Figura 9-37 Circuito con parmetros re
Del anlisis correspondiente al circuito equivalente se
obtienen los siguientes clculos:

Ganancia de voltaje:

1 Ai Ii Io
Ii
Io
Ai
re I
R I
Vi
Vo
Av
re I Vi
R I Vo
R I Vo
Vi
Vo
Av
E
C E
B
C E
C O


Vi
-
1K
2v
I0
5 K
8v
V0
+

Figura 9-38 Circuito en base comn.

Desarrollo:
re R Zi
E

Rc Zo
re
R
Av
C

1
98 . 0
250
20
5
5
61 . 19
20 1
20
3 . 1
26
26
3 . 1
1000
7 . 0 2
7 . 0 1 2
Ai
Ai
Av
K
Av
re
Rc
Av
K Rc Zo
Zi
K Zi
re R Zi
re
mA
mV
re
I
mV
re
mA I
V V
I
V I K V
E
E
E
E
E

CONFIGURACION CON RETROALIMENTACION EN COLECTOR



Figura 9-39 Circuito realimentado por colector

Desarrollo:

Primer paso: Llevo las fuentes de DC a tierra, como se muestra a
continuacin:


Segundo paso: Reemplazo el transistor por su circuito hbrido
equivalente, como se muestra a continuacin:

Figura 9-41 Circuito con parmetros hbridos

Del anlisis correspondiente al circuito equivalente hbrido

Para hallar :
re
ViRc
Vo
re
ViRc
Vo
R
hie
Vi
hf e Vo
hie
Vi
I
hie I Vi
Rc hf eI Vo
hf eI Io I hf eI Como
IoRc Vo
R
Vi Vo
I
C
B
B
B
B B
F
'
'

F
F
F
F
E
F
F F
F F
F
R
Rc
re
Zi
re
Rc
re
Rc
hagamos re Rc Nota
re
Rc
R
re
re
Ii
Vi
Zi
re Ii
re
Rc
R
re
Vi
reVi
re
Rc
R
R Ii Vi
re I re Ii
re I Ii hf eIbre Vi
Vi
re
Rc
R
I
R
Vi
reR
ViRc
I
R
Vi
R
Vo
I
R
Vi Vo
ComoI
1
1 :
1 1
1 1
1
1
'
) ' (
1
1
'
'
'
'

Para hallar hacemos

Figura 9-42 Circuito para hallar Zo

F
R Rc Zo Desarrollo:
F
R
Rc
re
Zi
1

Primer paso: es muy importante conocer , para esto es
necesario hallar .

A I
K
V V
I
R
V V
I
B
B
B
BE CC
B
04 . 24
470
7 . 0 12

K hie
re hie
re
mA
mV
I
mV
r
I I
mA I A I I I
E
e
E C
C C B C
071 . 1
) 71 . 10 ( 100
71 . 10
428 . 2
26 26
428 . 2 ) 04 . 24 ( 100

Segundo paso: Dibujo el circuito hbrido equivalente como

RB
RC
Zi
+
-
-
Vi
+
RB
IB
hie
hf I e B
RC
Z0
V0


100
11 . 280
71 . 10
3
3
069 . 1
07 . 1 470
Ai
Ai
Av
K
Av
re
R
Av
K Zo
R Zo
K Zi
K K Zi
hie R Zi
C
C
B

Ahora teniendo en cuenta:
hoe
1

13 . 94
) ( ) 1 (
83 . 2
3 50
1
24 , 264
71 . 10
3 50
1
:
1
Ai
hie R hoeRc
hf eR
Ai
K Zo
K K Zo
hoe
Rc Zo
A
K K
Av
re
Rc
hoe
Av
hoe
B
B
v

IMPORTANTE: Se observa como disminuyen los valores
de , al tener en cuenta: K
hoe
50
1



Figura 9-22 Ejercicio de anlisis

Primer paso: llevo las fuentes de DC a tierra.


Segundo paso: Reemplazo el transistor por el modelo
hbrido equivalente:

Figura 9-24 Equivalente hbrido
se obtienen los siguientes valores:

C
BB
R Zo
hie R Zi
Zi ?

Ai
hoe
cuenta en tener Sin
hoe
cuenta en teniendo exacta Formula
R
hie R I
Ii
hie R
IiR
I
hoeR
hf eI
Io
Ii
Io
Ai
re
R
Av
hie I
R hf eI
Vi
Vo
Av
Rc hf eI Vo R I Vo
Vi
Vo
Av
BB
BB B
BB
BB
B
C
B
C
B
C B
B C O
1
1
) (
1

IMPORTANTE: Se observa que este circuito tiene las
mismas expresiones obtenidas en el circuito de
polarizacin fija (bsicamente).

CIRCUITO DE POLARIZACION FIJA CON RESISTENCIA DE
EMISOR.
) ( ) 1 ( hie R R hoe
R hfe
Ai
BB C
BB




Primer paso:
Llevamos las fuentes de DC a tierra como se muestra en
el siguiente circuito:


Segundo paso:
Reemplazo el transistor por el circuito hbrido
equivalente.


Primero se halla el valor de , a partir de los siguientes
clculos:
aproximada Formula
R
R
Av
R hf e hie
hf eRc
Av
R hf e hie I
R hf eI
Vi
Vo
Av
R hf e hie I Vi
R hf eI Vo
IoRc Vo
Vi
Vo
Av
R Zo
Z R Z aproximada Formula R Z
exacta Formula R hf e hie Z
R hf e hie Z
I
Vi
Ahora
R hf e hie I Vi
R I hf e hie I Vi
E
C
E
E B
C B
E B
C B
C
B B i E B
E B
E B
B
E B
E B B
) 1 (
) 1 (
) 1 (
,
) 1 (
) 1 (
) 1 (
) 1 (

Ganancia de corriente:

B
B B B
B
B
B B B
B B
B
B
B
R
Z R I
hf eI
Ii
Io
Ai
R
Z R I
Ii
Z R
IiR
I
hf eI Io
Ii
Io
Ai
) (
1
) (

) (
B B B
B B
Z R I
Z hfeI
Ai



Desarrollo:

99 .. 5
34 . 4
26
34 . 4
89 . 35 ( 121
) 1 (
89 . 35
) 56 . 0 ( 121 470
7 . 0 20
) 1 (
re
mA
mV
re
mA I
A I
I I
A I
K K
V V
I
R R
V V
I
E
E
B E
B
B
E B
BE CC
B

Para hallar:

B B
B
Z R
hfeR
Ai

92 . 104
2 . 2
) 34 . 59 ( ) 9 . 3 (
9 . 3
50 . 0
2 . 2
2 . 2
34 . 59
92 . 67 470
92 , 67 ) (
Ai
K
K
Ai
Rc
AvZi
Ai
Av
K
K
R
R
Av
K R Zo
K Zi
K K Z Z R Zi
K Z R re Z
E
C
C
i B B
B E B

CONFIGURACION EMISOR SEGUIDOR


Figura 9-29 Ejercicios de anlisis

Desarrollo:
Primer paso: llevamos las fuentes de DC a tierra

Segundo paso: Reemplazo el transistor por el circuito hbrido
equivalente:


A partir del circuito hbrido equivalente obtengo los siguientes
clculos:

E
E
E
E
E
E
E
E
B
B
B E
B
B
B B
E B
R re
Vi
I
Haciendo
R
re
Vi
I
R re
Vi
I
R hie
Vi
I
Z
Vi
I
I I que Sabemos
Z
Vi
I
Z I Vi
R hf e hie Z
) 1 (
1
) 1 (
) 1 (
) 1 (
) 1 (
) 1 (
) 1 (
) 1 (
) 1 (
) 1 (
.
Si a partir de esta expresin construyo un circuito obtengo:

Figura 9-32 Circuito para la expresin Vi=IE(re+RE)

Para hallar se hace entonces

Como < re Z
O

Para hallar :

Del circuito:

Figura 9-33 Circuito para la expresin

E
E
E
R re porque Av
Vi
Vo
Av
R re
ViR
Vo
1

Ganancia de corriente Ai:

1
) (
) 1 (
) (
) 1 (
Haciendo
R
Z R I
I
Ii
Io
Ai
R
Z R I
Ii
I I Io
Z R
IiR
I
B
B B B
B
B
B B B
B E
B B
B
B


re R
R
A
E
E
V

B B
B
Z R
R
Ai

E
v
R
Zi
A Ai


Desarrollo:
K Zi
K K Zi Z R Zi
Ai
K K
K
Ai
K Z K Z
R hie hie Z
Z R
R
Ai
Av
K
K
Av
R re
R
Av
re
mA
mV
re
mA I
mA I I I
A I
K K
V V
I
R R
V V
I
B B
B B
E B
B B
B
E
E
E
E B E
B
B
E B
BE CC
B
72 . 132
563 . 334 220
67 . 39
56 . 334 220
) 220 ( 100
56 , 334 ), 3 . 3 ( 101 ) 61 . 12 ( 100
) 1 (
1 99 . 0
61 . 12 3 . 3
3 . 3
61 . 12
062 . 2
26
062 . 2
) 42 . 20 ( 101 ) 1 (
42 . 20
) 3 . 3 ( 101 220
7 . 0 12
) 1 (

CONFIGURACIN BASE COMN (con parmetros )




Desarrollo: primer paso: llevamos las fuentes de D.C. a tierra ,como
se muestra en el siguiente circuito:

Figura 9-36 Circuito con fuentes DC a tierra

Segundo paso :Reemplazamos el transistor por su circuito
equivalente como se muestra a continuacin:
Arreglar el cto.

Zi
-
Vi
+
RE
IE
RC
Z0
re

Figura 9-37 Circuito con parmetros re
Del anlisis correspondiente al circuito equivalente se
obtienen los siguientes clculos:

Ganancia de voltaje:

1 Ai Ii Io
Ii
Io
Ai
re I
R I
Vi
Vo
Av
re I Vi
R I Vo
R I Vo
Vi
Vo
Av
E
C E
B
C E
C O


Vi
-
1K
2v
I0
5 K
8v
V0
+


re R Zi
E

Rc Zo
re
R
Av
C

Desarrollo:

1
98 . 0
250
20
5
5
61 . 19
20 1
20
3 . 1
26
26
3 . 1
1000
7 . 0 2
7 . 0 1 2
Ai
Ai
Av
K
Av
re
Rc
Av
K Rc Zo
Zi
K Zi
re R Zi
re
mA
mV
re
I
mV
re
mA I
V V
I
V I K V
E
E
E
E
E

CONFIGURACION CON RETROALIMENTACION EN COLECTOR




Desarrollo:

Primer paso: Llevo las fuentes de DC a tierra, como se muestra a
continuacin:


Segundo paso: Reemplazo el transistor por su circuito hbrido
equivalente, como se muestra a continuacin:


Del anlisis correspondiente al circuito equivalente hbrido

Para hallar :

re
ViRc
Vo
re
ViRc
Vo
R
hie
Vi
hf e Vo
hie
Vi
I
hie I Vi
Rc hf eI Vo
hf eI Io I hf eI Como
IoRc Vo
R
Vi Vo
I
C
B
B
B
B B
F
'
'

F
F
F
F
E
F
F F
F F
F
R
Rc
re
Zi
re
Rc
re
Rc
hagamos re Rc Nota
re
Rc
R
re
re
Ii
Vi
Zi
re Ii
re
Rc
R
re
Vi
reVi
re
Rc
R
R Ii Vi
re I re Ii
re I Ii hf eIbre Vi
Vi
re
Rc
R
I
R
Vi
reR
ViRc
I
R
Vi
R
Vo
I
R
Vi Vo
ComoI
1
1 :
1 1
1 1
1
1
'
) ' (
1
1
'
'
'
'

Para hallar hacemos

Figura 9-42 Circuito para hallar Zo

F
R Rc Zo

F
R
Rc
re
Zi
1

Para hallar ganancia de voltaje :
re hf e I
Rc hf eI
Av
Vi
Vo
Av
hie I Vi
Rc hf eI Vo
IoRc Vo
hf eI Io I I pero I I Io
Vi
Vo
Av
B
B
B
B
B B B
' '

Para hallar ganancia de corriente

Rc
R
Ii
Io
Ai
R Rc Tomando
Rc R
R
Ai
Rc R
R
Ii
Io
Ai
Rc con R comparando y re Ignorando
Rc R re
Ii R
Io
IiR R R re
Io
I Io
Io
I Ahora
IiR Rc R re I
Rc I IiR R I re hf e I
I hf e Io Pero
IoRc R Ii I hie I
Vo VR Vi
Ii
Io
Ai
F
F
F
F
F
F
F
F
F
F C F B B
F F B
B F F B B
B
F B B
F
:
) (
0
0 ) (
0

re
Rc
Av
Rc
R
Ai
F

Para la siguiente red se pide hallar:

Desarrollo:

5 . 560
180000
2700
200
1
21 . 11
1
21 . 11
32 . 2
26
26
32 . 2
) 1 (
53 . 11
) 7 . 2 ( 200 180
7 . 0 9
Zi
Zi
R
Rc
re
Zi
re
mA
mV
re
I
mV
re
mA I
I I
A I
K K
V V
I
R R
V V
I
F
E
E
B E
B
B
C F
BE CC
B

50
) 7 . 2 ( 200 180
) 180 ( 200
86 . 240
21 . 11
2700
66 . 2
180 7 . 2
180 * 7 . 2
Ai
K K
K
Ai
R
R
Ai
Av
Av
re
Rc
Av
Vi
Vo
Av
K Zo
K K
K K
Zo R Rc Zo
RC F
F
F


Para la siguiente red hallar:


Desarrollo:

04 . 52
1
72 . 8
39 . 959
25 . 142
65 . 300 270
65 . 300 * 270
65 . 300
) 7 . 2 ( 111 39 . 959
) 1 (
72 . 8
9 . 2
26
26
98 . 2
) 1 (
85 . 26
) 7 . 2 ( 111 270
7 . 0 16
) 1 (
Ai
Z R
R
Ai
Av
Zo
re Zo
re
K Zi
K K
K K
Zi
K Z
K Z
R hie Z Z R Zi
re
mA
mV
re
I
mV
re
mA I
I I I I
A I
K K
V V
I
R R
V V
I
B B
B
B
B
E B B B
E
C
B E B C
B
B
E B
BE CC
B



+12 v
VO
Vi
5,6 K 390K
8 v


Desarrollo del circuito tenemos:
42 . 31
1
03 . 248
37 . 681 390
37 . 681 * 390
3 . 681
) 6 . 5 ( 121 3770
3770
3770
) 1 (
42 . 31
82 . 0
26
82 . 0
83 . 6
) 6 . 5 ( 121 390
7 . 0 8
) 1 ( 8
) 1 ( 8
Zo
re Zo
Av
K Zi
K K
K K
Zi
Z R Zi
K Z
K Z
hie
re hie
R hf e hie Z Z R Zi
re
mA
mV
re
mA I
A I
K K
V V
I
V R R I V
R I V R I V
B B
B
B
E B B B
E
B
B
BE E B B
E B BE B B

CONFIGURACIN BASE COMN (con parmetros hbridos).




Desarrollo:

Primer paso: llevamos las fuentes de DC a tierra.

Figura 9-47Circuito con fuentes de DC a tierra

Segundo paso: Reemplazamos el transistor por su circuito
equivalente con parmetros hbridos


1 Ai
Ii
Io
Ai
hib
hf bR
Av
hib I
R hf bI
Vi
Vo
Av hie I Vi
R hf bI Vo IoRc Vo
R Zo
hib R Zi
C
E
C E
E
C E
C
E


Para la siguiente RED se pide hallar:


Del anlisis correspondiente al circuito equivalente
hibrido,se obtienen los siguientes clculos:

hf b Ai
A
K
A
hib
hf bR
A
K Zo
R Zo
Zi
K
K
Zi
hib R Zi
mA I
K
V V
I
V R I V
V
V
C
V
C
E
E
E
BE E E
1
46 . 228
3 . 14
) 3 . 3 ( 99 . 0
3 . 3
2 . 14
3 . 14 2 . 2
3 . 14 * 2 . 2
5 . 1
2 . 2
7 . 0 4
4

CAPITULO 10

ETAPAS EN CASCADA.

INTRODUCCION:
Dentro de las ramas importantes de la electrnica se encuentran las
comunicaciones, y es aqu donde se necesita acoplar varias etapas en
cascada para poder amplificar la seal de entrada.

OBJETIVO:

Conocer y desarrollar la teora y tcnica que permite acoplar
etapas en cascada.

Supongamos que se tienen conectadas varias etapas amplificadoras
con transistores, como se muestra a continuacin:

+
-
Vi
Z Z i= i1
Av1
(2)
Av2
(4)
Av3
(3)
Av4
(5)
RL
+
-
V0

Figura 10-1 Etapas en cascada
Cada etapa tiene su respectiva ganancia por decir:

Si el voltaje de entrada es:
Entonces podemos calcular los siguientes voltajes:
mV V V V V Vi A V
V V V V Vi A V
V V V V Vi A V
V V V V Vi A V
V
V
V
V
2 . 1 ) 5 ( 240
240 ) 3 ( 80
80 ) 4 ( 20
20 ) 2 ( 10
0 04 04 4 4 04
03 03 3 3 03
02 02 2 2 02
01 01 1 01

Como estamos interesados en hallar la ganancia total de voltaje del
sistema ,entonces aplicamos la frmula de ganancia total as:

120
120
10
2 . 1
VT
vt T V
A
V
mV
A
Vi
Vo
A

Se observa que
De este resultado se concluye que: cuando tenemos varias etapas
amplificadoras en cascada, la ganancia total es igual a la
multiplicacin de todas las ganancias individuales, esto quiere decir:

IN I I I IT
VN V V V T V
A A A A A
manera igual De
A A A A A
.. . ..
... ... ...
3 2 1
3 2 1

El signo menos hace referencia a que puede ser inversora o no
inversora alguna etapa.

Ahora vamos a tomar dos transistores en cascada, cuya
entrada es una seal alterna ,y a ese circuito se le van a
encontrar los siguientes parmetros.


Figura 10-2 dos etapas en cascada

Desarrollo, primer paso: Llevamos las fuentes de DC a tierra, como

Vi
R1 R2
Rc1
R3 R4
Rc2


Segundo paso:
Reemplazamos los transistores por su circuito hbrido equivalente
Como se puede ver en la figura:



2
2
2
1
2 4 3 1
1
1
2 4 3 1
1
2 0
1 2 1
1 2 1
re
R
A
re
hie R R R
A
re
hie R R R
A
R Z
hie R R Zi
hie R R Zi
C
V
C
V
C
V
C

Ejemplo: para el siguiente circuito se pide hallar:

Figura 10-5 Ejercicios de aplicacin.
Desarrollo:

V Vo
V V V A V
K Z R Zo
Zi
K K Zi hie R R Zi
A
K
A
re
R
A
mA
mv
re
mA I
V V
V V
V V
A
A
re
hie R R R
A
O i V o
o C
V
V
C
V
E
C
E
B
V
V
C
V
866 . 0
) 25 ( ) 624 , 34 (
2 . 2
6 . 953
) 5 . 6 ( 200 7 . 4 15
46 . 338
5 . 6
2 . 2
5 . 6
4
26
2
4
11
4
7 . 4
3 . 102
5 . 6
2 . 665
1 2 1
2
2
2
2
2
1
1
1
2 4 3 1
1

Ahora vamos a tomar dos transistores en cascada con
resistencia de emisor ,sin condensador de desacople en
emisor , cuya entrada es una seal alterna ,y a ese
circuito se le van a encontrar los siguientes parmetros.



CIRCUITO HBRIDO EQUIVALENTE:


Desarrollo: del anlisis correspondiente al circuito hbrido
equivalente se obtienen los siguientes clculos:

2
2
1
2 2 1
2 1
2
2
2
1
2 2 1
1
2 1
2 2 2 2
2
1 1 1 1
2 1
2 1
1
1 1
*
*
) 1 (
1
E
C
E
B BB C
VT
V V VT
E
C
V
E
B BB C
V
V V VT
E B
C
E B
B B
B B
BB
B BB
R
R
R
Z R R
A
A A A
R
R
A
R
Z R R
A
A A A
R hf e hie Z
R Zo
R hf e hie Z
R R
R R
R
Z R Zi

CAPITULO 11

DISEO DE ETAPAS EN CASCADA

INTRODUCCION:
Muchas veces necesitamos que nuestra seal de salida tenga
determinada amplitud, y tambin podemos estar interesados en la
fase de nuestra seal, esto no lo podemos lograr si no manejamos
adecuadamente tcnicas de circuitos, que nos permitan lograr este
objetivo.

OBJETIVOS:

Para poder comprender lo anteriormente propuesto, vamos a partir
de un circuito, donde nos piden disear esa red con los siguientes
requerimientos:

10
1 V
A 20
2 V
A

Desarrollar las tcnicas y criterios de diseo que me permitan acoplar
varias etapas entre s.

Figura 11-1 Dos etapas en cascada

Desarrollo:

Comienzo los clculos del circuito a partir de la segunda etapa.
(Tambin se puede a partir de la primera).

Escogemos: Voltios,

Sabemos que:
2
2
2
E
C
V
R
R
A

K R
mA
V
R
mA
V V
R
K R
mA
V
R
V V
V V
V V
mA V
R
R
A
R
R
R
R
A Como
K R
mA
V
R V V Tomamos
B
B
B
B
B
B
B
RE
RE
E
E
V
C
E
E
C
V
C
C C
45 , 85
100
2
11
8 . 18
100
2
11
2 . 1 20
6
100
2
10
2 . 1
2 . 1
7 . 0 5 , 0
5 , 0
) 250 ( 2
250
20
5000
5
2
10
10
3
3
3
4
4
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2

V V
K K
K V
V
B
B
31 . 1
45 , 85 6
) 6 ( 20
2
2

26550
250 ) 100 1 ( 1300
1300
13
2
26
26
) 1 (
2
2
2 2 2
2
2
2
2
2 2 2 2
1
2 4 3 1
B
B
E
E
E
E
E B
E
B B B C
I V
Z
Z
hie re hie
r
mA
mV
r
I
mV
r
R hf e hie Z
R
Z R R R
A

Ahora tomamos la primera etapa:
K R R
K K
K K
R R
B B
B B
60 , 5
45 , 85 6
45 , 85 * 6
4 3
4 3

Ahora:
4624
26650 60 , 5
26550 * 60 , 5
2 4 3
K
K
Z R R
B B B

Como conozco AV1
1
1
1
1
1
4624
10
4624
E
C
E
C
V
R
R
R
R
A

Observacin: Como tengo 2 incgnitas en esa expresin, entonces
puedo asumir un valor lgico de.RE1 Voy a asumir RE1 = 1000 y
chequeo.

1 1
6
1
1
1
1
4624 10000 10 * 24 , 46
4624
4624
10000
1000
4624
4624
10
C C
C
C
C
C
R R
R
R
R
R

En el resultado anterior se puede observar que en esta expresin el
valor de RE1 me da negativo, entonces disminuyo el valor asignado
para RE1; y asumo un nuevo valor de RE1= 100

10
100
4624 1275
4624 * 1275
100
4624 1275
Pr
1275
3624
10 * 624 , 4
100
3624 10 * 624 , 4
1000 4624 10 * 624 , 4
4624 1000 10 * 624 , 4
4624
4624
1000
1
6
1
1
1
6
1 1
6
1 1
6
1
1
ueba
R R
R
R
R R
R R
R
R
C C
E
C
C C
C C
C
C

Lo cual corresponde a 10 que es el valor de la ganancia de la primera
etapa.
Para continuar con los clculos de la primera etapa asumo IC1 =
8,5mA, para que el punto (Q) quede localizado en la mitad
aproximadamente.

8.5mA(1275) = 10,83V se observa que queda bien, centrado el punto
Q.
K R
mA
V
R
mA
V V
R
K R
mA
V
R
V V
v V V
V V
mA V
mA I
B
B
B
B
B
B
B
RE
RE
C
73 . 19
100
5 , 8
11
45 . 18
100
5 , 8
11
55 . 1 20
82 . 1
100
5 , 8
10
55 . 1
55 . 1
7 . 0 85 . 0
85 . 0
100 * 5 . 8
5 . 8
1
1
1
2
2
1
1
1
1
1

El circuito queda configurado de la siguiente forma:

Figura 11-2 Circuito con valores hallados
Prueba:

10
100
26550 60 , 5 1275
9
100
7 . 0 68 . 1
684 . 1
21550
36400
73 . 19 82 . 1
) 82 . 1 ( 20
2
250
7 . 0 31 . 1
31 . 1
91450
120000
6 45 , 85
) 6 ( 20
1
1
1
2 4 3 1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
2
V
V
E
B B B C
V
E
E
B
B
B
E
E
B
B
A
K
A
R
Z R R R
A
mA I
V V
I
V V
V
K K
K V
V
mA I
V V
I
V V
K K
K V
V

Conclusin: el circuito cumple con los requerimientos exigidos tanto
desde el punto de vista de DC, como de AC
A continuacin se presenta un anlisis muy similar para etapas en
cascada..

DISEO DE ETAPAS EN CASCADA

PRESENTAMOS UNA FORMA SENCILLA Y ORIGINAL DE REALIZAR EL
CALCULO DE TODOS LOS COMPONENTES PARA PODER ACOPLAR
DOS ETAPAS EN CASCADA Y LOGRAR CON ELLO AMPLIFICAR LA
SEAL DE ENTRADA.

ESTO ES MUY NECESARIO EN LA MAYORIA DE LAS APLICACIONES DE
ELECTRONICA Y PARA CIRCUITOS DE COMUNICACIONES ES
FUNDAMENTAL EL CONOCIMIENTO DE ESTA TECNICA.

COMO EJERCICIO NOS PROPONEMOS DISEAR DOS ETAPAS EN
CASCADA LA PRIMERA QUE TENGA UNA GANANCIA DE 4 VECES Y LA
SEGUNDA UNA GANANCIA DE 5 VECES PARA UNA GANANCIA TOTAL
DE 20
V
A .

DISEO AMPLIFICADOR EN CASCADA

Figura 11-3 diseo de amplificador en cascada.

Desarrollo: comenzamos el diseo a partir de la segunda etapa.

ASUMIMOS QUE:
V VR
K R
V Vcc
mA I
C
C
C
5
1
10
5
2
2
2

E C
I I
5
4
2
1
V
V
A
A

UTILIZANDO LA FORMULA DE GANANCIA PARA EL SEGUNDO
TRANSISTOR TENEMOS.

200
5
1
5
2 2
2
2
2 E E
E
C
V
R
K
R
R
R
A

ESTO LO HACEMOS PARA QUE EL TRANSISTOR QUEDE EN LA
REGION ACTIVA, Y EL PUNTO Q BIEN CENTRADO.

V VR mA VR
R I VR
E E
E C E
1 200 . 5
.
2 2
2 2

LUEGO HALLAMOS;

V V V V V V VR V
B B BE E B
7 , 1 7 , 0 1
2 2 2 2

SABEMOS QUE:

A I
mA
I
I
I
B B
C
B
3 , 33
150
5
2 2
2
2

K R
A
V
R
I
V
R
B B
B
B
B
1 , 5
) 10 .( 3 , 33
7 , 1
10
4 4
2
4

K R
A
V V
R
I
V V
R
B B
B
B CC
B
6 , 22
) 11 .( 3 , 33
7 , 1 10
11
3 3
2
3

EL CIRCUITO HIBRIDO DEL SEGUNDO TRANSISTOR ES:

Figura 11-4 circuito hibrido del segundo transistor

K Z Z R Z
B B E B
30 200 . 150 .
2 2 2 2 2

K R
K K
K K
R
R R
R R
R
BB BB
B B
B B
BB
2 , 4
6 , 22 1 , 5
6 , 22 . 1 , 5
2 2
4 3
4 . 3
2

K Z
K K
K K
Z
Z R
Z R
Z
i i
B BB
B BB
i
7 , 3
30 2 , 4
30 . 2 , 4 .
2
2 2
2 2

AHORA PROCEDEMOS A DESARROLLAR LA PRIMERA ETAPA

ASUMIMOS EL VALOR DE:
4
500
1
1
V
E
A
R

2000 500 . 4
500
4
L L
L
E
L
V
R R
R
R
R
A

DE DONDE:

L
R IMPEDANCIA DE ACOPLE

2 1
2 1
2 1
2 1
.
2
.
i C
i C
i C
i C
L
Z R
Z R
K
Z R
Z R
R

AHORA: 2000 (

1 1
1
1
1
1
1
15 , 1
35 , 4
5
E C
C
C
C
C
C
I I
mA I
K
V
I
R
V
I

A I
mA
I
I
I
B B
C
B
2 , 8
140
15 , 1
1 1
1
1
1

V V mA V R I V
RE RE E E RE
58 , 0 500 . 15 , 1 .
1 1 1 1 1

V V V V V V V V
B B RE BE B
28 , 1 58 , 0 7 , 0
1 1 1 1 1

AHORA HALLAMOS LAS RESISTENCIAS DEL PUENTE DE BASE:

K R
A
V
R
I
V
R
B B
B
B
B
6 , 15
) 2 , 8 .( 10
28 , 1
) .( 10
2 2 2

K R
A
V V
R
I
V V
R
B B
B
B CC
B
7 , 96
) 2 , 8 .( 11
28 , 1 10
. 11
1 1 1

PARA HALLAR EL VALOR DEL CONDENSADOR DE ACOPLE;

K Z
R K Z
R Z R Z
R Z
R R
R R
Z
C
C C
C B BB C
C B
B B
B B
C
05 , 8
7 , 3
) (
)
.
(
2
1 2
1 2
1 2
4 3
4 3
2
K R
C
35 , 4
1

NOTA:
2 C
Z ES LA IMPEDANCIA VISTA POR EL CONDENSADOR DE
ACOPLE.

EL CRITERIO PARA HALLAR LA CAPACITANCIA DEL CONDENSADOR
ES:

800 .
10
1
2 2 2 C C C
X Z X

C f
X
C
. . 2
1
2

DESPEJANDO C TENEMOS QUE:

800 . 200 . 28 , 6
1
. . 2
1
2 2
Hz
C
X f
C
C

f f C 1 996 , 0
2

FINALMENTE LE CIRCUITO QUEDA CON LOS SIGUIENTES VALORES


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CAPITULO 1

GENERALIDADES SOBRE CIRCUITOS DE CORRIENTE DIRECTA

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