Datos Personales.

Ivn Gmez Muoz

Cursando: Grado en Ingeniera Industrial en Electrnica Industrial y
Automtica.
DNI: 08859159L
Domicilio: Godofredo Ortega y Muoz 58 4G
Telfono: 653850197












ndice.

1. Objetivos
2. Desarrollo (descripcin, caractersticas, aplicaciones y uso concreto
en la aplicacin elegida)
3. Conclusiones
4. Referencias utilizadas: bibliografa, webgrafa
















1. Objetivos.
Para desarrollar el tema propuesto, se iniciar por la descripcin detallada del trmino
semiconductor y el fenmeno de la difusin, se analizar la fabricacin de Semiconductores y
finalmente analizaremos la relacin que da ttulo a la prueba de evaluacin a distancia.

2. Desarrollo.
a. Descripcin y caractersticas.
Semiconductor.
Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad elctrica inferior a la de un
Conductor metlico pero superior a la de un buen aislante.
Los tomos de silicio tienen su orbital externo incompleto con slo cuatro electrones,
denominados electrones de valencia. Estos tomos forman una red cristalina, en la que cada
tomo comparte sus cuatro electrones de valencia con los cuatro tomos vecinos, formando
enlaces covalentes. A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia absorben
suficiente energa calorfica para librarse del enlace covalente y moverse a travs de la red
cristalina, convirtindose en electrones libres. Si a estos electrones, que han roto el enlace
covalente, se les somete al potencial elctrico de una pila, se dirigen al polo positivo.

Cuando un electrn libre abandona el tomo de un cristal de silicio, deja en la red cristalina un
hueco, que con respecto a los electrones prximos tiene efectos similares a los que provocara
una carga positiva. Los huecos tienen la misma carga que el electrn pero con signo positivo.

El comportamiento elctrico de un semiconductor se caracteriza por los siguientes fenmenos:

- Los electrones libres son portadores de carga negativa y se dirigen hacia el polo positivo de la
pila.
- Los huecos son portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo de la pila.
- Al conectar una pila, circula una corriente elctrica en el circuito cerrado, siendo constante en
todo momento el nmero de electrones dentro del cristal de silicio.
- Los huecos slo existen en el seno del cristal semiconductor. Por el conductor exterior slo
circulan los electrones que dan lugar a la corriente elctrica.

En la prctica, para mejorar la conductividad elctrica de los semiconductores, se utilizan
impurezas aadidas voluntariamente. Esta operacin se denomina dopado, utilizndose dos
tipos:

Impurezas pentavalentes. Son elementos cuyos tomos tienen cinco electrones de valencia
en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el fsforo, el antimonio y el arsnico.
Impurezas trivalentes. Son elementos cuyos tomos tienen tres electrones de valencia en su
orbital exterior. Entre ellos se encuentran el boro, el galio y el indio.

Cuando un elemento con cinco electrones de valencia entra en la red cristalina del silicio, se
completan los cuatro electrones de valencia que se precisan para llegar al equilibrio y queda
libre un quinto electrn que le hace mucho mejor conductor. De un semiconductor dopado
con impurezas pentavalentes se dice que es de tipo N.

En cambio, si se introduce una impureza trivalente en la red cristalina del silicio, se forman tres
enlaces covalentes con tres tomos de silicio vecinos, quedando un cuarto tomo de silicio con
un electrn sin enlazar, provocando un hueco en la red cristalina. De un semiconductor
dopado con impurezas trivalentes se dice que es de tipo P.

Cuando a un material semiconductor se le introducen impurezas de tipo P por un lado e
impurezas tipo N por otro, se forma una unin PN.

Los electrones libres de la regin N ms prximos a la regin P se difunden en sta,
producindose la recombinacin con los huecos ms prximos de dicha regin. En la regin N
se crean iones positivos y en la regin P se crean iones negativos. Por el hecho de formar parte
de una red.

Difusin en estado slido
En la fabricacin actual de circuitos integrados uno de los procesos es la difusin. Era una
tcnica muy empleada en los aos 1970 para definir el tipo (N o P) de un semiconductor. Hoy
en da tambin se usa aunque de forma diferente.
Consiste en la insercin de tomos dopantes dentro del semiconductor debido a la alta
temperatura a que ste es sometido. Con ello se consigue un perfil en la concentracin de
dopantes que disminuye proporcionalmente.
El proceso consiste en introducir las obleas de semiconductor en un horno y dejar pasar a
travs de ellas un gas, el cual contiene las impurezas. La temperatura del horno es de 800 a
1200C para el Si (Silicio) y de 600 a 1000C para el Gas (Arseniuro de galio).
Las impurezas que se emplean para el Si son:
P (Fsforo) y As (Arsnico) para crear semiconductores tipo N.
B (Boro) para semiconductores tipo P.
Hay dos tipos de difusin:
Por concentracin constante en superficie: se mantiene constante la concentracin de
impurezas en la superficie del semiconductor y desde ah son difundidas al interior.
Por concentracin constante total: se deposita la cantidad final de impurezas en la
superficie de la oblea y desde ah se difunden.

b. Aplicacin.
Las tcnicas de construccin de los semiconductores de potencia de Germanio y silicio han
llegado a un grado de perfeccin extremada, consiguindose componentes de la largusima
vida, si trabajan dentro de las condiciones especificadas. Una de las ms utilizadas es la
difusin, que se aplica a la fabricacin de diodos. Consiste bsicamente en el proceso
siguiente:

Se parte de un cilindro modo cristalino de elemento conductor (germano o silicio ) dopado con
impurezas tipo N, que ha sido fabricado por crecimiento de un cristal semilla en un bao de
semiconductor fundido . El cilindro, que puede tener uno o ms centmetros de dimetro y
varios de largo, se corta en discos mediante una sierra de hilo finsimo de tungsteno. El
espesor del disco es de un milmetro aproximadamente y depende de la tensin inversa
mxima que se desea obtener.
El disco de material N se introduce en un horno con la atmsfera inerte, en la que se ha
inyectado una determinada cantidad de indio. stas se difunden por ambas caras del disco
hasta conseguir una determinada penetracin y concentracin. Por ltimo, se efecta otro
dopado de tipo P muy intenso y de poca penetracin por la misma cara que la anterior, para
reducir la resistencia elctrica de la soldadura al terminal de nodo.
Paso a describir de forma detallada el proceso para un circuito integrado cualquiera.
El proceso comienza con el refinamiento del silicio hasta un altsimo grado de pureza. Luego,
se aaden impurezas seleccionadas para crear material de tipo n, y se produce un nico cristal.
El cristal resultante suele ser un cilindro de 8 pulgadas (200 milmetros) de dimetro. Se corta
el cristal en obleas circulares de 650 a 700 um de grosor, cada una de las cuales terminar
conteniendo los circuitos integrados.





Ilustracin 1. En la fotolitografa, se expone la oblea recubierta de material fotosensible a un patrn de luz que
define las regiones que se convertirn en elementos especficos de los componentes del circuito.

A continuacin, se pule la superficie de la oblea hasta obtener una apariencia similar a la de un
espejo. La superficie pulida se expone a oxgeno en un horno y se produce una capa superficial
de dixido de silicio. Luego, se recubre el xido con una sustancia fotosensible. Las zonas
diseadas para convertirse en las regiones de tipo p de los transistores son expuestas a la luz a
travs de una mscara. Luego se elimina por medios qumicos la sustancia fotosensible que ha
quedado expuesta y el dixido de silicio, quedando expuesta la oblea de silicio. Este
subproceso, denominado fotolitografa, abre una serie de ventanas en el dixido de silicio
sobre las regiones que se convertirn en el material de tipo p. El proceso de fotolitografa se
repite varias veces en la fabricacin de dispositivos electrnicos.

Despus de la fotolitografa, se expone la oblea a gases que contienen las impurezas
adecuadas, dentro de un horno de difusin. Estas impurezas en forma de tomos se difunden
en las regiones expuestas de la oblea, transformndola de tipo n a tipo p. El dixido de silicio
acta como una barrera para los tomos de las impurezas, de manera que las otras regiones
de la superficie no se ven modificadas. Es posible controlar la profundidad de la regin de tipo
p regulando el tiempo y la temperatura en el horno de difusin. A continuacin, se elimina la
barrera de dixido de silicio. El resultado es una oblea de material de tipo n con regiones de
tipo p.

Luego se repiten la oxidacin de la superficie, la aplicacin del material fotosensible, la
exposicin a travs de una mscara, el revelado y la eliminacin del dixido de silicio, para
crear una capa de dixido de silicio con ventanas en las regiones adecuadas. El procesamiento
con impurezas adecuadas en un horno de difusin cambia las regiones expuestas de la oblea a
material de tipo n. Esto produce un gran nmero de dispositivos en cada oblea.




Ilustracin 2. La fotolitografa expone regiones seleccionadas de la oblea de silicio.

Se utilizan mscaras y procesos de fotolitografa adicionales para depositar regiones de
puertas, aislamientos de dixido de silicio e interconexiones metlicas, en la superficie de la
oblea. Un proceso BiCMOS moderno, capaz de producir tanto transistores bipolares como
MOS, puede contener 16 mscaras y un total de 70 pasos de procesamiento. La oblea
contendr centenares o miles de circuitos integrados completos.




Ilustracin 3. La fotolitografa expone regiones para la siguiente difusin.

Luego se corta la oblea para separar los CI individuales. Por ltimo se conectan los terminales y
se empaquetan y prueban los chips. ste puede ser el paso ms costoso del proceso. Los
dems pasos tambin son costosos, pero como se procesan conjuntamente muchas obleas, y
cada una de ellas contiene muchos CI, el coste es pequeo para cada circuito. El empaquetado
y las pruebas se llevan a cabo individualmente y no se benefician del ahorro del paralelismo a
gran escala. Adems, las interconexiones entre los paquetes son los puntos menos fiables de
un sistema. Estas dos razones hacen que los diseadores de circuitos tiendan a integrar los
sistemas utilizando el menor nmero posible de circuitos integrados.




Ilustracin 4. Obleas pasando por tratamiento trmico.

El proceso de fabricacin de circuitos integrados tiene varios puntos importantes:

1. Los CI se componen de dispositivos construidos difundiendo impurezas en obleas
semiconductoras, y depositando materiales tales como interconexiones metlicas en
su superficie.
2. Se pueden construir muchos CI simultneamente en un lote de obleas.
3. Cuando el proceso est muy optimizado para un diseo de CI determinado, el coste de
cada CI es casi independiente de su complejidad, dentro de los lmites prcticos.

A principios de los aos 60, los CI contenan alrededor de 100 dispositivos, y los elementos ms
pequeos tenan un tamao de unos 25 micrmetros (km). Como es posible reducir
considerablemente el coste de los sistemas electrnicos complejos utilizando circuitos
integrados ms complejos, los ingenieros de procesos han trabajado de manera diligente para
aumentar las dimensiones prcticas de los chips y reducir el tamao de los dispositivos.
Actualmente, los CI ms avanzados contienen ms de 10 millones de dispositivos, y elementos
de hasta 0,25 km (un pelo humano mide alrededor de 25 km de dimetro). Se espera que
contine la tendencia a crear dispositivos cada vez ms pequeos. Adems del incremento en
el nmero de dispositivos, la reduccin del tamao de los elementos da como resultado unos
circuitos digitales de mayores prestaciones (es decir, ms rpidos). Por tanto, cabe esperar
avances an mayores en el campo de la electrnica.




c. Conclusiones.

La difusin se lleva usando desde los aos sesenta y es todava uno de los mecanismos ms
usados para la fabricacin de circuitos integrados con semiconductores. Permite el dopado
tipo p y n para la consecucin de componentes ceidos a las especificaciones de diseo con
gran precisin.




d. Bibliografa.





Electrnica. Alan R. Hambley.
Electrnica de Potencia. Salvador Martnez Garca y Juan Andrs Gualda Gil.
Introduccin a la Electrotecnia.
http://www.etitudela.com/Electrotecnia/downloads/introduccion.pdf