DIODOS DE GERMANIO

DIODOS DE GERMANIO
Esta clase de rectificadores consta de un trocito o cristal de germanio y una punta de
contacto de hilo de tungsteno, encerrados ambos en una cpsula hermtica o botella de
vidrio.

El hecho de que un cristal de germanio, con una reducida rea en la punta de contacto sobre
su superficie, acte como rectificador, puede explicarse suponiendo la existencia de una
capa barrera natural, formada en el momento de hacerse la unin fsica en la superficie de
contacto del cristal, la cual desaparece cuando se aplica tensin positiva !" al hilo de
tungsteno y una tensin negativa #" al cristal germanio de tipo $, y en cambio presenta una
gran resistencia si se le aplican tensiones inversas.
%e dan numerosas explicaciones acerca de la naturale&a de esta barrera, ninguna de las
cuales es completamente satisfactoria.
DIODOS DE GERMANIO
'ig.( )urva caracterstica de un detector de *ermanio.
En la figura puede apreciarse la curva caracterstica del funcionamiento de estos diodos+
cuando la tensin inversa excede de un cierto valor, la resistencia decrece repentinamente.
El potencial a que se produce este fenmeno se denomina de inversin.
,os diodos de germanio se dividen en dos grupos-
,os de tipo de alta tensin inversa, fabricados con germanio de gran pure&a.
,os de ba.a resistencia que contienen germanio provisto de impure&as apropiadas.
%us aplicaciones son ilimitadas en radio, televisin, instrumentos de medida, etc.

Rectificadores de germanio
/ continuacin describiremos un esbo&o de su teora que nos servir para ms adelante
ampliarla y poder describir tambin el funcionamiento de los transistores.
El germanio fue descubierto por 0in1ler en 2334, quien le dio el nombre en homena.e a su
patria.
DIODOS DE GERMANIO
El germanio tiene especial inters histrico porque su existencia fue prevista 25 a6os antes
por 7endeleieff 2382" en su famosa escala de clasificacin peridica de los elementos
existentes en la naturale&a, con el nombre de E1asilisium".
Ese cuerpo, cuyas propiedades fsicas y qumicas apenas eran conocidas hace unos a6os,
puede considerarse en la actualidad como la substancia slida cuyas propiedades han sido
estudiadas ms detalladamente.
/parece como una impure&a del carbn en una proporcin de 9,99(: y al quemarse el co1
se aumenta su concentracin, llegando al 2: en el polvo que queda en las grandes
chimeneas de las grandes instalaciones siderrgicas. %u aspecto es parecido al esta6o, pero
su precio es tan elevado como el oro. En estado puro es aislante, para su empleo en los
transistores, que requiere una gran pure&a, se ha llegado a la proporcin de 2 por
29.999.999 siendo uno de los materiales de mayor pure&a conseguidos.
)uando se le a6aden peque6as impure&as determinadas en proporcin de 2 por 2 milln,
conduce la electricidad. ,a adicin de estas impure&as tan peque6as de modo que queden
bien repartidas es una operacin extremadamente difcil. 7e&clar una parte de arsnico en
un milln de partes de germanio puro, seria lo mismo que a6adir una cucharada de sal en un
recipiente de sopa equivalente a 4 grandes camiones tanques y garanti&ar que est bien
repartida en todo el recipiente.
)omo decamos, al adicionarle peque6as cantidades de otras sustancias sus propiedades
qumicas y elctricas varan totalmente.
;ara explicar me.or la teora de los semiconductores, nos adentraremos en el campo de la
fsica de estado slido y expondremos algunos de los principales conceptos establecidos.
Empe&aremos considerando los electrones y su movimiento en los semiconductores. <ebe
tenerse en cuenta que aunque en un tro&o de material semiconductor hay muchos
electrones, la mayora de ellos estn fuertemente ligados a sus /tomos afines y no son
libres para moverse ni conducir corriente. %olamente muy pocos estn relativamente libres,
los electrones ms exteriores del tomo y que ordinariamente determinan su valencia
qumica. ;or esta ra&n a estos electrones libres se les denomina electrones de valencia.
,a corriente elctrica suele ser considerada como un flu.o de electrones. =no de los
conceptos ms importantes en la teora del semiconductor es que la corriente elctrica
puede ser considerada no slo como un flu.o de electrones, sino tambin como un flu.o de
huecos iones" cargados positivamente.
DIODOS DE GERMANIO
=n hueco positivo, o ms sencillamente un hueco, se puede considerar como ausencia de un
electrn del puesto en que normalmente est situado. En muchos casos es ms cmodo
describir una situacin por medio de huecos y su movimiento+ en otros casos es ms
cmodo el movimiento de electrones, y en otros el movimiento de ambos.
;ara hacerse una idea del concepto de huecos y su movimiento, consideremos el siguiente
e.emplo- un gara.e lleno en el que slo hubiese un espacio de aparcamiento vacante, situado
en el fondo del mismo fig./". %upongamos ahora que llega un coche a la entrada del
gara.e. El encargado del aparcamiento despla&ar algunos de los coches hacia el fondo para
acomodar al nuevo coche. En esencia lo que habr hecho el empleado ser despla&ar el
espacio vacante hacia delante, o sea, hacia la entrada del gara.e fig.>". ;or lo tanto ha sido
despla&ado el hueco en direccin opuesta al flu.o de coches.
/plicando la analoga de la figura al semiconductor, los automviles seran los electrones y
los espacios seran los huecos. )omo en este caso hay electrones en exceso, stos son los
portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. =n semiconductor
de este tipo seria denominado de tipo N a causa de que la mayor parte de la corriente es
transportada por electrones cargas negativas".
)uando prevalece la situacin contraria y son los huecos los que estn en exceso, al
semiconductor se le denomina tipo ;, a causa de que la mayor parte de la corriente es
transportada por cargas positivas huecos". En este caso los electrones son los portadores
minoritarios.
El germanio tiene un ncleo y ?( /tomos+ @ de estos /tomos, llamados de valencia, son los
que forman las uniones con los dems /tomos de otros elementos+ los (3 restantes estn
fuertemente ligados y no pueden representar ningn papel en la combinacin elctrica.
%upongamos que introducimos una impure&a, por e.emplo el arsnico, que tiene 5 tomos
de valencia+ como solo se precisan @ para enla&ar con los del germanio, sobra uno, que
puede moverse libremente, y como es portador de una carga negativa, este germanio ser
denominado de tipo $ y tiene la mxima conductibilidad para las cargas negativas. /l
arsnico se le denomina <donador> as como al fsforo y al antimonio, tambin empleados
para ello.
%i en ve& de arsnico introducimos boro o aluminio que slo tienen ? electrones de
valencia, el que quedar libre ser uno de germanio, o sea, de los llamados <huecos> que
son de signo positivo, denominndose entonces germanio tipo ; y a este tipo de impure&as
se les llama Aaceptadores>. Este tipo de germanio tiene la mxima conductibilidad para las
cargas positivas.
DIODOS DE SILICIO
DIODOS DE SILICIO
,a miniaturi&acin de los ltimos a6os ha producido sistemas semiconductores tan
peque6os que el propsito principal de su encapsulado es proporcionar simplemente
algunos medios para el mane.o del dispositivo y para asegurar que las conexiones
permane&can fi.as a la oblea del semiconductor. Bres factores limitan en apariencia los
lmites de la miniaturi&acin- la calidad del propio material semiconductor, la tcnica del
dise6o de la red y los lmites del equipo de manufactura y procesamiento.
El primer dispositivo electrnico que se presentar se denomina diodo. Es el ms sencillo
de los dispositivos semiconductores pero desempe6a un papel vital en los sistemas
electrnicos, con sus caractersticas que se aseme.an en gran medida a las de un sencillo
interruptor. %e encontrar en una amplia gama de aplicaciones, que se extienden desde las
simples hasta las sumamente comple.as. /parte de los detalles de su construccin y
caractersticas, los datos y grficas muy importantes que se encontrarn en las ho.as de
especificaciones tambin se estudiarn para asegurar el entendimiento de la terminologa
empleada y para poner de manifiesto la abundancia de informacin de la que por lo general
se dispone y que proviene de los fabricantes.
/ntes de examinar la construccin y caractersticas de un dispositivo real, consideremos
primero un dispositivo ideal, para proporcionar una base comparativa. El diodo ideal es un
dispositivo de dos terminales que tiene el smbolo y las caractersticas que se muestran en
la figura 2.2a y b, respectivamente.

Smbolo: Aspecto fsico:


DIODOS DE SILICIO
En forma ideal, un diodo conducir corriente en la direccin definida por la flecha en el
smbolo y actuar como un circuito abierto para cualquier intento de establecer corriente en
la direccin opuesta. En esencia-
Las caractersticas de un diodo ideal son las de un interruptor que puede
conducir corriente en una sola direccin.

En la descripcin de los elementos que sigue, un aspecto muy importante es la definicin de
los smbolos literales, las polaridades de voltaje y las direcciones de corriente. %i la
polaridad del volta.e aplicado es consistente con la que se muestra en la figura 2.2.a, la
parte de las caractersticas que se consideran en la figura 2.2.b, se encuentra a la derecha
del e.e vertical. %i se aplica un volta.e inverso, las caractersticas a la i&quierda son
pertinentes. En el caso de que la corriente a travs del diodo tenga la direccin que se indica
en la figura 2.2.a, la parte de las caractersticas que se considerar se encuentra por encima
del e.e hori&ontal, en tanto que invertir la direccin requerir el empleo de las
caractersticas por deba.o del e.e.
=no de los parmetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o regin de
operacin. %i consideramos la regin definida por la direccin de I y la polaridad de !
en la figura 2.2.a cuadrante superior derecho de la figura 2.2.b", encontraremos que el
valor de la resistencia directa "#, de acuerdo a como se define con la ley de Chm es
corto circuito"
donde !# es el volta.e de polari&acin directo a travs del diodo e I# es la corriente en
sentido directo a travs del diodo.
$l diodo ideal, por consi%uiente, es un corto circuito para la re%in de
conduccin.
%i consideramos la regin del potencial aplicado negativamente tercer cuadrante" de la
figura 2.2.b,
circuito abierto"
donde !" es el volta.e de polari&acin inverso a travs del diodo e I" es la corriente inversa
en el diodo.
DIODOS DE SILICIO
$l diodo ideal, en consecuencia, es un circuito abierto en la re%in en la
que no hay conduccin.

En sntesis, se aplican las condiciones que se describen en la figura 2.(.

Figura 1.2 Estados a! de conducci"n # $! de no conducci"n de% diodo idea%.

En general, es relativamente sencillo determinar si un diodo se encuentra en la regin de
conduccin o en la de no conduccin observando tan solo la direccin de la corriente I
establecida por el volta.e aplicado. ;ara el flu.o convencional opuesto al de los electrones",
si la corriente resultante en el diodo tiene la misma direccin que la de la flecha del mismo
elemento, ste opera en la regin de conduccin. Esto se representa en la figura 2.?a. %i la
corriente resultante tiene la direccin opuesta, como se muestra en la figura 2.?b, el circuito
abierto equivalente es el apropiado.

DIODOS DE SILICIO
Figura 1.& a! Estado de conducci"n # $! de no conducci"n de% diodo idea%
determinados 'or %a direcci"n de corriente de %a red a'%icada.
)omo se indic con anterioridad, el propsito principal de esta seccin es el de presentar
las caractersticas de un dispositivo ideal para compararlas con las de las variedades
comerciales.
(o%ari)aci"n directa
DIODOS DE SILICIO
En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la &ona de carga espacial,
permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin+ es decir, el diodo
polari&ado directamente conduce la electricidad.
;ara que un diodo est polari&ado directamente, tenemos que conectar el polo positivo de la
batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos
observar que-
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que
estos electrones se dirigen hacia la unin p#n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es
equivalente a decir que empu.a a los huecos hacia la unin p#n.
)uando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la
diferencia de potencial en la &ona de carga espacial, los electrones libres del cristal
n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales
previamente se han despla&ado hacia la unin p#n.
=na ve& que un electrn libre de la &ona n salta a la &ona p atravesando la &ona de
carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la &ona p convirtindose en
electrn de valencia. =na ve& ocurrido esto el electrn es atraido por el polo
positivo de la batera y se despla&a de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal
p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.
<e este modo, con la batera cediendo electrones libres a la &ona n y atrayendo electrones
de valencia de la &ona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante.
(o%ari)aci"n in*ersa
DIODOS DE SILICIO
En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la &ona p y el polo positivo a la
&ona n, lo que hace aumentar la &ona de carga espacial, y la tensin en dicha &ona hasta que
se alcan&a el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin-
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la &ona n, los cuales
salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se despla&an hasta
llegar a la batera. / medida que los electrones libres abandonan la &ona n, los
tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn
en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad 3 electrones en la capa de
valencia, ver semiconductor y tomo" y una carga elctrica neta de !2, con lo que se
convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la
&ona p. Decordemos que estos tomos slo tienen ? electrones de valencia, con lo
que una ve& que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio,
tienen slamente 8 electrones de valencia, siendo el electn que falta el denominado
hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la
&ona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren
estabilidad 3 electrones en su orbital de valencia" y una carga elctrica neta de #2,
convirtindose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra ve& hasta que la &ona de carga espacial adquiere el
mismo potencial elctrico que la batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente+ sin embargo, debido al efecto
de la temperatura se formarn pares electrn#hueco ver semiconductor" a ambos lados de
la unin produciendo una peque6a corriente del orden de 2 E/" denominada corriente
in*ersa de saturaci"n. /dems, existe tambin una denominada corriente su'erficia% de
fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una peque6a corriente por la
superficie del diodo+ ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de
suficientes tomos para reali&ar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener
estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la &ona n como de
la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad
a travs de ellos. $o obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente
superficial de fugas es despreciable.
DIODOS DE SILICIO
Cur*a caracter+stica de% diodo
,ensi"n um$ra%- de codo o de 'artida F
G
".
,a tensin umbral tambin llamada barrera de potencial" de polari&acin directa
coincide en valor con la tensin de la &ona de carga espacial del diodo no
polari&ado. /l polari&ar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va
reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 2: de la nominal.
%in embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial
desaparece, de forma que para peque6os incrementos de tensin se producen grandes
variaciones de la intensidad.
DIODOS DE SILICIO
Corriente m./ima H
max
".
Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por
el efecto Ioule. <ado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el
diodo, depende sobre todo del dise6o del mismo.
Corriente in*ersa de saturaci"n H
s
".
Es la peque6a corriente que se establece al polari&ar inversamente el diodo por la
formacin de pares electrn#hueco debido a la temperatura, admitindose que se
duplica por cada incremento de 29J en la temperatura.
Corriente su'erficia% de fugas.
Es la peque6a corriente que circula por la superficie del diodo ver polari&acin
inversa", esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al
aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas.
,ensi"n de ru'tura F
r
".
Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto
avalancha.
Bericamente, al polari&ar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa de
saturacin+ en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodo
normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha+ no obstante hay otro tipo
de diodos, como los Kener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos-
Efecto a*a%anc0a diodos poco dopados". En polari&acin inversa se generan pares
electrn#hueco que provocan la corriente inversa de saturacin+ si la tensin inversa
es elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma
que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de
conduccin. Estos electrones liberados, a su ve&, se aceleran por efecto de la
tensin, chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su ve&. El
resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este
fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a 4 F.
Efecto 1ener diodos muy dopados". )uanto ms dopado est el material, menor es
la anchura de la &ona de carga. ;uesto que el campo elctrico E puede expresarse
como cociente de la tensin F entre la distancia d+ cuando el diodo est muy
dopado, y por tanto d sea peque6o, el campo elctrico ser grande, del orden de
?L29
5
FMcm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capa& de arrancar
electrones de valencia incrementndose la corriente. Este efecto se produce para
tensiones de @ F o menores.
;ara tensiones inversas entre @ y 4 F la ruptura de estos diodos especiales, como los Kener,
se puede producir por ambos efectos.
DIODOS DE SILICIO
C2R3A DE CARAC,ERIS,ICA DEL DIODO DE SILICIO 4
GERMANIO
DIODOS DE SILICIO
Conc%usiones
En dolari&acin directa, los diferentes diodos son conductores.
En dolari&acin inversa, los diodos se encuentran abiertos.
)ada tipo de diodo tiene su volta.e de operacin propio.
,a curva caracterstica de un diodo ,E< es muy similar a la de un
diodo rectificador.
Experimentalmente se comprob la relacin de corriente con tensin de
cada dispositivo, tambin se logro esquemati&ar la curva de
caracterstica de cada diodo.
%e comprob experimentalmente la tensin umbral de los diodos.