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FÍSICA DE SEMICONDUCTORES
BOGOTÁ
2008
1
CAPITULO 0. INTRODUCCIÓN Y PRESABERES
Será muy útil si el estudiante está previamente familiarizado en alguna medida con
una serie de conceptos provenientes de diversas áreas; algunos de ellos
realmente se espera que sean ya manejados rutinariamente por los estudiantes
(sobre todo los referentes a física), fruto de anteriores cursos. Se listan a
continuación algunos de ellos:
FÍSICA:
Vibración, Onda, Energía, Carga Eléctrica, Potencia, Campos, Campo Eléctrico y
Magnético, Potencial, Semiconductores.
INGENIERÍA:
Electrónica, Dopado, Materiales conductores y no conductores, transistores,
Diseño, Componentes Eléctricos, Leyes de Ohm y Kirchoff, conductividad y
uniones.
2
SEGUNDA UNIDAD, Ingeniería y Tecnología de semiconductores, es una
introducción al campo tecnológico de los dispositivos usados en sistemas
electrónicos basados en semiconductores simples y las técnicas empleadas
para su empleo, análisis y diseño (aclarando que el curso no se remite a
configuraciones específicas para determinadas aplicaciones a partir de
componentes semiconductores, sino a un esbozo conceptual
contextualizado). Esto incluye un acercamiento al diseño y la investigación
en semiconductores.
¿Qué es “Semiconductor”?
¿Cuál es la diferencia entre semiconductores, conductores y aislantes?
¿Qué principios físicos gobiernan el comportamiento de un semiconductor?
¿Por qué es importante saber Física de Semiconductores en Electrónica?
¿En qué consisten las investigaciones adelantadas en Semiconductores y las
aplicaciones más avanzadas que de esta tecnología se conocen?
¿De qué forma se definen qué estándares eléctricos se requiere que tenga un
semiconductor, y qué principios físicos se relacionan directamente?
¿Qué significa diseñar un Semiconductor?
¿Qué matemática puede usarse en el terreno de la Física de Semiconductores?
3
PRIMERA UNIDAD DIDÁCTICA
Así como la luz puede verse como una onda electromagnética, pero al
interactuar con la materia la entendemos mejor cuando suponemos que está
compuesta por partículas (llamadas “fotones”, los cuantos de la luz), una
partícula puede ser entendida como una onda: en otras palabras, se puede
asociar una onda a cada partícula, para entender ciertas de sus propiedades.
4
sino unos FRENTES DE ONDA que corresponde a esa realidad física que
llamamos “partícula”.
5
A. Partículas en completa Línea Recta: si las partículas describen línea recta
entre la barrera y la pantalla, diremos que VENÍAN en línea recta, desde
antes de la barrera.
Figura 2. Por cada rendija ha atravesado un grupo grande de partículas en línea recta.
Figura 3. Las partículas tenían direcciones ligeramente diferentes, por lo que se esparcen.
Donde es evidente que haya más concentración en el centro, debido a que las
ranuras están en el centro (las gráficas son aproximaciones ilustrativas, no
simulaciones).
6
perfectamente las partículas), y el tamaño de las ranuras es muy grande
comparado con el de los electrones. Esto se resume en que si los electrones,
iones o cualquier otra entidad se comportan como partículas, en un
experimento de doble rendija debemos ver una distribución aleatoria
centrada en el medio de las dos rendijas, seguramente con una distribución
aproximadamente Normal. Para ser exactos, podemos esperar una distribución
normal para cada rendija y para la suma de las dos:
Figura 4. Distribución de los puntos según la distancia, centrada en la posición donde se encuentre
la rendija
7
Figura 5. Dos normales superpuestas darían la distribución central mostrada en rojo más los
periféricos azules de cada distribución
8
La hipótesis de De Broglie se comprobó experimentalmente, en 1927 en los
laboratorios Bell, cuando Joseph Davisson y Lester Halbert Germer observaron la
difrección de electrones en una película metálica. Por este trabajo, Davisson y
Germer recibieron el premio Nobel de Física en 1937.
INTRODUCCIÓN
9
SÍ SE PODÍAN PREDECIR RESULTADOS. Por esto, la ecuación de Schrödinger
funciona si se interpreta de manera estadística.
PLANTEAMIENTO
Ahora bien, la ecuación de Schrödinger se aplicará sobre una función de onda tipo
senos y cosenos…este tipo de funciones tienen su forma más general en:
(r , t ) A(r , t ) exp(i[k r wt ]) (1)
Donde el número “i” es la base de los números imaginarios, la raíz cuadrada de -1,
y la función de onda (psi) depende del vector de posición r y el tiempo t, por lo
que, en caso general, suponemos que así mismo ocurre con su parte exponencial
y la amplitud A. Es importante que el estudiante recuerde que las exponenciales
complejas se pueden expandir mediante la Identidad de Euler1 (propiedad
matemática que se deduce a partir de la definición formal de exponencial,
senoidales y cosenoidales) de la siguiente forma:
exp(i[k r wt ]) cos(k r wt ) isen(k r wt ) (2)
( x, t ) 2 2 ( x, t )
2
i
t x
1
Respecto a esto se sugiere que se consulte un buen libro de matemáticas, que contenga, claro, series
infinitas. A partir de las definiciones en forma de serie infinita es sencillo entender la identidad de Euler
10
especificando los números k y w, que para cualquier onda estacionaria están
relacionados de una manera bien definida, y que representan conceptos físicos.
Entonces:
k: Número de Onda
w: Frecuencia Angular
i ( x, t ) 2 ( x, t )
t x
h
2
( x, t ) 2 2 ( x, t )
2
i
t x
i ( x, t ) 2 ( x, t )
t
ˆ ˆ ˆ
Donde el triángulo representa el Laplaciano 2 i j k , y no es
x y z
más un operador que sólo pretende significar que se hace la segunda derivada
con respecto a cada eje de coordenadas y luego se suman los resultados. Esta
ecuación no sólo es válida para ondas estacionarias, pero el nivel de un curso de
11
pregrado en Ingeniería no permite ahondar más en su razón de ser, por lo que
simplemente se consignará la siguiente definición y ecuación:
Toda partícula, sin entrar en consideraciones de spín2, puede ser descrita por una
función de onda ψ(r,t) que cumple la ecuación de Schrödinger:
(r, t ) i (r, t )
t
ACLARACIONES FUNDAMENTALES
2
Para definición y manejo de Saín remitirse a un libro básico en conceptos de Mecánica Cuántica. Por ahora
se dirá que es una propiedad fundamental de toda partícula, que tiene que ver con cómo se comporta en
colisiones , órbitas y otros fenómenos.
12
velocidad de los objetos y fenómenos es muy pequeña comparada con la de la
luz.
Y esto es válido para otros fenómenos físicos diferentes a la visión. Como otro
ejemplo, la propia luz que recibimos es una onda, pero resulta imposible que el ojo
la aprecie como un fenómenos en el que le “llega o no le llega energía”, sino como
un continuo de partículas. Aún más: piénsese que si un resorte es presionado por
una fuerza que oscila de forma sinusoidal pero de manera tremendamente
rápida, el resorte no tiene tiempo suficiente para volver a (o salir de) su posición
de equilibrio en los intervalos de fuerza negativa. Como último ejemplo, EL
PROPIO CONDENSADOR FUNCIONA ASÍ EN UN CIRCUITO CONVERTIDOR
DE VOLTAJE AC EN DC: SE ESCOGE EL VALOR DE LA CAPACITANCIA DE
MANERA QUE SU TAO SEA TAL QUE NO PUEDE SEGUIR SU PROCESO DE
DESCARGA, DEJANDO PASAR UN VOLTAJE CONSTANTE.
13
Ahora, ¿cómo se halla la frecuencia de una onda asociada a tal objeto? De
Broglie encontró que la onda que describe el estado de un objeto tiene que estar
relacionada de esa forma:
A partir de las dos relaciones de energía y momento, entonces queda claro que:
h
(1.3.1)
p
Como ejemplo, supóngase una pelota lenta, de masa 100gr y velocidad 0,1 metros
por segundos, comparada con un electrón a 0,5 veces la velocidad de la luz.
14
1.2 POZOS Y BARRERAS DE POTENCIAL
INTRODUCCIÓN
Esta sección será una de las más largas de toda la unidad, debido a que no sólo
se analiza el caso particular de los potenciales infinitos y escalones, sino que se
expone el sustento matemático de estos métodos; y de hecho la mayor parte del
15
contenido que se tratará aquí será utilizado por las siguientes lecciones, de
manera que lo extenso de ésta redundará en una reducción de la longitud de
posteriores secciones.
INTRODUCCIÓN
16
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
17
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
Dejando esto totalmente claro, se puede ahora pasar a tratar de entender cómo
articula la ecuación de Schrödinger una solución para casos en los que existe un
potencial infinitamente grande o un escalón positivo.
18
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
19
0
-0.1
-0.2
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-1
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
20
0
-0.1
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-1
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
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1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
22
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1
-500 -400 .300 .200 -100 0 100 200 300 400 500
Figura 13. Escalón de potencial de la figura 9 después del ajuste de coordenadas que usualmente
se realiza para encarar mejor el problema
23
Figura 14. Partícula libre en el medio descrito por el escalón de potencial.
i ( x, t ) 2 ( x, t )
t
Conviene sea separada de manera que se encuentre una ecuación que involucre
a la función de onda pero NO dependa del tiempo, pues entonces desaparece una
derivada (la del lado izquierdo), y nos quedamos con una ecuación mucho más
fácil de solucionar. Específicamente, si la onda solución es estacionaria:
( x, t ) ( x) exp(iEt / )
24
2. Si la onda es estacionaria, la forma matemática de ( x, t ) es tal que la
teoría de Ecuaciones Diferenciales específica que la Ecuación SÍ ES
SEPARABLE.
3. Como conclusión, una función de onda estacionaria permite hallar con
facilidad la Función de Onda que nos permitirá conocer el estado
cinemático y dinámico de la partícula en presencia del escalón de potencial.
Es por eso que el siguiente principio físico, que no se demostrará o enunciará con
toda la formalidad matemático-física del caso pero que en la aproximación que se
dará es suficiente para brindar un marco conceptual para posteriores análisis, es
radicalmente importante:
2
E ( x) V ( x) ( x) (1.2.1.1)
2m
2
E ( x) V ( x) ( x)
ˆ E (1.2.1.2)
2m
25
Figura 15. Las dos regiones a analizar
d2 2mE
2
( x) 2 ( x) (1.2.1.4)
dx
Es decir,
2mE
k (1.2.1.5)
26
Las constantes A y B se encuentran mediante comprobación de condiciones en la
frontera entre regiones 1-2 que son necesarias para poder usar la función de onda
como representación de un estado físico.
d2 2 m( E V )
2
( x) ( x) (1.2.1.6)
dx 2
Figura 16. La energía de la partícula se suele representar en los diagramas de potencial mediante
líneas rectas
27
Por ejemplo, en la figura 16 se observa una línea roja que identifica una partícula
con energía mayor que el potencial de la fuerza repulsiva que experimenta,
mientras que la línea amarilla representa una partícula con energía menor.
2m(V E )
1. La función de onda debe estar definida y ser continua en todo punto del
espacio. De otro modo, no podría identificarse como una función de
densidad de probabilidad
2. Su derivada espacial debe también estar definida y ser continua, ya que se
supone que la segunda derivada existe.
3. También debe existir la derivada temporal, en todo momento.
Sin embargo, aún existen otras condiciones que debes satisfacerse para tener una
función de densidad de probabilidad. Esto es, la función de densidad de
probabilidad no debe ser infinita en ningún punto, sino más bien tender a 0 en el
infinito, ya que cualquier función de densidad es tal que:
f ( x)dx convergente
(1.2.1.8)
28
A partir de esto, es posible resolver el sistema de ecuaciones que hemos
planteado, si tenemos en cuenta que el punto de inflexión de la función de onda es
donde debemos plantear y resolver el sistema de educaciones:
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1
-500 -400 .300 .200 -100 0 100 200 300 400 500
ik
1 ( x) A exp(ikx) exp(ikx) (1.2.1.9)
ik
2ik
2 ( x) A exp(x) (1.2.1.10)
ik
29
* ( x) ( x)dx 1
(1.2.1.10)
x x
Pr ob(0 x) ( x) dx * ( x) ( x)dx Número
2
0 0
30
Figura 18. Comportamiento de la norma de la Función de Onda ante el escalón de potencial. En
verde se resalta que la función de onda es continua.
31
Figura 19. Comportamiento de la Barrera de potencial. Tomado de www.wikimedia.org
32
4. Resolverla; esto equivale a hallar los valores de las constantes que se
encuentran en las exponenciales, que SIEMPRE son función de la energía
incidente y la energía de la barrera.
Tanto para una barrera como para un pozo de potencial, se deben haber definido
tres zonas claramente:
33
Figura 21. Comportamiento de la función de onda en una caja de potencial.
3
Sin embargo, es conveniente anotar que existe una definición ampliada de Mecánica Clásica en la que se
complementa el anterior enunciado, así: “La mecánica Clásica es aquella que no tiene en cuenta ni el
principio de incertidumbre ni efectos relativistas (velocidades cercanas a la de la luz)”
34
La molécula de Amoníaco es NH3, lo que significa que tiene tres átomos de
hidrógeno y un átomo de Nitrógeno. Los enlaces, como se ve en bachillerato,
pueden ser —en general— covalentes o iónicos, principalmente; en la molécula de
Amoníaco lo importante es la forma de esta molécula: una pirámide triangular.
Figura 23. Posible lista lateral de la anterior. Tomado de la página de la Universidad Politécnica de
Cataluña
35
De manera que un gráfico que incluya los átomos de la molécula de Amoníaco
puede ser este:
Figura 24. Esquematización de la ubicación de cada uno de los tres átomos de hidrógeno y el de
nitrógeno dentro de la estructura de la molécula de Amoníaco. Recordar que en el gráfico hay una
perspectiva presente.
a.) Los tres átomos de hidrógeno, como si fueran una entidad rígida, ya que la
simetría entre ellos puede que se conserve y la figura que forman entre sí
(triángulo equilátero) nunca cambie.
b.) El átomo de Nitrógeno.
36
plantear el problema en términos del Movimiento del Nitrógeno CON RESPECTO
al plano conformado por los tres hidrógenos, o viceversa. Entonces podemos
hablar de este sistema de coordenadas:
Figura 25. Eje de coordenadas seleccionado por conveniencia, a sabiendas de la estructura que
tendrá el planteamiento de la Ecuación de SCH
Entonces, el V(y) relacionado con las fuerzas interatómicas tiene una dependencia
con la distancia que se extrae de la naturaleza de las fuerzas interatómicas: las
fuerzas electromagnéticas entre un átomo y otro. Claramente, V(y) será mayor en
tanto más negativo sea y, para luego decrecer a medida que se aleje de los
átomos de Hidrógeno.
37
Figura 26. Otro sistema de coordenadas
38
Figura 27. Posible oscilación del N, entre la posición en A y la posición B; ambas son vértice de un
tetraedro (pirámide triangular), así que ambas son estables.
Ya que las posiciones finales (en un vértice de la pirámide) son estables. Esta
suposición tiene ciertas prohibiciones clásicas que se ven cuando se examina la
forma del potencial. A la vista de esta posible oscilación, lo mejor es colocar el
origen del eje de coordenadas en la base del tetraedro:
39
Figura 28. SISTEMA DE COORDENADAS FINAL ESCOGIDO PARA EL ANÁLISIS DE LA
POSIBLE OSCILACIÓN
Figura 29. Gráfica del potencial electromagnético entre los hidrógenos y el Nitrógeno, asociado a
las fuerzas interatómicas. Este comportamiento no es simplemente el de una fuerza atractiva o
repulsiva: la región en azul representa la barrera de potencial repulsiva, mientras que las zonas
amarillas son zonas estables.
En la figura 29, ¿cuáles son las zonas estables? Por supuesto, las que tengan el
mínimo de energía potencial. Corresponden a los puntos mínimos encerrados en
círculos rojos. Si a la altura de la pirámide le llamamos h, la gráfica completa es:
40
Figura 30. Potencial de fuerzas interatómicas y puntos estables en la molécula de amoníaco.
Donde los puntos rojos son los puntos estables. Si necesidad de resolver el caso
particular exacto, se puede aproximar este potencial una suma de los casos
barrera de potencial y pozo de potencial:
41
Figura 32. Modelo esquemático de pozos y barreras de potencial
Así que es posible proceder de una manera aproximada con análisis análogos a
las anteriores secciones. De hecho, la conclusión de la posibilidad del
EFECTO TÚNEL, hace que se pueda decir que sí existe una oscilación.
42
Figura 33. Zonas de interés
43
Como nota final, se enuncia que para poder hallar el valor esperado de una
variable observada a partir de la función de onda encontrada, se usa el siguiente
método operativo:
44
energética de valencia y la región energética de conducción, siendo posible que
sus electrones salten de una a otra región”
1. Temperatura.
5. Estructura cristalina.
45
1.3.2. Estructura atómica e iones
INTRODUCCIÓN
Realmente, no son sólo las fuerzas electromagnéticas las que gobiernan los
enlaces y fenómenos atómicos. Como se vio en la breve conceptualización de
análisis del Amoníaco, ni siquiera el potencial interatómico tiene una forma simple.
Asimismo, se sabe que existe la llamada REGLA DEL OCTETO:
46
“Los enlaces entre átomos tienden a darse de tal manera que cada átomo tienda a
completar 8 electrones en su nivel de valencia, o, si sólo tiene un nivel de energía,
2 electrones en su nivel de valencia”.
Ke 2
V (r )
r
Donde “e” es el valor absoluto de la carga del electrón (o del protón, ya que su
carga es igual: todo átomo natural es eléctricamente neutro) y K es una constante
que ajusta unidades. Usualmente en el Sistema Internacional de Unidades se
toma que K=1/(4πε0). Como este potencial no es constante, podemos intuir desde
ya que la solución de la Ecuación de SCH no será tan sencilla como la de pozos y
barreras.
De hecho, para resolver la ecuación resultante (la letra griega Miú [μ] representa la
masa reducida: una transformación de las masas de protón y electrón que hace
que el término asociado represente la energía cinética total, incluyendo los
posibles movimientos del protón):
47
2 e2
Hˆ E 1.3.2.1
2 r
m1 m2
m1 m2
n ,l ,m (r , , ) Rn ,l (r ) l , m ( ) m ( )
Los tres puntos anteriores se desprenden de que, si en las fórmulas que dictan
cómo se resuelve la ecuación del átomo de hidrógeno se introducen otros
números que no cumplan 1.), 2.) y 3.), el resultado es una función imposible
físicamente. Entonces, por ejemplo, NO podemos tener:
1,3, 2 ( r , , )
48
1000 ,800 , 500 ( r , , )
Uniendo los dos factores direccionales (los que no dependen del radio),
encontramos la siguiente solución general dependiente de la dirección
(representada con la letra Y en mayúscula:):
con
49
donde
Figura 34
50
comparan momentos angulares, pues para un solo electrón siempre puede decirse
que, SI EXISTE MOMENTO ANGULAR (l ≠ 0), la dirección del vector momento
angular se define como el eje Z. Por supuesto, si l = 0, entonces m = 0; no hay
componente en dirección z.
Así mismo, las partículas fundamentales presentan otra propiedad asociada con
un número cuántico: El spín (nombre en inglés que usaremos para ajustarnos a la
literatura al respecto, que es más abundante en este idioma). Esta propiedad se
refiere al hecho de que cualquier partícula cargada genera un pequeño campo
magnético aún en reposo. Esto quizá pueda pensarse que se debe a que la
partícula gira (si está cargada, esto genera campo magnético porque constituye un
equivalente a corriente), pero la realidad es que no se puede suponer esto:
cuando se calcula el momento angular intrínseco de un electrón y se tiene en
cuenta su carga y su masa (ya muy conocidas), encontramos que el giro que en
realidad tendría un electrón en realidad no generaría ese campo magnético. Por
esto es que se asegura que el espín no representa Momento Angular Intrínseco,
aunque se pueda usar la matemática de momento angular para trabajar con él.
Por lo anterior, podemos establecer un modelo de Capas del átomo. Cada capa
se identifica por sus números cuánticos n y l, de tal modo que electrones con
diferentes valores de número cuántico m se encuentran en la misma “capa”: si
tienen el mismo número n y número l, el sector donde orbitan será el mismo, visto
como una región del espacio semejante a un cascarón esférico de algún grosor
bien definido y mucho menor que el radio medido desde el centro del átomo hasta
la órbita. Se puede decir que las regiones identificadas por el número cuántico de
momento angular l ( “L”) tienen una forma específica para cada valor que toma
este número, por lo que se puede pensar en cada grupo de electrones que con un
mismo l y n como pertenecientes a una subcapa. Haciendo claridad sobre esto,
vemos la figura 35.
51
Figura 35. Orbitales atómicos según la información de la página de la Universidad de Huelva,
www.uhu.es
52
1. La mecánica cuántica gobierna el comportamiento físico de cualquier
partícula, lo que incluye a los constituyentes del átomo.
2. Átomos y moléculas entonces siguen la ecuación de Schrödinger como ley
a cumplir, pero la compleja estructura e interacciones existentes entre los
constituyentes del átomo y entre los mismos átomos hacen frecuentemente
imposible la solución exacta de la ecuación, aunque sí permiten
aproximaciones suficientemente buenas como para entender la base de su
comportamiento.
3. Pozos y barreras de potencial son aproximaciones a los verdaderos
potenciales que la naturaleza presenta, adecuados porque pueden
resolverse de manera exacta y porque lo que se puede concluir de las
suposiciones ideales aplican bastante bien en la realidad.
4. El átomo de hidrógeno se resuelve de manera exacta y su familia de
soluciones nos permite entender que un mismo sistema puede hallarse
en sus estado base (n=1 y l=0) o estar en cualquier estado excitado de
números cuánticos superiores, de manera que se tienen otras
funciones solución.
5. El número n define el radio característico de la región de órbitas, su
distancia desde el núcleo, mientras que el l la FORMA de la órbita.
6. En cada subcapa hay un cantidad máxima diferente de electrones que
pueden existir, debido a que entre mayor sea l son más los posibles valores
que puede tomar m.
7. Para cada tríada n, l, m pueden haber dos electrones: uno con espín down
y otro con espín down.
8. Para cada uno de estos electrones hay una función de onda diferente
que describe completamente su movimiento y energía. Si acercamos
un átomo a otro, los potenciales experimentados por el electrón cambian y
hay que replantear la ecuación de Schrödinger para hallar la nueva función
de onda que cumple el electrón.
9. Lo mismo ocurre en átomos multielectrónicos: el potencial se deberá, por
un lado, a un núcleo mayor; y por el otro, a la existencia de otros
electrones que, al estar cargados, interactúan con los otros electrones,
trayendo como consecuencias que la función de onda hallada para el
electrón del hidrógeno no sea válida para estos átomos.
De todos los puntos anteriores queda completamente claro que una molécula en la
dos átomos están cercanos, fácilmente puede haber electrones cuyas órbitas
pasen por ambos núcleos. A esto llamamos un ENLACE COVALENTE. Por
ejemplo, veamos cómo pueden solaparse dos orbitales s:
53
Figura 36. Extraída de www.textoscientificos.com
54
En un enlace iónico un electrón de un átomo es transferido completamente a
otro átomo, debido a que las fuerzas de atracción con éste último han sido
mayores. Una vez es transferido, el átomo receptor queda cargado
eléctricamente (con la carga eléctrica negativa que le proporciona el nuevo
electrón), al igual que el donador (que al perder el electrón queda con carga
positiva)…ambas cargas son siempre opuestas, por definición del proceso
anterior. Por esto, ambos átomos estarán probablemente adheridos (si el
enlace se rompe no estarán adheridos pero aún tendrán carga) por la fuerza
electrostática que sus cargas opuestas generan. Cada átomo es llamado
IÓN.
Queda claro cómo funciona el sistema, y cómo éste electrón tenderá a cumplir la
función de onda que le corresponde en orden en su nuevo átomo, aunque no
exactamente debido a que está presente el potencial del otro átomo. A efectos
prácticos, nos interesa el concepto general y el entendimiento que el proceso de
IONIZACIÓN no es más que la creación de Iones….no siempre esto termina en un
enlace iónico, ya que en un Gas Ionizado existen iones que se mantienen
separados debido a la baja densidad del conjunto.
1.) Mucha energía térmica: se mueve tan rápido la molécula que en algún
momento el electrón puede saltar a otro átomo.
2.) Campo eléctrico: una fuente de carga lo atrae o lo repele muy fuertemente
de un momento a otro (puede ser entendido como un voltaje)
3.) Campo Magnético: igual a lo anterior, pero por causa de un imán.
4.) Energía mecánica macroscópica: un golpe macroscópico de gran impacto
puede alterar la estructura interna de un sólido (por ejemplo, chocar dos
metales puede sacar chispas)
55
a un intervalo de estados posibles. Para el análisis del comportamiento
electromagnético de los semiconductores lo más importante es entender lo
referente a las bandas de valencia y conducción:
Gráficamente tendríamos:
Figura 38. Potencial experimentado por un electrón: la línea horizontal es donde se encuentran los
átomos de interés, que el eje vertical representa la energía potencial experimentada en cada punto.
Recuérdese que el máximo de energía potencial (en valor absoluto) se experimenta cuando se
encuentra justo en el punto donde está la fuente del campo eléctrico.
Ahora, éste electrón viajero (como hemos visto) no debe estar muy fuertemente
atado a ninguno de los átomos. Su energía cinética debe ser mayor que la
magnitud de energía potencial que lo atrae a cada átomo. Es por esto que el
modelo de energía potencial usado para cualquier estado en el que una partícula
se encuentra de alguna manera oscilando en una zona definida (órbitas,
vibraciones, etc.) es definido con SIGNO NEGATIVO. Así como la energía
potencial Gravitacional que la tierra tiene al girar alrededor del sol es un número
negativo, la energía potencial electromagnética del electrón alrededor de un centro
de carga positiva es siempre negativa, para usar este hecho en el cálculo de la
energía total y definir un criterio que especifique cuándo es posible que el
56
electrón escape de la atracción y cuando no; en éste último caso hablamos
de un ESTADO LIGADO. Para entender lo anterior se consignan las ecuaciones:
Q
Etotal E cinética E potencial EC
4 0 R
57
1.3.4 Características térmicas y electromagnéticas generales
Como puede verse en la figura 39, existe el solapamiento de bandas. Es decir, los
estados energético pueden que estar solapados (superpuestos), de manera que,
aunque la banda de valencia está llena, parte de sus energías son también parte
de los intervalos de la banda de conducción, de manera que un mismo electrón en
cierta forma pertenece a cualquiera de las dos bandas. Esto proviene de la
resolución de las ecuaciones de Mecánica Cuántica pertinentes en cada caso,
como revisamos en anteriores apartados.
58
energía correspondientes a electrones libres (conducción) y ligados (valencia), por
lo que no se ahondará sobre la forma matemática exacta. Sin embargo, sí es
necesario dar una definición adicional:
GAP: Banda que corresponde al intervalo de energía existente entre el nivel más
bajo de la banda de conducción y el nivel más alto de la banda de valencia. SU
nombre proviene del inglés. La figura 40 Ilustra lo anterior.
59
Por otro lado, las bandas de energía de un metal no siempre están superpuestas
(ver figura 39): también es posible que simplemente la última banda esté
parcialmente llena.
Debido a que en el cero absoluto no existe energía cinética que pueda producir el
salto del GAP, un semiconductor en el cero absoluto debe tener
conductividad cero. A medida que aumenta su temperatura, su
conductividad aumenta hasta que, en determinada temperatura
característica, se comporta como un conductor. Electromagnéticamente un
semiconductor es susceptible a los campos magnéticos o campos eléctricos de
una manera correspondiente a la “Región de comportamiento” donde se
encuentra: si por densidad o por temperatura se comporta como conductor, será
influenciado por los campos electromagnéticos tal como le sucede a un conductor.
Lo mismo aplica en el caso que esté en su “modo” aislante.
Para entender el movimiento del electrón hay que remitirnos a los casos más
fundamentales y modelos más simples, estudiados en cualquier curso de física
electromagnética. A partir de este sintético repaso se espera que sea más
entendible la explicación conceptual sobre su comportamiento en
semiconductores.
60
macroscópica), se está midiendo el flujo de 1x10-6 Coulombs por segundo,
mientras que la carga del electrón es 1.602x10-19 Coulombs, más de diez millones
de millones de veces la carga que fluye en cuando se habla del microamperio. Es
por esto que fluctuaciones de un solo electrón e incluso de unos cientos de
electrones, suelen ser irrelevantes; es más, aunque estos cambios de carga
tuviesen importancia, suelen compensarse por su carácter aleatorio (unos suben,
otros bajan) y por la velocidad con que ocurren (mucho menor a un
microsegundo).
1.4 CRISTALOGRAFÍA
61
pedazo metal, sobre el cual es claro que podemos verle reaccionar ante un objeto
que ejerza presión sobre él: hablando formalmente, un sólido exhibe
comportamiento elástico y es rígido. En general, se sabe que un sólido
presenta una estructura u organización molecular bien definida, y en la
mayoría de los casos es de tipo red cristalina. Una Red Cristalina es una
conglomeración de moléculas o átomos que sigue una geometría determinada.
Aquí el mejor ejemplo es un tablero de ajedrez. Si los cuadros representan una
molécula que se encuentra en cada centro, entonces las moléculas negras y las
moléculas blancas de este tablero siempre se encuentran espaciadas de la misma
forma y con los mismos ángulos. Por supuesto, podemos pensar que esta
estructura cristalina se puede complejizar imaginando que cubre las tres
dimensiones.
Como puede observarse, la figura 42 (izquierda) no parece tener un orden tan sólo
contemplando este pequeño número de átomos. Sin embargo, aún se puede
establecer algunas periodicidades parciales, y equidistancias entre algunos pares
de átomos. Esto, por supuesto, no lo convierte en cristalino: es un sólido amorfo
sin lugar a dudas.
62
Por último, se le recuerda al estudiante que 1.) los sólidos a estudiar son los
cristalinos, ya que los amorfos pueden modelarse prácticamente como fluidos en
condiciones especiales; y 2.) Los sólidos pueden estar formados por distintas
clases de átomos y moléculas, además de posibles impurezas.
Ahora estudiaremos las formas en que pueden existir los Cristales (por cristal
entendemos una agrupación de moléculas/átomos que conforman un sólido de
manera periódica).
1. Cúbica simple,
2. Cúbica centrada en la cara,
3. Cúbica centrada en el cuerpo,
4. Tetragonal simple,
5. Tetragonal centrada en el cuerpo,
6. Ortorrómbica simple,
7. Ortorrómbica centrada en cara,
8. Ortorrómbica centrada en el cuerpo,
9. Ortorrómbica centrada en las bases,
10. Monoclínica simple,
11. Monoclínica centrada en las bases,
12. Triclínica,
13. Trigonal,
14. Hexagonal.
63
Figura 43. Tomada de www.cobaes.edu.mx :
Las simetrías son propiedades definidas sobre cualquier objeto de estudio y que
tienen que ver con invariabilidad del algún resultado a pesar de cambiar alguno de
los aspectos de su operación: dicho de manera práctica: un objeto de estudio (un
cuerpo físico, una función matemática, un fenómeno de la naturaleza, una figura o
una partícula) se dice que cumple una simetría o TIENE una simetría bajo
determinada operación cuando, al hacer esta operación sobre él, ALGO
permanece igual. Previendo que el estudiante no esté familiarizado con el
concepto, aquí hay algunos ejemplos:
64
3.) La operación “Elevar al cuadrado” es simétrica bajo cambios de signos de
la base: si cambiamos el signo de la base que se va a elevar al cuadrado,
de todas maneras es resultado es igual (y positivo, dicho sea de paso)
4.) La operación “Elevar a la cuatro” es simétrica bajo cambios de signos de la
base.
Donde cada eje lo asimilamos a cada arista de la figura geométrica. Para mayor
claridad:
Las figuras geométricas que identifican cada red de Bravais se pueden pensar
como unidades básicas. De hecho, una Celda Unitaria está definida como una
región del cristal especificada por los tres vectores a, b y que corresponden a los
ejes mencionados anteriormente; para ser realmente una celda unitaria, esta
región debe producir cualquier otra región del cristal (aproximadamente) al
trasladarse espacialmente mediante la multiplicación por un número entero.
65
Los vectores a, b, c deben ser linealmente independientes y son llamados
Vectores Base. Según las anteriores definiciones, es claro que pueden existir
diferentes Celdas Unitarias (el sólido periódico que es la sucesión de cuadrados
de un centímetro cuadrado de área también es la sucesión infinita de rombos de
un centímetro cuadrado de área, o cuadrados de cuatro centímetros cuadrados de
área). Por lo anterior, se define la Celda Unitaria Primitiva como la celda unitaria
de menor volumen que es posible definir. Así, los Vectores Base Primitivos son
los vectores linealmente independientes que la definen.
Por supuesto, una estructura que sigue esta forma tiene tal regularidad que puede
entenderse como una sucesión de planos compuestos por redes bidimensionales
de átomos. La orientación de estos planos bidimensionales tiene mucha
relevancia física debido a que debe estar intrínsecamente relacionada con la
manera como el sólido se cohesiona y las direcciones de conducción eléctrica
preferidas, entre otras muchas propiedades (la multitud de factores, sin embargo,
hace que la relación entre muchas de estas propiedades físicas y los planos no
sea muy directa). Se puede demostrar que la orientación de los planos queda
definida de una manera muy práctica realizando ciertas operaciones simples. Al
resultado se le llama Índices de Miller. Este es el procedimiento:
66
Figura 45. Plano abc que corta los vectores direccionales (el plano mayor, definido por las líneas
verdes, es paralelo al plano menor)
Como se aprecia, los vectores direccionales cortan infinitos planos paralelos si son
extendidos de manera infinita. Sin embargo, si se les da la longitud mínima d que
los hace constituir la celda unitaria primitiva, sólo cortarán un plano adecuando
correctamente la amplificación de esto (multiplicación por números enteros).
Como no es de todo relevante el entendimiento profundo de Cristalografía para un
curso de Física de Semiconductores dirigido a ingenieros, terminamos este
capítulo con un ejemplo:
67
1.5 SEMICONDUCTORES Y DOPADO
68
la fuerza con la que éste se liga al átomo es bajísima (banda de
conducción).
- TIPO P: Justo lo opuesto. Los átomos de impurezas son del grupo III,
haciendo que FALTE un electrón para completar la valencia, hablando
en términos de enlaces y estructura cristalina. Esto puede verse como
un hueco, y en el sentido anteriormente descrito éste contribuye a la
conducción eléctrica.
69
Figura 46. Red de silicio, semiconductor Intrínseco
Figura 47. Red de silicio Dopado. Existe un hueco que corresponde a una ausencia de electrón.
El átomo de abajo podría ser Boro, por ejemplo.
70
Figura 48. Red de silicio dopado. Existe un electrón por fuera de red, así que el átomo de abajo es
del grupo V, como el fósforo.
Como puede verse, las últimas dos figuras deben ser semiconductores
extrínsecos. También podemos identificar que la figura 47 corresponde a un
semiconductor tipo P y la figura 48 a un semiconductor tipo N.
71
Figura 49. Arsénico como impureza, de www.autocity.com
72
1.5.3 Unión PN y recombinación
ni BT 3 exp( EG / kT )
2
73
De hecho, existe la difusión porque existe un gradiente de concentración. Sin este
requisito, no puede ocurrir. Cuando se da este movimiento de cargas, llega el
momento en que los huecos y los electrones puedan encontrarse, en la unión pn.
Este es el proceso de Recombinación, mediante el cuál se agotan los portadores
disponibles porque, a la luz de lo que se ha explicado, un encuentro de un electrón
y un hueco no es más que el llenado de ese hueco.
74
Figura 51. Tomado del Departamento de Ingeniería de Harvey Mudd College. www.hmc.edu
Figura 52. Op. Cit. Muestra la carga eléctrica como función de la ubicación dentro del material pn
completo. Obsérvese en el centro la región de agotamiento.
75
1.6 RELACIÓN CON EL CONTEXTO
76
circuitales. Es decir, la resistencia eléctrica y otros fenómenos serán
cualidades que caracterizan el sistema semiconductor, recordando que en
circuitos aplicar campo eléctrico equivale a aplicar voltaje. Además es
importante recordar que el hecho de que el incremento de la corriente eléctrica
genere también un aumento en temperatura debe considerarse en el
entendimiento cualitativo y cuantitativo del comportamiento de la resistencia al
paso de corriente a través del semiconductor.
77
Figura 53. Segmento de Arseniuro de galio, donde se observa que un galio se enlaza con más de
un germanio. Tomado de la página de la universidad de Waterloo, www.uwaterloo.ca
En esta sección el estudiante debe investigar por su cuenta con miras al trabajo
colaborativo propuesto. A continuación se consignan algunos aspectos
referenciales acerca de cómo enfocar sus lecturas libres.
Debe entenderse que entre los aspectos importantes a definir, están los
siguientes:
78
Y los dos puntos anteriores deben responder a específicos requerimientos de
diseño que la aplicación electrónica final exija.
En general cualquier sólido puede verse afectado por una onda mecánica. La
incidencia de la onda mecánica sobre el medio se traduce microscópicamente en
algún tipo de colisión entre las moléculas del medio y las del sólido. Siendo más
específicos, las ondas mecánicas no son más que vibraciones que son
comunicadas de una molécula a otra: es natural que tales vibraciones puedan
pasar a un sólido.
Como se vio anteriormente, los sólidos cristalinos tienen una estructura tan
específica y geométrica, que puede esperarse que la reacción a las colisiones sea
similar en toda la red. Por esto, cuando existe una excitación vibratoria en algún
punto de la red, ésta puede fácilmente extenderse a los demás justo de la misma
forma como se provocan ondas de sonido en el aire; recuérdese que cuando un
tambor es golpeado es la vibración de su membrana la que produce la onda
sonora en el aire: su periódica (rítmica, podría decirse) oscilación en uno y otro
sentido comprime y descomprime el aire acompasadamente, de manera que estas
diferencias de presión afectarán las moléculas contiguas del aire, haciendo que
éstas últimas también presentes cambios similares de presión. Esto es el sonido.
A la luz del anterior párrafo, resulta comprensible que en una red cristalina, donde
los átomos están a distancias iguales de sus compañeros, cualquier cambio en el
movimiento de uno de sus componentes se traduzca en un radical cambio en la
fuerza que éste ejerce sobre sus compañeros, ya que las fuerzas dependen de la
79
distancia entre partículas. Estas alteraciones de fuerzas son experimentadas por
los vecinos: finalmente, un proceso ondulatorio se presenta en todo el sólido.
80
El tratamiento de Cuantos en física es un poco más delicado que simplemente
entenderlos como representantes de ondas. El fonón es una especie de “energía
viajera” que se comporta exactamente igual a una partícula cuando colisiona con
otra partícula (sean fermiones u otro fonón, por ejemplo), pero que sigue las
propiedades de las ondas en otras situaciones (recuérdese la dualidad onda-
partícula estudiada al inicio de la unidad).
Aspecto Microscópico
81
es posible que no sea porque ésta se refleje, sino porque haya sido
ABSORBIDA por él.
- La onda electromagnética transfiere energía en cuantos llamados
FOTONES. Los fotones son la mínima cantidad de energía transferible
al electrón y su valor numérico (es decir, su “tamaño”, usando una
metáfora) depende de la frecuencia de la onda.
E
Aspecto Macroscópico
E electrón
82
Donde “phi” (ϕ) es la energía necesaria para liberar el electrón, nombrada
comúnmente como “Función Trabajo”. Como puede verse, éste es un modelo
eminentemente cuántico: la energía electromagnética está cuantizada respecto a
su interacción con la materia, y en general colisiona como partícula.
Para aclarar lo anterior se suele decir que un fotón tiene distinto color que otro:
así, el fotón de la onda electromagnética de mayor frecuencia tiende a ser “más
violeta”. Esto, por supuesto, no es más que notación y nemotecnia, ya que el
color es una construcción cerebral sin otra realidad física que la frecuencia de
oscilación de la onda; se puede decir que una onda tiene mayor o menor longitud
de onda o frecuencia de oscilación, pero hablar de color no es físicamente exacto,
ya que la percepción del color es relativa.
En general sería ideal conocer todos los aspectos físicos de un sistema para
realmente poder construir un modelo de su comportamiento. Como hay miles y
miles de átomos en un material, y además cada átomo es tan pequeño que es
difícil medir variables sobre un único átomo, es natural que este proceso sea
complicado; quizá imposible. Teniendo en cuenta que la naturaleza misma de los
componentes del universo —los fermiones, bosones, átomos y moléculas— está
regida por una teoría probabilística (La Mecánica Cuántica), es comprensible que
el estudio de un sólido deba recurrir a herramientas estadísticas para poder vencer
83
la ineludible aleatoriedad en el comportamiento individual de cada átomo,
molécula, electrón, etc.
ESTADÍSTICA DE FERMI-DIRAC
84
demostraciones, se explicará muy brevemente y en la próxima unidad se utilizarán
directamente fórmulas finales y conceptos.
85
posibles para los dos primeros niveles: tienen que haber por lo menos dos estados
diferentes para que dos electrones estén en ese nivel energético. Es posible
encontrar una configuración diferente de los mismos 6 electrones:
Acá es claro que éste es un estado energético de menor energía: ahora el electrón
naranja se encuentra con una energía inferior (de hecho, la más baja del
diagrama), y de paso esto obliga a que en realidad ése estado base debe tener
mínimo tres estados cuánticos posibles. Sin embargo, es posible también que
distintas configuraciones produzcan la misma energía total. Supongamos que los
5 niveles de los diagramas anteriores no son energéticos, sino de otro tipo. De
hecho, pensemos que n=2: entonces l=0,1 y m = -1,0,1, mientras que los espines
son ½ ó –½. Existen entonces muchas más posibilidades:
86
Figura 57. Estados para n=2. En amarillo los posibles estados para l=1 y en morado los posibles
estados para l=0.
gi
ni ( i )
e K BT
1
87
SEGUNDA UNIDAD DIDÁCTICA
2.1 UNIONES
88
contrario al existente naturalmente en las zonas PN, como vemos en la figura
número 59.
Figura 59. La flecha roja es el campo en la región de agotamiento y la derecha indica el sentido
natural de la corriente de difusión
De este modo, este campo eléctrico debe asociarse a una barrera de potencial
que entorpece la circulación de la corriente de difusión. Por supuesto, esto
significa que debemos modificar cualquier modelo simple para encontrar
numéricamente el valor de la corriente de difusión, incorporando el efecto de la
región de agotamiento. Si polarizamos de ciertas maneras, el ancho de la región
de agotamiento se ve afectado:
89
la región de agotamiento (voltaje inverso). La fuente de corriente tendría un valor
también exactamente igual a IS - ID (recuérdese la notación y descripción usada en
la unidad anterior).
Con varias uniones pueden construirse transistores bipolares: estos pueden ser
NPN o PNP. Como puede suponerse, la polarización para lograr que estos
transistores funcionen de una u otra forma será exactamente inversa, ya que la
región de agotamiento de cada juntura tiene una barrera potencial de signo
contrario.
90
Figura 61. Semiconductor PNP
- Materiales P y N
- Uniones
- Diseño de las dimensiones para controlar las corrientes
- Diseño de dopado (semiconductores extrínsecos)
- Terminales metálicas a través de las cuales se conectan fuentes de
corriente o voltaje para poner a funcionar el dispositivo
- Derivación de ecuaciones de corriente y voltaje que dependen de la
corriente y el voltaje forzado a través de las terminales
- Posibilidad, para un mismo dispositivo electrónico, de diversas opciones
de funcionamiento.
91
Figura 62. Mosfet y sus partes
92
Algunas ecuaciones son más profundas en su demostración. Por ejemplo, la
existencia del voltaje de barrera en ausencia de polarización externa TIENE que
relacionarse con los portadores de carga…¿pero cómo? Esta ecuación implica
formar otros conceptos adicionales, que requieren física más profunda. Usando
las constantes definidas apropiadamente:
V0 N N
ln P 2 N
VT ni
qW p N p qWn N n
2 s 1 1
W Wn W p V0
q N p N n
93
Donde s es la permitividad eléctrica del Silicio, produciendo como consecuencia
que W vaya de 0.1 a 1 micrómetro.
pn (Wn ) pn 0e
V / VVT
JP q
DP
LP
pn 0 eV / VT 1 e x wn / LP
2 D DN
I S Aqni P
L N
P p LN N n
94
2.2 PRINCIPALES DISPOSITIVOS USADOS EN ELECTRÓNICA
- Diodos rectificadores
- Diodos Zener
- Diodos Varicap
- Diodos Gunn Impatt
- Diodos supresores de tensión
- Diodos de corriente constante
- Diodos túnel
- Diodos Shottky
- Diodos Led
- Diodos Pin
- Diodos sensibles a temperatura
- Fotodiodos
- Transistores NPN y PNP simples
- Transistores NPN y PNP con colector unido a cubierta
- Transistores UJT
- Transistores de avalancha
- Transistores Shottky
- Transistores JFET canal n y p
- Transistores multiemisores
- Transistores Darlington
- Tiristores simples
- Tiristores de conducción inversa
- Triac
- Diac
95
- Transistores MOSFET tipo empobrecimiento o enriquecimiento
- Transistores MOSFET en general
96
Figura 63. Diodo conduciendo
La flecha hacia fuera indica que es npn: la terminal con la flecha y la opuesta a ella
son de regiones n, mientras que la tercera terminal es la conexión a la región p.
97
cualquier pequeña señal de voltaje (es decir, una especie de onda perturbativa)
que fuera introducida al circuito por la base (la terminal p) saldría amplificad un
cierto valor al salir por el Colector (la terminal n superior, conectada a la R2).
En este caso vemos que el diodo está conectado al revés de lo que esperaríamos,
y sin embargo la corriente fluirá a través de él, desde la parte superior del
diagrama hacia el nodo resaltado en verde (se colocan dos puntos para recordar
que eléctricamente la línea es un solo punto, un nodo eléctrico). La mayor parte
de la corriente que sale de la fuente va hacia el Zener porque su resistencia
interna es baja.
I D I S eV D / nVT
VDD VD
ID
R
98
(normalmente se colocan resistencias en serie o paralelo con el diodo; a veces
son resistencias de carga inherentes a dispositivos conectados al diodo), VDD es el
voltaje de polarización general (ver figura 67) y n es un parámetro de construcción
del diodo (probando cómo cambia ID con VD en un laboratorio se puede trazar una
exponencial y calcular n, fácilmente).
99
Figura 68. Tabla de ecuaciones de la unión PN, extraído Sedra y Smith: Microelectronics Circuits
Es importante notar que cuando especificamos que el voltaje a través del diodo
está fijo en 0.7, estamos realizando una aproximación y descartando la
100
primera de las ecuaciones, que incluye una exponencial. Es decir,
suponemos que la corriente y el voltaje tienen una relación mucho más simple que
la exponencial. El comportamiento real de la corriente en el diodo con relación al
voltaje que se presenta en él es una exponencial MUY inclinada, por lo que la
primera aproximación (la más cercana a la realidad) que podemos hacer es:
Figura 69. Aproximación de líneas rectas a la corriente en el diodo como función del voltaje.
101
Figura 70. Modelo de líneas rectas
Aún es posible modelar el diodo de una forma más simple. Si el hecho de tener
0.6Volts o 0.8Volts en el diodo no es importante (quizá porque el voltaje disponible
B1 es mucho mayor y esa pequeña pérdida es insignificante), podemos pensar
que simplemente se mantiene constante en 0,7Volts y la aproximación es
simplemente considerar que el diodo es IDEAL. La gráfica entonces es:
102
comportamiento empieza a alejarse de lo ideal y en un momento dado entra a la
Región de Ruptura, definida como la región de la gráfica corriente-voltaje en la que
el diodo ya no se comporta en absoluto de forma ideal. En la siguiente figura de la
Universidad de la Frontera de Chile puede verse la explicación detallada:
103
2.2.3 Transistores BJT
Como existen dos uniones, podemos definir más modos de operación. Haremos
la descripción y el análisis de un transistor npn para luego establecer el paralelo
con los pnp.
ACTIVO
n p (0) n p 0ev BE / VT
104
polarización suministrada a CBJ. Las siguientes son gráficas del libro de Sedra-
Smith mencionado anteriormente:
dn p ( x) n p ( 0)
in AE qDN AE qDN
dx W
105
Donde AE es el área de la sección transversal de la EBJ y las otras variables
fueron especificadas anteriormente.
La corriente de colector sigue
A qD n
I c E n p 0 ev BE / VT
W
Donde la cantidad entre paréntesis corresponde a IS, pero np0 = ni2/NA, así que
estas corrientes pueden ponerse en términos equivalentes.
A qD n 2
I B1 E n i ev BE / VT
N L
p p
A qWni 2
v BE / VT
I B 2 E e
2 N n b
I C I B
1
D p N nW W 2
Dn N L
p p 2 Dn b
I E IC I B
106
2.2.4 Transistores MOSFET
Otro nombre con el que es conocido el Mosfet canal N es IGFET (Isolated Gate
FET), debido a que la compuerta (Gate) se encuentra aislada del sustrato P por
una capa de Óxido de Silicio.
107
entre las dos regiones n y muy cerca de la capa de dióxido de silicio. Esta región
es llamada canal n, ya que intercomunica las regiones n justo como un canal.
Si no existe voltaje VDS entre las terminales del diodo, por supuesto no hay razón
para tener una IDS, pero el canal n sí puede presentarse, tan solo asegurando que
el potencial aplicado en la compuerta repele lo suficiente los huecos el sustrato p
como para que se cree la región n inducida por este voltaje de compuerta. Para
esto se debe superar el hecho de que naturalmente los electrones colisionan
aleatoriamente entre ellos cuando se les atrae con una fuente de voltaje: estas
colisiones también se pueden representar por el Voltaje Térmico V t (diferente al
Voltaje Térmico de los BJT’s). Para no confundir los dos Voltajes térmicos, el del
BJT es el único que es llamado de esta forma (“Voltaje Térmico”), mientras que el
Voltaje Térmico del Mosfet (ya que tiene un significado eléctrico adicional como
nivel mínimo de voltaje necesario para la creación de canal n) es llamado Voltaje
de umbral.
FLUJO DE CORRIENTE
Una vez creado el canal n, los huecos que son desplazados hacia el fondo del
sustrato constituyen una concentración de carga positiva aparente, o campo
eléctrico positivo (como se quiera expresar). Este campo eléctrico hará que las
regiones n pierdan electrones hacia la región p: estos electrones fluyentes crean la
región de agotamiento característica, como se observa en la figura 76.
108
El canal n, por su parte, es un camino de electrones que provee un camino
circuital que se puede cerrar externamente. De esta manera, cualquier diferencia
de potencial VDS creará un flujo de corriente de Drain a Source (Drenaje a Fuente)
siempre y cuando exista el canal n, como efecto de un VGS aplicado (recuérdese
que decir que hay corriente positiva de drenaje a fuente es decir que los
electrones van desde la fuente al drenaje).
Debido a que las curvas corriente-voltaje del Mosfet son muy diferentes, el nombre
de las regiones también lo es:
Saturación
VDS VGS Vt .
Tríodo
V DS VGS Vt
Apagado
VGS Vt
109
SEGÚN EL NIVEL DE AUTOMATIZACIÓN:
- Artesanal: Diseñado y construido completamente por una o más
personas, sin uso de dispositivos o equipos automáticos.
- Artesanal asistido: Construido por una o más personas, pero con la
asistencia de hardware o software de ayuda en alguna de las tareas,
aunque no todas. Por ejemplo, el uso de CAD para electrónica o de
equipos automáticos perforadores.
- Semiautomático: El proceso fundamental es automático, aunque haya
aspectos que se dejen a la mano de obra humana.
- Automático: No interviene mano de obra humana excepto en la fase de
diseño, y probablemente parte del diseño lo hace un software
encargado de calcular secciones transversales, valores de resistencias
y otros.
SEGÚN EL OBJETIVO:
- Industrial única: Cuando se configuran y usan las máquinas de
construcción para la elaboración de un único prototipo.
- Industrial en serie: Cuando se configuran y usan las máquinas de
construcción para la elaboración en serie de muchos dispositivos, que
debió ya haber sido probado.
- No industrial de investigación o desarrollo: Cuando un investigador
construye un circuito o dispositivo de prueba en su formato no final, sólo
para constatar el funcionamiento eléctrico.
- No industrial en serie: Cuando un Ingeniero o Técnico construye, una
por una, el número de piezas que necesita de un dispositivo que ya
probó, sin usar máquinas industriales sofisticadas.
SEGÚN LA TÉCNICA:
Son muchas, y se distingue ampliamente la técnica para desarrollar circuitos
integrados de la técnica para investigar en semiconductores, al tiempo que estas
dos resultan muy diferentes de los métodos usuales (industrial y artesanalmente)
de construcción de circuitos y aplicaciones electrónicas basadas en componentes
discretos (los ya construidos).
110
- Baquelitas. Material fenoplástico que puede fabricarse en diferentes
formas geométricas, pero que no es modificable por segunda vez.
En electrónica, Baquelita se le llama al la estructura formada por
verdadera baquelita y una capa de metal (cobre) que, bajo la acción
del ácido férrico, se vuelve dieléctrico. Si se imprimen los caminos
de conducción eléctrica sobre la baquelita con una substancia que la
proteja de la acción del ácido férrico (cloruro férrico), al final se tiene
una tarjeta sobre la que se pueden soldar los dispositivos. Hay
diversas técnicas para lograr la “impresión” mencionada, y otros
sustratos de composición similar que sustituyen la baquelita en
aplicaciones industriales (producción en fábricas)
111
TIPOS DE MONTAJE EN TARJETA
El montaje en tarjeta puede ser superficial o through hole. El primero es tal que en
realidad no es necesario hacer huecos, ya que se suelda SOBRE la tarjeta. Este
montaje es característico de circuitos integrados modernos y trae complicaciones
en el proceso de soldado, aunque tiene múltiples ventajas relacionadas con peso,
tamaño, automatización del proceso, etc.
El segundo, el through hole, es del que hemos hablado hasta ahora: se atraviesa
la tarjeta para luego soldar por detrás de ella.
También es posible definir una clasificación del montaje según el número de capas
utilizadas. Una capa es exactamente eso: una capa de cobre. En una misma
baquelita se puede incluir varias capas intermedias, de modo que se multiplican
las posibilidades de conexión.
112
2.3 APLICACIONES DE POTENCIA Y APLICACIONES DE SEÑAL
TIRISTOR
113
Formado por cuatro regiones semiconductoras intercaladas: pnpn. Cuenta con
tres terminales (ánodo, cátodo y compuerta) y equivale aproximadamente a
conectar dos transistores npn y pnp por las dos regiones comunes. La compuerta
controla el paso de corriente, de manera que se hace posible modular cuanta
corriente pase según sea la señal de voltaje/corriente en compuerta. Una señal
aplicada a la compuerta (ver figura 77), como un pulso de corriente, posibilita el
paso de corriente a través del tiristor, para voltajes ánodo-cátodo bajos. Para
voltajes ánodo-cátodo muy altos, se da un fenómeno de ruptura espontáneo en el
tiristor. También puede darse conducción como efecto de incrementos de
temperatura, efecto fotoeléctrico sobre el silicio o gradiente de voltaje demasiado
alto.
TRIAC
Toma su nombre de Triode for Altern Current. Como se mencionó, algunas veces
es catalogado también como Tiristor. La razón es que su comportamiento es casi
114
exactamente igual, a excepción del hecho de poder operar en ambas direcciones;
es evidente, entonces, que su estructura física es mucho más compleja, como
puede verse en la figura 78 (Universidad de la Frontera, Chile).
SCHOKTTY
115
pérdidas de potencia y alta velocidad de conmutación, pero no es capaz de
soportar uso en aplicaciones de potencia (sino más bien de señal).
Por todo lo anterior, resulta conveniente usar como modelo eléctrico del transistor
un grupo de ecuaciones sencillo, en parte extraído de las ecuaciones
eléctricamente relevantes de la sección 2.2.3. Estas ecuaciones son
eléctricamente relevantes dependiendo de la aplicación en la que se usa: el
modelo eléctrico para aplicaciones DC diferirá del modelo para aplicaciones AC.
I C I B
V BE 0.7
I C I E ,
1
I E IC I B
116
hayamos asegurado la polarización correspondiente a modo activo en el transistor,
tendremos un modo de amplificación; es decir, la señal sufrirá una transformación
en su amplitud según la constante β y la configuración específica seleccionada.
Para modelar cómo se comporta el transistor, podemos usar la siguiente
representación del funcionamiento interno de éste:
117
Figura 80. Modelo π complementado con la incorporación de los efectos capacitivos de juntura en
transistor MOSFET (Sedra)
118
2.4 FÍSICA DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS ESPECIALIZADOS
Por tanto, la INTENSIDAD (no confundir con la frecuencia o energía por fotón) de
la radiación electromagnética siempre está directamente relacionada con el
número de electrones causantes de la emisión espontánea. Por otro lado, la
FRECUENCIA de la onda emitida está relacionada con el cambio de energía que
sufren los electrones. Esto obedece a la ecuación:
E
CÉLULAS SOLARES
Cuando el silicio recibe radiación, el efecto fotoeléctrico obliga a que cada electrón
aumente su energía; sin embargo, esta energía puede no ser aprovechada en
forma de corriente eléctrica sino como simple energía térmica.
Si en vez de tomar silicio se usa una unión PN, el exceso de energía por electrón
trabaja a favor del efecto la aparición de huecos y electrones de conducción que
ya hemos revisado en secciones anteriores. De hecho, cuando luz de las
longitudes de onda correctas incide sobre la región de agotamiento, los electrones
119
atraviesan la barrera de potencial característica y se produce corriente; la
suficiente para asegurar un flujo permanente (salvando las pérdidas resistivas
naturales de todo circuito). Para el silicio monocristalino la eficiencia teórica
máxima en cuanto a la conversión de energía lumínica en energía eléctrica es del
26%, frente a la máxima alcanzada en laboratorio de un 25%. Otros materiales
manejan eficiencias superiores: el Arseniuro de Galio, por ejemplo, ya en 1996
producía una eficiencia del 35% usado con concentradores (véase próximo
párrafo) y en 2006 del 40.7%, usando multicapas de arseniuro de galio sobre
obleas de Germanio.
CENTELLADORES
120
frecuencia y alterando el estado del electrón). El funcionamiento del centellador
como detector se complementa con algún material fotoeléctrico que presente una
intensidad de corriente directamente proporcional a la intensidad de luz incidente.
Puede verse la representación de la detección de fotones centellados en la figura
81.
Figura 81. Cuentas de fotones centellados contra una variable indicadora de su frecuencia o
energía asociada (llamada aquí “canal”). La imagen proviene de http://bibliotecadigital.ilce.edu.mx
TUBOS FOTOMULTIPLICADORES
121
- Fuente de voltaje: se encarga de suministrar la diferencia de
potencial base a través de la cual se aceleran, a lo largo del tubo, los
electrones emitidos.
- Dínodo: es un material que sirve a la vez como ánodo y cátodo, ya
que los electrones que incidan sobre él producirán a su vez emisión
de una mayor cantidad de electrones. Entre más dínodos haya,
mayor es la amplificación de señal que realiza el fotomultiplicador.
- Ánodo: es la terminal final que sirve como electrodo o contacto de
salida, desde donde se registra la corriente medida.
LÁSER
122
3.) Son usados espejos ubicados en línea recta y en la dirección de enfoque
del láser. Como consecuencia de esto, los fotones que permanecen
encerrados son solamente los fotones que van en esa dirección, de
manera que llega el momento en que sólo estos fotones inciden sobre los
electrones excitados, produciéndose solamente luz en la dirección
escogida.
1. Coherencia.
La Luz emitida tendrá una única fase a nivel dirección. Esto puede verse por el
hecho de que la emisión de los fotones se hace en la exacta misma dirección
para cada electrón emisor, ya que la dualidad onda-partícula implicaría que la
onda asociada a cada fotón es de igual fase.
2. Monocromatismo
Se puede alcanzar una emisión de luz potente y bastante restringida en cuanto
a intervalo de frecuencias posibles (casi de una sola frecuencia), según se
haya escogido una fuente inicial de luz con espectro de frecuencias lo más
acotado posible.
3. Concentración de haz
Los espejos permiten escoger el ancho del haz, ya que la cantidad de fotones
por unidad de área en el proceso de rebote será la que produzca el haz final
proyectado a través del espejo semitransparente.
Los láseres no sólo se hacen con semiconductores. Por ejemplo, el láser de Helio-
Neón es excitado mediante la aplicación de voltajes de alrededor de 100 volts y
trabaja a una longitud de onda de 632.8 nm.
TRANSDUCTORES TERMOELÉCTRICOS
123
temperatura: la termocupla en general es construida uniendo metales diferentes, o
aleaciones de estos, lo que quiere decir que el efecto térmico de los
semiconductores no es realmente el usualmente escogido.
Como los materiales de las termocuplas con el Platino, Rodio, Cobre, Hierro y
otros metales, no es objeto de nuestro estudio profundizar en esto.
TRANSDUCTORES PIEZOELÉCTRICOS
Entre las aplicaciones fundamentales están los láseres de alta precisión, potencia,
monocromatismo o coherencia y los centelladores y tubos fotomultiplicadores de
124
los detectores o aceleradores de partículas. A continuación se consigna el papel
de los semiconductores en cada uno, así como su propósito.
DETECTORES
Son centros creados para medir o identificar radiación cósmica: luz, positrones,
muones, neutrinos y otros. Los neutrinos, por ejemplo, son partículas de casi nula
masa y sin carga, por lo que no interaccionan mucho con la materia. Como
consecuencia de esto su detección es indirecta, y toda detección indirecta trae
lugar a mayores posibles errores; sin el uso de tubos fotomultiplicadores, las
señales lumínicas detectadas (absorbidas por un transductor fotoeléctrico menos
elaborado) serían demasiado débiles y confusas para ser consideradas fiables.
ACELERADORES DE PARTÍCULAS
125
demasiado alta (la suma de sus energías cinéticas más la energía de sus masas,
por la relación E=mc2), así que tienen a formarse espontáneamente partículas que
pueden entenderse como la “decantación” o “solidificación” de la energía liberada.
Normalmente las partículas que se espera de estas colisiones son de muchos
tipos, entre neutrinos, muones, electrones, positrones y otros, por lo que es
necesario una física de detectores muy avanzada y precisa.
126
Figura 83. Huella de un muón, tomada de la página del SuperKamiokande
127
Figura 84. Detector Atlas, LHC, CERN:
128
2.5 TÓPICOS AVANZADOS EN SEMICONDUCTORES
Una vez que las láminas estén preparadas, se recubren algunas zonas con
dióxido de silicio ( SiO2 ), esto se lleva a cabo calentando las láminas a 1000 –
1200 ºC hasta que se genera una capa de óxido en la superficie del material. Las
partes de la lámina que no están recubiertas se someten a un proceso de difusión
que dopa el silicio (tipo p) con impurezas que contengan electrones creando una
capa de silicio tipo n (Figura…a.). Las impurezas usadas más comunes son
dopantes como el fósforo, el boro y el arsénico.
129
transferir un patrón geométrico a un material sensible a la luz en el sustrato, este
material es llamado fotoresistivo (Figura…e.). Cuando el material se expone a la
luz a través de una placa fotográfica que contiene el patrón, las zonas
fotoresistivas se ablandan imprimiendo el patrón o la máscara en la superficie del
material. Una vez que se haya depositado el material fotoresistivo, se pone otra
capa de polisilicio, usualmente dopado con arsénico (tipo n). El proceso re repite
una vez más pero esta vez se dopa el material son boro (tipo p) (Figura…f.). Antes
de que los contactos sean hechos, se deposita una delgada capa de dióxido de
silicio mediante el proceso (CVD) o deposición química de vapor, que es un
proceso en el cual gases reaccionan químicamente permitiendo la formación de un
sólido sobre un sustrato (Figura…g.). El óxido CVD se deposita usando una
máscara fotosensible, de tal manera queden hechos los orificios para los
contactos metálicos. Por último, estos contactos se hacen mediante el proceso de
metalización que consiste en evaporar por medio de calor una capa de aluminio
que luego se deposita sobre la superficie del sustrato (Figura 85, siguiente
página).
130
Los procesos se diferencian en la forma como los átomos son desprendidos del
material que se desea crecer; el resto del proceso suele ser muy similar, como
veremos a continuación.
131
Figura 85. Proceso típico de fabricación de un Mosfet Complementario (CMOS), tomado de
SEDRA.
EVAPORADOR DE HAZ DE ELECTRONES
132
Es una forma de deposición por vapor en el cual un objetivo es bombardeado por
un haz de electrones generado a partir un filamento de tungsteno previamente
calentado en una cámara de alto vacío. El haz de electrones evapora el objetivo
(que contiene el material deseado), que luego se precipita sobre el sustrato,
cubriéndolo en forma de película delgada.
SPUTTERING
Este sistema consiste en un pulso de luz localizado que evapora la superficie del
material deseado para luego depositarse en el sustrato. Generalmente este
proceso es llevado a cabo en una cámara de alto vacío.
133
explicación de un tópico de investigación de frontera en Materia Condensada: los
puntos cuánticos.
PUNTOS CUÁNTICOS
Los puntos cuánticos se han estudiado con gran interés desde su descubrimiento
hasta la actualidad debido a sus propiedades ópticas no lineales y sus
aplicaciones en el desarrollo de dispositivos tecnológicos de nanoescala, ya que el
tamaño de los puntos cuánticos varía generalmente entre 10 y 50 nm. Una de las
propiedades ópticas más destacadas es que puntos cuánticos del mismo material
pero con diferente tamaño emiten luz de diferente color. Por esta razón, las
aplicaciones más importantes son los dispositivos emisores de luz, como los
láseres.
134
Figura 86. Puntos cuánticos nanocristalinos de CdSe. Emiten luz de diferente color dependiendo el
tamaño de los puntos cuando se irradian con luz ultravioleta. V. I. Klimov. Nanocrystal quantum
dots: From fundamental photophysics to multicolor lasing. Los Alamos Science 28 214 (2003).
135
Una de las aproximaciones al cálculo exacto de una función de onda de muchas
partículas es la Hartree-Fock.
136
Representa la ecuación de Schrödinger independiente del tiempo para un
sistemas de N partículas (en la aproximación Bohn-Oppenheimer), donde U es la
energía de interacción entre esas partículas. Aún en el caso de que sean todos
electrones, esta interacción electromagnética es difícil de determinar, porque la
energía electromagnética depende en realidad de las posiciones de cada par de
partículas que se está analizando (y, he hecho, de su velocidad, si se quiere tener
toda la energía de manera muy exacta). Inclusive esta complicada ecuación es
sólo una estimación, ya que en realidad:
Uˆ U (r1 , r2 , r3 .....rN , v1 , v 2 , v3 ....v N )
El problema reside en que 106 átomos de silicio, por ejemplo, a pesar de constituir
menos de una millonésima de nanogramo (una cantidad que sólo se puede
manipular en laboratorio), convierten la ecuación de Schrödinger asociada en una
ecuación imposible de resolver. Por esto se usa la teoría del Funcional de
Densidad, que expresa la física de la Ecuación de Schrödinger en otra ecuación,
que además actúa sobre una función diferente a la función de onda: la densidad
de partículas, definida como sigue:
137
Donde O[n0] es el observado para una densidad de partículas n0, es decir, del
estado base. Entiéndase entonces que ni será otra densidad, de un estado i que
básicamente se refiere a otra configuración, muy probablemente con observables
con valores esperados completamente diferentes, incluyendo a la energía (si tiene
dudas respecto al concepto de observables y cómo se calculan, refiérase a los
párrafos finales de la sección 1.2.2.3). El estado base entonces tiene energía:
Como las expresiones son más simples, se puede tratar el sistema como un todo,
aunque no se pueden evitar las complicaciones matemáticas del todo.
138