Universidad Nacional de Ingeniera

Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica

Laboratorio de Electronica III EE443N - 1 -
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA
DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELECTRNICA

EL OSCILADOR DE COLPITTS (PREVIO N4)

Nylene Ruth Mamani Mamani, ruth8611@gmail.com
John Omar MarinRamirez, twdjohn@gmail.com
Joel Constantino Saavedra Pea, nominando-00@hotmail.com
Jorge Luis Cordova Romero, jluiscoro@hotmail.com





















Figura 1. Resumen de las caractersticas elctricas del dispositivo 2N5485.

CUESTIONARIO:

1. Cules fueron los valores,
determinados para el FET, de
Vp e IDSS? (Verificar y
comparar con los datos del
fabricante).

Datos del Fabricante:
El modelo del JET usado es
2N5485

De la figura 1. Tenemos los
parmetros relevantes en esta
experiencia son:
V 5 . 0 V 4
mA 10 mA 4
< <
< <
p
DSS
V
I


Procedimiento Experimental:

El procedimiento utilizado es siguiente:
a) Determinacin de IDSS.-


Figura 2. Circuito para determinar IDSS
experimentalmente.

+

GS
V
DSS
I
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Sntesis del procedimiento:

i. Cortocircuito entre compuerta y
fase: V
GS
= 0.
ii. Aumentar V
DD
desde cero a
valores positivos, cuidando de no
sobrepasar el voltaje de ruptura
V
(BR)GSS
, hasta que I
D
alcance su
nivel de saturacin, esto es I
DSS
.

Resultados:
mA 7 =
DSS
I


b) Determinacin de Vp.-

Figura 3. Circuito para determinar IDSS
experimentalmente.

Sntesis del procedimiento:
i. Alimentar el circuito con V
DD

= 15V.
ii. Variar V
gg_var
desde cero a
valores negativos hasta que
el voltaje del multmetro se
haga cero (V
meter
= 0), esto
es I
DSS
= 0.

Resultados:
V 4 . 2
0
= =
=
D
I
GS p
V V


Comparacin de resultados:

Parmetro
Valor
Terico
Valor
Experimental
Mn. Mx.
IDSS (mA) 4 10 7
Vp (V) -4 -0.5 -2.4

2. Presentar las tablas obtenidas
en el laboratorio y con ellos
graficar Gm(x)/gm vs. V1/Vp y
adems In/Ip vs. V1/Vp.
Comparar sus resultados con
los grficos del Clarke & Hess y
determinar las desviaciones
entre los valores tericos y
experimentales

Presentacin de Resultados:

Tabla 1. Valores con el tanque
sintonizado a fo=455KHz


Grficas:

El circuito utilizado en la presente
experiencia de laboratorio es:


La corriente del JFET es:
t I t I I i
D
e + e + = 2 cos cos
2 1 0

Donde los coeficientes estn
determinados por las ecuaciones del
Anexo A.

La seal de entrada en el FET es:
t V V v
b GS
e + = cos
1

Donde V
b
es la
componente DC. En este caso se dise
el circuito para C
B
se cargue al valor pico
de v
1
, entonces: V
b
= V
1
.

Adems:


V1/Vp 0.25 0.5 0.75 1.00 1.25 0.15 0.20
V0 (mV) 24 26.4 25.2 24 24.8 16 20
VD (DC) (V) 8.76 7.41 10.9 11.23 11.4 9.72 9.73
V1 (V) 0.6 1.2 1.8 2.4 3 0.36 0.42

+

GS
V
0 ~
DSS
I
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La corriente de carga i
L
se
relaciona con la corriente i
D
de la
siguiente manera:
2
n
i
i
D
L
=

Luego el voltaje de salida es:

2 0
n
i
R i R v
D
L L L
= =
(o)
Donde:
t I t I I i
D 0 2 0 1 0
2 cos cos e + e + =



Grfica 1: I
n
/I
p
vs. V
1
/V
p


i. En el primer cuadro los datos
estn sintonizados a e0, luego:
t I i
D 0 1
cos
0
e =
e

Reemplazando en (o):

En valores picos:
|
|
.
|

\
|
=
e
p
DSS L
I
I
n
I R
v
1
2
0
0

Despejamos la relacin
( )
p
I I
1
:


DSS L p
I R
v n
I
I
0
0
2
1

e
=
|
|
.
|

\
|
(i)


Ahora, teniendo en cuenta los datos de la
bobina roja n = 3.2 y los datos
experimentales, usamos la ecuacin
anterior para hacer las grficas I
1
/I
p
vs.
V
1
/V
p
e I
2
/I
p
vs. V
1
/V
p
Las grficas se
muestra a continuacin.



Figura 06. Grfica I
1
/I
p
xR
L
/n
2
vs. V
1
/V
p
.


Grfica 2: G
m
(x)/g
m
vs. V
1
/V
p

Transconductancia promedio de
gran seal:
1
1
V
I
G
m
=
Transconductancia de pequea seal:
p
DSS
m
V
I
g

=
2
0

Entonces la relacin:
|
|
.
|

\
|

=
p
p
p
p
p
DSS
m
m
V
V
I
I
V
I
V
I
V
I
V
I
g
G
1
1
1
1
1
1
0
2
2 2

Dando forma a la ecuacin anterior, sta
queda como:

|
|
.
|

\
|

=
p
p
m
m
V
V
I
I
g
G
1
1
0
2
(|)
Para usar los datos
experimentales sintonizados a e0,
utilizamos la relacin ( )
p
I I
1
de la
ecuacin (i):
DSS L p
I R
v n
I
I
0
0
2
1

e
=
|
|
.
|

\
|




0
5
10
15
20
25
30
0.15 0.25 0.5 0.75 1 1.25
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Reemplazando lo anterior en la ecuacin
(|):

|
|
.
|

\
|

=
|
|
.
|

\
|

=
e
e
p
DSS L
p
DSS L
m
m
V
V
I R
v n
V
V
I R
v n
g
G
1
0
2
1
0
2
0
2

0
0


Finalmente:

|
|
.
|

\
|

=
e
p
DSS L
m
m
V
V
I R
v n
g
G
1
0
2
0
2

0


Ahora, teniendo en cuenta los
datos de la bobina roja n = 3.2 y los datos
experimentales, usamos la ecuacin
anterior para hacer la grfica G
m
(x)/g
m0

vs. V
1
/V
p
. La grfica se muestra a
continuacin.



Figura 08. Grfica G
m
/g
mo
vs. V
1
/V
p
.

4. Observaciones y Conclusiones.

- Los parmetros obtenidos del
JFET de canal n en el laboratorio
se encuentran dentro del rango
dado por el fabricante. El error
con respecto a los experimentales
es aceptable, teniendo en cuenta
todos los factores que afectan las
mediciones, tales como el equipo,
cables, ruido, corrientes y
capacidades parsitas, etc.

- Se dise el circuito para que CB
se cargue al valor pico de v1,
entonces: Vb = V1. Por lo que
no fue necesario utilizar una
fuente externa de voltaje para Vb.

- Se utiliz el n-JFET 2N5458 ,
porque cumple con las
caractersticas necesarias para la
presente experiencia de
laboratorio, como el trabajar con
frecuencias VHF ( de 30 MHz a
300MHz ), potencia total del
dispositivo de 360mW a 25C, alta
transconductancia y baja
capacitancia de transferencia
inversa.

- Se tuvieron problemas durante la
experiencia al usar primero un
JFET que no era el especificado y
al parecer no cumplia con las
especificaciones de diseo

- Se tuvieron inconvenientes al
duplicar la frecuencia
fundamental.






0
50
100
150
0.15 0.25 0.5 0.75 1 1.25
EXPERIMENTAL