Materiales semiconductores

Estructura del tomo

Cmo es bien sabido, el tomo est compuesto de ncleo que contienesubpartculas tales como
el protn (con carga positiva) y los neutones sincarga. En su periferia, orbitando alrededor del n
cleo estn los electrones conmucha menor masa que las partculas del ncleo (unas 2000 veces
menor).
Estos electrones pueden ser de dos tipos:
1. Electrones ligados al ncleo: orbitan capas interiores del tomo, cercade este y muy difcilme
nte pueden escapar del mismo.
2. Electrones de valencia: orbitan en capas exteriores del tomo, en nivelessuperiores de energ
a y pueden escapar en determinadas condicionesdel tomo. Del mismo modo, el tomo acepta
en tales niveles electronesexternos. Los electrones de valencia determinan las propiedades
qumicas de los materiales.
Materiales semiconductores: Estos materiales se comportan comoaislantes a bajas temperaturas
pero a temperaturas ms altas secomportan como conductores. La razn de esto es que los elect
rones devalencia estn ligeramente ligados a sus respectivos ncleos atmicos,pero no lo suficie
nte, pues al aadir energa elevando la temperatura soncapaces de abandonar el tomo para circ
ular por la red atmica delmaterial. En cuanto un electrn abandona un tomo, en su lugar deja
unhueco que puede ser ocupado por otro electrn que estaba circulando por la red.
Los materiales semiconductores ms conocidos son: Silicio (Si) yGermanio (Ge), los cuales poseen
cuatro electrones de valencia en sultimo nivel. Por otra parte, hay que decir que tales material
es formantambin estructura cristalina.Hay que destacar que, para aadir energa al material se
miconductor,adems de calor, tambin se puede emplear luz
Teora de bandas
Esta teora explica el comportamiento de los materiales al paso de la corriente
desde una perspectiva ms cientfica.
Definimos Banda de Valencia (BV) al conjunto de energa que poseen los
electrones de valencia.
Definimos Banda de Conduccin (BC) al conjunto de energa que poseen los
electrones para desligarse de sus tomos. Los electrones que estn en esta
banda pueden circular por el material si existe una tensin elctrica que los
empuje entre dos puntos.


1. Semiconductores: En estecaso, la banda de conduccin sigue siendo mayor que la banda de
valencia, pero la brecha entre ambas es mucho ms pequea, de modo que, con un incremento
pequeo de energa, los electrones de valencia saltan a la banda de conduccin y puede circular
por el medio. Cuando un electrn salta desde la banda de valencia a la
de conduccin deja un hueco en la banda de valencia que, aunque
parezca extrao, tambin se considera portador de corriente elctrica.
En resumen: en los semiconductores hay dos tipos de portadores de corriente
elctrica:
- Los electrones: con carga negativa
Los huecos con carga positiva.











A los materiales semiconductores puros se les conoce como semiconductores
intrnsecos.
Semiconductores extrnsecos
Son materiales semiconductores puros contaminados con impurezas en
mnimas proporciones (una partcula entre un milln). A este proceso de
contaminacin se le denomina dopaje.
Segn el tipo de dopaje que se le realice al material existen dos tipos:
Tipo N: En este caso se contamina el material con tomos de valencia 5,como son Fsforo (P), Ar
snico (As) o Antimonio (Sb). Al introducirlos,fuerzo al quinto electrn de este tomo a vagar po
r el materialsemiconductor, pues no encuentra un lugar estable en el que situarse.
Al conjunto de estos electrones se les llama electrones mayoritarios.










Tipo P: En este caso se contamina el material semiconductor contomos de valencia 3, como son
Boro (B), Galio (Ga) o Indio (In). Si seintroduce este tomo en el material, queda un hueco donde
debera ir unelectrn. Este hueco se mueve fcilmente por la estructura como sifuese un portad
or de carga positiva. En este caso, los huecos sonportadores mayoritarios.al material tipo p se le
denomina donador de huecos (aceptor de elctrones)









Aplicaciones
Termistores: se basan en la propiedad de que la conductividad depende de la
temperatura para medir dicha temperatura. Tambin se usan en otros dispositivos, como
en alarmas contra incendio.
Transductores de presin: al aplicar presin a un semiconductor, los tomos son
forzados a acercarse, el gap de energa se estrecha y la conductividad aumenta.
Midiendo la conductividad, se puede conocer la presin que acta sobre ese material.
Rectificadores (dispositivos de unin tipo p-n): se producen uniendo un
semiconductor tipo n con otro tipo p, formando una unin tipo p-n. Los electrones se
concentran en la unin tipo n y los huecos en la unin p. El desequilibrio electrnico
resultante crea un voltaje a travs de la unin.
Transistores de unin bipolar: un transistor se puede usar como interruptor o como
amplificador. El transistor de unin bipolar (BJT), se suele utilizar en unidades de
procesamiento central de computadoras por su rpida respuesta a la conmutacin.
Transistores de efecto de campo: utilizado frecuentemente para almacenar
informacin en la memoria de los ordenadores. El transistor de efecto de campo (FET), se
comporta de forma algo distinta a los de unin bipolar.