E EL LE EC CT TR R N NI IC CA A I IN ND DU US ST TR RI IA AL L Facultad de Ingeniera U.Na.

M 2013
Ing. Sergio Garassino Ing. German Xander Ing. Pablo Gross Ing. Guillermo A. Fernndez - 1 / 3 -
Fecha de Entrega: Jueves 9/05/2013
TRABAJO PRCTICO
ENFRIAMIENTO DE SEMICONDUCTORES

OBJETIVOS:
- Interpretar la informacin tcnica provista por los fabricantes a travs de manuales y hojas de datos, de
los distintos dispositivos semiconductores.
- Calcular las prdidas de los dispositivos semiconductores, en distintas situaciones de funcionamiento.
- Analizar y comprender la metodologa clculo empleada en el dimensionamiento de disipadores de
calor, para el enfriamiento de dispositivos semiconductores.
- Seleccionar disipadores de calor, a partir del dispositivo semiconductor en cuestin.

Problema 1:
Para el circuito de la figura se pide:
A) Hallar la corriente media I
o
en la carga y las corrientes mxima, media y eficaz en cada diodo del
rectificador (I
Dmed
= 0,5I
o
; I
Def
= 0,785I
o
; I
Dmax
= 1,57I
o
).
B) Calcular las prdidas en cada diodo, a partir de la siguiente expresin: P
D
= V
F
I
Dmed
+ I
Def
2

r
F
C) Para cada disipador indicado en la figura, dibujar el circuito elctrico equivalente reducido, del camino
trmico que hay desde la juntura al ambiente. Para esto considerar que los diodos poseen la misma
temperatura en su interior y adems la misma temperatura en su encapsulado.
D) Determinar la resistencia trmica de cada uno de los disipadores utilizados en el puente rectificador.
E) Seleccionar un modelo comercial de disipador que cumpla con las exigencias de la aplicacin.






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Problema 2:
Con la siguiente fuente de alimentacin regulada se desea alimentar una carga que consume una corriente de
I
o
=1A. Para el diseo de la fuente se pide:
A) Dimensionar R para que el regulador opere entregando una corriente aproximada de 0,1A.
B) Dimensionar el disipador que debe acoplarse al transistor, si la aislacin elctrica disipador-transistor es
realizada con sil-pad.
C) Seleccionar un modelo comercial de disipador que cumpla con las exigencias de la aplicacin.




Problema 3:
El siguiente circuito es un convertidor CC-CC reductor tipo Buck, donde la tensin de salida es regulada a
travs de modulacin por ancho de pulso (PWM). El transistor MOSFET acta como una llave, conmutando
a una frecuencia constante de fs =100KHz y variando su ciclo de trabajo D para mantener la salida en
U
o
=12V. Considerando que el inductor L es lo suficientemente grande como para despreciar el rizado en la
corriente y adems =85%, determinar:
A) Las prdidas estticas (P
EST
) y dinmicas (P
DIN
) en la llave.
B) Las prdidas en la compuerta (P
G
) de la llave, considerando que la seal de mando en la misma es de
V
GS
= 10V.
C) Las prdidas totales (la suma de las anteriores).
D) El disipador que debe incorporar la llave, si la temperatura ambiente de operacin del circuito es de
50C. La llave deber aislarse elctricamente del disipador.



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2
( )
.
EST COND Def DS on
P P I r = =
2
1 1
2 2
off off
on on
DIN on off S OSS i
S S
E t
E t
P P P f C V
T T
| |
= + = + =
|
\
.
Def o
I D I = . .
o i
U DU =
. .
G S g GSpp
P f Q V =


Problema 4:
El circuito de la figura muestra la etapa de potencia de un calefactor, donde la regulacin de la temperatura
deseada se efecta con la tcnica conocida como control de potencia por ngulo de disparo. En esta
tcnica, el TRIAC regula la potencia de la resistencia calefactora, dejando pasar corriente a la misma a partir
de un instante t
o
del periodo de la onda. A este retardo, expresado en grados, se lo denomina ngulo de
disparo del TRIAC (d). De esta forma, la temperatura se puede modificar a travs del circuito de disparo,
variando d para aumentar o disminuir la potencia disipada en la resistencia calefactora. Para el circuito
indicado se pide:
A) Sabiendo que el circuito de disparo permite variar ngulo d desde 30 a 170, a travs de un
potencimetro, calcular las prdidas en el TRIAC para las posiciones lmites del potenciometro.
B) Dimensionar el disipador que permita el funcionamiento del TRIAC, en las condiciones mencionadas y
con una temperatura ambiente de 55C.

2
( )
2. 4 1
1
2 2
o o
T rms
t t Ip
I sen
T T
( | |
= +
| (

\
( ) ( )
2 2
T av T rms
I I =

2
( ) ( )
. .( )
TRIAC o T av d T rms
P V I R I = +