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BJTs de potencia
Definiciones
ETAPAS DE SALIDA
Temperatura de unin
Los transistores de potencia disipan grandes cantidades de potencia en sus
uniones entre colector y base. La potencia disipada se convierte en calor, que
eleva la temperatura de la unin (T
J
). Dicha temperatura no debe superar un
mximo especificado (T
Jmx
) que para el silicio es de 150C a 200C.
Resistencia trmica
Consideremos un transistor que opera al aire libre. El calor disipado en la
unin del transistor ser disipado de la unin hacia la caja del transistor, y de
sta hacia el medio ambiente. Si en estado estable el transistor disipa una
potencia P
D
, el calentamiento de la unin respecto al medio ambiente puede
expresarse como:
T
J
-T
A
=
JA
P
D
T
J
: Temperatura de la unin [C] ; T
A
: Temperatura ambiente [C] ;
JA
: resistencia trmica [C/W] ;
P
D
: Potencia disipada [W]
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BJTs de potencia
Disipacin de potencia
ETAPAS DE SALIDA
El fabricante de un transistor de potencia suele especificar T
Jmx
, la mxima
disipacin de potencia a una temperatura ambiente T
A0
(que por lo general
es de 25C), y la resistencia trmica
JA
.
T
J
T
A

JA
P
D
T
Jmx
-T
A0
P
D0

JA
=
T
Jmx
-T
A

JA
P
Dmx
=
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BJTs de potencia
Caja de transistor y disipador de calor
ETAPAS DE SALIDA
La resistencia trmica entre unin y ambiente,
JA
, se puede expresar como:

JA
=
JC
+
CA
Donde
JC
es la resistencia trmica entre la unin y la caja del transistor y

CA
es la resistencia trmica entre la caja y el medio ambiente. Para un
transistor dado,
JC
est fijada por el diseo y paquete del dispositivo. El
fabricante intenta disminuir
JC
mediante el diseo del encapsulado. Ej.
Encapsulado tipo TO3.
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El diseador puede reducir considerablemente
CA
por debajo de su valor al
aire libre mediante el uso de disipadores de calor (superficies metlicas
extendidas) y aletas.
BJTs de potencia
Caja de transistor y disipador de calor
ETAPAS DE SALIDA

CA
=
CS
+
SA
Se reduce su valor mediante el uso
de superficies metlicas extendidas.
Se reduce su valor mediante el uso
de aletas.
donde
CS
es la resistencia trmica entre la caja del transistor y el disipador y

SA
la resistencia trmica entre el disipador y el ambiente.
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BJTs de potencia
Caja de transistor y disipador de calor
ETAPAS DE SALIDA
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BJTs de potencia
Caja de transistor y disipador de calor
ETAPAS DE SALIDA
T
J
T
A

JC
P
D

SC

SA
T
C
T
S
T
J
-T
A
= (
JC
+
CS
+
SA
) P
D
T
Jmx
-T
C

JC
P
Dmx
=
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BJTs de potencia
rea de operacin sin riesgo (SOA)
ETAPAS DE SALIDA
Adems de especificar la mxima disipacin de potencia a diferentes
temperaturas de caja, los fabricantes suelen suministrar el rea de operacin
sin riesgo (SOA) en el plano i
C
-v
CE
.
1.- La corriente mxima permisible I
Cmx
. Si excede esta corriente de manera
continua puede dar como resultado que se fundan los alambres que conectan
el dispositivo a los terminales del empaquetamiento.
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BJTs de potencia
rea de operacin sin riesgo (SOA)
ETAPAS DE SALIDA
2.- La hiprbola de mxima disipacin de potencia. ste es el lugar
geomtrico de los puntos para los cuales v
CE
i
C
=P
Dmx
(a T
C0
). Para
temperaturas T
C
>T
C0
, deben usarse las curvas de reduccin de corriente
descritas anteriormente y por tanto se obtiene una hiprbola ms baja. Aun
cuando se puede permitir que el punto de operacin se mueva de modo
temporal arriba de la hiprbola, no debe permitirse que el promedio de
potencia disipada exceda P
Dmx
.
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BJTs de potencia
rea de operacin sin riesgo (SOA)
ETAPAS DE SALIDA
3.- Lmite de segunda ruptura. La segunda ruptura es un fenmeno debido
a que la circulacin de corriente por la unin entre emisor y base no es
uniforme. Ms bien, la densidad de corriente es mayor cerca de la periferia
de la unin. Esta concentracin de corriente da lugar a que la potencia se
disipe en puntos localizados produciendo los denominados puntos calientes.
Como el calentamiento de estas zonas produce un aumento de la corriente,
puede ocurrir un embalamiento trmico que conduzca a la destruccin de la
unin.
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BJTs de potencia
rea de operacin sin riesgo (SOA)
ETAPAS DE SALIDA
4.- Tensin de ruptura de colector a emisor, BV
CEO
. Nunca debe permitirse
que el valor instantneo de v
CE
exceda BV
CEO
; de otra manera, ocurrir la
ruptura por avalancha de la unin entre colector y base.
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BJTs de potencia
Parmetros tpicos
ETAPAS DE SALIDA
Debido a sus grandes dimensiones y elevadas corrientes de operacin, los
transistores de potencia muestran valores tpicos de parmetros que pueden
ser muy distintos de los transistores de pequea seal. Las principales
diferencias son:
1.- A elevadas corrientes, la relacin exponencial i
C
-v
BE
es i
C
=I
S
e
2.- es pequea, tpicamente entre 30 y 80, pero puede llegar en algunos
casos a ser de slo 5.
3.- A elevadas corrientes, r

se hace muy pequea y r

b
se hace
significativa.
4.- f
T
es pequea debido a sus grandes dimensiones. Dichas dimensiones
hacen que las capacidades parsitas del transistor sean elevadas.
5.- BV
CEO
es tpicamente de 50 a 100 V, pero puede ser de hasta 500 V.
6.- I
Cmx
es tpicamente 1 A, pero puede ser de hasta 100 A.
(v
BE
/2V
T
)
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Transistor MOS de potencia
ETAPAS DE SALIDA
i
D
=
k W
2 L
(v
GS
-V
t
)
2
W L BV
DSO
Los transistores MOS de pequea seal no son capaces de manejar las
elevadas tensiones tpicas de las aplicaciones de los transistores de potencia.
Estructura DMOS
BV
DSO
~ 600 V
I
Cmx
~ 50 A
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Transistor MOS de potencia
Curvas caractersticas
ETAPAS DE SALIDA
i
D
= (1/2) C
ox
W U
sat
(v
GS
-V
t
)
Vt = 2 ~ 4 V
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Transistor MOS de potencia
Efectos de la temperatura
ETAPAS DE SALIDA