Practica 6

Arturo Caballero 20102000875

TAREA DE CASA

1. Investigue la accin y funcionamiento de los transistores
bipolares de juntura.
FUNCIONAMIENTO
En una configuracin normal, la unin base-emisor se polariza
en directa y la unin base-colector en inversa.1 Debido a la
agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden
atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base.
A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son
impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y el
colector.

Un transistor NPN puede ser
considerado como dos
diodos con la regin del
nodo compartida. En una
operacin tpica, la unin
base-emisor est polarizada
en directa y la unin base-
colector est polarizada en
inversa. En un transistor
NPN, por ejemplo, cuando
una tensin positiva es
aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre los
portadores generados trmicamente y el campo elctrico
repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a
los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin
de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde
la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la
regin de baja concentracin cercana al colector. Estos
electrones en la base son llamados portadores minoritarios
debido a que la base est dopada con material P, los cuales
generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base.

La regin de la base en un transistor debe ser
constructivamente delgada, para que los portadores puedan
difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida
til del portador minoritario del semiconductor, para
minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan
antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de la base
debe ser menor al ancho de difusin de los electrones.

REGIONES OPERATIVAS DEL TRANSISTOR
Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones
operativas, definidas principalmente por la forma en que son
polarizados:
Regin activa en cuanto a la polaridad:
corriente del emisor = ( + 1)Ib ; corriente del colector=
Ib.
Cuando un transistor no est ni en su regin de
saturacin ni en la regin de corte entonces est en una
regin intermedia, la regin activa. En esta regin la
corriente de colector (Ic) depende principalmente de la
corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente, es
un dato del fabricante) y de las resistencias que se
encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta
regin es la ms importante si lo que se desea es
utilizar el transistor como un amplificador de seal.


Regin inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del
funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar
entra en funcionamiento en modo inverso. En este
modo, las regiones del colector y emisor intercambian
roles. Debido a que la mayora de los BJT son diseados
para maximizar la ganancia de corriente en modo
activo, el parmetro beta en modo inverso es
drsticamente menor al presente en modo activo.

Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie =
0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del
transistor es el voltaje de alimentacin del circuito.
(como no hay corriente circulando, no hay cada de
voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se
presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0).
De forma simplificada, se puede decir que el la unin
CE se comporta como un circuito abierto, ya que la
corriente que lo atraviesa es cero.

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:
corriente de colector corriente de emisor = corriente
maxima, (Ic Ie = Imax).
En este caso la magnitud de la corriente depende del
voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias
conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver
Ley de Ohm. Se presenta cuando la diferencia de
potencial entre el colector y el emisor desciende por
debajo del valor umbral VCE,sat. Cuando el transistor
esta en saturacin, la relacin lineal de amplificacin
Ic=Ib (y por ende, la relacin Ie=(+1)Ib ) no se
cumple.

De forma simplificada, se puede decir que la unin CE
se comporta como un cable, ya que la diferencia de
potencial entre C y E es muy prxima a cero.

Como se puede ver, la regin activa es til para la
electrnica analgica (especialmente til para
amplificacin de seal) y las regiones de corte y
saturacin, para la electrnica digital, representando el
estado lgico alto y bajo, respectivamente.

2. Investigue la accin y funcionamiento de los transistores
de efecto de campo.
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET,
en ingls) es en realidad una familia de transistores que se
basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de
un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden
plantearse como resistencias controladas por diferencia de
potencial.

La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de
procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea
monocristalina semiconductora como la regin activa o canal.
La regin activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores
de pelcula fina) es una pelcula que se deposita sobre un
sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicacin
de los TFT es como pantallas de cristal lquido o LCD).
Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son
los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-
Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator-
Semiconductor FET). Tienen tres terminales, denominadas
puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es
la terminal equivalente a la base del BJT (Bipolar Junction
Transistor). El transistor de efecto de campo se comporta como
un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje
aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente
entre drenador y fuente.

El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto
al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en
absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la
base, pese a ser pequea en comparacin con la que circula por
las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los
MOSFET, adems, presentan un comportamiento capacitivo
muy acusado que hay que tener en cuenta para el anlisis y
diseo de circuitos. As como los transistores bipolares se
dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son
tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la
aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone al
transistor en estado de conduccin o no conduccin,
respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son
usados extenssimamente en electrnica digital, y son el
componente fundamental de los circuitos integrados o chips
digitales.








El canal de un FET es dopado para producir tanto un
semiconductor tipo N o uno tipo P. El drenador y la fuente
deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso de
FETs de modo mejorado, o dopados de manera similar al canal
en el caso de FETs en modo agotamiento. Los transistores de
efecto de campo tambin son distinguidos por el mtodo de
aislamiento entre el canal y la puerta. Podemos clasificar los
transistores de efecto campo segn el mtodo de aislamiento
entre el canal y la puerta:
El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
Transistor) usa un aislante (normalmente SiO2).
El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unin p-n.
El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor)
substituye la unin PN del JFET con una barrera Schottky.
En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tambin
denominado HFET (heterostructure FET), la banda de
material dopada con "huecos" forma el aislante entre la
puerta y el cuerpo del transistor.
Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor).
Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un
dispositivo para control de potencia. Son comnmente
usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente est entre
los 200 a 3000V. Aun as los Power MOSFET todava son los
dispositivos ms utilizados en el rango de tensiones drenaje-
fuente de 1 a 200V.
Los FREDFET es un FET especializado diseado para
otorgar una recuperacin ultra rpida del transistor.por eso
tenemos lareferencia.
Los DNAFET es un tipo especializado de FET que acta
como biosensor, usando una puerta fabricada de molculas
de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN
iguales. La caracterstica de los TFT que los distingue, es que
hacen uso del silicio amorfo o del silicio policristalino.

Funcionamiento
El JFET es un transistor de efecto de campo, es decir, su
funcionamiento se basa en las zonas de deplexin que
rodean a cada zona p al ser polarizadas inversamente.

Cuando aumentamos la tensin en el diodo puerta-surtidor,
las zonas de deplexin se hacen ms grandes, lo cual hace
que la corriente que va de surtidor a drenador tenga ms
dificultades para atravesar el canal que se crea entre las
zonas de deplexin, cuanto mayor es la tension inversa en el
diodo puerte-surtidor, menor es la corriente entre surtidor y
drenador. Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por
tensin y no por corriente. Casi todos los electrones que
pasan a travs del canal creado entre las zonas de deplexin
van al drenador, por lo que la corriente de drenador es igual
a la corriente de surtidor

Las ventajas del FET
1. Son dispositivos sensibles a la tensin con alta
impedancia de entrada (del orden de 107 W ). Como esta
impedancia de entrada es considerablemente mayor que
la de los BJT, se prefieren los FET a los BJT para la etapa
de entrada de un amplificador multietapa.
2. 2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3. 3. Los FET so ms estables con la temperatura que los
BJT.
4. 4. Los FET son, en general, ms fciles de fabricar que
los BJT pues suelen requerir menos pasos de
enmascaramiento y difusiones. Es posible fabricar un
mayor nmero de dispositivos en un circuito integrado
(es decir, puede obtener una densidad de empaque
mayor).
5. 5. Los FET se comportan como resistores variables
controlados por tensin para valores pequeos de
tensin de drenaje a fuente.
6. 6. La alta impedancia de entrada de los FET les permite
almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su
utilizacin como elementos de almacenamiento.
7. 7. Los FET de potencia pueden disipar una potencia
mayor y conmutar corrientes grandes.

Desventajas del FET
Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a
la alta capacitancia de entrada.
Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre.
Los FET se pueden daar al manejarlos debido a la
electricidad esttica.
Principio de operacin del NJFET
Al igual que sucede con los transistores BJT el JFET tiene tres
regiones de operacin:
Regin de corte.
Regin lineal.
Regin de saturacin Es preciso hacer notar que en este caso,
la saturacin alude a un fenmeno completamente distinto al
de los transistores BJT.
Regin de corte
Centremos nuestra atencin en la Figura 1. La zona de tipo P
conectada a la puerta forma un diodo con el canal, que es de tipo N.
Como se recordar, cuando se forma una unin PN aparecen en los
bordes de la misma una zona de depleccin en la que no hay
portadores de carga libres. La anchura de dicha zona depende de la
polarizacin aplicada. Si esta es inversa, la zona se hace ms ancha,
proporcionalmente a la tensin aplicada.
Aplicando una tensin VGS negativa aumentamos la anchura de la
zona de depleccin, con lo que disminuye la anchura del canal N de
conduccin. Si el valor de VGS se hace lo suficientemente negativo,
la regin de agotamiento se extender completamente a travs del
canal, con lo que la resistencia del mismo se har infinita y se
impedir el paso de ID (Figura 2). El potencial al que sucede este
fenmeno se denomina potencial de bloqueo (Pinch Voltage, VP).


Figura 2 Rafa
Por lo tanto, para valores ms negativos que VP el transistor NJFET
se encuentra polarizado en la regin de corte, y la corriente de
drenaje resulta ser nula.
Regin lineal
Si en la estructura de la Figura 1 se aplica una tensin VDS mayor
que cero, aparecer una corriente circulando en el sentido del
drenaje a la fuente, corriente que llamaremos ID. El valor de dicha
corriente estar limitado por la resistencia del canal N de
conduccin. En este caso pueden distinguirse dos situaciones segn
sea VDS grande o pequea en comparacin con VGS.
Regin de saturacin
Si VDS se incrementa ms, se llegar a un punto donde el espesor del
canal en el extremo del drenaje se acerque a cero. A partir de ese
momento, la corriente se mantiene independiente de VDS, puesto
que los incrementos de tensin provocan un mayor estrechamiento
del canal, con lo que la resistencia global aumenta (Figura 3).

La regin de saturacin se da cuando se estrangula el canal en el
drenaje, lo que sucede cuando la tesin puerta-drenaje es ms
negativa que VP, es decir: VGD < VP => VGS - VDS < VP => VDS >
VGS - VP Antes de seguir adelante, comparemos las figuras Figura 2
y Figura En el caso del bloqueo, todo el canal resulta afectado por la
zona de depleccin, que es constante porque la tensin VGS se aplica
uniformemente a lo largo de la unin. En cambio, en la regin de
corriente constante slo parte del canal ha llegado al bloqueo
(provocado por VDS, que vara a lo largo del mismo), y es lo que
permite la circulacin de la corriente.
Curvas
Son dos las curvas que se manejan habitualmente para caracterizar
los transistores JFET. En primer lugar, en la representacin de ID
frente a VGS, para una VDS dada, se aprecia claramente el paso de la
regin de corte a la de saturacin (Figura 4).
En la prctica slo se opera en el segundo cuadrante de la grfica,
puesto que el primero la VGS positiva hace crecer rpidamente
IG. En la caracterstica VDS - ID del transistor NJFET se observa la
diferencia entre la regione lineal y de saturacin (Figura 5).


Figura 5 Rafa.JPG

En la regin lineal, para una determinada VGS, la corriente crece
proporcionalmente a la tensin VDS. Sin embargo, este crecimiento
se atena hasta llegar a ser nulo: se alcanza el valor de saturacin,
en donde ID slo depende de VGS.
Ntese que, segn esta grfica, la regin de saturacin del JFET se
identifica con la regin activa normal de los transistores bipolares.
Mientras que en RAN la corriente de colector slo depende de la de
base, aqu la magnitud de control es la tensin VGS. Por el contrario,
si la resistencia del JFET en la regin lineal es muy pequea puede
encontrarse un cierto paralelismo entre las regiones lineal de JFET y
de saturacin del BJT.








3. Investigue la configuracin y operacin de algunos
circuitos integrados, por ejemplo LM741, LM324 y LM311.
LM741 Este dispositivo es un amplificador de propsito general
bastante conocido y de uso muy extendido. Sus parmetros son bastante
regulares, no teniendo ninguno que sea el mejor respecto a los de los
dems, pero en conjunto presenta una alta impedancia de entrada,
pequeos offset (de corriente y de voltaje) en la entrada y buenos
parmetros.

Amplificador operacional de propsito general
La serie LM741 son amplificadores operacionales de propsito
general que ofrecen un mejor rendimiento frente a los estndares
industriales, como el LM709. El LM741 es el remplazo directo de los
CIs: 709C, LM201, MC1439 y 748 en la mayora de las aplicaciones.
Los amplificadores ofrecen muchas caractersticas que hacen que su
utilizacin sea casi infalible: Proteccin de sobrecarga en la entrada
y la salida, su salida no queda con tensin cuando se excede el rango
en modo comn, ausencia de oscilaciones. Los LM741C/LM741E son
idnticos a los LM741/LM741A salvo que el LM741C/LM741E
tienen su funcionamiento garantizado en un rango de temperaturas
de entre 0 C a +70 C, en lugar de -55 C a +125 C.

Pines:
Aunque el chip dispone de ocho patillas (pines) tres de ellas se
reservan para funciones especiales el resto, tienen asignadas
las siguientes funciones:
Pin N 2: entrada de seal inversora.
Pin N 3: entrada de seal no inversora.
Pin N 6: terminal de salida.
Pin N 7: terminal de alimentacin positiva (Vcc)
Pin N 4: terminal de alimentacin negativa (-Vcc)
200px
200px
Alimentacin:
La alimentacin del circuito puede realizar mediante una sola pila o
mediante dos, en cuyo caso se denomina alimentacin simtrica. El
amplificador operacional recibe este nombre porque inicialmente
fue diseado para poder realizar operaciones matemticas con
seales elctricas formando parte de los denominados calculadores
analgicos. Hoy en da se emplea en infinidad de aparatos e
instrumentos de la industria, medicina. etc.
Caractersticas:
Entre las caractersticas ms importantes que posee este
circuito integrado, se pueden destacar:
Alta impedancia (resistencia) de entrada: del orden de 1 MW,
lo cual implica que la intensidad de corriente por los
terminales de entrada ser despreciable.
Baja impedancia de salida: del orden de 150 W, pudiendo
atacar cualquier carga (circuito) sin que su funcionamiento se
modifique dependiendo del valor de sta.
Tensin mxima de alimentacin: Vcc = 18 V. Implica que la
tensin de salida nunca podr superar a la de alimentacin.
Alta ganancia de tensin en lazo abierto (sin conectar ningn
componente entre la salida y cualquiera de las entradas) con
pequeos valores de tensin en los terminales de entrada se
consiguen grandes tensiones de salida.
LM324
Circuito integrado LM324. Amplificador operacional cudruple con
entradas diferenciales verdaderas. Est compuesto por cuatro
amplificadores operacionales de alta ganancia, diseados para
trabajar con fuente de alimentacin simple. Sin embargo, tambin
son capaces de funcionar con una fuente de alimentacin doble.
Tiene ventajas sobre los amplificadores operacionales
convencionales en aplicaciones de fuente sencilla de alimentacin y
puede trabajar con voltajes de alimentacin desde 3V hasta 32V. Es
de bajo consumo de energa (aproximadamente 1/5 del consumo de
un LM741 convencional).
Se puede utilizar para aplicaciones tales como: Bloques de ganancia
DC, amplificadores y en cualquier circuito tpico con amplificadores
operacionales. Los cuales ahora son mas sencillos de implementar
utilizando alimentacin simple. Por ejemplo, el LM324 puede
funcionar directamente a la tensin de 5V, tensin utilizada
habitualmente en electrnica digital, sin necesidad de implementar
otra fuente de alimentacin doble de +/- 15Vdc.

Caractersticas especiales:
Trabajando en la zona lineal, el rango de tensin de entrada en
modo comn incluye masa. Y la tensin de salida tambin puede
aproximarse a masa, incluso cuando se trabaja con alimentacin
simple. La ganancia de frecuencia unitaria est compensada con la
temperatura. La intensidad de polarizacin de entrada (Input bias
current) est tambin compensada con la temperatura.
Otras caractersticas:
Internamente compensado en frecuencia para ganancia unidad
Alta ganancia en DC (100 dB)
Gran ancho de banda (guanacia unidad) 1MHz (compensada
con la temperatura)
Alto rango de alimentacin:
Alimentacin simple: entre 3V y 32V
Alimentacin doble: entre +/- 1,5V y +/- 16V
Consumo de corriente muy bajo (700 A) independiente de la
alimentacin
Muy baja corriente de polarizacin de entrada (45 nA)
(compensado con la temperatura)
Bajo offset de voltaje de entrada (2mV) y offset de corriente (5
nA)
El rango de voltaje de entrada en modo comn incluye masa.
El rango de voltaje diferencial en la entrada es igual al voltaje
de alimentacin.
Excursin mxima del voltaje de salida: desde 0V hasta V+ -
1,5V

Ventajas:
Se elimina la necesidad de fuentes de alimentacin dobles.
Cuatro amplificadores operacionales en un solo componente.
Permite entradas cercanas a GND (masa) y la tensin de salida
tambin llega GND.
Bajo consumo de energa, apropiado para funcionar a bateras.
Diagrama de conexin

LM311
Los comparadores monolticos tienen una estructura similar a los
OAs, excepto que utiliza unas tcnicas circuitales especiales que
mejoran la velocidad y facilitan la interfase de salida para hacerlo
compatible con otros circuitos.
Un parmetro importante de un comparador es su respuesta
temporal definida como el tiempo necesario en alcanzar el 50% del
nivel de salida cuando se aplica un escaln a la entrada.
Los comparadores tpicos tienen tiempos que varan entre 50 y
200ns.
Sin embargo, los convertidores A/D, como por ejemplo los
convertidores flash, precisan de comparadores de muy alta
velocidad con tiempos de respuesta del orden de 10ns.
ales circuitos se pueden lograr usando configuraciones basadas en
las familias lgicas ECL y Schottky TTL.
Ejemplos de este tipo de comparadores son el LM361 (14ns) de
National Semiconductor, ME521 (12ns max) de Signetics, el LT1016
(10ns) de Linear Technology y el Am-685 (6.5ns) de Avanced Micro-
Devices
Por ltimo, ciertos comparadores monolticos tienen
incorporados lneas de strobing a la entrada para
habilitar/deshabilitar el dispositivo y biestables a la salida para
retener el resultado de la ltima comparacin.
Estas aplicaciones son muy tiles en determinados convertidores
A/D y en interfases con microcomputadores.
Caractersticas elctricas:
Tiene un rango de temperatura de 0C a +70C.
Opera con 5V.
Corriente de entrada: 150 nA max. sobre temperatura.
Corriente de compensacin: 20 nA max. sobre temperatura.
Rango de tensin de entrada diferencial: 30V.
Consumo de poder: 135 MW a 15V
Imx= 50mA pueden excitar directamente un rel.
Requiere resistencia de pull-up.
Salida en colector abierto para poder ajustar la tensin de
salida.
Puede atacar cargas conectadas a GND, VCC+ o VCC

Familia de comparadores de voltaje LM311
La serie 311 de National Semiconductor es una de las familias ms
populares en comparadores integrados.
Puede operar con tensiones duales de 15 V o con tensin simple de
+5 V y la salida es en colector abierto (open-colector) con tensiones
de alimentacin independientes para seleccionar los niveles de
tensin de salida.
Posee adems un circuito de proteccin que limitan la intensidad
mxima de salida a 50mA. Las correcciones de offset se puede
realizar mediante un potencimetro variable conectado a las
entradas 5 y 6, similar a la tcnica utilizada en amplificadores
operacionales.













La formas ms sencillas de utilizar este comparador se muestran en
la figura 9.4.a y 9.4.b. En la figura 9.4.a, el transistor de salida tiene
conectado una resistencia RL y dos tensiones de polarizacin
independientes. Los niveles de tensin de salida son

La configuracin seguidor de emisor de la figura 9.4.b resulta muy
til cuando se precisa de interfases a masa tal como sucede en los
SRC. Los niveles de tensin de salida son



La grfica de la figura 9.5 indica la VTC de las configuraciones de las
figuras 9.4.a y 9.4.b proporcionadas por el fabricante.
El seguidor de emisor presenta una polaridad contraria a la de
resistencia de colector y su rango de tensiones de entrada en modo
diferencial es mucho mayor.
Este comparador tiene versiones de baja potencia inferiores a
500W: (LP311), duales (LH2311) y con entrada JFET (LF311).
4. En los preamplificadores de las siguientes figuras,
investigue cmo ser el voltaje de salida al aplicar un
voltaje de entrada senoidal de amplitud unitaria, en forma
y amplitud si es posible.
AMPLIFICADOR DE BAJO RUIDO (LNA)
Es un amplificador electrnico utilizado para amplificar
seales dbiles por ejemplo, aquellas capturadas por una
antena. Por lo general se encuentran muy cerca del dispositivo
de deteccin para reducir las prdidas en la lnea de
alimentacin. Este arreglo activo de antenas es de uso
frecuente en sistemas de microondas como el GPS, ya que el
cable coaxial de lnea de transmisin es de mucha prdida en
frecuencias de microondas, (una prdida del 10% procedentes
de unos pocos metros de cable podra causar una degradacin
del 10% de la seal-ruido- (SNR)).
El uso de una LNA, el efecto de ruido de las etapas posteriores
de la cadena que recibe, se reduce por el aumento de la LNA,
mientras su propio ruido se inyecta directamente a la seal
recibida. Por tanto, es necesario que la LNA para aumentar la
potencia de la seal deseada al tiempo que aade el menor
ruido y la distorsin posible, de manera que la recuperacin de
esta seal sea posible en las etapas posteriores del
sistema. Una buena LNA tiene una figura de ruido baja, como
de 1 dB, una ganancia lo suficientemente grande, como de 20
dB y debe tener intermodulacin lo suficientemente grande as
como el punto de compresin. Otros criterios de operacin,
como el ancho de banda de funcionamiento, la ganancia, la
estabilidad y la VSWR de entrada y de salida.
Por lo tanto el JFET y HEMT son de uso frecuente, y pueden ser
utilizados como amplificadores de distribucin. Son conocidos
en un rgimen de corrientes altas, que no es energticamente
eficiente pero reduce la cantidad relativa de ruido de disparo.
De entrada y salida se pongan en venta los circuitos para los
circuitos de banda estrecha mejorar la ganancia (ver ancho de
banda de ganancia del producto ) y no utilizar resistencias, ya
que aumentara el ruido. Polarizacin es realizada por grandes
resistencias, ya que la eficiencia energtica no es necesaria, y
una gran resistencia evita las fugas de la salida de la seal dbil
de la ruta de seal o ruido en la seal
5. Arme los siguientes preamplificadores.