UNIVERSIDAD DE PIURA | CAMPUS LIMA

FACULTAD DE INGENIERA
PROGRAMA ACADMICO DE INGENIERA INDUSTRIAL Y DE SISTEMAS
TECNOLOGA ELCTRICA II
SEGUNDO EXAMEN Nombre: _______________________________
Lima, mircoles 04 de julio de 2012 Hora: 02:00 p.m.
Duracin: 2 horas 50 min.
Sin libros ni apuntes. Con calculadora.

PREGUNTA N 1 (2p)

Explique en trminos de la teora de bandas como se justifica que los materiales semiconductores mejoren su
conductividad elctrica al aumentar la temperatura.

RESPUESTA

Numerosos elementos, en especial el Si y el Ge del grupo 4A, o grupo 14, tienen propiedades intermedias entre
las de los metales y las de los no metales y, por ello se denominan elementos semiconductores. La brecha
energtica entre las bandas llenas y las vacas en estos slidos es mucho menor que en el caso de los
aislantes (ver figura),



Si se suministra la energa necesaria para excitar electrones de la banda de valencia a la de conduccin, el
slido se convierte en un conductor. Ntese que este comportamiento es opuesto al de los metales. La
capacidad de un metal para conducir la electricidad disminuye al aumentar la temperatura, ya que se acenta la
vibracin de los tomos a mayores temperaturas y esto tiende a romper el flujo de electrones.

Dentro de los slidos semiconductores estn el germanio y el silicio. Tanto uno como el otro tienen cuatro
electrones en la rbita externa, la que por su distancia al ncleo correspondera que tuviese ocho electrones
para lograr una configuracin estable. Admitiremos como principio que entre varios estados posibles los
sistemas de la naturaleza tienden a tomar el de mayor estabilidad, es por esto que tanto el Ge como el Si
cuando se solidifican toman una estructura cristalina tal que cada tomo tiene a otros cuatro a su alrededor
compartiendo con ellos un electrn en coparticipacin ignorando la estabilidad de ocho electrones que necesita
en su ltima capa.

En consecuencia cerca del cero absoluto el germanio tiene todos sus electrones con baja energa dentro de las
bandas de valencia y se transforma en un aislador absoluto. En cambio a temperatura ambiente alguno de los
electrones toma la energa necesaria para pasar a la banda de conduccin y el germanio se comporta como un
semiconductor. El electrn que se independiza de la atraccin del ncleo se convierte en electrn libre y origina
en la covalencia que se destruye, la ausencia de una carga negativa o pozo positivo, que se denomina, laguna
o agujero. Se admite que esta laguna o agujero se va corriendo sucesivamente a travs del slido, pues puede
ser llenada por electrones de covalencias vecinas originando en ellas el nuevo hueco.

PREGUNTA N 2 (2p)

La conductividad elctrica de los slidos cristalinos depende de su estructura electrnica. O sea de la forma que
tienen los niveles de energa que pueden adoptar los electrones que hay en los tomos. Sabemos que estos
niveles tpicos de los tomos muy separados, como lo estn en los gases generan las bandas cuando los
tomos se juntan para formar un solido cristalino. En realidad tanto en la unin qumica de los tomos como en
la conductividad elctrica los nicos electrones que intervienen son los de las capas de mayor energa que
tienen electrones a 0 kelvin.

a) Qu materiales son mejores conductores, aquellos que tienen muchos o que tienen pocos electrones en
estas capas? Cmo encaja esto en este modelo?

b) Cmo explica las caractersticas conductivas de los semiconductores con la temperatura con este
modelo?

RESPUESTA

a) Los metales se caracterizan por su alta conductividad elctrica. En un metal los tomos se encuentran
empacados muy cerca unos de otros de tal forma que los niveles energticos de cada tomo se ven
afectados por los de los tomos vecinos, lo cual da lugar a traslape de orbitales. La interaccin entre dos
orbitales atmicos conduce a la formacin de un orbital molecular de enlace y otro de antienlace. Como el
nmero de tomos existente incluso en un pequeo trozo de sodio metlico es demasiado grande, el
correspondiente nmero de orbitales moleculares que se forman es tambin muy grande. Estos orbitales
moleculares tienen energas tan parecidas que se describen en forma ms adecuada como una "banda".
Este conjunto de niveles tan cercanos en energa se conoce como banda de valencia. La parte superior de
los niveles energticos corresponde a los orbitales moleculares deslocalizados vacos, que se forman por el
traslape de los orbitales de nivel superior. Este conjunto de niveles vacos cercanos energticamente se
llama banda de conduccin.

Se puede imaginar al elemento metlico como un conjunto de iones positivos inmerso en un mar de
electrones de valencia deslocalizados. La gran fuerza de cohesin resultante de la deslocalizacin es en
parte responsable de la fortaleza evidente en la mayora de los metales. En virtud de que las bandas de
valencia y de conduccin son adyacentes, se requiere slo una cantidad despreciable de energa para
promover un electrn de valencia a la banda de conduccin, donde adquiere libertad para moverse a travs
de todo el metal, dado que la banda de conduccin carece de electrones. Esta libertad de movimiento
explica el hecho de que los metales sean capaces de conducir la corriente elctrica, esto es, que sean
buenos conductores.

b) La conductividad que presenta un semiconductor a temperatura ambiente se denomina conductividad
intrnseca y mejora con la temperatura. Si a un trozo de Ge se le aplica una diferencia de potencial sta
lograr orientar los electrones de manera tal que recorran el circuito dirigindose hacia el polo positivo
mientras que las lagunas se orientan recorriendo el circuito hacia el polo negativo.

PREGUNTA N 3 (6p)

Encontrar la relacin entre las tensiones de salida y de entrada del siguiente circuito.



Qu utilizacin se le puede dar?

Si los parmetros de este circuito son: C = 0.1 F, R = 1 k, V
SAT
= 10 V y V
0
(t
0
) = 0 V. Trazar la forma de
onda del voltaje de salida, suponiendo que la forma de onda de la tensin de entrada Vs es la mostrada en la
figura siguiente. El valor pico de Vs es 2 V.


Nota: V
SAT
= Tensin de saturacin, es el mximo valor de tensin positiva o negativa (en valor absoluto) que
puede entregar un amplificador operacional.

RESPUESTA

El circuito integrador mostrado en la figura proporciona en su salida una tensin Vo que es proporcional a la
integral de la seal de entrada Vi. Segn la Teora de Circuitos, en el condensador se cumple que:




Teniendo en cuenta el cortocircuito virtual, y aplicando la ley de las corrientes de Kirchhoff al nudo
correspondiente a la entrada inversora tenemos:

dt V
RC
dV
dt
V d
C
R
V
I I
i o
o i
C R
1 ) 0 ( 0
=

=

Integrando entre el instante inicial t
0
y el instante t, y teniendo en cuenta que la tensin de salida en el instante
inicial es V
o
(t
0
):

) (
1
) (
0
0
t V dt V
RC
t V
o
t t
o
i o
+ =

Si aparece alguna tensin continua V
i
= V en la entrada del integrador, y suponiendo que en el instante inicial
t
0
= 0, V
o
(t
0
) = 0:

t
RC
V
dt V
RC
t V
t
o
i o
= =

1
) (

El voltaje de salida es una ecuacin de la forma y = - mx, correspondiente a una recta con pendiente negativa m
= - V/RC. Esto significa que el voltaje de salida del integrador ir disminuyendo desde cero hasta alcanzar la
saturacin negativa V
SAT
al cabo de un tiempo t
SAT
. Esto se observa en la siguiente figura.



El tiempo de saturacin es:

ms x
x x
V
RCV
t
SAT
SAT
5 . 0 10 5 . 0
2
10 10 1 . 0 10 1
3
6 3
= =

= =

Dado que no tenemos escala de tiempo en la onda de entrada asumiremos que los cruces por cero se dan cada
1 milisegundo, basado en el clculo de tiempo de saturacin antes calculado. Por lo tanto:

1) Para 0 t 1 ms:


t dt
x x
dt
RC
V
t V
t
o
t
o
i
o
000 , 20
10 1 . 0 10 1
2
) (
6 3
=

= =



Para t = 1 ms tenemos V
o
= 20 V. La ecuacin encontrada corresponde a una recta que parte de 0 V para
t = 0 y termina en 20 V para t= 1 ms. No es posible alcanzar los 20 V en la salida del integrador, puesto
que este se satura a 10 V. El tiempo requerido para alcanzar los 10 V es:

ms x
x x
V
RCV
t
SAT
SAT
5 . 0 10 5 . 0
2
10 10 1 . 0 10 1
3
6 3
= =

= =

2) Para 1 t 2 ms:


30 000 , 20 10
10 1 . 0 10 1
2
) (
1
) (
3
0 10
6 3
0
=

= + =

t dt
x x
t V dt V
RC
t V
t
o
o
t t
o
i o


Para t = 2 ms tenemos V
o
= 10 V. La ecuacin encontrada corresponde a una recta que parte de C10 V
para t = 1 ms y termina en 10 V para t = 2 ms.

3) Para 2 t 3 ms:


50 000 , 20 10
10 1 . 0 10 1
2
) (
1
) (
3
0 10 2
6 3
0
+ = +

= + =

t dt
x x
t V dt V
RC
t V
x t
o
o
t t
o
i o


Para t = 3 ms tenemos V
o
= 10 V. La ecuacin encontrada corresponde a una recta que parte de 10 V
para t = 2 ms y termina en 10 V para t = 3 ms.

4) Para 3 t 4 ms:


70 000 , 20 10
10 1 . 0 10 1
2
) (
1
) (
3
0 10 3
6 3
0
= +

= + =

t dt
x x
t V dt V
RC
t V
x t
o
o
t t
o
i o


Para t = 4 ms tenemos V
o
= 10 V. La ecuacin encontrada corresponde a una recta que parte de 10 V
para t = 3 ms y termina en 10 V para t = 4 ms.

Es evidente que a partir de 3 ms la forma de onda de salida se repite, por lo tanto, la forma de onda del
voltaje de salida ser:



PREGUNTA N 4 (4p)

Analizar la operacin del circuito de la figura, dibujando forma de la onda de salida en cada flip flop. Suponga
que inicialmente todos los flip flops estn en estado cero.



RESPUESTA

Las funciones a considerar son:

ABC K J AB K J D A K J K J = = = = = = = =
3 3 2 2 1 1 0 0
1





PREGUNTA N 5 (2p)

Establecer las diferencias entre un sistema de control a lazo abierto y uno a lazo cerrado. Presente un diagrama
de bloques.

RESPUESTA

a) Control a Lazo abierto
La seal de entrada (o referencia) U(t) acta directamente sobre el dispositivo de control (Regulador),
para producir, por medio del actuador, el efecto deseado en las variables de salida Y(t).
El regulador NO comprueba el valor que toma la salida.
Problema: Claramente sensible a las perturbaciones que se produzcan sobre la planta.



b) Control a lazo cerrado
La salida del sistema se mide por medio de un sensor, y se compara con el valor de la entrada de
referencia U(t).
De manera intuitiva se deduce que, de este modo, el sistema de control podra responder mejor ante las
perturbaciones que se produzcan sobre el sistema.



PREGUNTA N 6 (2p)

Describa los tipos de componentes de hardware de un sistema SCADA. Presente un esquema.

RESPUESTA

Un SCADA est formado por:

Ordenador Central o MTU (Master Terminal Unit).
Ordenadores Remotos o RTUs (Remote Terminal Units).
Red de comunicacin.
Instrumentacin de campo.



PREGUNTA N 7 (2p)

Describa las principales caractersticas del estndar IEC 61850.

RESPUESTA

IEC 61850 es un estndar mundial para Sistemas y Redes de Comunicacin en Subestaciones.
Especifica un ampliable modelo de datos y servicios.
No bloquea futuros desarrollos de funciones: NO especifica funciones de control o proteccin.
Respalda la Libre Asignacin de Funciones a Dispositivos: Es abierto a las diferentes filosofas de sistemas.
Entrega un lenguaje descriptivo de configuracin en la subestacin (SCL): Respalda una comprensiva y
consistente definicin de sistema e ingeniera.
Usa Ethernet y TCP/IP para la comunicacin: Entrega un amplio rango de caractersticas convencionales de
comunicacin y es abierto para futuros nuevos conceptos de comunicaciones.