Determinacion de la densidad y movilidad de los portadores de carga

en p-germanio por efecto Hall

1
Carlos A. Conde,
1
Daniela Angulo,
1
Nestor A. Barrios
1
Universidad Nacional de Colombia, Sede Bogot a. Dpto. Fsica. Experimentos de fsica moderna 2014-I.
Resumen
Al colocar una placa de p-germanio semiconductora en el seno de un campo magnetico perpendicular,
se genera un campo electrico interno llamado Hall debibo a la redistribucion de cargas que genera la
fuerza de Lorentz. Si se conecta adecuadamente un voltmetro, se logra medir el voltaje Hall V
H
para tres
situaciones diferentes. La primera es dejar el campo magnetico jo y hacer variar la corriente que atra-
viesa el p-germanio para poder determinar la densidad y movilidad de los portadores de carga (huecos).
La segunda, dejar ja la corriente e ir variando el campo para determinar el coeciente Hall del material.
La tercera, expresar el voltaje Hall en funcion de la temperatura para analizar las transiciones entre las
conductividades intrnseca y extrnsecas debido a los electrones y huecos por dopaje respectivamente. Las
tres situaciones descritas estan detalladas en la seccion de resultados y discusion donde se obtuvieron dife-
rentes valores dependiendo de los casos mencionados. El coeciente Hall del p-germanio se determino con
un valor experimental promedio de (8, 33 10
3
4, 94 10
5
m
3
/As )
1. Introducci on
El efecto Hall es un fenomeno que se produce al
interior de un conductor o semiconductor que ex-
plica la aparicion de un campo electrico al interior
del material cuando este interacciona con un campo
magnetico uniforme. Dicho efecto es de gran impor-
tancia para el estudio de semiconductores, pues per-
mite identicar los portadores de carga si se conoce
la polaridad del voltaje hall producido por el cam-
po electrico y la direccion del campo magnetico. A
continuacion se ilustra un montaje donde aparece el
efecto Hall:
Figura 1: Esquema del proceso de aparicion del efecto
Hall.
La gura 1 muestra una placa de un material por el
cual se hace circular una corriente, conectando una
batera en los extremos izquierdo y derecho de la mis-
ma de modo que los portadores de carga uyan hori-
zontalmente. Perpendicularmente a la placa (como a
la corriente) se somete un campo magnetico uniforme
B de manera que los portadores de carga al interior
del material experimentan una fuerza de Lorentz cu-
ya direccion apunta seg un la regla de la mano derecha
y considerando el signo de la carga. Si el material es
una placa metalica o un semiconductor tipo N, los
portadores de carga son electrones cuya velocidad de
deriva apunta hacia la izquierda como lo indica V
n
, de
manera que la fuerza debido al campo B apunta hacia
arriba como lo indica F
L
. Para semiconductores tipo
P en cuyo caso los portadores de cargas son huecos
con carga positiva, el diagrama de cuerpo es mostra-
do sobre la misma placa por facilidad y comparacion
con los semiconductores tipo N. Es de aclarar que en
general en un semiconductor existen corrientes debi-
do a los huecos o electrones como lo muestra la gura,
sin embargo los portadores de carga si dependen del
dopaje dado. La fuerza que experimentan las particu-
las cargadas al interior del material debido al campo
magnetico, hace que se produzca un reagrupamiento
de cargas seg un su polaridad en la parte superior e
inferior de la placa mostrada. Por lo tanto, estos dos
grupos de carga (+ o -) generan un campo electrico
al interior del material denominado campo Hall. El
proceso de redistribucion de cargas se detendra cuan-
do exista un equilibrio entre la fuerza de Lorentz F
L
y la fuerza electrica F
e
debido al campo Hall como
lo muestra la misma gura. Por ultimo, es posible
conectar un voltmetro a lo ancho de la placa para
determinar el voltaje Hall V
H
que se produce al inte-
1
rior dado por:
V
H
=
R
H
B
d
I (1)
Lo cual implica una relacion lineal entre el voltaje
Hall V
H
y la corriente I si se conocen los par ametros
R
H
llamado coeciente Hall, la distancia d que repre-
senta la anchura de la placa y la magnitud del campo
magnetico uniforme B. Por otro lado, el coeciente
Hall puede expresarse en terminos de otros parame-
tros que intervienen seg un el material de la siguiente
manera:
R
H
=
1

p
2
p
n
2
n
(p
p
+n
n
)
2
(2)
donde
0
es la carga elemental, p = p
E
+ p
S
la
densidad total de huecos que representa la suma de la
densidad de huecos debido a la conduccion intrnsieca
p
E
mas la debida a la conduccion de huecos debido
al p-dopaje p
S
, n = n
E
densidad de electrones debi-
do a la conduccion intrnseca,
p
la mobilidad de los
huecos y
n
la mobilidad debido a los electrones. A
temperatura ambiente para el dopaje p-germanio, la
densidad de huecos debido al dopaje p
s
puede predo-
minar sobre la densidad intrnseca de los portadores
de carga (p
E
y n
E
), por tanto se pueden considerar
nulos estos ultimos. Teniendo en cuenta la ecuacion
(2) y cancelando los terminos nulo, podremos elimi-
nar R
H
al igualar (2) con la ecuacion (1) para R
H
de
manera que la densidad de huecos debido al dopaje
se puede formular como:
V
H
=
B

0
d

I
p
S
(3)
Por otro lado, podemos calcular la mobilidad de los
portadores de carga como una medida de interaccion
entre los mismos y la placa de p-germanio. En este
caso los portadores de carga son los huecos por lo que
la siguiente expresion describe la movilidad de estos:

p
=
V
p
E
(4)
donde V
p
representa la velocidad de deriva de los hue-
cos y E el campo electrico debido a la cada de volta-
je. Como este voltaje se aplica entre el largo w de la
placa (gura 1) para que exista ujo de corriente, se
crea un campo electrico que puede determinarse con
la conocida relacion:
E =
U
w
(5)
Como ya se ha comentado anteriormente, el proceso
de redistribucion de carga se detendra en el momen-
to en que exista una condicion de equlibrio entre la
fuerza electrica debido al campo Hall y la fuerza de
Lorentz producida por el campo magnetico, de modo
que esta condicion permite expresar:

0
V
d
B =
0
E
H
(6)
Despejando V
d
:
V
d
=
E
H
B
=
V
H
b B
(7)
Donde en la ecuacion (7) se ha utilizado la misma
ecuacion que (5) pero para el campo Hall a lo ancho
d de la placa (E
H
= b V
H
). Por lo tanto utilizan-
do las ecuaciones (4), (5) y (7) podemos calcular la
movilidad de huecos en una lamina de p-germanio
en terminos del voltaje Hall, el largo y el ancho de
la placa (w y d), el campo magnetico B y el voltaje
aplicado a la placa U mediante la siguiente relacion:

p
=
V
H
w
b B U
(8)
Finalmente y sin realizar un procedimiento riguroso
de las ecuaciones puesto que no se manipulan directa-
mente en este experimento, es posible colocar el vol-
taje Hall V
H
en funcion de la temperatura que solo
se enuncia a continuacion:
p
E
=
p
S
2
+

p
2
S
4
+
2
(9)
donde esta en funcion de la temperatura y repre-
senta una cantidad denominada densidad efectiva de
estado cuyo valor depende de una funcion exponen-
cial decreciente y se obtiene al multiplicar la densidad
total de huecos por la densidad de los electrones que
tambien dependen de la temperatura y se modelan
como funciones exponenciales decrecientes. Por tan-
to, se tiene una expresion en terminos de las densi-
dades lo cual hace posible investigar que ocurre con
el voltaje Hall al variar la temperatura y las transi-
ciones de conductividad extrnseca e intrnseca.
2. Procedimiento Experimental
Se utiliza un montaje como el de la imagen,
Figura 2: Montaje Experimental del Efecto Hall.
2
en el cual una placa de Germanio se encuentra
rodeada por dos bobinas las cuales con su respectivo
sistema pueden variar el campo magnetico que inci-
de sobre la placa. A su vez, dos sistemas adicionales
son capaces de moderar la corriente que atraviesa la
placa y la temperatura de la misma y una salida de
potencial que conectada a un sistema del computador
registra la evolucion temporal del V
H
gracias a la son-
da Hall.
Los primeros registros que se guardan corresponden
a la variacion del Voltaje Hall como funcion de la co-
rriente correspondiente a distintos campos magneti-
cos.
La segunda serie de datos que se registraron corres-
ponden a la variacion del Voltaje Hall como funcion
del Campo magnetico para una corriente constante.
La tercera serie de registros de datos corresponden
a la variacion del Voltaje Hall en funcion de la Tem-
peratura para una corriente constante, y realizando
la medicion para diferentes campos magneticos.
Para los componentes utilizados es preciso recal-
car que el cristal de Germanio p-dopado es extrema-
damente fragil y no se deben exceder corrientes de
33mA.
Anotacion: Es importante resaltar que por moti-
vos de ruido de la red electrica interna no se pudieron
realizar las mediciones pues estos ruidos interferan
en el circuito y no se lograba estabilizar el voltaje
Hall, por lo que los analisis se realizan entorno a me-
diciones antiguas ya registradas en el sistema.
3. Resultados y discusi on
3.1. Voltaje Hall como funci on de la co-
rriente
Se realizaron doce tomas de datos para valores
distintos del campo magnetico aplicado, sin embargo
solo se representaran seis de estos para evitar conges-
tion en la graca (gura 3).
0.005 0.01 0.015 0.02 0.025
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.1
Corriente [A]
V
o
l
t
a
j
e

H
a
l
l

[
V
]
Voltaje Hall vs. Corriente (1)


0,166 T
0,213 T

0,250 T

0,114 T

0,061 T

0,019 T
Figura 3: Voltaje Hall en funcion de la corriente para
distintos valores del campo magnetico
Se observa la dependencia lineal entre V
H
y la
intensidad de corriente para valores constantes del
campo magnetico, lo cual comprueba una parte de la
relacion matematica (1). Para concretar la veracidad
experimental de dicha expresion, bastara con estu-
diar la dependencia entre V
H
y un campo magnetico
constante para distintos valores.
Para cada conjunto de datos obtenidos a partir de
los diferentes valores del campo magnetico constante,
se realizo un ajuste lineal y = mx usando el metodo
de mnimos cuadrados; en el cuadro 1 se presentan
dichos resultados.
B [T] m [V/A] m [V/A]
0,006 0,99 0,01
0,019 1,13 0,01
0,034 1,33 0,01
0,061 1,64 0,01
0,086 1,92 0,01
0,114 2,13 0,01
0,139 2,46 0,01
0,166 2,78 0,01
0,189 3,03 0,01
0,213 3,25 0,01
0,233 3,44 0,01
0,250 3,59 0,01
Cuadro 1: Pendiente para cada ajuste lineal del vol-
taje Hall en funcion de la corriente
En el cuadro 1 no debe pensarse que todos los va-
lores de la pendiente poseen el mismo error, esta ca-
sualidad sucede por aproximar dichas incertidumbres
a dos cifras decimales. La ecuacion de la pendiente
(ver apendice 1, parte A) para las rectas representa-
das en la gura 1, esta dada por:
m =
R
H
B
d
A temperatura ambiente la densidad de huecos p
s
de-
bida al germanio p-dopado predomina sobre la den-
sidad de huecos por conduccion intrnseca p
e
y por lo
tanto se puede aproximar n
E
= p
E
0, en donde n
E
es la densidad de electrones debida a la conduccion
intrnseca del material. Bajo esta lnea de razona-
miento y de acuerdo a las ecuaciones (1) y (2), p
s
se
podra hallar de la siguiente manera y en el cuadro
2 se muestraran los resultados para cada valor del
campo magnetico:
p
s
=
B
e
0
d m
En donde d = 1, 010
3
[m] corresponde al grosor de
la muestra de germanio. El error de la anterior mag-
nitud se encuentra detallado en el apendice 1 (parte
B).
3
p
s
10
20
[1/m
3
] p
s
10
18
[1/m
3
]
0,38 0,26
1,04 0,79
1,60 0,81
2,31 1,65
2,79 1,64
3,35 2,27
3,53 1,74
3,72 1,83
3,89 1,71
4,09 1,48
4,22 1,11
4,34 1,04
Cuadro 2: p
s
para cada valor del campo magnetico
Haciendo uso de las ecuaciones que relacionan la
velocidad y la movilidad de huecos con el voltaje Hall
y algunas propiedades del material como sus dimen-
siones, es posible obtener valores para las dos magni-
tudes mencionadas:
v
p
[m/s]
p
[m
2
/V s]
495,2 7,07
179,2 2,56
117,1 1,67
80,9 1,16
67,1 0,96
56,0 0,80
53,0 0,76
50,3 0,72
48,2 0,69
45,8 0,65
44,4 0,63
43,1 0,62
Cuadro 3: v
p
y
p
para cada valor del campo magneti-
co.
3.2. Voltaje Hall como funci on del campo
magnetico
En el cuadro 3 se presentan los datos obtenidos a
partir de variar el campo magnetico y medir el vol-
taje Hall V
H
, la corriente se mantuvo constante a 30
[mA].
En la gura ** se observa una dependencia lineal en-
tre el voltaje Hall y el campo magnetico, si combina-
mos este resultado con el anterior con respecto a la
corriente se conrma la ecuacion 1 y es posible hallar
el coeciente Hall R
H
mediante la pendiente de la
recta m
2
as:
m
2
=
R
H
I
d
R
H
=
m d
I
B 5 10
5
[T] V
H
5 10
5
[V ]
0,00000 -0,00480
-0,00015 -0,00465
-0,00015 -0,00435
-0,00045 -0,00465
0,03150 0,00435
0,07980 0,01650
0,13575 0,03090
0,17700 0,04065
0,21195 0,04875
0,21120 0,04800
0,21420 0,04875
0,21360 0,04860
0,21345 0,04875
Cuadro 4: Voltaje Hall con variacion del campo
magnetico aplicado
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0.16 0.18 0.2
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
B[T]
V
H
[
V
]
Voltaje Hall vs. Campo magntico
Figura 4: Voltaje Hall en funcion del campo magneti-
co para I = 30[mA]
En la practica se realizaron dos tomas de datos
para este paso, la que se muestra y otra en la que se
inverta el sentido del campo magnetico, se presen-
taran ambos resultados (cuadro 4) con sus respecti-
vos errores que se encuentran detallados en la parte
C del apendice 1.
m
2
m
2
[V/T] R
H
[m
3
/As] R
H
[m
3
/As]
1 0,249 0,002 8,3110
3
6,3810
5
2 0,250 0,002 8,3410
3
7,5510
5
Cuadro 5: Coeciente Hall para dos tomas de datos
El hecho de que las gracas no partieran del ori-
gen no inuye en el calculo de R
H
, ya que solo se tiene
en cuenta el grado de inclinacion de dichas rectas y
este no vara ante las traslaciones.
4
3.3. Voltaje Hall como funcion de la tem-
peratura
En la gura ** se muestra la dependencia entre
el Voltaje Hall y la temperatura:
-0,0008
0,0042
0,0092
0,0142
0,0192
0,0242
0,0292
0,0342
0,0392
0,0023 0,0025 0,0027 0,0029 0,0031 0,0033
V
H
[
V
]
T +293 [K]
Voltaje Hall vs. Temperatura
Figura 5: Voltaje Hall en funcion de la temperatura
A temperatura ambiente el comportamiento de
V
H
se debe a huecos creados por los atomos acep-
tores en el germanio. Al aumentar la temperatura el
transporte de carga se debe cada vez mas a electrones
activados termicamente. Cuando el n umero de elec-
trones excede el n umero de huecos el voltaje Hall se
vuelve negativo.
A temperaturas altas la densidad de electrones y hue-
cos es aproximadamente la misma. El voltaje Hal se
aproxima nalmente a cero gracias a los campos in-
versos pero de igual magnitud de los electrones y los
huecos.
4. Conclusiones
Se verico la linealidad entre el voltaje Hall y
el campo magnetico descrito por la gura 3 co-
mo era lo esperado pues al aumentar el cam-
po magnetico, la fuerza de Lorentz que experi-
mentan los portadores de carga se incrementa y
por lo tanto exisitra un campo Hall mayor para
equilibrar dicha fuerza, con lo cual se deduce
que el voltaje Hall tambien aumenta.
Se verico que la movilidad de los portadores de
carga aumenta cuando existe mayor velocidad
de deriva y viceverza puesto ambas cantidades
dependen del inverso del campo magnetico por
las ecuaciones (7) y (8).
Se calculo el coeciente Hall para un semicon-
ductor p-germanio con un valor promedio de
(8, 33 10
3
4, 94 10
5
)[m
3
/As].
Como lo muestra la gura 5, a medida que la
temperatura se aumenta el voltaje Hall dismi-
nuye debido a que existe una transicion para
la cual comienza a existir mayor conductividad
intrnseca de electrones de las capas valencias
debido a la energa termica lo c ual hace que pre-
domine sobre la conductividad extrnseca debi-
do al dopaje (huecos).
Referencias
[1] Eisberg, Robert Martin y Robert
Resnick, Fsica cuantica: atomos, molecu-
las, solidos, n ucleos y partculas. Limusa,
Mexico, 1978.
[2] Young, Hugh D., Roger A. Freed-
man, A. Lewis Ford y Francis Wes-
ton Sears, ((Sears and Zemanskys uni-
versity physics: with modern physics 11th
ed)). San Francisco: Pearson Addison Wes-
ley, 2004.
[3] Ardila Vargas, Angel Miguel Fsi-
ca experimental. Universidad Nacional de
Colombia (Bogota). Facultad de Ciencias:
2007.
5. Apendice 1
5.1. Parte A
La incertidumbre para los valores de la pendiente
hallados por el metodo de mnimos cuadrados esta da-
da por:
=

N
i=1
(Y
i
mX
i
b)
2
N 2
m =

N
i=1
X
2
i
(

N
i=1
X
i
)
2
5.2. Parte B
La densidad de huecos debida a la conduccion por
el dopaje p presenta la siguiente incertidumbre:
p
s
=
B
e
0
d m
2
m
5.3. Parte C
La incertidumbre para el coeciente Hall esta re-
presentada por la siguiente expresion matematica:
R
H
=
d
I
m
2
5